TW202222582A - 氟樹脂薄膜 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於氟樹脂薄膜者，特別是關於熱膨脹係數被抑制得很小之薄膜。本發明之薄膜其在升溫速度10℃之升溫過程所測定之示差掃描熱量測定(DSC)中，結晶熔解曲線於339℃~355℃與370℃~390℃之溫度範圍表現出源自聚四氟乙烯的吸熱峰值，且該結晶熔解曲線於較339℃低溫側未表現出源自聚四氟乙烯之吸熱峰值；並且，在令薄膜厚度為x軸、且令遵循ISO14782測定之霧度值為y軸的xy正交座標中，該氟樹脂薄膜所具有的薄膜厚度及霧度值，係在連結A點(0.01,10.0)、B點(0.25,50.0)、C點(0.25,99.5)、D點(0.01,50.0)之直線所包圍之四角形範圍內。

Description

氟樹脂薄膜
本發明係關於氟樹脂薄膜者，特別是關於熱膨脹係數被抑制得很小之薄膜。
高度資訊化發展與資訊流量增加，推進了通訊機器上所使用訊號的大容量化與高速化。伴隨於此，搭載於此等機器中之各種印刷基板對於高頻區域之對應變得必要，而作為所使用之基板材料，現正謀求一種低相對介電常數以使傳輸速度提升且低介電損耗正切而可降低傳輸損耗之材料。
一般而言，基於高絕緣性與尺寸安定性之考量，大多使用聚醯亞胺樹脂作為印刷基板之材料。但是，仍在謀求對訊號傳輸之高速化等更進一步的對應，對於作為基板材料之聚醯亞胺樹脂，亦需要對應高速化之低介電常數化。例如專利文獻1中記載了一種聚醯亞胺薄膜，其蝕刻去除聚醯亞胺層內部的一部分，使小孔生成於內部聚醯亞胺層整體，藉此實現了低介電。但是，這對於所要求之高傳輸速度來說還是不夠，在1GHz以上之高頻區域使用時，會有發生傳輸損耗的問題。
又，專利文獻2記載一種氟樹脂基板，其係於銅箔等金屬基材上形成由氟樹脂構成之介電體層。皆知氟樹脂為相對介電常數及介電損耗正切小之材料，但其與銅箔等金屬基材積層時，成為介電體層之氟樹脂的熱膨脹係數會大於金屬基材即銅的熱膨脹係數，會有發生回焊時之加熱導致翹曲的問題。因此，不能直接使用氟樹脂。專利文獻2記載一種氟樹脂基板，其係於介電體層之氟樹脂中含有中空玻璃珠，藉此抑制回焊時發生翹曲。但是，混合中空珠的樹脂卻有成形時中空珠易被破壞、所製得之基板其介電特性惡化的問題。
專利文獻3記載一種多層薄膜，其由熱尺寸安定性優異之聚醯亞胺薄膜與不含液晶高分子等之氟樹脂層所構成，並記載此多層薄膜之介電常數為3以下，且50~200℃之線膨脹係數被抑制得很小。但是，專利文獻3之多層薄膜係於聚醯亞胺薄膜上塗裝氟樹脂而形成氟樹脂層，因氟樹脂層非常薄，所以氟樹脂之熱膨脹影響被抑制得很低。另一方面，其作為多層薄膜，無法充分獲得低介電常數及低介電損耗正切這些屬於氟樹脂特長的介電特性。
[先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本特開2007‐119573號公報 [專利文獻2]WO2013‐146667號公報 [專利文獻3]日本特開2017‐136755號公報
[發明概要] [發明欲解決之課題] 氟樹脂一般而言介電常數低如2.1~2.4，其具有適合高頻區域之訊號傳輸的介電特性。但是，如上所述，氟樹脂由於線膨脹係數(以下，有時稱為CTE)大，溫度所致之尺寸變化大，因此不只會有與銅箔等金屬基材積層時，發生加熱所致之翹曲的問題，也會有在製造具有微細配線之電路時，發生配線損傷等的問題。因此，作為適合與不同種基材積層之氟樹脂薄膜，至今尚未實現能保持住屬於氟樹脂特長之介電特性的薄膜。本發明提供一種氟樹脂薄膜，其保持氟樹脂之介電特性，且實現了低CTE。
[用以解決課題之手段] 本案發明人等針對上述課題進行精闢研討的結果，發現藉由將氟樹脂薄膜之結晶狀態控制在一定範圍內可解決上述課題，進而完成了本發明。即，本發明之氟樹脂薄膜係如下述：其在升溫速度10℃之升溫過程所測定之示差掃描熱量測定(DSC)中，結晶熔解曲線於339℃~355℃與370℃~390℃之溫度範圍表現出源自聚四氟乙烯的吸熱峰值，且該結晶熔解曲線於較339℃低溫側未表現出源自聚四氟乙烯之吸熱峰值；並且，在令薄膜厚度為x軸、且令遵循ISO14782測定之霧度值為y軸的xy正交座標中，該氟樹脂薄膜所具有的薄膜厚度及霧度值，係在連結A點(0.01,10.0)、B點(0.25,50.0)、C點(0.25,99.5)、D點(0.01,50.0)之直線所包圍之四角形範圍內。
又，本發明之氟樹脂薄膜宜如下述：其在升溫速度10℃之升溫過程所測定之示差掃描熱量測定(DSC)中，結晶熔解曲線於339℃~355℃與370℃~390℃之溫度範圍表現出源自聚四氟乙烯的吸熱峰值，且該結晶熔解曲線於較339℃低溫側未表現出源自聚四氟乙烯之吸熱峰值；並且，在令薄膜厚度為x軸、且令遵循ISO14782測定之霧度值為y軸的xy正交座標中，該氟樹脂薄膜所具有的薄膜厚度及霧度值，係在連結A點(0.01,10.0)、B’點(0.25,70.0)、C點(0.25,99.5)、D點(0.01,50.0)之直線所包圍之四角形範圍內。
又，從前述結晶熔解曲線中在339℃~355℃之溫度範圍的吸熱峰值與在370℃~390℃之溫度範圍的吸熱峰值算出之熔解能的比，宜為3比1~30比1。
本發明之氟樹脂薄膜在30GHz下之相對介電常數為2.1以下，又，於30GHz下之介電損耗正切為0.001以下。
又，本發明之氟樹脂薄膜在30℃~250℃下之薄膜XY方向的線膨脹係數為100ppm/℃以下。
[發明效果] 本發明之氟樹脂薄膜可一面維持氟樹脂的優異介電特性，一面將溫度所致之尺寸變化抑制得很小。其即使與線膨脹係數小之金屬材料等積層，也甚少發生問題，且活用其優異介電特性還可適合使用於高頻基板材料等用途。
[用以實施發明之形態] 以下針對本發明的實施形態之一進行說明。於以下說明之實施形態其用意並非是限定本發明，且在實施形態中說明之特徴的組合，其等不一定全部皆為完成本發明所必須的。
本發明之氟樹脂薄膜宜以聚四氟乙烯(PTFE)為主成分。本發明所使用之PTFE，可為四氟乙烯(以下，稱為「TFE」)之均聚物，或亦可為包含少量其他單體的改質PTFE。作為改質PTFE所含之TFE以外的少量單體，例如可舉出：三氟氯乙烯(CTFE)、六氟丙烯(HFP)、全氟烷基乙烯基醚(PPVE)等，此等單體可含有1種或合併含有2種以上。
成形用之PTFE粉末有細粉末(fine powder)與模製粉末(molding powder)2種類。細粉末係以乳化聚合而得者，其具有若對其粒子施加強的剪切應力則會伴隨著纖維化而變形之性質。糊漿擠製成形就是利用此一性質。糊漿擠製成形一般來說為下述方法：將在細粉末中混合被稱為助劑(潤滑劑)之有機溶劑而得的糊漿壓縮成形，之後以擠製機對其加壓而將其從模具擠出並予以成形。本發明之氟樹脂薄膜宜使用下述者：以PTFE之細粉末為主成分，於其中混合助劑且以擠製機成形為片材形狀，並於去除助劑後進行延伸者。
PTFE細粉末宜使用比重(SSG)為2.15~2.20的細粉末，且宜使用未燒成者。
PTFE細粉末沒有PTFE之熔點以上的熱經歷時，在以示差掃描熱量測定(DSC)所得之結晶熔解曲線中，會在345℃附近表現吸熱峰值。結晶熔解曲線之345℃附近的吸熱峰值被認為是類似伸展鏈結晶(ECC)的結晶結構所致者，若PTFE結晶一度熔解，則345℃附近的吸熱峰值會消失，變成可觀測到326℃附近的吸熱峰值。326℃附近的吸熱峰值被認為是折疊鏈結晶(FCC)所致者，一般認為，雖然PTFE聚合後之細粉末會具有類似ECC之結晶結構，若其一度熔解而再結晶化，則結晶結構會變化為FCC。
將此PTFE細粉末成形為片材狀後，若將其延伸，在以DSC所得之結晶熔解曲線中，於380℃附近會觀測到吸熱峰值。此於380℃附近的吸熱峰值，被認為是因延伸而對分子鏈施加剪切，伸展鏈結晶(ECC)強配向所致。以下，有時將此稱為高熔點伸展鏈結晶(HECC)。為了使此HECC所致的吸熱峰值產生，可高速延伸PTFE片材，或是以高延伸倍率進行延伸等而使構成片材之PTFE纖維化。
圖1係本發明之氟樹脂薄膜其以DSC所得之結晶熔解曲線的一例。本發明之氟樹脂薄膜以在升溫速度10℃之升溫過程所測定之示差掃描熱量測定(DSC)所得的結晶熔解曲線中，作為源自PTFE的峰值，係表現出在339℃~355℃之溫度範圍之低溫側的吸熱峰值1、與在370℃~390℃之溫度範圍之高溫側的吸熱峰值2。如上所述，在339℃~355℃之溫度範圍的吸熱峰值被認為是ECC所致者，在370℃~390℃之溫度範圍的吸熱峰值被認為是HECC所致者。又，從以DSC所得結晶熔解曲線之吸熱峰值面積，可算出結晶之熔解能。從339℃~355℃之溫度範圍的吸熱峰值1算出之低溫側峰值的熔解能與從370℃~390℃之溫度範圍的吸熱峰值2算出之高溫側峰值的熔解能，其等之比(”低溫側峰值的熔解能”比”高溫側峰值的熔解能”)宜為3比1~30比1，較佳為4比1~25比1。此2個溫度範圍之熔解能的比在前述範圍內的結晶狀態，被認為是有助於將PTFE薄膜的線熱膨脹抑制得很低。
進一步而言，在令薄膜厚度為x軸、且令遵循ISO14782測定之霧度值為y軸的xy正交座標中，本發明之氟樹脂薄膜所具有的薄膜厚度及霧度值，係在連結A點(0.01,10.0)、B點(0.25,50.0)、C點(0.25,99.5)、D點(0.01,50.0)之直線所包圍之四角形範圍內。又，宜為其具有的薄膜厚度及霧度值，在連結A點(0.01,10.0)、B’點(0.25,70.0)、C點(0.25,99.5)、D點(0.01,50.0)之直線所包圍之四角形範圍內。霧度值係從照射於薄膜之光中的擴散穿透光相對於總光線穿透光之比率而求得，因此，其係從光的擴散穿透率Td與總光線穿透率Tt，以霧度(%)＝Td/Tt×100而算出。本發明之氟樹脂薄膜，例如可將PTFE片材延伸並使其多孔化後，施以壓縮處理使其高密度化而成形，但是穿透該氟樹脂薄膜的光會因薄膜中的空孔而擴散，認為是薄膜之厚度與霧度的關係在上述範圍之空孔狀態有助於維持PTFE的介電特性與抑制線熱膨脹。
本發明之氟樹脂薄膜，在以DSC所得之結晶熔解曲線中，於較339℃低溫側不會有源自PTFE之吸熱峰值。於較339℃低溫側不會有源自PTFE之吸熱峰值這件事，係表示構成薄膜之PTFE並未有熔點(以DSC觀測之345℃附近的吸熱峰值溫度)以上的溫度經歷，且表示所形成之薄膜的結晶結構保持特定狀態。此外，圖1之結晶熔解曲線係一在345℃附近有吸熱峰值1、且在較該峰值溫度低溫側出現肩峰(shoulder)的例子。成為薄膜原料之PTFE細粉末，有時會由分子量不同的粉末所構成，而有如圖1之吸熱峰值1這般於吸熱峰值表現出肩峰的情況。於此，所謂峰值係指曲線具有極端值時，將其稱為峰值，所謂肩峰係指如圖1之1a的曲線這般不具有極端值者。就本發明而言，在DSC之結晶熔解曲線中，即使於峰值出現肩峰，亦不會將該肩峰認為是峰值。
本發明之氟樹脂薄膜宜不包含或是幾乎不包含氟樹脂以外之樹脂或填料等添加劑。藉此可保持屬於氟樹脂特長的低介電常數、及低介電損耗正切之介電特性。本發明之氟樹脂薄膜在30GHz下之相對介電常數為約2.1以下，介電損耗正切為約0.001以下。又，其在85GHz下之相對介電常數為約2.1以下，介電損耗正切為約0.001以下。本發明之氟樹脂薄膜在寬頻帶中具有優異的介電特性。
本發明之氟樹脂薄膜在30℃~250℃下之薄膜XY方向的線膨脹係數低如100ppm/℃以下，其可將溫度所致之尺寸變化抑制得很小。由於不需要為了抑制氟樹脂之線膨脹而於氟樹脂積層聚醯亞胺、玻璃布等其他層，因此變得可構成薄的薄膜。本發明之氟樹脂薄膜的厚度為5μm~250μm，宜為10μm~200μm，更佳為20~200μm。
以下，會針對製作本發明之氟樹脂薄膜之製造方法的一例進行說明。
［預備成形體之成形］ 用於製作本發明之氟樹脂薄膜的PTFE預備成形體，可藉由一般所知的方法來成形。例如，於未燒成之PTFE細粉末摻合助劑而製得糊漿，並將該糊漿在室溫下壓縮成形使其成為預備成形體。助劑係添加於PTFE細粉末中以使細粉末糊漿化而能進行擠製者，宜為會抑制成形前的揮發、並於成形後可藉由揮發而輕易地去除者。易於使用的助劑，其初沸點(IBP)為150℃~250℃左右，宜使用石油系溶劑。 ［擠製成形］ 將製得之預備成形體裝填於擠製機，並施加壓力將糊漿從擠製模具擠出，成形PTFE片材。片材之厚度，可因應延伸‐壓縮後之薄膜厚度而適當地決定，擠製壓力宜高至能夠充分促進PTFE粒子纖維化。擠製模具之溫度可為室溫，亦可在例如25℃~80℃左右的溫度範圍進行擠製成形。將成形後之未燒成的PTFE片材在低於PTFE之熔點的溫度下進行加熱，使助劑揮發。去除助劑後的PTFE片材中，包含有助劑脫離後的細孔。 ［片材延伸］ 將去除助劑後的PTFE片材在低於PTFE之熔點的溫度下進行延伸。已知藉由延伸未燒成之PTFE片材，片材整體會以助劑脫離後之細孔為起點而多孔化。於本發明之氟樹脂薄膜，可使用延伸倍率為15倍~225倍左右的多孔PTFE片材，較宜使用延伸倍率為18倍~145倍左右者。此延伸倍率係以(X方向之延伸倍率×Y方向之延伸倍率)的面積倍率來表示。多孔PTFE片材之厚度可設為約0.03mm~3mm，較佳設為約0.04mm~2mm。多孔PTFE片材之密度例如可設為0.1g/cm 3~0.7g/cm 3，較佳設為0.2g/cm 3~0.5g/cm 3。 ［片材壓縮處理］ 上述多孔PTFE片材，宜在低於PTFE熔點之溫度下進行壓縮處理。例如，壓縮處理溫度宜在80℃~340℃左右之溫度範圍。壓縮處理例如可藉由以下方式進行：使多孔PTFE片材行過一對壓延輥之間，並以對經成對壓延輥挾持之多孔PTFE片材施加一定載重的方式將其保持。施加於壓延輥之載重，宜因應壓縮處理後之PTFE片材所需要的厚度、密度等，設定成會對PTFE片材施加適當壓力。例如，可將載重設在5MPa~400MPa的範圍。又，不只會以一對的壓延輥進行一次壓縮處理，亦可以複數對的壓延輥分為數段階進行。藉由此壓縮處理，多孔PTFE之片材內的空孔徑與其分布會產生變化並高密度化。如此製得之PTFE薄膜的密度會成為1.8g/cm 3~2.4g/cm 3。便可使如此獲得之氟樹脂薄膜的厚度為5μm~250μm，宜為10μm~200μm，更佳為20~200μm。
於以下的實施例會更加詳細地說明本發明。此外，以下的實施例係用以說明本發明，本發明不受以下實施例所限定。
[實施例] ＜示差掃描熱量測定(DSC)＞ DSC係使用NETZSCH JAPAN製 DSC3200，並遵循JIS K 7122而進行。將氟樹脂薄膜切下5mg~10mg作為測定試樣。為了防止熱收縮的影響，將測定試樣夾於鋁盤。使用以升溫速度10℃/min從室溫升溫至400℃之過程所得的數據。從所得之結晶熔解曲線(DSC曲線)，確認吸熱峰值溫度。DSC曲線之基線(base line)的調整與轉移熱的求法係遵循JIS K 7122，從峰值面積算出熔解能。DSC曲線之基線略呈直線時，可將DSC曲線離開基線的點作為300℃的點，DSC曲線回到基線的點作為360℃的點，並以直線連接此2點，藉此算出339℃~355℃之低溫側溫度區的吸熱峰值面積。同樣地，可藉由以直線連結DSC曲線上之370℃的點與390℃的點，將其作為370℃~390℃之高溫側溫度區之吸熱峰值的基線，來算出峰值面積。 從如此算出之峰值面積，求得低溫側峰值之熔解能與高溫側峰值之熔解能。 ＜霧度測定＞ 霧度之測定係遵循ISO14782來進行。試驗裝置係使用SUGA試驗機(股)製霧度計HZ-V3。光源為D65，測定徑為φ14mm，並使用雙光束(Double beam)方式進行測定。測定值係針對1樣品進行3處的測定，並採用其平均值。測定環境設為溫度23℃±2℃、濕度50%RH±10%RH。 ＜CTE測定＞ 線膨脹係數(CTE)係表示熱膨脹係數之中長度的變化率。CTE之測定係以遵循ISO11359‐2的機械熱分析(TMA法)來進行。TMA法係將測定樣品設置於拉伸探針並對測定樣品施加一定載重，在此狀態下進行升溫，測定因測定樣品膨脹所致的長度變化量，藉此求算CTE。CTE係使用以下式(1)算出。 CTE＝(ΔL/L0)×(1/ΔT)×10 6式(1) 於此，ΔL表示溫度從溫度T1變化至T2時之測定樣品的長度變化量，L0表示測定前之測定樣品的長度，ΔT表示溫度的變化量(T2-T1)℃。 測定樣品宜在其用於測定之前，在270℃恆溫槽進行1小時退火處理作為前處理，去除殘留應力。 測定裝置係使用NETZSCH JAPAN製 TMA4000S，並按以下條件進行測定。 測定溫度範圍：室溫~250℃ 升溫速度：10℃/min 拉伸載重：0.5g 測定樣品尺寸：長15mm×寬5mm(放入夾頭(chuck)部之樣品尺寸為長20mm×寬5mm) 測定方法 從室溫升溫至250℃後，以20℃/min之速度冷卻至室溫。之後，以10℃/min之速度再升溫至250℃，從第2次升溫時的長度變化求算CTE。 分別就薄膜之X方向、Y方向製作測定樣品並進行測定，算出30℃~250℃的CTE。將X方向與Y方向之測定值中較大的值，作為該薄膜XY方向的CTE。 ＜介電特性測定＞ 相對介電常數及介電損耗正切係藉由平衡型圓板共振器法來測定。測定裝置係使用KEYSIGHT TECHNOLOGIES (股)製 vector network analyzer N5251A，並按以下條件進行測定。 測定樣品形狀：30mm×30mm 掃描頻率：100M~100GHz 圓板直徑：15mm 測定環境：-40℃、室溫(22℃，60%RH)、125℃
實施例1 準備未燒成之多孔PTFE片材，該多孔PTFE片材係以面積延伸倍率會成為36倍之方式延伸者。使該多孔PTFE片材通過一對壓延輥之間，以壓縮溫度340℃進行壓縮。在壓延輥間施加10MPa之一定載重。所得之氟樹脂薄膜的厚度為0.24mm。 實施例2 準備未燒成之多孔PTFE片材，該多孔PTFE片材係以面積延伸倍率會成為36倍之方式延伸者。使該多孔PTFE片材通過一對壓延輥之間，以壓縮溫度340℃進行壓縮。在壓延輥間施加10MPa之一定載重。所得之氟樹脂薄膜的厚度為0.018mm。 實施例3 準備未燒成之多孔PTFE片材，該多孔PTFE片材係以面積延伸倍率會成為50倍之方式延伸者。使該多孔PTFE片材通過一對壓延輥之間，以壓縮溫度120℃進行壓縮。在壓延輥間施加60MPa之一定載重。所得之氟樹脂薄膜的厚度為0.015mm。 實施例4 準備未燒成之多孔PTFE片材，該多孔PTFE片材係以面積延伸倍率會成為36倍之方式延伸者。使該多孔PTFE片材通過一對壓延輥之間，以壓縮溫度300℃進行壓縮。在壓延輥間施加10MPa之一定載重。所得之氟樹脂薄膜的厚度為0.25mm。 實施例5 準備未燒成之多孔PTFE片材，該多孔PTFE片材係以面積延伸倍率會成為30倍之方式延伸者。使該多孔PTFE片材通過一對壓延輥之間，以壓縮溫度320℃進行壓縮。在壓延輥間施加10MPa之一定載重。所得之氟樹脂薄膜的厚度為0.05mm。 實施例6 準備未燒成之多孔PTFE片材，該多孔PTFE片材係以面積延伸倍率會成為30倍之方式延伸者。使該多孔PTFE片材通過一對壓延輥之間，以壓縮溫度120℃進行壓縮。在壓延輥間施加200MPa之一定載重。所得之氟樹脂薄膜的厚度為0.04mm。 實施例7 準備未燒成之多孔PTFE片材，該多孔PTFE片材係以面積延伸倍率會成為100倍之方式延伸者。使該多孔PTFE片材通過一對壓延輥之間，以壓縮溫度300℃進行壓縮。在壓延輥間施加20MPa之一定載重。所得之氟樹脂薄膜的厚度為0.05mm。 比較例1 準備未燒成之多孔PTFE片材，該多孔PTFE片材係以面積延伸倍率會成為50倍之方式延伸者。使該多孔PTFE片材通過一對壓延輥之間，以壓縮溫度360℃進行壓縮。在壓延輥間施加10MPa之一定載重。所得之氟樹脂薄膜的厚度為0.05mm。
針對各實施例、比較例所得之氟樹脂薄膜，測定DSC、霧度、線膨脹係數，並將結果表示於表1。
[表1]
Figure 02_image001
實施例之氟樹脂薄膜，在30℃~250℃下之薄膜XY方向的線膨脹係數皆為100ppm/℃以下。又，實施例之氟樹脂薄膜在30GHz下之相對介電常數的測定值，在-40℃~125℃之溫度範圍中為2.03~2.06；介電損耗正切的測定值，在-40℃~125℃之溫度範圍中為0.0001。又，在85GHz下之相對介電常數的測定值，在-40℃~125℃之溫度範圍中為2.01~2.04；介電損耗正切的測定值，在-40℃~125℃之溫度範圍中為0.0001~0.0003。 所有實施例的薄膜在寬廣的溫度範圍中，皆具有相對介電常數為2.1以下、且介電損耗正切為0.001以下之安定的介電特性，保持著屬於氟樹脂特長的優異介電特性。
[產業上之可利用性] 本發明之氟樹脂薄膜保持著氟樹脂之優異介電特性，且溫度所致之尺寸變化小，因此適合用於高頻基板材料等用途，特別是與線膨脹係數小之金屬材料等的積層。
1:339℃~355℃的吸熱峰值 1a:肩峰 2:370℃~390℃的吸熱峰值
圖1係本發明之氟樹脂薄膜之以示差掃描熱量測定(DSC)所得之結晶熔解曲線的一例。
1:339℃~355℃的吸熱峰值
1a:肩峰
2:370℃~390℃的吸熱峰值

Claims (7)

  1. 一種氟樹脂薄膜，特徵在於其在升溫速度10℃之升溫過程所測定之示差掃描熱量測定(DSC)中，結晶熔解曲線於339℃~355℃與370℃~390℃之溫度範圍表現出源自聚四氟乙烯的吸熱峰值，且 該結晶熔解曲線於較339℃低溫側未表現出源自聚四氟乙烯之吸熱峰值；並且， 在令薄膜厚度為x軸、且令遵循ISO14782測定之霧度值為y軸的xy正交座標中，該氟樹脂薄膜所具有的薄膜厚度及霧度值，係在連結A點(0.01,10.0)、B點(0.25,50.0)、C點(0.25,99.5)、D點(0.01,50.0)之直線所包圍之四角形範圍內。
  2. 一種氟樹脂薄膜，特徵在於其在升溫速度10℃之升溫過程所測定之示差掃描熱量測定(DSC)中，結晶熔解曲線於339℃~355℃與370℃~390℃之溫度範圍表現出源自聚四氟乙烯的吸熱峰值，且 該結晶熔解曲線於較339℃低溫側未表現出源自聚四氟乙烯之吸熱峰值；並且， 在令薄膜厚度為x軸、且令遵循ISO14782測定之霧度值為y軸的xy正交座標中，該氟樹脂薄膜所具有的薄膜厚度及霧度值，係在連結A點(0.01,10.0)、B’點(0.25,70.0)、C點(0.25,99.5)、D點(0.01,50.0)之直線所包圍之四角形範圍內。
  3. 如請求項1或2之氟樹脂薄膜，其中從前述結晶熔解曲線中在339℃~355℃之溫度範圍的吸熱峰值與在370℃~390℃之溫度範圍的吸熱峰值算出之熔解能的比為3比1~30比1。
  4. 如請求項1至3中任一項之氟樹脂薄膜，其在30GHz下之相對介電常數為2.1以下。
  5. 如請求項1至3中任一項之氟樹脂薄膜，其在30GHz下之介電損耗正切為0.001以下。
  6. 如請求項1至5中任一項之氟樹脂薄膜，其在30℃~250℃下之薄膜XY方向的線膨脹係數為100ppm/℃以下。
  7. 如請求項1至6中任一項之氟樹脂薄膜，其薄膜厚度為5μm~250μm。
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