TW202332350A - 多層配線基板的製造方法及多層配線基板 - Google Patents
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Abstract
藉由雷射照射而在玻璃基板的內部局部地形成改質層時，改質深度非常難控制。因此，在蝕刻改質部以形成貫通孔時，有可能在深度方向或徑向產生偏差。本發明係在具有第1面及第2面的玻璃基板形成貫通孔之多層配線基板的製造方法中，具有：第1步驟，在前述玻璃基板的前述第2面接著支持體；第2步驟，在前述玻璃基板及支持體兩者，形成藉由雷射照射所產生的改質部；第3步驟，將前述支持體剝離去除；第4步驟，以及在前述玻璃基板藉由蝕刻處理形成貫通孔。
Description
本發明係關於多層配線基板的製造方法及多層配線基板。
近年來，電子機器的高功能化及小型化正持續進行中，以搭載於電子機器之中介層為代表的多層配線基板，也被要求進一步的高精度化。
尤其，在最近的多層配線基板中，採用玻璃基板，於玻璃基板形成貫通孔並設置貫通電極。且，採用了在玻璃基板的雙面依序積層導體層、絕緣樹脂層及導體層而成之多層配線基板。
然而，當玻璃基板的玻璃厚變成100μm左右時，在多層配線基板的製造步驟中，於玻璃基板容易發生破裂等的障礙。
因此，專利文獻1中，為了防止此種破裂，係採用隔介剝離層將支持體接著於玻璃基板，在配線形成後將支持體予以剝離去除之步驟。
具體而言，係採用：在玻璃基板的第1面上進行第1配線的形成之步驟；將形成有該第1配線之玻璃基板的第1配線側利用支持體進行支持之步驟；針對上述玻璃基板，利用從上述第1面之相反側的面照射的雷射，形成會成為貫通孔形成的起點之雷射改質部之步驟；從上述玻璃基板的第1面之相反側的面朝向第1面，使用氟化氫蝕刻液實施蝕刻，一邊進行玻璃基板的薄板化一邊形成貫通孔之貫通孔形成步驟；在上述貫通孔形成步驟後，於上述貫通孔的內部形成貫通電極，並且在上述玻璃基板之上述第1面的相反側的面形成第2配線，隔介貫通電極連接上述第1配線與上述第2配線之步驟；以及形成上述第2配線後，將上述支持體從上述玻璃基板卸除之步驟。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2019/235617號
[發明欲解決之課題]
然而，雖可藉由雷射照射在玻璃基板的一部分形成雷射改質部，但在玻璃基板的內部局部地形成改質層時，改質深度的控制難以進行。因此，有時在改質部的深度方向會發生偏差。
其結果，在利用蝕刻進行貫通孔的形成中，會有貫通孔的直徑產生偏差之情況。
本發明係有鑑於上述問題而完成者，其目的在於提供一種於多層配線基板的芯材形成雷射改質部，然後，藉由蝕刻形成貫通孔之多層配線基板的製造方法中，高精度地形成貫通孔之技術。
[用以解決課題之手段]
本發明之具代表性的玻璃多層配線基板的製造方法之一，係在具有第1面及第2面的玻璃基板形成貫通孔之多層配線基板的製造方法，其具有：
第1步驟，將支持體接著於前述玻璃基板的前述第2面；
第2步驟，在前述玻璃基板及支持體兩者，形成藉由雷射照射所產生的改質部；
第3步驟，將前述支持體剝離去除；及
第4步驟，在前述玻璃基板藉由蝕刻處理形成貫通孔。
[發明之效果]
根據本發明，藉由在芯材及第1支持體兩者形成改質部，可在玻璃基板均一地形成改質部。其後，藉由進行蝕刻處理，可高精度地形成貫通孔。
上述以外之課題、構成及效果，可藉由用於以下實施用的形態中之說明清楚得知。
[用以實施發明的形態]
以下，針對本發明的實施形態，一邊參照圖式一邊進行說明
此外，以下的說明係關於本發明的一例，本發明並不受此等所限定。又，在圖式的記載中，相同部分係標註相同符號來表示。
關於圖式中所顯示之各構成要素的位置、大小、形狀、範圍等，為了使發明易於理解，會有沒有表示實際的位置、大小、形狀、範圍等之情況。因此，本發明未必受限於圖式所揭示的位置、大小、形狀、範圍等。
此外，本揭示中，「面」不僅是指板狀構件的面，有時也針對包含於板狀構件的層，意指與板狀構件的面大致平行的層之界面。又，「上面」，「下面」意指：在圖示有板狀構件或包含於板狀構件的層之情況的顯示於圖式上的上方或下方的面。此外，關於「上面」、「下面」，有時亦稱為「第1面」、「第2面」。
又，「側面」意味：板狀構件或包含於板狀構件的層中的面或層之厚度的部分。再者，有時將面的一部分及側面一起稱為「端部」。
又，「上方」意味：將板狀構件或層水平地載置時之垂直上方的方向。再者，關於「上方」及與其相反的「下方」，有時將此等稱為「Z軸正方向」，「Z軸負方向」，關於水平方向，有時稱為「X軸方向」、「Y軸方向」。
又，「平面形狀」、「俯視」意味：從上方觀看面或層時的形狀。再者，「剖面形狀」、「觀看剖面」意味：從將板狀構件或層在特定方向切斷時的水平方向觀看時的形狀。
再者，「中心部」意味：非為面或層的周邊部之中心部。且，「中心方向」意味：從面或層的周邊部朝向面或層的平面形狀的中心之方向。
＜第1實施形態＞
以下，參照圖1至圖11，說明關於第1實施形態中之多層配線層的製造方法。
(第1支持體的接著)
首先，參照圖1，說明將第1支持體61接著於玻璃基板60的步驟。
如圖1所示，使用第1接著層62，將第1支持體61貼合於玻璃基板60，形成由玻璃基板60、第1接著層62、第1支持體61所構成的積層構造體63。
前述暫時固定用的第1接著層62係用以將第1支持體61暫時固定於玻璃基板60之接著層。因此，第1接著層62的材料係可從如下者適當選擇：吸收UV光等的光並藉由發熱、昇華或變質而能夠剝離之樹脂、因熱且藉由發泡而能夠剝離的樹脂、或者官能基等。
為了使第1支持體貼合於玻璃基板60，可使用例如疊合機(laminator)、真空壓機、減壓貼合機等。
較期望是前述第1支持體61係與玻璃基板60為相同材料。在玻璃基板60為無鹼玻璃之情況，較期望是第1支持體61亦為無鹼玻璃。又，關於第1支持體的厚度，係可因應玻璃基板60的厚度，適當地設定。其中，較佳為可在製造步驟中搬送之厚度，其範圍為300～1,500μm。
(雷射改質部的形成)
其次，參照圖2，說明關於雷射改質部的形成步驟。如圖2所示，對積層構造體63照射雷射，形成作為貫通孔的起點之雷射改質部65。雷射改質部65係可相對於玻璃基板60，例如延伸於垂直方向，且形成於玻璃基板60的大致全面。此時，在第1接著層62、第1支持體61形成雷射改質部65亦無妨。
本實施形態中，藉由在玻璃基板60重疊有第1支持體61的狀態下照射雷射，可使雷射照射的處理條件(process window)變廣，且可對玻璃基板60確實地形成所期望的雷射改質部。
(第1配線層的形成)
接著，參照圖3，說明關於第1配線層21的形成步驟。如圖3所示，在積層構造體63之玻璃基板60上的上面亦即第1面20，形成由導電層和絕緣樹脂層所構成之第1配線層21。此時，在玻璃基板60上形成有包含耐氫氟酸金屬層15的種子層後，利用半加成(SAP)製程在第1面20形成貫通電極連接部41、貫通電極間的配線16，去除不要的種子層後，形成絕緣樹脂層25。
玻璃基板60上的耐氫氟酸金屬層15係由鉻、鎳、或兩者所構成的合金層，可利用濺鍍處理在10～1,000nm的範圍形成。其後，在耐氫氟酸金屬上形成所期望厚度的導電金屬皮膜。導電金屬皮膜係例如如下者適當地設定，即，Cu、Ni、Al、Ti、Cr、Mo、W、Ta、Au、Ir、Ru、Pd、Pt、AlSi、AlSiCu、AlCu、NiFe、ITO、IZO、AZO、ZnO、PZT、TiN、Cu
3N
4。
在藉由半加成製程所進行之第1配線層的形成方面，係可使用光阻劑形成所期望的圖案。一般而言，係使用乾膜阻劑，但也可使用液體的阻劑。將所期望的圖案曝光、顯影並形成圖案後，利用電解鍍敷形成2μm以上、20μm以下的鍍敷被膜，將不要的阻劑圖案剝離，蝕刻種子層，藉此可形成配線。
此外，絕緣樹脂層25較期望是包含環氧系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚醯胺系樹脂的至少一種以上且包含二氧化矽、氧化鈦、胺基甲酸酯等的填料之材料，且為液狀或薄膜狀的材料。在液狀樹脂的情況，係可藉由旋塗法形成，在薄膜狀樹脂的情況，係可使用真空疊合機(vacuum laminator)，在真空下進行加熱・加壓來形成。絕緣樹脂層25的材料係可依需要適當地選擇。
(第2支持體的接著)
其次，參照圖4，說明關於第2支持體的接著步驟。如圖4所示，在積層構造體63的第1配線層21上，進行第2接著層71、第2支持體70的形成。
關於第2接著層71，與第1接著層62同樣地，係可適當地從如下者選擇：吸收UV光等的光且藉由發熱、昇華或變質而能夠剝離之樹脂；因熱且藉由發泡而能夠剝離之樹脂；或者將玻璃基板60、第1支持體61暫時固定之官能基等，但是較佳為與第1接著層62為不同的材料。
關於第2支持體70，係為玻璃，較期望是與玻璃基板60相同的材料。在玻璃基板60為無鹼玻璃之情況，較期望是第1支持體61亦為無鹼玻璃。又，關於第2支持體的厚度，係可因應玻璃基板60的厚度適當地設定。其中，以可搬送的厚度較佳，其範圍在300～1,500μm。
(第1支持體的剝離)
其次，參照圖5，說明關於第1支持體的剝離步驟。如圖5所示，將第1接著層62與第1支持體61從玻璃基板60與第1接著層62的界面剝離。
在將第1支持體61從玻璃基板60與第1接著層62界面剝離時，可因應使用於第1接著層的材料，從UV光的照射、加熱處理、物理剝離等選擇因應使用材料之適當的剝離方式。又，在玻璃基板60與第1接著層62的接合面產生第1接著層62的殘渣之情況，亦可進行電漿洗淨、超音波洗淨、水洗、使用乙醇的溶劑洗淨等。
(藉蝕刻所致之貫通孔的形成)
接著，參照圖6，說明藉蝕刻所致之貫通孔形成步驟。如圖6所示，利用蝕刻選擇性地去除玻璃基板60的雷射改質部65，從圖中下側的面形成貫通孔12。蝕刻方面係適合使用了氟化氫水溶液的溼式蝕刻。藉由氟化氫水溶液之蝕刻量，係因應玻璃多層配線基板的厚度適當地設定。例如在玻璃基板60的厚度T1為200μm之情況，其蝕刻量係以50μm以上、175μm以下的範圍較理想。
蝕刻後之玻璃基板60的厚度T2係以25μm以上、150μm以下較佳。
(第2配線層的形成)
其次，參照圖7，說明關於第2配線層的形成步驟。如圖7所示，在玻璃基板60的下方的第2面30，形成由導電層和絕緣樹脂層所構成的第2配線層22。在貫通孔12及玻璃基板60之第2面側的第2配線層的形成方面，係於形成供電用種子層及藉由阻劑形成圖案，進行2μm以上、20μm以下的鍍敷處理後，將不要的阻劑圖案剝離，去除種子層，進行絕緣樹脂的形成。
第2配線層22中，由於在之後的步驟中沒有利用氟化氫水溶液進行蝕刻處理，所以可使用與耐氫氟酸金屬不同的材料。於此情況，在貫通孔12的側面，形成由與耐氫氟酸金屬不同的材料所構成的金屬層。作為與耐氫氟酸金屬不同的材料，係可列舉例如Ti、Cu等，由該等材料所構成的至少1層以上的金屬層係形成於貫通孔12的側面及玻璃基板60的第2面30上。材料、層數等並不限定於本內容，可依需要適當地設定。
(第2支持體的剝離)
其次，參照圖8，說明關於第2支持體的剝離步驟。如圖8所示，將在玻璃基板60的第1面20側之第1配線層21的上方所形成之第2接著層71與第2支持體70，從第1面側的第1配線層21與第2接著層71的界面剝離。藉此，如圖9所示，可得到在玻璃基板60的第1面20側形成有第1配線層21，且在第2面30側形成有第2配線層22而成之玻璃基板60。
在將第2支持體70從第2配線層22剝離時，係可因應使用於第2接著層71的材料，從UV光的照射、加熱處理、物理剝離等選擇因應使用材料之適當的剝離方式。又，在第1配線層21與第2接著層71的接合面產生第2接著層71的殘渣之情況，亦可進行電漿洗淨、超音波洗淨、水洗、使用乙醇的溶劑洗淨等。
(增層的形成)
其次，參照圖10，說明關於增層的形成步驟。
如圖10所示，於玻璃基板60的第1面20側之第1配線層21、第2面30側的第2配線層22，形成用以使第1面側的第1配線層導通之導通電極31、用以使第2面側的第2配線層導通之導通電極32。導通電極31、32係在藉由雷射於絕緣樹脂層25形成有通路後，在通路上形成種子層，然後，使用半加成製程(阻劑圖案形成、鍍敷、阻劑剝離、種子層去除、絕緣樹脂層25)而形成。
此外，第1配線層21、第2配線層22係至少積層有1層以上，且可依需要設定適當的層數。
為了形成導通電極31及導通電極32所使用的雷射，係使用不同於用於形成雷射改質部65之雷射。較佳為使用例如碳酸氣體雷射、UV－YAG雷射等的脈衝雷射，適用脈衝寬度為μs等級的雷射。
接著，如圖11所示，在第1配線層21、第2配線層22形成有阻焊劑55等的外層保護膜後，於半導體元件用接合墊51、基板用接合墊53實施Ni/Au、Ni/Pd/Au、IT、OSP(水溶性預焊劑)等的表面處理，依需要形成半導體元件接合用焊料52，基板接合用焊料54而完成多層配線基板。
＜第2實施形態＞
其次，參照圖1、圖12、圖13、圖4至圖11，說明第2實施形態。
第2實施形態係在第1配線層的形成後再進行雷射改質的步驟這點，與第1實施形態不同。
以下的說明中，針對與上述之第1實施形態相同或相等的構成要素標註相同符號，並將其說明簡化或省略。
(第1支持體的接著)
在第2實施形態之多層配線基板的製造方法中，最初的步驟亦即第1支持體的接著步驟，係與參照圖1所說明的第1實施形態相同，所以省略說明。
(第1配線層的形成)
接著，參照圖12，說明關於第2實施形態中之配線層的形成步驟。
第2實施形態中，如圖12所示，接續第1支持體的接著步驟，在積層構造體63的玻璃基板60上進行第1配線層21的形成。此時，在玻璃基板60上形成有包含耐氫氟酸金屬層15的種子層後，利用半加成(SAP)製程形成貫通電極連接部41、貫通電極間的配線16，將不要的種子層去除後，形成絕緣樹脂層25。
此外，耐氫氟酸金屬層及導電金屬皮膜的材料或成膜方法等，係與第1實施形態的情況同樣。
(雷射改質部的形成)
接著，參照圖13，說明關於第2實施形態中之雷射改質部的形成步驟。如圖13所示，對積層構造體63，從第1支持體61的面照射雷射，而形成會成為貫通孔的起點之雷射改質部65。雷射改質部65係相對於玻璃基板60，例如延伸於垂直方向且形成於整面。此時，在第1接著層62、第1支持體61形成雷射改質部65亦無妨。
(第2支持體的接著以後的步驟)
第2實施形態中，第2支持體的接著步驟以後之第1支持體的剝離、藉由蝕刻所致之貫通孔形成、第2配線層的形成、第2支持體的剝離及增層的形成，由於係與參照圖4至圖11所說明的第1實施形態同樣，故省略說明。
＜第3實施形態＞
接著，參照圖1、圖12、圖14、圖15、圖5至圖11，說明關於第3實施形態。
第3實施形態係在第2支持體的接著步驟後再進行雷射改質的步驟這點與第2實施形態不同。
以下的說明中，針對與上述之第1實施形態、第2實施形態相同或相等的構成要素標註相同符號，並將其說明簡化或省略。
(第1支持體的接著及第1配線層的形成)
在第3實施形態之玻璃多層配線基板的製造方法中，最初的步驟亦即第1支持體的接著步驟及第1配線層的形成步驟，係與參照圖1及圖12所說明的第2實施形態相同，所以省略說明。
(第2支持體的接著)
然後，參照圖14，說明關於第3實施形態中之第2支持體的接著步驟。
第3實施形態中，如圖14所示，在積層構造體63的第1配線層21上形成第2接著層71、第2支持體70。
(雷射改質部的形成)
之後，如圖15所示，對積層構造體63照射雷射，形成會成為貫通孔的起點之雷射改質部65。雷射改質部65係相對於玻璃基板60，例如延伸於垂直方向且形成於整面。此時，在第1接著層62、第1支持體61形成雷射改質部65亦無妨。
(第1支持體的剝離以後的步驟)
第3實施形態中，第1支持體的剝離步驟以後之藉由蝕刻所致之貫通孔形成、第2配線層的形成、第2支持體的剝離、增層的形成，由於係與參照圖5至圖11所說明的第1實施形態同樣，故省略說明。
＜作用・效果＞
根據以上第1～第3實施形態中說明的製造方法，在形成雷射改質部時，並不是僅以玻璃基板60作為雷射的照射對象，而是始終將由與玻璃基板60同質的材料所構成的支持體同時作為照射對象。因此，在玻璃基板60的厚度方向(z軸方向)全體可確實地形成雷射改質部。亦即，成為有可能未充分進行雷射改質的雷射改質的末端的部位係存在於支持體中。而且，這樣的不穩定的雷射改質部會連同支持體一起在之後的步驟中被剝離去除。因此，形成於玻璃基板60的雷射改質部，由於均質性高且以高精度形成，所以藉由之後的蝕刻也能夠均一地形成貫通孔。
以往，由於僅以玻璃基板60作為雷射照射的對象，所以在玻璃基板的表面附近，雷射改質部未必均質地形成，結果會導致貫通孔形狀的偏差，然而，根據本揭示的多層配線的形成方法，可大幅改善這點。
＜關於本發明的實施形態之玻璃多層配線基板＞
參照圖16、圖17及圖18，說明關於藉由第1、第2、第3實施形態所製造之多層配線基板的構造。
在藉由本發明的第1至第3實施形態所製造的多層配線基板中，如圖16、圖17及圖18所示，在玻璃基板60，第1面20側的第1配線層21與第2面30側的第2配線層22係藉由截頭圓錐狀的貫通電極11導通。
第1面20側的第1配線層21與貫通電極11，係成為被第1面20側的第1配線層21的貫通電極連接部41塞住之構造，貫通電極連接部41與貫通電極11係成為夾著耐氫氟酸金屬層15之構造。
連接第1面20側的第1配線層21之導通電極31係形成於第1面20側的第1配線層之貫通電極連接部41上。連接第2面30側的第2配線層22之導通電極32係形成在從貫通電極11分離的位置。連接第1面20側的第1配線層21之導通電極31，係在對玻璃基板60形成有第1面20側的第1配線層21後，利用蝕刻形成貫通孔12，藉此可形成於貫通電極11上，在第1面側的第1配線層中，可在貫通電極11之間形成配線16。在第1面側的第1配線層21中，與第2面側的第2配線層22相比，配線設計的自由度得以提升。
又，根據本發明，可將第2面30側之第2配線層22的開口直徑D2穩定地形成，可抑制開口直徑D2被閉塞等的障礙。因此，貫通孔12亦即貫通電極11，係如圖18所示，玻璃基板60的第1面20側之第1配線層21的開口直徑D1與第2面30的第2配線層22的開口直徑D2之關係成為D2＞D1，第1面20側開口直徑D1/第2面側開口D2成為約0.3～0.8，藉此可確保貫通電極11的側面及種子層對底面的附著圍繞。藉此，可確保貫通電極11側面、底面的密接性，可得到高的接合可靠性。
以上說明之使用有玻璃厚度150μm以下的薄玻璃之玻璃多層配線基板的製造方法，係可利用於圖19所示之內建有電容器構造的被動零件用玻璃多層配線基板、圖20所示之搭載有複數個半導體元件之中介層等的裝置(device)。本實施形態係藉由容易使用玻璃厚度150μm以下的薄玻璃，且可簡便地形成貫通孔與貫通電極，可利用於使用具備有貫通電極的玻璃多層配線基板之各式各樣的裝置。
＜多層配線基板＞
本發明係包含藉由以上說明之多層配線基板的製造方法所製造之多層配線基板。
又，關於利用專利文獻1記載的製造方法所製造之多層配線基板，孔的在第1面之開口部的開口直徑與孔的在第2面之開口部的開口直徑皆相對於各自的平均值採用±15%～±20%左右的值，相對地，利用本發明的製造方法所製造的多層配線基板，孔的在第1面之開口部的開口直徑與孔的在第2面之開口部的開口直徑皆取相對於各自的平均值±5%左右的值。因此，本發明包含一種多層配線基板，係包含具有第1面及第2面，且具有以繫接第1面與第2面之方式貫通的孔之玻璃基板，其特徵為：孔的在第1面之開口部的開口直徑與孔的在第2面之開口部的開口直徑皆相對於各自的平均值±10%以內的值。
又，如上所述，本發明係包含一種多層配線基板，其特徵為：孔的在第1面之開口部的開口直徑與孔的在第2面之開口部的開口直徑在各自的平均值中，具有0.3以上0.8以下的比，其中一者較小。
又，本發明係包含多層配線基板，其特徵為：孔的第1面及第2面之開口直徑中較小的一者的開口部，係至少在其一部分中被由具有耐氫氟酸腐蝕性的物質所構成的膜狀構造體(例如耐氫氟酸金屬層15)所塞住。
本發明的範圍並不限定於被圖示且記載的例示性實施形態，包含有各種變形例。例如，上述的實施形態係為了將本發明易於理解而詳細說明者，未必限定於具備已說明的全部構成。
又，可將某實施形態之構成的一部分替換成其他的實施形態之構成，又，也可在某實施形態的構成加上其他實施形態的構成。又，可針對各實施形態之構成的一部分，進行其他構成的追加・刪除・置換。
再者，本發明亦包含帶來與作為目的者均等的效果之所有的實施形態。
1:玻璃多層配線基板
11:貫通電極
12:貫通孔
15:耐氫氟酸金屬層
16:配線
21:第1配線層
22:第2配線層
25:絕緣樹脂層
31:導通電極
32:導通電極
41:貫通電極連接部
42:貫通電極連接部
51:半導體元件用接合墊
52:半導體元件用接合焊料
53:基板用接合墊
54:基板用接合焊料
55:阻焊劑
60:玻璃基板
61:第1支持體
62:第1接著層
63:積層構造體
65:雷射改質部
70:第2支持體
71:第2接著層
80:電容器構造
90:BGA基板
100:半導體元件
D1:貫通孔第1面側開口直徑
D2:貫通孔第2面側開口直徑
圖1係說明將第1支持體接著於玻璃基板的步驟之剖面圖。
圖2係說明雷射改質部的形成步驟之剖面圖。
圖3係針對第1配線層的形成步驟進行說明之剖面圖。
圖4係針對第2支持體的接著步驟進行說明之剖面圖。
圖5係針對第1支持體的剝離步驟進行說明之剖面圖。
圖6係針對藉由蝕刻的貫通孔形成步驟進行說明之剖面圖。
圖7係針對第2配線層的形成步驟進行說明之剖面圖。
圖8係針對第2支持體的剝離步驟進行說明之剖面圖。
圖9係針對於玻璃基板的兩面形成有配線層之剖面圖。
圖10係針對增層的形成步驟進行說明之剖面圖。
圖11係多層配線基板的完成剖面圖。
圖12係針對第2實施形態中之配線層的形成步驟進行說明之剖面圖。
圖13係針對第2實施形態中之雷射改質部的形成步驟進行說明之剖面圖。
圖14係針對第3實施形態中之第2支持體的接著步驟進行說明之剖面圖。
圖15係針對第3實施形態中之雷射改質部的形成步驟進行說明之剖面圖。
圖16係藉由第1至第3實施形態所製造之多層配線基板的剖面圖。
圖17係藉由第1至第3實施形態所製造之多層配線基板的剖面圖。
圖18係說明藉由第1至第3實施形態所製造之貫通孔的形狀的剖面圖。
圖19係內建有電容器構造之被動零件用的玻璃多層配線基板的剖面圖。
圖20係搭載有複數個半導體元件的中介層被搭載於BGA基板的構造之剖面圖。
無。
Claims (9)
- 一種多層配線基板的製造方法，係在具有第1面及第2面的玻璃基板形成貫通孔之多層配線基板的製造方法，其具有： 第1步驟，將由玻璃構成的第1支持體接著於前述玻璃基板的前述第2面； 第2步驟，在前述玻璃基板及前述第1支持體兩者，形成藉由雷射照射所產生的改質部； 第3步驟，將前述第1支持體剝離去除；及 第4步驟，在前述玻璃基板藉由蝕刻處理形成貫通孔。
- 如請求項1之多層配線基板的製造方法，其中， 形成改質部的前述第2步驟，係在前述玻璃基板的第1面形成有第1配線層之後進行。
- 如請求項1之多層配線基板的製造方法，其中， 形成改質部的前述第2步驟，係在前述玻璃基板的第1面的上方形成第1配線層，進而在前述第1配線層的上方接著有第2支持體之後進行。
- 如請求項1至3中任一項之多層配線基板的製造方法，其具有： 第5步驟，在形成貫通孔的前述第4步驟後，於前述第1支持體被剝離去除後之前述玻璃基板的前述第2面的下方，形成第2配線層；及 第6步驟，將第2支持體剝離去除。
- 如請求項4之多層配線基板的製造方法，其具有： 在將前述第2支持體剝離去除之前述第6步驟後，於前述玻璃基板的上方及/或下方形成增層之步驟。
- 一種多層配線基板，係藉由如請求項1至5中任一項之多層配線基板的製造方法所製造。
- 一種多層配線基板，係包含玻璃基板，該玻璃基板具有第1面及第2面，且具有以繫接前述第1面與前述第2面之方式貫通的孔， 前述孔的在前述第1面之開口部的開口直徑與前述孔的在前述第2面之開口部的開口直徑皆取相對於各自的平均值±10%以內的值。
- 如請求項7之多層配線基板，其中， 前述孔的在前述第1面之開口部的開口直徑與前述孔的在前述第2面之開口部的開口直徑，在各自的平均值中，具有0.3以上0.8以下的比，其中一者較小。
- 如請求項8之多層配線基板，其中 前述孔的前述第1面及前述第2面之開口直徑中較小的一者的開口部，係至少其一部分中被由具有耐氫氟酸腐蝕性的物質所構成的膜狀構造體塞住。
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