JP2023008352A - 多層配線基板および多層配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】多層配線基板をキャリア基板を用いて作成する場合、片側のビルドアップ層を最外層まで形成し、ソルダレジスト層と配線層の上方からキャリア基板を貼り付けると、接着性が不十分であったり、キャリア基板を剥離した際に、残渣が残ることがあった。【解決手段】このため、ガラスコア基板１の第１面の上方に第１配線を有し、前記第１配線の上方に平坦化された絶縁層となる絶縁樹脂層４を設けた。その後、前記平坦化された絶縁層の上方にキャリア基板６貼り合わせることとした。その後、ガラスコア基板１の下方に配線及び絶縁樹脂層からなるビルドアップ層を形成し、その後にキャリア基板６を剥離する。その後にさらに上面及び下面にビルドアップ層を形成する。この手法は、キャリア工法およびＴＧＶミドル工法に適用することができる。【選択図】図３

Description

本発明は、多層配線基板および多層配線基板の製造方法に関する。

近年、電子機器の高機能化および小型化が進む中で、電子機器に搭載される半導体モジュールの高密度化が要求され、多層配線や微細配線を形成する製造工程が検討されている。
特に、最近の多層配線基板においては、ガラスコア基板を採用し、その両面に対称的に導体層、絶縁樹脂層、導体層を順次積層する構造が多用されている。
しかし、ガラスコア基板のコアガラス厚が３００μｍ以上の厚さを有する場合は両面同時に多層化できるが、ガラスコア基板の厚みが１００μｍ程度のガラスとなると製造工程で割れが生じやすい。

このため、特許文献１では、薄いガラスコア基板上に配線を形成する際の割れを防ぐために、支持体としてキャリア基板を用いている。そして、ガラスコア基板の片面ずつ導体層、絶縁樹脂層、導体層を逐次繰り返し形成する工法が開示されている。そして、ガラスコア基板とキャリア基板を接着するために、粘着剤付き剥離層を用いている。
具体的には、厚みのあるガラスコア基板の第１面側に導体層及び絶縁樹脂層、導体層を形成しソルダレジスト層を形成し片面を完成させた後、その上に粘着剤付き剥離層を介してキャリア基板を貼り合せる。

そして、キャリア基板を用いることで基板の機械的強度を向上し、ガラスコア基板の改質および第２面側の配線を形成する。
さらに、第２面が完成した後、キャリア基板を剥離・除去し、薄いガラスコア基板の両面に対称的にビルドアップ層を有する多層基板を形成している。

国際公開第２０１９／２３５６１７号

しかしながら、特許文献1では、キャリア基板を貼り合せる際に、ガラスコア基板とキャリア基板との接着性については検討されていない。そのため、ガラスコア基板とキャリア基板を貼り合わせた後の第２面側の配線の形成に課題が生じることがある。
そこで、本発明では、ガラスコア基板とキャリア基板との接着性を改善する技術を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するために、代表的な本発明の多層配線基板の一つは、ガラスコア基板の第１面の上方に第１配線を有し、前記第１配線の上方に平坦化された絶縁層を有し、前記平坦化された絶縁層の上方にキャリア基板を有し、前記ガラスコア基板の第２面の下方に第２配線を有し、前記第２配線の下方に絶縁層を有するものである。

また、代表的な本発明の多層配線基板の製造方法の一つは、ガラスコア基板の第１面の上方に第１配線を形成する工程、前記第１配線の上方に平坦化された絶縁層を形成する工程、前記平坦化された絶縁層の上方にキャリア基板を形成する工程、前記ガラスコア基板の第２面の下方に第２配線を形成する工程、前記第２配線の下方に絶縁層を形成する工程を有するものである。

本発明によれば、ガラスコア基板とキャリア基板との接着性を改善することができる。
上記した以外の課題、構成および効果は、以下の実施をするための形態における説明により明らかにされる。

図１は、実施形態１に係る多層配線基板の構成を示す断面図である。 図２は、平坦化された絶縁層の上方にキャリア基板を貼付した場合の断面図である。 図３は、ガラスコア基板の下方に絶縁樹脂層を形成した場合の断面図である。 図４は、多層配線基板からキャリア基板を剥離した多層配線基板の断面図である。 図５は、多層配線基板の上面及び下面にビルドアップ層を形成した場合の多層配線基板の断面図である。 図６は、キャリア工法において、第２キャリア基板の上方のガラスコア基板に貫通孔が形成した場合の断面図である。 図７は、貫通電極及び絶縁樹脂層を形成した多層配線基板の断面図である。 図８は、キャリア基板が貼り付けられた多層配線基板の断面図である。 図９は、第２キャリア基板が剥離された多層配線基板の断面図である。 図１０は、ガラスコア基板の下方にビルドアップ層を形成した多層配線基板の断面図である。 図１１は、キャリア基板が剥離された多層配線基板の断面図である。 図１２は、ガラスコア基板の上方及び下方にビルドアップ層が形成された多層配線基板の断面図である。 図１３は、ＴＧＶミドル工法において、レーザ改質部が形成されたガラスコア基板の断面図である。 図１４は、ガラスコア基板の上面に配線が形成された場合の断面図である。 図１５は、平坦化された絶縁樹脂層の上方にキャリア基板を貼付した場合の断面図である。 図１６は、ガラスコア基板に貫通孔が形成された場合の断面図である。 図１７は、ガラスコア基板の下方に貫通電極及びビルドアップ層を形成した多層配線基板の断面図である。 図１８は、キャリア基板の剥離後の多層配線基板の断面図である。 図１９は、ガラスコア基板の上方及び下方にビルドアップ層が形成された多層配線基板の断面図である。 図２０は、従来例によるキャリア基板の貼り付けを説明する断面図である。 図２１は、従来例によるキャリア基板の貼り付けた後の断面図である。 図２２は、従来例における残渣の発生を説明する断面図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。また、図面の記載において、同一部分には同一の符号を付して示している。
図面において示す各構成要素の位置、大きさ、形状、範囲などは、発明の理解を容易にするため、実際の位置、大きさ、形状、範囲などを表していない場合がある。このため、本発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、形状、範囲などに限定されない。

なお、本開示において、「面」とは、板状部材の面のみならず、板状部材に含まれる層について、板状部材の面と略平行な層の界面も指すことがある。また、「上面」、「下面」とは、板状部材や板状部材に含まれる層を図示した場合の、図面上の上方又は下方に示される面を意味する。なお、「上面」、「下面」については、「第1面」、「第２面」と称することもある。

また、「側面」とは、板状部材や板状部材に含まれる層における面や層の厚みの部分を意味する。さらに、面の一部及び側面を合わせて「端部」ということがある。
また、「上方」とは、板状部材又は層を水平に載置した場合の垂直上方の方向を意味する。さらに、「上方」及びこれと反対の「下方」については、これらを「Ｚ軸プラス方向」、「Ｚ軸マイナス方向」ということがあり、水平方向については、「Ｘ軸方向」、「Ｙ軸方向」ということがある。

また、「平面形状」、「平面視」とは、上方から面又は層を視認した場合の形状を意味する。さらに、「断面形状」、「断面視」とは、板状部材又は層を特定の方向で切断した場合の水平方向から視認した場合の形状を意味する。
さらに、「中心部」とは、面又は層の周辺部ではない中心部を意味する。そして、「中心方向」とは、面又は層の周辺部から面又は層の平面形状における中心に向かう方向を意味する。

＜従来例＞
まず、図２０から図２２を参照して、従来例の課題について説明する。
図２０は、従来例によるキャリア基板の貼り付けを説明する図である。
図２０は、ガラスコア基板の第１面の上方に第１配線が形成され、多層配線が完成したのちに、その上方からキャリア基板６を貼付する工程を説明する断面図である。図２０に示すように、ガラスコア基板１には、第１配線３０が形成されており、ガラスコア基板１の第１面である上面には、絶縁樹脂層３及び第１配線３０が形成されている。また、絶縁樹脂層３の上面には、第１配線３０及びソルダレジスト層１２が形成されている。
従来例においては、第２キャリア基板１３の上方に形成する多層配線を最外層まで形成している。このため、最外層の第１配線３０とソルダレジスト層１２は平坦化されておらず、凹凸を有する断面形状となっている。
なお、コアガラス基板の下面には、第２キャリアガラスが形成されている。

一方、キャリア基板６は、下方に剥離層５を備えており、剥離層５は剥離層の上面及び下面に粘着剤１１を備えている。

図２１は、図２０で説明したガラスコア基板１を含む多層配線基板にキャリア基板６を貼り付けた場合の断面図である。
図２１においては、ガラスコア基板１の第一面の上方に多層配線が完成した後に、キャリア基板６を貼付するため、凹形状を有するソルダレジスト層１２の上に、粘着剤付き剥離層、キャリア基板６の順で構成されている。

従来例の場合は、以下に説明する様に２つの課題が存在する。
第１の課題は、ソルダレジスト層１２の上面に粘着剤付き剥離層を貼り付けると、剥離層５がソルダレジスト層１２が有する凹形状を拾い、粘着剤付き剥離層の接着性が低下するため、多層配線基板とキャリア基板６の密着性が悪くなる。その結果、後の工程において、ガラスコア基板１の下方に第２配線を形成する際に支障が生じる。

次に、第２の課題については、図２２を参照して説明する。
図２２は、従来例において、粘着剤の残渣が配線上に残存する状況を説明する図である。従来例においては、第１配線３０の上に直接粘着剤付き剥離層を貼り付けるため、後の工程で粘着剤付き剥離層を剥離した際に、図２２に示すように、第１配線３０上に粘着剤１１が残留し、接続不良の原因となる。
このため、上記の第１の課題及び第２の課題は、いずれも微細な配線形成の障害となって、製品の歩留まりに悪影響を及ぼすこととなる。

＜実施形態１＞
次に、図１から図５を参照して、本開示の実施形態に係る多層配線基板とその製造方法について説明する。

図１は、本開示の実施形態１に係る多層配線基板１０１の構成の一例を示す断面図である。図１に示すように、多層配線基板１０１は、ガラスコア基板１の第１面の上方に絶縁樹脂層３、絶縁樹脂層４が形成されている。そして、第１配線３０は、ガラスコア基板１、絶縁樹脂層３及び絶縁樹脂層４の内部に形成され、多層の配線構造を有している。
そして、絶縁樹脂層４は、第１配線３０の上方に形成され、最表面が平坦であることから、平坦化された絶縁層を形成している。
なお、ガラスコア基板１には、貫通電極３３が形成されている。

このため、図１の多層配線基板１０１は、ガラスコア基板の第１面の上方に第１配線３０を有し、前記第１配線３０の上方に平坦化された絶縁樹脂層を有したものとなる。
なお、実施形態１において、ガラスコア基板１の第１面の上方に形成される第１配線３０と絶縁樹脂層（以下、「ビルドアップ層」いうことがある。）の数は任意でよい。
また、ガラスコア基板の下方には、第２キャリア基板を備えていてもよい。

なお、図１の多層配線基板１０１は、における絶縁樹脂層３，４及び第１配線３０からなるビルドアップ層は、例えば、以下のような（１）から（７）の周知のプロセス技術を繰り返すことによって、ガラスコア基板１の上方に任意の数だけ形成することができる。
（１）絶縁樹脂層に対するレーザ加工等によるブラインドビアの形成。
（２）デスミア処理によるレーザにより発生した残差物の除去。
（３）スパッタ法および無電解めっき法により銅被膜のシード層の形成。
（４）シード層上へのレジスト膜の形成とパターンの描画、その後の現像処理。
（５）シード層に給電し、電解銅めっき層を形成。
（６）レジストパターンの溶解剥離、シード層除去による配線パターンの形成。
（７）絶縁樹脂層、もしくはソルダレジスト層の形成。

図１の多層配線基板１０１は、多層配線基板１０１の最外層は絶縁樹脂層４となっている。このため、第１配線３０を被覆している絶縁樹脂層４によって、多層配線基板１０１の最上面は平坦化されている。

図２は、上記の平坦化された絶縁層である絶縁樹脂層４の上方に剥離層５が設けられたキャリア基板６を貼付した場合の多層配線基板１０２の断面図である。
この場合、絶縁樹脂層４は、その表面が平坦であるため、キャリア基板６が強固に多層配線基板１０１に接着している。

図３は、図２で得られた多層配線基板１０２について、ガラスコア基板１の第２面の下方に絶縁樹脂層７、絶縁樹脂層８が形成した断面図である。そして、第２配線３１は、ガラスコア基板１、絶縁樹脂層７及び絶縁樹脂層８の内部に形成され、多層の配線基板を構成している。
そして、絶縁樹脂層８、第２配線３１がガラスコア基板１の下方に形成されている。
このため、図３の多層配線基板１０３は、ガラスコア基板の第１面の上方に第１配線を有し、前記第１配線の上方に平坦化された絶縁樹脂層を有し、前記平坦化された絶縁層の上方にキャリア基板を有し、前記ガラスコア基板の第２面の下方に第２配線を有し、前記第２配線の下方に絶縁層を有する多層配線基板となっている。

そして、絶縁樹脂層４は、その表面が平坦であってキャリア基板６が強固に多層配線基板に接着していることから、ガラスコア基板１の下方に形成される絶縁樹脂層８、第２配線３１は、精度高く形成することができる。
なお、図３の多層配線基板１０３において、ガラスコア基板１の第１面の下方に形成される第２配線と絶縁樹脂層（以下、「ビルドアップ層」いうことがある。）の数は任意でよい。また、ビルドアップ層の形成方法は、図１の説明で記載したのと同様の製造方法を用いることができる。

図４は、図３の多層配線基板１０３から剥離層５を剥離することによってキャリア基板６を取り除いた多層配線基板１０４の断面図である。
図４の多層配線基板１０４においては、平坦化された絶縁層である絶縁樹脂層４の表面が平坦であるため、キャリア基板６を取り除いた後に、剥離層５が絶縁樹脂層４上の凹凸部に残存することはない。

図５は、図４の多層配線基板１０４の上面に第１配線及び絶縁樹脂層９を形成し、下面に第２配線及び絶縁樹脂層１０を、さらなるビルドアップ層として形成した多層配線基板１０５の断面図である。
図５におけるビルドアップの数は任意でよい。また、ビルドアップ層の形成方法は、図１の説明で記載したのと同様の製造方法を用いることができる。

さらに、ガラスコア基板１の上方及び下方に同様のプロセス技術を用いてビルドアップ層を形成する場合には、ガラスコア基板１の上方及び下方へのビルドアップ層の形成を片側づつ行ってもよいし、ガラスコア基板１の上方及び下方への製造工程を同時に実施してもよい。
ガラスコア基板１の上方及び下方への製造工程を同時に実施すれば、多層配線基板の製造プロセスが簡略化することが可能であり、コスト圧縮の効果を見込むことができる。

＜実施例１＞
次に、図６から図１２を参照して、本発明をキャリア工法による多層配線基板の製造に適用した場合の実施例について説明する。
なお、本開示において「キャリア工法」とは、支持体であるキャリア基板上にガラスコア基板を張り付け、当該ガラスコア基板に貫通孔や多層配線を形成し、その後にキャリア基板を剥離する工程を有する多層配線基板の製造方法を意味する。

(ガラスコア基板１)
図６は、第２キャリア基板１３の上方のガラスコア基板１に貫通孔１５が形成された断面図である。
図６において、ガラスコア基板１は厚さ１００μｍ程度の無アルカリガラスであり、貫通孔１５を有している。また、ガラスコア基板１は、剥離層５を介して、支持体である第２キャリア基板１３に接着されている。
そして、次の工程に進むにあたり、ガラスコア基板１は、超音波洗浄などで表面の汚染物が除去される。

(配線の形成)
次に、図７を参照して、配線及び絶縁樹脂層からなるビルドアップ層の形成工程について説明する。
図７は、貫通孔に貫通電極３３を形成し、さらに、絶縁樹脂層３、絶縁樹脂層４を形成した多層配線基板１０７の断面図である。
ガラスコア基板１の上面である第１面（第２キャリア基板１３と接着された面とは反対の面）にスパッタ法などにより、シード層となる金属膜を（１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲で）形成する。金属膜の材料は、例えば、Ti、Cu、無電解Ni等から少なくとも1層以上の金属層が貫通孔の側面に形成される。

次に、シード層となる金属膜の上面にフォトレジストパターンが形成される。例えば、昭和電工マテリアルズ社製のドライフォトレジスト（ＲＤ１２２５）を用いて、第１面側にラミネート処理を施し、所望のパターンを描画後、現像することにより、シード層を所望のパターンに露出させることができる。
次に、シード層に給電し、２μｍ以上１０μｍ以下の厚さで電解銅めっきを行う。めっき後に不要なったドライフィルムレジストを溶解剥離し、シード層をエッチング除去することによって第１配線３０を形成することができる。

（絶縁樹脂層の形成）
続いて、絶縁樹脂層の形成工程について説明する。
第１配線３０上に、絶縁樹脂層４として味の素ファインテクノ社製の絶縁樹脂（ＡＢＦ－ＧＸＴ３１、３２．５μｍ厚）をラミネートし、絶縁樹脂層４の中に第１配線３０が確実に埋没するように処理する。ラミネートは真空プレスラミネート装置にて行い、１００℃の加熱と２０ｋｇｆ／ｃｍの１ｓｔプレス、１００℃の加熱と１２ｋｇｆ／ｃｍの２ｎｄプレスをすることが望ましい。
こうした工程を経ることにより、絶縁樹脂層の内部に配線が形成されていても、絶縁樹脂層の表面は、うねり量を１．０μｍ以下に平坦化することができる。

その後のビルドアップ層の形成は、実施形態１において説明したビルドアップ層の形成と同様なので、その説明は省略する。
無電解めっき法により銅被膜の厚さは１００ｎｍ以上１０００ｎｍの範囲であることが望ましい。また、シード層に給電して形成する電解銅メッキの厚さは２μｍ以上１０μｍ以下であることが望ましい。

（キャリア基板の接着）
次に、図８を参照して、キャリア基板６の接着について説明する。
図８は、キャリア基板６が貼り付けられた多層配線基板１０８の断面図である。
キャリア基板６は、絶縁樹脂層４と接着される面には、粘着剤付きの剥離層５が設けられていてもよい。粘着剤付き剥離層としては、例えば、日東電工社製の粘着剤付きシート（リバアルファ、Ｎｏ．３１９５０Ｅ）を用いることができる。ただし、粘着剤付き剥離層はこれに限定されるものではない。

キャリア基板６が接着される絶縁樹脂層４はうねり量が１．０μｍ以下に平坦化されているため、キャリア基板６は強固に接着することができる。
なお、キャリア基板６の厚さは、薄板化後の搬送性に鑑み０．７ｍｍ以上１．５ｍｍ以下の範囲が望ましいが、ガラスコア基板１の厚さに応じて適宜設定してもよい。
また、キャリア基板６は、ガラスキャリアに限定されるものではなく、キャリア基板は金属製や樹脂製などでも良い。

(第２キャリア基板の剥離)
次に、図９を参照して、第２キャリア基板１３の剥離について説明する。
図９は、第２キャリア基板１３が剥離された多層配線基板１０９の断面図である。
第２キャリア基板は、粘着剤付き剥離層５の粘着剤層を起点とし、取り外すことができる。剥離にはレーザー照射や加熱により粘着力を低下させる方法、また、物理的な力をかける方法を用いてもよい。
なお、ガラスコア基板１に接着された第２キャリア基板１３は物理的に剥離された後、デスミア処理が実施され、ガラスコア基板１と第２キャリア基板１３の接着のために用いた接着剤残渣物が除去されることが望ましい。

（第２配線、絶縁樹脂層の形成）
次に、図１０を参照して、第２配線および絶縁樹脂層の形成について説明する。
ガラスコア基板１の第１面とは反対側の面（第２面：第２キャリア基板１３が接着されていた面）に、第１面の場合と同様の手法によって、第２配線、及び絶縁樹脂層を形成することができる。
配線や絶縁樹脂の材料、層数等は、本内容に限られたものだけではなく、必要に応じて積層数を設定してもよい。第１配線、並びに第２配線については、少なくとも一層以上積層されており、必要に応じて積層数を設定してもよい。また、外部接続端子などの必要がある場合、開口部を設けてもよい。

（キャリア基板の剥離）
次に、図１１を参照して、キャリア基板６の剥離について説明する。
図１１は、キャリア基板６が剥離された多層配線基板１１１の断面図である。
粘着剤付き剥離層５の粘着剤層を起点とし、キャリア基板６を取り外す。剥離にはレーザー照射や加熱により粘着力を低下させる方法、また、物理的な力をかける方法を用いてよい。

（ビルドアップ層の形成）
次に、図１２を参照して、ビルドアップ層の形成について説明する。
図１１は、ガラスコア基板１の上方及び下方にビルドアップ層が形成された多層配線基板１１２の断面図である。
図１０によって最外層となった、絶縁樹脂層４及び絶縁樹脂層８に対しても、実施形態１において説明したビルドアップ層の形成と同様の周知技術を用いて任意の数のビルドアップ層を形成することができる。
また、絶縁樹脂層４及び絶縁樹脂層８に対するビルドアップ層の形成は、同時に行ってもよい。つまり、第1面側の処理と第2面側の処理を同時に行うことにより、製造プロセスの効率化を図ることができる。

＜実施例２＞
次に、図１３から図１９を参照して、本発明をＴＧＶミドル工法による多層配線基板の製造に適用した場合の実施例について説明する。
なお、本開示において、「ＴＧＶミドル工法」とは、改質領域を設けたガラスコア基板の一方の面に多層配線を形成した後、他方の面からエッチングを施し、ガラスコア基板の薄化と貫通孔の形成を同時に行う工程を有する多層配線基板の製造方法を意味する。

(ガラスコア基板１)
図１３は、ＴＧＶミドル工法において、レーザ改質部２１が形成されたガラスコア基板２０の断面図である。
図１３において、ガラスコア基板２０は厚さ５００μｍ程度の無アルカリガラスであり、超音波洗浄などで表面の汚染物を除去されている。
ガラス基板に対し、第１面側からレーザを照射し、貫通孔の起点となるレーザ改質部２１を形成する。レーザ改質部２１は、第１面から下方、例えば垂直方向に延在し、下端がガラス基板の内部に留まるように形成する。

(配線の形成)
次に、図１４を参照して、配線の形成工程について説明する。
図１４は、ガラスコア基板２０の上面に第１配線３０が形成された断面図である。
ガラスコア基板２０の第一面にスパッタ法などにより、耐フッ酸金属膜を（１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲で）形成する。その後、耐フッ酸金属膜上にスパッタ法および無電解めっき法などにより、銅被膜を（１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲で）成膜する。これら２層がガラス基板の第一面の上のシード層となる。
なお、耐フッ酸金属膜の材料は、例えばクロム、ニッケル、ニッケルクロムから適宜選定することができる。

その後シード層の上方にフォトレジストパターンを形成する。例えば、昭和電工マテリアルズ社製のドライフォトレジスト（ＲＤ１２２５）を用いて、第１面側をラミネート処理し、パターンを描画後、現像することにより、シード層を露出させることができる。
その後、シード層に給電し、（２μｍ以上１０μｍ以下の厚さの）電解銅めっきを行う。めっき後に不要なったドライフィルムレジストを溶解剥離し、シード層をエッチングすることによって第１配線３０を形成することができる。

（第一絶縁樹脂層、粘着剤付き剥離層、支持体の準備）
次に、図１５を参照して、キャリア基板６の接着について説明する。
図１５は、平坦化された絶縁樹脂層の上方にキャリア基板６を貼付した場合の断面図である。
第１配線３０上に、絶縁樹脂層４として味の素ファインテクノ社製の絶縁樹脂（ＡＢＦ－ＧＸＴ３１、３２．５μｍ厚）をラミネートし、第１配線３０を絶縁樹脂層４の中に埋没する。
ラミネートは真空プレスラミネート装置にて行い、１００℃の加熱と２０ｋｇｆ／ｃｍの１ｓｔプレス、１００℃の加熱と１２ｋｇｆ／ｃｍの２ｎｄプレスをすることが望ましい。

キャリア基板６は、絶縁樹脂層４と接着される面には、粘着剤付きの剥離層５が設けられていてもよい。粘着剤付き剥離層５としては、例えば、日東電工社製の粘着剤付きシート（リバアルファ、Ｎｏ．３１９５０Ｅ）を用いることができる。ただし、粘着剤付き剥離層はこれに限定されるものではない。
なお、ガラスキャリアの厚さは、薄板化後の搬送性を鑑み０．７ｍｍ以上１．５ｍｍ以下の範囲が望ましが、ガラス基板の厚さによってガラスキャリアの厚さは適宜設定してもよい。
また、キャリア基板６はガラスキャリアに限定されるものではなく、キャリア基板は金属製や樹脂製などでも良い。

(ガラスコア基板の貫通孔の形成)
次に、図１６を参照して、ガラスコア基板２０の貫通孔２２の形成について説明する。
図１６は、ガラスコア基板に貫通孔が形成された多層配線基板１１６の断面図である。
第１面と反対側のガラスコア基板２０下面から、フッ化水素溶液でエッチングを行う。そうすると、レーザ改質部が形成されていない部分のガラスはフッ化水素溶液によってエッチングされ、ガラス基板の第一面と平行に薄板化される。フッ化水素溶液がレーザ改質部に接触すると、レーザ改質部が優先的に溶解され、貫通孔が形成される。これによって、ガラスコア基板２０は、貫通孔の形成と共に薄板化することができる。すなわち、薄板化と貫通孔の形成とが、一つのエッチング処理で行われる。そして、薄板化したガラスコア基板２０の下面が、配線が形成される第２面となる。

フッ化水素溶液によるエッチング量は、ガラスデバイスの厚さに応じて適宜設定することができる。例えば、ガラス基板の厚さが４００μｍの場合、そのエッチング量は１００μｍ以上３５０μｍ以下の範囲であることが望ましい。そして、薄板化後のガラス基板の厚さは、５０μｍ以上３００μｍ以下が好ましい。

（第２配線層、絶縁樹脂層の形成）
次に、図１７を参照して、第２配線及び絶縁樹脂層の形成について説明する。
図１７は、ガラスコア基板２０の下方に貫通電極及びビルドアップ層を形成した多層配線基板１１７の断面図である。
ガラスコア基板２０の第１面とは反対側の面（第２面）に、第１面の場合と同様の手法によって、第２配線３１、及び絶縁樹脂層（７，８）を形成することができる。具体的には、スパッタ法などにより、シード層となる金属膜を（１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲で）形成する。次に、ドライフィルムレジストでパターン形成した後に、シード層に給電し、（２μｍ以上１０μｍ以下の厚さの）電解めっきを施す。その後、不要となったドライフィルムレジストを溶解剥離して貫通電極３３を形成する。その後、不要となったシード層を除去し、絶縁樹脂をラミネートすることで、第２配線及び絶縁樹脂層からなるビルドアップ層を形成する。

ここで、第２面の給電用のシード層は、その後の工程でフッ化水素溶液によるエッチング処理がないことから、耐フッ酸金属と異なる材料からなる金属層で形成してもよい。耐フッ酸金属と異なる材料としては、Ti、Cu、無電解Ni等が例示され、そのような材料からなる、少なくとも1層以上の金属層が少なくとも貫通孔の側面に形成される。
選択する材料、層数等は、本内容に限られたものだけではなく、必要に応じて積層数を設定してもよい。また第１配線、並びに第２配線については、少なくとも一層以上積層されており、必要に応じて積層数を設定してもよい。また、外部接続端子などの必要がある場合、開口部を設けてもよい。

（キャリア基板の剥離）
次に、図１８を参照して、キャリア基板６の剥離について説明する。
図１８は、キャリア基板６の剥離後の多層配線基板１１８の断面図である。
キャリア基板６は、粘着剤付き剥離層の粘着剤層を起点とし、剥離することができる。剥離にはレーザー照射や加熱により粘着力を低下させる方法、また、物理的な力をかける方法を用いることができる。

（ビルドアップ層の形成）
次に、図１９を参照して、ビルドアップ層の形成について説明する。
図１９は、キャリア基板剥離後に、ガラスコア基板２０の上方及び下方にビルドアップ層を形成した多層配線基板１１９の断面図である。
図１８によって最外層となった、絶縁樹脂層４及び絶縁樹脂層８に対しても、実施形態１において説明したビルドアップ層の形成と同様の周知技術を用いて任意の数のビルドアップ層を形成することができる。
具体的なビルドアップ層の形成は、実施形態１において説明したビルドアップ層の形成と同様なので、その説明は省略する。
無電解めっき法により銅被膜の厚さは１００ｎｍ以上１０００ｎｍの範囲であることが望ましい。また、シード層に給電して形成する電解銅メッキの厚さは２μｍ以上１０μｍ以下であることが望ましい。
また、絶縁樹脂層４及び絶縁樹脂層８に対するビルドアップ層の形成は、同時に行ってもよい。つまり、第1面側の処理と第2面側の処理を同時に行うことにより、製造プロセスの効率化を図ることができる。

＜比較例＞
本開示において、従来例として説明した図２０及び図２１の製造方法によって製造した多層配線基板２００を比較例１とし、実施例１及び実施例２について、剥離層が貼り付けられる前の多層配線基板の最外層のうねり量、導通性について評価判定を行ったところ、以下の表１の通りとなった。

なお、うねり量の評価方法は、触針式による３次元形状測定装置（小坂研究所社製SurfcorderET4000AK）を用いて厚みを測定した。まら粘着剤付き剥離層及び支持体を貼り合せる前の基板の、
（厚みの最大値―厚みの最小値）＝うねり量
とした。
また、導通の測定については、貫通電極の導通検査により、導通の有無を調べた。
以上のことから、うねり量が少ない実施例１及び実施例２において、導通性の観点から優れた効果を確認することができた。

以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。

１：ガラスコア基板
３：絶縁樹脂層
４：絶縁樹脂層
５：剥離層
６：キャリア基板
７：絶縁樹脂層
８：絶縁樹脂層
９：絶縁樹脂層
１０：絶縁樹脂層
１１：粘着剤
１２：ソルダレジスト層
１３：第２キャリア基板
１５：貫通孔
２０：ガラスコア基板
２２：貫通孔
３０：第１配線
３１：第２配線
３３：貫通電極

Claims (8)

1. ガラスコア基板の第１面の上方に第１配線を有し、
   前記第１配線の上方に平坦化された絶縁層を有し、
   前記平坦化された絶縁層の上方にキャリア基板を有し、
   前記ガラスコア基板の第２面の下方に第２配線を有し、
   前記第２配線の下方に絶縁層を有する
   多層配線基板。
2. 請求項１に記載の多層配線基板において、
   前記平坦化された絶縁層と前記キャリア基板との間には、剥離層を有する
   ことを特徴とする多層配線基板。
3. ガラスコア基板の第１面の上方に第１配線を形成する工程、
   前記第１配線の上方に平坦化された絶縁層を形成する工程、
   前記平坦化された絶縁層の上方にキャリア基板を形成する工程、
   前記ガラスコア基板の第２面の下方に第２配線を形成する工程、
   前記第２配線の下方に絶縁層を形成する工程、
   を備える多層配線基板の製造方法。
4. 請求項３に記載の多層配線基板の製造方法において、
   前記キャリア基板は、剥離層を介して前記平坦化された絶縁層に接着される
   ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
5. 請求項３または請求項４に記載の多層配線基板の製造方法において、
   前記第１配線の上方に平坦化された絶縁層を形成する工程の後に、
   前記平坦化された絶縁層をラミネート・プレス工程を備える
   ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
6. 請求項３から５のいずれか一項に記載の多層配線基板の製造方法において、
   前記第２配線の下方に絶縁層を形成する工程の後に、
   前記キャリア基板を剥離する工程を備え、
   前記剥離する工程の後に、前記平坦化された絶縁層の上方及び前記絶縁層の下方にビルドアップ層を形成する工程を備える
   ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
7. 請求項３から６のいずれか一項に記載の多層配線基板の製造方法において、
   前記ガラスコア基板は、貫通孔を有するとともに、前記ガラスコア基板の下方には、第２キャリア基板が貼布されており、
   前記第２配線の下方に絶縁層を形成する工程の後に、前記第２キャリア基板を剥離する工程を備える
   ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
8. 請求項３から６のいずれか一項に記載の多層配線基板の製造方法において、
   前記ガラスコア基板はレーザー改質された箇所を有し、前記平坦化された絶縁層の上方にキャリア基板を形成する工程の後に、
   前記ガラスコア基板の前記第２面をエッチングする薄膜化工程を備える
   ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。

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