TW202246910A - 曝光裝置、元件製造方法、平板顯示器之製造方法及曝光方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之曝光裝置係經由根據圖像圖案來控制複數個元件之光調變器，將基板進行掃描曝光者，其包括：第1平台，支持第1基板；第2平台，支持與上述第1基板不同之第2基板；測量部，測量上述第2基板之資訊；以及生成部，基於上述資訊，於上述第1基板之曝光處理中生成於上述第2基板之掃描曝光時控制上述複數個元件之控制資料；並且上述測量部於上述第1基板之曝光處理中，測量上述第2基板之資訊。

Description

曝光裝置、元件製造方法、平板顯示器之製造方法及曝光方法
本發明係關於一種曝光裝置、元件製造方法、平板顯示器之製造方法及曝光方法。 本申請案基於2021年4月9日提出申請之日本專利特願2021-066819號而主張優先權，且將其內容引用於本文中。
先前，作為經由光學系統來對基板照射照明光之掃描型曝光裝置，已知如下曝光裝置，其將利用空間光調變元件來調變之光通過投影光學系統，使由該光所形成之像於塗佈於基板上之光阻劑上成像而曝光（例如參照專利文獻1）。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2007-108559號公報
此處，於相對於用以驅動空間光調變元件之數位曝光資料，將校準或基板對準之測量值進行修正之情形時，對準或修正資料之發送所需要之動作時間較曝光動作時間更長。因此，要求修正資料之算出以及修正資料之發送不會對節拍時間造成影響之曝光裝置。
本發明之一形態係利用包括光調變器之曝光單元，將基板進行掃描曝光之曝光裝置，其包括：第1平台，支持第1基板；第2平台，支持與上述第1基板不同之第2基板；測量部，測量上述第2基板之資訊；以及生成部，基於上述資訊，生成將上述第2基板進行曝光之曝光圖案之控制資料；並且上述生成部於上述第1基板之曝光處理中生成上述控制資料。
本發明之另一形態係利用包括光調變器之曝光單元，將基板進行掃描曝光之曝光裝置，其包括：第1平台，支持第1基板；第2平台，支持與上述第1基板不同之第2基板；以及生成部，生成將上述第2基板進行曝光之曝光圖案之控制資料；並且上述第1平台包括取得上述曝光單元之與光有關之資訊之取得部，且上述生成部基於由上述取得部所取得之資訊而生成上述控制資料。
本發明之另一形態係經由根據圖像圖案來控制複數個元件之光調變器，將基板進行掃描曝光之曝光裝置，其包括：平台，支持第1基板；接收部，接收利用與上述曝光裝置不同之裝置來測量之第2基板之資訊，上述第2基板於對上述第1基板之掃描曝光之後，利用上述曝光裝置進行掃描曝光；生成部，基於由上述接收部所接收之上述資訊，生成於上述第2基板之掃描曝光時控制上述複數個元件之控制資料；以及記憶體，於上述第1基板之曝光處理中存儲上述控制資料。
本發明之一形態包括：使用上述曝光裝置，將上述基板進行曝光；以及將經曝光之上述基板進行顯影。
本發明之一形態包括：使用上述曝光裝置，將平板顯示器用之基板進行曝光；以及將經曝光之上述基板進行顯影。
本發明之一形態係利用包括光調變器之曝光單元，將基板進行掃描曝光之曝光方法，其包括：於第1平台上支持第1基板之步驟；於第2平台上支持與上述第1基板不同之第2基板之步驟；測量上述第2基板之資訊之步驟；基於上述資訊，於上述第1基板之曝光處理中，生成將上述第2基板進行曝光之曝光圖案之控制資料之步驟。
本發明之一形態係利用包括光調變器之曝光單元，將基板進行掃描曝光之曝光裝置，其包括：於包括取得上述曝光單元之與光有關之資訊之取得部的第1平台上，支持第1基板之步驟；於第2平台上支持與上述第1基板不同之第2基板之步驟；以及基於由上述取得部所取得之資訊，生成將上述第2基板進行曝光之曝光圖案之控制資料之步驟。
本發明之一形態為經由根據圖像圖案來控制複數個元件之光調變器，將基板進行掃描曝光之曝光方法，其包括：於平台上支持第1基板之步驟；由接收部來接收利用與將上述基板進行掃描曝光之曝光裝置不同之裝置來測量之第2基板之資訊之步驟，上述第2基板於對上述第1基板之掃描曝光之後，利用上述曝光裝置來進行掃描曝光；基於由上述接收部所接收之上述資訊，生成於上述第2基板之掃描曝光時控制上述複數個元件之控制資料之步驟；以及將上述控制資料於上述第1基板之曝光處理中存儲於記憶體中之步驟。
本發明之一形態包括：利用上述曝光方法，將上述基板進行曝光；以及將經曝光之上述基板進行顯影。
本發明之一形態包括：利用上述曝光方法，將平板顯示器用之基板進行曝光；以及將經曝光之上述基板進行顯影。
以下，參照圖式，對實施方式進行詳細說明。 圖1係表示本實施方式之曝光裝置之一例之立體圖。曝光裝置1係經由光學系統來對基板10照射照明光之裝置。曝光裝置1係將由空間光調變元件75（參照圖2）所調變之光通過投影光學系統（後述照明・投影模組7），使由該光形成之像成像於感光材料（光阻劑）上而曝光者。基板10係於表面塗佈有例如光阻劑之顯示器用之玻璃基板。
如圖1所示，曝光裝置1包括：複數個（一例為2個）之基板平台4（4A、4B），支持基板10；曝光裝置本體2，為對基板10曝光預定之曝光圖案而進行掃描曝光；以及基板交換部3，用以將基板10搬送・載置於基板平台4上。
此處，將於對基板10進行掃描曝光時基板平台4所移動之方向以第1方向X1來表示。將與第1方向正交（交叉）之方向設為第2方向X2。又，將與第1方向X1及第2方向X2正交（交叉）之方向設為第3方向X3。
基板平台4將俯視時為矩形之基板10加以保持。基板平台4於掃描曝光時，如後所述，相對於曝光裝置本體而向第1方向X1移動。又，為了於基板10上分別曝光複數個曝光區域，基板平台4向第2方向X2移動。第2方向X2亦稱為非掃描方向。
如圖1及圖2所示，曝光裝置本體2包括：曝光單元20、光學定盤21、對準系統5、及自動對焦系統23。曝光單元20內藏有上述空間光調變元件75，自光源61供給光，以預先設定之曝光圖案來照射光。
曝光單元20搭載於光學定盤21上。光學定盤21係對於以在載置有基板平台4之向第1方向X1延伸之底板11上跨越之方式來設置之柱22，運動性地以3點來支持。光學定盤21係以重心大致位於底板11之第1方向X1之中央部分之方式來配置。
底板11係經由複數個防振台111而設置於地板面。底板11係於第1方向X1延伸之基盤，於上表面11a上搭載有後述之一對平台4A、4B。於底板11之上表面11a，設置有沿著第1方向X1來引導基板平台4之引導件（圖示省略）。
柱22包括：於第2方向X2上延伸之一對橫架材221、以及自橫架材221之兩端向下方延伸而與底板11連結之腳部222。此外，於腳部222，施加搭載於光學定盤21上之荷重，因此亦可於底板11與腳部222之連結部配置防振台（圖示省略）。於橫架材221之上表面，3個V槽形成於適當之位置。光學定盤21於一對橫架材221上，以使上表面21a朝向水平方向之狀態，經由3點之球而載置於上述V槽上。
於光學定盤21上搭載有：後述之照明・投影模組7、AF（auto-focus，自動對焦）系統23、第2對準系統5B。而且，於光學定盤21上，為了將曝光用光引導至基板10上，而設置有於厚度方向上貫穿之複數個第1貫穿孔21b（參照圖2）。光學定盤21之對於柱22之固定方法若為能夠確保剛性之方法，則可適當應用。
基板平台4係用以對經由後述投影模組7B而投影之曝光圖案之複數個部分像，將基板10高精度地定位者。基板平台4係以6自由度（第1方向X1、第2方向X2、第3方向X3，以及圍繞各軸X1、X2、X3而旋轉之θX1、θX2及θX3方向）來驅動。
如圖1及圖2所示，基板平台4包括：配置於底板11之一側之第1基板平台4A、以及配置於另一側之第2基板平台4B。該等基板平台4A、4B形成為平板形狀，於上表面4a，利用例如真空吸附等方法來吸附保持基板10。 一對基板平台4A、4B由底板11上之未圖示之引導件所引導，利用干涉儀53或編碼器來測量、控制基板平台4A、4B之位置，向第1方向X1或第2方向X2移動。此時之基板平台4A、4B之移動機構例如可採用藉由空氣而使基板平台4上浮，並且藉由磁力而移動之線性馬達方式等。
第1基板平台4A之可移動範圍、與第2基板平台4B之可移動範圍重疊。各基板平台4之可移動範圍之一部分並不依存於（尤其是曝光所需之衝程）基板平台4A、4B，而是共通，因此重複。於該情形時，為了使第1基板平台4A與第2基板平台4B不相互碰撞、或者干涉，各基板平台4A、4B必須設置為可移動，或者至少一個基板平台4亦必須設置對基板平台4A、4B彼此之間之距離進行測量的感測器。
基板平台4之移動路徑係以從曝光單元20之下方通過之方式來設定。即，基板平台4係以搬送至利用曝光單元20之光之照射位置（亦稱為曝光位置），且使其通過該照射位置之方式而構成。而且，於基板平台4通過曝光單元20之過程中，藉由曝光單元20而形成之像之曝光圖案曝光於基板10上。
如圖1所示，於基板平台4A、4B之上表面4a，於交換基板10時使用之複數個交換銷41設置為可於上下方向（第3方向X3）上出沒。該等交換銷41於基板平台4之上表面4a中的配置基板10之區域中，於第1方向X1及第2方向X2上隔開預定之間隔而排列。若交換銷41向上方突出，則成為於銷前端支持基板10之下表面之狀態。即，藉由使交換銷41出沒，可使基板10上升、下降。交換銷41中之自上表面4a起之突出長度至少設定為後述交換臂3A、3B之基板支持部31可於上升之基板10之下方進出之長度。
如圖1所示，基板交換部3將基板平台4上之曝光完畢之基板10向基板平台4之外方搬出，將接下來曝光之基板10搬入至曝光完畢之基板10已被搬出之基板平台4上。基板交換部3包括：第1交換臂3A，用以將第1基板平台4A上之基板10高速交換；以及第2交換臂3B，用以將第2基板平台4B上之基板10高速交換。第1交換臂3A及第2交換臂3B分別設置有使基板10相對於基板平台4而搬入之搬入臂、以及使基板10搬出之搬出臂。該等交換臂3A、3B於臂前端包括基板支持部31。交換臂3A、3B配置於各基板平台4A、4B之第2方向X2之側方，且設置為可於第1方向X1、第2方向X2及第3方向X3上移動之。交換臂3A、3B於第2方向X2上移動而使基板支持部31於基板10之下方進出，進而上升，藉此自下方支持基板10，進而於第2方向X2，向自基板平台4A、4B分離之方向移動，藉此可進行自基板平台4A、4B上取出基板10之動作。將利用基板交換部而於基板平台4上搬送基板時的底板上之基板平台4之位置稱為基板交換位置。
基板10塗佈感光性之光阻劑而搬入至曝光裝置1內，藉由交換臂3A、3B而載置於設置在基板平台4A、4B上之複數個交換銷41上。然後，使交換銷41下降，吸附於基板平台4A、4B上之基板固持器上而保持。如上所述，基板平台4A、4B必須自基板交換位置驅動至曝光位置，因此例如於如干涉儀53般之平台測量系統之情形時，可藉由於曝光位置側及基板交換位置側進行干涉儀53之測量光束之切換來對應。
圖3係表示曝光單元20之構成之圖。 如圖3所示，曝光單元20包括：光源單元6（參照圖1）；以及照明・投影模組7，其用以使用空間光調變元件75（後述），將光源單元6之光源61以及來自光源61之光進行曝光。
如圖1所示，光源單元6設置有一對。光源單元6可採用：將干涉性高之雷射作為光源61之光源單元、使用如半導體雷射型之UV-LD（ultraviolet - laser diode，紫外線-雷射二極體）般之光源61的光源單元、以及利用透鏡中繼式之減速器的光源單元。即，光源61設為：射出405 nm或365 nm之波長之燈或雷射二極體、以及與空間調變元件75之驅動合併之可脈衝發光之雷射。
如圖3所示，照明・投影模組7之光學系統包括：照明模組7A、投影模組7B、以及調變部7C。
照明模組7A與投影模組7B為一比一之關係，為相同數量。照明模組7A利用光纖71，將來自光源單元6之雷射光L取入至照明模組7A內，利用準直透鏡721、複眼透鏡723及主聚光透鏡724，對空間光調變元件75大致均勻地照明雷射光L。
於照明模組7A中配置有模組快門73，其對於自光纖71中射出之雷射光L，可於照明模組7A以及投影模組7B之每一個中高速地打開/關閉。
照明模組7A係將自圖1所示之光源單元6之光源61輸出之雷射光L作為曝光用照明光而射入至空間光調變元件75者。如上所述，照明模組7A包括光纖71、準直透鏡721、照明楔722、複眼透鏡723、及主聚光透鏡724。光纖71例如使用石英之纖維。光源61之輸出光（雷射光L）由光纖71引導而射入至準直透鏡721。準直透鏡721將自光纖71射出而擴散之光轉換為平行光而射出。照明楔722調整自光纖71射出之光之強度（功率）。通過準直透鏡721之光通過複眼透鏡723、主聚光透鏡724且由鏡子725反射，以預定之反射角度射入至空間光調變元件75。此外，照明模組7A及光源單元6亦被認為係由兩者來對空間光調變元件75進行照明者，亦可將2個合併而表述為照明系統。
調變部7C係將照明光進行調變來製作圖案者，包括空間光調變元件75及關閉光吸收板74。空間光調變元件75採用數位鏡元件來作為一例。空間光調變元件75包括複數個元件（數位鏡元件中為鏡子）。
圖4表示藉由空間光調變元件75之打開/關閉而顯示預定圖案之情況。空間光調變元件75之各個鏡子可進行圍繞X1軸之旋轉以及圍繞X2軸之旋轉。
圖5A表示空間光調變元件75之電源關閉之狀態。圖5B所示之空間光調變元件75顯示藉由使鏡子圍繞X2軸傾斜，而使來自照明模組7A之光朝向基板10反射之打開狀態。又，圖5C所示之空間光調變元件75顯示藉由使鏡子圍繞X1軸傾斜，而將來自照明模組7A之光設為關閉光L2，不向基板10而向關閉光吸收板74引導光之關閉狀態。如上所述，空間光調變子75可基於控制資料來對每個鏡子控制各個鏡子之打開狀態及關閉狀態，來形成圖案。
空間光調變元件75之各個鏡子週期性地驅動，可週期性地更新空間光調變元件75上之圖案。光源61必須於圖案之每個更新週期中對空間光調變元件75進行照明，因此較佳為以一定週期來進行脈衝發光者、或僅可於預定之期間進行脈衝發光之光源。此外，光源61可為發出連續光者，於該情形時，藉由快門（未圖示）之切換、利用音響光學調變器（未圖示）之調變等，而將連續光轉換為脈衝光，藉此，亦可認為自光源61射出之光為實質上之脈衝光。
空間光調變元件75搭載於未圖示之平台上，且以搭載於平台上之狀態於第1方向X1及/或第2方向X2上微小移動。其結果為，空間光調變元件75可相對於照明光而移動，將基板10上之圖案之投影像之位置加以變更，進行例如相對於投影位置之目標值而言之偏差量之修正。
如圖2所示，投影模組7B支持於光學定盤21上，配置於調變部7C所包括之空間光調變元件75之下方。如圖3所示，包括：倍率調整部76，對用以將空間光調變元件75之1畫素以預定之大小來投影之倍率進行調整；以及焦距調整部77，對由透鏡之向第3方向X3之驅動所引起之焦距進行調整。 投影模組7B係將形成於空間光調變元件75上之圖案之像投影、曝光、形成於基板10上者。
投影模組7B機構空間光調變元件75上之圖案以1/2至1/10之投影倍率來縮小投影至基板10上。投影模組7B藉由將倍率調整部76之倍率調整透鏡761於第3方向X3上驅動而對投影倍率進行若干修正。此外，投影倍率並不限定於縮小，亦可為擴大或等倍。 焦距調整部77包括1片或複數片之聚焦透鏡771，其投影至空間光調變元件75之基板10上，主要用以調整焦距。
如圖2所示，投影模組7B於光學定盤21上沿著第1方向X1而設置有複數行。
如圖6及圖7所示，對準系統5包括：設置於基板平台4A、4B上之第1對準系統5A（參照圖6）、以及設置於光學定盤21上之第2對準系統5B（參照圖7）中之至少一者。
如圖6所示，第1對準系統5A埋設於基板平台4A、4B之預定位置。第1對準系統5A係對基板10相對於基板平台4A、4B之位置進行測量者。第1對準系統5A配置於基板平台4之例如四角。於基板平台4上，於第1對準系統5A所設置之四角之部位設置有於平台厚度方向上貫穿之貫穿孔42。
第1對準系統5A包括：透鏡511，配置於基板平台4A之貫穿孔42內；光源513（例如LED（Light Emitting Diode，發光二極體）），配置於透鏡511之下方，將測量光朝向載置於基板平台4上之預定位置之基板10之對準標記12照射；以及測定部512，檢測於對準標記12上反射之光。
第1對準系統5A中，於在基板平台4上載置有基板10之情形時，可藉由測量基板10之例如四角之位置，測量X1方向位置、X2方向位置、旋轉量（θX3）、X1方向之縮小/擴大倍率、X2方向之縮小/擴大倍率、正交度之6個參數（位置資訊）而算出。 此外，作為基板平台4上之第1對準系統5A之配置，並非如上所述般限制為四角。例如，於由於基板10之非線形形狀等製程原因而發生之情形時，配置4個部位×4行等相當數量之第1對準系統5A。第1對準系統5A係與投影模組7B不同之單元，因此可稱為離軸對準系統。
第1對準系統5A係以測定部512之相機之畫素為基準來測量。
如圖2所示，於光學定盤21上，關於第1方向X1而於夾持投影模組7B之兩側配置有AF系統23（參照圖7）。不論基板10之掃描方向（第1方向X1）如何，AF系統23均可於曝光處理之前先測量基板10之X3方向之位置。焦距調整部77基於AF系統23之測量結果來驅動聚焦透鏡771，調整空間光調變元件75之圖案像之焦距。
又，如圖2所示，於基板平台4上包括：校正用測量系統52、測量基板平台4之位置之干涉儀53、及照度測量機54。 校正用測量系統52用於各種複數個模組之位置之測量及校正。校正用測量系統52亦用於對配置於光學定盤21上之第2對準系統5B進行校正。
如上所述，於本實施方式之曝光裝置1中，藉由利用基板平台4內之第1對準系統5A來測量進行曝光之空間光調變元件75中所生成之圖案之成像位置，能夠利用測量基板平台4之位置之干涉儀53以及對準系統5之圖像位置，來測量基板平台4中之第1對準系統5A相對於成像系統之位置。
又，如圖7所示，於光學定盤21上，亦可於第1基板平台4A及第2基板平台4B之各自之上方之位置配置第2對準系統5B。 第2對準系統5B係對基板10相對於基板平台4A、4B之位置進行測量者。第2對準系統5B配置於在厚度方向上貫穿光學定盤21而設置之第2貫穿孔21c中。若為利用第2對準系統5B來測量基板10相對於基板平台4A、4B之位置的構成，則亦可不設為將第1對準系統5A設置於第1基板平台4A及第2基板平台4B上之構成。
第2對準系統5B包括：透鏡551，配置於光學定盤21之第2貫穿孔21c之下方；光感測器552，配置於透鏡551之上方，朝向載置於基板平台4上之預定位置之基板10之對準標記12照射測量光；以及測定部553，檢測於對準標記12上反射之光。 第2對準系統5B係與第1對準系統5A同樣，於在基板平台4上載置有基板10之情形時，可藉由測量與基板10有關之第1方向X1之位置、第2方向X2之位置、旋轉量（θX3）、第1方向X1之縮小/擴大倍率、第2方向X2之縮小/擴大倍率、正交度之6個參數（位置資訊）來算出。又，第2對準系統5B藉由不僅測量基板10整體，而且測量部分區域，則可為基板10之變形之非線形成分，或可算出預先指定之曝光區域（例如分成4份之曝光區域）中之6個參數（位置資訊）。
光學定盤21係於第1方向X1上延伸而形成。第2對準系統5B係關於第1方向X1，與照明・投影模組7分離而設置於光學定盤21上。基板平台4將基板10上之對準標記12向第2對準系統5B可測量之位置（對準測量位置）移動。使設置於基板10上之對準標記12之配置之測量具有一定程度之自由度。 又，光學定盤21支持對準系統CE（第2對準系統5B），其設置於關於第1方向X1而相互分離來設置之投影模組7B之間。對準系統CE於利用位於兩端之第2對準系統5B來進行基板10上之對準標記之測量時，進行基板平台4之位置測量之干涉儀必須於曝光位置，與曝光用之干涉儀進行切換，因此為了對曝光位置之基板10、或基板平台4之位置進行測量而配置。
曝光裝置1與包括記憶體之資料控制部連接而被控制。資料控制部與曝光裝置1之各部位（對準系統5（5A、5B）、基板平台4、光學系統（照明模組7A、投影模組7B及調變部7C））連接，進行測定值之收發或對曝光裝置1之控制動作之指令等。資料控制部藉由測量而生成用以驅動空間光調變元件75之控制資料並進行修正之功能，且將控制資料之修正資料存儲於記憶體中。
其次，基於圖式，對將基板10連續進行曝光之方法進行說明。 首先，如圖1所示，若於曝光裝置1中投入用以進行曝光之配方，則用以進行曝光之遮罩資料（圖案資料、圖像資料）係自遮罩圖案伺服器中選擇。而且，資料控制部將遮罩資料分割為照明・投影模組7之數量，自所分割之遮罩資料來生成控制資料，存儲於記憶體中。此時，空間光調變元件75例如以約10 kHz左右之更新速率來更新4 Mpixel，因此記憶體高速地存儲大容量之控制資料。資料控制部將記憶體中所存儲之控制資料發送至複數個照明・投影模組7之每一個。照明・投影模組7若接收控制資料，則進行各種曝光準備。照明・投影模組7將所接收之遮罩資料載入至空間光調變元件75中。
首先，曝光裝置1根據配方來進行照度（光之資訊）之測量、校正。例如，載置於第1基板平台4A上之照度測量機54對由生成於空間光調變元件75上之照度測量用圖案而來之光之照度進行測量。曝光裝置1係使用利用複數個照明模組・投影模組7之每一個來測量之照度之測量結果，利用配置於照明模組7A內之照明楔722，以照明・投影模組7間之照度差消失之方式進行照度之調整。
曝光裝置1係利用校正用測量系統52，來對配置於光學定盤21上之第2對準系統5B、與照明模組7A及投影模組7B之曝光位置進行測量。 即，校正用測量系統52對照明模組7A及投影模組7B之配置以及第2對準系統5B之位置進行測量，算出該等照明模組7A及投影模組7B與第2對準系統5B之相對位置關係。 如圖2所示，設置於第1基板平台4A上之第1對準系統5A之位置係以測定部512之相機之畫素為基準來測量。第1對準系統5A係使用由投影模組7B所投影之空間光調變元件75之曝光圖案來測量。曝光裝置1基於測量結果，來算出照明模組7A及投影模組7B與第1對準系統5A之相對位置關係。曝光裝置1對於第2基板平台4B亦利用相同之方法，算出照明模組7A及投影模組7B與第1對準系統5A之相對位置關係。曝光裝置1係以如上所述之方式，算出照明模組7A及投影模組7B與對準系統5之相對位置關係。
其次，如圖6所示，基板交換部3將基板10載置於第1基板平台4A上。此時，第1對準系統5A對基板10之對準標記12進行觀察・測量，算出第1對準系統5A之裝置相對於基板10之相對位置。或者，第1基板平台4A向第2對準系統5B之下方移動，第2對準系統5B對基板10之對準標記12進行觀察・測量，算出第2對準系統5B之裝置相對於基板10之相對位置。藉此，基於預先算出之照明模組7A及投影模組7B與對準系統5之相對位置關係、以及對準系統5相對於基板10之相對位置，可知圖案曝光於基板上之哪個位置，即，可知投影位置。
藉由該動作，可知於配方上應曝光之位置、和以現狀之基板10與投影模組7B之配置關係而於基板10上曝光之位置的偏移量。本實施方式中，為了修正該偏移量，資料控制部對曝光資料（遮罩資料、圖案資料、控制資料）進行修正。此外，曝光裝置1不僅為了修正偏移量而利用資料控制部來修正曝光資料，亦可使基板平台4其本身移動而減小偏移量後，利用資料控制部來生成/修正修正資料。於該情形時，可減少利用資料控制部之資料修正之修正量。此外，曝光裝置1亦可使搭載有空間光調變元件75之平台移動，來變更基板10上之曝光位置。曝光裝置1可藉由利用資料控制部來進行資料修正以及藉由基板平台4之移動來修正曝光位置，從而修正偏移量，亦可藉由利用資料控制部來進行資料修正以及藉由空間光調變元件75之移動來修正曝光位置，從而修正偏移量，亦可藉由利用資料控制部來進行資料修正、藉由基板平台4之移動來修正曝光位置、以及藉由空間光調變元件75之移動來修正曝光位置，從而修正偏移量。
此外，曝光裝置1中，亦可於基板10上以液晶電視等之面板單位來算出修正值，求出基板平台4之修正值。於如上所述般將基板10進行部分性修正之情形時，於照明模組7A及投影模組7B之每一個中修正值基本上不同，對照明模組7A及投影模組7B之每一個算出修正值，對所要曝光之數位曝光資料進行修正。
圖8所示之流程圖表示於第1基板平台4A及第2基板平台4B上，分別進行曝光動作、以及製作修正資料之修正資料製作動作之兩動作的動作流程之一例。 如圖8所示，第1基板平台4A使用基板交換部3之第1交換臂3A（參照圖1）而於第1基板平台4A上載置基板10（將其稱為第1基板）。然後，對準系統5對第1基板10上之對準標記12進行測量（步驟S11）。
其次，上述資料控制部於步驟S11之後，算出數位曝光資料之修正值（修正資料）（步驟S12）。而且，資料控制部將步驟S12中所得之修正資料存儲於記憶體中，發送至照明・投影模組7。然後，曝光裝置1基於所發送之第1基板10之修正資料及配方之資訊，對第1基板平台4A上之第1基板10進行重疊曝光（步驟S13）。
曝光裝置1於第2基板平台4B上，於先進行之曝光動作（步驟S21）完畢之後，對上述第1基板平台4A上之第1基板10進行曝光動作。於對第1基板平台4A上之第1基板10進行之曝光動作之期間，曝光裝置1將於步驟S21中經曝光之基板10自第2基板平台4B上搬出，將新的基板10（將其稱為第2基板）搬送至第2基板平台4B上（步驟S22）。將經曝光之基板10自第1基板平台4A上搬出之動作、以及將接下來要曝光之基板10搬入至第1基板平台4A上之動作中之至少一者統稱為基板搬送動作來進行說明。而且，第1對準系統5A及/或第2對準系統5B對第2基板10上之對準標記12進行測量（步驟S23）。 此外，由第1對準系統5A及第2對準系統5B，進而由對準系統CE、干涉儀轉換所引起之誤差之校正係藉由平台標記或基板標記之校正來進行。
資料控制部中，基於步驟22中之對準測量結果，算出接下來於第2基板平台4B上進行之曝光、即對於第2基板10之曝光中所使用之修正資料，即，用以驅動空間光調變元件75之數位曝光資料之修正值（修正資料）（步驟S24）。而且，資料控制部將步驟S24中獲得之修正資料存儲於記憶體中，發送至照明・投影模組7。然後，曝光裝置1基於所發送之第2基板10之修正資料及配方之資訊，對第2基板平台4B上之第2基板10進行重疊曝光（步驟S25）。曝光裝置1於進行對第2基板10之重疊曝光之同時，將載置於第1基板平台4A上且於步驟13中經曝光之第1基板10自第1基板平台4A上搬出。
如上所述，曝光裝置1包括複數個基板平台4，藉此可於其中一個第1基板平台4A上所進行之第1基板10之曝光處理中，於另一個第2基板平台4B中，使用第1對準系統5A及/或第2對準系統5B，來實施自第2基板10之對準測量至修正資料之生成、資料發送為止之處理步驟。藉此，可抑制節拍之延遲之發生。 此處，所謂曝光處理中，係指包括以下動作之處理：基板平台4自交換位置向對準測量位置移動之動作、對於基板10之曝光動作、對於基板10之曝光動作結束後至基板平台4向交換位置移動為止之動作。此外，所謂曝光動作，係指對基板10進行掃描曝光之動作、為了變更進行掃描曝光之曝光區域而將基板平台4向X1方向或者X2方向移動之動作中之任一動作。
於第1基板平台4A及第2基板平台4B上進行資料修正之動作中，亦可於資料之修正中進行校準等（例如基板平台之正交度測量等）。
資料控制部例如亦可使用曝光處理中之設置於第2基板平台4B上之照度測量器54或由校正用測量系統52所測量之照度等光之資訊，算出將載置於第1基板平台4A上之基板10進行曝光時之修正資料。此外，資料控制部可僅使用光之資訊來算出修正資料，亦可使用對準系統5之測量結果及光之資訊來算出修正資料。
又，曝光裝置1中，與複數個照明模組7A及投影模組7B之排列測量合併，先進行與曝光位置及資料修正有關之測量，然後進行照度測量、或設置於基板平台4上之移動鏡13之彎曲（真直度）修正等，藉此可於曝光動作中進行利用資料之修正值算出以及修正資料之發送。可將如上所述考慮到基板10之對準及模組之排列的資料，於不影響節拍之情況下發送。
此處，將曝光裝置僅包括1座基板平台之情形、與如本實施方式之曝光裝置1般包括複數座基板平台之情形相比較。於曝光裝置僅包括1座基板平台之情形時，曝光裝置利用對準系統5進行對準，於使用其結果，由資料控制部算出修正值而生成修正資料且發送完畢後，進行基板之曝光。於該情形時，曝光裝置進行對準後，直至修正資料之生成、修正資料之發送完畢為止，存在產生無法對基板進行曝光之狀態、即曝光等待之顧慮。例如將對基板平台上之基板之曝光與使經曝光之基板自基板平台上搬出為止之時間（或者基板平台自曝光位置向基板交換位置移動為止之時間）合併之時間需要例如100秒之時間，於將基板平台上之基板進行曝光之前進行的向基板平台上之基板搬入、對於基板之對準測量、修正資料之製作、修正資料之發送為止，需要至上述基板搬出為止所花費之時間（100秒）之一半即50秒之時間的情形時，將1片基板10搬入至基板平台4後至曝光、搬出為止，需要兩者之時間合併而成之150秒之時間。即，曝光裝置自基板搬入至基板平台上後50秒後開始進行曝光處理。欲縮短自1片基板之搬入至搬出為止之一系列節拍時間（前述之例中為150秒），即便縮短自基板搬入至基板平台上之後至發送時間為止之時間，亦無法將該時間設為0，會影響節拍時間。自第1片基板之曝光完畢後至第2片之曝光開始為止，花費將自第1片基板之曝光至搬出為止之時間（t1）、第2片基板向基板平台上之搬入時間（t2）、對於第2片基板之對準動作/修正資料之生成/資料傳送所需之時間（t3）相加而得之時間（t1＋t2＋t3）。
與此相對，根據本實施方式之曝光裝置1，藉由設置複數個（本實施方式中為2個）之基板平台4A、4B，可提高曝光中之作業效率。具體而言，於對基板平台4A、4B中之其中一個基板平台（例如第1基板平台4A）上之第1基板10進行曝光之期間，於另一個平台（例如第2基板平台4B）上進行曝光完畢之基板10之搬出、第2基板10之搬入、對準動作/修正資料之生成/資料傳送之所有動作，藉此可於第1基板10之曝光完畢後立即開始第2基板10之曝光。於如上所述般，曝光裝置僅包括1座基板平台之情形時，能夠削減自第1片基板之曝光完畢後至下一個基板之曝光開始為止所花費之時間（上述t1＋t2＋t3之時間）。前述之例中，可將150秒之節拍時間設為100秒以下（100秒中僅曝光動作之時間）。藉此，本實施方式之曝光裝置1中，可消除僅於1座基板平台之曝光裝置上產生之曝光等待之時間。
又，資料控制部需要：用以將用於曝光之資料發送至空間光調變元件75之記憶體、以及預先存儲有用以進行添加有第2基板10B之對準的曝光之資料的記憶體。例如，大容量之記憶體亦可包括：存儲第1基板平台4A用之資料的區域以及存儲第2基板平台4B用之資料的區域。較佳為考慮由資料之讀取與光之同時處理所引起之延遲，亦可使用於資料控制部中包括各別之記憶體，且用以將最終發送至空間光調變元件75之記憶體進行切換之切換器。
上述已對第1基板平台4A及第2基板平台4B中分別進行曝光作業及資料修正用之對準作業之兩者之作業的動作流程進行說明，但亦可採用圖9所示之變形例之動作流程。
（變形例） 於圖9所示之變形例之曝光裝置1中之曝光動作流程中，第1基板平台4A設置為曝光動作專用，第2基板平台4B設置為對準動作及資料修正動作之專用。因此，第1對準系統5A僅設置於第2基板平台4B上。變形例之資料控制部之構成與上述實施方式相同。基板平台4亦可以第1基板平台4A之可移動範圍、與第2基板平台4B之可移動範圍不重疊之方式來配置。 於第1基板平台4A上，以時間序列，於步驟S31中對第1基板10實施第1曝光α，繼第1曝光α之後，於步驟S32中對第2基板實施第2曝光β，且繼第2曝光β之後，於步驟S33中對第3基板10實施第3曝光γ。
如圖9所示，於步驟S41中，於第2基板平台4B中實施對第1基板平台4A上之第1基板10之第1曝光α的期間，對繼第1曝光α之後實施之第2曝光β用之第2基板10，利用第1對準系統5A來進行對準動作，由資料控制部來製作修正資料。 具體而言，於第2基板平台4B中，使用基板交換部3之第1交換臂3A（參照圖1）而於第2基板平台4B上載置第2基板10。然後，利用第1對準系統5A來測量第2基板10之對準標記12。於資料控制部，藉由利用第1對準系統5A之測量來算出用以驅動空間光調變元件75之數位曝光資料之修正值（修正資料）。而且，於資料控制部，將所獲得之修正資料存儲於記憶體中。
其次，於第1基板平台4A中，若曝光α完畢，則使用圖1所示之基板交換部3，將經曝光之第1基板10自第1基板平台4A上搬出。然後，使用基板交換部3，將於步驟S41中製作修正資料之第2基板10自第2基板平台4B上換載於第1基板平台4A上。 於將第2基板10自第2基板平台4B上換載於第1基板平台4A上時，第1基板平台4A藉由第2對準系統5B，為了檢測對準標記12而移動，來掌握第2基板10相對於第1基板平台4A之位置。或者，第1對準系統5A對第2基板10相對於第1基板平台4A之位置進行測量，來掌握其位置。
於變形例中，於第1基板平台4A與第2基板平台4B之間換載基板10，因此以第2基板平台4B與（換載前之）第2基板10之位置關係為基礎而生成之修正資料無法直接使用。其原因在於，第2基板平台4B及（換載於第1基板平台4A上之前之）第2基板10之位置關係、與第1基板平台4A及（換載於第1基板平台4A上之後之）第2基板10之位置關係不同。因此，若事先測量第1平台4A與第2平台4B之位置關係，獲知相對於換載前後之各平台4A、4B而言之基板10之位置（測量對準標記12而求出之位置），則可將第2基板平台4B及（換載於第1基板平台4A上之前之）第2基板10之位置關係、與第1基板平台4A及（換載於第1基板平台4A上之後之）第2基板10之位置關係進行相對比較。此處如圖7所示，藉由設置於關於第1方向X1而相互分離設置之投影模組7B之間的第2對準系統5B（對準系統CE），僅測量基板10之預定之點數，對包括由自第1基板平台4A向第2基板平台4B之交接所引起之基板10之旋轉的位置偏移進行測量，設為與製作資料修正之狀態大致相同之狀態，利用基板平台4或保持空間光調變元件75之平台來進行投影位置之修正。
然後，於第1基板平台4A上，於步驟S32中，基於自資料控制部發送之第2基板之修正資料及配方之資訊，對第1基板平台4A上之第2基板10進行第2曝光β（步驟S32）。此外，亦可將藉由相對比較而獲知之偏移量，將修正資料進而進行修正。亦可一面將修正資料進而進行修正，一面調整平台之位置及或調整空間光調變元件75之位置。
進而，於步驟S42中，於在第2基板平台4B上實施對第1基板平台4A上之第2基板10之第2曝光β之期間，利用對準系統5來對繼第2曝光β之後實施之第3曝光γ用之第3基板10進行對準，於資料控制部製作修正資料。 具體而言，於第2基板平台4B上，使用基板交換部3之第1交換臂3A（參照圖1）而於第2基板平台4B上載置第3基板10。然後，利用對準系統5來測量第3基板10之對準標記12。於資料控制部中，藉由利用對準系統5之測量來算出用以驅動空間光調變元件75之數位曝光資料之修正值（修正資料）。而且，於資料控制部中，將所獲得之修正資料存儲於記憶體中。 以下，於第1基板平台4A及第2基板平台4B上，依序反覆進行同樣之動作。
如上所述，變形例之曝光動作中，於複數個（此處為2個）之基板平台4A、4B中之其中一個曝光專用之第1基板平台4A上進行之基板10之曝光處理中，於另一個對準及資料修正專用之第2基板平台4B上，使用第1對準系統5來實施自基板10之對準至資料發送為止之處理步驟，可預先發送修正資料。藉此，能夠抑制節拍之延遲之發生。
本變形例中，於曝光裝置1內之曝光專用之第1基板平台4A與對準及資料修正專用之第2基板平台4B之間，進行基板10之交接。然而，第2基板平台4B不需要設置於曝光裝置1內，亦可設置於與曝光裝置1不同之裝置中。其例如於如下情形：藉由對準測量而測量之對準標記12之點數多，因此於下一基板10之曝光開始之前，利用資料控制部之修正資料之製作未完畢之情形；或為了亦進行非線形等之修正而對準點數多之情形等時，亦可將第2基板平台4B設置於與曝光裝置1不同之其他裝置中。其他裝置例如為於基板10上塗佈感光材（光阻劑）之塗佈機、或位於較塗佈機更前段且對基板10進行預定處理之裝置。藉由利用其他裝置來進行詳細之對準測量，可進一步拖延實際測量之資料之處理（修正資料之製作）與曝光為止之時間。曝光裝置1包括接收由其他裝置所測量之結果的接收部。資料控制部使用所接收之資料來製作修正資料。於該情形時，資料控制部之記憶體需要3個存儲部：正在曝光之基板之資料之存儲部、以及利用其他裝置來處理且已測量完畢之基板10之資料存儲部、進而即將進行測量之資料之存儲部。資料控制部根據基板來選擇性地進行資料之讀出。 即，使用曝光處理前之用以重合之（與曝光裝置1不同之其他裝置）資料測量機來進行測量，將測量資料與基板對照來管理，藉此只要將與即將進行曝光之基板不同之資料處理存儲於記憶體中即可。此時之資料測量機與曝光裝置藉由設為大致同等之環境（固持器或基板溫度）變化，可於基本無變化之情況下測量於基板平台4側無法修正之倍率。 此外，由於藉由利用該資料測量機及曝光機之測量來進行之基板之吸附等所引起之差亦可根據最終進行重合曝光之結果來求出，作為製程偏差而輸入至資料修正。
又，對準系統5已對關於第1方向X1而設置於與投影模組7B分離之位置之一例，即，投影模組7B之光軸與對準之軸之位置偏移之離軸對準進行說明。並不限定於此，亦可同時設置將投影模組7B之光軸與對準軸重疊之軸上對準、經由投影模組7B而測量之TTL（Through the lens，內測光系統）之構成之對準。
光調變器（空間光調變元件57）包括：液晶元件、數位鏡元件（數位微鏡元件，DMD（digital micromirror device））、磁光學光調變器（Magneto Optic Spatial Light Modulator，MOSLM）等。光調變器可為將由作為照明光學系統之照明模組7A而來之照明光反射之反射型，亦可為使照明光透過之透過型，亦可為將照明光繞射之繞射型。光調變器可於空間上、且於時間上調變照明光。
以上，已對本發明之實施方式進行說明，但此處對本發明與上述實施方式中之對應關係進行補充說明。
（1）上述實施方式中，於經由根據圖像圖案來控制複數個元件之光調變器（空間光調變元件75）而將基板20進行掃描曝光之曝光裝置中，包括：第1基板平台4A，支持第1基板10；第2基板平台4B，支持與第1基板10不同之第2基板10；測量部，測量第2基板10之資訊；以及生成部，基於資訊，於第1基板10之曝光處理中生成於第2基板10之掃描曝光時控制上述複數個元件之控制資料。
於如上所述之構成之曝光裝置中，可藉由設置複數個基板平台4A、4B來提高曝光中之作業效率。即，於對基板平台4A、4B中之其中一個基板平台（例如第1基板平台4A）上之第1基板10進行曝光之期間，於另一個平台（例如第2基板平台4B）上進行曝光完畢之基板10之搬出、第2基板10之搬入、藉由測量部之對準動作/藉由生成部之修正資料之生成/資料傳送之所有動作，藉此可於第1基板10之曝光完畢後立即開始第2基板10之曝光。如上所述，於曝光裝置僅包括1座基板平台4之情形時，可削減自第1片基板之曝光完畢後至下一基板10之曝光開始為止所花費之時間。藉此，本實施方式中，可消除如先前般之基板平台4僅為1座之曝光裝置1中所產生之曝光等待之時間。
（2）又，上述實施方式中，測量部於第1基板10之曝光處理中測量第2基板10之資訊。
根據如上所述之構成，於複數個基板平台4A、4B中之其中一個曝光專用之第1基板平台4A上進行之第1基板10之曝光處理中，可於另一個對準（測量）及資料修正專用之第2基板平台4B上測量基板10之資訊，因此可抑制節拍之延遲之發生。
（3）又，上述實施方式中，測量部係以將藉由包括光調變器（空間光調變元件75）之曝光單元20來曝光之第1基板10加以支持之第1基板平台4A、與將藉由測量部來測量之第2基板10加以支持之第2基板平台4B不碰撞之方式，與曝光單元20（光調變器（空間光調變元件75））分離而設置。
根據如上所述之構成，由於以第1基板平台4A之可移動範圍、與第2基板平台4B之可移動範圍不重疊之方式來配置，故而可於利用其中一個基板平台4之曝光動作中，於另一個基板平台4上利用測量部來測量基板10之資訊。由於可將兩者之作業同時進行，故而可抑制節拍之延遲之發生，可消除曝光等待之時間。
（4）又，上述實施方式中，測量部設置於第2基板平台4B上。
根據如上所述之構成，於利用第1基板平台4A之曝光動作中，可於第2基板平台4B上利用測量部來測量第2基板10之資訊。於第1基板平台4A上曝光完畢之後，可將於第2基板平台4B上測定之第2基板10搬送並載置於第1基板平台4A上，基於所測量之資訊來對第1基板平台4A上之第2基板10進行曝光。即，於第1基板10之曝光後立即以將等待時間設為最小限度之狀態來進行第2基板10之曝光。由於如上所述可將兩者之作業同時進行，故而可抑制節拍之延遲之發生，可消除曝光等待之時間。
（5）又，上述實施方式中，第1基板平台4A包括取得部，其於第1基板10之曝光處理中或曝光處理前，取得包括光調變器（空間光調變元件75）之曝光單元20之與光有關之資訊，生成部基於資訊以及由取得部所取得之資訊來生成控制資料。
根據如上所述之構成，可於第1基板平台4A中之第1基板10之曝光處理中或曝光處理前，由取得部來取得與光有關之資訊，且於生成部中基於由取得部所取得之資訊來生成控制資料。因此，可基於生成部中生成之控制資料來對第1基板平台4A上之第2基板10進行曝光。
（6）又，上述實施方式中，於藉由包括根據圖像圖案來控制複數個元件之光調變器之曝光單元20而將基板10進行掃描曝光之曝光裝置中，包括：第1基板平台4A，支持第1基板10；第2基板平台4B，支持與第1基板10不同之第2基板10；以及生成部，生成於第2基板10之掃描曝光時控制複數個元件之曝光圖案之控制資料；並且第1基板平台4A包括取得曝光單元20之與光有關之資訊的取得部，生成部基於由取得部所取得之資訊來生成控制資料。
根據如上所述之構成，可藉由設置複數個基板平台4A、4B來提高曝光中之作業效率。即，於第2基板平台4B上，可由取得部來取得曝光單元20之與光有關之資訊，且於生成部，基於由取得部所取得之資訊來生成曝光圖案之控制資料。因此，可基於生成部中生成之曝光圖案來對第1基板平台4A上之第2基板10進行曝光。
（7）又，上述實施方式中，生成部於第1基板10之曝光處理中生成控制資料。
根據如上所述之構成，於複數個基板平台4A、4B中之其中一個曝光專用之第1基板平台4A上進行之第1基板10之曝光處理中，於生成部中，基於繼第1基板10之後進行曝光之第2基板10之與光有關之資訊來生成曝光圖案之控制資料，因此可抑制節拍之延遲之發生。
（8）又，上述實施方式中，取得部於第1基板10之曝光處理中或曝光處理前，取得與光有關之資訊。
根據如上所述之構成，可於對第1基板平台4A上之第1基板10之曝光處理中或曝光處理前，於第2基板平台4B中由取得部來取得曝光單元20之與光有關之資訊，且於生成部，基於由取得部所取得之資訊來生成曝光圖案之控制資料。
（9）又，上述實施方式中，取得部取得與光之照度有關之資訊以及與第1基板平台4A有關之資訊中之至少一者。
根據如上所述之構成，可基於由取得部所取得之資訊而於生成部中生成曝光圖案之控制資料，因此可進行精度更高之曝光。
（10）又，上述實施方式中，生成部包括記憶體，其於第1基板10之曝光處理中，存儲所生成之控制資料。
根據如上所述之構成，由於將生成部中生成之控制資料存儲於記憶體中，故而可於第1基板10之曝光時、或者第2基板10之曝光開始前之適當時機，將存儲於記憶體中之控制資料效率良好地發送至曝光單元20。
（11）又，上述實施方式中，包括將控制資料自記憶體向曝光單元20發送之發送部，發送部於利用曝光單元20對第2基板10開始曝光之前，於曝光單元20中將控制資料發送至曝光單元20。
根據如上所述之構成，可將生成部中生成且存儲於記憶體中之控制資料，於第2基板10之曝光開始前效率良好地發送至曝光單元20。
（12）又，上述實施方式中，包括使第2基板平台4B移動之驅動部，於對第2基板10之掃描曝光中，驅動部相對於接收控制資料之曝光單元20而使支持第2基板10之第2基板平台4B移動。
根據如上所述之構成，可代替第1基板平台4A而使第2基板平台4B，由驅動部來驅動而移動至可由曝光單元20來曝光之位置。即，可利用曝光單元20來對第2基板平台4B上之第2基板10進行曝光。如上所述，能夠於可由曝光單元20來曝光之位置，將第1基板平台4A與第2基板平台4B交替切換而進行曝光。
（13）又，上述實施方式中，包括：搬送部，將第1基板10自第1基板平台4A上搬出，且將第3基板10搬入至第1基板10已被搬出之第1基板平台4A上；以及測量裝置，測量與第1基板平台4A上之第3基板10有關之資訊；並且生成部基於資訊來生成將第3基板10進行曝光之曝光圖案之控制資料。
根據如上所述之構成，可利用搬送部來搬出第1基板平台4A上之第1基板10，並且將第3基板10搬入至第1基板平台4A上，利用測量裝置來測量與該第1基板平台4A上之第3基板10有關之資訊，基於生成部中所測量之資訊而生成曝光圖案之控制資料。
（14）又，上述實施方式中，測量裝置係以將藉由曝光單元20來曝光之第2基板10加以支持之第2基板平台4B、與將藉由測量裝置來測量之第3基板10加以支持之第1基板平台4A不碰撞之方式，與曝光單元20分離而設置。
根據如上所述之構成，於在第2基板平台4B上對第3基板10進行曝光之動作中，可於第1基板平台4A上利用測量裝置來測量第3基板10之資訊。由於可如上所述般將兩者之作業同時進行，故而可抑制節拍之延遲之發生，可消除曝光等待之時間。
（15）又，上述實施方式中，測量裝置設置於第1基板平台4A上。
根據如上所述之構成，可利用分別設置於基板平台4A、4B上之測量裝置，來測量由第1基板平台4A及第2基板平台4B之兩者所支持之基板10之資訊。因此，於對其中一個基板平台4之基板10進行曝光之動作中，可於另一個基板平台4上利用測量裝置來測量基板10之資訊。由於可如上所述般將兩者之作業同時進行，故而可抑制節拍之延遲之發生，可消除曝光等待之時間。
（16）又，上述實施方式中，記憶體包括：第1記憶體，記錄由測量裝置來測量之支持於第2基板平台4B上之基板10之資訊；以及第2記憶體，記錄由測量裝置來測量之支持於第1基板平台4A上之基板10之資訊。
根據如上所述之構成，將第1基板平台4A及第2基板平台4B之各自之生成部中生成之控制資料，存儲於與各個基板平台4A、4B對應之第1記憶體及第2記憶體中，因此可於基板10之曝光時、或者基板10之曝光開始前之適當時機，將存儲於記憶體中之控制資料效率良好地發送至曝光單元20。
（17）又，上述實施方式中，包括：將第2基板10自第2基板平台4B向第1基板平台4A搬送之搬送部、以及使第1基板平台4A移動之驅動裝置；並且於由生成部來生成控制資料之後，搬送部將第2基板10搬入至第1基板10已被搬出之第1基板平台4A上，驅動裝置使支持所搬入之第2基板10之第1基板平台4A相對於曝光單元20而移動。
根據如上所述之構成，可使第1基板平台4A由驅動裝置來驅動而移動至可由曝光單元20來曝光之位置。即，可利用搬送部，將第2基板平台4B上之第2基板10搬送至第1基板平台4A上，且利用曝光單元20，對該第1基板平台4A上之第2基板10進行曝光。如上所述，可將第1基板平台4A配置於可由曝光單元20來曝光之位置而曝光。
（18）又，上述實施方式中，搬送部將第3基板10搬入至第2基板10已被搬出之第2基板平台4B上，且設置有測量第2基板平台4B上之第3基板10之資訊的測量部，並且生成部於第2基板10之曝光處理中生成與第3基板10有關之控制資料。
根據如上所述之構成，可於第1基板平台4A上之第2基板10之曝光處理中，利用測量部來對搬入至第2基板平台4B上之第3基板10之資訊進行測量，藉由生成部，基於由測量部所測量之第3基板10之資訊來生成控制資料。由於可如上所述般將兩者之作業同時進行，故而可抑制節拍之延遲之發生，可消除曝光等待之時間。
（19）又，上述實施方式中，生成部對預先設定之曝光資料進行修正，生成控制資料。
根據如上所述之構成，於生成部，可以基於由測定部所測定之資訊而預先設定之曝光資料為基礎，來進行將所設定之曝光資料與測定資訊進行對比之修正，因此可進行精度更高之修正。
（20）又，上述實施方式中，曝光單元20設置有複數個，使用複數個空間光調變元件75，將光源61及來自光源61之光進行分割曝光。
根據如上所述之構成，可使用複數個曝光單元20，利用複數個空間光調變元件75，將光源61及來自光源61之光進行分割曝光。
（21）又，上述實施方式中，經由根據圖像圖案來控制複數個元件之光調變器而將基板10進行掃描曝光之曝光裝置中，包括：基板平台4，支持第1基板10；接收部，接收利用與曝光裝置不同之裝置來測量的第2基板10之資訊，該第2基板10於對第1基板10之掃描曝光之後利用曝光裝置1來進行掃描曝光；生成部，基於由接收部所接收之資訊，生成於第2基板10之掃描曝光時控制複數個元件之控制資料；以及記憶體，於第1基板10之曝光處理中存儲控制資料。
（22）又，上述實施方式中，包括：投影部，將圖像圖案之像投影至第1基板或第2基板上；以及位置變更部，於第1基板或第2基板之掃描曝光時，將由投影部來投影像之第1基板或第2基板上之位置加以變更。位置變更部對基板平台4、保持光調變器75之基板平台4、投影系統之一部分中之至少一者進行控制，變更上述位置。
（23）又，上述實施方式中，包括：搬送部，自基板平台4上搬出第1基板10，搬入第2基板10；以及測量部，對搬送至基板平台4上之第2基板之資訊進行測量。測量部對為了於不同裝置中測量第2基板10之資訊而測量之標記進行測量，取得第2基板10之資訊。
（24）又，上述實施方式中，包括控制部，其將用以識別基板10之識別資訊、利用其他裝置來測量之第2基板10之資訊、或控制資料相關聯。
（25）又，上述實施方式中，包括：使用（1）～（20）中任一項所記載之曝光裝置1，將基板10進行曝光之步驟；以及將經曝光之基板10進行顯影之步驟。
根據如上所述之構成，可藉由使用曝光裝置1，消除曝光等待之時間而將基板10進行曝光，將經曝光之基板10進行顯影，從而效率良好地製造元件。
（26）又，上述實施方式中，包括：使用（1）～（20）中任一項所記載之曝光裝置，將平板顯示器用之基板進行曝光之步驟；以及將經曝光之上述基板進行顯影之步驟。
根據如上所述之構成，可藉由使用曝光裝置1，消除曝光等待之時間來將基板10進行曝光，將經曝光之基板10進行顯影，從而效率良好地製造平板顯示器。
（27）又，上述實施方式中，於藉由包括光調變器之曝光單元而將基板進行掃描曝光之曝光方法中，包括：於第1平台上支持第1基板之步驟；於第2平台上支持與上述第1基板不同之第2基板之步驟；測量第2基板之資訊之步驟；以及基於上述資訊，生成於上述第1基板之曝光處理中將上述第2基板進行曝光之曝光圖案之控制資料之步驟。
根據如上所述之構成，可藉由設置複數個基板平台4A、4B，來提高曝光中之作業效率。即，於對基板平台4A、4B中之其中一個基板平台（例如第1基板平台4A）上之第1基板10進行曝光之期間，於另一個平台（例如第2基板平台4B）上進行曝光完畢之基板10之搬出、第2基板10之搬入、利用測量部之對準動作/利用生成部之修正資料之生成/資料傳送之所有動作，藉此可於第1基板10之曝光完畢後立即開始第2基板10之曝光。如上所述，於曝光裝置僅包括1座基板平台4之情形時，可削減自第1片基板曝光完畢後至下一個基板10之曝光開始為止所花費之時間。藉此，本實施方式中，可消除於現有之基板平台4僅為1座之曝光裝置1中產生之曝光等待之時間。
（28）又，上述實施方式中，於藉由包括光調變器之曝光單元20而將基板10進行掃描曝光之曝光裝置1中，包括：於包括取得曝光單元20之與光有關之資訊之取得部的第1基板平台4A上支持第1基板10之步驟；於第2基板平台4B上支持與第1基板10不同之第2基板10之步驟；以及基於由取得部所取得之資訊，來生成將第2基板10進行曝光之曝光圖案之控制資料之步驟。
根據如上所述之構成，可藉由設置複數個基板平台4A、4B，來提高曝光中之作業效率。即，可於第2基板平台4B上，由取得部來取得曝光單元20之與光有關之資訊，於生成部中，基於由取得部所取得之資訊來生成曝光圖案之控制資料。因此，可基於生成部中生成之曝光圖案，來對第1基板平台4A上之第2基板10進行曝光。
（29）又，上述實施方式中，於經由根據圖像圖案來控制複數個元件之光調變器而將基板進行掃描曝光之曝光方法中，包括：於平台上支持第1基板之步驟；由接收部來接收利用與將上述基板進行掃描曝光之曝光裝置不同之裝置來測量之第2基板之資訊之步驟，上述第2基板於對上述第1基板之掃描曝光之後利用上述曝光裝置來進行掃描曝光；基於由上述接收部所接收之上述資訊，來生成於上述第2基板之掃描曝光時控制上述複數個元件之控制資料之步驟；以及於上述第1基板之曝光處理中，將上述控制資料存儲於記憶體中之步驟。
（30）又，上述實施方式中，包括：利用（27）至（29）中任一項所記載之曝光方法，將基板10進行曝光之步驟；以及將經曝光之基板10進行顯影之步驟。
根據如上所述之構成，藉由消除曝光等待之時間而將基板10進行曝光且將經曝光之基板10進行顯影之步驟，可形成效率良好地製造元件之步驟。
（31）又，上述實施方式中，包括：利用（27）至（29）中任一項所記載之曝光方法，將平板顯示器用之基板進行曝光之步驟；以及將經曝光之上述基板進行顯影之步驟。
根據如上所述之構成，藉由使用曝光裝置1，消除曝光等待之時間而將基板10進行曝光，且將經曝光之基板10進行顯影，可效率良好地製造平板顯示器。
以上，已參照圖式，對本發明之一實施方式進行詳細說明，但具體之構成並不限定於上述者，可於不脫離本發明之主旨之範圍內進行各種設計變更等。
1:曝光裝置 2:曝光裝置本體 3:基板交換部 3A:第1交換臂 3B:第2交換臂 4:基板平台 4a:上表面 4A:第1基板平台 4B:第2基板平台 5:對準系統 5A:第1對準系統 5B:第2對準系統 6:光源單元 7:照明・投影模組 7A:照明模組 7B:投影模組 7C:調變部 10:基板 11:底板 11a:上表面 12:對準標記 20:曝光單元 21:光學定盤 21a:上表面 21b:第1貫穿孔 22:柱 23:AF系統 31:基板支持部 41:交換銷 42:貫穿孔 52:校正用測量系統 53:干涉儀 54:照度測量器 61:光源 71:光纖 73:模組快門 74:關閉光吸收板 75:空間光調變元件 76:倍率調整部 77:焦距調整部 111:防振台 221:橫架材 222:腳部 511:透鏡 512:測定部 513:光源 551:透鏡 552:光感測器 721:準直透鏡 722:照明楔 723:複眼透鏡 724:主聚光透鏡 725:鏡子 761:倍率調整透鏡 771:聚焦透鏡 L:雷射光 L2:關閉光 X1:第1方向 X2:第2方向 X3:第3方向
[圖1]係表示實施方式之曝光裝置之構成之立體圖。 [圖2]係表示曝光裝置之概略構成之側視圖。 [圖3]係表示曝光裝置之照明・投影模組之概略構成之側視圖。 [圖4]係表示空間光調變元件之打開/關閉動作之立體圖。 [圖5A]係表示空間光調變元件之動作之圖，且為電源關閉狀態之圖。 [圖5B]係表示空間光調變元件之動作之圖，且為空間光調變元件之打開狀態之圖。 [圖5C]係表示空間光調變元件之動作之圖，且為空間光調變元件之關閉狀態之圖。 [圖6]係表示設置於基板平台上之第1對準系統之概略構成之側視圖。 [圖7]係表示設置於光學定盤上之第2對準系統之概略構成之側視圖。 [圖8]係表示曝光裝置之曝光處理之動作流程之一例之圖。 [圖9]係表示曝光裝置之曝光處理之動作流程之變形例之圖。
1:曝光裝置
2:曝光裝置本體
4:基板平台
4a:上表面
4A:第1基板平台
4B:第2基板平台
5:對準系統
5B:第2對準系統
7:照明‧投影模組
7A:照明模組
7B:投影模組
10:基板
20:曝光單元
21:光學定盤
21b:第1貫穿孔
22:柱
23:AF系統
52:校正用測量系統
53:干涉儀
54:照度測量機
71:光纖
75:空間光調變元件
76:倍率調整部
77:焦距調整部
221:橫架材
721:準直透鏡
723:複眼透鏡
724:主聚光透鏡
725:鏡子
X1:第1方向
X2:第2方向
X3:第3方向

Claims (31)

  1. 一種曝光裝置，其係經由根據圖像圖案來控制複數個元件之光調變器，將基板進行掃描曝光者，其包括： 第1平台，支持第1基板； 第2平台，支持與上述第1基板不同之第2基板； 測量部，測量上述第2基板之資訊；以及 生成部，基於上述資訊，於上述第1基板之曝光處理中生成於上述第2基板之掃描曝光時控制上述複數個元件之控制資料。
  2. 如請求項1之曝光裝置，其中， 上述測量部於上述第1基板之曝光處理中測量上述第2基板之資訊。
  3. 如請求項1或2之曝光裝置，其中， 上述測量部係以將利用包括上述光調變器之曝光單元來曝光之上述第1基板加以支持之上述第1平台、與將利用上述測量部來測量之上述第2基板加以支持之上述第2平台不碰撞之方式，與上述光調變器分離而設置。
  4. 如請求項1至3中任一項之曝光裝置，其中， 上述測量部設置於上述第2平台上。
  5. 如請求項1至4中任一項之曝光裝置，其中， 上述第1平台包括取得部，該取得部於上述第1基板之曝光處理中或曝光處理前，取得包括上述光調變器之曝光單元之與光有關之資訊；並且 上述生成部基於上述資訊、以及由上述取得部所取得之資訊，生成上述控制資料。
  6. 一種曝光裝置，其係利用包括根據圖像圖案來控制複數個元件之光調變器的曝光單元，將基板進行掃描曝光者，其包括： 第1平台，支持第1基板； 第2平台，支持與上述第1基板不同之第2基板；以及 生成部，生成於上述第2基板之掃描曝光時控制上述複數個元件之控制資料；並且 上述第1平台包括取得上述曝光單元之與光有關之資訊之取得部； 上述生成部基於由上述取得部所取得之資訊而生成上述控制資料。
  7. 如請求項6之曝光裝置，其中， 上述生成部於上述第1基板之曝光處理中生成上述控制資料。
  8. 如請求項6或7之曝光裝置，其中， 上述取得部於上述第1基板之曝光處理中或曝光處理前，取得與上述光有關之資訊。
  9. 如請求項5至8中任一項之曝光裝置，其中， 上述取得部取得與上述光之照度有關之資訊以及與上述第1平台有關之資訊中之至少一者。
  10. 如請求項1至9中任一項之曝光裝置，其中， 上述生成部包括記憶體，其於上述第1基板之曝光處理中，存儲所生成之上述控制資料。
  11. 如請求項10之曝光裝置，其包括發送部，其將上述控制資料自上述記憶體發送至上述曝光單元；並且 上述發送部於利用上述曝光單元對上述第2基板開始曝光之前，於上述曝光單元中將上述控制資料發送至上述曝光單元。
  12. 如請求項10或11之曝光裝置，其包括使上述第2平台移動之驅動部；並且 上述驅動部於對上述第2基板之掃描曝光中，相對於接收上述控制資料之上述曝光單元而使支持上述第2基板之上述第2平台移動。
  13. 如請求項12之曝光裝置，其包括： 搬送部，將上述第1基板自上述第1平台搬出，將第3基板搬入至上述第1基板已被搬出之上述第1平台；以及 測量裝置，測量與上述第1平台上之上述第3基板有關之資訊；並且 上述生成部基於上述資訊，生成將上述第3基板進行曝光之曝光圖案之控制資料。
  14. 如請求項13之曝光裝置，其中， 上述測量裝置係以將利用上述曝光單元來曝光之上述第2基板加以支持之上述第2平台、與將利用上述測量裝置來測量之上述第3基板加以支持之上述第1平台不碰撞之方式，與上述曝光單元分離而設置。
  15. 如請求項13或14之曝光裝置，其中， 上述測量裝置設置於上述第1平台。
  16. 如請求項13至15中任一項之曝光裝置，其中， 上述記憶體包括：第1記憶體，記錄由利用上述測量裝置來測量之上述第2平台所支持之基板之資訊；以及第2記憶體，記錄由利用上述測量裝置來測量之上述第1平台所支持之基板之資訊。
  17. 如上述請求項10或11之曝光裝置，其包括： 搬送部，將上述第2基板自上述第2平台向上述第1平台搬送；以及 驅動裝置，使上述第1平台移動；並且 上述搬送部於由上述生成部生成上述控制資料後，將上述第2基板搬入至上述第1基板已被搬出之上述第1平台；且 上述驅動裝置使將所搬入之上述第2基板加以支持之上述第1平台，相對於上述曝光單元而移動。
  18. 如請求項17之曝光裝置，其中， 上述搬送部將第3基板搬入至上述第2基板已被搬出之上述第2平台； 設置對上述第2平台上之上述第3基板之資訊進行測量之測量部；並且 上述生成部於上述第2基板之曝光處理中，生成與上述第3基板有關之上述控制資料。
  19. 如請求項1至18中任一項之曝光裝置，其中， 上述生成部對預先設定之曝光資料進行修正，生成上述控制資料。
  20. 如請求項1至19中任一項之曝光裝置，其中， 上述曝光單元設置有複數個；並且 使用複數個空間光調變元件，將光源與來自上述光源之光進行分割曝光。
  21. 一種曝光裝置，其係經由根據圖像圖案來控制複數個元件之光調變器，將基板進行掃描曝光者，其包括： 平台，支持第1基板； 接收部，接收利用與上述曝光裝置不同之裝置來測量之第2基板之資訊，上述第2基板係於對上述第1基板之掃描曝光之後利用上述曝光裝置來掃描曝光； 生成部，基於由上述接收部所接收之上述資訊，生成於上述第2基板之掃描曝光時控制上述複數個元件之控制資料；以及 記憶體，於上述第1基板之曝光處理中存儲上述控制資料。
  22. 如請求項21之曝光裝置，其包括： 投影部，將上述圖像圖案之像投影至上述第1基板或上述第2基板；以及 位置變更部，於上述第1基板或上述第2基板之掃描曝光時，將藉由上述投影部而投影上述像之上述第1基板或上述第2基板上之位置加以變更；並且 上述位置變更部對上述平台、保持上述光調變器之平台、投影系統之一部分中之至少一者進行控制，變更上述位置。
  23. 如請求項21或22之曝光裝置，其包括： 搬送部，自上述平台搬出上述第1基板，搬入上述第2基板；以及 測量部，對搬送至上述平台之上述第2基板之資訊進行測量；並且 上述測量部對為利用上述不同之裝置來測量上述第2基板之資訊而測量之標記進行測量，取得上述第2基板之資訊。
  24. 如請求項21至23中任一項之曝光裝置，其包括控制部，將用以識別上述基板之識別資訊、與利用其他裝置來測量之上述第2基板之資訊或上述控制資料相關聯。
  25. 一種元件製造方法，包括： 使用如請求項1至24中任一項之曝光裝置，將上述基板進行曝光之步驟；以及 將經曝光之上述基板進行顯影之步驟。
  26. 一種平板顯示器之製造方法，包括： 使用如請求項1至24中任一項之曝光裝置，將平板顯示器用之基板進行曝光之步驟；以及 將經曝光之上述基板進行顯影之步驟。
  27. 一種曝光方法，其係經由根據圖像圖案來控制複數個元件之光調變器，將基板進行掃描曝光者，其包括： 於第1平台支持第1基板之步驟； 於第2平台支持與上述第1基板不同之第2基板之步驟； 測量上述第2基板之資訊之步驟；以及 基於上述資訊，於上述第1基板之曝光處理中生成於上述第2基板之掃描曝光時控制上述複數個元件之控制資料之步驟。
  28. 一種曝光方法，其係經由根據圖像圖案來控制複數個元件之光調變器，將基板進行掃描曝光者，其包括： 於包括取得部之第1平台支持第1基板之步驟，上述取得部取得包括上述光調變器之曝光單元之與光有關之資訊； 於第2平台支持與上述第1基板不同之第2基板之步驟；以及 基於由上述取得部所取得之資訊，生成將上述第2基板進行曝光之曝光圖案之控制資料之步驟。
  29. 一種曝光方法，其係經由根據圖像圖案來控制複數個元件之光調變器，將基板進行掃描曝光者，其包括： 於平台支持第1基板之步驟； 以接收部來接收利用與將上述基板進行掃描曝光之曝光裝置不同之裝置來測量之第2基板之資訊之步驟，上述第2基板於對上述第1基板之掃描曝光之後，利用上述曝光裝置來進行掃描曝光； 基於由上述接收部所接收之上述資訊，生成於上述第2基板之掃描曝光時控制上述複數個元件之控制資料之步驟；以及 將上述控制資料於上述第1基板之曝光處理中存儲於記憶體中之步驟。
  30. 一種元件製造方法，包括： 利用如請求項27至29中任一項之曝光方法，將上述基板進行曝光之步驟；以及 將經曝光之上述基板進行顯影之步驟。
  31. 一種平板顯示器之製造方法，包括： 利用如請求項27至29中任一項之曝光方法，將平板顯示器用之基板進行曝光之步驟；以及 將經曝光之上述基板進行顯影之步驟。
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