TW202400617A - 製備有機錫化合物的方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種用於製備某些具有烷基及烷胺基取代基之有機錫化合物之高效且有效的方法。該方法提供呈高純度結晶形式之有機錫化合物，該等有機錫化合物在例如用於製造某些微電子裝置之極紫外光(EUV)微影技術中特別適用作沉積高純度氧化錫薄膜的前驅體。
Description
本發明屬於有機錫化學之領域。特定言之，其係關於一種用於製備某些有機錫化合物，例如，異丙基參(二甲基胺基)錫之高效且有效的方法。
已展示某些有機錫化合物適用於在諸如用於製造某些微電子裝置之極紫外(EUV)微影技術之應用中沉積高純度氧化錫(II)。備受關注的係具有烷胺基及烷基之組合的有機錫化合物，其可能難以以高純度提供。
因此，需要提供一種改良之方法來製造呈高純度形式之此類有機錫化合物，以用於沉積高純度氧化錫薄膜。
本文提供一種用於製備某些具有烷基及烷胺基取代基之有機錫化合物的方法，該有機錫化合物諸如式(I)化合物：R
1-Sn-(NR
2)
3，其中可相同或不同的R為C
1-C
4烷基且R
1為經取代或未經取代之飽和或不飽和直鏈、分支鏈或環狀C
1-C
5基團。具有式(I)化合物的一特定實例為異丙基參(二甲基胺基)錫(CAS號1913978-89-8)。該方法包含使本文中較詳細描述之式(A)化合物與其中X為溴、碘或氯之式R
1-X化合物接觸。該方法亦產生式(II)化合物，且本發明亦係關於此化合物。有利地，該方法提供呈高純度(諸如大於98%純度)形式之式(I)有機錫前驅體化合物。歸因於其高純度，本文中所描述之有機錫化合物特別適用於在例如微電子裝置製造中使用之極紫外光(EUV)微影技術中沉積高純度氧化錫(SnOx)薄膜。
本發明係關於一種用於製備具有烷基及烷胺基取代基之有機錫化合物的方法。
在第一實施例中，本發明提供一種用於製備式(I)之單烷基參(二烷基胺基)錫化合物的方法：
，
在此式中，各R可為相同或不同且為C
1-C
4烷基，且R
1為經取代或未經取代之飽和或不飽和直鏈、分支鏈或環狀C
1-C
5基團。該方法包含使式(A)化合物
，
與具有式R
1-X之化合物接觸，其中X為溴、碘或氯。在此方法之一實施例中，各R可獨立地選自甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、三級丁基及二級丁基。在一特定實施例中，各R為甲基。此外，R
1可選自甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、三級丁基、二級丁基、正戊基、異戊基或新戊基。另外，R
1可為環狀C
1-C
5基團，諸如環丙基。此外，R
1可為不飽和C
1-C
5基團，諸如乙烯基或乙炔基。此等R
1基團中之任一者可進一步經取代，諸如經一或多個鹵基或醚基取代。例如，R
1可為具有式-(CH
2)
n(CH
aF
b)
m之氟化烷基，其中m = 1至5且m + n = 1至5且其中b = 1至3且a + b = 3，包括單氟化C
1-C
5烷基(諸如-CH
2F或-CH
2CH
2F基團)及全氟化C
1-C
5基團(諸如-CF
3或CF
2CF
3基團)。替代地，R
1可為烷基醚基，其中烷基部分為C
1-C
5烷基。在一特定實施例中，R
1係未經取代之C
1-C
5烷基，諸如C
1-C
3烷基。例如，各R可為甲基且R
1可為異丙基。
如上文所示，用於此方法中之起始物質為式(A)化合物：
，
此化合物可藉由已知方法製備，諸如藉由使氯化錫(II) (SnCl
2)與式M-N(R)
2化合物反應，其中M係選自鈉、鋰及鉀之金屬。因此，本發明之一實施例為一種用於製備式(I)化合物之方法，其進一步包含藉由使氯化錫(II)與式M-N(R)
2化合物反應來製備式(A)起始物質的先前步驟，其中M為金屬陽離子，諸如Al陽離子、Mg陽離子或Ca陽離子，或第1族或第2族陽離子，諸如鈉離子、鋰離子或鉀離子。作為一特定實例，M可為鋰離子且R可為甲基。在此類情況下，可諸如經由過濾(必要時)移除由此形成之氯化鋰，隨後使所得式(A)化合物與式R
1-X化合物接觸。在其他情況下，所形成之式(A)起始物質化合物可不經過濾以漿液形式原樣使用，而與已沈澱之式M-Cl化合物(諸如氯化鋰)在同一反應容器中反應。因此，本發明方法提供一種式(I)化合物之一鍋式合成。
該反應提供如上文所示之式(I)化合物與式(II)之副產物的混合物：
，
其中各R可為相同或不同且為C
1-C
4烷基，且各X係選自碘、溴及氯。因此，本發明進一步提供式(II)之副產物化合物。例如，在此副產物之一個實施例中，各R為相同或不同且為C
1-C
4烷基，且各X係選自碘、溴及氯，其限制條件為當X為氯時，R不為甲基。在另一實施例中，各R為相同或不同且為C
1-C
4烷基且各X為碘或溴。式(II)化合物之晶體結構係描繪於圖1中，其中各R為甲基且各X為碘。亦預期此等式(II)之副產物適用作沉積氧化錫薄膜(諸如氧化錫(II)或氧化錫(IV)薄膜)之前驅體化合物，且適用作其他有用的有機錫前驅體化合物之合成中的中間物。
本發明方法可以純形式(亦即，在無任何添加溶劑之情況下)或在原本與起始物質或產物不具反應性之溶劑中進行。適合溶劑之實例為非極性非質子性溶劑，包括液態烴，諸如己烷、苯或甲苯；極性非質子性溶劑，諸如四氫呋喃或二甲氧基乙烷；及非極性非質子性溶劑及極性非質子性溶劑之混合物。當在無任何添加溶劑之情況下以純形式進行時，可使用過量之式R
1-X化合物，尤其當此化合物為液體時。此外，該方法可經由交換反應，使用鹵素交換試劑與式R
1-X化合物組合來進行。
該方法係在適合於所揭示之反應劑反應的溫度下進行。例如，反應溫度可在接近室溫(諸如約20℃)至約80℃範圍內。在一較佳實施例中，該方法係在室溫(23℃)至約65℃，諸如約50℃至約70℃或約60℃之溫度下進行。
如上文所指出，在式(A)之起始物質之合成中，鹵化鋰副產物(例如LiCl)可經由過濾移除。所得起始物質可在同一反應容器中原樣使用以便進一步與式R
1-X化合物反應形成式(I)化合物，其可諸如經由蒸餾進一步純化，以提供宜具有較低含量之雜質的產物。
本發明可藉由本文所包括之實施例進一步說明，但將理解，除非另外具體指示，否則此等實施例僅出於說明之目的包括在內且不意欲限制本發明之範疇。
實例 1
使用如上文所描述且下文所示之反應順序製備異丙基參(二甲基胺基)錫：
因此，向配備有磁性攪拌棒之3頸500 mL圓底燒瓶中裝入12.2 g二甲胺基鋰(239 mmol)及250 mL己烷。向此灰白色漿液中添加21.6 g SnCl
2(113 mmol)且在60℃下攪拌所得混合物72小時。使所得灰綠色漿液冷卻至23℃，得到包括式(A)化合物之混合物。
無需進一步純化，用11.5 g 2-碘丙烷(68.2 mmol)處理混合物。隨後將反應混合物加熱至60℃持續18小時。在反應混合物冷卻至23℃之後，將其經由粗孔燒結過濾器過濾至500 mL燒瓶中，且用500 ml等分試樣之無水己烷洗滌濾餅，得到淡黃色澄清溶液。隨後在減壓下自濾液移除溶劑及其他揮發物，以產生式(I)產物及式(II)副產物的混合物。
當揮發物移除完成時，經由0.2微米針筒過濾器過濾殘留之油狀物，得到10.6 g橙色油狀物。將橙色油狀物置於-30℃冷凍箱中隔夜，使得[ISn(NMe
2)]
2沈澱為黃色固體。藉由經由0.2微米針筒過濾器過濾來移除此黃色固體。隨後使用短程蒸餾在610-645毫托下用34-37℃之頂溫來蒸餾剩餘橙色油狀物，得到呈澄清淡黃綠色油餾出物之異丙基參(二甲基胺基)錫(6.09 g，36.5%)。
1H-NMR (400 MHz, 苯-d6): δ 2.83 (
1H-
119/117Sn) = 20.8 Hz, 18H), 1.68-1.57 (m, 1H), 1.27 (d, J1h-13C = 7.3 Hz, 6H)。
119Sn NMR: 64.30。圖2A及圖2B中分別展示
119Sn-NMR及
1H-NMR光譜，其表明產物具有高純度。
發現副產物[ISn(NMe
2)]
2為結晶固體且因此亦具有高純度，諸如大於95%純度，包括大於98%、99%或99.5%。晶體結構展示於圖1中，且結晶度資料提供於表1及表2中。歸因於其高純度，此等有機錫化合物將預期適用於在例如微電子裝置製造中使用之極紫外光(EUV)微影技術中沉積高純度氧化錫薄膜。
表 1-[ISn(NMe
2)]
2 之晶體資料及結構精化 .
表 2-[ISn(NMe
2)]
2 之鍵長 [Å] 及鍵角 [°]
實例 2
| 經驗式 | C4 H12 I2 N2 Sn2 |
| 分子式 | C4 H12 I2 N2 Sn2 |
| 式量 | 579.34 |
| 溫度 | 100.15 K |
| 波長 | 0.71073 Å |
| 晶系 | 斜方晶 |
| 空間群 | Pbcn |
| 單位晶胞尺寸 | a = 22.0958(5) Å α= 90°. b = 10.2623(3) Å β= 90°. c = 10.9856(3) Å γ = 90°. |
| 體積 | 2491.03(11) Å 3 |
| Z | 8 |
| 密度(計算值) | 3.090 Mg/m 3 |
| 吸收係數 | 8.919 mm -1 |
| F(000) | 2048 |
| 晶體尺寸 | 0.2 × 0.18 × 0.18 mm 3 |
| 晶體顏色，慣態 | 淡黃色晶體塊 |
| 用於資料收集之θ範圍 | 1.843至27.102°。 |
| 指數範圍 | -28＜=h＜=28，-13＜=k＜=12，-14＜=l＜=14 |
| 收集到之反射 | 25802 |
| 獨立反射 | 2748 [R(int) = 0.0740] |
| θ= 25.242°之完整度 | 100.0 % |
| 吸收校正 | 根據等效值之半經驗吸收校正 |
| 最大及最小透過率 | 0.2616及0.1599 |
| 精化方法 | 對F 2之全矩陣最小平方法 |
| 資料/限制數/參數 | 2748 / 0 / 96 |
| 對F 2之適合度 | 1.259 |
| 最終R指數[I＞2σ(I)] | R1 = 0.0291，wR2 = 0.0713 |
| R指數(所有資料) | R1 = 0.0300，wR2 = 0.0720 |
| 消光係數 | 0.00069(5) |
| 差分圖上之最大峰頂與峰谷 | 1.367及-0.890 e.Å -3 |
| 鍵長： | I(1)-Sn(1) | 2.8492(5) |
| I(2)-Sn(2) | 2.8448(5) | |
| Sn(1)-N(1) | 2.252(4) | |
| Sn(1)-N(2) | 2.267(4) | |
| Sn(2)-N(1) | 2.245(4) | |
| Sn(2)-N(2) | 2.243(4) | |
| N(1)-C(1) | 1.477(6) | |
| N(1)-C(2) | 1.484(6) | |
| N(2)-C(3) | 1.480(7) | |
| N(2)-C(4) | 1.482(6) | |
| C(1)-H(1A) | 0.9800 | |
| C(1)-H(1B) | 0.9800 | |
| C(1)-H(1C) | 0.9800 | |
| C(2)-H(2A) | 0.9800 | |
| C(2)-H(2B) | 0.9800 | |
| C(2)-H(2C) | 0.9800 | |
| C(3)-H(3A) | 0.9800 | |
| C(3)-H(3B) | 0.9800 | |
| C(3)-H(3C) | 0.9800 | |
| C(4)-H(4A) | 0.9800 | |
| C(4)-H(4B) | 0.9800 | |
| C(4)-H(4C) | 0.9800 | |
| 鍵角： | N(1)-Sn(1)-I(1) | 98.21(10) |
| N(1)-Sn(1)-N(2) | 78.97(14) | |
| N(2)-Sn(1)-I(1) | 95.40(11) | |
| N(1)-Sn(2)-I(2) | 93.25(10) | |
| N(2)-Sn(2)-I(2) | 92.67(11) | |
| N(2)-Sn(2)-N(1) | 79.62(14) | |
| Sn(2)-N(1)-Sn(1) | 97.25(14) | |
| C(1)-N(1)-Sn(1) | 118.1(3) | |
| C(1)-N(1)-Sn(2) | 108.3(3) | |
| C(1)-N(1)-C(2) | 108.3(4) | |
| C(2)-N(1)-Sn(1) | 110.2(3) | |
| C(2)-N(1)-Sn(2) | 114.5(3) | |
| Sn(2)-N(2)-Sn(1) | 96.88(15) | |
| C(3)-N(2)-Sn(1) | 119.8(3) | |
| C(3)-N(2)-Sn(2) | 105.7(3) | |
| C(3)-N(2)-C(4) | 108.0(4) | |
| C(4)-N(2)-Sn(1) | 110.1(3) | |
| C(4)-N(2)-Sn(2) | 116.5(3) | |
| N(1)-C(1)-H(1A) | 109.5 | |
| N(1)-C(1)-H(1B) | 109.5 | |
| N(1)-C(1)-H(1C) | 109.5 | |
| H(1A)-C(1)-H(1B) | 109.5 | |
| H(1A)-C(1)-H(1C) | 109.5 | |
| H(1B)-C(1)-H(1C) | 109.5 | |
| N(1)-C(2)-H(2A) | 109.5 | |
| N(1)-C(2)-H(2B) | 109.5 | |
| N(1)-C(2)-H(2C) | 109.5 | |
| H(2A)-C(2)-H(2B) | 109.5 | |
| H(2A)-C(2)-H(2C) | 109.5 | |
| H(2B)-C(2)-H(2C) | 109.5 | |
| N(2)-C(3)-H(3A) | 109.5 | |
| N(2)-C(3)-H(3B) | 109.5 | |
| N(2)-C(3)-H(3C) | 109.5 | |
| H(3A)-C(3)-H(3B) | 109.5 | |
| H(3A)-C(3)-H(3C) | 109.5 | |
| H(3B)-C(3)-H(3C) | 109.5 | |
| N(2)-C(4)-H(4A) | 109.5 | |
| N(2)-C(4)-H(4B) | 109.5 | |
| N(2)-C(4)-H(4C) | 109.5 | |
| H(4A)-C(4)-H(4B) | 109.5 | |
| H(4A)-C(4)-H(4C) | 109.5 | |
| H(4B)-C(4)-H(4C) | 109.5 |
使用如實例1所述之反應順序製備F
3CSn(NMe
2)
3。具體言之，將[Sn(NMe
2)
2]
2(23.1 g，55.6 mmol)裝入配備有磁性攪拌棒之250 mL圓底燒瓶中且溶解於己烷(125 mL)中。使燒瓶經由1/4 PTFE管及24/40管配接器配備有I-CF
3(25 g，127.6 mmol)之氣筒。緩慢地，在黑暗中在攪拌下將I-CF
3鼓泡至己烷溶液中。在大約10分鐘之後，反應呈現有黃色沈澱。在大約30分鐘後，添加完所有氣體，且反應呈現有絮狀黃色沈澱。隨後移出氣筒且進行質量量測，確認已添加所有所需I-CF
3。用箔片覆蓋反應物且在室溫下在黑暗中攪拌過週末。此後，該反應呈現黃色/棕褐色沈澱且將其以拋棄式聚乙烯多孔玻璃過濾器過濾且用己烷(25 mL)洗滌。將所得淡黃色溶液在減壓下乾燥直至殘留大約5 mL為止。產物之C
6D
6溶液之
1H-NMR、
19F-NMR及
119Sn-NMR展示仍殘留有己烷(大約5 mol)。分離出棕褐色固體(28.7 g)與4 g (22.5%)之微黃色液體。
1H-NMR (C
6D
6, 400 MHz)；s, 18H, 2.69 ppm；
119Sn-NMR (C
6D
6, 150 MHz)；q, -153.07 ppm；
19F-NMR (C
6D
6, 376 MHz)；-42.7 ppm。
實例 3
使用與實例2中所示類似之程序製備F
3CCH
2Sn(NMe
2)
3。具體言之，將[Sn(NMe
2)
2]
2(140g, 336 mmol)置放於配備有磁性攪拌棒之1 L施倫克(schlenk)燒瓶中且用大約400 mL己烷稀釋以形成黃色混合物。將I-CH
2-CF
3置放於250 mL加料漏斗中且連接至施倫克燒瓶。達成緩慢添加速率(大約0.5-1滴/秒)，且用鋁箔片覆蓋1 L燒瓶且在黑暗中攪拌。在大約2.5小時之後，完成添加I-CH
2CF
3，且在室溫下在黑暗中攪拌所得黃色混合物隔夜。此後，反應呈現有鮮黃色固體沈澱及紅/橙色溶液。經由拋棄式聚乙烯多孔玻璃過濾器過濾，將沈澱分離至配備有磁性攪拌棒之500 mL施倫克燒瓶中。濾餅用己烷(大約30 mL)洗滌，且將所得橙色溶液在減壓下乾燥，得到具有黃色沈澱之淡黃色溶液。經由0.2 μm針筒過濾器將混合物過濾至兩個琥珀色的40 mL配衡小瓶中，得到87.91 g (78.5%粗產率)呈淡黃色液體之產物。1:1產物:C
6D
6溶液之
1H-NMR、
19F-NMR及
119Sn-NMR結果：
1H-NMR (C
6D
6, 400 MHz); s, 18H, 2.66 ppm; q, 2H, 1.52 ppm；
119Sn-NMR (C
6D
6, 150 MHz); q, -62.47 ppm;
19F-NMR (C
6D
6, 376 MHz); q, -51.93 ppm。
已特定參考本發明之某些實施例來詳細描述本發明，但將理解，可在本發明之精神及範疇內進行變化及修改。
圖1係作為如本文所闡述之方法之副產物的式(II)化合物之晶體結構繪圖，其中各R為甲基且各X為碘。
圖2A及圖2B係在d6-苯中分別獲取的作為如本文所闡述之方法之產物的式(I)化合物之
119Sn-NMR及
1H-NMR光譜，其中各R為甲基且R
1為異丙基。
Claims (10)
- 一種式(I)之化合物， ， 其中各R可為相同或不同且為C 1-C 4烷基，且R 1為經取代或未經取代之飽和或不飽和直鏈或分支鏈C 1-C 5基團。
- 如請求項1之化合物，其中各R獨立地為甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、三級丁基或二級丁基。
- 如請求項1之化合物，其中各R為甲基。
- 如請求項1之化合物，其中R 1為甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、三級丁基、二級丁基、正戊基、異戊基或新戊基。
- 如請求項1之化合物，其中R 1為乙烯基或乙炔基。
- 如請求項1之化合物，其中R 1係經一或多個鹵基取代。
- 如請求項1之化合物，其中各R為甲基且R 1為異丙基。
- 如請求項1之化合物，其中該化合物溶解於非極性溶劑中。
- 一種式(I)之化合物， ， 其中各R可為相同或不同且為C 2-C 4烷基，且R 1為經取代或未經取代之飽和或不飽和直鏈、分支鏈或環狀C 1-C 5基團。
- 如請求項9之化合物，其中各R為相同的。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR20230053617A (ko) * | 2020-08-25 | 2023-04-21 | 인프리아 코포레이션 | 반응물을 제공하는 편리한 리간드를 갖는 유기주석 조성물의 제조 방법 |
| US11685752B2 (en) * | 2021-01-28 | 2023-06-27 | Entegris, Inc. | Process for preparing organotin compounds |
| US11697660B2 (en) * | 2021-01-29 | 2023-07-11 | Entegris, Inc. | Process for preparing organotin compounds |
| CN117651708A (zh) * | 2021-06-18 | 2024-03-05 | 恩特格里斯公司 | 制备有机锡化合物的方法 |
| WO2023245047A1 (en) * | 2022-06-17 | 2023-12-21 | Lam Research Corporation | Tin precursors for deposition of euv dry resist |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4675441A (en) * | 1983-09-23 | 1987-06-23 | Texaco Inc. | Preparation of N-substituted acrylamides |
| WO2008044575A1 (fr) * | 2006-10-11 | 2008-04-17 | Asahi Kasei Chemicals Corporation | Procédé de production de dialcoxydes de dialkyl étain |
| US8764995B2 (en) | 2010-08-17 | 2014-07-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks, and fabrication methods thereof |
| US9310684B2 (en) | 2013-08-22 | 2016-04-12 | Inpria Corporation | Organometallic solution based high resolution patterning compositions |
| JP6784670B2 (ja) | 2014-10-23 | 2020-11-11 | インプリア・コーポレイションＩｎｐｒｉａ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 有機金属溶液に基づいた高解像度パターニング組成物および対応する方法 |
| EP3391148B1 (en) * | 2015-10-13 | 2021-09-15 | Inpria Corporation | Organotin oxide hydroxide patterning compositions, precursors, and patterning |
| KR20180063754A (ko) * | 2016-12-02 | 2018-06-12 | 삼성전자주식회사 | 주석 화합물, 그의 합성 방법, ald용 주석 전구체 화합물 및 함주석 물질막의 형성 방법 |
| CA2975104A1 (en) * | 2017-08-02 | 2019-02-02 | Seastar Chemicals Inc. | Organometallic compounds and methods for the deposition of high purity tin oxide |
| US10787466B2 (en) * | 2018-04-11 | 2020-09-29 | Inpria Corporation | Monoalkyl tin compounds with low polyalkyl contamination, their compositions and methods |
| US11673903B2 (en) * | 2018-04-11 | 2023-06-13 | Inpria Corporation | Monoalkyl tin compounds with low polyalkyl contamination, their compositions and methods |
| WO2019199467A1 (en) * | 2018-04-11 | 2019-10-17 | Inpria Corporation | Monoalkyl tin compounds with low polyalkyl contamination, their compositions and methods |
| US20210013034A1 (en) * | 2018-05-11 | 2021-01-14 | Lam Research Corporation | Methods for making euv patternable hard masks |
| KR20210076999A (ko) * | 2018-11-14 | 2021-06-24 | 램 리써치 코포레이션 | 차세대 리소그래피에서 유용한 하드 마스크들을 제조하기 위한 방법들 |
| KR20200091985A (ko) * | 2019-01-23 | 2020-08-03 | 삼성전자주식회사 | 주석 화합물, 주석 함유막의 형성을 위한 주석 전구체 화합물, 및 이를 이용한 박막 형성 방법 |
| WO2020264557A1 (en) * | 2019-06-28 | 2020-12-30 | Lam Research Corporation | Photoresist with multiple patterning radiation-absorbing elements and/or vertical composition gradient |
| WO2021038523A1 (en) * | 2019-08-29 | 2021-03-04 | Seastar Chemicals Ulc | Organometallic compounds for the deposition of high purity tin oxide and dry etching of the tin oxide films and deposition reactors |
| TWI765767B (zh) * | 2020-07-03 | 2022-05-21 | 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 | 製備有機錫化合物的方法 |
| US11685752B2 (en) * | 2021-01-28 | 2023-06-27 | Entegris, Inc. | Process for preparing organotin compounds |
| US11697660B2 (en) * | 2021-01-29 | 2023-07-11 | Entegris, Inc. | Process for preparing organotin compounds |
| CN117651708A (zh) * | 2021-06-18 | 2024-03-05 | 恩特格里斯公司 | 制备有机锡化合物的方法 |
| WO2023043682A1 (en) * | 2021-09-14 | 2023-03-23 | Entegris, Inc. | Synthesis of fluoroalkyl tin precursors |
| US20230391803A1 (en) * | 2022-06-03 | 2023-12-07 | Entegris, Inc. | Compositions and related methods of alkyltintrihalides |
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