TW202406821A - 薄膜輥、其製造方法、偏光板及顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於提供不殘留膠帶轉印痕，長期保存時並無因漏氣所致之鏈狀的薄膜變形之薄膜輥、其製造方法、偏光板及顯示裝置。 本發明之薄膜輥係不具有滾花加工部之薄膜輥，其特徵係將前述薄膜輥之寬度方向側面部所測定之捲芯周邊部之相互鄰接的薄膜間之空隙層的厚度設為X[μm]，將捲外周邊部之相互鄰接之薄膜間之空隙層的厚度設為Y[μm]時，前述X與前述Y滿足下述式(1)之關係。 式(1)：Y＜X

Description

薄膜輥、其製造方法、偏光板及顯示裝置
本發明有關薄膜輥、其製造方法、偏光板及顯示裝置。更具體而言，有關不殘留膠帶轉印痕、長期保存時不會因漏氣而使鏈狀薄膜變形之薄膜輥等。
近年來，隨著液晶電視價格激烈競爭，而偏光板製造商一直在檢討降低切換損耗之降低成本措施，相應於此，將用於偏光板之薄膜長條化正取得進展。
藉由將薄膜長條化，就連接損耗、檢查工數、輸送及副材料等之各種觀點可期待降低成本，該薄膜通常基於保存及輸送之便利性而於製造後捲取為輥狀。
然而，特別是將薄膜以長條捲繞之薄膜輥於長期保存時，該薄膜纏繞鬆弛時，有引起因薄膜彼此貼附而殘留膠帶轉印痕(以下亦稱為「膠帶轉印」)、因薄膜間之漏氣所致之鏈狀薄膜變形(以下亦稱為「鏈狀變形」)之問題。
此處，上述之「鏈狀變形」係指捲取後之薄膜因自重引起之應力及欲使該薄膜於寬度方向延伸之應力而產生之薄膜變形(鏈狀缺陷)。
作為解決上述問題之手段，雖考慮將與保護膜一起捲繞之方法，但有保護膜會成為廢棄物之問題。
為了不產生廢棄物而解決上述問題之手段，考慮到預先在薄膜端部實施滾花加工，藉由捲取時於該薄膜間帶入空氣而形成適度厚度之空隙層(亦稱為「空氣層」)，而抑制該薄膜彼此貼合之手段。 然而，藉由上述滾花加工之手段，相較於與保護膜一起捲取之手段，有抑制貼合的效果較弱之問題。
又，藉由使用上述手段，則越靠近薄膜輥之捲芯施加於薄膜面之壓力就越大，由於該薄膜間的空氣變得更容易釋出，而使空隙層變薄，故有引起如下問題：於靠近該捲芯之部分因捲取之薄膜彼此貼附而產生膠帶轉印痕，或薄膜輥長期保存時因薄膜間之漏氣而引起鏈狀變形。
專利文獻1中雖揭示於捲取薄膜時，藉由使捲取張力大小與薄膜端部之滾花高度對應於薄膜輥之捲徑而變化，而使帶入薄膜間之空氣量一定，而形成適度厚度之空氣層的手段，但為了解決上述問題仍有改善餘地。
又本說明書中所謂「空隙層」係薄膜輥中由相互鄰接薄膜之對向表面間之間隙形成之層，係可存在空氣或空氣以外的其他物質(例如惰性氣體等之氣體)之層。嚴格來說，該「空隙層」中由空氣構成之層稱為「空氣層」，於不區分該兩者而不會對本發明造成特別影響之情況，該「空氣層」表述為「空隙層」。 又，空隙層之又一形態係相互鄰接薄膜彼此於一薄膜表面存在之薄膜固有之微細凹凸形狀之凸部與相對向的另一薄膜表面於該處接觸之形態。又本發明中，不包含藉由滾花加工而人為地對薄膜賦予之滾花(凹凸形狀)而形成的空隙層。 [先前專利文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2013-46966號公報
[發明欲解決之課題]
本發明係鑑於上述問題狀況而完成者，其解決課題係提供不殘留膠帶轉印痕，長期保存時並無因漏氣所致之鏈狀的薄膜變形之薄膜輥、其製造方法、偏光板及顯示裝置。 [用以解決課題之手段]
為了解決上述課題，本發明人等針對上述問題之原因等進行檢討之結果，發現藉由不對薄膜輥實施滾花加工，而將捲芯周邊部之薄膜間的空隙層厚度比捲外周邊部之空隙層厚度厚，可解決上述課題，因而完成本發明。 亦即，本發明之上述課題可藉由以下手段解決。
1. 一種薄膜輥，其係不具有滾花加工部之薄膜輥，其特徵係將前述薄膜輥之寬度方向側面部所測定之捲芯周邊部之相互鄰接的薄膜間之空隙層的厚度設為X[μm]，將捲外周邊部之相互鄰接之薄膜間之空隙層的厚度設為Y[μm]時，前述X與前述Y滿足下述式(1)之關係。
式(1)：Y＜X
2. 如第1項之薄膜輥，其中前述X[μm]與前述Y[μm]滿足下述式(2)及下述式(3)之關係。
式(2)：0.05＜Y＜0.50 式(3)：1＜(X/Y)＜3
3. 一種薄膜輥之製造方法，其係製造不具有滾花加工部之薄膜輥之方法，其特徵係將前述薄膜輥之寬度方向側面部所測定之前述捲芯周邊部之相互鄰接的薄膜間之空隙層的厚度設為X[μm]，將前述捲外周邊部之相互鄰接之薄膜間之空隙層的厚度設為Y[μm]時，將前述X與前述Y調整為滿足下述式(1)之關係。
式(1)：Y＜X
4. 如第3項之薄膜輥之製造方法，其中將前述X[μm]與前述Y[μm]調整為滿足下述式(2)及下述式(3)之關係。
式(2)：0.05＜Y＜0.50 式(3)：1＜(X/Y)＜3
5. 如第3項或第4項之薄膜輥之製造方法，其中將前述捲芯周邊部之薄膜接觸壓調整為2~30[N/m]之範圍內，將捲中央部之薄膜接觸壓調整為3~40[N/m]之範圍內，及將前述捲外周邊部之薄膜接觸壓調整為5~55[N/m]之範圍內。 6. 一種偏光板，其特徵係具備如第1項或第2項之薄膜輥之一部分薄膜。
7. 一種顯示裝置，其特徵係具備如第1項或第2項之薄膜輥之一部分薄膜。 [發明效果]
藉由本發明之上述手段，可提供不殘留膠帶轉印痕，長期保存時並無因漏氣所致之鏈狀的薄膜變形之薄膜輥、其製造方法、偏光板及顯示裝置。 關於本發明效果之展現機制或作用機制雖尚未明確，但推測如下。
本發明之薄膜輥未施以滾花處理，藉由使捲芯周邊部之薄膜間的空隙層厚度厚於捲外周邊部之空隙層厚度，而不殘留因薄膜彼此貼附產生之膠帶轉印痕，可防止因薄膜間之漏氣引起鏈狀薄膜變形(以下亦稱為「鏈狀變形」)。
又，如前述，上述「鏈狀變形」係指因捲取後之薄膜因自重引起之應力及欲使該薄膜沿寬度方向延伸之應力所產生之薄膜變形(鏈狀缺陷)。
如以往，若對薄膜輥實施滾花加工，於薄膜之間夾帶之空氣量增加時，與未實施該加工之情況相比，該薄膜間之空隙層變厚。 薄膜輥於長期保存時，薄膜因自重等於越靠近捲芯之部分越施加薄膜的徑向應力，且特別是於該薄膜輥發生微小衝擊時，將施加更大的徑向應力。
因此，由於施加薄膜之徑向應力時會釋放薄膜間的空氣，因此通常的薄膜輥相比，經實施滾花加工之薄膜輥於靠近捲芯之部分的空隙層厚度變化變大，特別於捲芯部分容易引起該薄膜彼此之貼附，而於該捲芯部分殘留較多之因該薄膜彼此之貼附所致之膠帶轉印痕。
又，由於經實施滾花加工之薄膜輥僅於滾花加工部分支撐薄膜，故對滾花加工部分施加用以防止纏繞錯位之限制力，且因施加於薄膜之應力偏置而使該薄膜間之漏氣量偏置，因空隙層厚度變不均故容易引起長期保存時之鏈狀變形。
相對於此，本發明之薄膜輥由於並無滾花加工部分，以包含薄膜彼此之微小接觸面或空隙層中的氣體(例如空氣)全體支撐該薄膜，因此為了防止捲繞錯位之限制力不會偏置，使施加於薄膜之應力均一。
若更詳細說明，則本發明之薄膜輥雖未經滾花加工，但由於通常於薄膜表面亦具有由薄膜固有之奈米尺寸之微細凹凸形狀所成之空隙，相互鄰接之薄膜所對向之表面之多數凸部於該處相互與其他表面接觸時，亦可能有以該凸部之微小接觸面整體支撐該薄膜之情況。
亦即，例如為了使凸部之一部分接觸，該薄膜彼此並非僅由空隙層例如空氣層支撐，而亦有因該微小凹凸之複數接觸點支撐之情況。
又推測藉由將用以取入適度空氣量之空隙層於捲芯部分增厚，於該薄膜輥之長期保存時，即使特別於捲芯部分釋放更多空氣，薄膜輥全體之空隙層厚度偏置亦被抑制為較小，可於薄膜間形成厚度均一之空隙層，而使該薄膜輥之薄膜捲繞鬆弛時不殘留膠帶轉印痕，亦無鏈狀變形。
本發明之薄膜輥之特徵係不具有滾花加工部之薄膜輥，於前述薄膜輥之寬度方向側面部測定之捲芯周邊部之相互鄰接薄膜間之空隙層厚度設為X[μm]，將捲外周邊部之相互鄰接之薄膜間之空隙層的厚度設為Y[μm]時，前述X與前述Y滿足前述式(1)之關係。 根據上述特徵，本發明之課題得以解決。
又，本發明之薄膜輥之製造方法係製造不具有滾花加工部之薄膜輥之薄膜輥之製造方法，其特徵係將前述薄膜輥之寬度方向側面部所測定之前述捲芯周邊部之相互鄰接的薄膜間之空隙層的厚度設為X[μm]，將前述捲外周邊部之相互鄰接之薄膜間之空隙層的厚度設為Y[μm]時，將前述X與前述Y調整為滿足前述式(1)之關係。 上述兩個特徵係於下述各實施形態(態樣)共通或對應之技術特徵。
作為本發明之實施態樣，基於長期保存時形成均一空隙層之觀點，前述X[μm]與前述Y[μm]滿足前述式(2)及前述式(3)。
基於長期保存時形成均一空隙層之觀點，較佳將前述X[μm]與前述Y[μm]調整為滿足前述式(2)及前述式(3)。
基於長期保存時形成均一空隙層之觀點，又更佳將前述捲芯周邊部之薄膜接觸壓調整為2~30[N/m]之範圍內，將捲中央部之薄膜接觸壓調整為3~40[N/m]之範圍內，及將前述捲外周邊部之薄膜接觸壓調整為5~55[N/m]之範圍內。
本發明之薄膜輥之一部分薄膜藉由包含於偏光板中而較佳地被使用。
本發明之薄膜輥之一部分薄膜藉由包含於顯示裝置中而較佳地被使用。
以下，針對本發明及其構成要素、用以實施本發明之形態/態樣加以詳細說明。又本申請案中，「~」係以包含其前後記載之數值作為下限值及上限值之意義使用。
1.薄膜輥 (1.1)薄膜輥之概要 本發明之薄膜輥係不具有滾花加工部之薄膜輥，其特徵係將前述薄膜輥之寬度方向側面部所測定之捲芯周邊部之相互鄰接的薄膜間之空隙層的厚度設為X[μm]，將捲外周邊部之相互鄰接之薄膜間之空隙層的厚度設為Y[μm]時，前述X與前述Y滿足下述式(1)之關係，
式(1)：Y＜X
本發明薄膜輥(所謂「薄膜輥」係指捲繞成輥狀之薄膜)由於並無經滾花加工(亦稱為「滾花加工」)部分而如上述膜相互鄰接之薄膜間之空隙中氣體(例如空氣)或薄膜彼此之微小接觸面全體支撐該薄膜，因此不會使為了防止捲錯位之限制力偏置，而使施加至薄膜之應力變得均勻。
又，藉由使用以夾帶入適度空氣量之空隙層於捲芯部分較厚，於該薄膜輥之長期保存時，特別是在捲芯部即使更多氣體釋出，仍可將薄膜輥全體之空隙層厚度偏置抑制為較小，因可於薄膜間形成均一空氣層，而即使該薄膜輥之薄膜捲繞鬆弛時亦不殘留膠帶轉印痕，而無鏈狀變形。
作為本發明之實施態樣，基於長期保存時形成均勻空隙層之觀點，前述X[μm]及前述Y[μm]較佳滿足前述式(2)及前述式(3)。
(1.2)薄膜間之空隙層 (1.2.1)空隙層之厚度控制手段 本發明之薄膜輥藉由使用以夾帶入適度空氣量之空隙層於捲芯部設為較厚，於該薄膜輥長期保存時，特別是在捲芯部即使釋放出更多空氣，亦可將薄膜輥全體之空隙層厚度偏置抑制為較小，而於薄膜間形成均勻空隙層。
作為此等手段，舉例為例如藉由接觸輥使薄膜接觸壓變化之手段、將捲取張力、捲取速度及輥包角(wrap angle)等變化之手段。 上述接觸輥可為複數，亦可經鍍鉻作為表面加工。 又，上述接觸輥亦可使用彈性輥。
(1.2.2)空隙層之厚度計算方法 圖1顯示薄膜輥之寬度方向側面部與攝像裝置之位置關係的概略圖。 如圖1所示，攝像裝置(E)設置於經捲繞於捲芯(R)之薄膜輥(30)寬度方向側面部。 又，圖1中之TD係薄膜輥之寬度方向。
以下，針對利用上述攝像裝置對薄膜輥之寬度方向側面部拍攝之方法之一例與空隙層之厚度計算方法加以說明。
以攝像裝置之一部分的攝像單位(U)，對以薄膜輥之寬度方向側部上之任意點(P)為中心拍攝薄膜輥之寬度方向側面部，取得用以算出薄膜間間隙之圖像數據。
圖2係自與薄膜輥之寬度方向側面部垂直之面觀察該側面部時之概略圖。
此處，如圖2所示，將自捲芯表面(S 0)至薄膜輥最外層的薄膜層(S 4)之捲徑以百分比表示時，捲芯表面(S 0)之捲徑為0%，薄膜輥最外層之薄膜層(S 4)之捲徑為100%。
拍攝捲芯周邊部時，以捲徑成為20%之位置(P 20)為中心，拍攝該側面部，取得前述圖像數據。
又，拍攝捲中央部時，以捲徑成為50%之位置(P 50)為中心拍攝該側面部，拍攝捲外周邊部時，以捲徑成為80%之位置(P 80)為中心拍攝該側面部，取得前述圖像數據。
隨後，對於取得之圖像數據進行邊緣強調處理取得用以計算如圖3之空隙層厚度之加工圖像，算出薄膜輥之寬度方向側面部之捲芯周邊部、捲中央部及捲外周邊部之各者相互鄰接之薄膜間空隙層之厚度。
由於薄膜間之空隙層厚度係於捲芯周邊部、捲中央部及捲外周邊部之3個區域算出，故於進行用以計算上述空隙層厚度之具體例示之前，首先說明捲芯周邊部、捲中央部及捲外周邊部之3個區域的概念。
圖4係用於說明捲芯周邊部、捲中央部及捲外周邊部之薄膜輥之寬部方向側面部之一部分的簡略概念圖。
圖4中，將直接捲繞於捲芯(R)而貼附於捲芯表面(S 0)(未圖示)之薄膜層設為S 1，將薄膜輥之最外層設為S­ 4時，將自S 1至S 4之區域均等分割為3個之區域時之捲芯側的區域設為捲芯周邊部(A)，將捲外側區域設為捲外周邊部(C)，將該捲的捲芯周邊部(A)與捲外周邊部(C)之間的區域設為捲中央部(B)。 又，成為捲芯周邊部(A)與捲中央部(B)之邊界的薄膜層設為S 2，成為捲中心部(B)與捲外周邊部(C)之邊界的薄膜層設為S 3。
作為用以計算捲周邊部之空隙層厚度的具體例舉例為如下計算方法。
(空隙層厚度計算方法之具體例) 例如計算捲芯周邊部之空隙層厚度時，以上述位置(P 20)為中心拍攝薄膜輥寬度方向側面部，取得用於計算薄膜間空隙之圖像數據，隨後對於取得之圖像數據，進行邊緣強調處理獲得如圖3之加工圖像，以該加工圖像之中心(P 20)為起點，將朝向與薄膜面垂直之捲外側位於第100層之位置的點為終點而測定半徑方向長度。使用下述式(A)算出空隙層X之厚度[μm]。
式(A) 空隙層厚度X[μm]=[半徑方向長度[μm]-(以膜厚計測定之薄膜每1層之平均厚度[μm])×(層數)]÷(層數)
又，上述式中之(層數)取決於前述終點是位於與薄膜面垂直而朝向捲外側之第幾層，如前述位於第100層時，成為(層數)=100。
於計算捲中央部之空隙層厚度時，除了將前述位置(P 20)變更為位置(P 50)以外，與上述同樣計算，關於捲外周邊部之空隙層厚度，除了將前述位置(P 20)變更為位置(P 80)以外，與上述同樣計算。
又，由於薄膜輥之總長度較短，故以前述任意點(P)為中心拍攝薄膜輥之寬度方向側面部時，與薄膜面垂直朝向捲外側不成為100層時，例如至多僅70層時，只要以位於該第70層之位置的點作為終點，測定半徑方向長度，使用上述式(A)算出空隙層之厚度X[μm]即可。
作為上述式(A)中之膜厚計，例如可使用在線延遲/膜厚測定裝置RE-200L2T-Rth+膜厚(大塚電子(股)製)。
(攝像單位及攝像裝置之系統構成) 作為攝像單位係使用以下構成者。 圖5係攝像單位(U)之內部構成示意圖，圖5中之S係薄膜輥之被測定面(寬度方向側面部)。又圖5中之主要構成零件如下。
(構成零件) ・全反射鏡(60) ・半鏡面(61) ・遠心透鏡(62)(MML1-HR130VI-35F：MORITEX公司製，倍率×1，WD130mm) ・高亮度線照明(63)(LNSP2-100SW：CCS公司製) ・單色線感測器相機(64)(RMSL8K39CL：日本電子裝置公司製，3.5μm/像素之8000畫素)
又攝像裝置之系統構成設為圖6所示之概略圖者。
2.薄膜輥之製造方法 本發明之薄膜輥之製造方法係製造不具有滾花加工部之薄膜輥的薄膜輥之製造方法，其特徵係將前述薄膜輥之寬度方向側面部所測定之前述捲芯周邊部之相互鄰接的薄膜間之空隙層的厚度設為X[μm]，將前述捲外周邊部之相互鄰接之薄膜間之空隙層的厚度設為Y[μm]時，將前述X與前述Y調整為滿足前述式(1)之關係。
上述薄膜輥之製造方法中，基於長期保存時形成均勻空隙層之觀點，較佳將前述X[μm]與前述Y[μm]調整為滿足前述式(2)及前述式(3)之關係。
又，基於長期保存時形成均勻空氣層之觀點，較佳將前述捲芯周邊部之薄膜接觸壓調整為2~30[N/m]之範圍內，將捲中央部之薄膜接觸壓調整為3~40[N/m]之範圍內，及將前述捲外周邊部之薄膜接觸壓調整為5~55[N/m]之範圍內。
本發明之薄膜輥之製造中，可使用通常之吹脹法、T模嘴法、壓延法、切割法、澆鑄法、乳液(emulsion)法、熱壓法等之製造方法，但基於抑制著色、抑制異物缺點、抑制模線等之光學缺陷等之觀點，較佳為溶液澆鑄製膜法與熔融澆鑄製膜法，特別是溶液澆鑄製膜法由於能使薄膜表面均勻故而較佳。
(2.1)溶液澆鑄製膜法 圖7係顯示溶液澆鑄製膜法之製造步驟流程之流程圖，圖8係藉由溶液澆鑄製膜法製造薄膜之裝置的概略圖。
以下溶液澆鑄製膜法中，邊參照圖7及圖8邊進行說明。 利用溶液澆鑄製膜法之薄膜的製造方法包括濃液(dope)調製步驟[S1]、澆鑄步驟[S2]、剝離步驟[S3]、收縮步驟[S4]、第1乾燥步驟[S5]、第1延伸步驟[S6]、第1切斷步驟[S7]、第2延伸步驟[S8]、第2切斷步驟[S9]、第2乾燥步驟[S10]、第3切斷步驟[S11]及捲取步驟[S12]。
又上述製造方法並無必要包含第1乾燥步驟[S5]及第2乾燥步驟[S10]兩者，只要包含至少任一步驟即可。 又，只要包含第1延伸步驟[S6]、第2延伸步驟[S8]及第1切斷步驟[S7]、第2切斷步驟[S9]及第3切斷步驟[S11]之任一切斷步驟即可。
(2.1.1)濃液調製(攪拌調製)步驟[S1] 以下，作為本發明之一實施形態，將使用環烯烴系樹脂(以下亦稱為「COP」)作為熱塑性樹脂時作為一例，說明濃液調製步驟，但本發明不限定於此。
圖7之濃液調製(攪拌調製)步驟[S1]，係以圖8之攪拌裝置(1)的攪拌槽(1a)，攪拌至少樹脂及溶劑，調製澆鑄於支撐體(3)(環形帶)上之濃液。
(溶劑) 作為上述溶劑，係使用良溶劑與弱溶劑之混合溶劑。 本步驟中係於以對COP之良溶劑為主之溶劑中，於溶解釜中，邊攪拌該COP、視情況之其他化合物邊溶解，形成濃液之步驟，或對該COP溶液視情況混合其他化合物溶液而形成主溶解液的濃液之步驟。
基於將濃液澆鑄至支撐體後減低乾燥負荷之觀點，較佳濃液中之COP濃度越高越佳，但該濃度若過高，則該濃液過濾時之負荷增加而使精度變差，故必須兼具上述乾燥負荷之減低及過濾時之負荷抑制。 為了兼具該等，濃液中COP之濃度較佳於10~35質量%之範圍內，更佳在15~30質量%之範圍內。 又，濃液中之水較佳以0.01~2質量%之範圍內含有。
濃液所用之溶劑可單獨使用，亦可併用兩種以上，但基於生產效率之觀點，較佳將對COP之良溶劑與弱溶劑混合使用，良溶劑較多對COP之溶解性方面係較佳。
良溶劑與弱溶劑之混合比例的較佳範圍係良溶劑於70~98質量%之範圍內，弱溶劑為2~30質量%之範圍內。
又本說明書中所謂COP之「良溶劑」係定義為單獨可使COP溶解者，所謂COP之「弱溶劑」係定義為單獨可使COP膨脹或不使溶解者。 因此，根據上述COP之平均取代度改變良溶劑、弱溶劑。
本發明所用之良溶劑未特別限制，但可舉例為例如二氯甲烷等之有機鹵素化合物及二氧戊環類、丙酮、乙酸甲酯、乙醯乙酸甲酯等，特佳為二氯甲烷或乙酸甲酯。
本發明所用之弱溶劑未特別限制，但較佳使用例如甲醇、乙醇、正丁醇、環己烷、環己酮等。
又，用於溶解COP之溶劑係使用將於各步驟中藉由乾燥而自薄膜去除之溶劑回收而再利用。
回收溶劑有時含有微量之添加於COP之添加劑，例如塑化劑、紫外線吸收劑、樹脂、單體成分等，但即使含有該等，亦可較佳地再利用，或若需要可純化再利用。
(溶解方法) 作為上述記載之調製濃液時之COP溶解方法，可使用一般方法。 具體而言，較佳為於常壓下進行之方法、於主溶劑的沸點以下進行之方法、於主溶劑之沸點以上加壓而進行之方法，若組合加熱與加壓則可於常壓下沸點以上加熱。
又，在溶劑的常壓的沸點以上且加壓下不使溶劑沸騰之範圍的溫度下邊加熱邊攪拌溶解之方法由於可防止稱為凝膠或麵疙瘩的塊狀未溶解物發生故亦較佳。
又，亦較佳使用將COP與弱溶劑混合而潤濕或膨潤後，進而添加良溶劑並溶解之方法。
加壓可藉由壓入氮氣等惰性氣體之方法或藉由加熱使溶劑蒸氣壓上升之方法進行。 加熱較佳自外部進行，例如夾套型者因溫度控制溶液而較佳。
添加溶劑之加熱溫度越高就COP溶解性之觀點而言係較佳，氮加熱溫度若過高，則成為必要的壓力會變大，使生產性變差。
較佳之加熱溫度為30~120℃之範圍內，更佳為60~110℃之範圍內，又更佳為70~105℃之範圍內。 又，壓力係調整為在特定溫度下溶劑不沸騰。
或者，亦較佳使用冷卻溶解法，藉此可使COP溶解於乙酸甲酯等之溶劑中。
(過濾) 其次，較佳使用濾紙等之適當過濾材過濾該COP溶液(溶解中或溶解後之濃液)。
作為過濾材，為了去除不溶物等，較佳為絕對過濾精度小者，但絕對過濾精度若過小，則有容易發生過濾材堵塞之問題。 因此較佳為絕對過濾精度為0.008mm以下之過濾材，更佳為0.001~0.008mm範圍內之過濾材，又更佳為0.003~0.006mm範圍內之過濾材。
過濾材之材質未特別限制，可使用通常的過濾材，但聚丙烯、特氟龍(註冊商標)等之塑膠製過濾材、或不鏽鋼等金屬製過濾材無纖維脫落等而較佳。
較佳藉由過濾，將原料COP中所含之雜質，特別是亮點異物去除、減少。
所謂亮點異物係2片偏光板以交叉柯尼爾狀態配置，於其間放置薄膜等，自偏光板側照射光，自另一偏光板側觀察時見到自相反側漏光之點(異物)，直徑為0.01mm以上之亮點數較佳為200個/cm 2以下。 更佳為100個/cm 2以下，又更佳為50個/cm 2以下，再更佳為0~10個/cm 2以下。 又，0.01mm以下之亮點越少越佳。
濃液的過濾可藉通常方法進行，但於溶劑之常壓下沸點以上且加壓下沸點不沸騰之範圍的溫度邊加熱邊過濾之方法，於過濾前後之過濾壓力差(稱為壓差)之上升小而較佳。
較佳溫度為30~120℃之範圍內，更佳為45~70℃之範圍內，又更佳為45~55℃之範圍內。
過濾壓力越小越佳。 具體而言，較佳為1.6MPa以下，更佳為1.2MPa以下，又更佳為1.0MPa以下。
(2.1.2)澆鑄步驟[S2] 於圖7之澆鑄步驟[S2]中，使濃液調製步驟[S1]所調製之濃液通過加壓型定量齒輪泵等，藉由導管輸送製圖8的澆鑄模嘴(2)，於由環形輸送之旋轉驅動不鏽鋼製環形帶而成之支撐體(3)上之澆鑄位置自澆鑄模嘴(2)澆鑄濃液，形成澆鑄膜(5)。
此時，澆鑄模嘴(2)之傾斜度，亦即濃液自澆鑄模嘴(2)朝支撐體(3)之噴出方向，以相對於支撐體(3)之面(濃液澆鑄之面)的法線所成之角度為0~90°之範圍內之方式適當設定即可。
隨後，於支撐體(3)上將上述澆鑄膜(5)加熱/乾燥，使溶劑蒸發直至可藉由剝離輥(4)將澆鑄膜(5)自支撐體(3)剝離。 又本發明中，所謂澆鑄膜係指自上述唇部分澆鑄之濃液膜。
上述蒸發較佳於5~75℃範圍內之環境下進行。 為了使溶劑蒸發，有將溫風吹拂至澆鑄膜(5)上面之方法及/或藉由液體自支撐體(3)的背面傳熱之方法，以及藉由輻射熱自表背傳熱之方法等，但藉由輻射熱自表背傳熱之方法乾燥效率更佳。 又亦較佳使用將該等組合之方法。
基於生產性之觀點，澆鑄(cast)寬度較佳為1.3m以上。 更佳為1.3~4.0m之範圍內。 澆鑄(cast)寬度只要不超過4.0m，則製造步驟中不會產生條紋，於其後之輸送步驟中安定性變高。 基於輸送性、生產性之觀點，更佳為1.3~3.0m之範圍內。
(澆鑄模嘴) 澆鑄模嘴有衣架型模嘴及T模嘴，任一者均可較佳地使用。
本領域技術人員為了於澆鑄步驟中提高薄膜厚度之均勻性，於溶液澆鑄製膜法及熔融澆鑄製膜法中，均舉例為控制澆鑄模嘴之唇部分(澆鑄模嘴狹縫之濃液流出之部分)之狹縫間隙(狹縫噴嘴液體噴出口之前端開口部)之方法。
例如擠出黏度高的濃液(包含熔體)時，會發生上述狹縫間隙之寬度偏差，但為了防止此情況，而於寬度配置複數根熱螺栓而控制狹縫間隙之方法。
但，該方法有在熱螺栓數方面具有物理設置限制之問題。 又，為了抑制產生上述狹縫間隙之寬度偏差的寬度之壓力變動而有使澆鑄模嘴內部構造於寬度變化之方法，但必須針對每生產品種切換澆鑄模嘴而有耗費時間及成本之問題。
於澆鑄模嘴設有將用於噴出濃液(熔融時為用於樹脂擠出)之狹縫調整於寬度之機構。 較佳藉由上述澆鑄膜嘴之熱螺栓，將用於噴出濃液之狹縫寬度間隙調整為剛噴出後之膜厚偏差相對於澆鑄膜全體為1.0~5.0%之範圍內，進行澆鑄膜之初期噴出膜厚控制。
為了提高本發明之薄膜的製膜速度，可於支撐體上設置2台以上的上述澆鑄模嘴，將濃液量予以分割並分層。 或者，較佳藉由複數濃液同時澆鑄之共澆鑄法獲得積層構造之薄膜輥。 為了提高製膜速度，亦可於支撐體上設置2台以上之澆鑄模嘴，將濃液量予以分割並分層。
(支撐體) 支撐體(3)較佳使用例如用不鏽鋼帶或以鑄件將表面鍍敷加工後之滾筒，由一對輥(3a)、輥(3b)及位於該等之間之複數個輥予以保持。 此時，較佳支撐體之表面為鏡面。
於輥(3a)及(3b)之一者或兩者設有對支撐體(3)賦予張力之驅動裝置，藉此使支撐體(3)以施加張力之張開狀態使用。
澆鑄步驟[S2]之支撐體(3)的表面溫度為-50℃~溶劑的沸點範圍內之溫度，由於溫度越高，澆鑄膜之乾燥速度越快而較佳。
較佳之支撐體溫度為0~55℃之範圍內，進而佳為22~50℃之範圍內。
又，支撐體之溫度可全體相同，亦可根據位置而異。
控制支撐體(3)之溫度的方法未特別限制，但有吹拂溫風或冷風之方法及使熱水與支撐體背面接觸之方法。 由於使用溫水時可有效地進行傳熱，故使支撐體之溫度恆定所需之時間短而較佳。 使用溫風時，有時可使用溫度高於目的溫度之風。
(2.1.3)剝離步驟[S3] 本步驟中係於澆鑄步驟[S2]中，將溶劑蒸發直至於支撐體(3)上澆鑄膜(5)成為可剝離之膜強度，於乾燥固化或冷卻凝固後，於薄膜繞支撐體(3)一周之前自支撐體(3)剝離薄膜。 亦即，本步驟係將於支撐體(3)上蒸發溶劑之薄膜在剝離位置剝離之步驟。 此時，基於面品質、透濕性、剝離性之觀點，較佳於30~600秒的範圍內將上述薄膜自支撐體剝離。
剝離步驟[S3]中，薄膜藉由具有自我支持性之剝離輥(4)(有助於薄膜剝離的輥)而剝離。 支撐體上之剝離位置的溫度較佳為-50~40℃之範圍內，更佳為10~40℃之範圍內，最佳為15~30℃之範圍內。
(殘留溶劑量) 剝離步驟[S3]中剝離時之支撐體(3)上薄膜的殘留溶劑量可根據乾燥條件的強弱、支撐體(3)之長度等而適當調節，收縮步驟[S4]中之殘留溶劑量由於受薄膜厚度、樹脂等而大有影響，故於剝離步驟[S3]與收縮步驟[S4]，於殘留溶劑量之較佳範圍有重複範圍。
薄膜之殘留溶劑量雖根據薄膜厚度而變，但若於剝離點(薄膜自支撐體剝離之位置)的殘留溶劑量過大，則有薄膜過於柔軟而難以剝離之情況，有損及平面性，因剝離張力而容易產生橫段、皺摺或縱條紋之情況。 相反，殘留溶劑量若過少，則有於中途薄膜一部分剝落之情況。
基於上述觀點，為了使薄膜顯示良好的平面性，基於兼具經濟速度與品質之觀點，期望殘留溶劑量為10~50直量%之範圍內。
提高製膜速度之方法(由於趁著殘留溶劑量儘可能多而剝離故可提高製膜速度)，舉例為即使殘留溶劑量多仍可剝離之凝膠澆鑄法(Gel Casting)。
作為上述方法，有於濃液中添加對COP之弱溶劑，進行濃液澆鑄後，使澆鑄膜凝膠化之方法；藉由使支撐體冷卻而使澆鑄膜凝膠化並以含有較多殘留溶劑之狀態剝離的方法等。 又亦有於濃液中添加金屬鹽之方法。
如上述，藉由在支撐體上使澆鑄膜凝膠化使薄膜強化，而快速將薄膜自支撐體剝離，可提高製膜速度。
殘留溶劑量係以下述式定義。
式：殘留溶劑量[質量%]={(M-N)/N}×100
又，上述式中之M係澆鑄膜或薄膜製造中或製造後之任意時點採集之試料質量，N係M在115℃加熱1小時後之質量。
(剝離張力) 剝離支撐體與薄膜時之剝離張力較佳為300N/m以下。 更佳為196~245N/m之範圍內，但於剝離時容易產生皺紋時，較佳以190N/m以下之張力剝離。
(2.1.4)收縮步驟[S4] 收縮步驟[S4]係使薄膜(F)在面內沿寬度方向收縮之步驟。 作為使薄膜(F)收縮之方法，係藉由例如在薄膜不保持寬之狀態進行高溫處理而提高薄膜密度之方法，及將自支撐體剝離後之薄膜於輸送方向(機械方向(Machine Direction)，以下亦稱「MD方向」)施加張力，於薄膜面內於與MD方向垂直之寬度方向(TD方向)延伸及收縮之方法，以及急遽減少薄膜之殘留溶劑量等之方法而進行。 該情況下，薄膜於薄膜面內於與MD方向垂直之寬度方向(橫向方向(Traverse Direction)，以下亦稱「TD方向」)收縮。
藉由收縮步驟，促進了薄膜厚度方向之樹脂分子(基質分子)間之纏繞，故例如製作偏光板時，即使薄膜透過接著劑與偏光器接著時，上述接著劑亦容易經由基質分子間之纏繞部分(交聯部分)浸透至薄膜內部。 其結果，薄膜可經由接著劑牢固地固定於偏光器上，且可提高薄膜對於偏光器之剝離強度。 亦即，可確保薄膜與偏光器之良好接著性。
(收縮率之定義) 本發明中，收縮率由下述式定義。
式：收縮率[%]=收縮步驟結束時之薄膜寬度[mm]/收縮步驟開始時之薄膜寬度[mm]×100
此處，收縮步驟[S4]中，若薄膜之收縮率過小，則促進基質分子之間纏繞之效果不足，若過大，則有薄膜(延伸薄膜)之生產效率降低之顧慮。 因此，薄膜於收縮步驟[S4]之收縮率較佳為1~40%之範圍內，更佳為5~20%之範圍內。
(收縮率之測定方法及計算方法) 薄膜寬度可藉由KEYENCE公司製之LS-9000測定。 又，本發明之該薄膜的收縮率係藉由上述測定器以每1秒對薄膜寬度測定5分鐘(300秒)後之各值的平均值設為薄膜寬度，藉由代入上述式而求出，但並無必要限制於上述方法，例如亦可使用自尺規讀取薄膜寬度所得之值作為薄膜寬度而代入上述式。
(2.1.5)第1乾燥步驟[S5] 第1乾燥步驟[S5]係藉由乾燥裝置(6)加熱支撐體上之薄膜(F)而使溶劑蒸發並乾燥之步驟。
於圖8之乾燥裝置(6)內，藉由自側面觀看以交錯狀排列之複數輸送輥輸送薄膜(F)，於其間使薄膜(F)乾燥。
乾燥裝置(6)內之乾燥方法未特別限制，一般使用熱風、紅外線、加熱輥、微波等使薄膜(F)乾燥，但基於簡單之觀點，以熱風使薄膜(F)乾燥之方法較佳。 又，亦較佳為組合該等之方法。 又第1乾燥步驟[S5]只要根據需要進行即可。
薄膜若不厚，則乾燥快速，但急遽乾燥容易損及完成的薄膜之平面性。 薄膜藉由高溫進行乾燥時，必須考慮乾燥前之殘留溶劑量，但藉由不使殘留溶劑量過多，可防止因溶劑發泡所致之故障。
第1乾燥步驟[S5]前之殘留溶劑量較佳約為30質量%以下，整個乾燥步驟，在乾燥溫度大概為30~250℃之範圍內進行。 特佳在35~200℃範圍內乾燥，且乾燥溫度較佳階段性提高。
薄膜之乾燥，一般採用輥乾燥法(將薄膜交替通過上下配置之多數輥而使其乾燥之方法)或藉由拉幅方式輸送薄膜同時乾燥之方法。
於薄膜乾燥時使用拉幅延伸裝置時，於後述之延伸步驟中，較佳使用藉由拉幅延伸裝置之左右把持手段於左右獨立控制薄膜之把持長度(自把持開始至把持結束之距離)的裝置。 又，於延伸步驟中，較佳為了改善平面性而作出刻意具有不同溫度之區間。
進而，亦較佳設置中性區域，以使不同溫度區間之間各區間不引起干涉。
(2.1.6)第1延伸步驟[S6] 第1延伸步驟[S6]可為將薄膜(F)於薄膜面內僅於MD方向延伸之步驟，可為僅於TD方向延伸之步驟，可為對MD方向及TD方向兩者延伸，亦可為斜向延伸之步驟。 又，延伸方向未限制，但基於獲得寬薄膜之觀點，較佳有至少包含於寬度方向延伸之步驟。 此等延伸係由延伸裝置(7)進行。
(延伸方法) 作為延伸方法，可舉例為設置輥的周速差於輸送方向(薄膜的長度方向；製膜方向；澆鑄方向；縱方向；MD方向)延伸(縱延伸)之方法，或以夾具等固定薄膜(F)的兩側緣部於寬度方向(於薄膜面內正交之方向；薄膜寬度方向；橫向；TD方向)延伸(橫延伸)之方法，依序進行縱延伸及橫延伸之方法(逐次雙軸延伸)及同時進行縱延伸及橫延伸之方法(同時2軸延伸)等，但該等中，橫延伸或同時雙軸延伸(包含斜向延伸)係使用拉幅延伸裝置。 拉幅延伸裝置係以夾具把持薄膜的寬度方向，邊使該夾具與薄膜一起行進邊擴大間隔而延伸薄膜之裝置。
上述方法中，使用拉幅延伸裝置之所謂拉幅方式由於薄膜之性能/生產性、平面性及尺寸安定性提高故而較佳。
又，所謂拉幅法之情況下，若以線性驅動方式驅動夾具部分，則可進行滑順延伸，且可減少斷裂等之危險性故而較佳。
製膜步驟中之該等寬度保持或橫方向延伸較佳藉由拉幅延伸裝置進行，可為銷拉幅機或夾具拉幅機。 又於延伸裝置(7)中，除了拉伸以外亦可進行乾燥。
(延伸倍率) 為了確保高相位差、確保寬的寬度及與偏光器接著時促進接著劑浸透，較佳於延伸步驟中以高倍率延伸薄膜。 但，延伸倍率過高時，可能有時因延伸應力，而於薄膜內發生裂紋、使確保薄膜強度之基質分子間之纏繞解離，使薄膜脆弱化。
因此，延伸步驟之延伸倍率較佳為1.1~5.0倍之範圍內，更佳為1.3~3.0倍之範圍內。
又，本發明中所謂「延伸倍率」係指拉伸後之薄膜面積相對於延伸前之薄膜面積的比率[%]。 亦即，上述拉伸步驟中之「延伸倍率」於薄膜之縱(長度)方向及橫(寬度)方向因延伸所得之合計延伸率以面積倍率計較佳為1.1~5.0倍的範圍內，更佳為1.3~3.0倍的範圍內。
又延伸進行複數次時，複數次延伸中基質分子之解離風險最高之最高倍率的延伸較佳在最後一次進行。 例如圖7中，最高倍率之延伸較佳於第2延伸步驟進行。 該情況下，直至最高倍率之延伸之前，由於可使基質分子之纏繞強固，故即使進行最高倍率的延伸，亦可抑制基質分子纏繞之解離可抑制凝集破壞。
(拉幅延伸裝置) 以下，邊參照圖9、10、11及12描述邊以使用拉幅延伸裝置作為延伸裝置(7)的情況為例加以說明。
圖9係示意性表示拉幅延伸裝置之內部構成之俯視圖，係自上側觀察拉幅延伸裝置與薄膜之面垂直之面的剖面圖。 圖10表示卸除上述拉幅延伸裝置之蓋子的狀態，蓋子以兩點鏈線表示。
圖11係自正面觀察拉幅延伸裝置內之3個區域時之噴嘴與加熱器設置部分的概略圖。 如圖11所示，紅外線(IR)加熱器係以薄膜斷裂時薄膜不與紅外線(IR)加熱器接觸之方式僅設於噴嘴之上側，但若將紅外線(IR)加熱器靠近薄膜，由於紅外線(IR)加熱器的輻射能可集中於更窄範圍，故在不干涉到夾具之寬度動作之範圍內，儘可能將紅外線(IR)加熱器靠近薄膜。
又圖11中，主要顯示自中央噴嘴(105)之熱處理，於本次實施例中，雖未進行藉由端部噴嘴(104)之熱處理，但在本實施形態中可併用。
進行熱處理時，如圖12所示自噴嘴間隙紅外線(IR)加熱器所發射之放射能可不浪費地傳遞至薄膜。
如圖9所示，紅外線(IR)加熱器係配置成行，使得即使於延伸前之薄膜亦可對整個寬度加熱。 又加熱器可於長度方向以交錯狀配置。
拉幅延伸裝置(40)具備多數夾具(42)，該等夾具(42)把持薄膜(F)之寬度方向的兩端部，夾具(42)係以一定間隔安裝於環形鏈條(48)。 環形鏈條(48)隔著薄膜(F)配置於兩側，分別懸掛於入口側的主動鏈輪(50)與出口側之從動鏈輪(52)之間。 主動鏈輪(50)連接於未圖示之馬達，藉由驅動該馬達使主動鏈輪(50)旋轉。 藉此，由於環形鏈條(48)在主動鏈輪(50)與從動鏈輪(52)之間環繞行進，故安裝於環形鏈條(48)的夾具(42)亦環繞行進。
於主動鏈輪(50)與從動鏈輪(52)之間設有用於引導環形鏈條(48)(或夾具(42))之導軌(54)。 導軌(54)隔著薄膜(F)配置於兩側，導軌(54)彼此之距離係構成為薄膜(F)之輸送方向上下游側比上游側寬。 藉此，夾具(42)環繞行進時，由於夾具(42)彼此之距離擴大，故由夾具(42)把持之薄膜(F)可於寬度方向橫向延伸。
於主動鏈輪(50)與從動鏈輪(52)之間各安裝有開啟構件(56)。 開啟構件(56)係將後述之夾具(42)的扣件(未圖示)自把持位置移位至開啟位置之裝置，藉由該開啟構件(56)，自動地進行薄膜(F)之把持動作與開啟動作。
因此，如圖9、圖10及圖12所示，拉幅延伸裝置(40)之內部設置預熱區、(橫)延伸區及熱固定區。 區域彼此間由未圖示之擋風簾(未圖示)隔開。 且，於各區域內部，自相對於薄膜(F)的上方或下方或兩者供給熱風。
熱風係以將每區域管理至特定溫度之狀態，於薄膜(F)的寬度方向均勻吹出。 藉此，各區域之內部被控制在所需溫度。以下針對各區域加以說明。
預熱區係預熱處理薄膜(F)之區域，以不擴大夾具(42)之間隔下加熱薄膜(F)。
將於預熱區經預熱之薄膜(F)移動至(橫)延伸區。 (橫)延伸區係藉由擴大夾具(42)之間隔而使薄膜(F)於寬度方向(橫)延伸之區域。 該(橫)延伸處理中之延伸倍率較佳於1.0~2.5倍之範圍內，更佳於1.05~2.3倍之範圍內，又更佳於1.1~2倍之範圍內。
將於橫延伸區經橫向延伸之薄膜(F)移動至熱固定區。
又本實施之形態中，拉幅延伸裝置(40)之內部分為預熱區、(橫)延伸區及熱固定區，但區的種類及配置不限於此，例如於(橫)延伸區之後，亦可設置將薄膜(F)冷卻之冷卻區。 又，熱固定區中亦可設置熱緩和區。
又本實施之形態中，雖以拉幅延伸裝置(40)僅進行(橫)延伸，但亦可同時於縱向上延伸。 該情況下，夾具(42)移動時，只要使夾具(42)的間距(輸送方向中夾具(42)彼此之間隔)改變即可。 作為使夾具(42)之間距變化之機構，可使用受電弓機構或線性引導機構。
(熱處理時點) 拉幅延伸裝置通常分為複數區域，例如如圖9、圖10及圖12所示，設置加熱薄膜之預熱區、將薄膜於橫向延伸之橫延伸區、進行薄膜之結晶化的熱固定區、卸除薄膜之熱應力的緩和區等。
(爐內溫度) 通常，爐內溫度較佳為120~200℃之範圍內，更佳在120~180℃之範圍內。 此處，「爐內溫度」係在後述之拉幅延伸裝置之延伸區中，測定距即將延伸前之薄膜中央上方100 mm的位置之溫度(H A=100mm)，係定義為測定1小時之每1分鐘的各溫度之值，算出該等之平均值者。
通常，爐內溫度較佳為120~200℃之範圍內，又更佳為120~180℃之範圍內。 此處，於複數區隔於長度方向具有溫度梯度時，係以熱處理之區隔為對象。
又，於延伸區中實施熱處理時與未實施熱處理時爐內溫度不同，但於延伸區實施熱處理時，該爐內溫度係指實施熱處理之前之延伸區的爐內溫度。
(殘留溶劑量) 延伸時之薄膜中的殘留溶劑量較佳為20質量%以下，更佳為15質量%以下進行延伸。
(2.1.7)第1切斷步驟[S7] 第1切斷步驟[S7]中，由分切器所成之切斷部(8)將藉由第1延伸步驟[S6]延伸之薄膜(F)的寬度方向兩端部切斷。 薄膜(F)中，兩端部切斷後剩餘之部分構成成為薄膜製品的製品部。 另一方面，自薄膜(F)切斷之部分可經回收並再次作為原材料之一部分再利用於薄膜之製膜。
(2.1.8)第2延伸步驟[S8] 於第2延伸步驟[S8]，與第1延伸步驟[S6]同樣藉由延伸裝置(9)將薄膜(F)延伸。 作為此時之延伸方法，由於設有輥的周速差並於輸送方向(MD方向)延伸之延伸方式、或以夾具等固定薄膜(F)之兩側緣部並於寬度方向(TD方向)延伸之拉幅方式，可提高薄膜之性能/生產性、平面性及尺寸安定性故而較佳。 又，延伸裝置(9)內，除了延伸以外亦可以進行乾燥。
(2.1.9)第2切斷步驟[S9] 第2切斷步驟[S9]中，與第1切斷步驟[S7]同樣，使由分切器所成之切斷部(10)將經製膜之薄膜(F)之寬度方向兩端部切斷。 又，薄膜兩端部之夾具的把持部分，通常會使薄膜變形，無法使用作為製品故而切除。 於材料不會因熱而引起劣化時，則回收後再利用。
薄膜(F)中，兩端部切斷後之剩餘部分構成成為薄膜製品之製品部。 另一方面，自薄膜(F)切斷之部分經回收並再次作為原材料的一部分而再利用於薄膜之製膜。
(2.1.10)第2乾燥步驟[S10] 於第2乾燥步驟[S10]中，與第1乾燥步驟[S5]同樣以乾燥裝置(11)將薄膜(F)乾燥。 於乾燥裝置(11)內，藉由自側面觀察配置為交錯狀之複數個輸送輥輸送薄膜(F)，於其間使薄膜(F)乾燥。
以乾燥裝置(6)之乾燥方法未特別限制，一般舉例為熱風、紅外線、加熱輥及微波等。 上述乾燥方法中，基於簡便之觀點，較佳為以熱風乾燥薄膜(F)之方法。 又，亦可根據需要進行第2乾燥步驟[S10]。
(2.1.11)第3切斷步驟[S11] 第3切斷步驟[S11]中，與第1切斷步驟[S7]、第2切斷步驟[S9]同樣，由分切器所成之切斷部(12)將所製膜之薄膜(F)之寬度方向兩端部切斷。 薄膜(F)中，兩端部切斷後之剩餘部分構成成為薄膜製品之製品部。 另一方面，自薄膜(F)切斷之部分經回收並再次作為原材料之一部分，再利用於薄膜之製膜。
(2.1.12)捲取步驟[S12] 最後，於捲取步驟[S12]中，藉由捲取裝置(13)捲取薄膜(F)獲得薄膜輥。 亦即，於捲取步驟中，藉由一面輸送薄膜(F)一面捲取於捲芯而製造薄膜輥。 捲取步驟中捲取薄膜時之初期張力的較佳範圍在20~300N/m之範圍內。
圖13係顯示捲取薄膜之步驟與捲取後之本發明之薄膜輥之剖面的概略圖。 捲取薄膜(F)時，例如如圖13般設置接觸輥(33)，且為了行程所需空隙層而適當變更薄膜接觸壓。 圖13中，經製膜之薄膜(31)藉由輥(32)及接觸輥(33)捲纏而捲取為薄膜輥(30)。
(殘留溶劑量) 更具體而言，將薄膜中殘留溶劑量成為2質量%以下之後，藉由捲取裝置(12)捲取為薄膜之步驟，藉由將殘留溶劑量設為0.4質量%以下，可獲得尺寸安定性良好的薄膜。 特佳於殘留溶劑量為0.00~0.20質量%之範圍內進行捲取。
(捲取方法) 薄膜(F)之捲取方法，只要使用一般使用的捲繞機即可，且有恆定扭矩法，恆定張力法，錐度張力法、內部應力恆定之程式張力控制法等之控制張力的方法，只要適當使用該等即可。
於捲取前，以成為製品之寬度將端部切開裁掉，且為了防止卷中之貼附及擦傷，自可對薄膜兩端實施表面改質處理。
[捲取後] 本發明之薄膜輥較佳為長條膜，具體而言，顯示100~10000m左右之範圍內者，通常以輥狀提供之形態。
(2.2)利用熔融澆鑄製膜法之薄膜輥的製造步驟 本發明之薄膜亦可藉由熔融澆鑄製膜法製膜。 所謂「熔融製膜法」係指將含有熱塑性樹脂及上述添加劑之組成物加熱熔融至顯示流動性之溫度，隨後將包含流動性熱塑性樹脂之熔融物澆鑄之方法。
作為加熱熔融之成形方法可詳細分類為熔融擠出成形法、壓製成形法、吹脹法、射出成形法、吹塑成形法、延伸成形法等。 該等成形法中，基於機械強度及表面精度等之觀點，較佳為熔融擠出法。
圖14係顯示熔融澆鑄製膜法之製造步驟流程之流程圖。 又圖15係藉由熔融澆鑄製膜法製造薄膜之裝置的概略圖。 以下溶液澆鑄製膜法中，將參照圖14及圖15加以說明。
藉由熔融澆鑄法之薄膜輥之製造方法包含擠出步驟[M1]、澆鑄/成形步驟[M2]、第1延伸步驟[M3]、第1切斷步驟[M4]、第2延伸步驟[M5]、第2切斷步驟[M6]及捲取步驟[M7]。
又上述製造方法並無必要包含第1延伸步驟[M3]及第2延伸步驟[M5]兩者，只要包含至少任一步驟即可。 又，第1切斷步驟[M4]及第2切斷步驟[M6]亦同樣只要包含至少任一步驟即可。
(2.2.1)擠出步驟[M1] 擠出步驟[M1]中，係以擠出機(14)至少將樹脂熔融擠出並於澆鑄滾筒(16)上成形。 關於本發明可用之上述樹脂將於後述。
又，較佳預先混練樹脂並造粒。 造粒可藉習知方法進行。
例如將乾燥樹脂或塑化劑、其他添加劑以饋料機供給至擠出機，使用單軸或雙軸擠出機混練，自澆鑄模嘴(15)擠出成股狀，進行水冷或空氣冷卻，並切割而可造粒。
添加劑可於供應至擠出機之前與樹脂混合，亦可將添加劑與樹脂各以饋料機供給至擠出機。 又，為了使粒子及抗氧化劑等之少量添加劑混合均勻，較佳事先與樹脂混合。
將顆粒自供給料斗導入擠出機時，較佳設為乾燥、真空下或減壓下或惰性氣體環境下而防止氧化分解等。
擠出機較佳以抑制剪切力、不使樹脂劣化(分子量降低、著色、凝膠生成等)之方式而可造粒之儘可能低溫下加工。
例如於雙軸擠出機時，較佳使用深溝型螺桿沿同方向旋轉。 基於混練之均勻性，較佳為嚙合型。 樹脂/顆粒於熔融時，較佳以葉盤式過濾器等過濾去除異物。
使用如上述所得之顆粒進行薄膜製膜。 當然，亦可不造粒，將原材料之樹脂(粉末等)直接以饋料機供給於擠出機)，而直接進行薄膜製膜。
(2.2.2)澆鑄成形步驟[M2] 於澆鑄/成形步驟[M2]中，於擠出步驟中熔融的樹脂/顆粒通過加壓型定量齒輪泵等藉由導管自澆鑄模嘴(15)澆鑄成薄膜狀，於環形輸送之旋轉驅動不鏽鋼製環形澆鑄滾筒(16)上之澆鑄位置自澆鑄模嘴(15)澆鑄經熔融之樹脂/顆粒。 接著，將經澆鑄之熔融狀態的樹脂/顆粒於澆鑄滾筒(16)上成形而形成澆鑄膜(18)。
澆鑄模嘴(15)之傾斜度，亦即熔融狀態之樹脂/顆粒自澆鑄模嘴(15)向澆鑄滾筒(16)之噴出方向只要以相對於澆鑄滾筒(16)的面(熔融狀態之樹脂/顆粒澆鑄之面)的法線之角度成為0~90°之範圍內適當設定即可。
亦可適當地單獨或組合輔助接觸輥(16a)及澆鑄滾筒(16)之冷卻輥(17)而形成薄膜(F)。
(2.2.3)第1延伸步驟[M3] 於第1延伸步驟[M3]中，藉由延伸裝置(19)將薄膜(F)延伸。 作為此時之延伸方法，由於設有輥的周速差並於MD方向延伸之延伸方式、或以夾具等固定薄膜(F)之兩側緣部並於TD方向延伸之拉幅方式，可提高薄膜之性能/生產性、平面性及尺寸安定性故而較佳。 又，延伸裝置(19)內，除了延伸以外亦可以進行乾燥。
又關於拉幅延伸裝置、熱處理時點、爐內溫度、延伸溫度、延伸爐內之溫度及殘留溶劑量等之記載，由於與藉由溶液澆鑄製膜法之薄膜輥的製造步驟中之第1延伸步驟[S6]重複故而省略。
(2.2.4)第1切斷步驟[M4] 第1切斷步驟[M4]中，由分切器所成之切斷部(20)將經製膜之薄膜(F)的寬度方向兩端部切斷。 薄膜(F)中，兩端部切斷後剩餘之部分構成成為薄膜製品的製品部。 另一方面，自薄膜(F)切斷之部分可經回收並再次作為原材料之一部分再利用於薄膜之製膜。
(2.2.5)第2延伸步驟[M5] 於第2延伸步驟[M5]，與第1延伸步驟[M3]同樣藉由延伸裝置(21)將薄膜(F)延伸。 作為此時之延伸方法，由於設有輥的周速差並於MD方向延伸之延伸方式、或以夾具等固定薄膜(F)之兩側緣部並於TD方向延伸之拉幅方式，可提高薄膜之性能/生產性、平面性及尺寸安定性故而較佳。 又，延伸裝置(21)內，除了延伸以外亦可以進行乾燥。
(2.2.6)第2切斷步驟[M6] 第2切斷步驟[M6]中，與第1切斷步驟[M4]同樣，使由分切器所成之切斷部(22)將經製膜之薄膜(F)之寬度方向兩端部切斷。 薄膜(F)中，兩端部切斷後之剩餘部分構成成為薄膜製品之製品部。 另一方面，自薄膜(F)切斷之部分經回收並再次作為原材料的一部分而再利用於薄膜之製膜。
(2.2.7)捲取步驟[M7] 最後，於捲取步驟[M7]，薄膜(F)藉由捲取裝置(23)捲取獲得薄膜輥。 亦即，捲取步驟[M7]中，藉由邊輸送薄膜(F)邊纏捲取於捲芯而製造薄膜輥。
作為薄膜(F)之捲取方法，只要使用一般使用的捲繞機即可，且有恆定扭矩法，恆定張力法，錐度張力法、內部應力恆定之程式張力控制法等之控制張力的方法，只要適當使用該等即可。
3.構成薄膜之樹脂 (3.1)熱塑性樹脂 作為本發明之薄膜中使用之熱塑性樹脂材料，只要製膜後可作為薄膜輥處理則未特別限制。
作為偏光板用途使用之熱塑性樹脂可適用例如三乙醯纖維素(TAC)、纖維素乙酸酯丙酸酯(CAP)、二乙醯纖維素(DAC)等之纖維素酯系樹脂、及環烯烴樹脂等之環狀烯烴系樹脂(以下亦稱為「COP」)、聚丙烯(PP)等之聚丙烯系樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等之丙烯酸系樹脂及聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等之聚酯系樹脂。
然而，基於延伸性及結晶度之控制容易之觀點，及基於接著劑容易透過且可確保與偏光器之更好接著性之觀點，期望使用COP。 又，上述薄膜於製造後亦可進行表面改質處理。
又，本發明之效果於薄膜領域之價值高。 作為薄膜厚度較佳為5~80μm之範圍內，更佳為10~65μm之範圍內，又更佳為10~45μm之範圍內。
薄膜厚度若為5μm以上，則薄膜輥的剛性高，容易確保輥形狀。 薄膜厚度若為80μm以下，則質量不會過於增加，容易製作長條之薄膜輥。
(3.1.1)環烯烴系樹脂 本發明之薄膜輥中所含之環烯烴系樹脂較佳為環烯烴單體之聚合物或環烯烴單體與其以外之共聚合性單體之共聚物。
作為環烯烴單體較佳為具有降冰片烯骨架之環烯烴單體，更佳為具有以下述一般式(A-1)或(A-2)表示之構造的環烯烴單體。
一般式(A-1)中，R 1~R 4分別獨立表示氫原子、碳原子數1~30之烴基或極性基。p表示0~2之整數。但，並無R 1~R 4全部表示為氫原子之情況，並無R 1與R 2同時表示氫原子之情況，亦無R 3與R 4同時表示氫原子之情況。
一般式(A-1)中，作為以R 1~R 4表示之碳原子數1~30之烴基，較佳例如為碳原子數1~10之烴基，更佳為碳原子數1~5之烴基。
碳原子數1~30之烴基亦可進而具有例如包含鹵素原子、氧原子、氮原子、硫原子或矽原子之連結基。 此等連結基之例包含羰基、亞胺基、醚鍵、矽烷醚鍵、硫醚鍵等之二價極性基。 碳原子數1~30之烴基之例包含甲基、乙基、丙基及丁基等。
一般式(A-1)中以R 1~R 4表示之極性基之例包含羧基、羥基、烷氧基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、胺基、醯胺基及氰基。
其中，較佳為羧基、羥基、烷氧羰基及芳氧羰基，基於確保溶液製膜時之溶解性之觀點，較佳為烷氧羰基及芳氧羰基。
一般式(A-1)中之p，基於提高薄膜耐熱性之觀點，較佳為1或2。 此係因為p為1或2時，所得之聚合物體積變高，且玻璃轉移溫度容易提高之故。
一般式(A-2)中，R 5表示氫原子、碳數1~5之烴基或具有碳數1~5個之烷基的烷基矽烷基。R 6表示羧基、羥基、烷氧羰基、芳氧羰基、胺基、醯胺基、氰基或鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子或碘原子)。p表示0~2之整數。
一般式(A-2)中之R 5較佳表示碳數1~5之烴基，更佳表示碳數1~3之烴基。
一般式(A-2)中之R 6較佳表示羧基、羥基、烷氧羰基及芳氧羰基，基於確保溶液製膜時之溶解性，更佳為烷氧羰基及芳氧羰基。
一般式(A-2)中之p，基於提高薄膜耐熱性之觀點，較佳表示1或2。 此係因為p表示1或2時，所得之聚合物體積變高，且玻璃轉移溫度容易提高之故。
具有以一般式(A-2)表示之構造的環烯烴單體，基於提高對有機溶劑之溶解性之觀點係較佳。
一般有機化合物由於藉由破壞對稱性而使結晶性降低，故提高對有機溶劑之溶解性。
由於一般式(A-2)中之R 5及R 6相對於分子的對稱軸僅於單側之環構成碳原子上取代，故分子之對稱性低，亦即具有以一般式(A-2)表示之構造之環烯烴單體的溶解性高，故適用於藉由溶液澆鑄製膜法製造薄膜之情況。
環烯烴單體之聚合物中具有以一般式(A-2)表示之構造的環烯烴單體之含有比例，相對於構成環烯烴系樹脂之所有環烯烴單體之合計，例如為70莫耳%以上，較佳為80莫耳%以上，更佳可為100莫耳%。
包含一定量以上之具有以一般式(A-2)表示之構造的環烯烴單體時，由於樹脂之配向性提高，故相位差(延遲)值容易上升。
以下，具有以一般式(A-1)表示之構造之環烯烴單體之具體例示於例示化合物1~14，具有以一般式(A-2)表示之構造之環烯烴單體之具體例示於例示化合物15~34。
可與環烯烴單體共聚合之共聚性單體之例包含可與環烯烴單體進行開環共聚合之共聚合性單體及可與環烯烴單體進行加成共聚合之共聚合性單體等。
可開環共聚合之共聚性單體之例包含環丁烯、環戊烯、環庚烯、環辛烯及雙環戊二烯等之環烯烴。
可加成共聚合之共聚性單體之例包含含不飽和雙鍵之化合物、乙烯系環狀烴單體及(甲基)丙烯酸酯等。
含不飽和雙鍵之化合物之例含碳原子數2~12(較佳2~8)之烯烴系化合物，其例包含乙烯、丙烯及丁烯等。
乙烯系環烴單體之例包含4-乙烯基環戊烯及2-甲基-4-異丙烯基環戊烯等之乙烯基環戊烯系單體。
(甲基)丙烯酸酯之例包含(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯及(甲基)丙烯酸環己酯等之(甲基)丙烯酸碳原子數1~20之(甲基)丙烯酸烷酯。
環烯烴單體與共聚性單體之共聚物中之環烯烴單體之含有比例，相對於構成共聚物之所有單體合計為例如20~80莫耳%之範圍內，較佳為30~70莫耳%之範圍內。
環烯烴系樹脂係如上述使具有降冰片烯骨架之環烯烴單體，較佳具有以一般式(A-1)或(A-2)表示之構造的環烯烴單體聚合或共聚合所得之聚合物，其例包含以下(1)~(7)之聚合物。
(1)環烯烴單體之開環聚合物 (2)環烯烴單體與可與其開環共聚合之共聚性單體之開環共聚物 (3)上述(1)或(2)之開環(共)聚合物之氫化物 (4)上述(1)或(2)之開環(共)聚合物藉由傅里德-克拉夫茨(Friedel–Crafts)反應環化後氫化之(共)聚合物 (5)環烯烴單體與含不飽和雙鍵之化合物的飽和共聚物 (6)環烯烴單體之與乙烯系環狀烴單體之加成共聚物及其氫化物 (7)環烯烴單體與(甲基)丙烯酸酯之交替共聚物
上述(1)~(7)之聚合物均可藉由習知方法例如日本特開2008-107534號公報或日本特開2005-227606號公報中記載之方法獲得。
例如上述(2)之開環共聚合所用之觸媒及溶劑可使用例如日本特開2008-107534號公報之段落0019~0024中記載者。
上述(3)及(6)之氫化物所用之觸媒可使用例如日本特開2008-107534號公報段落0025~0028中記載者。
上述(4)之傅里德-克拉夫茨反應所用之酸性化合物可使用例如日本特開2008-107534號公報之段落0029中記載者。
上述(5)~(7)之加成聚合所用之觸媒可使用例如日本特開2005-227606號公報之段落0058~0063中記載者。
上述(7)之交替共聚合反應可藉由例如日本特開2005-227606號公報之段落0071及0072中記載之方法進行。
其中，較佳為上述(1)~(3)及(5)之聚合物，更佳為上述(3)及(5)之聚合物。
亦即，環烯烴系樹脂，就可提高所得之環烯烴系樹脂之玻璃轉移溫度，且提高光透過率之觀點，較佳包括下述一般式(B-1)表示之構造單位與下述一般式(B-2)表示之構造單位之至少一者，更佳僅包含以一般式(B-2)表示之構造單位，或包含以一般式(B-1)表示之構造單位與以一般式(B-2)表示之構造單位之兩者。
以一般式(B-1)表示之構造單位係源自以前述一般式(A-1)表示之環烯烴單體的構造單位，以一般式(B-2)表示之構造單位係源自以前述一般式(A-2)表示之環烯烴單體之構造單位。
一般式(B-1)中，X表示-CH=CH-或-CH 2CH 2-。R 1~R 4及p分別與一般式(A-1)之R 1~R 4及p相同。
一般式(B-2)中，X表示-CH=CH-或-CH 2CH 2-。R 5~R 6及p分別與一般式(A-2)之R 5~R 6及p相同。
本發明之環烯烴係樹脂可為市售品。 環烯烴系樹脂之市售品之例包含由JSR(股)製之Arton G(例如G7810等)、Arton F、Arton R(例如R4500、R4900及R5000等)及Arton RX。
環烯烴系樹脂之固有黏度[η]inh於30℃之測定中，較佳為0.2～5cm 3/g之範圍內，更佳為0.3～3cm 3/g之範圍內，又更佳為0.4～1.5cm 3/g之範圍內。
環烯烴系樹脂之數平均分子量(Mn)，較佳為8000~100000之範圍內，更佳為10000~80000之範圍內，又更佳為12000~50000之範圍內。
環烯烴系樹脂之重量平均分子量(Mw)，較佳為20000~300000之範圍，更佳為30000~250000之範圍，又更佳為40000~200000之範圍。
環烯烴系樹脂之數平均分子量及重量平均分子量可藉由凝膠滲透層析儀(GPC)以聚苯乙烯換算而測定。
(凝膠滲透層析儀) 溶劑：二氯甲烷 管柱：Shodex K806、K805、K803G(昭和電工(股)製，3根連接而使用) 管柱溫度：25℃ 試料濃度：0.1質量% 檢測器：RI型號504(GL科學公司製) 泵：L6000(日立製作所(股)製) 流速：1.0mL/min 校準曲線：使用利用標準聚苯乙烯STK標準聚苯乙烯(Tosoh(股)製)Mw=500~2800000之範圍內之13個樣品之校準曲線。13個樣品較佳以大致相同的間隔使用。
固有黏度[η]inh、數平均分子量及重量平均分子量若在上述範圍，則環烯烴系樹脂之耐熱性、耐水性、耐藥品性、機械特性及作為薄膜之成形加工性可良好。
環烯烴系樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)[℃]通常為110℃以上，較佳為110~350℃之範圍內，更佳為120~250℃之範圍內，又更佳為120~220℃之範圍內。
玻璃轉移溫度(Tg)[℃]為110℃以上時，容易抑制高溫條件下之變形。 另一方面，玻璃轉移溫度(Tg)[℃]為350℃以下時，成形加工變容易，亦容易抑制樹脂因成形加工時之熱而劣化。
環烯烴系樹脂之含量相對於薄膜較佳為70質量%以上，更佳為80質量%以上。
(3.1.2)丙烯酸系樹脂 本發明之丙烯酸系樹脂係丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯之聚合物，且包含與其他單體之共聚物。 因此，本發明之丙烯酸系樹脂亦包括甲基丙烯酸樹脂。
作為樹脂雖未特別限制，但較佳甲基丙烯酸甲酯單位於50~99質量%之範圍內，及可與其共聚合之其他單體單位於1~50質量%之範圍內。
作為構成以共聚合形成之丙烯酸系樹脂之其他單位，舉例為烷基之碳數為2~18之甲基丙烯酸烷酯、烷基之碳數為1~18之丙烯酸烷酯、甲基丙烯酸異冰片酯、丙烯酸2-羥基乙酯等之丙烯酸羥基烷酯、丙烯酸、甲基丙烯酸等之α,β-不飽和酸、丙烯醯基嗎啉、N-羥基苯基甲基丙烯醯胺等之丙烯醯胺、N-乙烯基吡咯烷酮、馬來酸、富馬酸、衣康酸等之含不飽和基之二價羧酸、苯乙烯、α-甲基苯乙烯等之芳香族乙烯基化合物、丙烯腈、甲基丙烯腈等之α,β-不飽和腈、馬來酸酐、馬來醯亞胺、N-取代之馬來醯亞胺、戊二醯亞胺及戊二酸酐等。
由上述單位，作為形成戊二醯亞胺及戊二酸酐除外之單位之可共聚合單體，舉例為對應於上述單位之單體。
亦即舉例為烷基之碳數為2~18之甲基丙烯酸烷酯、烷基之碳數為1~18之丙烯酸烷酯、甲基丙烯酸異冰片酯、丙烯酸2-羥乙酯等之丙烯酸羥基烷酯、丙烯酸、甲基丙烯酸等之α,β-不飽和酸、丙烯醯基嗎啉、N-羥基苯基甲基丙烯醯胺等之丙烯醯胺、N-乙烯基吡咯烷酮、馬來酸、富馬酸、衣康酸等之含不飽和基之二價羧酸、苯乙烯、α-甲基苯乙烯等之芳香族乙烯基化合物、丙烯腈、甲基丙烯腈等之α,β-不飽和腈、馬來酸酐、馬來醯亞胺及N-取代馬來醯亞胺等之單體。
又戊二醯亞胺單位可藉由例如使具有(甲基)丙烯酸酯單位之中間體樹脂與1級胺(醯亞胺化劑)反應予以醯亞胺化而形成(參照日本特開2011-26563號公報)。
戊二酸酐單位可藉由例如將具有(甲基)丙烯酸酯單位之中間體樹脂加熱而形成(參見日本專利第4961164號公報)。
本發明之丙烯酸系樹脂中，上述構成單位中，基於機械強度之觀點，特佳包含甲基丙烯酸異冰片酯、丙烯醯基嗎啉、N-羥基苯基甲基丙烯醯胺、N-乙烯基吡咯烷酮、苯乙烯、甲基丙烯酸羥基乙酯、馬來酸酐、馬來醯亞胺、N-取代馬來醯亞胺、戊二酸酐或戊二醯亞胺。
本發明之丙烯酸系樹脂，基於控制對於環境之溫濕度環境之變化的尺寸變化之觀點、或薄膜生產時自金屬支撐體之剝離性、有機溶劑之乾燥性、耐熱性及機械強度的改善之觀點，重量平均分子量(Mw)較佳為50000~1000000之範圍內，更佳為100000~1000000的範圍內，特佳為200000~800000之範圍內。
若為50000以上，則耐熱性及機械強度優異，若為1000000以下，則自金屬支撐體之剝離性及有機溶劑的乾燥性優異。
作為本發明之丙烯酸系樹脂之製造方法未特別限制，可使用懸浮聚合、乳化聚合、塊狀聚合或溶液聚合等之任何習知方法之任一者。
此處，作為聚合起始劑，可使用通常之過氧化物系及偶氮系者，且亦可為氧化還原系。
關於聚合溫度，於懸浮或乳化聚合可於30~100℃之範圍內實施，於塊狀或溶液聚合可於80~160℃之範圍內實施。
為了控制所得共聚物之還原黏度，亦可使用烷基硫醇等作為鏈轉移劑實施聚合。
丙烯酸系樹脂之玻璃轉移溫度Tg[℃]，基於保持薄膜機械強度之觀點，較佳於80~120℃之範圍內。
作為本發明之丙烯酸系樹脂，亦可使用市售者。 舉例為例如DELPET 60N、80N、980N、SR8200(以上為旭化成化學(股)製)、DIANAL BR52、BR80、BR83、BR85、BR88、EMB-143、EMB-159、EMB-160、EMB-161、EMB-218、EMB-229、EMB-270、EMB-273(以上為三菱縲縈(股)製)、KT75、TX400S、IPX012(以上為電氣化學工業(股)製)等。 丙烯酸系樹脂亦可併用2種以上。
本發明之丙烯酸系樹脂較佳含有添加劑，作為添加劑之一例，較佳含有國際公開第2010/001668號中記載之丙烯酸粒子(橡膠彈性體粒子)，以提高薄膜之機械強度及調整尺寸變化率。
作為此種多層構造丙烯酸系粒狀複合體之市售品之例，舉例為例如三菱縲縈公司製之「METABLEN W-341」、KANEKA公司製之「KANEACE」、KUREHA公司製之「PARALOID」、羅門哈斯公司製之「ACRYLOID」、AICA公司製之「STAFYROID」、CHEMISNOW MR-2G、MS-300X(以上為綜研化學(股)製)及KURARAY公司製之「PARAPET SA」等，該等可單獨使用或使用2種以上。
丙烯酸粒子之體積平均粒徑為0.35μm以下，較佳為0.01～0.35μm之範圍內，更佳為0.05～0.30μm之範圍內。 粒徑若為一定以上，則薄膜在加熱下容易延伸，粒徑若為一定以下，則不易損及所得薄膜之透明性。
本發明之薄膜，基於柔軟性之觀點，彎曲彈性模數(JIS K7171)較佳為10.5GPa以下，更佳為1.3GPa以下，又更佳為1.2GPa以下。
上述彎曲彈性模數係隨薄膜中之丙烯酸系樹脂及橡膠彈性體粒子之種類及量等而變動，例如，橡膠彈性體粒子之含量越多，一般彎曲彈性模數越小。
且，作為丙烯酸系樹脂，相較於使用甲基丙烯酸烷酯之均聚物，使用甲基丙烯酸烷酯與丙烯酸烷酯的共聚物時，一般彎曲彈性模數較小。
(3.1.3)纖維素酯系樹脂 本發明之薄膜輥中，亦較佳使用纖維素酯系樹脂。
本發明所用之纖維素酯樹脂係指構成纖維素之β-1,4鍵結之葡萄糖單位中之2位、3位及6位之羥基(-OH)之氫原子之一部分或全部經醯基取代之纖維素醯化物樹脂。
上述纖維素酯未特別限制，但較佳為為碳數2~22左右之直鏈或分支之羧酸酯。 構成酯之羧酸可為脂肪族羧酸，亦可形成環，亦可為芳香族羧酸。
作為上述例，舉例為例如纖維素之羥基部分的氫原子經乙醯基、丙醯基、丁醯基、異丁醯基、戊醯基、特戊醯基、己醯基、辛醯基、月桂醯基、硬脂醯基等之碳數2~22之醯基取代之纖維素酯。
構成酯之羧酸(醯基)可具有取代基。 構成酯之羧酸特佳為碳數6以下之低級脂肪酸，更佳為碳數3以下之低級脂肪酸。
又，纖維素酯中之醯基可為單一種亦可組合複數種醯基。
較佳之纖維素酯之具體例舉例為例如二乙醯纖維素(DAC)、三乙醯纖維素(TAC)等之纖維素乙酸酯，此外舉例為纖維素乙酸酯丙酸酯(CAP)、纖維素乙酸酯丁酸酯、纖維素乙酸酯丙酸酯丁酸酯等之除乙醯基以外鍵結有丙烯酸酯基或丁酸酯基之纖維素的混合脂肪酸酯。 該等纖維素酯亦可使用單一種，亦可組合複數種使用。
(醯基之種類、取代度) 藉由調整纖維素酯之醯基種類及取代度，可將相位差之濕度變動控制在所需範圍內，且可提高薄膜厚度之均勻性。
由於纖維素酯之醯基取代度越小，相位差展現性越提高，故可薄膜化。 另一方面，醯基取代度若過小，則有耐久性變差之虞而欠佳。
另一方面，由於纖維素酯之醯基取代度越大，越不展現相位差，故製膜之際必須增加延伸倍率，但以高延伸倍率難以均勻延伸，因此，薄膜厚度之偏差變大(惡化)。
又，由於厚度方向之延遲(相位差)的Rt濕度變動係因水分子配位於纖維素的羰基而產生，因此醯基的取代度越高，亦即纖維素中之羰基越多，有Rt濕度變動越差之傾向。
纖維素酯較佳總取代度在2.1~2.5之範圍內。 藉由設為該範圍，可抑制環境變動(特別是濕度引起的Rt變動)，同時提高薄膜厚度的均勻性。
更佳，基於提高製膜時之澆鑄性及延伸性、進一步提高薄膜厚度之均勻性之觀點，係在2.2~2.45之範圍內。
更具體而言，纖維素酯同時滿足下述式(a)及(b)。下述式(a)及(b)中，X為乙醯基之取代度，Y係丙醯基或丁醯基之取代度，或為其混合物之取代度。
式(a)：2.1≦X+Y≦2.5 式(b)：0≦Y≦1.5
纖維素酯更佳為纖維素乙酸酯(Y=0)及纖維素乙酸酯丙酸酯(CAP)(Y；丙醯基，Y＞0)更佳，又更佳基於減少薄膜厚度偏差之觀點，係Y=0之纖維素乙酸酯。
特佳使用之纖維素乙酸酯，基於相位差展現性、Rt濕度變動、薄膜厚度偏差設為所需範圍之觀點，為2.1≦X≦2.5(更佳為2.15≦X≦2.45)之纖維素乙酸酯(DAC)。
又於Y＞0之情況下，特佳使用之纖維素乙酸酯丙酸酯(CAP)係0.95≦X≦2.25、0.1≦Y≦1.2、2.15≦X+Y≦2.45。
藉由使用上述纖維素乙酸酯或纖維素乙酸酯丙酸酯，可獲得延遲優異、機械強度和環境變動優異之薄膜輥。
又，醯基之取代度表示每1葡萄糖單位之醯基平均數，表示1個葡萄糖單位之2位、3位及6位之羥基的氫原子有多少被醯基取代。 因此，最大取代度為3.0，該情況意指2位、3位及6位之羥基的氫原子全部經醯基取代。
該等醯基可於葡萄糖單位之2位、3位及6位平均被取代，亦可具有分佈地被取代。 取代度係藉由ASTM-D817-96規定之方法求出。
為了獲得期望光學特性亦可混合使用取代度不同之纖維素乙酸酯。 上述情況下，不同纖維素乙酸酯之混合比例未特別限制。
纖維素酯之數平均分子量(Mn)若為2×10 4~3×10 5之範圍內，進而為2×10 4~1.2×10 5之範圍內，又進而為4×10 4~8×10 4之範圍內，則基於所得薄膜輥之機械強度變高之觀點係較佳。
纖維素酯之數平均分子量(Mn)係使用利用前述條件之凝膠滲透層析儀(GPC)測定而算出。
纖維素酯之重量平均分子量(Mw)若為2×10 4~1×10 6之範圍內，進而為2×10 4~1.2×10 5之範圍內，又進而為4×10 4~8×10 4之範圍內，則基於所得薄膜輥之機械強度變高之觀點係較佳。
纖維素酯原料之纖維素未特別限制，但可舉例為棉絨、木漿、大麻槿等。 且由該等所得之纖維素酯各亦可以任意比例混合使用。
纖維素乙酸酯、纖維素乙酸酯丙酸酯等之纖維素酯可藉由習知方法製造。
一般，將原料之纖維素與特定之有機酸(乙酸、丙酸等)、酸酐(乙酸酐，丙酸酐等)、觸媒(硫酸等)混合，將纖維素酯化並進行反應直到形成纖維素之三酯。
三酯中，葡萄糖單位之三個羥基經有機酸之醯基酸取代。
若同時使用兩種有機酸，則可製作混合酯型之纖維素酯，例如纖維素乙酸酯丙酸酯或纖維素乙酸酯丁酸酯。
其次，藉由將纖維素之三酯水解，合成具有所需醯基取代度之纖維素酯樹脂。 隨後，經過過濾、沉澱、水洗、脫水、乾燥等步驟，產生纖維素酯樹脂。具體可參照日本特開10-45804號中記載之方法合成。
(3.2)其他添加劑 本發明之薄膜輥除了上述熱塑性樹脂以外，可含有以下作為其他添加劑。
(3.2.1)塑化劑 本發明之薄膜輥基於對例如偏光板保護薄膜等賦予加工性之目的較佳含有至少一種塑化劑。 塑化劑較佳單獨使用或混合兩種以上使用。
就高度兼具透濕性之有效控制及與纖維素酯等之基材樹脂之相溶性之觀點，塑化劑中，較佳包含選自糖酯、聚酯及苯乙烯系化合物所成之群中之至少一種塑化劑。
就兼具耐濕熱性之改善及與纖維素酯等之基材樹脂之相溶性之觀點，該塑化劑之分子量較佳為15000以下，更佳為10000以下。
該分子量為10000以下之化合物為聚合物時，較佳重量平均分子量(Mw)為10000以下。 較佳之重量平均分子量(Mw)範圍在100~10000之範圍內，更佳在400~8000之範圍內。
特別是為了獲得本發明之效果，相對於基材樹脂100質量份較佳以6~40質量份之範圍內含有該分子量為1500以下之化合物，更佳以10~20質量份之範圍內含有。 藉由以上述範圍內含有，可兼具透濕性之有效控制及與基材樹脂之相溶性而較佳。
(糖酯) 本發明之薄膜輥基於防止水解之目的可含有糖酯化合物。
具體而言，作為糖酯化合物，可使用具有1個以上12個以下之吡喃糖構造或呋喃糖構造之至少一種，且其構造之OH基之全部或一部分經酯化之糖酯。
(聚酯) 本發明之薄膜輥亦可含有聚酯。
聚酯未特別限制，但可使用例如可藉由二羧酸或該等之酯形成性衍生物與二醇之縮合反應所得之末端成為羥基之聚合物(聚酯多元醇)、或該聚酯多元醇之末端羥基經單羧酸封端之聚合物(末端密封聚酯)。
又此處之酯形成性衍生物有二羧酸之酯化物、二羧醯氯、二羧酸的酸酐。
(苯乙烯系化合物) 本發明之薄膜輥中，基於改善薄膜之耐水性之目的，除上述糖酯、聚酯以外，亦可使用苯乙烯系化合物，或取代上述糖酯、聚酯而使用。
苯乙烯化合物可為苯乙烯單體之均聚物，亦可為苯乙烯系單體與其以外之共聚單體之共聚物。
苯乙烯系化合物中源自苯乙烯系單體之構造單位之含有比例，為使分子構造具有一定以上之體積，較佳在30~100莫耳%之範圍內，更佳在50~100莫耳%之範圍內。
苯乙烯系單體之例包含苯乙烯；α-甲基苯乙烯、β-甲基苯乙烯、對-甲基苯乙烯等之烷基取代苯乙烯類；4-氯苯乙烯、4-溴苯乙烯等之鹵素取代之苯乙烯類；對-羥基苯乙烯、α-甲基-對-羥基苯乙烯、2-甲基-4-羥基苯乙烯、3,4-二羥基苯乙烯等之羥基苯乙烯類；乙烯基苯甲醇類；對-甲氧基苯乙烯、對-第三丁氧基苯乙烯、間-第三丁氧基苯乙烯等之烷氧基取代之苯乙烯類；3-乙烯基苯甲酸、4-乙烯基苯甲酸等之乙烯基苯甲酸類；4-乙烯基苄基乙酸酯；4-乙醯氧基苯乙烯；2-丁基醯胺苯乙烯、4-甲醯胺苯乙烯、對-磺醯胺苯乙烯等之醯胺苯乙烯類；3-胺基苯乙烯、4-胺基苯乙烯、2-異丙烯基苯胺、乙烯基苄基二甲胺等之胺基苯乙烯類；3-硝基苯乙烯、4-硝基苯乙烯等之硝基苯乙烯類；3-氰基苯乙烯、4-氰基苯乙烯等之氰基苯乙烯類；乙烯基苯基乙腈；苯基苯乙烯等之芳基苯乙烯類、茚類等。 苯乙烯系單體可為一種，亦可組合兩種以上。
(3.2.2)任意成分 本發明之薄膜輥可包含抗氧化劑、著色劑、紫外線吸收劑、消光劑、丙烯酸粒子、氫鍵性溶劑及離子性界面活性劑等之其他任意成分。 該等成分相對於基材樹脂100質量份，可在0.01~20質量份之範圍內添加。
(抗氧化劑) 本發明之薄膜輥作抗氧化劑可使用通常已知之抗氧化劑。 特別是可較佳地使用內酯系、硫系、酚系、雙鍵系、受阻胺系、磷系之各化合物。
該等抗氧化劑等，相對於薄膜的主原料之樹脂，以0.05~20質量%之範圍內，較佳以0.1~1質量%之範圍內添加。 該等抗氧化劑等，相較於僅使用一種，藉由併用數種不同系的化合物可獲得相乘作用。 例如，較佳併用內酯系、磷系、酚系及雙鍵系化合物。
(著色劑) 本發明之薄膜輥，在不損及本發明效果之範圍內，為了進行色調調整，較佳包含著色劑。
所謂著色劑係指染料或顏料，本發明中，係指具有使液晶畫面之色調變藍色調之效果或黃色指數之調整、霧度減低者。
作為著色劑可使用各種染料、顏料，但蒽醌染料、偶氮染料、酞菁顏料等為有效。
(紫外線吸收劑) 由於本發明之薄膜輥亦可使用於偏光板之觀察側或背光側，故基於賦予紫外線吸收機能為目的，可含有紫外線吸收劑。
作為紫外線吸收劑未特別限制，但可舉例為苯并三唑系、2-羥基二苯甲酮系或水楊酸苯酯系等之紫外線吸收劑。
例如可例示2-(5-甲基-2-羥基苯基)苯并三唑、2-[2-羥基-3,5-雙(α,α-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑、2-(3,5-二第三丁基-2-羥基苯基)苯并三唑等之三唑類、2-羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2-羥基-4-辛氧基二苯甲酮及2,2’-二羥基-4-甲氧基二苯甲酮等之二苯甲酮類。 上述紫外線吸收劑可單獨使用一種，亦可組合兩種以上使用。
紫外線吸收劑之使用量根據紫外線吸收劑種類、使用條件等而不同，但一般相對於基材樹脂，以0.05~10質量%之範圍內，較佳以0.1~5質量%之範圍內添加。
(微粒子) 本發明之薄膜輥較佳添加對薄膜輥賦予平滑性之微粒子。 特別是，基於提高本發明之薄膜表面的平滑性，改善捲取時之平滑性，防止傷痕發生及黏連發生之觀點，添加微粒子係有效的。
作為微粒子，只要不損及所得之薄膜輥的透明性且有熔融時之耐熱性，則無機微粒子或有機微粒子均可使用，但更佳為無機微粒子。 該等微粒子可單獨使用，亦可併用兩種以上使用。
藉由併用粒徑或形狀(例如針狀與球狀等)之不同粒子，亦可兼具高度透明性及平滑性。
構成上述微粒子之化合物中，特佳使用由於折射率與前述環烯烴系樹脂、丙烯酸系樹脂或纖維素酯系樹脂相近故透明性(濁度)優異之二氧化矽。
作為二氧化矽之具體例可較佳地使用具有AEROSIL(註冊商標)200V、AEROSIL(註冊商標)R972V、AEROSIL(註冊商標)R972、R974、R812、200、300、R202、OX50、TT600、NAX50(以上為日本AEROSIL股份有限公司製)、Seahoster(註冊商標)KEP-10、Seahoster(註冊商標)KEP-30、Seahoster(註冊商標)KEP-50(以上由日本觸媒股份有限公司製)、Silohovic(註冊商標)100(富士Silysia股份有限公司製)、Nip Seal(註冊商標)E220A(日本Silica工業股份有限公司製)及AdmaFine(註冊商標)SO (Admatex股份有限公司製)等之商品名之市售品。
作為粒子形狀，可不受特別限制地使用不定形、針狀、扁平或球狀等，但特別是使用球狀粒子時由於所得之薄膜輥之透明度可為良好故而較佳。
由於粒子大小若接近可見光的波長，則光被散射使透明度變差，故較佳小於可見光的波長，又更佳為可見光波長的1/2以下。
粒子大小若過小，則有平滑性未改善之情況，故特佳為80~180nm之範圍內。 又，所謂粒子大小，於粒子為一次粒子之凝集體時意指凝集體的大小。 又，粒子不為球狀時，意指相當於其投影面積之圓的直徑。
微粒子相對於基材樹脂，較佳以0.05~10質量%之範圍內，更佳以0.1~5質量%之範圍內添加。
4.偏光板 本發明之薄膜輥的一部分薄膜藉由設於偏光板中而適當地使用。 偏光板一般係由偏光器(亦稱為「偏光薄膜」或「偏光器膜」)與積層於其兩面上之透明樹脂薄膜構成，本發明之薄膜輥之一部分薄膜可作為例如該樹脂薄膜設於偏光板中。
作為偏光板舉例為例如具有使用偏光器膜之偏光器層、使用樹脂薄膜之偏光板保護薄膜與設於該等之間的接著層之構成者。
(4.1)偏光器層 上述偏光器層係至少由偏光器薄膜所成之層。 此處，「偏光器」係指僅使一定方向的極化面之光通過的元件。
作為偏光薄膜可舉例為例如聚乙烯醇系之偏光薄膜或纖維素酯系之偏光薄膜，但聚乙烯醇系樹脂與纖維素酯系樹脂相比，就透明度、光學特性、耐久性等優異之方面而較佳。
聚乙烯醇系偏光薄膜有以碘對聚乙烯醇系薄膜染色者與進行二色性染料染色者。
聚乙烯醇系偏光薄膜可為將聚乙烯醇系薄膜單軸延伸後，以碘或二色性染料染色之薄膜(較佳進而以硼化合物實施耐久性處理之薄膜)，或以碘或二色性染料將聚乙烯醇系薄膜染色後，單軸延伸之薄膜(較佳進而以硼化合物實施耐久性處理之薄膜)。 偏光器層之吸收軸通常與最大延伸方向平行。
例如使用日本特開2003-248123號公報、日本特開2003-342322號公報等中記載之乙烯單位含量為1~4莫耳%，聚合度2000~4000，皂化度99.0~99.99莫耳%之乙烯改質聚乙烯醇。
偏光器層之厚度較佳為5~30μm，為了使偏光板薄型化，更佳為5~20μm。
(4.2)偏光板保護薄膜 本發明之薄膜輥之一部分薄膜可配置於偏光器層之至少一面(至少與液晶單元對向之面)上，可作為偏光板保護薄膜或相位差薄膜使用。 偏光板保護薄膜之偏光器層所積層之面亦可實施以後述之活化處理。
本發明之薄膜輥之一部分作為偏光板保護薄膜僅配置於偏光器層之一面時，於偏光器層之另一面上可配置相位差薄膜等之其他光學薄膜。
其他光學薄膜之例包含市售之纖維素酯薄膜(例如KONICA MINOLTA TAC KC8UX、KC5UX、KC4UX、KC8UCR3、KC4SR、KC4BR、KC4CR、KC4DR、KC4FR、KC4KR、KC8UY、KC6UY、KC4UY、KC4UE、KC8UE、KC8UY-HA、KC2UA、KC4UA、KC6UA、KC8UA、KC2UAH、KC4UAH、KC6UAH，以上為KONICA MINOLTA(股)製，FUJITAC T40UZ、FUJITAC T60UZ、FUJITAC T80UZ、FUJITAC TD80UL、FUJITAC TD60UL、FUJITAC TD40UL、FUJITAC R02、FUJITAC R06，以上為富士軟(股)製)等。
其他光學薄膜之厚度可為例如5~100μm，較佳為40~80μm。
(4.3)接著層 接著層係配置於本發明之薄膜輥之一部分薄膜(或其他光學薄膜)與偏光器層之間之將水系接著劑或紫外線硬化型接著劑乾燥者。
接著層之厚度可為例如0.01~10μm，較佳為0.03~5μm左右。
(水系接著劑) 水系接著劑之例包含乙烯基系、明膠系、乙烯基系乳膠系、聚胺基甲酸酯系、異氰酸酯系、聚酯系、環氧系等。
於偏光器層使用聚乙烯醇系偏光薄膜時，基於容易獲得接著性之觀點等，較佳為含有乙烯基系樹脂之水系接著劑，更佳為含有聚乙烯醇系樹脂之水系接著劑(完全皂化型聚乙烯醇水溶液等)。
含有聚乙烯醇系樹脂之水性接著劑亦可進而含有硼酸或硼砂、戊二醛或三聚氰胺、草酸等之水溶性交聯劑。
(紫外線硬化型接著劑) 紫外線硬化型接著劑可為光自由基聚合性組成物，亦可為光陽離子聚合性組成物。 其中，較佳為光陽離子性聚合性組成物。
光陽離子聚合性組成物包含環氧系化合物及光陽離子聚合起始劑。
環氧系化合物係於分子內具有1個以上，較佳2個以上之環氧基的化合物。
環氧系化合物之例包含使脂環式多元醇與表氯醇反應所得之氫化環氧系化合物(具有脂環式環之多元醇的縮水甘油醚)；脂肪族多元醇或其環氧烷加成物之聚縮水甘油醚等之脂肪族環氧系化合物；分子內具有1個以上之鍵結於脂環式脂環氧基的脂環式環氧系化合物。 環氧系化合物可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
光陽離子聚合起始劑例如為芳香族重氮鎓鹽；芳香族碘鹽或芳香族鋶鹽等之鎓鹽；鐵-芳烴錯合物等。
光陽離子聚合起始劑根據需要亦可進而含有氧雜環丁烷、多元醇等之陽離子聚合促進劑、光增感劑、溶劑等之添加劑。
(4.4)偏光板之製造方法 本發明之偏光板之製造方法具有下述步驟：1)對偏光板保護薄膜表面實施活化處理之步驟，2)經由水性接著劑或紫外線硬化型接著劑於偏光板保護薄膜之經實施活化處理之表面上積層偏光器層(偏光薄膜)之步驟，及3)將所得之積層板乾燥之步驟。
關於1)之步驟 對偏光板保護薄膜之表面(與偏光器層貼合之面)實施活化處理。 藉此，容易獲得與偏光器層之接著性。
具體而言，藉由活化處理，將偏光板保護薄膜中所含之特定接枝聚合物之側鏈的矽氧烷鍵或醚鍵、3級碳原子等予以親水化，提高與水性接著劑之親和性，容易進行相互作用，容易使偏光板保護薄膜與偏光器層接著。
活化處理之例包含電暈處理、電漿處理及鹼化處理，較佳為電暈處理及電漿處理，更佳為電暈處理。
活化處理條件只要可使特定之接枝聚合物側鏈中所含之矽氧烷鍵或醚鍵、3級碳原子等充分活化之程度即可。 活化處理為電暈處理時，照射量較佳在100~1000[W·min/m 2]之範圍內，更佳在150~900[W·min/m 2]之範圍內。
關於2)之步驟 其次，於偏光板保護薄膜之經實施活化處理之面經由水性接著劑或紫外線硬化型接著劑積層偏光器層。
關於3)之步驟 其次，將所得之積層板乾燥獲得偏光板。
乾燥可藉由加熱乾燥進行。 乾燥溫度只要為使水性接著劑或紫外線硬化型接著劑充分乾燥之溫度即可，例如可為60~100℃之範圍內。
5.顯示裝置 本發明之薄膜輥之一部分薄膜可包含於顯示裝置而適當地使用。 作為前述顯示裝置之例舉例為液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置等之各種圖像顯示裝置。 以下作為本發明之薄膜輥之一部分薄膜的使用例，將針對作為偏光板保護薄膜而含於偏光器及液晶顯示裝置之情況加以說明。
(5.1)液晶顯示裝置 作為本發明之顯示裝置，具體舉例為例如包含液晶單元與夾持其之一對偏光板的液晶顯示裝置。
圖16係顯示本發明之液晶顯示裝置之構成一例的示意圖。 如圖16所示，液晶顯示裝置(300)包括液晶單元(220)、夾持其之第1偏光板(210)及第2偏光板(230)、及背光源(240)。
液晶單元(220)之顯示模式可為例如STN、TN、OCB、HAN、VA(MVA、PVA)、IPS等之各種顯示模式，為了獲得高的對比度，較佳為VA(MVA、PVA)模式。
第1偏光板(210)包含第1偏光器(212)、配置於第1偏光器(212)之與液晶單元相反側之面之偏光板保護薄膜(211)、及配置於第1偏光器(212)之液晶單元側之面之偏光板保護薄膜(213)。
第2偏光板(230)包含第2偏光器(232)、配置於第2偏光器(232)之液晶單元側之面之偏光板保護薄膜(231)、及配置於第2偏光器(232)之與液晶單元相反側之面之偏光板保護薄膜(233)。偏光板保護薄膜(213)與(231)之一者可根據需要而省略。
因此，偏光板保護薄膜(211)與(233)之至少一者可為本發明之樹脂薄膜。
(5.2)其他用途 本發明之薄膜輥之一部分薄膜不僅可作為液晶顯示裝置之偏光板保護薄膜，亦可較佳地使用作為具備觸控面板之圖像顯示裝置、或有機EL顯示器或電漿顯示器等之圖像顯示裝置等之保護薄膜。
又，本發明可適用之實施形態不限於上述實施形態，在不背離本發明之精神之範圍內，可適當變更。 [實施例]
以下，舉例實施例具體說明本發明，但本發明不受該等之限制。又實施例中，使用「份」或「%」之表示，只要未特別指明，則表示「質量份」或「質量%」。
[A 薄膜輥之製作] [A.1 薄膜輥No.1之製作] 薄膜之製膜係使用溶液澆鑄製膜法。
(濃液調製步驟[S1]) ＜環狀聚烯烴聚合物[P-1]之合成＞ 將100質量份純化甲苯與100質量份之降冰片烯羧酸甲酯放入攪拌裝置。
其次將溶解於甲苯中之己酸乙酯-Ni 25毫莫耳% (相對單體質量)、三(五氟苯基)硼0.225莫耳%(相對單體質量)及溶解於甲苯之三乙基鋁0.25莫耳%(相對單體質量)放入攪拌裝置。 於室溫下邊攪拌邊反應18小時。
反應完成後將反應混合物投入過量乙醇中生成聚合物沉澱。 將沉澱純化所得之聚合物以真空乾燥在65℃乾燥24小時，合成環狀聚烯烴聚合物[P-1]。
＜環狀聚烯烴溶液(濃液[D-1])之調製＞ 將下述組成物[1]放入混合槽中，攪拌使各成分溶解後，以平均孔徑34μm之濾紙及平均孔徑10μm之燒結金屬過濾器過濾，調製環狀聚烯烴溶液(濃液[D-1])。
《組成物[1]》 ・環狀聚烯烴聚合物[P-1]                    25質量份 ・二氯甲烷                                       65質量份 ・乙醇                                             10重量份
＜微粒子分散液[1]之調製＞ 其次將下述組成物[2]放入分散機中，調製作為添加劑之微粒子分散液[1]。
《組成物[2]》 ・微粒子(Aerosil R812：日本AEROSIL公司製，一次平均粒徑：7nm，表觀比重50g/L)             4質量份 ・二氯甲烷                                       76質量份 ・乙醇                                             20質量份
＜製膜用濃液[1]之調製＞ 將100質量份之上述環狀聚烯烴溶液(濃液[D-1])與0.75質量份之微粒子分散液[1]混合，調製製膜用濃液[1](樹脂組成物環烯烴系樹脂：COP)。
(澆鑄步驟[S2]) 將濃液調製步驟[S1]中調製之製膜用濃液[1](樹脂組成物環烯烴系樹脂：COP)通過加壓型定量齒輪泵，藉由導管送液至澆鑄模嘴，以製膜線為1800mm寬自澆鑄模嘴將濃液澆鑄至由環形輸送之旋轉驅動不鏽鋼製環形帶所成之支撐體上的澆鑄位置，在支撐體上加熱直至濃液具有自我支撐性，藉由使溶劑蒸發而乾燥至可藉由剝離輥將澆鑄膜自支撐體剝離，形成澆鑄膜。
(剝離步驟[S3]) 於澆鑄步驟[S2]中，於形成澆鑄膜後，藉由剝離輥將澆鑄膜自支撐體以具有自我支撐性之狀態剝離。
(收縮步驟[S4]) 將薄膜以不保持寬度之狀態進行高溫處理，藉由提高薄膜密度將薄膜於寬度方向以收縮率7%收縮。
(第1乾燥步驟[S5]) 之後，將薄膜在支撐體上加熱使溶劑蒸發。 藉由下述方法測定薄膜之殘留溶劑量之結果，為5質量%以下。
＜殘留溶劑量測定＞ 殘留溶劑量係藉由氣相層析法如下所示進行質量分析。 亦即，採取任意部位之薄膜片，為了防止薄膜中殘留之溶劑揮發，立即將其固定在小瓶中並栓上塞子。 其次，將針插入小瓶中，使用氣相層析儀(安捷倫科技(股)製)進行質量分析。
又殘留溶劑量係以下述式定義。 殘留溶劑量[質量%]={(M-N)/N}×100 又，上述式中之M為澆鑄膜或薄膜製造中或製造後之任意時點採取之試料質量[g]，上述式中之N為上述試料於115℃加熱1小時後之質量[g]。
(第1延伸步驟[S6]) 隨後，將薄膜在拉幅延伸裝置中輸送並橫向延伸。
(第1切斷步驟[S7]) 將經延伸之薄膜的寬度方向兩端部切斷。
(第2延伸步驟[S8]) 與第1延伸步驟同樣，藉由拉幅延伸裝置將薄膜延伸。 藉由上述方法測定薄膜之殘留溶劑量之結果，為1~5質量%。
(第2切斷步驟[S9]) 在第1切斷步驟同樣，將經延伸之薄膜的寬度方向兩端部切斷。
(第1乾燥步驟[S10]) 與第1乾燥步驟同樣，將薄膜於支撐體上加熱使溶劑蒸發。 藉由上述方法測定薄膜之殘留溶劑量之結果，為0.1~2質量%。
(第3切斷步驟[S11]) 與第1切斷步驟及第2切斷步驟同樣，將經延伸之薄膜的寬度向兩端部切斷。
(捲取步驟[S12]) 上述薄膜以60m/min的捲取速度(輸送薄膜之線速度)，將薄膜輥寬設為2000mm，捲取捲長10000m。 測定捲取時之薄膜厚度之結果，為40μm。
又，使用捲取裝置及TR(接觸輥)，將捲取時捲芯周邊部之接觸壓調節為15.2N/m，張力調節為40N/m，將捲中央部之接觸壓調節為16.0 N/m，張力調節為40N/m，將捲外周邊部之接觸壓調節為16.0N/m，張力調節為40N/m，以錐度70%，拐角25%實施。
藉由線延遲/膜厚測定裝置RE-200L2T-Rth+膜厚(大塚電子(股)製)於1612個部位測定薄膜厚度，算出薄膜表面形成之凹凸構造之最高部分與最低部分之高度差作為其平均值。 此時，以橫向運動速度為100mm/sec進行。
藉由以上步驟，進行薄膜輥No.1之製作。
[A.2 薄膜輥No.2~13之製作] 於濃液調製步驟[S1]中，除了將製膜用濃液(樹脂組成物)之種類、捲取步驟[S12]之捲取長[m]、捲取速度[m/min]、薄膜厚度[μm]、捲取時之捲芯周邊部之接觸壓[N/m]及張力[N/m]、捲中央部之接觸壓[N/m]及張力[N/m]、捲外周邊部之接觸壓[N/m]及張力[N/m]如表1般變更以外，與薄膜輥No.1同樣製作薄膜輥No.2~13。
[B 捲芯周邊部、捲中央部及捲外周邊部之空隙層厚度之計算] 將製作之各薄膜輥於40℃、80%RH下保存1週後，以前述(空隙層計算方法之一例)算出捲芯周邊部、捲中央部及捲外周邊部之空隙層厚度。
以下顯示使用薄膜輥No.1計算捲芯周邊部之空隙層厚度之具體方法。
將保存1週後之薄膜輥No.1之寬度方向側面部之成為捲徑20%之位置(P 20)為中心，拍攝該側面部，取得前述圖像數據，對取得之圖像數據進行邊緣強調處理，獲得用以計算圖3之空隙層厚度之加工圖像。
其後，以加工圖像之中心(P 20)為起點，將與薄膜面垂直朝向捲外側位於第100層之位置的點作為終點，測定半徑方向長度，使用下述式(A)計算捲芯周邊部之空隙層厚度X[μm]。
式(A) 空隙層厚度X[μm]=[半徑方向長度[μm]-(以膜厚計測定之薄膜層每1層之平均厚度[μm])×(層數)] ÷(層數)
若將測定之值代入時，成為薄膜輥No.1之空隙層厚度X[μm]=[4021μm-40.00μm×100]÷100=0.21μm。
關於捲中央部之空隙層厚度，除了以寬度方向側面部之成為捲徑50%之位置(P 50)為中心，拍攝該側面部，將加工圖像之中心(P 50)設為起點以外，與捲芯周邊部之空隙層厚度同樣計算。
關於捲外周邊部之空隙層厚度，除了以寬度方向側面部之成為捲徑80%之位置(P 80)為中心，拍攝該側面部，將加工圖像之中心(P 80)設為起點以外，與捲芯周邊部之空隙層厚度同樣計算。
[C.評價] [C.1 以膠帶轉印程度之評價] (評價方法) 將上述保存1週後之各薄膜輥之薄膜捲鬆弛，使用轉速表測定顯示於捲取裝置之薄膜長度方向之位值係自捲芯部分到多少[m]，基於以下評價基準，評價寬度方向之帶狀變形清楚看見之膠帶轉印。結果示於表1。
(評價基準) ○：膠帶轉印僅於自捲芯部分於未達20m發生。 △：膠帶轉印於自捲芯部分於20m以上且未達50[m]發生。 ×：膠帶轉印僅於自捲芯部分於50m以上發生。
[C.2 以鏈狀變形程度之評價] (評價方法) 將上述保存1週後之各薄膜輥之薄膜輥捲鬆弛，使用轉速表測定顯示於各捲取裝置之薄膜長度方向之位值，基於以下評價基準，評價發生鏈狀變形之薄膜長度。 又，下述評價基準中若為△以上，則判斷實用上無問題。結果示於表I。
(評價基準) ◎：發生鏈狀變形之薄膜長度未達10m。 〇：發生鏈狀變形之薄膜長度為10m以上且未達50m。 △：發生鏈狀變形之薄膜長度為50m以上且未達200m。 ×：發生鏈狀變形之薄膜長度為200m以上。
[D總結] 如由表I所示之條件及評價結果可了解，本發明之實施例相對於比較例，膠帶轉印程度及鏈狀變形之程度評價較高，總體上較優異。
1,1a:攪拌裝置(攪拌槽) 2:澆鑄模嘴 3:支撐體(環形帶、滾筒) 3a,3b:輥 4:剝離輥 5:澆鑄膜 6:乾燥裝置 7:延伸裝置(拉幅延伸裝置、斜向延伸裝置) 8:切斷部 9:延伸裝置(拉幅延伸裝置) 10:切斷部 11:乾燥裝置 12:切斷部 13:捲取裝置 14:擠出機 15:澆鑄模嘴 16:澆鑄滾筒、支撐體 16a:接觸輥 17:冷卻滾筒 19:延伸裝置(拉幅延伸裝置) 20:切斷部 21:延伸裝置(拉幅延伸裝置) 22:切斷部 23:捲取裝置 30:薄膜輥 31:薄膜 32:輥 33:接觸輥 40:延伸裝置(拉幅延伸裝置) 42:夾具 46:蓋 48:環形鏈條 50:主動鏈輪 52:從動鏈輪 54:導軌 56:開放構件 60:全反射鏡 61:半鏡面 62:遠心透鏡 63:高亮度線照明 64:單色線感測器相機 80:溫度分佈感測器 101:噴嘴固定部分 102:噴嘴 103:澆鑄膜 104:端部噴嘴 105:中央噴嘴 106:夾具蓋 200:液晶顯示裝置 210:第1偏光板 211:於第1偏光器之與液晶單元側相反側之面上配置之偏光板保護薄膜 212:第1偏光器 213:於第1偏光器之液晶單元側之面上配置之偏光板保護薄膜 220:液晶單元 230:第2偏光板 231:於第2偏光器之液晶單元側之面上配置之偏光板保護薄膜 232:第2偏光器 233:於第2偏光器之與液晶單元側相反側之面上配置之偏光板保護薄膜 240:背光源 A:捲芯周邊部 B:捲中央部 C:捲外周邊部 F:薄膜 H A,H B:寬 Q:熱電偶、紅外線(IR)加熱器 E:攝像裝置 R:捲芯 TD:薄膜輥之寬度方向 U:攝像單元 P:薄膜輥之長度方向側面部上之任意點 S:薄膜輥之被測定面(寬度方向側面部) S 0:捲芯表面 S 1:貼附於捲芯表面之薄膜層 S 2:成為捲芯周邊部與捲中央部之邊界之薄膜層 S 3:成為捲中央部與捲外周邊部之邊界之薄膜層 S 4:薄膜輥之最外層之薄膜層 P 20:成為捲徑20%之位置 P 50:成為捲徑50%之位置 P 80:成為捲徑80%之位置
[圖1]係表示薄膜輥之寬度方向側面部與攝像裝置之位置關係的概略圖。 [圖2]係自與薄膜輥之寬度方向側面部垂直之面觀察該側面部時之概略圖。 [圖3]係用以算出空隙層厚度之加工圖像。 [圖4]係用於說明捲芯周邊部、捲中心部及捲外周邊部之薄膜輥之寬度方向側面部之一部分的簡略概念圖。 [圖5]係攝像單位之內部構成示意圖。 [圖6]係攝像裝置之系統構成之概略圖。 [圖7]係顯示溶液澆鑄製膜法之製造步驟流程之流程圖。 [圖8係藉由溶液澆鑄製膜法製造薄膜之裝置的概略圖。 [圖9]係示意性表示拉幅延伸裝置之內部構成之俯視圖。 [圖10]係卸下拉幅延伸裝置之蓋板的狀態之俯視圖。 [圖11]係自正面觀察拉幅延伸裝置內之3個區域時之噴嘴與加熱器設置部分之概略圖。 [圖12]係拉幅延伸裝置內之3個區域的側視圖。 [圖13]係顯示捲取薄膜之步驟及捲取之後的本發明薄膜輥之剖面之概略圖。 [圖14]係顯示熔融澆鑄製膜法之製造步驟流程之流程圖。 [圖15]係藉由熔融澆鑄製膜法製造薄膜之裝置的示意圖。 [圖16]係顯示本發明之液晶顯示裝置之構成之一例的示意圖。
30:薄膜輥
E:攝像裝置
R:捲芯
TD:薄膜輥之寬度方向
U:攝像單元
P:薄膜輥之長度方向側面部上之任意點
S0:捲芯表面
S4:薄膜輥之最外層之薄膜層

Claims (7)

  1. 一種薄膜輥，其係不具有滾花加工部之薄膜輥，其特徵係 將前述薄膜輥之寬度方向側面部所測定之捲芯周邊部之相互鄰接的薄膜間之空隙層的厚度設為X[μm]，將捲外周邊部之相互鄰接之薄膜間之空隙層的厚度設為Y[μm]時，前述X與前述Y滿足下述式(1)之關係， 式(1)：Y＜X。
  2. 如請求項1之薄膜輥，其中前述X[μm]與前述Y[μm]滿足下述式(2)及下述式(3)之關係， 式(2)：0.05＜Y＜0.50 式(3)：1＜(X/Y)＜3。
  3. 一種薄膜輥之製造方法，其係製造不具有滾花加工部之薄膜輥之方法，其特徵係 將前述薄膜輥之寬度方向側面部所測定之前述捲芯周邊部之相互鄰接的薄膜間之空隙層的厚度設為X[μm]，將前述捲外周邊部之相互鄰接之薄膜間之空隙層的厚度設為Y[μm]時，將前述X與前述Y調整為滿足下述式(1)之關係， 式(1)：Y＜X。
  4. 如請求項3之薄膜輥之製造方法，其中將前述X[μm]與前述Y[μm]調整為滿足下述式(2)及下述式(3)之關係， 式(2)：0.05＜Y＜0.50 式(3)：1＜(X/Y)＜3。
  5. 如請求項3或4之薄膜輥之製造方法，其中將前述捲芯周邊部之薄膜接觸壓調整為2~30[N/m]之範圍內，將捲中央部之薄膜接觸壓調整為3~40[N/m]之範圍內，及將前述捲外周邊部之薄膜接觸壓調整為5~55[N/m]之範圍內。
  6. 一種偏光板，其特徵係具備如請求項1或2之薄膜輥之一部分薄膜。
  7. 一種顯示裝置，其特徵係具備如請求項1或2之薄膜輥之一部分薄膜。
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