TW295650B - - Google Patents

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TW295650B TW082106761A TW82106761A TW295650B TW 295650 B TW295650 B TW 295650B TW 082106761 A TW082106761 A TW 082106761A TW 82106761 A TW82106761 A TW 82106761A TW 295650 B TW295650 B TW 295650B
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Α6 Β6 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(1 ) 本發明Ί条瞄於主動矩陣裝置(·例如液晶顯示器)之電子驅 動鼋路,包含若干雷路塊*各具有成並聯電路路徑形式之 冗餘,並另係闞於一棰自我澜試與程式化此等電路之方法 。本發明尤指(但非專指)在供此種主動矩陣装軍之移位暫 存器提供冗餘,並且該電路可由在主動矩陣裝置之絕緣基 Η上所形成之薄瞋鼋路元件構成。 主動矩陣裝置之驅動電路结合至裝置基片,較之由主動 矩陣装置提供外部連接,使習知矽積體電路片形式之驅動 鼋路分開之較習知方法·具有若干優點。此等優點包括裝 置較為輕巧,減低電連接之複雑性,Μ及可能降低製造成 本。如果使用輿用以製造主動矩陣装置相容之薄膜電路技 術製造驅動電路,則基本上能以很少或不另加成本,在裝 置基Η上製成驅動電路。但此為假定驅動電路结合不顯著 影響工作装置之生產量。驅動電路上之缺陷(諸如短路或 開路)導致必須剔除在其他方面為良好之装置。對於形成 習知之行或列驅動電路主要元件之一之移位暫存器,此問 題尤其廉重。 此種習知之行驅動電路為將脈衢嫌入移位暫存器之_入 ,而藉Μ掃描主動矩陣。此输入脈衝必須正確通遇暫存器 所有諸級,Μ便驅動罨路正確操作。一暫存器级内之缺陷 ,將會導致所有陳後諸级產生不正確之移位输出。因此重 要的是,暫存器應該無缺陷。美國專利說明書US-A-5 06 3 378號中便考慮到此問題,其全部內容特予併人本文 作為參考資料。 -3- 本紙張又度適用中國國家標準(CNS) τ .1規格(210 X 297公釐〉 {請先"讀背'<;±4事項再堉寫本頁) 裝— —, 訂----I-变 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A6 ____B6__ 五、發明説明(2 ) US-z^-S 063 378號中所建議之罨子軀動鼋路分為一系列 之罨路塊,每一電路塊有成並聯罨路路徑形式之冗餘,·其 提供替代性路線安排通《該電路塊。該電路也包含一開關 ,用Μ自每一霉路塊選揮何一並聯電路路徑將行用以自該 電路塊提供檐出。US-A-5 063 378號之電路,其中之轚路 塊僅包含單级之移位暫存器,並且開闞為一連接在轚路塊 間之姐合苐電路,Μ控制每级暫存器之並瞄罨路路徑之何 一串瞄耱出將行傳«至次級之暫存器。US-A-5 063 378號 未說明组合器霉路或驅動器罨路如何可防止來自二並聯暫 存器之掃描信號出現在行導線上。並《路徑可在主動矩陣 之一側,或例如在矩陣之相對阐邊。US-A-5 063 37 8號之 主動矩陣為一液晶顯示器(liquid crystal display,簡稱 LCD) ° 在製成LCD陣列以及所有其電路後,使用移位暫存器路 徑之一(第一)順序啟動主動矩陣之每一連績行。如果在此 第一移位暫存器路徑之一级檢出缺陷,則連接至有缺陷级 輸出之姐合器電路必須予Μ重新構形,將來自對應级並聯 (第二)移位暫存器路徑之掃描信號安排路線至次级第一移 位暫存器路徑。此係在製造該装置時完成作為最後鈒。在 大多數情形,姐合器電路利用雪射光束使一易熔達接嫌斷 開,而予Μ重新構形。然而,Μ此方式將姐合器電路重新 構形,需要雷射光束在連接線上準確定位’否則可能損壊 電路之相鄰部份。US-A-5 063 378號中也建議免用雷射, 代之為將一特殊電勢加至姐合器電路之一届或多涸轤入, (請先閱讀背"之注急事項再塡寫本頁) 裝 訂 逡 本紙張尺度通用中國國家標準(CNS)甲4规格(210 X 297公坌) 2956i>〇 A6 經濟部中央標準局R工消費合作社印製 B6_ 五、發明説明(3 ) 俾調節姐'合器電器,而將掃描信號重新安排路線。 Μ此方式提供移位暫存器冗餘*雖可大為改進工作顯示 器之生產量*但是根據本發明採用一不同方法澜試及控制 冗餘,則可作成進一步之顯著改進。 根據本發明·提供一種供主動矩陣装置之電子驅動電路 ,包含若干電路塊,各具有成並聯電路路徑形式之冗餘, 其提供·替代性路線安排通過該電路塊,並包含一開W ·用 以自每一鬌路塊選擇何一並I»電路路埭將行用以自該電路 塊提供檐出。根據本發明之此種電子騙動装置•其特激為 也包含一連接至並_電路路徑之測試及控制装置*此装置 自一並聯電路路徑取得一输入,並且有一澜試信號輸入用 W對該並聯電路路徑作電測試,Μ及測試及控制裝置響應 其電測試而使其本身電轉變,在一連接至開闞之输出產生 —控剌信號,用以控制可一並聯電路路徑用Μ提供檐出供 主動矩陣裝置。 因此,鏊於US-A-5 063 378號需要外部測試顯示器(包 括光測量及(或)經由探針之外部電测量),Μ確定那些易 熔連接線斷開(Κ罨方式或藉雷射),本發明使一自並聯霣 路路徑取得输入之測試及控制装置與驅動電路结合。在驅 動電路内使用加至測試及控剌装置其他输入之测試信號, 進行該霉路之測試。驅動霣路因此具有自我測試能力。響 應其自身之電測試•測試及控制裝置然後自身轉變,提供 输出至開Μ,用以控制至主動矩陣装置之输出。 在測試及控制裝置内包括一響應並聯電路路徑之本身電 ------.-----------------1 ------裝------.叮^----ίιΜ^ {請先閱讀背而之注意笋項再塡寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)甲4规格(_210 X 297公釐) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A6 B6 五、發明説明(4 ) 澜試而自一記憶狀態轉變至另一記憶狀態之籣單記憶元件 ,例如一鎖存器,便可很容易達成澜試及控制装置之自我 程式化。此記憶元件之狀態然後控制在該罨路随後正常操 作時,使用那些電路路徑及输出。 施加適當之測試信號,根據本發明之測試及控制装置便 允許檢测(並藉重新安排路線而避免)可能在此驅動《路出 琨之大·多數類型之缺陷,甚至可能所有類型之缺陷。此等 缺陷例如為一始終為高或始終為低之鎗出信號•或反相之 输出信號•或一由於時鐘線路短路之信號。 再者,主動矩陣驅動轚路每次接通時,均可進行根據本 發明所提供之自我測試及程式化,並且其因此將會在主動 矩陣装置之工作期限修正該電路内所可能產生之缺陷。此 特色因為申講人等發現,驅動裝置中之缺陷可能不僅形成 在製造時所產生之缺點,缺陷也可能由於電路之操作,例 如由於驅動罨路中之持鑛高餳®及電流所致之短路或開路 或電晶體特性退化,而為特別有利。因此,電路每次接通 時,冗餘之自我測試及程式化*對延長驅動霣路之工作期 限特別有益。電子驅動轚輅因此可連接至例如脈衝產生器 或與其相结合,此眤衝產生器產生程式脈衝,Μ供控制電 路之接通;此等脈衝可包含加至罨路塊·Μ及加至測試及 控制装置之系統测試脈衢•用Μ測試每一連績之電路塊, 並藉Μ就毎一電路塊使澜試及控制裝置電程式化,俾於電 路接通完成時,選擇何一並聯電路路徑用Μ自電路塊提供 繪出。本發明因此也提供一種在接通時Μ此方式使驅動電 (請先間讀背θ之注悉事項再塡寫本頁) -6- 表紙張尺度適用中國國家標準(CNS)甲4規格(210 X 297公發) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A6 ______B6_ 五、發明説明(5 ) 路自我測'試及程式化之方法。· 根撺本發明提供測試及控制裝置,並姐嫌為與電路塊及 一開闉有闞之方式,對於移位暫存器冗餘設計特別合宜。 因此,在根據本發明之驅動電路之一棰實施例,一埋串竃 路塊可形成一移位暫存器,掃描脈衡可沿其傳播,以在暫 存器之系列並行移位输出提供掃描信號,每一電路塊之並 賺竃路輅Μ至少有一移位输出,並有一串行_入及串行鎗 出供掃描脈衝。根撺本發明,此種電路可另具特微為每一 電路塊有其本身之测試及控制装置耦合至個別霣路塊之串 行输出,以及每一級暫存器之移位_出有其自己之開闞耦 合至個別電路塊之測試及控制裝置。 測試及控制装置也可包含一路線安排電路,此電路取前 一霣路塊之串行输出及也取控制信號作為输入,Μ確定第 一或第二電路路徑之串行输出將行傅输至次一電路塊之串 行输入。路線安排電路可為致使串行输出在其傳输時反相 〇 在移位暫存器之情形,每一霣路塊可包含一系列数级之 移位暫存器,因此可具有對應之一糸列開闞及來自其霣路 路徑之移位输出。每一測試及控制裝置可設計為湎試及程 式化通遇其電路塊之超過二個替代並賺路徑。 在現藉實例並參照附圓予Μ說明之本發明實腌例中•詳 细舉例說明根據本發明之此等及其他諸多特色,在附圏中 圈1為一霣子驅動電路之方塊圖,此霣路包含一根據本 -7- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>甲4規格(210 X 297公釐) -----,----J-------:--{------裝------訂------來--Ί (請先間讀背而-注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A6 B6 五、發明説明(6 ) 發明所構、成,並用Μ掃描主動矩陴装置之移位暫存器; 圓2為一测試及控制裝置及開闢之方塊圖,其為在圖1 雷路之移位暫存器塊之一之最後暫存器級之串行輸出; 圖3為圖2之最後暫存器级中一電路路徑實例之方塊画 ,該實實例包含二反相器; 圃4為一反相器》例之電路_ •此賁例*合用於圈1之 移位暫存絮及國3之暫存器级; 圖5為一開W實例之電路圖,此賁例遴合用於圓1及2 之電路; 圈6為测試及儲存電路實例之罨路圖,此《路通合用於 圖2之測試及控制装置; 圖7為一路線安排電路之電路圖,此®路逋合用於圖2 之測試及控制装置;Μ及 圖8為適合用Κ控制圖1之驅動竃路接通之一糸列程式 脈衝之實例。 圖1示一驅動電路20,30構成及结合在主動矩陣装置之 絕緣基Η 19上。根據本發明提供冗餘澜試及控制,可獲致 良好之製造生產能力,即令裝置罨路20,30结合在與該裝 置之主動矩陣10之同一基片19上,並且如下文所說明可延 長該装置之工作期限。在本發明實施例之此一實例,主動 矩陣10Μ習知方式經由行及列線22及11予Μ定址。驅動電 路20,30提供行線22之習知驅動裝置。列嫌11之驅動霣路 可结合在同一基片19上,並且也可包括根據本發明之冗餘 测試及選擇。 ______-___________________i______裝_______訂------良 ——, (請先間:#背3 .'/注意事項再塡寫本頁) - 8 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)甲4規格(210 X 297公發) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A6 ___B6_ 五、發明説明(7) 主動矩、装置可例如為一液晶顯示器(LCD),或任何其 他平板顯示裝置。主動矩陣10包含一陣列之薄膜開關元件 12,在基片19上與薄膜行及列嫌22及11構成整體。基Η 19可為一種低成本玻璃形成顯示器之後平面。開關元件 12Μ已知方式藉線22及11之信號予以定址,俾控剌顬示器 之像元13。 -然而·,傭1之主動矩陣裝置可予設計為供十分不同之功 能,例如一種影像®測器有一矩陣之薄膜影像感測元件( 例如光電二極管),並且其由闞連之電路20,30等予以驅 動,Μ代替為平板顯示器。在另一形式,主動矩陣可為 一數據儲存器,包含使一陣列之儲存装置,例如薄膜電容 器13定址之薄膜開關元件12。 可將一糸列各種材料(例如導體,絕緣體,半導體•半 絕緣體)之薄膜敷著在基片19上*藉Κ已知方式形成矩陣 10及驅動電路20及30之個別電路元件及連接線,薄膜予W 處理(例如藉蝕刻及摻雜),Μ形成諸電路元件及其連接之 不同部位及圖案。 各種薄膜裝置技術之任何一種,均可用以在基片19上製 成主動矩陣10及驅動電路20,30之電路元件及連接。因此 ,矩陣10之開闞元件12及驅動電路20,30之電路元件可為 薄膜霣晶體(thin-fil· transistor,簡稱TFT);並且其可 使用例如TFT技術,諸如US-A-5 063 378號中所述者形成 。不過,矩陣10之開闞元件12可為薄膜二極管 (thin_filn diode簡稱TFD) ’並可使用一種混合式薄膜技 --------------------------裝-------.玎------^ (請先閲讀背5之注意事項再填寫本頁) -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)甲4規格(210 X 297公货) 經濟部中央標準局员工消費合作钍印製 A6 ______B6_ 五、發明説明(8 ) 術,諸如Ί 992年3月20日所提出之待決英國專利申請案 9206086.2 (本公司案號PHB 33784號)中所述之TFD及TFT技 術,形成供矩陣10之TFD及供驅動®路20,30之TFT 。 GB 92 06 086.2號之全部内容特予併人本文作為參考資料。 圓1之騮動電路20,30包含一翰出驅動器區段20,利用 掃描信號蘧動矩陣行線22,此等掃描信»係呈形式為來自 移位暫存器®段30之並行移位输出23(S)之鼷衝。每一掃 描_出線23(S)有其自己之蝓出鼷動器電路21。電路21嫌 衝線23上所收到之掃描脈® •並藉信號0E調整傅轤至線 22之脈衝定時。電路21可為已知形式,故將不予進一步說 明及圖示。 移位暫存器區段30分為一系列電路塊30A · 30B等。每一 罨路塊有內建之冗餘•其形式為提供替代路線安排通過該 電路塊之並聯鼋路路徑31及32。在圖1之實例,每一電路 塊30A,30B等包含一系列多级a, b----ai之移位暫存器30· 並且每一並聪路徑31a,31b——31»有對應系列之並行移位 输出。在每一霉路塊30 A,30B等中可例如有約達20個此種 級。每一電路塊也有一串行输入I及一串行输出〇 ,供一 掃描脈街STV K —《合主動矩陣10之掃描速率之計時頻率 ,沿暫存器傳播。在圔式為求清晰,故未示電源及暫存器 之時鐘連接,並且在圈1及2中Μ方塊形式篛單例示該霣 路。 根據本發明,將暫存器之諸區段劃分並以此方式重複, _ 1 0 _ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)甲4規格(210 X 297公釐) -----------Γ-----------^ ------裝------訂------ (請先閱讀背'口";1意事項再場寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 295650 A6 __B6_ 五、發明説明(9 ) Μ及包栝'小测試及控制罨路34測試各區段並自動選擇工作 區段供移位暫存器信號之重新安排路線*而藉Μ在移位暫 存器30提供自我測試及冗餘選擇。 暫存器30之每一電路塊30Α,30Β等有其自己之测試及控 制裝置34耦合至個別罨路塊之串行轤出0 °每一罨路塊之 每一级a,其移位蝓出S有届別之開翡33耦合至儸 別霭路塊)〇 A,30B等之測試及控制装置34。如圃2及6中 更清楚所示*每一零路塊之瀏試及控制裝置34有测試信號 輸入TH及TLK及蝓入IA(NS)及IB(NS)來自該電路塊之並明 電路路徑31及32 ·Μ供電测試每一並瞄霣路路徑31及32。 每一鼋路装置34包含一記憶元件,諸如一觸發器或鎖存器 。測試及控制裝置34響應其電测試,設定或重設其記憶元 件,產生控制信號ΑΟΚ* Β0Κ,而賴Κ使其自身電程式化。 在一输出耦合至關逋開關33之此控制信號Α0Κ,Β0Κ,用Κ 控制何一並聯菫路路徑31及32用以在線23上提供移位输出 ,以供掃描主動矩陣10之諸列22。如圖2及7更清楚所示 *測試及控制装置34也包含一路線安排電路34b ,此霄路 取前一罨路塊30A之串行翰出0(NS) ,Μ及也取控制信號 ΑΟΚ,Β0Κ作為鎗入ΙΑ及IB,Μ確定第一或第二電路路徑 31或32之半行输出將行傳鎗至次一霣路塊30Β之串行输入 I 〇 圖3至7中示電路之詳细實例,其可構成有η-溝道TFT ,以形成圈1及2之移位暫存器區段30之電路塊。此等罨 路顯然均可很容易Μ薄膜霄路元件(特別是TFT)形成在装 ------.----^--------'------裝------ΪΤ----r—R (請先閱讀背S之注意事項再塡寫本頁) -11- 本紙張又度適用中國國家標準(CNS)甲4规格(210 X 297公發) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A6 __B6_ 五、發明説明(10) 置基片Iff上。 圖3示移位暫存器之—罨路塊30A之第一或第二並聪路 徑31或32之最後级^之實例。此實例中之每一暫存器级包 含二串聯之反相器50,並有一由一信號(團3中之CKI)予 K計時之输入通路TFT 51,及一由一信號(圈3中之 CKF)予Μ計時之反_通路TFT 52。圈4中示形成每一反相 器之TPT 55及56之一種邃當配置。二不重II時鐘信號CKI 及(:1^可用以對通過速續諸级3,1),...111之蝓入誠衝51'7計 時,但請予察知,在諸替代级,TFT 51及52至時鐘CKI及 CKF之連接予K逆反;因此,在级(m-l),時鐘CKF連接至 FTF 51 ,而時鐘CKI連接至TFT 52。暫存器30之每一路 徑31及32,其每一级a,b____有一取自第二反相器50之串 行輸出S ,而傳至输出開關33者即為此输出S 。然而每一 雷路塊30A,30B等之最後级m也有一反相串行输出NS, 此输出取自二反相器50之第一反相器,並且傳至該電路塊 之澜試及控制裝置34。測試及控制裝置34使此信號NS在其 傳(輸至次一霄路塊時反相。 如圖5中所示*每一 _出開闞33可僅僅由二TFT 28及 29分別耦合至第一及第二電路路徑31及32之输出S 。TFT 28及29之檷極由測試及控制装置34所產生之信號Β0Κ及 Α0Κ予Μ控制。在搡作時,信號A01(及Β0Κ為在相反之理輯 雷平,因而僅只二TFT 28及29之一被接通,並且因而僅只 暫存器路徑31及32之一之输出信號S在输出線23傳至轤出 驅動器罨路21。 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)甲4規格(210 X 297公釐) -----,-----..--------11/ -----裝------訂—---_-'氧------- (請先閱讀背ϋ;±-事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A6 ___ B6 ___ 五、發明説明) 每一霉'路塊30A* 30B等之澜試及控制装置34,可包含一 如匾6中所示之测試及儲存電路3 4a ,及一如圖7中所示 之路線安排電路34b 。傳檐柵極34b為一有共同負載TFT 45之TFT 41至44之簡單信號開醑電路。禰極34b自前一電 路塊最後級m之反相输出NS取得轤入IA及IB,並由測試及 儲存電路所產生之二相反埋輯電平之信號AOK及BOK予K控 制。依控刺信號AOI(及BOK之各別邏輯電平而定,傳至次一 霣路塊之進位输出COUT,由來自《路路徑31之轤入IA或由 來自電路路徑32之輸入IB予以決定。測試及齡存霄路34a 可包含一種具有例如圖6中所示TFT 60至69,46及47®路 構形之雙穗態。電路3 4a自前一電路塊之最後级m之反相IS 出NS取得檐入ΙΑ及IB,並由加至暫存器區段30之所有测試 及控制裝置34之测試信號TL及TH予以控制。TL將一高理輯 雷平脈衝加至該電路,而TH加一低理輯電平贓衝。圃6之 雙穩態依施加二測試控制信號脈衝TL及TH之一或另一時, 二输入IA及IB之狀態予以設定或重設。雙穩態為在其轤出 相反邏輯電平之二信號Α0Κ及Β0Ι(時產生。 圔8示系列測試脈衝STV(T),TH及TL之實例,於移位暫 存器區段30在根據本發明之方法接通時,此等脈衢可用於 自我澜試及冗餘選擇。因此•一產生程式鼷銜用Μ控制驅 動電路20,30及主動矩陣10接通之脈衢產生器連接至窜路 30,甚至可结合在装置基片19上。當裝置接通時,便首先 進入自我測試方式,以確定那些電路塊30Α,30Β等之何一 電路路徑31及32在工作,及何者故障,其次並設定或重設 -----·----„--------i---一 -------------^^ <請先閱讀背而之注意事項再塡"本頁) -13- 本紙張尺度適用中國a家標準(CNS)甲4規格(210 X 297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A6 __B6__ 五、發明説明(12 ) 毎一澜試'及控制裝置34之雙穩態記憶元件(圖6),俾選擇 工作路徑。此項测試之確切程序依所採用之特定電路設計 而定,但圖8中示一種可能之順序。 在_8中,持續時間A對應於測試第一電路塊30 A及選 擇其冗餘所費之時間,持續時間B則為對電路塊30B等所 費之阐後對應時間。因此,每一罨路塊30A * 30B * 30C等 為厢序·予澍試及程式化。 在測試周期A開始時•至第一電路塊30 A之移位暫存器 諸级31a,31b,...32a,32b____之输入STV(T)取為低。它在 此低雷平保持一段期間Tp大於一信號通遇整涸暫存器30予 Μ計時所費之時間。測試控制綸入TH然後在一段短時間取 為低。ΤΗ上之低電平導使满試及儲存電路34a(圃6)潮試其 記憶元件目前所選擇之移位暫存器路徑31及32之蝓出HS。 TFT 62及63之櫊極上之低雷平信號TH使此二TFT 62及63斷 開,因而雙穗態Β0Κ及Α0Κ電平之狀態由來自電路塊之串行 输出NS之输入信號IA或IB所決定。設若例如信號Α0Κ為在 高狀態指示選擇暫存器路徑31,則測試來自路徑31之输入 IA。如果IA之電平由於暫存器路徑31上之故障而為低,則 記憶元件便行自動重設*因而選擇暫存器路徑32。因此* 如果IA為低,便無電流能夠流過TFT 65 ;因為TFT 63斷開 ,於是,在Β0Κ之電壓因為上牽TFT 46必定升高。Β0Κ之 升高將TFT 60接通,因而霣流流過TFT 64,並且Α0Κ因此 變低。如果IA之轚平為高,則暫存器路徑31可能在正確工 作,或則暫存器路徑31上可能有故障產生高進位信號NS; -14- 衣紙張尺度適用中國1家標準(CNS)甲4規格(210 X 297公釐) -----^----- I------.--| -------裝------訂 遂 (請先間讀背5二注-事項再塡寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A6 B6_ 五、發明説明(1 J ) 在任一情、,記憶元件之狀態均保持不變。输入STV(T)然 後取為高,在一段期間Tp後,再次啟動測試及儲存電路 34a (圖6),這一次藉取TL為高。取TL為高,導使TFT 68及 69被接通。再次予以測試之暫存器输出由記憶元件之狀態 所決定。例如,設若信號AOi(為在高狀態•則測試來自路 徑31之输入IA。如果输入IA由於故陣而為高,則記憶元件 便行自·動Μ設,因而其然後選擇來自暫存器路徑32之输入 ΙΒ。如果輸入ΙΑ為低,則暫存器路徑31正在正確作用•並 且記憶元件之吠態不變。 在上段所述之情況,测試暫存器路徑31,如果路徑31未 通過測試,則重設記憶元件。此種未通過導致選擇暫存器 路徑32。然而,如果所測試者為暫存器路徑32,如果檢澜 出故障,則將重設記憶元件,因而然後將選擇暫存器路徑 31 〇 Κ此方式輪流澜試每一雷路塊30Α,30Β,30C等,Μ通 過移位暫存器區段30設定所有暫存器路徑。在周期Α測試 第一電路塊30A *在周期B测試第二電路塊30B ,等等。 在每一澜試周期A,B,C等•雖然所有測試及控制装置 34均操作,但所有Μ後之测試及控制装置34均會檢测一霣 路塊上之故蹿,因為進位信號中之誤差將會傳播通過移位 暫存器30,因此每一電路塊30 A,30Β等必須按其順序重複 澜試循環。在完成测試時· TH及TL然後保持在其不起作用 雷平,然後並K規律之黻衡STV加至第一级31a,32a之输 入I ,使該裝置正常操作。 ------------^--------Γ--{ ------裝------訂------攻----- (請先閱讀背"之注意事項再場寫本頁} -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)甲4規格(210 X 297公釐) 經濟部中央標準局S工消費合作社印製 A6 _ B6__ 五、發明説明(1払) 因為裝'置每次接通時,便發生此種自我澜試及冗餘選擇 ,根據本發明之此種配置因此也將會改正(在裝置下次接 通時)該装置之使用限期在雷路内所發生之缺陷。這延長 該裝置之工作期限。 在本發明之範圍Μ内·顯然可能有很多變化及修改。因 此,例如在一種修改之测試程式,可在澜試順序使時鐘埭 CKI及CKF保持至高缠輯霄平,Μ便拥試信號STV(T>較快速 傳播通《移位暫存器。因此•可將周期TpM此方式縮短至 傅播延埋通過暫存器。在圖3至7中雖然僅示η-溝道TFT ,但在CMOS (互補金饜氧化物半琴體)TFT技術可構成具有 相同功能之電路。 為減少雷路塊30A> 30B等之並聯電路路徑上有缺陷及故 障之危險,可能宜減少每一電路塊上之暫存器级數,及( 或)並聪窜路路徑數。如果希望,一儷或多個並聯電路路 徑31及32可位於主動矩陣10之相反側。無論如何,宜使諸 並職電路路徑分開足夠距離,K便單一缺陷(例如由於一 粒灰麕)不可能影響超遇一條並聯路徑。 可使用取自圓3之第二反相器50之未反相繪出S ,代替 將反相串行输出NS输入测試及控制裝置34,在此情形可使 用一未反相路線安排罨路。 在上述之特定實施例,僅有二並聯暫存器路徑31及32可 用Μ提供每一電路塊30A,30B等之输出。僅二路徑之一( 例如路徑31)需予Κ測試。經拥試之路徑31,如果此路徑 31通《测試,便供装置操作使用。如果經測試之路徑31未 -----.-----Ρ --------,---{------裝------^氧 (請先閱讀背而-注意事項再填宵本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)甲4规格(210 X 297公坌) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A6 B6 五、發明説明(15) 通過測試~,則選擇另一路徑32M供使用,此另一路徑32無 需加W测試。在此情況,使用雙穩態電路程式化測試及控 制装置34之記憶狀態以產生控制信號ΑΟΚ,BOK時,刖可設 計雙《態電路為致使其始终在一與测試路徑31對應之狀態 啟動。 在上述之諸實施例,通遇移位暫存器30施加澜試信號 STV (T>,並且自移位暫存器30外面施加測試信號TH及TL至 澜試及控制装置34 ;並且在該装置接通時施加此等信號 STV (Ή,ΤΗ及TL。在此情形,测試及控制裝置34設定其内 部記憶狀態,俾規劃在操作周期之持鑕期間將行使用何一 路徑31或32,直到該装置斷開。不遇,在一棰替代性配置 ,可不僅在該裝置斷開時,並且在該裝置操作時連續自移 位暫存器30内取得所有加至測試及控制裝置34之测試信號 Ο 雖然特別有利於移位暫存器,但本發明可在供主動矩陣 裝置之其他驅動電路構形用以自我測試及冗餘選擇。因此 *例如圖1之输出驅動器區段20可包含驅動器電路20中之 最大FTF 。根據本發明重新安排路線可用以避免此等大型 TFT中之缺陷。因此,每一输出驅勖器電路21可包含並聯 電路路徑,此等路徑根據每一電路塊21之個別湎試及控制 裝置提供替代性路嫌安排通過每一電路線21。當罨路20* 30接通時,测試及控制裝置測試並聯電路路徑,並可雷程 式化每一電路塊之倨別記憧元件,以控制使用何一路徑提 供翰出至行線22。 本纸張又度適用中國國家標準(CNS)甲4規格(210 X 297公釐) ----------_--------I---^ ------裝!-----訂----^--哉 (請先閱讀背-.6之注*事項再塡寫本頁) A6 A6 經濟部中央標準局R工消費合作钍印製 B6 五、發明説明(16 ) 精於此'項技藝者參閲本說明,·將會明白其他種種變化及 修改。此等變化及修改可包括主動矩陣装置之驅動電路及 其諸姐成部份在設計,製造及使上所已知,並且可替代本 文中所己說明之諸特色或可除其K外予以使用之同等及其 他特色。雖然申謫專利範圍在本申請案經簡列為諸特色之 特定組合,但請予瞭解,本案說明之範圍也包括本文中所 明顯或sr含掲示之任何新穎特色,或諸特色之任何新類姐 合,或其任何綜合,而不論其是杏闞於在任何一項申謫專 利範騸所申謫專利之同一發明,並且不論是否減輕本發明 所減輕之任何或所有相同技術問題。申請人謹此表明,在 依法提出本申請案或自其導出之任何另外申請案時,最斩 之申謫專利範圃可簡列為此諸特色及(或)此諸特色之姐合 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)甲4規格(210 X 297公穿)

Claims (1)

  1. ABCD
    Τ7Π (.» /4 第82106761¾專利申請案 中文申請專利範園修正本(85年8月) 申請專利範圍 1. 一種供主動矩陣装置之霣子糴動霣路,包含若干霣路塊 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ’各具有成並聯霣路路徑形式之冗餘部分•該霣路路徑 提供替代性路線安排通過霣路塊,及一開闥用於自毎一 霄路塊選擇並聯霄路路徑之何者將行用Μ自該霄路塊提 供输出,其特徴為,該電子驅動霄路也包含一連接至並 聯霣路路徑之測試及控制装置*此測試及控制装置自一 並聯霄路路徑取得输入*並有一拥試信號轤入用以霣測 試該並聯電路路徑,Κ及测試及控制装置響應其《測試 而使本身霣轉變,Μ在與開Μ連接之输出處產生控制信 號*用以控制並聪《路路运之何者將行用Μ提供输出供 主動矩陣装置。 2. 根撺申請專利範圈第1項之霣路,其中一糸列霣路塊形 成一移位暫存器•一掃描脈衝沿其傳播,Μ在暫存器之 系列並行移位艙出提供掃描信號* Κ及每一《路塊之並 聯電路路徑至少有一移位檐出並有一供掃描脈衢之串行 输入及串行檐出•該《路之另外特擞為每一《路塊有其 自己之測試及控制装置•連接至儸別《路塊之串行轤出 ,並且暫存器每一级之移位输出有其自己之開Η,連接 至«別《路塊之澜試及控制装置。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 3- 根據申請專利範圍第2項之霣路,其中每一《路塊包含 移位暫存器之糸列數级,並因而有對應之糸列開《及來 自其霄路路徑之移位输出。 4. 根揀申請專利範園第2或第3項之霣路*其中拥試及控 制装置也包含一路線安排霣路級•此霣路级取前一《路 塊之串行檐出及也取控制信號作為输入* Μ確定第一或 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) 經濟部中央標準局負工消费合作社印裝 A8 Βδ C8 D8六、申請專利範圍 第二霣路路徑之串行轤出將行傅输至次一鼋路塊之串行 輪入。 5. 根據申請專利範園第4項之《路,其中移位暫存器之每 一級包含二成串脚之反相器》其中自每一霣路塊取至測 試及控制装置之串行輸出為取自該霣路最後級中二反相 器之第一反相器•以及其中路埭安排霣路使霄路塊之串 行输出在傳_至次一霣路塊之串行输入時反相。 6. 根據申請專利範圍第1或第2項之霄路,其中每一霄路塊 有第一及第二霣流路徑以提供冗餘部分·Μ及其中測試 及控制装置有一在第一及餐二《路路徑被測試及控制装 置濟試時•響應在其轤出發生之變化而予Μ設定之雙樓 態。 7. 根據申請專利範圍第2或第3項之霣路•其中每一《路塊 有第一及第二《流路徑Μ提供冗餘部分♦ Κ及其中測試 及控制装置有一在第一及第二霄路路徑被濟試及控制装 置测試時•響應在其翰出發生之赛化而予Μ設定之雙穩 態*且其中供每一掃描鎗出之開闢包含一第一S擇開闞 ,用Μ選擇第一霣路路徑之搏描输出,及一第二選擇開 闢,用Μ選揮第二霣路路徑之揮描鎗出· Μ及其中雙穩 態有第一及第二檐出•各為另一之逆反·並提供控制信 號•第一選擇開闞由雙穩態之第一翰出予Μ控制•而第 二選擇開W由雙穩態之第二输出予Κ控制。 3- 根據申請專利範圍第1或第2項之《路,其另外特徵為, 霣路塊,開闞Μ及測試及控制裝置係Μ薄膜霣路元件所 構成》此等霣路元件形成於主動矩陣装置之絕緣基片上 --------「裝------訂--^---r J ^ * ^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本X ) .__________- 2 -_ 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS )八4胡及(210Χ297公釐) 2ΰ6〇30 AS Β8 C8 D8_____ 六、申請專利範圍 並提供驅動《路用以掃描該矩陣之諸列。 9. 根據申諝專利範圍第8項之《路,其中主動矩陣裝置為 液晶顬示器。 10. —種自我測試及程式化根據申請專利範圍第1或第2項之 罨路之方法,其特徴為*將程式_衝加至《子强動霣路 以控制電子驅動霣路之接通,該程式臟街包含加至箱霣 路塊及加至滴試及控制装置之糸列測試腌衝,用以測試 每一連績之霄路塊*並«Μ鼋程式化每一霣路塊之測試 及控制装置•俾於完成霣路之接通時•埋擇並聯霄路路 徑之何者用Κ自霉路塊提沒轤出。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本纸張尺度逋用中國國家標準(CNS } Α4規格(210Χ297公釐)
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