TW202408915A - 薄膜卷、其製造方法、偏光板及顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題係提供在輸送時無捲繞偏離，長期保管時也無黏貼故障的薄膜卷、其製造方法、偏光板，及顯示裝置。 [解決手段]一種薄膜卷，其係不具有壓花加工部的薄膜卷，在前述薄膜卷之寬度方向側面部測定之卷芯周邊部之彼此相鄰之薄膜間之空隙層的厚度設為X[μm]，卷外圍邊部之彼此相鄰之薄膜間之空隙層的厚度設為Y[μm]時，前述X與前述Y滿足下述式(1)之關係， 式(1) X＜Y。

Description

薄膜卷、其製造方法、偏光板及顯示裝置
本發明係有關薄膜卷、其製造方法、偏光板、及顯示裝置。更詳細而言，有關在輸送時無捲繞偏離，長期保管時也無黏貼故障的薄膜卷。
近年，隨著液晶電視之激烈的價格競爭，偏光板業者檢討減少切換損等的成本，而將其偏光板所使用的薄膜進行長版化。
薄膜藉由進行長版化，以連結損失、檢查工數、輸送、副資材等各種觀點，可期待減低成本，該薄膜通常由於保管・搬送的便利性，在製造後，捲繞成卷筒狀。
但是特別是將薄膜形成長版卷的薄膜卷，特別是在製品輸送時，有產生捲繞偏離，將該薄膜卷進行長期保管時，因薄膜間之空氣排除所致之黏貼故障的問題。
解決上述問題的手段，考慮與保護膜一同捲繞的手段，但是有保護膜成為廢棄物的問題。
不造成廢棄物，而解決上述問題的手段，考慮預先在薄膜之端部施加壓花加工，捲繞時，在該薄膜間納入空氣，形成適度厚度的空隙層(也稱為「空氣層」)，抑制該薄膜彼此黏貼的手段。 但是藉由上述壓花加工的手段，相較於與保護膜一同捲繞的手段，抑制黏貼的效果弱，特別是在卷外側部分，因經時薄膜間之空氣排除，而有容易產生黏貼故障的問題。 又，為了上述黏貼故障抑制，形成厚的空隙層時，製品輸送時，有產生捲繞偏離的問題。
專利文獻1揭示薄膜之捲繞時，捲繞張力大小與薄膜端部之壓花的高度對應於薄膜卷之卷徑產生變化，納入該薄膜間之空氣的量成為一定，形成適度厚度之空氣層的手段，但是為了解決上述問題，仍有改善的余地。
又，本說明書中，「空隙層」係指薄膜卷中，與相鄰之薄膜對向之表面間的空隙間所形成的層，可存在空氣、或空氣以外之其他物質(例如惰性氣體等之氣體)的層。嚴格說，藉由此「空隙層」中之空氣所構成的層稱為「空氣層」，因兩者無區別，特別是不影響本發明時，該「空氣層」也可表示「空隙層」。 又，相鄰之薄膜存在於彼此一者之薄膜表面之微細凹凸形狀的凸部，對於對向之另一薄膜表面，多處接觸的形態也為空隙層的一形態。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2013-46966號公報
[發明所欲解決之課題]
本發明係有鑑於上述問題・狀況而完成者，其解決課題係提供在輸送時無捲繞偏離，長期保管時也無黏貼故障的薄膜卷、其製造方法、偏光板，及顯示裝置。 [用以解決課題之手段]
本發明人為了解決上述課題，檢討上述問題之原因等的結果，發現對於薄膜卷未施加壓花加工，藉由將卷外圍邊部之薄膜間之空隙層的厚度比卷外圍邊部之空隙層的厚度厚，可解決上述課題遂完成本發明。 亦即，本發明的上述課題係藉由以下的手段而解決。
1.一種薄膜卷，其係不具有壓花加工部的薄膜卷，在前述薄膜卷之寬度方向側面部測定之卷芯周邊部之彼此相鄰之薄膜間之空隙層的厚度設為X[μm]，卷外圍邊部之彼此相鄰之薄膜間之空隙層的厚度設為Y[μm]時，前述X與前述Y滿足下述式(1)之關係。
式(1) X＜Y。
2.如第1項之薄膜卷，其中前述X[μm]與前述Y[μm]滿足下述式(2)及下述式(3)。
式(2) 0.15＜X＜0.40 式(3) 1＜(Y/X)≦3。
3.一種薄膜卷之製造方法，其係製造不具有壓花加工部之薄膜卷的製造方法，在前述薄膜卷之寬度方向側面部測定之前述卷芯周邊部之彼此相鄰之薄膜間之空隙層的厚度設為X[μm]，前述卷外圍邊部之彼此相鄰之薄膜間之空隙層的厚度設為Y[μm]時，前述X與前述Y滿足下述式(1)之關係。
式(1) X＜Y。
4.如第3項之薄膜卷之製造方法，其中使前述X[μm]與前述Y[μm]滿足下述式(2)及下述式(3)的方式進行調製。
式(2) 0.15＜X＜0.40 式(3) 1＜(Y/X)≦3。
5.如第3項或第4項之薄膜卷之製造方法，其中將前述卷芯周邊部的薄膜觸壓在6～55[N/m]之範圍內，卷中央部的薄膜觸壓在4～40[N/m]之範圍內，及前述卷外圍邊部的薄膜觸壓在3～30[N/m]之範圍內進行調整。
6.一種偏光板，其係具備如第1項或第2項之薄膜卷之一部分的薄膜。
7.一種顯示裝置，其係具備如第1項或第2項之薄膜卷之一部分的薄膜。 [發明效果]
藉由本發明之上述手段，可提供在輸送時無捲繞偏離，長期保管時也無黏貼故障的薄膜卷、其製造方法、偏光板，及顯示裝置。 關於本發明效果之展現機構或作用機構雖不明確，推測為如下述。
本發明之薄膜卷係未施加壓花加工，藉由將卷外圍邊部之薄膜間之空隙層的厚度比卷芯周邊部之空隙層的厚度厚，即使輸送時，也不會產生捲繞偏離，即使長期保管時也可防止黏貼故障。
如以往，施加了壓花加工的薄膜卷，由於僅滾花部分，支撐薄膜，故防止捲繞偏離用之規制力施加於滾花部分，對薄膜施加的應力不平衡，該薄膜間之空氣排除量特別是在卷外側變多，故空隙層之厚度成為不均勻，長期保管時，產生黏貼故障。
對此，推測本發明之薄膜卷無滾花加工部分，薄膜彼此之微小之接觸面全體，支撐該薄膜，且相較於卷芯側，卷外側之空隙層增厚，故長期保管時，該薄膜間之空氣排除量即使在卷外側變多，空隙層之厚度也不易變得不均勻，對薄膜施加的應力均勻，黏貼故障消失。
說明上述之「薄膜彼此之微小的接觸面」。 本發明之薄膜卷未壓花加工，但是通常薄膜表面，具有奈米尺寸之微細的凹凸形狀，故相鄰薄膜之相對向之表面之多數凸部，在各處互相與另一表面接觸，在該凸部之微小接觸面的全體支撐該薄膜。
亦即，例如由於凸部之一部分接觸，該薄膜彼此並非僅空隙層例如空氣層支撐，也有藉由該微小之凹凸所致之複數接觸點支撐的情形。
在此，薄膜卷之輸送時，該薄膜卷寬度方向(卷芯之長軸方向)所產生的慣性力。
圖1係對接近卷芯側之薄膜施加之對薄膜卷寬度方向之慣性力的概念圖，圖2係對接近卷外側之薄膜施加之對薄膜卷寬度方向之慣性力的概念圖。
將卷芯作為R，接近被薄膜卷(30)捲繞之卷芯(R)側的薄膜作為F in，接近卷外側的薄膜作為F out時，如圖1及圖2所示，得知接近卷芯(R)側的薄膜(F in)，施加比該薄膜(F in)捲繞於卷外側之薄膜層(L 1)之質量分的慣性力，但是接近卷外側的薄膜(F out)，僅施加捲繞於比該薄膜(F out)卷外側之薄膜層(L 2)之質量分的慣性力。
如上述，接近卷芯(R)側的薄膜(F in)，比接近卷外側的薄膜(F out)大之質量分的慣性力產生作動，慣性力與質量成比例，故該薄膜(F in)，比該薄膜(F out)大的慣性力產生作動，故考量在卷芯側變得容易產生捲繞偏離。
相對於此，本發明之薄膜卷係藉由將卷外圍邊部之薄膜間之空隙層的厚度比卷芯周邊部之薄膜間之空隙層的厚度厚，故相較於卷外圍邊部，卷芯周邊部在薄膜彼此產生之摩擦力變大，如上述，推測對與卷芯側產生大作動之慣性力的取得平衡，如上述，可抑制在卷芯側變得容易產生捲繞偏離的情形。
本發明之薄膜卷係不具有壓花加工部的薄膜卷，在前述薄膜卷之寬度方向側面部測定之卷芯周邊部之彼此相鄰之薄膜間之空隙層的厚度設為X[μm]，卷外圍邊部之彼此相鄰之薄膜間之空隙層的厚度設為Y[μm]時，前述X與前述Y滿足前述式(1)的關係。 藉由上述特徵可解決本發明的課題。
又，本發明之薄膜卷之製造方法係製造不具有壓花加工部之薄膜卷的製造方法，在前述薄膜卷之寬度方向側面部測定之前述卷芯周邊部之彼此相鄰之薄膜間之空隙層的厚度設為X[μm]，前述卷外圍邊部之彼此相鄰之薄膜間之空隙層的厚度設為Y[μm]時，調整前述X與前述Y滿足前述式(1)的關係。 上述二個特徵係在下述各實施形態(態樣)共同或對應的技術特徵。
本發明之實施態樣，就輸送時之捲繞偏離防止及長期保管時之黏貼故障抑制的觀點，較佳為前述X[μm]與前述Y[μm]滿足前述式(2)及前述式(3)。
就輸送時之捲繞偏離防止及長期保管時之黏貼故障抑制的觀點，調整前述X[μm]與前述Y[μm]為滿足前述式(2)及前述式(3)較佳。
將前述卷芯周邊部的薄膜觸壓在6～55[N/m]之範圍內，卷中央部的薄膜觸壓在4～40[N/m]之範圍內，及前述卷外圍邊部的薄膜觸壓在3～30[N/m]之範圍內進行調整，輸送時之捲繞偏離防止及長期保管時之黏貼故障抑制，故較佳。
本發明之薄膜卷之一部分的薄膜，可適合在偏光板具備的狀態使用。
本發明之薄膜卷之一部分的薄膜，可適合在顯示裝置具備的狀態使用。
以下詳細地說明本發明與其構成要素，及實施本發明之形態・態樣。又，本願中，「～」係以包含其前後所記載之數值作為下限值及上限值的意義使用。
1.薄膜卷 (1.1)薄膜卷之概要 本發明之薄膜卷係不具有壓花加工部的薄膜卷，在前述薄膜卷之寬度方向側面部測定之卷芯周邊部之彼此相鄰之薄膜間之空隙層的厚度設為X[μm]，卷外圍邊部之彼此相鄰之薄膜間之空隙層的厚度設為Y[μm]時，前述X與前述Y滿足下述式(1)的關係。
式(1) X＜Y。
本發明之薄膜卷(「薄膜卷」係指卷成捲筒狀的薄膜)係由於將卷外圍邊部之薄膜間之空隙層的厚度比卷芯周邊部之空隙層的厚度厚，故卷芯側之薄膜產生之摩擦力變大，可防止輸送時之特別是卷芯周邊部的捲繞偏離。
又，無滾花部分，如前述，以薄膜彼此之微小的接觸面全體，支撐該薄膜，且由於卷外側之空隙層比卷芯側厚，故長期保管時，該薄膜間之空氣排除量即使在卷外側變多，空隙層之厚度也不會不均勻，對薄膜施加之應力變成均勻，故可消除黏貼故障。
本發明之實施態樣係前述X[μm]與前述Y[μm]滿足前述式(2)及前述式(3)，就輸送時之捲繞偏離防止及長期保管時之黏貼故障抑制的觀點，較佳。
(1.2)薄膜間之空隙層 (1.2.1)空隙層之厚度控制手段 本發明之薄膜卷係藉由將納入適度的空氣量用的空隙層在卷外圍邊部增厚，相對地提高薄膜彼此之卷芯周邊部的摩擦力，提高輸送時之捲繞偏離防止及長期保管時之黏貼故障抑制的效果。 又，即使在卷外的部分排除更多的空氣，也可將薄膜卷全體之空隙層之厚度之偏離壓低，在薄膜間形成均勻的空隙層。
這種手段，可列舉例如藉由接觸輥(touch roll)改變薄膜觸壓的手段或改變捲繞張力、捲繞速度及滾輪夾角等的手段等。 上述的接觸輥可為複數，也可實施作為表面加工的鉻塗覆(coating)。 又，上述接觸輥也可使用彈性滾輪等。
(1.2.2)空隙層之厚度算出方法 圖3表示薄膜卷之寬度方向側面部與影像裝置之位置關係的概略圖。 如圖3，影像裝置(E)被設置於捲繞於卷芯(R)之薄膜卷(30)的寬度方向側面側。 又，圖3中之TD為薄膜卷的寬度方向。
以下，說明藉由上述影像裝置之薄膜卷之寬度方向側面部之攝影方法之一例與空隙層之厚度的算出方法。
以影像裝置之一部分的影像單元(U)，以薄膜卷之寬度方向側面部上之任意點(P)作為中心，將薄膜卷的寬度方向側面部進行攝影，取得算出薄膜間之空隙用的圖像數據。
圖4係由薄膜卷之寬度方向側面部與該側面部垂直的面觀看時的概略圖。
在此，如圖4，由卷芯表面(S 0)至薄膜卷之最外層的薄膜層(S 4)，將卷徑以百分比表示時，卷芯表面(S 0)的卷徑為0%，薄膜卷之最外層之薄膜層(S 4)的卷徑為100%。
將卷芯周邊部進行攝影時，以成為卷徑20%的位置(P 20)為中心，攝影該側面部，取得前述圖像數據。
又，將卷中央部進行攝影時，以成為卷徑50%的位置(P 50)為中心，攝影該側面部，將卷外圍邊部進行攝影時，以成為卷徑80%的位置(P 80)為中心，將該側面部進行攝影，取得前述圖像數據。
然後，對於取得之圖像數據，進行邊緣強調處理，如圖5，得到算出空隙層之厚度用的加工圖像，算出薄膜卷之寬度方向側面部的卷芯周邊部、卷中央部及卷外圍邊部之各自之彼此相鄰之薄膜間之空隙層的厚度。
薄膜間之空隙層的厚度，由於在卷芯周邊部、卷中央部及卷外圍邊部之3個區域算出，算出上述空隙層之厚度用之具體的例示之前，首先，說明卷芯周邊部、卷中央部及卷外圍邊部之3個區域的概念。
圖6係說明卷芯周邊部、卷中央部及卷外圍邊部用之薄膜卷之寬度方向側面部之一部分的簡略概念圖。
圖6中，直接捲繞於卷芯(R)，黏貼於卷芯表面(S 0)(無圖示)之薄膜的層設為S 1，將薄膜卷之最外層設為S 4時，由S 1至S 4之區域分割成3個均等之區域時之卷芯側的區域作為卷芯周邊部(A)，卷外側的區域作為卷外圍邊部(C)，該卷芯周邊部(A)與卷外圍邊部(C)之間的區域作為卷中央部(B)。 又，成為卷芯周邊部(A)與卷中央部(B)之邊界之薄膜的層作為S 2，成為卷中央部(B)與卷外圍邊部(C)之邊界之薄膜的層作為S 3。
算出卷周邊部之空隙層之厚度用之具體的例，可列舉例如下述的算出方法。
(空隙層之厚度之算出方法之具體例) 例如卷芯周邊部之空隙層之厚度之算出時，以前述之位置(P 20)為中心，將薄膜卷之寬度方向側面部進行攝影，取得算出薄膜間之空隙用的圖像數據，然後，對於取得的圖像數據，進行邊緣強調處理，得到如圖5之加工圖像，以該加工圖像的中心(P 20)作為始點，垂直於薄膜面，向卷外側，以位於第100層之位置的點作為終點，測定半徑方向長度，使用下述式(A)，算出空隙層的厚度X[μm]。
式(A)空隙層的厚度X[μm]=[半徑方向的長度[μm]-(以膜厚計測定之薄膜層之1層時的平均厚度[μm])×(層數)]÷(層數)
又，上述式中之(層數)係前述終點為垂直於薄膜面，向卷外側，以位於第幾層來決定，如前述，第100層時，(層數)=100。
卷中央部之空隙層之厚度之算出時，除了將前述位置(P 20)變更為位置(P 50)外，與上述同樣算出，卷外圍邊部之空隙層之厚度，除了將前述位置(P 20)變更為位置(P 80)外，與上述同樣算出。
又，由於薄膜卷的全長較短，故以前述任意的點(P)為中心，將薄膜卷的寬度方向側面部進行攝影時，薄膜面垂直向卷外側，無100層時，例如只有第70層的層時，位於該第70層之位置的點作為終點，測定半徑方向長度，使用上述式(A)，算出空隙層之厚度X[μm]即可。
上述式(A)中的膜厚計，例如可使用線上(in line)延遲・膜厚測定裝置RE-200L2T-Rth+膜厚(大塚電子(股)製)。
(影像單元與影像裝置的系統構成) 作為影像單元係使用以下構成者。 圖7係影像單元(U)的內部構成示意圖，圖7中之S為薄膜卷之被測定面(寬度方向側面部)。又，圖7中之主要構成零件如下述。
＜構成零件＞ ・全反射鏡(60) ・半鏡面(Half Mirror)(61) ・遠心鏡頭(62)(MML1-HR130VI-35F：股份公司MORITEX公司製、倍率×1、WD130mm) ・高亮度線照明(63)(LNSP2-100SW：CCS公司製) ・黑白線性影像感測器相機(64)(RMSL8K39CL：日本ELECTRONICS DEVICES公司製、3.5μm/pixel之8000像素)
又，影像裝置之系統構成係如圖8之概略圖所示者。
2.薄膜卷之製造方法 本發明之薄膜卷之製造方法，其係製造不具有壓花加工部之薄膜卷的製造方法，在前述薄膜卷之寬度方向側面部測定之前述卷芯周邊部之彼此相鄰之薄膜間之空隙層的厚度設為X[μm]，前述卷外圍邊部之彼此相鄰之薄膜間之空隙層的厚度設為Y[μm]時，調整為使前述X與前述Y滿足前述式(1)的關係。
上述薄膜卷之製造方法中，前述X[μm]與前述Y[μm]調整為前述式(2)及前述式(3)，就輸送時之捲繞偏離防止及長期保管時之黏貼故障抑制的觀點，較佳。
又，將前述卷芯周邊部之薄膜觸壓在6～55[N/m]之範圍內，卷中央部之薄膜觸壓在4～40[N/m]之範圍內，及前述卷外圍邊部之薄膜觸壓在3～30[N/m]之範圍內進行調整，就輸送時之捲繞偏離防止及長期保管時之黏貼故障抑制的觀點，較佳。
本發明之薄膜卷之製造，可使用通常的充氣法、T型模頭(T-die)法、壓延(calendaring)法、切削法、流延法、乳液法、熱壓成形(hot press)法等的製造方法，但是就著色抑制、異物缺點之抑制、模切線(die line)等之光學缺點之抑制等的觀點，較佳為溶液流延製膜法與熔融流延製膜法，特別是溶液流延製膜法使薄膜之表面均勻，故較佳。
(2.1)溶液流延製膜法 圖9係表示溶液流延製膜法之製造步驟之流程圖，圖10係藉由溶液流延製膜法製造薄膜之裝置的概略圖。
以下溶液流延製膜法中，邊參照圖9及圖10邊說明。 藉由溶液流延製膜法之薄膜的製造方法係包含膠漿調製步驟[S1]、流延步驟[S2]、剝離步驟[S3]、收縮步驟[S4]、第1乾燥步驟[S5]、第1延伸步驟[S6]、第1切斷步驟[S7]、第2延伸步驟[S8]、第2切斷步驟[S9]、第2乾燥步驟[S10]、第3切斷步驟[S11]，及捲繞步驟[S12]。
又，上述製造方法不需要包含第1乾燥步驟[S5]及第2乾燥步驟[S10]之兩者，只要包含至少任一步驟即可。 又，含有第1延伸步驟[S6]、第2延伸步驟[S8]及第1切斷步驟[S7]、第2切斷步驟[S9]及第3切斷步驟[S11]任一之切斷步驟即可。
(2.1.1)膠漿調製(攪拌調製)步驟[S1] 以下，作為本發明之一實施形態，使用作為熱塑性樹脂之環烯烴系樹脂(以下，也稱為「COP」)時作為一例，說明膠漿調製步驟，但是本發明不限定於此。
圖9之膠漿調製(攪拌調製)步驟[S1]係以圖10之攪拌裝置(1)之攪拌槽(1a)，至少攪拌樹脂及溶劑，流延至支撐體(3)(環形帶)上調製膠漿。
(溶劑) 上述溶劑係使用良溶劑及弱溶劑的混合溶劑。 本步驟係以對於COP之良溶劑為主的溶劑，在溶解槽中，將該COP，有時將其他的化合物邊進行攪拌邊溶解，形成膠漿(dope)的步驟，或在該COP溶液中，混合其他的化合物溶液形成主溶解液之膠漿的步驟。
將膠漿流延至支撐體後，就減低乾燥負荷的觀點，膠漿中之COP的濃度較高為佳。但是該濃度過高時，該膠漿過濾時之負荷增加，精度變差，故必須兼具上述乾燥負荷之減低與過濾時之負荷抑制。 為了兼具此兩者時，膠漿中之COP的濃度，較佳為10～35質量%的範圍內，更佳為15～30質量%的範圍內。 又，膠漿中，較佳為0.01～2質量%之範圍內含有水。
膠漿可使用的溶劑，可單獨使用或併用二種以上，就生產效率的觀點，混合使用COP之良溶劑與弱溶劑較佳，就COP之溶解性的觀點，良溶劑較多者為佳。
良溶劑與弱溶劑之混合比率之較佳的範圍係良溶劑為70～98質量%的範圍內，弱溶劑為2～30質量%的範圍內。
又，本說明書中，COP之「良溶劑」係定義為單獨溶解使用的COP者，COP之「弱溶劑」係定義為將使用之COP以單獨產生膨潤或不溶解者。 因此，由於上述COP之平均取代度，而改變良溶劑、弱溶劑。
本發明所使用之良溶劑，無特別限定，可列舉例如二氯甲烷等之有機鹵化合物或二氧戊環類、丙酮、乙酸甲酯、乙醯乙酸甲酯等，特佳為二氯甲烷或乙酸甲酯。
本發明所使用之弱溶劑，無特別限定，例如較佳為使用甲醇、乙醇、n-丁醇、環己烷、環己酮等。
又，COP之溶解所使用之溶劑，在各步驟中，藉由乾燥，回收由薄膜除去的溶劑，此作為再利用使用。
回收溶劑中，COP所添加的添加劑，例如可塑劑、紫外線吸收劑、樹脂、單體成分等含有微量，但是此等含有也可再利用，必要時，也可經純化再利用。
(溶解方法) 上述記載之調製膠漿時之COP的溶解方法，可使用一般的方法。 具體而言，在常壓下進行的方法、主溶劑的沸點以下進行的方法、主溶劑的沸點以上加壓進行的方法較佳，組合加熱與加壓時，可加熱至常壓下的沸點以上。
又，溶劑之常壓下的沸點以上，且在加壓下，溶劑不會沸騰之範圍的溫度下邊加熱邊攪拌溶解的方法也可防止凝膠或被稱為結塊之塊狀未溶解物之發生，故較佳。
又，將COP與弱溶劑混合，使濕潤或膨潤後，進一步，添加良溶劑溶解的方法也可使用。
加壓可藉由將氮氣等之惰性氣體壓入的方法或藉由加熱使溶劑之蒸汽壓上昇的方法來進行。 加熱較佳為由外部進行，例如夾套型者，溫度控制容易，較佳。
添加溶劑之加熱溫度，就COP之溶解性的觀點，加熱溫度高者較佳，但是加熱溫度過高時，必要之壓力變大，生產性變差。
較佳之加熱溫度為30～120℃之範圍內，更佳為60～110℃之範圍內，又更佳為70～105℃之範圍內。 又，壓力調整為在設定溫度下，溶劑不會沸騰。
或也可使用冷卻溶解法，藉此可使COP溶解於乙酸甲酯等的溶劑。
(過濾) 其次，將此COP溶液(溶解中或溶解後的膠漿)使用濾紙等之適當的過濾材進行過濾較佳。
作為過濾材，為了除去不溶物等，故絕對過濾精度較小者為佳，但是絕對過濾精度過小時，有容易發生過濾材之阻塞的問題。 因此，較佳為絕對過濾精度0.008mm以下的濾材，更佳為0.001～0.008mm之範圍內的濾材，又更佳為0.003～0.006mm之範圍內的濾材。
濾材的材質無特別限制，可使用一般的濾材，但是聚丙烯、鐵氟龍(註冊商標)等之塑膠製的濾材或不銹鋼帶等之金屬製的濾材，無纖維脫落等，故較佳。
藉由過濾除去減低原料之COP所含有的雜質，特別是亮點異物，較佳。
亮點異物係指2片偏光板形成直交偏光狀態(crossed nicols)配置，其間放置薄膜等，由其一偏光板側照光，由另一偏光板側觀察時，可看見相反側之漏光的點(異物)，直徑為0.01mm以上的亮點數為200個/cm 2以下較佳。 更佳為100個/cm 2以下，又更佳為50個/m 2以下，又更佳為0～10個/cm 2以下。 又，0.01mm以下的亮點較少較佳。
膠漿的過濾可以通常的方法進行，溶劑之常壓下的沸點以上，且在加壓下，溶劑不會沸騰之範圍的溫度，邊加熱邊過濾的方法，在過濾前後之濾壓之差(稱為差壓)之上昇較小，故較佳。
較佳之溫度為30～120℃之範圍內，更佳為45～70℃之範圍內，又更佳為45～55℃之範圍內。
濾壓小者為佳。 具體而言，較佳為1.6MPa以下，更佳為1.2MPa以下，又更佳為1.0MPa以下。
(2.1.2)流延步驟[S2] 圖9之流延步驟[S2]中，將以膠漿調製步驟[S1]調製的膠漿通過加壓型定量齒輪泵(gear pump)等，藉由導管送液至圖10的流延模(2)，自流延模(2)將膠漿流延至無限移送之旋轉驅動不銹鋼製環形帶(endless belt)所成之支撐體(3)上的流延位置，形成流延膜(5)。
此時，流延模(2)之傾斜，亦即，自流延模(2)對支撐體(3)之膠漿的吐出方向係對於支撐體(3)之面(膠漿流延的面)之法線的角度，成為0～90°之範圍內的方式，適宜設定即可。
然後，將上述流延膜(5)在支撐體(3)上使加熱・乾燥，藉由剝離滾輪(4)，流延膜(5)可自支撐體(3)剝離為止使溶劑蒸發。 又，本發明中，流延膜係指自上述之唇部分流延的膠漿膜。
上述的蒸發，較佳為在5～75℃之範圍內的環境下進行。 使溶劑蒸發時，有將溫風對流延膜(5)上面的方法，及/或自支撐體(3)的背面，藉由液體傳熱的方法，及藉由輻射熱自正反面傳熱的方法等，藉由輻射熱，自正反面傳熱的方法，乾燥效率較佳。 又，較佳為使用組合彼等的方法。
流延(cast)之寬，就生產性的觀點，較佳為1.3m以上。 更佳為1.3～4.0m之範圍內。 流延之寬，未超過4.0m時，在製造步驟，未產生條紋，其後之搬送步驟的安定性變高。 就搬送性、生產性的觀點，又更佳為1.3～3.0m之範圍內。
(流延模) 流延模有衣架模頭或T模等，皆可適合使用。
熟悉該項技藝者在流延步驟中，為了提高薄膜之厚度之均勻性時，可列舉溶液流延製膜法與熔融流延製膜法皆為控制流延模之唇部分(流延模狹縫之膠漿流出的部分)的狹縫間隙(slit gap)(狹縫噴嘴液吐出口之前端開口部)的方法。
例如，擠壓高黏度的膠漿(包含熔化(melt))時，雖產生上述狹縫間隙之寬度不均，為了防止此現象，以寬度設置複數支熱螺栓(heat bolt)，控制狹縫間隙的方法。
但是此方法，有熱螺栓數之物理的設置極限的問題。 又，為了抑制產生上述狹縫間隙之寬度不均之寬度下的壓力變動，有將流延模之內部構造產生寬度變化的方法，但是依據生產品種必須切換流延模，而有花費時間及成本的問題。
流延模設置將膠漿吐出(熔融的情形，樹脂之擠壓)之狹縫調整寬度的機構。 藉由上述流延模之熱螺栓，將膠漿吐出之狹縫寬度的間隙，使吐出隨後之膜厚偏離相對於流延膜全體，調整為1.0～5.0%的範圍內，控制流延膜之初期吐出膜厚較佳。
為了提高本發明之薄膜的製膜速度，可在支撐體上設置2台以上之上述流延模，分割膠漿量，可為多層。 或藉由同時流延複數之膠漿的共流延法，得到積層構造的薄膜卷較佳。 為了提高製膜速度，可在支撐體上設置2台以上之流延模，分割膠漿量，可為多層。
(支撐體) 支撐體(3)較佳為使用例如以不銹鋼帶或鑄件，進行表面精加工(plating finish)的滾筒(drum)，藉由一對的滾輪(3a)、滾輪(3b)及位於此等之間之複數的滾輪保持。 此時，支撐體的表面，成為鏡面較佳。
滾輪(3a)及(3b)之一者，或兩者，設置對於支撐體(3)賦予張力的驅動裝置，藉此，支撐體(3)係以施加張力的狀態使用。
流延步驟[S2]之支撐體(3)的表面溫度係在-50℃～溶劑之沸點之範圍內的溫度，由於溫度高者，流延膜之乾燥速度快，故較佳。
較佳之支撐體溫度為0～55℃之範圍內，更佳為22～50℃的範圍內。
又，支撐體之溫度，可為全體相同，也可為因位置而異。
控制支撐體(3)之溫度的方法，無特別限制，例如有吹送溫風或冷風的方法或、使溫水接觸支撐體之背面側的方法。 使用溫水者，有效地傳達熱，故支撐體之溫度成為一定為止的時間短，故較佳。 使用溫風的情形，有使用比目的溫度高之溫度的風的情形。
(2.1.3)剝離步驟[S3] 本步驟中，以流延步驟[S2]，在支撐體(3)上，流延膜(5)成為可剝離之膜強度為止使溶劑蒸發，使乾燥固化或冷卻凝固後，將薄膜繞支撐體(3)一周之前，將薄膜由支撐體(3)剝離。 亦即，本步驟係在支撐體(3)上，將溶劑蒸發後的薄膜，在剝離位置進行剝離的步驟。 此時，就面品質、透濕性、剝離性的觀點，在30～600秒之範圍內，將上述的薄膜由支撐體進行剝離較佳。
剝離步驟[S3]係將薄膜具有自撐性的狀態，藉由剝離滾輪(4)(幫助薄膜之剝離的輥)進行剝離。 支撐體上之剝離位置的溫度，較佳為-50～40℃之範圍內，更佳為10～40℃之範圍內，最佳為15～30℃之範圍內。
(殘留溶劑量) 剝離步驟[S3]中之剝離時之支撐體(3)上之薄膜的殘留溶劑量係因乾燥之條件之強弱、支撐體(3)之長度等適宜調節，收縮步驟[S4]中之殘留溶劑量，由於薄膜之厚度、樹脂等影響大，故剝離步驟[S3]與收縮步驟[S4]中，有在殘留溶劑量較佳之範圍進行重複的範圍。
薄膜之殘留溶劑量係因薄膜之厚度而改變，但是剝離點(由支撐體剝離薄膜的位置)的殘留溶劑量過多時，有薄膜太軟，變得不易剝離的情形，有損平面性，或容易發生因剝離張力之橫紋、二層或縱線的情形。 相反地，殘留溶劑量過少時，途中，薄膜之局部產生剝離的情形。
由上述的觀點，為了顯示薄膜良好的平面性時，就兼具經濟速度與品質的觀點，殘留溶劑量，較佳為10～50質量%的範圍內。
提高製膜速度的方法(殘留溶劑量盡可能在較多時，進行剝離，故可提高製膜速度)，可列舉即使殘留溶劑量多，也可剝離的凝膠流延法(gel casting)。
上述的方法，可在膠漿中，添加對COP之弱溶劑，膠漿流延後，將流延膜進行凝膠化的方法、藉由將支撐體進行冷卻，使流延膜凝膠化，在含有許多殘留溶劑的狀態下，進行剝離的方法等。 又，也有在膠漿中，添加金屬鹽的方法。
如上述，在支撐體上，使流延膜凝膠化，藉由增強膜，使薄膜由支撐體快速剝離，可提高製膜速度。
殘留溶劑量係以下述式定義。
式：殘留溶劑量[質量%]={(M-N)/N}×100
又，上述式中之M係將流延膜或薄膜在製造中或製造後之任意時點採取之試料的質量，N為將M以115℃，加熱1小時後的質量。
(剝離張力) 剝離支撐體與薄膜時的剝離張力，較佳為300N/m以下。 更佳為196～245N/m的範圍內，剝離時容易產生皺紋時，較佳為以190N/m以下的張力進行剝離。
(2.1.4)收縮步驟[S4] 收縮步驟[S4]係將薄膜(F)在面內，往寬度方向收縮的步驟。 例如將薄膜在不保持寬度的狀態下，進行高溫處理，提高薄膜之密度的方法、由支撐體剝離後的薄膜在搬送方向(Machine Direction，以下稱為「MD方向」)施加張力，在薄膜面內，與MD方向正交的寬度方向(TD方向)進行延伸收縮的方法，及急速減少薄膜之殘留溶劑量等的方法，使薄膜(F)收縮的方法。 此時，薄膜係在薄膜面內，與MD方向正交的寬度方向(Traverse Direction，以下也稱為「TD方向」)進行收縮。
藉由收縮步驟，促進薄膜之厚度方向中之樹脂分子(基質(matrix)分子)間之糾纏，故例如偏光板製作時，即使將薄膜介於偏光鏡與接著劑進行接著時，上述接著劑介於基質分子間之糾纏的部分(交聯部分)，也容易滲透至薄膜內部。 其結果，介於接著劑，可將薄膜牢固於偏光鏡，可提高對偏光鏡之薄膜的剝離強度。 換言之，可確保薄膜與偏光鏡之良好的接著性。
(收縮率之定義) 本發明中，收縮率係以下述式定義。
式：收縮率[%]=收縮步驟終了時之薄膜的寬度[mm]/收縮步驟開始時之薄膜的寬度[mm]×100
在此，收縮步驟[S4]中，薄膜之收縮率過小時，促進基質分子間之糾纏的效果不足，過大時，薄膜(延伸薄膜)之生產效率有降低的疑慮。 因此，收縮步驟[S4]中之薄膜之收縮率，較佳為1～40%之範圍內，更佳為5～20%之範圍內。
(收縮率之測定方法與算出方法) 薄膜之寬度，可以股份公司KEYENCE製之LS-9000測定。 又，本發明之薄膜的收縮率係藉由上述測定器，將薄膜之寬度在每1秒測定5分鐘(300秒)之各值的平均值作為薄膜的寬度，代入上述式所求得，但是不限於上述的方法，例如，也可使用由尺讀取薄膜之寬度的值，作為薄膜的寬度，代入上述式中。
(2.1.5)第1乾燥步驟[S5] 第1乾燥步驟[S5]中，藉由乾燥裝置(6)，將薄膜(F)在支撐體上加熱，使溶劑蒸發，乾燥的步驟。
圖10中之乾燥裝置(6)內，由側面看，藉由配置成彼此不同狀態之複數的搬送輥，搬送薄膜(F)，其間薄膜(F)被乾燥。
乾燥裝置(6)內的乾燥方法，無特別限制，一般使用熱風、紅外線、加熱輥、微波等，使薄膜(F)乾燥，但是就簡便的觀點，較佳為以熱風乾燥薄膜(F)的方法。 又，較佳也可為彼等組合的方法。 又，第1乾燥步驟[S5]，必要時進行即可。
薄膜為不厚時，乾燥快，但是太急速的乾燥，容易損及完成之薄膜的平面性。 薄膜藉由高溫乾燥時，必須考慮乾燥前之殘留溶劑量，但是殘留溶劑量不會太多，可防止因溶劑之發泡所導致的故障。
第1乾燥步驟[S5]前的殘留溶劑量，較佳為30質量%以下，通過乾燥步驟全體，乾燥溫度大概在30～250℃之範圍內進行。 特別是在35～200℃之範圍內使乾燥較佳，乾燥溫度係以階段性提高較佳。
薄膜之乾燥時，一般採用輥乾燥方式(在上下配置之多數的輥，使薄膜交互通過乾燥的方式)或以拉幅機方式，邊搬送薄膜邊乾燥的方式。
薄膜之乾燥使用拉幅機(tenter)拉伸裝置時，在後述的延伸步驟中，使用藉由拉幅機拉伸裝置之左右把持手段，將薄膜之把持長(把持開始至把持終了的距離)可以左右獨立控制的裝置較佳。 又，延伸步驟中，為了改善平面性，較佳為刻意製作具有不同溫度的區隔。
此外，在不同之溫度區隔，為了不干涉各自之區隔，較佳為設置中性區。
(2.1.6)第1延伸步驟[S6] 第1延伸步驟[S6]可為將薄膜(F)在薄膜面內僅在MD方向進行延伸的步驟，也可為僅在TD方向進行延伸的步驟，也可為對MD方向及TD方向之兩者，或對斜方向進行延伸的步驟。 又，延伸方向無特別限定，但是就得到廣寬度之薄膜的觀點，較佳為至少包含寬度方向之延伸的步驟。 這種延伸係藉由延伸裝置(7)進行。
(延伸方法) 延伸方法，可列舉設置輥之周速差，在搬送方向(薄膜之長度方向；製膜方向；流延方向；縱方向；MD方向)進行延伸(縱延伸)的方法或、以夾具等固定薄膜(F)之兩側緣部，在寬度方向(薄膜面內正交的方向；薄膜之寬度方向；橫方向；TD方向)進行延伸(橫延伸)的方法、依序進行縱延伸與橫延伸的方法(逐次2軸延伸)及同時進行縱延伸與橫延伸的方法(同時2軸延伸)等，此等之中，橫延伸或同時2軸延伸(包含斜延伸)中，可使用拉幅機拉伸裝置。 拉幅機拉伸裝置係以夾具把持薄膜之寬度方向的兩端部，此夾具與薄膜一同行走，藉由擴大間隔，將薄膜進行延伸的裝置。
上述方法之中，使用拉幅機拉伸裝置之所謂的拉幅機方式，由於提高薄膜之性能・生產性、平面性或尺寸安定性，故較佳。
又，所謂的拉幅機法時，以線性驅動(linear drives)方式驅動夾具部分時，可進行平順地延伸，減少斷裂等的危險性，故較佳。
製膜步驟之此等之寬度保持或橫方向之延伸，較佳為藉由拉幅機拉伸裝置進行，也可為針板拉幅機(pin tenter)或布鋏拉幅機(clip tenter)。 又，延伸裝置(7)內，除延伸外，可進行乾燥。
(拉伸率) 為了確保高相位差、確保廣寬度，及促進與偏光鏡接著時之接著劑滲透，在延伸步驟中，將薄膜以高倍率進行延伸較佳。 但是拉伸率過高時，因延伸應力，在薄膜內產生開裂(craze)，或保持薄膜強度之基質分子間之糾纏產生解離，有可能薄膜脆弱化的情形。
因此，延伸步驟中之拉伸率，較佳為1.1～5.0倍之範圍內，更佳為1.3～3.0倍之範圍內。
又，本發明所謂的「拉伸率」係指，延伸後的薄膜之面積相對於延伸前之薄膜之面積的比率[%]。 亦即，上述延伸步驟中之「拉伸率」係薄膜之縱(長度)方向及橫(寬度)方向之延伸而得的合計延伸率，以面積倍率計，較佳為1.1～5.0倍之範圍內，更佳為1.3～3.0倍之範圍內。
又，延伸進行複數次時，複數次之延伸之中，基質分子之解離之風險最高之最高倍率之延伸，較佳為在最後一次進行。 例如，圖9中，最高倍率之延伸，較佳為在第2延伸步驟進行。 此時，在最高倍率之延伸前，可牢固基質分子之糾纏，因此，即使以最高倍率進行延伸，也可抑制基質分子之糾纏之解離，可抑制凝聚破壞。
(拉幅機拉伸裝置) 以下，邊參照圖11、圖12、圖13及圖14，邊舉例說明使用作為延伸裝置(7)之拉幅機拉伸裝置的情形。
圖11係示意地表示拉幅機拉伸裝置之內部構成的平面圖，將拉幅機拉伸裝置與薄膜之面垂直的面由上側觀看的剖面圖。 圖12係表示除去上述拉幅機拉伸裝置之外罩的狀態，外罩係以二點連線表示。
圖13係由正面觀看時拉幅機拉伸裝置內之3區時的噴嘴與加熱器設置部分的概略圖。 如圖13，紅外線(IR)加熱器係薄膜斷裂時，紅外線(IR)加熱器未接觸薄膜，僅配置於噴嘴的上側，而薄膜接近紅外線(IR)加熱器者，由於紅外線(IR)加熱器所致之放射能量集中於更狹窄的範圍，故對於夾具所致之擴大動作在未干擾的範圍內，紅外線(IR)加熱器盡可能接近薄膜。
又，圖13中，主要表示由中央噴嘴(105)的熱處理，本次的實施例中，藉由端部噴嘴(104)進行熱處理，但是本實施形態中可併用。
進行熱處理時，如圖14，由噴嘴間隙，紅外線(IR)加熱器所產生熱處理，可將放射能量不浪費傳達至薄膜。
如圖11，即使延伸前之薄膜，可全部加熱的方式，以排列配置紅外線(IR)加熱器。 又，加熱器也可在長度方向以彼此不同狀態配置。
拉幅機拉伸裝置(40)具備把持薄膜(F)之寬度方向之兩端部之多數的夾具(42)，夾具(42)係以特定的間隔裝設於無端鏈(48)。 無端鏈(48)係以挾著薄膜(F)配置於兩側，各自穿過入口側之原動鏈輪(50)與出口側之被動鏈輪(52)之間。 原動鏈輪(50)係連接於無圖示的馬達，藉由驅動此馬達，使原動鏈輪(50)旋轉。 藉此，無端鏈(48)在原動鏈輪(50)與被動鏈輪(52)之間迂迴行走，因此，設置於無端鏈(48)的夾具(42)迂迴行走。
原動鏈輪(50)與被動鏈輪(52)之間，設置引導無端鏈(48)(或夾具(42))用的軌道(54)。 軌道(54)係以挾著薄膜(F)配置於兩側，軌道(54)彼此之間隔係以比薄膜(F)之搬送方向之上游側，下游側更寬的方式所構成。 藉此，夾具(42)迂迴行走時，夾具(42)彼此之間隔擴大，因此，夾具(42)所把持的薄膜(F)可往寬度方向橫延伸。
原動鏈輪(50)與被動鏈輪(52)，各自設置開放構件(56)。 開放構件(56)係後述之夾具(42)之擋板(無圖示)由把持位置變位至開放位置的裝置，藉由此開放構件(56)，自動進行薄膜(F)之把持動作與開放動作。
拉幅機拉伸裝置(40)之內部係如圖11、圖12及圖14所示，設置預熱區、(橫)延伸區及熱固定區。 區彼此之間係以無圖示之遮風窗簾(無圖示)區隔。 又，各區的內部係對於薄膜(F)，由上方或下方，或其兩者供給熱風。
熱風係每區管理成特定溫度的狀態，對薄膜(F)之寬度方向均勻地吹出。 藉此，各區的內部被控制成所期望的溫度。以下，說明各區。
預熱區係將薄膜(F)進行預熱處理之區，不會擴展夾具(42)的間隔，將薄膜(F)加熱。
以預熱區預熱的薄膜(F)移動至(橫)延伸區。 (橫)延伸區係擴大夾具(42)的間隔，將薄膜(F)在寬度方向進行(橫)延伸的區。 此(橫)延伸處理中之拉伸率，較佳為1.0～2.5倍之範圍內，更佳為1.05～2.3倍之範圍內，又更佳為1.1～2倍之範圍內。
以橫延伸區被橫延伸的薄膜(F)移動至熱固定區。
又，本實施的形態中，拉幅機拉伸裝置(40)的內部分成預熱區、(橫)延伸區、熱固定區，但是區的種類或配置不限定於此，例如(橫)延伸區之後，可設置冷卻薄膜(F)的冷卻區。 又，熱固定區之中，可設置熱緩和區。
又，本實施之形態中，以拉幅機拉伸裝置(40)僅進行(橫)延伸，但是縱方向也可同時進行延伸。 此時，夾具(42)之移動時，使夾具(42)之間距(搬送方向中之夾具(42)彼此的間隔)變化即可。 使夾具(42)之間距變化的機構，例如可利用導電弓(pantograph)機構或線性導引機構。
(熱處理時機) 拉幅機拉伸裝置，通常分成複數區，例如圖11、圖12及圖14，設置加熱薄膜的預熱區、將薄膜橫方向延伸的橫延伸區、薄膜進行結晶化的熱固定區、去除薄膜之熱應力的緩和區等。
(爐內溫度) 通常，爐內溫度，較佳為120～200℃之範圍內，又更佳為120～180℃之範圍內。 在此，「爐內溫度」係定義為後述之拉幅機拉伸裝置的延伸區中，測定由延伸前之薄膜中央100mm上側之位置的溫度(H A=100mm)，每1分鐘之各溫度之值測定1小時，算出彼等之平均值者。
通常，爐內溫度，較佳為120～200℃之範圍內，又更佳為120～180℃之範圍內。 在此，複數之區隔，在長度設置溫度斜率時，熱處理之區隔為對象者。
又，延伸區中，實施熱處理與未實施的情形，爐內溫度不同，但是延伸區中，實施熱處理的情形，該爐內溫度係指實施熱處理之前之延伸區中的爐內溫度。
(殘留溶劑量) 延伸時中之薄膜中的殘留溶劑量，較佳為20質量%以下，又更佳為15質量%以下進行延伸。
(2.1.7)第1切斷步驟[S7] 第1切斷步驟[S7]中，由切割機所構成之切斷部(8)切斷藉由第1延伸步驟[S6]所延伸之薄膜(F)之寬度方向的兩端部。 薄膜(F)中，兩端部之切斷後殘留的部分係構成成為薄膜製品的製品部。 另外，由薄膜(F)之切斷的部分被回收，再度作為原材料之一部分，可再利用於薄膜之製膜。
(2.1.8)第2延伸步驟[S8] 第2延伸步驟[S8]中，與第1延伸步驟[S6]同樣，將薄膜(F)藉由延伸裝置(9)進行延伸。 此時之延伸方法係設置輥之周速差，在搬送方向(MD方向)進行延伸的延伸方式或以夾具等固定薄膜(F)的兩側緣部，在寬度方向(TD方向)進行延伸的拉幅機方式，提高薄膜之性能・生產性、平面性或尺寸安定性，故較佳。 又，延伸裝置(9)內，除延伸外，可進行乾燥。
(2.1.9)第2切斷步驟[S9] 第2切斷步驟[S9]中，與第1切斷步驟[S7]同樣，由切割機所構成之切斷部(10)切斷製膜之薄膜(F)之寬度方向的兩端部。 又，薄膜兩端部之夾具的把持部分，通常，薄膜產生變形，無法作為製品使用，故被切除。 因熱未產生材料之劣化時，回收後再利用。
薄膜(F)中，兩端部之切斷後殘餘的部分係構成成為薄膜製品的製品部。 此外，由薄膜(F)被切斷的部分被回收，再度作為原材料之一部分，可再利用於薄膜之製膜。
(2.1.10)第2乾燥步驟[S10] 第2乾燥步驟[S10]中，與第1乾燥步驟[S5]同樣，薄膜(F)在乾燥裝置(11)被乾燥。 乾燥裝置(11)內，藉由從側面觀看，配置成各種不同狀態之複數的搬送輥，搬送薄膜(F)，其間薄膜(F)被乾燥。
乾燥裝置(6)之乾燥方法，無特別限制，一般可列舉熱風、紅外線、加熱輥，及微波等。 上述乾燥方法之中，從簡便度的觀點，以熱風使薄膜(F)乾燥的方法較佳。 又，第2乾燥步驟[S10]係必要時進行即可。
(2.1.11)第3切斷步驟[S11] 第3切斷步驟[S11]中，與第1切斷步驟[S7]、第2切斷步驟[S9]同樣，由切割機所構成之切斷部(12)，切斷製膜之薄膜(F)之寬度方向的兩端部。 薄膜(F)中，兩端部之切斷後殘餘的部分係構成成為薄膜製品的製品部。 此外，由薄膜(F)被切斷的部分被回收，再度作為原材料之一部分，可再利用於薄膜之製膜。
(2.1.12)捲繞步驟[S12] 最後，以捲繞步驟[S12]將薄膜(F)藉由捲繞裝置(13)捲繞，得到薄膜卷。 亦即，捲繞步驟中，藉由邊搬送薄膜(F)邊捲繞於卷芯，製造薄膜卷。 捲繞步驟中之薄膜進行捲繞時之初期張力之較佳的範圍係20～300N/m之範圍內。
圖15係表示薄膜被捲繞的步驟與捲繞後之本發明之薄膜卷之剖面的概略圖。 捲繞薄膜(F)時，例如圖15，設置接觸輥(33)，為了形成所期望之空隙層，較佳為適宜變更薄膜觸壓。 圖15中，製膜後的薄膜(31)係藉由滾輪(32)及接觸輥(33)捲繞，作為薄膜卷(30)被捲繞。
(殘留溶劑量) 更具體而言，薄膜中之殘留溶劑量成為2質量%以下，作為薄膜藉由捲繞裝置(12)捲繞的步驟，藉由將殘留溶劑量設為0.4質量%以下，可得到尺寸安定性良好的薄膜。 特別是殘留溶劑量為0.00～0.20質量%之範圍內進行捲繞較佳。
(捲繞方法) 薄膜(F)之捲繞方法，使用一般所使用的捲線機(winder)即可，有定扭力法、定張力法、錐度張力法、內部應力固定之程式張力控制法等之控制張力的方法，分開使用彼等即可。
捲繞前，將端部作為狹縫裁切成為製品的寬度，為了防止卷中之黏貼或擦傷，可在薄膜兩端施予表面改質處理。
(捲繞後) 本發明之薄膜卷，較佳為長版薄膜，具體而言，表示100～10000m左右的範圍內者，通常，以捲筒狀被提供的形態者。
(2.2)藉由熔融流延製膜法而得之薄膜卷之製造步驟 本發明之薄膜，可藉由熔融流延製膜法製膜。 「熔融製膜法」係指將包含熱塑性樹脂及上述添加劑的組成物以顯示流動性的溫度為止進行加熱熔融，然後，將包含流動性之熱塑性樹脂的熔融物進行流延的方法。
加熱熔融之成形方法，詳細而言，可分類成熔融擠壓成形法、模壓成形法、充氣法、射出成形法、吹塑成形法、延伸成形法等。 此等成形法之中，就機械強度及表面精度等的觀點，較佳為熔融擠壓法。
圖16係表示熔融流延製膜法之製造步驟之流程圖。 又，圖17係藉由熔融流延製膜法製造薄膜之裝置的概略圖。 以下溶液流延製膜法中，參照圖16及圖17說明。
藉由熔融流延製膜法之薄膜卷的製造方法係包含擠壓步驟[M1]、流延・成形步驟[M2]、第1延伸步驟[M3]、第1切斷步驟[M4]、第2延伸步驟[M5]、第2切斷步驟[M6]，及捲繞步驟[M7]。
又，上述製造方法不需要包含第1延伸步驟[M3]及第2延伸步驟[M5]之兩者，至少包含其中之一的步驟即可。 又，與第1切斷步驟[M4]、第2切斷步驟[M6]同樣，至少包含其中之一的步驟即可。
(2.2.1)擠壓步驟[M1] 擠壓步驟[M1]係使用擠壓機(14)，至少將樹脂進行熔融擠壓，成形於壓鑄筒(16)上。 本發明可使用的上述樹脂，詳細如後述。
又，樹脂預先進行混練作為顆粒化較佳。 顆粒化使用習知的方法即可。
例如將乾燥樹脂或可塑劑、其他的添加劑使用進料機供給擠壓機，使用1軸或2軸之擠壓機混練，由流延模(15)擠壓成股線狀，進行水冷或空冷，進行切割可顆粒化。
添加劑可在供給擠壓機之前，與樹脂混合，或可將添加劑及樹脂各自以個別之進料機供給擠壓機。 又，粒子或抗氧化劑等之少量的添加劑，為了均勻地混合，故事前與樹脂混合較佳。
由供給送料斗對擠壓機，導入顆粒時，在乾燥、真空下或減壓下或惰性氣體環境下，防止氧化分解等較佳。
擠壓機係抑制剪斷力，避免樹脂劣化(分子量低下、著色、凝膠生成等)，儘可能顆粒化，且低溫下進行加工較佳。
例如2軸擠壓機時，使用深溝型的螺桿，使同方向旋轉較佳。 由於混練的均勻性，較佳為噛合型。 樹脂・顆粒在熔融時，以薄盤狀(leaf disk)的過濾器等進行過濾，除去異物較佳。
使用如以上所得之顆粒，進行薄膜製膜。 當然，也可直接將未顆粒化之原材料的樹脂(粉末等)以進料機供給擠壓機，而直接進行薄膜製膜。
(2.2.2)流延・成形步驟[M2] 流延・成形步驟[M2]中，將在擠壓步驟進行熔融的樹脂・顆粒，通過加壓型定量齒輪幫浦(gear pump)等，以導管由流延模(15)流延成薄膜狀，由流延模(15)將熔融的樹脂・顆粒流延至無限移送之旋轉驅動不銹鋼製無端壓鑄筒(16)上的流延位置。 然後，將流延之熔融狀態的樹脂・顆粒在壓鑄筒(16)上成形，形成流延膜(18)。
流延模(15)之傾斜，亦即，由流延模(15)對支撐體(16)之熔融狀態之樹脂・顆粒的吐出方向係壓鑄筒(16)之面(熔融狀態的樹脂・顆粒流延之面)對法線之角度，成為0～90°之範圍內的方式，適宜設定即可。
也可將輔助接觸輥(16a)或壓鑄筒(16)的冷卻筒(17)適宜單獨或組合形成薄膜(F)。
(2.2.3)第1延伸步驟[M3] 第1延伸步驟[M3]係將薄膜(F)藉由延伸裝置(19)進行延伸。 此時之延伸方法係設置輥之周速差，在MD方向進行延伸的延伸方式或以夾具等固定薄膜(F)之兩側緣部，在TD方向進行延伸的拉幅機方式，提高薄膜之性能・生產性、平面性或尺寸安定性，故較佳。 又，延伸裝置(19)內，除延伸外，也可進行乾燥。
又，對於拉幅機拉伸裝置、熱處理時機、爐內溫度、延伸溫度、延伸爐內之溫度及殘留溶劑量等的記載，與溶液流延製膜法之薄膜卷之製造步驟中的第1延伸步驟[S6]重複，故省略。
(2.2.4)第1切斷步驟[M4] 第1切斷步驟[M4]中，由切割機所構成之切斷部(20)切斷經製膜之薄膜(F)之寬度方向的兩端部。 薄膜(F)中，兩端部之切斷後殘留的部分係構成成為薄膜製品的製品部。 此外，由薄膜(F)被切斷的部分被回收，可再度作為原材料之一部分，再利用於薄膜的製膜。
(2.2.5)第2延伸步驟[M5] 第2延伸步驟[M5]中，與第1延伸步驟[M3]同樣，藉由延伸裝置(21)，將薄膜(F)進行延伸。 此時之延伸方法係設置輥之周速差，在MD方向進行延伸的延伸方式或以夾具等固定薄膜(F)之兩側緣部，在TD方向進行延伸的拉幅機方式，提高薄膜之性能・生產性、平面性或尺寸安定性，故較佳。 又，延伸裝置(21)內，除延伸外，也可進行乾燥。
(2.2.6)第2切斷步驟[M6] 第2切斷步驟[M6]，與第1切斷步驟[M4]同樣，由切割機所構成之切斷部(22)切斷經製膜之薄膜(F)之寬度方向的兩端部。 薄膜(F)中，兩端部之切斷後殘留的部分係構成成為薄膜製品的製品部。 此外，由薄膜(F)被切斷的部分被回收，可再度作為原材料之一部分，再利用於薄膜的製膜。
(2.2.7)捲繞步驟[M7] 最後，以捲繞步驟[M7]將薄膜(F)藉由捲繞裝置(23)捲繞，得到薄膜卷。 亦即，捲繞步驟[M7]中，邊搬送薄膜(F)邊捲繞於卷芯，製造薄膜卷。
薄膜(F)的捲繞方法，使用一般所使用的捲線機即可，有定扭力法、定張力法、錐度張力法、內部應力固定之程式張力控制法等之控制張力的方法，分開使用彼等即可。
3.構成薄膜的樹脂 (3.1)熱塑性樹脂 本發明之薄膜所使用的熱塑性樹脂材料，只要是作為製膜後薄膜卷所使用者時，即無限定。
作為偏光板用途使用的熱塑性樹脂，可適用例如三乙醯基纖維素(TAC)、纖維素乙酸酯丙酸酯(CAP)、二乙醯基纖維素(DAC)等之纖維素酯系樹脂或環烯烴樹脂等之環狀烯烴系樹脂(以下也稱為「COP」)、聚丙烯(PP)等之聚丙烯系樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等之丙烯酸系樹脂，及聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等之聚酯系樹脂。
但是就容易控制延伸性或結晶化度的觀點及接著劑容易滲透，可確保與偏光鏡更良好之接著性的觀點，較佳為使用COP。 又，上述薄膜在製造後可施予表面改質處理。
又，本發明效果係在薄膜區域價值提昇。 薄膜之厚度，較佳為5～80μm之範圍內，更佳為10～65μm之範圍內，又更佳為10～45μm之範圍內。
薄膜之厚度為5μm以上時，薄膜卷之剛性高，保持輥形狀變得容易。 薄膜之厚度為80μm以下時，質量不會過度增加，容易製造長條薄膜卷。
(3.1.1)環烯烴系樹脂 本發明之薄膜卷所含有之環烯烴系樹脂，較佳為環烯烴單體的聚合物，或環烯烴單體與其以外之共聚合性單體的共聚物。
環烯烴單體，較佳為具有降莰烯骨架的環烯烴單體，更佳為具有下述通式(A-1)或(A-2)表示之構造的環烯烴單體。
通式(A-1)中，R 1～R 4各自獨立表示氫原子、碳原子數1～30之烴基，或極性基。p表示0～2之整數。但是R 1～R 4之全部不同時表示氫原子，R 1與R 2不同時表示氫原子，R 3與R 4不同時表示氫原子。
通式(A-1)中，R 1～R 4表示之碳原子數1～30的烴基，例如較佳為碳原子數1～10之烴基，更佳為碳原子數1～5之烴基。
碳原子數1～30之烴基，例如可進一步具有包含鹵素原子、氧原子、氮原子、硫原子或矽原子的連結基。 這種的連結基之例，包含羰基、亞胺基、醚鍵、矽醚鍵、硫醚鍵等之二價的極性基。 碳原子數1～30之烴基之例，包含甲基、乙基、丙基及丁基等。
通式(A-1)中，R 1～R 4表示之極性基之例，包含羧基、羥基、烷氧基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、胺基、醯胺基及氰基。
其中，較佳為羧基、羥基、烷氧基羰基及芳氧基羰基，就確保溶液製膜時之溶解性的觀點，較佳為烷氧基羰基及芳氧基羰基。
通式(A-1)中之p，就提高薄膜之耐熱性的觀點，較佳為1或2。 p為1或2時，所得之聚合物，體積增加，玻璃轉移溫度容易提高的緣故。
通式(A-2)中，R 5表示氫原子、碳數1～5之烴基，或具有碳數1～5之烷基的烷基矽基。R 6表示羧基、羥基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、胺基、醯胺基、氰基，或鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子或碘原子)。p表示0～2之整數。
通式(A-2)中之R 5，較佳為表示碳數1～5之烴基，更佳為表示碳數1～3之烴基。
通式(A-2)中之R 6，較佳為表示羧基、羥基、烷氧基羰基及芳氧基羰基，就確保溶液製膜時之溶解性的觀點，更佳為烷氧基羰基及芳氧基羰基。
通式(A-2)中之p，就提高薄膜之耐熱性的觀點，較佳為表示1或2。 p為表示1或2時，所得之聚合物，體積增加，玻璃轉移溫度容易提高的緣故。
具有通式(A-2)表示之構造的環烯烴單體係提高對有機溶劑之溶解性的觀點，較佳。
一般，有機化合物由於失去對稱性，結晶性降低，故提高對有機溶劑之溶解性。
通式(A-2)中之R 5及R 6係對於分子之對稱軸，僅在單側之環構成碳原子發生取代，故分子之對稱性低，亦即，具有通式(A-2)表示之構造的環烯烴單體，溶解性高，故適合溶液流延製膜法製造薄膜的情形。
環烯烴單體之聚合物中具有通式(A-2)表示之構造之環烯烴單體的含有比例係相對於構成環烯烴系樹脂之全環烯烴單體之合計，例如為70莫耳%以上，較佳為80莫耳%以上，更佳為100莫耳%。
具有通式(A-2)表示之構造的環烯烴單體含有一定以上時，提高樹脂之配向性，故相位差(延遲)值容易上昇。
以下，具有通式(A-1)表示之構造之環烯烴單體的具體例，如例示化合物1～14所示，具有通式(A-2)表示之構造之環烯烴單體之具體例，如例示化合物15～34所示。
可與環烯烴單體共聚合之共聚合性單體之例，包含可與環烯烴單體開環共聚合之共聚合性單體，及可與環烯烴單體加成共聚合之共聚合性單體等。
可開環共聚合之共聚合性單體之例，包含環丁烯、環戊烯、環庚烯、環辛烯及二環戊二烯等的環烯烴。
可加成共聚合之共聚合性單體之例，包含含有不飽和雙鍵之化合物、乙烯基系環狀烴單體及(甲基)丙烯酸酯等。
含有不飽和雙鍵之化合物之例，包含碳原子數2～12(較佳為2～8)之烯烴系化合物，其他例，包含乙烯、丙烯及丁烯等。
乙烯基系環狀烴單體之例，包含4-乙烯基環戊烯及2-甲基-4-異丙烯基環戊烯等之乙烯基環戊烯系單體。
(甲基)丙烯酸酯之例，包含甲基(甲基)丙烯酸酯、2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯及環己基(甲基)丙烯酸酯等之碳原子數1～20之烷基(甲基)丙烯酸酯。
環烯烴單體與共聚合性單體之共聚物中之環烯烴單體的含有比例係相對於構成共聚物之全單體之合計，例如為20～80莫耳%之範圍內，較佳為30～70莫耳%之範圍內。
環烯烴系樹脂係如前述，具有降莰烯骨架之環烯烴單體，較佳為具有通式(A-1)或(A-2)表示之構造之環烯烴單體進行聚合或共聚合所得的聚合物，其例包含以下(1)～(7)的聚合物。
(1)環烯烴單體之開環聚合物 (2)環烯烴單體與可與其開環共聚合之共聚合性單體的開環共聚物 (3)上述(1)或(2)之開環(共)聚合物之氫化物 (4)上述(1)或(2)之開環(共)聚合物藉由弗立得-克拉夫脫反應，進行環化後，添加氫的(共)聚合物 (5)環烯烴單體與含有不飽和雙鍵之化合物的飽和共聚物 (6)環烯烴單體之乙烯基系環狀烴單體之加成共聚物及其氫化物 (7)環烯烴單體與(甲基)丙烯酸酯的交互共聚物
上述(1)～(7)的聚合物，皆可用習知的方法，例如日本特開2008-107534號公報或日本特開2005-227606號公報所記載的方法得到。
例如，上述(2)之開環共聚合所使用的觸媒或溶劑，可使用例如日本特開2008-107534號公報之段落0019～0024所記載者。
上述(3)及(6)之氫化物所使用的觸媒，可使用例如日本特開2008-107534號公報之段落0025～0028所記載者。
上述(4)之弗立得-克拉夫脫反應所使用的酸性化合物，可使用例如日本特開2008-107534號公報之段落0029所記載者。
上述(5)～(7)之加成聚合所使用的觸媒，可使用例如日本特開2005-227606號公報之段落0058～0063所記載者。
上述(7)之交互共聚合反應，例如可以日本特開2005-227606號公報之段落0071及0072所記載的方法進行。
其中，較佳為上述(1)～(3)及(5)之聚合物，更佳為上述(3)及(5)之聚合物。
亦即，環烯烴系樹脂係所得之環烯烴系樹脂的玻璃轉移溫度提高，且可提高光穿透率的觀點，較佳為包含下述通式(B-1)表示之結構單位與下述通式(B-2)表示之結構單位之至少一者，更佳為僅包含通式(B-2)表示之結構單位，或包含通式(B-1)表示之結構單位與通式(B-2)表示之結構單位之兩者。
通式(B-1)表示之結構單位係來自前述之通式(A-1)表示之環烯烴單體的結構單位，通式(B-2)表示之結構單位係來自前述之通式(A-2)表示之環烯烴單體的結構單位。
通式(B-1)中，X表示-CH=CH-或-CH 2CH 2-。R 1～R 4及p係與各自通式(A-1)之R 1～R 4及p同義。
通式(B-2)中，X表示-CH=CH-或-CH 2CH 2-。R 5～R 6及p係與各自通式(A-2)之R 5～R 6及p同義。
本發明的環烯烴系樹脂，可為市售品。 環烯烴系樹脂之市售品之例，包含JSR(股)製之ARTON(Arton)G(例如G7810等)、ARTONF、ARTONR(例如R4500、R4900及R5000等)、及ARTONRX。
環烯烴系樹脂之固有黏度[η]inh係30℃之測定中，較佳為0.2～5cm 3/g之範圍內，更佳為0.3～3cm 3/g之範圍內，又更佳為0.4～1.5cm 3/g之範圍內。
環烯烴系樹脂之數平均分子量(Mn)，較佳為8000～100000之範圍內，更佳為10000～80000之範圍內，又更佳為12000～50000之範圍內。
環烯烴系樹脂之重量平均分子量(Mw)，較佳為20000～300000之範圍內，更佳為30000～250000之範圍內，又更佳為40000～200000之範圍內。
環烯烴系樹脂之數平均分子量或重量平均分子量，可使用凝膠滲透層析儀(GPC)，以聚苯乙烯換算進行測定。
(凝膠滲透層析儀) 溶劑：         二氯甲烷 管柱：         Shodex K806、K805、K803G(昭和電工(股)製3支連接使用) 管柱溫度：   25℃ 試料濃度：   0.1質量% 檢測器：      RI Model 504(GL Sciences公司製) 幫浦：         L6000(日立製作所(股)製) 流量：         1.0mL/min 校正曲線：   使用標準聚苯乙烯STK standard聚苯乙烯(東曹(股)製)Mw=500～2800000之範圍內之13樣品而得之校正曲線。13樣品較佳為大致等間隔使用。
固有黏度[η]inh、數平均分子量及重量平均分子量在上述範圍時，環烯烴系樹脂之耐熱性、耐水性、耐藥品性、機械特性，及作為薄膜之成形加工性良好。
環烯烴系樹脂之玻璃轉移溫度Tg[℃]，通常為110℃以上，較佳為110～350℃之範圍內，更佳為120～250℃之範圍內，又更佳為120～220℃之範圍內。
玻璃轉移溫度Tg[℃]為110℃以上時，容易抑制高溫條件下的變形。 而玻璃轉移溫度Tg[℃]為350℃以下時，成形加工變得容易，容易抑制成形加工時之熱所致之樹脂的劣化。
環烯烴系樹脂之含量係對於薄膜，較佳為70質量%以上，更佳為80質量%以上。
(3.1.2)丙烯酸系樹脂 本發明的丙烯酸系樹脂係丙烯酸酯或丙烯酸甲酯的聚合物，也包含與其他單體的共聚物。 因此，本發明的丙烯酸系樹脂，也包含甲基丙烯酸樹脂。
作為樹脂，無特別限制，較佳為由甲基丙烯酸甲酯單位為50～99質量%之範圍內，及可與此共聚合之其他的單體單位為1～50質量%之範圍內所構成者。
構成共聚合所形成之丙烯酸系樹脂外的單位，可列舉烷基數之碳數為2～18之烷基甲基丙烯酸酯、烷基數之碳數為1～18之烷基丙烯酸酯、甲基丙烯酸異莰基、2-羥基乙基丙烯酸酯等之羥基烷基丙烯酸酯、丙烯酸、甲基丙烯酸等之α,β-不飽和酸、丙烯醯基嗎啉、N-羥基苯基甲基丙烯醯胺等之丙烯醯胺、N-乙烯基吡咯烷酮、馬來酸、富馬酸、依康酸等之含有不飽和基的二元羧酸、苯乙烯、α-甲基苯乙烯等之芳香族乙烯基化合物、丙烯腈、甲基丙烯腈等之α,β-不飽和腈、馬來酸酐、馬來醯亞胺、N-取代馬來醯亞胺、戊二醯亞胺及戊二酸酐等。
作為形成由上述單位除去戊二醯亞胺及戊二酸酐之單位之可共聚合的單體，可列舉與上述單位對應的單體。
亦即，可列舉烷基數之碳數為2～18之烷基甲基丙烯酸酯、烷基數之碳數為1～18之烷基丙烯酸酯、甲基丙烯酸異莰基、2-羥基乙基丙烯酸酯等之羥基烷基丙烯酸酯、丙烯酸、甲基丙烯酸等之α,β-不飽和酸、丙烯醯基嗎啉、N羥基苯基甲基丙烯醯胺等之丙烯醯胺、N-乙烯基吡咯烷酮、馬來酸、富馬酸、依康酸等之含有不飽和基之二元羧酸、苯乙烯、α-甲基苯乙烯等之芳香族乙烯基化合物、丙烯腈、甲基丙烯腈等之α,β-不飽和腈、馬來酸酐、馬來醯亞胺及N-取代馬來醯亞胺等的單體。
又，戊二醯亞胺單位係例如使具有(甲基)丙烯酸酯單位之中間體樹脂與一級胺(亞胺化劑)反應進行亞胺化可形成(參照日本特開2011-26563號公報)。
戊二酸酐單位係例如使具有(甲基)丙烯酸酯單位之中間體樹脂，藉由加熱可形成(參照日本專利第4961164號公報)。
本發明的丙烯酸系樹脂中，上述結構單位之中，就機械強度的觀點，特佳為包含甲基丙烯酸異莰基、丙烯醯基嗎啉、N-羥基苯基甲基丙烯醯胺、N-乙烯基吡咯烷酮、苯乙烯、羥基乙基甲基丙烯酸酯、馬來酸酐、馬來醯亞胺、N-取代馬來醯亞胺、戊二酸酐或戊二醯亞胺。
本發明的丙烯酸系樹脂，就控制對環境之溫濕度環境之變化之尺寸變化的觀點或改善由薄膜生產時之金屬支撐體之剝離性、有機溶劑之乾燥性、耐熱性及機械強度的觀點，重量平均分子量(Mw)較佳為50000～1000000之範圍內，更佳為100000～1000000之範圍內，特佳為200000～800000之範圍內。
50000以上時，耐熱性及機械強度優異，1000000以下時，由金屬支撐體之剝離性及有機溶劑的乾燥性優異。
本發明之丙烯酸系樹脂之製造方法，無特別限制，可使用懸浮聚合、乳化聚合、塊狀聚合，或溶液聚合等之任一者的習知方法。
在此，作為聚合起始劑，可使用通常的過氧化物系及偶氮系者，又，也可為氧化還原系。
關於聚合溫度，懸浮或乳化聚合時，可為30～100℃之範圍內，塊狀或溶液聚合時，可在80～160℃之範圍內實施。
為了控制所得之共聚物的比濃黏度(reduced viscosity)，以烷基硫醇等作為鏈轉移劑使用，也可實施聚合。
丙烯酸系樹脂之玻璃轉移溫度Tg[℃]，就保持薄膜之機械強度的觀點，較佳為80～120℃之範圍內。
本發明之丙烯酸系樹脂，可使用市售品。 例如Delpet60N、80N、980N、SR8200(以上為旭化成Chemicals(股)製)、DianalBR52、BR80、BR83、BR85、BR88、EMB-143、EMB-159、EMB-160、EMB-161、EMB-218、EMB-229、EMB-270、EMB-273(以上為三菱Rayon(股)製)、KT75、TX400S及IPX012(以上為電氣化學工業(股)製)等。 丙烯酸系樹脂也可併用二種以上。
本發明之丙烯酸系樹脂，較佳為含有添加劑，添加劑之一例，為了提高薄膜之機械強度或尺寸變化率之調整，較佳為含有國際公開第2010/001668號所記載的丙烯酸粒子(橡膠彈性體粒子)。
這種多層構造丙烯酸系粒狀複合體之市售品之例，例如三菱Rayon公司製之「metablenW-341」、Kaneka公司製之「Kane Ace」、kureha公司製之「PARALOID」、Rohm-and-Haas公司製之「acryloid」、aica公司製之「Stafiloid」、Chemisnow MR-2G、MS-300X(以上為綜研化學(股)製)及kuraray公司製之「parapetSA」等，此等可單獨使用或二種以上使用。
丙烯酸粒子之體積平均粒徑為0.35μm以下，較佳為0.01～0.35μm之範圍內，更佳為0.05～0.30μm之範圍內。 粒徑為一定以上時，將薄膜在加熱下可容易延伸，粒徑為一定以下時，不易損及所得之薄膜的透明性。
本發明之薄膜，就柔軟性的觀點，彎曲彈性係數(JIS K7171)較佳為10.5GPa以下，更佳為1.3GPa以下，又更佳為1.2GPa以下。
上述的彎曲彈性係數係因薄膜中之丙烯酸系樹脂或橡膠彈性體粒子之種類或量等而變動，例如橡膠彈性體粒子之含量越多時，一般彎曲彈性係數變小。
又，作為丙烯酸系樹脂，相較於使用甲基丙烯酸烷酯的均聚物，使用甲基丙烯酸烷酯與丙烯酸烷酯等的共聚物時，一般彎曲彈性係數變小。
(3.1.3)纖維素酯系樹脂 本發明之薄膜卷，較佳為使用纖維素酯系樹脂。
本發明所使用的纖維素酯係指構成纖維素之β-1,4鍵結之葡萄糖單位中之2位、3位及6位之羥基(-OH)之氫原子的一部分或全部被醯基取代的醯化纖維素(CELLULOSE ACYLATE)樹脂。
上述的纖維素酯，無特別限定，較佳為碳數2～22左右之直鏈或支鏈之羧酸的酯。 構成酯的羧酸，可為脂肪族羧酸，可形成環，可為芳香族羧酸。
上述之例，可列舉例如纖維素之羥基部分的氫原子被乙醯基、丙醯基、丁醯基、異丁醯基、戊醯基、三甲基乙醯基、己醯基、辛醯基、月桂醯基、硬脂醯基等之碳數2～22的醯基取代的纖維素酯。
構成酯的羧酸(醯基)可具有取代基。 構成酯的羧酸，較佳為碳數為6以下的低級脂肪酸，更佳為碳數為3以下的低級脂肪酸。
又，纖維素酯中之醯基，可為單一種，也可為複數之醯基的組合。
較佳之纖維素酯的具體例，可列舉二乙醯基纖維素(DAC)、三乙醯基纖維素(TAC)等之纖維素乙酸酯外，纖維素乙酸酯丙酸酯(CAP)、纖維素乙酸酯丁酸酯、纖維素乙酸酯丙酸酯丁酸酯之乙醯基外，鏈結有丙酸酯基或丁酸酯基之纖維素的混合脂肪酸酯。 此等之纖維素酯可使用單一種，也可組合複數種使用。
(醯基之種類・取代度) 藉由調節纖維素酯之醯基的種類及取代度，可將相位差的濕度變動控制於所期望的範圍，可提高薄膜之厚度的均勻性。
由於纖維素酯之醯基的取代度越小，相位差展現性越提高，可薄膜化。 此外，醯基之取代度過小時，有耐久性惡化的疑慮，故不佳。
而纖維素酯之醯基的取代度越大，越不能展現相位差，故製膜時，必須增加拉伸率，但是高拉伸率難以均勻地延伸，因此，薄膜之厚度之不均變大(惡化)。
又，厚度方向之延遲(相位差)的Rt濕度變動係在纖維素之羰基，因水分子配位所產生，故醯基之取代度高，亦即，纖維素中之羰基越多時，Rt濕度變動有變差的傾向。
纖維素酯，較佳為總取代度為2.1～2.5之範圍內。 藉由設定該範圍，可抑制環境變動(特別是濕度所致之Rt變動)，同時可提高薄膜之厚度的均勻性。
就提高製膜時之流延性及延伸性，進一步提高薄膜之厚度之均勻性的觀點，更佳為2.2～2.45之範圍內。
更具體而言，纖維素酯滿足下述式(a)及(b)。下述式(a)及(b)中，X為乙醯基的取代度，Y為丙醯基或丁醯基的取代度，或其混合物的取代度。
式(a)： 2.1≦X+Y≦2.5 式(b)： 0≦Y≦1.5
纖維素酯較佳為纖維素乙酸酯(Y=0)，及纖維素乙酸酯丙酸酯(CAP)(Y；丙醯基、Y＞0)，就降低薄膜之厚度之不均的觀點，又更佳為Y=0的纖維素乙酸酯。
就相位差展現性、Rt濕度變動、薄膜之厚度的不均設定為所期望之範圍的觀點，特佳使用的纖維素乙酸酯為2.1≦X≦2.5(更較佳為2.15≦X≦2.45)的纖維素二乙酸酯(DAC)。
又，Y＞0時，特佳使用的纖維素乙酸酯丙酸酯(CAP)為0.95≦X≦2.25、0.1≦Y≦1.2、2.15≦X+Y≦2.45。
藉由使用上述的纖維素乙酸酯或纖維素乙酸酯丙酸酯，可得到延遲優異，機械強度、環境變動優異的薄膜卷。
又，醯基的取代度係表示每1葡萄糖單位之醯基的平均數，表示1葡萄糖單位之2位、3位及6位之羥基之氫原子的幾個被醯基取代。 因此，最大的取代度為3.0，此時表示2位、3位及6位之羥基的氫原子全部被醯基取代。
此等醯基可為在葡萄糖單位之2位、3位、6位，平均地取代，也可具有分布取代。 取代度可藉由ASTM-D817-96所規定的方法求得。
為了得到所期望的光學特性，可混合使用取代度不同的纖維素乙酸酯。 上述的情形，不同之纖維素乙酸酯的混合比率，無特別限定。
纖維素酯之數平均分子量(Mn)為2×10 4～3×10 5之範圍內，就所得之薄膜卷的機械強度提高的觀點，更佳為2×10 4～1.2×10 5之範圍內，又更佳為4×10 4～8×10 4之範圍內。
纖維素酯之數平均分子量(Mn)係藉由使用前述測定條件之凝膠滲透層析儀(GPC)之測定而算出。
就所得之薄膜卷的機械強度提高的觀點，纖維素酯的重量平均分子量(Mw)為2×10 4～1×10 6之範圍內，更佳為2×10 4～1.2×10 5之範圍內，又更佳為4×10 4～8×10 4之範圍內。
纖維素酯的原料纖維素，無特別限定，可列舉綿花絮、木材漿、洋麻(kenaf)等。 又，由彼等所得的纖維素酯，可各自以任意的比例混合使用。
纖維素乙酸酯、纖維素乙酸酯丙酸酯等的纖維素酯，可藉由習知的方法製造。
一般而言，混合原料的纖維素與特定之有機酸(乙酸、丙酸等)與酸酐(乙酸酐、丙酸酐等)、觸媒(硫酸等)，將纖維素進行酯化，進行反應直到形成纖維素的三酯。
三酯係葡萄糖單位之三個的羥基被有機酸之醯酸取代。
同時使用二種類的有機酸時，可製作混合酯型的纖維素酯，例如纖維素乙酸酯丙酸酯或纖維素乙酸酯丁酸酯。
接著，藉由將纖維素之三酯進行水解，合成具有所期望之醯基取代度的纖維素酯樹脂。 然後，經過濾、沉澱、水洗、脫水、乾燥等的步驟，得到纖維素酯樹脂。具體而言，可參考日本特開平10-45804號所記載的方法進行合成。
(3.2)其他的添加劑 本發明之薄膜卷，可含有作為其他的添加劑之上述熱塑性樹脂外，可含有以下者。
(3.2.1)可塑劑 本發明之薄膜卷，例如為了賦予偏光板保護薄膜等加工性，較佳為含有至少一種之可塑劑。 可塑劑，較佳為單獨或混合使用二種以上。
可塑劑之中，就高度兼具透濕性之效果的控制及與纖維素酯等之基材樹脂之相溶性的觀點，較佳為含有選自由醣酯、聚酯，及苯乙烯系化合物所構成群組中之至少一種的可塑劑。
該可塑劑，就兼具耐濕熱性之改善及與纖維素酯等之基材樹脂之相溶性的觀點，分子量較佳為15000以下，更佳為10000以下。
該分子量為10000以下的化合物為聚合物時，重量平均分子量(Mw)較佳為10000以下。 較佳之重量平均分子量(Mw)之範圍為100～10000之範圍內，又更佳為400～8000之範圍內。
特別是為了得到本發明效果時，將該分子量為1500以下的化合物，相對於基材樹脂100質量份，較佳為含有6～40質量份的範圍內，更佳為含有10～20質量份的範圍內。 藉由含有上述範圍內，可兼具透濕性之效果的控制與基材樹脂的相溶性，故較佳。
(醣酯) 本發明之薄膜卷，為了防止水解，可含有醣酯化合物。
具體而言，作為醣酯化合物，具有1個以上12個以下之呲喃醣構造或呋喃糖構造之至少一種，可使用該構造之OH基之全部或一部分進行酯化的醣酯。
(聚酯) 本發明之薄膜卷中，也可含有聚酯。
聚酯無特別限定，例如可使用二羧酸、或此等之酯形成性衍生物與乙二醇之縮合反應可得到之末端為羥基的聚合物(聚酯多元醇)，或該聚酯多元醇之末端的羥基以單羧酸封閉的(封端聚酯)。
又，在此所謂的酯形成性衍生物係指二羧酸的酯化物、二羧酸氯化物、二羧酸的無水物。
(苯乙烯系化合物) 本發明之薄膜卷中，除了上述醣酯、聚酯外，或取代此等，為了改善薄膜之耐水性，可使用苯乙烯系化合物。
苯乙烯系化合物，可為苯乙烯系單體的均聚物，也可為苯乙烯系單體與其以外之共聚單體的共聚物。
來自苯乙烯系化合物中之苯乙烯系單體之結構單位的含有比例，為了使分子構造具有一定以上的體積大小時，較佳為30～100莫耳%之範圍內，更佳為50～100莫耳%之範圍內。
苯乙烯系單體之例，包含苯乙烯；α-甲基苯乙烯、β-甲基苯乙烯、p-甲基苯乙烯等之烷基取代苯乙烯類；4-氯苯乙烯、4-溴苯乙烯等之鹵素取代苯乙烯類；p-羥基苯乙烯、α-甲基-p-羥基苯乙烯、2-甲基-4-羥基苯乙烯、3,4-二羥基苯乙烯等之羥基苯乙烯類；乙烯基苄醇類；p-甲氧基苯乙烯、p-tert-丁氧基苯乙烯、m-tert-丁氧基苯乙烯等的烷氧基取代苯乙烯類；3-乙烯基苯甲酸、4-乙烯基苯甲酸等的乙烯基苯甲酸類；4-乙烯基苄基乙酸酯；4-乙醯氧基苯乙烯；2-丁基醯胺苯乙烯、4-甲基醯胺苯乙烯、p-磺醯胺苯乙烯等的醯胺苯乙烯類；3-胺基苯乙烯、4-胺基苯乙烯、2-異丙烯基苯胺、乙烯基苄基二甲基胺等的胺基苯乙烯類；3-硝基苯乙烯、4-硝基苯乙烯等之硝基苯乙烯類；3-氰基苯乙烯、4-氰基苯乙烯等的氰基苯乙烯類；乙烯基苯基乙腈；苯基苯乙烯等的芳基苯乙烯類、茚類等。 苯乙烯系單體，可為一種類或組合二種類以上。
(3.2.2)任意成分 本發明之薄膜卷，可含有抗氧化劑、著色劑、紫外線吸收劑、消光劑、丙烯酸粒子、氫鍵性溶劑及離子性界面活性劑等之其他的任意成分。 此等之成分係相對於基材樹脂100質量份，可添加0.01～20質量份的範圍內。
(抗氧化劑) 本發明之薄膜卷，可使用通常所知者作為抗氧化劑。 特別是較佳為使用內酯系、硫系、酚系、雙鍵系、受阻胺系、磷系的各化合物。
此等的抗氧化劑等係相對於薄膜之主原料的樹脂，添加0.05～20質量%之範圍內，較佳為添加0.1～1質量%之範圍內。 此等之抗氧化劑等，相較於僅使用一種，藉由併用數種不同系的化合物，可得到相乘效果。 例如，較佳為內酯系、磷系、酚系及雙鍵系化合物的併用。
(著色劑) 本發明之薄膜卷，在不損及本發明效果的範圍內，為了調整色調，較佳為含有著色劑。
著色劑係指染料或顏料，本發明中，係指具有將液晶畫面之色調設為藍色調的效果或黃色指數之調整、減低霧度者。
作為著色劑，可使用各種之染料、顏料，但是可使用、蒽醌染料、偶氮染料、酞菁顏料等。
(紫外線吸收劑) 本發明之薄膜卷，由於可被使用於偏光板之辨識側或背光側，故為了賦予紫外線吸收機能，可含有紫外線吸收劑。
作為紫外線吸收劑，無特別限定，可列舉例如苯並三唑系、2-羥基二苯甲酮系或水楊酸苯基酯系等的紫外線吸收劑。
可列舉例如2-(5-甲基-2-羥基苯基)苯並三唑、2-[2-羥基-3,5-雙(α,α-二甲基苄基)苯基]-2H-苯並三唑、2-(3,5-二-t-丁基-2-羥基苯基)苯並三唑等的三唑類、2-羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2-羥基-4-辛氧基二苯甲酮及2,2′-二羥基-4-甲氧基二苯甲酮等的二苯甲酮類。 上述紫外線吸收劑，可為一種單獨使用或組合二種以上使用。
紫外線吸收劑之使用量係因紫外線吸收劑之種類、使用條件等而不同，一般而言，相對於基材樹脂，在0.05～10質量%之範圍內添加，較佳為在0.1～5質量%之範圍內添加。
(微粒子) 本發明之薄膜卷，較佳為添加賦予薄膜卷滑性的微粒子。 特別是就提高本發明之薄膜表面的滑性，提高捲繞時之滑性，防止傷痕發生或結塊發生的觀點，可添加微粒子。
作為微粒子，不損及所得之薄膜卷的透明性，有熔融時的耐熱性時，可為無機微粒子或有機微粒子，更佳為無機微粒子。 此等之微粒子，可單獨使用，也二種以上併用使用。
藉由併用粒徑或形狀(例如，針狀與球狀等)不同的粒子，可兼具高度透明性與滑性。
構成上述微粒子之化合物之中，特佳為使用與前述環烯烴系樹脂、丙烯酸系樹脂或纖維素酯系樹脂折射率接近，故透明性(霧度)優異的二氧化矽。
二氧化矽之具體例，較佳為使用具有AEROSIL(註冊商標)200V、AEROSIL(註冊商標)R972V、AEROSIL(註冊商標)R972、R974、R812、200、300、R202、OX50、TT600、NAX50(以上日本AEROSIL股份公司製)、seahoster(註冊商標)KEP-10、seahoster(註冊商標)KEP-30、seahoster(註冊商標)KEP-50(以上為股份公司日本觸媒製)、SYLOPHOBIC(註冊商標)100(富士silysia股份公司製)、Nipsil(註冊商標)E220A(日本二氧化矽工業股份公司製)及admafine(註冊商標)SO(股份公司admatechs製)等之商品名的市售品等。
粒子的形狀，可使用不定形、針狀、扁平、球狀等，無特別限制，特別是使用球狀的粒子時，所得之薄膜卷的透明性良好，故較佳。
粒子之大小，由於接近可見光的波長時，光產生散射，透明性變差，故比可見光之波長小較佳，又更佳為可見光之波長的1/2以下。
粒子之大小為過小時，有滑性未改善的情形，故特佳為80～180nm的範圍內。 又，粒子之大小係指粒子為一次粒子之凝聚物時，凝聚物之大小。 又，粒子為非球狀時，係指相當於該投影面積之圓的直徑。
微粒子係相對於基材樹脂，在0.05～10質量%之範圍內添加，較佳為在0.1～5質量%之範圍內添加。
4.偏光板 藉由在偏光板具備，可適合使用本發明之薄膜卷之一部分的薄膜。 偏光板一般在偏光鏡薄膜(也稱為「偏光薄膜」或「偏光鏡膜」)與其兩面，以被積層之透明的樹脂薄膜所構成，本發明之薄膜卷之一部分的薄膜，例如可在偏光板具備作為該樹脂薄膜。
作為偏光板，可列舉例如具有使用偏光鏡薄膜之偏光鏡層與使用樹脂薄膜之偏光板保護薄膜與配置於彼等間之接著層的構成者。
(4.1)偏光鏡層 上述的偏光鏡層係至少由偏光鏡薄膜所構成的層。 在此，「偏光鏡」係指僅通過一定方向之偏波面之光的元件。
作為偏光薄膜，可列舉例如聚乙烯醇系的偏光薄膜或纖維素酯系的偏光薄膜，但是聚乙烯醇系之樹脂，相較於纖維素酯系樹脂，透明性、光學特性、耐久性等較優異，故較佳。
聚乙烯醇系偏光薄膜係對於聚乙烯醇系薄膜，使碘染色與使雙色性染料染色者。
聚乙烯醇系偏光薄膜，可為將聚乙烯醇系薄膜進行單軸延伸後，以碘或雙色性染料染色的薄膜(較佳為進一步，以硼化合物施予耐久性處理的薄膜)，也可為將聚乙烯醇系薄膜以碘或雙色性染料染色後，進行單軸延伸的薄膜(較佳為進一步，以硼化合物施予耐久性處理的薄膜)。 偏光鏡層的吸收軸，通常與最大延伸方向平行。
可使用例如日本特開2003-248123號公報、日本特開2003-342322號公報等所記載的乙烯單位之含量1～4莫耳%、聚合度2000～4000、皂化度99.0～99.99莫耳%的乙烯改性聚乙烯醇。
偏光鏡層的厚度，較佳為5～30μm，為了使偏光板薄型化等，更佳為5～20μm。
(4.2)偏光板保護薄膜 本發明之薄膜卷之一部分的薄膜，可在偏光鏡層之至少一面(至少與液晶胞對向之面)配置，作為偏光板保護薄膜或相位差薄膜使用。 偏光板保護薄膜之偏光鏡層積層的面，可施予後述的活性化處理。
本發明之薄膜卷之一部分的薄膜，僅在作為偏光板保護薄膜之偏光鏡層之一面配置時，偏光鏡層之另一面，可配置相位差薄膜等之其他的光學薄膜。
其他的光學薄膜之例，包含市售的纖維素酯薄膜(例如，Konica Minolta TACKC8UX、KC5UX、KC4UX、KC8UCR3、KC4SR、KC4BR、KC4CR、KC4DR、KC4FR、KC4KR、KC8UY、KC6UY、KC4UY、KC4UE、KC8UE、KC8UY-HA、KC2UA、KC4UA、KC6UA、KC8UA、KC2UAH、KC4UAH、KC6UAH、以上為Konica Minolta(股)製，Fuji-TACT40UZ、Fuji-TACT60UZ、Fuji-TACT80UZ、Fuji-TACTD80UL、Fuji-TACTD60UL、Fuji-TACTD40UL、Fuji-TACR02、Fuji-TACR06，以上為富士薄膜(股)製)等。
其他之光學薄膜的厚度，例如可為5～100μm，較佳為40～80μm。
(4.3)接著層 接著層係於本發明之薄膜卷之一部分的薄膜(或其他之光學薄膜)與偏光鏡層之間配置，使水系接著劑或紫外線硬化型接著劑乾燥者。
接著層的厚度，例如可為0.01～10μm，較佳為0.03～5μm左右。
(水系接著劑) 水系接著劑之例，包含乙烯基系、明膠系、乙烯基系乳膠系、聚胺基甲酸酯系、異氰酸酯系、聚酯系、環氧系等。
偏光鏡層使用聚乙烯醇系偏光薄膜時，就容易得到接著性的觀點等，較佳為含有乙烯基系樹脂的水系接著劑，更佳為含有聚乙烯醇系樹脂的水系接著劑(完全皂化型聚乙烯醇水溶液等)。
含有聚乙烯醇系樹脂的水系接著劑，可進一步含有硼酸或硼砂、戊二醛或三聚氰胺、草酸等的水溶性交聯劑。
(紫外線硬化型接著劑) 紫外線硬化型接著劑，可為光自由基聚合性組成物，也可為光陽離子聚合性組成物。 其中，較佳為光陽離子聚合性組成物。
光陽離子聚合性組成物，包含環氧系化合物與光陽離子聚合起始劑。
環氧系化合物係指分子內具有1以上，較佳為2以上之環氧基的化合物。
環氧系化合物之例，包含使脂環式多元醇與環氧氯丙烷反應所得的氫化環氧系化合物(具有脂環式環之多元醇的縮水甘油醚)；脂肪族多元醇或其環氧烷(ALKYLENE OXIDE)加成物之聚縮水甘油醚等之脂肪族環氧系化合物；分子內具有1以上之與脂環式環鍵結之環氧基的脂環式環氧系化合物。 環氧系化合物，可僅使用一種，也可併用二種以上。
光陽離子聚合起始劑，例如可為芳香族重氮鎓鹽；芳香族錪鹽或芳香族鋶鹽等的鎓鹽；鐵-芳烴錯合物等。
光陽離子聚合起始劑，必要時可進一步含有氧雜環丁烷、多元醇等的陽離子聚合促進劑、光增感劑、溶劑等的添加劑。
(4.4)偏光板之製造方法 本發明之偏光板之製造方法係具有下述步驟，1)偏光板保護薄膜的表面施予活性化處理的步驟，2)偏光板保護薄膜之施予活性化處理的表面，介於水系接著劑或紫外線硬化型接著劑，積層偏光鏡層(偏光薄膜)的步驟及3)使所得之積層物乾燥的步驟。
關於1)的步驟 在偏光板保護薄膜的表面(與偏光鏡層貼合的面)施予活性化處理。 藉此，容易得到與偏光鏡層的接著性。
具體而言，藉由活性化處理，使偏光板保護薄膜所含有之特定之接枝聚合體之側鏈的矽氧烷鍵或醚鍵、3級碳原子等親水化，提高與水系接著劑的親和性，或藉由使容易相互作用，使偏光板保護薄膜與偏光鏡層容易接著。
活性化處理之例，包含電暈處理、電漿處理及鹼化處理，較佳為電暈處理及電漿處理，更佳為電暈處理。
活性化處理條件係可使特定之接枝聚合體之側鏈所含有的矽氧烷鍵或醚鍵、3級碳原子等充分地活性化的程度即可。 活性化處理為電暈處理時，照射量，較佳為100～1000[W・min/m 2]的範圍內，更佳為150～900[W・min/m 2]的範圍內。
關於2)的步驟 接著，在偏光板保護薄膜之施予活性化處理的面，介於水系接著劑或紫外線硬化型接著劑，積層偏光鏡層。
關於3)的步驟 接著，使所得之積層物乾燥，得到偏光板。
乾燥可藉由加熱乾燥進行。 乾燥溫度係水系接著劑或紫外線硬化型接著劑充分地乾燥的溫度即可，例如可為60～100℃的範圍內。
5.顯示裝置 本發明之薄膜卷之一部分的薄膜係在顯示裝置具備，可適合使用。 前述顯示裝置，可列舉液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置等的各種圖像顯示裝置。 以下說明本發明之薄膜卷之一部分之薄膜的使用例，作為偏光板保護薄膜，在偏光鏡及液晶顯示裝置具備的情形。
(5.1)液晶顯示裝置 本發明之顯示裝置，具體而言，可列舉例如包含液晶胞與夾持其之一對之偏光板的液晶顯示裝置。
圖18係表示本發明之液晶顯示裝置之構成之一例的示意圖。 如圖18所示，液晶顯示裝置(300)包含液晶胞(220)、夾持其之第1偏光板(210)及第2偏光板(230)及背光(240)。
液晶胞(220)之顯示模式，例如可為STN、TN、OCB、HAN、VA(MVA、PVA)、IPS等的各種顯示模式，為了得到高的對比時，較佳為VA(MVA、PVA)模式。
第1偏光板(210)包含第1偏光鏡(212)、配置於與第1偏光鏡(212)的液晶胞相反側之面的偏光板保護薄膜(211)及配置於第1偏光鏡(212)之液晶胞側之面的偏光板保護薄膜(213)。
第2偏光板(230)包含第2偏光鏡(232)，配置於第2偏光鏡(232)之液晶胞側之面的偏光板保護薄膜(231)及配置於與第2偏光鏡(232)之液晶胞相反側之面的偏光板保護薄膜(233)。偏光板保護薄膜(213)與(231)之一者，必要時可省略。
此外，偏光板保護薄膜(211)與(233)之至少一者，可為本發明的樹脂薄膜。
(5.2)其他的用途 本發明之薄膜卷之一部分的薄膜，不僅可作為液晶顯示裝置的偏光板保護薄膜，也可作為具備觸控面板的圖像顯示裝置或有機EL顯示器或電漿顯示器等之圖像顯示裝置等的保護薄膜使用。
又，可使用本發明的實施形態，不限定於上述的實施形態，在不超出本發明之技術要件的範圍內，可適宜變更。 [實施例]
以下舉實施例，具體地說明本發明，但是本發明不受此限定。又，實施例中，使用「份」或「%」之表示，無特別聲明時，表示「質量份」或「質量%」。
[A 薄膜卷之製作] [A.1 薄膜卷No.1之製作] 薄膜之製膜，使用溶液流延製膜法。
(膠漿調製步驟[S1]) ＜環狀聚烯烴聚合物[P-1]之合成＞ 將純化甲苯100質量份與降莰烯羧酸甲酯100質量份投入攪拌裝置。
接著，將溶解於甲苯中的乙基己酸酯-Ni25m莫耳%(對單體質量)、三(五氟苯基)硼0.225莫耳%(對單體質量)及溶解於甲苯之三乙基鋁0.25莫耳%(對單體質量)投入攪拌裝置。 在室溫下，邊攪拌使反應18小時。
反應終了後，將反應混合物投入過剩的乙醇中，使生成聚合物沉澱。 將沉澱進行純化所得的聚合物，在真空乾燥下，藉由以65℃乾燥24小時，合成環狀聚烯烴聚合物[P-1]。
＜環狀聚烯烴溶液(膠漿[D-1])之調製＞ 將下述組成物[1]投入混合槽，進行攪拌溶解各成分後，以平均孔徑34μm的濾紙及平均孔徑10μm的燒結金屬過濾器進行過濾，調製環狀聚烯烴溶液(膠漿[D-1])。
《組成物[1]》 ・環狀聚烯烴聚合物[P-1]              25質量份 ・二氯甲烷                                 65質量份 ・乙醇                                       10質量份
＜微粒子分散液[1]之調製＞ 其次，將下述組成物[2]投入分散機，調製作為添加劑的微粒子分散液[1]。
《組成物[2]》 ・微粒子(AEROSILR812：日本AEROSIL公司製、一次平均粒徑：7nm、表觀比重50g/L)       4質量份 ・二氯甲烷                                 76質量份 ・乙醇                                       20質量份
＜製膜用膠漿[1]之調製＞ 混合上述環狀聚烯烴溶液(膠漿[D-1])100質量份與微粒子分散液[1]0.75質量份，調製製膜用膠漿[1](樹脂組成物 環烯烴系樹脂：COP)。
(流延步驟[S2]) 將以膠漿調製步驟[S1]調製的製膜用膠漿[1](樹脂組成物 環烯烴系樹脂：COP)通過加壓型定量齒輪幫浦，藉由導管送液至流延模，由流延模，將膠漿以製膜連線，並以1800mm寬度，流延至無限移送之旋轉驅動不銹鋼製無端帶所構成之支撐體上的流延位置，膠漿在支撐體上加熱，直到具有自撐性為止，藉由剝離滾輪，可自支撐體剝離流延膜為止，使溶劑蒸發，乾燥形成流延膜。
(剝離步驟[S3]) 以流延步驟[S2]形成流延膜後，藉由剝離滾輪，將流延膜在具有自撐性的狀態下，自支撐體進行剝離。
(收縮步驟[S4]) 將薄膜未保持寬度的狀態下，進行高溫處理，藉由提高薄膜的密度，使薄膜在寬度方向以收縮率7%收縮。
(第1乾燥步驟[S5]) 然後，將薄膜在支撐體上進行加熱，使溶劑蒸發。 薄膜之殘留溶劑量藉由下述的方法測定，殘留溶劑量為5質量%以下。
＜殘留溶劑量測定＞ 殘留溶劑量係藉由氣相層析，如下述進行質量分析。 亦即，採取任意位置的薄膜片，為了防止薄膜中殘留之溶劑之揮發，快速置入小玻璃瓶中，再蓋上栓蓋。 其次，小玻璃瓶中，插入針，使用氣相層析儀(Agilent Technologies Japan(股)製)進行質量分析。
又，殘留溶劑量係以下述式定義。 殘留溶劑量[質量%]={(M-N)/N}×100 又，上述式中的M係將流延膜或薄膜在製造中或製造後之任意的時點，採取之試料的質量[g]，上述式中的N係將上述試料以115℃加熱1小時之加熱後的質量[g]。
(第1延伸步驟[S6]) 然後，將薄膜在拉幅機拉伸裝置內搬送，進行橫延伸。
(第1切斷步驟[S7]) 切斷被延伸之薄膜之寬度方向的兩端部。
(第2延伸步驟[S8]) 與第1延伸步驟同樣，將薄膜藉由拉幅機拉伸裝置進行延伸。 藉由上述的方法測定薄膜之殘留溶劑量，測得1～5質量%。
(第2切斷步驟[S9]) 與第1切斷步驟同樣，切斷被延伸之薄膜之寬度方向的兩端部。
(第2乾燥步驟[S10]) 與第1乾燥步驟同樣，將薄膜在支撐體上進行加熱，使溶劑蒸發。 薄膜之殘留溶劑量藉由上述的方法測定，殘留溶劑量為0.1～2質量%。
(第3切斷步驟[S11]) 與第1切斷步驟及第2切斷步驟同樣，切斷被延伸之薄膜之寬度方向的兩端部。
(捲繞步驟[S12]) 將上述薄膜以捲繞速度(搬送薄膜之線速度)60m/分鐘，薄膜卷寬度為2000mm，卷長係捲繞10000m。 測定捲繞時之薄膜的厚度為40μm。
又，使用捲繞裝置及TR(接觸輥)，將捲繞時之卷芯周邊部的觸壓調整為16.0N/m，張力調整為40N/m，卷中央部的觸壓調整為16.0N/m，張力調整為40N/m，卷外圍邊部的觸壓調整為15.2N/m，張力調整為40N/m，以錐度70%、及彎曲(Corner)25%實施。
薄膜之厚度係藉由串聯(in-line)延遲・膜厚測定裝置RE-200L2T-Rth+膜厚(大塚電子(股)製)，測定1612處，算出形成於薄膜表面之凹凸構造之最高的部分與最低之部分的高度差，作為其平均值。 此時，橫越速度(traversing speed)係以100mm/sec進行。
藉由以上步驟，製作薄膜卷No.1。
[A.2 薄膜卷No.2～13之製作] 膠漿調製步驟[S1]中，除了將製膜用膠漿(樹脂組成物)的種類、捲繞步驟[S12]中之卷長[m]、捲繞速度[m/分鐘]、薄膜之厚度[μm]、捲繞時之卷芯周邊部的觸壓[N/m]及張力[N/m]、卷中央部的觸壓[N/m]及張力[N/m]、卷外圍邊部的觸壓[N/m]及張力[N/m]如表I進行變更外，與薄膜卷No.1同樣，製作薄膜卷No.2～13。
[B 卷芯周邊部、卷中央部及卷外圍邊部之空隙層之厚度之算出] 將製作的各薄膜卷在40℃・80%RH下，保存1週後，使用前述(空隙層之厚度之算出方法之一例)算出卷芯周邊部、卷中央部及卷外圍邊部之空隙層的厚度。
以下表示使用薄膜卷No.1，算出卷芯周邊部之空隙層之厚度的具體的方法。
保存1週後之薄膜卷No.1之寬度方向側面部的成為卷徑20%的位置(P 20)作為中心，拍攝該側面部，取得前述圖像數據，對於取得的圖像數據，進行邊緣強調處理，得到算出如圖5之空隙層之厚度的加工圖像。
然後，以加工圖像的中心(P 20)作為始點，與薄膜面垂直，向卷外側第100層之位置的點作為終點，測定半徑方向長度，使用下述式(A)，算出卷芯周邊部之空隙層的厚度X[μm]。
式(A)空隙層的厚度X[μm]=[半徑方向的長度[μm]-(以膜厚計測定之薄膜層1層的平均厚度[μm])×(層數)]÷(層數)
將測定的值代入時，薄膜卷No.1之空隙層的厚度X[μm]=[4020μm-40.00μm×100]÷100=0.20μm。
對於卷中央部之空隙層的厚度，除了以寬度方向側面部之成為卷徑50%的位置(P 50)為中心，拍攝該側面部，以加工圖像之中心(P 50)作為始點外，與卷芯周邊部之空隙層的厚度同樣，進行算出。
對於卷外圍邊部之空隙層的厚度，除了以寬度方向側面部之成為卷徑80%的位置(P 80)為中心，拍攝該側面部，以加工圖像之中心(P 80)作為始點外，與卷芯周邊部之空隙層的厚度同樣，進行算出。
[C 評價] [C.1 捲繞偏離之量而得的評價] (評價方法) 將上述之保存1週後的各薄膜卷設置於輸送環境記錄計「Tough Logger TR-1000」(IMV股份公司製)，以振動試驗在薄膜卷的寬度方向提供5.8m/s 2之加速度30分鐘，測定薄膜卷之寬度方向之端面左右的偏離量，基於以下的評價基準進行評價。結果示於表I。
以下，說明上述之「左右的偏離量」。 圖19係表示由與薄膜卷之寬度方向正交的方向所見之薄膜卷之寬度方向之端面左右之偏離量的概念圖。
薄膜卷(30)係進行振動試驗前，寬度方向的端面未左右偏離，此時之端面作為薄膜卷之寬度方向之端面中最短的端面(S S)。
又，對於薄膜卷，藉由進行振動試驗，如圖19在薄膜卷的端面分別產生偏離，其中產生最大偏離的端面作為薄膜卷之寬度方向之中最長的端面(S L)。
然後，上述薄膜卷之寬度方向之端面之中最短的端面(S S)與薄膜卷之寬度方向之中最長的端面(S L)之對寬度方向之偏離的長度，作為「薄膜卷之寬度方向之端面左右的偏離量」。
(評價基準) ○：偏離量為未達2mm。 △：偏離量為2mm以上，未達10mm。 ×：偏離量為10mm以上。
[C.2 因長期保管時之黏貼故障程度所致之評價] (評價方法) 將上述各薄膜卷在常溫的倉庫保管一個月，然後，將各薄膜卷的薄膜一部分開卷，目視觀察薄膜與薄膜卷之狀態，基於以下的評價基準，進行評價。結果示於表I。
(評價基準) ◎：未見薄膜彼此之黏貼，無皺紋及變形等的變化。 〇：稍微有薄膜彼此之黏貼，薄膜卷的表面稍微可見皺紋，但是未確認變形。 △：有薄膜彼此之黏貼，薄膜卷的表面看見皺紋，一部分確認變形，但是實用上無問題。 ×：薄膜彼此有強的黏貼，由薄膜卷的表面往內部，可見強的皺紋，該薄膜卷的表面確認強的變形，至內部可確認變形。
[D 綜合] 由表I所示的條件及評價結果等得知，本發明的實施例相較於比較例，振動試驗實施時無捲繞偏離，即使長期保管時，也無黏貼故障。
1,1a:攪拌裝置(攪拌槽) 2:流延模 3:支撐體(環形帶、捲筒) 3a,3b:滾輪 4:剝離滾輪 5:流延膜 6:乾燥裝置 7:延伸裝置(拉幅機拉伸裝置、斜延伸裝置) 8:切斷部 9:延伸裝置(拉幅機拉伸裝置) 10:切斷部 11:乾燥裝置 12:切斷部 13:捲繞裝置 14:擠壓機 15:流延模 16:壓鑄筒、支撐體 16a:接觸輥 17:冷卻筒 19:延伸裝置(拉幅機拉伸裝置) 20:切斷部 21:延伸裝置(拉幅機拉伸裝置) 22:切斷部 23:捲繞裝置 30:薄膜卷 31:薄膜 32:滾輪 33:接觸輥 40:延伸裝置(拉幅機拉伸裝置) 42:夾具 46:外罩 48:無端鏈 50:原動鏈輪 52:被動鏈輪 54:軌道 56:開放構件 60:全反射鏡 61:半鏡面 62:遠心鏡頭 63:高亮度線照明 64:黑白線性影像感測器相機 80:溫度分布感測器 101:噴嘴固定部分 102:噴嘴 103:流延膜 104:端部噴嘴 105:中央噴嘴 106:夾具外罩 200:液晶顯示裝置 210:第1偏光板 211:配置於與第1偏光鏡之液晶胞側相反側之面的偏光板保護薄膜 212:第1偏光鏡 213:配置於第1偏光鏡之液晶胞側之面的偏光板保護薄膜 220:液晶胞 230:第2偏光板 231:配置於第2偏光鏡之液晶胞側之面的偏光板保護薄膜 232:第2偏光鏡 233:配置於與第2偏光鏡之液晶胞側相反側之面的偏光板保護薄膜 240:背光 A:卷芯周邊部 B:卷中央部 C:卷外圍邊部 F:薄膜 F in:接近卷芯側之薄膜 F out:接近卷外側的薄膜 L 1:比接近卷芯側之薄膜，更靠卷外側被捲繞的薄膜層 L 2:比接近卷外側的薄膜，更靠卷外側被捲繞的薄膜層 H A,H B:寬度 Q:熱電偶、紅外線(IR)加熱器 E:影像裝置 R:卷芯 TD:薄膜卷之寬度方向 U:影像單元 P:薄膜卷之寬度方向側面部上的任意點 S:薄膜卷之被測定面(寬度方向側面部) S 0:卷芯表面 S 1:黏貼於卷芯表面之薄膜之層 S 2:成為卷芯周邊部與卷中央部之邊界之薄膜之層 S 3:成為卷中央部與卷外圍邊部之邊界之薄膜之層 S 4:薄膜卷之最外層之薄膜層 S L:薄膜卷之寬度方向之端面之中最長的端面 S S:薄膜卷之寬度方向之端面之中最短的端面 P 20:成為卷徑20%的位置 P 50:成為卷徑50%的位置 P 80:成為卷徑80%的位置
[圖1]施加對接近卷芯側之薄膜之薄膜卷寬度方向之慣性力的概念圖 [圖2]施加對接近卷外側之薄膜之薄膜卷寬度方向之慣性力的概念圖 [圖3]表示薄膜卷之寬度方向側面部與影像裝置之位置關係的概略圖 [圖4]將薄膜卷之寬度方向側面部與該側面部垂直之面觀看時的概略圖 [圖5]算出空隙層之厚度用的加工圖像 [圖6]說明卷芯周邊部、卷中央部及卷外圍邊部用之薄膜卷之寬度方向側面部之一部分的簡略概念圖 [圖7]影像單元之內部構成示意圖 [圖8]影像裝置之系統構成的概略圖 [圖9]表示溶液流延製膜法之製造步驟的流程圖 [圖10]藉由溶液流延製膜法製造薄膜之裝置的概略圖 [圖11]示意表示拉幅機拉伸裝置之內部構成的平面圖 [圖12]表示取下拉幅機拉伸裝置之外殼之狀態的平面圖 [圖13]由正面觀看拉幅機拉伸裝置內之3區時之噴嘴與加熱器設置部分的概略圖 [圖14]拉幅機拉伸裝置內之3區的側面圖 [圖15]表示薄膜捲繞的步驟與被捲繞後之本發明之薄膜卷之剖面的概略圖 [圖16]表示熔融流延製膜法之製造步驟之流程圖 [圖17]藉由熔融流延製膜法製造薄膜之裝置的概略圖 [圖18]表示本發明之液晶顯示裝置之構成之一例的示意圖 [圖19]表示薄膜卷之寬度方向之端面之左右之偏離量的概念圖
30:薄膜卷
E:影像裝置
R:卷芯
TD:薄膜卷之寬度方向
U:影像單元
P:薄膜卷之寬度方向側面部上的任意點
S0:卷芯表面
S4:薄膜卷之最外層之薄膜層

Claims (7)

  1. 一種薄膜卷，其係不具有壓花加工部的薄膜卷， 在前述薄膜卷之寬度方向側面部測定之卷芯周邊部之彼此相鄰之薄膜間之空隙層的厚度設為X[μm]，卷外圍邊部之彼此相鄰之薄膜間之空隙層的厚度設為Y[μm]時，前述X與前述Y滿足下述式(1)之關係， 式(1) X＜Y。
  2. 如請求項1之薄膜卷，其中前述X[μm]與前述Y[μm]滿足下述式(2)及下述式(3)， 式(2) 0.15＜X＜0.40 式(3) 1＜(Y/X)≦3。
  3. 一種薄膜卷之製造方法，其係製造不具有壓花加工部之薄膜卷的製造方法， 在前述薄膜卷之寬度方向側面部測定之前述卷芯周邊部之彼此相鄰之薄膜間之空隙層的厚度設為X[μm]，前述卷外圍邊部之彼此相鄰之薄膜間之空隙層的厚度設為Y[μm]時，前述X與前述Y滿足下述式(1)之關係， 式(1) X＜Y。
  4. 如請求項3之薄膜卷之製造方法，其中使前述X[μm]與前述Y[μm]滿足下述式(2)及下述式(3)的方式進行調製， 式(2) 0.15＜X＜0.40 式(3) 1＜(Y/X)≦3。
  5. 如請求項3或請求項4之薄膜卷之製造方法，其中將前述卷芯周邊部的薄膜觸壓在6～55[N/m]之範圍內，卷中央部的薄膜觸壓在4～40[N/m]之範圍內，及前述卷外圍邊部的薄膜觸壓在3～30[N/m]之範圍內進行調整。
  6. 一種偏光板，其係具備如請求項1或請求項2之薄膜卷之一部分的薄膜。
  7. 一種顯示裝置，其係具備如請求項1或請求項2之薄膜卷之一部分的薄膜。
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