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經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（1 ) 具有牢固縱向加強肋之積體電路觸點。 技術領域 本發明係闞於積體電路觸點的構造，特別是那些大尺寸 的積體電路觸點。 背景技藝 矽積體電路由多個主動元件部位所組成，該些主動元件 部位係被構築在一矽基體之間，並由一絕緣物圍繞這些作 用區域以使該主動元件部位呈互相的隔離，並使這些主動 元件部位被配置在矽基體之上。這些隔離元件藉由電導薄 膜跡線來互相連絡並裝配在絕緣物上Μ形成電路。這些隔 離的主動元件係自基體藉由接觸點接合至電導薄膜跡綠。 由圖1可見，一 CMOS反相器的電晶體圖式被展示具有一 NM0S加強型電晶體59，一 PM0S加強型電晶體57M及四個電 導跡線；參f沣地跡線Vss51，電源跡線Vcc55，輸入信號跡 線IN53，及輪出信號跡線0UT6 0。兩電晶體在其各別的閘 被連結至輸入訊號53。電源Vcc55於接觸點6 4被連结至 PM0S電晶體57的源極，且，參考接地Vss51則於接觸點61 被連結至NM0S電晶體59的源極。NM0S電晶體59及PM0S電晶 體57兩者分別在接觸點62及63被連結至輸出信號0UT60。 接觸點61〜64被供作Μ電的方式偶合個別的電導跡線和主 動部位電晶體等Μ形成一反相器電路。 於圖2中，HM0S電晶體59被示由η—型電極67叫組合而成 ，該η —型電極67由閘輸入訊號ΙΝ53所分割且被構築於P-# (P-well)65之間。該NM0S電晶體59的源極為沿接觸點61連 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4 _ 83. 3. 10,000 ---------^1 裝------訂----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（2 ) 結至Vss5 1，而其炎極則藉由接觸點62被連结至訊號0UT6 0。 相同地，PMOS電晶體57被構築於H-#(n-well)69之間且係 由P -型電極71所組成，該P -型電極71係由相同的閘輸入訊 號IN53所分割。PHOS電晶體57的源極係沿著接觸點64被連 结至Vcc55且為沿接觸點63被連結至輸出訊號0UT60。 請參考圖3，NMOS電晶體59及PMOS電晶體57是W薄膜層 所定義Μ在一個P-基體70之間形成作用區域。NMOS電晶體 5 9由η-型源極67a及η-型汲極G7b所組成，其係由輸人閘53所 分割且被構築於P-#65之間。PM0S電晶體57係由一個P -型 源極71b及P-型汲極71a所組成，且其係由輸入閘電極53所 分割並被構築於n-#69之間。PM0S57和NM0S59係藉場氧化 物79來互相隔離，且兩者於其汲極、閘極、和源 極均具 有一薄層的矽化物77M作為減低接觸點電胆之用。一層二 氧化矽物73覆蓋其上而可進一步的隔離兩電晶體59及57。 如圖4所示者，使用一光罩步il裝，通道，或接觸點孔六 72等被作成在二氧化矽物73中並由二氧化矽物73之表面各 別的貫穿至電晶體59及57之電極67和71。雖然*通道具有 一傾斜破面可提供作為好的階级覆蓋，但，所示之垂直通 道72，由於可減少接觸點之尺寸大小，已成為先進之石版 印刷圖型技術之一重要因棄。一待導體，例如為CVD鎢79 ，則被覆蓋在二氧化矽物73之上。使用鎢79，是因為其不 僅可供於金鼷與金屬之間作為一個好的接觸障礙，前述之 該金屬例如是被用於構成電導薄膜K、線的鋁和矽電極6 7及7 1 ，且可供作一個好的互相連通之填充物以增進金羼的階級 --------α—裝------訂----*--( 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 5 83. 3.10,000 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（3 ) 覆蓋。 如圖5所示，鎢被向後蝕刻以與二氧化矽物73形成一同 高的表面。而如於圖1及圖2所說明的，由二氧化矽物73所 圍繞之鎢79則形成了接觸點61〜64»最好，如於圖1及圖2 所描逑者，一種例如是鋁的金羼被使用Μ形成三個電導薄 膜跡線51、60及55被放置於接觸點61〜64之上Μ形成各線 Vss.OUT及 Vcc等。 請參考圖7，一近距離的半導體接觸點的構造圖展示了 一層二氧化矽絕緣物13被配置在—矽基體12之上，其中，有 一垂直之接觸點孔穴11被作成於二氧化矽絕緣物13之間。 CVD鎢15被覆蓋於二氧化矽絕緣物13之上，且覆1於接觸點 孔穴15之間，如圖？所示，鎢17被向後蝕刻而僅留下通道 ，或接觸點1 9。 具有好的互為連通之階級覆蓋i一接觸點孔穴是很重要的 ，因此，鎢可充分地覆蓋接觸點視窗的邊牆Μ及形成一個 和環繞的二氧化矽絕緣物等高的表面。否則，接觸點可形 成一不良的電導路徑至一主動元件部位，或者，接觸點表 面的不規則可於其後的處理薄膜層的步驟中被擴大，而造 成低的零件良率。接觸點必須是足夠的小，因此，在鎢被 向後蝕刻之後，可允許一完全的接觸點充填。其結果，一 個設計需求是至少在一方向上所有的接觸點是為最小的尺 寸。在圖9當中，一個接觸點21和23的J|視圖顧示他們具 有各自的寬度，W及Ϊ，此兩寬度大小是為相等的，但是， 他們各自的長度β及L則有不同的大小。此寬度被定成一 -------^ —裝------訂-------( 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 6 83. 3.10,000 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明（4 ) 1 1 共 同 的 最 小 以 保 證 可 有 好 的 階 級 覆 蓋 0 1 1 圖 10展示 一 對於兩接觸點孔穴27和29的剖面部分的三維 1 1 視 圖 該 兩 接 fliga 觸 點 各 有 不 同 的 寬 度 W 1 和 w2 其 是 形 成 在 矽 請 先 1 1 基體26之 上 且 是 由 一 層鎢2 5树覆蓋 〇 如 画 _ 11 在 向 後 蝕 閱 背 1 1 刻鎢2 5之後 在較小寬度1^的接觸點 中 之鎢25被顯示是完 面 之 \ 注 1 全 覆 蓋 了 接觸點孔穴27之邊牆 因 此 係 提 供 了 一 好 的 可 意 事 1 項 相 互 連 通 的 階 級 覆 蓋 〇 然 而 在較人寬度W 2 的 接 to 觸 點 中 向 再 填 1 ά 1 後 蝕 刻鎢2 5被顯示 出 在沿著接觸點孔穴29的邊牆形成有殘 焉 本 頁 留 的 縱 向 m 3 1 〇 因 此 假 設 一 個 相 對 地 大 尺 寸 之 接 觸 點 9 1 1 其 是 具 有 至 少 幾 個 微 米 或 更 大 的 一 個 物 理 尺 寸 時 當 是 1 I 先 前 技 藝 的 方 法 來 構 築 時 則 如 圖 12所示者 長 的 鎢 縱 向 1 1 訂 肋將會沿接觸點孔穴邊牆35的周 邊 來 展 開 〇 但 因 為 薄 膜 1 應 力 的 不 同 鎢 縱 向 肋3 7可全部或部分 白 邊牆35分離或舉 1 1 起 而 且 將 被 在 某 一 晶 圓 表 面 重 置 Μ 致 引 起 一 個 有 缺 陷 \ 1 的 元 件 〇 線 其 结 果 是 僅 有 最 小 尺 寸 的 接 觸 點 被 經 常 使 用 於 矽 積 體 1 | 電 路 若 要 較 大 的 接 am 觸 點 可 由 多 重 接 觸 點 視 窗 Μ 邊 接 著 邊 1 1 的 方 式 放 置 而 構 成 0 如 此 要 提 供 最 小 的 元 件 尺 寸 已 為 可 能 1 1 ， 此 乃 由 於 最 小 尺 寸 的 接 觸 點 是 由 用 於 積 體 電 路 的 一 模 型 1 1 技 術 之 最 小 分 析 能 力 來 決 定 而 若 接 觸 點 被 構 成 則 通 常 1 I 是 在 次 微 米 的 範 圍 内 〇 1 1 | 設 計 一 電 路 而 僅 使 用 最 小 尺 寸 的 接 Λ99 觸 點 平 常 已 不 是 個 問 1 1 題 〇 然 而 設 計 某 些 測 試 構 造 Λ 處 理 監 視 器 特 激 及 像 1 1 片 處 理 設 備 則 不 能 僅 用 最 小 尺 寸 的 接 觸 點 來 完 成 〇 例 如 > 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -7 - 83. 3.10,000 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 29Q491 at B7 五、發明説明（5 ) 一接觸點蝕刻處理的監視器有一斑點大小較最小接觸點大 小為大之情形可發生。更進一步言。某些光準線設定工具 須要有大尺寸的特徵Μ可印製在晶圓上來完成準線設定。 堪有其他準線設定工具須續於先前印製之準線所設定的暗 號上之絕緣塗料被清除掉，此可在該準線設定暗號上之大 區域去除該絕緣塗料。此外，假若處理過程包含一”栓塞” 植入至接觸點，一般而言，該種作法是為一種展開的電阻 構造物所提迮的Μ監視此種植入輪廓。該展開的電阻構造 物須要有一種大於一百微米的量測特色。 假如，這些大的接觸點被包含於光罩，或晶圓上時，則 由前述而產生的縱向肋將被由接觸點視窗的邊牆舉起而引 起有缺陷的問題。 因此，本發明之一目的即在提供大尺寸的接觸點構造， 該種構造可減少縱向肋由接觸點視窗的邊牆分離或舉起。 發明的揭露 當減少於縱向肋上之應力時，ξί磚加縱向肋至一接觸點挽窗 邊牆的附著力，於是，上述一大尺寸的接觸點構造之目的 可K達到。不像先前技藝之大的接觸點，其周邊是由平滑 、不相干涉的直線所構成，而，依據本發明之大的接觸點 ，則是结合了 一種像梳子般的凹槽，且該凹槽係沿接觸點 的周邊作分布。藉由增加邊牆的表面面積，而可增加縦向 助至邊牆的附著力，因此，該種凹槽的樣式4供作將縱向 叻能固定在邊壙之明。更進一步言之，該凹槽樣式給予此 縱向叻有向外突出的構件，而，該種構件則可減弱任何作 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） -8 - 83. 3.10,000 ----------{—裝------訂---"--{線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（6 ) 用於縱向叻主體之應力。 為更進一步減少縱向肋從一接觸點視窗的邊牆上分離及 舉起，該凹槽樣式被製造成在至少一個側邊的方向具有一 最小尺寸，該尺寸較佳之值為在〇.2Wm至1.0«m之間》然 而，為了要構成使用該接觸點之積體電路，此最小尺寸大 體上係由使同於作薄膜層樣式的石版印刷技術的可允許下所 定義之最小尺寸。接觸點结合了此種最小尺寸之凹槽樣式 可增加對於接觸點視窗的凹槽樣式之階级覆蓋，因此，也 增加了縱向功對一接觸點孔穴的邊牆之附著力。如此可增 強凹槽樣式的能力U塒縱向肋固定至接觸點視窗的邊牆。 圖式的簡單說明 圖1為先前技藝之- CMOS反相器電路的概略圖； 圖2為圖1概略圖之上平面圖； 圖3至圖6展示先前技藝的方法於矽的等高平面構成接觸 點以形成圖一之CMOS反相器； 圖7至圖9說明先前技藝構成接觸點的方法； 圖10為構成兩不同寬度的接觸點之處理步驟的斜視表示。 圖11為藉由圖10所示之處理步驟所形成之接觸點的斜視 圖0 圖12為一先前技藝具有沿邊牆置放之殘留縱向肋的一大 接觸孔穴乏上視圖。 圖13為依據本發明構成一接觸點的一大接觸點孔穴之斜 視圖， 圖14所示為圖13之接觸點孔穴並具一增加的鎢覆蓋層， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） - 9 - 83. 3. 10,000 -------^ —裝------訂---L--{線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（7 ) 圖15所示為藉由依據本發明的凹槽使殘留之縱向肋附著 至一接觸點孔穴的邊牆的一個接觸點之斜視圖； 圖16為依據本發明之兩個大接觸點的頂視圖； 圖17為依據本發明之較佳具體例的一個接觸點之頂視圖； 圖18為圖17的接觸點之一個邊牆的近距離圖。 ，施本發明的最佳模式 請參考圖13*接觸點孔穴44係於一絕緣材料32所作成， 並位於一作用區34之上，而該作用區34係位於一基體主體 36之中。此接觸點孔穴44之外部周邊其樣式為形成向外突 出之凹槽，此凹槽為自接觸點孔穴之中心區域將絕緣材料 32切掉。如圖14所說明者，一電導性材料，Μ鎢較佳，麴 置放在絕緣材料32之上，並且被置放在接觸點孔穴之間且 位於作用區34之上，即，該電導性材料充填在接觸點孔穴 的内部凹穴同時亦充填在凹槽樣式的區域。如圖15所示， 鎢38被向後蝕刻，因此，充填於凹槽區40之中，並且，對 著絕緣體32的邊牆而沿著接觸點孔穴之内部周邊形成一縱 向肋42»凹槽40增加了接觸點孔穴的邊牆之表面面積。倒 轉來說，表面面積愈大可增加縱向肋42對於邊牆之杓著力 «另外地，該凹槽40可幫助將任何於縱向助42上之應力分 配至它所延伸的凹槽40，因此，凹槽40可ft許縱向肋42經 得起較高層次的應力。 參考圖16，依據本發明之兩種可能的凹槽樣式被展示； 第一個為41，其是為沿著接觸點之周邊而具有不規則分佈 的凹槽樣式，另一個為39，為具有規則分佈之凹槽樣式。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公釐） 一 一 83.3.10,000 ---------Ά I裝------訂---K--f 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（8 ) 該凹槽樣式沿著 接觸點周邊置放對於本發明而言並非具 決定性的重要，而是，較佳地，該凹槽樣式於至少一個側 邊延伸方向X or Y，被作成具有一個和最小接觸點尺寸相 同的尺寸。上述可保證在接觸點的凹槽區域有好的階鈒覆 蓋，且，進一步的可增強縱向肋對於一接觸點視窗邊牆的 附著力。該最小接觸點的尺寸係藉由石版印刷技術的最小 分析能力所決定，上述之石版印刷技術係使用於積體電路 的構成且使接觸點被製造於其上之積體電路。 參考圖17，為依據較佳具體例且具有一長方形牆壁配置 的接觸點之頂視圖，此圖所示者為有一鎢縱向肋被附著在 接觸點的邊牆上。該接觸點49具有一用直線形成的凹口樣 式45，該凹口樣式45係沿著全部的周邊均一的分佈。 參考圖18，該用直線形成的凹口 45具有一寬度W3，一長 度L3且係分離一距離GAP»此寬度W3被作成相等於一個最 小的接觸點尺寸，afci午鎢43可在凹口區域47之中形成好的 階级覆蓋*較佳地，分離兩相鄰接凹口 45的GAP被作成相 等於凹口 45的寬度W3之2到10倍，且，長度L3被作成大於4 倍的最小接觸點尺寸大小，因此，允許有好的附著面積及 好的應力分配能力。 -------4·裝------訂----Γ— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11- 83,3.10,000

Claims (1)

1. A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、 申請專利範圍 1 1 1 . 一 種 半 導 體 觸 點 構 造 9 包 含 » 1 1 一 半 導 體 本 體 具 有 一 多 層 構 造 包 括 有 一 基 體 及 薄 膜 層 9 1 1 .每 一 構 造 均 具 有 相 對 主 要 的 表 面 該 基 體 具 有 的 相 對 之 主 y—N 請 先 1 1 要 表 面 被 配 置 成 與 該 薄 膜 層 的 相 對 主 要 表 面 鄰 接 t 該 基 體 閲 讀 1 背 1 具 有 一 作 用 區 域 該 本 體 包 括 有 一 通 道 該 通 道 係 由 該 作 面 之 注 1 用 區 域 延 伸 而 終 止 於 一 個 開 口 該 開 □ 係 被 配 置 於 該 薄 膜 意 事 層 的 一 個 相 對 的 主 要 表 面 上 該 薄 膜 層 則 係 相 對 於 該 基 體 再 填 1 寫 裝 1 9 該 通 道 具 有 —* 作 成 樣 式 的 周 邊 且 是 相 翮 於 —* 個 軸 來 被 配 本 頁 置 該 軸 為 垂 直 於 該 相 對 的 主 要 表 面 來 延 伸 該 作 成 樣 式 1 1 的 周 邊 具 有 多 個 Μ 間 隔 分 開 的 凹 槽 且 該 凹 槽 為 有 由 該 軸 1 I 向 外 延 伸 的 突 出 0 1 訂 2 . 如 請 專 利 範 圍 第 1項之半導體觸點構造 ，其中 ，第 1 一 對 的 該 凹 槽 突 出 之 間 的 間 隔 和 第 二 對 的 該 凹 槽 突 出 之 間 1 的 間 隔 是 不 相 同 的 〇 1 3 . 如 甲 請 專 利 範 圍 第 1項之半導體觸點構造 ，其中 ，該 λ!. 線 凹 槽 突 出 係 沿 著 該 作 成 樣 式 的 周 邊 „· 定 的 間 隔 來 分 布 Ο I I 4 . 如 申 請 專 利 範 圍 第 3項之半導體觸點構造 ，其中 ，該 I 1 一 定 的 間 隔 是 為 該 凹 槽 突 出 之 寬 度 大 小 的2到1 0倍 1 1 5 . 如 甲 請 專 利 範 圍 第 1項之半導體觸點構造 ，更進- -步 1 1 的 具 有 周 邊 的 邊 尺 寸 為 大 於 1 i IT 者 〇 1 1 6 . 如 甲 請 專 利 範 圍 第 1項之半導體觸點構造 ，其中 ，該 1 1 I 凹 槽 突 出 具 有 一 直 線 所 形 成 的 形 狀 9 且 其 寬 度 大 體 上 係 1 1 平 行 於 該 作 成 樣 式 的 周 邊 9 而 其 長 度 則 大 體 上 為 垂 直 於 該 1 1 作 成 樣 式 的 周 邊 〇 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1 A8 B8 C8 D8 經濟部中央橾準局員工消费合作社印製 —-—« 、 申請專利範圍 1 1 7 . 如 申 請 專 利 範 圍 第 6項之半導體觸點構造 其中 該 1 1 I 寬 度 為 具 有 一 個 在 0 . 2 jU R1 和 1 . 0 jU ΠΙ 之 間 的 尺 寸 〇 1 1 I 8 . 一 種 半 導 體 觸 點 構 造 包 含 t 請 先 1 I 閲 I 一 半 導 體 本 體 具 有 . 基 體 及 薄 膜 層 > 此 基 體 和 薄 膜 係 藉 讀 I η 面 1 I 由 至 少 __» 個 之 通 道 所 接 合 該 通 道 具 有 長 方 形 之 邊 牆 9 之 注 | 個 作 成 樣 式 的 周 邊 是 被 定 義 成 為 由 該 邊 牆 具 有 向 外 延 伸 之 意 事 項 凹 槽 突 出 形 成 一 種 像 城 牆 蝶 □ 之 外 形 因 此 可 增 加 該 再 填 1 邊 牆 的 表 面 面 積 該 基 體 包 括 有 一 作 用 區 t 且 該 通 道 偁 由 寫 本 頁 裝 1 該 作 用 \mt 延 伸 而 终 止 於 一 開 P 此 開 P 被 配 置 在 該 薄 瞑 層 1 1 上 〇 1 | 9 . 如 申 請 專 利 範 圍 第 8項之半導體觸點構造 其中 該 1 訂 凹 槽 突 出 係 沿 著 該 作 成 樣 式 的 周 邊 均 _. 的 分 佈 〇 1 I 10 .如申請專利範圍第8 項 之 半 導 體 觸 點 構 造 其 中 第 1 1 一 對 的 該 凹 槽 突 出 之 間 的 間 隔 和 第 二 對 的 該 凹 槽 突 出 之 間 的 間 隔 是 不 相 同 的 〇 線 11 .如申請專利範圍第8項 之 半 導 體 觸 點 構 造 9 其 中 9 該 1 I 凹 槽 突 出 具 有 __. ΡΛ 直 線 所 形 成 •的 形 狀 t 且 其 寬 度 大 體 上 係 1 1 平 行 於 該 作 成 樣 式 的 周 邊 9 而 長 度 則 大 體 上 為 垂 直 於 該 作 1 1 成 樣 式 的 周 邊 〇 1 1 1 2 .如申請專为 叫範圍第1 1項之半導體觸點構造 ，其中 9 1 | 該 凹 槽 突 出 係 沿 著 該 作 成 樣 式 的 周 邊 Μ 一 定 的 間 隔 來 分 佈 1 I t 對 於 在 任 何 兩 個 凹 槽 突 出 之 間 的 距 離 則 為 該 寬 度 大 小 之 1 1 I 2到1 0倍6 範圍之間 0 1 1 1 3 .* -種半導體觸點構造 ，包含 * 1 1 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） n -Z - 申請專利範圍 A8 Βδ C8 D8 半導體本體具有一多層構造，包括有一基體和一薄膜 牆心 邊中 其.該 且自 域有 區具 心邊 中周 一 的 有式 具樣 道成 通作 該該 合邊 接周 所的 道式 通樣 一 成 由作 係 一 且有 層 具 向作全 縱該的 該和緣 , 廊端 道輪二 通的第 該緣該 在端著 置一沿 配第於 被該關 肋，相 向緣 ， 縱端合 有的符 ， 對相 出相廊 突二 輪 的第之 伸和邊 延一周 外第的 向有式 域具樣 區肋成 有 則 度長14一 部 第 狀 形 的 1 均 中 其 造 構 粘 觸 體 導 半 之 項 3 1 第 圍 範 利 專 請 串 如 之 出 突 槽 凹 該 的 對 二 第 和 隔 間 的 間 之 出 突 槽 凹 該 的 對 的 同 相 不 是 隔 間 的 間 進 更 造 構 ¾ S 觸 禮 導 半 之 項 3 第 圍 範 利 專 請 申 如 者 m 1—_ 於 大 為 寸 尺 邊 的 邊 周 有 括 包 的 步 中 其 造 構 點 觸 禮 導 半 之 項 3 11 第 圍 範 利 專 請 申 如 突 槽 凹 該 第 對 佈，之 分3.¾ 中 來 ί 殳 其 隔 槽 Μ造Μ 的Iif該 構 i疋Μ的一 ^ 0 I 觸 1 > 體一一 WIIBS 3 導 3 周 和 的 隔 3 項¾ 樣 3 的 成^間 作Μ之 圍 該 出 著lifi突 沿#槽 " 專 係，凹 出I;該 的 同 相 不 是 隔 間 的 間 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· '•IT 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 中 其 造 構 點 Me 觸 體 導 半 之 項 3 11 第 圍 範 利 專 請 申 如 上於 體直 大垂 度為 寬上 其體 且大 , 則 狀度 形長 的其 成而 形 ， 所邊 線周 直的 Μ 式 1 樣 有成 具作 出該 突於 槽行 凹平 該係 邊 周 的 式 Jt1K 樣 成 作 該 中 其 造 構 黏 觸 體 導 半 之 項 8 11 第 圍 範 利 專 請 申 如 佈之 分小 來大 隔度 間寬 的該 定為 一 則 Μ 離 邊距 周的 的間 式之 樣出 成突 作槽 該凹 著個 沿兩 係何 出任 突在 槽於 凹對 該 ’ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） 3 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 2至10倍的範圍之間。 20.如申請專利範圍第13項的半導體觸點構造，其中， 該通道具有長方形之邊牆，一個作成樣式的周邊是被定義 成為由該邊牆具有向外延伸之凹槽突出Μ形成一種像城垛 之樣式，因此，增加了 一表面，該凹槽突出由該中央邊牆 向外延伸Μ形成一種像城垛的樣式，因此，可增加該邊牆 的表面面積。 --------—裝------訂----.--(' 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印聚 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210X297公嫠） ， 一 A -