TW202246389A - 聚醯亞胺樹脂組成物及金屬基底基板 - Google Patents

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Abstract

一種聚醯亞胺樹脂組成物，其特徵係包含聚醯亞胺樹脂及分散於前述聚醯亞胺樹脂中之填料，前述聚醯亞胺樹脂於兩末端具有二羧酸基或二羧酸基之酸酐基，前述填料於表面具有選自由氧化鋁、氫氧化鋁、氧化鎂、氫氧化鎂所成之群中之至少一種無機化合物。

Description

聚醯亞胺樹脂組成物及金屬基底基板
本發明有關聚醯亞胺樹脂組成物及金屬基底基板。 本申請案基於2021年2月25日向日本提出申請之特願2021-028910號主張優先權，其內容援用於本文。
作為用以安裝半導體元件及LED等之電子零件的基板之一，已知有金屬基底基板。金屬基底基板係由金屬基板、絕緣膜及金屬電路層按此順序積層而成之積層體。電子零件係經由焊料安裝於金屬電路層上。 以具有此等構成之金屬基底基板，於電子零件產生之熱經由絕緣膜傳遞至金屬基板，自金屬基板向外部散熱。
金屬基底基板之絕緣膜一般由包含絕緣性及耐電壓性優異之樹脂與導熱性優異之填料之絕緣性組成物形成。作為絕緣膜用之樹脂，係使用聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、環氧樹脂、矽氧樹脂等。且作為絕緣膜用之填料，係使用氧化鋁粒子、氫氧化鋁粒子、氧化鎂粒子、氫氧化鎂粒子、氮化鋁粒子、氧化矽粒子、碳化矽粒子、氧化鈦粒子、氮化硼粒子等(專利文獻1~5)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 美國專利申請公開第2007/0116976號(A)說明書 [專利文獻2] 日本特開2013-60575號公報(A) [專利文獻3] 日本特開2009-13227號公報(A) [專利文獻4] 日本特開2013-159748號公報(A) [專利文獻5] 日本特開2019-140094號公報(A)
[發明欲解決之課題]
而且，金屬基底基板係藉由例如於金屬基板上形成絕緣膜，然後將絕緣膜與金屬電路層熱壓著而製造。作為在金屬基板上形成絕緣膜之方法，係使用例如於基板上，塗佈分散有填料之樹脂溶液，使所得塗佈膜乾燥之方法。以該方法之情況，將塗佈膜乾燥時，有於樹脂與填料之間發生孔隙(氣孔)之情況。絕緣膜中之樹脂與填料之間發生孔隙時，由於孔隙部不易傳導熱，故有絕緣膜之導熱性降低之虞。此外，因於孔隙部引起部分放電，而有容易引起絕緣膜之絕緣破壞等，使絕緣膜之耐電壓性降低之虞。
本發明係鑑於上述情況而完成者，係提供一種包含填料與樹脂之樹脂組成物，其不易發生孔隙，係導熱性與耐電壓性優異之樹脂組成物，以及提供使用該樹脂組成物作為絕緣膜之金屬基底基板。 [用以解決課題之手段]
為了解決上述課題，本發明之一態樣之樹脂組成物為聚醯亞胺樹脂組成物(以下稱為「本發明之聚醯亞胺樹脂組成物」)，其包含樹脂與分散於前述樹脂之填料，前述樹脂包含於兩末端具有二羧酸基或二羧酸基之酸酐基之聚醯亞胺樹脂，前述填料於表面具有選自由氧化鋁、氫氧化鋁、氧化鎂、氫氧化鎂所成之群中之至少一種無機化合物。
依據該構成之聚醯亞胺樹脂組成物，由於母材之樹脂中所含之聚醯亞胺樹脂於兩末端具有二羧酸基或二甲酸基之酸酐基，填料係於表面具有氧化鋁、氫氧化鋁、氧化鎂、氫氧化鎂等之無機化合物，故樹脂與填料彼此之親和性提高，容易化學鍵結。因此，樹脂與填料之接合力強，兩者間不易產生孔隙。因此，上述構成之聚醯亞胺樹脂組成物提高了熱導電率及耐電壓。
此處，本發明之聚醯亞胺樹脂組成物中，前述聚醯亞胺樹脂可為以下述通式(1)或通式(2)表示之化合物之構成。 該情況下，由於聚醯亞胺樹脂係以下述通式(1)或通式(2)表示之化合物，故聚醯亞胺樹脂與填料之接合力更強，兩者間更不易產生孔隙。
Figure 02_image001
Figure 02_image003
但，通式(1)及通式(2)中，R1表示4價有機基，R2表示2價有機基，S表示自數平均分子量算出之10以上200以下之範圍內之數。
又，本發明之聚醯亞胺樹脂組成物中，可為前述聚醯亞胺樹脂之數平均分子量為5000以上50000以下之範圍內之構成。 該情況下，因聚醯亞胺樹脂之數平均分子量為5000至50,000之範圍內，故聚醯亞胺樹脂之流動性受控制，不易產生樹脂-金屬接合時之不良。
又，本發明之聚醯亞胺樹脂組成物中，可為前述填料之含量為60質量%以上90質量%以下之範圍內之構成。 該情況下，由於填料之含量為60質量%以上90質量%以下之範圍內，故導熱率確實獲得提高。
又，本發明之聚醯亞胺樹脂組成物中，可為前述樹脂中，前述聚醯亞胺樹脂之比例為66質量%以上100質量%以下之範圍內之構成。 該情況下，由於樹脂於兩末端具有二羧酸基或二羧酸基之酸酐基之聚醯亞胺樹脂以上述範圍含有，故樹脂與填料之接合力更強。
本發明其他態樣之金屬基底基板(以下簡稱「本發明之金屬基底基板」)係包含金屬基板、絕緣膜、金屬電路層依此順序積層而成之金屬基底基板，其特徵係前述絕緣膜係由前述聚醯亞胺樹脂組成物所成。 依據該構成之金屬基底基板，由於於金屬基板與金屬電路層之間，配置由上述聚醯亞胺樹脂組成物所成之絕緣膜，故導熱性及耐電壓性優異。 [發明效果]
依據本發明，可提供包含填料與樹脂之樹脂組成物，係不易發生孔隙，且導熱性及耐電壓性優異之樹脂組成物，及可提供使用該樹脂組成物作為絕緣膜之金屬基底基板。
關於本發明一實施形態之聚醯亞胺樹脂組成物及金屬基底基板，將參照附圖加以說明。
＜聚醯亞胺樹脂組成物＞ 圖1係本發明一實施形態之聚醯亞胺樹脂組成物之概略剖面圖。 如圖1所示，本實施形態之聚醯亞胺樹脂組成物10包含聚醯亞胺樹脂11與分散於聚醯亞胺樹脂11之填料12。聚醯亞胺樹脂組成物10之填料12的含量，以質量基準，較佳為60質量%以上90質量%以下之範圍內，特佳為70質量%以上88質量%以下之範圍內。雖未特別限制，但以質量基準之填料12的含量可為80質量%以上85質量%以下。 且聚醯亞胺樹脂組成物10之填料12的含量，以體積基準，較佳為40體積%以上80體積%以下之範圍內，特佳為45體積%以上75體積%以下之範圍內。雖未特別限制，但填料12之體積基準的填料12含量可為50體積%以上65體積%以下。
(聚醯亞胺樹脂11) 聚醯亞胺樹脂11係聚醯亞胺樹脂組成物10之母材(基質樹脂)。聚醯亞胺樹脂11於兩末端具有二羧酸基或二羧酸基之酸酐基。因此，聚醯亞胺樹脂11對於氧化鋁、氫氧化鋁、氧化鎂、氫氧化鎂等之無機化合物的親和性高，容易與該等化學鍵結。 聚醯亞胺樹脂11可為以下述通式(1)或通式(2)表示之化合物。
Figure 02_image005
Figure 02_image007
但，通式(1)及通式(2)中，R1表示4價有機基，R2表示2價有機基，S表示自數平均分子量算出之10以上200以下之數。
以R1表示之4價有機基可為自芳香族烴去除4個氫原子之4價芳香族烴基，或自脂環式烴去除4個氫原子之4價脂環式烴基。芳香族烴包含單環式芳香族、縮合多環式芳香族、2個單環式芳香族直接或藉由橋接基相互連結之非縮合多環式芳香族。脂環式烴之碳原子數可為4以上8以下之範圍內。
以R1表示之4價有機基可為例如以下述通式(3)~(6)表示之基。
Figure 02_image009
通式(3)~(6)中，*表示鍵結鍵。 通式(6)中，X表示橋接基。橋接基可為二價烴基、氧原子、硫原子、羰基、磺醯基、亞胺基或該等基組合成之基。2價烴基可為例如碳原子數1~10之脂肪族基(伸烷基、伸烯基、伸炔基)、碳原子數4~10之伸環烷基、伸芳基或該等組合成之基。2價脂肪族基及亞胺基可具有取代基。作為取代基之例，可舉例為1價烴基、1價烴基經氟取代之氟化碳基、碳原子數1~10之烷氧基、-OCOCH 3基。1價烴基可為例如碳原子數1~10之脂肪族基(烷基、烯基、炔基)、碳原子數4~10之環烷基、碳原子數6~10之芳基、碳原子數7~10之芳烷基。以X表示之橋接基例如可為以下述式(7)~(13)表示之基。
Figure 02_image011
以R2表示之2價有機基較佳具有亞甲基鏈。亞甲基鏈較佳碳原子數為3以上。2價有機基可為亞甲基鏈與二價連結基組合成之基。2價連結基包含2價烴基、氧原子、硫原子、羰基、磺醯基、亞胺基、-(Si(R3R4)-O) n-基(但式中，R3及R4分別獨立表示碳原子數1~10之烷基，n表示於1以上30以下之範圍內的數)或該等基組合成之基。2價烴基為例如碳原子數1~10之脂肪族基(伸烷基、伸烯基、深炔基)、碳原子數4~10之伸環烷基、碳原子數6~10之伸芳基或該等基組合成之基。2價烴基及亞胺基亦可具有取代基。作為取代基之例可舉例為1價烴基。1價烴基可為例如碳原子數1~10之脂肪族基(烷基、烯基、炔基)、碳原子數4~20之環烷基、碳原子數6~10之芳基、碳原子數7~20之芳烷基。
以R2表示之2價有機基例如可為以下述通式(14)~(15)表示之基。且，以R2表示之2價有機基可為例如源自具有亞甲基鏈之二聚物二胺之烴基。源自二聚物二胺之烴基之碳原子數為20~50之範圍內，氫原子數於將碳原子數設為m時為(m×2-6)以上(m×2)以下之範圍內。
Figure 02_image013
通式(14)中，p表示3以上10以下之範圍內的數。 通式(15)中，q及r分別獨立表示3以上8以下之範圍內的數，n表示1以上30以下之範圍內的數。
聚醯亞胺樹脂11可藉由例如具有下述步驟之方法製造：將四羧酸二酐與二胺於有機溶劑中反應生成聚醯胺酸之步驟，及將聚醯胺酸醯亞胺化之步驟。作為四羧酸二酐可使用以下述通式(16)表示之化合物。作為二胺可使用以下述通式(17)表示之化合物。
Figure 02_image015
通式(16)中，R1與上述通式(1)及通式(2)之情況相同。
Figure 02_image017
通式(17)中，R2與上述通式(1)及通式(2)之情況相同。
作為有機溶劑，可使用極性有機溶劑。作為極性有機溶劑之例可舉例N,N-二甲基甲醯胺(DMF)、N,N-二甲基乙醯胺(DMAC)、N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)、環己烷。
生成聚醯胺酸之步驟，可藉由攪拌混合有機溶劑與四羧酸二酐及二胺，使四羧酸二酐與二胺反應而生成聚醯胺酸。反應溫度例如可為10℃以上100℃以下之範圍內。反應環境可為空氣環境或惰性氣體環境(例如氬氣、氮氣)。
聚醯亞胺樹脂11中，存在於其兩末端之二羧酸基或其酸酐基係源自原料的四羧酸二酐。由於聚醯亞胺樹脂11之兩末端存在二羧酸基或其酸酐基，故有機溶劑中四羧酸二酐之量可多於二胺。有機溶劑中之四羧酸二酐相對於二胺之混合比(四羧酸二酐/二胺比)可為1.005以上1.2以下之範圍內。
使聚醯胺酸醯亞胺化之步驟中，作為將聚醯胺酸溶液中之聚醯胺酸醯亞胺化之方法，可使用加熱聚醯胺酸溶液之方法、於聚醯胺酸溶液中添加醯亞胺化觸媒之方法。加熱聚醯胺酸溶液時，加熱溫度可為100℃以上300℃以下之範圍內。添加醯亞胺化觸媒時，作為醯亞胺化觸媒，可使用脂肪族胺、脂環式胺、芳香族胺等之過去作為醯亞胺化觸媒使用之胺化合物。
聚醯亞胺樹脂11之數平均分子量較佳為5000以上50000之範圍內，特佳為8000以上30000以下之範圍內。雖未特別限制，但聚醯亞胺樹脂11之數平均分子量可為10000以上15000以下。
(填料12) 填料12於表面具有選自由氧化鋁、氫氧化鋁、氧化鎂、氫氧化鎂所成之群中之至少一種無機化合物。藉由於填料12之表面存在上述無機化合物，可使聚醯亞胺樹脂11與填料12之接合力增強，於兩者之間不易產生孔隙。填料可為僅包含上述無機化合物之一種的單體粒子，亦可為組合兩種以上之上述無機化合物而成之複合粒子。且，填料12可為於核粒子表面之一部分或全部以上述無機化合物之一種或兩種以上被覆之被覆粒子。作為核粒子，例如可使用氮化鋁粒子、氧化矽粒子、碳化矽粒子、氧化鈦粒子、氮化硼粒子。該等粒子可單獨使用一種，亦可組合兩種以上使用。 填料12由與前述無機化合物不同之成分所成，且其表面之一部分經前述無機化合物被覆者之情況，則至少填料表面之50%以上經前述無機化合物被覆。 上述被覆率可藉由將10個以上之填料以膠帶等固定，藉由SEM及EDX測定每組成之面積，可取得粒子表面之被覆率(面積被覆率)。
填料12較佳平均粒徑於0.1μm以上20μm以下之範圍內。藉由填料12之平均粒徑為0.1μm以上，可提高樹脂組成物之導熱性。藉由填料12之平均粒徑為20μm以下，可提高樹脂組成物之耐電壓性。且，填料12之平均粒徑為上述範圍內時，填料12不易形成凝集粒子，且不易沉降，故填料12容易均勻分散於聚醯亞胺樹脂11中。填料12不形成凝集粒子，而作為一次粒子或與其相近之微細粒子分散於絕緣樹脂中，則可提高聚醯亞胺樹脂11之耐電壓性。填料12之平均粒徑較佳於0.3μm以上20μm以下之範圍內。
(聚醯亞胺樹脂組成物10之製造方法) 其次，針對本實施形態之聚醯亞胺樹脂組成物10之製造方法加以說明。 聚醯亞胺樹脂組成物10例如可藉由包含下述步驟之方法製造：調製填料分散聚醯亞胺樹脂溶液之調製步驟，塗佈填料分散聚醯亞胺樹脂溶液，將所得塗佈膜乾燥之成形步驟。
調製步驟中，例如如下述般調製填料分散聚醯亞胺樹脂溶液。首先，將聚醯亞胺樹脂11溶解於有機溶劑，獲得聚醯亞胺樹脂溶液。作為有機溶劑例如可使用聚醯亞胺樹脂之製造所使用之極性有機溶劑。其次，將聚醯亞胺溶液與填料12混合獲得混合物。接著，對混合物進行分散處理，將填料12分散於聚醯亞胺樹脂11之溶液中。作為分散處理，可使用超音波分散處理、利用球磨機之分散處理、使經高壓噴射之原料彼此碰撞而使粒子分散之處理。
成形步驟中，作為塗佈填料分散聚醯亞胺樹脂溶液之方法，可使用旋轉塗佈法、棒塗佈法、刮刀塗佈法、輥塗佈法、刮板塗佈法、模嘴塗佈法、凹版塗佈法、浸漬塗佈法等。作為使塗佈膜乾燥之方法，可使用加熱乾燥、熱風乾燥、減壓乾燥等方法。乾燥溫度較佳為100℃以上且聚醯亞胺樹脂之熱分解溫度以下。藉由加熱至100℃以上，使聚醯亞胺樹脂與填料之接合力更強。
根據設為以上構成之本實施形態之聚醯亞胺樹脂組成物10，由於母材的聚醯亞胺樹脂11於兩末端具有二羧酸基或二羧酸基之酸酐基，填料12於表面具有氧化鋁、氫氧化鋁、氧化鎂、氫氧化鎂等之無機化合物，故聚醯亞胺樹脂11與填料12彼此之親和性高，容易化學鍵結。因此，聚醯亞胺樹脂11與填料12之接合力變強，於兩者間不易產生孔隙。因此，本實施形態之聚醯亞胺樹脂組成物10之熱導電率與耐電壓提高。
本實施形態之聚醯亞胺樹脂組成物10中，聚醯亞胺樹脂11為由上述通式(1)或通式(2)表示之化合物時，聚醯亞胺樹脂11與填料12之接合力更強，於兩者間更不易產生孔隙。且本實施形態之聚醯亞胺樹脂組成物10中，聚醯亞胺樹脂11之數平均分子量為5000以上50000以下之範圍內時，聚醯亞胺樹脂11之硬度與柔軟性之均衡良好，不易變形，故聚醯亞胺樹脂組成物10之熱導電率與耐電壓可長期穩定。此外，本實施形態之聚醯亞胺樹脂組成物10中，填料12之含量為60質量%以上90質量%以下之範圍內時，導熱率可確實提高。
＜金屬基底基板20＞ 圖2係本發明一實施形態之金屬基底基板之概略剖面圖。 金屬基底基板20係金屬基板21、絕緣膜22及金屬電路層23依此順序積層成之積層體。
金屬基板21係成為金屬基底基板20之基底構件。作為金屬基板21可使用銅板、鋁板及該等之積層板。
絕緣膜22係用以使金屬基板21與金屬電路層23絕緣之構件。絕緣膜22由圖1所示之聚醯亞胺樹脂組成物10構成，包含聚醯亞胺樹脂11與分散於聚醯亞胺樹脂11之填料12。因此，標註相同符號，並省略詳細說明。
金屬電路層23形成為電路圖型狀。於形成為電路圖型狀之金屬電路層23上，經由焊料接合電子零件。作為金屬電路層23之材料，可使用銅、鋁、金等。
作為安裝於金屬電路層23之電子零件之例未特別限制，可舉例為半導體元件、電阻、電容器、晶體振盪器等。作為半導體元件之例舉例為MOSFET(金屬氧化物半導體場效電晶體)、IGBT(絕緣閘雙極電晶體)、LSI(大型積體電路)、LED(發光二極體)、LED晶片、LED-CSP(LED-晶片尺寸封裝)。
接著，針對本實施形態之金屬基底基板20之製造方法加以說明。 本實施形態之金屬基底基板20例如可藉由包含下述步驟之方法製造：於金屬基板21之一表面上成膜絕緣膜22之絕緣膜形成步驟，於絕緣膜22上壓著金屬電路層23之金屬電路層壓著步驟。
絕緣膜形成步驟中，絕緣膜22可藉由例如於金屬基板21之一表面塗佈填料分散聚醯亞胺樹脂溶液，其次將所得塗佈膜乾燥之方法成膜。填料分散聚醯亞胺樹脂溶液之調製方法、填料分散聚醯亞胺樹脂溶液之塗佈方法、塗佈膜之乾燥方法與上述聚醯亞胺樹脂組成物10之製造方法的情況相同。
金屬電路層壓著步驟中，金屬電路層23可藉由例如於絕緣膜22上積層金屬電路層23，其次將所得積層體加熱，同時於積層方向加壓而壓著。加熱溫度較佳為200℃以上，特佳為250℃以上。加熱溫度之上限未達聚醯亞胺樹脂11之熱分解溫度，較佳於比熱分解溫度低30℃的溫度以下。加壓時之壓力較佳為1MPa以上30MPa以下之範圍內，特佳為3MPa以上25MPa以下之範圍內。壓著時間係隨加熱溫度及壓力而異，但一般為10分鐘以上180分鐘以下。
依據設為以上構成之本實施形態之金屬基底基板20，由於於金屬基板21與金屬電路層23之間，配置由上述聚醯亞胺樹脂組成物10所成之絕緣膜22，故導熱性與耐電壓性優異。
以上針對本發明實施形態加以說明，但本發明不限於此，可在不偏離本發明之技術思想之範圍內進行適當變更。 例如，本實施形態中，作為聚醯亞胺樹脂組成物10中所含之樹脂，以單獨使用於兩末端具有二羧酸基或二羧酸基之酸酐基的聚醯亞胺樹脂11之例加以說明，但聚醯亞胺樹脂組成物10亦可包含其他樹脂。作為其他樹脂，可使用例如於至少一末端具有胺基之聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂。但，聚醯亞胺樹脂組成物10中所含之樹脂，較佳係於兩末端具有二羧酸基或二羧酸基之酸酐基的聚醯亞胺樹脂11的含量為66質量%以上100質量%以下之範圍內。
又本實施形態中，係說明聚醯亞胺樹脂組成物10作為金屬基底基板20之絕緣層利用之例，但聚醯亞胺樹脂組成物10之用途不限於此。聚醯亞胺樹脂組成物10例如可作為漆包線等之以絕緣膜被覆之絕緣性導體的絕緣膜而利用。 [實施例]
[合成例1：聚醯亞胺樹脂A之合成] 於DMF(N,N-二甲基甲醯胺，富士軟片和光純藥股份有限公司製) 100g中，添加PMDD(3,3’-(五亞甲基二氧基)二苯胺，MERCK股份有限公司製)6.20g並溶解，其次添加6FDA(4,4’-(六氟亞異丙基)二鄰苯二甲酸酐，東京化成工業股份有限公司製)10.10g。然後，於氬環境下，於室溫攪拌混合72小時，生成聚醯胺酸。將所得聚醯胺酸溶液移至蒸發盤中，於減壓環境下依序於50℃之溫度乾燥24小時，於200℃之溫度乾燥5小時，於250℃之溫度乾燥30分鐘而燒成，獲得兩末端為二羧酸酐之聚醯亞胺樹脂A。混合溶液中之6FDA/PMDD之莫耳比為1.05。 所得聚醯亞胺樹脂A之數平均分子量為11000。
[合成例2：聚醯亞胺樹脂B之合成] 於DMF 100g中，添加PMDD 6.20g並溶解，其次添加6FDA 9.14g。隨後，於氬環境下，於室溫攪拌混合72小時，生成聚醯胺酸。將所得聚醯胺酸溶液移至蒸發盤中，於減壓環境下，依序於50℃之溫度乾燥24小時，於200℃之溫度乾燥5小時，於250℃之溫度乾燥30分鐘而燒成，獲得於兩末端為胺基之聚醯亞胺樹脂B。混合溶液中6FDA/PMDD之莫耳比為0.95。 所得聚醯亞胺樹脂B之數平均分子量為11000。
[合成例3：聚醯亞胺樹脂C之合成] 於環己烷100g中，添加V551(Versamine 551，日本BASF股份有限公司製)6.20g並溶解，其次添加ODPA(4,4’-氧基二鄰苯二甲酸酐，東京化成工業股份有限公司製) 4.93g。隨後，於氬環境下，於室溫攪拌混合72小時，生成聚醯胺酸。將所得聚醯胺酸溶液移至蒸發盤中，於減壓環境下，於50℃之溫度乾燥24小時，於150℃之溫度乾燥5小時而燒成，獲得於兩末端為二羧酸酐之聚醯亞胺樹脂C。混合溶液中ODPA/V551之莫耳比為1.05。 所得聚醯亞胺樹脂C之數平均分子量為11000。
[合成例4：聚醯亞胺樹脂D之合成] 於環己烷100g中，添加V551 6.20g並溶解，其次添加ODPA 4.46g。隨後，於氬環境下，於室溫攪拌混合72小時，生成聚醯胺酸。將所得聚醯胺酸溶液移至蒸發盤中，於減壓環境下，於50℃之溫度乾燥24小時，於150℃之溫度乾燥5小時而燒成，獲得於兩末端為胺基之聚醯亞胺樹脂D。混合溶液中ODPA/V551之莫耳比為0.95。 所得聚醯亞胺樹脂D之數平均分子量為11000。
[本發明例1] 將聚醯亞胺樹脂A 5g投入DMF 10g中，攪拌至均勻溶解。 於所得聚醯亞胺樹脂溶液中，以相對於聚醯亞胺樹脂A與氧化鋁粉末之合計量，以質量換算為60質量%(以體積換算為35體積%)投入氧化鋁粉末(平均粒徑：3μm)，以磁攪拌器攪拌。所得混合物使用Sugino Machine公司製Starburst，重複10次之壓力50MPa之高壓噴射處理而進行分散處理，調製填料分散聚醯亞胺樹脂溶液。填料分散聚醯亞胺樹脂溶液中所含之樹脂，係兩末端為二羧酸酐之聚醯亞胺樹脂(聚醯亞胺樹脂A)之含量為100質量%。
[本發明例2~4] 除了將氧化鋁粉末之投入量成為下表1記載之含量的量以外，與本發明例1同樣調製填料分散聚醯亞胺樹脂溶液。
[本發明例5] 除了對於DMF 10g，投入聚醯亞胺樹脂A 4g與聚醯亞胺樹脂B 2g，氧化鋁粉末之投入量成為下表1記載之含量的量以外，與本發明例1同樣調製填料分散聚醯亞胺樹脂溶液。填料分散聚醯亞胺樹脂溶液中所含之樹脂，係兩末端為二羧酸酐之聚醯亞胺樹脂(聚醯亞胺樹脂A)之含量為66.7%，兩末端為胺基之聚醯亞胺樹脂(聚醯亞胺樹脂B)之含量為33.3質量%。
[本發明例6] 除了使用環己烷代替DMF，對於環己烷10g，投入聚醯亞胺樹脂C 1g代替聚醯亞胺樹脂A，氧化鋁粉末之投入量成為下表1記載之含量的量以外，與本發明例1同樣調製填料分散聚醯亞胺樹脂溶液。填料分散聚醯亞胺樹脂溶液中所含之樹脂，係兩末端為二羧酸酐基之聚醯亞胺樹脂(聚醯亞胺樹脂C)的含量為100質量%。
[本發明例7] 除了代替氧化鋁粉末使用氧化鎂粉末(平均粒徑：10μm)，以成為下表1記載之含量的量投入以外，與本發明例1同樣調製填料分散聚醯亞胺樹脂溶液。
[本發明例8] 除了代替氧化鋁粉末使用氫氧化鋁粉末(平均粒徑：3μm)，以成為下表1記載之含量的量投入以外，與本發明例1同樣調製填料分散聚醯亞胺樹脂溶液。
[本發明例9] 對於DMF 10g投入聚醯亞胺樹脂A 4.85g，攪拌至均勻溶解。於所得聚醯亞胺樹脂溶液，添加環氧樹脂原料(JER-630，三菱化學股份有限公司製)0.15g。進而以相對於聚醯亞胺樹脂A與環氧樹脂與氧化鋁粉末之合計量，以質量換算成為79質量%(體積換算為57體積%)之方式投入氧化鋁粉末(平均粒徑：3μm)，以磁攪拌器攪拌。所得混合物使用Sugino Machine公司製Starburst，重複10次之壓力50MPa之高壓噴射處理而進行分散處理，調製填料分散聚醯亞胺樹脂溶液。填料分散聚醯亞胺樹脂溶液中所含之樹脂，係兩末端為二羧酸酐之聚醯亞胺樹脂(聚醯亞胺樹脂A)之含量為97質量%，環氧樹脂之含量為3質量%。
[本發明例10] 除了代替平均粒徑3μm之氧化鋁粉末使用平均粒徑0.7μm之氫氧化鋁粉末，以成為下表1記載之含量的量投入以外，與本發明例1同樣調製填料分散聚醯亞胺樹脂溶液。
[比較例1] 除了對於DMF 10g，代替聚醯亞胺樹脂A而投入聚醯亞胺樹脂B 5g，氧化鋁粉末之投入量成為下表1記載之含量的量以外，與本發明例1同樣調製填料分散聚醯亞胺樹脂溶液。
[比較例2] 除了代替氧化鋁粉末使用氧化矽粉末(平均粒徑：0.7μm)，以成為下表1記載之含量的量投入以外，與本發明例1同樣調製填料分散聚醯亞胺樹脂溶液。
[比較例3] 除了對於DMF 10g，代替聚醯亞胺樹脂A而投入聚醯亞胺樹脂D 1g，氧化鋁粉末之投入量成為下表1記載之含量的量以外，與本發明例1同樣調製填料分散聚醯亞胺樹脂溶液。
[評價] 使用本發明例1~10及比較例1~3所得之填料分散聚醯亞胺樹脂溶液，製作包含填料之聚醯亞胺樹脂組成物膜，藉由下述方法評價所得聚醯亞胺樹脂膜之填料分散性、孔隙佔有率、導熱性、每膜厚之耐電壓。其結果示於下表1。
(填料分散性) 於長50mm×寬50mm×厚1mm之銅基板上，以500rpm之轉速旋轉塗佈填料分散聚醯亞胺樹脂溶液，獲得厚度20μm之塗佈膜。所得塗佈膜於100℃之溫度加熱乾燥3小時，藉此成膜包含填料之聚醯亞胺樹脂組成物膜，獲得附聚醯亞胺樹脂組成物膜之銅基板。所得之聚醯亞胺樹脂組成物膜，使用光學顯微鏡觀察，測量粒徑為0.1mm以上之填料的凝集體個數。聚醯亞胺樹脂組成物膜每1cm 2之凝集體個數為3個以下時，判定為A，為4個以上10個以下時判定為B，為11個以上時判定為C。
(孔隙佔有率) 於長50mm×寬50mm×厚1mm之PTFE(聚四氟乙烯)板上，使用棒塗佈器塗佈填料分散聚醯亞胺樹脂溶液，獲得厚度100μm之塗佈膜。所得塗佈膜於100℃之溫度加熱30分鐘後，於150℃之溫度加熱乾燥30分鐘，藉此成膜包含填料之聚醯亞胺樹脂組成物膜。所得聚醯亞胺樹脂組成物膜自PTFE板剝離，埋填樹脂。 埋填樹脂之聚醯亞胺樹脂組成物膜藉由CP加工使剖面露出。然後，使用SEM(掃描型電子顯微鏡)觀察露出之聚醯亞胺樹脂組成物膜之剖面。對於聚醯亞胺樹脂組成物膜之剖面面積100μm 2，測量孔隙佔有面積，計算其佔有率。 於SEM之觀察對象的剖面中，存在於聚醯亞胺樹脂與填料之間，既不是聚醯亞胺也不是填料之區域是孔隙。孔隙之最小面積為0.01 μm 2。
(導熱率) 於長50mm×寬50mm×厚1mm之銅基板上，使用棒塗佈器塗佈填料分散聚醯亞胺樹脂溶液，獲得厚度100μm之塗佈膜。所得塗佈膜於100℃之溫度加熱乾燥3小時，成膜包含填料之聚醯亞胺樹脂組成物膜，獲得附聚醯亞胺樹脂組成物膜之銅基板。 聚醯亞胺樹脂組成物膜之導熱率(聚醯亞胺樹脂組成物膜之厚度方向的導熱率)，係使用NETZSCH-GeratebauGmbH製之LFA477 Nanoflash，藉由雷射閃光法測定。
(每膜厚之耐電壓) 聚醯亞胺樹脂組成物膜之耐電壓係使用測量技術研究所股份有限公司之多功能安全測試儀7440進行測定。 與上述導熱率之測定同樣，獲得附聚醯亞胺樹脂組成物膜之銅基板。將電極(φ6mm)配置於附聚醯亞胺樹脂組成物膜之銅基板的聚醯亞胺樹脂組成物膜表面。將附聚醯亞胺樹脂組成物膜之銅基板與於聚醯亞胺樹脂組成物膜之表面上配置之電極分別連接到電源，以30秒升壓至6000V。於銅基板與電極之間流動之電流值成為5000μA之時點的電壓設為聚醯亞胺樹脂組成物膜之耐電壓。藉由測徑器測量薄膜厚度，藉由自耐電壓除以膜厚而算出每膜厚之耐電壓。
Figure 02_image019
使用於兩末端具有二羧酸基或其酸酐基之聚醯亞胺樹脂，作為填料使用包含氧化鋁粉末、氫氧化鋁粉末、氧化鎂粉末、氫氧化鎂粉末之任一者的本發明例1~10之填料分散聚醯亞胺樹脂溶液成膜之聚醯亞胺樹脂組成物膜，填料分散性優異，孔隙佔有率低，導熱率及耐電壓提高。此係因為聚醯亞胺樹脂之兩末端之二羧酸基或其酸酐基與填料之親和性提高，於聚醯亞胺樹脂與填料之間不易發生缺陷之故。例如填料為氧化鋁粉末時，聚醯亞胺樹脂之末端的二羧酸酐基容易被氧化鋁粒子上之吸附水或空氣中的水分水解，生成二羧酸基。二羧酸基與氧化鋁粒子上之羥基反應，生成2個羧酸酯基。所生成之2個羧酸指基分別藉由對2個鋁原子進行雙齒交聯而穩定化，而將聚醯亞胺樹脂固定於氧化鋁粒子之表面。為了進行雙齒交聯之反應，較佳於100℃以上加熱。
相對於此，使用於兩末端不具有二羧酸基及其酸酐之聚醯亞胺樹脂的比較例1、3及使用氧化矽粉末作為填料之比較例2，聚醯亞胺樹脂組成物膜之填料分散性降低。又，比較例1、3及比較例2所得之聚醯亞胺樹脂組成物膜，由於大量產生凝集體，故孔隙佔用率、導熱率、耐電壓無法測定。 [產業上之可利用性]
本發明可提供包含填料與樹脂之樹脂組成物，其係不易發生孔隙，導熱性及耐電壓性優異之樹脂組成物，且可提供使用該樹脂組成物作為絕緣膜之金屬基底基板。
10:聚醯亞胺樹脂組成物 11:聚醯亞胺樹脂 12:填料 20:金屬基底基板 21:金屬基板 22:絕緣膜 23:金屬電路層
[圖1]係本發明一實施形態之聚醯亞胺樹脂組成物之概略剖面圖。 [圖2]係本發明一實施形態之金屬基底基板之概略剖面圖。
10:聚醯亞胺樹脂組成物
11:聚醯亞胺樹脂
12:填料

Claims (6)

  1. 一種聚醯亞胺樹脂組成物，其特徵係包含樹脂及分散於前述樹脂中之填料， 前述樹脂包含於兩末端具有二羧酸基或二羧酸基之酸酐基之聚醯亞胺樹脂， 前述填料於表面具有選自由氧化鋁、氫氧化鋁、氧化鎂、氫氧化鎂所成之群中之至少一種無機化合物。
  2. 如請求項1之聚醯亞胺樹脂組成物，其中前述聚醯亞胺樹脂係以下述通式(1)或通式(2)表示之化合物，
    Figure 03_image001
    Figure 03_image003
    但，通式(1)及通式(2)中，R1表示4價有機基，R2表示2價有機基，S表示自數平均分子量算出之10以上200以下之數。
  3. 如請求項1或2之聚醯亞胺樹脂組成物，其中前述聚醯亞胺樹脂之數平均分子量為5000以上50000以下之範圍內。
  4. 如請求項1至3中任一項之聚醯亞胺樹脂組成物，其中前述填料之含量為60質量%以上90質量%以下之範圍內。
  5. 如請求項1至4中任一項之聚醯亞胺樹脂組成物，其中前述樹脂中，前述聚醯亞胺樹脂之含量為66質量%以上100質量%以下之範圍內。
  6. 一種金屬基底基板，其係依序積層有金屬基板、絕緣膜與金屬電路層之金屬基底基板，其特徵係 前述絕緣膜係由如請求項1至5中任一項之聚醯亞胺樹脂組成物而成。
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Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3836649B2 (ja) * 1999-11-22 2006-10-25 協和化学工業株式会社 半導体封止用樹脂組成物およびその成型品
US20070116976A1 (en) 2005-11-23 2007-05-24 Qi Tan Nanoparticle enhanced thermoplastic dielectrics, methods of manufacture thereof, and articles comprising the same
JP2007246772A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Nagoya Industrial Science Research Inst 多分岐ポリイミド系ハイブリッド材料
JP2009013227A (ja) 2007-07-02 2009-01-22 Tokyo Electric Power Co Inc:The 電気絶縁材料用の樹脂組成物及びその製造方法
JP5256018B2 (ja) * 2008-12-26 2013-08-07 旭化成イーマテリアルズ株式会社 組成物、組成物からなる塗膜、塗膜を含む積層体、及び積層体を組み込んだ電子機器
JP5643536B2 (ja) * 2010-04-16 2014-12-17 三井化学株式会社 熱伝導性接着樹脂組成物、それを含む積層体および半導体装置
JP5859915B2 (ja) 2011-08-25 2016-02-16 日東電工株式会社 絶縁フィルム
TWI583723B (zh) * 2012-01-20 2017-05-21 Asahi Kasei E-Materials Corp Multilayer printed circuit boards
JP2013159748A (ja) 2012-02-08 2013-08-19 Kyushu Institute Of Technology 樹脂組成物及びその製造方法
JP5959983B2 (ja) * 2012-08-06 2016-08-02 グンゼ株式会社 絶縁性熱伝導フィラー分散組成物
JP6195719B2 (ja) * 2013-03-14 2017-09-13 新日本理化株式会社 複合樹脂組成物
JP2015044905A (ja) * 2013-08-27 2015-03-12 昭和電工株式会社 樹脂組成物、透明フィルム、その製造方法及び用途
JP6834440B2 (ja) * 2016-12-12 2021-02-24 コニカミノルタ株式会社 ポリイミドフィルムおよび当該フィルムを用いる表示装置
JP2019012632A (ja) * 2017-06-30 2019-01-24 三菱マテリアル株式会社 絶縁皮膜
JP6562147B2 (ja) 2018-02-05 2019-08-21 三菱マテリアル株式会社 絶縁膜、絶縁導体、金属ベース基板
KR102586724B1 (ko) 2019-08-09 2023-10-10 에프이아이 컴파니 공진 rf 캐비티의 유전체 삽입체 상의 코팅물

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