CN109155163A - 包括未烧结的聚四氟乙烯的介电基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

在一个实施例中，一种介电基板包括未烧结的聚四氟乙烯；以及高介电常数填料，其中所述高介电常数填料的介电常数大于或等于35；其中所述介电基板具有大于或等于所述介电基板的所计算的理论密度的90％的比重，其中理论比重是基于所述高介电常数填料的所测量的比重、所述未烧结的聚四氟乙烯的所述比重、以及所述未烧结的聚四氟乙烯和所述高介电常数填料的相对重量分数进行计算的；并且其中所述介电基板具有如在10GHz的频率下确定的大于或等于11.5的介电常数。

Description

包括未烧结的聚四氟乙烯的介电基板及其制造方法
技术领域
本公开涉及一种包括未烧结的聚四氟乙烯的介电基板及其制造方法。
背景技术
例如，用于在大于或等于500兆赫(MHz)的频率下的高频电路需要特殊的工程化考虑，这是因为信号的波长通常与所考虑的系统的长度尺度(length scale)具有近似相同的大小或比其更小。高频平面电路，诸如覆铜箔层压板通常是无源装置(诸如滤波器)，其性能是由电路中的信号的精确波长控制的。因此，应精确控制覆铜箔层压板中的绝缘介电材料的介电常数。还可以很重要的是介电材料还表现出低介电损耗。
聚四氟乙烯(PTFE)组合物已被广泛用作覆铜箔层压板中的介电材料。商业上，PTFE是由两种不同的方法制造的：悬浮聚合法和乳液聚合法。悬浮聚合法可得到“颗粒状”PTFE。该颗粒状材料通常被用作模制料(molding compound)，而不论是否具有填料。大量的PTFE物体是由颗粒状PTFE模制而成。颗粒状PTFE还可用于制造经切削的薄膜(skivedfilm)，其中经切削的薄膜可通过模制颗粒状PTFE的坯料并在机床上切削薄膜来制成的。
乳液聚合法可得到PTFE分散体(dispersion)。该分散体包括悬浮于水中的PTFE的小(<0.3微米(μm)直径的)颗粒。分散体可进行浓缩并用表面活性剂进行稳定化，并且可以被用作涂层。涂有PTFE分散体的玻璃织物被广泛地用作工业带装置、建筑织物和高频电路基板。替代地，分散体可凝结，不出意料地，这导致了凝结的分散体或细粉PTFE组合物。PTFE细粉具有可通过“糊状挤出”进行处理的独特性质。如在美国专利2,685,707中所述，PTFE细粉可与烃液混合、进行润滑且随后被推动通过收缩模具。挤出步骤使PTFE颗粒“原纤化”。随后，可通过蒸发或萃取来去除润滑剂。在此后的几年中，已经实践了糊状挤出工艺的多个变化，包括糊状挤出或模制预成型件并压延所述预成型件以形成片材，如在美国专利4,335,180和4,518,737中所述。例如，杜邦HS-10工艺涉及在两个方向上进行压延以形成双轴取向的片材。美国专利3,953,566公开了对糊状挤出的PTFE进行额外拉伸以形成具有增加的孔隙率和增强的基体拉伸强度(matrix tensile strength)的多孔薄膜或纤维。
PTFE的颗粒状和分散体(或凝结的分散体)级别可以是真正的均聚物化合物(仅含有四氟乙烯单体)或“微量改性的均聚物(trace modified homopolymer)”化合物(含有小于1的重量百分比(重量％)的共聚单体)。
3M公司已开发了包括约50体积百分比(体积％)的PTFE和50体积％的二氧化钛(TiO2)粉末的介电材料，其是以商品名EPSILAM10进行出售的。在形成覆铜箔层压板时，PTFE和TiO2粉末首先进行混合且用石蜡烃溶剂，诸如(可从埃克森美孚商购获得的)ISOPAR进行润滑。然后，通过糊状挤出并压延混合材料来形成片材。然后，通过干燥来去除润滑剂，且在平板压机中、在PTFE的熔化温度以上、在高压下将片材层压至铜箔。然后，对覆铜箔层压板进行选择性蚀刻和机械加工以形成介电常数约为10的高频电子电路。几个其他制造商开发出类似的材料，诸如Rogers Corporation的6010层压板和KeeneCorporation的810层压板。
在之后的几年中，通过用包括PTFE和陶瓷粉末的浆料来浸渍有纺的和无纺的玻璃织物，例如，通过将浆料浸涂到有纺的玻璃织物上或通过将浆料浇铸至玻璃织物上，且随后层压至铜箔来制造高介电常数层压板。这种方法的示例包括有纺的玻璃PTFE层压板，其是通过用PTFE分散体浸渍玻璃织物以形成PTFE浸渍的玻璃织物来制成的。然后，将PTFE浸渍的玻璃织物与例如额外的未增强的车削PTFE层片铺砌在一起，且在PTFE的熔点之上在平板压机中层压至铜箔。替代地，无纺的玻璃PTFE层压板是通过使已用PTFE分散体被分散在水中的玻璃微纤维共凝结，在造纸机上形成片材并将片材层压至铜箔来制成的。这种无纺的玻璃PTFE复合材料的一个示例是Rogers的RT/DUROID 5870 PTFE层压板。美国专利4,335,180和4,518,737公开了一种工艺，其中填料和少量的玻璃微纤维与PTFE分散体共凝结并进行干燥。然后，对该混合物进行糊状挤出和压延以形成片材。在高于PTFE熔化温度的温度下、在压力下、在平板压机中将片材层压至铜箔。在所有这些情况下，在层压步骤期间熔化PTFE(在本文中也被称为烧结)。
美国专利4,996,097公开了具有PTFE介电层的薄且高电容的层压板的制造。所要求保护的0.0001至0.005英寸(2.54至127微米)的厚介电层是通过在美国专利3,953,566中公开的工艺制成的，其中使用传统层压程序来将导电材料(诸如铜)层压至PTFE介电层的一侧或两侧，该层压程序在1000磅每平方英寸(psi)(6,895千帕(kPa))的压力和350摄氏度(℃)的温度下进行压制，该温度高于PTFE的熔化温度。还公开了在PTFE组合物的熔化温度之上进行层压的替代方案，其中可存在热凝物以降低层压温度并增强介电层至导电金属的粘合。
近年来，低损耗、高介电常数材料的额外应用已在商业上出现。用于手持式消费电子装置的天线小型化则是一个这样的应用，其中高介电常数值将允许较高程度的所述小型化。美国专利7,773,041和8,427,377描述了介电加载的环形天线。美国专利8,599,072公开了一种宽带天线结构，其中盖的介电材料的介电常数减小了导电天线元件的所需尺寸。在许多这样的应用当中，不一定需要将高介电常数、低损耗基板直接结合至铜箔。
通过使用更高介电常数的陶瓷填料(例如，具有在35-500千兆赫(GHz)范围内的介电常数)，诸如钛酸钡来实现更高介电常数的材料。然而，许多这样的填料显著地增加了材料的介电损耗，可能制造它们是困难的且成本效益不高。PTFE材料的介电常数的大小还可能通过增加介电填料的量而增加，但是填料的量可能受到能被结合至材料中的粉末形式的填料的量的限制。例如，根据填料的粒度分布、表面面积和表面化学性质，大于或等于50体积％的加载量可能超过材料中的粉末的最大填充率，且添加额外粉末可能导致夹带的空隙量增加，且材料可能会变脆。
目前，商用PTFE-二氧化钛覆铜箔电路层压板可能表现出在10至12的GHz频率范围内的介电常数值，其中最大可实现的介电常数为约13。
对于表现出更高介电常数值的低损耗、高介电常数的PTFE材料来说，仍存在未被满足的需求。
发明内容
本文公开了一种包括未烧结的PTFE的介电组合物及其制造和使用方法。
在一个实施例中，一种介电基板包括未烧结的聚四氟乙烯；以及高介电常数填料，其中高介电常数填料的介电常数大于或等于35；其中介电基板具有大于或等于介电基板的所计算的理论密度的90％的比重，其中理论比重是基于高介电常数填料的所测量的比重、未烧结的聚四氟乙烯的比重、以及未烧结的聚四氟乙烯和高介电常数填料的相对重量分数进行计算的；并且其中介电基板具有如在10GHz的频率下确定的大于或等于11.5的介电常数。
在另一个实施例中，一种制造介电基板的方法包括形成包括未烧结的聚四氟乙烯、高介电常数填料和润滑剂的混合物；由混合物形成预成型件；压延预成型件以形成片材；加热片材以在未烧结的聚四氟乙烯的熔化温度以下的加热温度下去除润滑剂；以及在加热操作之后对片材进行干性压延以形成介电基板。
在另一个实施例中，一种物品包括介电基板。
上述和其他特征是通过下列附图和详细描述来例示的。
附图说明
图1是对形成介电基板的方法的一个实施例的图示。
具体实施方式
聚四氟乙烯是一种聚合物，其通常被用于制造用于高频电子电路和装置中的介电基板，这是因为其表现出低介电损耗、高熔点和良好的耐化学性。如上所述，聚四氟乙烯基板通常在高温和高压下与铜箔层压以形成这种电路材料。近来，已经出现了未被结合至铜箔的高介电常数的含氟聚合物基板的应用，例如，用作在移动电话或平板电脑中的天线。虽然含氟聚合物组合物的介电性质可通过改变介电填料的类型和填料的量来进行改变，但尚未实现在10GHz的频率下具有大于11的介电常数且同时保持低介电损耗的非覆铜箔含氟聚合物的组合物。
氟原子表现出与PTFE的碳骨架的强结合且在材料的自由基聚合期间不会被提取出来。因此，形成完美直链(perfectly
straight chains)，其产生聚合得到的具有约2.3克每立方厘米(g/cm3)的密度的近100％的结晶聚合物材料。结晶PTFE的熔点约为341℃。在低分子量下，当熔化的聚合物固化时，其恢复了其较高程度的结晶度并产生了非常脆的材料。PTFE材料的开发者发现，如果聚合物发生反应到高分子量，则可实现更坚硬和更具弹性的材料。在这种情况下，当高分子量PTFE在熔化后重新固化时，链长阻止了聚合物链的完全再结晶且显著减少了结晶含量，这产生了较低密度的柔性材料。再结晶的PTFE具有约327℃的降低的熔点和约2.18g/cm3的降低的密度。令人惊讶地发现，从未烧结的聚四氟乙烯到再结晶的聚四氟乙烯的这种小的密度变化导致从未烧结的聚四氟乙烯到再结晶的聚四氟乙烯的介电常数的显著降低。
进一步令人惊讶地发现，可以通过不烧结PTFE并额外地压延基板以减小孔隙率来实现低损耗的PTFE介电基板，其在10GHz频率下具有大于或等于11.5的介电常数。具体地说，介电基板可通过形成包括PTFE、介电填料和润滑剂的混合物；通过模制或挤出混合物来形成片材；压延片材；加热片材以在PTFE的熔化温度以下的温度下去除润滑剂；以及在加热之后对片材进行干性压延以形成基板来进行制备。干性压延步骤导致孔隙率减小，使得基板具有增加的密度，例如，表现出在理论比重的90％内的比重。令人惊讶地发现，与具有相同组成但已进行烧结的基板相比，未烧结的PTFE的较高密度对应于增加的介电常数值。未烧结的基板还具有不包含可能在烧结期间发生且可能导致视觉炭化、机械性质降低和介电性质降低中的一个或多个的炭化污染物的额外益处。
PTFE可包括均聚物、微量改性的均聚物或包括前述物质中的一个或两个的组合。如本文中所使用的，微量改性的PTFE均聚物包括基于聚合物的总重量的小于1重量％的重复单位，该重复单位衍生自除了聚四氟乙烯以外的共聚单体。
PTFE可通过乳液聚合法聚合以形成分散体，分散体还可进一步凝结以形成凝结的分散体或细粉PTFE。替代地，PTFE可通过悬浮聚合法聚合以形成颗粒状PTFE。与具有相同组成但包括颗粒状PTFE的介电基板相比，已通过糊状挤出和压延形成的包括凝结分散体或细粉PTFE的介电基板可能没有那么脆。
介电填料可包括钛酸盐。介电填料可包括二氧化钛(诸如，金红石和锐钛矿)、钛酸钙、钛酸钡、钛酸锶或包含前述物质中的至少一种的组合。介电填料可包括TiO2、SiTiO3、CaTiO3、BaTiO4、Ba2Ti9O20或包括前述物质中的至少一种的组合。介电填料可包括TiO2、SiTiO3、CaTiO3或包括前述物质中的至少一种的组合。
介电填料可包括涂覆的介电填料。涂层可包括硅烷涂层、钛酸盐涂层、锆酸盐涂层或包括前述物质中的至少一种的组合。涂层可包括苯基三甲氧基硅烷(phenyltrimethoxysilane)、对氯甲基苯基三甲氧基硅烷(pchloromethylphenyltrimethoxy silane)、氨基乙基氨基三甲氧基硅烷(aminoethylaminotrimethoxy silane)、氨基乙基氨基丙基三甲氧基硅烷(aminoethylaminopropyltrimethoxy silane)、苯基三乙氧基硅烷(phenyltriethoxysilane)、3,3,3-三氟丙基三甲氧基硅烷(3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane)、(十三氟-1,1,2,2-四氢癸基)-1-三乙氧基硅烷((tridecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyl)-1-triethoxysilane)、新戊基(二烯丙基)氧基三新癸酰钛酸酯(neopentyl(diallyl)oxytrineodecanoyl titanate)、新戊基(二烯丙基)氧基三(二辛基磷酸酰氧基)钛酸酯(neopentyl(diallyl)oxytri(dioctyl)phosphate
titanate)、新戊基(二烯丙基)氧基三(二辛基焦磷酸酰氧基)钛酸酯(neopentyl(diallyl)oxytri(dioctyl)pyrophosphate zirconate)、新戊基(二烯丙基)氧基三(N-乙烯基二氨基)乙基锆酸酯(neopentyl(diallyl)oxytri(N-ethylenediamino)ethylzirconate)或包括前述物质中的至少一种的组合。涂层可包括硅烷涂层，诸如苯基三甲氧基硅烷。介电填料可在形成混合物之前用涂层剂进行预处理，或可将涂层剂添加至混合物。涂层能够以基于填料的总重量的0.2至2.0重量％或0.8至1.2重量％的量存在。
介电填料在10GHz的频率下可具有大于或等于100，或大于或等于150，或大于或等于200的介电常数。介电填料在10GHz的频率下可具有大于或等于35，或为35至500，或100至400的介电常数。介电填料在10GHz的频率下可具有小于或等于0.005的低介电损耗。
形成介电基板的方法可包括形成混合物，所述混合物包括凝结的分散体或细粉PTFE、介电填料和润滑剂的；由混合物形成预成型件；压延预成型件以形成片材；加热片材以在PTFE的烧结温度以下的温度下去除润滑剂；以及在加热之后对片材进行干性压延以形成介电基板。
润滑剂的示例包括可从德克萨斯州休斯顿的埃克森化学公司商购的ISOPARTM。润滑剂可包括乙二醇醚，诸如二丙二醇。润滑剂可包括前述润滑剂中的至少一种。
例如，可通过模制或挤出混合物来使混合物形成预成型件。可在15℃至50℃的温度下执行挤出以形成预成型件。
然后，在润滑状态中对预成型件进行压延(在本文中也被称为润滑压延)。压延可包括单个压延步骤或多个压延步骤。例如，可对片材进行初始压延步骤，其中片材通过至少一组相对的不锈钢压延辊，在不锈钢压延辊之间具有可调整的间隙厚度。在辊之间的间隙厚度可进行调整以在片材在辊之间通过时减小片材的厚度。在压延期间，将保持片材的宽度，但片材的长度则会随着厚度的减小而增加。可商购压延机的一个示例为小型Killion的双辊堆(新泽西州锡达格罗夫的Killion挤出机公司07009)。然后，可在例如与初始压延方向成45°至135°(例如90°)的角度在一个或多个压延步骤中对片材进行进一步的压延。
可加热压延的片材以从片材去除润滑剂。加热可通过例如在小于或等于300℃、或者为50至300℃、或者为100至200℃的加热温度下加热薄膜来完成。加热温度可小于含氟聚合物的熔化温度。在加热之后，片材可包括基于片材的总重量的小于或等于1重量％或为0至0.01重量％的润滑剂。
在加热之后，随后可在如上所述的一个或多个压延步骤中对片材进行干性压延以形成介电基板。第二干性压延步骤可发生在与初始干性压延方向成45°至135°(例如90°)的角度下。干性压延可发生在与初始润滑的压延方向相同的压延方向上。干性压延可发生在与初始润滑的压延方向不同的压延方向上，例如，干性压延可发生在与初始润滑的压延方向成45°至135°(例如90°)的角度下。
润滑的压延和干性压延中的一个或两个可在不施加热量的情况下发生，例如，在等于室温(20℃至25℃)的压延温度下进行。
在图1中示出了形成介电基板的方法的一个实施例。图1示出了在辊10和12之间进行压延的挤出片材2。随后，通过施加热量h来加热压延的片材以形成干片材4。随后，在辊20和22之间将干片材4干性压延为片材6以形成介电基板8。
介电基板可包括基于基板的总重量的50至85重量％或65至80重量％的介电填料。介电基板可包括基于基板的总重量的15至50重量％或20至55重量％的PTFE。介电基板可基本上由或可由PTFE和介电填料组成。
比重可以是理论比重的至少90％，其中理论比重是基于介电填料的所测量的比重、PTFE的比重以及两个组分的相对分数来计算的。
介电基板可具有大于或等于11.5，或者大于或等于12，或者为12至18，或者为13至18的介电常数。介电基板可具有如在10GHz的频率下测量的小于或等于0.003的耗散因数。
一种物品可包括介电基板。物品可以是天线。天线可用于移动电话(诸如智能手机)、平板电脑、膝上型电脑等。
介电基板可不含导电层，诸如铜箔。
介电基板可用于不需要结合的铜的应用中，例如，其中介电基板被可粘合地结合至可通过，例如激光直写、电镀或导电墨水的印刷来形成的预制电路或导体。
介电基板可不含金属化层，诸如铜层。
提供以下示例来说明具有增强的热容量(thermal capability)的物品。该示例仅仅是说明性的，且不旨在使根据本公开制造的装置仅限于本文所阐述的材料、条件或工艺参数。
示例
在示例中，比重是使用阿基米德原理确定的。
介电常数和耗散因数是根据IPC-TM-650 2.5.5.5c在10GHz下进行确定的。
涂覆的二氧化钛的理论比重为4.23，且烧结的PTFE的理论比重为2.18。
在表1中列出了在示例中使用的组分，其中m2/g是平方米每克。
示例1：预成型件的性质
涂覆的二氧化钛是通过用1重量％的苯基三甲氧基硅烷处理二氧化钛并在105℃固化16小时来制备的。
形成含有70重量％的涂覆的二氧化钛的30重量％的PTFE的混合物。将润滑剂添加至混合物，且挤出润滑的混合物以形成1.3厘米(cm)×10.2厘米×10.2厘米的片材。通过在第一方向上压延片材，将片材旋转90°并在第二方向上压延片材来对挤出片材进行双轴压延。双轴压延的片材具有厚度为0.05厘米(cm)的片材。然后，蒸发润滑剂。确定片材的性质并将其示于表2中。表2示出由于片材的高孔隙率，因此片材的比重仅为2.56且介电常数仅为7.29。
示例2：烧结和压制的影响
使用示例1的方法来制备片材。将重物置于片材的顶部，然后在烘箱中在350℃的温度下、在压力下烧结10分钟。表2中示出了片材的性质。
表2示出在加热情况下施加压力导致比重略微增加至2.79的值并且导致介电常数略微增加至8.66的值。
示例3：层压的影响
使用示例1的方法来制备片材。然后，在370℃的温度和1,100psi(7,584千帕斯卡)的压力下、在平板压机中、在两片铜箔之间对该片材进行2小时的层压。将铜从两个表面蚀刻掉，且确定片材的性质。在表2中示出了性质。
表2示出层压步骤使比重增加至3.12且使介电常数增加至11.30的值。
示例4：层压烧结片材的影响
使用示例3的方法来制备片材，不同的是，随后，在层压之前在烘箱中在350℃下对片材进行烧结。在表2中示出了性质。
表2示出示例4的片材的比重和介电常数基本上与示例3的那些相同，这表明层压之前的烧结步骤对所产生的片材的性质没有影响。
示例5：压延未烧结的片材的影响
使用示例1的方法制备片材，且进一步压延未烧结且未润滑的片材。在表2中示出了性质。
表2示出压延干性压延的未烧结的片材令人惊讶地导致比重增加至3.30的值，并且介电常数增加至13.53的值，该值几乎是示例1的介电常数的两倍。
示例6：烧结压延片材的影响
使用示例5的方法来制备片材。然后，在370℃的温度和1,100psi(7,584千帕斯卡)的压力下、在平板压机中、在两片铜箔之间对该压延片材进行2小时的层压。将铜从两个表面蚀刻掉，且确定片材的性质。在表2中示出了性质。
表2示出层压步骤导致比重下降至3.21的值，并且导致介电常数下降至11.19的值。
示例7-14：二氧化钛含量的影响
使用示例5的方法制造具有变化的量的二氧化钛的片材。确定片材的性质并将其示于表3中。
表3示出介电常数随着浓度的增加而增加。
下面阐明了包括未烧结的PTFE的本介电组合物及其制造和使用方法的一些实施例。
实施例1：一种介电基板包括：未烧结的聚四氟乙烯；以及高介电常数填料，其中高介电常数填料的介电常数大于或等于35；其中介电基板具有大于或等于介电基板的所计算的理论密度的90％的比重，其中理论比重是基于高介电常数填料的所测量的比重、未烧结的聚四氟乙烯的比重、以及未烧结的聚四氟乙烯和高介电常数填料的相对重量分数进行计算的；并且其中介电基板具有如在10GHz的频率下确定的大于或等于11.5的介电常数。
实施例2：根据实施例1所述的介电基板，其中未烧结的聚四氟乙烯包括聚四氟乙烯均聚物。
实施例3：根据前述实施例中的任一项或多项所述的介电基板，其中未烧结的聚四氟乙烯包括微量改性的聚四氟乙烯均聚物，其中微量改性的聚四氟乙烯均聚物包括基于微量改性的聚四氟乙烯均聚物的总重量的小于1重量％的重复单位，重复单位衍生自除了四氟乙烯以外的共聚单体。
实施例4：根据前述实施例中的任一项或多项所述的介电基板，其中未烧结的聚四氟乙烯聚合物是通过乳液聚合法制成的。
实施例5：根据前述实施例中的任一项或多项所述的介电基板，其中高介电常数填料的介电常数大于或等于100、或者为100至400。
实施例6：根据前述实施例中的任一项或多项所述的介电基板，其中高介电常数填料包括二氧化钛。
实施例7：根据前述实施例中的任一项或多项所述的介电基板，其中高介电常数填料包括二氧化钛、钛酸钙、钛酸锶、钛酸钡或包括前述物质中的至少一种的组合。
实施例8：根据前述实施例中的任一项或多项所述的介电基板，其中介电基板包括基于介电基板的总重量的50至85重量％或65至80重量％的高介电常数填料。
实施例9：根据前述实施例中的任一项或多项所述的介电基板，其中介电基板包括基于介电基板的总重量的15至50重量％、或者20至55重量％的未烧结的聚四氟乙烯。
实施例10：根据前述实施例中的任一项或多项所述的介电基板，其中介电基板基本上由或由未烧结的聚四氟乙烯和高介电常数填料组成。
实施例11：根据前述实施例中的任一项或多项所述的介电基板，其中比重是介电基板的理论比重的至少95％。
实施例12：根据前述实施例中的任一项或多项所述的介电基板，其中介电基板的介电常数大于或等于12、或者为12至18、或者为13至18。
实施例13：一种包括根据前述实施例中的任一项或多项所述的介电基板的物品。
实施例14：根据实施例13所述的物品，其中物品为移动电话、平板电脑或膝上型电脑。
实施例15：根据实施例13所述的物品，其中物品为天线。
实施例16：一种制造根据实施例1-12中的任一项或多项所述的介电基板的方法包括：形成包括未烧结的聚四氟乙烯、高介电常数填料和润滑剂的混合物；由混合物形成预成型件；压延预成型件以形成片材；加热片材以在未烧结的聚四氟乙烯的熔化温度以下的加热温度下去除润滑剂；以及在加热步骤之后对片材进行干性压延以形成介电基板。
实施例17：根据实施例16所述的方法，其中在加热步骤之后的片材包括基于片材的总重量的小于或等于1重量％、或者为0至0.01重量％的润滑剂。
实施例18：根据实施例16-17中的任一项或多项所述的方法，其中加热温度小于或等于300℃、或者为50至300℃、或者为100至200℃。
实施例19：根据实施例16-18中的任一项或多项所述的方法，其中形成预成型件的步骤包括挤出混合物。
实施例20：根据实施例16-19中的任一项或多项所述的方法，还包括在与初始压延方向成45°至135°的角度进行压延步骤之后对片材进行双轴压延。
一般来说，本公开可替代地包括本文所公开的任何适当的组分，由或基本上由其组成。本公开可额外地或替代地被配制成不含或基本上不含在现有技术的组合物中使用的或对于实现本公开的功能和/或目标来说不是必需的任何组分、材料、成分、佐剂或种类。
本文所公开的所有范围均包括端点，且端点可以彼此独立地进行组合(例如，“高达25重量％，或更具体地，5至20重量％”的范围”包括“5至25重量％”的范围的端点以及所有中间值等)。
“组合”包括共混物、混合物、合金、反应产物等。而且，本文中的术语“第一”、“第二”等不表示任何顺序、数量或重要性，而是用于表示一个要素而非另一个。本文中的术语“一(a)”、“一个(an)”和“该(the)”不表示数量的限制，且要被解释为涵盖单数和复数，除非本文另有指示或与上下文有明显矛盾之外。
“或”表示“和/或”。在整个说明书中对“一些实施例”、“另一个实施例”、“一个实施例”等的引用表示结合实施例描述的特定要素(例如，特征、结构和/或特性)被包括在本文所述的至少一个实施例中，且可以存在或可以不存在于其他实施例中。“可选的”或“可选地”表示随后描述的事件或情况可能发生或可能不发生，并且描述包括发生该事件的情况以及未发生该事件的情况。除非另有限定外，本文使用的技术和科学术语具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的相同的含义。除非另有说明外，测试标准是申请的提交日期的最新版本。
所有引用的专利、专利申请和其他参考文献的全部内容通过引用并入本文。然而，如果本申请中的术语与所并入的参考文献中的术语相矛盾或冲突，则源于本申请的术语优先于源于所并入的参考文献的起冲突的术语。
此外，要理解的是，所描述的要素可在各种实施例中按任何合适的方式进行组合。
尽管已经描述了特定的实施例，但是对于申请人或本领域的其他技术人员来说，出现了或可能出现当前没有预料的替代方案、变型、改进和实质等同物。相应地，提交的以及可经修改的所附权利要求旨在包括所有这些替代方案、修改变型、改进和实质等同物。

Claims (20)

1.一种介电基板，其包括：
未烧结的聚四氟乙烯；以及
高介电常数填料，其中，所述高介电常数填料的介电常数大于或等于35；
其中，所述介电基板具有大于或等于所述介电基板的所计算的理论密度的90％的比重，其中理论比重是基于所述高介电常数填料的所测量的比重、所述未烧结的聚四氟乙烯的所述比重以及所述未烧结的聚四氟乙烯和所述高介电常数填料的相对重量分数进行计算的；
其中，所述介电基板具有如在10GHz的频率下确定的大于或等于11.5的介电常数。
2.根据权利要求1所述的介电基板，其中所述未烧结的聚四氟乙烯包括聚四氟乙烯均聚物。
3.根据前述权利要求中的任一项或多项所述的介电基板，其中所述未烧结的聚四氟乙烯包括微量改性的聚四氟乙烯均聚物，其中所述微量改性的聚四氟乙烯均聚物包括基于所述微量改性的聚四氟乙烯均聚物的总重量的小于1重量％的重复单位，所述重复单位衍生自除了四氟乙烯以外的共聚单体。
4.根据前述权利要求中的任一项或多项所述的介电基板，其中所述未烧结的聚四氟乙烯聚合物是通过乳液聚合法制成的。
5.根据前述权利要求中的任一项或多项所述的介电基板，其中所述高介电常数填料的介电常数大于或等于100、或者为100至400。
6.根据前述权利要求中的任一项或多项所述的介电基板，其中所述高介电常数填料包括二氧化钛。
7.根据前述权利要求中的任一项或多项所述的介电基板，其中所述高介电常数填料包括二氧化钛、钛酸钙、钛酸锶、钛酸钡或包括前述中的至少一种的组合。
8.根据前述权利要求中的任一项或多项所述的介电基板，其中所述介电基板包括基于所述介电基板的总重量的50至85重量％、或者为65至80重量％的所述高介电常数填料。
9.根据前述权利要求中的任一项或多项所述的介电基板，其中所述介电基板包括基于所述介电基板的总重量的15至50重量％、或者为20至55重量％的所述未烧结的聚四氟乙烯。
10.根据前述权利要求中的任一项或多项所述的介电基板，其中所述介电基板基本上由或由所述未烧结的聚四氟乙烯和所述高介电常数填料组成。
11.根据前述权利要求中的任一项或多项所述的介电基板，其中所述比重是所述介电基板的所述理论比重的至少95％。
12.根据前述权利要求中的任一项或多项所述的介电基板，其中所述介电基板的所述介电常数大于或等于12、或者为12至18、或者为13至18。
13.一种包括根据前述权利要求中的任一项或多项所述的介电基板的物品。
14.根据权利要求13所述的物品，其中所述物品为移动电话、平板电脑或膝上型电脑。
15.根据权利要求13所述的物品，其中所述物品为天线。
16.一种制造根据权利要求1至12中的任一项或多项所述的介电基板的方法，其包括：
形成包括所述未烧结的聚四氟乙烯、所述高介电常数填料和润滑剂的混合物；
由所述混合物形成预成型件；
压延所述预成型件以形成片材；
加热所述片材以在所述未烧结的聚四氟乙烯的熔化温度以下的加热温度下去除所述润滑剂；以及
在所述加热操作之后对所述片材进行干性压延以形成所述介电基板。
17.根据权利要求16所述的方法，其中在所述加热步骤之后的所述片材包括基于所述片材的总重量的小于或等于1重量％或为0至0.01重量％的所述润滑剂。
18.根据权利要求16至17中的任一项或多项所述的方法，其中所述加热温度小于或等于300℃、或者为50至300℃、或者为100至200℃。
19.根据权利要求16-18中的任一项或多项所述的方法，其中形成所述预成型件的步骤包括挤出所述混合物。
20.根据权利要求16至19中的任一项或多项所述的方法，还包括在与初始压延方向成45°至135°的角度进行所述压延步骤之后对所述片材进行双轴压延。
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