TWI701478B - 複合式疊構液晶高分子基板及其製備方法 - Google Patents
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Abstract
一種複合式疊構LCP基板,包括至少一銅箔層、二層低粉體含量LCP層和一高粉體含量LCP層,其中,該高粉體含量LCP層位於二該低粉體含量LCP層之間,該銅箔層與該高粉體含量LCP層之間通過低粉體含量LCP層黏接,該高粉體含量LCP層及低粉體含量LCP層包括LCP及填充粉體,且該高粉體含量LCP層中之填充粉體的含量大於該低粉體含量LCP層中填充粉體的含量,該低粉體含量LCP層和高粉體含量LCP層之Dk值(10GHz)為2.5至5.0、Df值(10GHz)為0.001至0.005。本發明提供的LCP基板,通過向LCP層中添加填充粉體,使得製成的LCP基板具有低吸水率、低熱膨脹係數、良好的接著強度及機械性能。
Description
本發明係有關於FPC(Flexible Printed Circuit,軟性印刷線路板)及其製備技術領域,尤係涉及LCP(液晶高分子)單面及雙面銅箔基板。
軟性印刷線路板因具有可連續自動化生產、可提高配線密度、可撓性、設計領域大、可以三次元立體配線、能省略接線器、電線之焊接等優勢,符合電子產品輕薄短小且功能多元的需求,讓軟性印刷線路板應用用與日俱增。
隨著高頻高速傳輸需求激增及5G時代即將來臨,高性能工程塑料需求大幅提升。過去軟性銅箔基板主要是以銅箔及聚醯亞胺(PI)樹脂等原料製成,但PI膜介電高、易吸濕,在高頻高速傳輸下易造成訊號損失。而液晶高分子(LCP)材料因具備低吸濕、高耐化性、高尺寸安定性與低介電常數/介電損失因子(Dk/Df)等特性,其介電性能低損耗、低吸水性 在微波及高頻的毫米波均較傳統PI有明顯優勢,逐漸成為新應用材料,可應用於天線、基地台、毫米波雷達等。
目前市面上使用塗佈法製作的LCP基板產品,其吸水率及熱膨脹係數偏高,高吸水率(0.5至0.6%)於後續下游廠商應用階段時,可能發生爆板的問題,而LCP層的高熱膨脹係數(30至35ppm/℃)與銅箔(17至18ppm/℃)不匹配,則可能產生捲曲。
舉凡於第206840863 U號中國專利提出的複合式LCP高頻雙速銅箔基板、第206932462 U號中國專利提出的複合式LCP高頻高速FRCC(軟性背膠銅箔基板)基材、第201706689 A號台灣專利提出的軟性印刷線路板結構及其製作方法、第201700719 A號台灣專利提出的液晶高分子複合膜,可知該等專利僅聚焦於LCP基板的多層疊構,或添加增韌劑改善LCP膜之韌性,皆未見使用多層疊構LCP並同時改善吸水率及熱膨脹係數。
為了滿足市場對高頻高速可撓性板材的需求,本發明提供的LCP基板,通過向LCP層添加填充粉體,使得所製成的LCP基板具有低吸水率,低熱膨脹係數,良好的接著強度以及機械性能。
為解決上述技術問題,本發明提供了一種複合式疊構LCP基板,包括:二層低粉體含量LCP層,且各該低粉體含量LCP層的厚度為12至100μm;厚度為12至100μm之高粉體含量LCP層,係位於二該低粉體含量LCP層之間;以及厚度為1至35μm之至少一銅箔層,係形成於該低粉體含量LCP層上,使一該低粉體含量LCP層位於該銅箔層與高粉體含量LCP層 之間;其中,該低粉體含量LCP層和該高粉體含量LCP層包括LCP及填充粉體,且該高粉體含量LCP層中之填充粉體的含量大於該低粉體含量LCP層中填充粉體的含量;該低粉體含量LCP層和該高粉體含量LCP層之Dk值(10GHz)為2.5至5.0、Df值(10GHz)為0.001至0.005。
於一具體實施態樣中,所述低粉體含量LCP層中,LCP佔低粉體含量LCP層的總固含量的70至100重量%,填充粉體佔低粉體含量LCP層的總固含量的0至30重量%;高粉體含量LCP層中,LCP佔高粉體含量LCP層的總固含量的30至低於70重量%,填充粉體佔高粉體含量LCP芯層的總固含量的30至70重量%。
於一具體實施態樣中,所述填充粉體係選自由二氧化矽、二氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、氧化鋯、氧化鎂、氫氧化鋁、碳化矽、碳化硼、氮化硼、碳酸鈣、碳酸鋁、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、矽酸鋁、矽酸鋁鈣、矽酸鈣鎂、硫酸鋇、滑石粉、黏土、高嶺土、雲母、石英、方解石、矽灰石、白雲石粉、聚醚醚酮(PEEK)和鐵氟龍所組成群組中的至少一種。
於一具體實施態樣中,與該低粉體含量LCP層黏著的該銅箔層表面的Rz(表面粗糙度)值為0.01至2.0μm,所述銅箔層的外表面的Rz值為0.01至0.7μm。
於一具體實施態樣中,所述LCP基板係LCP單面銅箔基板,所述LCP單面銅箔基板由一銅箔層、二層低粉體含量LCP層和一高粉體含量LCP層所組成,且從上到下依次為銅箔層、第一低粉體含量LCP層、高粉體含量LCP層和第二低粉體含量LCP層,且所述LCP單面銅箔基板的厚度為37至335μm。
於一具體實施態樣中,所述LCP基板係LCP雙面銅箔基板,所述LCP雙面銅箔基板由二銅箔層、二低粉體含量LCP層和一高粉體含量 LCP層所組成,且從上到下依次為第一銅箔層、第一低粉體含量LCP層、高粉體含量LCP層、第二低粉體含量LCP層和第二銅箔層,且所述LCP雙面銅箔基板的厚度為38至370μm。
於一具體實施態樣中,所述高粉體含量LCP層的吸水率及熱膨脹係數低於所述低粉體含量LCP層的吸水率及熱膨脹係數,且所述低粉體含量LCP層的接著強度高於所述高粉體含量LCP層的接著強度。
本發明還提供一種所述複合式疊構LCP基板的製備方法,所述LCP單面銅箔基板的製備方法如下:步驟一、將第一低粉體含量LCP層的前體塗佈於所述銅箔層的表面上,於60至180℃條件下去除溶劑,以形成所述第一低粉體含量LCP層;步驟二、將所述高粉體含量LCP層的前體塗佈於所述第一低粉體含量LCP層的表面上,於60至180℃條件下去除溶劑,以形成所述高粉體含量LCP層;步驟三、將第二低粉體含量LCP層的前體塗佈於所述高粉體含量LCP層的表面上,於60至180℃條件下去除溶劑,以形成所述第二低粉體含量LCP層,再於240至260℃條件下8至12小時進行退火處理,即得成品LCP單面銅箔基板。
本發明復提供一種所述複合式疊構LCP基板的製備方法,所述LCP雙面銅箔基板的製備方法為下列二種方法中的一種:第一種方法包括如下步驟:步驟一、將第一低粉體含量LCP層的前體塗佈於第一銅箔層的表面上,於60至180℃條件下去除溶劑,以形成第一低粉體含量LCP層; 步驟二、將該高粉體含量LCP層的前體塗佈於該第一低粉體含量LCP層的表面上,於60至180℃條件下去除溶劑,以形成該高粉體含量LCP層;步驟三、將第二低粉體含量LCP層的前體塗佈於該高粉體含量LCP層的表面上,於60至180℃條件下去除溶劑,以形成該第二低粉體含量LCP層;於240至260℃條件下8至12小時進行退火處理;以及步驟四、於320至370℃條件下,在該第二低粉體含量LCP層的表面上壓合第二銅箔層,得到LCP雙面銅箔基板。第二種方法包括如下步驟:步驟一、將所述低粉體含量LCP層的前體塗佈於二所述銅箔層的表面上,於60至180℃條件下去除溶劑,以形成二個具有低粉體含量LCP層之半成品A;步驟二、將所述高粉體含量LCP層的前體塗佈於其中一個所述半成品A之低粉體含量LCP層的表面上,於60至180℃條件下去除溶劑,以形成具有高粉體含量LCP層之半成品B;步驟三、將該半成品B及另一個未具有該高粉體含量LCP層之該半成品A於240至260℃條件下8至12小時進行退火處理;步驟四、於320至370℃條件下壓合該經退火處理之未具有該高粉體含量LCP層之半成品A的低粉體含量LCP層與該半成品B的高粉體含量LCP層,得到LCP雙面銅箔基板。
本發明具有以下的有益效果:本發明的複合式疊構LCP基板,包括至少一銅箔層,二層低粉體含量LCP層和一高粉體含量LCP層,且銅箔層與高粉體含量LCP層之間通過低粉體含量LCP層黏接。由於在LCP層中添加填充粉體,能夠降低 吸水率和熱膨脹係數,但會降低接著強度,因此,本發明的LCP基板同時包括一層高粉體含量LCP層和二層低粉體含量LCP層,且銅箔層與高粉體含量LCP層之間通過低粉體含量LCP層黏接,利用高粉體含量LCP層的低吸水率和低膨脹係數以及低粉體含量LCP層的高接著強度,使得本發明的LCP基板具低吸水率、低熱膨脹係數、良好的接著強度、適合高密度組裝的低反彈力以及極佳的機械性能。
此外,本發明的LCP基板並具有低介電常數/介電損失因子(Dk/Df),有利於高頻高速傳輸;本發明優於一般LCP和PI基板,適用於5G智能型手機、Apple watch等可穿戴設備。
另外,傳統的熱固性聚醯亞胺膜的製備法中,具有38μm以上的厚膜不易生產,效率低,本發明的製造方法不僅可以製造適宜厚度的LCP單面及雙面銅箔基板,更可以輕易得到100μm的基板,並可降低生產成本。
再者,從試驗數據能夠看出顯示,本發明的LCP基板具有低吸水率,吸水率低至0.11至0.44%。從試驗數據亦能夠看出本發明的LCP基板具有低熱膨脹係數,熱膨脹係數可低至17.74至27.49ppm/℃;試驗數據亦顯示本發明的接著強度為0.42至0.85kgf/cm。
100‧‧‧銅箔層
200‧‧‧低粉體含量LCP層
300‧‧‧高粉體含量LCP層
第1圖係本發明之複合式疊構LCP基板的結構示意圖。
第2圖係本發明之複合式疊構LCP基板另一實施態樣的結構示意圖。
以下的具體實施例用以說明本發明之揭露內容,在閱讀本說明書之揭露內容以後,本技術領域中具有通常知識者能輕易地理解其優點及功效。
須知,本說明書所附圖式所繪示之結構、比例、尺寸等,僅為配合說明書所揭示之內容,以便本技術領域中具有通常知識者得以理解及閱讀,而非意圖將本發明限制於特定條件之中,故不具有技術上之實質意義。任何結構之修改、比例關係之改變,或尺寸之的調整,在不影響本說明書所能產生之功效及所能達成之目的下,均應包含在本說明書所揭露之範圍內。在無實質變更技術內容的情況下,其相對關係之改變或調整,亦當被視為本發明可實施之範疇內。同時,本說明書中所引用之如「上」、「第一」、「第二」、「一」及「二」等之用語,亦僅為便於敘述之明瞭,而非用以限定本發明可實施之範圍,其相對關係之改變或調整,在無實質變更技術內容下,當亦視為本發明可實施之範疇。
本發明之複合式疊構LCP基板,如第1及2圖所示,包括至少一銅箔層100、二層低粉體含量LCP層200和一高粉體含量LCP層300,所述高粉體含量LCP層300位於二所述低粉體含量LCP層200之間,且所述銅箔層100與所述高粉體含量LCP層300之間通過所述低粉體含量LCP層200黏接。
於一具體實施態樣中,所述銅箔層為壓延銅箔層或電解銅箔層。
第1圖之複合式疊構LCP基板係LCP單面銅箔基板,所述LCP單面銅箔基板由一銅箔層100、二層低粉體含量LCP層200和一高粉體含量LCP層300所組成,且從上到下依次為所述銅箔層100、所述低粉體含量LCP層200(作為第一低粉體含量LCP層)、所述高粉體LCP含量層300和所述低粉體含量LCP層200(作為第二低粉體含量LCP層);所述LCP單面銅箔基板的厚度為37至335μm。
第1圖之LCP單面銅箔基板的製備方法例如下述,但不限於此:步驟一、將所述低粉體含量LCP層200的前體塗佈於所述銅箔層100的其中一表面上,於60至180℃條件下去除溶劑,以形成所述低粉體含量LCP層200(作為第一低粉體含量LCP層);步驟二、將所述高粉體含量LCP層300的前體塗佈於所述第一低粉體含量LCP層的表面上,於60至180℃條件下去除溶劑,以形成所述高粉體含量LCP層300;步驟三、將所述低粉體含量LCP層200的前體塗佈於所述高粉體含量LCP層300的表面上,於60至180℃條件下去除溶劑,以形成所述低粉體含量LCP層200(作為第二低粉體含量LCP層),再於240至260℃(較佳係250℃)條件下8至12小時(較佳係10小時)進行退火處理,即得成品LCP單面銅箔基板。
參閱第2圖,其係本發明之複合式疊構LCP基板之另一實施態樣的結構示意圖。第2圖之LCP基板係LCP雙面銅箔基板,所述LCP雙面銅箔基板由二銅箔層100、二層低粉體含量LCP層200和一高粉體含量LCP層300所組成,且從上到下依次為所述銅箔層100(作為第一銅箔層)、所 述低粉體含量LCP層200(作為第一低粉體含量LCP層)、所述高粉體含量LCP層300、所述低粉體含量LCP層200(作為第二低粉體含量LCP層)和所述銅箔層100(作為第二銅箔層);所述LCP雙面銅箔基板的厚度為38至370μm。
第2圖之LCP雙面銅箔基板的製備方法例如下列二種方法中的一種,但不限於此:
第一種方法包括如下步驟:步驟一、將所述低粉體含量LCP層200的前體塗佈於所述銅箔層100(作為第一銅箔層)的其中一表面上,於60至180℃條件下去除溶劑,以形成所述低粉體含量LCP層200(作為第一低粉體含量LCP層);步驟二、將所述高粉體含量LCP層300的前體塗佈於所述第一低粉體含量LCP層的表面上,於60至180℃條件下去除溶劑,以形成所述高粉體含量LCP層300;步驟三、將所述低粉體含量LCP層200的前體塗佈於所述高粉體含量LCP層300的表面上,於60至180℃條件下去除溶劑,以形成所述低粉體含量LCP層200(作為第二低粉體含量LCP層),並於240至260℃(較佳係250℃)條件下8至12小時(較佳係10小時)進行退火處理;步驟四、於320至370℃條件下,在所述第二低粉體含量LCP層的表面上壓合所述銅箔層100(作為第二銅箔層),即得成品LCP雙面銅箔基板。
第二種方法包括如下步驟: 步驟一、將所述低粉體含量LCP層200的前體塗佈於二該銅箔層100的其中一表面上,於60至180℃條件下去除溶劑,以形成二該具有低粉體含量LCP層200之半成品A;步驟二、將所述高粉體含量LCP層300的前體塗佈於其中一個所述半成品A之低粉體含量LCP層200的表面上,於60至180℃條件下去除溶劑,以形成具有高粉體含量LCP層300之半成品B;步驟三、將所述半成品B及另一個所述半成品A於240至260℃(較佳係250℃)條件下8至12小時(較佳係10小時)進行退火處理;步驟四、將步驟三的所述半成品A之低粉體含量LCP層200與所述半成品B的高粉體含量LCP層300貼合,於320至370℃條件下壓合,即得成品LCP雙面銅箔基板。
本發明透過實施例之示例來說明細節。不過,本發明之詮釋不應當被限制於以下實施例之闡述。
實施例1至10係選用二氧化矽、滑石粉、高嶺土以及LCP作為低粉體含量LCP層的組分,並測試各低粉體含量LCP層之介電常數Dk(10GHz)、介電損失因子Df(10GHz)、吸水率、熱膨脹係數以及接著強度,各組分之比例及測試結果係如下表1所示。實施例1至10亦選用同樣的材料作為高粉體含量LCP層的組分,並測試各高粉體含量LCP層之介電常數Dk(10GHz)、介電損失因子Df(10GHz)、吸水率、熱膨脹係數以及接著強度,各組分之比例係如下表2所示。
實施例1至5再依本發明提供之方法製備具有一銅箔層、二層低粉體含量LCP層以及一高粉體含量LCP層之LCP單面銅箔基板;而實施例6至10則依本發明提供之方法製備具有二銅箔層、二層低粉體 含量LCP層以及一高粉體含量LCP層之LCP雙面銅箔基板。比較例1及2係僅具有單層且未添加填充粉體的LCP層之LCP單面銅箔基板,而比較例3係僅具有單層且未添加填充粉體的LCP層之LCP雙面銅箔基板。
將實施例1至10及比較例1至3進行性能測試,測試方法係依《軟板組裝要項測試準則》(TPCA-F-002)實施,並比較各組之介電常數Dk(10GHz)、介電損失因子Df(10GHz)、吸水率、熱膨脹係數以及接著強度,結果如下表3及4所示。
從表1和表2看出,高粉體含量LCP層的吸水率和熱膨脹係數均低於低粉體含量LCP層的吸水率和熱膨脹係數,而低粉體含量LCP層的接著強度大於所述高粉體含量LCP層的接著強度。
由表3和4可知,本發明的複合式疊構LCP基板具有低吸水率、低熱膨脹係數、良好的接著強度、適合高密度組裝的低反彈力以及極佳的機械性能,並且具低的Dk/Df,有利於高頻高速傳輸。
以上所述僅為本發明的實施例,並非因此限製本發明的專利範圍,凡是利用本發明說明書及附圖內容所作的等效結構,或直接或間接運用在其他相關的技術領域,均同理包括在本發明的專利保護範圍內。
100‧‧‧銅箔層
200‧‧‧低粉體含量LCP層
300‧‧‧高粉體含量LCP層
Claims (9)
- 一種複合式疊構液晶高分子(Liquid crystal polymer,LCP)基板,係包括:二層低粉體含量LCP層,且各該低粉體含量LCP層的厚度為12至100μm;厚度為12至100μm之高粉體含量LCP層,係位於二該低粉體含量LCP層之間;以及厚度為1至35μm之至少一銅箔層,係形成於該低粉體含量LCP層上,使一該低粉體含量LCP層位於該銅箔層與高粉體含量LCP層之間;其中,該低粉體含量LCP層和該高粉體含量LCP層包括LCP及填充粉體;在該低粉體含量LCP層中,該LCP佔該低粉體含量LCP層的總固含量的70至100重量%,該填充粉體佔該低粉體含量LCP層的總固含量的0至30重量%;在該高粉體含量LCP層中,該LCP佔該高粉體含量LCP層的總固含量的30至低於70重量%,該填充粉體佔該高粉體含量LCP層的總固含量的30至70重量%;該高粉體含量LCP層中之填充粉體的含量大於該低粉體含量LCP層中填充粉體的含量,且該低粉體含量LCP層和該高粉體含量LCP層之Dk值(10GHz)為2.5至5.0、Df值(10GHz)為0.001至0.005。
- 如申請專利範圍第1項所述之複合式疊構LCP基板,其中,該填充粉體係選自由二氧化矽、二氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、氧化鋯、氧化鎂、氫氧化鋁、碳化矽、碳化硼、氮化硼、碳酸鈣、碳酸鋁、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、矽酸鋁、矽酸鋁鈣、矽酸鈣鎂、硫酸鋇、滑石粉、黏土、高嶺土、雲母、石英、方解石、矽灰石、白雲石粉、聚醚醚酮(PEEK)和鐵氟龍所組成群組中的至少一種。
- 如申請專利範圍第1項所述之複合式疊構LCP基板,其中,與該低粉體含量LCP層黏著的該銅箔層表面的Rz(表面粗糙度)值為0.01至2.0μm,該銅箔層的外表面的Rz值為0.01至0.7μm。
- 如申請專利範圍第1項所述之複合式疊構LCP基板,其中,該複合式疊構LCP基板具有一層銅箔層,且該複合式疊構LCP基板的厚度為37至335μm。
- 如申請專利範圍第1項所述之複合式疊構LCP基板,其中,該複合式疊構LCP基板具有二層銅箔層,皆位於該複合式疊構LCP基板之最外側,使該二層低粉體含量LCP層設於該二層銅箔層之間,且該複合式疊構LCP基板的厚度為38至370μm。
- 如申請專利範圍第1項所述之複合式疊構LCP基板,其中,該高粉體含量LCP層的吸水率及熱膨脹係數低於該低粉體含量LCP層的吸水率及熱膨脹係數,且該低粉體含量LCP層的接著強度高於該高粉體含量LCP層的接著強度。
- 一種如申請專利範圍第4項所述之複合式疊構LCP基板的製備方法,係包括:將第一低粉體含量LCP層的前體塗佈於該銅箔層的表面上,於60至180℃條件下去除溶劑,以形成該第一低粉體含量LCP層;將該高粉體含量LCP層的前體塗佈於該第一低粉體含量LCP層的表面上,於60至180℃條件下去除溶劑,以形成該高粉體含量LCP層;將第二低粉體含量LCP層的前體塗佈於該高粉體含量LCP層的表面上,於60至180℃條件下去除溶劑,以形成該第二低粉體含量LCP層;以及 於240至260℃條件下8至12小時進行退火處理,得到LCP單面銅箔基板。
- 一種如申請專利範圍第5項所述之複合式疊構LCP基板的製備方法,係包括:將第一低粉體含量LCP層的前體塗佈於第一銅箔層的表面上,於60至180℃條件下去除溶劑,以形成該第一低粉體含量LCP層;將該高粉體含量LCP層的前體塗佈於該第一低粉體含量LCP層的表面上,於60至180℃條件下去除溶劑,以形成該高粉體含量LCP層;將第二低粉體含量LCP層的前體塗佈於該高粉體含量LCP層的表面上,於60至180℃條件下去除溶劑,以形成該第二低粉體含量LCP層;於240至260℃條件下8至12小時進行退火處理;以及於320至370℃條件下,在該第二低粉體含量LCP層的表面上壓合第二銅箔層,得到LCP雙面銅箔基板。
- 一種如申請專利範圍第5項所述之複合式疊構LCP基板的製備方法,係包括:將該低粉體含量LCP層的前體塗佈於二該銅箔層的表面上,於60至180℃條件下去除溶劑,以形成二個具有該低粉體含量LCP層之半成品A;將該高粉體含量LCP層的前體塗佈於其中一個該半成品A之低粉體含量LCP層的表面上,於60至180℃條件下去除溶劑,以形成具有該高粉體含量LCP層之半成品B;將該半成品B及另一個未具有該高粉體含量LCP層之該半成品A於240至260℃條件下8至12小時進行退火處理;以及 於320至370℃條件下壓合該經退火處理之未具有該高粉體含量LCP層之半成品A的低粉體含量LCP層與該半成品B的高粉體含量LCP層,得到LCP雙面銅箔基板。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201811018965.8A CN110876230B (zh) | 2018-09-03 | 2018-09-03 | 复合式叠构lcp基板及制备方法 |
CN201811018965.8 | 2018-09-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202011086A TW202011086A (zh) | 2020-03-16 |
TWI701478B true TWI701478B (zh) | 2020-08-11 |
Family
ID=69716570
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW108114917A TWI701478B (zh) | 2018-09-03 | 2019-04-29 | 複合式疊構液晶高分子基板及其製備方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110876230B (zh) |
TW (1) | TWI701478B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109808259B (zh) * | 2019-02-02 | 2021-04-30 | 江阴骏驰新材料科技有限公司 | 一种高频双面覆铜板及其制备方法与应用 |
CN111662640A (zh) * | 2020-05-11 | 2020-09-15 | 深圳市信维通信股份有限公司 | 用于5g通信的改性液晶材料、覆铜板及其制备方法 |
CN114474895A (zh) * | 2020-10-27 | 2022-05-13 | 昆山雅森电子材料科技有限公司 | 一种具有多层复合结构的挠性铜箔基材及其制备方法 |
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CN108449865A (zh) * | 2017-02-16 | 2018-08-24 | 佳胜科技股份有限公司 | 高频复合基板及液晶组成物 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101552716B1 (ko) * | 2008-06-13 | 2015-09-11 | 삼성전기주식회사 | 서모셋 모노머 가교제, 이를 포함하는 인쇄회로기판 형성용조성물 및 이를 이용한 인쇄회로기판 |
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TWI636127B (zh) * | 2015-06-25 | 2018-09-21 | 財團法人工業技術研究院 | 液晶高分子複合膜 |
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CN107227015B (zh) * | 2016-03-23 | 2020-04-24 | 联茂电子股份有限公司 | 低介电材料 |
-
2018
- 2018-09-03 CN CN201811018965.8A patent/CN110876230B/zh active Active
-
2019
- 2019-04-29 TW TW108114917A patent/TWI701478B/zh active
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CN108449865A (zh) * | 2017-02-16 | 2018-08-24 | 佳胜科技股份有限公司 | 高频复合基板及液晶组成物 |
TWI620763B (zh) * | 2017-04-27 | 2018-04-11 | Taiwan Union Technology Corporation | 樹脂組成物、及使用該樹脂組成物所製得之預浸漬片、金屬箔積層板及印刷電路板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110876230A (zh) | 2020-03-10 |
CN110876230B (zh) | 2020-09-15 |
TW202011086A (zh) | 2020-03-16 |
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