TW202239911A - 半導體加工用黏著薄片及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種半導體加工用黏著薄片，其係依序具有基材，及具有能量線硬化性之中間層(X)，及黏著劑層(Y)，且滿足下述要件(1)： 要件(1)：使用藉由照度230mW/cm 2、光量380mJ/cm 2之條件照射紫外線後之中間層(X)在23℃的儲存彈性模數G’(x)(單位：MPa)與黏著劑層(Y)在23℃的儲存彈性模數G’(y)(單位：MPa)，藉由下述式(1)算出之Q值(單位：MPa)為-30以上30以下。

Description

半導體加工用黏著薄片及半導體裝置的製造方法
本發明係關於一種半導體加工用黏著薄片及半導體裝置的製造方法。
情報終端機器的薄型化、小型化、多機能化的急速發展過程中，其中所搭載的半導體裝置亦同樣地要求薄型化、高密度化，還希望半導體晶圓的薄型化。一直以來為了應對該期望，係對半導體晶圓的背面實施磨削而使其薄型化。 又，近年來，為了由半導體晶圓(以下亦稱為「晶圓」)獲得經薄型化之晶片，係利用一種被稱為先切割法之方法，其係在自晶圓之表面側起藉由切割刀形成特定深度之溝後，由晶圓背面側進行磨削，並藉由磨削將晶圓單片化而獲得晶片。又，作為先切割法之變形例，亦提案有一種以雷射於晶圓內部設置改質區域，並以晶圓背面磨削時之應力等進行晶圓之單片化之方法。
於前述之各方法中，係皆進行晶圓之背面磨削。晶圓之背面磨削中，一般係於晶圓之表面貼附背面磨削用之表面保護薄片(以下，亦稱為「背面研磨薄片」)，並在藉由該薄片保護晶圓之表面之狀態下進行。此外，背面研磨薄片係在晶圓之背面磨削後，自晶圓之表面剝離去除。 又，近年來，作為晶圓，係常使用一種於晶圓表面形成有由高度為數十～數百μm程度之焊錫等所構成之凸塊之晶圓。在將那樣附凸塊之晶圓進行背面磨削之情況中，尤其，由保護凸塊部分之目的來看，亦係於形成凸塊之晶圓表面上，貼附表面保護薄片。 作為表面保護薄片，例如，專利文獻1中，係揭示一種半導體晶圓保持保護用黏著薄片，其特徵在於其係於基材層之單面設置滿足特定之彈性模數及凝膠分之中間層，且於該中間層之表面形成有黏著劑層。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本專利第4367769號公報
[發明所欲解決之課題]
然而，表面保護薄片等的半導體加工用黏著薄片，通常係被貼附於屬於被著體之半導體裝置等，並於對半導體裝置施予必要之加工後，從半導體裝置被剝離者。 此外，由更有效率地保護半導體裝置之目的，或由更容易地將半導體加工用黏著薄片從半導體裝置剝離之目的等來看，有對於半導體加工用黏著薄片之中間層及/或黏著劑層賦予能量線硬化性之情況。 例如，專利文獻1中係記載其所示之表面保護薄片中，為了在剝離時照射放射線之際使中間層稍微硬化，中間層亦可包含放射線硬化型寡聚物。又，專利文獻1係記載其中所示之表面保護薄片，由在剝離時照射放射線藉此生成低接著性物質，而可容易地由晶圓剝離之觀點來看，黏著劑層亦可為放射線硬化型黏著劑層，且該放射線硬化型黏著劑層係黏著劑層含有分子內具有碳-碳雙鍵之放射線硬化型之丙烯酸系聚合物。 然而，藉由能量線而硬化之中間層及/或黏著劑層之性狀與貼附到半導體裝置前有所不同，而有帶來不良影響之情況。 例如，在將中間層等以能量線進行硬化後，將半導體加工用黏著薄片由半導體裝置剝離時，中間層與黏著劑層之間之密著強度係變得不充分，而有產生層間剝離之情況。於該情況中，例如，於半導體加工用黏著薄片之剝離時，黏著劑等殘留於半導體裝置上，而有污染半導體裝置之疑慮。
本發明係鑑於前述情事而成者，目的在於提供一種新穎的半導體加工用黏著薄片，其可抑制自半導體裝置等的被著體剝離時，中間層與黏著劑層之間所產生之層間剝離。 [用於解決課題之手段]
本發明人等，發現藉由使用滿足特定要件之中間層與黏著劑層之半導體加工用黏著薄片，可解決前述課題，進而完成本發明。 亦即，本發明係提供下述[1]～[13]。 [1] 一種半導體加工用黏著薄片，其係依序具有基材，及具有能量線硬化性之中間層(X)，及黏著劑層(Y)，且滿足下述要件(1)。 要件(1)：使用藉由照度230mW/cm 2、光量380mJ/cm 2之條件照射紫外線後之中間層(X)在23℃的儲存彈性模數G’(x)(單位：MPa)與黏著劑層(Y)在23℃的儲存彈性模數G’(y)(單位：MPa)，藉由下述式(1)算出之Q值(單位：MPa)為-30以上30以下。
Figure 02_image001
[2] 如前述[1]中所記載之半導體加工用黏著薄片，其中，儲存彈性模數G’(x)為2.00MPa以下。 [3] 如前述[1]或[2]中所記載之半導體加工用黏著薄片，其中，儲存彈性模數G’(y)為10.0MPa以上。 [4] 如前述[1]～[3]中之任1項所記載之半導體加工用黏著薄片，其中，中間層(X)係由包含丙烯酸系聚合物(A)及丙烯酸系聚合物(B)之中間層形成用組成物所形成之層，其中，丙烯酸系聚合物(A)之重量平均分子量係大於丙烯酸系聚合物(B)之重量平均分子量。 [5] 如前述[4]中所記載之半導體加工用黏著薄片，其中，丙烯酸系聚合物(B)之重量平均分子量係超過250,000。 [6] 如前述[4]或[5]中所記載之半導體加工用黏著薄片，其中，丙烯酸系聚合物(A)之重量平均分子量係超過450,000。 [7] 如前述[4]～[6]中之任1項所記載之半導體加工用黏著薄片，其中，丙烯酸系聚合物(A)為非能量線硬化性之丙烯酸系聚合物，丙烯酸系聚合物(B)為能量線硬化性之丙烯酸系聚合物。 [8] 如前述[4]～[7]中之任1項所記載之半導體加工用黏著薄片，其中，丙烯酸系聚合物(A)係具有源自烷基(甲基)丙烯酸酯(a1)之構成單位，及源自含有官能基之單體(a2)之構成單位之丙烯酸系共聚物(A1)，其中，烷基(甲基)丙烯酸酯(a1)係包含2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯。 [9] 如前述[8]中所記載之半導體加工用黏著薄片，其中，丙烯酸系聚合物(A1)中，源自含有官能基之單體(a2)之構成單位之含量在丙烯酸系聚合物(A1)之全構成單位(100質量%)中，為3～11質量%。 [10] 如前述[4]～[9]中之任1項所記載之半導體加工用黏著薄片，其中，前述中間層形成用組成物中，丙烯酸系聚合物(B)之含量，相對於丙烯酸系聚合物(A)100質量份，為30質量份以上。 [11] 如前述[1]～[10]中之任1項所記載之半導體加工用黏著薄片，其中，前述基材之拉伸彈性模數為50MPa以上。 [12] 如前述[1]～[11]中之任1項所記載之半導體加工用黏著薄片，其係在將具備具有1個以上凸部之面之半導體裝置作為被著體，並於前述半導體裝置之前述具有1個以上凸部之面上貼附有前述黏著劑層(Y)之狀態下，用於加工前述半導體裝置。 [13] 一種半導體裝置的製造方法，其係包含加工具備具有1個以上凸部之面之半導體裝置之步驟之半導體裝置的製造方法，其係在前述半導體裝置所具備之前述具有1個以上凸部之面上，貼附有如前述[1]～[11]中之任1項所記載之半導體加工用黏著薄片之前述黏著劑層(Y)之狀態下，加工前述半導體裝置。 [發明之效果]
依據本發明，可提供一種新穎的半導體加工用黏著薄片，其可抑制自半導體裝置等的被著體剝離時，中間層與黏著劑層之間所產生之層間剝離。
以下，係使用實施形態針對本發明進行詳細的說明。 本說明書中，所謂「固體成分」，係指對象之組成物中所包含之成分之中，除了水及有機溶媒等的稀釋溶媒以外之成分。 本說明書中，針對較佳數值範圍(例如，含量等的範圍)，階段性地記載之下限值及上限值係可各自獨立組合。例如，由「較佳為10～90，更佳為30～60」這樣的記載，係可將「較佳下限值(10)」與「更佳上限值(60)」組合，訂為「10～60」。同樣地，由對於同一事項之「較佳為10以上，更佳為30以上」之記載與「較佳為90以下，更佳為60以下」這樣的記載，亦可將「較佳下限值(10)」與「更佳上限值(60)」組合，訂為「10以上60以下」。 又，本說明書中，「(甲基)丙烯酸」是用於表示「丙烯酸」或「甲基丙烯酸」中的一者或者兩者的用語。同樣地，「(甲基)丙烯酸酯」是用於表示「丙烯酸酯」或「甲基丙烯酸酯」中的一者或者兩者的用語。同樣地，「(甲基)丙烯醯基」是用於表示「丙烯醯基」或「甲基丙烯醯基」中的一者或者兩者的用語。 又，本說明書中之記載中，例如，所謂「能量線」，係用於表示周知的γ線、電子線、紫外線、可見光等的能量線的用語。 本說明書中之記載中，「重量平均分子量(Mw)」係以凝膠滲透層析(GPC)法所測定之標準聚苯乙烯換算之值，具體而言，係以實施例中所記載之方法為基礎所測定之值。
[半導體加工用黏著薄片] 本發明之半導體加工用黏著薄片(以下，稱為「黏著薄片」)係依序具有基材，及具有能量線硬化性之中間層(X)，及黏著劑層(Y)，且滿足下述要件(1)。 要件(1)：使用藉由照度230mW/cm 2、光量380mJ/cm 2之條件照射紫外線後之中間層(X)在23℃的儲存彈性模數G’(x)(單位：MPa)與黏著劑層(Y)在23℃的儲存彈性模數G’(y)(單位：MPa)，藉由下述式(1)算出之Q值(單位：MPa)為-30以上30以下。
Figure 02_image003
前述黏著薄片係藉由滿足要件(1)，而成為中間層(X)(以下，亦稱為「層(X)」)及黏著劑層(Y)(以下，亦稱為「層(Y)」)之密著性優良者。 藉由要件(1)算出之Q值未滿足介於-30以上30以下之範圍內之情況，被認為在層(X)與層(Y)之界面中，層(X)及層(Y)互相對於對方層之表面之濕潤性差，故層(X)與層(Y)之密著性係降低。 因此，藉由要件(1)算出之Q值較佳為-20MPa以上，更佳為-15MPa以上，再更佳為-10MPa以上，又再更佳為-5 MPa以上，又再更佳為-1MPa以上，此外，較佳為25MPa以下，更佳為20MPa以下，再更佳為15MPa以下，又再更佳為10MPa以下，又再更佳為5MPa以下，又再更佳為1MPa以下。 此外，用於算出藉由要件(1)算出之Q值之藉由照度230mW/cm 2、光量380mJ/cm 2之條件照射紫外線後之中間層(X)在23℃的儲存彈性模數G’(x)(以下，亦稱為「彈性模數G’(x)」)，及，藉由照度230mW/cm 2、光量380mJ/cm 2之條件照射紫外線後之中間層(X)在23℃的儲存彈性模數G’(y)(以下，亦稱為「彈性模數G’(y)」)之各值，更具體而言，係基於後述之實施例所記載之方法所測定之值。
作為前述黏著薄片之構成之一實施形態，係如同前述，依序具有基材、具有能量線硬化性之中間層(X)，及黏著劑層(Y)。亦即，具有基材、設置於基材之其中一面上之中間層(X)，及在中間層(X)之與基材相反側之面上進一步設置之黏著劑層(Y)。 又，作為前述黏著薄片之構成之一實施形態，例如，基材、中間層(X)及黏著劑層(Y)亦可以此順序直接積層。此處，所謂「直接積層」，係指例如，在基材及層(X)及層(Y)之間不具有其他層，且各層係互相直接接觸之構成。 此外，作為前述黏著薄片之構成，係至少層(X)與層(Y)為直接積層之構成。 又，作為前述黏著薄片之構成之一實施形態，亦可於層(Y)之與層(X)相反側之面上，進一步設置剝離材。剝離材在保護層(Y)的同時，在黏著薄片貼附於被著體時被自層(Y)除去。 又，作為前述黏著薄片之構成之一實施形態，亦可具有前述以外之層。例如，為了提高基材與中間層(X)之密著性，以各種硬化性樹脂等形成之底塗層亦可設置於基材之其中一面上。又，為了防止黏著薄片之帶電，亦可於基材之其中一面上設置含有周知的抗靜電劑之抗靜電層。
前述黏著薄片之厚度較佳為50μm以上，更佳為150μm以上，此外，較佳為900μm以下，更佳為500μm以下。 本說明書中，所謂「黏著薄片之厚度」，係指在黏著薄片具備後述之剝離材之態樣之情況中，去除剝離材後之黏著薄片之厚度的意思。 該黏著薄片之厚度，例如，可使用後述之實施例中所記載之方法進行測定。或者，亦可以後述之各層之厚度之合計來算出。 又，後述之各層之厚度，例如，可使用後述之實施例中所記載之方法進行測定。 以下，係針對構成黏著薄片之各層進行更詳細的說明。
＜中間層(X)＞ 中間層(X)係具有能量線硬化性之層，且其係設置於基材與黏著劑層(Y)之間之層。中間層(X)可直接形成於基材之上，然而如同前述，於基材之上設置底塗層、抗靜電層等的其他層之情況中，亦可形成於該其他層之上。 由更進一步提升與黏著劑層(Y)之密著性之觀點來看，層(X)之彈性模數G’(x)較佳為0.100MPa以上，更佳為0.250MPa以上，再更佳為0.450MPa以上，又再更佳為0.500MPa以上，此外，較佳為2.00MPa以下，更佳為1.80MPa以下，再更佳為1.50MPa以下，又再更佳為1.10MPa以下。 又，層(X)之彈性模數G’(x)係以後述之實施例中所記載之方法為基礎所測定之值。
層(X)之彈性模數G’(x)，例如，在形成層(X)之中間層形成用組成物包含後述之丙烯酸系聚合物(A)及丙烯酸系聚合物(B)之情況中，係可藉由丙烯酸系聚合物(A)及丙烯酸系聚合物(B)之各摻合量、構成各丙烯酸系聚合物之單體之種類及其含量，以及，各丙烯酸系聚合物之分子量等來進行調整。例如，若為使用後述之丙烯酸系聚合物(B1)作為丙烯酸系聚合物(B)之情況，係可藉由導入丙烯酸系聚合物(B1)中之能量線聚合性基之量(後述之α之值)等來進行調整。更具體而言，若增加丙烯酸系聚合物(B1)中之前述能量線聚合性基之量，則彈性模數G’(x)有變高的傾向。又，若增加中間層形成用組成物中之具有能量線聚合性之聚合物之摻合量，則彈性模數G’(x)有變高的傾向。又，亦可以摻合於中間層形成用組成物中之交聯劑之量、光聚合起始劑之量等，來適宜調整彈性模數G’(x)。
層(X)係由包含丙烯酸系聚合物(A)及丙烯酸系聚合物(B)之中間層形成用組成物所形成之層，其中，丙烯酸系聚合物(A)之重量平均分子量較佳係大於丙烯酸系聚合物(B)之重量平均分子量。 以下，係針對形成層(X)之適宜的中間層形成用組成物中所包含之各成分進行說明。
(丙烯酸系聚合物(A)) 丙烯酸系聚合物(A)(以下，亦稱為「成分(A)」)係具有源自(甲基)丙烯酸酯之構成單位之聚合物，其係相對於後述之丙烯酸系聚合物(B)(以下，亦稱為「成分(B)」)具有相對大的重量平均分子量。 成分(A)之重量平均分子量，由容易維持中間層之形狀之觀點來看，較佳係超過450,000，更佳係超過500,000，再更佳係超過550,000，又，由與成分(B)之相溶性良好之觀點來看，較佳為1,500,000以下，更佳為1,200,000以下，再更佳為900,000以下。
成分(A)由容易將層(X)之彈性模數G’(x)調整至前述之適宜之範圍之觀點來看，較佳為非能量線硬化性之丙烯酸系聚合物。 成分(A)較佳係包含丙烯酸系共聚物(A1)(以下，亦稱為「成分(A1)」)，且該丙烯酸系共聚物(A1)係具有源自烷基(甲基)丙烯酸酯(a1)之構成單位，及源自含有官能基之單體(a2)之構成單位，更佳係由該丙烯酸系共聚物(A1)所構成。 成分(A1)之共聚之形態係未受到特別限定，可為嵌段共聚物，亦可為無規共聚物。
作為烷基(甲基)丙烯酸酯(a1)(以下，亦稱為「單體(a1)」)，較適宜係使用烷基之碳數為1～18之烷基(甲基)丙烯酸酯。具體而言，可舉出甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、丙基(甲基)丙烯酸酯、n-丁基(甲基)丙烯酸酯、n-戊基(甲基)丙烯酸酯、n-己基(甲基)丙烯酸酯、2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯、異辛基(甲基)丙烯酸酯、n-癸基(甲基)丙烯酸酯、n-十二烷基(甲基)丙烯酸酯、n-十三烷基(甲基)丙烯酸酯、十四烷基(甲基)丙烯酸酯、棕櫚基(甲基)丙烯酸酯、硬脂醯基(甲基)丙烯酸酯等。 單體(a1)可單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。
單體(a1)在前述之中，為了使層(X)之彈性模數G’(x)容易調整至前述之適宜之範圍內，較佳係包含烷基之碳數為1～8之烷基(甲基)丙烯酸酯，更佳係包含烷基之碳數為4～8之烷基(甲基)丙烯酸酯(以下，亦稱為「單體(Y)」)。作為單體(Y)，具體而言，較佳係由2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯及n-丁基(甲基)丙烯酸酯所選出之1種以上，更佳係2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯。 此處，構成成分(A1)之單體(a1)可全部為單體(Y)，亦可一部分為單體(Y)。單體(a1)中，單體(Y)之含量，於單體(a1)全量(100質量%)中，較佳為75～100質量%，更佳為80～100質量%，再更佳為90～100質量%，又再更佳為95～100質量%。
成分(A1)中，源自單體(a1)之構成單位之含量，相對於成分(A1)之全構成單位(100質量%)，較佳為50～99.5質量%，更佳為60～99質量%，再更佳為60～95質量%，又再更佳為60～92質量%。 前述源自單體(a1)之構成單位之含量若為50質量%以上，則係提高黏著薄片之保持性能，例如，容易使其對於凹凸差大之被著體之追隨性等良好故較佳。又，前述源自單體(a1)之構成單位之含量若為99.5質量%以下，則可確保源自含有官能基之單體(a2)之構成單位在一定量以上故較佳。 又，使用2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯作為單體(a1)之情況中，由容易將層(X)之彈性模數G’(x)調整至前述之適宜之範圍之觀點來看，成分(A1)中，源自單體(a1)之構成單位之含量，相對於成分(A1)之全構成單位(100質量%)，較佳為61質量%以上，更佳為62質量%以上，此外，較佳為68質量%以下，更佳為67質量%以下，再更佳為66質量%以下，又再更佳為65質量%以下。 此外，本說明書中，單體之構成單位相對於聚合物之全構成單位(100質量%)之含量，可認定為合成該聚合物時所摻合之單體全量100質量%中之該單體含量。 又，聚合物之全構成單位(100質量%)中，係不包含例如，於該聚合物之聚合中所使用之聚合起始劑及鏈轉移劑，以及，源自如同後述之具有能量線聚合性基之聚合性化合物(Zb)及(Zc)那樣的形成聚合物之主鏈骨架之單體以外之成分之構成單位。
含有官能基之單體(a2)(以下，亦稱為「單體(a2)」)為具有羥基、羧基、環氧基、胺基、氰基、含有氮原子之環基、烷氧基矽烷基等的官能基之單體。作為單體(a2)，在前述之中，較佳係由含有羥基之單體、含有羧基之單體，及含有環氧基之單體所選出之1種以上。
作為含有羥基之單體，例如，可舉出2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、3-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、3-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、4-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯等的羥基烷基(甲基)丙烯酸酯；乙烯醇、丙烯醇等的不飽和醇等。 作為含有羧基之單體，可舉出(甲基)丙烯酸、馬來酸、富馬酸、伊康酸等。 作為含有環氧基之單體，可舉出含有環氧基之(甲基)丙烯酸酯及非丙烯酸系含有環氧基之單體。作為含有環氧基之(甲基)丙烯酸酯，可舉出例如，縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯、β-甲基縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯、(3,4-環氧環己基)甲基(甲基)丙烯酸酯、3-環氧環-2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯等。又，作為非丙烯酸系含有環氧基之單體，例如，可舉出縮水甘油基巴豆酸酯、烯丙基縮水甘油基醚等。 單體(a2)可單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。
單體(a2)之中，含有羧基之單體係更佳，其中(甲基)丙烯酸係再更佳，丙烯酸係又再更佳。作為單體(a2)，若使用含有羧基之單體，則中間層之凝集力係提高，中間層之保持性能等係容易變得更加良好。
成分(A1)中，源自單體(a2)之構成單位之含量，相對於成分(A1)之全構成單位(100質量%)，較佳為0.5～40質量%，更佳為1～30質量%，再更佳為3～20質量%，又再更佳為3～15質量%。 前述源自單體(a2)之構成單位之含量若為0.5質量%以上，則中間層之凝集力變高，又，與成分(B)之相溶性亦容易變得良好故較佳。另一方面，前述源自單體(a2)之構成單位之含量若為40質量%以下，則可確保源自單體(a1)之構成單位在一定量以上故較佳。 又，由容易將層(X)之彈性模數G’(x)調整至前述之適宜之範圍之觀點來看，成分(A1)中，源自單體(a2)之構成單位之含量，相對於成分(A1)之全構成單位(100質量%)，較佳為3質量%以上，更佳為5質量%以上，再更佳為7質量%以上，此外，較佳為11質量%以下，更佳為10質量%以下。
成分(A1)可為僅由源自單體(a1)之構成單位與源自單體(a2)之構成單位所構成之共聚物(惟，聚合起始劑、鏈轉移劑等的源自單體以外之成分之構成單位係除外)，然而，除了源自單體(a1)之構成單位與源自單體(a2)之構成單位以外，亦為可進一步包含源自單體(a1)及(a2)以外之其他的單體(a3)(以下，亦稱為「單體(a3)」)之構成單位之共聚物，較佳為包含源自單體(a3)之構成單位之共聚物。
作為單體(a3)，例如，可舉出具有環己基(甲基)丙烯酸酯、苄基(甲基)丙烯酸酯、異莰基(甲基)丙烯酸酯、二環戊基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯等的環狀構造之(甲基)丙烯酸酯、乙酸乙烯酯、苯乙烯等。 單體(a3)可單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。 單體(a3)之中，由與成分(B)之相溶性良好之觀點來看，較佳為乙酸乙烯酯。
成分(A)包含源自單體(a3)之構成單位之情況中，成分(A1)中，源自單體(a3)之構成單位之含量相對於丙烯酸系共聚物(A1)之全構成單位(100質量%)，較佳為1～45質量%，更佳為5～45質量%，再更佳為10～40質量%，又再更佳為15～35質量%，又再更佳為20～30質量%。
中間層形成用組成物中，成分(A)之含量相對於中間層形成用組成物之全量(100質量%)，較佳為50質量%以上，更佳為55質量%以上，再更佳為60質量%以上，此外，較佳為80質量%以下，更佳為75質量%以下，再更佳為70質量%以下。 此外，中間層形成用組成物在如同後述以有機溶劑等的稀釋液稀釋之情況中，所謂中間層形成用組成物之全量，係指除了稀釋液以外之固體成分全量的意思。後述之黏著劑組成物亦相同。
(丙烯酸系聚合物(B)) 丙烯酸系聚合物(B)係具有源自(甲基)丙烯酸酯之構成單位之聚合物，其係相對於前述丙烯酸系聚合物(A)，具有相對小的重量平均分子量。 成分(B)之重量平均分子量，由容易將層(X)之彈性模數G’(x)調整至前述之適宜之範圍之觀點來看，較佳為50,000以上，更佳為100,000以上，再更佳為200,000以上，又再更佳為超過250,000，又再更佳為300,000以上，此外，較佳為800,000以下，更佳為600,000以下，再更佳為550,000以下，又再更佳為500,000以下，又再更佳為450,000以下。
成分(B)由容易將層(X)之彈性模數G’(x)調整至前述之適宜之範圍之觀點來看，較佳為能量線硬化性之丙烯酸系聚合物。 作為具有能量線硬化性之成分(B)，可舉出導入有能量線聚合性基，且具有源自(甲基)丙烯酸酯之構成單位之丙烯酸系聚合物。前述能量線聚合性基較佳係導入丙烯酸系聚合物之側鏈。能量線聚合性基若為包含能量線聚合性之碳-碳雙鍵之基即可，例如，可舉出(甲基)丙烯醯基、乙烯基等，然而其中較佳為(甲基)丙烯醯基。
成分(B)較佳係於具有源自烷基(甲基)丙烯酸酯(b1)之構成單位，及源自含有官能基之單體(b2)之構成單位之丙烯酸系共聚物(B0)(以下，亦稱為「成分(B0)」)中，包含使具有能量線聚合性基之聚合性化合物(Zb)反應之反應物之丙烯酸系共聚物(B1)(以下，亦稱為「成分(B1)」)，更佳係由成分(B1)所構成。 此外，成分(B0)之共聚之形態係未受到特別限定，可為嵌段共聚物、無規共聚物等中之任一者。 成分(B1)之含量相對於中間層形成用組成物中所包含之成分(B)之全量(100質量%)，較佳為70～100質量%，更佳為80～100質量%，再更佳為90～100質量%，又再更佳為100質量%。
作為烷基(甲基)丙烯酸酯(b1)(以下，亦稱為「單體(b1)」)，係使用烷基之碳數為1～18之烷基(甲基)丙烯酸酯，作為其具體例，可舉出作為單體(a1)所例示出者。該等可單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。 成分(B0)中，源自單體(b1)之構成單位之含量，相對於成分(B0)之全構成單位(100質量%)，較佳為50～95質量%，更佳為55～90質量%，再更佳為60～85質量%，又再更佳為65～80質量%。 前述源自單體(b1)之構成單位之含量若為50質量%以上，可充分地維持所形成之中間層(X)之形狀。又，前述源自單體(b1)之構成單位之含量若為95質量%以下，則可確保一定量之成為與聚合性化合物(Zb)之反應點(reactive site)之源自含有官能基之單體(b2)之構成單位。
又，單體(b1)係與單體(a1)同樣地，較佳為烷基之碳數為1～8之烷基(甲基)丙烯酸酯，此外，包含單體(Y)(亦即，烷基之碳數為4～8之烷基(甲基)丙烯酸酯)係更佳。此外，適宜作為單體(Y)之化合物，較佳為n-丁基(甲基)丙烯酸酯，更佳為n-丁基丙烯酸酯。 此處，成分(B0)中所含有之單體(b1)可全部為單體(Y)，然而較佳係一部分為單體(Y)。單體(b1)中，單體(Y)之含量在單體(b1)全量(100質量%)中，較佳為65～100質量%，更佳為70～100質量%，再更佳為80～95質量%。 作為本發明之一實施形態，單體(b1)較佳係包含由甲基(甲基)丙烯酸酯及n-丁基(甲基)丙烯酸酯所選出之1種以上，更佳係包含甲基(甲基)丙烯酸酯及n-丁基(甲基)丙烯酸酯，再更佳係包含甲基丙烯酸甲酯及n-丁基丙烯酸酯。
含有官能基之單體(b2)(以下，亦稱為「單體(b2)」)可舉出具有前述單體(a2)中所例示出之官能基之單體，較佳係由含有羥基之單體、含有羧基之單體，及含有環氧基之單體中所選出之1種以上。作為此等之具體的化合物，可例示出與作為單體(a2)所例示出之化合物相同者。 又，作為單體(b2)，較佳為含有羥基之單體，其中，更佳為2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯等的各種的羥基烷基(甲基)丙烯酸酯，更佳為2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯，再更佳為2-羥基乙基丙烯酸酯。藉由使用羥基烷基(甲基)丙烯酸酯，係可比較容易使成分(B0)與聚合性化合物(Zb)反應。
又，成分(A)所使用之單體(a2)中之官能基，與成分(B)所使用之單體(b2)中之官能基可互相相同，亦可相異，然而相異係較佳。亦即，例如，單體(a2)若為含有羧基之單體，則單體(b2)為含有羥基之單體係較佳。如同上述，互相之官能基若相異，則例如，可將成分(B)藉由後述之交聯劑優先的進行交聯，而容易使上述黏著薄片之保持性能等更加良好。
成分(B0)中，源自單體(b2)之構成單位之含量相對於成分(B0)之全構成單位(100質量%)，較佳為5～50質量%，更佳為10～45質量%，再更佳為15～40質量%，又再更佳為20～35質量%。前述源自單體(b2)之構成單位之含量若為5質量%以上，則相較之下可確保更多與聚合性化合物(Zb)之反應點，且係變得容易將能量性聚合性基導入側鏈中。又，前述源自單體(b2)之構成單位之含量若為50質量%以下，則可充分地維持所形成之中間層(X)之形狀。
成分(B0)可為僅由源自單體(b1)之構成單位與源自單體(b2)之構成單位所構成之共聚物(惟，聚合起始劑、鏈轉移劑等的源自單體以外之成分之構成單位係除外)，然而亦可為除了源自單體(b1)之構成單位與源自單體(b2)之構成單位以外，進一步包含源自單體(b1)及(b2)以外之其他的單體(b3)(以下，亦稱為「單體(b3)」)之構成單位之共聚物。 作為單體(b3)，可舉出作為前述之單體(a3)所例示出者。 成分(B0)中，源自單體(b3)之構成單位之含量相對於成分(B0)之全構成單位(100質量%)，較佳為0～30質量%，更佳為0～20質量%，再更佳為0～10質量%，又再更佳為0～5質量%。
聚合性化合物(Zb)係具有能量線聚合性基，及可與成分(B0)之源自單體(b2)之構成單位中之官能基反應之取代基(以下，亦稱為「反應性取代基」)之化合物。 作為能量線聚合性基，係如同前述，可舉出(甲基)丙烯醯基、乙烯基等，較佳為(甲基)丙烯醯基。又，聚合性化合物(Zb)較佳為每1分子具有1～5個能量線聚合性基之化合物。 作為聚合性化合物(Zb)中之反應性取代基，係依單體(b2)所具有之官能基適宜地變更即可，然而例如，可舉出異氰酸酯基、羧基、環氧基等，由反應性等的觀點來看，較佳為異氰酸酯基。聚合性化合物(Zb)若具有異氰酸酯基，則例如在單體(b2)之官能基為羥基之情況中，係變得可容易地與成分(B0)反應。
作為具體的聚合性化合物(Zb)，例如，可舉出2-(甲基)丙烯醯基氧基乙基異氰酸酯、間位-異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、烯丙基異氰酸酯、縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸等。此等之聚合性化合物(Zb)可單獨或組合2種以上使用。 此等之中，由係具有適宜作為前述反應性取代基的異氰酸酯基，且主鏈與能量線聚合性基之距離適當之化合物之觀點來看，較佳為2-(甲基)丙烯醯基氧基乙基異氰酸酯，更佳為2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯。 成分(B1)中，聚合性化合物(Zb)較佳為與源自成分(B0)中之單體(b2)之官能基全量(100莫耳當量)之中，40～98莫耳當量，更佳為50～95莫耳當量，再更佳為60～90莫耳當量，又再更佳為70～85莫耳當量反應者。
又，藉由下述式(2)所算出之α之值，係表示成分(B1)所具有之能量線聚合性基之數量之指標。成分(B1)中，α之值較佳為5～40，更佳為10～35，再更佳為15～30。 藉由將具有這樣的α之值之成分(B1)以後述之摻合量使用，係變得容易將中間層(X)之彈性模數G’(x)調整至所期望之範圍內。
Figure 02_image005
(式(2)中，[P b]係表示源自含有官能基之單體(b2)之構成單位相對於丙烯酸系共聚物(B0)之全構成單位100質量份之含量。[Q b]係表示相對於丙烯酸系共聚物(B0)所具有之源自含有官能基之單體(b2)之官能基100莫耳當量之聚合性化合物(Zb)之莫耳當量。[R b]係表示聚合性化合物(Zb)所具有之能量線聚合性基之數量)。
中間層形成用組成物中，成分(B)之含量相對於成分(A)100質量份，較佳為10質量份以上，更佳為20質量份以上，再更佳為30質量份以上，又再更佳為40質量份以上，此外，較佳為90質量份以下，更佳為80質量份以下，再更佳為70質量份以下，又再更佳為60質量份以下。
(交聯劑) 前述中間層形成用組成物較佳係進一步含有交聯劑。作為交聯劑，可舉出異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、金屬螯合系交聯劑。此等的交聯劑可單獨或組合2種以上使用。 此等之中，較佳係由異氰酸酯系交聯劑及金屬螯合系交聯劑所選出之1種以上。 中間層形成用組成物，例如，係藉由在塗布後進行加熱，因交聯劑而交聯。 交聯劑之含量相對於成分(A)100質量份，較佳為0.1～10質量份，更佳為0.3～5質量份，再更佳為0.4～3質量份，又再更佳為0.5～1質量份。
作為異氰酸酯系交聯劑，可舉出聚異氰酸酯化合物。作為聚異氰酸酯化合物之具體例，可舉出甲次苯基二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯等的芳香族聚異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯等的脂肪族聚異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化二苯基甲烷二異氰酸酯等的脂環族聚異氰酸酯等。又，亦可舉出此等之縮脲體、異三聚氰酸酯體，此外，亦可舉出屬於與乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羥甲基丙烷、蓖麻油等的含有低分子活性氫之化合物之反應物之加成物等。 此等可單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。又，前述之中，甲次苯基二異氰酸酯等的芳香族聚異氰酸酯之多價醇(例如，三羥甲基丙烷等)加成物係較佳。
作為金屬螯合系交聯劑，例如，可舉出鋁、鐵、銅、鋅、錫、鈦、鎳、銻、鎂、釩、鉻、鋯等的多價金屬之螯合化合物等。例如，可舉出於此等之多價金屬上配位有乙醯丙酮、乙醯乙酸乙酯、三(2,4-戊二酮)等之化合物等。此等之中，鋁螯合化合物係較佳。此等可單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。
又，作為環氧系交聯劑，例如，可舉出1，3-雙(N,N’-二縮水甘油基胺甲基)環己烷、N,N,N’,N’-四縮水甘油基-m-苯二甲基二胺、乙二醇二縮水甘油基醚、1,6-己烷二醇二縮水甘油基醚、三羥甲基丙烷二縮水甘油基醚、二縮水甘油基苯胺、二縮水甘油基胺等。此等可單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。
作為氮丙啶系交聯劑，例如，可舉出二苯基甲烷-4,4’-雙(1-氮丙啶甲醯胺基)、三羥甲基丙烷三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羥甲基甲烷三-β-氮丙啶基丙酸酯、2,4-雙(1-氮丙啶甲醯胺基)甲苯、三乙亞胺基三嗪、雙間苯二甲醯基-1-(2-甲基氮丙啶)、三-1-(2-甲基氮丙啶)膦、三羥甲基丙烷三-β-(2-甲基氮丙啶)丙酸酯、六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷三嗪等。
(光聚合起始劑) 前述中間層形成用組成物較佳係進一步含有光聚合起始劑。中間層形成用組成物由於含有光聚合起始劑，而使中間層形成用組成物之藉由紫外線等所進行之能量線硬化變得容易進行。 作為光聚合起始劑，例如，可舉出安息香化合物、苯乙酮化合物、醯基氧化膦化合物、二茂鈦化合物、噻噸酮化合物、偶氮系化合物、過氧化物化合物，此外，可舉出胺及醌等的光增感劑等。 更具體而言，例如，可舉出苯乙酮、2,2-二乙氧基二苯甲酮、4-甲基二苯甲酮、2,4,6-三甲基二苯甲酮、米其勒酮、安息香、安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香異丙基醚、安息香異丁基醚、苄基二苯硫醚、單硫化四甲基秋蘭姆、偶氮雙異丁腈、芐基二甲基縮酮、聯苄、雙乙醯、1-氯蒽醌、2-氯蒽醌、2-乙基蒽醌、2,2-二甲氧基-1,2-二苯乙烷-1-酮、1-羥基環己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基丙酮-1、2-苄基-2-二甲基胺-1-(4-嗎啉基苯基)-丁酮-1、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、二乙基噻噸酮、異丙基噻噸酮、二苯基(2,4,6-三甲基苯甲醯基)氧化膦、苯基雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)氧化膦等的低分子量聚合起始劑、寡{2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯酯)苯基]丙酮}等的經寡聚物化之聚合起始劑等。此等係可單獨使用，亦可將2種以上併用。又，此等之中，較佳為1-羥基環己基苯基酮。
光聚合起始劑之含量相對於成分(A)100質量份，較佳為0.3～15質量份，更佳為1～10質量份，再更佳為3～8質量份。
(其他的添加劑) 前述中間層形成用組成物在不損及本發明之效果之範圍中，亦可含有其他的添加劑。作為其他的添加劑，例如，可舉出抗氧化劑、軟化劑(可塑劑)、充填劑、防鏽劑、顏料、染料、增黏劑等。在含有此等添加劑之情況中，各別之添加劑之含量相對於成分(A)100質量份，較佳為0.01～6質量份，更佳為0.01～2質量份。
此外，中間層形成用組成物，由在基材或剝離材之面上形成中間層時，使塗布性提升之觀點來看，亦可進一步以有機溶媒稀釋，形成中間層形成用組成物之溶液之形態。 作為有機溶媒，例如，可舉出甲基乙基酮、丙酮、乙酸乙酯、四氫呋喃、二噁烷、環己烷、n-己烷、甲苯、二甲苯、n-丙醇、異丙醇等。 此外，所使用之有機溶媒係可直接使用在成分(A)及成分(B)之合成時所使用之有機溶媒，亦可添加合成時所使用之有機溶媒以外之1種以上之有機溶媒。 使中間層形成用組成物為溶液之形態之情況中，作為該中間層形成用組成物之溶液之固體成分濃度，較佳為5～70質量%，更佳為10～60質量%，再更佳為15～50質量%。
又，層(X)可為單層之層，亦可由複數之層形成。 又，層(X)之厚度係依據成為被著體之半導體裝置適宜選擇即可。例如，在貼附於形成有凸塊之晶圓表面之情況中，係可依據成為被著體之半導體晶圓所具有之凸塊之高度來適宜地選擇。 作為前述黏著薄片之一實施形態所具有之中間層之厚度，例如，較佳為10～800μm，更佳為20～600μm，再更佳為40～400μm，又再更佳為60～250μm，又再更佳為80～200μm。 此處，所謂層(X)之厚度，係意指層(X)全體之厚度，例如，所謂由複數層構成之層(X)之厚度，係意指構成層(X)之所有的層的合計之厚度。
＜黏著劑層(Y)＞ 黏著劑層(Y)係形成於中間層(X)之上之層，黏著薄片係藉由層(Y)貼附於被著體上。層(Y)通常係直接積層於層(X)之上。 又，由使黏著薄片容易追隨被著體表面之凹凸之觀點來看，層(Y)之彈性模數G’(y)較佳為10.0MPa以上，更佳為20.0MPa以上，再更佳為30.0MPa以上，又再更佳為35.0MPa以上，此外，較佳為80.0MPa以下，更佳為70.0MPa以下，再更佳為60.0MPa以下，又再更佳為50.0MPa以下。 又，層(Y)之彈性模數G’(y)係以後述之實施例中所記載之方法為基礎所測定之值。
層(Y)之彈性模數G’(y)，例如，係可藉由選擇形成層(Y)之黏著劑組成物所包含之成分及該等之含量來進行調整。例如，在黏著劑組成物包含後述之丙烯酸系聚合物(C)作為黏著性樹脂之情況中，係可藉由丙烯酸系聚合物(C)之摻合量、構成丙烯酸系聚合物(C)之單體之種類及其含量，以及，丙烯酸系聚合物(C)之分子量等來進行調整。例如，在使用後述之丙烯酸系聚合物(C1)作為丙烯酸系聚合物(C)之情況中，可藉由導入丙烯酸系聚合物(C1)中之能量線聚合性基之量(後述之β之值)等來進行調整。更具體而言，若增加前述能量線聚合性基之量，則彈性模數G’(y)有變高的傾向。又，若增加黏著性樹脂中之具有能量線聚合性之聚合物之摻合量，則彈性模數G’(y)有變高的傾向。又，藉由摻合於黏著劑組成物之交聯劑之量、光聚合起始劑之量等，亦可適宜地調整彈性模數G’(y)。
形成黏著劑層之黏著劑組成物係含有例如，丙烯酸系聚合物、聚胺基甲酸酯、橡膠系聚合物、聚烯烴、聚矽氧等，作為可於黏著劑層表現黏著性之黏著劑成分(黏著性樹脂)。此等之中，較佳為丙烯酸系聚合物。 又，層(Y)較佳係具有能量線硬化性之層。層(Y)具有能量線硬化性之情況中，在能量線照射前，係具有可充分保持被著體之高黏著力，另一方面，在能量線照射後，藉由使層(Y)硬化並使黏著力降低，亦可成為容易由屬於被著體之晶圓等剝離之黏著薄片。
形成黏著劑層之黏著劑組成物可因另外摻合黏著性樹脂以外的能量線硬化性化合物而具有能量線硬化性，然而前述黏著性樹脂自身具有能量線硬化性係較佳。黏著性樹脂自體具有能量線硬化性之情況中，係於黏著性樹脂中導入能量線聚合性基，然而能量線聚合性基較佳係導入黏著性樹脂之主鏈或側鏈中。
又，在摻合黏著性樹脂以外的能量線硬化性化合物之情況中，作為該能量線硬化性化合物，係使用具有能量線聚合性基之單體、寡聚物。寡聚物為重量平均分子量(Mw)未滿10,000之寡聚物，例如可舉出胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。此外，即使在黏著性樹脂自身具有能量線硬化性之情況中，黏著劑組成物中，除了黏著性樹脂以外亦可摻合能量線硬化性化合物。
以下，係針對黏著劑組成物中所含有之黏著性樹脂為能量線硬化性之丙烯酸系聚合物(C)(以下，亦稱為「成分(C)」)之情況進行更詳細的說明。亦即，係針對形成本實施形態中所使用之層(Y)之一適宜態樣之具有能量線硬化性之層(Y)之適宜的黏著劑組成物中所包含之各成分進行說明。
(丙烯酸系聚合物(C)) 丙烯酸系聚合物(C)為導入有能量線聚合性基，且具有源自(甲基)丙烯酸酯之構成單位之丙烯酸系聚合物。能量線聚合性基較佳係導入丙烯酸系聚合物之側鏈。 丙烯酸系聚合物(C)較佳係於具有源自烷基(甲基)丙烯酸酯(c1)之構成單位與源自含有官能基之單體(c2)之構成單位之丙烯酸系共聚物(C0)(以下，亦稱為「成分(C0)」)中，包含使具有能量線聚合性基之聚合性化合物(Zc)反應後之反應物之丙烯酸系共聚物(C1)(以下，亦稱為「成分(C1)」)，更佳係由成分(C1)所構成。 此外，成分(C0)之共聚之形態係未受到特別限定，可為嵌段共聚物、無規共聚物等中之任一者。成分(C1)之含量係相對於黏著劑組成物中所包含之成分(C)之全量(100質量%)，較佳為70～100質量%，更佳為80～100質量%，再更佳為90～100質量%，又再更佳為100質量%。
作為烷基(甲基)丙烯酸酯(c1)(以下，亦稱為「單體(c1)」)，係使用烷基之碳數為1～18之烷基(甲基)丙烯酸酯，作為其具體例，可舉出作為單體(a1)所例示出者，該等可單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。 成分(C0)中，源自單體(c1)之構成單位之含量，由使所形成之黏著劑層之黏著力向上之觀點來看，相對於成分(C0)之全構成單位(100質量%)，較佳為50～99質量%，更佳為60～98質量%，再更佳為70～97質量%，又再更佳為75～96質量%。
又，單體(c1)係與單體(a1)、單體(b1)同樣地，較佳係包含烷基之碳數為1～8之烷基(甲基)丙烯酸酯，此外，更佳係包含烷基之碳數為4～8之烷基(甲基)丙烯酸酯(亦即，單體(Y))。 作為構成成分(C1)之單體(Y)，具體而言，較佳係由2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯及n-丁基(甲基)丙烯酸酯所選出之1種以上，更佳係2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯。 此處，構成成分(C1)之單體(c1)可全部為單體(Y)，亦可一部分為單體(Y)。單體(c1)中，單體(Y)之含量在單體(c1)全量(100質量%)中，較佳為75～100質量%，更佳為80～100質量%，再更佳為90～100質量%，又再更佳為95～100質量%。
含有官能基之單體(c2)(以下，亦稱為「單體(c2)」)，可舉出作為前述含有官能基之單體(a2)所例示出之具有官能基之單體，具體而言，較佳為由含有羥基之單體、含有羧基之單體，及含有環氧基之單體所選出之1種以上。作為此等之具體的化合物，可例示出與作為單體(a2)所例示出之化合物相同者。 又，作為單體(c2)，較佳為含有羥基之單體，其中，更佳為2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯等的各種的羥基烷基(甲基)丙烯酸酯，更佳為2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯，再更佳為2-羥基乙基丙烯酸酯。藉由使用羥基烷基(甲基)丙烯酸酯，係變得比較容易可使聚合性化合物(Zc)與成分(C0)反應。
成分(C0)中，源自單體(c2)之構成單位之含量相對於成分(C0)之全構成單位(100質量%)，較佳為1～40質量%，更佳為2～35質量%，再更佳為3～30質量%，又再更佳為4～25質量%。 前述源自單體(c2)之構成單位之含量若為1質量%以上，則，可確保成為與聚合性化合物(Zc)之反應點之官能基具有一定的量。因此，由於藉由能量線之照射可將黏著劑層適當的硬化，故能量線照射後之黏著力係變得有可能降低。此外，使黏著劑層(Y)與中間層(X)在能量線照射後之層間強度變得容易提高。又，前述源自單體(c2)之構成單位之含量若為40質量%以下，則在塗布黏著劑組成物之溶液並形成黏著劑層時，可確保具有充分的可使用時間。
成分(C0)可為僅由源自單體(c1)之構成單位與源自單體(c2)之構成單位所構成之共聚物(惟，聚合起始劑、鏈轉移劑等的源自單體以外之成分之構成單位係除外)，然而亦可為除了源自單體(c1)之構成單位與源自單體(c2)之構成單位以外，還進一步包含源自單體(c1)及(c2)以外之其他的單體(c3)(以下，亦稱為「單體(c3)」)之構成單位之共聚物。 作為單體(c3)，可舉出作為前述之單體(a3)所例示出者。 成分(C0)中，源自單體(c3)之構成單位之含量，相對於成分(C0)之全構成單位(100質量%)，較佳為0～30質量%，更佳為0～20質量%，再更佳為0～10質量%，又再更佳為0～5質量%。
聚合性化合物(Zc)與前述之聚合性化合物(Zb)同樣地，係具有能量線聚合性基，與可與成分(C0)之源自單體(c2)之構成單位中之官能基反應之取代基(反應性取代基)之化合物，較佳為每1分子具有1～5個能量線聚合性基之化合物。 反應性取代基及能量線聚合性基之具體例係與聚合性化合物(Zb)相同，因此，反應性取代基較佳為異氰酸酯基，能量線聚合性基較佳為(甲基)丙烯醯基。 又，作為具體的聚合性化合物(Zc)，可舉出與作為前述之聚合性化合物(Zb)所例示出之相同者，較佳為2-(甲基)丙烯醯基氧基乙基異氰酸酯，更佳為2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯。此外，聚合性化合物(Zc)可單獨或組合2種以上使用。 成分(C1)中，聚合性化合物(Zc)較佳為與源自成分(C0)中之單體(c2)之官能基全量(100莫耳當量)之中，40～98莫耳當量，更佳為50～95莫耳當量，再更佳為60～90莫耳當量，又再更佳為70～85莫耳當量反應者。
又，藉由下述式(3)所算出之β之值係表示成分(C1)所具有之能量線聚合性基之數量之指標。成分(C1)中，藉由下述式(3)所算出之β之值較佳為0.5～30，更佳為1.0～25，再更佳為5～20，又再更佳為10～20。 黏著劑層由於含有具有這樣的β之值之成分(C1)，故係容易將黏著劑層(Y)之彈性模數G’(y)調整至所期望之範圍內。
Figure 02_image007
(式(3)中，[P c]係表示源自含有官能基之單體(c2)之構成單位相對於丙烯酸系共聚物(C0)之全構成單位100質量份之含量。[Q c]係表示相對於丙烯酸系共聚物(C0)所具有之含有官能基之源自單體(c2)之官能基100莫耳當量之聚合性化合物(Zc)之莫耳當量。[R c]係表示聚合性化合物(Zc)所具有之能量線聚合性基之數量)。
成分(C)之重量平均分子量較佳為100,000～1,500,000，更佳為250,000～1,000,000，再更佳為300,000～900,000，又再更佳為350,000～800,000。 由於具有這樣的重量平均分子量，使賦予黏著劑層適當的黏著性係成為可能。
黏著劑組成物中之成分(C)之含量相對於黏著劑組成物之全量(100質量%)，較佳為70～99質量%，更佳為75～98質量%，再更佳為80～96質量%。
(交聯劑) 前述黏著劑組成物較佳係更進一步含有交聯劑。黏著劑組成物，例如，係藉由在塗布後進行加熱，而因交聯劑而交聯。黏著劑層係由於成分(C)因交聯劑而交聯，使塗膜適當的形成，而變得容易發揮作為黏著劑層之機能。 作為交聯劑，可舉出異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、螯合系交聯劑，此等之中，異氰酸酯系交聯劑係較佳。交聯劑可單獨或組合2種以上使用。此外，異氰酸酯系交聯劑之具體例可舉出作為可使用於中間層形成用組成物之交聯劑所例示出者，其較佳化合物亦相同。 交聯劑之含量相對於成分(C)100質量份，較佳為0.01～10質量份，更佳為0.1～7質量份，再更佳為0.3～4質量份。
(光聚合起始劑) 前述黏著劑組成物較佳係進一步含有光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，可舉出作為使用於前述之中間層形成用組成物中之光聚合起始劑所例示出者。此外，光聚合起始劑可單獨或組合2種以上使用。又，前述之中，1-羥基環己基苯基酮係較佳。 光聚合起始劑之含量相對於成分(C)100質量份，較佳為0.3～15質量份，更佳為1～10質量份，再更佳為3～8質量份。
(其他的添加劑) 前述黏著劑組成物在不損及本發明之效果之範圍中，亦可含有其他的添加劑。作為其他的添加劑，例如，可舉出增黏劑、抗氧化劑、軟化劑(可塑劑)、充填劑、防鏽劑、顏料、染料等。在含有此等添加劑之情況中，各別之添加劑之含量相對於成分(C)100質量份，較佳為0.01～6質量份，更佳為0.01～2質量份。
此外，黏著劑組成物，由在層(X)或在剝離材之面上形成層(Y)時，使塗布性提升之觀點來看，亦可進一步以有機溶媒稀釋，使其成為黏著劑組成物之溶液之形態。 作為有機溶媒，例如，可舉出於前述之中間層形成用組成物之說明中所例示出者。 此外，所使用之有機溶媒，係可直接使用在成分(C)等的黏著性樹脂之合成時所使用之有機溶媒，亦可添加合成時所使用之有機溶媒以外之1種以上之有機溶媒。 在使黏著劑組成物為溶液之形態之情況中，作為該黏著劑組成物之溶液之固體成分濃度，較佳為5～70質量%，更佳為10～60質量%，再更佳為15～50質量%。
又，層(Y)可為單層之層，亦可由複數之層形成。 又，層(Y)之厚度係依據成為被著體之半導體裝置適宜地選擇即可，例如，較佳為1～100μm，更佳為1～75μm，再更佳為3～50μm。 此處，所謂層(Y)之厚度，係意指層(Y)全體之厚度，例如，所為由複數層構成之層(Y)之厚度，係意指構成層(Y)之所有層之合計之厚度。
＜基材＞ 關於基材，由可使對於被著體之保持性能良好等的觀點來看，樹脂薄膜係較佳。作為樹脂薄膜，例如，可舉出聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯化乙烯酯共聚物薄膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二酯薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜、聚碳酸酯系薄膜、聚苯乙烯系薄膜、聚苯硫系薄膜、環烯烴聚合物系薄膜、聚胺基甲酸酯系薄膜、離子聚合物樹脂薄膜、聚醯亞胺系薄膜、氟樹脂薄膜、由能量線硬化型樹脂組成物所形成之薄膜等。
前述樹脂薄膜之中，為了更加提高被著體之保持性能，較佳為聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜，或，由能量線硬化型樹脂組成物所形成之薄膜，更佳為由能量線硬化型樹脂組成物所形成之薄膜。 以下，係針對適宜用於基材之形成之能量線硬化型樹脂組成物及該能量線硬化型樹脂組成物中所包含之各成分進行說明。
(能量線硬化型樹脂組成物) 前述適宜之可用於基材之形成之能量線硬化型組成物係可能藉由能量線照射而硬化。 前述能量線硬化型組成物，更具體而言，作為能量線聚合性化合物，較佳係包含胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(d1)(以下，亦稱為「成分(d1)」)，及具有脂環式構造、芳香族環構造或雜環構造之聚合性化合物(d3)(以下，亦稱為「成分(d3)」)。又，能量線硬化型組成物中，除了成分(d1)及成分(d3)以外，亦可含有多官能聚合性化合物(d2)(以下，亦稱為「成分(d2)」)及/或具有官能基之聚合性化合物(d4)(以下，亦稱為「成分(d4)」)。又，能量線硬化型組成物中，除了前述成分以外，亦可含有光聚合起始劑。此外，能量線硬化型組成物在不損及本發明之效果之範圍中，亦可含有其他的添加劑或樹脂成分。
[胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(d1)] 所謂胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(d1)，係至少具有(甲基)丙烯醯基及胺基甲酸酯鍵之化合物，係具有因能量線照射而進行聚合硬化之性質者。胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(d1)可為寡聚物、聚合物或此等之混合物中之任一者，然而較佳為寡聚物。 成分(d1)之重量平均分子量較佳為1,000～100,000，更佳為2,000～60,000，再更佳為3,000～20,000。又，作為成分(d1)中之(甲基)丙烯醯基數(以下，亦稱為「官能基數」)，可為單官能、2官能，或者3官能以上，然而較佳為單官能或2官能。
成分(d1)，例如，係可藉由使多元醇化合物與多價異氰酸酯化合物反應所獲得之末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物，與具有羥基之(甲基)丙烯酸酯反應來獲得。此外，成分(d1)可單獨或組合2種以上使用。
成分(d1)之原料之多元醇化合物，若為具有2個以上羥基之化合物則未受到特別限定。可為2官能之二醇、3官能之三元醇、4官能以上之多元醇中之任一者，然而較佳為2官能之二醇，更佳為聚酯型二醇或聚碳酸酯型二醇。
作為多價異氰酸酯化合物，例如，可舉出四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯等的脂肪族系聚異氰酸酯類；異佛爾酮二異氰酸酯、降冰片烷二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、ω,ω’-二異氰酸酯二甲基環己烷等的脂環族系二異氰酸酯類；4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯、甲次苯基二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯、聯甲苯胺二異氰酸酯、四亞甲基苯二甲基二異氰酸酯、萘-1,5-二異氰酸酯等的芳香族系二異氰酸酯類等。 此等之中，較佳係由異佛爾酮二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、及苯二甲基二異氰酸酯所構成之群所選出之1種以上，更佳為異佛爾酮二異氰酸酯。
於使前述之多元醇化合物與多價異氰酸酯化合物反應所獲得之末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物使具有羥基之(甲基)丙烯酸酯反應，可獲得成分(d1)。作為具有羥基之(甲基)丙烯酸酯，若為1分子中至少具有羥基及(甲基)丙烯醯基之化合物，則未受到特別限定。
作為具體的具有羥基之(甲基)丙烯酸酯，例如，可舉出2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、4-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、4-羥基環己基(甲基)丙烯酸酯、5-羥基環辛基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基-3-苯基氧基丙基(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇單(甲基)丙烯酸酯等的羥基烷基(甲基)丙烯酸酯；N-羥甲基(甲基)丙烯酸醯胺等的含有羥基之(甲基)丙烯酸醯胺；於乙烯醇、乙烯基酚、雙酚A之二縮水甘油基酯使(甲基)丙烯酸反應所獲得之反應物；等。 此等之中，較佳為羥基烷基(甲基)丙烯酸酯，更佳為2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯。
作為使末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物及具有羥基之(甲基)丙烯酸酯反應之條件，在依需要添加之溶劑、觸媒之存在下，於60～100℃下反應1～4小時之條件係較佳。
能量線硬化型組成物中之成分(d1)之含量在能量線硬化型組成物之全量(100質量%)中，較佳為10～70質量%，更佳為20～60質量%，再更佳為25～55質量%。
[多官能聚合性化合物(d2)] 所謂多官能聚合性化合物(d2)，係指具有2個以上光聚合性不飽和基之化合物。光聚合性不飽和基為包含碳-碳雙鍵之官能基，例如，可舉出(甲基)丙烯醯基、乙烯基、烯丙基、乙烯酯苄基等。亦可將光聚合性不飽和基之2種以上組合。藉由成分(d2)中之光聚合性不飽和基與成分(d1)中之(甲基)丙烯醯基反應，或成分(d2)中之光聚合性不飽和基之間反應，形成三次元網目構造(交聯構造)。 多官能聚合性化合物中之光聚合性不飽和基之數量(官能基數)較佳為2～10，更佳為3～6。 又，成分(d2)之重量平均分子量較佳為30～40,000，更佳為100～10,000，再更佳為200～1,000。
此外，成分(d2)之定義與後述之成分(d3)或成分(d4)之定義雖有重複之部分，然而重複部分係包含於成分(d2)中。例如，具有脂環式構造、芳香族環構造或雜環構造，且具有2個以上(甲基)丙烯醯基之化合物係包含於成分(d2)與成分(d3)之雙方之定義中，然而本發明中，係將該化合物作為包含於成分(d2)中者。又，含有羥基、環氧基、醯胺基、胺基等的官能基，且具有2個以上(甲基)丙烯醯基之化合物係包含於成分(d2)與成分(d4)之雙方之定義中，然而於本發明中，係將該化合物作為包含於成分(d2)中者。
作為具體的成分(d2)，例如，可舉出二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二乙烯基苯、(甲基)丙烯酸乙烯酯、己二酸二乙烯酯、N,N’-亞甲基雙(甲基)丙烯酸醯胺等。此外，成分(d2)可單獨或組合2種以上使用。
能量線硬化型組成物包含成分(d2)之情況中，能量線硬化型組成物中之成分(d2)之含量在能量線硬化型組成物之全量(100質量%)中，較佳為1～40質量%，更佳為3～20質量%，再更佳為5～15質量%。
[具有脂環式構造、芳香族環構造、或雜環構造之聚合性化合物(d3)] 成分(d3)為具有脂環式構造、芳香族環構造、或雜環構造之聚合性化合物，此外，較佳為至少具有1個(甲基)丙烯醯基之化合物，更佳為具有1個(甲基)丙烯醯基之化合物。藉由使用成分(d3)，可使所獲得之能量線硬化型組成物之成膜性提高。 此外，成分(d3)之定義與後述之成分(d4)之定義雖有重複之部分，然而重複部分係包含於成分(d4)中。例如，具有至少1個(甲基)丙烯醯基，及脂環式構造、芳香族環構造，或雜環構造，及羥基、環氧基、醯胺基、胺基等的官能基之化合物，係包含於成分(d3)與成分(d4)之雙方之定義中，然而於本發明中，係將該化合物作為包含於成分(d4)中者。
作為具有脂環式構造之(甲基)丙烯酸酯，較佳為環形成原子數6～20之具有脂環式構造之(甲基)丙烯酸酯，例如，可舉出異莰基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯基(甲基)丙烯酸酯、二環戊基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、環己基(甲基)丙烯酸酯、金剛烷(甲基)丙烯酸酯等。 作為具有芳香族環構造之(甲基)丙烯酸酯，例如，可舉出苯基(甲基)丙烯酸酯；苄基(甲基)丙烯酸酯；苯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯等的苯酚環氧乙烷改質丙烯酸酯；p-甲基苯氧基乙基丙烯酸酯等的p-甲酚環氧乙烷改質丙烯酸酯；o-甲基苯氧基乙基丙烯酸酯等的o-甲酚環氧乙烷改質丙烯酸酯；p-壬基苯酚環氧乙烷改質丙烯酸酯；o-苯基苯酚環氧乙烷改質丙烯酸酯；p-異丙苯基苯酚環氧乙烷改質丙烯酸酯；等。 作為具有雜環構造之(甲基)丙烯酸酯，例如，可舉出四氫糠基(甲基)丙烯酸酯、嗎啉(甲基)丙烯酸酯等。 此外，成分(d3)可單獨或組合2種以上使用。
作為成分(d3)，較佳係包含由具有脂環式構造之(甲基)丙烯酸酯及具有芳香族環構造之(甲基)丙烯酸酯所選出之1種以上，更加係包含具有脂環式構造之(甲基)丙烯酸酯及具有芳香族環構造之(甲基)丙烯酸酯之雙方。 前述具有脂環式構造之(甲基)丙烯酸酯之中，較佳為異莰基(甲基)丙烯酸酯。前述具有芳香族環構造之(甲基)丙烯酸酯之中，較佳為p-甲酚環氧乙烷改質丙烯酸酯，更佳為p-甲基苯氧基乙基丙烯酸酯。
能量線硬化型組成物中之成分(d3)之含量在能量線硬化型組成物之全量(100質量%)中，較佳為10～90質量%，更佳為20～85質量%，再更佳為30～80質量%，又再更佳為40～75質量%，又再更佳為50～70質量%。
[具有官能基之聚合性化合物(d4)] 成分(d4)為含有羥基、環氧基、醯胺基、胺基等的官能基之聚合性化合物，此外，較佳為至少具有1個(甲基)丙烯醯基之化合物，更佳為具有1個(甲基)丙烯醯基之化合物。此外，成分(d4)中之所謂「官能基」，係指存在於分子構造之末端之官能基，例如，係不包含醚鍵、酯鍵等。又，成分(d4)中之官能基係不包含(甲基)丙烯醯基。
作為成分(d4)，例如，可舉出含有羥基之(甲基)丙烯酸酯、含有環氧基之化合物、含有醯胺基之化合物、含有胺基之(甲基)丙烯酸酯等。此等之中，較佳為含有羥基之(甲基)丙烯酸酯。 作為含有羥基之(甲基)丙烯酸酯，例如，可舉出2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、3-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、3-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、4-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、苯基羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基-3-苯氧基丙基丙烯酸酯等。此外，成分(d4)可單獨或組合2種以上使用。
在能量線硬化型組成物包含成分(d4)之情況中，能量線硬化型組成物中之成分(d4)之含量在能量線硬化型組成物之全量(100質量%)中，較佳為1～40質量%，更佳為7～35質量%，再更佳為10～30質量%。
[成分(d1)～(d4)以外之聚合性化合物(d5)] 前述能量線硬化型組成物中，在不損及本發明之效果之範圍中，亦可含有前述之成分(d1)～(d4)以外之其他的聚合性化合物(d5)。 作為成分(d5)，例如，可舉出具有碳數1～20之烷基之烷基(甲基)丙烯酸酯；苯乙烯、羥基乙基乙烯酯醚、羥基丁基乙烯酯醚、N-乙烯基甲醯胺、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基己內醯胺等的乙烯酯化合物：等。此外，成分(d5)可單獨或組合2種以上使用。
在能量線硬化型組成物包含成分(d5)之情況中，能量線硬化型組成物中之成分(d5)之含量在能量線硬化型組成物之全量(100質量%)中，較佳為1～10質量%，更佳為1～5質量%，再更佳為1～2質量%。
[光聚合起始劑] 前述能量線硬化型組成物中，由形成基材時使藉由光照射所進行之聚合時間短縮，以及降低光照射量之觀點來看，較佳係進一步含有光聚合起始劑。 作為光聚合起始劑，可舉出作為使用於前述之中間層形成用組成物中之光聚合起始劑所例示出者。此外，光聚合起始劑可單獨或組合2種以上使用。又，前述之中，1-羥基環己基苯基酮係較佳。 能量線硬化型組成物中之光聚合起始劑之含量相對於前述成分(d1)～(d5)之合計量100質量份，較佳為0.05～15質量份，更佳為0.1～10質量份，再更佳為0.3～5質量份。
[其他的添加劑] 前述能量線硬化型組成物中，在不損及本發明之效果之範圍中，亦可含有其他的添加劑。作為其他的添加劑，例如，可舉出抗靜電劑、抗氧化劑、軟化劑(可塑劑)、充填劑、防鏽劑、顏料、染料等。摻合此等之添加劑之情況中，能量線硬化型組成物中之其他的添加劑之含量係各自獨立相對於前述成分(d1)～(d5)之合計量100質量份，較佳為0.01～6質量份，更佳為0.1～3質量份。
由前述能量線硬化型組成物所形成之薄膜係將前述組成之能量線硬化型組成物藉由能量線照射進行聚合硬化而獲得。亦即，由前述能量線硬化型組成物所形成之薄膜為能量線硬化型組成物之硬化物。 因此，由前述能量線硬化型組成物所形成之薄膜較佳係包含源自成分(d1)之聚合單位及源自成分(d3)之聚合單位。又，由前述能量線硬化型組成物所形成之薄膜亦可含有源自成分(d2)之聚合單位及/或源自成分(d4)之聚合單位，亦可含有源自成分(d5)之聚合單位。由前述能量線硬化型組成物所形成之薄膜中之各聚合單位之含有比例，通常係與構成能量線硬化型組成物之各成分之比率(饋入比)一致。
基材可為僅具有1種前述之樹脂之樹脂薄膜，亦可為具有2種以上者。例如，可為由1個樹脂薄膜構成之單層薄膜，亦可為積層有複數樹脂薄膜之複層薄膜。 又，樹脂薄膜亦可含有周知的填料、著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑、有機潤滑劑、觸媒等。又，樹脂薄膜可為透明，亦可依所期望進行著色等。 又，亦可依需要預先於基材之至少1個表面施予濺鍍、電暈放電、火焰、紫外線照射、電子線照射、氧化等的蝕刻處理或底塗處理等的表面處理。 基材之厚度較佳為10～500μm，更佳為15～300μm，再更佳為20～200μm。 此處，所謂「基材之厚度」，係意指基材全體之厚度，例如，使用前述積層2層以上之複層薄膜之情況中，所謂基材之厚度係意指構成基材之所有層之合計之厚度。
又，由使黏著薄片之操作性優良之觀點來看，本實施形態中所使用之基材之拉伸彈性模數較佳為50MPa以上，更佳為100MPa以上，再更佳為150MPa以上，此外，較佳為3,000MPa以下，更佳為1,500MPa以下，再更佳為500MPa以下。 又，基材之拉伸彈性模數係以後述之實施例中所記載之方法為基礎所測定之值。
＜剝離材＞ 前述黏著薄片亦可於黏著劑層(Y)之與層(X)相反側之表面上更進一步具有剝離材。 作為剝離材，可舉出經雙面剝離處理之剝離薄片、經單面剝離處理之剝離薄片等。此等之剝離薄片可舉出於剝離材用基材上塗布有剝離劑者。 作為剝離材用基材，例如，可舉出可作為前述之基材使用之樹脂薄膜，較佳為聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等的聚酯系薄膜、及聚丙烯、聚乙烯等的聚烯烴系薄膜。 作為剝離劑，例如，可舉出異戊二烯系樹脂、丁二烯系樹脂等的橡膠系彈性體、聚矽氧系樹脂、烯烴系樹脂、長鏈烷基系樹脂、醇酸系樹脂、氟系樹脂等。 剝離材之厚度係未受到特別限制，然而較佳為10～200μm，更佳為20～150μm。
[半導體加工用黏著薄片的製造方法] 作為本發明之半導體加工用黏著薄片的製造方法，在可製造依序具有基材、中間層(X)及黏著劑層(Y)之黏著薄片之範圍內，係無特別限制，可藉由周知的方法來製造。 例如，係可藉由準備在基材之其中一面設置有中間層(X)之附中間層之基材，並於該附中間層之基材之中間層(X)之上，更進一步積層黏著劑層(Y)來進行製造。 附中間層之基材，例如，係可藉由於基材之其中一面上塗布中間層形成用組成物或該溶液，並於之後加熱乾燥形成中間層(X)來進行製作。或者，亦可於剝離材之剝離處理面上塗布中間層形成用組成物或該溶液，並於之後加熱乾燥，而於剝離材上形成中間層(X)，並將此層(X)貼合於基材上，獲得附中間層之基材。此外，剝離材在黏著劑層(Y)積層於中間層(X)之上以前剝離即可。
黏著劑層(Y)係於與中間層(X)之製作時所使用之剝離材不同的剝離材之剝離處理面上，塗布黏著劑組成物或該溶液，並藉由加熱乾燥來形成黏著劑層(Y)，再將該附剝離材之黏著劑層(Y)貼合於中間層(X)之上即可。剝離材可由黏著劑層(Y)剝離，亦可直接作為設置於黏著劑層(Y)上之剝離材使用。 又，可於附中間層之基材之中間層(X)上直接塗布黏著劑組成物，並於之後進行加熱乾燥來形成黏著劑層(Y)。於此情況中，亦可於黏著劑層(Y)之上更進一步貼合剝離材。
作為將中間層形成用組成物、黏著劑組成物，或此等之溶液塗布於基材或剝離材上之方法，例如，可舉出旋轉塗布法、噴塗法、棒塗布法、刀塗布法、輥塗法、刮刀塗布法、擠壓式塗布法、凹板塗布法等。 又，在形成相較而言較厚的中間層(X)時，亦可於剝離材之剝離處理面上，塗布中間層形成用組成物之溶液並進行乾燥，形成2個以上之中間層(X)，並將該中間層(X)互相貼合，或，將複數之中間層(X)依序積層於基材之上，形成中間層(X)。黏著劑層(Y)亦相同。
[半導體加工用黏著薄片之用途] 本實施形態之半導體加工用黏著薄片係貼附於半導體裝置等的被著體之表面，係適合用於在保護該表面的同時對於半導體裝置等的被著體施予特定的加工者。在施予特定的加工後，本實施形態之黏著薄片係自被著體剝離去除。 此外，本說明書中，所謂「半導體裝置」，係指可藉由利用半導體特性產生機能之裝置整體，例如，半導體晶圓、半導體晶片、包含該半導體晶片之電子零件、具備該電子零件之電子機器類等。此等之中，本實施形態之黏著薄片適於半導體晶圓之加工。
作為在貼附本實施形態之黏著薄片之狀態下所進行之加工，例如，可舉出於半導體裝置中的一面上貼附黏著薄片之狀態下，磨削另一面之背面研磨加工、於半導體裝置中的一面上貼附黏著薄片之狀態下，使半導體裝置單片化之切割加工、半導體裝置之搬送、半導體晶片之拾取等。此等之中，本實施形態之黏著薄片係適於背面研磨加工，於半導體晶圓之回路形成面上貼附有本實施形態之黏著薄片之狀態下磨削半導體晶圓之背面之背面研磨加工係更適宜。
本實施形態之黏著薄片較佳係將具備具有1個以上凸部之面之半導體裝置作為被著體，並於前述半導體裝置之具有1個以上凸部之面上貼附有前述黏著劑層(Y)之狀態下，用於加工前述半導體裝置。 如同前述，具有凸部之被著體由於該凸部係成為埋入黏著薄片之黏著劑層中之狀態，故係變得容易產生殘膠。另一方面，若藉由本實施形態之黏著薄片，則由於中間層(X)與黏著劑層(Y)之密著性係良好，並可高度地抑制殘膠，故係適用於具有1個以上凸部之面，因而可使本實施形態之黏著薄片之機能更有效果地表現。 上述凸部之高度係未受到特別限定，然而由使本實施形態之黏著薄片之機能更進一步有效果地表現之觀點來看，10μm以上係較佳，12μm以上係更佳，14μm以上係再更佳。上述凸部之高度係未受到特別限定，然而例如，可為150μm以下，亦可為100μm以下，亦可為50μm以下。 上述凸部之間距係未受到特別限定，然而由使本實施形態之黏著薄片之機能更進一步有效果地表現之觀點來看，5～100μm係較佳，10～50μm係更佳，15～25μm係再更佳。此外，此處之所謂「間距」，俯視狀態下相鄰接之凸部之中心間距離之中最短的距離。 上述凸部之俯視狀態下之形狀係未受到特別限定，例如，可舉出球狀、圓柱狀、橢圓柱狀、類球體、圓錐狀、橢圓錐狀、立方體狀、長方體狀、梯形狀等。 作為具備具有1個以上凸部之面之半導體裝置，例如，較佳係可舉出具有凸塊作為凸部之半導體晶圓。
[半導體裝置的製造方法] 本實施形態之半導體裝置的製造方法係包含加工具備具有1個以上凸部之面之半導體裝置之步驟之半導體裝置的製造方法，其係在前述半導體裝置所具備之前述具有1個以上凸部之面上貼附有本實施形態之半導體加工用黏著薄片之前述黏著劑層(Y)之狀態下，加工前述半導體裝置之半導體裝置的製造方法。
關於具備具有1個以上凸部之面之半導體裝置之說明，以及，關於半導體裝置及其加工內容之說明，係如同於前述半導體加工用黏著薄片之用途之欄之說明。此等之中，本實施形態之半導體裝置的製造方法中之加工較佳為於半導體裝置中的一面貼附前述本實施形態之黏著薄片之狀態下磨削另外的面之背面研磨加工。背面研磨加工係可採用周知的方法。 [實施例]
針對本發明，係藉由以下的實施例具體地進行說明，然而本發明並非受到以下的實施例所限定者。此外，以下之製造例及實施例中之物性值係藉由以下之方法所測定之值。
[重量平均分子量(Mw)] 重量平均分子量(Mw)係使用凝膠滲透層析裝置並藉由下述之條件進行測定，並以標準聚苯乙烯換算所求得。 (測定機器) ・測定裝置：製品名「HLC-8220GPC」、東曹公司製 ・檢測器：示差折射計 ・管柱：自測定試料之導入口側起，依序將「TSK guard column HXL-H」1根、「TSK gel GMHXL」2根串聯，及「TSK gel G2000HXL」1根(皆為東曹公司製)連結使用。 (測定條件) ・管柱溫度：40℃ ・展開溶媒：四氫呋喃 ・流速：1.0mL/min
[半導體加工用黏著薄片等之厚度] 各實施例及各比較例中所使用之基材、中間層(X)、黏著劑層(Y)、剝離材及由此等所獲得之半導體加工用黏著薄片之厚度，以及，所作成之用於評估之資料之厚度等，係使用teclock公司製之定壓厚度測定器[型號：「PG-02J」、標準規格：依循JIS K6783:1994、JIS Z1702:1994、JIS Z1709:1995]。 此外，半導體加工用黏著薄片之總厚度係去除剝離材後之黏著薄片之厚度。
[基材在23℃的拉伸彈性模數] 將基材調製為長度100mm、寬15mm，獲得用於測定拉伸彈性模數之測定試料。藉由拉伸試驗機(製品名「autograph(註冊商標)」、SHIMADZU公司製)，將前述試料以200mm/分之速度，於基材之長度方向進行拉伸，測定拉伸彈性模數，並由測定結果算出23℃下之拉伸彈性模數(E’)之值。將該值當作基材在23℃的拉伸彈性模數(單位：MPa)。
[中間層(X)在23℃的儲存彈性模數G’(x)] 將實施例及比較例中使用之中間層用組成物藉由刀式塗布器，形成雙面貼附有聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)系剝離薄膜(製品名「SP-PET381031」、厚度38μm、LINTEC公司製)之厚度50μm之中間層。 準備複數個藉此形成之中間層，將PET系剝離薄膜剝離並將剝離面彼此疊合，依次積層，由此調製中間層之積層體(厚度1,000μm)。 接著，對於所獲得之中間層之積層體，藉由照度230mW/cm 2、光量380mJ/cm 2之條件照射紫外線。 此外，將照射紫外線後之中間層之積層體衝孔出直徑10mm之圓形，獲得用於測定黏彈性之測定試料。 藉由黏彈性測定裝置(製品名「ARES」、TA Instruments公司製)對前述測定試料施加頻率1Hz之應變，以10℃/分之昇溫速度測定-30～120℃之儲存彈性模數(G’)，由測定值算出23℃下之儲存彈性模數(G’)之值，並將該值當作中間層在23℃的儲存彈性模數G’(x)(單位：MPa)。
[黏著劑層(Y)在23℃的儲存彈性模數G’(y)] 前述「中間層(X)在23℃的儲存彈性模數G’(x)」之測定中，除了將中間層用組成物變更為實施例及比較例中所使用之黏著劑組成物，並將由黏著劑層形成之積層體作為測定試料使用以外，藉由與前述「中間層(X)在23℃的儲存彈性模數G’(x)」相同之方法，算出黏著劑層在23℃的儲存彈性模數G’(y)(單位：MPa)。
[密著性] 對於實施例及比較例中所製作之半導體加工用黏著薄片，自基材側之表面藉由照度230mW/cm 2、光量380 mJ/cm 2之條件照射紫外線，使中間層及黏著劑層硬化。 接著，去除半導體加工用黏著薄片之剝離薄片，對於硬化後之黏著劑層以5mm間隔劃上縱11×橫11線之切痕，劃上棋盤格(方格的數目：100)之切痕。此外，切痕之深度係以使其成為完全切入黏著劑層(40μm)，而未過深地切入中間層(110μm)之程度(具體而言係40μm以上未滿150μm)之深度的方式進行調整。 此外，於前述黏著劑層之面上貼附賽璐玢黏著膠帶(NICHIBAN股份公司製、商品名「cellotape(註冊商標)」)，並於23℃、50%RH(相對濕度)靜置20分鐘後，在以一手壓住黏著薄片的同時，以另一手持著前述賽璐玢黏著膠帶之邊緣，向相對於前述半導體加工用黏著薄片為直角的方向拉伸前述賽璐玢黏著膠帶，由前述半導體加工用黏著薄片之黏著劑層之面上瞬間地剝離。 剝離賽璐玢黏著膠帶後，以目視確認半導體加工用黏著薄片之黏著劑層上之棋盤格之切痕，計算可看見之半導體加工用黏著薄片之黏著劑層與中間層之剝離之方格的數目，並評估紫外線照射後之半導體加工用黏著薄片之中間層與黏著劑層之密著性。表1係顯示於100方格中可看見前述中間層與黏著劑層之剝離之方格的數目。表1中所記載之方格的數目越少，則可說在紫外線照射後之半導體加工用黏著薄片之中間層與黏著劑層之密著性越優良。
[半導體加工用黏著薄片之製造] 藉由以下所示之方法製造半導體加工用黏著薄片。 此外，表1中，表示共聚物之組成之「L/M/N＝S/T/U」等之記載係表示該共聚物為單體L、單體M及單體N之共聚物，且係使S質量份之單體L與T質量份之單體M與U質量份之單體N共聚所獲得者。 又，表1中，表示各單體之簡稱係如同以下所述。 2EHA：2-乙基己基丙烯酸酯 BA：n-丁基丙烯酸酯 MMA：甲基丙烯酸甲酯 VAc：乙酸乙烯酯 AA：丙烯酸 HEA：2-羥基乙基丙烯酸酯 MOI：2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯 例如，「2EHA/VAc/AA＝66/28/6」這樣的記載係表示該共聚物為2EHA、VAc及AA之共聚物，且係使66質量份之2EHA與28質量份之VAc與6質量份之AA共聚所獲得者。 又，「BA/MMA/HEA(MOI)=62/10/28(80%)」這樣的記載係表示該共聚物為使62質量份之BA與10質量份之MMA與28質量份之HEA共聚所獲得之丙烯酸系共聚物，其中，係以使MOI加成於該丙烯酸系共聚物之全羥基中80莫耳%之羥基的方式反應後之聚合物。
[實施例1] (1)基材之製作 於使聚碳酸酯二醇與異佛爾酮二異氰酸酯聚合所獲得之末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物使2-羥基乙基丙烯酸酯反應，獲得重量平均分子量(Mw)5,000之胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物。將該胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物40質量份與p-甲基苯氧基乙基丙烯酸酯20質量份與異莰基丙烯酸酯40質量份與作為光聚合起始劑之1-羥基環己基苯基酮(製品名「OMNIRAD(註冊商標)184」、IGM Resins B.V.公司製)2.0質量份(固體成分比)摻合，獲得能量線硬化型樹脂組成物。 將所獲得之前述能量線硬化型樹脂組成物於澆鑄用步驟薄片之PET系剝離薄膜(製品名「SP-PET381031」、LINTEC公司製、厚度38μm)之剝離處理面上，以使厚度成為160μm的方式藉由噴泉模嘴方式進行塗布，形成樹脂組成物層。於塗布後馬上使用高壓水銀燈於半硬化之樹脂組成物層之上，進一步積層同樣的前述PET系剝離薄膜。之後，進一步藉由高壓水銀燈使前述能量線硬化型樹脂組成物交聯、硬化。然後，將雙面的PET系剝離薄膜剝離，獲得厚度160μm之薄膜。將該薄膜作為基材使用。 又，藉由前述之方法測定之該基材在23℃的拉伸彈性模數為210MPa。 (2)附中間層之基材之製作 準備使2-乙基己基丙烯酸酯66質量份與乙酸乙烯酯 28質量份與丙烯酸6質量份共聚所獲得之丙烯酸系共聚物(Mw=600,000)以作為丙烯酸系聚合物(A)。 又，準備相對於使n-丁基丙烯酸酯62質量份與甲基丙烯酸甲酯10質量份與2-羥基乙基丙烯酸酯28質量份共聚所獲得之丙烯酸系共聚物，使2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯以加成於該丙烯酸系共聚物之全羥基之中80莫耳%之羥基之方式反應之丙烯酸系共聚物(Mw=400,000)以作為丙烯酸系聚合物(B)。 於前述丙烯酸系聚合物(A)100質量份中，摻合丙烯酸系聚合物(B)50質量份、異氰酸酯系交聯劑(製品名「Coronate(註冊商標)L」、東曹公司製)0.57質量份、金屬螯合系交聯劑(製品名「BXX4805」、TOYO CHEM公司製)0.076質量份、作為光聚合起始劑之1-羥基環己基苯基酮(製品名「OMNIRAD(註冊商標)184」、IGM Resins B.V.公司製)3.71質量份，並使用甲苯將固體成分濃度稀釋為30質量%，並進行30分鐘之攪拌，調製中間層形成用組成物之溶液。 接著，將所調製之中間層形成用組成物之溶液，於PET系剝離薄膜(製品名「SP-PET381031」、LINTEC公司製、厚度38μm)之剝離處理面以逗點方式塗布，並於100℃進行2分鐘之加熱乾燥，來準備形成有厚度55μm之中間層之附剝離薄膜之中間層2枚。 接著，將一方之附剝離薄膜之中間層之該中間層貼合於前述(1)所作成之基材後，剝離中間層上之前述剝離薄膜，製作積層體。 此外，將另一方之附剝離薄膜之中間層之該中間層貼合至前述積層體之中間層之表面，製作厚度270μm之附中間層基材(中間層之厚度為110μm)。 (3)黏著劑組成物之調製 於使2-乙基己基丙烯酸酯80質量份與2-羥基乙基丙烯酸酯20質量份共聚所獲得之丙烯酸系聚合物(C)，以使其加成於丙烯酸系聚合物(C)之全羥基之中80莫耳%之羥基的方式，使2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯反應，獲得能量線硬化性之丙烯酸系樹脂(Mw：500,000)。 於此能量線硬化性之丙烯酸系樹脂100質量份中，摻合異氰酸酯系交聯劑(製品名「Coronate(註冊商標)L」、東曹公司製)1質量份、作為光聚合起始劑之1-羥基環己基苯基酮(製品名「OMNIRAD(註冊商標)184」、IGM Resins B.V.公司製)3.75質量份，並以甲苯稀釋，調製固體成分濃度28質量%之黏著劑組成物之溶液。 (4)半導體加工用黏著薄片之製作 於PET系剝離薄膜(製品名「SP-PET381031」、 LINTEC公司製、厚度38μm)之剝離處理面上，將前述(3)所獲得之黏著劑組成物之溶液以逗點方式塗布，並以100℃加熱乾燥2分鐘，於PET系剝離薄膜上形成厚度40μm之黏著劑層。 接著，於前述(2)所獲得之附中間層基材之形成中間層之面上，貼合前述黏著劑層，製作由基材(160μm)/中間層(110μm)/黏著劑層(40μm)/剝離材(38μm)所構成之半導體加工用黏著薄片。
[實施例2及3、以及比較例1及2] 除了將用於中間層之丙烯酸系聚合物(A)各自變更為由表1所示之單體組成所形成之丙烯酸系聚合物以外，與實施例1同樣地製作半導體加工用黏著薄片。
[比較例3] 除了將中間層形成用組成物之溶液變更為以下所示之中間層形成用組成物之溶液以外，與實施例1同樣地製作半導體加工用黏著薄片。 (比較例3中所使用之中間層形成用組成物之調製) 準備使n-丁基丙烯酸酯91質量份與丙烯酸9質量份共聚所獲得之丙烯酸系共聚物(A-2)(Mw=600,000)以作為丙烯酸系聚合物(A)。 又，準備相對於使n-丁基丙烯酸酯62質量份與甲基丙烯酸甲酯10質量份與2-羥基乙基丙烯酸酯28質量份共聚所獲得之丙烯酸系共聚物，將2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯，以使其加成於該丙烯酸系共聚物之全羥基之中80莫耳%之羥基的方式反應之丙烯酸系共聚物(B-2)(Mw= 100,000)，作為丙烯酸系聚合物(B)。 於前述丙烯酸系聚合物(A)100質量份中，摻合丙烯酸系聚合物(B)50質量份、異氰酸酯系交聯劑(製品名「Coronate(註冊商標)L」、東曹公司製)2.8質量份、作為光聚合起始劑之1-羥基環己基苯基酮(製品名「OMNIRAD (註冊商標)184」、IGM Resins B.V.公司製)2.1質量份，並使用甲苯將固體成分濃度稀釋為30質量%，進行30分鐘之攪拌，調製中間層形成用組成物之溶液。
Figure 02_image009
如同表1所示，滿足前述要件(1)之實施例1～3之半導體加工用黏著薄片係可確認在紫外線照射後之中間層與黏著劑層之密著性優良。因此，實施例1～3之半導體加工用黏著薄片貼附於半導體裝置等的被著體後，由該被著體剝離時，可抑制中間層與黏著劑層之間所產生之層間剝離。 另一方面，不滿足前述要件(1)之比較例1～3之半導體加工用黏著薄片，係確認到其經紫外線照射後之中間層與黏著劑層之密著性係相較於實施例1～3而言明顯不良。

Claims (13)

  1. 一種半導體加工用黏著薄片，其係依序具有基材，及具有能量線硬化性之中間層(X)，及黏著劑層(Y)，且滿足下述要件(1)： 要件(1)：使用藉由照度230mW/cm 2、光量380mJ/cm 2之條件照射紫外線後之中間層(X)在23℃的儲存彈性模數G’(x)(單位：MPa)與黏著劑層(Y)在23℃的儲存彈性模數G’(y)(單位：MPa)，藉由下述式(1)算出之Q值(單位：MPa)為-30以上30以下，
    Figure 03_image001
  2. 如請求項1中所記載之半導體加工用黏著薄片，其中，儲存彈性模數G’(x)為2.00MPa以下。
  3. 如請求項1或2中所記載之半導體加工用黏著薄片，其中，儲存彈性模數G’(y)為10.0MPa以上。
  4. 如請求項1～3中之任1項中所記載之半導體加工用黏著薄片，其中，中間層(X)係由包含丙烯酸系聚合物(A)及丙烯酸系聚合物(B)之中間層形成用組成物所形成之層，其中，丙烯酸系聚合物(A)之重量平均分子量係大於丙烯酸系聚合物(B)之重量平均分子量。
  5. 如請求項4中所記載之半導體加工用黏著薄片，其中，丙烯酸系聚合物(B)之重量平均分子量係超過250,000。
  6. 如請求項4或5中所記載之半導體加工用黏著薄片，其中，丙烯酸系聚合物(A)之重量平均分子量係超過450,000。
  7. 如請求項4～6中之任1項中所記載之半導體加工用黏著薄片，其中，丙烯酸系聚合物(A)為非能量線硬化性之丙烯酸系聚合物，丙烯酸系聚合物(B)為能量線硬化性之丙烯酸系聚合物。
  8. 如請求項4～7中之任1項中所記載之半導體加工用黏著薄片，其中，丙烯酸系聚合物(A)係具有源自烷基(甲基)丙烯酸酯(a1)之構成單位，及源自含有官能基之單體(a2)之構成單位之丙烯酸系共聚物(A1)，其中，烷基(甲基)丙烯酸酯(a1)係包含2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯。
  9. 如請求項8中所記載之半導體加工用黏著薄片，其中，丙烯酸系聚合物(A1)中，源自含有官能基之單體(a2)之構成單位之含量在丙烯酸系聚合物(A1)之全構成單位(100質量%)中，為3～11質量%。
  10. 如請求項4～9中之任1項中所記載之半導體加工用黏著薄片，其中，前述中間層形成用組成物中，丙烯酸系聚合物(B)之含量，相對於丙烯酸系聚合物(A)100質量份，為30質量份以上。
  11. 如請求項1～10中之任1項中所記載之半導體加工用黏著薄片，其中，前述基材之拉伸彈性模數為50MPa以上。
  12. 如請求項1～11中之任1項中所記載之半導體加工用黏著薄片，其係在將具備具有1個以上凸部之面之半導體裝置作為被著體，並於前述半導體裝置之前述具有1個以上凸部之面上貼附有前述黏著劑層(Y)之狀態下，用於加工前述半導體裝置。
  13. 一種半導體裝置的製造方法，其係包含加工具備具有1個以上凸部之面之半導體裝置之步驟之半導體裝置的製造方法，其係在前述半導體裝置所具備之前述具有1個以上凸部之面上，貼附有如請求項1～11中之任1項中所記載之半導體加工用黏著薄片之前述黏著劑層(Y)之狀態下，加工前述半導體裝置。
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