TW293145B - - Google Patents

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五、發明説明（'） A7 B7 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 骑明背暑 M. 明 領 域 一 般 而 言 » 本 發 明 係 Η 於 半 導 體 元 件 之 製 造 » 尤 其 是 積 體 霣 路 晶 圓 之 改 良 的 平 面 化 技 術 » 而 >λ 較 短 的 打 光 時 間 在 晶 圚 中 產 生 改 良 的 平 面 性 〇 1Ϊ蔷說 明 當 半 導 體 元 件 變 得 愈 來 愈 小 時 參 完 成 平 坦 的 表 面 Μ 供 在 較 小 的 直 媒 尺 寸 上 作 出 成 功 的 平 版 印 刷 的 確 是 最 重 要 的 * 化 學 機 械 式 打 光 (CMP)立刻成為平化技術之缠擇， 但 是 有 許 多 問 薄 要 克 服 • 如 凹 陷 與 非 均 勻 性 0 不 論 使 用 單 — 步 驟 各 種 不 同 的 條 件 曹 平 面 化 仍 然 是 一 儷 閫 鐽 的 議 题 » 雖 然 也 曾 試 過 組 合 反 應 離 子 蝕 刻 (R ΙΕ) 與 CMP , 但仍無法達到平面化所要求之水準， R ΙΕ 與CMP 之 組 合 昂 貴 且 複 雜 * 需 要 許 多 步 驟 和 遮 罩 0 所 需 要 的 是 一 個 較 簡 單 而 又 不 昂 貴 的 平 面 化 製 程 • 最 好 不 需 要 埋 罩 而 能 提 供 平 面 化 製 程 之 較 佳 控 制 〇 發明纊 沭 因 此 » 本 發 明 之 — 百 的 在 提 供 一 改 良 化 學 櫬 械 式 打 光 法 « 與 現 行 技 術 比 較 * 能 完 成 較 佳 之 平 面 化 Ο 而 本 發 明 另 一 百 的 在 提 供 一 籣 單 而 不 需 要 遮 罩 之 平 面 化 製 程 » 且 提 供 j 平 面 化 製 程 之 較 佳 控 制 〇 本 發 明 又 — S 的 在 提 供 一 種 製 程 » 容 許 向 下 填 充 凹 陷 匾 域 因 此 由 於 較 少 的 沈 積 和 打 光 時 間 9 而 能 減 少 整 Η 成本。 I---：-----J "裝------訂------f : -W - * (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） 五、發明説明（ A7 B7 型為 圔激 之特 形之 構IV 同基 不其 種， 各法 有方 含之 在化 積面 沉平 種 _ 一 形 供保 提之 明上 發面 本表 據 _ 根晶 化 光區 打陷 1 凹 第蓋 加覆 拖少 上至 之質 區介 升電 上》 在一 先積 首沉 .後 區然 陷 ， 凹圓 和晶 區備 升製 下曆 有止 具停 第 積 沉CM 後段 最階 ，兩 第 之 層 塗 質 介 霣 之 成 形 所 蓋 覆 0 止 停 光 打 漿 之 層 止 停 光 打二 第 蝕 侵 能 用 使 是 步 上二 質第 實於 曆快 止率 停速 光之 打質 二介 第霣 到胜 直侵 ，用 層使 止為 停步 光二 打第 二而 第 . 光止 打為 物除 吠移 BI止 到停 直光 IV打 塗二 質第 介 ， «中 光程 打製 物此 吠在 漿 ， 二止 第為 的曆 «止 止停 停光 光打 打一 I 第 第出 或露 打有 1 沒 第在 有稹 沒沉 中接 其直 ，料 程材 製質 種介 1 霣 供 ， 提下 為形 的情 0 目此 區一在 陷再 ， 凹之料 著明材 護發止 保本停 曆 光 科平 衬質 止介 停霣 光該 打將 ，係 後的 然目 ，之 上光 構打 结 Μ 形 ， 地上 之之 護區 保陷 料凹 材在 止積 停沉 光少 打至 此 因 構 结。 靨上 基域 其匾 露之 曝升 不上 但度 ,1 化該 面在 留 霣 介 霣 的 量 定 ---.------ -- ·· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 诚 籣 式 Η 經濟部中央揉準局員工消費合作社印製 將. ，酤 中優 例和 實向 理方 優 明的 發目本的 之 明說其 细 詳 而的 Η面 附前 考明 參發 面本 下瞭 從明 £ 3 及 他 化 氮 且 化 型 _ 權 _ 圃 面 截 檐 之 Di 晶 矽 - 為 : 1A 中 _ 其 矽 1X η 之 層 覆 包 矽 晶 多 加 施 且 靥 化 氧 厚 匾一 面有 表具 上為 到 2 加 _ 矽 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 20S145 A7 B7 五、發明説明（—） 晶圓的横截面画： _3為根據本發明，在第一次CMP步驟之後，圈2矽 晶圆之横截面_ ; 圃4為具有閛極接觸结構之矽晶圆的横截面麵；及 5為根據本發明，在第一次CMP步驟之後，圈4矽 晶圆之横截面画。 發明優费If例詳沭 將舉一譆例說明本發明，此範例開始於一具有满權_ 型之矽晶園，因此其具有上升區和凹陷區，為了要在後 面的製程中保謹矽，且在CMP之後提供一檢測鏞點，一 氮化矽顏在上升的表面區上形成，K產生_1横截面所 示的结構，此稱為氮化物期墊（PAD),另一種方法中刖 (請先閲讀背面之注意事項再填离本頁) 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 凹的结CM或、為所 充 蓋當之 次同 I 禰 3 有 覆遘示 一相 U 目IB具 Μ 他所 第率 之如 間 ，其面 行埋驟， 之 物或截 進光 Η 步矽 物 化，横 漿打 U 一晶 化 氧IV2 矽之 第多 氧 如覆 _ 晶矽 U 此之 和 ，包生 多晶 ，區 矽 料矽產 之多 Μ 定陷 晶 材晶 Κ 性和 2 決凹 多 。_多· 擇物CM测留 在 層厚一上 理化次量保 何 止之，圆 高氣一度和 任 停厚上晶 有對第高矽 或 光夠之個 具用而階晶 漿 打足料整 物使 ·步多 紳 一 積材在 化，物或去 化 第沉此積 氣者吠 / 移 氧 此，在沉 對或漿及區 二 要次 ，， 用 ，之、升 用 需其區料。使驟反檢上。使 不 陷材構 步相目從示 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（) 分選擇性之漿狀物纽鑛第二次C Μ P步驟之製程，因為氣 化物在二氣化鈽中之打光速率比多晶矽快很多，所以在 打光期間仍用多晶矽覆蓋之凹陷區受到保護，以此種方 式，可以達成平面化。 可以由監視時間及/或m化物襯墊之厚度而檢測停止 點，檢測停止點之另一方法為在不同材料之打光時所産 生的摩擦變化，在此慵形下，為氧化物和《化物打光期 間摩擦之變化，此可藉由監視平台和傳送器之馬逹霣流 的變化而達成，尚有另外一種檢測停止點之方法為監視 和檢測頻率之變化。 除了像前述之淺溝檐隔離例子的前端線應用之外，本 發明之技術邇可擴充至中間和背端線之平面化，匯4為 閘搔接觴（GC)之橫截面圓，該画顯示作為閛極結構之上 升區，在第一次CMP步费[使用膠狀矽漿所産生之結構示於 圖5,接缠之第二次CMP步驟使用二氣化銪或其他高蓮擇 性之漿狀物，因此，本發明之技術可適用於兩種打光型 式，一為採用兩種打光停止層（在上升和凹陷區之上）， 另一為只需要一種打光停止層（只在凹陷區之上）。 雖然本發明己用優理的和變化的實例加以說明，但本 行專家将龌認在所附申請專利範園之精神和範園内，本 發明可加以修正而實施。 本紙張尺度逋用中國困家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂

Claims (1)

1. 六、申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 經濟部中央揉準局負工消費合作社印装 暦該 積 .，第 一光停 法行 法停物 法之吠 塗， 沉；層該 第打光 方進 方光狀 方》 漿 霣區 該度止之 或曆打 之物。之打漿 之介之 介陷 中高停上 二塗二 化狀質化二之 化電快 電凹 其階光區 第霣第 面漿介面第慢 面對較 的和 .， .步打升 該介該 平用霣平對較 平。為 上區II質之二上 蝕霣中If使於«用或 曆用曆 構升 止介構第在 侵該其 塗驟快塗使同 塗使止 结上 停® 结一到及其之， 質步率質驟相 質驟停 層有 光暦曆積直；於留止 介光速介步為 介步光 基具 打 一基沉，止快餘為 電打光 «之質 «之打 圓構 一積於上光為率將出 將之打將光介 將光二 晶结 第沉等層打除速物S.之«之之打電 之打第 路曆：一上或塗曆移之吠曆 項止If項β於 項曆及 霉基為上之於 《止上質漿止。1停止1 止之 1塗一 應該驟加區小介停霣介二停區第光停第停比 第質第 積，步上陷度電光實霣第光陷 打光圈二率 _介於 於法之匾凹厚的打曆該之打凹範二打範第速 範霣之 加方含升該曆成二止 »曆 一該利第二利該光 利該比 胞之包上在質形第停侵止第請専該第專將打 專將率。 將化所該少介所該光用停該保請中中請中之。請中埋行 種面法在至霣在將打使光到層申其其申其IV行申其光進 一本方 的 二 打直止如，，如，止進如 ·打物 A —裝------訂------{·'- ^ m (請先閱讀背面之注意事項再填寫本I) 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 六、申請專利範圍 申其。 如，鈽 5 申其 如 . 6 物種 化一 專， 専將有胞之 請中 _ 中具將化 A8 B8 C8 D8 化 法氧 方二 之為 化物 面狀 平漿 曆之 塗用 質使 介所 ® 光 將打 之暦 項塗 4 質 第介 画霄 範該 利將 法氧 方對 之種 化一 面用 平使 *驟 塗步 質之 介光 «打 將層 之止 項停 5 光 第打 麵二 範第 利該 « 塗 質 介 電 的 上 。 構 行结 進18 铤基 矽圓 晶晶 多路 之電 性 Η 擇檷 選於 高加 該 區 陷 凹 和 區 升 上 有 具 構 结 曆 ： 基為 該« .步 法之 方含 包 所 面法 平方 之 ； 憒度 沉高 中階 其步 ，之 質構 介结 電曆 曆基 一 於 積大 沉或 上於 之等 區度 陷厚 凹其 該 ， 在曆 少霣 至介 霣 層除 止移 停上 光質 曆打實 止該層 停將止 光物停 打狀光 1 漿打 積之該 沉 Μ 的 上止上 曆停之 塗光區 質打升 介該上 霣蝕在 的侵到 >ά ί·-ι 成 f 形用 所使光 在 打 ^—4— ^^^1 Ϊ1 1^1 mu —^ϋ I 1^^1 I H - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央梂準局貞工消费合作社印製 直及能直留專將二止專該 ,.，用，保請中第停請中 0 塗 0 介 霣 該 將 物 吠 漿二 第 之 霣 介 霣 該 胜 ff 能 用 止使 為 光質 打介 申其 如 · 霣 該 些 1 有 中 其 止 為 面 表 的 坦 。 平區 一 陷 成凹 完該 到在 物 狀 漿二 第 之 質 光申其 打如 ， 9 法介中 方霣其 之該 ， 化蝕止 面侵為 平能面 曆用表 塗使的 質驟坦 介步平 «之一 將光成 之打完 項η到 7 塗直 第質 匯介 範霣 利該 法止 方停 之光 化拋 面該 平將 »且 塗 ， 質區 介檯 霣閛 。 將升 區之上 陷項有 凹 7 具 在第構 留匾结 未範ΙΒ 曆利基 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) Α4洗格（210Χ29?公釐） i 申請專利範囷 A8 B8 C8 D8 打 之 層 止 停 光 打 中 其 成 完 物 狀 漿。 用質 使介 驟電 步於 之快 光宰 打速 層光 法 方 之 化 面 平 曆 塗 霣 介 霣 將 之 項 7 第 _ 範 利 專 睛 * 如 靥行 止進 停物 光狀 打漿 對之 。慢 用較 使或 嫌同 步相 光為 打》 暦介 止電 停於 光之 打比 該率 將速 中光 其打 ，之 法 方 之 化 面 平 暦 塗 質 介 電 將 之 項 9 第 園 範 利 専 請 申 如 光 打 於 快 率 速 光 打 用 使 驟 步 之 光。 打行 質進 介物 霣吠 該漿 將之 中跚 其止 ，停 法 方 之 化 面 平 層 塗 質 介 霣 將 之 項 9 第 園 範 利 * 請 如 化 氧 二 為 物 吠 漿 之 用 使 所 光 打 曆 塗 質 介 霣 該 將 中 其 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _裝· 鈽 订 丄 經濟部中央棣準局属工消费合作社印装 本紙張尺度適用中困國家標準（CNS > A4规格（210X297公釐〉