TW202236909A - 配線電路基板 - Google Patents

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柴田周作
池田敬裕
新納鉄平
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日商日東電工股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種配線電路基板，其適合於配線之高密度化，並且適合於在端子部實現相對於外部零件端子之良好之連接性與低電阻之接地連接。 本發明之配線電路基板X1於厚度方向D依次具備金屬支持基板10、絕緣層20、及導體層30。導體層30包含端子部E、及自該端子部E延伸之尾線部T。端子部E具有於厚度方向D貫通絕緣層20且與金屬支持基板10連接之導通孔部32。尾線部T具有：基端部33，其與該尾線部T之延伸方向正交之方向之寬度與端子部E之寬度不同，且與端子部E連接；及導通孔部34，其於厚度方向D貫通絕緣層20，且與金屬支持基板10連接。

Description

配線電路基板
本發明係關於一種配線電路基板。
已知有一種具備金屬支持基板、金屬支持基板上之絕緣層、及絕緣層上之配線圖案之配線電路基板。於該配線電路基板中，自配線之高密度化之觀點而言，例如，設置有具有焊盤導導通孔構造且與金屬支持基板電性連接之接地端子。關於此種配線電路基板，例如記載於下述專利文獻1。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2014-157641號公報
[發明所欲解決之問題]
專利文獻1中所記載之配線電路基板如圖15所示，具有金屬支持基板1、絕緣層2、及端子部3。絕緣層2具有於厚度方向貫通該絕緣層2之開口部2a。端子部3包含配置於絕緣層2上之焊墊部4、及配置於開口部2a且與金屬支持基板1連接之導通孔部5(焊墊部4與導通孔部5連接)。即，端子部3具有焊盤導導通孔構造且與金屬支持基板1電性連接，作為接地端子發揮功能。此種端子部3例如藉由具有開口部2a之絕緣層2上之導體材料之成膜與其後之圖案化而形成。
於此種配線電路基板中，為了使端子部3中之接地連接低電阻化，例如，必須使導通孔部5之直徑(導通孔徑)變大。然而，端子部3於露出面具有凹部3a。導通孔徑越大，則凹部3a亦越大。於將作為外部零件之端子之焊錫凸塊6接合於端子部3上之情形時，凹部3a越大，則越容易於端子部3與焊錫凸塊6之間形成空隙G(void)。空隙G之形成會造成端子部3與焊錫凸塊6之間之連接不良，故而欠佳。
本發明提供一種配線電路基板，其適合於配線之高密度化，並且適合於在端子部實現相對於外部零件端子之良好之連接性與低電阻之接地連接。 [解決問題之技術手段]
本發明[1]包含一種配線電路基板，其於厚度方向依次具備金屬支持基板、絕緣層、及導體層，上述導體層包含端子部、及自該端子部延伸之尾線部，上述端子部具有於厚度方向貫通上述絕緣層且與上述金屬支持基板連接之第1導通孔部，上述尾線部具有：基端部，其具有不同於與該尾線部之延伸方向正交之方向上之上述端子部之寬度的寬度，且與上述端子部連接；及第2導通孔部，其於厚度方向貫通上述絕緣層且與上述金屬支持基板連接。
於本發明之配線電路基板中，如上所述，端子部具有與金屬支持基板連接之第1導通孔部，且尾線部自該端子部延伸，該尾線部具有與金屬支持基板連接之第2導通孔部。即，於配線電路基板中，具有焊盤導導通孔(VOP)構造之端子部除了經由VOP構造內之第1導通孔部而與金屬支持基板電性連接以外，還經由VOP構造外之第2導通孔部而與金屬支持基板電性連接。此種構成抑制第1導通孔部及第2導通孔部之各者之大徑化，且適合於端子部與金屬支持基板之間之電性連接之低電阻化。
關於端子部具有VOP構造且適合於抑制第2導通孔部之大徑化之上述構成，於配線電路基板中，適合於確保能夠形成配線之區域，因此，適合於謀求配線之高密度化。關於適合於抑制第1導通孔部之大徑化之上述構成，適合於抑制端子部露出面之凹部之大徑化，因此，適合於確保端子部相對於外部零件端子之良好之連接性。關於適合於端子部與金屬支持基板之間之電性連接之低電阻化的上述構成，適合於在端子部實現經由金屬支持基板之低電阻之接地連接。
本發明[2]包含如上述[1]之配線電路基板，其中上述第2導通孔部相對於上述金屬支持基板之連接面積大於上述第1導通孔部相對於上述金屬支持基板之連接面積。
此種配線電路基板抑制第1導通孔部之大徑化，且適合於謀求端子部與金屬支持基板之間之電性連接之低電阻化。
本發明[3]包含如上述[1]或[2]之配線電路基板，其中上述尾線部具有複數個上述第2導通孔部。
此種配線電路基板抑制第1導通孔部及第2導通孔部各自之大徑化，且適合於謀求端子部與金屬支持基板之間之電性連接之低電阻化。
本發明[4]包含如上述[3]之配線電路基板，其中上述複數個第2導通孔部相對於上述金屬支持基板之連接面積之合計大於上述第1導通孔部相對於上述金屬支持基板之連接面積。
此種配線電路基板抑制第1導通孔部之大徑化，且適合於謀求端子部與金屬支持基板之間之電性連接之低電阻化。
本發明[5]包含如上述[1]至[4]中任一項之配線電路基板，其中上述端子部包含上述絕緣層側之第1導體層、及該第1導體層上之第2導體層。
端子部具有2層構造自確保端子部之強度之觀點而言較佳。端子部具有2層構造自抑制端子部表面之凹部之尺寸且確保端子部之良好的連接性之觀點而言較佳。
本發明[6]包含如上述[1]至[5]中任一項之配線電路基板，其中上述導體層具有兩個上述端子部，上述尾線部自一個端子部延伸至另一個端子部。
此種構成(自端子部延伸之尾線部於兩個端子部共通化之構成)於配線電路基板中，適合於確保能夠形成配線之區域，因此，適合於謀求配線之高密度化。
作為本發明之配線電路基板之第1實施方式之配線電路基板X1如圖1及圖2所示，朝向厚度方向D之一側依次具備金屬支持基板10、作為基底絕緣層之絕緣層20、導體層30、及作為覆蓋絕緣層之絕緣層40(於圖1中省略圖示)。配線電路基板X1於與厚度方向D正交之方向(面方向)擴展，具有特定之俯視形狀。
金屬支持基板10係用以確保配線電路基板X1之強度之基材。作為金屬支持基板10之材料，例如，可例舉不鏽鋼、銅、銅合金、鋁、鎳、鈦、及42合金。作為不鏽鋼，例如，可例舉基於AISI(American Iron and Steel Institute，美國鐵鋼協會)之標準之SUS304。自金屬支持基板10之強度之觀點而言，金屬支持基板10較佳為包含選自由不鏽鋼、銅合金、鋁、鎳、及鈦所組成之群之至少一種，更佳為，由選自由不鏽鋼、銅合金、鋁、鎳、及鈦所組成之群之至少一種構成。自同時實現金屬支持基板10之強度與導電性之觀點而言，金屬支持基板10較佳為包括銅合金。金屬支持基板10之厚度例如為15 μm以上。金屬支持基板10之厚度例如為500 μm以下，較佳為250 μm以下。
絕緣層20配置於金屬支持基板10之厚度方向D之一側。於本實施方式中，絕緣層20配置於金屬支持基板10之厚度方向D一面。作為絕緣層20之材料，例如，可例舉聚醯亞胺、聚醚腈、聚醚碸、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、及聚氯乙烯等樹脂材料(作為下述絕緣層40之材料，亦可例舉相同之樹脂材料)。絕緣層20之厚度較佳為1 μm以上，更佳為3 μm以上。絕緣層20之厚度較佳為35 μm以下，更佳為15 μm以下。
絕緣層20具有於厚度方向D貫通該絕緣層20之開口部21及開口部22。開口部21、22配置於金屬支持基板10與導體層30之間。開口部21、22於導體層30之長度方向(具體而言為下述焊墊部31之長度方向)隔開間隔而配置。
開口部21於俯視時例如具有大致圓形狀。開口部21於厚度方向D之一側具有開口端21a，於厚度方向D之另一側具有開口端21b。又，開口部21於開口端21a與開口端21b之間具有內壁面21c。於本實施方式中，內壁面21c以越為接近金屬支持基板10之部分則越配置於內側之方式傾斜。即，內壁面21c以越為接近金屬支持基板10之部分則開口部21之開口剖面面積越小之方式傾斜。於開口端21b側，開口部21之開口徑根據下述導通孔部32之直徑而例如為10～200 μm。
開口部22於俯視時例如具有大致圓形狀。開口部22於厚度方向D之一側具有開口端22a，於厚度方向D之另一側具有開口端22b。又，開口部22於開口端22a與開口端22b之間具有內壁面22c。於本實施方式中，內壁面22c以越為接近金屬支持基板10之部分則越配置於內側之方式傾斜。即，內壁面22c以越為接近金屬支持基板10之部分則開口部22之開口剖面面積越小之方式傾斜。於開口端22b側，開口部22之開口徑根據下述導通孔部34之直徑而例如為20～1000 μm。
導體層30連續地配置於絕緣層20之厚度方向D之一面上、開口部21、22之內壁面21c、22c上、面向開口部21、22之各者之金屬支持基板10上。作為導體層30之材料，例如，可例舉銅、鎳、金、及該等之合金，較佳為使用銅。導體層30之厚度例如為3 μm以上，較佳為5 μm以上。導體層30之厚度例如為50 μm以下，較佳為30 μm以下。
導體層30包含端子部E、自該端子部E延伸之尾線部T、及配線(省略圖示)(於圖2中，利用虛線表示端子部E與尾線部T之交界)。配線電路基板X1具備至少一個帶尾線部T之端子部E。
端子部E為接地端子，具有焊墊部31及導通孔部32(第1導通孔部)。
焊墊部31配置於絕緣層20上。作為焊墊部31之俯視形狀，例如，可例舉圓形、四邊形、及圓角四邊形。作為四邊形，可例舉正方形及長方形。作為圓角四邊形，可例舉圓角正方形及圓角長方形(例示性地圖示焊墊部31之俯視形狀為圓角長方形之情形時)。關於焊墊部31，圖1所示之長度L1(焊墊部31之長度方向之長度)例如為10～600 μm。關於焊墊部31，圖1所示之寬度L2(與上述長度方向正交之方向之長度)例如為10～600 μm。焊墊部31之面積(圖1所示之俯視時之面積)例如為100～360000 μm 2。
導通孔部32配置於絕緣層20之開口部21(於圖1中利用虛線表示)。具體而言，導通孔部32於厚度方向D貫通絕緣層20且與金屬支持基板10連接。導通孔部32具有周側面32a、及連接於金屬支持基板10之端部32b。端子部E於導通孔部32之形成部位之附近具有剖面凹形狀。
於本實施方式中，周側面32a以越為接近金屬支持基板10之部分則越配置於內側之方式傾斜。即，周側面32a以越為接近金屬支持基板10之部分則導通孔部32之橫截面積越小之方式傾斜。
端部32b之直徑R1(導通孔部32中之金屬支持基板10側端之直徑)自降低導通孔部32相對於金屬支持基板10之連接電阻之觀點而言，較佳為10 μm以上，更佳為20 μm以上。自抑制焊墊部31表面之凹部C之尺寸確保端子部E之良好的連接性(與外部零件之端子之間之連接性)之觀點而言，直徑R1較佳為200 μm以下，更佳為150 μm以下。
導通孔部32相對於金屬支持基板10之連接面積S1(端部32b之厚度方向D之投影面積)自降低導通孔部32相對於金屬支持基板10之連接電阻之觀點而言，較佳為70 μm 2以上，更佳為150 μm 2以上，進而較佳為300 μm 2以上。自抑制焊墊部31之表面之凹部C之尺寸確保端子部E之良好的連接性之觀點而言，連接面積S1較佳為40000 μm 2以下，更佳為22000 μm 2以下。
於本實施方式中，尾線部T具有向自端子部E延伸之方向呈直線地延伸之俯視形狀。尾線部T之該延伸方向之長度L3例如為100～10000 μm。自抑制尾線部T之俯視尺寸之觀點而言，較佳為，長度L3小於長度L1。尾線部T越小，則於配線電路基板X1中，越適合於確保能夠形成配線之區域，因此，越適合於謀求配線之高密度化。
尾線部T具有基端部33及導通孔部34(第2導通孔部)。
基端部33與端子部E連接。基端部33於與尾線部T自端子部E延伸之方向正交之方向具有寬度L4。寬度L4與端子部E之寬度L2不同。自確保能夠形成配線之區域之觀點及配線之高密度化之觀點而言，較佳為，寬度L4小於寬度L2。基端部33之寬度L4例如為50～600 μm。寬度L4相對於寬度L2之比率例如為0.08以上，且未達1。
導通孔部34配置於絕緣層20之開口部22(於圖1中利用虛線表示)。具體而言，導通孔部34於厚度方向D貫通絕緣層20且與金屬支持基板10連接。導通孔部34具有周側面34a、及連接於金屬支持基板10之端部34b。端子部E於導通孔部34之形成部位之附近具有剖面凹形狀。
於本實施方式中，周側面34a以越為接近金屬支持基板10之部分則越配置於內側之方式傾斜。即，周側面34a以越為接近金屬支持基板10之部分則導通孔部34之橫截面積越小之方式傾斜。
端部34b之直徑R2(導通孔部34中之金屬支持基板10側端之直徑)自降低導通孔部34相對於金屬支持基板10之連接電阻之觀點而言，較佳為20 μm以上，更佳為30 μm以上。自抑制尾線部T之俯視尺寸之觀點而言，直徑R2較佳為1000 μm以下，更佳為500 μm以下。
導通孔部34相對於金屬支持基板10之連接面積S2(端部34b之厚度方向D之投影面積)自降低導通孔部34相對於金屬支持基板10之連接電阻之觀點而言，較佳為300 μm 2以上，更佳為700 μm 2以上。自抑制尾線部T之尺寸之觀點而言，連接面積S2較佳為1000000 μm 2以下，更佳為500000 μm 2以下，進而較佳為250000 μm 2以下。自抑制導通孔部32之大徑化且謀求端子部E與金屬支持基板10之間之電性連接之低電阻化之觀點而言，連接面積S2相對於連接面積S1之比率較佳為1.2以上，更佳為1.5以上。該比率例如為1500以下。
絕緣層40以於絕緣層20之厚度方向D之一側覆蓋導體層30之一部分的方式配置。於本實施方式中，絕緣層40以覆蓋尾線部T之一部分之方式配置，且以於俯視時覆蓋導通孔部34之形成部位之方式配置。絕緣層40之厚度例如為4 μm以上，較佳為6 μm以上。絕緣層20上或尾線部T上之絕緣層40之厚度例如為60 μm以下，較佳為40 μm以下。
圖3A至圖3D表示配線電路基板X1之製造方法之一例。圖3A至圖3D中表示本製造方法作為相當於圖2之剖面之變化。
於本製造方法中，首先，如圖3A所示，準備金屬支持基板10(準備步驟)。亦可於金屬支持基板10之厚度方向D之一面(於圖中為上表面)，預先形成用以確保絕緣層20相對於金屬支持基板10之密接性之密接層(省略圖示)。即，於本實施方式中，亦可使用於厚度方向D之一面具有密接層之金屬支持基板10。
密接層係用以確保絕緣層20相對於金屬支持基板10之密接性之層。作為密接層，例如，可例舉藉由濺鍍法而成膜之膜(濺鍍膜)、藉由鍍覆法而成膜之膜(鍍覆膜)、及藉由真空蒸鍍法而成膜之膜(真空蒸鍍膜)。作為密接層之材料，例如，可例舉Cr、Ni、及Ti。密接層之材料亦可為包含選自由Cr、Ni、及Ti所組成之群之2個以上之金屬的合金。作為密接層之材料，較佳為使用Cr。密接層之厚度例如為1 nm以上，較佳為10 nm以上，更佳為20 nm以上。密接層之厚度例如為10000 nm以下，較佳為1000 nm以下，更佳為500 nm以下。
其次，如圖3B所示，於金屬支持基板10之厚度方向D之一面上形成絕緣層20(基底絕緣層形成步驟)。於本步驟中，例如，按照以下之方式形成絕緣層20。首先，於金屬支持基板10上，塗佈感光性樹脂之溶液(清漆)形成塗膜。其次，藉由加熱而使該塗膜乾燥。其次，對塗膜，實施經由特定之遮罩之曝光處理、其後之顯影處理，然後視需要實施烘烤處理。例如，按照以上之方式，可將具有開口部21、22之絕緣層20形成於金屬支持基板10上。於開口部21、22之各者中，金屬支持基板10露出。
其次，如圖3C所示，於絕緣層20上、開口部21、22之內壁面21c、22c上、於開口部21、22之各者露出之金屬支持基板10上，連續地形成導體層30(導體層形成步驟)。於本步驟中，首先，於絕緣層20上、開口部21、22之內壁面21c、22c上、於開口部21、22之各者露出之金屬支持基板10上，例如藉由濺鍍法，形成晶種層(省略圖示)。作為晶種層之材料，例如，可例舉Cr、Cu、Ni、Ti、及該等之合金(下述晶種層之材料亦相同)。晶種層可具有單層構造，亦可具有2層以上之多層構造。於晶種層具有多層構造之情形時，該晶種層例如包括作為下層之鉻層、及該鉻層上之銅層。其次，於晶種層上形成抗蝕劑圖案。抗蝕劑圖案具有形狀與導體層30之圖案形狀相當之開口部。於抗蝕劑圖案之形成中，例如，於使感光性之抗蝕劑膜貼合於晶種層上而形成抗蝕劑膜之後，對該抗蝕劑膜實施經由特定遮罩之曝光處理、其後之顯影處理，然後視需要實施烘烤處理(於下述抗蝕劑圖案之形成中亦相同)。於導體層30之形成中，其次，例如藉由電解鍍覆法，於抗蝕劑圖案之開口部內之晶種層上使上述金屬生長。其次，將抗蝕劑圖案藉由蝕刻而去除。其次，將晶種層中藉由抗蝕劑圖案去除而露出之部分藉由蝕刻而去除。例如，按照以上之方式，可形成特定圖案之導體層30(端子部E、尾線部T、配線)。
其次，如圖3D所示，於絕緣層20上，以覆蓋導體層30之一部分之方式形成絕緣層40(覆蓋絕緣層形成步驟)。於本步驟中，例如，按照以下之方式，形成絕緣層40。首先，於絕緣層40上及導體層30上，塗佈感光性樹脂之溶液(清漆)而形成塗膜。其次，使該塗膜乾燥。其次，對塗膜實施經由特定之遮罩之曝光處理、其後之顯影處理，然後視需要實施烘烤處理。例如，按照以上之方式，可形成絕緣層40。
然後，視需要，對金屬支持基板10藉由蝕刻處理而加工金屬支持基板10之外形。
如以上所述，可製造配線電路基板X1。
於配線電路基板X1中，如上所述，端子部E具有與金屬支持基板10連接之導通孔部32，且尾線部T自端子部E延伸，尾線部T具有與金屬支持基板10連接之導通孔部34。即，於配線電路基板X1中，具有焊盤導導通孔(VOP)構造之端子部E除了經由VOP構造內之導通孔部32而與金屬支持基板10電性連接以外，還經由VOP構造外之導通孔部34而與金屬支持基板10電性連接。此種構成抑制導通孔部32及導通孔部34之各者之大徑化，且適合於端子部E與金屬支持基板10之間之電性連接之低電阻化。即便金屬支持基板10與各導通孔部32、34之界面之電阻相對較高，根據上述構成，亦容易謀求端子部E與金屬支持基板10之間之電性連接之低電阻化(例如，即便於設置Cr層作為上述密接層且於上述晶種層之至少金屬支持基板10側設置有Cr膜，而使金屬支持基板10與各導通孔部32、34之界面之電阻相對較高之情形時，根據上述構成，亦容易謀求端子部E與金屬支持基板10之間之電性連接之低電阻化)。
關於端子部E具有VOP構造且適合於抑制導通孔部34之大徑化之上述構成，於配線電路基板X1中，適合於確保能夠形成配線之區域，因此，適合於謀求配線之高密度化。關於適合於抑制導通孔部32之大徑化之上述構成，適合於抑制端子部E之露出面之凹部C的大徑化，因此，適合於確保端子部E相對於外部零件端子之良好的連接性。關於適合於端子部E與金屬支持基板10之間之電性連接之低電阻化的上述構成，適合於在端子部E實現經由金屬支持基板10之低電阻之接地連接。
如以上所述，配線電路基板X1適合於配線之高密度化，並且適合於在端子部實現相對於外部零件端子之良好的連接性與低電阻之接地連接。
此外，於配線電路基板X1中，端子部E具有導通孔部32且尾線部T具有導通孔部34之構成自抑制沿著端子部E及尾線部T配置信號配線之情形時之該信號配線之雜訊的觀點而言較佳(與無導通孔部32之情形時或無導通孔部34之情形時相比雜訊抑制效果較高)。
於配線電路基板X1中，如圖4及圖5所示，尾線部T亦可具有複數個導通孔部34(例示性地圖示尾線部T具有三個導通孔部34之情形)。於本變化例中，複數個導通孔部34於尾線部T之俯視時之延伸方向隔開間隔而排列為一行。導通孔部34間之距離例如為35～1000 μm。
尾線部T具有複數個導通孔部34之構成抑制導通孔部34之大徑化，適合於謀求端子部E與金屬支持基板10之間之電性連接之低電阻化。自該低電阻化之觀點而言，較佳為，複數個導通孔部34相對於金屬支持基板10之連接面積S2之合計大於端子部E之導通孔部32的連接面積S1。自上述低電阻化之觀點而言，複數個導通孔部34之連接面積S2之合計相對於導通孔部32之連接面積S1的比率較佳為1.2以上，更佳為1.5以上。該比率例如為1500以下。導通孔部34之大徑化之抑制有助於抑制尾線部T之俯視尺寸，因此，於配線電路基板X1中有助於確保能夠形成配線之區域謀求配線之高密度化。
於本變化例中，導通孔部32及複數個導通孔部34排列為一行。於沿著端子部E及尾線部T配置信號配線之情形時，自抑制該信號配線之雜訊之觀點而言，此種構成較佳。
於配線電路基板X1中，尾線部T亦可於俯視時具有自端子部E呈直線地延伸之形狀以外之形狀。例如，尾線部T如圖6所示，亦可具有自端子部E延伸之第1部分Ta、及向與第1部分Ta之延伸方向交叉之方向延伸之第2部分Tb。本變化例中之尾線部T之第2部分Tb中，具有複數個導通孔部34(例示性地圖示尾線部T具有三個導通孔部34之情形)。尾線部T形成為與端子部E周圍之配線佈局對應之形狀。
於配線電路基板X1中，如圖7及圖8所示，導體層30亦可包含利用尾線部T連接之兩個端子部E(端子部E1及端子部E2)。於本變化例中，尾線部T自一個端子部E1延伸至另一個端子部E2。即，自端子部E延伸之尾線部T於端子部E1與端子部E2共通化。此種構成於配線電路基板X1中，適合於確保能夠形成配線之區域，因此，適合於謀求配線之高密度化。
於配線電路基板X1中，端子部E如圖9A及圖9B所示，亦可具有複數個導通孔部32。
於圖9A所示之變化例中，端子部E具有與尾線部T之導通孔部34一起排列為一行之複數個導通孔部32(於圖9A中，例示性地圖示端子部E具有兩個導通孔部32之情形)。於沿著端子部E及尾線部T配置信號配線之情形時，自抑制該信號配線之雜訊之觀點而言，此種構成較佳。
於圖9B所示之變化例中，端子部E於俯視時之四角分別具有導通孔部32。自經由端子部E與金屬支持基板10之間之導通孔部32之電性連接之低電阻化的觀點而言，此種構成較佳。
圖10及圖11表示作為本發明之配線電路基板之第2實施方式之配線電路基板X2。配線電路基板X2與配線電路基板X1相同，朝向厚度方向D之一側依次具備金屬支持基板10、作為基底絕緣層之絕緣層20、導體層30、及作為覆蓋絕緣層之絕緣層40(於圖10中省略圖示)。配線電路基板X2與配線電路基板X1之不同之處在於，於導體層30之一部分之上進而具備導體層30A，且代替端子部E而具有端子部E'。關於該情況以外，配線電路基板X2具有與配線電路基板X1相同之構成。
端子部E'包含絕緣層20側之導體層30(第1導體層)、及該導體層30上之導體層30A(第2導體層)，且具有導體層30、30A之2層構造。又，端子部E'具有焊墊部31'、導通孔部32(第1導通孔部)。端子部E'與端子部E之不同之處在於，代替焊墊部31而具有焊墊部31'。
焊墊部31'包含上述之焊墊部31及該焊墊部31上之導體層30A。導體層30A於俯視時，具有收納於焊墊部31之外部輪廓形狀以內之外部輪廓形狀。作為導體層30A之俯視形狀，例如，可例舉作為焊墊部31之俯視形狀上述之形狀(例示性地圖示焊墊部31及導體層30A之各俯視形狀為圓角長方形之情形)。作為導體層30A之材料，可例舉上文中關於導體層30所述之材料。導體層30之材料與導體層30A之材料較佳為相同，更佳為銅。導體層30、30A之材料亦可不同。導體層30A之厚度例如為3 μm以上，較佳為5 μm以上，又，例如為50 μm以下，較佳為30 μm以下。
焊墊部31'具有此種2層構造自確保焊墊部31'之強度之觀點而言較佳。焊墊部31'具有2層構造自抑制焊墊部31'表面之凹部C之尺寸且確保端子部E'之良好的連接性之觀點而言較佳。
於配線電路基板X2中，尾線部T自此種端子部E'延伸。配線電路基板X2包含至少一個帶尾線部T之端子部E'。
圖12A至圖12C表示配線電路基板X2之製造方法之一例。圖12A至圖12C中表示本製造方法作為相當於圖11之剖面之變化。
於本製造方法中，首先，與上文中參照圖3A及圖3B所述之內容相同，實施準備步驟、及基底絕緣層形成步驟。
其次，如圖12A所示，於絕緣層20上圖案形成導體層30(第1導體層形成步驟)。具體而言，與上文中參照圖3C所述之內容相同。
其次，如圖12B所示，於導體層30上形成導體層30A(第2導體層形成步驟)。於本步驟中，首先，以覆蓋絕緣層20及導體層30、30A之方式，例如藉由濺鍍法，而形成晶種層(省略圖示)。其次，於晶種層上形成抗蝕劑圖案。抗蝕劑圖案具有形狀與導體層30A之圖案形狀相當之開口部。其次，藉由電解鍍覆法，而於抗蝕劑圖案之開口部內之晶種層上使上述金屬生長。其次，將抗蝕劑圖案藉由蝕刻而去除。其次，將於晶種層中藉由抗蝕劑圖案去除而露出之部分藉由蝕刻而去除。例如，按照以上之方式，可於導體層30上形成導體層30A。
其次，如圖12C所示，於絕緣層20上，以覆蓋導體層30之一部分之方式形成絕緣層40(覆蓋絕緣層形成步驟)。具體而言，與上文中參照圖3D所述之內容相同。
然後，視需要，對金屬支持基板10藉由蝕刻處理而加工金屬支持基板10之外形。
如以上所述，可製造配線電路基板X2。
於配線電路基板X2中，端子部E'具有與金屬支持基板10連接之導通孔部32，且尾線部T自端子部E延伸，尾線部T具有與金屬支持基板10連接之導通孔部34。即，於配線電路基板X2中，具有VOP構造之端子部E'除了經由VOP構造內之導通孔部32而與金屬支持基板10電性連接以外，還經由VOP構造外之導通孔部34而與金屬支持基板10電性連接。此種構成抑制導通孔部32及導通孔部34之各者之大徑化，且適合於端子部E'與金屬支持基板10之間之電性連接之低電阻化。因此，配線電路基板X2與配線電路基板X1相同地，適合於配線之高密度化適，並且適合於在端子部實現相對於外部零件端子之良好之連接性與低電阻之接地連接。
此外，於配線電路基板X2中，端子部E具有導通孔部32且尾線部T具有導通孔部34之構成自抑制沿著端子部E及尾線部T配置信號配線之情形時之該信號配線之雜訊的觀點而言較佳(與無導通孔部32之情形時或無導通孔部34之情形時相比雜訊抑制效果較高)。
於配線電路基板X2中，與上文中參照圖4及圖5針對配線電路基板X1所述之內容相同地，尾線部T亦可具有複數個導通孔部34。複數個導通孔部34例如排列為一行。
於配線電路基板X2中，尾線部T亦可於俯視時具有自端子部E'呈直線地延伸之形狀以外之形狀。例如，尾線部T與上文中參照圖6針對配線電路基板X1所述之內容相同地，亦可具有自端子部E'延伸之第1部分Ta、及向與第1部分Ta之延伸方向交叉之方向延伸之第2部分Tb。
於配線電路基板X2中，與上文中參照圖7及圖8針對配線電路基板X1所述之內容相同地，亦可具備利用尾線部T連接之兩個端子部E'(端子部E1'及端子部E2')。
於配線電路基板X2中，端子部E'與上文中圖9A及圖9B針對配線電路基板X1所述之內容相同地，亦可具有複數個導通孔部32。
該等變化例中之技術性優點係如上文中關於配線電路基板X1之說明所述。
1:金屬支持基板 2:絕緣層 2a:開口部 3:端子部 3a:凹部 4:焊墊部 5:導通孔部 6:焊錫凸塊 10:金屬支持基板 20:絕緣層 21:開口部 21a:開口端 21b:開口端 21c:內壁面 22:開口部 22a:開口端 22b:開口端 22c:內壁面 30:導體層 30A:導體層 31:焊墊部 31':焊墊部 32:導通孔部(第1導通孔部) 32a:周側面 32b:端部 33:基端部 34:導通孔部(第2導通孔部) 34a:周側面 34b:端部 40:絕緣層 C:凹部 D:厚度方向 E:端子部 E1:端子部 E2:端子部 E':端子部 E1':端子部 E2':端子部 G:空隙 L1:長度 L2:寬度 L3:長度 L4:寬度 T:尾線部 Ta:第1部分 Tb:第2部分 X1:配線電路基板 X2:配線電路基板
圖1係本發明之配線電路基板之第1實施方式之局部俯視圖。 圖2係沿著圖1之II-II線之剖視圖。 圖3A至圖3D表示圖1所示之配線電路基板之製造方法之一例。圖3A表示準備步驟，圖3B表示基底絕緣層形成步驟，圖3C表示導體層形成步驟，圖3D表示覆蓋絕緣層形成步驟。 圖4係第1實施方式之配線電路基板之一變化例之局部俯視圖。於本變化例中，尾線部具有複數個第2導通孔部。 圖5係沿著圖4之V-V線之剖視圖。 圖6係第1實施方式之配線電路基板之另一變化例之局部俯視圖。於本變化例中，尾線部之圖案形狀與第1實施方式不同。 圖7係第1實施方式之配線電路基板之另一變化例之局部俯視圖。於本變化例中，配線電路基板具有利用尾線部連接之兩個端子部。 圖8係沿著圖7之VIII-VIII線之剖視圖。 圖9A及圖9B表示端子部具有複數個第1導通孔部之情形時之變化。於圖9A所示之變化例中，端子部具有與尾線部之第2導通孔部一起排列為一行之複數個第1導通孔部。於圖9B所示之變化例中，端子部於俯視時之四角分別具有第1導通孔部。 圖10係本發明之配線電路基板之第2實施方式之局部俯視圖。 圖11係沿著圖10之XI-XI線之剖視圖。 圖12A至圖12C表示圖10所示之配線電路基板之製造方法中之一部分的步驟。圖12A表示第1導體層形成步驟，圖12B表示第2導體層形成步驟，圖12C表示覆蓋絕緣層形成步驟。 圖13係第2實施方式之配線電路基板之一變化例之局部俯視圖。於本變化例中，設置有利用尾線部連接之兩個端子部。 圖14係沿著圖13之XIV-XIV線之剖視圖。 圖15係先前之配線電路基板之局部剖視圖。
10:金屬支持基板
20:絕緣層
21:開口部
21a:開口端
21b:開口端
21c:內壁面
22:開口部
22a:開口端
22b:開口端
22c:內壁面
30:導體層
31:焊墊部
32:導通孔部(第1導通孔部)
32a:周側面
32b:端部
33:基端部
34:導通孔部(第2導通孔部)
34a:周側面
34b:端部
40:絕緣層
C:凹部
D:厚度方向
E:端子部
T:尾線部
X1:配線電路基板

Claims (6)

  1. 一種配線電路基板，其於厚度方向依次具備金屬支持基板、絕緣層、及導體層， 上述導體層包含端子部、及自該端子部延伸之尾線部， 上述端子部具有於厚度方向貫通上述絕緣層且與上述金屬支持基板連接之第1導通孔部， 上述尾線部具有：基端部，其具有不同於與該尾線部之延伸方向正交之方向上之上述端子部之寬度的寬度，且與上述端子部連接；及第2導通孔部，其於厚度方向貫通上述絕緣層且與上述金屬支持基板連接。
  2. 如請求項1之配線電路基板，其中上述第2導通孔部相對於上述金屬支持基板之連接面積大於上述第1導通孔部相對於上述金屬支持基板之連接面積。
  3. 如請求項1之配線電路基板，其中上述尾線部具有複數個上述第2導通孔部。
  4. 如請求項3之配線電路基板，其中上述複數個第2導通孔部相對於上述金屬支持基板之連接面積之合計大於上述第1導通孔部相對於上述金屬支持基板之連接面積。
  5. 如請求項1之配線電路基板，其中上述端子部包含上述絕緣層側之第1導體層、及該第1導體層上之第2導體層。
  6. 如請求項1至5中任一項之配線電路基板，其中上述導體層包含兩個上述端子部，上述尾線部自一個端子部延伸至另一個端子部。
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