JP6542783B2 - 熱伝導性電子基板およびそれに関連する方法 - Google Patents
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Description
Yは、m−フェニレンジアミン(MPD)、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル(3,4’−ODA)、4,4’−ジアミノ−2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル(TFMB)、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン(3,3’−DDS)、ビス−(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)スルホン(BAPS)、4,4’−(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ビス(2−アミノフェノール)(6F−AP)および9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン(FDA)、
追加的なジアミンまたは「Y」成分:
2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシフェニル)]プロパン(BAPP)、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシフェニル)]ヘキサフルオロプロパン(HFBAPP)、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン(APB−133)、2,2−ビス(3−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン(Bis−A−AF)、4,4’−ビス(4−アミノ−2−トリフルオロメチルフェノキシ)ビフェニル、4,4’−[1,3−フェニレンビス(1−メチル−エチリデン)]ビスアニリン(Bisaniline−M)
からなる群から選択されるジアミン成分またはジアミン成分の混合であり、ただし、
a.XがOである場合、Yは、m−フェニレンジアミン(MPD)、ビス−(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)スルホン(BAPS)または3,4’−ジアミノジフェニルエーテル(3,4’−ODA)、BAPP、APB−133、Bisaniline−Mではなく、
b.XがS(O)2である場合、Yは、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン(3,3’−DDS)ではなく、かつ
c.XがC(CF3)2である場合、Yは、m−フェニレンジアミン(MPD)、ビス−(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)スルホン(BAPS)、9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン(FDA)または3,3’−ジアミノジフェニルスルホン(3,3’−DDS)ではなく、
d.XがO−Ph−C(CH3)2−Ph−OまたはO−Ph−O−である場合、Yは、m−フェニレンジアミン(MPD)、FDA、3,4’−ODA、BAPP、APB−133、bisaniline−Mではない)
によって表される。
のいずれか1種またはいずれかの組み合わせによって表される。
以下の用語集には、使用されたそれぞれの成分の名称および略称が含まれる。
化学物質および略称
3,4’−ODA 3,4’−ジアミノジフェニルエーテル
TFMB 4,4’−ジアミノ−2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル
6F−AP 4,4’−(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ビス(2−アミノフェノール)
BAPP 2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン
6FDA 4,4’−(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ビス−フタル酸無水物
BPADA 4,4’−ビスフェノールAジアンヒドリド
DSDA 3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸ジアンヒドリド
BDV 破壊電圧
ポリイミドおよび溶媒のみからなるペーストは、撹拌しながら、かつ通常60〜80℃の範囲の熱の適用下、ガラス反応フラスコ中でポリイミドを1種以上の溶媒に溶解することによって調製された。
ポリイミドペーストの性能を試験するために、それらは最初に適切な試験部分を作成するために使用される必要がある。これは、MPMプリンターを使用するスクリーン印刷によって達成された。使用された基板は、典型的に50mm×50mm部分に切断された、様々なグレードのアルミニウム基板であった。バリ取りおよび洗浄の後、基板を種々の試験部分の調製に使用した。必要とされる試験パターンアーキテクチャを作成するために、種々のステンレス鋼スクリーンを、試験部分の調製において使用した。誘電体層を、典型的に、ダブルウェットパスプリントを使用して適用した。いずれかの次の誘電体層の印刷前に30分間、150で典型的にそれぞれの層を乾燥させた。誘電体層の全てが印刷および乾燥された時、熱架橋剤が存在するペーストの場合、追加的な硬化が実行された。典型的に、これは200℃で1時間であろう。全ての場合において、乾燥および硬化は、ボックスオーブンで実行された。熱的および伝導性の層は、次いで、新規に調製した誘電体層上に印刷された。印刷後、これらの次の層を、典型的に、1時間200℃で乾燥させた。
BDV試験のために調製された部分を、EuroDidact HT6000直流BDV試験機を使用して測定した。典型的に、3個の異なる導体パッドがそれぞれの上に存在する合計5個の別個の基板を試験し、合計15個の値が得られた。
伝導性測定のために調製された部分を、試験プローブ用の4個のワイヤーセットアップを使用し、Keithley 2000マルチメーターを使用して測定した。典型的に10個の個別の試験部分を測定し、10回の測定の平均を得た。
伝導性測定のために調製された試験部分の厚さ値は、Taylor Hobson Talysurfシリーズ2プロフィルメーターにおいて測定した。典型的に、伝導性測定で使用されるパターンはセルペンチン(serpentine)であり、それぞれの試験部分から合計10以上の厚さ測定を入手することができた。次いで、全体の平均厚さを使用して、抵抗測定を標準化した。
熱イミド化によるポリアミド酸からポリイミドへの変換によってポリイミドを調製した。窒素インレット、メカニカルスターラーおよび凝縮器が備えられた乾燥3つ口丸底フラスコに、800.23グラムのNMP、70.31グラムの3,3’−ビス−(トリフルオロメチル)ベンジジン(TFMB)、14.18グラムの2,2’−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン(6F−AP)および0.767グラムの無水フタル酸を添加した。
化学イミド化によるポリアミド酸からポリイミドへの変換によってポリイミドを調製した。窒素インレット、メカニカルスターラーおよび凝縮器が備えられた乾燥3つ口丸底フラスコに、800.23グラムのDMAC、70.31グラムの3,3’−ビス−(トリフルオロメチル)ベンジジン(TFMB)、14.18グラムの2,2’−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン(6F−AP)および0.767グラムの無水フタル酸を添加した。
実施例1に従って調製されたポリマーを、以下の手順を使用して架橋した。ポリイミド8gを32gのDBE−3に溶解した。次いで、0.75gのエポキシ樹脂RSS−1407をこの溶液に添加し、攪拌することによって溶解させた。次いで、0.1gのジメチルベンジルアミン触媒を、攪拌しながら添加した。キャスティングバーを使用して、溶液の一部をガラスプレート上にキャストし、1時間にわたり170℃で硬化し、続いて、強制空気対流式オーブン中で2分間、230℃で硬化した。得られたフィルムはNMP中に溶解しなかった。比較により、6F−APコモノマーを用いずに、実施例2に従って調製されたポリイミドは、NMP中で溶解性を示し、および5モル%および10モル%の6F−APを用いて調製されたポリイミドは、NMP中で膨潤する挙動を示したが、溶解はしなかった。
15モル%の6F−APを用いて実施例2に従って調製されたポリマーを、以下の方法でスクリーン印刷可能な誘電体インクへと変換した。
15モル%の6F−APを用いて実施例2に従って調製されたポリマーを、以下の方法でスクリーン印刷可能な銀インクへと変換した。
15モル%の6F−APを用いて実施例2に従って調製されたポリマーを、以下の方法でスクリーン印刷可能な誘電体インクへと変換した。
20 硬化性ポリイミド含有誘電体層
30 電気的および熱的に伝導性のポリイミド層
本発明は以下の実施の態様を含む。
1.熱的に伝導性の複合電子基板であって、
a.2、5、10、15、20、25、50、100、250、500または1000ワット/(メートル・ケルビン度)より高い熱伝導性を有する金属、グラファイトまたは他の材料を含む熱的に伝導性の層と、
b.前記熱的に伝導性の層と直接接触しており、100、50、30、25、20、15、12または10ミクロン以下の厚さを有し、式I:
Yは、
m−フェニレンジアミン(MPD)、
3,4’−ジアミノジフェニルエーテル(3,4’−ODA)、
4,4’−ジアミノ−2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル(TFMB)、
3,3’−ジアミノジフェニルスルホン(3,3’−DDS)、
4,4’−(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ビス(2−アミノフェノール)(6F−AP)、
ビス−(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)スルホン(BAPS)および
9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン(FDA)、
2,3,5,6−テトラメチル−1,4−フェニレンジアミン(DAM)、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシフェニル)]プロパン(BAPP)、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシフェニル)]ヘキサフルオロプロパン(HFBAPP)、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン(APB−133)、2,2−ビス(3−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン(Bis−A−AF)、4,4’−ビス(4−アミノ−2−トリフルオロメチルフェノキシ)ビフェニル、4,4’−[1,3−フェニレンビス(1−メチル−エチリデン)]ビスアニリン(Bisaniline−M)
からなる群から選択されるジアミン成分またはジアミン成分の混合であり、ただし、
i.XがOである場合、Yは、m−フェニレンジアミン(MPD)、ビス−(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)スルホン(BAPS)および3,4’−ジアミノジフェニルエーテル(3,4’−ODA)、BAPP、APB−133、Bisaniline−Mではなく、
ii.XがS(O)2である場合、Yは、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン(3,3’−DDS)ではなく、
iii.XがC(CF3)2である場合、Yは、m−フェニレンジアミン(MPD)、ビス−(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)スルホン(BAPS)、9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン(FDA)および3,3’−ジアミノジフェニルスルホン(3,3’−DDS)ではなく、
iv.XがO−Ph−C(CH3)2−Ph−OまたはO−Ph−O−である場合、Yは、m−フェニレンジアミン(MPD)、FDA、3,4’−ODA、DAM、BAPP、APB−133、bisaniline−Mではない)
によって表されるポリイミドを含む誘電体層と、
c.任意選択的に、前記誘電体層と直接接触し、前記式Iによって表されるポリイミドと、追加的な熱的および電気的に伝導性の充填剤とを含む熱的および電気的に伝導性の層と
を含む、熱的に伝導性の複合電子基板。
2.前記ポリイミドが、ジアミン成分から誘導され、前記ジアミン成分の0.1〜30モルパーセントが、3,3’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノビフェニル(HAB)、2,4−ジアミノフェノール、2,3−ジアミノフェノール、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシ−ビフェニルおよび2,2’−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンからなる群から選択される、前記1に記載の複合基板。
3.前記ポリイミドが、熱架橋剤を含むか、またはそれから部分的に誘導される、前記1に記載の複合基板。
4.前記熱架橋剤が、
ビスフェノールエポキシ樹脂、
フェノールおよび芳香族炭化水素のエポキシ化コポリマー、
エピクロロヒドリンおよびフェノールホルムアルデヒドのポリマー、ならびに
1,1,1−トリス(p−ヒドロキシフェニル)エタントリグリシジルエーテル
からなる群から選択される、前記3に記載の複合基板。
5.前記ポリイミドが、ブロック化イソシアネートを含むか、またはそれから部分的に誘導される、前記1に記載の複合基板。
6.ポリヒドキシフェニルエーテル(PKHH)、ポリベンゾイミダゾールおよびポリアミドイミドからなる群から選択される金属接着剤をさらに含む、前記1に記載の複合基板。
7.熱的に伝導性の充填剤を含有する誘電体層をさらに含む、前記1に記載の複合基板。
8.前記熱的に伝導性の充填剤が、金属、カーバイド、窒化物、酸化物または炭素の同素体を含む、前記7に記載の複合基板。
9.前記熱的に伝導性の充填剤が、100ナノメートル未満である少なくとも1つの寸法を有する、前記8に記載の複合基板。
10.前記熱的および電気的に伝導性の層が、はんだ付け可能である、前記1に記載の複合基板。
11.前記熱的および電気的に伝導性の層が、ワイヤボンディング可能である、前記1に記載の複合基板。
12.前記熱的および電気的に伝導性の層が、前記誘電体層および前記下にある熱的に伝導性の層と直接接触し、したがって、サーマルビアまたはプラグを形成する、前記1に記載の複合基板。
Claims (1)
- 熱的に伝導性の複合電子基板であって、
a.2、5、10、15、20、25、50、100、250、500または1000ワット/(メートル・ケルビン度)より高い熱伝導性を有する金属、グラファイトまたは他の材料を含む熱的に伝導性の層と、
b.前記熱的に伝導性の層と直接接触しており、100、50、30、25、20、15、12または10ミクロン以下の厚さを有し、式I:
Yは、
4,4’−ジアミノ−2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル(TFMB)、および4,4’−(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ビス(2−アミノフェノール)(6F−AP)
のジアミン成分の混合である)
によって表されるポリイミドを含む誘電体層と、
c.任意選択的に、前記誘電体層と直接接触し、前記式Iによって表されるポリイミドと、追加的な熱的および電気的に伝導性の充填剤とを含む熱的および電気的に伝導性の層と
を含む、熱的に伝導性の複合電子基板。
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