TW280015B - - Google Patents

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經濟部中央標準局員工消費合作社印製 280015 at B7 五、發明説明（1) 發明背景 a )發明領域 本發明係關於一種適於製造例如閘陣列和應用特殊稹 體電路（AS I C )之半導體裝置之方法。 b)習知技藝之說明 就半導體稹體電路之種類而言，已知有閘陣列裝置， 其可製造多數型式之LSI。這些LSI之製造乃藉由準 備多數的基本元件群或基本邏輯電路之胞在半導體晶片上 ，而後，依照電路設計，只改變配線圖樣即可完成。對於 此種閘陣列裝雔，已有一種形成配線圖樣之方法，其最常 被使用且在電路設計後，藉由雷射光等切割必需之配線圖 樣即可完成。更特別而言，配線圖樣首先形成在一晶片上 ，而保護膜沉稹在含有配線蹁樣之晶片上。在電路設計後 ，在配線圖樣上欲被切割之保護膜受到移去以形成一窗， 而暴露在窗中之配線圖樣受到切割。以此方法，可在極短 的時間形成客戶用LS I。由此方法所製成I C之例爲由

Quick科技公司所製造之雷射可程式閘陣列（L P G A ) 〇 圖3 A爲此種I C存製造下半導髏晶片之部份平面圖 。如圖3 A所示，窗W1至W3形成在基底表面。第二金 屬配線屠M2暴露在窗W1至W3中。 阖3 B爲圖3 A之線III B — III B所截取之横截面園。 如ffl 3 B所示，第二金屬配線靨Μ 2形成在第二中間層絕 本紙張尺度適用中國囷家橾準（CNS)人4規格（210><297公釐） -4 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-----J I訂._ —f i------ 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製‘ 280015 at B7 五、發明説明（2) 緣膜5 2上，而中間層絕緣膜5 2沉積在第一金牖配線層 Μ 1上。當成保護膜之絕緣膜5 3沉稹在第二金屬配線層 M2上。絕緣膜5 3受選擇性的蝕刻以形成窗W2並暴露 第二金屬配線屉M2。絕緣膜5 2和5 3由，例如S ί Ν 之氧化物膜或S i 0之氧化膜所製成。 形成窗W 2之方法將說明如下。如圖4 A所示，在第 二金屬配線層M2形成在第二中間餍絕緣膜5 2上之後， 例如S i N之絕緣膜5 3藉由CVD而沉稹在第二金屬配 線屠M2和第二中間厝絕緣膜5 2之表面上。爲了選擇性 的暴露第二金屬配線厝M2，一光阻膜5 4形成在絕緣膜 5 3上，且暴露並顯影以形成阻止圖樣。未覆蓋光阻圖樣 之絕緣膜5 2受到鈾刻。蝕刻處理之執行藉由使用選擇性 的蝕刻於第二中間厝絕緣膜5 2和絕緣膜5 3之間。在蝕 刻處理後，可形成如圖3B所示之窗W2。 此種方法需要在第二金羼配線層Μ 2和覆盖第二金屬 配線層M2之絕緣膜5 3下，第二中間層絕緣膜5 2之不 同的膜性質。如果第二中間層膜5 2和絕緣膜5 3之性質 相同或相似，或是膜相對於蝕刻劑具有相似的蝕刻特性時 ，即使膜的性質不同，則無法達成充份的選擇性的蝕刻。 如果兩個膜皆由氧化膜所形成，在絕緣膜5 3下之第二中 間層絕緣膜5 2亦可能受到蝕刻，如圖4 Β所示，如此， 在第二中間層絕緣膜5 2下之第一金靥配線層Ml亦會暴 露。 由半導髋裝置之性能和製造程序之觀點而言，在許多 本紙張尺度適用中國國家梯準（CMS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝------ —訂 -------C i------ 經濟部中央標準局員工消费合作社印褽 280015 Α7 Β7 五、發明説明（3) 的情形下，非氧化矽之材料並不會使用當成中間屠絕緣膜 和保護絕緣膜。 爲了避免過度的蝕刻在絕緣膜下之第二中間層絕緣膜 ，特別是氧化矽，而造成可能之錯誤，於此使用之方法爲 控制欲形成在阻止膜中之窗之宽度。如圖4 C所示，光阻 膜5 4之開口 5 5之宽度設定成窄於絕緣膜5 3之凸出之 宽度Wt ，而宽於第二金靥配線層Μ 2之宽度Wμ ，因此 ，第二金屬配線層M2位在開口 5 5之區域內。藉由使用 阻止圖樣5 4當成蝕刻蝕膜，絕緣膜5 3受到蝕刻。而後 ，移去阻止圖樣5 4。具有宽度Ww之窗5 5 a乃形成如 圖4 D所示。 但是，已發現此方法並不適合於下述之情形。如圖 4 E所示，如果光阻止圓樣5 4之開口 5 5之位S偏離正 確之位置，如圖4F所示，絕緣膜5 3在第二金屬配線層 M2之左邊，因此，在另一區域造成過度的蝕刻。 如圖4G所示，如果光阻止圖樣5 4之開口 5 5之宽 度太大時，在第二金屬配線靥Μ 2之兩相對區域會形成過 度的蝕刻，如圖4 Η所示，而造成暴露下叠金屬配線層之 危險。 如圖4 I所示，如果開口 5 5之宽度太小，絕緣膜 5 3仍會與第二金屬配線層M2之側壁接觸，如圖4 J所 示。絕緣膜5 3亦會停留在第二金屬配線屠M2之上表面 上。 如圖4 F，4 Η和4 J所示之情形皆難以準確的切割 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS〉A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---I ~m.-訂-----C 外---I 11 A7 B7 280015 五、發明説明（4) 第二金屬配線層M2。 發明概要 本發明之目的旨在提供一種半導體裝置之製造方法， 其可準確的在一絕緣膜中形成一窗，而該窗暴霣一上叠金 屬配線層。 本發明之另一目的乃在提供一種具有多層配線結構之 配線層之硬配線閘陣列裝置之製造方法，其可在具有和配 線圖樣之物理特點（凸起）一致之中間層絕緣膜中形成窗 ，該窗與該物理特點互相對齊。 依照本發明之一觀點，本發明提供一種半導髗裝«的 製造方法，包含之步驟爲： 在接線層圖樣上形成一絕緣膜，該接線層圖樣形成在 —基底上： 在膜之全部表面形成平面膜，直到該平面膜之表面平 坦爲止，該平面膜由具有和絕緣膜不同性質之材料所形成 移去平面膜，直到形成在金靥配線圓樣之頂上之絕緣 膜之部份表面區域暴霣； 在暴露絕緣膜和平面膜之表面上形成一阻止膜： 在阻止膜上定圚樣以形成一阻止圖樣，該阻止圖樣具 有一開口至少暴露該絕緣膜之部份暴露表面區域：和 選擇性的移去未覆蓋平面膜和阻止圖樣之絕緣膜之部 份區域，並暴露金屬配線圚樣之一部份區域。 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4说格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製

tl^^i —^ϋ n^— 一OJnn ^ - - I A7 280015 B7 五、發明説明（5) 最好的是，在前述步驟後，移去阻止圖樣和平面膜。 由於平面膜覆蓋整個非絕緣膜之暴露部份表面區域， 其可以使用當成蝕刻掩模，其中該絕緣膜沉積在配線圖樣 上。如果平面膜之蝕刻阻止力是充足的，就不太需要考慮 介於絕緣膜和其下金屬間之蝕刻選擇率。爲了移去絕緣層 以形成一窗以暴露所需金屬配線圖樣之區域，寬之宽度以 自我對齊之方式由金屬配線圖樣之寬度和形成在金屬配線 圖樣之側壁上之絕緣層之宽度而決定。因此，可能暴鳟金 屬配線厝之頂和側壁。因此，即使阻止圚樣有一些位移或 尺寸上之錯誤，用以暴露金屬配線圚樣之窗之準確性並不 會受到太大的影響。窗之宽度變化變的相當小。再者，由 於阻止圖樣之開口宽度可製成相當大，其無需以高精準性 形成阻止圖樣，並考廉尺寸錯誤之可能性。此種製造方法 提供配線區域之區域邊界，並改進製造產量。 附圖簡述 圖1 A至1 Η爲横截面圚，其說明依照本發明之一實 施例之半導體裝置之製造方法之主要步驟； 圚2爲形成在如圖1 Ε所示之步驟中之窗之平面圖； 圖3 Α和3 Β爲習知技藝中用以形成一窗以暴露一金 靥配線層之概略圖，圖3 A爲顯示介於金靥配線餍和窗間 關係之平面圖，而圖3 B爲金屬配線層Μ 1和Μ 2之概略 横截面圖：和 圖4 Α至4 J爲習知半導髗裝»之製造方法之橫截面 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS〉Α4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝-----Γ I 訂 ------Λ 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 280015 A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 五、發明説明（6) 較佳實施例之詳細說明 半導髏稹體電路裝置之整合層度愈來愈高之趨勢愈來 愈强烈，對於高度整合半導體裝置而言，配線圖樣變的相 當複雜，且多層配線結構之配線層數目傾向於增加。因此 ，對於介於多數配線層間之隔離而言，必需設置中間層絕 緣膜於相鄰配線層間。 覆盖著形成在平坦下叠層表面上之配線圖樣之中間厝 絕緣膜在許多情形中具有與配線圖樣之地形相配合之凸起 和凹陷。如果需要中間層絕緣膜之平坦表面，則執行一平 面處理或形成一平面膜。 具有所需電路之L S I可藉由選擇性的使用形成在閘 陣列裝置之半導體晶片上之基本邏輯電路（包）而形成。 一種廣泛使用之方法爲在一晶片上形成下叠配線層，且在 «路設計後，形成一上叠配線層。爲了在電路設計後縮短 製造最終半導體裝置之時間，在《路設計之前，形成愈多 的上叠配線圖樣愈好。爲此，已提出之方法爲預期經常會 使用之上叠配線圖樣以比實際所需之數量更多的形成，而 在電路設計後，割去不必要的上叠配線圖樣。關於割去配 線圖樣之方法，在配線圖樣上之中間餍絕緣膜受選擇性的 除去以形成暴露配線圚樣之窗，而雷射光照射入窗中以使 配線圖樣熔融和蒸發。 爲了形成用以切割配線圖樣之窗，可利用覆盖配線層 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 本紙張尺度適用中國國家橾隼（CNS ) A4说格（210X297公釐） 280015 A7 B7 五、發明説明（7) 之中間層絕緣膜之凸起和凹陷。 本發明之實施例將參考附圖說明如下。圖1A和1 Η 爲横截面圖，其說明依照本發明之實施例之半導體裝置之 製造方法。如圖1 Α所示，多晶矽之下叠金颶配線層Μ 1 ，障蔽金屬和鋁或鋁合金之叠合結構，多晶矽和耐火金屬 (多晶矽化物）之叠合結構，鋁，鋁合金，或其他金屬形 成在S i基底1之絕緣表面上。S i基底1之絕緣表面以 化學蒸鍍（CVD )氧化矽膜而形成或滲雜P或之矽酸 塩玻璃膜（例如PSG，BPSG)而形成。MOS電晶 體和其他元件形成在S i基底中，在絕綠表面下。下叠金 屬配線層Μ 1以濺鍍形成。如果下®金屬配線層Μ 1由例 如WS i之矽化物或W所製成時，層Ml可以CVD法形 成0 金屬配線靥Μ 1之表面覆羞以中間層絕緣膜2例如氧 化矽膜和氧化矽膜。由鋁，鋁合金，或其他金雇所製成之 上叠金屬配線圖樣M2 a，M2 b……形成在絕緣膜2上 。中間層絕緣膜2如同矽基底1之絕緣表面般的以CVD 法形成。於此可使用例如旋壓玻璃之具有良好平面特性之 氧化膜。中間層絕緣膜之表面最好爲平坦的。上叠金屬配 線層Μ 2由濺鍍製成。而後形成極有可能在矽基底1上使 用當成半導體配線圔樣之金屬配線圖樣Μ。在電路設計後 ，切割不必要之金屬配線圖樣M2。 如氧化矽膜和氧化矽膜之絕緣膜3形成在上叠金屬配 線圖樣M2上。絕緣膜3由例如低壓CVD法所形成，絕 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -10 · (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂1. 經濟部中夬橾隼局員工消費合作社印製 28Q015 A7 B7 五、發明説明（8) 緣膜之表面與下叠表面配合。 如圖1 B所示，在竃路設計後且欲受切割之上叠金屬 配線圖樣之點決定後，藉由塗覆等，將平面膜4形成在絕 緣膜3中。平面膜4由例如光阻物，聚亞胺等所製成，且 其蝕刻性質與絕緣膜3不同。平面膜4需等到表面變成平 坦才完成，而無關於金羼配線圖樣M2之凹陷或凸起。由 於在上叠金屬配線層切割處理後，平面膜4才移去，膜4 之材料選擇主要考慮其蝕刻選擇率。 其次，如圚1 C所示，平面膜4蝕回直到絕緣膜3之 凸起表面暴露爲上。例如，如果平面膜4由阻止物所組成 ，其乃在一平行板型乾蝕刻系統中蝕刻，流經3 0 0 s c cm.之氧和6 0 s c cm之氣，混合以5%之氣氣之 蝕刻氣體，在0. 5 5Τοτ· r之壓力下，2 3 0 °C之基 底溫度，和2 0 0W，在1 3 · 5 6MHz之RF能量下 。當絕緣膜3之凸起暴露而平面膜4 a仍未蝕刻時，蝕刻 處理中止，如圖1 C所示。 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 如圖1 D所示，阻止膜5塗覆在一部份的絕緣膜3和 平面膜4上，並暴露和顯影以形成一阻止圖樣5，其具有 相關於在上叠金屬配線圖樣Μ 2之切割點區域上之開口。 如果阻止圖樣5可選擇所需之暴露絕緣膜3之凸起，則上 述已是足夠的。非凸起之絕緣膜3之表面覆蓋平面膜4 a 。形成在絕緣膜3中之開口形狀由平面膜4 a所決定。因 此，阻止圖樣5之準確性可以是相當粗糙的。 如圖1 E所示，絕緣膜3受選擇性的蝕刻。例如，如 11 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標隼局員工消費合作杜印製 A 7 B7 五、發明説明（9) 果絕緣膜3爲氧化矽，其乃在一平行板型乾蝕刻系統中蝕 刻，以 5sccm 之 CF4 ，30sccm 之 CHF3 和 1 0 0 s c cm之Ar之蝕刻氣體，在2 0 OmTo r r 之壓力下，室溫之基底溫度，和7 0 OW，1 3. 5 6 ΜΗ z之R F能量下蝕刻。具有暴霣表面之絕緣膜3受到 蝕刻，而阻止圖樣5和平面膜4 a當成蝕刻掩模。 圖2爲金屬配線切割前，圖1E所示之裝置之平面圚 。開口形成在阻止膜5上。在此開口中，由平面膜4 a而 界定之窗6 a和6 b暴露出。在窗6 a和6 b處之絕緣膜 3受到蝕刻，且上叠金觴配線圖樣M2 a和M2 b暴露出 。金屬配線圖樣M2 a和M2 b之頂和側壁暴露在兩窗 6 a和6 b中。如果蝕刻處理之執行使得在上*金屬配線 圖樣M2之側壁上之絕緣膜3完全蝕刻時，上叠金屬配線 圖樣M2之頂部則過度蝕刻。但是，因爲圖樣M2爲欲切 割之圖樣，因此，過度蝕刻不會造成問題。由於絕緣膜3 之肩部些微的彎曲，此一致深度之蝕刻在中間層絕緣膜2 中形成彎曲區域。但是，如果剩餘之中間層絕緣膜2之厚 度足夠的話，上述之情形亦不會構成任何實質之問題。 如圖1 F所示，阻止圖樣5和平面膜4 a以拋光或其 他處理移去。 因此，具有寬度WP之窗W形成如圖1 G所示。 在非金屬配線圖樣M2 a和M2 b之頂和側壁區域之 絕緣膜3並未蝕刻。結果，窗W之側向宽度並非決定於阻 止圖樣5，而是以自我對齊方式，由金靥配線圖樣M2之 本紙張尺度適用中國國家標準〈CNS ) A4規格（210X297公釐〉 -12 ' {•裝— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· A7 B7 280015

五、發明説明（U 宽度和形成在金扃配線圓樣Μ 2上之絕緣膜3之厚度所決 定。 在上述對於絕緣膜3之蝕刻處理中，最好的是由阻止 物等所製成之平面膜4 5 a可充份的耐於蝕刻，且具有一 厚度足以不受到完全蝕刻。例如，如果絕緣膜3受蝕刻 1. 2 #m，由阻止物（光敏阻止材料）所製成的平面膜 4 a之厚度則設定爲〇. 4 pm或更厚。在此例中，所需 蝕刻選擇率爲1. 2/0. 4=3或更高。此種選擇率可 以利用上述之乾蝕刻法充份的完成。 如圖1 Η所示，例如A r雷射光之雷射光8施加至暴 露在窗中之上叠金靥配線餍M2 a和M2 b，以便將其切 割。 由於欲被切割之上叠金屬配線屠之頂和側壁暴露出， 配線圖樣乃可靠的受到切割。由於下叠金屬配線圖樣覆盖 以具有充足厚度之中間層絕緣膜，它們可受到保護而免於 雷射光之照射。 本發明已參照較佳實施例說明如上。但是，本發明並 不受限於上述之實施例。例如，本發明亦可應用至具有超 過兩層之多位準配線層。明顯的，對於热悉此項技藝之人 士而言，各種不同的改變，更換，修飾，改進，或結合仍 未能悖離下述之申請專利範園之範《。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 13 . (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 經濟部中央標準局員工消费合作社印製

Claims (1)

1. 280015 cl D8 六、申請專利範圍 1 .—種半導體裝置的製造方法，包含之步驟爲： 在接線層圖樣上形成一絕緣膜，骸接線層圖樣形成在 —基底上： 在膜之全部表面形成平面膜，直到該平面膜之表面平 坦爲止，該平面膜由具有和絕緣膜不同性質之材料所形成 « 移去平面膜，直到形成在金鹰配線圖樣之頂上之絕緣 膜之部份表面區域暴露； 在暴露絕緣膜和平面膜之表面上形成一阻止膜； 在阻止膜上定圖樣以形成一阻止圖樣，該阻止圖樣具 有一開口至少暴露該絕緣膜之部份暴露表面區域：和 選擇性的移去未覆盖平面膜和阻止圖樣之絕緣膜之部 份區域，並暴露金靥配線圚樣之一部份區域。 2·如申請專利範園第1項所述之方法，進一步包含 在前述步騍後，移去阻止圖樣和平面膜之移去步驟。 3 ·如申請專利範圍第2項所述之方法，進一步包含 ，在移去步驟後，切割該暴露金屬配線圇樣之步驟。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 ---------{裝— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該切割 步驟包括雷射光之照射。 5. 如申請專利範園第1項所述之方法，其中該平面 膜實質的由阻止物所組成。 6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該平面 膜實質的由聚亞胺。 7. 如申請專利範園第1項所述之方法，其中該金屬 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14 - 經濟部中央標準局負工消费合作社印装 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 ~ 配線圓樣爲一上叠金靥配線圖樣形成在平坦絕緣膜之表面 ，該平坦絕緣膜埋設一下叠金屬配線圖樣。 8.如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該上叠 金屬配線圖樣由Α ί或A 5合金所製成。 9 ·如申請專利範園第1項所述之方法，其中形成絕 緣膜之步驟形成一絕綠膜，其具有一表面以配合下叠表面 之凸起或凹陷。 10·如申請專利範園第9項所述之方法，其中移去 平面膜之步驟包括反應離子蝕刻。 1 1 · 一種半導體裝置之製造方法，包含之步驟爲： (a )提供一種半導體基底，包含： (a—1)第一位準配線層： (a—2)第二位準配線膜： (a — 3 )第一中位準絕緣膜，其隔離第一位準配線 層和第二位準配線膜；和 (a — 4 )第二中位準絕緣膜，其形成在第二位準絕 緣膜之上，且具有凸起之第三位準和低於第三位準而凹陷 之第四位準，並使第二位準配線絕緣膜： (b) 在半導髖基底上形成一第一有機層； (c) 部份的移去有機厝以暴露凸起： (d) 除了第二位準絕緣層之凸起之一部份仍然暴霣 外，選擇的在基底上形成第二有機層：和 (e) 選擇的蝕刻第二中位準絕緣層之暴露部份以在 第二位準配線膜上形成自我對準窗。 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------f^— I--11 11--I ( (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 15 經濟部中央標準局属工消费合作社印製 BS C8 D8 六、申請專利範圍 12.如申請專利範園第11項所述之方法，進一步 包含之步驟爲： (f )在步驟（e )之後，移去第一和第二有機層。 1 3.如申請專利範圍第1 1項所述之方法，其中第 —有機層和第二有機層包含阻止材料。 1 4.如申請專利範圍第1 1項所述之方法，其中第 一有機層和第二有機層由聚亞胺所製成。 15.如申請專利範圍第11項所述之方法，其中第 一中位準絕緣層和第二中位準絕緣層由選自含有旋壓玻璃 (SOG) ，PSG，和BPSG之群之材料所製成。 1 6.如申請專利範圍第1 1項所述之方法，其中第 一中位準絕緣層和第二中位準絕緣層由CF4和CHF和 A r之混合氣體所蝕刻。 1 7.如申請專利範圍第1 1項所述之方法，其中第 —有機層和第二有機層由〇2 ，H2和N2之混合氣體所 蝕刻。 18. 如申請專利範園第11項所述之方法，其中步 騍（c )以蝕回處理執行。 19. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中步 騄（e )以乾蝕刻處理執行。 2 0.如申請專利範圍第1 1項所述之方法，其中在 步騍（e)之第二中位準絕緣層對第一有機層之蝕刻選擇 率大於3。 2 1 · —種多曆半導體裝置之製造方法，包含之步驟 本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS ) A4洗格（210X297公釐） n^— I— n I 1^1 In— ml n^i --"eJ—JTW (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 16 280015 ?! - D8 六、申請專利範圍 (a )提供一基底，其具有多層結構，至少具有第一 位準配線層，第二位準配線層，和使前兩者絕緣之第一中 位準絕緣層： (b )在多層結構上形成第二中位準絕緣層，第二中 位準絕緣層具有凸起和凹陷以轉換多層結構上之地形； (c )形成第一掩模厝，其具有相關於在半導體基底 上之凸起之孔洞： (d)除了第二中位準絕緣層之凸起之一部份區域仍 然暴露外，選擇性的形成第二掩模層在基底上；和 (e )經由第一和第二掩棋層，選擇性的蝕刻第二位 準絕緣層之暴露部份以在第二位準配線膜上形成自我對準 窗。 2 2.如申請專利範圍第2 1項所述之方法，進一步 包含之步驟爲： (f)在步驟（e)之後，移去第一和第二有機層。 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 3.如申請專利範圍第2 1項所述之方法，其中第 —掩模厝和第二有機屉包含阻止材料。 2 4 .如申請專利範園第2 1項所述之方法，其中第 一掩棋層和第二掩模層由聚亞胺所製成。 2 5.如申請專利範圍第2 1項所述之方法，其中第 一中位準絕緣層和第二中位準絕緣層由選自含有旋壓玻璃 (SOG) ，PSG，和BPSG之群之材料所製成。 2 6 .如申請專利範圍第2 1項所述之方法，其中第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17 - B8 C8 ____D8 六、申請專利範圍 一中位準絕緣層和第二中位準絕綠層由CF4和CHF和 A r之混合氣體所蝕刻。 2 7.如申請專利範圍第2 1項所述之方法，其中第 一有機層和第二有機層由〇2 ，Hz和N2之混合氣髏所 触刻。 2 8 如申請專利範圍第2 1項所述之方法，其中步 驟（c)以蝕回處理執行。 2 9.如申請專利範園第2 1項所述之方法，其中步 驟（e)以乾蝕刻處理執行。 3 0 .如申請專利範圍第2 1項所述之方法，其中在 步驟（e)之第二中位準絕緣層對第一有機層之蝕刻選擇 率大於3。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中失標率局貝工消費合作社印裝 本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐）