TW202036130A - 柔性塗膠銅箔基板及其製法 - Google Patents

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何家華
莊朝欽
林志銘
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Abstract

一種柔性塗膠銅箔基板及其製法，該柔性塗膠銅箔基板係包括：上介電膠層和下介電膠層；形成於該上介電膠層和下介電膠層之間的芯層，且該芯層包含液晶高分子及分散在該液晶高分子中之填充粉體；以及形成於該上介電膠層上之銅箔層，使該上介電膠層位於該芯層及銅箔層之間。本發明之柔性塗膠銅箔基板具備低吸水性、低熱膨脹係數、高接著強度、低介電損失、高傳輸性等優點，適合用於高頻高速可撓性基板。

Description

柔性塗膠銅箔基板及其製法
本發明涉及使用柔性塗膠銅箔(Flexible resin coated copper，FRCC)基板的柔性線路板(Flexible printed circuit，FPC)及其製備技術領域，尤其涉及一種柔性塗膠銅箔基板。
隨著高頻高速傳輸需求的增加及5G時代的來臨，高性能工程塑膠需求大幅提升，過去軟性銅箔基板是以銅箔及聚醯亞胺(PI)樹脂等原料製成，但聚醯亞胺膜介電常數高、易吸濕，在高頻高速傳輸下易造成訊號損失。液晶高分子(LCP)材料因具備低吸濕性、高耐化性、高尺寸安定性、低介電常數及低介電損失因子(Dk/Df)等特性，其介電性能的低損耗、低吸水性在微波及高頻的毫米波均較傳統聚醯亞胺膜有明顯優勢，逐漸成為新應用材料，可應用於天線、基地台、毫米波雷達等。
目前市面上使用塗布法製作的液晶高分子基板產品，其吸水率及熱膨脹係數偏高，高吸水率(0.5至0.6%)在後續下游廠商應用階段，可能發生爆板，而液晶高分子層的高膨脹係數(30至35ppm/℃)和銅箔(17至18ppm/℃)不匹配，可能產生捲曲。此外，和聚醯亞胺相比，液晶高分 子與銅箔之間的接著力差，故液晶高分子基板通常選用表面較粗糙、Rz值較高的銅箔以提升接著強度。然而，在高頻高速傳輸時的集膚效應(skin effect)，電子傳輸傾向在銅箔表面進行，若銅箔表面較粗糙，則會形成較大的訊號損失，故如何降低液晶高分子的吸水率及熱膨脹係數與如何提升液晶高分子層與銅箔層的接著強度，使製作基板時可選用Rz值較低的銅箔，是液晶高分子基板發展的重要議題。
為了滿足市場對高頻高速可撓性板材的需求，本發明提供了一種柔性塗膠銅箔基板，其具有低吸水率、低熱膨脹係數、高接著強度、低介電常數、低介電損失、高速傳輸性及良好的機械性能，特別適合應用在5G智慧型手機及智慧手錶、手環等穿戴型設備中。
為了解決上述技術問題，本發明提供一種柔性塗膠銅箔基板，係包括：具有相對的第一表面和第二表面之芯層，係包含液晶高分子及分散在該液晶高分子中之填充粉體；分別形成於該芯層的第一表面上和第二表面上之上介電膠層和下介電膠層；以及形成於該上介電膠層上之銅箔層，使該上介電膠層位於該芯層及銅箔層之間。
於一具體實施態樣中，與該上介電膠層接觸之該銅箔層之表面粗糙度Rz為0至1.2μm，表面粗糙度Ra為0至0.04μm，且該銅箔層為壓延銅箔層或電解銅箔層。
於一具體實施態樣中，該芯層的厚度係為12至75μm；該上介電膠層的厚度係為1至10μm；該下介電膠層的厚度係為15至50μm；以及該銅箔層的厚度係為1至35μm。
於一具體實施態樣中，該芯層係具有二層該芯層或三層該芯層。
於一具體實施態樣中，該上介電膠層和下介電膠層之Dk值皆為2.0至4.0且Df值皆為0.001至0.010。
於一具體實施態樣中，該上介電膠層和下介電膠層係獨立包括組分A和組分B中的至少一種，且該組分A係選自由陶瓷粉體、燒結二氧化矽、鐵氟龍、不同於鐵氟龍之氟系樹脂、聚醚醚酮和阻燃劑所組成群組中的至少一種，該組分B係選自由環氧樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、矽橡膠系樹脂、聚對二甲苯系樹脂、雙馬來醯亞胺系樹脂和聚醯亞胺系樹脂所組成群組中的至少一種。
於一具體實施態樣中，該組分A係佔該上介電膠層和下介電膠層中任一者的總固體含量的大於0至50重量%，且該組分B係佔該上介電膠層和下介電膠層中任一者的總固體含量的5至80重量%。
於一具體實施態樣中，該芯層之Dk值為2.5至4.0，且Df值為0.001至0.010。
於一具體實施態樣中，該填充粉體係包括第一填充粉體、第二填充粉體及第三填充粉體所組成群組之至少一種，該第一填充粉體係選自由二氧化矽、石英、二氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、氧化鋯、氧化鎂及氫氧化鋁所組成群組之至少一種；該第二填充粉體係選自由碳酸鈣、碳酸鋁、 碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、矽酸鋁、矽酸鋁鈣、矽酸鈣鎂、硫酸鋇、滑石粉、黏土、高嶺土、雲母、方解石、矽灰石及白雲石粉所組成群組之至少一種；該第三填充粉體係選自碳化矽、碳化硼、氮化硼、聚醚醚酮及鐵氟龍所組成群組之至少一種。
於一具體實施態樣中，該第一填充粉體係佔該芯層的總固體含量的20至70重量%，該第二填充粉體係佔芯層的總固體含量的10至30重量%，該第三填充粉體係佔芯層的總固體含量的0至30重量%。
於本發明的另一具體實施態樣中，該柔性塗膠銅箔基板復包括離型層，係形成於該下介電膠層上，使該下介電膠層位於該芯層及離型層之間。
本發明復提供一種柔性塗膠銅箔基板的製備方法，係包括以下步驟：於該銅箔層上形成該上介電膠層；於該上介電膠層上形成該芯層，以形成柔性塗膠銅箔基板半成品；回火處理該柔性塗膠銅箔基板半成品；以及於經回火處理之該柔性塗膠銅箔基板半成品之芯層上形成下介電膠層，使該芯層位於該上介電膠層與下介電膠層之間。
於本發明的另一具體實施態樣中，復包括在形成該上介電膠層之步驟中，於60至180℃去除該上介電膠層中之溶劑。
於本發明的另一具體實施態樣中，復包括在形成該芯層之步驟中，於60至180℃去除該芯層中之溶劑。
於本發明的另一具體實施態樣中，復包括在形成該下介電膠層之步驟中，於60至180℃去除該下介電膠層中之溶劑。
於本發明的另一具體實施態樣中，復包括於該下介電膠層的表面上壓合離型層。
本發明之柔性塗膠銅箔基板具高接著強度，因而可選用Rz值較低的銅箔層，信號傳輸過程中具有集膚效應，由於低輪廓銅箔表面粗糙度較低，結晶細膩，表面平坦性較佳，因而信號能實現高速傳輸，同時上、下介電膠層具有較低且穩定的Dk/Df性能，可減少信號傳輸過程中的損耗，進一步提高信號傳輸質量，且不影響柔性線路板(FPC)的高頻高傳輸性，可達成散熱導熱快速化以及生產成本最低化發展的需要。
再者，本發明之柔性塗膠銅箔基板採用之介電膠層的Dk值為2.0至4.0(10GHz)，使得本發明適合低溫(低於180℃)快速壓合，工藝加工性強，而且對製作設備要求低，進而降低生產成本，其設備操作性及加工性均優於現有的液晶高分子基板和聚醯亞胺基板。此外，本發明之柔性塗膠銅箔基板的製法由於適合低溫壓合，大幅降低FPC製程中線路氧化的風險。
此外，本發明之柔性塗膠銅箔基板之芯層的材質為包含填充粉體之液晶高分子，上、下介電膠層以聚醯亞胺樹脂為主要成分，由於聚醯亞胺樹脂具有低吸水率且填充粉體亦可有效降低吸水率，故本發明的整體吸水率在0.19至0.4%，由於其低吸水率，吸水後性能穩定，具有較佳的電氣性能。
本發明之柔性塗膠銅箔基板於液晶高分子中添加填充粉體，可降低液晶高分子芯層的熱膨脹係數，使該液晶高分子芯層的熱膨脹係數降低為18至26ppm/℃與銅箔的熱膨脹係數(17至18ppm/℃)匹配，進而改善產品發生捲曲的問題。
本發明除了具有熱膨脹性佳等有益效果外，還具有較低的反彈力，適合下游高密度組裝製程，更具有極佳的機械性能、雷射鑽孔工藝適應性佳等優點，且介電膠層的接著強度佳(大於1.01kgf/cm)，因此本 發明之柔性塗膠銅箔基板特別適合在5G智慧型手機及智慧手錶、手環等穿戴型設備中使用。
另一方面，習知技術使用熱塑性聚醯亞胺(Thermoplastic polyimide，TPI)之基板在製備38微米以上之厚度時，製程生產效率低，但採用本發明之製法不僅可以製造適宜厚度的液晶高分子基板及雙面銅箔基板，更可輕易製得厚度100微米的基板。
10‧‧‧芯層
20、30‧‧‧第一芯層
20’、30’‧‧‧第二芯層
30”‧‧‧第三芯層
10a、20a、30a‧‧‧第一表面
10b、20b、30b‧‧‧第二表面
11、21、31‧‧‧銅箔層
12、22、32‧‧‧上介電膠層
13、23、33‧‧‧下介電膠層
101、201、201’、301、301’、301”‧‧‧填充粉體
100、200、200’、300、300’、300”‧‧‧液晶高分子
14、24、34‧‧‧離型層
透過例示性之參考附圖說明本發明的實施方式：第1圖係本發明之柔性塗膠銅箔基板的結構示意圖。
第2圖係本發明之柔性塗膠銅箔基板的另一結構示意圖。
第3圖係本發明之柔性塗膠銅箔基板的另一結構示意圖。
以下係藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方式，熟習此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地瞭解本發明之優點及功效。
須知，本說明書所附圖式所繪示之結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示之內容，以供熟悉此技藝之人士之瞭解與閱讀，並非用以限定本發明可實施之限定條件，故不具技術上之實質意義，任何結構之修飾、比例關係之改變或大小之調整，在不影響本發明所能產生之功效及所能達成之目的下，均應仍落在本發明所揭示之技術內容得能涵蓋之範圍內。同時，本說明書中所引用之如「一」、「下」及「上」亦僅為 便於敘述之明瞭，而非用以限定本發明可實施之範圍，其相對關係之改變或調整，在無實質變更技術內容下，當亦視為本發明可實施之範疇。此外，本文所有範圍和值都係包含及可合併的。落在本文中所述的範圍內之任何數值或點，例如任何整數都可以作為最小值或最大值以導出下位範圍等。
如第1圖所示，係顯示本發明之柔性塗膠銅箔基板之一具體實施態樣，係包括：芯層10，係具有相對的第一表面10a和第二表面10b，且該芯層10包含液晶高分子100及分散在該液晶高分子中之填充粉體101；上介電膠層12和下介電膠層13，係分別形成於該芯層的第一表面10a上和第二表面10b上；銅箔層11，係形成於該上介電膠層12上，使該上介電膠層12位於該芯層10及銅箔層11之間；以及離型層14，係形成於該下介電膠層13上，使該下介電膠層13位於該芯層10及離型層14之間。
在本實施態樣中，與該上介電膠層接觸之該銅箔層之表面粗糙度Rz為0至1.2μm，而表面粗糙度Ra為0至0.4μm，且該銅箔層為壓延銅箔層或電解銅箔層。
於一具體實施態樣中，該芯層的厚度係為12至75μm；該上介電膠層的厚度係為1至10μm；該下介電膠層的厚度係為15至50μm；以及該銅箔層的厚度係為1至35μm。
於一具體實施態樣中，該柔性塗膠銅箔基板係具有二層該芯層；於另一具體實施態樣中，該柔性塗膠銅箔基板係具有三層該芯層。
於一具體實施態樣中，該上介電膠層和下介電膠層之Dk值皆為2.0至4.0，且Df值皆為0.001至0.010。
於一具體實施態樣中，該介電膠層係獨立包括組分A和組分B中的至少一種且該組分A係選自由陶瓷粉體、燒結二氧化矽、鐵氟龍、不 同於鐵氟龍之氟系樹脂、聚醚醚酮和阻燃劑所組成群組中的至少一種，該組分B係選自由環氧樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、矽橡膠系樹脂；聚對二甲苯系樹脂、雙馬來醯亞胺系樹脂和聚醯亞胺系樹脂所組成群組中的至少一種。
於一具體實施態樣中，該組分A係佔該上介電膠層和下介電膠層中任一者的總固體含量的0至50重量%，且該組分B係佔該上介電膠層和下介電膠層中任一者的總固體含量的5至80重量%。
較佳地，該陶瓷粉體係佔該上介電膠層和下介電膠層中任一者的總固體含量的0至45重量%，該燒結二氧化矽係佔該上介電膠層和下介電膠層中任一者的總固體含量的0至45重量%，該鐵氟龍係佔該上介電膠層和下介電膠層中任一者的總固體含量的0至45重量%，該不同於鐵氟龍之氟系樹脂係佔該上介電膠層和下介電膠層中任一者的總固體含量的0至45重量%，該聚醚醚酮係佔該上介電膠層和下介電膠層中任一者的總固體含量的0至45重量%，該阻燃劑係佔該上介電膠層和下介電膠層中任一者的總固體含量的0至45重量%。
於一具體實施態樣中，該陶瓷粉體係選自由鈦酸鋇(BaTiO3)、鈦酸鍶(SrTiO3)、鈦酸鍶鋇(Ba(Sr)TiO3)、鈦酸鉛(PbTiO3)、鈦酸鈣(CaTiO3)及鈦酸鎂(Mg2TiO4)所組成群組之至少一種；該不同於鐵氟龍之氟系樹脂係選自由聚偏氟乙烯、氟乙烯-乙烯基醚共聚物、四氟乙烯-乙烯共聚物、聚三氟氯乙烯-乙烯共聚物、四氟乙烯、六氟丙烯-偏氟乙烯共聚物、四氟乙烯-全氟烷基乙烯共聚物、聚三氟氯乙烯、聚氯乙烯、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、乙烯-氟乙烯共聚物及四氟乙烯-六氟丙烯-三氟乙烯共聚物所組成群組之至少一種。
於一具體實施態樣中，該組分A係鈦酸鋇、燒結二氧化矽、鐵氟龍及阻燃劑，該組分B係聚醯亞胺樹脂。
於另一具體實施態樣中，該組分A係鈦酸鋇、鈦酸鍶、燒結二氧化矽、鐵氟龍及阻燃劑，該組分B係聚醯亞胺樹脂。
於一具體實施態樣中，該芯層之Dk值為2.5至4.0，且Df值為0.001至0.010。
於一具體實施態樣中，該填充粉體係包括第一填充粉體、第二填充粉體及第三填充粉體所組成群組之至少一種，該第一填充粉體係選自由二氧化矽、石英、二氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、氧化鋯、氧化鎂及氫氧化鋁所組成群組之至少一種；該第二填充粉體係選自碳酸鈣、碳酸鋁、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、矽酸鋁、矽酸鋁鈣、矽酸鈣鎂、硫酸鋇、滑石粉、黏土、高嶺土、雲母、方解石、矽灰石及白雲石粉所組成群組之至少一種；該第三填充粉體係選自碳化矽、碳化硼、氮化硼、聚醚醚酮及鐵氟龍所組成群組之至少一種。
於一具體實施態樣中，該第一填充粉體係二氧化矽，該第二填充粉體係滑石粉，該第三填充粉體係氮化硼。
於一具體實施態樣中，該第一填充粉體係佔芯層的總固體含量的20至70重量%，該第二填充粉體係佔芯層的總固體含量的10至30重量%，該第三填充粉體係佔芯層的總固體含量的0至30重量%。
於本發明的另一具體實施態樣中，該柔性塗膠銅箔基板復包括離型層14，係形成於該下介電膠層13上，使該下介電膠層13位於該芯層10及離型層14之間，且較佳地，該離型層係選自由聚丙烯、雙向拉伸聚丙烯和聚對苯二甲酸乙二醇酯所組成群組之至少一種。
如第2圖所示，係顯示本發明之柔性塗膠銅箔基板之另一具體實施態樣，係包括：第一芯層20及第二芯層20’，在該二芯層整體之相對兩側係具有相對的第一表面20a和第二表面20b，且該第一芯層20及第二芯層20’分別包含液晶高分子200、200’及分散在該液晶高分子200、200’中之填充粉體201、201’；上介電膠層22和下介電膠層23，係分別形成於該第一表面20a上和第二表面20b上；銅箔層21，係形成於該上介電膠層22上，使該上介電膠層22位於該第一芯層20及銅箔層21之間；以及離型層24，係形成於該下介電膠層23上，使該下介電膠層23位於第二芯層20’及離型層24之間。
如第3圖所示，係顯示本發明之柔性塗膠銅箔基板之另一具體實施態樣，係包括：第一芯層30、第二芯層30’及第三芯層30”，該三層芯層整體的相對兩側係具有相對的第一表面30a和第二表面30b，且該第一芯層30、第二芯層30’及第三芯層30”分別包含液晶高分子300、300’、300”及分散在該液晶高分子300、300’、300”中之填充粉體301、301’、301”；上介電膠層32和下介電膠層33，係分別形成於該第一表面30a上和第二表面30b上；銅箔層31，係形成於該上介電膠層32上，使該上介電膠層32位於該第一芯層30及銅箔層31之間；以及離型層34，係形成於該下介電膠層33上，使該下介電膠層33位於該第三芯層30”及離型層34之間。
本發明復提供一種柔性塗膠銅箔基板的製備方法，係包括以下步驟：於該銅箔層上形成該上介電膠層；於該上介電膠層上形成該芯層，以形成柔性塗膠銅箔基板半成品；回火處理該柔性塗膠銅箔基板半成品；以及於經回火處理之該柔性塗膠銅箔基板半成品之芯層上形成下介電膠層，使該芯層位於該上介電膠層與下介電膠層之間。
於一具體實施態樣中，於形成該上介電膠層之步驟中，係以塗佈法將膠體溶液塗佈在銅箔層上，因該膠體溶液中含有溶劑，故此步驟中復包括於60至180℃去除該上介電膠層中之溶劑。
於另一具體實施態樣中，於形成該芯層之步驟中，以塗佈法將含有液晶高分子及填充粉體的高分子溶液塗佈在上介電膠層上，因該高分子溶液中含有溶劑，故此步驟中復包括於60至180℃去除該芯層中之溶劑。
於另一具體實施態樣中，於形成該下介電膠層之步驟中，係以塗佈法將膠體溶液塗佈在芯層上，因該膠體溶液中含有溶劑，故此步驟中復包括於60至180℃去除該下介電膠層中之溶劑。
於一具體實施態樣中，該製備方法復包括在該下介電膠層的下表面壓合離型層。
於一具體實施態樣中，該離型層係選自由聚丙烯、雙向拉伸聚丙烯和聚對苯二甲酸乙二醇酯所組成群組之至少一種。
實施例
實施例1 本發明柔性塗膠銅箔基板之製備
根據表1所示之重量(克)混合上介電膠層的組分A及組分B、根據表2所示之重量(克)混合下介電膠層的組分A及組分B，並使用丁酮作為溶劑以形成介電膠層。根據表3所示之重量(克)混合液晶高分子與第一填充粉體、第二填充粉體及第三填充粉體，並使用N-甲基吡咯烷酮(NMP)作為溶劑以形成芯層。
於該銅箔層上形成該上介電膠層，並於130℃去除上介電膠層中之溶劑；於該上介電膠層上形成該芯層，並於160℃去除該芯層中之溶劑，以形成柔性塗膠銅箔基板半成品；置於250℃下10小時以回火處理 該柔性塗膠銅箔基板半成品，於經回火處理之該柔性塗膠銅箔基板半成品之芯層上形成下介電膠層，並於130℃去除該下介電膠層中之溶劑，使該芯層位於該上介電膠層與下介電膠層之間。
接著測試該柔性塗膠銅箔基板成品的各項性質並記錄於下表4中。
實施例2 本發明柔性塗膠銅箔基板之製備
依實施例1的製備方法製造實施例2之柔性塗膠銅箔基板，其差異在於僅根據表1至表3調整比例，以製備介電膠層及芯層。
實施例3 本發明柔性塗膠銅箔基板之製備
依實施例1的製備方法製造實施例3之柔性塗膠銅箔基板，其差異在於僅根據表1至表3調整比例，以製備介電膠層及芯層。
實施例4 本發明柔性塗膠銅箔基板之製備
依實施例1的製備方法製造實施例4之柔性塗膠銅箔基板，其差異在於僅根據表1至表3調整比例，以製備介電膠層、第一芯層及第二芯層。
實施例5 本發明柔性塗膠銅箔基板之製備
依實施例1的製備方法製造實施例5之柔性塗膠銅箔基板，其差異在於僅根據表1至表3調整比例，以製備介電膠層、第一芯層及第二芯層。
實施例6 本發明柔性塗膠銅箔基板之製備
依實施例1的製備方法製造實施例6之柔性塗膠銅箔基板，其差異在於僅根據表1至表3調整比例，以製備介電膠層、第一芯層、第二芯層及第三芯層。
實施例7 本發明柔性塗膠銅箔基板之製備
依實施例1的製備方法製造實施例7之柔性塗膠銅箔基板，其差異在於僅根據表1至表3調整比例，以製備介電膠層、第一芯層、第二芯層及第三芯層。
比較例
比較例1、2
依實施例1的製備方法製造比較例1、2的柔性塗膠銅箔基板，差異在於比較例1、2之結構不具有上介電膠層，且芯層中不包含填充粉體。
比較例3
依實施例1的製備方法製造比較例3的柔性塗膠銅箔基板，差異在於比較例3之芯層中不包含填充粉體。
比較例4
依實施例1的製備方法製造比較例4的柔性塗膠銅箔基板，差異在於比較例4之芯層使用聚醯亞胺取代液晶高分子，且芯層中不包含填充粉體。
實施例1至實施例7及比較例1至比較例4之成分、各層厚度、測試方法及性能指標係如表1至表5所示。
Figure 108109809-A0101-12-0014-1
Figure 108109809-A0101-12-0014-3
Figure 108109809-A0101-12-0015-4
Figure 108109809-A0101-12-0016-5
Figure 108109809-A0101-12-0017-6
表5中，銅箔層Rz值及Ra值為銅箔層與上介電膠層黏著面之Rz值及Ra值，介電常數Dk及介電損失Df為基板整體之介電常數Dk及介電損失Df。
從表5中可以看出，本發明之柔性塗膠銅箔基板具有高接著強度、較佳的電氣性能等優勢，有利於高頻高速傳輸，而且具低吸水率、低熱膨脹係數，優於一般液晶高分子基板和聚醯亞胺基板，特別適合在5G智慧型手機及智慧手錶、手環等穿戴型設備中使用。
上述實施例僅為例示性說明，而非用於限制本發明。任何熟習此項技藝之人士均可在不違背本發明之精神及範疇下，對上述實施例進行修飾與改變。因此，本發明之權利保護範圍係由本發明所附之申請專利範圍所定義，只要不影響本發明之效果及實施目的，應涵蓋於此公開技術內容中。
10‧‧‧芯層
10a‧‧‧第一表面
10b‧‧‧第二表面
100‧‧‧液晶高分子
101‧‧‧填充粉體
11‧‧‧銅箔層
12‧‧‧上介電膠層
13‧‧‧下介電膠層
14‧‧‧離型層

Claims (16)

  1. 一種柔性塗膠銅箔基板，係包括：芯層，係具有相對的第一表面和第二表面，且該芯層包含液晶高分子及分散在該液晶高分子中之填充粉體；上介電膠層和下介電膠層，係分別形成於該芯層的第一表面上和第二表面上；以及銅箔層，係形成於該上介電膠層上，使該上介電膠層位於該芯層及銅箔層之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的柔性塗膠銅箔基板，其中，與該上介電膠層接觸之該銅箔層之表面粗糙度Rz為0至1.2μm，表面粗糙度Ra為0至0.4μm，且該銅箔層為壓延銅箔層或電解銅箔層。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的柔性塗膠銅箔基板，其中，該芯層的厚度係為12至75μm，該上介電膠層的厚度係為1至10μm，該下介電膠層的厚度係為15至50μm，以及該銅箔層的厚度係為1至35μm。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的柔性塗膠銅箔基板，其中，該柔性塗膠銅箔基板係具有二層該芯層或三層該芯層。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的柔性塗膠銅箔基板，其中，該上介電膠層和下介電膠層之Dk值皆為2.0至4.0，且Df值皆為0.001至0.010。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的柔性塗膠銅箔基板，其中，該上介電膠層和下介電膠層係獨立包括組分A和組分B中的至少一種，且該組分A係選自由陶瓷粉體、燒結二氧化矽、鐵氟龍、不同於鐵氟龍之氟系樹脂、聚醚醚酮和阻燃劑所組成群組中的至少一種，該組分B係選自由環氧 樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、矽橡膠系樹脂、聚對二甲苯系樹脂、雙馬來醯亞胺系樹脂和聚醯亞胺系樹脂所組成群組中的至少一種。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的柔性塗膠銅箔基板，其中，該組分A係佔該上介電膠層和下介電膠層中任一者的總固體含量的大於0至50重量%，且該組分B係佔該上介電膠層和下介電膠層中任一者的總固體含量的5至80重量%。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的柔性塗膠銅箔基板，其中，該芯層之Dk值為2.5至4.0，且Df值為0.001至0.010。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的柔性塗膠銅箔基板，其中，該填充粉體係包括第一填充粉體、第二填充粉體及第三填充粉體所組成群組之至少一種，其中，該第一填充粉體係選自由二氧化矽、石英、二氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、氧化鋯、氧化鎂及氫氧化鋁所組成群組之至少一種，該第二填充粉體係選自由碳酸鈣、碳酸鋁、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、矽酸鋁、矽酸鋁鈣、矽酸鈣鎂、硫酸鋇、滑石粉、黏土、高嶺土、雲母、方解石、矽灰石及白雲石粉所組成群組之至少一種，且該第三填充粉體係選自由碳化矽、碳化硼、氮化硼、聚醚醚酮及鐵氟龍所組成群組之至少一種。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的柔性塗膠銅箔基板，其中，該第一填充粉體係佔該芯層的總固體含量的20至70重量%，該第二填充粉體係佔芯層的總固體含量的10至30重量%，該第三填充粉體係佔芯層的總固體含量的0至30重量%。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的柔性塗膠銅箔基板，復包括離型層，係形成於該下介電膠層上，使該下介電膠層位於該芯層及離型層之間。
  12. 一種如申請專利範圍第1至11項任一項所述的柔性塗膠銅箔基板的製備方法，係包括以下步驟：於該銅箔層上形成該上介電膠層；於該上介電膠層上形成該芯層，以形成柔性塗膠銅箔基板半成品；回火處理該柔性塗膠銅箔基板半成品；以及於經回火處理之該柔性塗膠銅箔基板半成品之芯層上形成下介電膠層，使該芯層位於該上介電膠層與下介電膠層之間。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的製備方法，復包括在形成該上介電膠層之步驟中，於60至180℃去除該上介電膠層中之溶劑。
  14. 如申請專利範圍第12項所述的製備方法，復包括在形成該芯層之步驟中，於60至180℃去除該芯層中之溶劑。
  15. 如申請專利範圍第12項所述的製備方法，復包括在形成該下介電膠層之步驟中，於60至180℃去除該下介電膠層中之溶劑。
  16. 如申請專利範圍第12項所述的製備方法，復包括於該下介電膠層的表面上壓合離型層。
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