TW202348844A - 用於鍍覆裝置之阻抗體、及鍍覆裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種阻抗體，可提升形成於基板的鍍覆膜的均勻性。本發明提供一種調整電場用的用於鍍覆裝置之阻抗體，在鍍覆裝置中，配置在陽極與保持鍍覆對象物的夾持具之間，具備：第一阻抗構件，具有第一面，形成有在前述第一面開口的複數個第一貫穿孔；以及第二阻抗構件，具有第二面，形成有在前述第二面開口的複數個第二貫穿孔，其中前述第一阻抗構件及前述第二阻抗構件被配置成使前述第一面與前述第二面相面對，前述複數個第一貫穿孔與前述複數個第二貫穿孔的重疊的大小被構成為可變。

Description

用於鍍覆裝置之阻抗體、及鍍覆裝置

本發明是關於一種用於鍍覆裝置之阻抗體及鍍覆裝置。

以往，在半導體晶圓與印刷基板等對象物表面，形成配線、突起（突起狀電極）等。作為形成此配線及突起等的方法，電解鍍覆法廣為人知。

為了提高形成於對象物的鍍覆厚度均勻性，已知在以電解鍍覆法的鍍覆裝置中，會在晶圓等圓形基板與陽極之間配置電場調整用阻抗體（參照專利文獻1）。又，為了更自由地調整電場，提議一種阻抗體的孔大小或形狀為可變的鍍覆裝置（參照專利文獻2）。

[先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]特開2021-138995號公報 [專利文獻2]特許第4027491號公報

（發明所欲解決之問題）

在專利文獻1的鍍覆裝置中，對應對象物的細節，要求設置適當設定孔大小或配置等的阻抗體。因此，會產生用來採購及更換阻抗體的工作及成本。在專利文獻2的鍍覆裝置中，記載著可改變阻抗體中央部的孔大小的節流機構，但結構上，變化孔大小或形狀的範圍有限制。因為形成於對象物的鍍覆厚度可依據對象物的位置，應使形成於阻抗體的複數個貫穿孔的至少一部分大小或形狀靈活地變化。

本發明是鑑於上述問題而成者。其目的之一是提議一種用於鍍覆裝置之阻抗體，不需要從鍍覆裝置拆卸阻抗體，調整具有複數個貫穿孔的阻抗體，可提升形成於對象物的鍍覆厚度均勻性，以及提議一種鍍覆裝置作為目的之一。 （用來解決問題之手段）

根據本發明的一形態，提議一種調整電場用的用於鍍覆裝置之阻抗體，在鍍覆裝置中，配置在陽極與保持鍍覆對象物的夾持具之間。用於鍍覆裝置之阻抗體具備：第一阻抗構件，具有第一面，形成有在前述第一面開口的複數個第一貫穿孔；以及第二阻抗構件，具有第二面，形成有在前述第二面開口的複數個第二貫穿孔，其中前述第一阻抗構件及前述第二阻抗構件被配置成前述第一面與前述第二面相面對，前述複數個第一貫穿孔與前述複數個第二貫穿孔的重疊的大小被構成為可變。

根據本發明的一形態，提供一種鍍覆裝置。此鍍覆裝置具備：鍍覆槽；陽極，配置於前述鍍覆槽；夾持具，保持鍍覆對象物；以及上述的用於鍍覆裝置的阻抗體。

以下，參照圖式來說明關於本發明的實施形態。以下所說明的圖式中，相同或相當的構成要素賦予相同符號並省略其說明。

[鍍覆裝置的整體結構] 圖1表示本實施形態之鍍覆裝置1000的整體結構的斜視圖。圖2表示鍍覆裝置1000的整體結構的平面圖。如圖1及圖2所示，鍍覆裝置1000具備：裝載埠100、搬送機器人110、對準器120、預濕模組200、預浸模組300、鍍覆模組400、清洗模組500、自旋沖洗乾燥器600、搬送裝置700、及控制模組800。

裝載埠100是用於搬入收納於鍍覆裝置1000中圖未顯示之FOUP（前開式晶圓傳送盒）等匣盒的作為鍍覆對象物的基板，從鍍覆裝置1000搬出基板至匣盒的模組。雖然本實施形態係在水平方向並列配置4台裝載埠100，但裝載埠100之數量及配置為任意。搬送機器人110是用於搬送基板之機器人，且以在裝載埠100、對準器120、及搬送裝置700之間交接基板的方式構成。搬送機器人110及搬送裝置700在搬送機器人110與搬送裝置700之間傳遞基板時，可經由圖未顯示之暫置台進行基板的傳遞。

對準器120用於在指定方向上對準基板的定向平面或缺口等位置之模組。雖然本實施形態是在水平方向並列配置2台對準器120，但對準器120之數量及配置為任意。預濕模組200藉由將鍍覆處理前之基板的被鍍覆面以純水或脫氣水等處理液（預濕液）濕潤，並將形成於基板表面之圖案內部的空氣替換成處理液。預濕模組200被構成為在鍍覆時藉由將圖案內部之處理液替換成鍍覆液，而易於實施在圖案內部供給鍍覆液之預濕處理。雖然本實施形態是在上下方向並列配置2台預濕模組200，但預濕模組200之數量及配置為任意。

預浸模組300被構成為藉由硫酸或鹽酸等處理液蝕刻除去像是形成於鍍覆處理前之基板的被鍍覆面之晶種層表面等上存在之電阻大的氧化膜，並實施清洗或活化鍍覆基底表面之預浸處理。雖然本實施形態係在上下方向並列配置2台預浸模組300，但預浸模組300之數量及配置為任意。鍍覆模組400對基板實施鍍覆處理。雖然本實施形態有2組在上下方向並列配置3台且在水平方向並列配置4台之12台的鍍覆模組400，設置合計24台之鍍覆模組400，但鍍覆模組400之數量及配置為任意。

清洗模組500被構成為為了除去殘留於鍍覆處理後之基板的鍍覆液等，對基板實施清洗處理。雖然本實施形態在上下方向並列配置2台清洗模組500，但清洗模組500之數量及配置為任意。自旋沖洗乾燥器600是用於使清洗處理後之基板高速旋轉而乾燥的模組。雖然本實施形態在上下方向並列配置2台自旋沖洗乾燥器，但自旋沖洗乾燥器之數量及配置為任意。搬送裝置700是用於在鍍覆裝置1000中之複數個模組間搬送基板的裝置。控制模組800為控制鍍覆裝置1000之複數個模組，可由具備像是與作業人員之間的輸入輸出介面之一般電腦或專用電腦所構成。

以下說明鍍覆裝置1000之一連串鍍覆處理的一例。首先，將收納於匣盒之基板搬入裝載埠100。接下來，搬送機器人110從裝載埠100之匣盒取出基板，並將基板搬送至對準器120。對準器120將基板之定向平面或凹口等的位置對準指定方向。搬送機器人110將藉由對準器120對準方向之基板傳遞至搬送裝置700。

搬送裝置700將從搬送機器人110接受的基板搬送至預濕模組200。預濕模組200對基板實施預濕處理。搬送裝置700將施以預濕處理的基板搬送至預浸模組300。預浸模組300對基板實施預浸處理。搬送裝置700將施以預浸處理的基板搬送至鍍覆模組400。鍍覆模組400對基板實施鍍覆處理。

搬送裝置700將施以鍍覆處理之基板搬送至清洗模組500。清洗模組500對基板實施清洗處理。搬送裝置700將施以清洗處理之基板搬送至自旋沖洗乾燥器600。自旋沖洗乾燥器600對基板實施乾燥處理。搬送裝置700將施以乾燥處理之基板送交搬送機器人110。搬送機器人110將從搬送裝置700所接收之基板搬送至裝載埠100的匣盒。最後，從裝載埠100搬出收納基板之匣盒。

[鍍覆模組的結構] 接下來，說明關於鍍覆模組400的結構。在本實施形態中的24台鍍覆模組400具有相同結構，所以僅說明關於一台鍍覆模組400。圖3概略表示本實施形態的鍍覆模組400的結構的縱剖面圖。如圖3所示，鍍覆模組400具備用來收容鍍覆液的鍍覆槽410。鍍覆槽410之構成為包含：上面開口的原筒形內槽412；以及外槽414，設在內槽412周圍，儲存從內槽412上緣溢流的鍍覆液。

鍍覆模組400具備：夾持具440，用來保持被鍍覆面Wf-a向下方狀態下之基板Wf。又，夾持具440具備：供電接點，用來從圖未顯示的電源供電給基板Wf。鍍覆模組400具備用來使夾持具440升降的升降機構442。又，在一種實施形態中，鍍覆模組400具備使夾持具440在鉛直軸周圍旋轉的旋轉機構448。升降機構442及旋轉機構448可藉由像是馬達等公知機構來實現。

本實施形態的鍍覆模組400，是藉由將被鍍覆面Wf-a向下方，使被夾持具440保持的基板Wf（例如半導體晶圓）浸漬於鍍覆液，並在基板Wf與陽極430之間施加電壓，使基板Wf表面析出導電膜的杯式電解鍍覆裝置。鍍覆模組400具備旋轉機構448時，為了使基板Wf均勻形成鍍覆層，藉由基板Wf旋轉並實施鍍覆處理，形成於基板Wf的鍍覆厚度變得更均勻。

鍍覆模組400具備膜420，將內槽412的內部在上下方向隔開。內槽412的內部被膜420分隔為陰極領域422與陽極領域424。在陰極領域422與陽極領域424分別充填鍍覆液。此外，雖然在本實施形態表示設有膜420的一例，但無法設有膜420也可以。

在陽極領域424的內槽412的底面，可設有陽極430。又，在陽極領域424配置有陽極罩426，用來調整陽極430與基板Wf之間的電解。陽極罩426為像是介電質材料所構成的大致板狀構件，設於陽極430的前方（上方）。陽極罩426具有在陽極430與基板Wf之間的流動的電流所通過的開口。此外，在本實施形態中，表示設有陽極罩426的一例，但無法設有陽極罩426也可以。再者，上述膜420也可以被設於陽極罩426的開口。

在陰極領域422，於陽極430與夾持具440之間配置有阻抗體450。在本實施形態的例中，阻抗體450面對膜420。阻抗體450是用來調整在鍍覆液的電場，使基板Wf的被鍍覆面Wf-a的鍍覆處理均勻化的構件。

圖4係概略表示本實施形態的阻抗體450的平面圖。圖5係概略表示抵抗體450的底面圖。圖6係概略表示阻抗體450的側面圖。圖7係概略表示阻抗體450的分解圖。阻抗體450是在鍍覆裝置1000中，在陽極430與保持鍍覆對象物的基板Wf的夾持具440之間所配置的調整電場用的用於鍍覆裝置之阻抗體。

阻抗體450具備第一阻抗構件10與第二阻抗構件20。第一阻抗構件10及第二阻抗構件20是比鍍覆液更高電阻率的構件，介電質為較佳。第一阻抗構件10及第二阻抗構件20是可由金屬或樹脂所形成。在第一阻抗構件10，形成有複數個第一貫穿孔911及複數個第三貫穿孔912。第一貫穿孔911及第三貫穿孔912貫穿第一阻抗構件10的表面與背面之間，構成使鍍覆液及鍍覆液中的離子通過的路徑。在第二阻抗構件20，形成有複數個第二貫穿孔920。第二貫穿孔920貫穿第二阻抗構件20的表面與背面之間，使鍍覆液及鍍覆液中的離子通過的路徑之方式構成。

阻抗體450被配置在鍍覆裝置1000時，經由第三貫穿孔912，將比阻抗體450還陽極側的陰極領域422與比阻抗體450還夾持具側的陰極領域422連接成鍍覆液及鍍覆液中的離子可移動。

在本實施形態中，藉由在阻抗體450的中心軸Ax周圍，使第一阻抗構件10相對於第二阻抗構件20旋轉，從第一貫穿孔911與第二貫穿孔920的軸向來看，可使重疊之大小產生變化。藉此，使第一貫穿孔911與第二貫穿孔920被選擇性連接。貫穿孔與其他要素「被連接」是指被連接成鍍覆液及鍍覆液中的離子可移動。第一貫穿孔911與第二貫穿孔920連接時，阻抗體450經由第一貫穿孔911及第二貫穿孔920，將比阻抗體450還陽極側的陰極領域422與比阻抗體450還夾持具側的陰極領域422連接成鍍覆液及鍍覆液中的離子可移動。此外，以下「軸向」是指中心軸Ax的方向。

在本實施形態的例中，第二阻抗構件20是沿著阻抗體450的外側面451來配置。包含具有複數個貫穿孔的阻抗體的鍍覆裝置中，隨著像是基板尺寸、基板抗蝕劑孔徑比或鍍覆處理配方等的變化，會使基板外周部所形成的鍍覆厚度的均勻性有變低的情況。在本實施形態中，藉由使阻抗體450的外周部所形成的第一貫穿孔911與第二貫穿孔920的重疊之大小變化，可調整第一貫穿孔911及第二貫穿孔920的周圍電場。因此，可使基板Wf所形成的鍍覆厚度更均勻。

在圖示例中，阻抗體450形成為以中心軸Ax為軸的圓柱狀。在阻抗體450中，軸向的一側端面為第一外表面S10，另一側端面為第二外表面S20。在阻抗體450的第一外表面側，配置有第一阻抗構件10，在第二外表面側配置有第二阻抗構件20（參照圖6）。此外，若可使第一貫穿孔911與第二貫穿孔920的重疊之大小，則阻抗體450的形狀不會被特別限定。

在本實施形態的例中，在內槽412，第一外表面S10被配置成面對夾持具440，第二外表面S20被配置成面對陽極430，可作為第一阻抗構件10相對於固定在內槽412的第二阻抗構件20旋轉的結構。但是，在內槽412，第一外表面S10被配置成面對陽極430，第二外表面S20被配置成面對夾持具440，也可以作為第二阻抗構件20相對於固定在內槽412的第一阻抗構件10旋轉的結構。又，不受限於第一阻抗構件10或第二阻抗構件20之中，配置於陽極側的阻抗構件被固定，配置於夾持器側的阻抗構件旋轉，也可以作為配置於夾持器側的阻抗構件被固定，配置於陽極側的阻抗構件旋轉的結構。但是，因為內槽412的上端側被開放為夾持具440（基板Wf）可投入，所以構成為配置於夾持器側的阻抗構件可旋轉，被認為可使用來旋轉阻抗構件的機械結構或手動旋轉的阻抗構件更簡便。第一阻抗構件10及第二阻抗構件20雙方也可以都係可旋轉的。旋轉方法並不會被特別限定，也可以手動。此外，第一阻抗構件10及第二阻抗構件20的任一者，其外側面451也可以被固定於內槽412的內面。特別是像這樣的情況下，從陽極430側來看夾持具440側，或從夾持具440側來看陽極430側，第一阻抗構件10及第二阻抗構件20之中，旋轉方的尺寸比固定方的尺寸更小者較佳。

如圖4所示，第一貫穿孔911及第三貫穿孔912在阻抗體450的第一外表面S10開口。第一貫穿孔911選擇性地連接第一阻抗構件10的第二外表面側所配置的第二阻抗構件20的第二貫穿孔920。第三貫穿孔912從第一外表面S10貫穿至第二外表面S20，連通第一外表面側的陰極領域422與第二外表面側的陰極領域422。第一貫穿孔911、第二貫穿孔912及第三貫穿孔913沿著中心軸Ax延伸。

在第一外表面S10，作為一例，第一貫穿孔911被配置成在中心軸Ax周圍旋轉對稱。複數個第一貫穿孔911為同心且配置在徑不同的三個以上假想基準圓上為較佳，且基準圓上的沿著周向等間隔配置為較佳。第一貫穿孔911形成在第二阻抗構件20被配置的徑向範圍。在下文中，除非特別說明，「徑向」及「周向」分別指的是以中心軸Ax為軸的旋轉坐標系中的徑向及周向。第三貫穿孔912形成於第一貫穿孔911的內徑，被配置成在中心軸Ax周圍旋轉對稱。複數個第三貫穿孔912與第一貫穿孔911一樣，為同心且配置在徑不同的三個以上假想基準圓上為較佳，基準圓上的沿著周向等間隔配置為較佳。但是，若能在基板Wf以所需程度均勻形成鍍覆，則第一貫穿孔911及第三貫穿孔912的個數及配置圖案並不會被特別限定。若在阻抗體450形成隨機配置的許多第三貫穿孔912也可以。

如圖5所示，第二貫穿孔920及第三貫穿孔912在阻抗體450的第二外表面S20開口。第二外表面S20包含第一阻抗構件10的第三表面S3與在第三表面S3的外周側所形成的第二阻抗構件20的外表面S22。在第一阻抗構件10的第三表面S3，有第三貫穿孔912開口。在第二阻抗構件20的外表面S22，有第二貫穿孔920開口。第二貫穿孔920及第三貫穿孔912被形成為在中心軸Ax周圍旋轉對稱。若能在基板Wf以所需程度均勻形成鍍覆，則第二貫穿孔920及第三貫穿孔912的個數及配置圖案並不會被特別限定。此外，在本實施形態中，第三貫穿孔912為大致正圓形，第一貫穿孔911與第二貫穿孔912為周向的長孔。但是，並不受限於如此例，若第一貫穿孔911與第二貫穿孔912為大致正圓狀也可以，且第一貫穿孔911與第二貫穿孔912也可以是不同形狀。

如圖示的例中，第二阻抗構件20是配置在阻抗體450的第二外表面側的環狀構件。若可使第一貫穿孔911與第二貫穿孔920的重疊之大小變化，則第二阻抗構件20的形狀及位置並不會被特別限定。在本實施形態的例中，第二阻抗構件20配置於外周部，使阻抗體450的外周部形成有第二貫穿孔920。對應所欲調整形成的鍍覆厚度的位置，阻抗體450的第二阻抗構件20的位置可適當變更。第二阻抗構件20的第一阻抗構件10被配置側的面作為第二表面S2（參照圖7）。第二貫穿孔920從第二表面S2貫穿至第二阻抗構件20的的外表面S22。

配置有第二阻抗構件20的第一阻抗構件10的外周部的範圍，可為從中心軸Ax在徑向到第一阻抗構件10的外周端為止的50％的更外側、60％的更外側、70％的更外側或80％的更外側。又，配置有第二阻抗構件20的第一阻抗構件10的外周部的範圍，從陽極430來看夾持具440側，可為到基板Wf的外周端為止的50％的更外側、60％的更外側、70％的更外側或80％的更外側。藉此，對於容易成為鍍覆厚度均勻性降低原因的區域，可有效率地調整電場，進一步提高形成於基板Wf的鍍覆厚度的均勻性。

圖8概略表示第一阻抗構件10的側面圖。圖9概略表示第一阻抗構件10的斜視圖。在圖8中，圖上側為第一外表面側，在圖9中，圖下側為第一外表面側。

第一阻抗構件10具備第一部分11與第二部分12。第一部分11是在軸向一側為第一外表面S10，在另一側配置有第二部分12及第一表面S1。第二部分12的在第一部分11的相反側，形成有第三表面S3。第一部分11及第二部分12沿著軸向並列配置。第一部分11在徑向具有第一外徑L1。第二外徑L2比第一外徑L1更小。因此，在第一阻抗構件10的配置有第二阻抗構件20側的側面S13，未配置第二部分12的面成為第一表面S1。換句話說，側面S13包含第一表面S1與第三表面S3。

第二阻抗構件20形成為覆蓋第一阻抗構件10的配置有第二阻抗構件20側的側面S13的一部分。藉此，可調整該一部分的周圍電場，可局部地調整形成於基板Wf的鍍覆厚度。在第一阻抗構件10的上述側面S13的未被第二阻抗構件20覆蓋的第三表面S3，有第三貫穿孔912開口。藉此，對於阻抗體450的複數個貫穿孔的一部分，可調整期周圍電場，可對應位置調整形成於基板Wf的鍍覆厚度。

在阻抗體450，第一阻抗構件10及第二阻抗構件20被配置成第一阻抗構件10的第一表面S1面對第二阻抗構件20的第二表面S2（圖7）。第一阻抗構件10的第二部分12插入環狀的第二阻抗構件20的中空部，從內側支撐第二阻抗構件20。藉此，第一阻抗構件10與第二阻抗構件20的對位變容易，可以更精密地調整第一貫穿孔911與第二貫穿孔920的重疊之大小。又，在阻抗體450，設有與未設有第二阻抗構件20的部分，貫穿孔的長度可為相同。此外，若能調整第一貫穿孔911與第二貫穿孔920的重疊之大小，則第一阻抗構件10及第二阻抗構件20的形狀及配置並不會被特別限制。若第一阻抗構件10及第二阻抗構件20都是平板狀也可以。

圖10概略表示部分關閉第一貫穿孔911的狀態下的阻抗體450的平面圖。圖11表示部分關閉狀態下的第一貫穿孔911的概略圖。藉由相對於第一阻抗構件10的第二阻抗構件20的旋轉，在阻抗體450的第一外表面S10開口的第一貫穿孔911及第三貫穿孔912之中，第一貫穿孔911的開口面積變化。在圖示的例中，相當於第一貫穿孔911的最大開口面積的快一半的部分被第二阻抗構件20的第二表面S2覆蓋。在本實施形態中，從第一貫穿孔911完全沒被第二阻抗構件20覆蓋的狀態到完全覆蓋的狀態為止可連續變更，但並非受限於此。藉由物理限制可相對於第一阻抗構件10配置的第二阻抗構件20的位置，也可以適當設定第一貫穿孔911取得的開口範圍。

在此，更詳細地說明關於本實施形態的鍍覆模組400的鍍覆處理。藉由使用升降機構442來使基板Wf浸漬於陰極領域422的鍍覆液，基板Wf暴露于鍍覆液。鍍覆模組400在此狀態下可藉由在陽極430與基板Wf之間施加電壓，對基板Wf的被鍍覆面Wf-a實施鍍覆處理。在一種實施形態中，用旋轉機構448使夾持具440旋轉並進行鍍覆處理。藉由鍍覆處理，在基板Wf的被鍍覆面Wf-a析出導電膜（鍍覆膜）。然後，在本實施形態中，藉由採用上述阻抗體450，來調整第一貫穿孔911的開口面積，可提升形成於基板Wf的鍍覆厚度的均勻性。

如上述，本實施形態的阻抗體450被構成為沿著第一表面S1或第二表面S2，第一阻抗構件10及第二阻抗構件20的一者可相對於另一者旋轉。藉此，不需要從鍍覆裝置1000拆卸阻抗體450，可簡便地調整第一貫穿孔911的開口面積，提供更均勻形成鍍覆的鍍覆裝置。此外，若能使第一貫穿孔911的開口面積變化，則第一阻抗構件10及第二阻抗構件20的一者不相對於另一者旋轉也可以。若從第二阻抗構件20將第一阻抗構件10稍微提起，改變角度後，再配置於第二阻抗構件20也可以。

本實施形態的阻抗體450具備：第一阻抗構件10，具有第一表面S1，形成有在第一表面S1開口的複數個第一貫穿孔911；以及第二阻抗構件20，具有第二表面S2，形成有在第二表面S2開口的複數個第二貫穿孔920，第一阻抗構件10及第二阻抗構件20被配置成第一表面S1與第二表面S2相面對，複數個第一貫穿孔911與複數個第二貫穿孔920的重疊大小被構成為可變。藉此，不需要從鍍覆裝置1000拆卸阻抗體450，調整具有複數個貫穿孔（第一貫穿孔911、第二貫穿孔920及第三貫穿孔912）的阻抗體450，可提升對象物的基板Wf所形成的鍍覆厚度的均勻性。

發明者們製作了包含阻抗體的鍍覆裝置模型，該阻抗體具備：形成有複數個第一貫穿孔及複數個第三貫穿孔的第一阻抗構件與形成有複數個第二貫穿孔的第二阻抗構件，進行在基板上形成鍍覆的模擬。複數個第一貫穿孔及複數個第二貫穿孔作為形成於阻抗體的外周部的結構。藉由模擬求得相對於第一阻抗構件使第二阻抗構件旋轉，基板的外周部所形成的鍍覆膜厚度。

圖12表示模擬結果的圖表。橫軸是以百分率表示的值x來表示，第一貫穿孔的開口面積除以第一貫穿孔的最大開口面積的值。縱軸表示形成於基板外周部的鍍覆膜的厚度y（μm）。圖表的實線是連接測量點的虛線。圖中的虛線是最小二乘法的回歸線。如圖12所示，外周部的第一貫通孔的開口面積與形成於基板外周部的鍍覆膜的厚度存在強的相關性。

如下一個變形也是本發明的範圍內，可組合上述實施形態或其他變形。以下的變形例中，關於表示與上述實施形態相同的結構、功能的部位等，以相同符號參照，省略適當說明。

（變形例1） 在上述實施形態中，阻抗體也可以具備複數個第二抵抗構件。

圖13概略表示變形例的阻抗體450A的斜視圖。圖14概略表示阻抗體450A的分解圖。圖15概略表示阻抗體450A的底面圖。圖16概略表示阻抗體450A所包含的第一阻抗構件10A的斜視圖。

如圖14所示，阻抗體450A具備：第一阻抗構件10A、複數個第二阻抗構件20A、20B及20C。在阻抗體450A，配置有複數個第二阻抗構件20A、20B及20C以面對一個第一阻抗構件10的第一表面S1。藉此，可以更靈活地調整分別面對第二阻抗構件20A、20B及20C的第一貫穿孔911A、911B及911C的開口面積，可以更均勻地在基板Wf形成鍍覆。從此觀點來看，第二阻抗構件20A、20B及20C彼此獨立並可旋轉為較佳。在圖示例中，在第一表面S1，被構成為在第二阻抗構件20A的外周側配置有第二阻抗構件20B，在第二阻抗構件20B的外周側配置有第二阻抗構件20C。在圖示例中，雖然三個第二阻抗構件被配置在一個第一阻抗構件10A，但此第二阻抗構件的個數並未特別限定，也可以是兩個，也可以是四個以上。

第一阻抗構件10A具備第一部分11A與第二部分12A。第一部分11A形成於第二部分12A的第一外表面側。第一部分11A的外徑比第二部分12A的外徑更大。在第一阻抗構件10A，形成有從第一外表面S10貫穿至第一表面S1的複數個第一貫穿孔911A、911B及911C。在第一阻抗構件10A，更形成有從第一外表面S10貫穿至第三表面S3的第三貫穿孔912A。

第二阻抗構件20A在中心軸Ax周圍形成為環狀，形成有以中心軸Ax為軸來旋轉對稱配置的複數個第二貫穿孔920A。第二貫穿孔920A從第二阻抗構件20A的第二表面S2，貫通至第二阻抗構件20A的外表面S22A。複數個第二貫穿孔920A在第二阻抗構件20A相對於第一阻抗構件10A旋轉時，分別形成於可與第一阻抗構件10A的最外側所形成的複數個第一貫穿孔911A連接的位置。第二阻抗構件20A是在第二阻抗構件20A相對於第一阻抗構件10A旋轉時，被構成為從第一貫穿孔911A與第二貫穿孔920A的軸向來看的重疊之大小會變化。

第二阻抗構件20B在中心軸Ax周圍形成為環狀，形成以中心軸Ax為軸來旋轉對稱配置的複數個第二貫穿孔920B。第二貫穿孔920B從第二阻抗構件20B的第二表面S2，貫通至第二阻抗構件20B的外表面S22B。複數個第二貫穿孔920B在第二阻抗構件20B相對於第一阻抗構件10A旋轉時，在第一阻抗構件10A，分別形成於可與第一貫穿孔911A的內側所形成的複數個第一貫穿孔911B連接的位置。第二阻抗構件20B是在第二阻抗構件20B相對於第一阻抗構件10A旋轉時，被構成為從第一貫穿孔911B與第二貫穿孔920B的軸向來看的重疊之大小會變化。

第二阻抗構件20C在中心軸Ax周圍形成為環狀，形成以中心軸Ax為軸來旋轉對稱配置的複數個第二貫穿孔920C。第二貫穿孔920C從第二阻抗構件20C的第二表面S2，貫通至第二阻抗構件20C的外表面S22C。複數個第二貫穿孔920C在第二阻抗構件20C相對於第一阻抗構件10A旋轉時，在第一阻抗構件10A，分別形成於可與第一貫穿孔911B的內側所形成的複數個第一貫穿孔911C連接的位置。第二阻抗構件20C是在第二阻抗構件20C相對於第一阻抗構件10A旋轉時，被構成為從第一貫穿孔911C與第二貫穿孔920C的軸向來看的重疊之大小會變化。

圖17概略表示部分關閉各第一貫穿孔911A、911B及911C的狀態下的阻抗體450A的平面圖。在本變形例中，可使各第一貫穿孔911A、911B及911C的開口面積獨立變化。在此情況下，如圖示例，各第一貫穿孔911A、911B及911C的開口面積也可以不同，可以更精密地調整第一貫穿孔911A、911B及911C附近的電場。因此，可更均勻在基板Wf形成鍍覆。

（變形例2） 在上述實施形態中，也可以藉由使第一阻抗構件及第二阻抗構件的一者相對於另一者平行移動，來變化第一貫穿孔的開口面積。雖然本變形例較佳地適用於基板Wf為方形基板的情況，但也可以適用於基板Wf為圓形基板等的情況。

圖18概略表示本變形例的阻抗體450B的側面圖。阻抗體450B具備第一阻抗構件10B與第二阻抗構件20D。第一阻抗構件10B為板狀，在一側形成有第一外表面S10，在另一側形成有第一表面S1。第二阻抗構件20D為板狀，在一側形成有第二表面S2，在另一側形成有第一外表面S20。

圖19表示第一阻抗構件10B的第一表面S1的概念圖。在第一阻抗構件10B形成有複數個第一貫穿孔911D。第一貫穿孔911D從第一外表面S10貫穿至第一表面S1。

圖20表示第二阻抗構件20D的第二表面S2的概念圖。在第二阻抗構件20D形成有複數個第二貫穿孔920D。第二貫穿孔920D從第二外表面S20貫穿至第二表面S2。

圖21概略表示部分關閉第一貫穿孔911D的狀態下的阻抗體450B的平面圖。在阻抗體450B，第一阻抗構件10B及第二阻抗構件20D被配置成第一表面S1與第二表面S2相面對。藉由沿著第一表面S1或第二表面S2，使第一阻抗構件10B及第二阻抗構件20D的一者相對於他者移動，可使第一貫穿孔911D的開口面積變化。此外，若能使第一貫穿孔911D的開口面積變化，則不沿著第一表面S1或第二表面S2移動也可以。若從第二阻抗構件20D稍微提升第一阻抗構件10B，位置改變後，再配置於第二阻抗構件20D上也可以。又，也可以調整相對於第一阻抗構件10B的第二阻抗構件20D的大小及第二貫穿孔920D的配置，使第一貫穿孔911D的一部分的開口面積變化。

（變形例3） 在上述實施形態中，鍍覆裝置也可以更具備使第一阻抗構件及第二阻抗構件的一者相對於他者旋轉的驅動機構。雖然本變形例的鍍覆裝置具有與上述實施形態的鍍覆裝置1000相同的結構，但具備鍍覆模組400A來取代鍍覆模組400這點，與鍍覆裝置1000不同。

圖22概略表示本變形例的鍍覆模組400A的縱剖面圖。雖然鍍覆模組400A具有與上述實施形態的鍍覆模組400相同結構，但具備驅動機構452、感測器460以及感測器支持體468這點與鍍覆模組400不同。

驅動機構452是用來使第一阻抗構件10及第二阻抗構件20的一者相對於另一者旋轉的驅動機構。驅動機構452若能驅動該旋轉則其態樣不會被特別限定，可具備馬達等電動驅動裝置。驅動機構452可由控制模組800來控制。

感測器460是測量形成於基板Wf的鍍覆厚度的膜厚感測器。在鍍覆槽410，設置有支撐感測器460的感測器支持體468。在本變形例中，從旋轉機構448的旋轉軸分別以不同距離設置複數個感測器460，藉由基板Wf相對複數個感測器460旋轉，成為遍及基板Wf的廣範圍來測量膜厚的方式結構。但是，感測器460的配置並不會被特別限定，感測器460可以是一個，也可以是兩個以上的任意個數。感測器460也可以作為移動或可掃描。感測器460若能計測形成於基板Wf的鍍覆膜厚，則其種類等不會被特別限定。感測器460並非利用鍍覆液的電阻變化者為較佳。具體來說，作為感測器460，可使用像是白色共焦點式的光學感測器、電位感測器、磁場感測器或渦電流式感測器。以感測器460獲得的檢測訊號被輸入至控制模組800來處理。

在本變形例中，根據使用感測器460獲得的鍍覆厚度的均勻性，可藉由驅動機構452來調整第一貫穿孔911的開口面積。藉此，可確認形成的鍍覆厚度的均勻性，並簡便地調整阻抗體450，可進一步形成均勻的鍍覆膜。此外，鍍覆模組400A也可以不具備感測器460。在此情況下，以驅動機構452更簡便地調整第一貫穿孔911的開口面積，也可以進行鍍覆處理中的調整。又，驅動機構452在變形例2中，也可以使第一阻抗構件10B及第二阻抗構件20D的一者相對於另一者移動。

（變形例4） 在上述實施形態中，如專利文獻2，在鍍覆裝置中，也可以沿著鉛直方現分別配置基板Wf、阻抗體以及陽極。在本變形例中，可以達成與上述實施形態相同的作用效果。

本發明也可以記載為以下形態。 [形態1]根據形態1，提議一種調整電場用的用於鍍覆裝置之阻抗體，在鍍覆裝置中，配置在陽極與保持鍍覆對象物的夾持具之間，該用於鍍覆裝置之阻抗體具備：第一阻抗構件，具有第一面，形成有在前述第一面開口的複數個第一貫穿孔；以及第二阻抗構件，具有第二面，形成有在前述第二面開口的複數個第二貫穿孔，其中前述第一阻抗構件及前述第二阻抗構件被配置成前述第一面與前述第二面相面對，前述複數個第一貫穿孔與前述複數個第二貫穿孔的重疊的大小被構成為可變。根據形態1，不需要從鍍覆裝置拆卸阻抗體，調整具有複數個貫穿孔的用於鍍覆裝置之阻抗體，可提升形成於對象物的鍍覆厚度的均勻性。

[形態2]根據形態2，在形態1中，被構成為可沿著前述第一面或前述第二面，使前述第一阻抗構件及前述第二阻抗構件之一者相對於另一者移動或旋轉。根據形態2，可更簡便或更精密地調整用於鍍覆裝置之阻抗體。

[形態3]根據形態3，在形態1或2中，前述第二阻抗構件被配置成在前述第一阻抗構件的覆蓋前述第二阻抗構件被配置側的側面的一部分。根據形態3，可調整上述一部分的周圍電場，可局部調整形成於對象物的鍍覆厚度。

[形態4]根據形態4，在形態1～3中，在前述第一阻抗構件的前述側面的不被前述第二阻抗構件覆蓋的第三面形成有第三貫穿孔。根據形態4，用於鍍覆裝置之阻抗體的複數個貫穿孔之中，有一部分的貫穿孔的周圍電場可調整，並可對應位置來調整形成於對象物的鍍覆厚度。

[形態5]根據形態5，在形態4中，在前述第一阻抗構件中，前述第三面的外周側形成有前述第一面。根據形態5，可調整對象物的外周側所形成的鍍覆厚度。因為鍍覆形成速度有依據與對象物中心的距離的情況，所以在如此情況下，可特別提高形成的鍍覆厚度的均勻性。

[形態6]根據形態6，在形態5中，前述第一阻抗構件具備：第一部分，具有第一外徑；以及第二部分，具有比前述第一外徑小的第二外徑，在前述第一部分形成有前述第一面，在前述第二部分形成有前述第三面。根據形態6，第一阻抗構件與第二阻抗構件的對位變容易。又，可以更精密地調整第一貫穿孔的開口面積，可進一步提升形成於對象物的鍍覆厚度的均勻性。

[形態7]根據形態7，在形態1～6中，具備複數個前述第二阻抗構件，被配置成面對一個前述第一阻抗構件的前述第一面。根據形態7，可更精密地調整各第二阻抗構件附近的電場。因此，可進一步提升形成於對象物的鍍覆厚度的均勻性。

[形態8]根據形態8，提議一種鍍覆裝置，具備：鍍覆槽；陽極，配置於前述鍍覆槽；夾持具，保持鍍覆對象物；以及如形態1～7中任一所述的用於鍍覆裝置的阻抗體。根據形態8，不需要從鍍覆裝置拆卸阻抗體，調整具有複數個貫穿孔的用於鍍覆裝置之阻抗體，可提升形成於對象物的鍍覆厚度的均勻性。

[形態9]根據形態9，在形態8中，更具備：驅動機構，使前述第一阻抗構件及前述第二阻抗構件之一者相對於另一者移動或旋轉。根據形態9，可更簡便地調整用於鍍覆裝置之阻抗體，在鍍覆處理中的調整也容易。

以上，說明關於本發明的實施形態，但上述發明的實施形態是用來容易理解本發明，並非限定本發明。本發明在不脫離其要旨下可進行變更、改良，本發明當然也包含其均等物。又，在解決上述至少一部份問題的範圍，或達成至少一部份效果的範圍內，可進行實施形態及變形例的任意組合，可以進行申請專利範圍及說明書所記載的各構成要素的任意組合或省略。

10、10A、10B:第一阻抗構件 11、11A:第一部分 12、12A:第二部分 20、20A、20B、20C、20D:第二阻抗構件 100:裝載埠 110:搬送機器人 120:對準器 200:預濕模組 300:預浸模組 400、400A:鍍覆模組 410:鍍覆槽 412:內槽 414:外槽 420:膜 422:陰極領域 424:陽極領域 426:陽極罩 430:陽極 440:夾持具 442:升降機構 448:旋轉機構 450、450A、450B:阻抗體 451:外側面 452:驅動機構 460:感測器 468:感測器支持體 500:清洗模組 600:自旋沖洗乾燥器 700:搬送裝置 800:控制模組 911、911A、911B、911C、911D:第一貫穿孔 912、912A:第三貫穿孔 920、920A、920B、920C、920D:第二貫穿孔 1000:鍍覆裝置 Ax:中心軸 L1:第一外徑 L2:第二外徑 S1:第一表面 S2:第二表面 S3:第三表面 S10:第一外表面 S13:第一抵抗構件之配置在第二抵抗構件側的側面 S20:第二外表面 S22、S22A、S22B、S22C:外表面 Wf:基板 Wf-a:被鍍覆面

[圖1]表示本實施形態的鍍覆裝置的整體結構的斜視圖。 [圖2]表示本實施形態的鍍覆裝置的整體結構的平面圖。 [圖3]概略表示本實施形態的鍍覆模組的結構的縱剖面圖。 [圖4]概略表示本實施形態的阻抗體的平面圖。 [圖5]概略表示本實施形態的阻抗體的底面圖。 [圖6]概略表示本實施形態的阻抗體的側面圖。 [圖7]概略表示本實施形態的阻抗體的分解圖。 [圖8]概略表示本實施形態的阻抗體的第一阻抗構件的側面圖。 [圖9]概略表示第一阻抗構件的斜視圖。 [圖10]概略表示部分關閉第一貫穿孔的狀態下的阻抗體的平面圖。 [圖11]表示部分關閉狀態下的第一貫穿孔的概略圖。 [圖12]表示第一貫穿孔的開口面積與形成於基板外周部的鍍覆厚度的關係的圖表。 [圖13]概略表示變形例1的阻抗體的斜視圖。 [圖14]概略表示變形例1的阻抗體的分解圖。 [圖15]概略表示變形例1的阻抗體的底面圖。 [圖16]概略表示變形例1的阻抗體所包含的第一阻抗構件的斜視圖。 [圖17]概略表示部分關閉第一貫穿孔的狀態下的阻抗體的平面圖。 [圖18]概略表示變形例2的阻抗體的側面圖。 [圖19]概略表示變形例2的阻抗體所包含的第一阻抗構件的平面圖。 [圖20]概略表示變形例2的阻抗體所包含的第二阻抗構件的平面圖。 [圖21]概略表示部分關閉第一貫穿孔的狀態下的阻抗體的平面圖。 [圖22]概略表示變形例3的鍍覆模組的結構的縱剖面圖。

10:第一阻抗構件

20:第二阻抗構件

911:第一貫穿孔

912:第三貫穿孔

920:第二貫穿孔

S2:第二表面

S10:第一外表面

Claims (9)

1. 一種調整電場用的用於鍍覆裝置之阻抗體，在鍍覆裝置中，配置在陽極與保持鍍覆對象物的夾持具之間，具備： 第一阻抗構件，具有第一面，形成有在前述第一面開口的複數個第一貫穿孔；以及 第二阻抗構件，具有第二面，形成有在前述第二面開口的複數個第二貫穿孔，其中前述第一阻抗構件及前述第二阻抗構件被配置成前述第一面與前述第二面相面對，前述複數個第一貫穿孔與前述複數個第二貫穿孔的重疊的大小被構成為可變。
2. 如請求項1所述之用於鍍覆裝置之阻抗體，被構成為可沿著前述第一面或前述第二面，使前述第一阻抗構件及前述第二阻抗構件之一者相對於另一者移動或旋轉。
3. 如請求項1所述之用於鍍覆裝置之阻抗體，其中前述第二阻抗構件被配置成在前述第一阻抗構件的覆蓋前述第二阻抗構件被配置側的側面的一部分。
4. 如請求項3所述之用於鍍覆裝置之阻抗體，其中在前述第一阻抗構件的前述側面的不被前述第二阻抗構件覆蓋的第三面形成有第三貫穿孔。
5. 如請求項4所述之用於鍍覆裝置之阻抗體，其中在前述第一阻抗構件中，前述第三面的外周側形成有前述第一面。
6. 如請求項5所述之用於鍍覆裝置之阻抗體，其中前述第一阻抗構件具備：第一部分，具有第一外徑；以及第二部分，具有比前述第一外徑小的第二外徑，在前述第一部分形成有前述第一面，在前述第二部分形成有前述第三面。
7. 如請求項1所述之用於鍍覆裝置之阻抗體，具備複數個前述第二阻抗構件，被配置成面對一個前述第一阻抗構件的前述第一面。
8. 一種鍍覆裝置，具備： 鍍覆槽； 陽極，配置於前述鍍覆槽； 夾持具，保持鍍覆對象物；以及 如請求項1～7中任一項所述的用於鍍覆裝置之阻抗體。
9. 如請求項8所述之鍍覆裝置，更具備：驅動機構，使前述第一阻抗構件及前述第二阻抗構件之一者相對於另一者移動或旋轉。