TW202311208A - 氟化烴的製造方法 - Google Patents
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Abstract
提供一種製造方法，其能夠在不使用觸媒下以氣相流通方式簡便且有效率製造氟化烴。一種氟化烴的製造方法，其包含：將氣體之含氟無機化合物連續供應至電漿裝置內之放電區域之後使之轉移至前述電漿裝置內之放電區域外，將包含由式1：CH
3－R［於此，R為氫原子、氯原子、溴原子、碘原子或有機基（惟排除烴基。）。］所示之化合物及惰性氣體（inert gas）的原料氣體連續供應至前述電漿裝置內之放電區域外，隨後，將前述電漿裝置內之放電區域外所包含之氣體連續釋放至前述電漿裝置外。
Description
本發明係關於氟化烴的製造方法者。
以一氟甲烷為首之氟化烴廣泛使用於半導體的微細加工用之蝕刻氣體等用途。
而且，作為一氟甲烷的製造方法，已知有在氟化觸媒的存在下，使一氯甲烷（CH
3Cl）與氟化氫在氣相下反應以獲得包含一氟甲烷的混合氣體之後，自混合氣體將一氟甲烷分離純化的方法。
『專利文獻』
《專利文獻1》：日本專利公開第2006-111611號公報
然而，上述一氟甲烷的製造方法除了氟化觸媒之製備的負擔大之外，產率還會隨著觸媒的活性下降而下降等，連續製造實屬困難。
本發明之目的在於提供能夠在不使用觸媒下以氣相流通方式簡便且有效率製造以一氟甲烷為首之氟化烴的製造方法。
本發明係以順利解決上述問題為目的者，要旨係如以下。
［1］一種氟化烴的製造方法，其包含：
將氣體之含氟無機化合物連續供應至電漿裝置內之放電區域之後使之轉移至前述電漿裝置內之放電區域外，
將包含由式1：CH
3－R［於此，R為氫原子、氯原子、溴原子、碘原子或有機基（惟排除烴基。）。］所示之化合物及惰性氣體（inert gas）的原料氣體連續供應至前述電漿裝置內之放電區域外，
隨後，將前述電漿裝置內之放電區域外所包含之氣體連續釋放至前述電漿裝置外。
［2］如上述［1］之氟化烴的製造方法，其中
前述電漿裝置係形成大氣壓熱電漿的裝置。
［3］如上述［2］之氟化烴的製造方法，其中
前述大氣壓熱電漿係透過電弧放電或高頻放電而形成者。
［4］如上述［1］～［3］之任一者之氟化烴的製造方法，其中
前述氣體之含氟無機化合物係選自由SF
4、SF
6、SOF
2、SO
2F
2、HF、NF
3、CF
4、COF
2、BF
3及SiF
4而成之群組之至少一種。
［5］如上述［1］～［4］之任一者之氟化烴的製造方法，其中
前述惰性氣體係選自由N
2及Ar而成之群組之至少一種。
［6］如上述［1］～［5］之任一者之氟化烴的製造方法，其中
由前述式1所示之化合物占據前述原料氣體的含有比例為1體積%以上且50體積%以下。
［7］如上述［1］～［6］之任一者之氟化烴的製造方法，其中
前述氣體之含氟無機化合物相對於由前述式1所示之化合物的體積比為0.8以上。
［8］如上述［7］之氟化烴的製造方法，其中
前述體積比為1.8以上。
［9］如上述［1］～［8］之任一者之氟化烴的製造方法，其中
前述氟化烴係一氟甲烷。
於此，所謂電漿裝置內之放電區域，係謂藉由電漿裝置內之電場破壞氣體之絕緣性使得電流流動的空間。
氣體之含氟無機化合物係謂在標準狀態（298K，大氣壓）下係為氣體之含氟無機化合物。無機化合物係謂不含碳原子的化合物及含有1個碳原子且不含氫原子的化合物。
所謂氟化烴，係謂烴化合物之至少1個氫原子經氟原子取代的化合物，包含烴化合物之氫原子全部經氟原子取代的化合物。
根據本發明之氟化烴的製造方法，可推測氟化烴係如以下操作而生成者。
若將氣體之含氟無機化合物供應至電漿裝置內之放電區域，則在該區域中氟離子及氟自由基之至少一種（以下亦稱為「氟源」。）會產生。將此氟源供應至電漿裝置內之放電區域外，同時將由式1：CH
3－R［於此，R係氫原子、氯原子、溴原子、碘原子或有機基（惟排除烴基。）。］所示之化合物供應至此放電區域外。在放電區域外，由式1之化合物會生成種種活性物種，而式1之化合物的分解會受到適度抑制，生成之活性物種包含充分的量之CH
3自由基或CH
3離子等包含式1之化合物之部分結構的自由基或離子（以下亦稱為「CH
3自由基等」。）。
然後，將放電區域外所包含之上述氟源與上述活性物種（其中有CH
3自由基及CH
3離子）連續釋放至電漿裝置外，藉此上述氟源與上述活性物種（其中有CH
3自由基及CH
3離子）會鍵結而氟化烴會生成。如此，藉由利用電漿，可在不使用觸媒下以氣相簡便且有效率製造氟化烴。
在本發明之氟化烴的製造方法中，可利用會形成大氣壓熱電漿的裝置作為電漿裝置，利用大氣壓熱電漿作出的反應場。藉此，可以小巧的裝置提高每單位時間的處理量，實屬有利。大氣壓熱電漿可透過電弧放電或高頻放電來形成。
於此，大氣壓熱電漿之放電區域係藉由電場破壞氣體之絕緣性使得電流流動的區域，其係在使用電極使電漿產生的電漿裝置中之相向而對之電極間的空間，但在如電漿噴流將火焰引出電極間外的方式中，相當於該火焰帶，在透過電極以外使電漿產生的電漿裝置中係相當於其的空間。作為透過電極以外使電漿產生的電漿裝置，可舉出感應耦合電漿（ICP）裝置等。大氣壓熱電漿之放電區域通常包含達10000 K以上的高溫部。
大氣壓熱電漿之放電區域周邊透過電漿的輻射達到1000～3000 K，化學物種可能發生激發或解離反應。舉例而言，在使用電極使電漿產生的電漿裝置中，係為陽極的周邊且下游側的周邊包含1000～3000 K之溫度區域，此溫度區域構成大氣壓熱電漿之放電區域外。
在本發明之氟化烴的製造方法中，以氣體之含氟無機化合物為選自由SF
4、SF
6、SOF
2、SO
2F
2、HF、NF
3、CF
4、COF
2、BF
3及SiF
4而成之群組之至少一種為佳。此等化合物可使在放電區域內之氟源輕易生成，實屬有利。
並且，在本發明之氟化烴的製造方法中，惰性氣體可選自由N
2及Ar而成之群組之1種以上。
再者，在本發明之氟化烴的製造方法中，以式1之化合物占據原料氣體的含有比例為1體積%以上且85體積%以下為佳。若含有比例為上述範圍內，則可有效率製造係為目標物質之氟化烴。
並且，本發明之氟化烴的製造方法，以氣體之含氟無機化合物相對於式1之化合物的體積比為0.8以上為佳。若體積比為上述下限值以上，則可有效率製造係為目標物質之氟化烴。
再者，本發明之氟化烴的製造方法，以氣體之含氟無機化合物相對於式1之化合物的體積比為1.8以上為佳。
本發明之氟化烴的製造方法可將一氟甲烷定為目標物質。
根據本發明，可提供能夠在不使用觸媒下以氣相流通方式簡便且有效率製造氟化烴的製造方法。本發明的製造方法可避免由觸媒的活性下降所致之產率的下降等情況，並且，可連續製造氟化烴，實屬有利。
以下詳細說明本發明之實施型態。
［氣體之含氟無機化合物］
氣體之含氟無機化合物只要係含有1個以上之氟原子的氣體之無機化合物即可。氟原子通常為8個以下。
作為氣體之含氟無機化合物，可列舉：SF
4、SF
6、SOF
2、SO
2F
2、HF、NF
3、CF
4、COF
2、BF
3、SiF
4等。就操作容易性而言，以SF
6、NF
3、CF
4、BF
3、SiF
4為佳。氣體之含氟無機化合物可僅為1種，亦可為2種以上的任意組合。
［式1之化合物］
式1之化合物係由式1：CH
3－R［於此，R係氫原子、氯原子、溴原子、碘原子或有機基（惟排除烴基。）］所示之化合物。式1之化合物可僅使用1種，亦可併用2種以上。
於此，有機基（惟排除烴基。）係謂包含至少1個碳原子的官能基（惟排除僅由碳原子及氫原子而成者。）以及包含選自氧、氮及硫之至少1個且不含碳原子的官能基，可列舉：含氧有機基、含氮有機基、含硫有機基。
作為含氧有機基，可列舉：羥基（－OH）、羧基（－COOH）、甲醯基（－CHO）、甲醯氧基（－O－CH(＝O)）、醯基（－CR
1(＝O)）、醯氧基（－O－CR
1(＝O)）、烷氧基（－OR
1）、烷氧羰基（－C(＝O)－OR
1）等。於此，R
1為烷基，以C1～C4烷基為佳，以甲基或乙基為較佳。
作為含氮有機基，可列舉：未取代胺基（－NH
2）、取代胺基（－NR
2R
3）、硝基（－NO
2）、氰基（－CN）等。於此，R
2及R
3獨立為氫或烷基，但至少一者為烷基，烷基以C1～C4烷基為佳，以甲基或乙基為較佳。
作為含硫有機基，可列舉：巰基（－SH）、磺酸基（－SO
3H）、烷基硫基（－SR
4）等。於此，R
4為烷基，以C1～C4烷基為佳，以甲基為較佳。
作為R，以氫原子、氯原子、溴原子、碘原子、羥基（－OH）、烷氧基（－OR
1）、醯氧基（－CR
1(＝O)）、取代胺基（－NR
2R
3）（於此，R
1、R
2及R
3係如上述。）為佳，以氫原子、氯原子、羥基、甲氧基、乙醯基、二甲胺基為較佳。
作為式1之化合物，可列舉：CH
4、CH
3OH、CH
3Cl、CH
3Br、CH
3I、CH
3CHO、HCOOCH
3、CH
3COOCH
3、CH
3COOC
2H
5、CH
3NH
2、(CH
3)
2NH、(CH
3)
3N、CH
3CN、CH
3NO
2、CH
3SH、CH
3SCH
3、CH
3OCH
3、CH
3OC
2H
5、CH
3COCH
3、CH
3COC
2H
5等，就操作容易性這點而言，以CH
4、CH
3OH、CH
3Cl、CH
3COCH
3、CH
3OCH
3、(CH
3)
3N為佳，以CH
3OH為較佳。
［惰性氣體］
作為惰性氣體，可列舉：N
2、He、Ne、Ar、Xe、Kr、CO、CO
2等，以N
2、Ar、He、CO、CO
2為佳，以N
2、Ar為較佳。惰性氣體可僅使用1種，亦可併用2種以上。
［原料氣體］
原料氣體包含式1之化合物及惰性氣體。式1之化合物在標準狀態（大氣壓，298 K）下亦可為氣體、液體、固體之任一者，但在將原料氣體導入至電漿裝置內之放電區域外時為氣體。
原料氣體中之式1之化合物及惰性氣體之含有比例並不特別受限，可以任意比例調整。式1之化合物占據原料氣體的含有比例，以1體積%以上為佳，以5體積%以上為較佳，並且，以85體積%以下為佳，以80體積%以下為較佳。式1之化合物及惰性氣體以外的原料氣體之剩餘部分以不可避免自周圍環境混入的雜質為佳。
原料氣體只要在電漿裝置內之放電區域外包含式1之化合物及惰性氣體即可。可將式1之化合物及惰性氣體分別以氣體之形式個別供應至電漿裝置內之放電區域外作為原料氣體，亦可以預先混合全部的氣體之形式供應至電漿裝置內之放電區域外作為原料氣體，或者還可以預先混合一部分的氣體之形式與剩餘部分的氣體個別供應至電漿裝置內之放電區域外作為原料氣體。
在式1之化合物在標準狀態下為氣體，或者在蒸氣壓足夠高而輕易藉由加熱等來汽化的液體之情況下，可將式1之化合物以氣體之形式供應至電漿裝置內之放電區域外，而無須另外設置汽化室等。供應流量的控制可使用質流控制器等來進行。
在式1之化合物在標準狀態下為蒸氣壓低的液體或固體的情況下，可於使式1之化合物在另外設置之汽化室汽化之後供應至氣相流通反應器。在固體的情況下，可於加熱做成液體之後導入至汽化室。
舉例而言，可藉由將式1之化合物以液體的狀態導入至維持於式1之化合物會充分汽化之溫度及壓力的汽化室，來使之汽化。汽化室的溫度及壓力以維持於式1之化合物能夠瞬間汽化的溫度及壓力為佳。藉由利用此種汽化室，可將式1之化合物以液體之形式連續導入至汽化室，使之在汽化室瞬間汽化，以氣體之形式連續供應至電漿裝置內之放電區域外。供應流量的控制可藉由利用質流控制器等控制在汽化室汽化之氣體來進行，或者於將式1之化合物以液體的狀態下連續導入至汽化室時，藉由利用液體質流控制器等控制來進行。於將經汽化之式1之化合物導入至電漿裝置內之放電區域外時，亦可以惰性氣體稀釋。
［放電區域］
在本發明的製造方法中，可利用大氣壓熱電漿作出的反應場。具體而言，可使用形成大氣壓熱電漿的電漿裝置，將在大氣壓熱電漿之放電區域內產生之氟源供應至大氣壓熱電漿之放電區域外，將此區域作為反應場使用。
在本發明的製造方法中，可將氣體之含氟無機化合物在電漿裝置內之放電區域中產生係為氟源之氟離子及氟自由基之至少一種，使之轉移至放電區域外。
於大氣壓熱電漿的形成可利用電性的方法，可利用電弧放電、高頻放電、脈衝放電、多相交流放電等。電弧放電可為直流電弧，亦可為交流電弧。就能夠以大流量處理這點而言，以多相交流電弧為佳。至於高頻放電，感應耦合型高頻放電電漿就有效率的處理這點而言實屬有利。
氣體之含氟無機化合物以於放電區域連續流通以使氟源產生為佳。連續流通時之氣體之含氟無機化合物的空間速度並不特別受限，以0.01 h
−1以上為佳，以0.1 h
−1以上為較佳，以0.3 h
−1以上為更佳，並且，以100000 h
−1以下為佳，以50000 h
−1以下為較佳，以10000 h
−1以下為更佳。若空間速度為此範圍，則可充分供應氟源而有效率製造氟化烴。
在本發明的製造方法中，將原料氣體導入至電漿裝置內之放電區域外。舉例而言，可將原料氣體導入至大氣壓熱電漿之放電區域外。藉由將原料氣體導入至放電區域外，可自原料氣體中之式1之化合物生成充分之量的CH
3自由基，有效率製造氟化烴。相對於此，在原料氣體導入至放電區域的情況下，式1之化合物的分解會進行，確保充分之量的CH
3自由基等變得不易。
使原料氣體連續流通至放電區域外，此時之空間速度並不特別受限，以0.01 h
−1以上為佳，以0.1 h
−1以上為較佳，以0.3 h
−1以上為更佳，並且，以100000 h
−1以下為佳，以50000 h
−1以下為較佳，以10000 h
−1以下為更佳。若空間速度為上述範圍內，則可避免電漿化變得不易而可有效率製造氟化烴。
在本發明的製造方法中，氣體之含氟無機化合物相對於原料氣體中之式1之化合物的體積比並不特別受限，可以任意比例調整。含氟無機化合物相對於式1之化合物的體積比，就抑制烴的副產生這點而言，以0.8以上為佳，在製造目標物質上，以1.8以上為較佳。體積比可做成100以下，可舉出例如做成25以下。
［氟化烴］
藉由將電漿裝置內之放電區域外所包含之氣體連續釋放至電漿裝置外，可獲得氟化烴。電漿裝置內之放電區域外所包含之氣體包含由氟源及式1之化合物生成之CH
3自由基等活性物種。藉由將此等連續釋放至電漿裝置外，氟源與CH
3自由基等活性物種（其中有CH
3自由基及CH
3離子）會鍵結而氟化烴會生成。連續的釋放可在氣體之含氟無機化合物及原料氣體之連續的流通所對應之空間速度下進行。
將氣體釋放至電漿裝置外之後，亦可進一步導入至熱交換器來冷卻。熱交換器的方式並不特別受限，可列舉：氣冷、水冷式等。由於釋放物除了係為目標物質之氟化烴以外可能包含烴等，故亦可附加分離純化工序。作為分離純化方法，可列舉：蒸餾、由溶液等所致之吸收、膜分離等。
根據本發明，可製造氟化烴，在製造碳原子數1～2的氟化烴這點實屬有利。具體而言，可列舉：CH
3F、CH
2F
2、CHF
3、CF
4、C
2H
2F
2等。作為一氟甲烷（CH
3F）的用途可舉出蝕刻氣體，作為二氟甲烷（CH
2F
2）及三氟甲烷（CHF
3）的用途可舉出替代氟氯烷材料或蝕刻氣體。
在一氟甲烷的製造中，以氣體之含氟無機化合物為SF
6且式1之化合物為CH
3OH之組合為佳。
［電漿裝置］
圖1係能夠使用於本發明的製造方法的電漿裝置之一例。此電漿裝置係利用電弧放電者。
電漿裝置1於冷卻夾套30內具備燃燒管10，冷卻夾套30成為冷卻水會流通的結構。燃燒管10就耐熱性這點而言，以陶瓷製為佳。
於燃燒管10的上方設置有陰極11，於燃燒管10內設置有陽極12。陰極側配置有引火線34。於陰極11與陽極12之間施加電壓使之放電。放電的條件並不特別受限，但可定為例如電壓300～600 V、電流1～20 A。燃燒管10的大小、電極間距離可適當設定。透過放電生成之電漿將陽極12側定為電漿的下游。
於電漿裝置1在陰極11側連接有第1氣體供應管21。由此供應管21供應有氣體之含氟無機化合物。透過由此位置供應，可將氣體之含氟無機化合物在電漿火焰部做成電漿狀態，使氟源產生。產生之氟源轉移至電漿的下游側，供應至電漿裝置1之陽極12的下部（與陰極相反之側）之放電區域外。陽極12的下部（與陰極相反之側）包含1000～3000 K之溫度區域。
電漿裝置1的底部設置有氣體回收口23。於氣體回收口23之中插有第2氣體供應管22。由此供應管22供應有原料氣體。藉由朝向陰極11側釋放原料氣體，使原料氣體到達電漿的下游側，在放電區域外使CH
3自由基等活性物種生成。藉由調節燃燒管10內之氣體供應管22的長度，可調整原料氣體之供應位置，控制式1之化合物的分解，使充分的量之CH
3自由基等生成。
於電漿的下游側之氣體包含有由氟源及式1之化合物生成之CH
3自由基等活性物種，此氣體可由氣體回收口23回收至電漿裝置1外。此時，氟源與CH
3自由基等活性物種（其中有CH
3自由基及CH
3離子）會鍵結而氟化烴會生成。回收可透過例如將真空泵連接於氣體回收口23來進行。
『實施例』
以下透過實施例更加詳細說明本發明，但本發明並非受限於此等實施例者。在實施例中，使用對應於圖1的電漿裝置。
（實施例1）
使用赫史特合金製之長直流電弧電漿裝置（體積：6.5 L，電極間距離：300 mm）作為電漿裝置1。於電漿裝置的內部設置有圓柱狀之富鋁紅柱石製陶瓷管（內徑42 mm、長度600 mm）作為燃燒管10。自第1氣體供應管21將成為電漿的母氣體之N
2以26.6 slm導入至陶瓷管，在電流值10 A下電漿點火。
電漿點火後，自第1氣體供應管21以N
2以26.6 slm且SF
6以0.10 slm通過電漿之放電區域的方式導入N
2及SF
6，隨後透過3.4 slm之N
2將CH
3OH鼓泡，與此N
2同時通過第2氣體供應管導入相當於0.50 slm之CH
3OH。自氣體回收口23將電漿之下游側的氣體排出至系統外。將排出至系統外之回收氣體以KOH水溶液消除毒害後，收集至鋁袋中。
收集之氣體藉由質譜氣相層析儀（GC-MS）（Agilent公司製Agilent 7890A）及氫焰游離化型氣相層析儀（GC-FID）（Agilent公司製Agilent 6890N）來分析。自分析而獲得之GC-MS及GC-FID之各成分的面積值求出氟化烴的產率。結果揭示於表1。
（實施例2～6）
除了將SF
6的流量變更為表1所示之量以外，比照實施例1。結果揭示於表1。
（實施例7～9）
除了將SF
6的流量變更為表1所示之量，將CH
3OH變更為CH
4並做成表1所示之量，將N
2做成CH
4的夾帶氣體而不鼓泡以外，比照實施例1。結果揭示於表1。
（實施例10～12）
除了將SF
6變更為CF
4並做成表1所示之量以外，比照實施例1。結果揭示於表1。
（實施例13～15）
除了將SF
6做成表1所示之量，將CH
3OH變更為CH
4，將N
2做成CH
4的夾帶氣體而不鼓泡以外，比照實施例1。結果揭示於表1。
（實施例16～18）
除了將SF
6做成表1所示之量，將CH
3OH變更為CH
3COCH
3以外，比照實施例1。結果揭示於表1。
（實施例19～21）
除了將SF
6做成表1所示之量，將CH
3OH變更為CH
3COOCH
3以外，比照實施例1。結果揭示於表1。
［表1］
| C 2H 2F 2產率 | — | — | — | — | — | — | 0.3% | 0.7% | 1.0% | 0.1% | 0.3% | 0.6% | 0.1% | 0.3% | 0.7% | 0.3% | 0.3% | 0.4% | 0.5% | 0.9% | 0.9% | *在產率中之「—」為偵測極限以下 |
| CH 3F產率 | 0.3% | 0.8% | 1.8% | 2.8% | 5.6% | 6.6% | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |
| 流量[slm] | 3.4 | |||||||||||||||||||||
| 鼓泡或 夾帶氣體 | N 2 | |||||||||||||||||||||
| 式1之化合物的流量[slm] | 0.50 | |||||||||||||||||||||
| 式1之化合物 | CH 3OH | CH 4 | CH 3OH | CH 4 | CH 3COCH 3 | CH 3COOCH 3 | ||||||||||||||||
| 無機化合物 的流量[slm] | 0.10 | 0.25 | 0.50 | 1.00 | 2.50 | 5.00 | 1.00 | 2.50 | 5.00 | 1.00 | 2.50 | 5.00 | 1.00 | 2.50 | 5.00 | 1.00 | 1.50 | 2.50 | 1.10 | 1.70 | 2.70 | |
| 氣體之含氟 無機化合物 | SF 6 | CF 4 | SF 6 | |||||||||||||||||||
| 流量[slm] | 26.6 | |||||||||||||||||||||
| 母氣體 | N 2 | |||||||||||||||||||||
| 實施例 | 實施例1 | 實施例2 | 實施例3 | 實施例4 | 實施例5 | 實施例6 | 實施例7 | 實施例8 | 實施例9 | 實施例10 | 實施例11 | 實施例12 | 實施例13 | 實施例14 | 實施例15 | 實施例16 | 實施例17 | 實施例18 | 實施例19 | 實施例20 | 實施例21 |
由表1可知，在實施例中可在不使用觸媒下製造氟化烴。
根據本發明，可在不使用觸媒下以氣相流通方式簡便且有效率製造氟化烴。本發明之製造方法可避免由觸媒的活性下降所致之產率的下降等情況，並且，可連續製造於蝕刻氣體等用途有用的氟化烴，產業利用性高。
1:電漿裝置
10:燃燒管
11:陰極
12:陽極
21:第1氣體供應管
22:第2氣體供應管
23:氣體回收口
30:冷卻夾套
31:冷卻水供應口
32:冷卻水排出口
34:引火線
〈圖1〉係能夠使用於本發明之氟化烴之製造方法的電漿裝置之一例。
1:電漿裝置
10:燃燒管
11:陰極
12:陽極
21:第1氣體供應管
22:第2氣體供應管
23:氣體回收口
30:冷卻夾套
31:冷卻水供應口
32:冷卻水排出口
34:引火線
Claims (9)
- 一種氟化烴的製造方法，其包含：將氣體之含氟無機化合物連續供應至電漿裝置內之放電區域之後使之轉移至前述電漿裝置內之放電區域外，將包含由式1：CH 3－R［於此，R為氫原子、氯原子、溴原子、碘原子或有機基（惟排除烴基）］所示之化合物及惰性氣體（inert gas）的原料氣體連續供應至前述電漿裝置內之放電區域外，隨後，將前述電漿裝置內之放電區域外所包含之氣體連續釋放至前述電漿裝置外。
- 如請求項1所述之氟化烴的製造方法，其中前述電漿裝置係形成大氣壓熱電漿的裝置。
- 如請求項2所述之氟化烴的製造方法，其中前述大氣壓熱電漿係透過電弧放電或高頻放電而形成者。
- 如請求項1所述之氟化烴的製造方法，其中前述氣體之含氟無機化合物係選自由SF 4、SF 6、SOF 2、SO 2F 2、HF、NF 3、CF 4、COF 2、BF 3及SiF 4而成之群組之至少一種。
- 如請求項1所述之氟化烴的製造方法，其中前述惰性氣體係選自由N 2及Ar而成之群組之至少一種。
- 如請求項1所述之氟化烴的製造方法，其中由前述式1所示之化合物占據前述原料氣體的含有比例為1體積%以上且50體積%以下。
- 如請求項1所述之氟化烴的製造方法，其中前述氣體之含氟無機化合物相對於由前述式1所示之化合物的體積比為0.8以上。
- 如請求項7所述之氟化烴的製造方法，其中前述體積比為1.8以上。
- 如請求項1至8之任一項所述之氟化烴的製造方法，其中前述氟化烴係一氟甲烷。
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