TW205121B - - Google Patents

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TW205121B TW080110043A TW80110043A TW205121B TW 205121 B TW205121 B TW 205121B TW 080110043 A TW080110043 A TW 080110043A TW 80110043 A TW80110043 A TW 80110043A TW 205121 B TW205121 B TW 205121B
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    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/02Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
    • H02M7/04Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/06Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes without control electrode or semiconductor devices without control electrode
    • H02M7/10Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes without control electrode or semiconductor devices without control electrode arranged for operation in series, e.g. for multiplication of voltage
    • H02M7/103Containing passive elements (capacitively coupled) which are ordered in cascade on one source
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Description

,051^ A6 B6 五、發明説明(i) <産業上之利用領域> 本發明像關於高壓産生電路,尤指有效地適用於光電 傳遞裝置之接收回路的光電接收用高壓産生電路。 <先存技術> 在光電通信所使用之光電傳遞裝置中,有以雪崩光電 二極體(APD)做為接收回路之受光元件者。當採用以 雪崩光電二極體做為接收回路之受光元件使用時,為要引 發其内部倍增作用,必須要有産生電壓用之高壓産生電路 。由於以往有關此種高鼷産生電路,很難小型化,所以不 得不使用不適於呈面安裝之MOSFET或變壓器,因此很難使 電路達到小型化。為此,例如就if願昭 ----------- 經濟部屮央槛準而U工消赀合作杜印3i 63-0_0$38 1案而言,就不再使用MOSFET或變壓器 ,改用採取受光用高壓産生電路,藉此以實現電路之小型 化及簡單化。就該以往之技術而言,係採取將電流驅動電 路連接於脈衝振盪電流電路,以資提昇昇壓整流電路之電 流驅動能力,同時在電流驅動電路與昇壓整流電路之間, 使用將被電流放大之脈衝可通過之電容器,是故就不必要 使用MOSFET或變壓器等之類的元件。 <擬解決之問題> 然而就先存技術之光電接收用高壓産生電路而言,為 要把元件點數再削減並形成小型化時,則必須提增振盪器 之輸出脈衝振幅,可是在此種情形下有一個問題,則必須 -3 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本吟張尺度边用中國困家標準(CNS)甲4規格(210X297公;¢) 經濟部屮央標準而Μ工消赀合作社印51 A6 B6 五、發明説明(2) 將:^同的電源分別供給光電接收回路及光電接收用高壓産 生回路。再者,振盪電路之CMOS額定值等也會受到限 制,為要將昇壓整流電路之g數減少,在技術上是相當困 難。 本發明之目的,係為要提供一種可解決上述以往技術 之缺點,並不必將不同電源分別供給至光電接收電路與光 電接收用高壓産生電路,只要將振盪器之輸岀脈衝振幅加 以提增,就可以把昇壓整流裝備之%數減少,而達成小型 化之高壓産生電路。 <解決問題之手段〉 本發明傜為解決上述之問題,備有産生高壓之高壓産 生電路,生成第1脈衝與把第1脈衝變成相位反轉之第2 脈衝,然後將這些脈衝經由電流放大後輸出之脈衝振盪電 流驅動手段,與從脈衝振盪電流驅動手段輸出之第1脈衝 和第2脈衝,各經由電容器後輸入,並將這些脈衝施予昇 壓整流之昇壓整流手段。 <作用> 依據上述之本發明而言,脈衝振盪電流激勵手段像利 用第1脈衝與使第1脈衝之相位反轉而成之第2脈衝,來 激勵昇壓整流手段,而舁壓整流手段係將這些相位相反之 脈衝施予昇壓整流,然後輸出高壓之直流電壓。 本咚張尺度边用中國困家標準(CNS)«Η規格(210X297公¢) -4 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部屮央標準/ί.;=χ工消费合作杜印製 A 6 B6 五、發明説明(3) <實施例> 茲參照圖面將本發明之高電壓産生電路之實施例詳述 如後。 第1圔所示傜有關本發明之高壓産生電路之電路圖。 在本實施例中之高壓産生電路,係配設有:例如於光電接 收電路中必須要以高電壓為電源之雪崩光電二極體( APD) 6等之接收光電元件所形成之光電傳遞裝置,以 資激起該二極體6之内部倍增作用所需之高壓産生電路者 。易言之,高壓産生電路係具有:脈衝振盪部1及電流激 勵部2所構成之脈衝振盪電流激勵電路3 ,與執行昇壓整 流之高麼産生電路.(cockcroft-walton connection) 4 ,經由低通濾波器5後將高壓之直流電壓加在雪崩光電二 極髏(A P D ) 6。 脈衝振盪部1係用以産生規定之振盪頻率之脈衝,同 時該將脈衝施予電流放大,並在第2圖所示之脈衝A經由 輸出線1 0 0,輸至高壓産生電路4。而該脈衝振盪部1 係由CMOS閘23〜25及電阻11、 12以及電容器 13所構成。亦即如第1圖所示脈衝振盪部1係將 CMOS 25之輸出端接至CMOS 26之輸入端, 在該C Μ 0 S閘2 6之輸出端連接有以並聯而成之 CMOS閘23及24之輸入端,和電容器13之一方的 端子。於該電容器13之另一方的端子連接有電阻1 1與 12之一方的端子,而電阻12之另一方的端子與 C Μ 0 S閘2 3、2 4之輸出端係連接在輸出線1 0 0, (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁)
本略張尺度边用中Η國家標準(CNS)甲4規格(210X297公货) A6 B6 五、發明説明(4) 再把電阻11之另一方的端子連接在CMOS閘25之輸 入端側。 電流激勵部係將自脈衝振盪部1所輸入之脈衝電流加 以放大,及如第2圖所示將脈衝A之相位反轉成為脈衝B 輸出至輸出線1 02。亦即電流激勵部2係由並聯連接之 C Μ 0 S閘2 1與2 2所構成,將自C Μ 0 S閘2 5所輸 出之脈衝輸入至該等之閘中,並施予電流放大後輸出至輸 出線1 0 2。再者,脈衝振盪部1所發出之振盪頻率係以 電阻1 2與電容器1 3之乘積所決之時間常數成比例。 高壓産生電路4傺自脈衝振盪部1及電流激勵部2所 輸出之脈衝,經由電容器7 a或7 b後輸入至輸入端子A 或B端子,並把這些輸入脈衝施予昇壓整流之昇壓整流電 路者。易言之,高壓産生電路4係如該圖中所示,使複數 之二極體與電容器互相連接,將輸入脈衝加以整流成為直 流電,亦即將輸入脈衝加以昇壓整流成為高壓之直流電壓 輸出至低通濾波器5,而高壓産生電路4又於輸入端子B 側經由電阻4 1後施予接地。 經濟部屮央標準Λ;Α工消赀合作社印!51 低通濾波器5係由電阻與電容器所構成之一般性低通 濾波器,用以消除自高壓産生電路4所輸入之高壓直流壓 之脈波成分,再者,低通濾波器5係將消除脈波成分之高 壓直流電壓加於雪崩光電二極體。 在脈衝振盪電流激勵電路3中,其含有電流激勵部2 之脈衝振動部1係將自C Μ 0 S閘2 5輸出之脈衝,經由 C Μ ◦ S閘2 6之反轉電路輸入之。於是自該電路3就如 -6 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本吟張尺度边用中a a家糅準(CNS)甲4規格(210x297公龙) 經濟部-5-央標準XJM工消赀合作社印ft'14 五、發明説明(5) 第2圔所示,輸出相位交替反轉之脈衝A及脈衝B,然後 脈衝A就經由電容器7 a,而脈衝B就經由電容器7b, 各輸入至高壓産生電路4之輸入端子A或B,以相反之相 位來加以激勵之。如斯藉著相反之相位加以激勵,使本實 施例之高壓産生電路4之輸入脈衝振幅提高為先存技術之 兩倍。因此,當想要得到所規定之電壓時,就本實施例而 言,可將高壓産生電路4之段數,比先存技術之段數減少 ----•.…........ ·.....------------ 一半。 再者,在此所説明之實施例像為要說明本發明者,而 本發明並不必受此限制,亦即在本實施例中之脈衝振盪電 流激勵電路3之CMO S閘的構成並不一定要這樣限定, 只要能夠把相位相反之脈衝輸出就可以。亦即,與本案之 相同段數的高壓産生電路4之先存技術,相比較時,只要 輸出脈衝各為相同振幅,就可以在高壓産生電路4産生所 需之兩倍的電壓。再者,在本實施例中傺於接收電路採取 雪崩光電二極體6來說明光電傳遞裝置,但是並不一定受 此限制,也可以用在其他有需要高電壓之裝置。 <發明之功效> 按照本發明之高電壓産生電路之構造而言,偽使執行 脈衝振盪電流激勵之脈衝産生電路,具備反轉相位之脈衝 輸出功能,並將自該電路輸出脈衝輸入昇壓整流電路,是 故實質上係把脈衝振幅較大之脈衝輸入昇壓整流電路中, 並以比先存技術較少之整流段數,就可以得到所想要的直 本咚5良尺度逍用中國a家樣準(CNS)甲4規格(210X297公垃) -7 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
ίο ΰ ο 66 ΛΒ 五、發明説明(6) 流電壓,所以較先存技術之高壓産生電路,可容易實現電 路小型化及簡單化,進而降低成本。 <圖式之簡單說明> 第1圔像有關本發明之高壓産生電路之實施例之電路 圖。 第2圖偽第1圖所示之高壓産生電路之脈衝振盪電流 激勵電路所輸出之脈衝信號波形圖。 <編號之說明> ; 1:脈衝振盪部,2:電流激勵部,3:脈衝振盪電 流激勵電路,4 :高壓産生電路,5 :低通濾波器,6 : 雪崩光電二極體,11、12、43:電阻,13:電容 器,2 1 〜2 6 : C Μ 0 S 閘。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂_ 經濟部十央槛準ΛνΜ工消炸合作社印31 本咚尺度边用中國Η家樣準(CNS)甲4規格(210X297公垃) _ g _

Claims (1)

  1. - 曰 AT B7 C7 D7 六、申請專利範圊 附件一: 第80110043號專利申請案 中文申請専利範園修正本 民國81年8月修正 1. 一種高壓産生電路,其特徽為在該電路中備有: 一脈衝振盪電路瀲勵裝置,你用以産生第1脈衝和將 第1脈衝之相位反轉成第2脈衝,並將這些脈衝施予電流 放大後輸出,與; 一昇壓整流裝置,僳使;將自該脈衝振盪電流激勵裝 置所輸出之第1脈衝和第2脈衝,各經由鬣容器输入該整 流裝置,並將這些脈衝施予昇壓整流之。 2. 如申請專利範圍第1項所述之高壓産生電路,其 中上述之昇壓整流裝置,僳備有輸入第1脈衝之第1輸入 端子,與輸入第2脈衝之第2輸入端子,而第2輸入端子 乃經由電阻後施予接地。 (請先閱讀背面之注意事項再滇寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 U 本紙跟尺度適扣中闽Η家#平(CNS)肀4規格(210x297公釐) 81. 2. 2.500(H) 1 -
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