SE504371C2 - Anordning och förfarande i telekommunikationssystem för optisk spänningsmultiplicering i integrerad krets - Google Patents

Anordning och förfarande i telekommunikationssystem för optisk spänningsmultiplicering i integrerad krets

Info

Publication number
SE504371C2
SE504371C2 SE9500737A SE9500737A SE504371C2 SE 504371 C2 SE504371 C2 SE 504371C2 SE 9500737 A SE9500737 A SE 9500737A SE 9500737 A SE9500737 A SE 9500737A SE 504371 C2 SE504371 C2 SE 504371C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
voltage
circuit
integrated circuit
light
light signal
Prior art date
Application number
SE9500737A
Other languages
English (en)
Other versions
SE9500737L (sv
SE9500737D0 (sv
Inventor
Evald Koitsalu
Original Assignee
Ericsson Telefon Ab L M
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ericsson Telefon Ab L M filed Critical Ericsson Telefon Ab L M
Priority to SE9500737A priority Critical patent/SE504371C2/sv
Publication of SE9500737D0 publication Critical patent/SE9500737D0/sv
Priority to US08/894,730 priority patent/US5978239A/en
Priority to AU48937/96A priority patent/AU701929B2/en
Priority to EP19960905097 priority patent/EP0812476A1/en
Priority to PCT/SE1996/000242 priority patent/WO1996027211A1/en
Publication of SE9500737L publication Critical patent/SE9500737L/sv
Publication of SE504371C2 publication Critical patent/SE504371C2/sv
Priority to FI973462A priority patent/FI973462A0/sv
Priority to NO19973889A priority patent/NO316803B1/no

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/142Energy conversion devices
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/80Optical aspects relating to the use of optical transmission for specific applications, not provided for in groups H04B10/03 - H04B10/70, e.g. optical power feeding or optical transmission through water
    • H04B10/801Optical aspects relating to the use of optical transmission for specific applications, not provided for in groups H04B10/03 - H04B10/70, e.g. optical power feeding or optical transmission through water using optical interconnects, e.g. light coupled isolators, circuit board interconnections
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M11/00Power conversion systems not covered by the preceding groups
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/08Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes without control electrode or semiconductor devices without control electrode

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Description

504 371 10 15 20 25 30 35 2 teknik är att switchtekniken medför transienta förlopp, vilka överförs till övriga kretsdelar och ger upphov till problem med störningar i dessa.
REDOGÖRELSE FÖR UPPFINNINGEN Föreliggande uppfinning avser att lösa problemet med att åstadkomma höga spänningar till utvalda komponenter i fälteffekt- transistorer och HF switchdioder. Uppfinningen utnyttjas integrerade kretsar, såsom varicapdioder, företrädesvis i LSI och VLSI-kretsar och medför att höga spänningar kan åstadkommas utan att matningsspänningen till kretsen behöver ökas.
Problemet löses genom att en anordning för att utföra optisk spänningsomvandling integreras j. den integrerade kretsen. Anordningen innefattar en första krets, vilken omvandlar den för transformering avsedda spänningen till en ljussignal. Denna ljussignal detekteras av ett antal ljuskänsliga element i en andra krets i anordningen, varefter den detekterade ljussignalen omvandlas till en spänning på den andra kretsens utgång. Den spänning som erhålls på den andra kretsens utgång kan ha en högre nivå än den till den första kretsen inkommande spänningen och matningsspänningen till den integrerade kretsen. Ljus- överföringen mellan anordningens första och andra krets är väl avskärmad så att effektförlusterna i kretsen blir små.
Förhållandet mellan inkommande och utgående spänning från kretsen påverkas av antalet ljuskänsliga element 5. den andra kretsen.
Föreliggande uppfinning avser även ett förfarande för att utföra spänningsomvandling i en integrerad krets. Vid det uppfinningsenliga förfarandet omvandlas en första spänning till en ljussignal. Denna får infalla pà en andra krets och omvandlas till en spänning, vars nivå avviker från den för infallande spänning och beror av detekterad ljusstyrka. 10 15 20 25 30 35 504 371 3 En fördel med den uppfinningsenliga problemlösningen i förhållande till känd teknik är att spänningomvandlingen kan utföras för vissa bestämda komponenter i den integre- rade kretsen utan att kretsen i övrigt störs.
FIGURBESKRIVNING Figur l visar en spänningsmultiplikator för integrering på ett substrat i enlighet med uppfinningen.
Figur 2 visar en radiokrets i vilken den uppfinnings- enliga multiplikatorn lämpligen kan utnyttjas.
FÖREDRAGEN UTFöRINGsFoRM Uppfinningen kommer i det följande att förklaras närmare med hänvisning till figur 1, vilken visar en föredragen utföringsform av en optisk spänningsmultiplikator för integrering i en LSI- eller VLSI-krets.
Spänningsmultiplikatorn 1 består av en primärsida med en första krets och en sekundärsida med en andra krets, vilka är elektriskt isolerade från varandra. Multiplikatorn är företrädesvis anordnad i nära anslutning till en komponent i den integrerade kretsen som kräver en annan spänning än de övriga komponenterna, dvs en spänning som avviker från matningsspänningen, den erforderliga spänningen kan exempelvis vara högre än matningsspänningen.
Till den första kretsens ingång pà primârsidan av anord- ningen tillförs en första inspänning um, vilken ej över- stiger den integrerade kretsens matningsspänning. Denna in- spänning um omvandlas i denna krets till en ljussignal, vars ljusstyrka motsvarar strömmen genom resistorn RU, Denna omvandling sker i den visade utföringsformen i en lysdiod (LED) 2. Den första och andra kretsen är till- sammans avskärmade så att ljussignalen från den första kretsen, ej kan spridas utanför denna avskärmning utan endast kan utstràlas till den andra kretsen. 10 15 20 25 30 35 504 371 4 Den andra kretsen innefattar en fotovoltaisk konverterare, vilken omvandlar en mottagen ljussignal till en spänning.
Vid den i figuren. visade utföringsformen utgörs denna fotovoltaiska konverterare av ett flertal seriekopplade fotodioder 3a,3b,3c, vilka arbetar i fotovoltaisk mod. Den på utgången från den andra kretsen erhållna utspänningen uu är beroende av såväl det totala antalet fotodioder som det infallande ljuset och därigenom beroende av inspänningen um pá ingången till den första kretsen.
Förhållandet mellan in- och utspänningarna um, un styrs av de i figuren visade resistorerna Rm,RM i anslutning till såväl primär som sekundärsidan av anordningen. Den ström som flyter i dessa resistorer skiljer sig mellan resistorn RH i anslutning till den första kretsen och resistorn Ru i anslutning till den andra kretsen. Då utspänningen uu på utgången från den andra kretsen är högre än inspänningen um på ingången till den första kretsen, är strömstyrkan i resistorn Rm i anslutning till den första kretsen högre än strömstyrkan i resistorn Ru i anslutning till den andra kretsen, eftersom någon ytterligare effekt ej tillförs vid transformeringen. Tvärtom medför transformeringen natur- ligtvis vissa effektförluster, även om dessa vid behov kan hållas ganska låga. Spänningsmultiplicering till en högre spänningsnivå är därför endast möjlig i de kretsar i vilka endast mycket små strömmar krävs.
Genom att uppfinningsenligt inordna en anordning för optisk spänningsmultiplicering, dvs exempelvis en optokopplare, i en applikationsspecifik integrerad krets (ASIC) kan eventuella extra spänningskällor elimineras.
I figur 2 visas en del av en applikationsspecifik, in- tegrerad krets för användning i en radiokrets. Den uppfinningsenliga anordningen används företrädesvis vid integrerade kretsar med resonanskretsar, såsom visas i 10 15 20 25 30 504 371 5 figuren, eftersom den uppfinningsenliga, integrerade multiplikatorn 1 medför en fördelaktig multiplicering av en viss spänning, utan att transienta förlopp uppstår vid mul- tipliceringen och därmed orsakar brus. I figur 2 visas en i en applikationsspecifik integrerad krets ingående optisk spänningsmultiplikator, i enlighet med uppfinningen.
Spänningsmultiplikatorn 1 kan exempelvis ingå i en faslàs- ningskrets (PLL-krets) 4 och utnyttjas för att transformera spänningen till en högre nivå för försörjning av knm- ponenter kring en oscillatordel 10 av kretsen. En vari- capdiod 7, som ingår i. en frekvensbestämmande krets 6, vilken står i förbindelse med nämnda oscillatordel 10, utgör en av nämnda komponenter. Denna frekvensbestämmande krets 6, eller resonanskrets, innefattar även en kon- densator 8 och en spole 9. Varicapdioden 7 kräver en högre matningsspänning än den övriga delen av den integrerade kretsen 4 och en spänningstransformering måste därför genomföras för att varicapdioden 7 skall kunna styras. På den s k primärsidan av spänningsmultiplikatorn 1, omvandlas en av matningsspänningen +5V beroende inspänning um till en ljussignal i en lysdiod 2. Denna ljussignal överförs till sekundärsidan, varvid en högre spänning kan erhållas genom att ljussignalen omvandlas till en elektrisk signal i en eller flera fotodioder 3a,3b,3c. Vid behov kan även omvänd polaritet erhållas för denna spänning genom att ansluta fotodioderna 3a,3b,3c med omvänd polaritet.
Uppfinningen avser naturligtvis även en integrerad krets med flera optiska spänningsmultiplikatorer, varvid var och en av dessa står i förbindelse med någon komponent som kräver högre spänning eller annan polaritet än matnings- spänningen, men i gengäld endast erfordrar en låg ström.

Claims (8)

504 371 10 15 20 25 30 35 PATENTKRAV
1. Anordning (1) i en integrerad krets för att utföra spänningsmultiplicering i den integrerade kretsen, vilken innefattar ett flertal olika kretskomponenter, varav en eller flera erfordrar en spänning som överstiger en matningsspänning' för' den integrerade kretsen, men vars strömförbrukning är låg, kânnetecknad av, - att en första krets är inrättad att omvandla en första spänning (um) till en ljussignal, vilken utstràlas fràn åtminstone ett element (2) i kretsen, - att en andra krets innefattar ett eller flera ljus- känsliga element (3a,3b,3c), vilka är inrättade att motta ljussignalen och omvandla denna till en andra spänning (uu), vilken kan vara elektriskt isolerad från den första spänningen (um) samt skiljer sig frán denna, - att nämnda ljuskänsliga element (3a,3b,3c) år in- rättade att inverka pà spänningsförhàllandet, samt - att den första och andra kretsen utgör en del av den integrerade kretsen och är anordnade i anslutning till en .kretskomponent som. erfordrar en annan spänning än den integrerade kretsens matningsspänning.
2. Anordning enligt patentkrav 1, kännetecknad av, att den andra kretsen står i operativ förbindelse med at- minstone en Varicap-diod (7).
3. Anordning enligt patentkrav 1, kännetecknad av, att den andra kretsen står* i operativ förbindelse med at- minstone en PIN-diodswitch.
4. Anordning enligt patentkrav 1, kännetecknad av, att den andra kretsen står i operativ' förbindelse med at- minstone en fälteffekttransistor.
5. Anordning enligt något av föregående patentkrav, 10 15 20 25 504 371 7 kännetecknad av, att den ingår i en integrerad krets av LSI-typ.
6. Anordning enligt något av föregående patentkrav, kännetecknad av, att den ingår i en integrerad krets av VLSI-typ.
7. Anordning enligt något av föregående patentkrav, kännetecknad av, att den första kretsen innefattar át- minstone en lysdiod (2), att den andra kretsen innefattar åtminstone en fotodiod (3) i fotovoltaisk mod samt att dessa dioder är avskärmade så att väsentligen allt ljus från lysdioden infaller på fotodioden (3).
8. Förfarande för att utföra spänningsmultiplicering i en integrerad krets, vilken innefattar ett flertal olika kretskomponenter, varav en eller flera erfordrar en spänning> som storleksmâssigt avviker från en rnatnings- spänning för den integrerade kretsen eller kräver annan polaritet än denna, men, vars strömförbrukning är låg, kännetecknat av, - att en första spänning för en första signal med en första strömstyrka omvandlas till en ljussignal, - att ljussignalen tillförs till en fotovoltaisk konver- terare, vilken omvandlar det mottagna ljuset till en andra spänning, vilken är elektriskt isolerad från den första spänningen.
SE9500737A 1995-02-28 1995-02-28 Anordning och förfarande i telekommunikationssystem för optisk spänningsmultiplicering i integrerad krets SE504371C2 (sv)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9500737A SE504371C2 (sv) 1995-02-28 1995-02-28 Anordning och förfarande i telekommunikationssystem för optisk spänningsmultiplicering i integrerad krets
US08/894,730 US5978239A (en) 1995-02-28 1996-02-22 Arrangement and method in a telecommunication system for optical voltage multiplicationing in an integrated circuit
AU48937/96A AU701929B2 (en) 1995-02-28 1996-02-22 Arrangement and method in a telecommunication system for optical voltage multiplicationing in an integrated circuit
EP19960905097 EP0812476A1 (en) 1995-02-28 1996-02-22 Arrangement and method in a telecommunication system for optical voltage multiplicationing in an integrated circuit
PCT/SE1996/000242 WO1996027211A1 (en) 1995-02-28 1996-02-22 Arrangement and method in a telecommunication system for optical voltage multiplicationing in an integrated circuit
FI973462A FI973462A0 (sv) 1995-02-28 1997-08-22 Anordning och förfarande i ett telekommunikationssystem för optisk spänningsmultiplikationing i en integrerad krets
NO19973889A NO316803B1 (no) 1995-02-28 1997-08-25 Optisk spenningsmultiplisering i en integrert krets, spesielt ved et telekommunikasjonssystem

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9500737A SE504371C2 (sv) 1995-02-28 1995-02-28 Anordning och förfarande i telekommunikationssystem för optisk spänningsmultiplicering i integrerad krets

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE9500737D0 SE9500737D0 (sv) 1995-02-28
SE9500737L SE9500737L (sv) 1996-08-29
SE504371C2 true SE504371C2 (sv) 1997-01-20

Family

ID=20397393

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE9500737A SE504371C2 (sv) 1995-02-28 1995-02-28 Anordning och förfarande i telekommunikationssystem för optisk spänningsmultiplicering i integrerad krets

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5978239A (sv)
EP (1) EP0812476A1 (sv)
AU (1) AU701929B2 (sv)
FI (1) FI973462A0 (sv)
NO (1) NO316803B1 (sv)
SE (1) SE504371C2 (sv)
WO (1) WO1996027211A1 (sv)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005031268B3 (de) 2005-07-05 2007-01-18 Moeller Gmbh Elektrische Schalteinrichtung
CN117881971A (zh) * 2021-06-28 2024-04-12 亮锐有限责任公司 光学升压变压器

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3918887A (en) * 1973-08-25 1975-11-11 Rowenta Werke Gmbh Lighters
FR2596931B1 (fr) * 1986-04-04 1993-03-26 Thomson Csf Multiplicateur de tension continue pouvant etre integre a une structure semi-conductrice
NL8702734A (nl) * 1987-11-17 1989-06-16 Philips Nv Spanningsvermenigvuldigschakeling en gelijkrichtelement.
EP0363715B1 (de) * 1988-10-13 1994-06-01 Siemens Aktiengesellschaft Integrierte Spannungsvervielfachschaltung für niedrige Versorgungsspannung
JP2624909B2 (ja) * 1991-05-30 1997-06-25 沖電気工業株式会社 高電圧発生回路
JP3257813B2 (ja) * 1992-01-30 2002-02-18 テルモ株式会社 光電変換器
US5282122A (en) * 1992-08-03 1994-01-25 Modular Devices, Inc. High voltage power supply topology suited for miniaturization
US5838557A (en) * 1997-07-28 1998-11-17 Altor, Inc. Circuit for use in a DC-DC converter having a booster module

Also Published As

Publication number Publication date
AU4893796A (en) 1996-09-18
AU701929B2 (en) 1999-02-11
NO316803B1 (no) 2004-05-18
NO973889L (no) 1997-09-24
WO1996027211A1 (en) 1996-09-06
US5978239A (en) 1999-11-02
SE9500737L (sv) 1996-08-29
FI973462A (sv) 1997-08-22
NO973889D0 (no) 1997-08-25
FI973462A0 (sv) 1997-08-22
EP0812476A1 (en) 1997-12-17
SE9500737D0 (sv) 1995-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4024452A (en) Integrated solid state isolator circuit
ITTO940462A1 (it) Circuito in tecnologia cmos per il pilotaggo ad alta velocita' di sorgenti ottiche.
US4673864A (en) Circuit comprising series-connected semiconductor elements
US6307659B1 (en) Optoelectronic transceiver having an adaptable logic level signal detect output
EP0194177A1 (fr) Circuit d'interface de ligne d'abonné téléphonique avec mode de veille à puissance réduite
US4163906A (en) Time division switching regulator
SE504371C2 (sv) Anordning och förfarande i telekommunikationssystem för optisk spänningsmultiplicering i integrerad krets
US3684898A (en) Gate drive for thyristors at high potentials
EP0565156A2 (en) Voltage burn-in scheme for BICMOS circuits
Frohmader A novel MOS compatible light intensity-to-frequency converter suited for monolithic integration
EP0446908A2 (en) High speed opto-electronic crossbar switch
US5805062A (en) 2-wire optovoltaic loop-powered isolation amplifier with current bootstrapping
US4596984A (en) Digital data input circuit
US3492574A (en) System for transferring an electric current parameter from high voltage to low voltage
US6184725B1 (en) Circuit arrangement for isolated voltage and/or current measurement
JPS598973B2 (ja) 発光ダイオ−ドの駆動回路
EP0289818A2 (en) A non-inverting repeater circuit for use in semiconductor circuit interconnections
JPH0993204A (ja) 光受信回路
US5973314A (en) Photoelectric converting device which prevents power source ripple from mixing into an output signal
JPH09106493A (ja) 光信号伝送装置
SU1595268A1 (ru) Устройство дл управлени чувствительностью фотоэлектронного умножител
RU1804695C (ru) Двухтактный эмиттерный повторитель
SU1665475A1 (ru) Преобразователь посто нного напр жени
JPH07131319A (ja) フォトカプラ回路及びその装置
FR2578368A1 (fr) Commutateur a semi-conducteur a haute tension

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed