TW202344326A - 低溫焊料、低溫焊料的製造方法及低溫焊料被覆導線 - Google Patents

Abstract

本發明係關於一種低溫焊料、低溫焊料的製造方法、及低溫焊料被覆導線，目的在於提供在Sn與Bi、或Bi和In等之合金所構成之低溫焊料中將Al、P、Sb、In等之1者以上混入並熔融/合金化，而能夠在樹脂膜上之電極(鋁、銅等)焊接且廉價的低溫焊料。

本發明之低溫焊料係對屬於Sn與Bi、In、或者與Bi和In之合金的母材，將由Al、P、Sb、In(排除在母材中含有In之情況)中之一者以上所構成之主材以合計最大為3wt%以下、較佳係1.0至1.5wt%以下、0.01wt%以上進行混入並熔融/合金化，以增強密著力。

Description

低溫焊料、低溫焊料的製造方法及低溫焊料被覆導線

本發明係關於用於太陽電池基板及液晶基板等所使用之樹脂膜的低溫焊料、低溫焊料的製造方法、及低溫焊料被覆導線者。

以往，對太陽電池基板及液晶基板等之電極的導線焊接，由於強度強、廉價等理由，因此多係使用錫鉛焊料。

此外，在鋁等電極之情況下，由於無法獲得充分的焊接強度，因此塗佈銀膏並進行燒結，且於此上以錫鉛焊料來焊接導線。

再者，近來從污染等觀點來看，對無鉛焊料的需求正在增強。

更且，產生在具柔軟性之PET等的樹脂膜上形成太陽電池，並將導線低溫焊接在該太陽電池之電極(鋁電極、銅電極等)之需求。

以往之無鉛焊料相較於錫鉛焊料，以往之無鉛焊料係有著強度稍不足於需求強度、且價格高昂而無法取代錫鉛焊料之問題。

此外，在形成在樹脂膜上之太陽電池等中，會發生焊接溫度過高之問題。

本發明者等發現一種低溫焊料，其係針對屬於無鉛焊料之一種的由Sn與Bi、In或者Bi和In之合金所構成之低溫焊料，將Al、P、Sb、In(排除母材含有In時)等之1者以上以合計最大為3wt%、較佳係1wt%至1.5wt%以下之微量進行混入並熔融/合金化所成者；該低溫焊料能夠極為牢固地焊接在樹脂膜等之電極(鋁、銅等)。

因此，本發明等係在由Sn與Bi、In或者Bi和In之合金所構成之低溫焊料中，對屬於Sn與Bi、In或者Bi和In之合金的母材，將由Al、P、Sb、In(排除在母材中含有In之情況)中之一者以上所構成之主材以合計最大為3wt%以下、較佳係1.0至1.5wt%以下、0.01wt%以上進行混入並熔融/合金化，以增強密著力。

此時，經熔融/合金化後之低溫焊料的熔融溫度係與母材之熔融溫度相同或者更低。

此外，因應需要而將由含有Al、P、Sb、In中之一者以上之合金所構成之副材混入至母材，並熔融/合金化。

此外，係使用Cu與P之合金作為副材之合金。

此外，在母材，將作為主材之Al、CuP、因應需要之In以合計最大為3wt%以下、較佳係1.0至1.5wt%以下、0.1wt%以上來進行混入並熔融/合金化。

此外，係將母材、主材、副材一同或者分成複數次而進行混合並熔融/合金化。

此外，係用於將導線焊接在太陽電池基板、液晶基板(樹脂膜)之電極。

此外，將上述低溫焊料熔融塗佈在線材、帶體之表面。

此外，熔融塗佈係在經施加超音波之狀態下進行熔融塗佈。

本發明如上所述，係一種低溫焊料，其係針對由Sn與Bi、In或者Bi和In之合金所構成之低溫焊料，將Al、P、Sb、In(排除母材含有In時)等之1者以上以合計最大為3wt%、較佳係1wt%至1.5wt%以下之微量混入並熔融/合金化者；該低溫焊料能夠極為牢固地焊接在樹脂膜等之電極(鋁、銅等)，特別是能夠以非常低廉的成本來製造Sn與Bi之低溫焊料。

此外，熔融/合金化後之低溫焊料的熔融溫度係與母材之熔融溫度相同或者更低，而可消除因混入所致之熔融溫度的上升。

此外，藉由將Al、P、Sb、In(除了母材中包含In之情況)等之1者以上混入並熔融/合金化而製造低溫焊料，可以大幅地增強對於焊接對象之密著強度。

1:焊料材料

2:焊料材料投入盤

3:熔融爐

4:加熱器

11:基板(例如：PET板0.1mmt)

12:鋁膜(箔)

13,13-1:超音波焊頭前端

14:低溫焊料

15:低溫焊接之帶體或線

圖1係表示本發明之低溫焊料的製造說明圖。

圖2係表示本發明之低溫焊料材料的製造裝置之說明圖。

圖3係表示本發明之導線的低溫焊接之說明圖。

圖4係表示本發明之低溫焊接之說明圖。

圖5係表示本發明之低溫焊料的焊接例(金屬-金屬)。

圖6係表示本發明之PET膜貼合例。

圖7係表示本發明之低溫焊料之墊材的照片例。

圖8係表示本發明之低溫焊料之溫度循環試驗例。

[實施例1]

圖1表示本發明之低溫焊料製造說明圖。

圖1表示流程圖，表1表示材料例。

圖1中，S1係準備母材、主材。表1的材料例係準備下述材料。

[表1]材料例

其中，母材係成為形成本發明之低溫焊料的合金之基本的材料(母材)，例如：將Sn 42wt%、Bi 58wt%(熔融溫度139℃)作為1者使用。Sn,Bi之重量比可以是可作成合金之任意範圍，例如可設成Bi為3至58wt%、其餘為Sn。至於設成何種比例，只要藉由就熔融溫度(Bi越多則溫度越低，當Bi為58wt%時熔融溫度為139℃)等進行實驗，而以成為所期望的值之方式來適宜地選擇比例即可。更且，針對其他低溫焊料、Sn-In系、Sn-Bi-In系也同樣以如表3及其說明所記載之方式來適宜地選擇比例即可。

此外，主材係在焊接之際，除去被焊接對象之表面的氧化膜，且對焊接造成密著性、潤溼性、流動性、黏性等之影響的材料，本發明中，主材之總量係設為最大3wt%以下，較佳為1至1.5wt%以下、0.01wt%以上的材料。於此，係將Al(被焊接對象之密著性)、P(或CuP、除去被焊接對象之氧化膜、密著性)、In(潤溼性、流動性)、Sb(密著性)之1者以上予以混合並熔融/合金化之對象的材料。此外，主材之總量最大為3wt%以下，較佳為1至1.5wt%以下、0.01wt%以上之微量，而且，在將母材與主材混合並熔融/合金化後之低溫焊料的熔融溫度係與母材之熔融溫度相同、或者略低於母材之熔融溫度(例如低1至3℃左右)於。推測這是因為相對於母材之主材之總量係最大為3wt%以下、較佳為1至1.5wt%以下之微量，藉此進入母材之骨架內並再構成骨架者。

S2係對母材將主材混合。此係對S1所準備的母材混合主材。

S3係將母材、主材熔融並合金化。此係將在S2中於母材混合主材者進行加熱且熔融，並良好地攪拌以使其合金化。此時，當主材被空氣中之氧氣氧化而難以合金化困等之情況下，係因應需要而在坩堝內吹入非活性氣體(例如氮氣)、或者進一步使用充滿非活性氣體之熔融爐或真空熔融爐。

S4係完成低溫焊料材料。

依據上述，準備母材、主材，並將此等予以混合而進行熔融/合金化，藉此能夠製造本案發明之低溫焊料(Sn-Bi系、Sn-In系、Sn-Bi-In系之低溫焊料)。以下述依序詳細說明。

圖2表示本發明之低溫焊料材料製造裝置之說明圖。

圖2中，焊料材料1係所述圖1之S1所準備的母材、主材，在此係金屬碎片(經粗粉碎者)。

焊料材料投入盤2係承載焊料材料1並將其投入至熔融爐3者。

熔融爐3係用於以加熱器4等加熱，在內部投入焊料材料1，將母材、主材進行熔融、攪拌並合金化者。熔融爐3通常係在大氣中將投入至內部的母材、主材予以熔融、攪拌並合金化。此時，因應需要而吹入非活性氣體(氮氣等)以降低因空氣中之氧造成的氧化，並進一步因應需要進行密封並充滿非活性氣體(或者真空排氣)。

以上述方式，將圖1之S1所準備的母材、主材混合，並以熔融爐3熔融、攪拌並合金化，從而能夠製造本案發明之低溫焊料(Sn-Bi系、Sn-In系、Sn-Bi-In系之低溫焊料)。

圖3表示本發明之導線的低溫焊接之說明圖。

圖3表示流程圖，表2表示基板/導線之例子。

圖3中，S11係以超音波將低溫焊料對基板進行圖案之預焊。此係例如在太陽電池之基板(PET板0.1mmt等)，於預定要焊接之部分(圖案)，將本案發明之低溫焊料(圖1之S4所製造的低溫焊料)供給至超音波焊頭之焊頭前端並使其熔融，且施加超音波，以在基板上之該圖案部分預先進行焊接(所謂的超音波預焊)。

S12係將導線進行有超音波的焊接或無超音波的焊接。此係在S11中例如於太陽電池之基板(PET板)之電極(例如鋁箔)上的經超音波預焊的部分(圖案)，將導線附於其上後施加超音波、或不施加超音波，將本案發明之低溫焊料熔融而焊接導線。又，當低溫焊料預先預焊在導線時，不需供給焊料。

依據上述，在焊接對象之部分[例如太陽電池之基板(PET板)之電極部分(鋁部分)]，使用超音波進行本案發明之低溫焊料的預焊(S11)，且 在經進行預焊的部分(圖案)上，使用本案發明之低溫焊料將導線進行超音波焊接或無超音波焊接(S12)，藉此，能夠在以往無法焊接之太陽電池之基板的電極部分(鋁箔部分)等進行有超音波之預焊，並在其上將導線進行有超音波之焊接或者無超音波之焊接。

又，超音波焊接係以10W以下，通常係以1至3W左右進行超音波焊接。若是過強，則會損壞形成在太陽電池之基板上的膜(例如氮化膜)及基板之表面的結晶，故不宜加強。

表2表示基板/導線例。

表2中，基板係PET等具耐熱性的樹脂基板(例如0.1mm厚左右之具柔軟性的樹脂基板)，係極難以通常的焊接來進行焊接的基板之例子。針對成為此等基板之電極(鋁電極、銅電極等)的部分(圖案)，係將本案發明的使之具有密著性的低溫焊料來進行超音波預焊。然後，在該經預焊的部分(圖案)，將導線進行超音波焊接或者無超音波焊接，藉此而能夠將導線焊接在基板(鋁電極、銅電極)。

此外，導線係在基板上之電極部分(圖案)使用本案發明之具有密著性的低溫焊料進行焊接的導線，是將本發明之低溫焊料預先鍍覆(超音波焊料鍍覆)在線[在圓形之銅線將本案發明之低溫焊料進行焊料鍍覆(超音波焊料 鍍覆)的線，若是壓成略橢圓形則易於進行焊接]、帶體(將銅的薄板裁切成寬度1mm左右之帶體)等。

圖4表示本發明之低溫焊接之說明圖。

圖4之(a)部分表示預焊例，圖4之(b)部分表示帶體或線之焊接例。

圖4之(a)部分中，基板(例如：PET板0.1mmt)11，於此為太陽電池之基板之例，該基板11係例如在背面整面形成有鋁膜(箔)12者。

鋁膜(箔)12係在屬於太陽電池之基板的圖示之基板(PET板)11之背面整面形成有鋁箔(膜)(接著、蒸著等)的電極(鋁電極)。

超音波焊頭前端13，係從圖示外之超音波產生器施加超音波並且進行加熱的焊頭前端。

低溫焊料14係本發明之低溫焊料(圖1之S4所製造的低溫焊料)。

其次，說明焊接操作。

(1)將基板11搬運至預熱台上，真空吸附並固定，以進行預熱(例如：預熱至130℃左右)。

(2)從形成在鋁膜(箔)12上之電極圖案(短籤狀之圖案)之起始點往結束點，在圖示之超音波焊頭前端13自動供給低溫焊料14並熔融，同時施加超音波，使超音波焊接焊頭前端13在不摩擦的程度接近於該鋁膜(箔)12上之狀態下以一定速度移動，並在鋁膜(箔)12上形成短籤狀之預焊圖案。

藉由上述方式，係能夠將本案發明之低溫焊料14以預定圖案之預焊圖案低溫焊接在鋁膜(箔)12上。

圖4之(b)部分表示帶體或線之低溫焊接例。

圖4之(b)部分中，超音波焊頭前端13-1係從圖示外之超音波產生器施加超音波、或者不施加超音波的焊頭前端。

低溫焊接之帶體或線15係在帶體或線預先預焊有本案發明之低溫焊料者。又，線15係以使其略變形成橢圓形者的焊接性為良好。

其次，說明帶體或線對預焊圖案部分之焊接操作。

(1)與圖4之(a)部分同樣地預熱基板11。

(2)針對沿著形成於基板11上(背面)之鋁膜(箔)12之部分的預焊圖案部分而配置之低溫焊接之帶體或線15，以有超音波或無超音波之焊頭前端13-1從上輕輕地按壓，並使其以一定速度往圖示之右方移動，將低溫焊接之帶體或線15之焊料熔融並焊接於預焊圖案部分。

藉由上述操作，係能夠將預先預焊有本案發明之低溫焊料14的帶體或線15焊接在鋁膜(箔)12上之預焊圖案的部分。

更且，本發明之有超音波或無超音波之焊接的好壞，係以下述方式判定：將帶體或線在焊接對象部分進行有超音波之焊接或者無超音波之焊接，並以較會使基板等破裂的力(彎曲力，約2至5Kg左右)稍弱的力來拉伸帶體或線，而將未從基板等剝離時判定為良，並將剝離時判定為不良。

表3表示本發明之低溫焊料的組成例。

表3中，母材、主材係圖1所說明的母材、主材之區別。

組成例係母材、主材之組成例。

wt%例係母材、主材之組成之wt%之例。

wt%範圍係母材、主材之組成之wt%的範圍之例。

如表3所示，其組成、wt%例、wt%範圍係如下述。

[表3]

其中，作為組成例，原型的母材係使用表示之Sn42wt%、Bi58wt%。此外，組成範圍若為能夠製成低溫焊料合金(Sn-Bi系、Sn-In系、Sn-Bi-In系焊料合金)之範圍而且穩定者即可，例如Sn-Bi系焊料合金可為Bi 3wt%至58wt%、其餘為Sn者，所製成的低溫焊料合金(母材)之熔融溫度等可進行實際測量而依實驗適宜選擇。

作為主材，係有Al、P(或CuP8)、In、Bi、Sb等，惟P在原型中係使用P(赤磷)與CuP8合金(P為8wt%、其餘為Cu之合金，P之wt%為CuP8之8%所成的磷化銅)。在P之情況下，係於約0.1wt%(或者，在CuP8之情況下為約P=0.16wt%)飽和，若進一步添加則黏性會大幅增加。因此，就確保流動性、潤溼性等之通常用途而言，理想係在飽和以下添加P[相較於其他材料，P之添加量可為10分之1左右(較佳係0.1wt%至0.01wt%左右)]。同樣地，由於其他主材亦有此傾向，故可因應需要而以實驗決定最合適的添加量。

此外，主材之總量以最大3wt%以下、較佳係1至1.5wt%以下、0.1wt%以上為理想。將主材的添加量設於此範圍內時，熔融溫度會與母材之熔融溫度大致相同或略低。

表4表示本發明之低溫焊料的原型例。表4表示在大量試作之後能夠使用於圖4所述之焊接者之例。無法使用者係予以省略。

表4中，本發明之低溫焊料(圖1之S4所製造的低溫焊料)之母材係使用下述的4種母材。

‧Sn52/In48(熔點：120℃)

‧Sn42/Bi58(熔點：139℃)

‧Sn48/Bi52(熔點：)

‧Sn40/In40/Bi20(熔點：90℃)

主材係使用Al、CuP8、In(各0.5wt%)之金屬的材料。CuP8係使用P為8wt%、其餘為Cu之磷化銅。

樣品No係原型樣品的號碼。

針對以上原型樣品，係僅記載進行所述表3之有超音波焊接、無超音波焊接而為良好者。無法焊接者係予以省略。結果示於表5。

表5表示本發明之低溫焊料的焊接例。

其中，表5中之超音波之區別在於係有超音波之焊接或無超音波焊接。

焊接對象物係使用本發明之表5之低溫焊料的樣品進行焊接之對象的材料，區別在於係Ai板(0.1mmt)、Cu板(0.1mmt)、Cu線(0.3至0.4mm

)/帶體(100μmt、50μmt、30μmt)、Si晶圓(0.2mmt)。

◎表示本發明之低溫焊料對於焊接對象物之密著優良[相較於將0.4mm

之錫鍍覆線進行焊接並拉伸時Si晶圓會破裂之力(拉伸強度約1至5kg左右)為稍弱的力]。

△表示本發明之低溫焊料對於焊接對象之密著弱(將0.4mmφ之錫鍍覆線進行焊接並拉伸時，稍加施力即可剝離之狀態)。

由以上的表5之實驗來看，可知在「有超音波」之情況下，對於Al板、Cu板、Cu線/帶體、Si晶圓可獲得充分的焊接強度。

此外，在「無超音波」之情況下，進行拉伸便導致剝離。在清潔焊接對象物之表面時，係有會獲得相當強的密著力之情況，亦有無法獲得強的密著力之情況，為不穩定。

圖5表示本發明之低溫焊料的焊接例(金屬-金屬)。

圖5之(a)部分表示焊接例。其中，焊料條件係如圖所示。

‧焊料熔點：約138℃

‧製程最高溫度：180℃以下

所使用的低溫焊料係在Sn42wt%、Bi58wt%分別添加有0.5wt%Al、CuP、In以者(以下之圖5至圖8以及表6至10係採用使用了本低溫焊料之例子進行說明)。又，其他之Sn-In合金、Sn-Bi合金的低溫焊料亦相同。

在圖5之(a)部分中，如圖所示，係在PET膏膜使用Co-PET接著材而如圖所示般將接著有鋁箔的片料裁切成圖示之尺寸。然後，如圖所示，以鋁箔之面上下局部地重疊的方式，並在該重疊部分以使本發明之低溫焊料(Sn-Bi低溫焊料)焊接之方式來進行焊接。

就焊接方法而言，係例如在上側與下側之鋁箔的部分以低溫焊料進行預焊。又，若係進行施加有超音波之焊接(超音波焊接)，則可確實地進行焊接。

然後，將經預焊的上側之鋁箔上的預焊部分、與下側之鋁箔的預焊部分以圖式所示方式重疊，並將整體以焊頭前端由上壓住，將低溫焊料熔融並進行焊接。此時若進行超音波焊接，便可確實地焊接。

以如上所述之方式，係可如圖5之(a)部分所示般，將接著在PET膏膜面之鋁箔彼此進行低溫焊接。雖然亦可進行無超音波焊接，惟理想係進行確實的超音波焊接。

圖5之(b)部分表示焊接照片例。此等照片表示將細長的鋁箔橫向放置在PET面，而僅於其中央部分所圖示的「焊接部分」進行超音波低溫焊接之照片例。圖示之「焊接部分」中，鋁箔係被牢固地焊接在PET面。

其次，用圖6來詳細地說明圖5之PET膜貼合例。

圖6表示本發明之PET膜貼合例。

圖6之(a)部分表示流程圖，圖6之(b)部分表示流程圖的說明圖。

在圖6之(a)部分中，S21係將膜固定於海綿。此S21係如右側之(b-1)所示般，將膜(例如PET膜)固定(例如以塗佈有黏著劑之耐熱性的聚醯亞胺膠帶固定)在耐熱性之海綿。

S22係將大量的焊料附著在焊頭前端。此係如右側之(b-2)所示般，在焊頭附著大量的本發明之低溫焊料。

S23係以使焊頭前端不抵接膜的方式用超音波進行焊接。

S24係將一膜翻面，並重疊另一膜的焊料面。此係如右側之(b-3)所示般，以將經預焊的膜面重疊的方式進行重疊。

S25係將銅板裁切成焊接面積尺寸。S26係用焊頭前端以熨燙的方式按壓銅板，S27係確認熔化的焊料從端部溢出，從而完成。此等S26、S27係如右側之(b-4)所示般，以焊頭前端(有超音波)從導熱性良好的銅板上按壓，則會呈經預焊的接合面之低溫焊料熔化並從端部溢出。藉此，當焊頭前端直接抵接於膜時，該膜不會熔融、軟化且收縮等，並且可以像被熨燙過般平整地施加超音波低溫焊接。

表6表示焊接條件例。表6係表示前述圖6之(a)部分、(b)部分之焊接條件例。在此係設定成下述條件。

圖6之(c)部分表示焊接之截面圖。此係表示將經由聚醯亞胺膠帶而接合在PET面的鋁箔(Al)(經超音波預焊)取代圖6之(a)部分的銅板，並彼此進行了超音波低溫焊接之情況下的示意性截面圖。此時，若以僅圍繞焊接之部分的方式來貼附塗佈有黏著材的聚醯亞胺膠帶，則可防止低溫焊接到不需要的部分。

表7表示本發明之低溫焊料的墊材實驗例。此係表示在前述圖5、圖6之條件下，以有超音波、無超音波進行焊接時之例。本案之低溫焊接中，係獲得例如下述之結果。

[表7]墊材例

判斷出即使針對如上所述之纖維素/樹脂材，亦能夠以本發明之低溫焊料進行焊接(因應需要，超音波焊接、預熱(較熔融溫度低10度左右的溫度)並進行焊接)。

圖7表示表7之墊材的照片例。

表8表示本發明之低溫焊料的接合試驗結果例。其中，實驗結果表示於下。

表8中表示之金屬(1銀、2銅、3鋁等)能夠以有超音波、無超音波進行低溫焊接。

此外，將表8中表示之氧化物進行燒製而形成的無機材[7氧化鋁、8鈦酸鋇、10碳化矽、11氮化矽、12螢石、13石英、14陶瓷(陶器)等]係能夠以有超音波、無超音波進行低溫焊接。

此外，表8中表示之纖維素/樹脂類(16聚乙烯、17聚丙烯、...、29PET等)係能夠以有超音波進行低溫焊接。除此之外，所述表7所示之4砧板、6軟木板等係能夠進行超音波焊接。

表9及表10表示本發明之超音波輸出的墊材實驗例(無預熱)。表9表示實驗條件例。其中，係以下述實驗條件來進行實驗。

表10表示超音波輸出之實驗結果例。

其中，橫向之項目分別表示下述者。

‧超音波輸出(W)表示在焊頭前端施加超音波電力W。

‧焊接性係表示作業性、焊料附著的良好程度等。

‧彎曲時之密著係以膜彎曲之際的剝離情況來判斷。

‧膜影響係表示焊頭抵接時造成損傷之形態。

當使以上所述者中之超音波輸出(W)改變成為1、2、3...至10為止，並針對另外3個項目進行實驗時，則獲得表10所示之實驗結果。從該實驗結果判斷出，在超音波輸出約7W以上(較佳係10W左右)的情況下，在該3個項目係獲得良好的結果(超音波焊接結果)。

圖8表示本發明之低溫焊料的溫度循環試驗例。此係顯示溫度循環試驗337.8小時之中間結果。在該中間結果之時間點，無論是以超音波焊接還是以無超音波焊接者，均未確認到實驗開始時與中間結果時之間的密著性變化。

Claims (16)

1. 一種低溫焊料，其係在包含Sn、與Bi或In、或者與Bi和In之合金之低溫焊料中，對屬於Sn、與Bi或In、或者與Bi和In之合金的母材，將由Al與P、Sb及In(排除在母材中含有In之情況)中之0個以上所構成之主材以合計1.0至1.5wt%以下進行混入並熔融/合金化，以抑制氧化物去除、密著性、流動性、黏性的改善的降低，並且前述熔融/合金化後之低溫焊料的熔融溫度係與前述母材之熔融溫度相同或者更低而抑制成為高溫。
2. 如請求項1所述之低溫焊料，其中，將含有Al與P、Sb及In中之0個以上之副材代替前述主材，混入至前述母材，並熔融/合金化。
3. 如請求項2所述之低溫焊料，其係使用Al及Cu與P之合金作為前述副材。
4. 如請求項1至3中任一項所述之低溫焊料，其中，將前述母材、主材及副材一同或者分成複數次而進行混合並熔融/合金化。
5. 如請求項1至3中任一項所述之低溫焊料，其係用於將導線焊接在太陽電池基板及/或液晶基板之電極。
6. 如請求項1所述之低溫焊料，其中，就前述熔融/合金化、改善密著性而言，在屬於焊接對象的金屬係合金化，在燒製氧化物所形成之無機材係燒結，且在纖維素/樹脂材係進入表面凹凸之縫隙進行固化而固著。
7. 如請求項6所述之低溫焊料，其中，前述金屬至少係鋁、銅、鐵、不鏽鋼或氧化矽，前述無機材至少係玻璃或陶瓷，前述纖維素/樹脂至少係紙、木材、樹脂膜、樹脂纖維或碳纖維。
8. 如請求項1至3之任一者所述之低溫焊料，其中，就進行前述熔融/合金化而改善密著性而言，前述Sn-Bi合金係至少以熔融之139℃的10℃以上之高溫度、前述Sn-In合金中係至少以熔融之120℃的10℃以上之高溫度、及前述Sn-In-Bi合金中係以熔融之90℃的10℃以上之高溫度來進行焊接。
9. 如請求項6或7所述之低溫焊料，其中，前述焊接係超音波焊接。
10. 一種低溫焊料被覆導線，係在線材及/或帶體之表面熔融塗佈有請求項1至請求項3所述之低溫焊料。
11. 如請求項10所述之低溫焊料被覆導線，其中，前述熔融塗佈係在經施加超音波之狀態下進行熔融塗佈。
12. 一種低溫焊料的製造方法，係具有下述步驟而增強密著力；

    在包含Sn、與Bi或In、或者與Bi和In之合金之低溫焊料的製造方法中，具有：

    對屬於Sn、與Bi或In，或者與Bi和In之合金的母材，將由Al與P、Sb及In(排除在母材中含有In之情況)中之0個以上所構成之主材以合計1.0至1.5wt%以下進行混合之步驟；以及

    將前述混合後的材料予以熔融並合金化的步驟；

    以抑制氧化物去除、密著性、流動性、黏性的改善的降低，並且前述熔融/合金化後之低溫焊料的熔融溫度係與前述母材之熔融溫度相同或者更低而抑制成為高溫。
13. 如請求項12所述之低溫焊料的製造方法，其中，係將Al與P、Sb及In中之0個以上之副材代替前述主材，混入至在前述母材，並熔融/合金化。
14. 如請求項13所述之低溫焊料的製造方法，其係使用Al及Cu與P之合金作為前述副材之合金。
15. 如請求項12至請求項14中任一項所述之低溫焊料的製造方法，其中，將前述母材、主材及副材一同或者分成複數次而進行混合並熔融/合金化。
16. 如請求項12至請求項14中任一項所述之低溫焊料的製造方法，其係用於將導線焊接在太陽電池基板及/或液晶基板之電極。

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