TW205121B - - Google Patents
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Description
,051^ A6 B6 五、發明説明(i) <産業上之利用領域> 本發明像關於高壓産生電路,尤指有效地適用於光電 傳遞裝置之接收回路的光電接收用高壓産生電路。 <先存技術> 在光電通信所使用之光電傳遞裝置中,有以雪崩光電 二極體(APD)做為接收回路之受光元件者。當採用以 雪崩光電二極體做為接收回路之受光元件使用時,為要引 發其内部倍增作用,必須要有産生電壓用之高壓産生電路 。由於以往有關此種高鼷産生電路,很難小型化,所以不 得不使用不適於呈面安裝之MOSFET或變壓器,因此很難使 電路達到小型化。為此,例如就if願昭 ----------- 經濟部屮央槛準而U工消赀合作杜印3i 63-0_0$38 1案而言,就不再使用MOSFET或變壓器 ,改用採取受光用高壓産生電路,藉此以實現電路之小型 化及簡單化。就該以往之技術而言,係採取將電流驅動電 路連接於脈衝振盪電流電路,以資提昇昇壓整流電路之電 流驅動能力,同時在電流驅動電路與昇壓整流電路之間, 使用將被電流放大之脈衝可通過之電容器,是故就不必要 使用MOSFET或變壓器等之類的元件。 <擬解決之問題> 然而就先存技術之光電接收用高壓産生電路而言,為 要把元件點數再削減並形成小型化時,則必須提增振盪器 之輸出脈衝振幅,可是在此種情形下有一個問題,則必須 -3 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本吟張尺度边用中國困家標準(CNS)甲4規格(210X297公;¢) 經濟部屮央標準而Μ工消赀合作社印51 A6 B6 五、發明説明(2) 將:^同的電源分別供給光電接收回路及光電接收用高壓産 生回路。再者,振盪電路之CMOS額定值等也會受到限 制,為要將昇壓整流電路之g數減少,在技術上是相當困 難。 本發明之目的,係為要提供一種可解決上述以往技術 之缺點,並不必將不同電源分別供給至光電接收電路與光 電接收用高壓産生電路,只要將振盪器之輸岀脈衝振幅加 以提增,就可以把昇壓整流裝備之%數減少,而達成小型 化之高壓産生電路。 <解決問題之手段〉 本發明傜為解決上述之問題,備有産生高壓之高壓産 生電路,生成第1脈衝與把第1脈衝變成相位反轉之第2 脈衝,然後將這些脈衝經由電流放大後輸出之脈衝振盪電 流驅動手段,與從脈衝振盪電流驅動手段輸出之第1脈衝 和第2脈衝,各經由電容器後輸入,並將這些脈衝施予昇 壓整流之昇壓整流手段。 <作用> 依據上述之本發明而言,脈衝振盪電流激勵手段像利 用第1脈衝與使第1脈衝之相位反轉而成之第2脈衝,來 激勵昇壓整流手段,而舁壓整流手段係將這些相位相反之 脈衝施予昇壓整流,然後輸出高壓之直流電壓。 本咚張尺度边用中國困家標準(CNS)«Η規格(210X297公¢) -4 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部屮央標準/ί.;=χ工消费合作杜印製 A 6 B6 五、發明説明(3) <實施例> 茲參照圖面將本發明之高電壓産生電路之實施例詳述 如後。 第1圔所示傜有關本發明之高壓産生電路之電路圖。 在本實施例中之高壓産生電路,係配設有:例如於光電接 收電路中必須要以高電壓為電源之雪崩光電二極體( APD) 6等之接收光電元件所形成之光電傳遞裝置,以 資激起該二極體6之内部倍增作用所需之高壓産生電路者 。易言之,高壓産生電路係具有:脈衝振盪部1及電流激 勵部2所構成之脈衝振盪電流激勵電路3 ,與執行昇壓整 流之高麼産生電路.(cockcroft-walton connection) 4 ,經由低通濾波器5後將高壓之直流電壓加在雪崩光電二 極髏(A P D ) 6。 脈衝振盪部1係用以産生規定之振盪頻率之脈衝,同 時該將脈衝施予電流放大,並在第2圖所示之脈衝A經由 輸出線1 0 0,輸至高壓産生電路4。而該脈衝振盪部1 係由CMOS閘23〜25及電阻11、 12以及電容器 13所構成。亦即如第1圖所示脈衝振盪部1係將 CMOS 25之輸出端接至CMOS 26之輸入端, 在該C Μ 0 S閘2 6之輸出端連接有以並聯而成之 CMOS閘23及24之輸入端,和電容器13之一方的 端子。於該電容器13之另一方的端子連接有電阻1 1與 12之一方的端子,而電阻12之另一方的端子與 C Μ 0 S閘2 3、2 4之輸出端係連接在輸出線1 0 0, (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁)
本略張尺度边用中Η國家標準(CNS)甲4規格(210X297公货) A6 B6 五、發明説明(4) 再把電阻11之另一方的端子連接在CMOS閘25之輸 入端側。 電流激勵部係將自脈衝振盪部1所輸入之脈衝電流加 以放大,及如第2圖所示將脈衝A之相位反轉成為脈衝B 輸出至輸出線1 02。亦即電流激勵部2係由並聯連接之 C Μ 0 S閘2 1與2 2所構成,將自C Μ 0 S閘2 5所輸 出之脈衝輸入至該等之閘中,並施予電流放大後輸出至輸 出線1 0 2。再者,脈衝振盪部1所發出之振盪頻率係以 電阻1 2與電容器1 3之乘積所決之時間常數成比例。 高壓産生電路4傺自脈衝振盪部1及電流激勵部2所 輸出之脈衝,經由電容器7 a或7 b後輸入至輸入端子A 或B端子,並把這些輸入脈衝施予昇壓整流之昇壓整流電 路者。易言之,高壓産生電路4係如該圖中所示,使複數 之二極體與電容器互相連接,將輸入脈衝加以整流成為直 流電,亦即將輸入脈衝加以昇壓整流成為高壓之直流電壓 輸出至低通濾波器5,而高壓産生電路4又於輸入端子B 側經由電阻4 1後施予接地。 經濟部屮央標準Λ;Α工消赀合作社印!51 低通濾波器5係由電阻與電容器所構成之一般性低通 濾波器,用以消除自高壓産生電路4所輸入之高壓直流壓 之脈波成分,再者,低通濾波器5係將消除脈波成分之高 壓直流電壓加於雪崩光電二極體。 在脈衝振盪電流激勵電路3中,其含有電流激勵部2 之脈衝振動部1係將自C Μ 0 S閘2 5輸出之脈衝,經由 C Μ ◦ S閘2 6之反轉電路輸入之。於是自該電路3就如 -6 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本吟張尺度边用中a a家糅準(CNS)甲4規格(210x297公龙) 經濟部-5-央標準XJM工消赀合作社印ft'14 五、發明説明(5) 第2圔所示,輸出相位交替反轉之脈衝A及脈衝B,然後 脈衝A就經由電容器7 a,而脈衝B就經由電容器7b, 各輸入至高壓産生電路4之輸入端子A或B,以相反之相 位來加以激勵之。如斯藉著相反之相位加以激勵,使本實 施例之高壓産生電路4之輸入脈衝振幅提高為先存技術之 兩倍。因此,當想要得到所規定之電壓時,就本實施例而 言,可將高壓産生電路4之段數,比先存技術之段數減少 ----•.…........ ·.....------------ 一半。 再者,在此所説明之實施例像為要說明本發明者,而 本發明並不必受此限制,亦即在本實施例中之脈衝振盪電 流激勵電路3之CMO S閘的構成並不一定要這樣限定, 只要能夠把相位相反之脈衝輸出就可以。亦即,與本案之 相同段數的高壓産生電路4之先存技術,相比較時,只要 輸出脈衝各為相同振幅,就可以在高壓産生電路4産生所 需之兩倍的電壓。再者,在本實施例中傺於接收電路採取 雪崩光電二極體6來說明光電傳遞裝置,但是並不一定受 此限制,也可以用在其他有需要高電壓之裝置。 <發明之功效> 按照本發明之高電壓産生電路之構造而言,偽使執行 脈衝振盪電流激勵之脈衝産生電路,具備反轉相位之脈衝 輸出功能,並將自該電路輸出脈衝輸入昇壓整流電路,是 故實質上係把脈衝振幅較大之脈衝輸入昇壓整流電路中, 並以比先存技術較少之整流段數,就可以得到所想要的直 本咚5良尺度逍用中國a家樣準(CNS)甲4規格(210X297公垃) -7 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
ίο ΰ ο 66 ΛΒ 五、發明説明(6) 流電壓,所以較先存技術之高壓産生電路,可容易實現電 路小型化及簡單化,進而降低成本。 <圖式之簡單說明> 第1圔像有關本發明之高壓産生電路之實施例之電路 圖。 第2圖偽第1圖所示之高壓産生電路之脈衝振盪電流 激勵電路所輸出之脈衝信號波形圖。 <編號之說明> ; 1:脈衝振盪部,2:電流激勵部,3:脈衝振盪電 流激勵電路,4 :高壓産生電路,5 :低通濾波器,6 : 雪崩光電二極體,11、12、43:電阻,13:電容 器,2 1 〜2 6 : C Μ 0 S 閘。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂_ 經濟部十央槛準ΛνΜ工消炸合作社印31 本咚尺度边用中國Η家樣準(CNS)甲4規格(210X297公垃) _ g _
Claims (1)
- - 曰 AT B7 C7 D7 六、申請專利範圊 附件一: 第80110043號專利申請案 中文申請専利範園修正本 民國81年8月修正 1. 一種高壓産生電路,其特徽為在該電路中備有: 一脈衝振盪電路瀲勵裝置,你用以産生第1脈衝和將 第1脈衝之相位反轉成第2脈衝,並將這些脈衝施予電流 放大後輸出,與; 一昇壓整流裝置,僳使;將自該脈衝振盪電流激勵裝 置所輸出之第1脈衝和第2脈衝,各經由鬣容器输入該整 流裝置,並將這些脈衝施予昇壓整流之。 2. 如申請專利範圍第1項所述之高壓産生電路,其 中上述之昇壓整流裝置,僳備有輸入第1脈衝之第1輸入 端子,與輸入第2脈衝之第2輸入端子,而第2輸入端子 乃經由電阻後施予接地。 (請先閱讀背面之注意事項再滇寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 U 本紙跟尺度適扣中闽Η家#平(CNS)肀4規格(210x297公釐) 81. 2. 2.500(H) 1 -
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