TW301040B - A reconfigurable array of test structures and method for testing an array of test structures - Google Patents

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S〇l〇4Q 五、發明説明（！） 發明頜城 本發明關於一種採用測試結構的可重組陣列之一用以 測試測試結構的測試結構之可重組陣列及方法。 發明背畏 在半導體製造中，半導體元件一般並非單獨地構建， 而是以大量，通常極大量地製造。例如，在製造一半導體 元件中，將有數百個或更多的元件同被備製於一單一基體 上。此基體或薄片隨後將被模切以得到單獨之半導體元件 。在半導體元件的個別步驟組中，最好對於半導體元件的 部份組裝或完全組裝的部份作有時多於—次的測試，以監 視製造程序以及辨識不良元件。 再者，在半導體元件製造中，爲降低製造成本，存在 有極大的經濟因素考量。如此，必需儘可能地將可被組合 於一特定基體上的半導體元件之數量極大化。不幸的是， 上述的要求使得將用以進行對半導體元件之參數測試結構 的空間更加難以被安排；該空間將實質的基本面積佔去相 當大的量，且其在執行測試測量後便不再具有其它目的。 這些參數測試結構代表半導體元件的未利用或、死〃空間 ，而該空間若在適當的利用之下將可提供諸如記憶體晶片 ，P A L及C PU等之額外半導體元件，或是在矽晶圓上 的模製佈局的最佳化。 傳統的參數測試結構非常小，但經其與道些結構接觸 的測試設備之探測墊必需相當大以容許測試設備的不精確 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

J ,11 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（2 ) 排列或微小誤排，並確保滿意的電接觸。所以，傳統的測 試設備之製造導致大量的基體面稹無法運用於一半導體元 件上且在製造過程後無法發揮任何功能。 爲了利用這些浪費的基體區域，各種不同的方式被嘗 試以求增加可利用的基體的面積。這些方法包括減少探測 墊的面積，將測試設備結構置於簿模的界線之外，及設置 僅用於測試目的之鑄模的部份。這些方法揭示於Matsushita 等 的美國 專利第 4 ， 0 1 4 ， 0 3 7 中 ，以及 T s u d a 的 美國專第4 ，0 4 1 ，3 9 9號，Matsushita等的美國專 利第4 ，〇 6 3 ，2 7 5號；0 h u c h 1等的美國專利第 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 3 0 2 1 7 6 1 9 8 3 0 2 7 7 1 0 6 8 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 3 3 3 3 4 3 4 5 5 7 6 3號 3 7 2號 2 8 3號 7 6 3號 0 0 9號 6 9 7號 8 1 9號 0 2 8號 2 1 3號 5 5 5號 6 5 2號 4 5 6號 5 2 4號

Matsushi ta等的美國專利第 C丨a s s等的美國專利第 0 h u c h 1等的美國專利第 U e k 1的美國專利第 N 〇 d a等的美國專利第 Matsushita等的美國專利第 H u r w i 11等的美國專利第 Miyazawa等的美國專利第 S u g 1 y a m a等的美國專利第 T o s t e r等的美國專利第 Iwanage等的美國專利第 H e v e d 1等的美國專利第 以及S u z u k !等的美國專利第 0 3 0號。不幸的，這些方法充其量僅達成 本紙張尺度適财國ϋ家縣（CNS ) M規格（21Qx297公着） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A 7 B7 五、發明説明（3 ) 基體的利用面積的小量增加。所以，仍希望獲得一種半導 體元件製造方法，其可導致半導體基體的利用面積的顯著 增力口。 發明概要 因此，本發明的一目的爲提供—種用以測試半導體元 件的新型測試結構的可重組陣列。 本發明的另一目的爲提供一種利用一測試結構之可重 組陣列以測試一半導體元件的一部份的方法。 本發明的又另一目的爲將可被組合於基體的一特定區 域上的半導體元件的數量極大化。 本發明的另一目的爲提供一用以將來自測試結構的測 試資訊極大化，同時將由修飾來自參數測試結構的測試資 訊的區域所佔用的模造面積極小化。 上述這些目的可藉由半導體元件的測試部份的測試結 構之一可重組陣列而達成，其一測試包含多數個探測墊， 其包含一第一探測墊及剩餘的探測墊，剩餘之探測墊中之 至少一個爲一共同接線：除該共同接線之外每一該多數探 測墊被接附以兩個導體：每一該兩個導體中被連接以一測 試結構，其一第一端被連接至該連接而測試結構的一第二 端被連接至該共同接線，除了該第一探測墊外，對該第一 探測墊而言：僅一測試結構被連接於兩導體的第一導體中 且一可熔連結體被連接於至該共同接線的兩導體的第二導 體中：其中該兩導體的每一者包含一與該測試結構串聯的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ 297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)

T B7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（4 ) 一可熔連結。在本發明的另一實施例中，一微探測墊被設 置於將可熔連結及測試結構串連的一導電路徑上。 上述目的亦可藉由用以測試一半導體元件的測試結構 的可重組陣列而達成，其一實施例包含多數個探測墊，多 數探測墊中之至少一個爲一共同接線：除該共同接線之外 的每一該多數探測墊被接附兩導體：其中該兩導體被連接 以一測試結構，該測試結構的一第一端被連接至該導體而 該測試結構的第二端連接至該共同接線，其中該兩導體的 每一個中之一包含一與該測試結構串聯的—可熔連結。在 本發明的另一實施例中，一微探測墊被設置於與可熔連結 及測試結構的導通路徑上。 這些目的亦可藉由測試一半導體元件的部份之方法而 達成，其一實施例包含以下之步驟將多數個測試結構組合 於測試結構的一可重組陣列中，測試結構的該可重組陣列 包含；多數個探測墊，該探測墊的至少一個爲一共同接線 :除了該共同接線之外的每一該多數探測墊被接以兩導體 ，在每該兩導體中被連接以該多數測試結構中之一，其中 該兩導體的每一個中之一包含一與該測試結構串聯的可熔 連結；達成每一該多數個探測墊及該共同接線間的第一組 測量，將與該測試結構串聯的可熔連結打斷或分中斷；達 成介於每一該多數探測墊及該共同接線間的第二組測量： 以及將第一組測量與第二組測量共乘起來以得到每一測試 結構的個別參數測量。在本發明的另一實施例中，一微探 測墊被設置於與可熔連結及測試結構串聯的導通路徑上。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨Ο X 297公釐） nn ^^^^1 1J am Bn—· ^^^^1 ^—#1 mi J^ 、T (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)、 A7 B7 ^〇1〇4〇 五、發明説明（5 ) ---------_ .衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) m些目的亦可藉由測試一半導體元件的部份之方法而 達成，其一實施例包含以下之步驟；將多數測試結構一合 爲—測試結構的一可重組陣列，該測試結構的可重組陣列 包含：多數探測墊，包含一第一探測墊及剩餘的探測墊， 除了該共同接線外，每一該多數探測墊被附接以兩導體， 其中該兩導體被連接以該多數測試結構中之一，該測試結 構的一第一端被連接至該導體而該測試結構的一第二端被 連接至該共同接線，除該第一探測墊外，對該第一探測墊 而言僅一測試結構被連接於兩導體中之第一導體上而一可 熔連結被連接於連接至該共同接線的雨導體中之第二導體 上：其中該兩導體的每一者之一包含一與該測試結構串聯 的可熔連結；達成介於每一該多數探測墊及該共同接線間 的第二組測量：以及將第—組測量與第二組測量聯立起來 以得到每一測試結構的個別參數測量。在本發明的另一實 施例中，一微探測墊被設置於與可熔連結及測試結構串聯 的導通路徑上。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 較佳實施例之詳細敘沭 本發明提供一種用以將參測試的探測墊的數目及面積 減去幾乎一半同時維持相同之所測試之測試結構的數目的 方法。此等於將由一特定數目之探測墊而測試之結構的數 目加倍。此方法係關於2節點測試結構，其可例如採用電 阻或電導作爲受測參數，如接觸連，電阻及其它2節點測 試結構。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X297公着〉 經濟部中央標隼局員工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（6 ) 本發明的一特點爲藉由一第一組測試結構對一組測試 結構作初始測試以得到一第一組量測然後將該測試結構重 新組合以在完成第一組量測後獲得一第二組量測。此測試 結構的重組類似於電腦鍵盤上的> A L T #鍵。 例如，在重組後由探測墊所執行的第二參數量測將修 飾與在第一數探測墊中所提供的賫訊不同的資料，由於測 試結構的陣列在兩組量測之間的時段中已被重組。 在本發明的一實施例中，測試結構的陣列可藉由以熔 於連接測試結構而被重組，由測試結構而得到一第一組量 測；中斷，或^破壞〃該熔線；獲得一第二組量測：將兩 組量測互連以取得每一測試結構的個別參數値。 在以上所討論的實施例中，其中測試結構被藉由熔線 而連接，該熔線可爲任何適於中斷電流的元件，例如金屬 熔線或多晶矽熔線，以及其它者，且相同的技術亦被用作 模鑄修護中的冗餘電路中的佈線，亦即，雷射修護設備的 冗餘線路中的熔線'^破壞# ，一旦在測試結構的陣列的熔 線被切斷，某些測試結構將被切斷且不會影響第二組量測 ，容許關於所有測試結構的資訊的抽取。 若多晶矽熔線的電阻對量測的精確性發生影響，則可 使用金屬熔線，亦即，一自探測墊接至測試結構的一金屬 導體，該導體具有一較窄之截面，容許其當作一可熔毀之 熔線。當然，欲熔毀金屬熔線，雷射光束必需被適當地調 整。 其原理可簡地表示爲：若有兩個傳統方式連接一測試 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐> (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ύυ^〇4〇 Α7 ___Β7__ 五、發明説明（7 ) 結構的之探測墊（例如，圖1所示的薄膜電晶體或接觸鏈 )’兩測試結構可被平行連接，而平行連接中之一包含— 熔線或可熔連結，如圖2所示。 例如，在圖2中，兩電阻具有電阻有Ri及r2。第一 組量測提供合併之電阻R c。m b，其等於 R 1 · R 2 R comb — _~~ ( 1 ) (Ri+R2) 此第一量測接著被修改，或許藉由暫時地利用執行該 測試的軟體程式儲存在記憶暫存器中之値。 在第一量測之後，熔線被熔毀，如此將電阻値R 2自 電路的經量測之電阻移去。執行於此時的一第二電阻量測 修飾單獨反映R 1値的電阻値。 將方程式（1 )相對於R 2作重新整理，

Rcomb· Rl (R 1+ R comb) 其顯示在未經單獨R 2之直接量測及未犧牲經量測之値的 精確度之下，所量測之R。。^及R :之値容許決定R 3之値 。使用於方程式（2 )中計算可被當作一由執行該測試的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 10 B7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（8 ) 量測常式軟體程式所執行的常式程式操作。 本發明的特點進一步由圖3及圖4說明，其中顯示測 試結構的實際佈局，爲簡化說明，僅8個探測墊被指出， 其中之一當成共同接線，COM。 在一將被模切的一半導體元件上的測試結構之一傳統 設計如圖3所示。在此設定中，具有一共通探測墊，7個 測試結構可被測試-探測墊1量測測試結構a之參數，探 測墊2量測測試結構b之參數，探測墊3量測測試結構c 之參數，探測塾4量測測試結構d之參數，探測塾5量測 測試結構e之參數，探測墊6量測測試結構f之參數，而 探測塾7量測測試結構g之參數。如此，藉由一測試結構 的傳統設計，8個探測墊容許7個量測測試結構的2 —節 點量測。 圖4說明本發明的一實施例。此處，探測墊1量測測 試結構a的參數，而探測墊2量測測試結構b及c的參數 ，探測室；3量測測試結構d及e的參數，探測塾4連接測 試結構f及g的參數’探測墊5量測測試結構h及丨的參 數，探測墊6量測測試結構j及k的參數，而探測塾7量 測測試結構ί及m的參數。此處，與傳統設置於—測試結 構中之設計相反的，8個探測墊容許1 3個測試結構的2 節點量測。（或者換言之，若僅7個測試結構被量測，則 其可僅利用4個探測墊即可完成，如此，更充份利用基體 區域）。 由以上的比較可知，本發明的測試結構的可重組陣列 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填转本頁) 、-° 11 A7 ____B7 五、發明説明（9 ) 幾乎可容許以一特定數量之探測墊達成兩倍數量的經測試 的測試結構 應注意到探測墊1爲獨特的：在第一組量測之前，其 被可熔連結或熔線F1所短路，當成一、信號〃，容許執 行測試的軟體程式決定那一組量測被執行而據以處理其結 果。在圇4中所示的範例中，若所置測到的介於探測墊1 及C Ο Μ間的電阻値爲零，則量測在熔線F 1 ，F 2 ， F3，F4 ，F5，F6及F7已被熔毀前對應至第一組 量測。或者，若所量測到的介於探測墊I及C Ο Μ間的電 阻値大於零，則；亦即在熔線F 1 ，F 2，F 3，F 4 ， F 5 ，F 6及F 7已被熔毀後對應至第二組量測。 在本發明的一較佳實施例中，測試結構a應具有相對 較高的電阻，R >> 〇 ，以便提供一較可靠的介於各組量 測間之差異。例如，可採用一多晶矽電阻。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 11 n^i —^ϋ. Jm ^ n 1^1 ^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)· . 亦應注意到，若欲如上所述，一小探測墊（僅用於微 探之用）可被用於一個或更多的測試結構，與例如圖5中 的微探測墊2 >及3 >的測試結構及可熔連結串聯的微探 測墊。如此，即使將熔線F 2及F 3熔毀或中斷後，測試 半導體元件6仍可被接通及量測於探測墊2及微探測墊 2 >之間，且半導體元件E仍可被接通及量測於探測墊3 及微探測墊3 >之間。如此容許測試結果在需要的情況下 之重新確認，例如，在顧客退回晶片的錯誤分析的情況下 ，外加之小型微探測墊2 >及3 > —般可爲與用於電路除 錯中之小探測墊相同之類型者。如此，小探測墊將不會較 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ -12 - A7 B7 五、發明説明（10 ) 鋁跨接線爲宽達例如3至4倍。此種探測墊在不顯著降低 可被組裝於一特定面積之基體上的測試之數量下被以極大 之數量（例如數十個）使用於現代晶片中。 在典型的半導體元件的製造中，用以連接2節點測試 結構的探測墊之數量輕地超過5 0。所以，可預期到本發 明可在基體的空間利用上獲得顯著的增加以及在自一特定 基體面稹上取得的資訊量上獲得顯著的增加。 雖然本發明需要一特定參數的兩個量測，此測試可經 常與測試半導體元件本身之功能合併，其通常至少被作兩 次。再者，並不預期半導體元件製造所需的時間會因第二 組量測而大幅增加。再者，雷射可被程式以僅將連接至參 數量測所選擇之元件的那些熔線熔毀。 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 ---------1 '衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在本發明的另一實施例中，熔線隨測試結構而變換， 使探測墊首先被連接至熔線：然後，接著連接至小微探測 墊；然後，接著被連接至測試結構。測試結構的另一節點 被直接連接至共同墊，C 0M。此一設計導致更方便的微 探，因爲僅一共同墊仍會被用，例如，共同墊COM及探 測墊2 >被採用以重設測試結構b。 由以上的揭示可對本發明作各種改變及修正。因此應 了解到，除以上所敘述者本發明可被在所附的申請專利範 圍之定義下被另行實施。 圖式之詳細敘述 圖1爲描述習知技術中之多探測墊的傳統設計之圖； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ' -13 - 301040 A7 B7 五、發明説明（η ) 圖2描述用以排列多探測墊的本發明的實施例 的 ; 構 構結 結試 試測 測的 統測 傳量 的數 測參 量一 數供 參提 示述 顯描 3 4 及 圖圖 .， 例 施 實 的 明 發 本 的 構 結 試 測 的 測 量 數 參 1 供 提 述 描。 5 例 圖施 實 另 的 明 發 本 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 14

Claims (1)

1. A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 1 . 一種用於一半導體元件的測試部份的測試結構之 可重組陣列，包含： 多數個探測墊，包含一第一探測墊及一其餘的探測墊 ，其餘的探測墊中之至少一個爲一共同接線； 除了該共同接線外該多數個探測墊被接附之兩個導體 在每一該兩導體上被連接以一測試結構，該測試結構 的一第一端被連接至該導體而該測試結構的一第二端被連 接至該共同接線， 除該第一探測墊外，對該第一探測墊而言，僅一測試 結構被連接於兩導體的第一導體中且一可熔連結被連接連 接至該共同接線的兩導體的第二導體中； 其中該兩導體的每一者包含一與該測試結構串聯的一 可熔連結。 2 .如申請專利範圍第1項所述的測試結構之可重組 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 陣列，其中該一包含一與該測試結構串聯的可熔連結的導 體另外包含一與該可熔連結及該測試結構串聯的一微探測 墊0 3 .如申請專利範圍第1項所述的測試結構之可重組 陣列，其中該可熔連結包含一熔線。 4 .如申請專利範圍第3項所述的測試結構之可重組 陣列，其中該熔線爲一多晶矽熔線。 5 ·如申請專利範圍第3項所述的測試結構之可重組 陣列，其中該熔線爲一金屬熔線。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） --------1 笨------訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)、 . -15 - A8 B8 C8 D8 _ 六、申請專利範圍 6 .如申請專利範圍第1項所述的測試結構之可重組 陣列，其中該可熔連結位於該探測墊及該測試結構之間。 7 .如申請專利範圍第1項所述的測試結構之可重組 陣列，其中該可熔連結位於該測試結構及該共同接線之間 Ο 8 .如申請專利範圍第1項所述的測試結構之可重組 陣列，其中該測試結構爲一電阻。 9 .如申請專利範圍第1項所述的測試結構之可重組 陣列，其中該測試結構爲一薄膜電晶體。 1 0 .如申請專利範圍第1項所述的測試結構之可重 陣列，其中該測試結構爲一接觸鏈。 1 1 .如申請專利範圍第1項所述的測試結構之可重 陣列，其中該測試結構爲一接觸點。 1 2 .如申請專利範圍第1項所述的測試結構之可重 陣列，其中該測試爲一電阻値之測試。 .1 3 . —種用於半導體元件的測試部份的測試結構的 可重組陣列，包 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 --------笨------訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 多數個探測墊，該多數個探測墊中之至少一個爲一共 同接線； 除該共同接線外，每一該多數個探測墊被接附以兩個 導體； 在每一該兩導體中被連接以一測試結構，該測試結構 的一第一端被連接至該連接器而該測試結構的一第二端被 連接至該共同接線； 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A8 Βδ C8 D8 々、申請專利範圍 其中每一該兩導體中之一包含一與該測試結構串聯的 一可熔連結。 1 4 .如申請專利範園第1 3項所述的測試結構之可 重組陣列，其中該包含一與該測試結構串聯的可熔連結的 導體另外包含一與該可熔連結及該測試結構串聯的微探測 墊。 1 5 .如申請專利範圍第1 3項所述的測試結構之可 重組陣列，其中該可熔連結包含一量測。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項所述的測試結構之可 重組陣列，其中該熔線爲一多晶矽熔線。 1 7 .如申請專利範圍第1 5項所述的測試結構之可 重組障列，其中該熔線爲一金屬熔線。 1 8 .如申請專利範圍第1 3項所述的測試結構之可 重組陣列，其中該可熔連結位於該探測墊及該測試結構之 間° 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ---------5' 木------訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本貢)’ 1 9 .如申請專利範圍第1 3項所述的測試結構之可 重組陣列，其中該可熔連結位於該測試結構及該共同接線 之間。 2 0 ·如申請專利範圍第1 3項所述的測試結構之可 重組陣列，其中該測試結構爲一電阻器。 2 1 .如申請專利範圍第2 0項所述的測試結構之可 重組陣列，其中該測試結構爲一薄膜電晶體。 2 2 ·如申請專利範圍第1 3項所述的測試結構之可 重組陣列，其中該測試結構爲一接觸鏈。 本紙張尺度逋用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ -17 - A8 B8 C8 D8 六、申請專利範園 2 3 .如申請專利範圍第1 3項所述的測試結構之可 重組陣列，其中該測試結構爲一接觸點。 2 4 .如申請專利範圍第1 3項所述的測試結構之可 重組陣列，其中該測試爲一電阻値之測試。 2 5 . —種用以測試一半導體元件之部份的方法，包 含以下步驟： 組合多數個測試結構於一測試結構的可重組陣列中， 該測試結構的可重組陣列包含： 多數個探測墊，該探測墊的至少一個爲一共同接線； 除了該共同接線外的每一該多數個探測墊被接附以兩個導 體；在每一該兩導體中被連接以該多數個測試結構中之一 ，其中每一該兩導體中之一包含一與該測試結構串聯的一 可熔連結： 達成介於每一該多個探測墊及該共同接線間的一第一 組量測； 將與該測試結構串聯的可熔連結打斷： 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 In n n^i ^ nn ^n· ^^^1 ^^^1、一οί (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁). ， 達成介於每一該多數個探測墊及該共同接線間的一第 二組量測：及 將該第一組量測與該第二組量測聯立以取得一每一組 測試結構的個別參數量測値。 2 6 .如申請專利範圍第2 5項中所述的方法，其中 該包含一與該測試結構串聯的一可熔連結的一導體另外包 含一與該可熔連結及該測試結構串聯的微探測墊。 2 7_如申請專利範圍第2 5項中所述的方法，其中 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18 - 301040 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 該該可熔連結包含一熔線。 ^^1 ^^^1 ^^^1 I i I ml ^^^1 m n^i ^^1 m^— 一eJ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)， · 2 8.如申請專利範圍第2 7項中所述的方法，其中 該熔線爲一多晶矽溶線。 2 9.如申請專利範圍第2 7項中所述的方法，其中 該熔線爲一金屬熔線。 3 0·如申請專利範圍第2 5項中所述的方法，其中 該可熔連結位於該探測墊及該測試間。 3 1 .如申請專利範圍第2 5項中所述的方法，其中 該可熔連結位於該測試結構及該共同接線之間。 3 2 .如申請專利範圍第2 5項中所述的方法，其中 該測試結構爲一電阻。 3 3_如申請專利範圍第3 2項中所述的方法，其中 該測試結構爲一薄膜電晶體。 3 4 .如申請專利範圍第2 5項中所述的方法，其中 該測試結構爲一接觸鏈。 3 5.如申請專利範圍第2 5項中所述的方法，其中 該測試結構爲一接觸點。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 3 6 .如申請專利範圍第2 5項中所述的方法，其中 該個別參數量測爲一電阻。 3 7.如申請專利範圍第2 5項中所述的方法，其中 該測試爲一電阻値之測試。 ， 3 8 .如申請專利範圍第2 5項中所述的方法，其中 該個別參數量測量測爲一電導。 3 9 .如申請專利範圍第2 5項中所述的方法，其中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 一 '— -19 - A8 B8 C8 D8 __ 六、申請專利範圍 該測試爲二電導値之測試。 4 〇 .如申請專利範圍第2 5項中所述的方法，其中 該測試結構的可重組陣列包含： 多數個探測墊，包含一第一探測墊及其餘的探測墊， 其餘的探測墊中之至少之一爲一共同接線： 除了該共同接線外，每一該多數個探測墊被接附兩連 接； 在每一該兩導體中被連接以該多數測試結構中之一， 該測試結構的一第一端被連接至該導體而該測試結構的一 第二端被連接至該共同接線，除該第一探測墊之外，就該 第一探測墊而言僅一測試結構被連接於該兩導體的第一導 體中且一可熔連結被連接於連接至該共同接線的兩導體的 第二導體中： 其中每一該兩導體中之一包含一與該測試結構串聯的 一可熔連結。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 --------1 裝------訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 4 1 .如申請專利範圍第4 0項中所述的方法，其中 該一包含一與該測試結構串聯的一可熔連結的導體另外包 含一與該可熔連結及該測試結構串聯的一微探測墊。 4 2.如申請專利範圍第4 0項中所述的方法，其中 該可熔連結包含一熔線。 4 3 .如申請專利範圍第4 2項中所述的方法，其中 該熔線爲一多晶矽熔線。 4 4 .如申請專利範圍第4 2項中所述的方法，其中 該熔線爲一金靥熔線。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公着） 一 ~ -20 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 4 5.如申請專利範圍第4 〇項中所述的方法，其中 該可熔連結位於該探測墊及該測試間。 4 6 .如申請專利範圍第4 〇項中所述的方法，其中 該可熔連結位於該測試結構及該共同接線之間。 4 7.如申請專利範圍第4 〇項中所述的方法，其中 該測試結構爲一電阻。 4 8.如申請專利範圍第4 7項中所述的方法，其中 該測試結構爲一薄膜電晶體。 4 9.如申請專利範圍第4 〇項中所述的方法，其中 該測試結構爲一接觸鏈。 5 0.如申請專利範圍第4 〇項中所述的方法，其中 該測試結構爲一接觸點。 5 1 .如申請專利範圍第4 〇項中所述的方法，其中 該個別參數量測爲一電阻。 5 2.如申請專利範圍第4 0項中所述的方法，其中 該測試爲一電阻値之測試。 5 3 .如申請專利範圍第4 0項中所述的方法，其中 該個別參數量測量測爲一電導。 5 4 .如申請專利範圍第4 0項中所述的方法，其中 該測試爲二電導値之測試。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 苯· 訂 21