TW202308499A - 結構體、結構體的製造方法及組成物 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種對數十GHz的頻帶的電磁波的屏蔽性能優異之結構體及組成物，又，提供能夠簡單地製造對數十GHz的頻帶的電磁波的屏蔽性能優異之結構體之結構體的製造方法。結構體具有：基板；複數個被動元件，配置於基板上；及電磁波吸收膜，配置於基板上且至少位於複數個被動元件之間的區域。被動元件係選自包括感應器及巴倫之群組者。電磁波吸收膜包含磁性體粒子。將電磁波吸收膜的複數磁導率μ的實數部設為μ’，將複數部設為μ”時，電磁波吸收膜的複數磁導率μ的複數部μ”滿足要件1～3中的任一個。要件1：28GHz頻率中的μ”為0.1～10、要件2：47GHz頻率中的μ”為0.1～5、要件3：60GHz頻率中的μ”為0.1～2。
Description
本發明有關一種具有電磁波的屏蔽功能之結構體、結構體的製造方法及結構體的製造中使用之組成物。
目前，存在行動電話、智慧型手機或平板電腦等移動通訊終端機、互聯網通訊、WiFi（Wireless Fidelity：無線保真）、Bluetooth（註冊商標）、GPS（Global Positioning System：全球定位系統）等利用無線技術之多種通訊系統。
為了支持多種通訊系統，需要能夠發送和接收各個通訊系統中使用之電波之天線、將天線所接收之電波轉換為電流或電壓等之被動元件及製作從天線傳輸之傳輸訊號之半導體元件等。
又，藉由近年來的移動通訊終端機的多功能化及小型化、進而配置於通訊接入點等之無線通訊模組的小型化，從而被動元件、半導體元件及天線等實際安裝密度增加。因此，在移動通訊終端機及無線通訊模組中，例如，有時伴隨被動元件的動作而產生之電磁波影響其他被動元件等，可能妨礙被動元件的正常動作。因此，以往，對電磁波進行屏蔽。
例如，在專利文獻1中，在系統晶片（System on Chip：SoC）的形態中，設置有用於從配置於基板上之高頻率電路產生之電磁輻射中保護數位電路等之導電性測試儀。導電性線規配置於高頻率電路的周圍。又，導電性線規記載了由銅、鋁、金、銀、鉑或鎢等金屬或合金構成。
[專利文獻1]美國專利申請公開第2014/0017876號說明書
在專利文獻1中，從電磁輻射中保護數位電路等之導電性線規由金屬或合金構成。因此，對數十GHz的頻帶的電磁波未獲得充分的屏蔽性能。
本發明的目的為提供一種對數十GHz的頻帶的電磁波的屏蔽性能優異之結構體及組成物。
又，提供一種能夠簡單地製造對數十GHz的頻帶的電磁波的屏蔽性能優異之結構體之結構體的製造方法。
藉由以下構成，能夠實現上述目的。
本發明的一態樣提供一種結構體，其具有：基板；複數個被動元件，配置於基板上；及電磁波吸收膜，配置於基板上且至少位於複數個被動元件中對向之被動元件之間的基板上的區域，被動元件係選自包括感應器及巴倫之群組者，電磁波吸收膜包含磁性體粒子，將電磁波吸收膜的複數磁導率μ的實數部設為μ’，將複數部設為μ”時，電磁波吸收膜的複數磁導率μ的複數部μ”滿足要件1～3中的任一個。
要件1：28GHz頻率中的μ”為0.1～10
要件2：47GHz頻率中的μ”為0.1～5
要件3：60GHz頻率中的μ”為0.1～2
本發明的一態樣提供一種結構體，其具有：基板；複數個線圈狀被動元件，配置於基板上且具備相對於基板的表面開口之開口部；及電磁波吸收膜，配置於基板上且位於複數個線圈狀被動元件中的至少一個開口部，線圈狀被動元件係選自包括感應器及巴倫之群組者，電磁波吸收膜包含磁性體粒子，將電磁波吸收膜的複數磁導率μ的實數部設為μ’，將複數部設為μ”時，電磁波吸收膜的複數磁導率μ的複數部μ”滿足要件1～3中的任一個。
要件1：28GHz頻率中的μ”為0.1～10
要件2：47GHz頻率中的μ”為0.1～5
要件3：60GHz頻率中的μ”為0.1～2
本發明的一態樣提供一種結構體，其具有：基板；複數個被動元件，配置於基板上；及電磁波吸收膜，設置於基板與被動元件之間及被動元件的與基板的相反一側中的至少一者上，被動元件係選自包括感應器及巴倫之群組者，電磁波吸收膜包含磁性體粒子，將電磁波吸收膜的複數磁導率μ的實數部設為μ’，將複數部設為μ”時，電磁波吸收膜的複數磁導率μ的複數部μ”滿足要件1～3中的任一個。
要件1：28GHz頻率中的μ”為0.1～10
要件2：47GHz頻率中的μ”為0.1～5
要件3：60GHz頻率中的μ”為0.1～2
電磁波吸收膜設置於配置於基板上之複數個線圈狀被動元件之間的基板上的區域為較佳。
電磁波吸收膜設置於基板與被動元件之間及與被動元件的基板的相反一側為較佳。
磁性體粒子包含Ni、Co及Fe中的至少一種金屬元素，並且平均一次粒徑為20～1000nm為較佳。
電磁波吸收膜的厚度為300μm以下為較佳。
本發明的一態樣提供一種結構體的製造方法，其包括：將包含磁性體粒子之感光性組成物塗佈於配置有複數個被動元件之基板上而形成組成物層之步驟；對組成物層實施曝光處理及顯影處理而形成配置於基板上且至少位於複數個被動元件中對向之被動元件之間的區域之電磁波吸收膜之步驟，被動元件係選自包括感應器及巴倫之群組者，將電磁波吸收膜的複數磁導率μ的實數部設為μ’，將複數部設為μ”時，電磁波吸收膜的複數磁導率μ的複數部μ”滿足要件1～3中的任一個。
要件1：28GHz頻率中的μ”為0.1～10
要件2：47GHz頻率中的μ”為0.1～5
要件3：60GHz頻率中的μ”為0.1～2
本發明的一態樣提供一種結構體的製造方法，其包括：將包含磁性體粒子之感光性組成物塗佈於配置於基板上且具備相對於基板的表面開口之開口部之複數個線圈狀被動元件中的至少一個開口部而形成組成物層之步驟；及對組成物層實施曝光處理及顯影處理而形成配置於基板上且位於複數個線圈狀被動元件中的至少一個開口部之電磁波吸收膜之步驟；線圈狀被動元件係選自包括感應器及巴倫之群組者，將電磁波吸收膜的複數磁導率μ的實數部設為μ’，將複數部設為μ”時，電磁波吸收膜的複數磁導率μ的複數部μ”滿足要件1～3中的任一個。
要件1：28GHz頻率中的μ”為0.1～10
要件2：47GHz頻率中的μ”為0.1～5
要件3：60GHz頻率中的μ”為0.1～2
本發明的一態樣提供一種結構體的製造方法，其包括：將包含磁性體粒子之感光性組成物塗佈於基板上而形成組成物層之步驟；對組成物層實施曝光處理及顯影處理而在基板上形成電磁波吸收膜之步驟，及在電磁波吸收膜上形成複數個被動元件之步驟，被動元件係選自包括感應器及巴倫之群組者，將電磁波吸收膜的複數磁導率μ的實數部設為μ’，將複數部設為μ”時，電磁波吸收膜的複數磁導率μ的複數部μ”滿足要件1～3中的任一個。
要件1：28GHz頻率中的μ”為0.1～10
要件2：47GHz頻率中的μ”為0.1～5
要件3：60GHz頻率中的μ”為0.1～2
本發明的一態樣提供一種結構體的製造方法，其包括：將包含磁性體粒子之感光性組成物塗佈於配置有複數個被動元件之基板上而形成組成物層之步驟；對組成物層實施曝光處理及顯影處理而在複數個被動元件上形成電磁波吸收膜之步驟，被動元件係選自包括感應器及巴倫之群組者，將電磁波吸收膜的複數磁導率μ的實數部設為μ’，將複數部設為μ”時，電磁波吸收膜的複數磁導率μ的複數部μ”滿足要件1～3中的任一個。
要件1：28GHz頻率中的μ”為0.1～10
要件2：47GHz頻率中的μ”為0.1～5
要件3：60GHz頻率中的μ”為0.1～2
形成組成物層之步驟包括在複數個線圈狀被動元件的開口部及配置有複數個線圈狀被動元件之基板上塗佈感光性組成物之步驟，並且形成電磁波吸收膜之步驟係在配置於基板上之複數個線圈狀被動元件的開口部及基板上的複數個線圈狀被動元件之間的區域形成電磁波吸收膜之步驟為較佳。
進一步包括將感光性組成物塗佈於形成複數個被動元件之電磁波吸收膜上而形成組成物層之步驟及對組成物層實施曝光處理及顯影處理而在形成複數個被動元件之電磁波吸收膜上進一步形成電磁波吸收膜之步驟為較佳。
本發明的一態樣提供一種組成物，其使用於結構體中的電磁波吸收膜的形成，其中，組成物包含磁性體粒子、具有酸基之樹脂、硬化性化合物、以及聚合起始劑，
將使用組成物而形成之電磁波吸收膜的複數磁導率μ的實數部設為μ’，將複數部設為μ”時，電磁波吸收膜的複數磁導率μ的複數部μ”滿足要件1～3中的任一個。
要件1：28GHz頻率中的μ”為0.1～10
要件2：47GHz頻率中的μ”為0.1～5
要件3：60GHz頻率中的μ”為0.1～2
磁性體粒子包含Ni、Co及Fe中的至少一種金屬元素，並且平均一次粒徑為20～1000nm為較佳。
[發明效果]
依本發明，能夠提供一種對數十GHz的頻帶的電磁波的屏蔽性能優異之結構體及組成物。
又，能夠提供一種能夠簡單地製造對數十GHz的頻帶的電磁波的屏蔽性能優異之結構體之結構體的製造方法。
以下，基於附圖中示出之較佳實施形態，對本發明的結構體、結構體的製造方法及組成物進行詳細說明。
另外，以下進行說明之圖係用於說明本發明中之例示性圖，本發明並不限定於以下所示之圖。
又，在以下說明之圖係強調地表示實際元件的感應器部分及磁性體部分之圖，省略感應器的周邊的電路、銅線及導波管等的圖示。
另外，以下表示數值範圍之“～”係指包括記載於兩側之數值。例如，ε為數值ε
α～數值ε
β係指ε的範圍為包含數值ε
α和數值ε
β之範圍，若以數學記號表示，則為ε
α≤ε≤ε
β。
關於角度，若無特別記載，則包括在相應技術領域中通常容許之誤差範圍。
[結構體的第1例]
圖1係表示本發明的實施形態的結構體的第1例之示意性俯視圖，圖2係表示本發明的實施形態的結構體的第1例之示意性剖面圖。
結構體10具有：基板20；複數個被動元件11，配置於基板20上；及電磁波吸收膜24，配置於基板20上且至少位於基板20上的複數個被動元件11中的對向之被動元件11之間的區域21。在圖1中，電磁波吸收膜24在基板20的表面20a上配置成圍繞被動元件11的周圍。
複數個被動元件11彼此被電連接。
關於結構體10，如圖2所示，在基板20上，例如2個層間絕緣膜22分開設置，在各層間絕緣膜22上設置有1個被動元件11。電磁波吸收膜24圍繞被動元件11的周圍並設置於基板20的表面20a。
被動元件11係選自包括感應器及巴倫之群組者。本發明的巴倫係後述之巴倫變壓器。圖1中示出之被動元件11例如係感應器12及感應器14。
在基板20上，被動元件11分開配置係指，在基板20的同一面上，作為複數個被動元件11，例如，設置有感應器12和感應器14之形態，在基板20的表面20a設置有感應器12，而不是在基板20的背面20b設置感應器14之形態。將基板20存在段差之情況、基板20彎曲之情況、基板20與被動元件11之間包含絕緣膜等其他層之情況亦視為同一面。
又，電磁波吸收膜24只要至少位於基板20上的被動元件11之間的區域21即可。基板20上的被動元件11之間的區域21係指，例如，在感應器12與感應器14對向地分開配置之情況下，感應器12與感應器14對向之側的空間。
例如，如圖3所示，感應器12係線圈，並且由1種帶狀構件12a構成。感應器12係外形為圓形或八邊形等多邊形。感應器12具備相對於基板20的表面20a開口之開口部13。感應器12的開口部13係指由帶狀構件12a圍繞之區域。
感應器12係發揮在自諧振頻率附近動作，並且在自諧振頻率下通入大量的電流，以提取具有特定頻率之訊號之作用之被動元件。自諧振頻率例如係60GHz。
關於感應器，例如，使用利用頻帶為28GHz～80GHz之通訊標準5G（Generation）中所使用之電磁波。
感應器例如由銅構成。又，感應器的厚度例如係0.1～500μm。
感應器14例如係如圖4所示之線圈，例如，由預先確定之匝數的帶狀構件14a構成。感應器14係與感應器12相同地，外形為圓形或八邊形等多邊形。感應器14具備相對於基板20的表面20a開口之開口部15。感應器14的開口部15係指由帶狀構件14a圍繞之區域。
感應器14藉由共振頻率來確定尺寸及匝數等。例如，共振頻率為60GHz之情況下，外徑為100μm，帶狀構件14a的寬度為15μm，帶狀構件的厚度為2μm，匝數為1.75卷。
感應器12中示出之線圈及感應器14中示出之線圈能夠單獨地作為感應器來使用，又，能夠重疊2個而作為巴倫變壓器來使用。感應器12中示出之線圈及感應器14中示出之線圈的厚度可以不同。
巴倫變壓器（未圖示）係例如將感應器12或感應器14的形狀的線圈以在與基板20的表面20a垂直之垂直方向上隔開一定的距離，例如為10μm～300μm，並且使2個線圈的中心一致之方式，將線圈沿垂直方向重疊者。巴倫變壓器係將輸入到一個線圈之數十GHz的高頻訊號轉換或調變至另一個線圈之元件。
巴倫變壓器使所輸入之數十GHz的高頻訊號的波對齊，並且使高頻訊號的波反轉。又，巴倫變壓器係用於轉換處於平衡狀態和不平衡狀態之電訊號之元件。
例如，巴倫變壓器由銅構成。巴倫變壓器的線圈的厚度可以不同，例如係0.1～500μm。
另外，若感應器12及感應器14的線圈均輸入數十GHz的頻帶的高頻訊號，則發生數十GHz的頻帶的高頻率而產生電磁場。例如，由在感應器14發生之高頻率引起而產生電磁場之情況下，若不使用電磁波吸收膜24而屏蔽電磁場，則可能對感應器12造成影響。
將感應器12及感應器14、以及巴倫變壓器亦稱為線圈狀被動元件。
基板20例如由Si、聚醯亞胺或SiO
2等構成。層間絕緣膜22例如由SiO
2構成。又，基板20及層間絕緣膜22亦由FR（Flame Retardant）-4等玻璃環氧樹脂或PTFE（聚四氟乙烯）等構成。
感應器12及感應器14、以及巴倫變壓器由銅（Cu）構成。
另外，層間絕緣膜22係與電磁波吸收膜24不同者。將層間絕緣膜22的複數磁導率μ的實數部設為μ’，將複數部設為μ”時，層間絕緣膜22的複數磁導率μ的複數部μ”不滿足下述要件1～3。關於層間絕緣膜22，例如，實數部μ’為1，複數部μ”為零。
要件1：28GHz頻率中的μ”為0.1～10
要件2：47GHz頻率中的μ”為0.1～5
要件3：60GHz頻率中的μ”為0.1～2
結構體10例如係利用於天線封裝者，除了上述感應器12及感應器14、以及巴倫變壓器（未圖示）的被動元件11以外，雖然未圖示，但例如設置有陣列天線、A/D（Analog/Digital（模擬/數字））電路、記憶體及ASIC（Application Specific Integrated Circuit：特殊應用積體電路）。A/D電路、記憶體及ASIC例如由各種半導體元件構成。
又，結構體10除了上述構成以外，具有智慧型手機等移動通訊終端機、或無線通訊模組所具有之各種電路及元件等、例如RF（Radio Frequency：射頻）電路、傳輸用功率放大器、接收用低雜訊放大器、積體被動元件、開關或移相器等。
基板20係作為結構體10的支撐體發揮功能者，配置有上述被動元件11。又，在基板20上配置有電磁波吸收膜24。又，可以配置有構成上述天線封裝之A/D電路、記憶體及ASIC等。
層間絕緣膜22係形成有感應器12及感應器14、以及巴倫變壓器者，將感應器12及感應器14、以及巴倫變壓器設為電絕緣之狀態。
關於層間絕緣膜22，只要能夠將感應器12及感應器14、以及巴倫變壓器設為電絕緣之狀態，則並沒有特別限定，能夠使用利用於半導體元件的形成等之各種膜。
電磁波吸收膜24係吸收從感應器12或感應器14、以及巴倫變壓器放射之電磁波者。藉由電磁波吸收膜24而從感應器12及感應器14、以及巴倫變壓器之一者放射之電磁波被屏蔽，能夠抑制基於電磁波之對感應器12及感應器14、以及巴倫變壓器之另一者之影響。藉此，可以抑制被動元件的正常動作受到阻礙。
電磁波吸收膜24包含磁性體粒子。將電磁波吸收膜的複數磁導率μ的實數部設為μ’，將複數部設為μ”時，電磁波吸收膜的複數磁導率μ的複數部μ”滿足下述要件1～3中的任一個。
要件1：28GHz頻率中的μ”為0.1～10
要件2：47GHz頻率中的μ”為0.1～5
要件3：60GHz頻率中的μ”為0.1～2
藉由磁性體粒子，電磁波吸收膜24對數十GHz的頻帶的電磁波發揮充分的屏蔽性能。另外，關於磁性體粒子，將在後面進行說明。
作為要件1～3的較佳範圍，為如下所述。
要件1：28GHz頻率中的μ”為0.7～10
要件2：47GHz頻率中的μ”為0.5～5
要件3：60GHz頻率中的μ”為0.2～2
能夠藉由如下方式測量電磁波吸收膜的複數磁導率μ的實數部μ’和複數部μ”。
作為測量裝置，使用Keysight Technologies, Inc.的向量網路分析儀（產品名稱：N5225B）及KEYCOM Corporation的喇叭天線（產品名稱：RH12S23、RH06S10）。接著，藉由自由空間法，將入射角度設為0°、將掃描頻帶設為55.0GHz～95.0GHz，並且將上述各電磁波吸收膜的一個平面朝向入射側，每0.1GHz進行S參數的測量，求出60GHz的磁導率（μ’和μ”）。改變掃描頻帶，求出28GHz及47GHz的磁導率（μ’和μ”）。另外，關於層間絕緣膜22的複數磁導率μ的複數部μ”，亦能夠與電磁波吸收膜的複數磁導率μ的實數部μ’和複數部μ”相同的方式進行測量。
磁導率係對某材料施加磁場（H）時產生之磁通密度（B）的變化率，並且由以下式表示。
μ=B/H
在磁性體之情況下，雖然將更多的磁通通入磁性體內部，但由於不是磁性體之材料沒有變化，因此值為1。另外，磁導率由以下式表示。其中，下述式的j表示虛數。
μ=μ’（實數部）-j×μ”（虛數部）
如電磁波那樣，電流的方向以高頻率反轉之情況下，實數部表示作為產生更高的磁通密度之磁性體之性能，相對於此，虛數部的μ“表示能量損失。具體而言，磁性體內的晶體的磁矩趨於朝向藉由高頻率而產生之磁場的方向，但當磁矩向相反方向反轉時，產生反轉時間的延遲或能量損失（變差熱量）。
在高頻率時，磁性體內的磁矩的變化不能夠追隨由外界賦予之電磁場的磁場變化，能量損失變得顯著。將該效果利用於電磁波的吸收。
又，電磁波吸收膜24的厚度為300μm以下為較佳。若電磁波吸收膜24的厚度為300μm以下，則維持電磁波屏蔽性能，並且能夠將結構體薄型化。
電磁波吸收膜24的厚度為10～200μm為更佳，厚度作為下限值為5μm。
構成天線封裝之陣列天線例如具有4個天線。例如，4個天線全部相同。陣列天線及天線的構成並沒有特別限定，可以依據發送或接收之頻帶、所接收之偏振方向等來適當地確定。又，陣列天線具有4個天線，但並不限定於此。可以不是陣列天線，而是1個天線。
A/D電路係將類比訊號轉換為數位訊號者，使用公知的A-D轉換器。A/D電路將陣列天線藉由電波而接收之接收訊號轉換為數位訊號。
ASIC係從被數位訊號化之接收訊號中獲得傳輸到陣列天線之原始資料或訊號者。又，係以數位訊號的狀態生成傳輸資料或傳輸訊號者。ASIC的功能並沒有特別限定，可以依據用途等而適當地確定。
又，A/D電路將由ASIC生成之傳輸資料或傳輸訊號轉換為能夠由陣列天線傳輸之類比訊號。
記憶體係記錄在上述ASIC中生成之傳輸資料或傳輸訊號、陣列天線所接收之被數位訊號化之接收訊號等者。記憶體例如使用DRAM（Dynamic Random Access Memory：動態隨機存取記憶體）的揮發性記憶體，HBM（High Bandwidth Memory：高頻寬記憶體）為較佳。
又，A/D電路、記憶體及ASIC藉由電磁波吸收膜24而基於陣列天線產生之電磁波之電磁干擾得到抑制。藉此，不會妨礙A/D電路、記憶體及ASIC的正常動作，並且故障亦得到抑制。
藉由電磁波吸收膜24控制電磁波的吸收，增強天線輸出的指向性，並且進一步向晶圓級封裝的結構體內部放入磁性體以作為結構體，從而還能夠實現結構體的高積體化和高性能化。
[結構體的第1例之製造方法]
包括將包含磁性體粒子之感光性組成物塗佈於配置有複數個被動元件之基板上而形成組成物層之步驟及對組成物層實施曝光處理及顯影處理而形成配置於基板上且至少位於複數個被動元件之間的區域之電磁波吸收膜之步驟。
如上所述，被動元件係選自包括感應器及巴倫之群組者。將電磁波吸收膜的複數磁導率μ的實數部設為μ’，將複數部設為μ”時，電磁波吸收膜的複數磁導率μ的複數部μ”滿足下述要件1～3中的任一個。
要件1：28GHz頻率中的μ”為0.1～10
要件2：47GHz頻率中的μ”為0.1～5
要件3：60GHz頻率中的μ”為0.1～2
其中，圖5～圖7係按步驟順序表示本發明的實施形態的結構體的第1例之製造方法的一例之示意性剖面圖。另外，在圖5～圖7中，關於與圖1及圖2中示出之結構體10相同的構成物，標記同一符號，省略其詳細說明。
例如，如圖5所示，準備在基板20的表面20a上，例如感應器12和感應器14分開設置者。另外，感應器12及感應器14設置於層間絕緣膜22內。感應器12和感應器14例如藉由組合複數次積層濺射、PVD（Physical Vapor Deposition：物理氣相沉積）、CVD（Chemical Vapor Deposition：化學氣相沉積）、光微影、乾式蝕刻、濕式蝕刻、電漿灰化、銅電鍍、CMP（Chemical Mechanical Polishing：化學機械研磨）漿料研磨及濕式蝕刻等步驟之元件微細加工技術來形成。巴倫變壓器亦能夠以與感應器12及感應器14相同的方式來形成。
接著，如圖6所示，藉由將包含上述磁性體粒子之感光性組成物塗佈於基板20的表面20a的整個面而形成組成物層23。例如，組成物層23係負型組成物層，藉由顯影處理而去除未曝光部。另外，組成物層23的厚度並沒有特別限定，當如後述成為電磁波吸收膜24時，只要係厚度成為300μm以下之厚度即可。
接著，如圖7所示，在組成物層23上配置光罩30。光罩30例如在形成電磁波吸收膜24以外的區域設置有遮罩部31a。在遮罩部31a以外的區域31b透射對組成物層23進行曝光之曝光光Lv。遮罩部31a阻擋曝光光Lv。
使用光罩30而曝光之組成物層23係如上述那樣的負型，藉由顯影處理而未曝光部被去除。亦即，組成物層23的曝光部成為電磁波吸收膜24。由於在感應器12的開口部13和感應器14的開口部15形成之組成物層23係未曝光部，因此被去除，在感應器12的開口部13和感應器14的開口部15未形成電磁波吸收膜24。
另外，組成物層23為正型之情況下，由於藉由顯影處理而曝光部被去除，因此光罩30的遮光區域與圖7中示出之光罩30的遮光區域相反。
顯影處理的方法並沒有特別限制，能夠適用公知的顯影處理。作為顯影處理時使用之顯影液，可以舉出包含鹼顯影液及有機溶劑之顯影液。
將光罩30配置於組成物層23上而進行曝光之後，實施顯影處理而形成電磁波吸收膜24（參閱圖1）。藉此，獲得圖1中示出之結構體10。
如上所述，藉由曝光處理及顯影處理，能夠形成電磁波吸收膜24（參閱圖1），並且能夠簡單地製造被高積體化和高性能化之結構體。
[結構體的第2例]
圖8係表示本發明的實施形態的結構體的第2例之示意性立體圖。在圖8中，關於與圖1及圖2中示出之結構體10、圖3中示出之感應器12及圖4中示出之感應器14相同的構成物，標記同一符號，省略其詳細說明。
圖8中示出之結構體10a與圖1及圖2中示出之結構體10相比，電磁波吸收膜24的位置不同。
關於結構體10a，除了在感應器12的開口部13和感應器14的開口部15配置電磁波吸收膜24、以及在基板20的表面20a上的感應器12及感應器14的周圍設置有層間絕緣膜22以外，與圖1及圖2中示出之結構體10的構成相同。
藉由在感應器12的開口部13和感應器14的開口部15設置電磁波吸收膜24，能夠獲得與圖1及圖2中示出之結構體10相同的效果。又，結構體10a能夠使電磁波吸收膜24小於圖1及圖2中示出之結構體10。因此，能夠減少形成電磁波吸收膜24所需之上述感光性組成物的使用量。
另外，在圖8的結構體10a中，雖然在感應器12的開口部13和感應器14的開口部15設置了電磁波吸收膜24，但只要在感應器12的開口部13及感應器14的開口部15中的至少一者上設置電磁波吸收膜24即可。在該情況下，在感應器12和感應器14中，在發生高頻率者上設置電磁波吸收膜24為較佳。
另外，與上述構成不同地，作為3個以上的複數個的線圈狀被動元件而配置感應器12、感應器14或巴倫變壓器（未圖示）之情況下，只要形成位於該等線圈狀被動元件中的至少一個開口部之電磁波吸收膜24即可。
[結構體的第2例之製造方法]
圖9係表示本發明的實施形態的結構體的第2例之製造方法的一例之示意性剖面圖。在圖9中，關於與圖1及圖2中示出之結構體10、圖3中示出之感應器12及圖4中示出之感應器14相同的構成物，標記同一符號，省略其詳細說明。
首先，如圖9所示，準備在基板20上例如分開設置感應器12和感應器14者。層間絕緣膜22設置於基板20的表面20a的整個面。感應器12及感應器14設置於層間絕緣膜22內。感應器12的開口部13和感應器14的開口部15未形成層間絕緣膜22。
接著，在層間絕緣膜22上塗佈上述感光性組成物而在層間絕緣膜22上形成組成物層23。組成物層23亦形成於感應器12的開口部13和感應器14的開口部15。例如，組成物層23係負型組成物層，藉由顯影處理而去除未曝光部。
接著，在組成物層23上配置光罩（未圖示）。與圖7中示出之光罩30相同地，光罩係遮罩部31a阻擋曝光光Lv之構成。藉由光罩而對感應器12的開口部13和感應器14的開口部15的組成物層23進行曝光。藉由在曝光後實施顯影處理而形成如圖8所示位於感應器12的開口部13和感應器14的開口部15之電磁波吸收膜24。藉此，獲得圖8的結構體10a。
[結構體的第3例]
圖10係表示本發明的實施形態的結構體的第3例之示意性立體圖。在圖10中，關於與圖1及圖2中示出之結構體10、圖3中示出之感應器12及圖4中示出之感應器14相同的構成物，標記同一符號，省略其詳細說明。
關於圖10的結構體10b，與圖1及圖2中示出之結構體10相比，除了在感應器12的開口部13和感應器14的開口部15配置電磁波吸收膜24以外，與圖1及圖2中示出之結構體10的構成相同。
除了在基板20上的感應器12與感應器14之間的區域21設置電磁波吸收膜24以外，藉由在感應器12的開口部13和感應器14的開口部15設置電磁波吸收膜24，感應器12和感應器14成為形成於電磁波吸收膜24內之形態，能夠更進一步吸收電磁波。因此，能夠更進一步抑制感應器12與感應器14中的電磁波的影響。另外，雖然設為在感應器12的開口部13和感應器14的開口部15設置電磁波吸收膜24之構成，但亦可以係感應器12的開口部13和感應器14的開口部15中的任一者中設置電磁波吸收膜24之構成。在該情況下，如上所述，在發生高頻率者處設置電磁波吸收膜24為較佳。藉此，能夠有效地屏蔽電磁波。
另外，與上述構成不同地，作為3個以上的複數個的線圈狀被動元件而配置感應器12、感應器14或巴倫變壓器（未圖示）之情況下，只要形成位於該等線圈狀被動元件中的至少一個開口部之電磁波吸收膜24即可。
[結構體的第3例之製造方法]
圖11係表示本發明的實施形態的結構體的第2例之製造方法的一例之示意性剖面圖。在圖11中，關於與圖1及圖2中示出之結構體10、圖3中示出之感應器12及圖4中示出之感應器14相同的構成物，標記同一符號，省略其詳細說明。
首先，如圖11所示，準備在基板20的表面20a上例如分開設置2個層間絕緣膜22者。在各層間絕緣膜22內分別設置有感應器12及感應器14。感應器12的開口部13和感應器14的開口部15未形成層間絕緣膜22。
接著，在基板20的表面20a上塗佈上述感光性組成物以使覆蓋感應器12和感應器14而形成組成物層23（參閱圖11）。除了在基板20上的感應器12和感應器14之間的區域21以外，亦在感應器12的開口部13和感應器14的開口部15形成組成物層23。例如，組成物層23係負型組成物層，藉由顯影處理而去除未曝光部。
接著，在組成物層23上配置光罩（未圖示）。與圖7中示出之光罩30相同地，光罩係遮罩部31a阻擋曝光光Lv之構成。藉由光罩而在組成物層23中，對感應器12的周圍和感應器12的開口部13及感應器14的周圍和感應器14的開口部15進行曝光。曝光後，藉由實施顯影處理，如圖10所示，除了在基板20上的感應器12和感應器14之間的區域21形成電磁波吸收膜24以外，形成位於感應器12的開口部13和感應器14的開口部15之電磁波吸收膜24。藉此，獲得圖10的結構體10b。
[結構體的第4例]
圖12係表示本發明的實施形態的結構體的第4例之示意性立體圖。在圖12中，關於與圖1及圖2中示出之結構體10、圖3中示出之感應器12及圖4中示出之感應器14相同的構成物，標記同一符號，省略其詳細說明。
關於圖12的結構體10c，與圖1及圖2中示出之結構體10相比，除了在基板20的表面20a上的感應器12及感應器14的周圍設置層間絕緣膜22及在與感應器12及感應器14的基板20的相反一側配置電磁波吸收膜24以外，與圖1及圖2中示出之結構體10的構成相同。
作為基板20的相反一側，例如，電磁波吸收膜24設置於層間絕緣膜22的表面22a的整個面，感應器12和感應器14被電磁波吸收膜24覆蓋。
藉由設置覆蓋感應器12和感應器14之電磁波吸收膜24，從感應器12或感應器14放射之電磁波被吸收。藉此，能夠獲得與圖1及圖2中示出之結構體10相同的效果。
[結構體的第4例之製造方法]
圖13及圖14係按步驟順序表示本發明的實施形態的結構體的第4例之製造方法的一例之示意性剖面圖。在圖13及圖14中，關於與圖1及圖2中示出之結構體10、圖3中示出之感應器12及圖4中示出之感應器14相同的構成物，標記同一符號，省略其詳細說明。
首先，如圖13所示，準備在基板20上例如分開設置感應器12和感應器14者。感應器12和感應器14設置於層間絕緣膜22內。
接著，在層間絕緣膜22的表面22a的整個面塗佈上述感光性組成物以如圖14所示覆蓋感應器12和感應器14而形成組成物層23。例如，組成物層23係負型組成物層，藉由顯影處理而去除未曝光部。
接著，對組成物層23進行曝光。曝光後，藉由實施顯影處理，如圖12所示在層間絕緣膜22的表面22a的整個面形成電磁波吸收膜24，並且感應器12和感應器14藉由電磁波吸收膜24而被覆蓋。藉此，獲得圖12的結構體10c。
另外，電磁波吸收膜24只要設置於被動元件11的基板20的相反一側，則並不特別限定於在上述層間絕緣膜22的表面22a的整個面設置電磁波吸收膜24之構成。例如，在感應器12及感應器14中的至少一者的基板20的相反一側設置電磁波吸收膜24即可。在該情況下，可以將電磁波吸收膜24設置於感應器12及感應器14的整個面，但只要設置於感應器12的開口部13及感應器14的開口部15中的至少一者之構成即可。
[結構體的第5例]
圖15係表示本發明的實施形態的結構體的第5例之示意性立體圖。在圖15中，關於與圖1及圖2中示出之結構體10、圖3中示出之感應器12及圖4中示出之感應器14相同的構成物，標記同一符號，省略其詳細說明。
關於圖15的結構體10d，與圖1及圖2中示出之結構體10相比，除了在基板20與被動元件11之間配置電磁波吸收膜24、感應器12及感應器14設置於層間絕緣膜22以外，與圖1及圖2中示出之結構體10的構成相同。
電磁波吸收膜24配置於基板20的表面20a的整個面。感應器12和感應器14設置於電磁波吸收膜24上。
能夠藉由在基板20與被動元件11之間設置電磁波吸收膜24而吸收電磁波，能夠獲得與圖1及圖2中示出之結構體10相同的效果。
另外，感應器12和感應器14只要設置於電磁波吸收膜24上，則並不限定於設置於層間絕緣膜22。感應器12和感應器14可以以不存在層間絕緣膜22之狀態設置於電磁波吸收膜24上。
另外，電磁波吸收膜24只要設置於基板20與被動元件11之間，則並不特別限定於在上述基板20的表面20a的整個面設置電磁波吸收膜24之構成。例如，只要在感應器12及感應器14中的至少一者與基板20之間設置電磁波吸收膜24即可。在該情況下，可以將電磁波吸收膜24設置於感應器12及感應器14的整個面，但只要設置於感應器12的開口部13及感應器14的開口部15中的至少一者之構成即可。藉此，能夠如上所述那樣有效地屏蔽電磁波。
[結構體的第5例之製造方法]
圖16及圖17係按步驟順序表示本發明的實施形態的結構體的第5例之製造方法的一例之示意性剖面圖。在圖16及圖17中，關於與圖1及圖2中示出之結構體10、圖3中示出之感應器12及圖4中示出之感應器14相同的構成物，標記同一符號，省略其詳細說明。
首先，如圖16所示，藉由在基板20的表面20a的整個面塗佈上述感光性組成物而在基板20的表面20a的整個面形成組成物層23。例如，組成物層23係負型組成物層，藉由顯影處理而去除未曝光部。
接著，對整個組成物層23進行曝光。曝光後，藉由實施顯影處理，如圖17所示在基板20的表面20a的整個面形成電磁波吸收膜24。
接著，在電磁波吸收膜24上形成感應器12及感應器14。在該情況下，在層間絕緣膜22內形成感應器12和感應器14。藉此，獲得圖15中示出之結構體10d。
感應器12和感應器14例如藉由組合複數次積層濺射、PVD（Physical Vapor Deposition：物理氣相沉積）、CVD（Chemical Vapor Deposition：化學氣相沉積）、光微影、乾式蝕刻、濕式蝕刻、電漿灰化、銅電鍍、CMP（Chemical Mechanical Polishing：化學機械研磨）漿料研磨及濕式蝕刻等步驟之元件微細加工技術來形成。
另外，感應器12和感應器14可以不在層間絕緣膜22內形成而在電磁波吸收膜24上直接形成。
[結構體的第6例]
圖18係表示本發明的實施形態的結構體的第6例之示意性立體圖。在圖18中，關於與圖1及圖2中示出之結構體10、圖3中示出之感應器12及圖4中示出之感應器14相同的構成物，標記同一符號，省略其詳細說明。
關於圖18的結構體10e，與圖1及圖2中示出之結構體10相比，除了在基板20與被動元件11之間配置電磁波吸收膜24、在感應器12及感應器14的基板20的相反一側配置電磁波吸收膜24、以及感應器12及感應器14設置於層間絕緣膜22以外，與圖1及圖2中示出之結構體10的構成相同。
電磁波吸收膜24配置於基板20的表面20a的整個面。在電磁波吸收膜24的表面24a的整個面配置有層間絕緣膜22，在層間絕緣膜22內設置有感應器12和感應器14。在電磁波吸收膜24上設置有感應器12及感應器14。進而，在層間絕緣膜22的表面22a的整個面進一步設置有電磁波吸收膜24。感應器12和感應器14藉由電磁波吸收膜24來覆蓋。
藉由在基板20與被動元件11之間設置電磁波吸收膜24，並且設置覆蓋感應器12和感應器14之電磁波吸收膜24，從而能夠吸收向基板20的表面20a側放射之電磁波及向基板20的表面20a的相反一側放射之電磁波，並且能夠吸收比圖1及圖2中示出之結構體10的範圍廣之電磁波。另外，結構體10e能夠獲得與結構體10相同的效果。又，結構體10e與結構體10相比，層數多。
關於結構體10e，亦如上所述，電磁波吸收膜24只要設置於被動元件11的基板20的相反一側，則並不特別限定於在上述層間絕緣膜22的表面22a的整個面設置電磁波吸收膜24之構成。例如，在感應器12及感應器14中的至少一者的基板20的相反一側設置電磁波吸收膜24即可。在該情況下，上層的電磁波吸收膜24可以設置於感應器12及感應器14的整個面，但只要設置於感應器12的開口部13及感應器14的開口部15中的至少一者之構成即可。
圖18的結構體10e係將圖12的結構體10c和圖15的結構體10d組合之構成。另外，作為電磁波吸收膜24的配置，如上所述，可以係圖12的結構體10c及圖15的結構體10d中的任一種。
[結構體的第6例之製造方法]
圖19係按步驟順序表示本發明的實施形態的結構體的第6例之製造方法的一例之示意性剖面圖。在圖19中，關於與圖1及圖2中示出之結構體10、圖3中示出之感應器12及圖4中示出之感應器14相同的構成物，標記同一符號，省略其詳細說明。
圖18的結構體10e係在圖15中示出之結構體10d中，在與感應器12及感應器14的基板20的相反一側配置電磁波吸收膜24之構成。
在圖17中示出之構成中，藉由將上述感光性組成物塗佈於在內部設置有感應器12及感應器14之層間絕緣膜22的表面22a的整個面而如圖19所示在層間絕緣膜22上形成組成物層23。例如，組成物層23係負型組成物層，藉由顯影處理而去除未曝光部。
接著，對組成物層23進行曝光。曝光後，藉由實施顯影處理，如圖18所示在設置有感應器12及感應器14之層間絕緣膜22上進一步形成作為上層之電磁波吸收膜24。藉此，獲得圖18中示出之結構體10e。
另外，在基板20上形成之電磁波吸收膜24上不設置層間絕緣膜22而形成感應器12及感應器14之情況下，在複數個被動元件11、例如形成有感應器12及感應器14之電磁波吸收膜24上進一步形成作為上層之電磁波吸收膜24。
在上述的結構體的第1例～第6例中，在感應器14中輸入60GHz的高頻訊號之情況下，感應器12的上方的磁場例如成為如圖20所示。在圖20中，為了參考亦一併示出不存在電磁波吸收膜之構成（參閱曲線56）。從圖20可知，感應器12的上方的磁場依據感應器12中的位置而不同。藉由設置電磁波吸收膜24，與不設置電磁波吸收膜24之情況相比，能夠減小感應器12的上方的磁場。亦即，藉由設置電磁波吸收膜24，到達感應器12之電磁波被吸收，感應器12的磁場變小，能夠減小基於高頻率之影響。
在圖20中，曲線50表示在基板20上的感應器12與感應器14之間的區域21設置電磁波吸收膜24之構成（參閱圖1）。曲線51表示在感應器12的開口部13和感應器14的開口部15設置電磁波吸收膜24之構成（參閱圖8）。曲線52表示在基板20上的感應器12與感應器14之間的區域21及感應器12的開口部13和感應器14的開口部15設置電磁波吸收膜24之構成（參閱圖10）。曲線53表示在感應器12和感應器14的上方設置電磁波吸收膜24之構成（參閱圖12）。曲線54表示在基板20與感應器12及感應器14之間設置電磁波吸收膜24之構成（參閱圖15）。曲線55表示在基板20與感應器12及感應器14之間，以及感應器12和感應器14的上方設置電磁波吸收膜24之構成（參閱圖18）。
如圖20所示，在感應器12的開口部13和感應器14的開口部15設置電磁波吸收膜24之構成（參閱曲線51）能夠與以小的電磁波吸收膜24的狀態將電磁波吸收膜24設置於基板20與感應器12及感應器14之間之構成（參閱曲線54）相同程度地減小磁場。
如上所述，設置電磁波吸收膜24。在感應器12及感應器14的被動元件11上設置電磁波吸收膜24之情況下，可以在被動元件11上直接設置電磁波吸收膜24，亦可以在被動元件11與電磁波吸收膜24之間設置上述層間絕緣膜22。可以在對被動元件11圍繞電絕緣層之狀態下，設置電磁波吸收膜24。如此，在被動元件11與電磁波吸收膜24之間可以存在其他層。
另外，如上所述，關於層間絕緣膜22及電絕緣層，例如，複數磁導率μ的實數部μ’為1，複數磁導率μ的複數部μ”為零。
＜其他構成＞
天線能夠使用利用頻帶為28GHz～80GHz之通訊標準5G（Generation：代）中所使用之各種天線。
作為天線，例如能夠使用貼片天線、偶極天線、相位陣列天線。
天線例如由銅、鋁構成。又，天線的厚度為20～50μm為較佳。另外，例如，使用Flame Retardant Type1～Type5（阻燃劑 類型1～類型5）（FR-1～FR-5）等印刷基板之情況下，銅配線的厚度的標準確定，天線的厚度亦依據銅配線的厚度。又，天線的厚度可以依據由JIS（Japanese Industrial Standards：日本工業標準）C6484：2005規定之覆銅積層板的銅箔的厚度（參閱JIS C 6484：2005的表6等）。進而，使用電鍍法並由銅形成天線之情況下，天線的厚度為能夠藉由電鍍法形成之膜厚為較佳。
另外，作為半導體元件，例示出以下者。
半導體元件並沒有特別限定，例如，可以舉出邏輯LSI（Large Scale Integration：大型積體電路）（例如，ASIC（Application Specific Integrated Circuit：特殊應用積體電路）、FPGA（Field Programmable Gate Array：場域可程式閘陣列）、ASSP（Application Specific Standard Product：應用特定標準產品）等）、微處理器（例如，CPU（Central Processing Unit：中央處理單元）、GPU（Graphics Processing Unit：圖案處理單元）等）、記憶體（例如，DRAM（Dynamic Random Access Memory：動態隨機存取記憶體）、HMC（Hybrid Memory Cube：混合記憶體立方體）、MRAM（Magnetic RAM：磁性記憶體）及PCM（Phase-Change Memory：相變化記憶體）、ReRAM（Resistive RAM：可變電阻式記憶體）、FeRAM（Ferroelectric RAM：鐵電隨機存取記憶體）、快閃記憶體（NAND（Not AND）快閃）等）、功率/元件、模擬IC（Integrated Circuit：積體電路）、（例如，DC（Direct Current：直流電）-DC（Direct Current：直流電）轉換器、絕緣閘雙極電晶體（IGBT）等）、A/D轉換器、MEMS（Micro Electro Mechanical Systems：微機電系統）、（例如，加速度感測器、壓力感測器、振子、陀螺儀感測器等）、功率放大器、無線（例如，GPS（Global Positioning System：全球定位系統）、FM（Frequency Modulation：調頻）、NFC（Nearfiel dcommunication：近場通訊）、RFEM（RF Expansion Module：射頻擴展模組）、MMIC（Monolithic Microwave Integrated Circuit：單晶微波積體電路）、WLAN（Wireless Local Area Network：無線區域網路）等）、離散元件、BSI（Back Side Illumination：背面照度）、CIS（Contact Image Sensor：接觸式影像感測器）、相機模組、CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor：互補式金屬氧化物半導體）、被動元件（Passive device）、帶通濾波器（bandpass filter）、SAW（Surface Acoustic Wave：表面聲波）濾波器、RF（Radio Frequency：射頻）濾波器、RFIPD（Radio Frequency Integrated Passive Devices：射頻整合式被動元件）、BB（Broadband：寬頻）等。
[天線封裝及天線封裝之製造方法]
天線封裝係天線與FEM（Front End Module：前端模組）積層之構成。FEM係在無線電路中，包含控制天線側的發送和接收之CMOS電晶體之算術電路部分。
例如，如圖21所示，天線封裝60係在基板20上積層有陣列天線61、A/D電路62、記憶體63、ASIC64等之構成。
陣列天線61例如具有4個天線65。例如，4個天線65全部相同。陣列天線61及天線65的構成並沒有特別限定，可以依據發送或接收之頻帶、所接收之偏振方向等來適當地確定。又，陣列天線61具有4個天線65，但並不限定於此。可以不是陣列天線61，而是1個天線。
作為天線封裝之製造方法，除了電磁波吸收膜24之製造方法以外，天線、A/D電路、記憶體及ASIC等能夠適當地利用公知的方法。
另外，並不限定於天線封裝，亦能夠適用雷達等。
以下，對感光性組成物及結構體的製造方法進行說明。
感光性組成物可以係負型感光性組成物，亦可以係正型感光性組成物。在負型感光性組成物的之情況下，不包含後述之聚合性化合物之情況較多。
感光性組成物係使用於電磁波吸收膜的形成之組成物。
將使用組成物而形成之電磁波吸收膜的複數磁導率μ的實數部設為μ’，將複數部設為μ”時，電磁波吸收膜的複數磁導率μ的複數部μ”滿足下述要件1～3中的任一個。
要件1：28GHz頻率中的μ”為0.1～10
要件2：47GHz頻率中的μ”為0.1～5
要件3：60GHz頻率中的μ”為0.1～2
另外，關於使用組成物而形成之電磁波吸收膜的複數磁導率μ的複數部μ”，亦能夠與上述電磁波吸收膜的複數磁導率μ的實數部μ’和複數部μ”相同的方式進行測量。
以下，首先，對感光性組成物中所包含之各種成分進行詳細敘述。
[磁性體粒子]
感光性組成物包含磁性體粒子。磁性體粒子可以係1種，亦可以係複數種。
磁性體粒子包含金屬原子。
本說明書中，作為上述金屬原子，亦包含如硼、矽、鍺、砷、銻及碲那樣的半金屬原子。
上述金屬原子作為包含金屬元素之合金（較佳為磁性合金）、金屬氧化物（較佳為磁性氧化物）、金屬氮化物（較佳為磁性氧化物）或金屬碳化物（較佳為磁性碳化物），亦可以包含於磁性體粒子。
相對於磁性體粒子的總質量，金屬原子的含量為50～100質量%為較佳，75～100質量%為更佳，95～100質量%為進一步較佳。
作為上述金屬原子，並沒有特別限制，包含選自包括Fe、Ni及Co之群組中的至少一種金屬原子為較佳。
選自包括Fe、Ni及Co之群組中的至少一種金屬原子的含量（包含複數種之情況下，為其合計含量）相對於磁性體粒子中的金屬原子的總質量，50質量%以上為較佳，60質量%以上為更佳，70質量%以上為進一步較佳。上述含量的上限值並沒有特別限制，例如為100質量%以下，98質量%以下為較佳，95質量%以下為更佳。
磁性體粒子可以包含除了Fe、Ni及Co以外的材料，作為其具體例，可以舉出Al、Si、S、Sc、Ti、V、Cu、Y、Mo、Rh、Pd、Ag、Sn、Sb、Te、Ba、Ta、W、Re、Au、Bi、La、Ce、Pr、Nd、P、Zn、Zr、Mn、Cr、Nb、Pb、Ca、B、C、N及O。
磁性體粒子包含除了Fe、Ni及Co以外的金屬原子之情況下，包含選自包括Si、Cr、B及Mo之群組中的1種以上為較佳。
作為磁性體粒子，可以舉出Fe-Co系合金（較佳為波門杜爾鐵鈷合金（Permendur））、Fe-Ni系合金（例如，高導磁合金）、Fe-Zr系合金、Fe-Mn系合金、Fe-Si系合金、Fe-Al系合金、Ni-Mo系合金（較佳為超磁導率合金）、Fe-Ni-Co系合金、Fe-Si-Cr系合金、Fe-Si-B系合金、Fe-Si-Al系合金（較佳為三達斯特合金）、Fe-Si-B-C系合金、Fe-Si-B-Cr系合金、Fe-Si-B-Cr-C系合金、Fe-Co-Si-B系合金、Fe-Si-B-Nb系合金、Fe奈米晶合金、Fe基非晶合金及Co基非晶合金等合金以及尖晶石肥粒鐵（較佳為Ni-Zn系鐵磁體、Mn-Zn系鐵磁體）及六角晶系鐵氧體（較佳為鋇鐵磁體、磁鐵鉛礦型六角晶系鐵氧體）等鐵磁體。另外，上述合金可以係非晶形。
從電波吸收性能的觀點考慮，作為較佳的六角晶系鐵氧體，可以舉出六角晶系鐵氧體的鐵原子中的一部分被鋁原子取代之取代型的磁鐵鉛礦型六角晶系鐵氧體。從高頻帶的電波吸收的觀點考慮，進一步由Ba、Ca或Pb將合金的一部分替換之Ba-Fe-Al系合金、Ca-Fe-Al系合金或Pb-Fe-Al系合金為更佳。
磁性體粒子可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。
上述磁性體粒子的表面可以設置有表面層。如此，磁性體粒子藉由具有表面層，藉此能夠向磁性體粒子賦予與表面層的材質對應之功能。
作為表面層，可以舉出無機層或有機層。
表面層的厚度並沒有特別限定，從進一步發揮表面層的功能之觀點考慮，3～1000nm為較佳。
磁性體粒子的平均一次粒徑為20～1000nm為較佳。從在組成物中的分散、圖案解析性的觀點考慮，磁性體粒子的數均粒徑為20～500nm為更佳。
在使用穿透式電子顯微鏡以100,000倍的拍攝倍率拍攝磁性體粒子，並且以總倍率成為500,000倍之方式印刷到印相紙而獲得之粒子照片中，用數化儀描畫粒子（一次粒子）的輪廓，計算與描畫之區域的面積相同之面積的圓的直徑（圓面積相直徑），從而測量磁性體粒子的平均一次粒徑。其中，一次粒子係指未凝聚之獨立的粒子。使用穿透式電子顯微鏡之拍攝設為利用直接法在加速電壓300kV下，使用穿透式電子顯微鏡來進行。穿透式電子顯微鏡的觀察及測量中，例如能夠使用Hitachi, Ltd.製造之穿透式電子顯微鏡H-9000型及卡爾蔡司製造之圖像分析軟體KS-400來進行。將在上述測量之至少100個磁性體粒子的一次粒子的粒徑進行算術平均來計算平均一次粒徑。
磁性體粒子的形狀並沒有特別限制，可以係板狀、橢圓狀、球形及非規則形狀中的任一種。
上述磁性體粒子的含量相對於組成物的總質量為20～99質量%為較佳，25～80質量%為更佳，30～60質量%為進一步較佳。
上述磁性體粒子的含量相對於組成物的總固體成分為30～99質量%為較佳，30～80質量%為更佳，40～70質量%為進一步較佳。
組成物的總固體成分係指，除了組成物中的溶劑之構成磁性圖案部之成分。只要係構成磁性圖案部之成分，即使其性狀為液體狀，亦將其視為固體成分。
[聚合性化合物]
感光性組成物可以包含聚合性化合物。
聚合性化合物係具有聚合性基之化合物（光聚合性化合物），例如，可以舉出包括包含乙烯性不飽和鍵之基團（以下，亦簡稱為“乙烯性不飽和基”）之化合物及具有環氧基和/或氧雜環丁烷基之化合物，包含乙烯性不飽和基之化合物為較佳。
組成物包含含有乙烯性不飽和基之低分子化合物作為聚合性化合物為較佳。
上述聚合性化合物係包含1個以上的乙烯性不飽和鍵之化合物為較佳，包含2個以上的化合物為更佳，包含3個以上的化合物為進一步較佳，包含5個以上的化合物為特佳。上限例如為15個以下。作為乙烯性不飽和基，例如，可以舉出乙烯基、（甲基）烯丙基及（甲基）丙烯醯基等。
上述聚合性化合物為二新戊四醇三丙烯酸酯（作為市售品為KAYARAD D-330；Nippon Kayaku Co.,Ltd製造）、二新戊四醇四丙烯酸酯（作為市售品為KAYARAD D-320；Nippon Kayaku Co.,Ltd製造）、二新戊四醇五（甲基）丙烯酸酯（作為市售品為KAYARAD D-310；Nippon Kayaku Co.,Ltd製造）、二新戊四醇六（甲基）丙烯酸酯（作為市售品為KAYARAD DPHA；Nippon Kayaku Co.,Ltd製造、A-DPH-12E；Shin Nakamura Chemical Industry Co.,LTD.製造）及該等（甲基）丙烯醯基經由乙二醇殘基或丙二醇殘基之結構（例如，SARTOMER公司市售之SR454、SR499）為較佳。還能夠使用該等寡聚物類型。又，可以使用NK EsterA-TMMT（新戊四醇四丙烯酸酯、Shin Nakamura Chemical Industry Co.,LTD.製造）、KAYARAD RP-1040、KAYARAD DPEA-12LT、KAYARAD DPHA LT、KAYARAD RP-3060及KAYARAD DPEA-12（均為產品名稱，Nippon Kayaku Co.,Ltd.製造）等。
上述聚合性化合物可以具有羧酸基、磺酸基及磷酸基等酸基。
作為包含酸基之上述聚合性化合物的酸值，0.1～40mgKOH/g為較佳，5～30mgKOH/g為更佳。
作為組成物中的聚合性化合物的含量，並沒有特別限制，相對於組成物的總固體成分為1～40質量%為較佳，5～30質量%為更佳，10～25質量%為進一步較佳。
組成物可以包含除了上述磁性體粒子及聚合性化合物以外的其他材料。
[樹脂]
組成物可以包含樹脂。
作為樹脂，可以舉出（甲基）丙烯酸樹脂、環氧樹脂、烯-硫醇樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚樹脂、聚芳酯樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚苯樹脂、聚伸芳基醚氧化膦樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚烯烴樹脂、環狀烯烴樹脂、聚酯樹脂、苯乙烯樹脂及苯氧基樹脂等。
可以從該等樹脂中單獨使用1種，亦可以將2種以上混合使用。
作為樹脂的較佳態樣之一，可以舉出不飽和雙鍵（例如，乙烯性不飽和雙鍵）及環氧基或氧雜環丁烷基等具有聚合性基之樹脂。
又，作為樹脂的較佳態樣之一，可以舉出具有酸基、鹼基或醯胺基之樹脂。具有酸基、鹼基或醯胺基之樹脂容易發揮作為使磁性體粒子分散之分散劑的功能。
作為酸基，可以舉出羧基、磷酸基、磺酸基及酚性羥基等，羧基為較佳。
作為鹼基，可以舉出胺基（從氨、一級胺或二級胺去除1個氫原子之基團）及亞胺基。
其中，樹脂具有羧基或醯胺基為較佳。
樹脂具有酸基之情況下，樹脂的酸值為10～500mgKOH/g為較佳，30～400mgKOH/g為更佳。
作為樹脂，使用藉由提高組成物中的樹脂的分散性而對溶劑的溶解度為10g/L以上之樹脂為較佳，使用對溶劑的溶解度為20g/L以上的樹脂為更佳。
樹脂對溶劑的溶解度的上限值為2000g/L以下為較佳，1000g/L以下為更佳。
樹脂對溶劑的溶解度係指，對25℃下的溶劑1L的樹脂的溶解量（g）。
樹脂的含量相對於組成物的總質量為0.1～30質量%為較佳，1～25質量%為更佳，5～20質量%為進一步較佳。
作為樹脂的較佳態樣之一，可以舉出在組成物中，作為使磁性體粒子分散之分散劑發揮功能之樹脂（以下，亦稱為“分散樹脂”。）。藉由使用分散樹脂，本發明的效果更加優異。
〔具有包含接枝鏈之重複單元之樹脂〕
作為分散樹脂，可以舉出具有包含接枝鏈之重複單元之樹脂（以下，亦稱為“樹脂A”。）。其中，樹脂A能夠作為分散劑發揮功能以外的目的而使用。
組成物包含樹脂A之情況下，從本發明之效果更優異之觀點考慮，樹脂A的含量相對於組成物的總質量為0.1～30質量%為較佳，0.5～20質量%為更佳，1～10質量%為進一步較佳。
·包含接枝鏈之重複單元
在包含接枝鏈之重複單元中，若接枝鏈增加，則立體排斥效果變高，磁性體粒子的分散性提高。另一方面，若接枝鏈過長，則對磁性體粒子的吸附力降低，磁性體粒子的分散性存在下降之傾向。因此，接枝鏈中，除氫原子以外之原子數係40～10000為較佳，除氫原子以外之原子數為50～2000為更佳，除氫原子以外之原子數為60～500為進一步較佳｡
其中，接枝鏈係指，從主鏈的根部（從主鏈分支之基團中，與主鏈鍵結之原子）中，從主鏈至分支之基團的末端。
又，接枝鏈包含有聚合物結構為較佳，作為這種聚合物結構，例如，可以舉出聚（甲基）丙烯酸酯結構（例如，聚（甲基）丙烯酸結構）、聚酯結構、聚胺酯結構、聚脲結構、聚醯胺結構及聚醚結構。
為了提高接枝鏈與溶劑的相互作用性，並藉此來提高磁性體粒子等的分散性，接枝鏈為包含選自包括聚酯結構、聚醚結構及聚（甲基）丙烯酸酯結構之群組中的至少一種之接枝鏈為較佳，包含聚酯結構及聚醚結構中的至少任一個之接枝鏈為更佳。
樹脂A可以係使用包含接枝鏈之巨單體（具有聚合物結構，與主鏈鍵結而構成接枝鏈之單體）而獲得之樹脂。
作為包含接枝鏈之巨單體（具有聚合物結構，與主鏈鍵結而構成接枝鏈之單體），並沒有特別限制，能夠較佳地使用包含反應性雙鍵之巨單體。
樹脂A包含選自包括聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯及環狀或鏈狀的聚酯之群組中的至少一種結構為較佳，包含選自包括聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯及鏈狀的聚酯之群組中的至少一種結構為更佳，包含選自包括聚丙烯酸甲酯結構、聚甲基丙烯酸甲酯結構、聚己內酯結構及聚戊內酯結構之群組中的至少一種結構為進一步較佳。樹脂A可以單獨包含1種上述結構，亦可以包含複數個該等結構。
其中，聚己內酯結構係指，包含將ε-己內酯開環之結構作為重複單元之結構。聚戊內酯結構係指，包含將δ-戊內酯開環之結構作為重複單元之結構。
在樹脂A中，包含接枝鏈之重複單元的含量相對於樹脂A的總質量，以質量換算計為2～100質量%為較佳，2～90質量%為更佳，5～30質量%為進一步較佳。若包含接枝鏈之重複單元包含在該範圍內，則本發明的效果更加優異。
·疏水性重複單元
又，樹脂A可以包含與包含接枝鏈之重複單元不同之（亦即，不相當於包含接枝鏈之重複單元）疏水性重複單元。其中，本說明書中，疏水性重複單元係不具有酸基（例如，羧酸基、磺酸基、磷酸基、酚性羥基等）之重複單元。
疏水性重複單元係源自（對應於）ClogP值為1.2以上的化合物（單體）之重複單元為較佳，源自ClogP值為1.2～8的化合物之重複單元為更佳。藉此，能夠更確實地顯現本發明的效果。
ClogP值係能夠從Daylight Chemical Information System, Inc.獲得之由程式“CLOGP”計算而得之值。該程式提供利用Hansch，Leo的片段法（參閱下述文獻）計算而得之“計算LogP”的值。片段法係基於化合物的化學結構，將化學結構劃分為部分結構（片段），並藉由將其片段和被分配之logP貢獻部分進行相加來推算化合物的logP值。其詳細內容記載於以下文獻中。在本說明書中，使用藉由程式CLOGP v4.82計算而得之ClogP值。
A.J.Leo，Comprehensive Medicinal Chemistry，Vol.4，C.Hansch，P.G.Sammnens，J.B.Taylor and C.A.Ramsden，Eds.,p.295，Pergamon Press，1990 C.Hansch & A.J.Leo.SUbstituent Constants For Correlation Analysis in Chemistry and Biology. John Wiley & Sons.A.J.Leo.Calculating logPoct from structure.Chem.Rev.,93,1281-1306,1993.
logP係指分配係數P（Partition Coefficient）的常用對數，並且係以定量數值表示某有機化合物在油（通常為1-辛醇）和水的2相系統的平衡中如何分配之物性值，並且由以下式表示。
logP=log（Coil/Cwater）
式中，Coil表示油相中的化合物的莫耳濃度，Cwater表示水相中的化合物的莫耳濃度。
若logP的值包括0而正值增大，則油溶性增加，若以負值的絕對值增大，則水溶性增加，與有機化合物的水溶性呈負有關，作為估計有機化合物的親水性和疏水性的參數而被廣泛利用。
在樹脂A中，疏水性重複單元的含量相對於樹脂A的總質量，以質量換算計，10～90質量%為較佳，20～80質量%為更佳。
·能夠與磁性體粒子形成相互作用之官能基
樹脂A可以具有能夠與磁性體粒子形成相互作用之官能基。
樹脂A進一步含有包含能夠與磁性體粒子形成相互作用之官能基之重複單元為較佳。
作為能夠與磁性體粒子形成相互作用之官能基，例如，可以舉出酸基、鹼基、配位性基及具有反應性之官能基等。
樹脂A包含酸基、鹼基、配位性基或具有反應性之官能基之情況下，分別含有包含酸基之重複單元、包含鹼基之重複單元、包含配位性基之重複單元或具備具有反應性之官能基之重複單元為較佳。
包含作為酸基的鹼可溶性基之重複單元，可以係與上述包含接枝鏈之重複單元相同之重複單元，亦可以係不同之重複單元，作為酸基之包含鹼可溶性基之重複單元係與上述疏水性重複單元不同之重複單元（亦即，不相當於上述疏水性重複單元）。
作為能夠與磁性體粒子形成相互作用之官能基亦即酸基，例如有羧酸基、磺酸基、磷酸基及酚性羥基等，羧酸基、磺酸基及磷酸基中的至少一種為較佳，羧酸基為更佳。羧酸基對磁性體粒子的吸附力良好，並且分散性高。
亦即，樹脂A進一步含有包含羧酸基、磺酸基及磷酸基中的至少一種之重複單元為較佳。
樹脂A可以具有1種或2種以上的包含酸基之重複單元。
樹脂A含有包含酸基之重複單元之情況下，其含量相對於樹脂A的總質量，以質量換算計，5～80質量%為較佳，10～60質量%為更佳。
作為能夠與磁性體粒子形成相互作用之官能基亦即鹼基，例如有第一級胺基、第二級胺基、第三級胺基、包含N原子之雜環基及醯胺基等，從對磁性體粒子的吸附力良好，並且分散性高之觀點考慮，較佳的鹼基為第三級胺基。樹脂A可以包含1種或2種以上的該等鹼基。
樹脂A含有包含鹼基之重複單元之情況下，其含量相對於樹脂A的總質量，以質量換算計，0.01～50質量%為較佳，0.01～30質量%為更佳。
作為能夠與磁性體粒子形成相互作用之官能基亦即配位性基及具有反應性之官能基，例如，可以舉出乙醯乙醯氧基、三烷氧基甲矽烷基、異氰酸酯基、酸酐及醯氯等。從對磁性體粒子的吸附力良好且磁性體粒子的分散性高之觀點考慮，較佳的官能基為乙醯乙醯氧基。樹脂A可以具有1種或2種以上的該等基團。
樹脂A含有包含配位性基之重複單元或包含具有反應性之官能基之重複單元之情況下，該等含量相對於樹脂A的總質量，以質量換算計，10～80質量%為較佳，20～60質量%為更佳。
·乙烯性不飽和基
樹脂A可以包含乙烯性不飽和基。
作為乙烯性不飽和基，並沒有特別限制，例如，可以舉出（甲基）丙烯醯基、乙烯基及苯乙烯基等，（甲基）丙烯醯基為較佳。
作為樹脂A，其中，包含在側鏈包含乙烯性不飽和基之重複單元為較佳，在側鏈包含乙烯性不飽和基，並且包含源自（甲基）丙烯酸酯之重複單元（以下，亦稱為“在側鏈包含乙烯性不飽和基之（甲基）丙烯酸系重複單元”。）為更佳。
在側鏈包含乙烯性不飽和基之（甲基）丙烯酸系重複單元例如在含有包含羧酸基之（甲基）丙烯酸系重複單元之樹脂A中的上述羧酸基中使包含環氧丙基或脂環式環氧基之乙烯性不飽和化合物進行加成反應而獲得。只要使以這種方式導入之乙烯性不飽和基（環氧丙基或脂環式環氧基）反應，則能夠在側鏈獲得包含乙烯性不飽和基之（甲基）丙烯酸系重複單元。
樹脂A含有包含乙烯性不飽和基之重複單元之情況下，其含量相對於樹脂A的總質量，以質量換算計，30～70質量%為較佳，40～60質量%為更佳。
（其他重複單元）
此外，樹脂A為了提高膜形成性能等各種性能，則在不損害本發明的效果之範圍內，可以進一步具有包含接枝鏈之重複單元、具有與疏水性重複單元及包含能夠與磁性體粒子形成相互作用之官能基之重複單元不同之各種功能之其他重複單元。
作為這種其他重複單元，例如，可以舉出源自選自丙烯腈類及甲基丙烯腈類等之自由基聚合性化合物之重複單元。
樹脂A能夠使用1種或2種以上的該等其他重複單元，其含量相對於樹脂A的總質量，以質量換算計，0～80質量%為較佳，10～60質量%為更佳。
·樹脂A的物性
作為樹脂A的酸值，並沒有特別限制，例如，0～400mgKOH/g為較佳，10～350mgKOH/g為更佳，30～300mgKOH/g為進一步較佳，50～200mgKOH/g為特佳。
當樹脂A的酸值為50mgKOH/g以上時，能夠進一步提高磁性體粒子的沉降穩定性。
在本說明書中，例如能夠由化合物中的酸基的平均含量來計算酸值。又，藉由改變樹脂中的包含酸基之重複單元的含量來獲得具有所希望的酸值之樹脂。
樹脂A的重量平均分子量並沒有特別限制，例如3,000以上為較佳，4,000以上為更佳，5,000以上為進一步較佳，6,000以上為特佳。又，作為上限值，例如，300,000以下為較佳，200,000以下為更佳，100,000以下為進一步較佳，50,000以下為特佳。
樹脂A能夠基於公知的方法來合成。
＜鹼可溶性樹脂＞
樹脂可以包含鹼可溶性樹脂。本說明書中，鹼可溶性樹脂係指，包含促進鹼可溶性之基團（鹼可溶性基，例如，羧酸基等酸基）之樹脂，並且係指與已說明之樹脂A不同之樹脂。
作為鹼可溶性樹脂，可以舉出分子中包含至少一個鹼可溶性基之樹脂，例如，可以舉出聚羥基苯乙烯樹脂、聚矽氧烷樹脂、（甲基）丙烯酸樹脂、（甲基）丙烯醯胺樹脂、（甲基）丙烯酸/（甲基）丙烯醯胺共聚物、環氧樹脂及聚醯亞胺樹脂等。
作為鹼可溶性樹脂的具體例，可以舉出不飽和羧酸和乙烯性不飽和化合物的共聚物。
作為不飽和羧酸，並沒有特別限制，可以舉出（甲基）丙烯酸、巴豆酸及乙烯基乙酸等單羧酸類；伊康酸、順丁烯二酸及富馬酸等二羧酸或其酸酐；以及鄰苯二甲酸單（2-（甲基）丙烯醯氧基乙基）等多元羧酸單酯類；等。
作為能夠共聚合之乙烯性不飽和化合物，可以舉出（甲基）丙烯酸甲酯等。又，還能夠使用日本特開2010-097210號公報的0027及段日本特開2015-068893號公報的0036～0037段中所記載之化合物，且上述內容被編入到本說明書中。
又，能夠共聚合之乙烯性不飽和化合物可以將在側鏈包含乙烯性不飽和基之化合物進行組合使用。亦即，鹼可溶性樹脂可以包含在側鏈包含乙烯性不飽和基之重複單元。
作為側鏈中所包含之乙烯性不飽和基，（甲基）丙烯酸基為較佳。
在側鏈包含乙烯性不飽和基之重複單元例如可以在包含羧酸基之（甲基）丙烯酸系重複單元的羧酸基中，使包含環氧丙基或脂環式環氧基之乙烯性不飽和化合物進行加成反應來獲得。
作為鹼可溶性樹脂，包含硬化性基之鹼可溶性樹脂亦較佳。
作為上述硬化性基，例如，可以舉出乙烯性不飽和基（例如，（甲基）丙烯醯基、乙烯基及苯乙烯基等）及環狀醚基（例如，環氧基、氧雜環丁烷基等）等，但並不限定於該等。
其中，從能夠藉由自由基反應來控制聚合之觀點考慮，作為硬化性基，乙烯性不飽和基為較佳，（甲基）丙烯醯基為更佳。
作為包含硬化性基之鹼可溶性樹脂，在側鏈具有硬化性基之鹼可溶性樹脂等為較佳。作為包含硬化性基之鹼可溶性樹脂，可以舉出DIANAL（註冊商標）NR系列（Mitsubishi Chemical Corporation製造）、Photomer6173（含有COOH polyurethane acrylic oligomer.Diamond Shamrock Co.,Ltd製造）、ViscoatR-264、KS抗蝕劑106（均為Osaka Organic Chemical Industry Co.,Ltd.製造）、CYCLOMER P系列（例如，ACA230AA）、PLACCEL CF200系列（均為DAICEL CORPORATION製造）、Ebecryl3800（DAICEL-ALLNEX LTD.製造）及Acrycure RD-F8（NIPPON SHOKUBAI CO., LTD.製造）等。
作為鹼可溶性樹脂，還能夠使用聚醯亞胺前驅物。聚醯亞胺前驅物係指，在40～100℃下，將包含酸酐基之化合物和二胺化合物進行加成聚合反應而獲得之樹脂。
作為鹼可溶性樹脂的酸值，並沒有特別限制，30～500mgKOH/g為較佳，50～200mgKOH/g以上為更佳。
組成物含有鹼可溶性樹脂之情況下，鹼可溶性樹脂的含量相對於組成物的總質量為0.1～40質量%為較佳，0.5～30質量%為更佳，1～20質量%為進一步較佳。
〔溶劑〕
組成物可以包含溶劑。作為溶劑，可以舉出水及有機溶劑，有機溶劑為較佳。
從塗佈性的觀點考慮，溶劑的沸點100～400℃為較佳，150～300℃為更佳，170～250℃為進一步較佳。本說明書中，只要沒有特別指定，則沸點係指標準沸點。
作為有機溶劑，例如，可以舉出丙酮、甲乙酮、環己烷、乙酸乙酯、二氯乙烯、四氫呋喃、甲苯、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇二甲醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、乙醯丙酮、環己酮、環戊酮、二丙酮醇、乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇乙醚乙酸酯、乙二醇單異丙醚、乙二醇單丁醚乙酸酯、1,4-丁二醇二乙酸酯、3-甲氧基丙醇、甲氧基甲氧基乙醇、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、3-甲氧基丙基乙酸酯、N,N-二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、γ-丁內酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸甲酯、N-甲基-2-吡咯啶酮及乳酸乙酯等，但並不限定於該等。
從本發明之效果更優異之觀點考慮，溶劑的含量相對於組成物的總質量為1～60質量%為較佳，2～50質量%為更佳，3～40質量%為進一步較佳。
〔聚合起始劑〕
組成物可以包含聚合起始劑。
作為聚合起始劑，並沒有特別限制，能夠使用公知的聚合起始劑。作為聚合起始劑，例如，可以舉出光聚合起始劑及熱聚合起始劑等，光聚合起始劑為較佳。另外，作為聚合起始劑，所謂的自由基聚合起始劑為較佳。
作為組成物中的聚合起始劑的含量，並沒有特別限制，相對於組成物的總固體成分，0.5～15質量%為較佳，1.0～10質量%為更佳，1.5～8.0質量%為進一步較佳。
組成物為正型感光性組成物之情況下，組成物包含酚醛清漆樹脂及含有醌二疊氮基之化合物為較佳。
酚醛清漆樹脂係使用酸觸媒將酚類和醛類進行縮合而獲得之樹脂。作為酚醛清漆樹脂，例如，可以舉出苯酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、二甲苯酚酚醛清漆樹脂、間苯二酚醛清漆樹脂及萘酚酚醛清漆樹脂。
作為醌二疊氮基，含有醌二疊氮基之化合物例如能夠具有1,2-醌二疊氮基、1,2-萘醌二疊氮基等。
〔其他任意成分〕
組成物可以進一步包含除了上述成分以外的其他任意成分。例如，可以舉出界面活性劑、聚合抑制劑、抗氧化劑、敏化劑、共敏化劑、交聯劑（硬化劑。例如，六甲氧基三聚氰胺）、硬化促進劑、熱硬化促進劑、塑化劑、稀釋劑、感脂化劑及橡膠成分等，此外，亦可以依據需要加入對基板表面的黏附促進劑及其他助劑類（例如，消泡劑、阻燃劑、調平劑、剝離促進劑、抗氧化劑、香料、表面張力調整劑及鏈轉移劑等）等公知的添加劑。
＜＜界面活性劑＞＞
作為界面活性劑，可以舉出氟系界面活性劑、非離子系界面活性劑、陽離子系界面活性劑、陰離子系界面活性劑、矽酮系界面活性劑等各種界面活性劑｡關於界面活性劑，可以舉出國際公開第2015/166779號的0238～0245段中所記載之界面活性劑，且該內容被編入到本說明書中。
[結構體的製造方法]
本發明的結構體的製造方法包括以下步驟1及步驟2。
步驟1：將包含磁性體粒子之感光性組成物塗佈於配置有複數個被動元件之基板、配置複數個被動元件之前的基板等而形成組成物層之步驟
步驟2：對組成物層實施曝光處理及顯影處理而形成電磁波吸收膜之步驟
以下，對步驟1及步驟2的順序進行詳細敘述。
〔步驟1〕
在步驟1中，將包含磁性體粒子之感光性組成物塗佈於配置有複數個被動元件之基板、配置複數個被動元件之前的基板等而形成組成物層。另外，組成物層的形成位置能夠形成於上述的結構體的各例之製造方法中示出之位置。
所使用之組成物如上所述。
組成物的塗佈方法並沒有特別限制，可以舉出狹縫塗佈法、噴墨法、旋轉塗佈法、流延塗佈法、輥塗佈法及網板印刷法等各種塗佈方法。
塗佈之後可以依據需要實施乾燥處理。乾燥（預烘烤）例如係在加熱板、烘箱等中，在50～140℃的溫度下進行10～1800秒鐘。
作為組成物層的膜厚，1～10000μm為較佳，10～1000μm為更佳，15～800μm為進一步較佳。
〔步驟2〕
步驟2係對組成物層實施曝光處理及顯影處理而形成電磁波吸收膜之步驟。
曝光處理的方法並沒有特別限制，隔著具有圖案狀之開口部之光罩性組成物層進行光照射為較佳。光罩的圖案狀的開口部配置成形成有上述之既定的形狀的電磁波吸收膜。
曝光藉由放射線的照射來進行為較佳。作為曝光時能夠使用之放射線，g射線、h射線及i射線等紫外線為較佳，作為光源，高壓水銀燈為較佳。照射強度為5～1500mJ/cm
2為較佳，10～1000mJ/cm
2為更佳。
曝光處理之後進行加熱處理（後烘烤）為較佳。
後烘烤係用於使硬化完全進行之顯影後的加熱處理。其加熱溫度為240℃以下為較佳，220℃以下為更佳。下限並沒有特別限定，若考慮到高效且有效地處理，則50℃以上為較佳，100℃以上為更佳。
可以使用加熱板、對流式烘箱（熱風循環式乾燥機）及高頻率加熱機等加熱機構，以連續式或間歇式進行後烘烤。
顯影處理中所使用之顯影液的種類並沒有特別限制，期望係不對電路等造成損失之鹼顯影液。
作為顯影溫度，例如為20～30℃。
顯影時間例如為20～90秒鐘。為了更好地去除殘渣，近年來有時還實施120～180秒鐘。此外，為了進一步提高殘渣去除性，有時還反覆進行複數次每60秒鐘甩掉顯影液，進而供給新的顯影液之步驟。
作為鹼顯影液，藉由將鹼性化合物溶解於水以使濃度成為0.001～10質量%（較佳為0.01～5質量%）而製備之鹼性水溶液為較佳。
作為鹼性化合物，例如可以舉出氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉，矽酸鈉、偏矽酸鈉、氨水、乙胺、二乙胺、二甲基乙醇胺、氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、氫氧化四丙基銨、氫氧化四丁基銨、氫氧化苄基三甲銨、膽鹼、吡咯、哌啶及1,8-二氮雜雙環[5.4.0]-7-十一碳烯等（其中，有機鹼為較佳。）。
另外，用作鹼顯影液之情況下，一般在顯影後用水實施清洗處理。
本發明係基本上如上所述構成者。以上，關於本發明的結構體、結構體的製造方法以及組成物進行了詳細說明，但是本發明並不限定於上述實施形態，在不脫離本發明的宗旨之範圍內，當然，可以進行各種改進或變更。
[實施例]
以下，舉出實施例，對本發明的特徵進行更具體的說明。以下實施例所示之材料、試劑、物質量其比例及操作等，只要不脫離本發明的宗旨，就能夠適當地變更。從而，本發明的範圍並不限定於以下實施例。
在本實施例中，使用在基板上分開配置感應器14（參閱圖1）和感應器12（參閱圖1）之構成。基板的尺寸設為700μm×300μm。
關於感應器14，將外形設為八邊形、外側的最大寬度設為110μm、內側的最大寬度設為80μm。感應器14具有與感應器14的外形形狀相似之開口部，開口部為八邊形。開口部的最大寬度設為56μm。
將感應器14的帶狀構件的厚度設為2μm，將寬度設為15μm。
另外，將感應器14的輸入部的寬度設為20μm。感應器14的匝數設為1.75匝，匝間的間隙設為5μm。感應器14的共振頻率為60GHz。
關於感應器12，將外形設為八邊形，外側的最大寬度設為110μm，內側的最大寬度設為80μm。將感應器12的帶狀構件的厚度設為2μm，將寬度設為15μm。感應器12具有與感應器12的外形形狀相似之開口部，開口部為八邊形。開口部的最大寬度設為56μm。
將感應器14的開口部的中心與感應器12的開口部的中心的距離設為125μm。
感應器14和感應器12均配置於距基板的表面為6.7μm的位置。
[電場衰減及磁場衰減]
在實施例1～30、比較例1～3中，在感應器12的位置測量了藉由將60GHz的高頻訊號供給至感應器14時發生之高頻率而產生之電場及磁場。此外，分別基於電磁波吸收膜的體積評價了電場及磁場。
關於電場衰減及磁場衰減，以單位dB（分貝）計算了將頻率為60GHz的高頻訊號供給至感應器14時，相隔125μm之位置的電場及磁場的累積值。計算值為負值。另外，相隔125μm之位置相當於感應器的開口部的中心的位置。
關於電場及磁場的累積值，使用COMSOL Multiphysics（註冊商標）的RF模組、電磁波（頻率區域）的物理研究，解開下述公式（a）及公式（b）中示出之漢姆霍茲波動方程式來計算。
另外，在下述公式（a）及公式（b）中，j表示虛數。分別地，ε
r=ε’-ε”×j、ε’係介電常數的實數部、ε”係介電常數的虛數部。
μr=μ’-μ” ×j、μ”係磁導率的實數部、μ”係磁導率的虛數部。
k
0=Ω（μ
0·ε
0）
1/2（m
-1）、Ω係角速度、i係電流、μ
0係真空中的磁導率、ε
0係真空中的介電常數。η
0=（μ
0·ε
0）
1/2（Ω）
μ
0=1.257×10
-6（H/m）、ε
0=8.854×10
-12（F/m）。
[數學式1]
[數學式2]
按下述評價標準價了電場的累積值（dB）除以電磁波吸收膜的體積（mm
3）之值。
又，按下述評價標準評價了磁場的累積值（dB）除以電磁波吸收膜的體積（mm
3）之值。
評價標準
A：小於-3000（dB/mm
3）
B：-3000以上且小於-150（dB/mm
3）
C：-150以上且小於-10（dB/mm
3）
D：-10以上（dB/mm
3）
另外，關於實施例21、22、23、24、27～30，分別地，如表10及11所示，將60GHz頻率變更為47GHz及28GHz，進行了上述測量。
[電磁波吸收膜的相鄰配置]
另外，將能夠在相對於感應器12及感應器14在既定的位置形成電磁波吸收膜者設為能夠相鄰配置，在下述表7～12中，記載為“可配置”。
另一方面，將不能夠在相對於感應器12及感應器14在既定的位置形成電磁波吸收膜者設為不能夠相鄰配置，在下述表7～12中，記載為“無法配置”。
＜實施例1～30、比較例1～3＞
將表1～6中示出之各種成分進行混合，分別製備了組成物。
所使用之各成分為如下所示。
（磁性體粒子）
·鋇鐵磁體-1：藉由以下方法合成。
對液體溫度保持在35℃之水400.0g進行攪拌，在攪拌過程中的水中，分別以10mL/min的流速、同一添加時刻添加所有量的將氯化鐵（III）六水合物〔FeCl
3·6H
2O〕57.0g、氯化鋇二水合物〔BaCl
2·2H
2O〕25.4g及氯化鋁六水合物〔AlCl
3·6H
2O〕10.2g溶解於水216.0g中而製備之原料水溶液以及將濃度為5mol/L的氫氧化鈉水溶液181.3g加入到水113.0g中而製備之溶液，獲得了第1液。
接著，將第1液的液體萬體設為25℃之後，以保持該液體溫度之狀態添加濃度為1mol/L的氫氧化鈉水溶液39.8g，獲得了第2液。所獲得之第2液的pH為10.5±0.5。使用台式pH計（HORIBA, Ltd.製造之F-71）測量了pH。
接著，將第2液攪拌15分鐘，獲得了包含成為磁鐵鉛礦型六角晶系鐵氧體的前驅物之沉澱物之液體（含有前驅物之液體）。
接著，對含有前驅物之液體進行3次離心分離處理（轉速：2000rpm（revolutions per minute：每分鐘轉數）、旋轉時間：10分鐘），回收所獲得之沉澱物並進行了水洗。
接著，在內部環境溫度為95℃的烘箱內，使所回收之沉澱物乾燥12小時，獲得了前驅物的粉體。
接著，將前驅物的粉體放入回熱爐中，在大氣環境下，將爐內的溫度設定為1100℃，藉由煆燒4小時而獲得了塊狀的煆燒體。
接著，作為粉碎機使用切割機（OSAKA CHEMICAL Co.,Ltd.製造之Wonder Crusher WC-3），該粉碎機的變速刻度盤設置為“5”（轉速：約10000～15000rpm），並且將所獲得之煆燒體粉碎90秒鐘，獲得了磁性粉末（鋇鐵磁體-1）。
藉由X射線衍射分析確認了構成上述各磁性粉體之磁性體的晶體結構。作為測量裝置，使用了粉末X射線衍射裝置亦即PANalytical公司的X’Pert Pro。以下，示出測量條件。
-測量條件-
X射線源：CuKα射線
〔波長：1.54Å（0.154nm）、輸出：40mA、45kV〕
掃描範圍：20°＜2θ＜70°
掃描間隔：0.05°
掃描速度：0.75°/min
從上述X射線衍射分析的結果中確認到，所獲得之磁性粉體具有磁鐵鉛礦型晶體結構，其為不包含除了磁鐵鉛礦型以外的晶體結構之單相的磁鐵鉛礦型六角晶系鐵氧體的粉體。
·鋇鐵磁體-2：藉由以下方法合成。
使用BMXF-5、BGRIMM（Beljing General Research Institute of Mining & Metallurgy）磁性體材料，實施了微粒粉碎步驟。
具體而言，將上述磁性體粉體（50g）、水（100g）、直徑1mm的鋯珠（500g）放入到250ml搖動用聚乙烯瓶（用Teflon（註冊商標）封口），用塗料攪拌器（paint shaker）攪拌了18小時。用尼龍網PA-77μm（AS ONE）過濾混合內容物，回收了濾液。在水洗幾次之後，除去上清水，用乾燥烘箱在80℃下，乾燥8.5小時，獲得了鋇鐵磁體-2。
·鋇鐵磁體-3：藉由以下方法合成。
使用MC-617（Toda Kogyo Corporation製造）磁性材料，以與上述鋇鐵磁體-2相同的方式實施微粒化步驟，獲得了鋇鐵磁體-3。
·鍶鐵磁體：藉由以下的方法合成。
使用Wonder Crush/Mill（WDL-1型：OSAKA CHEMICAL Co.,Ltd.製造），將碳酸鍶〔SrCO
3；FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製造〕46.3g、α-氧化鐵（III）〔α-Fe
2O
3；FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製造〕255.1g及氧化鋁〔Al
2O
3；FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製造，平均粒子尺寸：40nm〕14.8g攪拌了2分鐘。
在所獲得之混合物中添加水300g和焊劑（氯化鍶·6水合物〔SrCl
2·6H
2O；FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製造〕）30.0g，藉由攪拌摻合機（7011HSJ型、WARING公司製造）攪拌30分鐘之後，在內部環境溫度為95℃的乾燥裝置內進行了乾燥。
接著，使用上述Wonder Crush/Mill，將乾燥後的混合物攪拌並粉碎2分鐘，獲得了磁性粉體的前驅物。將所獲得之前驅物放入回熱爐中，在大氣環境下，將爐內的溫度設定為1250℃的溫度條件，燒成4小時而獲得了燒成體。使用上述Wonder Crush/Mill攪拌並粉碎2分鐘所獲得之燒成體，用水重複清洗之後，在內部環境溫度為95℃的乾燥裝置內進行了乾燥。
然後，使用上述Wonder Crush/Mill攪拌並粉碎2分鐘而獲得了磁性粉體。
·稀土類-鐵-氮系磁性體：藉由國際公開第2008/136391號中記載之方法合成。
·含釔鐵磁體：藉由“粉體及粉體冶金”第50卷1號63-67頁中記載之方法鑄造之後，粉碎成粒徑為3μm。
·ε型氧化鐵：藉由日本特開2016-111341號公報中記載之方法合成。
·Fe-Mn系鐵磁體：藉由以下方法合成。
使用M05S（Powdertech Co.,Ltd.製造）磁性材料，以與上述鋇鐵磁體-2相同的方式實施微粒化步驟，獲得了Fe-Mn系鐵磁體。Fe-Mn系鐵磁體粒子的平均一次粒徑為100nm。
·Ni-Fe系磁性體：藉由以下方法合成。
係以Ni：87%、Fe：13%的組成比，藉由氣相還原法製作之鎳-鐵合金粉末。Ni-Fe系磁性體的平均一次粒徑為100nm。
·鎳鋅鐵磁體：藉由日本特開2001-053483號公報中記載之方法合成。
（分散劑）
·X-1：由以下結構式表示之樹脂。以下式中的各重複單元中的數值表示相對於所有重複單元的含量（質量%）。
[化學式1]
·X-2：以下結構式所表示之樹脂。以下式中的各重複單元中的數值表示相對於所有重複單元的含量（質量%）。
[化學式2]
（樹脂）
·B-1：以下結構式所表示之樹脂。以下式中的各重複單元中的數值表示相對於所有重複單元的含量（質量%）。
[化學式3]
·B-2：CYCLOMER P（ACA）230AA（DAICEL CHEMICAL INDUSTRIES,LTD.製造）
·B-3：酚醛清漆樹脂
另外，上述B-1及B-2相當於鹼可溶性樹脂。
（聚合性化合物）
·KAYARAD DPHA（Nippon Kayaku Co.,Ltd.製造、二新戊四醇六丙烯酸酯與二新戊四醇五丙烯酸酯的混合物）
·KAYARAD RP-1040（Nippon Kayaku Co.,Ltd製造、4官能丙烯酸酯）
·NK酯 A-TMMT（Shin Nakamura Chemical Industry Co.,LTD.製造、多官能丙烯酸酯）
·六甲氧基甲基三聚氰胺（SANWA CHEMICAL CO.,LTD.製造）
（聚合起始劑）
·Irgacure OXE-01（BASF JAPAN公司製造，肟酯系起始劑）
·下述結構的化合物（1）
[化學式4]
（感光材料）
·二苯甲酮衍生物：日本特開2002-040651號公報的0037段中記載之2,3,4-三羥基二苯甲酮-1,2-萘醌二疊氮-5-磺酸酯（2S：3個羥基中的2個取代、1個為H）
（抗氧化劑）
·對甲氧基苯酚（Sanritsu chemy All Rights Reserved.製造）
·ADEKA STAB AO-80（ADEKA CORPORATION製造、下述結構的化合物）
[化學式5]
（界面活性劑）
·KF-6001（Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.製造、兩末端甲醇改質聚二甲基矽氧烷、羥值62mgKOH/g）
·Polyfox PF6320（OMNOVA Solutions Inc.製造、氟系界面活性劑）
（溶劑）
·PGMEA（丙二醇單甲醚乙酸酯）
將在上述製作之組成物塗佈於配置有感應器12和感應器14之基板上而形成了組成物層。然後，在100℃下，對組成物層施加了2分鐘的乾燥處理。另外，關於組成物層的厚度，調整了組成物的塗佈量，以使表1中記載之電磁波吸收膜的膜厚成為30μm。另外，基板設為矽基板。
接著，隔著具有既定的開口部之遮罩，藉由USHIO簡易曝光裝置，並且在10mJ/cm
2的條件下進行了組成物層的曝光處理，以形成如圖8中示出之電磁波吸收膜。如圖8所示，在感應器12和感應器14的開口部分別配置電磁波吸收膜時，在下述表1～6中，設為“內”。
曝光後，使用簡易顯影裝置（Mikasa Corporation製造），在23℃下進行了60秒鐘的噴淋顯影處理。另外，顯影液中使用了四甲基氫氧化銨（TMAH）的含量為0.3質量%的水溶液。
顯影後，進行了基於使用純水之旋轉噴淋之沖洗處理，接著，進行旋轉乾燥之後，使用220℃的加熱板進行5分鐘的加熱處理（後烘烤），形成了既定形狀的電磁波吸收膜。
（實施例2～30）
除了將圖案的種類、磁性體粒子的平均一次粒徑、磁性體圖案部的膜厚等各種條件變更為後述表1～6中所示以外，按照與實施例1相同的順序，製造了具有磁性體圖案部之結構體。
將各實施例的結果匯總在後述之表中。
另外，實施例2～9中，將電磁波吸收膜的配置設為圖8中示出之電磁波吸收膜的配置，並且設為與實施例1相同。
實施例10、11中，設為圖1中示出之電磁波吸收膜的配置。
如圖1所示，在感應器12與感應器14之間配置電磁波吸收膜時，在下述表1～6中，設為“外”。
實施例12、13中，設為圖10中示出之電磁波吸收膜的配置。在圖10中示出之電磁波吸收膜的配置係圖1中示出之電磁波吸收膜的配置和圖8中示出之電磁波吸收膜的配置的組合，在下述表1～6中，設為“內+外”。
實施例14、15中，設為圖12中示出之電磁波吸收膜的配置。如圖12所示，在感應器12與感應器14上配置電磁波吸收膜時，在下述表1～6中，設為“上”。
實施例16、17中，設為圖15中示出之電磁波吸收膜的配置。如圖15所示，在基板、感應器12、感應器14之下配置電磁波吸收膜時，在下述表1～6中，設為“下”。
實施例18～20中，設為圖18中示出之電磁波吸收膜的配置。在圖18中示出之電磁波吸收膜的配置係圖12中示出之電磁波吸收膜的配置和圖15中示出之電磁波吸收膜的配置的組合，在下述表1～6中，設為“上+下”。
實施例21～30中，將電磁波吸收膜的配置設為圖8中示出之電磁波吸收膜的配置，並且設為與實施例1相同。實施例25、27、29中，磁性體粒子為2種，在磁性體粒子尺寸的欄中記載了各自的粒徑。將上段的磁性體粒子的粒徑記載於左側，將下段的磁性體粒子的粒徑記載於右側。
（比較例1～3）
比較例1中，除了不使用磁性體粒子以外，設為與實施例1相同。比較例1中，由於未使用磁性體粒子，因此未形成電磁波吸收膜。
比較例2中，如圖22中示出之結構體100那樣，由銅層102構成實施例1的電磁波吸收膜。銅層102係厚度為10μm，在感應器12的區域和感應器14的區域具有四邊形的開口部102a。開口部102a的尺寸為V
1×V
2。將V
1設為165μm，將V
2設為155μm。
銅層係藉由重複進行積層濺射、光微影、乾式蝕刻、電漿灰化、銅電鍍、CMP漿料研磨及濕式蝕刻等步驟，並且藉由元件微細加工技術來形成。
另外，在圖22中示出之結構體100中，關於與圖1及圖2中示出之結構體10相同的構成物，標記同一符號，省略其詳細說明。
比較例3中，除了在磁性體粒子中使用鎳鋅鐵磁體，複數磁導率μ的複數部μ”在60GHz、47GHz及28GHz下為零以外，設為與實施例1相同。
藉由以下方式測量了電磁波吸收膜的複數磁導率μ的複數部μ”。
作為測量裝置，使用Keysight Technologies, Inc.的向量網路分析儀（產品名稱：N5225B）及KEYCOM Corporation的喇叭天線（產品名稱：RH12S23、RH06S10）。接著，藉由自由空間法，將入射角度設為0°、將掃描頻帶設為55.0GHz～95.0GHz，並且將上述各電磁波吸收膜的一個平面朝向入射側，每0.1GHz進行S參數的測量，求出60GHz的複數磁導率μ的複數部μ”。改變掃描頻帶，求出28GHz及47GHz的複數磁導率μ的複數部μ”。
表1～6中記載之“磁性體粒子的尺寸”欄表示磁性體粒子的平均一次粒徑。
[表1]
| 實施例 | 實施例 | 實施例 | 實施例 | 實施例 | 實施例 | ||
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | ||
| 磁性體粒子 | 鋇鐵磁體-1 | 39.23 | 39.23 | 39.23 | 39.23 | 39.23 | 39.23 |
| 鋇鐵磁體-2 | |||||||
| 鋇鐵磁體-3 | |||||||
| 鍶鐵磁體 | |||||||
| 稀土類-鐵-氮系磁性體 | |||||||
| 含釔鐵磁體 | |||||||
| ε型氧化鐵 | |||||||
| Fe-Mn系鐵磁體 | |||||||
| Ni-Fe系磁性體 | |||||||
| 鎳鋅鐵磁體 | |||||||
| 分散劑 | X-1 | 7.06 | 7.06 | 7.06 | 7.06 | 7.06 | |
| X-2 | 7.06 | ||||||
| 樹脂 | B-1 | 3.24 | 1.74 | 4.24 | 3.24 | 3.24 | |
| B-2 | 3.24 | ||||||
| B-3 | |||||||
| 聚合性化合物 | KAYARAD DPHA | 15.05 | 16.55 | 14.05 | 15.05 | ||
| KAYARAD RP-1040 | 15.05 | ||||||
| NK酯 A-TMMT | 15.05 | ||||||
| 六甲氧基甲基三聚氰胺 | |||||||
| 聚合起始劑 | Irgacure OXE-01 | 3.76 | 3.76 | 3.76 | 3.76 | 3.76 | 3.76 |
| 化合物（1） | |||||||
| 感光材料 | 二苯甲酮衍生物DNQ | ||||||
| 抗氧化劑 | 對甲氧基苯酚 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 |
| ADEKA STAB AO-80 | |||||||
| 界面活性劑 | KF-6001 | 0.04 | 0.04 | 0.04 | 0.04 | 0.04 | 0.04 |
| Polyfox PF6320 | |||||||
| 溶劑 | PGMEA | 31.61 | 31.61 | 31.61 | 31.61 | 31.61 | 31.61 |
| 合計（質量份） | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | |
| 電磁波吸收膜的配置 | 內 | 內 | 內 | 內 | 內 | 內 | |
| 磁性體粒子的尺寸 | 100nm | 100nm | 100nm | 100nm | 100nm | 100nm | |
| 膜厚 | 30μm | 30μm | 30μm | 30μm | 30μm | 30μm | |
| 60GHz下的μ” | 0.48 | 0.48 | 0.48 | 0.48 | 0.48 | 0.48 | |
| 47GHz下的μ” | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| 28GHz下的μ” | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| 塗佈條件 | 100℃/2分鐘 | 100℃/2分鐘 | 100℃/2分鐘 | 100℃/2分鐘 | 100℃/2分鐘 | 100℃/2分鐘 | |
| 曝光條件 | 10mJ/cm 2 | 10mJ/cm 2 | 10mJ/cm 2 | 10mJ/cm 2 | 10mJ/cm 2 | 10mJ/cm 2 | |
| 顯影條件 | 60秒鐘 | 60秒鐘 | 60秒鐘 | 60秒鐘 | 60秒鐘 | 60秒鐘 | |
| 烘烤條件 | 220℃/5分鐘 | 220℃/5分鐘 | 220℃/5分鐘 | 220℃/5分鐘 | 220℃/5分鐘 | 220℃/5分鐘 |
[表2]
| 實施例 | 實施例 | 實施例 | 實施例 | 實施例 | 實施例 | ||
| 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | ||
| 磁性體粒子 | 鋇鐵磁體-1 | 39.23 | 39.23 | 39.23 | 39.23 | ||
| 鋇鐵磁體-2 | |||||||
| 鋇鐵磁體-3 | |||||||
| 鍶鐵磁體 | 39.23 | 39.23 | |||||
| 稀土類-鐵-氮系磁性體 | |||||||
| 含釔鐵磁體 | |||||||
| ε型氧化鐵 | |||||||
| Fe-Mn系鐵磁體 | |||||||
| Ni-Fe系磁性體 | |||||||
| 鎳鋅鐵磁體 | |||||||
| 分散劑 | X-1 | 7.06 | 7.06 | 7.06 | 7.06 | 7.06 | 7.06 |
| X-2 | |||||||
| 鹼可溶性樹脂 | B-1 | 3.24 | 3.24 | 3.24 | 3.24 | 3.24 | 3.24 |
| B-2 | |||||||
| B-3 | |||||||
| 聚合性化合物 | KAYARAD DPHA | 15.05 | 15.05 | 15.05 | 15.05 | 15.05 | 15.05 |
| KAYARAD RP-1040 | |||||||
| NK酯 A-TMMT | |||||||
| 六甲氧基甲基三聚氰胺 | |||||||
| 聚合起始劑 | Irgacure OXE-01 | 3.76 | 3.76 | 3.76 | 3.76 | 3.76 | 3.76 |
| 化合物（1） | |||||||
| 感光材料 | 二苯甲酮衍生物DNQ | ||||||
| 抗氧化劑 | 對甲氧基苯酚 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | ||
| ADEKA STAB AO-80 | 0.01 | 0.01 | |||||
| 界面活性劑 | KF-6001 | 0.04 | 0.04 | 0.04 | 0.04 | 0.04 | |
| Polyfox PF6320 | 0.04 | ||||||
| 溶劑 | PGMEA | 31.61 | 31.61 | 31.61 | 31.61 | 31.61 | 31.61 |
| 合計（質量份） | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | |
| 電磁波吸收膜的配置 | 內 | 內 | 內 | 外 | 外 | 內+外 | |
| 磁性體粒子的尺寸 | 100nm | 100nm | 100nm | 100nm | 100nm | 100nm | |
| 膜厚 | 30μm | 30μm | 30μm | 30μm | 30μm | 30μm | |
| 60GHz下的μ” | 0.48 | 0.48 | 0.49 | 0.48 | 0.49 | 0.48 | |
| 47GHz下的μ” | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| 28GHz下的μ” | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| 塗佈條件 | 100℃/2分鐘 | 100℃/2分鐘 | 100℃/2分鐘 | 100℃/2分鐘 | 100℃/2分鐘 | 100℃/2分鐘 | |
| 曝光條件 | 10mJ/cm 2 | 10mJ/cm 2 | 10mJ/cm 2 | 10mJ/cm 2 | 10mJ/cm 2 | 10mJ/cm 2 | |
| 顯影條件 | 60秒鐘 | 60秒鐘 | 60秒鐘 | 60秒鐘 | 60秒鐘 | 60秒鐘 | |
| 烘烤條件 | 220℃/5分鐘 | 220℃/5分鐘 | 220℃/5分鐘 | 220℃/5分鐘 | 220℃/5分鐘 | 220℃/5分鐘 |
[表3]
| 實施例 | 實施例 | 實施例 | 實施例 | 實施例 | 實施例 | ||
| 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | ||
| 磁性體粒子 | 鋇鐵磁體-1 | 39.23 | 39.23 | 39.23 | |||
| 鋇鐵磁體-2 | |||||||
| 鋇鐵磁體-3 | |||||||
| 鍶鐵磁體 | 39.23 | 39.23 | 39.23 | ||||
| 稀土類-鐵-氮系磁性體 | |||||||
| 含釔鐵磁體 | |||||||
| ε型氧化鐵 | |||||||
| Fe-Mn系鐵磁體 | |||||||
| Ni-Fe系磁性體 | |||||||
| 鎳鋅鐵磁體 | |||||||
| 分散劑 | X-1 | 7.06 | 7.06 | 7.06 | 7.06 | 7.06 | 7.06 |
| X-2 | |||||||
| 樹脂 | B-1 | 3.24 | 3.24 | 3.24 | 3.24 | 3.24 | 3.24 |
| B-2 | |||||||
| B-3 | |||||||
| 聚合性化合物 | KAYARAD DPHA | 15.05 | 15.05 | 15.05 | 15.05 | 15.05 | 15.05 |
| KAYARAD RP-1040 | |||||||
| NK酯 A-TMMT | |||||||
| 六甲氧基甲基三聚氰胺 | |||||||
| 聚合起始劑 | Irgacure OXE-01 | 3.76 | 3.76 | 3.76 | 3.76 | 3.76 | 3.76 |
| 化合物（1） | |||||||
| 感光材料 | 二苯甲酮衍生物DNQ | ||||||
| 抗氧化劑 | 對甲氧基苯酚 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 |
| ADEKA STAB AO-80 | |||||||
| 界面活性劑 | KF-6001 | 0.04 | 0.04 | 0.04 | 0.04 | 0.04 | 0.04 |
| Polyfox PF6320 | |||||||
| 溶劑 | PGMEA | 31.61 | 31.61 | 31.61 | 31.61 | 31.61 | 31.61 |
| 合計（質量份） | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | |
| 電磁波吸收膜的配置 | 內+外 | 上 | 上 | 下 | 下 | 上+下 | |
| 磁性體粒子的尺寸 | 100nm | 100nm | 100nm | 100nm | 100nm | 100nm | |
| 膜厚 | 30μm | 30μm | 30μm | 30μm | 30μm | 30μm | |
| 60GHz下的μ” | 0.49 | 0.48 | 0.49 | 0.48 | 0.49 | 0.48 | |
| 47GHz下的μ” | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| 28GHz下的μ” | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| 塗佈條件 | 100℃/2分鐘 | 100℃/2分鐘 | 100℃/2分鐘 | 100℃/2分鐘 | 100℃/2分鐘 | 100℃/2分鐘 | |
| 曝光條件 | 10mJ/cm 2 | 10mJ/cm 2 | 10mJ/cm 2 | 10mJ/cm 2 | 10mJ/cm 2 | 10mJ/cm 2 | |
| 顯影條件 | 60秒鐘 | 60秒鐘 | 60秒鐘 | 60秒鐘 | 60秒鐘 | 60秒鐘 | |
| 烘烤條件 | 220℃/5分鐘 | 220℃/5分鐘 | 220℃/5分鐘 | 220℃/5分鐘 | 220℃/5分鐘 | 220℃/5分鐘 |
[表4]
| 實施例 | 實施例 | 實施例 | 實施例 | 實施例 | 實施例 | ||
| 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | ||
| 磁性體粒子 | 鋇鐵磁體-1 | 39.23 | |||||
| 鋇鐵磁體-2 | 39.23 | ||||||
| 鋇鐵磁體-3 | 39.23 | ||||||
| 鍶鐵磁體 | 39.23 | ||||||
| 稀土類-鐵-氮系磁性體 | |||||||
| 含釔鐵磁體 | |||||||
| ε型氧化鐵 | |||||||
| Fe-Mn系鐵磁體 | 39.23 | ||||||
| Ni-Fe系磁性體 | 39.23 | ||||||
| 鎳鋅鐵磁體 | |||||||
| 分散劑 | X-1 | 7.06 | 7.06 | 7.06 | 7.06 | 7.06 | 7.06 |
| X-2 | |||||||
| 樹脂 | B-1 | 3.24 | 3.24 | 3.24 | 3.24 | 3.24 | |
| B-2 | |||||||
| B-3 | 13.6 | ||||||
| 聚合性化合物 | KAYARAD DPHA | 15.05 | 15.05 | 15.05 | |||
| KAYARAD RP-1040 | 15.05 | 15.05 | |||||
| NK酯 A-TMMT | |||||||
| 六甲氧基甲基三聚氰胺 | 3.68 | ||||||
| 聚合起始劑 | Irgacure OXE-01 | 3.76 | 3.76 | 3.76 | 3.76 | 3.76 | |
| 化合物（1） | |||||||
| 感光材料 | 二苯甲酮衍生物DNQ | 4.77 | |||||
| 抗氧化劑 | 對甲氧基苯酚 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 |
| ADEKA STAB AO-80 | |||||||
| 界面活性劑 | KF-6001 | 0.04 | 0.04 | 0.04 | 0.04 | 0.04 | 0.04 |
| Polyfox PF6320 | |||||||
| 溶劑 | PGMEA | 31.61 | 31.61 | 31.61 | 31.61 | 31.61 | 31.61 |
| 合計（質量份） | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | |
| 電磁波吸收膜的配置 | 上+下 | 上+下 | 內 | 內 | 內 | 內 | |
| 磁性體粒子的尺寸 | 100nm | 100nm | 100nm | 100nm | 100nm | 100nm | |
| 膜厚 | 30μm | 30μm | 30μm | 30μm | 30μm | 30μm | |
| 60GHz下的μ” | 0.49 | 0.48 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| 47GHz下的μ” | 0 | 0 | 0.70 | 0 | 0 | 0 | |
| 28GHz下的μ” | 0 | 0 | 0 | 0.79 | 0.2 | 0.1 | |
| 塗佈條件 | 100℃/2分鐘 | 100℃/2分鐘 | 100℃/2分鐘 | 100℃/2分鐘 | 100℃/2分鐘 | 100℃/2分鐘 | |
| 曝光條件 | 10mJ/cm 2 | 10mJ/cm 2 | 10mJ/cm 2 | 10mJ/cm 2 | 10mJ/cm 2 | 10mJ/cm 2 | |
| 顯影條件 | 60秒鐘 | 60秒鐘 | 60秒鐘 | 60秒鐘 | 60秒鐘 | 60秒鐘 | |
| 烘烤條件 | 220℃/5分鐘 | 220℃/5分鐘 | 220℃/5分鐘 | 220℃/5分鐘 | 220℃/5分鐘 | 220℃/5分鐘 |
[表5]
| 實施例 | 實施例 | 實施例 | 實施例 | 實施例 | 實施例 | ||
| 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | ||
| 磁性體粒子 | 鋇鐵磁體-1 | ||||||
| 鋇鐵磁體-2 | 30.51 | ||||||
| 鋇鐵磁體-3 | 32.98 | ||||||
| 鍶鐵磁體 | |||||||
| 稀土類-鐵-氮系磁性體 | 3.09 | 39.23 | |||||
| 含釔鐵磁體 | 6.25 | 39.23 | |||||
| ε型氧化鐵 | 8.72 | 39.23 | |||||
| Fe-Mn系鐵磁體 | 36.14 | ||||||
| Ni-Fe系磁性體 | |||||||
| 鎳鋅鐵磁體 | |||||||
| 分散劑 | X-1 | 7.06 | 7.06 | 7.06 | 7.06 | 7.06 | 7.06 |
| X-2 | |||||||
| 樹脂 | B-1 | 3.24 | 3.24 | 3.24 | 3.24 | 3.24 | 3.24 |
| B-2 | |||||||
| B-3 | |||||||
| 聚合性化合物 | KAYARAD DPHA | ||||||
| KAYARAD RP-1040 | 15.05 | 15.05 | 15.05 | 15.05 | 15.05 | 15.05 | |
| NK酯 A-TMMT | |||||||
| 六甲氧基甲基三聚氰胺 | |||||||
| 聚合起始劑 | Irgacure OXE-01 | 3.76 | 3.76 | 3.76 | 3.76 | 3.76 | 3.76 |
| 化合物（1） | |||||||
| 感光材料 | 二苯甲酮衍生物DNQ | ||||||
| 抗氧化劑 | 對甲氧基苯酚 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 |
| ADEKA STAB AO-80 | |||||||
| 界面活性劑 | KF-6001 | 0.04 | 0.04 | 0.04 | 0.04 | 0.04 | 0.04 |
| Polyfox PF6320 | |||||||
| 溶劑 | PGMEA | 31.61 | 31.61 | 31.61 | 31.61 | 31.61 | 31.61 |
| 合計（質量份） | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | |
| 電磁波吸收膜的配置 | 內 | 內 | 內 | 內 | 內 | 內 | |
| 磁性體粒子的尺寸 | 100nm/100nm | 100nm | 100nm/100nm | 100nm | 100nm/100nm | 100nm | |
| 膜厚 | 30μm | 30μm | 30μm | 30μm | 30μm | 30μm | |
| 60GHz下的μ” | 0.2 | 0.9 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| 47GHz下的μ” | 0.54 | 0 | 0.51 | 3.5 | 0 | 0 | |
| 28GHz下的μ” | 0 | 0 | 0.66 | 0 | 0.72 | 6.8 | |
| 塗佈條件 | 100℃/2分鐘 | 100℃/2分鐘 | 100℃/2分鐘 | 100℃/2分鐘 | 100℃/2分鐘 | 100℃/2分鐘 | |
| 曝光條件 | 10mJ/cm 2 | 10mJ/cm 2 | 10mJ/cm 2 | 10mJ/cm 2 | 10mJ/cm 2 | 10mJ/cm 2 | |
| 顯影條件 | 60秒鐘 | 60秒鐘 | 60秒鐘 | 60秒鐘 | 60秒鐘 | 60秒鐘 | |
| 烘烤條件 | 220℃/5分鐘 | 220℃/5分鐘 | 220℃/5分鐘 | 220℃/5分鐘 | 220℃/5分鐘 | 220℃/5分鐘 |
[表6]
| 比較例 | 比較例 | 比較例 | ||
| 1 | 2 | 3 | ||
| 磁性體粒子 | 鋇鐵磁體-1 | |||
| 鋇鐵磁體-2 | ||||
| 鋇鐵磁體-3 | ||||
| 鍶鐵磁體 | ||||
| 稀土類-鐵-氮系磁性體 | ||||
| 含釔鐵磁體 | ||||
| ε型氧化鐵 | ||||
| Fe-Mn系鐵磁體 | ||||
| Ni-Fe系磁性體 | ||||
| 鎳鋅鐵磁體 | 39.23 | |||
| 分散劑 | X-1 | 7.06 | - | 7.06 |
| X-2 | ||||
| 樹脂 | B-1 | 3.24 | - | 3.24 |
| B-2 | ||||
| B-3 | ||||
| 聚合性化合物 | KAYARAD DPHA | 15.05 | - | |
| KAYARAD RP-1040 | 15.05 | |||
| NK酯 A-TMMT | ||||
| 六甲氧基甲基三聚氰胺 | ||||
| 聚合起始劑 | Irgacure OXE-01 | 3.76 | - | 3.76 |
| 化合物（1） | ||||
| 感光材料 | 二苯甲酮衍生物DNQ | |||
| 抗氧化劑 | 對甲氧基苯酚 | 0.01 | - | 0.01 |
| ADEKA STAB AO-80 | ||||
| 界面活性劑 | KF-6001 | 0.04 | - | 0.04 |
| Polyfox PF6320 | ||||
| 溶劑 | PGMEA | 31.61 | - | 31.61 |
| 合計（質量份） | 60.77 | 0 | 100 | |
| 電磁波吸收膜的配置 | 無 | 外 | 內 | |
| 磁性體粒子的尺寸 | 無 | - | 100nm | |
| 膜厚 | 無 | 30μm | 30μm | |
| 60GHz下的μ” | 0 | 0 | 0 | |
| 47GHz下的μ” | 0 | 0 | 0 | |
| 28GHz下的μ” | 0 | 0 | 0 | |
| 塗佈條件 | 100℃/2分鐘 | - | 100℃/2分鐘 | |
| 曝光條件 | - | - | 10mJ/cm 2 | |
| 顯影條件 | - | - | 60秒鐘 | |
| 烘烤條件 | 220℃/5分鐘 | - | 220℃/5分鐘 |
[表7]
| 實施例 | 實施例 | 實施例 | 實施例 | 實施例 | 實施例 | |
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | |
| 電磁波吸收膜的相鄰配置 | 可配置 | 可配置 | 可配置 | 可配置 | 可配置 | 可配置 |
| 頻率 | 60GHz | 60GHz | 60GHz | 60GHz | 60GHz | 60GHz |
| 電場衰減（dB）/（電磁波吸收膜的體積） | A | A | A | A | A | A |
| 磁場衰減（dB）/（電磁波吸收膜的體積） | A | A | A | A | A | A |
| 電磁波吸收膜的層數 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
[表8]
| 實施例 | 實施例 | 實施例 | 實施例 | 實施例 | 實施例 | |
| 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | |
| 電磁波吸收膜的相鄰配置 | 可配置 | 可配置 | 可配置 | 可配置 | 可配置 | 可配置 |
| 頻率 | 60GHz | 60GHz | 60GHz | 60GHz | 60GHz | 60GHz |
| 電場衰減（dB）/（電磁波吸收膜的體積） | A | A | A | C | C | B |
| 磁場衰減（dB）/（電磁波吸收膜的體積） | A | A | A | C | C | B |
| 電磁波吸收膜的層數 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
[表9]
| 實施例 | 實施例 | 實施例 | 實施例 | 實施例 | 實施例 | |
| 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | |
| 電磁波吸收膜的相鄰配置 | 可配置 | 可配置 | 可配置 | 可配置 | 可配置 | 可配置 |
| 頻率 | 60GHz | 60GHz | 60GHz | 60GHz | 60GHz | 60GHz |
| 電場衰減（dB）/（電磁波吸收膜的體積） | B | C | C | B | B | C |
| 磁場衰減（dB）/（電磁波吸收膜的體積） | B | B | B | B | B | C |
| 電磁波吸收膜的層數 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 2 |
[表10]
| 實施例 | 實施例 | 實施例 | 實施例 | 實施例 | 實施例 | |
| 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | |
| 電磁波吸收膜的相鄰配置 | 可配置 | 可配置 | 可配置 | 可配置 | 可配置 | 可配置 |
| 頻率 | 60GHz | 60GHz | 47GHz | 28GHz | 28GHz | 28GHz |
| 電場衰減（dB）/（電磁波吸收膜的體積） | C | C | A | A | A | B |
| 磁場衰減（dB）/（電磁波吸收膜的體積） | C | C | A | A | A | B |
| 電磁波吸收膜的層數 | 2 | 2 | 1 | 1 | 1 | 1 |
[表11]
| 實施例 | 實施例 | 實施例 | 實施例 | 實施例 | 實施例 | |
| 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | |
| 電磁波吸收膜的相鄰配置 | 可配置 | 可配置 | 可配置 | 可配置 | 可配置 | 可配置 |
| 頻率 | 60GHz | 60GHz | 47GHz | 47GHz | 28GHz | 28GHz |
| 電場衰減（dB）/（電磁波吸收膜的體積） | A | A | A | A | A | A |
| 磁場衰減（dB）/（電磁波吸收膜的體積） | A | A | A | A | A | A |
| 電磁波吸收膜的層數 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
[表12]
| 比較例 | 比較例 | 比較例 | |
| 1 | 2 | 3 | |
| 電磁波吸收膜的相鄰配置 | 無法配置 | 可配置 | 可配置 |
| 頻率 | 60GHz | 60GHz | 60GHz |
| 電場衰減（dB）/（電磁波吸收膜的體積） | D | D | D |
| 磁場衰減（dB）/（電磁波吸收膜的體積） | D | B | D |
| 電磁波吸收膜的層數 | 1 | 3 | 1 |
如表7～12所示，實施例1～30與比較例1～3相比，能夠將電磁波吸收膜配置於被動元件的周圍等。又，獲得了對電場及磁場的充分的屏蔽性能。
10,10a,10b,10c,10d,10e,100:結構體
11:被動元件
12,14:感應器
12a,14a:帶狀構件
13,15,102a:開口部
20:基板
20a,22a:表面
21:區域
22:層間絕緣膜
23:組成物層
24:電磁波吸收膜
30:光罩
31a:遮罩部
31b:區域
50,51,52,53,54,55,56:曲線
60:天線封裝
61:陣列天線
62:A/D電路
63:記憶體
64:ASIC
65:天線
102:銅層
圖1係表示本發明的實施形態的結構體的第1例之示意性俯視圖。
圖2係表示本發明的實施形態的結構體的第1例之示意性剖面圖。
圖3係表示本發明的實施形態的結構體的第1例的感應器的一例之示意性立體圖。
圖4係表示本發明的實施形態的結構體的第1例的感應器的一例之示意性立體圖。
圖5係表示本發明的實施形態的結構體的第1例之製造方法的一例之示意性剖面圖。
圖6係表示本發明的實施形態的結構體的第1例之製造方法的一例之示意性剖面圖。
圖7係表示本發明的實施形態的結構體的第1例之製造方法的一例之示意性剖面圖。
圖8係表示本發明的實施形態的結構體的第2例之示意性立體圖。
圖9係表示本發明的實施形態的結構體的第2例之製造方法的一例之示意性剖面圖。
圖10係表示本發明的實施形態的結構體的第3例之示意性立體圖。
圖11係表示本發明的實施形態的結構體的第3例之製造方法的一例之示意性剖面圖。
圖12係表示本發明的實施形態的結構體的第4例之示意性立體圖。
圖13係表示本發明的實施形態的結構體的第4例之製造方法的一例之示意性剖面圖。
圖14係表示本發明的實施形態的結構體的第4例之製造方法的一例之示意性剖面圖。
圖15係表示本發明的實施形態的結構體的第5例之示意性立體圖。
圖16係表示本發明的實施形態的結構體的第5例之製造方法的一例之示意性剖面圖。
圖17係表示本發明的實施形態的結構體的第5例之製造方法的一例之示意性剖面圖。
圖18係表示本發明的實施形態的結構體的第6例之示意性立體圖。
圖19係表示本發明的實施形態的結構體的第6例之製造方法的一例之示意性剖面圖。
圖20係表示感應器的磁場的一例之曲線圖。
圖21係表示天線的一例之示意性立體圖。
圖22係表示比較例2的結構體之示意性立體圖。
10:結構體
11:被動元件
12,14:感應器
13,15:開口部
21:區域
22:層間絕緣膜
24:電磁波吸收膜
Claims (15)
- 一種結構體，其具有： 基板； 複數個被動元件，配置於前述基板上；及 電磁波吸收膜，配置於前述基板上且至少位於複數個前述被動元件中對向之前述被動元件之間的基板上的區域， 前述被動元件係選自包括感應器及巴倫之群組者， 前述電磁波吸收膜包含磁性體粒子， 將前述電磁波吸收膜的複數磁導率μ的實數部設為μ’，將複數部設為μ”時，前述電磁波吸收膜的前述複數磁導率μ的前述複數部μ”滿足要件1～3中的任一個， 要件1：28GHz頻率中的μ”為0.1～10 要件2：47GHz頻率中的μ”為0.1～5 要件3：60GHz頻率中的μ”為0.1～2。
- 一種結構體，其具有： 基板； 複數個線圈狀被動元件，配置於前述基板上且具備相對於前述基板的表面開口之開口部；及 電磁波吸收膜，配置於前述基板上且位於複數個前述線圈狀被動元件中的至少一個開口部， 前述線圈狀被動元件係選自包括感應器及巴倫之群組者， 前述電磁波吸收膜包含磁性體粒子， 將前述電磁波吸收膜的複數磁導率μ的實數部設為μ’，將複數部設為μ”時，前述電磁波吸收膜的前述複數磁導率μ的前述複數部μ”滿足要件1～3中的任一個， 要件1：28GHz頻率中的μ”為0.1～10 要件2：47GHz頻率中的μ”為0.1～5 要件3：60GHz頻率中的μ”為0.1～2。
- 一種結構體，其具有： 基板； 複數個被動元件，配置於前述基板上；及 電磁波吸收膜，設置於前述基板與前述被動元件之間及前述被動元件的與前述基板的相反一側中的至少一者上， 前述被動元件係選自包括感應器及巴倫之群組者， 前述電磁波吸收膜包含磁性體粒子， 將前述電磁波吸收膜的複數磁導率μ的實數部設為μ’，將複數部設為μ”時，前述電磁波吸收膜的前述複數磁導率μ的前述複數部μ”滿足要件1～3中的任一個， 要件1：28GHz頻率中的μ”為0.1～10 要件2：47GHz頻率中的μ”為0.1～5 要件3：60GHz頻率中的μ”為0.1～2。
- 如請求項2所述之結構體，其中 前述電磁波吸收膜設置於配置於前述基板上之前述基板上的複數個前述線圈狀被動元件之間的區域。
- 如請求項3所述之結構體，其中 前述電磁波吸收膜設置於前述基板與前述被動元件的前述之間及與前述被動元件的前述基板的前述相反一側。
- 如請求項1至請求項5之任一項所述之結構體，其中 前述磁性體粒子包含Ni、Co及Fe中的至少一種金屬元素，並且平均一次粒徑為20～1000nm。
- 如請求項1至請求項5之任一項所述之結構體，其中 前述電磁波吸收膜的厚度為300μm以下。
- 一種結構體的製造方法，其包括： 將包含磁性體粒子之感光性組成物塗佈於配置有複數個被動元件之基板上而形成組成物層之步驟；及 對前述組成物層實施曝光處理及顯影處理而形成配置於前述基板上且至少位於複數個前述被動元件中對向之前述被動元件之間的區域之電磁波吸收膜之步驟， 前述被動元件係選自包括感應器及巴倫之群組者， 將前述電磁波吸收膜的複數磁導率μ的實數部設為μ’，將複數部設為μ”時，前述電磁波吸收膜的前述複數磁導率μ的前述複數部μ”滿足要件1～3中的任一個， 要件1：28GHz頻率中的μ”為0.1～10 要件2：47GHz頻率中的μ”為0.1～5 要件3：60GHz頻率中的μ”為0.1～2。
- 一種結構體的製造方法，其包括： 將包含磁性體粒子之感光性組成物塗佈於配置於基板上且具備相對於前述基板的表面開口之開口部之複數個線圈狀被動元件中的至少一個前述開口部而形成組成物層之步驟；及 對前述組成物層實施曝光處理及顯影處理而形成配置於前述基板上且位於複數個前述線圈狀被動元件中的至少一個前述開口部之電磁波吸收膜之步驟； 前述線圈狀被動元件係選自包括感應器及巴倫之群組者， 將前述電磁波吸收膜的複數磁導率μ的實數部設為μ’，將複數部設為μ”時，前述電磁波吸收膜的前述複數磁導率μ的前述複數部μ”滿足要件1～3中的任一個， 要件1：28GHz頻率中的μ”為0.1～10 要件2：47GHz頻率中的μ”為0.1～5 要件3：60GHz頻率中的μ”為0.1～2。
- 一種結構體的製造方法，其包括： 將包含磁性體粒子之感光性組成物塗佈於基板上而形成組成物層之步驟； 對前述組成物層實施曝光處理及顯影處理而在前述基板上形成電磁波吸收膜之步驟，及 在前述電磁波吸收膜上形成複數個被動元件之步驟， 前述被動元件係選自包括感應器及巴倫之群組者， 將前述電磁波吸收膜的複數磁導率μ的實數部設為μ’，將複數部設為μ”時，前述電磁波吸收膜的前述複數磁導率μ的前述複數部μ”滿足要件1～3中的任一個， 要件1：28GHz頻率中的μ”為0.1～10 要件2：47GHz頻率中的μ”為0.1～5 要件3：60GHz頻率中的μ”為0.1～2。
- 一種結構體的製造方法，其包括： 將包含磁性體粒子之感光性組成物塗佈於配置有複數個被動元件之基板上而形成組成物層之步驟； 對前述組成物層實施曝光處理及顯影處理而在前述複數個前述被動元件上形成電磁波吸收膜之步驟， 前述被動元件係選自包括感應器及巴倫之群組者， 將前述電磁波吸收膜的複數磁導率μ的實數部設為μ’，將複數部設為μ”時，前述電磁波吸收膜的前述複數磁導率μ的前述複數部μ”滿足要件1～3中的任一個， 要件1：28GHz頻率中的μ”為0.1～10 要件2：47GHz頻率中的μ”為0.1～5 要件3：60GHz頻率中的μ”為0.1～2。
- 如請求項9所述之結構體的製造方法，其中 前述形成組成物層之步驟包括在前述複數個前述線圈狀被動元件的前述開口部及配置有前述複數個前述線圈狀被動元件之前述基板上塗佈前述感光性組成物之步驟， 前述形成電磁波吸收膜之步驟係在配置於前述基板上之前述複數個前述線圈狀被動元件的前述開口部及前述基板上的複數個前述線圈狀被動元件之間的區域形成前述電磁波吸收膜之步驟。
- 如請求項10所述之結構體的製造方法，其進一步包括： 將前述感光性組成物塗佈於形成前述複數個前述被動元件之前述電磁波吸收膜上而形成組成物層之步驟；及 對前述組成物層實施曝光處理及顯影處理而在形成前述複數個前述被動元件之前述電磁波吸收膜上進一步形成電磁波吸收膜之步驟。
- 一種組成物，其使用於請求項1至請求項7之任一項所述之結構體中的電磁波吸收膜的形成，其中 前述組成物包含磁性體粒子、具有酸基之樹脂、硬化性化合物、以及聚合起始劑， 將使用前述組成物而形成之電磁波吸收膜的複數磁導率μ的實數部設為μ’，將複數部設為μ”時，前述電磁波吸收膜的前述複數磁導率μ的前述複數部μ”滿足要件1～3中的任一個， 要件1：28GHz頻率中的μ”為0.1～10 要件2：47GHz頻率中的μ”為0.1～5 要件3：60GHz頻率中的μ”為0.1～2。
- 如請求項14所述之組成物，其中 前述磁性體粒子包含Ni、Co及Fe中的至少一種金屬元素，並且平均一次粒徑為20～1000nm。
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