CN210899823U - 氟系聚合物高频基板、覆盖膜和粘结片 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种氟系聚合物高频基板、覆盖膜和粘结片，氟系聚合物高频基板为单面覆铜基板、FRCC、双面覆铜基板，单面覆铜基板包括铜箔层、低介电胶层、氟系聚合物层和聚酰亚胺层，FRCC包括铜箔层、低介电胶层、氟系聚合物层、聚酰亚胺层和离型层，双面覆铜基板包括铜箔层、低介电胶层、氟系聚合物层和聚酰亚胺层，覆盖膜和粘结片皆包括低介电胶层、氟系聚合物层、聚酰亚胺层和离型层。本实用新型利用氟系聚合物本身的低Dk/Df特性，搭配具有低Dk/Df的低介电胶层、低粗糙度的铜箔，使成品具低介电损失，有利于高频高速传输。此外利用低介电胶层黏接铜箔及氟系聚合物层，并利用PI膜做为支撑，使基板拥有良好接着强度、低热膨胀系数及高尺寸安定性。

Description

氟系聚合物高频基板、覆盖膜和粘结片

技术领域

本实用新型涉及FPC(柔性线路板)及其制备技术领域，特别是涉及低Dk/Df的高频单面铜箔基板、FRCC(柔性涂胶铜箔)、双面铜箔基板、覆盖膜及Bondply (粘结片)，提供5G及毫米波应用解决方案。

背景技术

印刷电路板是电子产品中不可或缺的材料，随着消费性电子产品需求成长，对于印刷电路板的需求亦是与日俱增。由于软性印刷电路板具有可挠曲性及可三度空间配线等特性，在科技化电子产品强调轻薄短小、可挠曲性的发展趋势下，目前被广泛应用计算机及其外围设备、通讯产品以及消费性电子产品等等。

再者，由于电子产品朝高频高速的应用趋势发展，使得现今电子产品都需要使用高频电路用之软性印刷电路基板，以使电子产品能高频及高速运作。在众多被用作为高频电路用印刷电路基板的材料中，除了陶瓷和发泡材料外，以氟系树脂居多，其原因在于氟系树脂具有低介电常数和低介电损耗等优异的电气特性，如PTFE(聚四氟乙烯)氟系基板在频率10GHz下之介电常数 (Dielectric Constant，Dk)约为2.1、介电损耗因子(DissipationFactor， Df)约为0.0004，与低吸水率约为0.03％等优异性质。

然而，氟系树脂的表面性质具有极低表面能，因此不易黏着于金属，而容易造成脱层现象，使氟系基板的良率不高，需要表面处理，对铜箔的选择较少，难以使用具低传输损失的低粗糙度铜箔，或须借由其他胶黏层加以黏着。另外，其高热膨胀系数(约200ppm/℃)易造成尺寸安定性不佳，尺寸的变化会直接影响到导体线路的制作及对位偏移等问题，尤其是高密度化要求，线路越来越微细的状况下，影响程度则更为明显。此外，氟系树脂受到制程技术的限制，对制造设备的要求高且需要在较高温环境(>280℃)下才可以操作，随之也造成了其膜厚不均匀，膜厚不均会造成电路板的阻抗值控制不易，且高温压合制程会造成 PTFE挤压影响镀铜的导通性、形成断路，进而造成信赖度不佳，可靠度下降；此外，又面临了PTFE多为片状不能使用卷对卷的压合工艺，导致加工困难、量产性低、耗材更多。另外在SMT(表面贴装)高温制程或其它FPC制程，例如弯折、强酸强碱药液制程时，接着强度不足，造成良率下降。

举凡于第US 3676566 A号美国专利提出聚酰亚胺和氟碳聚合物的复合层状结构，第TW M531056 U号台湾专利、CN 103096612 B号中国专利、第CN 202276545 U号中国专利、第TW M422159 U1号台湾专利、第TW M436933 U1 号台湾专利、第CN 202773176 U号中国专利提出高频基板结构，第CN 105269884 B号中国专利提出复合式高频双面铜箔基板及其制造方法，第TW I645977 B号台湾专利提出PI型高频高速传输用双面铜箔基板及其制备方法，第 CN 207772540 U号中国专利提出LCP或氟系聚合物高频高传输双面铜箔基板，第CN207744230 U号中国专利提出复合式氟系聚合物高频高传输双面铜箔基板及制备方法，第CN 105295753 B号中国专利提出高频黏着胶水层的结构及其制备方法，第CN 105282959 B号中国专利提出具有低Dk和Df特性的高频覆盖膜及其制备方法，前期专利并无此种结构的氟系聚合物基板、覆盖膜及Bondply。

实用新型内容

本实用新型主要解决的技术问题是提供一种氟系聚合物高频基板、覆盖膜、和粘结片，具有极低的Dk/Df特性，能够大幅度减少信号传输的损失，并具有高接着强度、低热膨胀系数及高尺寸安定性，且能够使用低温压合以及快压机设备。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是：一种氟系聚合物高频基板，所述氟系聚合物高频基板为单面覆铜基板；

所述单面覆铜基板的第一种结构从上至下依次为：铜箔层、第一低介电胶层、氟系聚合物层、第二低介电胶层和聚酰亚胺层；所述单面覆铜基板的第一种结构的总厚度为41-385μm；

所述单面覆铜基板的第二种结构从上至下依次为：铜箔层、第一低介电胶层、第一聚酰亚胺层、第二低介电胶层、氟系聚合物层、第三低介电胶层和第二聚酰亚胺层；所述单面覆铜基板的第二种结构的总厚度为51-485μm。

进一步地说，所述氟系聚合物层是指介电常数Dk值为1.0-3.0(10GHz)、介电损失因子Df值为0.0001-0.002(10GHz)、吸水率为0.001-0.1(％)的绝缘聚合物层；

所述铜箔层的厚度为1-35μm，所述低介电胶层的厚度为5-50μm，所述氟系聚合物层的厚度为25-200μm，所述聚酰亚胺层的厚度为5-50μm；

所述铜箔层是Rz值为0-1.2μm、Ra值为0-0.4μm的低轮廓铜箔层，所述铜箔层为压延铜箔层或电解铜箔层；

所述低介电胶层是指Dk值为2.0-3.5(10GHz)，且Df值为0.001-0.010(10GHz) 的胶层，所述聚酰亚胺层是指Dk值为2.0-3.5(10GHz)，且Df值为 0.002-0.010(10GHz)的绝缘聚合物层。

一种氟系聚合物高频基板，所述氟系聚合物高频基板为FRCC；

所述FRCC的第一种结构从上至下依次为：铜箔层、第一低介电胶层、氟系聚合物层、第二低介电胶层、聚酰亚胺层和第三低介电胶层；所述FRCC的第一种结构的总厚度为46-435μm；

所述FRCC的第二种结构从上至下依次为：铜箔层、第一低介电胶层、第一聚酰亚胺层、第二低介电胶层、氟系聚合物层、第三低介电胶层、第二聚酰亚胺层和第四低介电胶层；所述FRCC的第二种结构的总厚度为56-535μm。

进一步地说，所述氟系聚合物层是指介电常数Dk值为1.0-3.0(10GHz)、介电损失因子Df值为0.0001-0.002(10GHz)、吸水率为0.001-0.1(％)的绝缘聚合物层；

所述铜箔层的厚度为1-35μm，所述低介电胶层的厚度为5-50μm，所述氟系聚合物层的厚度为25-200μm，所述聚酰亚胺层的厚度为5-50μm；

所述铜箔层是Rz值为0-1.2μm、Ra值为0-0.4μm的低轮廓铜箔层，所述铜箔层为压延铜箔层或电解铜箔层；

所述低介电胶层是指Dk值为2.0-3.5(10GHz)，且Df值为0.001-0.010(10GHz) 的胶层，所述聚酰亚胺层是指Dk值为2.0-3.5(10GHz)，且Df值为 0.002-0.010(10GHz)的绝缘聚合物层。

一种氟系聚合物高频基板，所述氟系聚合物高频基板为双面覆铜基板；

所述双面覆铜基板的第一种结构从上至下依次为：第一铜箔层、第一低介电胶层、氟系聚合物层、第二低介电胶层、聚酰亚胺层、第三低介电胶层和第二铜箔层；所述双面覆铜基板的第一种结构的总厚度为47-470μm；

所述双面覆铜基板的第二种结构从上至下依次为：第一铜箔层、第一低介电胶层、第一聚酰亚胺层、第二低介电胶层、氟系聚合物层、第三低介电胶层、第二聚酰亚胺层、第四低介电胶层和第二铜箔层；所述双面覆铜基板的第二种结构的总厚度为57-570μm。

进一步地说，所述氟系聚合物层是指介电常数Dk值为1.0-3.0(10GHz)、介电损失因子Df值为0.0001-0.002(10GHz)、吸水率为0.001-0.1(％)的绝缘聚合物层；

所述铜箔层的厚度为1-35μm，所述低介电胶层的厚度为5-50μm，所述氟系聚合物层的厚度为25-200μm，所述聚酰亚胺层的厚度为5-50μm；

所述铜箔层是Rz值为0-1.2μm、Ra值为0-0.4μm的低轮廓铜箔层，所述铜箔层为压延铜箔层或电解铜箔层；

所述低介电胶层是指Dk值为2.0-3.5(10GHz)，且Df值为0.001-0.010(10GHz) 的胶层，所述聚酰亚胺层是指Dk值为2.0-3.5(10GHz)，且Df值为 0.002-0.010(10GHz)的绝缘聚合物层。

一种氟系聚合物覆盖膜，所述氟系聚合物覆盖膜的第一种结构从上至下依次为：第一低介电胶层、氟系聚合物层、第二低介电胶层和聚酰亚胺层；所述氟系聚合物覆盖膜的第一种结构的总厚度为40-350μm；

所述氟系聚合物覆盖膜的第二种结构从上至下依次为：第一低介电胶层、第一聚酰亚胺层、第二低介电胶层、氟系聚合物层、第三低介电胶层和第二聚酰亚胺层；所述氟系聚合物覆盖膜的第二种结构的总厚度为50-450μm。

进一步地说，所述氟系聚合物层是指介电常数Dk值为1.0-3.0(10GHz)、介电损失因子Df值为0.0001-0.002(10GHz)、吸水率为0.001-0.1(％)的绝缘聚合物层；

所述低介电胶层的厚度为5-50μm，所述氟系聚合物层的厚度为25-200μ m，所述聚酰亚胺层的厚度为5-50μm；

所述低介电胶层是指Dk值为2.0-3.5(10GHz)，且Df值为0.001-0.010(10GHz) 的胶层，所述聚酰亚胺层是指Dk值为2.0-3.5(10GHz)，且Df值为 0.002-0.010(10GHz)的绝缘聚合物层。

一种氟系聚合物粘结片，所述氟系聚合物粘结片的第一种结构上至下分别为：第一低介电胶层、氟系聚合物层、第二低介电胶层、聚酰亚胺层和第三低介电胶层；所述氟系聚合物粘结片的第一种结构的总厚度为45-400μm；

所述氟系聚合物粘结片的第二种结构上至下分别为：第一低介电胶层、第一聚酰亚胺层、第二低介电胶层、氟系聚合物层、第三低介电胶层、第二聚酰亚胺层和第四低介电胶层，所述氟系聚合物粘结片的第二种结构的总厚度为 55-500μm。

进一步地说，所述氟系聚合物层是指介电常数Dk值为1.0-3.0(10GHz)、介电损失因子Df值为0.0001-0.002(10GHz)、吸水率为0.001-0.1(％)的绝缘聚合物层；

所述低介电胶层的厚度为5-50μm，所述氟系聚合物层的厚度为25-200μ m，所述聚酰亚胺层的厚度为5-50μm；

所述低介电胶层是指Dk值为2.0-3.5(10GHz)，且Df值为0.001-0.010(10GHz) 的胶层，所述聚酰亚胺层是指Dk值为2.0-3.5(10GHz)，且Df值为 0.002-0.010(10GHz)的绝缘聚合物层。

本实用新型的有益效果至少具有以下几点：

本实用新型的高频基板、覆盖膜及粘结片均利用氟系聚合物本身的低Dk/Df 特性，搭配具有低Dk/Df的低介电胶层、低粗糙度的铜箔，使成品具低介电损失，有利于高频高速传输。此外利用低介电胶层黏接铜箔及氟系聚合物层，并利用PI膜做为支撑，使基板拥有良好接着强度、低热膨胀系数及高尺寸安定性；

本实用新型中的低介电胶层使FRCC和双面铜箔基板适合低温(低于 180℃)快速压合制得本实用新型的FPC，工艺加工性强，而且对制作设备要求低，进而降低生产成本，其设备操作性和加工性以及可量产性均优于现有的 PTFE纤维板；更佳的是，由于适合低温压合，大大降低了制备FPC过程中线路氧化的风险。

本实用新型的氟系聚合物高频基板/覆盖膜，相较于PI及PEEK基板/覆盖膜，具有极低Dk/Df，有利于高频高速传输；而相较于PTFE基板，本实用新型的氟系聚合物高频基板具良好的接着强度、低热膨胀系数及高尺寸安定性。

附图说明

图1是本实用新型单面覆铜基板的第一种结构的结构示意图；

图2是本实用新型单面覆铜基板的第二种结构的结构示意图；

图3是本实用新型FRCC的第一种结构的结构示意图；

图4是本实用新型FRCC的第二种结构的结构示意图；

图5是本实用新型双面覆铜基板的第一种结构的结构示意图；

图6是本实用新型双面覆铜基板的第二种结构的结构示意图；

图7是本实用新型覆盖膜的第一种结构的结构示意图；

图8是本实用新型覆盖膜的第一种结构的结构示意图；

图9是本实用新型粘结片的第一种结构的结构示意图；

图10是本实用新型粘结片的第二种结构的结构示意图；

附图中各部分标记如下：

单面覆铜基板的第一种结构100

铜箔层101、第一低介电胶层102、氟系聚合物层103、第二低介电胶层104 和聚酰亚胺层105；

单面覆铜基板的第二种结构200

铜箔层201、第一低介电胶层202、第一聚酰亚胺层203、第二低介电胶层 204、氟系聚合物层205、第三低介电胶层206和第二聚酰亚胺层207；

所述FRCC的第一种结构300

铜箔层301、第一低介电胶层302、氟系聚合物层303、第二低介电胶层304、聚酰亚胺层305、第三低介电胶层306和第一离型层307；

所述FRCC的第二种结构400

铜箔层401、第一低介电胶层402、第一聚酰亚胺层403、第二低介电胶层 404、氟系聚合物层405、第三低介电胶层406、第二聚酰亚胺层407、第四低介电胶层408和第二离型层409；

所述双面覆铜基板的第一种结构500

第一铜箔层501、第一低介电胶层502、氟系聚合物层503、第二低介电胶层504、聚酰亚胺层505、第三低介电胶层506、第二铜箔层507；

所述双面覆铜基板的第二种结构600

第一铜箔层601、第一低介电胶层602、第一聚酰亚胺层603、第二低介电胶层604、氟系聚合物层605、第三低介电胶层606、第二聚酰亚胺层607、第四低介电胶层608和第二铜箔层609

氟系聚合物覆盖膜的第一种结构700

第三离型层705、第一低介电胶层701、氟系聚合物层702、第二低介电胶层703和聚酰亚胺层704；

氟系聚合物覆盖膜的第二种结构800

第四离型层807、第一低介电胶层801、第一聚酰亚胺层802、第二低介电胶层803、氟系聚合物层804、第三低介电胶层805和第二聚酰亚胺层806；

氟系聚合物粘结片的第一种结构900

第五离型层906、第一低介电胶层901、氟系聚合物层902、第二低介电胶层903、聚酰亚胺层904、第三低介电胶层905和第五离型层906；

氟系聚合物粘结片的第二种结构1000

第六离型层1008、第一低介电胶层1001、第一聚酰亚胺层1002、第二低介电胶层1003、氟系聚合物层1004、第三低介电胶层1005、第二聚酰亚胺层1006、第四低介电胶层1007和第六离型层1008。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的较佳实施例进行详细阐述，以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。

实施例：一种氟系聚合物高频基板，所述氟系聚合物高频基板为单面覆铜基板；

所述单面覆铜基板的第一种结构100从上至下依次为：铜箔层101、第一低介电胶层102、氟系聚合物层103、第二低介电胶层104和聚酰亚胺层105；所述单面覆铜基板的第一种结构100的总厚度为41-385μm；

所述单面覆铜基板的第二种结构200从上至下依次为：铜箔层201、第一低介电胶层202、第一聚酰亚胺层203、第二低介电胶层204、氟系聚合物层205、第三低介电胶层206和第二聚酰亚胺层207；所述单面覆铜基板的第二种结构 200的总厚度为51-485μm。

一种氟系聚合物高频基板，所述氟系聚合物高频基板为FRCC；

所述FRCC的第一种结构300从上至下依次为：铜箔层301、第一低介电胶层302、氟系聚合物层303、第二低介电胶层304、聚酰亚胺层305和第三低介电胶层306；所述FRCC的第一种结构300的总厚度为46-435μm；所述第三低介电胶层306的表面贴合有第一离型层307；

所述FRCC的第二种结构400从上至下依次为：铜箔层401、第一低介电胶层402、第一聚酰亚胺层403、第二低介电胶层404、氟系聚合物层405、第三低介电胶层406、第二聚酰亚胺层407和第四低介电胶层408；所述FRCC的第二种结构400的总厚度为56-535μm；所述第四低介电胶层408的表面贴合有第二离型层409。

一种氟系聚合物高频基板，所述氟系聚合物高频基板为双面覆铜基板；

所述双面覆铜基板的第一种结构500从上至下依次为：第一铜箔层501、第一低介电胶层502、氟系聚合物层503、第二低介电胶层504、聚酰亚胺层505、第三低介电胶层506和第二铜箔层507；所述双面覆铜基板的第一种结构500的总厚度为47-470μm；

所述双面覆铜基板的第二种结构600从上至下依次为：第一铜箔层601、第一低介电胶层602、第一聚酰亚胺层603、第二低介电胶层604、氟系聚合物层 605、第三低介电胶层606、第二聚酰亚胺层607、第四低介电胶层608和第二铜箔层609；所述双面覆铜基板的第二种结构600的总厚度为57-570μm。

一种氟系聚合物覆盖膜，所述氟系聚合物覆盖膜的第一种结构700从上至下依次为：第一低介电胶层701、氟系聚合物层702、第二低介电胶层703和聚酰亚胺层704；所述氟系聚合物覆盖膜的第一种结构700的总厚度为40-350μm；所述第一低介电胶层的表面贴合有第三离型层705；

所述氟系聚合物覆盖膜的第二种结构800从上至下依次为：第一低介电胶层801、第一聚酰亚胺层802、第二低介电胶层803、氟系聚合物层804、第三低介电胶层805和第二聚酰亚胺层806；所述氟系聚合物覆盖膜的第二种结构 800的总厚度为50-450μm；所述第一低介电胶层801的表面贴合有第四离型层 807。

一种氟系聚合物粘结片，所述氟系聚合物粘结片的第一种结构900上至下分别为：第一低介电胶层901、氟系聚合物层902、第二低介电胶层903、聚酰亚胺层904和第三低介电胶层905；所述氟系聚合物粘结片的第一种结构900的总厚度为45-400μm；所述第一低介电胶层901的表面和所述第三低介电胶层 905的表面分别贴合有第五离型层906；

所述氟系聚合物粘结片的第二种结构1000上至下分别为：第一低介电胶层 1001、第一聚酰亚胺层1002、第二低介电胶层1003、氟系聚合物层1004、第三低介电胶层1005、第二聚酰亚胺层1006和第四低介电胶层1007，所述氟系聚合物粘结片的第二种结构1000的总厚度为55-500μm；所述第一低介电胶层 1001的表面和所述第四低介电胶层1007的表面分别贴合有第六离型层1008。

上述单面覆铜基板、FRCC、双面覆铜基板、氟系聚合物覆盖膜和氟系聚合物粘结片中的所述氟系聚合物层是指介电常数Dk值为1.0-3.0(10GHz)、介电损失因子Df值为0.0001-0.002(10GHz)、吸水率为0.001-0.1(％)的绝缘聚合物层。

上述单面覆铜基板、FRCC、双面覆铜基板、氟系聚合物覆盖膜和氟系聚合物粘结片中的所述铜箔层的厚度为1-35μm，所述低介电胶层的厚度为5-50μ m，所述氟系聚合物层的厚度为25-200μm，所述聚酰亚胺层的厚度为5-50μm；

所述铜箔层是Rz值为0-1.2μm、Ra值为0-0.4μm的低轮廓铜箔层，所述铜箔层为压延铜箔层或电解铜箔层；

所述低介电胶层是指Dk值为2.0-3.5(10GHz)，且Df值为0.001-0.010(10GHz) 的胶层，所述聚酰亚胺层是指Dk值为2.0-3.5(10GHz)，且Df值为 0.002-0.010(10GHz)的绝缘聚合物层；

所述氟系聚合物层中的氟系聚合物树脂选自聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、氟乙烯与乙烯基醚共聚物、四氟乙烯与乙烯的共聚物、聚三氟氯乙烯与乙烯共聚物、四氟乙烯、六氟丙烯与偏氟乙烯共聚物、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物、聚三氟氯乙烯、聚氯乙烯、四氟乙烯-六氟丙稀共聚物、乙烯-氟乙烯共聚物及四氟乙烯-六氟丙烯-三氟乙烯共聚物中的至少一种。

所述低介电胶层的树脂材料为氟系树脂、环氧树脂、丙烯酸系树脂、胺基甲酸酯系树脂、硅橡胶系树脂、聚对环二甲苯系树脂、双马来酰亚胺系树脂和聚酰亚胺系树脂中的至少一种。

所述铜箔层即上述第一铜箔层和第二铜箔层；所述低介电胶层即上述第一低介电胶层、第二低介电胶层、第三低介电胶层和第四低介电胶层；所述聚酰亚胺层即上述第一聚酰亚胺层、第二聚酰亚胺层。

所述单面覆铜基板的制备方法包括以下步骤(该制备方法制成的是单面覆铜基板的第一种结构)：

步骤一、将所述第一低介电胶层涂布于所述氟系聚合物层的一面，于 60-180℃去除溶剂，之后压合铜箔层，得到半成品A。

步骤二、将所述第二低介电胶层涂布于所述聚酰亚胺层的一面，于60-180℃去除溶剂，之后压合半成品A的氟系聚合物层的另一面，得到半成品B。(或将所述第二低介电胶层涂布于所述氟系聚合物层的另一面，于60-180℃去除溶剂，之后压合聚酰亚胺层的一面，得到半成品B。)

步骤三、将半成品B于160-200℃、5小时以上固化，即得成品氟系聚合物单面覆铜基板。

所述FRCC的制备方法包括以下步骤(该制备方法制成的是FRCC的第一种结构)：

步骤一、将所述第一低介电胶层涂布于所述氟系聚合物层的一面，于 60-180℃去除溶剂，之后压合铜箔层，得到半成品A。

步骤二、将所述第二低介电胶层涂布于所述聚酰亚胺层的一面，于60-180℃去除溶剂，之后压合半成品A的氟系聚合物层的另一面，得到半成品B。(或将所述第二低介电胶层涂布于所述氟系聚合物层的另一面，于60-180℃去除溶剂，之后压合聚酰亚胺层的一面，得到半成品B。)

步骤三、将半成品B于160-200℃、5小时以上固化，即得半成品C。

步骤四、将所述第三低介电胶层涂布于半成品C的聚酰亚胺层的另一面，于60-180℃去除溶剂，之后压合离型层，即得成品氟系聚合物FRCC。

所述双面覆铜基板的制备方法包括以下步骤(该制备方法制成的是双面覆铜基板的第一种结构)：

步骤一、将所述第一低介电胶层涂布于所述氟系聚合物层的一面，于 60-180℃去除溶剂，之后压合第一铜箔层，得到半成品A；

步骤二、将所述第二低介电胶层涂布于所述聚酰亚胺层的一面，于60-180℃去除溶剂，之后压合第二铜箔层，得到半成品B；

步骤三、将第三低介电胶层涂布于所述半成品A的氟系聚合物层的另一面，于60-180℃去除溶剂，之后和半成品B的聚酰亚胺层的另一面压合。(或将第三低介电胶层涂布于所述半成品B的聚酰亚胺层的另一面，于60-180℃去除溶剂，之后和半成品A的氟系聚合物层的另一面压合。)

步骤四、于160-200℃、5小时以上固化，即得成品氟系聚合物双面覆铜基板。

所述氟系聚合物覆盖膜的制备方法包括以下步骤(该制备方法制成的是氟系聚合物覆盖膜的第一种结构)：

步骤一、将所述第二低介电胶层涂布于所述聚酰亚胺层的一面，于60-180℃去除溶剂，之后压合氟系聚合物层。

步骤二、将所述第一低介电胶层涂布于所述氟系聚合物层的另一面，于 60-180℃去除溶剂，之后压合离型层，得到成品氟系聚合物覆盖膜。(或将所述第一低介电胶层涂布于所述离型层，于60-180℃去除溶剂，之后压合氟系聚合物层的另一面，得到成品氟系聚合物覆盖膜。)

所述氟系聚合物粘结片的制备方法包括以下步骤(该制备方法制成的是氟系聚合物粘结片的第一种结构)：

步骤一、将所述第二低介电胶层涂布于所述聚酰亚胺层的一面，于60-180℃去除溶剂，之后压合氟系聚合物层。

步骤二、将所述第一低介电胶层涂布于所述氟系聚合物层的另一面，于60-180℃去除溶剂，之后压合离型层。(或将所述第一低介电胶层涂布于所述离型层，于60-180℃去除溶剂，之后压合所述氟系聚合物层的另一面。)

步骤三、将所述第三低介电胶层涂布于所述聚酰亚胺层的另一面，于 60-180℃去除溶剂，之后压合离型层，得到成品氟系聚合物Bondply。(或将所述第三低介电胶层涂布于所述离型层的另一面，于60-180℃去除溶剂，之后压合聚酰亚胺层的另一面，得到成品氟系聚合物Bondply。)

所述离型层即上述第一离型层、第二离型层、第三离型层、第四离型层、第五离型层和第六离型层。

所述离型层可以是离型膜，其材料为聚丙烯、双向拉伸聚丙烯和聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一种，且可以是具双面离型能力的离型膜，又或是使用离型纸。

实施例1-实施例7为单面覆铜基板、FRCC和双面覆铜基板，比较例1为不含氟系聚合物层的双面覆铜基板，比较例2为不含氟系聚合物层且含PEEK的双面覆铜基板，比较例3为仅有氟系聚合物层的双面覆铜基板，各结构的具体数值见表1。

实施例1-实施例7中的氟系聚合物层是指介电常数Dk值为1.98(10GHz)、介电损失因子Df值为0.0005(10GHz)、热膨胀系数为293(ppm/℃)、吸水率为 0.01(％)且表面经过易接着处理的绝缘聚合物层。

表1：

对实施例1-实施例7以及比较例1-比较例3的介电常数、介电损失因子、接着强度、热膨胀系数和尺寸安定性进行测试，测试结果见表2。

表2：

实施例8-实施例12为覆盖膜和粘结片，比较例4为PI覆盖膜，比较例5 为PEEK覆盖膜，各结构的具体数值见表3。

实施例8-实施例12中的氟系聚合物层是指介电常数Dk值为1.98(10GHz)、介电损失因子Df值为0.0005(10GHz)、热膨胀系数为293(ppm/℃)、吸水率为 0.01(％)且表面经过易接着处理的绝缘聚合物层。

表3：

对实施例8-实施例12以及比较例4-比较例5的介电常数、介电损失因子、接着强度和热膨胀系数进行测试，测试结果见表4。

表4：

由表2和表4的测试结果可知，本实用新型的氟系聚合物高频基板/覆盖膜/ 粘结片，相较于PI及PEEK基板/覆盖膜，具有极低Dk/Df，有利于高频高速传输；而相较于PTFE基板，本实用新型的氟系聚合物高频基板具良好的接着强度、低热膨胀系数及高尺寸安定性。

以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种氟系聚合物高频基板，其特征在于：所述氟系聚合物高频基板为单面覆铜基板；

单面覆铜基板的第一种结构从上至下依次为：铜箔层、第一低介电胶层、氟系聚合物层、第二低介电胶层和聚酰亚胺层；所述单面覆铜基板的第一种结构的总厚度为41-385μm；

单面覆铜基板的第二种结构从上至下依次为：铜箔层、第一低介电胶层、第一聚酰亚胺层、第二低介电胶层、氟系聚合物层、第三低介电胶层和第二聚酰亚胺层；所述单面覆铜基板的第二种结构的总厚度为51-485μm。

2.根据权利要求1所述的氟系聚合物高频基板，其特征在于：所述氟系聚合物层是指介电常数Dk值为1.0-3.0 10GHz、介电损失因子Df值为0.0001-0.002 10GHz、吸水率为0.001％-0.1％的绝缘聚合物层；

所述铜箔层的厚度为1-35μm，所述低介电胶层的厚度为5-50μm，所述氟系聚合物层的厚度为25-200μm，所述聚酰亚胺层的厚度为5-50μm；

所述铜箔层是Rz值为0-1.2μm、Ra值为0-0.4μm的低轮廓铜箔层，所述铜箔层为压延铜箔层或电解铜箔层；

所述低介电胶层是指Dk值为2.0-3.5 10GHz，且Df值为0.001-0.010 10GHz的胶层，所述聚酰亚胺层是指Dk值为2.0-3.5 10GHz，且Df值为0.002-0.010 10GHz的绝缘聚合物层。

3.一种氟系聚合物高频基板，其特征在于：所述氟系聚合物高频基板为FRCC；

所述FRCC的第一种结构从上至下依次为：铜箔层、第一低介电胶层、氟系聚合物层、第二低介电胶层、聚酰亚胺层和第三低介电胶层；所述FRCC的第一种结构的总厚度为46-435μm；

所述FRCC的第二种结构从上至下依次为：铜箔层、第一低介电胶层、第一聚酰亚胺层、第二低介电胶层、氟系聚合物层、第三低介电胶层、第二聚酰亚胺层和第四低介电胶层；所述FRCC的第二种结构的总厚度为56-535μm。

4.根据权利要求3所述的氟系聚合物高频基板，其特征在于：所述氟系聚合物层是指介电常数Dk值为1.0-3.0 10GHz、介电损失因子Df值为0.0001-0.002 10GHz、吸水率为0.001％-0.1％的绝缘聚合物层；

所述铜箔层的厚度为1-35μm，所述低介电胶层的厚度为5-50μm，所述氟系聚合物层的厚度为25-200μm，所述聚酰亚胺层的厚度为5-50μm；

所述铜箔层是Rz值为0-1.2μm、Ra值为0-0.4μm的低轮廓铜箔层，所述铜箔层为压延铜箔层或电解铜箔层；

所述低介电胶层是指Dk值为2.0-3.5 10GHz，且Df值为0.001-0.010 10GHz的胶层，所述聚酰亚胺层是指Dk值为2.0-3.5 10GHz，且Df值为0.002-0.010 10GHz的绝缘聚合物层。

5.一种氟系聚合物高频基板，其特征在于：所述氟系聚合物高频基板为双面覆铜基板；

所述双面覆铜基板的第一种结构从上至下依次为：第一铜箔层、第一低介电胶层、氟系聚合物层、第二低介电胶层、聚酰亚胺层、第三低介电胶层和第二铜箔层；所述双面覆铜基板的第一种结构的总厚度为47-470μm；

所述双面覆铜基板的第二种结构从上至下依次为：第一铜箔层、第一低介电胶层、第一聚酰亚胺层、第二低介电胶层、氟系聚合物层、第三低介电胶层、第二聚酰亚胺层、第四低介电胶层和第二铜箔层；所述双面覆铜基板的第二种结构的总厚度为57-570μm。

6.根据权利要求5所述的氟系聚合物高频基板，其特征在于：所述氟系聚合物层是指介电常数Dk值为1.0-3.0 10GHz、介电损失因子Df值为0.0001-0.002 10GHz、吸水率为0.001％-0.1％的绝缘聚合物层；

所述铜箔层的厚度为1-35μm，所述低介电胶层的厚度为5-50μm，所述氟系聚合物层的厚度为25-200μm，所述聚酰亚胺层的厚度为5-50μm；

所述铜箔层是Rz值为0-1.2μm、Ra值为0-0.4μm的低轮廓铜箔层，所述铜箔层为压延铜箔层或电解铜箔层；

所述低介电胶层是指Dk值为2.0-3.5 10GHz，且Df值为0.001-0.010 10GHz的胶层，所述聚酰亚胺层是指Dk值为2.0-3.5 10GHz，且Df值为0.002-0.010 10GHz的绝缘聚合物层。

7.一种氟系聚合物覆盖膜，其特征在于：氟系聚合物覆盖膜的第一种结构从上至下依次为：第一低介电胶层、氟系聚合物层、第二低介电胶层和聚酰亚胺层；所述氟系聚合物覆盖膜的第一种结构的总厚度为40-350μm；

氟系聚合物覆盖膜的第二种结构从上至下依次为：第一低介电胶层、第一聚酰亚胺层、第二低介电胶层、氟系聚合物层、第三低介电胶层和第二聚酰亚胺层；所述氟系聚合物覆盖膜的第二种结构的总厚度为50-450μm。

8.根据权利要求7所述的氟系聚合物覆盖膜，其特征在于：所述氟系聚合物层是指介电常数Dk值为1.0-3.0 10GHz、介电损失因子Df值为0.0001-0.002 10GHz、吸水率为0.001％-0.1％的绝缘聚合物层；

所述低介电胶层的厚度为5-50μm，所述氟系聚合物层的厚度为25-200μm，所述聚酰亚胺层的厚度为5-50μm；

所述低介电胶层是指Dk值为2.0-3.5 10GHz，且Df值为0.001-0.010 10GHz的胶层，所述聚酰亚胺层是指Dk值为2.0-3.5 10GHz，且Df值为0.002-0.010 10GHz的绝缘聚合物层。

9.一种氟系聚合物粘结片，其特征在于：氟系聚合物粘结片的第一种结构上至下分别为：第一低介电胶层、氟系聚合物层、第二低介电胶层、聚酰亚胺层和第三低介电胶层；所述氟系聚合物粘结片的第一种结构的总厚度为45-400μm；

氟系聚合物粘结片的第二种结构上至下分别为：第一低介电胶层、第一聚酰亚胺层、第二低介电胶层、氟系聚合物层、第三低介电胶层、第二聚酰亚胺层和第四低介电胶层，所述氟系聚合物粘结片的第二种结构的总厚度为55-500μm。

10.根据权利要求9所述的氟系聚合物粘结片，其特征在于：所述氟系聚合物层是指介电常数Dk值为1.0-3.0 10GHz、介电损失因子Df值为0.0001-0.002 10GHz、吸水率为0.001％-0.1％的绝缘聚合物层；

所述低介电胶层的厚度为5-50μm，所述氟系聚合物层的厚度为25-200μm，所述聚酰亚胺层的厚度为5-50μm；

所述低介电胶层是指Dk值为2.0-3.5 10GHz，且Df值为0.001-0.010 10GHz的胶层，所述聚酰亚胺层是指Dk值为2.0-3.5 10GHz，且Df值为0.002-0.010 10GHz的绝缘聚合物层。

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