JP2881069B2

JP2881069B2 - 半導体デバイスの製法

Info

Publication number: JP2881069B2
Application number: JP4101867A
Authority: JP
Inventors: 靖寛白木; 晋深津; 洋実木山; 健治奥村; 毅奥村
Original assignee: Daido Hokusan Kk
Current assignee: Daido Hokusan Kk
Priority date: 1992-03-27
Filing date: 1992-03-27
Publication date: 1999-04-12
Anticipated expiration: 2014-04-12
Also published as: JPH05275679A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、真空室等の真空領域
内に、半導体結晶を構成する原子をガス状態で供給し、
基板表面にＳｉ−ＳｉＧｅヘテロ接合構造の結晶薄膜
（シリコン単結晶薄膜とシリコンゲルマニウム混晶単結
晶薄膜とを積層した構造、以下同じ）を成長させ、半導
体デバイスを製造する方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、素子の高性能化の要求により、従
来のＳｉ系半導体とは異なった材料が開発されている。
その一つは、ＧａＡｓを中心とする化合物半導体であ
り、Ｓｉ系の半導体にはない数々の優れた特性を有して
いる。しかしながら、デバイスの信頼性、高集積化とい
う点においてはまだまだ満足な技術が確立されていな
い。そこで、信頼性、高集積化の容易さ等、半導体材料
として優れた特性を有し、これまで長期に渡って蓄積し
てきた技術を活かせるＳｉ系半導体をさらに高性能化す
るという試みがなされている。その技術の中核をなすの
がエピタキシー技術であり、高品質、高均一性、大きな
成長速度、急峻なドーピングプロファイルならびにヘテ
ロ界面の形成等が要求される。その要求に対応する結晶
成長方法としては、分子線エピタキシャル（ＭＢＥ）
法、その成長原料をガスソースに代えたガスソースＭＢ
Ｅ法、減圧ＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法等がある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
方法の内、ＭＢＥ法は次のような欠点がある。Ｓｉが
チャンバー内に大量に堆積し、パーティクルの原因とな
る。電子銃式Ｓｉソースを使用するため自動化が難し
い。超高真空を必要とするため、真空排気系が複雑且
つ高価になる。原料を消費し終えたときに再充填に手
間がかかるため、ハンドリング特性が悪い。膜成長に
関しては、成長速度が遅い、選択成長ができない。ＭＢ
Ｅ法は、このような問題を有しており、生産装置化する
には向いていない。常圧ＣＶＤ法は、粘性流領域でのプ
ロセスであるため、流れ方向に分布を生じやすく、均
一性を出すのが困難である、ガス切れが悪く、急峻な
プロファイルが取りにくい、原料ガスならびにキャリ
アガスとしてＨ₂ガスを多量に使用するため原料コスト
が高くなるうえ、原料利用効率が悪いことから、大量の
排ガスを生じ安全面において大きな問題となる等の欠点
がある。また、減圧ＣＶＤ法は、成長速度が大きく生産
向けといえるが、石英製の反応管を用いるホットウォー
ル反応室のため選択成長が難しい、という問題がある。
そこで、上記のＭＢＥ法において、原料を、固体ソース
からガスソースに代えた、いわゆるガスソースＭＢＥと
呼ばれる方法でこれらの問題に対応することが考えられ
ている。この方法では、たとえば図１０に示すような原
理の装置を用いる。すなわち、この装置の真空室Ｘ内の
中央部には、その上方からヒータ６が吊り下げられてお
り、このヒータ６の下面に、インジウム等によって基板
１が貼り付けられた基板ホルダ５が設置されている。そ
して上記ヒータ６によって、上記基板ホルダ５および基
板１に対し輻射加熱を行いながら、下方の原料ガス供給
配管９、１０から複数の原料ガスを同時に供給して基板
１の表面１′に付着させ結晶を成長させるのである。こ
の反応は、通常１０^-3から１０^-4パスカル（Ｐａ）程度
の高真空下で行われ、真空配管８に連通される真空ポン
プ（図示せず）によって真空引きが行われる。この方法
によれば、原料を連続供給することができるので、従来
のように真空状態を解除して原料充填を行う必要がなく
なる。

【０００４】上記ガスソースＭＢＥ法では、ガスソース
を用いるため、確かに原料のハンドリングは容易にな
る。しかしながら、上記の方法では、装置の構造上成長
時の圧力は、１０^-3Ｐａ以下の分子流領域となり、結晶
膜の成長速度が小さく、また、基板を回転させないと、
生成する膜の均一性が得られない等の欠点があり、実験
室スケールでは問題はないものの、量産する場合には、
問題が多い。また、上記ガスソースＭＢＥ法は、液体窒
素シュラウド（囲いのなかに液体窒素を流して囲いを冷
却したもの）を使用するため、ＳｉＧｅ混晶単結晶薄膜
成長の場合、使用するＧｅＨ₄がこの液体窒素シュラウ
ドからの脱離により、成長中の分圧が一定にならないた
め高品質なＳｉ−ＳｉＧｅヘテロ接合構造を得るのは難
しい。

【０００５】この発明は、このような事情に鑑みなされ
たもので、基板を回転させることなく、高品質な結晶膜
が、大きな成長速度と、高い均一性を備えて得ることが
できる半導体デバイスの製法の提供をその目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の半導体デバイスの製法は、１０ ^-1 〜１０
^-3 Ｐａに設定された真空領域内にＳｉを含むガスおよび
Ｇｅを含むガスを供給し、基板上にＳｉ−ＳｉＧｅヘテ
ロ接合構造の半導体結晶薄膜を成長させ、半導体デバイ
スを製造する方法であって、基板表面を下向きにした状
態で基板を保持する基板保持部と、上記基板保持部の周
囲に設けられ真空領域内を基板加熱スペースと結晶成長
スペースの二空間に仕切る分離板と、上記基板保持部下
側の反応ガス拡散室と、上記基板を上方から加熱するヒ
ータと、上記ヒータの周囲を囲う下向きコップ状の熱遮
蔽板とを設けるとともに、上記反応ガス拡散室の天井部
一面に所定間隔で複数の開口を形成し、上記反応ガス拡
散室の天井部開口と基板との距離を、上記結晶薄膜生成
の際における上記両ガスの平均自由行程よりも短く設定
し、上記真空領域内を結晶成長温度に加熱した状態で、
Ｓｉを含むガスを所定時間供給してＳｉ単結晶薄膜を成
長させたのち、上記加熱状態を維持したまま、そのガス
の供給を停止することにより結晶膜の成長を中断し、つ
いでＳｉを含むガスおよびＧｅを含むガスの双方を同時
に所定時間供給して上記Ｓｉ単結晶薄膜上にＳｉＧｅ混
晶単結晶薄膜を成長させたのち上記両ガスの供給を停止
するという構成をとる。

【０００７】

【作用】すなわち、Ｓｉ単結晶薄膜（以下「Ｓｉ膜」と
略す）とＳｉＧｅ混晶単結晶薄膜（以下「ＳｉＧｅ膜」
と略す）からなるヘテロ接合構造の半導体結晶薄膜を形
成する場合において、従来のガスソースＭＢＥ等では、
つぎのようにして行っている。すなわち、Ｓｉを含む反
応ガス、たとえばＳｉ₂Ｈ₆ガスを反応室に所定時間供
給し、所定膜厚のＳｉ膜を形成する。つぎにＳｉ₂Ｈ₆
ガスはそのまま流し続けておき、これに、Ｇｅを含む反
応ガス、たとえばＧｅＨ₄ガスを所定間隔で供給し、所
定膜厚のＳｉＧｅ膜を形成するということを行ってい
る。つまり、Ｓｉ₂Ｈ₆ガスは、流し続けたままで、Ｇ
ｅＨ₄ガスだけを所定時間供給したのち、停止するとい
うサイクルを繰り返すことにより、基板上にＳｉ−Ｓｉ
Ｇｅヘテロ接合構造の半導体結晶薄膜を形成し半導体デ
バイスを作製している。このようにして作製された半導
体デバイスは、Ｓｉ膜とＳｉＧｅ膜との接合界面におい
て、２種類の原料ガスの混合した領域がかなりでき、界
面の急峻性が悪くなる（異種膜積層形成時に原料ガスの
混合により、ある膜の膜成分に他の膜の膜成分が交じ
り、界面があいまいになること）。その結果、良好なデ
バイス特性が得られなくなる。そこで、本発明者らは、
その原因を追究するとともに良質なＳｉ−ＳｉＧｅヘテ
ロ接合構造の半導体結晶薄膜を形成する方法について研
究を重ねた結果、１０^-1〜１０^-3Ｐａに設定された真空
領域内に、基板を下向きに保持し、基板周囲の分離板に
よって上記真空領域内を上下２空間に仕切って個別に真
空引きし、熱遮蔽板に囲われた特殊なヒータによって上
方から加熱を行うとともに、基板下側から２種類の反応
ガスを、その吐出口（＝反応ガス拡散室の天井部開口）
と基板の距離を平均自由行程より短く設定した上で、ま
ず、反応ガスを分子流として均一な分子密度で供給して
Ｓｉ膜を成長させたのち、つぎのＳｉＧｅ膜の成長を開
始するまでに、しばらく反応ガスを全く流さない状態
（成長を中断する）を作ると、上記接合界面の急峻性が
著しく向上するということを見いだしこの発明に到達し
た。

【０００８】つぎに、この発明を詳しく説明する。

【０００９】この発明の半導体デバイスは、通常、１０
^-1 〜１０ ^-3 Ｐａの真空室内に、基板を下向きに保持する
保持部と、上記保持部の下側に反応ガス拡散室とを設け
て構成された半導体製造装置を用いて得られる。原料と
なる反応ガスは、上記反応ガス拡散室の天井部に所定間
隔で設けられた開口から上向きに吹き出され、基板面に
薄膜を形成する。なお、上記真空室内は基板周囲に設け
られた分離板によって上下２空間に仕切られており、ま
た基板と反応ガス拡散室の天井部開口との距離は、数セ
ンチメートル程度（好適には２〜５cm、より好適には３
〜４cm）に設定されている。しかも、上記反応ガス拡散
室の天井部開口は、上記基板面での分子線密度が均一に
なるよう、所定間隔で一面に分布形成されている。この
ようにして、反応ガスを供給することにより、通常のガ
スソースＭＢＥ法では困難な、反応ガスの平均自由行程
が数センチメートルとなる比較的高い圧力領域（１０^-1
Ｐａオーダ）においても、低温で膜成長が可能となる。
また、基板上方から、下向きコップ状の熱遮蔽板で囲わ
れた特殊なヒータ加熱を行うことにより、基板に対する
熱効率を高め、かつ基板面に対する均一加熱を確保して
いる。その結果、基板を回転させることなく高い膜均一
性が得られ、膜の成長速度、原料利用効率の大幅な向上
も可能となる。そして、導入された反応ガスの吐出口コ
ンダクタンスが大きくなるため、例えばガスの種類を変
える際等にガス切れが良く（ガス切れが良いとは、前回
使用時のガスを短時間で排出できるということであ
る）、急峻なヘテロ界面（急峻なヘテロ界面とは、膜の
積層時に、新規生成膜に前回使用時のガスの混入が少な
く、新旧両膜がその接合界面において成分が厳密に異な
るようになることである）が得られる。

【００１０】つぎに、この発明を実施例にもとづいて詳
細に説明する。

【００１１】

【実施例】図１はこの発明の半導体デバイスの製造に用
いる半導体製造装置を示している。この半導体製造装置
は、円筒形のステンレス製真空室Ｘを備え、その真空室
Ｘ内に円板状の基板１が、中央にガス透過用の穴を有す
るシリコン板（図では省略している）を介して、水平に
設けられた基板保持用のトレイ４の中央開口縁３に水平
に載置され、着脱自在に装着される。上記シリコン板に
よって基板１の全体の均一加熱が可能となる。真空室Ｘ
の略中央に設けられたこの基板１は、処理後は真空室Ｘ
の周壁の開閉部（図示せず）に設けられた基板交換用治
具（図示せず）により、新たな基板と交換される。そし
て、このトレイ４の外周縁４ａと、真空室Ｘの周壁１ａ
から内側に水平に突出するステンレス製のガイドリング
１ｂとの間の間隙に、その間隙を埋める、略リング状の
分離板１１が取り付けられている。

【００１２】上記略リング状の分離板１１は、その内周
側のリング部分と外周側のリング部分とからなり、内周
側部分がカーボンリング２０で形成され、外周部分が石
英リング２１で形成されている。上記石英リング２１
は、熱遮蔽効果が高いため、成膜時の加熱によって基板
１の周囲が中心側から周方向に熱くなるのを、この石英
リング２１によって防止することができ、真空室Ｘの周
壁に対する伝熱を遮蔽する。この種の装置では、成膜状
態をその場で観察するために、真空室ＸにＲＨＥＥＤ等
の観察機器を取り付け、基板１の表面（図示の下側面）
に電子ビームを照射してその軌跡を反対側に設けたスク
リーン（図示せず）上に投影しその投影像を読み取るこ
とが行われるが、このとき、上記分離板１１の石英リン
グ２１は絶縁体であり、静電気を帯びて帯電しやすい。
そしてこのような帯電部分が存在すると、電子ビームは
指向性を失い、軌跡がスクリーンから大きくずれてスク
リーン上には投影されなくなる。そこで、この装置で
は、石英リング２１への帯電を防止するために、石英リ
ング２１の下面に、薄肉のカーボンプレート２２を取り
付け静電気を真空室Ｘの周壁１ａに逃がすようにしてい
る。また、分離板１１のカーボンリング２０と基板１と
は、上記石英リング２１で真空室Ｘの周壁１ａと遮断さ
れており帯電しやすいため、カーボンリング２０をタン
タル線２５によってガイドリング１ｂにアースし静電気
を真空室Ｘの周壁１ａに逃がすようにしている。

【００１３】上記真空室Ｘは、先に述べた分離板１１，
トレイ４および基板１によって、基板加熱スペースＰと
結晶成長スペースＱの二空間に仕切られており、上記基
板加熱スペースＰ，結晶成長スペースＱのそれぞれに
は、真空ポンプ（図示せず）から延びる真空排気配管１
２，１３が連通されている。したがって、上記スペース
Ｐ，Ｑは、各別に、それぞれ異なる真空度に設定できる
ようになっている。この基板加熱スペースＰにおいて、
上記基板１の上方には、ヒータ（例えば板状カーボング
ラファイトに筋状切り込みを交互に設け、その両端に電
極を取り付けて構成した板状ヒータ等）６が設けられて
おり、その下に均熱板６ａが取り付けられている。これ
らは、真空室Ｘの天井から吊り下げ保持されている。こ
のヒータ６は面状に均一加熱が可能で、特に上記均熱板
６ａとの組合せによって非常に均一に面状加熱を行うこ
とができるようになっている。

【００１４】そして、上記ヒータ６および均熱板６ａ
は、開口を下向きにした状態で配設されたコップ状の熱
遮蔽板２６で囲われている。この熱遮蔽板２６は、８層
構造の積層板からなり、内側の４層がモリブデン材で形
成され、外側の４層がステンレス材で形成されている。
この構造によれば非常に保温性および加熱時の熱の指向
性を高くできるため、前記分離板１１の存在と相俟っ
て、ヒータ６の加熱領域を限定し、基板１に対する熱効
率を大幅に向上させることができる。

【００１５】一方、上記結晶成長スペースＱには、中空
円柱状のマニホールド７が設けられている。このマニホ
ールド７は、内部が中板４０で上下２室に区切られてい
る。この中板４０は、ＳｉＣ（炭化ケイ素）コーティン
グのなされたカーボン板４０ａとモリブデン板４０ｂの
２層構造になっている。モリブデン板４０ｂは、マニホ
ールド７の下室への熱侵入を阻止する。マニホールド７
の下室は、ステンレス製の第２の反応ガス拡散室４１に
形成され、その底部にはステンレス製の第２の原料ガス
供給配管４２が連通されている。そして、上記第２の原
料ガス供給配管４２の先端部は開口に形成されヘッダー
部４６になっており、この部分から周方向に第２の原料
ガスが噴射するようになっている。また、上記ヘッダー
部４６の周囲には、略中空半球状のステンレス製の反射
板４７が設けられており、上記第２の原料ガスは、その
曲面に沿って矢印のように滑らかに均一拡散しながら上
昇するようになっている。マニホールド７の上室は、Ｓ
ｉＣコーティングされたカーボン材製の第１の反応ガス
拡散室４３内に形成され、その内部には、側方からタン
タル材製の第１の原料ガス供給配管４４が導入されてい
る。この原料ガス供給配管４４の先端は閉じられてい
て、先端周壁部には、円周方向に所定間隔で複数の吹出
口４４ｂが形成されている。また、上記吹出口４４ｂの
上方には、タンタル材製の水平拡散板４８が設けられて
いる。これによって、第１の原料ガスが、破線矢印のよ
うに周方向に均一に拡がりながら上昇するようになって
いる。そして、上記第１の反応ガス拡散室４３の天井
部、すなわち、マニホールド７の天板には、図２に示す
ように、一面に、均一な間隔（例えばピッチ１８mm）で
多数の開口（直径４．５mm）４３ａが分布形成（基板面
迄の距離３５mm）されている。図２において、開口４３
ａは、各開口４３ａを結んで横方向に延びる線Ｘに対
し、各開口を結んで斜めに延びる線Ｙが略６０度の角度
となるように形成されている。符号１は基板を示してい
る。そして、各開口４３ａの略中心に、図１に示すよう
に、第２の反応ガス拡散室４１の天井部から上方へ延び
るタンタル材製の連通管４０ｃの先端が位置し、各開口
４３ａの開口壁との間に空隙を設けている。第１の反応
ガス拡散室４３に導入された第１の原料ガスは上記空隙
を通って基板１に向かって吹き出し、第２の反応ガス拡
散室４１に導入された第２の原料ガスは連通管４０ｃを
通って基板１に向かって吹き出すようになっている。

【００１６】この装置を使用するに際しては、真空室１
の圧力を１０^-1〜１０^-3Ｐａに設定することが必要で、
より好適には、１０^-1〜１０^-2Ｐａに設定する。そし
て、Ｓｉを含むガスおよびＧｅを含むガスを吹き出す開
口４３ａ、連通管４０ｃと、上記基板１との距離を、上
記両ガスの平均自由行程よりも短く設定する。通常、上
記開口４３ａ、連通管４０ｃを、基板１から１０cm以
内、好適には２〜５cm、より好適には３〜４cm（上記装
置では３．５cm）の距離に設定し、その開口４３ａの連
通管４０ｃの先端から原料ガスを吹出し基板１に成膜す
る。このとき基板１は、３００〜１１００℃の温度範
囲、好適には４００〜１０００℃の温度範囲に加熱され
ている。通常、ＰＨ₃，ＡｓＨ₃はクラッキング後、第
１の反応ガス拡散室４３に供給され、Ｓｉを含むガス
（Ｓｉ₂Ｈ₆，ＳｉＨ₄）やＧｅを含むガス（ＧｅＨ₄
等）やＰ形不純物となるＢ₂Ｈ₆は分離しないで直接第
２の反応ガス拡散室４１に供給される。図３の半導体デ
バイスを作製する場合は、第２の反応ガス拡散室４１の
みを用い、シリコン単結晶薄膜層２の原料となるＳｉ₂
Ｈ₆ガスと、シリコンゲルマニウム混晶単結晶薄膜層３
の原料となるＧｅＨ₄ガスとを図４および図５に示すよ
うに、区切って（途中で原料ガスを流さない時間を設け
て）基板１上に結晶を成長（例えば成長温度５５０℃）
させることが行われる。これにより、図３に示す層構造
の半導体デバイスが得られる。図４において、Ｓｉ₂Ｈ
₆は、６０秒間流され、５秒間停止し、１０秒間流さ
れ、５秒間停止するというように流される。また、Ｇｅ
Ｈ₄は、図５に示すように、Ｓｉ₂Ｈ₆の１０秒間の流
れに、重ねて１０秒間流される。このようにして、成膜
する場合、その分子線密度は、図６に示すように、基板
１に対して略均一であり、かつ得られた製品（基板＋
膜）は図７に示すように均一な厚みの膜が得られる。図
７において、Ｘは基板中心から横方向に向かう膜厚、Ｙ
は基板中心から縦方向に向かう膜厚である。

【００１７】このようにして得られた半導体デバイスの
断面構造を図８に示す。図において、シリコン基板１上
に、膜厚６０Åのシリコン単結晶薄膜層２と膜厚２０Å
のシリコンゲルマニウム混晶単結晶薄膜層３とが交互に
積層形成されている。この半導体デバイスにおいて、上
記シリコン単結晶薄膜層２とシリコンゲルマニウム混晶
単結晶薄膜層３との各接合界面における急峻性は、図９
に示す直線Ａから明らかなように６Åであり良好であっ
た。上記急峻性の測定は、つぎのようにして行った。

【００１８】〔急峻性の測定〕二次イオン質量分析装置
（酸素イオンＯ₂ ⁺を加速エネルギー６ｋＶで試料表面
に対して６０°の角度で入射し、物理スパッタ効果によ
り、ＧｅのＳｉ中における深さ方向分析を行う。《ＳＩ
ＭＳ装置》）を用いて、Ｓｉ／ＳｉＧｅ界面付近におけ
るＧｅの分布を測定した。

【００１９】Ｇｅの分布が表面方向に拡がる場合には、
Ｇｅの分布は単純な指数関数型にはならないことが知ら
れており、このことからもＳｉ／ＳｉＧｅ界面の急峻性
が極めてよいことがわかる。

【００２０】このようにして得られたこの発明に係る半
導体デバイスを光素子に応用したところ、発光ピーク波
長の揺らぎも生じず、またピーク半値幅の増大もあまり
みられず、感度が極めて良好となった。また、高移動度
トランジスタに応用したところ、トランジスタの作動速
度の大幅な向上がみられた。

【００２１】なお、上記実施例では、シリコン単結晶薄
膜層２が３層で、シリコンゲルマニウム混晶単結晶薄膜
層３が２層の層構造となっているが、層構造は１層ずつ
でもよいし、複数層ずつでもよい。また、上記層２の厚
みについても６０Åに限定するのではなく、例えば、３
０〜３００Åの範囲内で選択できる。また、上記層３の
厚みについても２０Åに限定するのではなく、例えば１
０〜１００Åの範囲内で選択することができる。

【００２２】

【発明の効果】以上のように、この発明は、基板上に、
Ｓｉ−ＳｉＧｅヘテロ接合構造の半導体結晶薄膜を形成
する際、結晶成長を行う真空領域の圧力を１０^-1〜１０
^-3Ｐａに設定し、しかも下向きに保持した基板の周囲に
分離板を設けて上記真空領域内を上下２空間に仕切って
個別に真空引きし、上方から、熱遮蔽板に囲われた特殊
なヒータで加熱を行うとともに、基板下側から２種類の
反応ガスを、その吐出口（＝反応ガス拡散室の天井部開
口）と基板との距離を平均自由行程より短く設定（通常
１〜１０cm）した上で、Ｓｉを含むガスを分子流とし
て、基板面での分子密度が均一になるよう、所定時間供
給してＳｉ膜を成長形成させる。このため、得られるＳ
ｉ膜は非常に均一な膜厚となる。そして、つぎに、ガス
の供給を停止し、所定時間成長を中断した後、Ｓｉを含
むガスとＧｅを含むガスを同時に所定時間供給してＳｉ
Ｇｅ膜を上記Ｓｉ膜上に形成し、ついでそのガスの供給
を停止するというサイクルを繰り返す。このように、ガ
ス供給の停止を行うことにより、Ｓｉ膜とＳｉＧｅ膜の
接合界面の急峻性（切れ）が良くなり、超薄膜における
制御精度が向上するため、本来の特性が最大限発揮され
る設計通りのＳｉ−ＳｉＧｅヘテロ接合構造の半導体結
晶薄膜を有する半導体素子を容易に製造できるようにな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に用いる半導体装置の構造を示す。

【図２】図１の装置のマニホールドの天板に分布形成さ
れる多数の開口の説明図である。

【図３】図１の装置によって得られる半導体デバイスの
説明図である。

【図４】図１の装置に２種類の反応ガスを間隔をあけて
供給する説明図である。

【図５】図１の装置に２種類の反応ガスを間隔をあけて
供給する説明図である。

【図６】分子線相対密度と中心からの距離との関係を示
す図である。

【図７】膜厚と中心からの距離との関係を示す図であ
る。

【図８】この発明の製法により得られた半導体デバイス
の断面図である。

【図９】図６のデバイスのヘテロ接合構造の薄膜の急峻
性の説明図である。

【図１０】ガスソースＭＢＥ法の原理を示す説明図であ
る。

【符号の説明】

１基板２シリコン単結晶薄膜層３シリコンゲルマニウム混晶単結晶薄膜層

フロントページの続き (72)発明者奥村毅大阪府堺市上野芝向ケ丘町５−743向ケ丘寮 (56)参考文献特開平３−105915（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 29/16 - 29/167

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】１０ ^-1 〜１０ ^-3 Ｐａに設定された真空領
域内にＳｉを含むガスおよびＧｅを含むガスを供給し、
基板上にＳｉ−ＳｉＧｅヘテロ接合構造の半導体結晶薄
膜を成長させ、半導体デバイスを製造する方法であっ
て、基板表面を下向きにした状態で基板を保持する基板
保持部と、上記基板保持部の周囲に設けられ真空領域内
を基板加熱スペースと結晶成長スペースの二空間に仕切
る分離板と、上記基板保持部下側の反応ガス拡散室と、
上記基板を上方から加熱するヒータと、上記ヒータの周
囲を囲う下向きコップ状の熱遮蔽板とを設けるととも
に、上記反応ガス拡散室の天井部一面に所定間隔で複数
の開口を形成し、上記反応ガス拡散室の天井部開口と基
板との距離を、上記結晶薄膜生成の際における上記両ガ
スの平均自由行程よりも短く設定し、上記真空領域内を
結晶成長温度に加熱した状態で、Ｓｉを含むガスを所定
時間供給してＳｉ単結晶薄膜を成長させたのち、上記加
熱状態を維持したまま、そのガスの供給を停止すること
により結晶膜の成長を中断し、ついでＳｉを含むガスお
よびＧｅを含むガスの双方を同時に所定時間供給して上
記Ｓｉ単結晶薄膜上にＳｉＧｅ混晶単結晶薄膜を成長さ
せたのち上記両ガスの供給を停止することを特徴とする
半導体デバイスの製法。