JP3221021U - 非焼結ポリテトラフルオロエチレンを含む誘電体基板及びそれを製造する方法 - Google Patents
非焼結ポリテトラフルオロエチレンを含む誘電体基板及びそれを製造する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3221021U JP3221021U JP2018600065U JP2018600065U JP3221021U JP 3221021 U JP3221021 U JP 3221021U JP 2018600065 U JP2018600065 U JP 2018600065U JP 2018600065 U JP2018600065 U JP 2018600065U JP 3221021 U JP3221021 U JP 3221021U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric substrate
- dielectric
- dielectric constant
- polytetrafluoroethylene
- sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 title claims abstract description 136
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 title claims abstract description 136
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 129
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 title claims abstract description 72
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 75
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims abstract description 47
- 238000003490 calendering Methods 0.000 claims description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 38
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 32
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 claims description 27
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 claims description 21
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 16
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 16
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 16
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 10
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000007720 emulsion polymerization reaction Methods 0.000 claims description 7
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- PYGSKMBEVAICCR-UHFFFAOYSA-N hexa-1,5-diene Chemical group C=CCCC=C PYGSKMBEVAICCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 3
- 238000010557 suspension polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical group CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- 229920001410 Microfiber Polymers 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 239000003658 microfiber Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 0 OCC1C*CC1 Chemical compound OCC1C*CC1 0.000 description 1
- ZXOFHTCCTUEJQJ-UHFFFAOYSA-N [4-(chloromethyl)phenyl]-trimethoxysilane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=C(CCl)C=C1 ZXOFHTCCTUEJQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002671 adjuvant Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000306 component Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- HTDKEJXHILZNPP-UHFFFAOYSA-N dioctyl hydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCOP(O)(=O)OCCCCCCCC HTDKEJXHILZNPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VELFFNYFZHVFNA-UHFFFAOYSA-N dioctyl phosphono phosphate Chemical compound CCCCCCCCOP(=O)(OP(O)(O)=O)OCCCCCCCC VELFFNYFZHVFNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAGMEZATBBNICO-UHFFFAOYSA-N n'-trimethoxysilylethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)NCCN ZAGMEZATBBNICO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000011236 particulate material Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 239000012858 resilient material Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J titanic acid Chemical compound O[Ti](O)(O)O LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(3,3,3-trifluoropropyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(F)(F)F JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
- C08K3/20—Oxides; Hydroxides
- C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
- B29C43/003—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor characterised by the choice of material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
- B29C43/22—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of indefinite length
- B29C43/24—Calendering
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
- B29C43/32—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C43/52—Heating or cooling
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C48/00—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor
- B29C48/022—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor characterised by the choice of material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2/00—Processes of polymerisation
- C08F2/12—Polymerisation in non-solvents
- C08F2/16—Aqueous medium
- C08F2/22—Emulsion polymerisation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/18—Manufacture of films or sheets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L27/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L27/02—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
- C08L27/12—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
- C08L27/18—Homopolymers or copolymers or tetrafluoroethene
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
- G06F1/16—Constructional details or arrangements
- G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/002—Inhomogeneous material in general
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/12—Supports; Mounting means
- H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
- H01Q1/24—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set
- H01Q1/241—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM
- H01Q1/242—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM specially adapted for hand-held use
- H01Q1/243—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM specially adapted for hand-held use with built-in antennas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
- H01Q9/04—Resonant antennas
- H01Q9/0485—Dielectric resonator antennas
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2027/00—Use of polyvinylhalogenides or derivatives thereof as moulding material
- B29K2027/12—Use of polyvinylhalogenides or derivatives thereof as moulding material containing fluorine
- B29K2027/18—PTFE, i.e. polytetrafluorethene, e.g. ePTFE, i.e. expanded polytetrafluorethene
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2105/00—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped
- B29K2105/25—Solid
- B29K2105/253—Preform
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2327/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers
- C08J2327/02—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
- C08J2327/12—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
- C08J2327/18—Homopolymers or copolymers of tetrafluoroethylene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
- C08K3/20—Oxides; Hydroxides
- C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
- C08K2003/2237—Oxides; Hydroxides of metals of titanium
- C08K2003/2241—Titanium dioxide
Abstract
【課題】低損失、高誘電率の非焼結ポリテトラフルオロエチレンを含む誘電体基板を提供する。【解決手段】誘電体基板であって、非焼結ポリテトラフルオロエチレン及び高誘電率フィラーを含み高誘電率フィラーの誘電率は、35以上であり、誘電体基板は、誘電体基板の算出理論密度の90%以上の比重を有し、理論比重は、高誘電率フィラーの測定された比重、非焼結ポリテトラフルオロエチレンの比重及び非焼結ポリテトラフルオロエチレンと高誘電率フィラーの相対重量割合に基づいて算出され、誘電体基板は、10GHzの周波数で決定されるような11.5以上の誘電率を有し、誘電体基板は、シート状に形成されている。【選択図】図
Description
本開示は、非焼結ポリテトラフルオロエチレンを含む誘電体基板及びそれを製造する方法に関する。
例えば、500メガヘルツ(MHz)以上の周波数で使用するための高周波数回路は、信号の波長が、検討中のシステムの長さスケールと同じおおよその大きさであるか、又はそれより小さいので、特別な工学的考察を必要とする。銅張積層板などの高周波数平面回路は、その性能が回路中の信号の正確な波長によって支配される、フィルターなどの受動装置であることが多い。そのようなものとして、銅張積層板中の絶縁誘電材料の誘電率は、正確に制御されなければならない。誘電材料がまた、低い誘電損失を示すことも重要であり得る。
ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)組成物は、銅張積層板において誘電材料として広く使用されてきた。商業的に、PTFEは、2つの異なる方法によって製造される:懸濁液重合及びエマルジョン重合。懸濁液重合は、「粒状の」PTFEをもたらす。粒状材料は、一般に、フィラーを伴って、及び伴わずにの両方で成形化合物として使用される。多数のPTFE物体が、粒状PTFEから成形される。粒状PTFEはまたスカイブフィルムの製造において使用でき、スカイブフィルムは、粒状PTFEのビレットを成形すること及び旋盤上でフィルムを薄くはぐことによって製造できる。
エマルジョン重合は、PTFE分散物をもたらす。この分散物は、水に懸濁されたPTFEの小さい(<0.3マイクロメーター(μm)の直径)粒子を含む。分散物を濃縮し、界面活性剤を用いて安定化し、被膜として使用できる。PTFE分散物によって被覆されたガラス布は、工業用ベルト類、建築用布及び高周波数回路基板として広く使用されている。或いは、分散物を凝固させ、驚くべきことではないが、結果として、凝固された分散物又は微細粉末PTFE組成物を得ることができる。
PTFE微細粉末は、「ペースト押出」によって加工可能であるという特有の特性を有する。特許文献1に記載されるように、PTFE微細粉末を、炭化水素液体とブレンドし、滑沢化し、次いで、収縮ダイを通して押し出すことができる。押出ステップは、PTFE粒子を「小繊維にする」。次いで、滑沢剤を蒸発又は押出によって除去できる。それから何年もの間、特許文献2及び特許文献3に記載されるような、プリフォームをペースト押出すること又は成形すること及びプリフォームをカレンダー加工してシートを形成することを含む、ペースト押出プロセスのいくつかの変法が行われた。例えば、DuPont HS−10プロセスは、2方向でカレンダー加工して、2軸延伸シートを形成することを含む。特許文献4には、多孔度が増大し、マトリクス引張強度が増強された多孔性フィルム又は繊維を形成するための、ペースト押出されたPTFEのさらなる延伸が開示されている。
粒状及び分散物(又は凝固分散物)グレードのPTFEの両方とも、真のホモポリマー化合物(テトラフルオロエチレンモノマーのみを含有する)又は「微量改質ホモポリマー」化合物(1重量パーセント(wt%)未満のコモノマーを含有する)であり得る。
スリーエムコーポレーション(3M Corporation)は、およそ50容量パーセント(vol%)のPTFE及び50vol%の二酸化チタン(TiO2)粉末を含む誘電材料を開発し、EPSILAM 10の商標名の下で市販された。銅張積層板の形成では、PTFE及びTiO2粉末をまずブレンドし、ISOPAR(エクソンモービル(ExxonMobil)から市販されている)などのパラフィン系炭化水素溶媒を用いて滑沢化した。次いで、ブレンドされた材料をペースト押出し、カレンダー加工することによってシートを形成した。次いで、乾燥させることによって滑沢剤を除去し、平台プレス機においてPTFEの融解温度を上回り、高圧下でシートを銅箔に積層した。次いで、銅張積層板を選択的にエッチング処理し、機械加工して、およそ10の誘電率を有する高周波数電子回路を形成した。ロジャースコーポレーション(Rogers Corporation)のRT/DUROID(登録商標)6010積層板及びキーンコーポレーション(Keene Corporation)の810積層板など、いくつかのその他の製造業者が同様の材料を開発した。
後年では、高誘電率積層板は、PTFE及びセラミック粉末を含むスラリーを用いて織物及び不織ガラス布に含浸させることによって、例えば、織物ガラス布上にスラリーを浸漬被覆することによって、又はスラリーをガラス布上に流しこみ、続いて、銅箔に積層することによって製造された。このような方法の一例として、PTFE分散物を用いてガラス布に含浸させて、PTFE含浸ガラス布を形成することによって製造された織物ガラスPTFE積層板が挙げられる。次いで、PTFE含浸ガラス布は、例えば、さらなる非補強スカイブPTFE層と成層され、PTFEの融点を上回り平台プレス機において銅箔に積層された。或いは、不織ガラスPTFE積層板は、水中に分散されているガラスマイクロファイバーを、PTFE分散物と共に共凝固し、製紙機でシートを形成し、シートを銅箔に積層することによって製造された。このような不織ガラスPTFE複合材料の一例として、ロジャース(Rogers)RT/DUROID 5870 PTFE積層板がある。特許文献2及び特許文献3には、フィラーと少量のガラスマイクロファイバーをPTFE分散物と共に共凝固し、乾燥させる方法が開示されている。次いで、混合物をペースト押出し、カレンダー加工して、シートを形成する。シートは、PTFEの融解温度を上回る温度で圧力下で、平台プレス機中で銅箔に積層された。これらの場合のすべてにおいて、PTFEは、積層ステップの際に融解された(本明細書では、焼結されたとも呼ばれる)。
特許文献5には、PTFE誘電層を用いる薄い高静電容量積層板の製造が開示されている。特許請求される0.0001〜0.005インチ(2.54〜127マイクロメートル)厚の誘電層は、1,000ポンド/平方インチ(psi)(6,895キロパスカル(kPa))の圧力及び350摂氏温度(℃)の温度、PTFEの融解温度より高い温度での加圧成形の従来の積層手順を使用して、銅などの導電材料がPTFE誘電層の片側又は両側に積層される、特許文献4に開示された方法によって製造された。積層温度を低下させ、誘電層の導電金属との接着を改善する為に熱硬化性樹脂が存在し得る、PTFE組成物の融解温度を上回る積層の代替法もまた開示されている。
近年、低損失、高誘電率材料のさらなる適用が商業的に生じてきた。携帯型消費者電子デバイスのためのアンテナの小型化が、このような適用の1つであり、これでは、高誘電率値が大いなる前記小型化を可能にする。特許文献6及び特許文献7には、誘電体装荷ループアンテナが記載されている。特許文献8には、カバーの誘電材料の誘電率が、導電アンテナ素子の必要な大きさを低減させる、広帯域アンテナ構造が開示されている。これらの適用の多くでは、高誘電率、低損失回路基板が銅箔に直接結合されることは必ずしも望まれない。
より高い誘電率材料は、例えば、35〜500のギガヘルツ(GHz)範囲の誘電率を有するより高い誘電率セラミックフィラー、例えば、チタン酸バリウムを使用することによって達成できる。しかし、これらのフィラーの多くは、材料の誘電損失を有意に増大し、それらは、製作するのが困難であり、費用効率が悪い場合がある。PTFE材料の誘電率の大きさは、誘電フィラーの量を増大することによってさらに増大することができるが、フィラーの量は、材料中に組み込むことができる粉末形態のフィラーの量によって制限され得る。例えば、フィラーの粒径分布、表面積及び表面化学に応じて、50vol%以上の添加は、材料中の粉末の最大パッキング比を超える場合があり、さらなる粉末を加えることは、取り込まれるようになる空隙の量の増大をもたらし得、材料が脆くなり得る。
現在、市販のPTFE−二酸化チタン銅張回路積層板は、10〜12のGHz周波数範囲の誘電率値を示し得、これでは、最大達成可能誘電率は、約13である。
より高い誘電率値を示す、低損失、高誘電率PTFE材料に対する満たされていない必要性が依然としてある。
本考案は、背景技術の課題を解決するためのものである。
非焼結PTFEを含む誘電組成物及びそれを製造する方法及びそれを使用する方法が本明細書において開示される。
一実施形態では、誘電体基板は、非焼結ポリテトラフルオロエチレン及び高誘電率フィラーを含み、高誘電率フィラーの誘電率は、35以上であり、誘電体基板は、誘電体基板の算出理論密度の90%以上の比重を有し、理論比重は、高誘電率フィラーの測定された比重、非焼結ポリテトラフルオロエチレンの比重及び非焼結ポリテトラフルオロエチレンと高誘電率フィラーの相対重量割合に基づいて算出され、誘電体基板は、10GHzの周波数で決定されるように、11.5以上の誘電率を有する。
別の実施形態では、誘電体基板を製造する方法は、非焼結ポリテトラフルオロエチレン、高誘電率フィラー及び滑沢剤を含む混合物を形成すること、混合物からプリフォームを形成すること、プリフォームをカレンダー加工してシートを形成すること、非焼結ポリテトラフルオロエチレンの融解温度未満の高温でシートを加熱して滑沢剤を除去すること及び加熱後にシートを乾燥カレンダー加工して誘電体基板を形成することを含む。
別の実施形態では、物品は、誘電体基板を含む。
別の実施形態では、物品は、誘電体基板を含む。
上記の及びその他の特徴を、以下の図及び詳細な説明によって例示する。
ポリテトラフルオロエチレンは、低い誘電損失、高い融点及び良好な耐化学性を示すので、高周波数電子回路及びデバイスにおいて使用するための誘電体基板を製作する為に使用されることが多いポリマーである。上記に記載されるように、ポリテトラフルオロエチレン回路基板は、一般に、このような回路材料を形成する為に、高温及び圧力下で銅箔とともに積層される。最近、銅箔に結合されていない高誘電率フルオロポリマー回路基板の、例えば、携帯電話又はタブレット中のアンテナとして使用するための適用が生じた。フルオロポリマー組成物の誘電特性は、誘電フィラーの種類及びフィラーの量を変更することによって変えられ得るが、低い誘電損失を維持しながら、10GHzの周波数で11を超える誘電率を有する非銅張フルオロポリマー組成物は達成されていない。
フッ素原子は、PTFEの炭素骨格と強い結合を示し、材料のフリーラジカル重合の際に除去されない。したがって、完全な直鎖が形成され、重合されると、約2.3グラム/立方センチメートル(g/cm3)の密度を有する、ほぼ100%の結晶性ポリマー材料をもたらす。結晶性PTFEの融点は、約341℃である。低分子量では、溶融ポリマーが固化するときに、その高度の結晶性を取り戻し、その結果、極めて脆い材料となる。PTFE材料の開発者らは、ポリマーを高分子量に反応させた場合に、より強靭な、より弾力性のある材料を達成できることを発見した。この場合には、高分子量PTFEが、融解後に再固化するときに、鎖長が、ポリマー鎖の完全な再結晶化を妨げ、結晶含量を実質的に低減させ、その結果、より低密度の屈曲性材料となる。再結晶化PTFEは、約327°Cの低下した融点及び約2.18g/cm3の低下した密度を有する。驚くべきことに、非焼結ポリテトラフルオロエチレンから再結晶化ポリテトラフルオロエチレンへの密度のこの小さい変化が、非焼結ポリテトラフルオロエチレンから再結晶化ポリテトラフルオロエチレンへの誘電率の実質的な低下をもたらすことを発見した。
さらに驚くべきことに、PTFEを焼結しないこと及び多孔性を低減する為に回路基板をさらにカレンダー加工することによって、10GHzの周波数で11.5以上の誘電率を有する低損失PTFE誘電体基板を達成できることを発見した。具体的には、PTFE、誘電フィラー及び滑沢剤を含む混合物を形成すること、混合物を成形すること又は押し出すことによってシートを形成すること、シートをカレンダー加工すること、PTFEの融解温度より低い温度でシートを加熱して滑沢剤を除去すること及び加熱後にシートを乾燥カレンダー加工して回路基板を形成することによって誘電体基板を調製できる。乾燥カレンダー加工ステップは、多孔性の低減をもたらし、その結果、回路基板は、例えば、理論比重の90%内である比重を示す増大した密度を有する。驚くべきことに、高密度の非焼結PTFEほど、同一組成であるが、焼結されている回路基板と比較して、より増大した値の誘電率に対応することを発見した。非焼結回路基板はまた、焼結の際に生じ得、目視できるチャーリング、機械的特性の低減及び誘電特性の低減のうち1以上をもたらし得るチャーリング混入物を含有しないという追加利益を有する。
PTFEは、ホモポリマー、微量改質ホモポリマー又は前記のものの一方もしくは両方を含む組合せを含み得る。本明細書において、微量改質PTFEホモポリマーは、ポリマーの総重量に基づいて、1wt%未満の、テトラフルオロエチレン以外のコモノマーに由来する反復単位を含む。
PTFEをエマルジョン重合によって重合させて分散物を形成することができ、これをまたさらに凝固して、凝固された分散物又は微細粉末PTFEを形成できる。或いは、PTFEを懸濁液重合によって重合させて、粒状PTFEを形成できる。ペースト押出し及びカレンダー加工することによって形成されている、凝固された分散物又は微細粉末PTFEを含む誘電体基板は、同一組成であるが、粒状PTFEを含む誘電体基板と比較して、あまり脆くないものであり得る。
誘電フィラーは、チタン酸を含み得る。誘電フィラーは、二酸化チタン(ルチル型及びアナターゼ型など)、チタン酸カルシウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム又は前記のもののうち少なくとも1種を含む組合せを含み得る。誘電フィラーは、TiO2、SiTiO3、CaTiO3、BaTiO4、Ba2Ti9O20又は前記のもののうち少なくとも1種を含む組合せを含み得る。誘電フィラーは、TiO2、SiTiO3、CaTiO3又は前記のもののうち少なくとも1種を含む組合せを含み得る。
誘電フィラーは、被覆された誘電フィラーを含み得る。被膜は、シラン被膜、チタン酸被膜、ジルコン酸被膜又は前記のもののうち少なくとも1種を含む組合せを含み得る。被膜は、フェニルトリメトキシシラン、p−クロロメチルフェニルトリメトキシシラン、アミノエチルアミノトリメトキシシラン、アミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、3,3,3−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、(トリデカフルオロ−1,1,2,2−テトラヒドロデシル)−1−トリエトキシシラン、ネオペンチル(ジアリル)オキシトリネオデカノイルチタネート、ネオペンチル(ジアリル)オキシトリ(ジオクチル)ホスフェートチタネート、ネオペンチル(ジアリル)オキシトリ(ジオクチル)ピロホスフェートジルコネート、ネオペンチル(ジアリル)オキシトリ(N−エチレンジアミノ)エチルジルコネート又は前記のもののうち少なくとも1種を含む組合せを含み得る。被膜は、フェニルトリメトキシシランなどのシラン被膜を含み得る。誘電フィラーを、混合物を形成する前に被膜剤を用いて前処理してもよい、又は混合物に被膜剤を添加してもよい。被膜は、フィラーの総重量に基づいて0.2〜2.0wt%又は0.8〜1.2wt%の量で存在し得る。
誘電フィラーは、10GHzの周波数で100以上の、又は150以上の、又は200以上の誘電率を有し得る。誘電フィラーは、10GHzの周波数で35以上の、又は35〜500、又は100〜400の誘電率を有し得る。誘電フィラーは、10GHzの周波数で0.005以下の低い誘電損失を有し得る。
誘電体基板を形成する方法は、凝固された分散物又は微細粉末PTFE、誘電フィラー及び滑沢剤を含む混合物を形成すること、混合物からプリフォームを形成すること、プリフォームをカレンダー加工してシートを形成すること、PTFEの焼結温度未満の温度でシートを加熱して滑沢剤を除去すること及び加熱後にシートを乾燥カレンダー加工して誘電体基板を形成することを含み得る。
滑沢剤の例として、エクソンケミカルカンパニー(Exxon Chemical Company)、テキサス州ヒューストンから市販されているISOPAR(商標)が挙げられる。滑沢剤は、ジプロピレングリコールなどのグリコールエーテルを含み得る。滑沢剤は、前記の滑沢剤のうち少なくとも1種を含み得る。
混合物は、例えば、混合物を成形すること又は押し出すことによってプリフォームに形成できる。プリフォームを形成する為に、押出は、15〜50℃の温度で実施できる。
次いで、プリフォームを滑沢化された状態でカレンダー加工する(本明細書では、滑沢化カレンダー加工とも呼ばれる)。カレンダー加工は、単回カレンダー加工ステップ又は複数回カレンダー加工ステップを含み得る。例えば、シートを最初のカレンダー加工ステップに付すことができ、ここで、シートは、間に調整可能な間隙厚を有する、少なくとも1セットの対向するステンレス鋼カレンダー加工ロールに通される。ロールの間の間隙厚は、その間を通過するときにシート厚みを低減するように調整できる。カレンダー加工の際、シートの幅は維持されるが、シートの長さは、厚みが低減するにつれ増大する。市販のカレンダー加工機械の一例として、スモールキリオン(Killion)2ロールスタック(キリオンエクストルーダーズ、インク(Killion Extruders,Inc.)、ニュージャージー州シーダーグローブ 07009)がある。次いで、例えば、最初のカレンダー加工方向の45〜135°の、例えば、90°の角度で、1以上のカレンダー加工ステップにおいて、シートをさらにカレンダー加工してもよい。
カレンダー加工されたシートを加熱して、シートから滑沢剤を除去できる。加熱は、例えば、300℃以下、又は50〜300℃、又は100〜200℃の加熱温度でフィルムを加熱することによって達成できる。加熱温度は、フルオロポリマーの融解温度未満であり得る。加熱後にシートは、シートの総重量に基づいて1wt%以下、又は0〜0.01wt%の滑沢剤を含み得る。
次いで、加熱後、シートを、上記で記載したような1以上のカレンダー加工ステップにおいて乾燥カレンダー加工して、誘電体基板を形成できる。第2の乾燥カレンダー加工ステップを、最初の乾燥カレンダー加工方向の45〜135°の、例えば、90°の角度で行ってもよい。乾燥カレンダー加工は、最初の滑沢化カレンダー加工方向と同一のカレンダー加工方向で行ってもよい。乾燥カレンダー加工は、最初の滑沢化カレンダー加工方向と異なるカレンダー加工方向で行ってもよい。例えば、乾燥カレンダー加工は、最初の滑沢化カレンダー加工方向の45〜135°の、例えば、90°の角度で行ってもよい。
滑沢化カレンダー加工及び乾燥カレンダー加工の一方又は両方を、熱を適用せずに、例えば、室温に等しいカレンダー加工温度(20〜25℃)で行ってもよい。
誘電体基板を形成する方法の一実施形態は、図1に例示されている。図1は、ロール10と12の間でカレンダー加工されている押し出されたシート2を例示する。次いで、カレンダー加工されたシートは、熱hを適用することによって加熱されて、乾燥シート4を形成する。次いで、乾燥シート4は、ロール20と22の間のシート6のように乾燥カレンダー加工され、誘電体基板8を形成する。
誘電体基板は、回路基板の総重量に基づいて50〜85wt%又は65〜80wt%の誘電フィラーを含み得る。誘電体基板は、回路基板の総重量に基づいて15〜50wt%又は20〜55wt%のPTFEを含み得る。
誘電体基板は、本質的に、PTFE及び誘電フィラーからなる。
比重は、理論比重の少なくとも90%であり得、理論比重は、誘電フィラーの測定された比重、PTFEの比重及び2種の構成成分の相対割合に基づいて算出される。
誘電体基板は、11.5以上の、又は12以上の、又は12〜18、又は13〜18の誘電率を有し得る。誘電体基板は、10GHzの周波数で測定されるような0.003以下の誘電正接を有し得る。
物品は、誘電体基板を含み得る。物品は、アンテナであり得る。アンテナは、携帯電話(スマートフォンなど)、タブレット、ラップトップなどにおいて使用され得る。
誘電体基板は、銅箔などの導電層を含まないものであり得る。
誘電体基板は、結合された銅を必要としない適用、例えば、誘電体基板が、例えば、レーザー直接描画、めっき又は導電インクの印刷によって形成され得る、事前製作された回路又は導体に接着によって結合されている場合において使用され得る。
誘電体基板は、銅層などの金属化層を含まないものであり得る。
加熱能力が増強された物品を例示する為に、以下の実施例を提供する。実施例は、単に例示であって、本開示に従って製造されるデバイスを、本明細書に示される材料、条件又はプロセスパラメータに制限しようとするものではない。
実施例では、比重は、アルキメデスの原理を使用して決定した。
誘電率及び誘電正接は、IPC−TM−650 2.5.5.5cに従って10GHzで決定した。
被覆された二酸化チタンの理論比重は、4.23であるとし、焼結PTFEの理論比重は、2.18であるとした。
実施例において使用される構成成分を表1に示すが、これでは、m2/gは、平方メートル/グラムである。
プリフォーム特性
被覆された二酸化チタンを、二酸化チタンを1wt%のフェニルトリメトキシシランを用いて処理すること及び105℃で16時間硬化することによって調製した。
被覆された二酸化チタンを、二酸化チタンを1wt%のフェニルトリメトキシシランを用いて処理すること及び105℃で16時間硬化することによって調製した。
70wt%の被覆された二酸化チタン及び30wt%のPTFEの混合物を形成した。混合物に滑沢剤を添加し、滑沢化された混合物を押し出して、1.3センチメートル(cm)×10.2cm×10.2cmのシートを形成した。押し出されたシートを、第1の方向でシートをカレンダー加工し、シートを90°回転させ、第2の方向でシートをカレンダー加工することによって、2軸方向にカレンダー加工した。2軸方向にカレンダー加工されたシートは、0.05センチメートル(cm)の厚みを有するシートを有していた。次いで、滑沢剤を蒸発させた。シートの特性を決定し、表2に示した。表2は、シートの比重が、その高い多孔性の為にわずか2.56であり、誘電率が、わずか7.29であったことを示す。
[実施例2]
[実施例2]
焼結及び加圧成形の効果
実施例1の方法を使用してシートを調製した。シートの頂部に重りを置き、次いで、オーブン中、350℃の温度、圧力下で10分焼結した。シートの特性を、表2に示す。
実施例1の方法を使用してシートを調製した。シートの頂部に重りを置き、次いで、オーブン中、350℃の温度、圧力下で10分焼結した。シートの特性を、表2に示す。
表2は、加熱下で圧力をかけることが、2.79の値への比重の、及び8.66の値への誘電率の両方のわずかな増大をもたらしたことを示す。
[実施例3]
[実施例3]
積層の効果
実施例1の方法を使用してシートを調製した。次いで、シートを、370℃の温度で、1,100psi(7,584キロパスカル)の圧力で2時間、平台プレス機において銅箔の2枚のシートの間に積層した。銅を両面のエッチングで除去し、シートの特性を決定した。シートの特性を、表2に示す。
実施例1の方法を使用してシートを調製した。次いで、シートを、370℃の温度で、1,100psi(7,584キロパスカル)の圧力で2時間、平台プレス機において銅箔の2枚のシートの間に積層した。銅を両面のエッチングで除去し、シートの特性を決定した。シートの特性を、表2に示す。
表2は、積層ステップが、比重を3.12に、誘電率を11.30の値に増大したことを示す。
[実施例4]
[実施例4]
焼結シートの積層の効果
次いで、シートを積層に先立って350℃のオーブン中で焼結した点を除いて、実施例3の方法を使用してシートを調製した。特性を表2に示す。
次いで、シートを積層に先立って350℃のオーブン中で焼結した点を除いて、実施例3の方法を使用してシートを調製した。特性を表2に示す。
表2は、実施例4のシートの比重及び誘電率が、実施例3のものと本質的に同じであることを示し、積層に先立つ焼結ステップは、得られるシートの特性に対して効果がないことを示す。
[実施例5]
[実施例5]
非焼結シートをカレンダー加工することの効果
実施例1の方法を使用してシートを調製し、非焼結、非滑沢化シートをさらにカレンダー加工した。特性を表2に示す。
実施例1の方法を使用してシートを調製し、非焼結、非滑沢化シートをさらにカレンダー加工した。特性を表2に示す。
表2は、乾燥カレンダー加工された非焼結シートをカレンダー加工することが、驚くべきことに、比重の3.30の値への増大及び誘電率の13.53の値への、実施例1の誘電率のもののほぼ2倍の値への増大をもたらしたことを示す。
[実施例6]
[実施例6]
カレンダー加工されたシートを焼結することの効果
実施例5の方法を使用してシートを調製した。次いで、カレンダー加工されたシートを、370℃の温度で、1,100psi(7,584キロパスカル)の圧力で2時間、平台プレス機において銅箔の2枚のシートの間に積層した。銅を両面のエッチングで除去し、シートの特性を決定した。特性を、表2に示す。
実施例5の方法を使用してシートを調製した。次いで、カレンダー加工されたシートを、370℃の温度で、1,100psi(7,584キロパスカル)の圧力で2時間、平台プレス機において銅箔の2枚のシートの間に積層した。銅を両面のエッチングで除去し、シートの特性を決定した。特性を、表2に示す。
表2は、積層ステップが、比重の3.21の値への、及び誘電率の11.19の値への両方の低減をもたらしたことを示す。
[実施例7−14]
二酸化チタン含量の効果
実施例5の方法を使用して、種々の量の二酸化チタンを有するシートを製造した。シートの特性を決定し、表3に示す。
[実施例7−14]
二酸化チタン含量の効果
実施例5の方法を使用して、種々の量の二酸化チタンを有するシートを製造した。シートの特性を決定し、表3に示す。
表3は、誘電率が、濃度が増大するにつれて増大することを示す。
非焼結PTFEを含む本誘電組成物、それを製造する方法及びそれを使用する方法のいくつかの実施形態を以下に示す。
実施形態1:非焼結ポリテトラフルオロエチレン及び高誘電率フィラーを含む誘電体基板であって、高誘電率フィラーの誘電率は、35以上であり、誘電体基板は、誘電体基板の算出理論密度の90%以上の比重を有し、理論比重は、高誘電率フィラーの測定された比重、非焼結ポリテトラフルオロエチレンの比重及び非焼結ポリテトラフルオロエチレンと高誘電率フィラーの相対重量割合に基づいて算出され、誘電体基板は、10GHzの周波数で決定されるような11.5以上の誘電率を有する、誘電体基板。
実施形態2:非焼結ポリテトラフルオロエチレンが、ポリテトラフルオロエチレンホモポリマーを含む、実施形態1の誘電体基板。
実施形態3:非焼結ポリテトラフルオロエチレンが、微量改質ポリテトラフルオロエチレンホモポリマーを含み、微量改質ポリテトラフルオロエチレンホモポリマーが、微量改質ポリテトラフルオロエチレンホモポリマーの総重量に基づいて、1wt%未満の、テトラフルオロエチレン以外のコモノマーに由来する反復単位を含む、前記の実施形態のうちいずれか1つ又は複数の誘電体基板。
実施形態4:非焼結ポリテトラフルオロエチレンポリマーが、エマルジョン重合によって製造される、前記の実施形態のいずれか1つ又は複数の誘電体基板。
実施形態5:高誘電率フィラーが、100以上の、又は100〜400の誘電率を有する、前記の実施形態のいずれか1つ又は複数の誘電体基板。
実施形態6:高誘電率フィラーが、二酸化チタンを含む、前記の実施形態のいずれか1つ又は複数の誘電体基板。
実施形態7:高誘電率フィラーが、二酸化チタン、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム又は前記のもののうち少なくとも1種を含む組合せを含む、前記の実施形態のいずれか1つ又は複数の誘電体基板。
実施形態8:誘電体基板の総重量に基づいて50〜85wt%、又は65〜80wt%の高誘電率フィラーを含む、前記の実施形態のいずれか1つ又は複数の誘電体基板。
実施形態9:誘電体基板の総重量に基づいて15〜50wt%、又は20〜55wt%の非焼結ポリテトラフルオロエチレンを含む、前記の実施形態のいずれか1つ又は複数の誘電体基板。
実施形態10:非焼結ポリテトラフルオロエチレン及び高誘電率フィラーから本質的になる、又はからなる、前記の実施形態のいずれか1つ又は複数の誘電体基板。
実施形態11:比重が、誘電体基板の理論比重の少なくとも95%である、前記の実施形態のいずれか1つ又は複数の誘電体基板。
実施形態12:誘電体基板の誘電率が、12以上、又は12〜18、又は13〜18である、前記の実施形態のいずれか1つ又は複数の誘電体基板。
実施形態13:前記の実施形態のいずれか1つ又は複数の誘電体基板を含む物品。
実施形態14:携帯電話、タブレット又はラップトップである、実施形態13の物品。
実施形態15:アンテナである、実施形態13の物品。
実施形態16:実施形態1から12のいずれか1つ又は複数の誘電体基板を製造する方法であって、非焼結ポリテトラフルオロエチレン、高誘電率フィラー及び滑沢剤を含む混合物を形成することと、混合物からプリフォームを形成することと、プリフォームをカレンダー加工してシートを形成することと、非焼結ポリテトラフルオロエチレンの融解温度未満である加熱温度でシートを加熱して滑沢剤を除去することと、加熱後にシートを乾燥カレンダー加工して誘電体基板を形成することとを含む、方法。
実施形態17:加熱後にシートが、シートの総重量に基づいて1wt%以下、又は0〜0.01wt%の滑沢剤を含む、実施形態16の方法。
実施形態18:加熱温度が、300℃以下、又は50〜300℃、又は100〜200℃である、実施形態16及び17のいずれか1つ又は複数の方法。
実施形態19:プリフォームを形成することが、混合物を押し出すことを含む、実施形態16から18のいずれか1つ又は複数の方法。
実施形態20:最初のカレンダー加工方向から45〜135°の角度で、カレンダー加工後に、シートを2軸方向にカレンダー加工することをさらに含む、実施形態16から19のいずれか1つ又は複数の方法。
一般に、開示内容は、代わる代わる、明細書に開示される任意の適当な構成成分を含み得る、からなり得る、又は本質的にからなり得る。開示内容は、更に又は或いは、先行技術組成物において使用される、又はそうでなければ、本開示の機能及び/又は目的の達成にとって必要でない、任意の構成成分、材料、成分、アジュバント又は種を欠く、又は実質的に含まないように考案され得る。
本明細書において開示されるすべての範囲は、端点を含むものであり、端点は独立に、互いに組み合わせることができる(例えば、「最大25wt%、又はより詳しくは、5〜20wt%」の範囲は、「5〜25wt%」の範囲の端点及びすべての中間値を含むものである、など)。「組合せ」は、ブレンド、混合物、合金、反応生成物などを含むものとする。さらに、用語「第1の」、「第2の」などは、本明細書において、任意の順序、量又は重要性を意味せず、むしろ、別のものからのある要素を意味するように使用される。用語「1つの(a)」及び「1つの(an)」及び「その(the)」は、本明細書において、量の制限を意味せず、本明細書において特に断りのない限り、又は文脈によって明確に矛盾しない限り、単数形及び複数形の両方を対象とすると解釈されなければならない。「又は」は、「及び/又は」を意味する。本明細書を通じて、「いくつかの実施形態」、「別の実施形態」、「一実施形態」などへの言及は、実施形態に関連して記載される特定の要素(例えば、特色、構造及び/又は特徴)が、本明細書に記載される少なくとも1つの実施形態に含まれ、その他の実施形態中に存在する場合も存在しない場合もあることを意味する。「任意選択の」又は「任意選択で」は、その後に記載される事象又は状況が生じる場合も生じない場合もあること又は説明が事象が起こる例及びそれが起こらない例を含むことを意味する。特に断りのない限り、本明細書において使用される技術用語及び科学用語は、本開示が属する技術分野の当業者によって一般に理解されるものと同一の意味を有する。特に断りのない限り、試験基準は、本出願の出願日の時点で最新のものである。
すべての引用される実用新案及び実用新案出願及びその他の参考文献は、参照によりその全文が本明細書に組み込まれる。しかし、本出願中の用語が、組み込まれた参考文献における用語と相反する又は矛盾する場合には、本出願に由来する用語が、組み込まれた参考文献に由来する矛盾する用語に優先する。
さらに、種々の実施形態において、記載された要素を、任意の適した方法で組み合わせることができるということは理解されなければならない。
特定の実施形態を記載してきたが、現在予測されない、又は現在予測され得ない代替法、改変、変法、改善及び実質的な等価物が、本出願人又はその他の当業者に生じる場合がある。したがって、出願されるような、補正され得るような添付の実用新案登録請求の範囲は、すべてのこのような代替法、改変、変法、改善及び実質的な等価物を包含するものとする。
特定の実施形態を記載してきたが、現在予測されない、又は現在予測され得ない代替法、改変、変法、改善及び実質的な等価物が、本出願人又はその他の当業者に生じる場合がある。したがって、出願されるような、補正され得るような添付の実用新案登録請求の範囲は、すべてのこのような代替法、改変、変法、改善及び実質的な等価物を包含するものとする。
〔付記1〕
誘電体基板であって、非焼結ポリテトラフルオロエチレン及び
高誘電率フィラーを含み高誘電率フィラーの誘電率は、35以上であり、
誘電体基板は、誘電体基板の算出理論密度の90%以上の比重を有し、理論比重は、高誘電率フィラーの測定された比重、非焼結ポリテトラフルオロエチレンの比重及び非焼結ポリテトラフルオロエチレンと高誘電率フィラーの相対重量割合に基づいて算出され、
誘電体基板は、10GHzの周波数で決定されるような11.5以上の誘電率を有する、誘電体基板。
〔付記2〕
非焼結ポリテトラフルオロエチレンが、ポリテトラフルオロエチレンホモポリマーを含む、付記1に記載の誘電体基板。
〔付記3〕
非焼結ポリテトラフルオロエチレンが、微量改質ポリテトラフルオロエチレンホモポリマーを含み、微量改質ポリテトラフルオロエチレンホモポリマーが、微量改質ポリテトラフルオロエチレンホモポリマーの総重量に基づいて、1wt%未満の、テトラフルオロエチレン以外のコモノマーに由来する反復単位を含む、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記4〕
非焼結ポリテトラフルオロエチレンポリマーが、エマルジョン重合によって製造される、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記5〕
高誘電率フィラーが、100以上の、又は100〜400の誘電率を有する、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記6〕
高誘電率フィラーが、二酸化チタンを含む、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記7〕
高誘電率フィラーが、二酸化チタン、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム又は前記のもののうち少なくとも1種を含む組合せを含む、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記8〕
誘電体基板の総重量に基づいて50〜85wt%、又は65〜80wt%の高誘電率フィラーを含む、前記の付記のうちいずれか一項に記載の誘電体基板。
〔付記9〕
誘電体基板の総重量に基づいて15〜50wt%、又は20〜55wt%の非焼結ポリテトラフルオロエチレンを含む、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記10〕
非焼結ポリテトラフルオロエチレン及び高誘電率フィラーから本質的になる、又はからなる、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記11〕
比重が、誘電体基板の理論比重の少なくとも95%である、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記12〕
誘電体基板の誘電率が、12以上、又は12〜18、又は13〜18である、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記13〕
前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板を含む物品。
〔付記14〕
携帯電話、タブレット又はラップトップである、付記13に記載の物品。
〔付記15〕
アンテナである、付記13に記載の物品。
〔付記16〕
付記1から12のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板を製造する方法であって、
非焼結ポリテトラフルオロエチレン、高誘電率フィラー及び滑沢剤を含む混合物を形成することと、
混合物からプリフォームを形成することと、
プリフォームをカレンダー加工してシートを形成することと、
非焼結ポリテトラフルオロエチレンの融解温度未満である加熱温度でシートを加熱して滑沢剤を除去することと、
加熱後にシートを乾燥カレンダー加工して誘電体基板を形成することと
を含む、方法。
〔付記17〕
加熱後にシートが、シートの総重量に基づいて1wt%以下、又は0〜0.01wt%の滑沢剤を含む、付記16に記載の方法。
〔付記18〕
加熱温度が、300℃以下、又は50〜300℃、又は100〜200℃である、付記16及び17のいずれか一項又は複数の項に記載の方法。
〔付記19〕
プリフォームを形成することが、混合物を押し出すことを含む、付記16から18のうちいずれか一項又は複数の項に記載の方法。
〔付記20〕
最初のカレンダー加工方向から45〜135°の角度で、カレンダー加工後に、シートを2軸方向にカレンダー加工することをさらに含む、付記16から19のいずれか一項又は複数の項に記載の方法。
〔付記1〕
誘電体基板であって、非焼結ポリテトラフルオロエチレン及び
高誘電率フィラーを含み高誘電率フィラーの誘電率は、35以上であり、
誘電体基板は、誘電体基板の算出理論密度の90%以上の比重を有し、理論比重は、高誘電率フィラーの測定された比重、非焼結ポリテトラフルオロエチレンの比重及び非焼結ポリテトラフルオロエチレンと高誘電率フィラーの相対重量割合に基づいて算出され、
誘電体基板は、10GHzの周波数で決定されるような11.5以上の誘電率を有する、誘電体基板。
〔付記2〕
非焼結ポリテトラフルオロエチレンが、ポリテトラフルオロエチレンホモポリマーを含む、付記1に記載の誘電体基板。
〔付記3〕
非焼結ポリテトラフルオロエチレンが、微量改質ポリテトラフルオロエチレンホモポリマーを含み、微量改質ポリテトラフルオロエチレンホモポリマーが、微量改質ポリテトラフルオロエチレンホモポリマーの総重量に基づいて、1wt%未満の、テトラフルオロエチレン以外のコモノマーに由来する反復単位を含む、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記4〕
非焼結ポリテトラフルオロエチレンポリマーが、エマルジョン重合によって製造される、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記5〕
高誘電率フィラーが、100以上の、又は100〜400の誘電率を有する、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記6〕
高誘電率フィラーが、二酸化チタンを含む、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記7〕
高誘電率フィラーが、二酸化チタン、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム又は前記のもののうち少なくとも1種を含む組合せを含む、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記8〕
誘電体基板の総重量に基づいて50〜85wt%、又は65〜80wt%の高誘電率フィラーを含む、前記の付記のうちいずれか一項に記載の誘電体基板。
〔付記9〕
誘電体基板の総重量に基づいて15〜50wt%、又は20〜55wt%の非焼結ポリテトラフルオロエチレンを含む、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記10〕
非焼結ポリテトラフルオロエチレン及び高誘電率フィラーから本質的になる、又はからなる、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記11〕
比重が、誘電体基板の理論比重の少なくとも95%である、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記12〕
誘電体基板の誘電率が、12以上、又は12〜18、又は13〜18である、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記13〕
前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板を含む物品。
〔付記14〕
携帯電話、タブレット又はラップトップである、付記13に記載の物品。
〔付記15〕
アンテナである、付記13に記載の物品。
〔付記16〕
付記1から12のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板を製造する方法であって、
非焼結ポリテトラフルオロエチレン、高誘電率フィラー及び滑沢剤を含む混合物を形成することと、
混合物からプリフォームを形成することと、
プリフォームをカレンダー加工してシートを形成することと、
非焼結ポリテトラフルオロエチレンの融解温度未満である加熱温度でシートを加熱して滑沢剤を除去することと、
加熱後にシートを乾燥カレンダー加工して誘電体基板を形成することと
を含む、方法。
〔付記17〕
加熱後にシートが、シートの総重量に基づいて1wt%以下、又は0〜0.01wt%の滑沢剤を含む、付記16に記載の方法。
〔付記18〕
加熱温度が、300℃以下、又は50〜300℃、又は100〜200℃である、付記16及び17のいずれか一項又は複数の項に記載の方法。
〔付記19〕
プリフォームを形成することが、混合物を押し出すことを含む、付記16から18のうちいずれか一項又は複数の項に記載の方法。
〔付記20〕
最初のカレンダー加工方向から45〜135°の角度で、カレンダー加工後に、シートを2軸方向にカレンダー加工することをさらに含む、付記16から19のいずれか一項又は複数の項に記載の方法。
さらに、種々の実施形態において、記載された要素を、任意の適した方法で組み合わせることができるということは理解されなければならない。
特定の実施形態を記載してきたが、現在予測されない、又は現在予測され得ない代替法、改変、変法、改善及び実質的な等価物が、本出願人又はその他の当業者に生じる場合がある。したがって、出願されるような、補正され得るような添付の実用新案登録請求の範囲は、すべてのこのような代替法、改変、変法、改善及び実質的な等価物を包含するものとする。
〔付記1〕
誘電体基板であって、非焼結ポリテトラフルオロエチレン及び
高誘電率フィラーを含み高誘電率フィラーの誘電率は、35以上であり、
誘電体基板は、誘電体基板の算出理論密度の90%以上の比重を有し、理論比重は、高誘電率フィラーの測定された比重、非焼結ポリテトラフルオロエチレンの比重及び非焼結ポリテトラフルオロエチレンと高誘電率フィラーの相対重量割合に基づいて算出され、
誘電体基板は、10GHzの周波数で決定されるような11.5以上の誘電率を有する、誘電体基板。
〔付記2〕
非焼結ポリテトラフルオロエチレンが、ポリテトラフルオロエチレンホモポリマーを含む、付記1に記載の誘電体基板。
〔付記3〕
非焼結ポリテトラフルオロエチレンが、微量改質ポリテトラフルオロエチレンホモポリマーを含み、微量改質ポリテトラフルオロエチレンホモポリマーが、微量改質ポリテトラフルオロエチレンホモポリマーの総重量に基づいて、1wt%未満の、テトラフルオロエチレン以外のコモノマーに由来する反復単位を含む、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記4〕
非焼結ポリテトラフルオロエチレンポリマーが、エマルジョン重合によって製造される、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記5〕
高誘電率フィラーが、100以上の、又は100〜400の誘電率を有する、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記6〕
高誘電率フィラーが、二酸化チタンを含む、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記7〕
高誘電率フィラーが、二酸化チタン、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム又は前記のもののうち少なくとも1種を含む組合せを含む、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記8〕
誘電体基板の総重量に基づいて50〜85wt%、又は65〜80wt%の高誘電率フィラーを含む、前記の付記のうちいずれか一項に記載の誘電体基板。
〔付記9〕
誘電体基板の総重量に基づいて15〜50wt%、又は20〜55wt%の非焼結ポリテトラフルオロエチレンを含む、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記10〕
非焼結ポリテトラフルオロエチレン及び高誘電率フィラーから本質的になる、又はからなる、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記11〕
比重が、誘電体基板の理論比重の少なくとも95%である、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記12〕
誘電体基板の誘電率が、12以上、又は12〜18、又は13〜18である、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記13〕
前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板を含む物品。
〔付記14〕
携帯電話、タブレット又はラップトップである、付記13に記載の物品。
〔付記15〕
アンテナである、付記13に記載の物品。
〔付記16〕
付記1から12のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板を製造する方法であって、
非焼結ポリテトラフルオロエチレン、高誘電率フィラー及び滑沢剤を含む混合物を形成することと、
混合物からプリフォームを形成することと、
プリフォームをカレンダー加工してシートを形成することと、
非焼結ポリテトラフルオロエチレンの融解温度未満である加熱温度でシートを加熱して滑沢剤を除去することと、
加熱後にシートを乾燥カレンダー加工して誘電体基板を形成することと
を含む、方法。
〔付記17〕
加熱後にシートが、シートの総重量に基づいて1wt%以下、又は0〜0.01wt%の滑沢剤を含む、付記16に記載の方法。
〔付記18〕
加熱温度が、300℃以下、又は50〜300℃、又は100〜200℃である、付記16及び17のいずれか一項又は複数の項に記載の方法。
〔付記19〕
プリフォームを形成することが、混合物を押し出すことを含む、付記16から18のうちいずれか一項又は複数の項に記載の方法。
〔付記20〕
最初のカレンダー加工方向から45〜135°の角度で、カレンダー加工後に、シートを2軸方向にカレンダー加工することをさらに含む、付記16から19のいずれか一項又は複数の項に記載の方法。
特定の実施形態を記載してきたが、現在予測されない、又は現在予測され得ない代替法、改変、変法、改善及び実質的な等価物が、本出願人又はその他の当業者に生じる場合がある。したがって、出願されるような、補正され得るような添付の実用新案登録請求の範囲は、すべてのこのような代替法、改変、変法、改善及び実質的な等価物を包含するものとする。
〔付記1〕
誘電体基板であって、非焼結ポリテトラフルオロエチレン及び
高誘電率フィラーを含み高誘電率フィラーの誘電率は、35以上であり、
誘電体基板は、誘電体基板の算出理論密度の90%以上の比重を有し、理論比重は、高誘電率フィラーの測定された比重、非焼結ポリテトラフルオロエチレンの比重及び非焼結ポリテトラフルオロエチレンと高誘電率フィラーの相対重量割合に基づいて算出され、
誘電体基板は、10GHzの周波数で決定されるような11.5以上の誘電率を有する、誘電体基板。
〔付記2〕
非焼結ポリテトラフルオロエチレンが、ポリテトラフルオロエチレンホモポリマーを含む、付記1に記載の誘電体基板。
〔付記3〕
非焼結ポリテトラフルオロエチレンが、微量改質ポリテトラフルオロエチレンホモポリマーを含み、微量改質ポリテトラフルオロエチレンホモポリマーが、微量改質ポリテトラフルオロエチレンホモポリマーの総重量に基づいて、1wt%未満の、テトラフルオロエチレン以外のコモノマーに由来する反復単位を含む、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記4〕
非焼結ポリテトラフルオロエチレンポリマーが、エマルジョン重合によって製造される、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記5〕
高誘電率フィラーが、100以上の、又は100〜400の誘電率を有する、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記6〕
高誘電率フィラーが、二酸化チタンを含む、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記7〕
高誘電率フィラーが、二酸化チタン、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム又は前記のもののうち少なくとも1種を含む組合せを含む、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記8〕
誘電体基板の総重量に基づいて50〜85wt%、又は65〜80wt%の高誘電率フィラーを含む、前記の付記のうちいずれか一項に記載の誘電体基板。
〔付記9〕
誘電体基板の総重量に基づいて15〜50wt%、又は20〜55wt%の非焼結ポリテトラフルオロエチレンを含む、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記10〕
非焼結ポリテトラフルオロエチレン及び高誘電率フィラーから本質的になる、又はからなる、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記11〕
比重が、誘電体基板の理論比重の少なくとも95%である、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記12〕
誘電体基板の誘電率が、12以上、又は12〜18、又は13〜18である、前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
〔付記13〕
前記の付記のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板を含む物品。
〔付記14〕
携帯電話、タブレット又はラップトップである、付記13に記載の物品。
〔付記15〕
アンテナである、付記13に記載の物品。
〔付記16〕
付記1から12のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板を製造する方法であって、
非焼結ポリテトラフルオロエチレン、高誘電率フィラー及び滑沢剤を含む混合物を形成することと、
混合物からプリフォームを形成することと、
プリフォームをカレンダー加工してシートを形成することと、
非焼結ポリテトラフルオロエチレンの融解温度未満である加熱温度でシートを加熱して滑沢剤を除去することと、
加熱後にシートを乾燥カレンダー加工して誘電体基板を形成することと
を含む、方法。
〔付記17〕
加熱後にシートが、シートの総重量に基づいて1wt%以下、又は0〜0.01wt%の滑沢剤を含む、付記16に記載の方法。
〔付記18〕
加熱温度が、300℃以下、又は50〜300℃、又は100〜200℃である、付記16及び17のいずれか一項又は複数の項に記載の方法。
〔付記19〕
プリフォームを形成することが、混合物を押し出すことを含む、付記16から18のうちいずれか一項又は複数の項に記載の方法。
〔付記20〕
最初のカレンダー加工方向から45〜135°の角度で、カレンダー加工後に、シートを2軸方向にカレンダー加工することをさらに含む、付記16から19のいずれか一項又は複数の項に記載の方法。
Claims (20)
- 誘電体基板であって、非焼結ポリテトラフルオロエチレン及び
高誘電率フィラーを含み高誘電率フィラーの誘電率は、35以上であり、
誘電体基板は、誘電体基板の算出理論密度の90%以上の比重を有し、理論比重は、高誘電率フィラーの測定された比重、非焼結ポリテトラフルオロエチレンの比重及び非焼結ポリテトラフルオロエチレンと高誘電率フィラーの相対重量割合に基づいて算出され、
誘電体基板は、10GHzの周波数で決定されるような11.5以上の誘電率を有する、誘電体基板。 - 非焼結ポリテトラフルオロエチレンが、ポリテトラフルオロエチレンホモポリマーを含む、請求項1に記載の誘電体基板。
- 非焼結ポリテトラフルオロエチレンが、微量改質ポリテトラフルオロエチレンホモポリマーを含み、微量改質ポリテトラフルオロエチレンホモポリマーが、微量改質ポリテトラフルオロエチレンホモポリマーの総重量に基づいて、1wt%未満の、テトラフルオロエチレン以外のコモノマーに由来する反復単位を含む、前記の請求項のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
- 非焼結ポリテトラフルオロエチレンポリマーが、エマルジョン重合によって製造される、前記の請求項のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
- 高誘電率フィラーが、100以上の、又は100〜400の誘電率を有する、前記の請求項のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
- 高誘電率フィラーが、二酸化チタンを含む、前記の請求項のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
- 高誘電率フィラーが、二酸化チタン、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム又は前記のもののうち少なくとも1種を含む組合せを含む、前記の請求項のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
- 誘電体基板の総重量に基づいて50〜85wt%、又は65〜80wt%の高誘電率フィラーを含む、前記の請求項のうちいずれか一項に記載の誘電体基板。
- 誘電体基板の総重量に基づいて15〜50wt%、又は20〜55wt%の非焼結ポリテトラフルオロエチレンを含む、前記の請求項のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
- 非焼結ポリテトラフルオロエチレン及び高誘電率フィラーから本質的になる、又はからなる、前記の請求項のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
- 比重が、誘電体基板の理論比重の少なくとも95%である、前記の請求項のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
- 誘電体基板の誘電率が、12以上、又は12〜18、又は13〜18である、前記の請求項のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板。
- 前記の請求項のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板を含む物品。
- 携帯電話、タブレット又はラップトップである、請求項13に記載の物品。
- アンテナである、請求項13に記載の物品。
- 請求項1から12のうちいずれか一項又は複数の項に記載の誘電体基板を製造する方法であって、
非焼結ポリテトラフルオロエチレン、高誘電率フィラー及び滑沢剤を含む混合物を形成することと、
混合物からプリフォームを形成することと、
プリフォームをカレンダー加工してシートを形成することと、
非焼結ポリテトラフルオロエチレンの融解温度未満である加熱温度でシートを加熱して滑沢剤を除去することと、
加熱後にシートを乾燥カレンダー加工して誘電体基板を形成することと
を含む、方法。 - 加熱後にシートが、シートの総重量に基づいて1wt%以下、又は0〜0.01wt%の滑沢剤を含む、請求項16に記載の方法。
- 加熱温度が、300℃以下、又は50〜300℃、又は100〜200℃である、請求項16及び17のいずれか一項又は複数の項に記載の方法。
- プリフォームを形成することが、混合物を押し出すことを含む、請求項16から18のうちいずれか一項又は複数の項に記載の方法。
- 最初のカレンダー加工方向から45〜135°の角度で、カレンダー加工後に、シートを2軸方向にカレンダー加工することをさらに含む、請求項16から19のいずれか一項又は複数の項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201562259680P | 2015-11-25 | 2015-11-25 | |
US62/259,680 | 2015-11-25 | ||
PCT/US2016/062152 WO2017091396A1 (en) | 2015-11-25 | 2016-11-16 | Dielectric substrate comprising unsintered polytetrafluoroethylene and methods of making the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP3221021U true JP3221021U (ja) | 2019-04-25 |
Family
ID=57614441
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018600065U Active JP3221021U (ja) | 2015-11-25 | 2016-11-16 | 非焼結ポリテトラフルオロエチレンを含む誘電体基板及びそれを製造する方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10435534B2 (ja) |
JP (1) | JP3221021U (ja) |
KR (1) | KR200494839Y1 (ja) |
CN (1) | CN109155163B (ja) |
WO (1) | WO2017091396A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110982202B (zh) * | 2019-11-25 | 2022-10-28 | 江苏富仕德科技发展有限公司 | 一种热固性树脂组合物及由其制备的半固化片、覆铜板 |
CN111040348B (zh) * | 2019-12-26 | 2021-10-26 | 江苏东材新材料有限责任公司 | 高填充量、大宽幅的氟树脂复合膜材料的制备方法 |
CN111574794B (zh) * | 2020-05-15 | 2022-05-17 | 浙江科赛新材料科技有限公司 | 高介电常数聚四氟乙烯薄膜及其制备方法和应用 |
TW202206286A (zh) | 2020-07-28 | 2022-02-16 | 美商聖高拜塑膠製品公司 | 介電基板及其形成方法 |
KR20230119121A (ko) | 2020-12-16 | 2023-08-16 | 생-고뱅 퍼포먼스 플라스틱스 코포레이션 | 유전체 기판 및 이의 형성 방법 |
CN113386418B (zh) * | 2021-07-13 | 2024-01-23 | 郴州功田电子陶瓷技术有限公司 | 一种高性能聚四氟乙烯覆铜板的制备方法 |
CN114371054A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-04-19 | 山东国瓷功能材料股份有限公司 | 一种用于pcb板填充的陶瓷粉介电性能评价方法 |
CN114509474A (zh) * | 2022-01-28 | 2022-05-17 | 山东国瓷功能材料股份有限公司 | 一种陶瓷粉体介电性能的检测方法及其应用 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE504311A (ja) | 1950-06-30 | 1900-01-01 | ||
SE392582B (sv) | 1970-05-21 | 1977-04-04 | Gore & Ass | Forfarande vid framstellning av ett porost material, genom expandering och streckning av en tetrafluoretenpolymer framstelld i ett pastabildande strengsprutningsforfarande |
US4335180A (en) | 1978-12-26 | 1982-06-15 | Rogers Corporation | Microwave circuit boards |
US4518737A (en) | 1978-12-26 | 1985-05-21 | Rogers Corporation | Dielectric material and method of making the dielectric material |
JPS6460648A (en) | 1987-08-28 | 1989-03-07 | Junkosha Co Ltd | Low-permittivity composite material |
US4996097A (en) | 1989-03-16 | 1991-02-26 | W. L. Gore & Associates, Inc. | High capacitance laminates |
JP2614190B2 (ja) * | 1994-06-01 | 1997-05-28 | 日本ピラー工業株式会社 | 多層板用プリプレグ、積層板、多層プリント回路基板およびその製造方法 |
DE69532491T2 (de) * | 1994-07-29 | 2004-12-02 | World Properties, Inc., Lincolnwood | Fluorpolymer-Verbundmaterialien mit zwei oder mehreren keramischen Füllern zur unabhängigen Kontrolle über Dimensionsstabilität und Dielektrizitätskonstante |
US6218015B1 (en) | 1998-02-13 | 2001-04-17 | World Properties, Inc. | Casting mixtures comprising granular and dispersion fluoropolymers |
US20050139377A1 (en) | 2003-12-31 | 2005-06-30 | Levy Daniel N. | Paste extruded insulator with air channels |
WO2006078889A2 (en) | 2005-01-19 | 2006-07-27 | Nelson Kevin G | Methods and compositions for dielectric materials |
US7773041B2 (en) | 2006-07-12 | 2010-08-10 | Apple Inc. | Antenna system |
US8599072B2 (en) | 2008-06-10 | 2013-12-03 | Apple Inc. | Antennas |
CN102794951A (zh) * | 2012-08-03 | 2012-11-28 | 浙江大学 | 用于微波频段的低损耗高分子-陶瓷层状复合材料 |
CN104446465B (zh) * | 2014-08-28 | 2017-09-22 | 云南云天化股份有限公司 | 一种陶瓷材料及其制备方法、聚四氟乙烯‑陶瓷复合材料及其制备方法和基板 |
-
2016
- 2016-11-15 US US15/352,096 patent/US10435534B2/en active Active
- 2016-11-16 WO PCT/US2016/062152 patent/WO2017091396A1/en active Application Filing
- 2016-11-16 CN CN201680079946.9A patent/CN109155163B/zh active Active
- 2016-11-16 KR KR2020187000042U patent/KR200494839Y1/ko active IP Right Grant
- 2016-11-16 JP JP2018600065U patent/JP3221021U/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170145182A1 (en) | 2017-05-25 |
US10435534B2 (en) | 2019-10-08 |
KR20180002320U (ko) | 2018-07-31 |
WO2017091396A1 (en) | 2017-06-01 |
CN109155163A (zh) | 2019-01-04 |
KR200494839Y1 (ko) | 2022-01-06 |
CN109155163B (zh) | 2020-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3221021U (ja) | 非焼結ポリテトラフルオロエチレンを含む誘電体基板及びそれを製造する方法 | |
TWI738008B (zh) | 高頻銅箔基板及其製法 | |
US20220315823A1 (en) | Dielectric layer with improved thermally conductivity | |
JP4520416B2 (ja) | 高キャパシタンスシート接着剤及びその製法 | |
CN108780674B (zh) | 绝缘树脂材料、使用其的带金属层的绝缘树脂材料及布线基板 | |
KR101889047B1 (ko) | 필러 함유 수지층 부착 금속박 및 필러 함유 수지층 부착 금속박의 제조 방법 | |
CN110066557B (zh) | 一种涂树脂铜箔及其制备方法、包含其的覆铜板和印制电路板 | |
CN103289322A (zh) | 介电复合物、埋入式电容膜及埋入式电容膜的制备方法 | |
JP2023535549A (ja) | 誘電体基板及びその形成方法 | |
KR20220044746A (ko) | 양면 동장 적층판 | |
JP2023553382A (ja) | 誘電体基板及びその形成方法 | |
CN116584155A (zh) | 覆铜层压板及其形成方法 | |
TWI646137B (zh) | Fluorine prepreg and resin composition thereof | |
WO2024007535A1 (zh) | 一种含氟树脂覆铜板以及多层电路板 | |
CN113386418B (zh) | 一种高性能聚四氟乙烯覆铜板的制备方法 | |
TW202036130A (zh) | 柔性塗膠銅箔基板及其製法 | |
JP7245424B2 (ja) | フッ素樹脂フィルム | |
KR102266563B1 (ko) | 고유전 필름 및 그 제조 방법 | |
TWI695202B (zh) | 高接著強度的液晶高分子基板及其製備方法 | |
JP3938299B2 (ja) | 非焼結シート及びその製造方法 | |
CN115315351A (zh) | 包含双轴取向的聚四氟乙烯增强层的柔性介电材料 | |
JP2004193411A (ja) | 高誘電率電気・電子部品の製造方法と部品 | |
CN116490548A (zh) | 一种氟树脂膜 | |
JP2004277495A (ja) | 高誘電率樹脂組成物と高誘電率電子部品 | |
JP2002053680A (ja) | 複合誘電体基板、およびプリプレグ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190215 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3221021 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |