TW202340838A - 金屬遮光元件、成像鏡頭模組及電子裝置 - Google Patents

Abstract

一種金屬遮光元件，其環繞於一中心軸，且包含一外徑面、一第一環面、一第二環面及一抗反射層。外徑面環繞金屬遮光元件。第一環面相對外徑面設置，且第一環面較外徑面靠近中心軸。第二環面相對外徑面設置，第二環面較外徑面靠近中心軸，且第一環面與第二環面連接並且形成一最小開孔結構。抗反射層設置於第一環面與第二環面，並包覆最小開孔結構，且包含一光線吸收層與一奈米結構層，其中奈米結構層設置於光線吸收層上。藉此，可提升遮光效率。

Description

金屬遮光元件、成像鏡頭模組及電子裝置

本揭示內容係關於一種金屬遮光元件與成像鏡頭模組，且特別是一種應用在可攜式電子裝置上的金屬遮光元件與成像鏡頭模組。

近年來，可攜式電子裝置發展快速，例如智慧型電子裝置、平板電腦等，已充斥在現代人的生活中，而裝載在可攜式電子裝置上的成像鏡頭模組與其金屬遮光元件也隨之蓬勃發展。但隨著科技愈來愈進步，使用者對於金屬遮光元件的品質要求也愈來愈高。

請參照第9圖，其為依照現有技術中成像鏡頭模組90的示意圖。由第9圖可知，現有技術中的成像鏡頭模組90常因成像透鏡組91外周的組裝元件（如保護玻璃94）的反射，導致非成像光線L的產生。因此，發展一種可提供較高遮光效率的金屬遮光元件遂成為產業上重要且急欲解決的問題。

本揭示內容提供一種金屬遮光元件、成像鏡頭模組及電子裝置，藉由設置抗反射層以防止非成像光線進入成像鏡頭模組，藉以提供較高的遮光效率。

依據本揭示內容一實施方式提供一種金屬遮光元件，其環繞於一中心軸，且包含一外徑面、一第一環面、一第二環面及一抗反射層。外徑面環繞金屬遮光元件。第一環面相對外徑面設置，且第一環面較外徑面靠近中心軸。第二環面相對外徑面設置，第二環面較外徑面靠近中心軸，且第一環面與第二環面連接並且形成一最小開孔結構。抗反射層設置於第一環面與第二環面，並包覆最小開孔結構，且包含一光線吸收層與一奈米結構層，其中奈米結構層設置於光線吸收層上。最小開孔結構為一尖端開孔結構，且第一環面與第二環面形成一夾角，夾角為α，其滿足下列條件：0度 ＜ α ≤ 170度。

依據前段所述實施方式的金屬遮光元件，其中光線吸收層可由碳黑材料製成。

依據前段所述實施方式的金屬遮光元件，其中奈米結構層可包含複數奈米結構單元，且奈米結構單元形成一奈米脊狀凸起結構層。

依據前段所述實施方式的金屬遮光元件，其中奈米結構層可包含一連接層，且連接層設置於光線吸收層與奈米脊狀凸起結構層之間。

依據前段所述實施方式的金屬遮光元件，其中連接層的厚度為d，其可滿足下列條件：30 nm ≤ d ≤ 500 nm。

依據前段所述實施方式的金屬遮光元件，其中各奈米結構單元的高度為h，其可滿足下列條件：90 nm ≤ h ≤ 350 nm。另外，其可滿足下列條件：90 nm ≤ h ≤ 290 nm。

依據前段所述實施方式的金屬遮光元件，其中尖端開孔結構可具有至少一縮孔結構，且縮孔結構較尖端開孔結構的最大外徑靠近中心軸。

依據前段所述實施方式的金屬遮光元件，其中夾角為α，其可滿足下列條件：10度 ≤ α ≤ 150度。另外，其可滿足下列條件：20度 ≤ α ≤ 120度。

依據前段所述實施方式的金屬遮光元件，可更包含一凹槽結構，其中凹槽結構設置於第一環面與第二環面中至少一者，凹槽結構朝向外徑面凹陷，且抗反射層的至少一部分設置於凹槽結構上。

依據本揭示內容一實施方式提供一種成像鏡頭模組，其包含一成像透鏡組與至少一如前述實施方式的金屬遮光元件，其中金屬遮光元件與成像透鏡組對應設置。

依據本揭示內容一實施方式提供一種電子裝置，其包含如前述實施方式的成像鏡頭模組與一電子感光元件，其中電子感光元件設置於成像鏡頭模組的一成像面。

依據本揭示內容一實施方式提供一種金屬遮光元件，其環繞於一中心軸，且包含一外徑面、一第一環面、一第二環面及一抗反射層。外徑面環繞金屬遮光元件。第一環面相對外徑面設置，且第一環面較外徑面靠近中心軸。第二環面相對外徑面設置，第二環面較外徑面靠近中心軸，且第一環面與第二環面連接並且形成一最小開孔結構。抗反射層設置於第一環面與第二環面，並包覆最小開孔結構，且包含一光線吸收層與一奈米結構層，其中奈米結構層設置於光線吸收層上。第一環面沿中心軸的長度為L1，第二環面沿中心軸的長度為L2，其滿足下列條件：0.01 mm ≤ L1+L2 ≤ 3.00 mm。

依據前段所述實施方式的金屬遮光元件，其中光線吸收層可由碳黑材料製成。

依據前段所述實施方式的金屬遮光元件，其中奈米結構層可包含複數奈米結構單元，且奈米結構單元形成一奈米脊狀凸起結構層。

依據前段所述實施方式的金屬遮光元件，其中奈米結構層可包含一連接層，且連接層設置於光線吸收層與奈米脊狀凸起結構層之間。

依據前段所述實施方式的金屬遮光元件，其中連接層的厚度為d，其可滿足下列條件：30 nm ≤ d ≤ 500 nm。

依據前段所述實施方式的金屬遮光元件，其中各奈米結構單元的高度為h，其可滿足下列條件：90 nm ≤ h ≤ 350 nm。另外，其可滿足下列條件：90 nm ≤ h ≤ 290 nm。

依據前段所述實施方式的金屬遮光元件，其中第一環面沿中心軸的長度為L1，第二環面沿中心軸的長度為L2，其可滿足下列條件：0.03 ≤ L1/L2 ≤ 5。

依據前段所述實施方式的金屬遮光元件，可更包含一凹槽結構，其中凹槽結構設置於第一環面與第二環面中至少一者，凹槽結構朝向外徑面凹陷，且抗反射層的至少一部分設置於凹槽結構上。

依據前段所述實施方式的金屬遮光元件，其中最小開孔結構可具有至少一縮孔結構，且縮孔結構較最小開孔結構的最大外徑靠近中心軸。

依據本揭示內容一實施方式提供一種金屬遮光元件，其環繞於一中心軸，且包含一外徑面、一第一環面、一第二環面及一抗反射層。外徑面環繞金屬遮光元件。第一環面相對外徑面設置，且第一環面較外徑面靠近中心軸。第二環面相對外徑面設置，第二環面較外徑面靠近中心軸，且第一環面與第二環面連接。抗反射層設置於第一環面與第二環面中至少一者，且包含一光線吸收層與一奈米結構層，其中奈米結構層設置於光線吸收層上。奈米結構層包含複數奈米結構單元，各奈米結構單元的高度為h，其滿足下列條件：90 nm ≤ h ≤ 350 nm。

依據前段所述實施方式的金屬遮光元件，其中奈米結構單元可形成一奈米脊狀凸起結構層。

依據前段所述實施方式的金屬遮光元件，其中各奈米結構單元的高度為h，其可滿足下列條件：90 nm ≤ h ≤ 290 nm。

依據前段所述實施方式的金屬遮光元件，其中光線吸收層可由碳黑材料製成。

本揭示內容提供一種金屬遮光元件，其環繞於一中心軸，且包含一外徑面、一第一環面、一第二環面及一抗反射層。外徑面環繞金屬遮光元件。第一環面相對外徑面設置，且第一環面較外徑面靠近中心軸。第二環面相對外徑面設置，第二環面較外徑面靠近中心軸，且第一環面與第二環面連接。抗反射層設置於第一環面與第二環面中至少一者，並包含一光線吸收層與一奈米結構層，其中奈米結構層設置於光線吸收層上。具體而言，奈米結構層可將打到金屬遮光元件表面的入射光線導入至底下的光線吸收層，並由光線吸收層吸收光線，使金屬遮光元件的表面具有低反射的特性，提供較高的遮光效率。

金屬遮光元件的材質可為快削黃銅或銅合金，且可為輔助遮光件、間隔環、鏡筒或遮光片，其中輔助遮光件可為設置在成像鏡頭模組外的附加元件，藉以配合成像鏡頭模組的構型以遮蔽成像鏡頭模組容易產生雜散光的部位，但不以此為限。

第一環面與第二環面連接可形成一最小開孔結構，抗反射層包覆最小開孔結構，且最小開孔結構可為一尖端開孔結構。具體而言，第一環面與第二環面的連接處為一最小開孔結構，其中抗反射層包覆最小開孔結構，且最小開孔結構環繞中心軸以形成最小開孔。藉此，可提供光學用途。具體而言，金屬遮光元件可透過特殊製程使最小開孔結構與最小開孔結構周圍的表面鍍上光線吸收層與奈米結構層，使最小開孔結構具有低反射的特性。

第一環面與第二環面形成一夾角，夾角為α，其可滿足下列條件：0度 ＜ α ≤ 170度。另外，其可滿足下列條件：10度 ≤ α ≤ 150度。當α滿足上述的數值範圍時，可使金屬加工製造較具效率。另外，其可滿足下列條件：20度 ≤ α ≤ 120度。當α滿足上述的數值範圍時，適合應用於光學通光孔，藉以提供較高的光學品質。

第一環面沿中心軸的長度為L1，第二環面沿中心軸的長度為L2，其可滿足下列條件：0.01 mm ≤ L1+L2 ≤ 3.00 mm。透過第一環面與第二環面沿中心軸具有特定長度範圍時，可確保最小開孔結構達到抗反射的功效。再者，第一環面與第二環面可因金屬車削的角度使得沿中心軸的長度可以是零，即L1和L2可為零。

奈米結構層可包含複數奈米結構單元，且奈米結構單元形成一奈米脊狀凸起結構層，其中各奈米結構單元的高度為h，其可滿足下列條件：90 nm ≤ h ≤ 350 nm。透過設置具有光學匹配性的高度範圍的奈米結構單元，較容易使光線進入光線吸收層。藉此，可提供鍍製奈米結構單元於內孔的製造方式，且可達到快速且易量產的可行性。再者，奈米脊狀凸起結構層由橫截面觀察時，如山脊般呈現下寬上窄的形式，藉以使等效折射率自奈米結構層底部向頂部漸減，以減少反射光產生。具體而言，奈米脊狀凸起結構層可由氧化鋁材料製成，但並不以此為限。另外，其可滿足下列條件：90 nm ≤ h ≤ 290 nm。當h滿足上述的數值範圍時，可得到結構較穩固的奈米脊狀凸起結構層，其較不易產生剝落或斷裂。

光線吸收層可由碳黑材料製成。藉此，可提升光線吸收率，並且提供模層的均勻性。

奈米結構層可包含一連接層，其中連接層設置於光線吸收層與奈米脊狀凸起結構層之間。進一步來說，連接層的頂部與奈米脊狀凸起結構層的底部之間無任何間隙，即連接層與奈米脊狀凸起結構層為緊密接合。藉此，奈米結構層可具有較強的結構穩定度。具體而言，連接層可由二氧化矽材料製成，但不以此為限。

最小開孔結構可具有至少一縮孔結構，且縮孔結構較最小開孔結構的最大外徑靠近中心軸。進一步來說，尖端開孔結構可具有縮孔結構，其中縮孔結構較尖端開孔結構的最大外徑靠近中心軸。透過縮孔結構的遮光設計，可降低尖端開孔結構產生雜散光的機率。

金屬遮光元件可更包含一凹槽結構，其中凹槽結構設置於第一環面與第二環面中至少一者，凹槽結構朝向外徑面凹陷，且抗反射層的至少一部分設置於凹槽結構上。藉此，可形成光陷阱結構，以降低雜散光產生的機率。

連接層的厚度為d，其可滿足下列條件：30 nm ≤ d ≤ 500 nm。透過設置特定厚度範圍的連接層能提高奈米脊狀凸起結構層的鍍製良率，並且可保護光線吸收層避免刮傷。

第一環面沿中心軸的長度為L1，第二環面沿中心軸的長度為L2，其可滿足下列條件：0.03 ≤ L1/L2 ≤ 5。當L1/L2滿足上述的數值範圍時，可減少金屬遮光元件的最小開孔結構直接照射強光源的比例範圍，並且保持製造的可行性。

上述本揭示內容金屬遮光元件中的各技術特徵皆可組合配置，而達到對應之功效。

本揭示內容提供一種成像鏡頭模組，其中成像鏡頭模組包含一成像透鏡組與至少一前述的金屬遮光元件。金屬遮光元件與成像透鏡組對應設置。詳細來說，金屬遮光元件可以是設置在成像透鏡組的物側，也可以是在成像透鏡組的像側，或者在成像透鏡組的任意二成像透鏡之間。

本揭示內容提供一種電子裝置，其中電子裝置包含前述的成像鏡頭模組與一電子感光元件。電子感光元件設置於成像鏡頭模組的一成像面。

根據上述實施方式，以下提出具體實施例並配合圖式予以詳細說明。

＜第一實施例＞

請參照第1A圖至第1D圖，其中第1A圖繪示依照本揭示內容第一實施例中成像鏡頭模組10的立體圖，第1B圖繪示依照第1A圖第一實施例中成像鏡頭模組10的應用情境示意圖，第1C圖繪示依照第1A圖第一實施例中成像鏡頭模組10的示意圖，第1D圖繪示依照第1A圖第一實施例中成像鏡頭模組10的分解圖。由第1A圖至第1D圖可知，成像鏡頭模組10包含一成像透鏡組11、一金屬遮光元件12、一鏡筒13及一保護玻璃14，其中金屬遮光元件12與成像透鏡組11對應設置，金屬遮光元件12設置於成像透鏡組11的物側，鏡筒13用以容納成像透鏡組11，且保護玻璃14設置於金屬遮光元件12的物側。

再者，金屬遮光元件12設置於鏡筒13的外表面，藉以方便組裝以快速達到遮光的功效。具體而言，金屬遮光元件12為輔助遮光件，其中輔助遮光件可為設置在成像鏡頭模組10外的附加元件，藉以配合成像鏡頭模組10的構型以遮蔽成像鏡頭模組10容易產生雜散光的部位，但不以此為限。

請參照第1E圖至第1G圖，其中第1E圖繪示依照第1D圖第一實施例中抗反射層140的掃描式電子顯微鏡影像，第1F圖繪示依照第1D圖第一實施例中奈米脊狀凸起結構層145的掃描式電子顯微鏡影像，第1G圖繪示依照第1A圖第一實施例中金屬遮光元件12的示意圖。由第1B圖至第1G圖可知，金屬遮光元件12環繞於一中心軸O，且包含一外徑面110、一第一環面120、一第二環面130及一抗反射層140。外徑面110環繞金屬遮光元件12。具體而言，第一環面120相對外徑面110設置，且第一環面120較外徑面110靠近中心軸O；第二環面130相對外徑面110設置，第二環面130較外徑面110靠近中心軸O，且第一環面120與第二環面130連接並且形成一最小開孔結構（圖未標示），其中最小開孔結構為一尖端開孔結構，藉以提供光學用途；抗反射層140設置於第一環面120與第二環面130，並包覆最小開孔結構，且包含一光線吸收層141與一奈米結構層142，其中奈米結構層142設置於光線吸收層141上。具體而言，第一環面120與第二環面130的連接處為最小開孔結構，其中抗反射層140包覆最小開孔結構，且最小開孔結構環繞中心軸O以形成最小開孔131。必須說明的是，第1G圖繪示二種倍率的放大圖以清楚觀察金屬遮光元件12的結構細節，且第1B圖、第1C圖及第1G圖中虛線係指抗反射層140的設置範圍。

由第1B圖可知，金屬遮光元件12透過特殊加工，藉以防止成像透鏡組11的外周產生非成像光線L。具體而言，金屬遮光元件12係透過特殊製程使其最小開孔結構與最小開孔結構周圍的表面鍍上光線吸收層141與奈米結構層142以防止額外的非成像光線L產生，其中奈米結構層142可將打到金屬遮光元件12表面的入射光線導入至底下的光線吸收層141，並由光線吸收層141吸收光線，使金屬遮光元件12的表面與最小開孔結構皆具有低反射的特性，提供較高的遮光效率。再者，光線吸收層141由碳黑材料製成以提升光線吸收率並提供模層的均勻性，而金屬遮光元件12的材質可為快削黃銅或銅合金，但並不以此為限。

由第1E圖至第1G圖可知，奈米結構層142包含複數奈米結構單元143、143a、143b、143c及一連接層144，其中奈米結構單元143、143a、143b、143c形成奈米脊狀凸起結構層145，且連接層144設置於光線吸收層141與奈米脊狀凸起結構層145之間。藉此，可提供鍍製奈米結構單元143、143a、143b、143c於內孔的製造方式，且可達到快速且易量產的可行性。再者，連接層144的頂部與奈米脊狀凸起結構層145的底部之間無任何間隙，即連接層144與奈米脊狀凸起結構層145為緊密接合，藉以得到結構穩定度較強的奈米結構層142。詳細來說，奈米脊狀凸起結構層145可由氧化鋁材料製成，且連接層144可由二氧化矽材料製成，但並不以此為限。

由第1E圖可知，奈米脊狀凸起結構層145由橫截面觀察時，如山脊般呈現下寬上窄的形式，藉以使等效折射率自奈米結構層142底部向頂部漸減，以減少反射光產生。再者，各奈米結構單元143a、143b、143c的高度為h，其中奈米結構單元143a的高度h為143.6 nm，奈米結構單元143b的高度h為143.1 nm，奈米結構單元143c的高度h為131.5 nm。

由第1G圖可知，第一環面120與第二環面130形成一夾角，夾角為α；連接層144的厚度為d；各奈米結構單元143的高度為h；第一環面120沿中心軸O的長度為L1，第二環面130沿中心軸O的長度為L2，所述參數滿足下列表1A條件。

表1A、第一實施例
α (度)	103	L2 (mm)	0.015
d (nm)	100	L1+L2 (mm)	0.06
h (nm)	220	L1/L2	3
L1 (mm)	0.045

＜第二實施例＞

請參照第2A圖，其為依照本揭示內容第二實施例中成像鏡頭模組20的示意圖。由第2A圖可知，成像鏡頭模組20包含一成像透鏡組21、複數金屬遮光元件22a、22b、22c及一鏡筒23，其中金屬遮光元件22a、22b、22c與成像透鏡組21對應設置，金屬遮光元件22a、22b、22c分別設置於成像透鏡組21的任意二成像透鏡（圖未標示）之間，且鏡筒23用以容納成像透鏡組21。再者，金屬遮光元件22a、22b、22c設置於鏡筒23內，藉以依需求達到遮光功效。具體而言，金屬遮光元件22a、22c為間隔環，且金屬遮光元件22b為遮光片。

請參照第2B圖至第2D圖，其中第2B圖繪示依照第2A圖第二實施例中金屬遮光元件22a的放大圖，第2C圖繪示依照第2A圖第二實施例中金屬遮光元件22a的部分剖面圖，第2D圖繪示依照第2A圖第二實施例中金屬遮光元件22a的示意圖。由第2B圖至第2D圖可知，金屬遮光元件22a環繞於一中心軸O，且包含一外徑面210a、一第一環面220a、一第二環面230a及一抗反射層240a。外徑面210a環繞金屬遮光元件22a。具體而言，第一環面220a相對外徑面210a設置，且第一環面220a較外徑面210a靠近中心軸O；第二環面230a相對外徑面210a設置，第二環面230a較外徑面210a靠近中心軸O，且第一環面220a與第二環面230a連接並且形成一最小開孔結構（圖未標示），其中最小開孔結構為一尖端開孔結構，藉以提供光學用途；抗反射層240a設置於第一環面220a與第二環面230a，並包覆最小開孔結構，且包含一光線吸收層241a與一奈米結構層242a，其中奈米結構層242a設置於光線吸收層241a上。具體而言，第一環面220a與第二環面230a的連接處為最小開孔結構，其中抗反射層240a包覆最小開孔結構，且最小開孔結構環繞中心軸O以形成最小開孔231a。必須說明的是，第2B圖繪示二種倍率的放大圖以清楚觀察金屬遮光元件22a的結構細節。

奈米結構層242a包含複數奈米結構單元243a，其中奈米結構單元243a形成一奈米脊狀凸起結構層（圖未標示），且奈米脊狀凸起結構層直接鍍製於光線吸收層241a，可視材料條件選擇是否設置連接層。藉此，可提供鍍製奈米結構單元243a於內孔的製造方式，且可達到快速且易量產的可行性。詳細來說，奈米脊狀凸起結構層可由氧化鋁材料製成，但並不以此為限。

由第2B圖與第2C圖可知，金屬遮光元件22a更包含一凹槽結構250a，其中凹槽結構250a設置於第二環面230a，凹槽結構250a朝向外徑面210a凹陷，且抗反射層240a的至少一部分設置於凹槽結構250a上。藉此，可形成光陷阱結構，以降低雜散光產生的機率。

由第2D圖可知，尖端開孔結構具有至少一縮孔結構232a，其中縮孔結構232a較尖端開孔結構的最大外徑靠近中心軸O。透過縮孔結構232a的遮光設計，可降低尖端開孔結構產生雜散光的機率。再者，抗反射層240a搭配縮孔結構232a可更有效率地遮蔽非成像光線，能夠有效減少影像產生鬼影的機率。

由第2B圖可知，第一環面220a與第二環面230a形成一夾角，夾角為α；各奈米結構單元243a的高度為h；第一環面220a沿中心軸O的長度為L1，第二環面230a沿中心軸O的長度為L2，所述參數滿足下列表2A條件。

表2A、第二實施例
α (度)	85	L2 (mm)	0.14
h (nm)	100	L1+L2 (mm)	0.2
L1 (mm)	0.06	L1/L2	0.43

請參照第2E圖，其為依照第2A圖第二實施例中金屬遮光元件22b的放大圖。由第2E圖可知，金屬遮光元件22b環繞於一中心軸O，且包含一外徑面210b、一第一環面220b、一第二環面230b及一抗反射層240b。外徑面210b環繞金屬遮光元件22b。具體而言，第一環面220b相對外徑面210b設置，且第一環面220b較外徑面210b靠近中心軸O；第二環面230b相對外徑面210b設置，第二環面230b較外徑面210b靠近中心軸O，且第一環面220b與第二環面230b連接並且形成一最小開孔結構（圖未標示），其中最小開孔結構為一尖端開孔結構，藉以提供光學用途；抗反射層240b設置於第一環面220b與第二環面230b，並包覆最小開孔結構，且包含一光線吸收層241b與一奈米結構層242b，其中奈米結構層242b設置於光線吸收層241b上。具體而言，第一環面220b與第二環面230b的連接處為最小開孔結構，其中抗反射層240b包覆最小開孔結構，且最小開孔結構環繞中心軸O以形成最小開孔231b。必須說明的是，第2E圖繪示二種倍率的放大圖以清楚觀察金屬遮光元件22b的結構細節。

奈米結構層242b包含複數奈米結構單元243b及一連接層244b，其中奈米結構單元243b形成一奈米脊狀凸起結構層（圖未標示），且連接層244b設置於光線吸收層241b與奈米脊狀凸起結構層之間。藉此，可提供鍍製奈米結構單元243b於內孔的製造方式，且可達到快速且易量產的可行性。再者，連接層244b的頂部與奈米脊狀凸起結構層的底部之間無任何間隙，即連接層244b與奈米脊狀凸起結構層為緊密接合，藉以得到結構穩定度較強的奈米結構層242b。詳細來說，奈米脊狀凸起結構層可由氧化鋁材料製成，且連接層244b可由二氧化矽材料製成，但並不以此為限。

第一環面220b與第二環面230b形成一夾角，夾角為α；連接層244b的厚度為d；各奈米結構單元243b的高度為h；第一環面220b沿中心軸O的長度為L1，第二環面230b沿中心軸O的長度為L2，所述參數滿足下列表2B條件。

表2B、第二實施例
α (度)	75	L2 (mm)	0.009
d (nm)	30	L1+L2 (mm)	0.018
h (nm)	90	L1/L2	1
L1 (mm)	0.009

請參照第2F圖，其為依照第2A圖第二實施例中金屬遮光元件22c的放大圖。由第2F圖可知，金屬遮光元件22c環繞於一中心軸O，且包含一外徑面210c、一第一環面220c、一第二環面230c及一抗反射層240c。外徑面210c環繞金屬遮光元件22c。具體而言，第一環面220c相對外徑面210c設置，且第一環面220c較外徑面210c靠近中心軸O；第二環面230c相對外徑面210c設置，第二環面230c較外徑面210c靠近中心軸O，且第一環面220c與第二環面230c連接並且形成一最小開孔結構（圖未標示），其中最小開孔結構為一尖端開孔結構，藉以提供光學用途；抗反射層240c設置於第一環面220c與第二環面230c，並包覆最小開孔結構，且包含一光線吸收層241c與一奈米結構層242c，其中奈米結構層242c設置於光線吸收層241c上。具體而言，第一環面220c與第二環面230c的連接處為最小開孔結構，其中抗反射層240c包覆最小開孔結構，且最小開孔結構環繞中心軸O以形成最小開孔231c。必須說明的是，第2F圖繪示二種倍率的放大圖以清楚觀察金屬遮光元件22c的結構細節。

奈米結構層242c包含複數奈米結構單元243c及一連接層244c，其中奈米結構單元243c形成一奈米脊狀凸起結構層（圖未標示），且連接層244c設置於光線吸收層241c與奈米脊狀凸起結構層之間。藉此，可提供鍍製奈米結構單元243c於內孔的製造方式，且可達到快速且易量產的可行性。再者，連接層244c的頂部與奈米脊狀凸起結構層的底部之間無任何間隙，即連接層244c與奈米脊狀凸起結構層為緊密接合，藉以得到結構穩定度較強的奈米結構層242c。詳細來說，奈米脊狀凸起結構層可由氧化鋁材料製成，且連接層244c可由二氧化矽材料製成，但並不以此為限。

第一環面220c與第二環面230c形成一夾角，夾角為α；連接層244c的厚度為d；各奈米結構單元243c的高度為h；第一環面220c沿中心軸O的長度為L1，第二環面230c沿中心軸O的長度為L2，所述參數滿足下列表2C條件。

表2C、第二實施例
α (度)	93	L2 (mm)	0.213
d (nm)	90	L1+L2 (mm)	0.258
h (nm)	150	L1/L2	0.21
L1 (mm)	0.045

必須說明的是，各金屬遮光元件22a、22b、22c係透過特殊製程使其最小開孔結構與最小開孔結構周圍的表面鍍上光線吸收層241a、241b、241c與奈米結構層242a、242b、242c以防止額外的非成像光線產生，其中各奈米結構層242a、242b、242c可將打到金屬遮光元件22a、22b、22c表面的入射光線導入至底下的光線吸收層241a、241b、241c，並由光線吸收層241a、241b、241c吸收光線，使金屬遮光元件22a、22b、22c的表面與最小開孔結構皆具有低反射的特性，提供較高的遮光效率。再者，各光線吸收層241a、241b、241c由碳黑材料製成以提升光線吸收率並提供模層的均勻性，而各金屬遮光元件22a、22b、22c的材質可為快削黃銅或銅合金，但並不以此為限。進一步來說，第2A圖、第2B圖、第2E圖及第2F圖中虛線係指抗反射層240a、240b、240c的設置範圍。

＜第三實施例＞

請參照第3圖，其為依照本揭示內容第三實施例中金屬遮光元件300的放大圖。由第3圖可知，金屬遮光元件300環繞於一中心軸O，且包含一外徑面310、一第一環面320、一第二環面330及一抗反射層340。外徑面310環繞金屬遮光元件300。具體而言，第一環面320相對外徑面310設置，且第一環面320較外徑面310靠近中心軸O；第二環面330相對外徑面310設置，第二環面330較外徑面310靠近中心軸O，且第一環面320與第二環面330連接並且形成一最小開孔結構（圖未標示），其中最小開孔結構為一尖端開孔結構，藉以提供光學用途；抗反射層340設置於第一環面320與第二環面330，並包覆最小開孔結構，且包含一光線吸收層341與一奈米結構層342，其中奈米結構層342設置於光線吸收層341上。具體而言，第一環面320與第二環面330的連接處為最小開孔結構，其中抗反射層340包覆最小開孔結構，且最小開孔結構環繞中心軸O以形成最小開孔331。必須說明的是，第3圖繪示二種倍率的放大圖以清楚觀察金屬遮光元件300的結構細節，且第3圖中虛線係指抗反射層340的設置範圍。

金屬遮光元件300透過特殊加工，藉以防止成像透鏡組（圖未繪示）的外周產生非成像光線。具體而言，金屬遮光元件300係透過特殊製程使其最小開孔結構與最小開孔結構周圍的表面鍍上光線吸收層341與奈米結構層342以防止額外的非成像光線產生，其中奈米結構層342可將打到金屬遮光元件300表面的入射光線導入至底下的光線吸收層341，並由光線吸收層341吸收光線，使金屬遮光元件300的表面與最小開孔結構皆具有低反射的特性，提供較高的遮光效率。再者，光線吸收層341由碳黑材料製成以提升光線吸收率並提供模層的均勻性，而金屬遮光元件300的材質可為快削黃銅或銅合金，但並不以此為限。

奈米結構層342包含複數奈米結構單元343及一連接層344，其中奈米結構單元343形成一奈米脊狀凸起結構層（圖未標示），且連接層344設置於光線吸收層341與奈米脊狀凸起結構層之間。藉此，可提供鍍製奈米結構單元343於內孔的製造方式，且可達到快速且易量產的可行性。再者，連接層344的頂部與奈米脊狀凸起結構層的底部之間無任何間隙，即連接層344與奈米脊狀凸起結構層為緊密接合，藉以得到結構穩定度較強的奈米結構層342。詳細來說，奈米脊狀凸起結構層可由氧化鋁材料製成，且連接層344可由二氧化矽材料製成，但並不以此為限。

金屬遮光元件300更包含一凹槽結構350，其中凹槽結構350設置於第二環面330，凹槽結構350朝向外徑面310凹陷，且抗反射層340的至少一部分設置於凹槽結構350上。藉此，可形成光陷阱結構，以降低雜散光產生的機率。

第一環面320與第二環面330形成一夾角，夾角為α；連接層344的厚度為d；各奈米結構單元343的高度為h；第一環面320沿中心軸O的長度為L1，第二環面330沿中心軸O的長度為L2，所述參數滿足下列表3A條件。

表3A、第三實施例
α (度)	93	L2 (mm)	0.32
d (nm)	200	L1+L2 (mm)	0.34
h (nm)	300	L1/L2	0.0625
L1 (mm)	0.02

＜第四實施例＞

請參照第4A圖，其為依照本揭示內容第四實施例中成像鏡頭模組40的示意圖。由第4A圖可知，成像鏡頭模組40包含一成像透鏡組41、一金屬遮光元件42及一鏡筒43，其中金屬遮光元件42與成像透鏡組41對應設置，金屬遮光元件42設置於成像透鏡組41的物側，且鏡筒43用以容納成像透鏡組41。再者，金屬遮光元件42設置於鏡筒43的外表面，藉以方便組裝以快速達到遮光的功效。具體而言，金屬遮光元件42為輔助遮光件，其中輔助遮光件可為設置在成像鏡頭模組40外的附加元件，藉以配合成像鏡頭模組40的構型以遮蔽成像鏡頭模組40容易產生雜散光的部位，但不以此為限。

請參照第4B圖，其為依照第4A圖第四實施例中金屬遮光元件42的放大圖。由第4B圖可知，金屬遮光元件42環繞於一中心軸O，且包含一外徑面410、一第一環面420、一第二環面430及一抗反射層440。外徑面410環繞金屬遮光元件42。具體而言，第一環面420相對外徑面410設置，且第一環面420較外徑面410靠近中心軸O；第二環面430相對外徑面410設置，第二環面430較外徑面410靠近中心軸O，且第一環面420與第二環面430連接並且形成一最小開孔結構（圖未標示），其中最小開孔結構為一尖端開孔結構，藉以提供光學用途；抗反射層440設置於第一環面420與第二環面430，並包覆最小開孔結構，且包含一光線吸收層441與一奈米結構層442，其中奈米結構層442設置於光線吸收層441上。具體而言，第一環面420與第二環面430的連接處為最小開孔結構，其中抗反射層440包覆最小開孔結構，且最小開孔結構環繞中心軸O以形成最小開孔431。必須說明的是，第4B圖繪示二種倍率的放大圖以清楚觀察金屬遮光元件42的結構細節，且第4A圖與第4B圖中虛線係指抗反射層440的設置範圍。

金屬遮光元件42透過特殊加工，藉以防止成像透鏡組41的外周產生非成像光線。具體而言，金屬遮光元件42係透過特殊製程使其最小開孔結構與最小開孔結構周圍的表面鍍上光線吸收層441與奈米結構層442以防止額外的非成像光線產生，其中奈米結構層442可將打到金屬遮光元件42表面的入射光線導入至底下的光線吸收層441，並由光線吸收層441吸收光線，使金屬遮光元件42的表面與最小開孔結構皆具有低反射的特性，提供較高的遮光效率。再者，光線吸收層441由碳黑材料製成以提升光線吸收率並提供模層的均勻性，而金屬遮光元件42的材質可為快削黃銅或銅合金，但並不以此為限。

奈米結構層442包含複數奈米結構單元443及一連接層444，其中奈米結構單元443形成一奈米脊狀凸起結構層（圖未標示），且連接層444設置於光線吸收層441與奈米脊狀凸起結構層之間。藉此，可提供鍍製奈米結構單元443於內孔的製造方式，且可達到快速且易量產的可行性。再者，連接層444的頂部與奈米脊狀凸起結構層的底部之間無任何間隙，即連接層444與奈米脊狀凸起結構層為緊密接合，藉以得到結構穩定度較強的奈米結構層442。詳細來說，奈米脊狀凸起結構層可由氧化鋁材料製成，且連接層444可由二氧化矽材料製成，但並不以此為限。

第一環面420與第二環面430形成一夾角，夾角為α；連接層444的厚度為d；各奈米結構單元443的高度為h；第一環面420沿中心軸O的長度為L1，第二環面430沿中心軸O的長度為L2，所述參數滿足下列表4A條件。

表4A、第四實施例
α (度)	53	L2 (mm)	0.03
d (nm)	80	L1+L2 (mm)	0.06
h (nm)	260	L1/L2	1
L1 (mm)	0.03

＜第五實施例＞

請參照第5圖，其為依照本揭示內容第五實施例中成像鏡頭模組50的示意圖。由第5圖可知，成像鏡頭模組50包含一成像透鏡組51、一金屬遮光元件52及一鏡筒53，其中金屬遮光元件52與成像透鏡組51對應設置，金屬遮光元件52設置於成像透鏡組51的像側，且鏡筒53用以容納成像透鏡組51與金屬遮光元件52。再者，金屬遮光元件52為鏡筒，其可用以裝設成像透鏡組51，並用以遮蔽非成像光線。必須說明的是，第5圖繪示二種倍率的放大圖以清楚觀察金屬遮光元件52的結構細節。

金屬遮光元件52環繞於一中心軸O，且包含一外徑面510、一第一環面520、一第二環面530及一抗反射層540。外徑面510環繞金屬遮光元件52。具體而言，第一環面520相對外徑面510設置，且第一環面520較外徑面510靠近中心軸O；第二環面530相對外徑面510設置，第二環面530較外徑面510靠近中心軸O，且第一環面520與第二環面530連接並且形成一最小開孔結構（圖未標示），其中最小開孔結構為一尖端開孔結構，藉以提供光學用途；抗反射層540設置於第一環面520與第二環面530，並包覆最小開孔結構，且包含一光線吸收層541與一奈米結構層542，其中奈米結構層542設置於光線吸收層541上。具體而言，第一環面520與第二環面530的連接處為最小開孔結構，其中抗反射層540包覆最小開孔結構，且最小開孔結構環繞中心軸O以形成最小開孔531。必須說明的是，第5圖中虛線係指抗反射層540的設置範圍。

金屬遮光元件52透過特殊加工，藉以防止成像透鏡組51的外周產生非成像光線。具體而言，金屬遮光元件52係透過特殊製程使其最小開孔結構與最小開孔結構周圍的表面鍍上光線吸收層541與奈米結構層542以防止額外的非成像光線產生，其中奈米結構層542可將打到金屬遮光元件52表面的入射光線導入至底下的光線吸收層541，並由光線吸收層541吸收光線，使金屬遮光元件52的表面與最小開孔結構皆具有低反射的特性，提供較高的遮光效率。再者，光線吸收層541由碳黑材料製成以提升光線吸收率並提供模層的均勻性，而金屬遮光元件52的材質可為快削黃銅或銅合金，但並不以此為限。

奈米結構層542包含複數奈米結構單元543及一連接層544，其中奈米結構單元543形成一奈米脊狀凸起結構層（圖未標示），且連接層544設置於光線吸收層541與奈米脊狀凸起結構層之間。藉此，可提供鍍製奈米結構單元543於內孔的製造方式，且可達到快速且易量產的可行性。再者，連接層544的頂部與奈米脊狀凸起結構層的底部之間無任何間隙，即連接層544與奈米脊狀凸起結構層為緊密接合，藉以得到結構穩定度較強的奈米結構層542。詳細來說，奈米脊狀凸起結構層可由氧化鋁材料製成，且連接層544可由二氧化矽材料製成，但並不以此為限。

第一環面520與第二環面530形成一夾角，夾角為α；連接層544的厚度為d；各奈米結構單元543的高度為h；第一環面520沿中心軸O的長度為L1，第二環面530沿中心軸O的長度為L2，所述參數滿足下列表5A條件。

表5A、第五實施例
α (度)	165	L2 (mm)	0.99
d (nm)	70	L1+L2 (mm)	1.49
h (nm)	200	L1/L2	0.51
L1 (mm)	0.5

＜第六實施例＞

請參照第6A圖與第6B圖，其中第6A圖繪示依照本揭示內容第六實施例中電子裝置60的示意圖，第6B圖繪示依照第6A圖第六實施例中電子裝置60的另一示意圖。由第6A圖與第6B圖可知，電子裝置60係一智慧型手機，電子裝置60包含一成像鏡頭模組（圖未標示）、一電子感光元件（圖未繪示）及一使用者介面61，其中成像鏡頭模組包含一成像透鏡組（圖未繪示）與至少一金屬遮光元件（圖未繪示），電子感光元件設置於成像鏡頭模組的一成像面（圖未繪示），且金屬遮光元件與成像透鏡組對應設置。進一步來說，成像鏡頭模組為超廣角相機模組62、高畫素相機模組63及攝遠相機模組64，且使用者介面61為觸控螢幕，但並不以此為限。具體而言，金屬遮光元件可為前述第一實施例至第五實施例中的任一金屬遮光元件，但本揭示內容不以此為限。

使用者透過使用者介面61進入拍攝模式，其中使用者介面61用以顯示畫面，且可用以手動調整拍攝視角以切換不同的成像鏡頭模組。此時成像鏡頭模組匯集成像光線在電子感光元件上，並輸出有關影像的電子訊號至成像訊號處理元件(Image Signal Processor，ISP)65。

由第6B圖可知，因應電子裝置60的相機規格，電子裝置60可更包含光學防手震組件（圖未繪示），進一步地，電子裝置60可更包含至少一對焦輔助模組（圖未標示）及至少一感測元件（圖未繪示）。對焦輔助模組可以是補償色溫的閃光燈模組66、紅外線測距元件、雷射對焦模組等，感測元件可具有感測物理動量與作動能量的功能，如加速計、陀螺儀、霍爾元件(Hall Effect Element)，以感知使用者的手部或外在環境施加的晃動及抖動，進而有利於電子裝置60中成像鏡頭模組配置的自動對焦功能及光學防手震組件的發揮，以獲得良好的成像品質，有助於依據本揭示內容的電子裝置60具備多種模式的拍攝功能，如優化自拍、低光源HDR(High Dynamic Range，高動態範圍成像)、高解析4K(4K Resolution)錄影等。此外，使用者可由使用者介面61直接目視到相機的拍攝畫面，並在使用者介面61上手動操作取景範圍，以達成所見即所得的自動對焦功能。

進一步來說，成像鏡頭模組、電子感光元件、光學防手震組件、感測元件及對焦輔助模組可設置在一軟性電路板(Flexible Printed Circuitboard，FPC)（圖未繪示）上，並透過一連接器（圖未繪示）電性連接成像訊號處理元件65等相關元件以執行拍攝流程。當前的電子裝置如智慧型手機具有輕薄的趨勢，將成像鏡頭模組與相關元件配置於軟性電路板上，再利用連接器將電路彙整至電子裝置的主板，可滿足電子裝置內部有限空間的機構設計及電路佈局需求並獲得更大的裕度，亦使得其成像鏡頭模組的自動對焦功能藉由電子裝置的觸控螢幕獲得更靈活的控制。第六實施例中，電子裝置60可包含複數感測元件及複數對焦輔助模組，感測元件及對焦輔助模組設置在軟性電路板及另外至少一軟性電路板（圖未繪示），並透過對應的連接器電性連接成像訊號處理元件65等相關元件以執行拍攝流程。在其他實施例中（圖未繪示），感測元件及輔助光學元件亦可依機構設計及電路佈局需求設置於電子裝置的主板或是其他形式的載板上。

此外，電子裝置60可進一步包含但不限於顯示單元(Display)、控制單元(Control Unit)、儲存單元(Storage Unit)、暫儲存單元(RAM)、唯讀儲存單元(ROM)或其組合。

第6C圖繪示依照第6A圖第六實施例中電子裝置60拍攝的影像示意圖。由第6C圖可知，以超廣角相機模組62可拍攝到較大範圍的影像，具有容納更多景色的功能。

第6D圖繪示依照第6A圖第六實施例中電子裝置60拍攝的另一影像示意圖。由第6D圖可知，以高畫素相機模組63可拍攝一定範圍且兼具高畫素的影像，具有高解析低變形的功能。

第6E圖繪示依照第6A圖第六實施例中電子裝置60拍攝的再一影像示意圖。由第6E圖可知，以攝遠相機模組64具有高倍數的放大功能，可拍攝遠處的影像並放大至高倍。

由第6C圖至第6E圖可知，由具有不同焦距的成像鏡頭模組進行取景，並搭配影像處理的技術，可於電子裝置60實現變焦的功能。

＜第七實施例＞

請參照第7圖，其為依照本揭示內容第七實施例中電子裝置70的示意圖。由第7圖可知，電子裝置70係一智慧型手機，且電子裝置70包含一成像鏡頭模組（圖未標示）與一電子感光元件（圖未繪示），其中成像鏡頭模組包含一成像透鏡組（圖未繪示）與至少一金屬遮光元件（圖未繪示），電子感光元件設置於成像鏡頭模組的一成像面（圖未繪示），且金屬遮光元件與成像透鏡組對應設置。進一步來說，成像鏡頭模組為超廣角相機模組711、712、廣角相機模組713、714、攝遠相機模組715、716、717、718及TOF模組(Time-Of-Flight:飛時測距模組)719，而TOF模組719另可為其他種類的成像鏡頭模組，並不限於此配置方式。具體而言，金屬遮光元件可為前述第一實施例至第五實施例中的任一金屬遮光元件，但本揭示內容不以此為限。

再者，攝遠相機模組717、718用以轉折光線，但本揭示內容不以此為限。

因應電子裝置70的相機規格，電子裝置70可更包含光學防手震組件（圖未繪示），進一步地，電子裝置70可更包含至少一對焦輔助模組（圖未繪示）及至少一感測元件（圖未繪示）。對焦輔助模組可以是補償色溫的閃光燈模組720、紅外線測距元件、雷射對焦模組等，感測元件可具有感測物理動量與作動能量的功能，如加速計、陀螺儀、霍爾元件(Hall Effect Element)，以感知使用者的手部或外在環境施加的晃動及抖動，進而有利於電子裝置70中成像鏡頭模組配置的自動對焦功能及光學防手震組件的發揮，以獲得良好的成像品質，有助於依據本揭示內容的電子裝置70具備多種模式的拍攝功能，如優化自拍、低光源HDR(High Dynamic Range，高動態範圍成像)、高解析4K(4K Resolution)錄影等。

另外，第七實施例與第六實施例其餘的元件之結構及配置關係皆相同，在此將不另贅述。

＜第八實施例＞

請參照第8A圖至第8C圖，其中第8A圖繪示依照本揭示內容第八實施例中車輛工具80的示意圖，第8B圖繪示依照第8A圖第八實施例中車輛工具80的另一示意圖，第8C圖繪示依照第8A圖第八實施例中車輛工具80的再一示意圖。由第8A圖至第8C圖可知，車輛工具80包含複數成像鏡頭模組81與一電子感光元件（圖未繪示），其中各成像鏡頭模組81分別包含一成像透鏡組（圖未繪示）與至少一金屬遮光元件（圖未繪示），電子感光元件設置於成像鏡頭模組的一成像面（圖未繪示），且金屬遮光元件與成像透鏡組對應設置。第八實施例中，成像鏡頭模組81的數量為六，且金屬遮光元件可為前述第一實施例至第五實施例中的任一金屬遮光元件，但並不以此數量為限。

由第8A圖與第8B圖可知，成像鏡頭模組81為車用成像鏡頭模組，且成像鏡頭模組81中二者分別位於左右後照鏡的下方，且用以擷取一視角θ的影像資訊。具體而言，視角θ可滿足下列條件：40度＜ θ ＜90度。藉此，可擷取左右二旁車道範圍內的影像資訊。

由第8B圖可知，成像鏡頭模組81中另二者可設置於車輛工具80內部的空間。具體而言，所述二成像鏡頭模組81分別設置於靠近車內後視鏡的位置與靠近後車窗的位置。再者，成像鏡頭模組81中另可分別設置於車輛工具80左右後照鏡的非鏡面，但並不以此為限。

由第8C圖可知，成像鏡頭模組81中再二者可設置於車輛工具80的前端與後端的位置，其中透過成像鏡頭模組81於車輛工具80的前端與後端及左右後照鏡的下方的配置，有助於駕駛人藉此獲得駕駛艙以外的外部空間資訊，例如外部空間資訊I1、I2、I3、I4，但並不以此為限。藉此，可提供更多視角以減少死角，進而有助於提升行車安全。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10,20,40,50,81,90:成像鏡頭模組 11,21,41,51,91:成像透鏡組 12,22a,22b,22c,300,42,52:金屬遮光元件 13,23,43,53:鏡筒 14,94:保護玻璃 110,210a,210b,210c,310,410,510:外徑面 120,220a,220b,220c,320,420,520:第一環面 130,230a,230b,230c,330,430,530:第二環面 131,231a,231b,231c,331,431,531:最小開孔 140,240a,240b,240c,340,440,540:抗反射層 141,241a,241b,241c,341,441,541:光線吸收層 142,242a,242b,242c,342,442,542:奈米結構層 143,143a,143b,143c,243a,243b,243c,343,443,543:奈米結構單元 144,244b,244c,344,444,544:連接層 145:奈米脊狀凸起結構層 232a:縮孔結構 250a,350:凹槽結構 60,70:電子裝置 61:使用者介面 62,711,712:超廣角相機模組 63:高畫素相機模組 64,715,716,717,718:攝遠相機模組 65:成像訊號處理元件 66,720:閃光燈模組 713,714:廣角相機模組 719:TOF模組 80:車輛工具 O:中心軸 L:非成像光線 I1,I2,I3,I4:外部空間資訊 h:各奈米結構單元的高度 L1:第一環面沿中心軸的長度 L2:第二環面沿中心軸的長度 α:夾角 d:連接層的厚度 θ:視角

第1A圖繪示依照本揭示內容第一實施例中成像鏡頭模組的立體圖； 第1B圖繪示依照第1A圖第一實施例中成像鏡頭模組的應用情境示意圖； 第1C圖繪示依照第1A圖第一實施例中成像鏡頭模組的示意圖； 第1D圖繪示依照第1A圖第一實施例中成像鏡頭模組的分解圖； 第1E圖繪示依照第1D圖第一實施例中抗反射層的掃描式電子顯微鏡影像； 第1F圖繪示依照第1D圖第一實施例中奈米脊狀凸起結構層的掃描式電子顯微鏡影像； 第1G圖繪示依照第1A圖第一實施例中金屬遮光元件的示意圖； 第2A圖繪示依照本揭示內容第二實施例中成像鏡頭模組的示意圖； 第2B圖繪示依照第2A圖第二實施例中金屬遮光元件的放大圖； 第2C圖繪示依照第2A圖第二實施例中金屬遮光元件的部分剖面圖； 第2D圖繪示依照第2A圖第二實施例中金屬遮光元件的示意圖； 第2E圖繪示依照第2A圖第二實施例中金屬遮光元件的放大圖； 第2F圖繪示依照第2A圖第二實施例中金屬遮光元件的放大圖； 第3圖繪示依照本揭示內容第三實施例中金屬遮光元件的放大圖； 第4A圖繪示依照本揭示內容第四實施例中成像鏡頭模組的示意圖； 第4B圖繪示依照第4A圖第四實施例中金屬遮光元件的放大圖； 第5圖繪示依照本揭示內容第五實施例中成像鏡頭模組的示意圖； 第6A圖繪示依照本揭示內容第六實施例中電子裝置的示意圖； 第6B圖繪示依照第6A圖第六實施例中電子裝置的另一示意圖； 第6C圖繪示依照第6A圖第六實施例中電子裝置拍攝的影像示意圖； 第6D圖繪示依照第6A圖第六實施例中電子裝置拍攝的另一影像示意圖； 第6E圖繪示依照第6A圖第六實施例中電子裝置拍攝的再一影像示意圖； 第7圖繪示依照本揭示內容第七實施例中電子裝置的示意圖； 第8A圖繪示依照本揭示內容第八實施例中車輛工具的示意圖； 第8B圖繪示依照第8A圖第八實施例中車輛工具的另一示意圖； 第8C圖繪示依照第8A圖第八實施例中車輛工具的再一示意圖；以及 第9圖繪示依照現有技術中成像鏡頭模組的示意圖。

10:成像鏡頭模組

11:成像透鏡組

12:金屬遮光元件

13:鏡筒

140:抗反射層

Claims (27)

1. 一種金屬遮光元件，環繞於一中心軸，且包含： 一外徑面，環繞該金屬遮光元件； 一第一環面，相對該外徑面設置，且該第一環面較該外徑面靠近該中心軸； 一第二環面，相對該外徑面設置，該第二環面較該外徑面靠近該中心軸，且該第一環面與該第二環面連接並且形成一最小開孔結構；以及 一抗反射層，設置於該第一環面與該第二環面，並包覆該最小開孔結構，且包含： 一光線吸收層；及 一奈米結構層，設置於該光線吸收層上； 其中，該最小開孔結構為一尖端開孔結構，且該第一環面與該第二環面形成一夾角，該夾角為α，其滿足下列條件： 0度 ＜ α ≤ 170度。
2. 如請求項1所述的金屬遮光元件，其中該光線吸收層由碳黑材料製成。
3. 如請求項1所述的金屬遮光元件，其中該奈米結構層包含複數奈米結構單元，且該些奈米結構單元形成一奈米脊狀凸起結構層。
4. 如請求項3所述的金屬遮光元件，其中該奈米結構層包含一連接層，且該連接層設置於該光線吸收層與該奈米脊狀凸起結構層之間。
5. 如請求項4所述的金屬遮光元件，其中該連接層的厚度為d，其滿足下列條件： 30 nm ≤ d ≤ 500 nm。
6. 如請求項3所述的金屬遮光元件，其中各該奈米結構單元的高度為h，其滿足下列條件： 90 nm ≤ h ≤ 350 nm。
7. 如請求項6所述的金屬遮光元件，其中各該奈米結構單元的高度為h，其滿足下列條件： 90 nm ≤ h ≤ 290 nm。
8. 如請求項1所述的金屬遮光元件，其中該尖端開孔結構具有至少一縮孔結構，且該至少一縮孔結構較該尖端開孔結構的最大外徑靠近該中心軸。
9. 如請求項1所述的金屬遮光元件，其中該夾角為α，其滿足下列條件： 10度 ≤ α ≤ 150度。
10. 如請求項9所述的金屬遮光元件，其中該夾角為α，其滿足下列條件： 20度 ≤ α ≤ 120度。
11. 如請求項1所述的金屬遮光元件，更包含： 一凹槽結構，設置於該第一環面與該第二環面中至少一者，該凹槽結構朝向該外徑面凹陷，且該抗反射層的至少一部分設置於該凹槽結構上。
12. 一種成像鏡頭模組，包含： 一成像透鏡組；以及 至少一如請求項1所述的金屬遮光元件，其中該至少一金屬遮光元件與該成像透鏡組對應設置。
13. 一種電子裝置，包含： 如請求項12所述的成像鏡頭模組；以及 一電子感光元件，設置於該成像鏡頭模組的一成像面。
14. 一種金屬遮光元件，環繞於一中心軸，且包含： 一外徑面，環繞該金屬遮光元件； 一第一環面，相對該外徑面設置，且該第一環面較該外徑面靠近該中心軸； 一第二環面，相對該外徑面設置，該第二環面較該外徑面靠近該中心軸，且該第一環面與該第二環面連接並且形成一最小開孔結構；以及 一抗反射層，設置於該第一環面與該第二環面，並包覆該最小開孔結構，且包含： 一光線吸收層；及 一奈米結構層，設置於該光線吸收層上； 其中，該第一環面沿該中心軸的長度為L1，該第二環面沿該中心軸的長度為L2，其滿足下列條件： 0.01 mm ≤ L1+L2 ≤ 3.00 mm。
15. 如請求項14所述的金屬遮光元件，其中該光線吸收層由碳黑材料製成。
16. 如請求項14所述的金屬遮光元件，其中該奈米結構層包含複數奈米結構單元，且該些奈米結構單元形成一奈米脊狀凸起結構層。
17. 如請求項16所述的金屬遮光元件，其中該奈米結構層包含一連接層，且該連接層設置於該光線吸收層與該奈米脊狀凸起結構層之間。
18. 如請求項17所述的金屬遮光元件，其中該連接層的厚度為d，其滿足下列條件： 30 nm ≤ d ≤ 500 nm。
19. 如請求項16所述的金屬遮光元件，其中各該奈米結構單元的高度為h，其滿足下列條件： 90 nm ≤ h ≤ 350 nm。
20. 如請求項19所述的金屬遮光元件，其中各該奈米結構單元的高度為h，其滿足下列條件： 90 nm ≤ h ≤ 290 nm。
21. 如請求項14所述的金屬遮光元件，其中該第一環面沿該中心軸的長度為L1，該第二環面沿該中心軸的長度為L2，其滿足下列條件： 0.03 ≤ L1/L2 ≤ 5。
22. 如請求項14所述的金屬遮光元件，更包含： 一凹槽結構，設置於該第一環面與該第二環面中至少一者，該凹槽結構朝向該外徑面凹陷，且該抗反射層的至少一部分設置於該凹槽結構上。
23. 如請求項14所述的金屬遮光元件，其中該最小開孔結構具有至少一縮孔結構，且該至少一縮孔結構較該最小開孔結構的最大外徑靠近該中心軸。
24. 一種金屬遮光元件，環繞於一中心軸，且包含： 一外徑面，環繞該金屬遮光元件； 一第一環面，相對該外徑面設置，且該第一環面較該外徑面靠近該中心軸； 一第二環面，相對該外徑面設置，該第二環面較該外徑面靠近該中心軸，且該第一環面與該第二環面連接；以及 一抗反射層，設置於該第一環面與該第二環面中至少一者，且包含： 一光線吸收層；及 一奈米結構層，設置於該光線吸收層上； 其中，該奈米結構層包含複數奈米結構單元，各該奈米結構單元的高度為h，其滿足下列條件： 90 nm ≤ h ≤ 350 nm。
25. 如請求項24所述的金屬遮光元件，其中該些奈米結構單元形成一奈米脊狀凸起結構層。
26. 如請求項25所述的金屬遮光元件，其中各該奈米結構單元的高度為h，其滿足下列條件： 90 nm ≤ h ≤ 290 nm。
27. 如請求項24所述的金屬遮光元件，其中該光線吸收層由碳黑材料製成。

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