TW202221153A - 金屬圖案的形成方法及蒸鍍用金屬遮罩的製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種金屬圖案的形成方法及具有利用上述金屬圖案的形成方法而獲得之金屬圖案之蒸鍍用金屬遮罩的製造方法，該金屬圖案的形成方法包括：準備在基材上具有負型感光性樹脂層之積層體之步驟；從上述負型感光性樹脂層中的設置有上述基材之側的相反一側照射具有向曝光遮罩的厚度方向傾斜地入射之成分之光，隔著上述曝光遮罩將上述負型感光性樹脂層進行圖案曝光之步驟；向經上述圖案曝光之上述負型感光性樹脂層進行顯影而形成具有錐形形狀之樹脂圖案之步驟；以及形成與上述樹脂圖案的形狀對應之錐形形狀的金屬圖案之步驟。

Description

金屬圖案的形成方法及蒸鍍用金屬遮罩的製造方法
本發明係有關一種金屬圖案的形成方法及蒸鍍用金屬遮罩的製造方法。
在靜電電容型輸入裝置等具備觸控面板之顯示裝置（有機電致發光（EL）顯示裝置及液晶顯示裝置等）中，對應於視覺辨認部的感測器之電極圖案、邊緣配線部分及取出配線部分的配線等的導電層圖案被設置於觸控面板內部。 通常由於在形成經圖案化之層時，用於獲得所需之圖案形狀之步驟數少，因此對使用感光性轉印構件而在任意基材上設置之感光性樹脂組成物的層，隔著具有所希望的圖案之遮罩進行曝光之後進行顯影之方法被廣泛使用。 又，作為形成有機EL顯示裝置的像素之方法，已知如下方法：使包含貫通孔之金屬遮罩（蒸鍍遮罩）與有機EL顯示裝置用基材密接之後，投入到蒸鍍裝置，藉由有機材料等的蒸鍍而形成像素之方法。
又，作為先前的金屬遮罩的製造方法，已知在日本特開2006-152396號公報或日本特開2017-226918號公報中記載者。 在日本特開2006-152396號公報中記載了一種金屬遮罩的製造方法，該方法的特徵為：在基於電鑄用遮罩原版而製作之金屬遮罩的製造方法中，在塗佈有阻劑之第1基板上，使用以預定形狀形成了相似的轉印圖案之複數個光罩而依次曝光之後進行顯影，在上述第1基板上形成具有傾斜側壁之預定形狀凸部，在上述第1基板的上述預定形狀凸部形成側的整個面形成第1導電膜，藉由電鍍而使金屬在上述第1導電膜的上表面析出，將經上述析出之金屬從上述第1導電膜剝離而製作具有預定形狀凹部之主原版，在第2基板的具有導電性之上表面上藉由樹脂而形成基於上述主原版的上述預定形狀凹部而與上述預定形狀凸部大致相同的凸部，從上述主原版剝離具有基於上述樹脂的上述凸部之上述第2基板以製作上述電鑄用遮罩原版，在被暴露於上述電鑄用遮罩原版之上述第2導電膜上，藉由電鍍而析出和形成所希望的金屬的膜直至設置有具有與上述遮罩原版的上述預定形狀凹部的傾斜側壁大致相同的側壁之開孔之厚度為止，藉由從上述電鑄用遮罩原版剝離上述金屬的膜而製作。
在日本特開2017-226918號公報中記載了一種利用電鑄電鍍法之微細金屬遮罩的製造方法，該微細金屬遮罩的製造方法包括：（a）準備載子玻璃，在上述載子玻璃上蒸鍍犧牲層之步驟；（b）蒸鍍用於電鑄電鍍的電極金屬以形成電極層之步驟；（c）在上述電極層上塗佈光阻劑之步驟；（d）利用光微影法來對上述光阻劑進行曝光和顯影以進行圖案化之步驟；（e）在經圖案化之上述光阻劑上藉由電鑄電鍍以形成電鑄電鍍層之步驟；（f）藉由去除上述光阻劑以形成金屬圖案之步驟；（g）在上述電極層上藉由形成與上述金屬圖案對應之圖案以形成遮罩圖案之步驟；（h）為了提高經圖案化之上述電鑄電鍍層及上述電極層的剛性而進行熱處理之步驟；（i）檢查上述電鑄電鍍層及在上述電極層形成之上述遮罩圖案之步驟；及（j）從上述載子玻璃中分離上述電鑄電鍍層和上述電極層之步驟。
又，作為先前的帶基板之蒸鍍遮罩，已知在日本特開2019-173181號公報中記載者。 在日本特開2019-173181號公報中記載了帶基板之蒸鍍遮罩，其特徵為，具備玻璃製基板及在基板上藉由電鍍處理而形成且由具有有孔區域和圍繞該有孔區域之無孔區域之電鍍層構成之複數個蒸鍍遮罩，複數個蒸鍍遮罩在每個複數個段和複數個列上配置。
本發明的一實施形態所欲解決之課題為提供一種錐形形狀優異之金屬圖案的形成方法。 本發明的另一實施形態所欲解決之課題為提供一種錐形形狀優異之蒸鍍用金屬遮罩的製造方法。
本發明包含以下態樣。 ＜1＞一種金屬圖案的形成方法，其包括： 準備在基材上具有負型感光性樹脂層之積層體之步驟；從上述負型感光性樹脂層中的設置有上述基材之側的相反一側照射具有向曝光遮罩的厚度方向傾斜地入射之成分之光，隔著上述曝光遮罩將上述負型感光性樹脂層進行圖案曝光之步驟；向經上述圖案曝光之上述負型感光性樹脂層進行顯影而形成具有錐形形狀之樹脂圖案之步驟；以及形成與上述樹脂圖案的形狀對應之錐形形狀的金屬圖案之步驟。 ＜2＞如＜1＞所述之金屬圖案的形成方法，其中，在進行上述圖案曝光之步驟中，在上述曝光遮罩的上述負型感光性樹脂層側的相反一側依次配置擴散透射率為5%以上的散射層及曝光光源，從上述曝光光源隔著上述散射層而照射散射光。 ＜3＞如＜2＞所述之金屬圖案的形成方法，其中，上述散射層含有黑矩陣材料及存在於上述黑矩陣材料中之粒子，上述黑矩陣材料與上述粒子的折射率之差為0.05以上。 ＜4＞如＜2＞或＜3＞所述之金屬圖案的形成方法，其中，上述散射層含有黑矩陣材料及存在於上述黑矩陣材料中之粒子，上述粒子的平均一次粒徑為0.3μm以上。 ＜5＞如＜2＞至＜4＞之任一項所述之金屬圖案的形成方法，其中，上述散射層在至少一個面上具有凹凸。 ＜6＞如＜5＞所述之金屬圖案的形成方法，其中，上述凹凸具有複數個凸部，相鄰的凸部與凸部的頂部之間的距離為10μm～50μm。 ＜7＞如＜2＞至＜6＞之任一項所述之金屬圖案的形成方法，其中，上述散射層與上述曝光遮罩在不相互接觸之位置配置。 ＜8＞如＜2＞至＜6＞之任一項所述之金屬圖案的形成方法，其中，上述散射層與上述曝光遮罩接觸，並且在上述曝光遮罩中的上述負型感光性樹脂層側的相反一側配置。 ＜9＞如＜2＞至＜6＞之任一項所述之金屬圖案的形成方法，其中，上述曝光遮罩係在形成有遮光圖案之面的相反一側的面上形成有上述散射層之散射性的曝光遮罩。 ＜10＞如＜1＞至＜9＞之任一項所述之金屬圖案的形成方法，其中，上述準備的步驟包括使用具有偽支撐體及在上述偽支撐體上配置之負型感光性樹脂層之轉印材料，將上述轉印材料所具有之上述負型感光性樹脂層轉印到上述基材上以形成上述積層體之步驟。 ＜11＞如＜10＞所述之金屬圖案的形成方法，其中，在上述圖案曝光的步驟中的上述圖案曝光係藉由使上述偽支撐體與上述曝光遮罩接觸以進行曝光之接觸曝光。 ＜12＞如＜10＞所述之金屬圖案的形成方法，其中，在上述圖案曝光的步驟中的上述圖案曝光係剝離了上述偽支撐體之後，使上述曝光遮罩與具有上述負型感光性樹脂層之上述積層體接觸以進行曝光之接觸曝光。 ＜13＞如＜1＞至＜12＞之任一項所述之金屬圖案的形成方法，其中，上述基材係導電性基材。 ＜14＞如＜1＞至＜13＞之任一項所述之金屬圖案的形成方法，其中，上述金屬圖案係利用電鍍法而形成之金屬圖案。 ＜15＞如＜1＞至＜14＞之任一項所述之金屬圖案的形成方法，其中，在形成上述金屬圖案之步驟之後，進一步包含去除上述樹脂圖案之步驟。 ＜16＞如＜15＞所述之金屬圖案的形成方法，其中，藉由藥液來進行上述樹脂圖案的去除。 ＜17＞如＜1＞至＜16＞之任一項所述之金屬圖案的形成方法，其中，進一步包括從上述金屬圖案去除上述基材之步驟。 ＜18＞如＜1＞至＜17＞之任一項所述之金屬圖案的形成方法，其中，上述樹脂圖案包括角錐台狀或圓錐台狀的樹脂圖案。 ＜19＞如＜1＞至＜18＞之任一項所述之金屬圖案的形成方法，其中，上述負型感光性樹脂層的厚度為10μm以上。 ＜20＞如＜1＞至＜19＞之任一項所述之金屬圖案的形成方法，其中，所獲得之金屬圖案係蒸鍍用金屬遮罩用金屬圖案。 ＜21＞一種蒸鍍用金屬遮罩的製造方法，其包括利用＜1＞至＜20＞之任一項所述之金屬圖案的形成方法來形成金屬圖案之步驟。 [發明效果]
依據本發明的一實施形態，能夠提供一種錐形形狀優異之金屬圖案的形成方法。 依據本發明的另一實施形態，能夠提供一種錐形形狀優異之蒸鍍用金屬遮罩的製造方法。
以下，對本發明的內容進行說明。另外，一邊參閱附圖一邊進行說明，但有時省略符號。 又，本說明書中，使用“～”表示之數值範圍係指包含記載於“～”的前後之數值作為下限值及上限值之範圍。 又，本說明書中，“（甲基）丙烯酸”表示丙烯酸和甲基丙烯酸這兩者或任一者，“（甲基）丙烯酸酯”表示丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯這兩者或任一者。 進而，本發明中，在組成物中存在複數種對應於各成分之物質之情況下，只要無特別說明，則組成物中的各成分的量係指組成物中存在之所對應之複數種物質的總量。 本說明書中，“步驟”這一術語，不僅包括獨立之步驟，而且即使在無法與其他步驟明確地進行區分之情況下，只要發揮該步驟的預期的作用，則亦包括在本術語中。 本說明書中的基團（原子團）的標記中，未標註經取代及未經取代之標記包含不具有取代基之基團及具有取代基之基團。例如，“烷基”係指，不僅包含不具有取代基之烷基（未經取代烷基），亦包含具有取代基之烷基（經取代烷基）。 在本說明書中，“曝光”只要沒有特別指定，則除了利用光的曝光以外，還包括利用電子束、離子束等粒子束之描繪。又，作為用於曝光之光，通常可以舉出水銀燈的明線光譜、以準分子雷射為代表之遠紫外線、極紫外線（EUV光）、X射線、電子束等光化射線（活性能量射線）。 又，本說明書中的化學結構式有時以省略了氫原子之簡化結構式來記載。 本發明中，“質量%”與“重量%”的含義相同，“質量份”與“重量份”的含義相同。 又，本發明中，2個以上的較佳態樣的組合為更佳的態樣。 又，關於本發明中的重量平均分子量（Mw）及數量平均分子量（Mn），只要沒有特別指定，則為以如下方式獲得之分子量，亦即藉由使用了TSKgel GMHxL、TSKgel G4000HxL、TSKgel G2000HxL（均為TOSOH CORPORATION製造之產品名稱）的管柱之凝膠滲透層析（GPC）分析裝置，利用溶劑THF（四氫呋喃）、差示折射計進行檢測，並使用聚苯乙烯作為標準物質來進行換算而得之分子量。
（金屬圖案的形成方法） 本發明之金屬圖案的形成方法包括：準備在基材上具有負型感光性樹脂層之積層體之步驟；從上述負型感光性樹脂層中的設置有上述基材之側的相反一側照射具有向曝光遮罩的厚度方向傾斜地入射之成分之光，隔著上述曝光遮罩將上述負型感光性樹脂層進行圖案曝光之步驟；向經上述圖案曝光之上述負型感光性樹脂層進行顯影而形成具有錐形形狀之樹脂圖案之步驟；以及形成與上述樹脂圖案的形狀對應之錐形形狀的金屬圖案之步驟。
在先前的金屬圖案的形成方法中，可以利用使用了光微影技術之蝕刻法，在金屬板上形成貫通孔來形成金屬圖案。 例如，在厚度為100μm～200μm的不鏽鋼（SUS）基板上將光阻劑進行圖案化之後，使用蝕刻液將SUS基板蝕刻成欲實現之開口部的形狀。 但是，關於藉由用藥液之蝕刻來加工金屬板之方法，由於不僅在金屬板的厚度方向，而且在面方向亦被蝕刻而產生所謂的側蝕刻，因此加工的尺寸精度或穩定性存在問題。 因此，作為用於製作高精度的金屬遮罩之加工法，提出了利用電鑄電鍍法之微細金屬遮罩的製造方法。 作為基於電鑄法之金屬遮罩的製造方法的一例，首先，在基於玻璃等非導體物質的基底基板的一面上，藉由濺射等而形成金屬的被膜（亦即，導電性膜）以賦予導電性，在該導電性膜上轉印形成高精度且基於光阻劑之遮罩的開孔圖案。接著，在從光阻劑中暴露之導電性膜上，在電鍍液中向該導電性膜連接電源，析出鎳或鎳合金直至所需要的厚度為止。最後，剝去該析出之金屬被膜以作為金屬遮罩。 此時，為了製作具有錐形形狀之開孔部之金屬遮罩，光阻劑的圖案需要設為在側壁具有傾斜之錐形形狀的圖案。
如此，本發明人等發現在先前的金屬圖案的形成方法中，錐形形狀中存在問題。 在本發明之金屬圖案的形成方法中，從上述負型感光性樹脂層中的設置有上述基材的側的相反一側，照射具有向曝光遮罩的厚度方向傾斜地入射之成分之光，藉由將上述負型感光性樹脂層進行圖案曝光，根據上述負型感光性樹脂層的厚度方向的長度，曝光量尤其係所形成之樹脂圖案的側面部分的曝光量減少，所獲得之樹脂圖案中產生錐形形狀。進而，藉由上述態樣，能夠充分地控制上述樹脂圖案的錐形形狀及所獲得之金屬圖案的錐形形狀。故，推斷可以獲得錐形形狀優異之金屬圖案。
利用本發明之金屬圖案的形成方法製造之金屬圖案係在具有倒錐形形狀或倒置時為正錐形形狀之金屬圖案，例如，能夠適當地用作蒸鍍用金屬遮罩，能夠更為適當地用作有機EL顯示裝置製造用FMM（Fine Metal Mask：精細金屬遮罩），能夠尤為適當地用作有機發光二極體（OLED）製造用FMM。
又，圖1中示出表示本發明之金屬圖案的形成方法的較佳的一例之示意圖。 圖1由對應於各步驟的階段之圖1（a）～圖1（e）構成。又，在圖1（a）～圖1（e）中示出所形成之金屬圖案中的一部分中，表示與基材的面方向垂直之方向上的剖面之剖面示意圖。 如圖1（a）所示，在準備上述積層體之步驟中，在基材102上準備具有負型感光性樹脂層104a之積層體100。 從負型感光性樹脂層104a中的設置有基材102之側的相反一側，藉由具有向曝光遮罩（未圖示）厚度方向傾斜地入射之成分之光對積層體100中的負型感光性樹脂層104a進行圖案曝光，並進一步進行顯影以形成如圖1（b）所示那樣具有錐形形狀之樹脂圖案104。 接著，利用電鍍法等，形成如圖1（c）那樣與上述樹脂圖案104的形狀對應之倒錐形形狀的金屬圖案106。 另外，樹脂圖案的錐角為θ1，金屬圖案的錐角為θ2。不僅在圖1（c）中，而且θ1及θ2在圖1（b）、圖1（d）及圖1（e）中亦相同。 利用藥液等從具有樹脂圖案104及金屬圖案106之基材102上去除樹脂圖案104，獲得如圖1（d）那樣具有金屬圖案106之基材102。 可以從具有金屬圖案106之基材102中進一步去除基材102。能夠藉由去除基材102而如圖1（e）所示那樣僅獲得金屬圖案106。另外，如圖1（e）所示那樣去除基材102之情況下，金屬圖案106係在各金屬部分未圖示之部分中全部連接之圖案為較佳。
＜準備步驟＞ 本發明之金屬圖案的形成方法包括準備在基材上具有負型感光性樹脂層之積層體之步驟（亦稱為“準備步驟”。）。 又，上述準備步驟包括使用具有偽支撐體及在上述偽支撐體上配置之負型感光性樹脂層之轉印材料，將上述轉印材料所具有之上述負型感光性樹脂層轉印到上述基材上以形成上述積層體之步驟為較佳。 關於本發明中所使用之負型感光性樹脂層及具有負型感光性樹脂層之轉印材料，進行後述。 上述積層體係至少具有基材及負型感光性樹脂層之積層體，可以具有偽支撐體、剝離層等其他層，但由基材、負型感光性樹脂層及偽支撐體構成之積層體、或者由基材及負型感光性樹脂層構成之積層體為較佳，由基材、負型感光性樹脂層及偽支撐體構成之積層體為更佳。 作為上述負型感光性樹脂層的厚度，並沒有特別限制，能夠對應地與後述之樹脂圖案的所希望的厚度而適當設定，但從所獲得之金屬圖案的錐角及尺寸穩定性的觀點考慮，8μm以上為較佳，10μm以上為更佳，15μm以上為進一步較佳，20μm以上為特佳，30μm以上為最佳。又，上述負型感光性樹脂層的厚度的上限為100μm以下為較佳。
-基材- 上述基材為板狀的基材為較佳，金屬基板為更佳。 又，上述基材係導電性基材，亦即至少在其表面具有導電性之導電性基材為較佳，上述基材係由導電性材料構成之基材，亦即基材整體具有導電性之導電性基材為更佳。 作為上述基材，例如，能夠適當地使用基於不鏽鋼等之金屬的薄板，或利用電解電鍍而在成為絕緣性材料之玻璃的上表面形成鎳的導電性膜者。 作為上述玻璃，能夠適當使用無鹼玻璃或鈉玻璃。 作為上述基材中所使用之導電性材料，例如，能夠使用鎳、鉻、鉭、鎢、氧化銦錫（ITO）等。又，在向基材賦予導電性時，還能夠使用基於無電解電鍍之導電膜的形成及基於濺射、真空蒸鍍、離子鍍等的物理方法。進而，作為成為基底之基材的材料，可以舉出玻璃板、不鏽鋼板、矽基板等。 在使用表面具有導電性層之基材之情況下，上述導電性層的厚度只要具有電解電鍍處理所需之導電性，則厚度薄為較佳。 又，上述導電性層的厚度具體為例如為0.5μm～5μm為較佳。
作為上述積層體的製作方法，並沒有特別限制，例如，可以舉出使用轉印材料而在基材上形成負型感光性樹脂層之方法、在基材上塗佈乾燥負型感光性樹脂組成物之方法等，可以適當舉出使轉印材料中的負型感光性樹脂層與基材貼合之方法。 又，上述轉印材料具有偽支撐體之情況下，在上述貼合後，進行剝離為較佳。 進而，上述轉印材料具有覆蓋膜之情況下，從負型感光性樹脂層的表面去除覆蓋膜之後，進行貼合即可。
作為使基材和轉印材料（轉印材料中的負型感光性樹脂層）貼合之方法，沒有特別限制，能夠使用公知的轉印方法及層壓方法。 藉由在轉印材料中的負型感光性樹脂層側重疊基材，並且使用輥等機構來實施加壓及加熱以進行上述貼合為較佳。又，進行上述貼合時，能夠使用層壓機、真空層壓機及能夠更加提高生產率之自動切割層壓機等公知的層壓機。
進而，上述貼合藉由輥對輥方式進行為較佳。 以下，對輥對輥方式進行說明。 在本發明中，輥對輥方式係指如下方式：包括作為基材而使用能夠捲取和放捲之基材，並且放捲基材及轉印材料中的至少一者之步驟（亦稱為“放捲步驟”。）及將上述積層體捲取之步驟（亦稱為“捲取步驟”。），並且在至少一個步驟（較佳為所有步驟，或者除了加熱步驟以外的所有步驟）中一邊傳送基材及轉印材料中的至少一者以及上述積層體，一邊貼合基材與轉印材料。 作為放捲步驟中的放捲方法及捲取步驟中的捲取方法，並沒有特別限制，只要在應用輥對輥方式之製造方法中，使用公知的方法即可。
＜圖案曝光步驟＞ 本發明之金屬圖案的形成方法包括從上述負型感光性樹脂層中的設置有上述基材之側的相反一側照射具有向曝光遮罩的厚度方向傾斜地入射之成分之光，隔著上述曝光遮罩將上述負型感光性樹脂層進行圖案曝光之步驟（亦稱為“圖案曝光步驟”。）。 作為照射具有向曝光遮罩的厚度方向傾斜地入射之成分之光之方法，並沒有特別限制，可以舉出向曝光遮罩照射散射光之方法、使用透鏡等光學構件而將照射角度寬的光照射到曝光遮罩之方法等。 作為形成散射光之方法，並沒有特別限制，能夠使用公知的方法，例如，可以適當舉出藉由散射層而形成散射光之方法。 作為形成照射角度寬之光的方法，並沒有特別限制，能夠使用公知的方法，例如，可以舉出將從照射角度窄之LED（發光二極體）照射之光透射到廣角透鏡或魚眼透鏡以使照射角度成為廣角之方法。 其中，圖案曝光步驟係從上述負型感光性樹脂層中的設置有上述基材之側的相反一側向曝光遮罩照射散射光，並且藉由透射上述曝光遮罩之光而將上述負型感光性樹脂層進行圖案曝光之步驟為較佳。 作為圖案曝光步驟，具體而言，例如，可以較佳地舉出從上述曝光遮罩的上述負型感光性樹脂層側的相反一側配置之曝光光源，隔著曝光遮罩而對上述負型感光性樹脂層照射散射光，從而進行圖案曝光之步驟。 散射光的照射係在上述曝光遮罩的上述負型感光性樹脂層側的相反一側依次配置擴散透射率為5%以上的散射層及曝光光源，並且從曝光光源隔著散射層來照射散射光為較佳。 另外，本發明中的圖案曝光係指，以圖案狀曝光之形態，亦即，在負型感光性樹脂層中，存在曝光部和非曝光部之形態的曝光。
在圖案曝光步驟中，上述圖案曝光中的圖案的詳細配置及具體尺寸並沒有特別限制。例如，只要依據所製造之顯示裝置（例如，觸控面板）進行適當選擇即可。 又，在上述圖案曝光中，作為上述曝光遮罩，使用用於曝光成所希望的形狀之遮罩（遮光遮罩）。作為上述曝光遮罩，並沒有特別限制，能夠使用公知的材質的遮罩。
-曝光光源- 作為本發明中的曝光光源，能夠使用公知者。 曝光光源只要係照射能夠曝光上述負型感光性樹脂層之波長的光（例如，365nm或405nm）之光源，則能夠適當選定使用。具體而言，可以舉出超高壓水銀燈、高壓水銀燈、金屬鹵素燈及LED（Light Emitting Diode：發光二極體）。 上述曝光時的光只要能夠曝光上述負型感光性樹脂層，則並沒有特別限制，包含波長為365nm或405nm的光為較佳，包含波長為365nm的光為更佳，波長為365nm的光為特佳。 作為曝光量，只要能夠對上述負型感光性樹脂層進行曝光，則並沒有特別限制，5mJ/cm 2～1,000mJ/cm 2為較佳，10mJ/cm 2～500mJ/cm 2為更佳。
使用具有偽支撐體及在上述偽支撐體上配置之負型感光性樹脂層之轉印材料之情況下，在圖案曝光步驟中，可以在從負型感光性樹脂層中剝離偽支撐體之後進行曝光，亦可以在隔著偽支撐體進行曝光之後剝離偽支撐體。 關於偽支撐體的剝離，例如，能夠藉由一邊以0.5m/min～4.0m/min的速度傳送包含負型感光性樹脂層及偽支撐體之積層體，一邊拉伸以使偽支撐體與積層體所成之角度為10°～180°來進行。藉由在曝光前剝離偽支撐體，能夠避免偽支撐體中所包含之異物或附著於偽支撐體之異物對曝光產生不良影響。 為了防止由負型感光性樹脂層與曝光遮罩接觸引起之負型感光性樹脂層的污染及避免由附著於曝光遮罩之異物引起之對曝光的影響，隔著偽支撐體而進行曝光為較佳。 亦即，在上述積層體中的上述負型感光性樹脂層上具有偽支撐體，並且在形成上述樹脂圖案之步驟中的上述曝光隔著上述偽支撐體進行為較佳，又，上述圖案曝光的步驟中的上述圖案曝光係使上述偽支撐體與上述曝光遮罩接觸以進行曝光之接觸曝光為更佳。 又，在上述圖案曝光的步驟中的上述圖案曝光係剝離了上述偽支撐體之後，使上述曝光遮罩與具有上述負型感光性樹脂層之上述積層體接觸以進行曝光之接觸曝光亦較佳。 作為使用曝光遮罩之曝光方法，能夠使用利用光刻機之、遮罩密接曝光、接近式曝光或投影曝光等已知的高清曝光機構。在使用光刻機來進行曝光之情況下，能夠任意地設定曝光遮罩與負型感光性樹脂層的距離（曝光接近間隙），0μm～500μm為較佳，10μm～300μm為更佳，25μm～200μm為特佳。 又，作為曝光遮罩，能夠使用二元式遮罩、灰色遮罩、半色調遮罩等。
-散射層- 在圖案曝光步驟中，隔著在曝光光源與曝光遮罩之間配置之散射層（更佳為擴散透射率為5%以上的散射層）進行具有向曝光遮罩的厚度方向傾斜地入射之成分之光（較佳為散射光）的照射為較佳。 散射層可以單獨設置，亦可以使用積層體的其他層，例如，曝光遮罩的基材、乾膜光阻中的偽支撐體等中具有散射性之材料來賦予作為散射層的功能。 從所獲得之樹脂圖案及金屬圖案的錐角的觀點考慮，可以較佳地舉出上述散射層與上述曝光遮罩在不相互接觸之位置配置之態樣。 上述散射層與上述曝光遮罩之間的距離例如只要設為0μm～200μm即可。 又，從所獲得之樹脂圖案及金屬圖案的錐角的觀點考慮，上述散射層在上述曝光遮罩中的上述負型感光性樹脂層側的相反一側配置為較佳。 擴散透射率的測量使用光擴散透射率的指標。光擴散透射率係指，向散射層照射光，在透射散射層之光中，從包含平行成分及擴散成分的全部之光線的總透射率中去除平行成分之擴散光的透射率。 光擴散透射率能夠依據JIS K 7136“塑膠-透明材料的霧度的計算方法（2000年）”而求出。 亦即，霧度值（霧值）係指下述式所表示之值，故，能夠藉由使用霧度計來求出成為被檢體之散射層的擴散透射率。 霧度值（霧值）%=〔擴散透射率（Td）/總透光率（Tt）〕×100 作為本發明中的測量裝置，採用使用了NIPPON DENSHOKU INDUSTRIES Co.,LTD霧度計 NDH7000II之值。
散射層的擴散透射率為5%以上為較佳，50%以上為更佳，70%以上為進一步較佳，90%以上為特佳。 擴散透射率的上限並沒有特別限制，例如，能夠設為100%。
散射層的散射角為15°以上為較佳，20°以上為更佳，20°以上且80°以下為進一步較佳，40°以上且70°以下為特佳。其中，散射角係指，將透射散射層之光的垂直方向作為0°的強度且成為其2分之1的強度之角度為止的寬度（正側及負側的合計）。還有時用諸如半峰全角之術語來表示。 散射角能夠使用測角儀等來測量。 關於光的散射特性，一般在正側和負側成為對稱，正側與負側不對稱之情況下，散射角的定義亦不改變。 散射角的值依據測量面的朝向而不同之情況下，將其中最大的值設為其散射層的散射角。
散射層並沒有特別限制，從容易調整擴散透射率且容易獲得之觀點考慮，散射層為含有黑矩陣材料及存在於黑矩陣材料中之粒子之散射層（以下，有時稱為含有黑矩陣材料及粒子之散射層）或者，在至少一個面具有凹凸之散射層為較佳。
-含有黑矩陣材料及粒子之散射層- 作為本發明中所使用之散射層的一態樣，可以舉出含有黑矩陣材料及存在於黑矩陣材料中且用於向散射層賦予光散射性之粒子（以下，有時稱為特定粒子）之層。 包含特定粒子之散射層係特定粒子分散於透明的黑矩陣材料中而包含之層為較佳。 作為黑矩陣材料，可以舉出玻璃、石英、樹脂材料等。 將玻璃或石英用作黑矩陣材料之情況下，只要揉合特定粒子使其在玻璃或石英中均勻地分散，並作為散射層即可。 將樹脂材料用作黑矩陣材料之情況下，能夠形成紫外線透射性的樹脂層之樹脂為較佳，例如，可以舉出丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚酯樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、環氧樹脂、胺基甲酸酯樹脂、矽酮樹脂等。 將樹脂材料用作黑矩陣材料之情況下，能夠藉由公知的方法來形成散射層。例如，能夠藉由對黑矩陣材料的樹脂顆粒及特定粒子進行熔融混煉，並且利用射出成形而獲得板狀的散射層。又，藉由硬化包含樹脂的前驅物單體及特定粒子之樹脂組成物來設為散射層，亦可以在包含樹脂材料及成為任意成分之溶劑等之混合物中硬化混煉有特定粒子之樹脂組成物來設為散射層。另外，散射層的形成方法並不限於上述方法。
特定粒子為了向散射層賦予充分的光散射性，上述散射層含有黑矩陣材料及在上述黑矩陣材料中存在之粒子，上述黑矩陣材料與上述粒子的折射率差為0.05以上為較佳，0.05～1.0為更佳，0.05～0.6為進一步較佳。 若黑矩陣材料與特定粒子的折射率差在上述範圍內，則能夠大幅度增加散射光強度，並且在散射光強度過大時所擔憂之由入射光的反射變得過大而引起之能量賦予的降低得到抑制，並且能夠賦予使負型感光性樹脂層硬化之充分的能量。
又，特定粒子為了向散射層賦予充分的光散射性，上述散射層含有黑矩陣材料及在上述黑矩陣材料中存在之粒子，上述粒子的平均一次粒徑為0.3μm以上為較佳。特定粒子的平均一次粒徑在0.3μm～2.0μm的範圍為更佳，0.5μm～1.5μm的範圍為特佳。若平均一次粒徑為上述範圍，則發生紫外線的米氏散射，前方散射光的強度變大，容易賦予使負型感光性樹脂層硬化之充分的能量。 特定粒子的平均一次粒徑係藉由使用電子顯微鏡來測量存在於視角內之任意200個特定粒子的粒徑，並且採用將所測量之數值進行算術平均而計算者。 另外，粒子的形狀不是球形之情況下，將最長的邊作為粒徑。
作為特定粒子，例如，可以舉出氧化鋯粒子（ZrO 2粒子）、氧化鈮粒子（Nb 2O 5粒子）、氧化鈦粒子（TiO 2粒子）、氧化鋁粒子（Al 2O 3粒子）、二氧化矽粒子（SiO 2粒子）等無機粒子、以及交聯聚甲基丙烯酸甲酯等有機粒子。
散射層可以僅包含1種特定粒子，亦可以包含2種以上。 特定粒子的含量並沒有特別限制，藉由調整散射層中的特定粒子的種類、尺寸、含量、形狀、折射率等來實現所希望的擴散透射率或者所希望的散射角為較佳。 作為特定粒子的含量，例如，相對於散射層的總質量，能夠設為5質量%～50質量%。
-在至少一個面具有凹凸之散射層- 作為散射層的另一態樣，可以舉出在至少一個面具有凹凸之散射層。藉由在散射層中的至少一個面具有凹凸，從而光藉由凹凸而被散射，並且散射光隔著散射層而照射到負型感光性樹脂層。 關於散射層中的凹凸，相鄰的凸部與凸部的頂部之間的距離為10μm～50μm為較佳。 關於凹凸，相鄰之凸部與凸部的底部之間接觸，從光散射性的觀點考慮，相鄰之凸部與凸部不具有空隙等間隔而密集地形成為較佳。 藉由調整凸部的尺寸、形狀、凸部的每單位面積的形成密度等，能夠實現所希望的擴散透射率或者所希望的散射角。凸部的形狀並沒有特別限制，可以依據作為目標的擴散透射率、擴散角度等而從半球形、圓錐形、棱錐形、脊狀等中適當選擇。
在至少一個面具有凹凸之散射層可以使用市售品。作為市售品，例如，可以舉出OPTICAL SOLUTIONS Corporation製造、透鏡擴散板（註冊商標）、產品名稱：（以下，相同）LSD5ACUVT10、LSD10ACUVT10、LSD20ACUVT10、LSD30ACUVT10、LSD40ACUVT10、LSD60ACUVT10、LSD80ACUVT10（以上為紫外線透射丙烯酸樹脂製）、 透鏡擴散板（註冊商標）：LSD5AC10、LSD10AC10、LSD20AC10、LSD30AC10、LSD40AC10、LSD60AC10、LSD80AC10（以上為丙烯酸樹脂製）、 透鏡擴散板（註冊商標）：LSD5PC10、LSD10PC10、LSD20PC10、LSD30PC10、LSD40PC10、LSD60PC10、LSD80PC10、LSD60×10PC10、LSD60×1PC10、LSD40×1PC10、LSD30×5PC10（以上為聚碳酸酯製）、 透鏡擴散板（註冊商標）：LSD5U3PS（以上為石英玻璃製）等。
作為其他散射層，可以舉出Nihon Tokushu Kogaku Jushi Co., Ltd.製造之Fly eye lens FE10、FIT corporation製造之Diffuser、SUNTECHOPT Corporation製造之SDXK-1FS，SDXK-AFS、SDXK-2FS、Fillplus, Inc.製造之光擴散膜MX、SHIBUYA OPTICAL CO.,LTD製造之丙烯酸擴散板ADF901、ADF852、ADF803、ADF754、ADF705、ADF656、ADF607、ADF558、ADF509、ADF451、Oji F-Tex Co., Ltd.製造之Nano buckling（註冊商標）、LINTEC Corporation製造之光擴散膜HDA060、HAA120、GBA110、DCB200、FCB200、IKA130、EDB200、3M Japan Limited製造之Scotch Cal（註冊商標）光擴散擴散膜3635-30、3635-70、KIMOTO CO.,LTD.製造之Light up（註冊商標）SDW、EKW、K2S、LDS、PBU、GM7、SXE、MXE、SP6F、Opt Saver（註冊商標）L-9、L-11、L-19、L-20、L-35、L-52、L-57、STC3、STE3、Chemical Matte（註冊商標）75PWX、125PW、75PBA、75BLB、75PBB、KEIWA Inc.製造之Opulse（註冊商標）PBS-689G、PBS-680G、PBS-689HF、PBS-680HG、PBS-670G、UDD-147D2、UDD-148D2、SHBS-227C1、SHBS-228C2、UDD-247D2、PBS-630L、PBS-630A、PBS-632A、BS-539、BS-530、BS-531、BS-910、BS-911、BS-912、Kuraray Co., Ltd.製造之Legend（註冊商標）PC、CL、HC、OC、TR、MC、SQ、EL、OE、TSUJIDEN CO.,LTD.製造之D120P、D121UPZ、D121UP、D261SIIIJ1、D261IVJ1、D263SIII、S263SIV、D171、D171S、D174S等。
散射層的厚度為2mm以下為較佳，1mm以下為更佳，100μm以下為進一步較佳。 散射層的厚度為0.5μm以上為較佳，1μm以上為更佳。 散射層的厚度採用藉由掃描式電子顯微鏡（SEM）觀察散射層的剖面而測量之任意5處的測量值的算術平均值。
散射光的照射不限於經由獨立的散射層之光照射。 例如，曝光遮罩中的除了遮光部以外的層能夠適當使用具有光散射性之散射性的曝光遮罩。若使用散射性的曝光遮罩（亦簡稱為“散射性曝光遮罩”。），則隔著曝光遮罩之光成為散射光。 其中，從所獲得之樹脂圖案及金屬圖案的錐角的觀點考慮，可以較佳地舉出如下態樣：上述曝光遮罩係在形成有遮光圖案之面的相反一側的面上形成上述散射層之散射性的曝光遮罩。
在圖案曝光步驟中的散射光的照射中，散射層的配置位置只要係在曝光光源與曝光遮罩之間，則配置位置並沒有特別限制。 例如，在上述負型感光性樹脂層中的設置有上述基材之側的相反一側可以依序具有曝光遮罩、散射層、曝光光源。
參閱圖示對隔著散射層照射散射光（具有向曝光遮罩的厚度方向傾斜地入射之成分之光的較佳的一例）時之散射層的配置位置的例子進行說明。 圖2係表示在圖案曝光步驟的光照射中，散射層的配置位置的第1態樣之概略剖面圖。圖2中示出之經曝光之積層體前驅物具有基材12、負型感光性樹脂層16、成為偽支撐體24之聚對酞酸乙二酯（PET）薄膜及具有遮光區域26A之曝光遮罩26，散射層28在曝光光源（未圖示）側（負型感光性樹脂層16中的設置有基材12側的相反一側），以與曝光遮罩26不相互接觸之位置配置。 在圖2～圖4中，照射光的光徑由箭頭示意性地表示。 如在圖2中記載那樣，透射散射層28而被散射之散射光由於與負型感光性樹脂層16的法線方向存在角度之狀態下進行散射，因此負型感光性樹脂層16中的硬化區域所形成之圖案狀的硬化層16A的側面相對基材的面方向具有平緩的斜率。圖案狀的硬化層16A的側面相對基材的面方向的錐角為50°以下為較佳。
圖3係表示在圖案曝光步驟的光照射中，散射層的配置位置的第2態樣之概略剖面圖。圖3中的經曝光之積層體前驅物具有與圖2中示出之經曝光之積層體前驅物相同的層結構。在圖3中示出之第2態樣中，散射層28與曝光遮罩26接觸地配置。 散射層28可以在曝光遮罩26的光源側的表面藉由塗佈和貼附等而一體地形成。 在圖3中示出之第2態樣中，透射散射層28而被散射之散射光向不具有曝光遮罩26的遮光區域26A之區域作為散射光入射，如圖3所示，在側面觀察負型感光性樹脂層16中的在硬化區域形成之圖案狀的硬化層16A時，相對基材的面方向具有平緩的斜率。圖案狀的硬化層16A在與基材的法線方向平行的剖面中，相對基材的面方向的錐角為50°以下為較佳。
圖4係表示在圖案曝光步驟的光照射中，使用成為散射層的配置位置的第3態樣之散射性曝光遮罩之一例之概略剖面圖。 在圖4中示出之第3態樣中，作為曝光遮罩，使用擴散透射率為5%以上的散射性曝光遮罩32。散射性曝光遮罩32係在散射性的基材的所希望的區域具有遮光區域32A之散射性曝光遮罩32。散射性曝光遮罩的擴散透射率如上所述。 在圖4中示出之第3態樣中，藉由負型感光性樹脂層16中的設置有基材12之側的相反一側配置之曝光光源（未圖示）照射之照射光透射散射性曝光遮罩32而成為散亂的散射光，由於向負型感光性樹脂層16以相對基材的法線方向具有角度之狀態入射，因此如圖4所示那樣，在側面觀察負型感光性樹脂層16中的在硬化區域形成之圖案狀的硬化層16A時，相對基材的面方向具有平緩的斜率。圖案狀的硬化層16A在與基材的法線方向平行的剖面中，相對基材的面方向的錐角為50°以下為較佳。
在任意態樣中，在本發明的金屬圖案的形成方法中，散射光從曝光光源照射到曝光遮罩，並且負型感光性樹脂層隔著曝光遮罩而曝光成圖案狀。因此，負型感光性樹脂層中的在硬化區域形成之圖案狀的硬化層的側面部分相對基材的面方向具有平緩的斜率，不容易成為斜率陡的側面，因此能夠形成具有上述之各種優點之積層體。 在曝光後為了提高圖案的平直度，在樹脂圖案形成步驟之前進行熱處理亦較佳。藉由被稱為所謂的PEB（Post Exposure Bake：曝光後烘烤）之步驟，能夠降低曝光時在負型感光性樹脂層中產生之由駐波引起之圖案邊緣的粗糙。
＜樹脂圖案形成步驟＞ 本發明之金屬圖案的形成方法包括在經上述圖案曝光之上述負型感光性樹脂層進行顯影以形成具有錐形形狀之樹脂圖案之步驟（亦稱為“樹脂圖案形成步驟”。）。 作為所形成之樹脂圖案的厚度，能夠從孔間距、開口直徑、蒸鍍角度的關係中適當選擇，但從所獲得之金屬圖案的錐角及尺寸穩定性的觀點考慮，10μm以上為較佳，15μm以上為更佳，20μm以上為進一步較佳，30μm以上為特佳。又，上限為100μm以下為較佳。 本發明中的樹脂圖案、金屬圖案及各層的厚度的測量方法設為藉由掃描式電子顯微鏡（SEM）觀察轉印材料或相對於上述積層體的面方向垂直之方向的剖面，並進行測量者。又，只要沒有特別指定，則上述厚度的值為測量10處以上的厚度之平均值。
在本發明中，樹脂圖案中的“錐形形狀”係指，在測量樹脂圖案的頂部（基材側的相反一側）的寬度（W1）和樹脂圖案的底部（基材側）的寬度（W2）時，成為W1＜W2的關係之情況。錐角係指圖案的側面與基材所成之角度，可以近似於由直線連接樹脂圖案的頂部的端部與底部的端部時之上述直線與基材表面所成之角度。 錐角亦能夠從孔間距、開口直徑、蒸鍍角度的關係中適當選擇，10°～80°為較佳，20°～70°為更佳，30°～60°為特佳。 又，本發明中的樹脂圖案相對於基材的錐形形狀係正錐形形狀為較佳。
在本發明中，關於上述樹脂圖案的錐形形狀，例如能夠藉由選擇向曝光遮罩傾斜地入射之成分中的光的角度及其量來調整其角度。 例如，使用散射層之情況下，可以舉出調整散射層的散射角及擴散透射率、以及曝光光源的光量等。
上述樹脂圖案的形狀並沒有特別限制，只要依據需要適當選擇即可，但從進一步發揮在本發明中的效果之觀點考慮，上述樹脂圖案包含錐台狀的樹脂圖案為較佳，包含角錐台狀或圓錐台狀的樹脂圖案為更佳。 又，從進一步發揮在本發明中的效果之觀點考慮，上述樹脂圖案包括基材側的相反一側的面的最大直徑為100μm以下的樹脂圖案為較佳，包括基材側的相反一側的面的最大直徑為50μm以下的樹脂圖案為更佳，包括基材側的相反一側的面的最大直徑為0.1μm以上且20μm以下的樹脂圖案為進一步較佳，包括基材側的相反一側的面的最大直徑為0.2μm以上且10μm以下的樹脂圖案為特佳。 進而，從進一步發揮在本發明中的效果之觀點考慮，上述樹脂圖案包括基材側的相反一側的面的面積為1,200μm 2以下的樹脂圖案為較佳，包括基材側的相反一側的面的面積為500μm 2以下的樹脂圖案為更佳，包括基材側的相反一側的面的面積為0.1μm 2以上且250μm 2以下的樹脂圖案為進一步較佳，包括基材側的相反一側的面的面積為1μm 2以上且100μm 2以下的樹脂圖案為特佳。
在上述樹脂圖案形成步驟中，藉由對經圖案曝光之負型感光性樹脂層進行顯影以形成具有錐形形狀之樹脂圖案。 上述轉印材料具有中間層之情況下，在樹脂圖案形成步驟中，非曝光部的中間層亦與非曝光部的負型感光性樹脂層一起被去除。又，在樹脂圖案形成步驟中，曝光部的中間層亦可以以溶解或分散於顯影液之形式去除。
能夠使用顯影液進行上述樹脂圖案形成步驟中的經曝光之負型感光性樹脂層的顯影。 作為顯影液，只要能夠去除負型感光性樹脂層的非圖像部（非曝光部），則並沒有特別限制，例如，能夠使用日本特開平5-72724號公報中記載之顯影液等公知的顯影液。 作為顯影液，以0.05mol/L～5mol/L（升）的濃度包含pKa=7～13的化合物之鹼水溶液系顯影液為較佳。顯影液可以含有水溶性的有機溶劑和/或界面活性劑。作為顯影液，國際公開第2015/093271號的0194段中記載之顯影液亦較佳。
作為顯影方式，並沒有特別限制，可以係覆液式顯影、噴淋顯影、噴淋及旋轉顯影以及浸塗顯影中的任一種。噴淋顯影係指，藉由噴淋而向曝光後的負型感光性樹脂層吹送顯影液以去除非曝光部之顯影處理。 在上述樹脂圖案形成步驟之後，藉由噴淋來吹送清洗劑，一邊用刷子擦拭，一邊去除顯影殘渣為較佳。 顯影液的液體溫度並沒有特別限制，20℃～40℃為較佳。
＜金屬圖案形成步驟＞ 本發明之金屬圖案的形成方法包括形成與上述樹脂圖案的形狀對應之錐形形狀的金屬圖案之步驟（亦稱為“金屬圖案形成步驟”。）。 作為所形成之金屬圖案的厚度，並沒有特別限制，能夠依據需要適當選擇，但從所獲得之金屬圖案的強度及耐久性的觀點考慮，5μm以上為較佳，10μm以上為更佳，12μm以上為進一步較佳，15μm以上為特佳。又，上限為100μm以下為較佳，50μm以下為更佳。
在本發明中，金屬圖案中的“與樹脂圖案的形狀對應之錐形形狀係指，與具有錐形形狀之樹脂圖案的形狀對應地形成之金屬圖案的錐形形狀。如上所述，樹脂圖案只要成為W1＜W2的關係，則在測量金屬圖案的頂部（基材側的反對側）的寬度（W3）、金屬圖案的底部（基材側）的寬度（W4）時，成為W3＞W4的關係。例如，與後述之形成為正錐形形狀之樹脂圖案對應之金屬圖案成為倒錐形形狀。 又，金屬圖案的錐形形狀的錐角度係指金屬圖案的側面與基材所成之角度，可以近似於由直線連接金屬圖案的頂部的端部與底部的端部時之上述直線與基材表面所成之角度。 金屬圖案的錐角亦能夠適當選擇，100°～170°為較佳，110°～160°為更佳，120°～150°為特佳。
從進一步發揮在本發明中的效果之觀點考慮，上述金屬圖案係具備具有上述錐形形狀之開口部之金屬圖案為較佳。 從進一步發揮在本發明中的效果之觀點考慮，上述金屬圖案包括在金屬圖案的面方向上的至少一個面上具有之開口部的最大直徑為100μm以下的樹脂圖案為較佳，包括在金屬圖案的面方向上的至少一個面上具有之開口部的最大直徑為50μm以下的樹脂圖案為更佳，包括在金屬圖案的面方向上的至少一個面上具有之開口部的最大直徑為0.1μm以上且20μm以下的樹脂圖案為進一步較佳，包括在金屬圖案的面方向上的至少一個面上具有之開口部的最大直徑為0.2μm以上且10μm 2以下的樹脂圖案為特佳。 進而，從進一步發揮在本發明中的效果之觀點考慮，上述金屬圖案包括在金屬圖案的面方向上的至少一個面上具有之開口部的開口面積為1,200μm 2以下的樹脂圖案為較佳，包括在金屬圖案的面方向上的至少一個面上具有之開口部的開口面積為500μm 2以下的樹脂圖案為更佳，包括在金屬圖案的面方向上的至少一個面上具有之開口部的開口面積為0.1μm 2以上且250μm 2以下的樹脂圖案為進一步較佳，包括在金屬圖案的面方向上的至少一個面上具有之開口部的開口面積為1μm 2以上且100μm 2以下的樹脂圖案為特佳。
上述金屬圖案形成步驟中的金屬圖案的形成方法只要係能夠形成與上述樹脂圖案的形狀對應之倒錐形形狀的金屬圖案之方法，則並沒有特別限制，可以較佳地舉出電鍍法（電鑄法）。 亦即，上述金屬圖案係藉由電鍍法而形成之金屬圖案為較佳。 作為藉由電鍍法而形成金屬圖案之方法，例如，可以舉出以下方法。 在形成了上述樹脂圖案之基材的具有導電性之部分連接電鍍電源，並浸漬到用於析出所希望的金屬之電鍍浴中。在基材的上表面暴露之部分以膜狀析出電鍍物，使電鍍金屬在上述樹脂圖案的厚度以下的範圍內析出，並且使其生長為倒錐形形狀的金屬圖案。 作為電鍍浴，可以舉出胺基磺酸鎳、在其中添加了鈷之鎳-鈷合金浴等。在電鍍處理中，藉由電流值及通電或浸漬時間來控制電鍍厚度。 又，關於電鍍浴的組成、電鍍處理溫度、電鍍處理時之電流值、電鍍處理時間等，並沒有特別限制，能夠依據需要適當選擇。 進而，並不限於電鍍，亦可以藉由無電鍍法使金屬析出。 又，電鍍處理能夠在室溫（例如，5℃～30℃）至60℃左右的範圍內進行。
上述金屬圖案中的金屬能夠使用鎳、鎳-鈷合金、鐵-鎳合金、銅等各種金屬。 其中，包含30質量%以上且45質量%以下的鎳之鐵鎳合金為較佳，以36質量%的鎳與64質量%的鐵的合金作為主成分之金屬，亦即銦鋼為更佳。金屬圖案的形成材料為銦鋼之情況下，金屬圖案的熱膨脹係數例如為1.2×10 -6/℃左右。
＜樹脂圖案去除步驟＞ 本發明之金屬圖案的形成方法在形成上述金屬圖案之步驟之後，進一步包括去除上述樹脂圖案之步驟（亦稱為“樹脂圖案去除步驟”。）為較佳。 關於樹脂圖案去除步驟中的樹脂圖案的去除，作為其方法並沒有特別限制，藉由藥液進行為較佳。 作為上述樹脂圖案的去除方法，可以舉出在較佳為30℃～80℃、更佳為50℃～80℃下，在攪拌過程中的藥液中浸漬1分鐘～30分鐘具有上述樹脂圖案及上述金屬圖案之基材之方法。
作為藥液，例如，可以舉出將氫氧化鈉、氫氧化鉀等無機鹼成分或第一級胺化合物、第二級胺化合物、第三級胺化合物、第四級銨鹽化合物等有機鹼成分溶解於水、二甲基亞碸、N-甲基吡咯啶酮或者該等混合溶液而得之液體。 又，亦可以使用藥液並利用噴塗法、噴淋法、覆液法等進行去除。
＜基材去除步驟＞ 本發明之金屬圖案的形成方法在形成上述金屬圖案之步驟之後，進一步包括從上述金屬圖案去除上述基材之步驟為較佳。 去除了上述基材之金屬圖案具有與光阻圖案互補之具有倒錐形形狀之具有傾斜側壁之開孔圖案，並且能夠適當用作薄板狀的金屬遮罩。 作為從上述金屬圖案中去除上述基材去除步驟中的上述基材之方法，並沒有特別限制，可以舉出較佳地舉出剝離上述基材及上述金屬圖案之方法。 又，上述金屬圖案係金屬部分全部連接之圖案為較佳。 上述剝離並沒有特別限制，例如，能夠藉由以180°折返之狀態進行拉伸來剝離基材。剝離速度並沒有特別限制，1mm/s～50mm/s為較佳。
＜其他步驟＞ 本發明之金屬圖案的形成方法可以包括除了上述以外的任意步驟（其他步驟）。作為其他步驟，並沒有特別限制，可以舉出公知的步驟。 又，作為本發明中的樹脂圖案形成步驟及其他步驟的一例，在本發明中亦能夠適當使用日本特開2006-23696號公報的0035段～0051段中記載之方法。 又，本發明之金屬圖案的形成方法可以包括將所獲得之金屬圖案進行研磨之步驟及將所獲得之金屬圖案進行清洗之步驟等。
＜金屬圖案的用途＞ 藉由本發明之金屬圖案的形成方法製造之金屬圖案的用途並沒有特別限制，上述金屬圖案能夠作為金屬遮罩用金屬圖案而適當使用，能夠作為蒸鍍用金屬遮罩用金屬圖案而進一步適當使用，能夠作為有機發光材料蒸鍍用金屬遮罩用金屬圖案而特別適當使用。又，作為上述有機發光材料，可以適當舉出有機EL顯示裝置中所使用之紅色（R）、綠色（G）或藍色（B）的有機發光材料（RGB有機發光材料），可以特別適當舉出有機EL發光二極體中所使用之RGB有機發光材料。 又，藉由本發明之金屬圖案的形成方法而製造之金屬圖案能夠特別適當地作為在有機EL發光二極體（OLED）的製造中使用之蒸鍍用金屬遮罩來使用。 進而，作為藉由本發明之金屬圖案的形成方法而製造之金屬圖案的其他用途，並沒有特別限制，作為用於焊膏印刷，亦可以舉出用於觸控面板之點陣印刷、PDP（Plasma Display Panel：等離子顯示面板）的螢光印刷等。
以下，關於本發明中所使用之負型感光性樹脂層及具有負型感光性樹脂層之轉印材料進行詳細說明。
＜＜負型感光性樹脂層＞＞ 在本發明中所使用之轉印材料至少具有負型感光性樹脂層。 負型感光性樹脂層可以包含聚合性化合物、聚合起始劑及其其他成分。
-聚合性化合物- 負型感光性樹脂層包含聚合性化合物為較佳。 聚合性化合物係具有聚合性基圖之化合物。作為聚合性基圖，可以舉出自由基聚合性基團及陽離子聚合性基圖，從硬化靈敏度更良好之觀點考慮，自由基聚合性基團為較佳。
聚合性化合物包含具有乙烯性不飽和基之聚合性化合物（以下，還簡稱為“乙烯性不飽和化合物”。）為較佳。 作為乙烯性不飽和基，（甲基）丙烯醯基為較佳。
乙烯性不飽和化合物包含2官能以上的乙烯性不飽和化合物為較佳。其中，“2官能以上的乙烯性不飽和化合物”係指，一分子中具有2個以上的乙烯性不飽和基之化合物。
作為乙烯性不飽和化合物，（甲基）丙烯酸酯化合物為較佳。 作為乙烯性不飽和化合物，例如，從硬化後的膜強度的觀點考慮，包含2官能的乙烯性不飽和化合物（較佳為2官能的（甲基）丙烯酸酯化合物）及3官能以上的乙烯性不飽和化合物（較佳為3官能以上的（甲基）丙烯酸酯化合物）為較佳。
作為2官能的乙烯性不飽和化合物，例如，可以舉出三環癸二甲醇二（甲基）丙烯酸酯、三環癸二乙醇二（甲基）丙烯酸酯、1,9-壬二醇二（甲基）丙烯酸酯、1,10-癸二醇二（甲基）丙烯酸酯及1,6-己二醇二（甲基）丙烯酸酯。
作為2官能的乙烯性不飽和化合物的市售品，例如，可以舉出三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯〔產品名稱：NK Ester A-DCP、Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.製造〕、三環癸烷二甲醇二甲基丙烯酸酯〔產品名稱：NK Ester DCP、Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.製造〕、1,9-壬二醇二丙烯酸酯〔產品名稱：NK Ester A-NOD-N、Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.製造〕、1,10-癸二醇二丙烯酸酯〔產品名稱：NK Ester A-DOD-N、Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.製造〕及1,6-己二醇二丙烯酸酯〔產品名稱：NK Ester A-HD-N、Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.製造〕。
作為3官能以上的乙烯性不飽和化合物，例如，可以舉出二新戊四醇（三/四/五/六）（甲基）丙烯酸酯、新戊四醇（三/四）（甲基）丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、二三羥甲基丙烷四（甲基）丙烯酸酯、異三聚氰酸（甲基）丙烯酸酯及甘油三（甲基）丙烯酸酯。
其中，“（三/四/五/六）（甲基）丙烯酸酯”係包含三（甲基）丙烯酸酯、四（甲基）丙烯酸酯、五（甲基）丙烯酸酯及六（甲基）丙烯酸酯之概念。又，“（三/四）（甲基）丙烯酸酯”係包含三（甲基）丙烯酸酯及四（甲基）丙烯酸酯之概念。 作為3官能以上的乙烯性不飽和化合物，官能基數的上限並沒有特別限制，例如，能夠設為20官能以下，還能夠設為15官能以下。
作為3官能以上的乙烯性不飽和化合物的市售品，例如，可以舉出二新戊四醇六丙烯酸酯〔產品名稱：KAYARAD DPHA、Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.〕。
乙烯性不飽和化合物包含1,9-壬二醇二（甲基）丙烯酸酯或1,10-癸二醇二（甲基）丙烯酸酯及二新戊四醇（三/四/五/六）（甲基）丙烯酸酯為更佳。
作為乙烯性不飽和化合物，還可以舉出（甲基）丙烯酸酯化合物的己內酯改質化合物〔Nippon Kayaku Co.,Ltd.製造之KAYARAD（註冊商標）DPCA-20、Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.製造之A-9300-1CL等〕、（甲基）丙烯酸酯化合物的環氧烷改質化合物〔Nippon Kayaku Co.,Ltd.製造之KAYARAD（註冊商標）RP-1040、Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.製造之ATM-35E、A-9300、DAICEL-ALLNEX LTD.的EBECRYL（註冊商標）135等〕及乙氧基化三丙烯酸甘油酯〔Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.製造之NK Ester A-GLY-9E等〕。
作為乙烯性不飽和化合物，還可以舉出胺基甲酸酯（甲基）丙烯酸酯化合物。作為胺基甲酸酯（甲基）丙烯酸酯化合物，3官能以上的胺基甲酸酯（甲基）丙烯酸酯化合物為較佳。作為3官能以上的胺基甲酸酯（甲基）丙烯酸酯化合物，例如，可以舉出8UX-015A〔TAISEI FINE CHEMICAL CO,.LTD.製造〕、NK Ester UA-32P〔Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.製造〕及NK Ester UA-1100H〔Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.製造〕。
從提高顯影性之觀點考慮，乙烯性不飽和化合物包含具有酸基之乙烯性不飽和化合物為較佳。
作為酸基，例如，可以舉出磷酸基、磺酸基及羧基。在上述中，作為酸基，羧基為較佳。
作為具有酸基之乙烯性不飽和化合物，可以舉出具有酸基之3官能～4官能的乙烯性不飽和化合物〔向新戊四醇三及四丙烯酸酯（PETA）骨架導入了羧基而得之化合物（酸值：80KOH/g～120mgKOH/g）〕及具有酸基之5～6官能的乙烯性不飽和化合物〔向二新戊四醇五丙烯酸酯及二新戊四醇六丙烯酸酯（DPHA）骨架導入了羧基而得之化合物（酸值：25KOH/g～70mgKOH/g）〕。具有酸基之3官能以上的乙烯性不飽和化合物可以依據需要而併用具有酸基之2官能的乙烯性不飽和化合物。
作為具有酸基之乙烯性不飽和化合物，選自包括具有羧基之2官能以上的乙烯性不飽和化合物及其羧酸酐之群組中的至少一種化合物為較佳。若具有酸基之乙烯性不飽和化合物為選自包括具有羧基之2官能以上的乙烯性不飽和化合物及其羧酸酐之群組中的至少一種化合物，則顯影性及膜強度得到進一步提高。
作為具有羧基之2官能以上的乙烯性不飽和化合物，可以舉出ARONIX（註冊商標）TO-2349〔TOAGOSEI CO.,LTD.製造〕、ARONIX（註冊商標）M-520〔TOAGOSEI CO.,LTD.製造〕及ARONIX（註冊商標）M-510〔TOAGOSEI CO.,LTD.製造〕。
作為具有酸基之乙烯性不飽和化合物，能夠較佳地使用具有日本特開2004-239942號公報的0025～0030段中記載之酸基之聚合性化合物，該公報中記載之內容可以藉由參閱而編入到本說明書中。
乙烯性不飽和化合物的分子量為200～3,000為較佳，250～2,600為更佳，280～2,200為進一步較佳，300～2,200為特佳。
乙烯性不飽和化合物中，分子量為300以下的乙烯性不飽和化合物的含量相對於負型感光性樹脂層中所包含之所有乙烯性不飽和化合物的含量為30質量%以下為較佳，25質量%以下為更佳，20質量%以下為進一步較佳。
負型感光性樹脂層可以單獨包含1種乙烯性不飽和化合物，亦可以包含2種以上的乙烯性不飽和化合物。
乙烯性不飽和化合物的含量相對於負型感光性樹脂層的總質量為1質量%～70質量%為較佳，10質量%～70質量%為更佳，20質量%～60質量%為進一步較佳，20質量%～50質量%為特佳。 負型感光性樹脂層包含2官能以上的乙烯性不飽和化合物之情況下，可以進一步包含單官能乙烯性不飽和化合物。
負型感光性樹脂層包含2官能以上的乙烯性不飽和化合物之情況下，在負型感光性樹脂層中所包含之乙烯性不飽和化合物中，2官能以上的乙烯性不飽和化合物為主成分為較佳。 負型感光性樹脂層包含2官能以上的乙烯性不飽和化合物之情況下，2官能以上的乙烯性不飽和化合物的含量相對於負型感光性樹脂層中所包含之所有乙烯性不飽和化合物的含量為60質量%～100質量%為較佳，80質量%～100質量%為更佳，90質量%～100質量%為進一步較佳。
負型感光性樹脂層包含具有酸基之乙烯性不飽和化合物（較佳為具有羧基之2官能以上的乙烯性不飽和化合物或其羧酸酐）之情況下，具有酸基之乙烯性不飽和化合物的含量相對於負型感光性樹脂層的總質量為1質量%～50質量%為較佳，1質量%～20質量%為更佳，1質量%～10質量%為進一步較佳。
-聚合起始劑- 負型感光性樹脂層包含聚合起始劑為較佳。 作為聚合起始劑，可以舉出熱聚合起始劑及光聚合起始劑，光聚合起始劑為較佳。 作為光聚合起始劑，例如，可以舉出具有肟酯結構之光聚合起始劑（以下，亦稱為“肟系光聚合起始劑”。）、具有α-胺基烷基苯酮結構之光聚合起始劑（以下，亦稱為“α-胺基烷基苯酮系光聚合起始劑”。）、具有α-羥基烷基苯酮結構之光聚合起始劑（以下，亦稱為“α-羥基烷基苯酮系聚合起始劑”。）、具有醯基氧化膦結構之光聚合起始劑（以下，亦稱為“醯基氧化膦系光聚合起始劑”。）及具有N-苯基甘胺酸結構之光聚合起始劑（以下，亦稱為“N-苯基甘胺酸系光聚合起始劑”。）。
光聚合起始劑包含選自包括肟系光聚合起始劑、α-胺基烷基苯酮系光聚合起始劑、α-羥基烷基苯甲酮系聚合起始劑及N-苯基甘胺酸系光聚合起始劑之群組中的至少一種為較佳，包含選自包括肟系光聚合起始劑、α-胺基烷基苯酮系光聚合起始劑及N-苯基甘胺酸系光聚合起始劑之群組中的至少一種為更佳。 又，作為光聚合起始劑，例如，可以使用日本特開2011-095716號公報的0031～0042段及日本特開2015-014783號公報的0064～0081段中所記載之聚合起始劑。
作為光聚合起始劑的市售品，例如，可以舉出1-[4-（苯硫基）苯基]-1,2-辛二酮-2-（鄰苯甲醯基肟）〔產品名稱：IRGACURE（註冊商標）OXE-01、BASF公司製造〕、1-[9-乙基-6-（2-甲基苯甲醯基）-9H-咔唑-3-基]乙酮-1-（鄰乙醯肟）〔產品名稱：IRGACURE（註冊商標）OXE-02、BASF公司製造〕、[8-[5-（2,4,6-三甲基苯基）-11-（2-乙基己基）-11H-苯并[a]咔唑基][2-（2,2,3,3-四氟丙氧基）苯基]甲酮-（鄰乙醯肟）〔產品名稱：IRGACURE（註冊商標）OXE-03、BASF公司製造〕、1-[4-[4-（2-苯并呋喃基羰基）苯基]硫]苯基]-4-甲基-1-戊酮-1-（鄰乙醯肟）〔產品名稱：IRGACURE（註冊商標）OXE-04、BASF公司製造〕、2-（二甲胺基）-2-[（4-甲基苯基）甲基]-1-[4-（4-口末啉基）苯基]-1-丁酮〔產品名稱：IRGACURE（註冊商標）379EG、BASF公司製造〕、2-甲基-1-（4-甲基硫代苯基）-2-口末啉代丙烷-1-酮〔產品名稱：IRGACURE（註冊商標）907、BASF公司製造〕、2-羥基-1-｛4-[4-（2-羥基-2-甲基丙醯基）苄基]苯基｝-2-甲基丙-1-酮〔產品名稱：IRGACURE（註冊商標）127、BASF公司製造〕、2-芐基-2-二甲胺基-1-（4-口末啉代苯基）-丁酮-1〔產品名稱：IRGACURE（註冊商標）369、BASF公司製造〕、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮〔產品名稱：IRGACURE（註冊商標）1173、BASF公司製造〕、1-羥基環己基苯基酮〔產品名稱：IRGACURE（註冊商標）184、BASF公司製造〕、2,2-二甲氧基-1,2-二苯乙烷1-酮〔產品名稱：IRGACURE 651、BASF公司製造〕及肟酯系化合物〔產品名稱：Lunar（註冊商標）6、DKSH JAPAN K.K.製造〕、1-（聯苯-4-基）-2-甲基-2-口末啉代丙烷-1-酮〔產品名稱APi-307（註冊商標）、Shenzhen UV-ChemTech LTD製造〕、1-[4-（苯硫基）苯基]-3-環戊基丙烷-1,2-二酮-2-（鄰苯甲醯基肟）〔產品名稱：TR-PBG-305、Changzhou Tronly New Electronic Materials CO.,LTD.製造〕、3-環己基-1-[9-乙基-6-（2-呋喃基羰基）-9H-咔唑-3-基]-1,2-丙烷二酮-2-（鄰乙醯肟）〔產品名稱：TR-PBG-326、Changzhou Tronly New Electronic Materials CO.,LTD.製造〕、3-環己基-1-（6-（2-（苯甲醯氧基亞胺基）己醯基）-9-乙基-9H-咔唑-3-基）丙烷-1,2-二酮-2-（鄰苯甲醯基肟）〔產品名稱：TR-PBG-391、Changzhou Tronly New Electronic Materials CO.,LTD.製造〕。
負型感光性樹脂層可以單獨包含1種聚合起始劑，亦可以包含2種以上的聚合起始劑。 聚合起始劑的含量相對於負型感光性樹脂層的總質量為0.1質量%以上為較佳，0.5質量%以上為更佳。又，聚合起始劑的含量的上限相對於負型感光性樹脂層的總質量為10質量%以下為較佳，5質量%以下為更佳。
-鹼溶性丙烯酸樹脂- 負型感光性樹脂層可以包含鹼溶性丙烯酸樹脂。 負型感光性樹脂層藉由包含鹼溶性丙烯酸樹脂來提高負型感光性樹脂層（非曝光部）對顯影液的溶解性。
在本發明中，“鹼溶性”係指，藉由以下方法求得之溶解速度為0.01μm/秒以上。 將對象化合物（例如，樹脂）的濃度為25質量%的丙二醇單甲醚乙酸酯溶液塗佈於玻璃基板上，接著，用100℃的烘箱加熱3分鐘，從而形成上述化合物的塗膜（厚度2.0μm）。藉由將上述塗膜浸漬於碳酸鈉的1質量%水溶液（液溫30℃）而求出上述塗膜的溶解速度（μm/秒）。 另外，對象化合物不溶解於丙二醇單甲醚乙酸酯之情況下，使對象化合物溶解於除了丙二醇單甲醚乙酸酯以外的沸點小於200℃的有機溶劑（例如，四氫呋喃、甲苯或乙醇）中。
作為鹼溶性丙烯酸樹脂，只要是具有在上述中說明之鹼溶性之丙烯酸樹脂則並不受限制。其中，“丙烯酸樹脂”係指包含來自於（甲基）丙烯酸之構成單元及來自於（甲基）丙烯酸酯之構成單元中的至少一個之樹脂。
鹼溶性丙烯酸樹脂中的來自於（甲基）丙烯酸之構成單元及來自於（甲基）丙烯酸酯之構成單元的合計比例為30莫耳%以上為較佳，50莫耳%以上為更佳。
在本發明中，由莫耳分率（莫耳比例）來規定“構成單元”的含量之情況下，只要沒有特別指定，則設為上述“構成單元”的含義與“單體單元”相同。又，在本發明中，樹脂或聚合物具有2種以上的特定的構成單元之情況下，只要沒有特別指定，則上述特定的構成單元的含量設為表示上述2種以上的特定的構成單元的總含量。
從顯影性的觀點考慮，鹼溶性丙烯酸樹脂具有羧基為較佳。作為將羧基導入到鹼溶性丙烯酸樹脂之方法，例如，可以舉出使用具有羧基之單體來合成鹼溶性丙烯酸樹脂之方法。藉由上述方法，具有羧基之單體作為具有羧基之構成單元而被導入到鹼溶性丙烯酸樹脂。作為具有羧基之單體，例如，可以舉出丙烯酸及甲基丙烯酸。
鹼溶性丙烯酸樹脂可以具有1個羧基，亦可以具有2個以上的羧基。又，鹼溶性丙烯酸樹脂中的具有羧基之構成單元可以為單獨1種，亦可以為2種以上。
具有羧基之構成單元的含量相對於鹼溶性丙烯酸樹脂的總量為5莫耳%～50莫耳%為較佳，5莫耳%～40莫耳%為更佳，10莫耳%～30莫耳%為進一步較佳。
從硬化後的透濕度及強度的觀點考慮，鹼溶性丙烯酸樹脂具備具有芳香環之構成單元為較佳。作為具有芳香環之構成單元，來自於苯乙烯化合物之構成單元為較佳。 作為形成具有芳香環之構成單元之單體，例如，可以舉出形成來自於苯乙烯化合物之構成單元之單體及苄基（甲基）丙烯酸酯。
作為形成來自於上述苯乙烯化合物之構成單元之單體，例如，可以舉出苯乙烯、對甲基苯乙烯、α-甲基苯乙烯、α,對二甲基苯乙烯、對乙基苯乙烯、對第三丁基苯乙烯、第三丁氧基苯乙烯及1,1-二苯基乙烯，苯乙烯或α-甲基苯乙烯為較佳，苯乙烯為更佳。
鹼溶性丙烯酸樹脂中的具有芳香環之構成單元可以為單獨1種，亦可以為2種以上。
鹼溶性丙烯酸樹脂具備具有芳香環之構成單元之情況下，具有芳香環之構成單元的含量相對於鹼溶性丙烯酸樹脂的總量為5莫耳%～90莫耳%為較佳，10莫耳%～90莫耳%為更佳，15莫耳%～90莫耳%為進一步較佳。
從黏性及硬化後的強度的觀點考慮，鹼溶性丙烯酸樹脂包含具有脂肪族環式骨架之構成單元為較佳。
作為脂肪族環式骨架中的脂肪族環，例如，可以舉出二環戊烷環、環己烷環、異硼烷環及三環癸烷環。上述中，作為脂肪族環式骨架中的脂肪族環，三環癸烷環為較佳。
作為形成具有脂肪族環式骨架之構成單元之單體，例如，可以舉出（甲基）丙烯酸二環戊酯、（甲基）丙烯酸環己酯及異莰（甲基）丙烯酸酯。
鹼溶性丙烯酸樹脂中的具有脂肪族環式骨架之構成單元可以為單獨1種，亦可以為2種以上。
鹼溶性丙烯酸樹脂具備具有脂肪族環式骨架之構成單元之情況下，具有脂肪族環式骨架之構成單元的含量相對於鹼溶性丙烯酸樹脂的總量為5莫耳%～90莫耳%為較佳，10莫耳%～80莫耳%為更佳，10莫耳%～70莫耳%為進一步較佳。
從黏性及硬化後的強度的觀點考慮，鹼溶性丙烯酸樹脂具有反應性基為較佳。
作為反應性基，自由基聚合性基團為較佳，乙烯性不飽和基為更佳。又，鹼溶性丙烯酸樹脂具有乙烯性不飽和基之情況下，鹼溶性丙烯酸樹脂具有在側鏈具有乙烯性不飽和基之構成單元為較佳。
在本發明中，“主鏈”表示在構成樹脂之高分子化合物的分子中相對最長的鍵結鏈，“側鏈”表示從主鏈分支之原子團。
作為乙烯性不飽和基，（甲基）丙烯酸基或（甲基）丙烯醯氧基為較佳，（甲基）丙烯醯氧基為更佳。
鹼溶性丙烯酸樹脂中的具有乙烯性不飽和基之構成單元可以為單獨1種，亦可以為2種以上。
鹼溶性丙烯酸樹脂具備具有乙烯性不飽和基之構成單元之情況下，具有乙烯性不飽和基之構成單元的含量相對於鹼溶性丙烯酸樹脂的總量為5莫耳%～70莫耳%為較佳，10莫耳%～50莫耳%為更佳，15莫耳%～40莫耳%為進一步較佳。
作為將反應性基導入到鹼溶性丙烯酸樹脂之機構，可以舉出使羥基、羧基、第一級胺基、第二級胺基、乙醯乙醯基及磺酸基等與環氧化合物、嵌段異氰酸酯化合物、異氰酸酯化合物、乙烯碸化合物、醛化合物、羥甲基化合物及羧酸酐等反應之方法。
作為將反應性基導入到鹼溶性丙烯酸樹脂之機構的較佳例，可以舉出藉由聚合反應來合成具有羧基之鹼溶性丙烯酸樹脂之後，藉由聚合物反應來使鹼溶性丙烯酸樹脂的羧基的一部分與（甲基）丙烯酸縮水甘油酯反應，從而將（甲基）丙烯醯氧基導入到鹼溶性丙烯酸樹脂之機構。藉由上述機構，能夠獲得在側鏈具有（甲基）丙烯醯氧基之鹼溶性丙烯酸樹脂。
上述聚合反應在70℃～100℃的溫度條件下進行為較佳，在80℃～90℃的溫度條件下進行為更佳。作為使用於上述聚合反應之聚合起始劑，偶氮系起始劑為較佳，例如，FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製造之V-601（產品名稱）或V-65（產品名稱）為更佳。又，上述聚合物反應在80℃～110℃的溫度條件下進行為較佳。在上述聚合物反應中，使用銨鹽等觸媒為較佳。
鹼溶性丙烯酸樹脂的重量平均分子量（Mw）為10,000以上為較佳，10,000～100,000為更佳，15,000～50,000為進一步較佳。
從顯影性的觀點考慮，鹼溶性丙烯酸樹脂的酸值為、50mgKOH/g以上為較佳，60mgKOH/g以上為更佳，70mgKOH/g以上為進一步較佳，80mgKOH/g以上為特佳。在本發明中，鹼溶性丙烯酸樹脂的酸值係依據JIS K0070：1992中記載之方法進行測量之值。 從抑制經曝光之負型感光性樹脂層（曝光部）溶解於顯影液之觀點考慮，鹼溶性丙烯酸樹脂的酸值的上限為200mgKOH/g以下為較佳，150mgKOH/g以下為更佳。
以下，示出鹼溶性丙烯酸樹脂的具體例。另外，下述鹼溶性丙烯酸樹脂中的各構成單元的含有比率（莫耳比）能夠依據目的而在上述較佳的Mw的範圍內進行適當設定。
【化學式1】
Figure 02_image001
【化學式2】
Figure 02_image003
【化學式3】
Figure 02_image005
負型感光性樹脂層可以包含單獨1種的鹼溶性丙烯酸樹脂，亦可以包含2種以上的鹼溶性丙烯酸樹脂。
從顯影性的觀點考慮，鹼溶性丙烯酸樹脂的含量相對於負型感光性樹脂層的總質量為10質量%～90質量%為較佳，20質量%～80質量%為更佳，25質量%～70質量%為進一步較佳。
-包含具有羧酸酐結構之構成單元之聚合物- 負型感光性樹脂層可以進一步含有包含具有羧酸酐結構之構成單元之聚合物（以下，亦稱為“聚合物B”。）來作為黏合劑。藉由負型感光性樹脂層含有聚合物B而能夠提高顯影性及硬化後的強度。
羧酸酐結構可以係鏈狀羧酸酐結構及環狀羧酸酐結構中的任一種，環狀羧酸酐結構為較佳。
作為環狀羧酸酐結構的環，5員環～7員環為較佳，5員環或6員環為更佳，5員環為進一步較佳。
具有羧酸酐結構之構成單元係在主鏈中包含從下述式P-1所表示之化合物中去除2個氫原子而得之2價的基團之構成單元或從下述式P-1所表示之化合物中去除1個氫原子而得之1價的基團直接或經由2價的連結基而鍵結於主鏈之構成單元為較佳。
【化學式4】
Figure 02_image007
式P-1中，R A1a表示取代基，n 1a個R A1a可以相同，亦可以不同，Z 1a表示形成包含-C（=O）-O-C（=O）-之環之2價的基團，n 1a表示0以上的整數。
作為R A1a所表示之取代基，例如，可以舉出烷基。
作為Z 1a，碳數2～4的伸烷基為較佳，碳數2或3的伸烷基為更佳，碳數2的伸烷基為進一步較佳。
n 1a表示0以上的整數。Z 1a表示碳數2～4的伸烷基之情況下，n 1a為0～4的整數為較佳，0～2的整數為更佳，0為進一步較佳。
n 1a表示2以上的整數之情況下，存在複數個之R A1a可以相同亦可以不同。又，存在複數個之R A1a可以相互鍵結而形成環，但是，相互鍵結而不形成環為較佳。
作為具有羧酸酐結構之構成單元，來自於不飽和羧酸酐之構成單元為較佳，來自於不飽和環式羧酸酐之構成單元為更佳，來自於不飽和脂肪族環式羧酸酐之構成單元為進一步較佳，來自於順丁烯二酸酐或衣康酸酐之構成單元為特佳，來自於順丁烯二酸酐之構成單元為最佳。
聚合物B中的具有羧酸酐結構之構成單元可以為單獨1種，亦可以為2種以上。
具有羧酸酐結構之構成單元的含量相對於聚合物B的總量為0莫耳%～60莫耳%為較佳，5莫耳%～40莫耳%為更佳，10莫耳%～35莫耳%為進一步較佳。
負型感光性樹脂層可以單獨包含1種聚合物B，亦可以包含2種以上的聚合物B。
負型感光性樹脂層包含聚合物B之情況下，從顯影性及硬化後的強度的觀點考慮，聚合物B的含量相對於負型感光性樹脂層的總質量為0.1質量%～30質量%為較佳，0.2質量%～20質量%為更佳，0.5質量%～20質量%為進一步較佳，1～20質量%為特佳。
-界面活性劑- 負型感光性樹脂層能夠包含界面活性劑。 作為界面活性劑，例如，可以舉出日本專利第4502784號公報的0017段及日本特開2009-237362號公報的0060～0071段中記載之界面活性劑。
作為界面活性劑，可以舉出氟系界面活性劑、矽系界面活性劑（還稱為矽酮系界面活性劑）、非離子系界面活性劑等，氟系界面活性劑或矽酮系界面活性劑為較佳。 作為氟系界面活性劑的市售品，例如，可以舉出Megaface（註冊商標）F-171、F-172、F-173、F-176、F-177、F-141、F-142、F-143、F-144、F-437、F-475、F-477、F-479、F-482、F-551-A、F-552、F-554、F-555-A、F-556、F-557、F-558、F-559、F-560、F-561、F-565、F-563、F-568、F-575、F-780、EXP、MFS-330、R-41、R-41-LM、R-01、R-40、R-40-LM、RS-43、TF-1956、RS-90、R-94、RS-72-K、DS-21（以上為DIC Corporation製造）、Fluorad（註冊商標）FC430、FC431、FC171（以上為Sumitomo 3M Limited製造）、Surflon（註冊商標）S-382、SC-101、SC-103、SC-104、SC-105、SC-1068、SC-381、SC-383、S-393、KH-40（以上為AGC Inc.製造）、PolyFox（註冊商標）PF636、PF656、PF6320、PF6520、PF7002（以上為OMNOVA Solutions Inc.製造）、FTERGENT（註冊商標）710FM、610FM、601AD、601ADH2、602A、215M、245F（以上為NEOS Corporation製造）等。
作為氟系界面活性劑，還能夠較佳地使用丙烯酸系化合物，該丙烯酸系化合物為具有具備含有氟原子之官能基之分子結構，且施加熱時含有氟原子之官能基部分被切斷而氟原子揮發。作為這種氟系界面活性劑，可以舉出DIC CORPORATION製造之Megaface（註冊商標）DS系列（化學工業日報（2016年2月22日）、日經產業新聞（2016年2月23日）），例如，可以舉出Megaface（註冊商標）DS-21。 氟系界面活性劑使用具有氟化烷基或氟化伸烷基醚基之含氟原子之乙烯醚化合物與親水性乙烯醚化合物的聚合物亦較佳。 氟系界面活性劑亦能夠使用嵌段聚合物。氟系界面活性劑還能夠較佳地使用含氟高分子化合物，該含氟高分子化合物包含：來自於具有氟原子之（甲基）丙烯酸酯化合物之重複單元；及來自於具有2個以上（較佳為5個以上）的伸烷氧基（較佳為伸乙氧基、伸丙氧基）之（甲基）丙烯酸酯化合物之重複單元。
作為氟系界面活性劑，還能夠使用在側鏈具有含乙烯性不飽和鍵之基團之含氟聚合物。可以舉出Megaface（註冊商標）RS-101、RS-102、RS-718K、RS-72-K（以上為DIC Corporation製造）等。
作為矽酮系界面活性劑，可以舉出由矽氧烷鍵構成之直鏈狀聚合物及向側鏈或末端導入有機基團而得之改質矽氧烷聚合物。 作為矽酮系界面活性劑的市售品，具體而言，例如，可以舉出DOWSIL（註冊商標）8032 ADDITIVE、Toray Silicone DC3PA、Toray Silicone SH7PA、Toray Silicone DC11PA、Toray Silicone SH21PA、Toray Silicone SH28PA、Toray Silicone SH29PA、Toray Silicone SH30PA、Toray Silicone SH8400（以上為Dow Corning Toray Co.,Ltd.製造）以及X-22-4952、X-22-4272、X-22-6266、KF-351A、K354L、KF-355A、KF-945、KF-640、KF-642、KF-643、X-22-6191、X-22-4515、KF-6004、KP-341、KF-6001、KF-6002（以上為Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.製造）、F-4440、TSF-4300、TSF-4445、TSF-4460、TSF-4452（以上為Momentive Performance Materials Inc.製造）、BYK307、BYK323、BYK330（以上為BYK Chemie GmbH製造）等。
作為非離子系界面活性劑，可以舉出甘油、三羥甲基丙烷、三羥甲基乙烷以及該等的乙氧基化物及丙氧基化物（例如，甘油丙氧基化物、甘油乙氧基化物等）、聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯油基醚、聚氧乙烯辛基苯基醚、聚氧乙烯壬基苯基醚、聚乙二醇二月桂酸酯、聚乙二醇二硬脂酸酯、脫水山梨糖醇脂肪酸酯、PLURONIC（註冊商標）L10、L31、L61、L62、10R5、17R2、25R2（以上為BASF公司製造）、TETRONIC（註冊商標）304、701、704、901、904、150R1（以上為BASF公司製造）、SOLSPERSE（註冊商標）20000（以上為Japan Lubrizol Corporation製造）、NCW-101、NCW-1001、NCW-1002（以上為FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製造）、Pionin（註冊商標）D-6112、D-6112-W、D-6315（以上為TAKEMOTO OIL & FAT Co., Ltd.製造）、OLFIN E1010、Surfynol 104、400、440（以上為Nissin Chemical Industry Co., Ltd.製造）等。
負型感光性樹脂層可以單獨包含1種界面活性劑，亦可以包含2種以上的界面活性劑。
負型感光性樹脂層包含界面活性劑之情況下，界面活性劑的含量相對於負型感光性樹脂層的總質量為0.01質量%～3質量%為較佳，0.05質量%～1質量%為更佳，0.1質量%～0.8質量%為進一步較佳。
-其他成分- 負型感光性樹脂層可以包含除了已敘述之成分以外的成分（以下，亦稱為“其他成分”。）。作為其他成分，例如，可以舉出雜環化合物、脂肪族硫醇化合物、嵌段異氰酸酯化合物、供氫化合物、粒子（例如，金屬氧化物粒子）及著色劑。 又，作為其他成分，例如，還可以舉出日本專利第4502784號公報的0018段中記載之熱聚合抑制劑及日本特開2000-310706號公報的0058～0071段中記載之其他添加劑。
能夠藉由乾燥由如上所述之負型感光性樹脂層形成用塗佈液構成之塗佈層來形成負型感光性樹脂層。關於負型感光性樹脂層的形成，在轉印材料的項中進行詳細敘述。
-負型感光性樹脂層的雜質- 從提高可靠性或圖案化性之觀點考慮，負型感光性樹脂層的雜質的含量少為較佳。 作為雜質的具體例，可以舉出鈉、鉀、鎂、鈣、鐵、錳、銅、鋁、鈦、鉻、鈷、鎳、鋅、錫及該等離子以及鹵化物離子（氯化物離子、溴化物離子、碘化物離子等）等。其中，由於鈉離子、鉀離子、氯化物離子作為雜質而容易混入，因此設為下述含量為特佳。 以質量基準計，各層中的雜質的含量為1,000ppm以下為較佳，200ppm以下為更佳，40ppm以下為特佳。以質量基準計，下限能夠設為0.01ppm以上，能夠設為0.1ppm以上。 作為將雜質減少至上述範圍之方法，可以舉出選擇各層的原料中不包含雜質者及形成層時防止雜質的混入、藉由清洗來去除等。由這種方法能夠將雜質量設為上述範圍內。 例如，能夠利用ICP（Inductively Coupled Plasma：感應偶合電漿）發光分光分析法、原子吸光分光法、離子層析法等公知的方法來定量雜質。
又，負型感光性樹脂層中的苯、甲醛、三氯乙烯、1,3-丁二烯、四氯化碳、氯仿、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、己烷等化合物的含量少為較佳。以質量基準計，作為這些化合物的各層中的含量為1,000ppm以下為較佳，200ppm以下為更佳，40ppm以下為特佳。下限並沒有特別限定，但從現實上可降低的限度及測量限度的觀點考慮，以質量基準計，能夠設為10ppb以上，並且能夠設為100ppb以上。 化合物的雜質能夠以與上述金屬的雜質相同的方法抑制含量。又，能夠利用公知的測量法來定量。
雖然在上述中關於負型感光性樹脂層進行了說明，但關於從負型感光性樹脂層形成之樹脂圖案，亦設為相同的雜質量為較佳。
-負型感光性樹脂層的厚度 作為負型感光性樹脂層的厚度，能夠適當選擇，10μm以上為較佳，15μm以上為更佳，20μm以上為進一步較佳，30μm以上為特佳。又，上限為100μm以下為較佳。
-負型感光性樹脂層的形成方法- 負型感光性樹脂層能夠藉由製備含有負型感光性樹脂層的形成中使用之成分及溶劑之負型感光性樹脂組成物，並且藉由塗佈和乾燥而形成。還能夠將各成分分別預先溶解於溶劑作為溶液之後，將所獲得之溶液以預定的比例混合而製備組成物。如以上的方式製備之組成物例如可以使用孔徑為0.2μm～30μm的過濾器等進行過濾。 能夠藉由在偽支撐體或覆蓋膜上塗佈負型感光性樹脂組成物並使其乾燥而形成負型感光性樹脂層。 塗佈方法並沒有特別限定，能夠藉由狹縫塗佈、旋轉塗佈、簾式塗佈、模塗佈、噴墨塗佈等公知的方法來進行塗佈。 又，還能夠在偽支撐體或覆蓋膜上形成後述中間層或其他層之基礎上，形成負型感光性樹脂層。
-負型感光性樹脂組成物- 負型感光性樹脂組成物包含負型感光性樹脂層的形成中使用之成分及溶劑為較佳。能夠藉由使各成分中含有溶劑以調節黏度，並進行塗佈和乾燥以適當形成負型感光性樹脂層。
負型感光性樹脂組成物包含溶劑為較佳。 作為溶劑，有機溶劑為較佳。作為有機溶劑，例如，可以舉出甲基乙基酮、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯（別名：1-甲氧基-2-乙酸丙酯）、二乙二醇乙基甲基醚、環己酮、甲基異丁基酮、乳酸乙酯、乳酸甲酯、己內醯胺、正丙醇及2-丙醇。作為溶劑，甲基乙基酮與丙二醇單甲醚乙酸酯的混合溶劑或二乙二醇乙基甲基醚與丙二醇單甲醚乙酸酯的混合溶劑為較佳。
作為溶劑，還能夠使用美國專利申請公開第2005/282073號說明書的0054及0055段中記載之溶劑，該說明書的內容藉由參閱而編入到本說明書中。 又，作為溶劑，還能夠依據需要而使用沸點為180℃～250℃的有機溶劑（高沸點溶劑）。 負型感光性樹脂組成物可以單獨包含1種溶劑，亦可以包含2種以上的溶劑。 負型感光性樹脂組成物包含溶劑之情況下，負型感光性樹脂組成物的總固體成分量相對於負型感光性樹脂組成物的總質量為5質量%～80質量%為較佳，5質量%～40質量%為更佳，5質量%～30質量%為進一步較佳。
負型感光性樹脂組成物包含溶劑之情況下，從塗佈性的觀點考慮，負型感光性樹脂組成物在25℃下的黏度例如為1mPa·s～50mPa·s為較佳，2mPa·s～40mPa·s為更佳，3mPa·s～30mPa·s為進一步較佳。黏度使用黏度計來測量。作為黏度計，例如，能夠較佳地使用TOKI SANGYO CO.,LTD.製造之黏度計（產品名稱：VISCOMETER TV-22）。但是，黏度計並不限制於上述黏度計。
負型感光性樹脂組成物包含溶劑之情況下，例如，從塗佈性的觀點考慮，負型感光性樹脂組成物在25℃下的表面張力為5mN/m～100mN/m為較佳，10mN/m～80mN/m為更佳，15mN/m～40mN/m為進一步較佳。 表面張力使用表面張力計來測量。作為表面張力計，例如，能夠較佳地使用Kyowa Interface Science Co., Ltd製造之表面張力計（產品名稱：Automatic Surface Tensiometer CBVP-Z）。但是，表面張力計並不限制於上述表面張力計。
＜＜轉印材料＞＞ 本發明中所使用之轉印材料至少具有負型感光性樹脂層，至少具有偽支撐體及負型感光性樹脂層為較佳。
-偽支撐體- 本發明中所使用之轉印材料具有偽支撐體為較佳。 偽支撐體係支持負型感光性樹脂層並能夠剝離之支撐體。 本發明中所使用之偽支撐體在對負型感光性樹脂層進行曝光之情況下，從能夠隔著偽支撐體而曝光負型感光性樹脂層之觀點考慮，具有透光性為較佳。 具有透光性係指，圖案曝光中使用之光的主波長的透射率為50%以上，從提高曝光靈敏度之觀點考慮，圖案曝光中使用之光的主波長的透射率為60%以上為較佳，70%以上為更佳。作為透射率的測量方法，可以舉出使用Otsuka Electronics Co.,Ltd.製造之MCPD Series測量之方法。 作為偽支撐體，可以舉出玻璃基板、樹脂薄膜、紙等，從強度及撓性等觀點考慮，樹脂薄膜為特佳。作為樹脂薄膜，可以舉出聚對酞酸乙二酯薄膜、三乙酸纖維素薄膜、聚苯乙烯薄膜及聚碳酸酯薄膜等。其中，2軸延伸聚對酞酸乙二酯薄膜為特佳。
偽支撐體的厚度並沒有特別限定，5μm～200μm的範圍為較佳，從容易操作、通用性等觀點考慮，10μm～150μm的範圍為更佳。 從作為支撐體的強度、與基材貼合所需之撓性、曝光時所需之透光性等的觀點考慮，偽支撐體的厚度只要依據材質而選擇即可。
關於偽支撐體的較佳態樣，例如，在日本特開2014-85643號公報的0017段～0018段中有記載，該公報的內容被編入到本發明中。
-覆蓋膜- 本發明中所使用之轉印材料在轉印材料中的設置有偽支撐體之側的面的相反一側的面具有覆蓋膜為較佳。 作為覆蓋膜，可以舉出樹脂薄膜、紙等，從強度及撓性等之觀點考慮，樹脂薄膜為特佳。作為樹脂薄膜，可以舉出聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚對酞酸乙二酯薄膜、三乙酸纖維素薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜等。其中，聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚對酞酸乙二酯薄膜為較佳。
覆蓋膜的平均厚度並沒有特別限定，例如，可以較佳地舉出1μm～2mm的厚度。
-中間層- 本發明中所使用之轉印材料或上述積層體可以具有中間層（例如，水溶性樹脂層）。 中間層包含後述之聚合物為較佳。
〔聚合物〕 中間層能夠包含聚合物。 作為中間層中所使用之聚合物，水溶性樹脂或鹼溶性樹脂為較佳。在本發明中，“水溶性”表示在22℃下在pH7.0的水100g中的溶解度為0.1g以上，“鹼溶性”表示在22℃下在碳酸鈉的1質量%水溶液100g中的溶解度為0.1g以上。 又，上述“水溶性和鹼溶性”可以係水溶性或鹼溶性中的任一種，亦可以係水溶性且鹼溶性。 又，聚合物在22℃下的pH7.0的水100g中的溶解度為1g以上為較佳，5g以上為更佳。 作為水溶性樹脂，例如，可以舉出纖維素樹脂、聚乙烯醇樹脂、聚乙烯吡咯烷酮樹脂、丙烯醯胺樹脂、（甲基）丙烯酸酯樹脂、聚環氧乙烷樹脂、明膠、乙烯基醚樹脂、聚醯胺樹脂及該等共聚物等樹脂。其中，纖維素樹脂為較佳，選自包括羥丙基纖維素及羥丙基甲基纖維素之群組中的至少一種樹脂為更佳。 作為鹼溶性樹脂，鹼溶性丙烯酸樹脂為較佳，具有可以形成鹽之酸基之丙烯酸樹脂為更佳。
中間層可以單獨包含1種聚合物，亦可以包含2種以上。 從黏附性的觀點考慮，聚合物的含量相對於中間層的總質量為20質量%～100質量%為較佳，50質量%～100質量%為更佳。
〔紫外線吸收劑〕 中間層可以為了控制吸收而具有紫外線吸收劑。紫外線吸收劑只要係吸收波長為400nm以下的紫外線之化合物，則並沒有特別限制。 作為紫外線吸收劑，可以舉出二苯基酮化合物、苯并三唑化合物、苯甲酸酯化合物、水楊酸酯化合物、三𠯤化合物、氰基丙烯酸酯化合物等紫外線吸收材料。 具體而言，例如，作為苯并三唑化合物，可以舉出2-（2H-苯并三唑-2-基）-對甲酚、2-（2H-苯并三唑-2-基）-4-6-雙（1-甲基-1-苯基乙基）苯酚、2-[5-氯（2H）-苯并三唑-2-基]-4-甲基-6-（第三丁基）苯酚、2-（2H-苯并三唑-基）-4,6-二-第三戊基苯酚、2-（2H-苯并三唑-2-基）-4-（1,1,3,3-四甲基丁基）苯酚等或該等混合物、改質物、聚合物、衍生物等。 又，例如，作為三𠯤化合物，可以舉出2-（4,6-二苯基-1,3,5-三𠯤-2-基）-5-[（己基）氧基]苯酚、2-[4-[（2-羥基-3-十二氧基丙基）氧]-2-羥基苯基]-4,6-雙（2,4-二甲基苯基）-1,3,5-三𠯤、2-[4-[（2-羥基-3-十三烷氧基丙基）氧基]-2-羥基苯基]-4,6-雙（2,4-二甲基苯基）-1,3,5-三𠯤、2,4-雙（2,4-二甲基苯基）-6-（2-羥基-4-異辛氧基苯基）-均三𠯤等或該等混合物、改質物、聚合物、衍生物等。 這些可以單獨使用，又，亦可以混合複數個來使用。 紫外線吸收材料的含量並沒有特別限定，作為將感光性樹脂層的光學濃度設為所希望的值之量，只要適當設定即可。
〔界面活性劑〕 從厚度均勻性的觀點考慮，在中間層含有界面活性劑為較佳。作為界面活性劑，能夠使用具有氟原子之界面活性劑、具有矽原子之界面活性劑、不具有氟原子和矽原子之界面活性劑中的任一種。其中，作為界面活性劑，從抑制負型感光性樹脂層及中間層中的條紋的產生及密接性的觀點考慮，具有氟原子之界面活性劑為較佳，具有全氟烷基及聚伸烷氧基之界面活性劑為更佳。 又，作為界面活性劑，能夠使用陰離子性、陽離子性、非離子性（非離子性）或兩性中的任一種，較佳的界面活性劑係非離子性界面活性劑。 從界面活性劑的析出抑制的觀點考慮，界面活性劑在25℃的水100g中的溶解度為1g以上為較佳。
中間層可以單獨包含1種界面活性劑，亦可以包含2種以上。 從抑制負型感光性樹脂層及中間層中的條紋的產生及密接性的觀點考慮，上述中間層中的界面活性劑的含量相對於中間層的總質量為0.05質量%～2.0質量%為較佳，0.1質量%～1.0質量%為更佳，0.2質量%～0.5質量%為特佳。
〔無機填充劑〕 中間層能夠包含無機填充劑。本發明中的無機填充劑並沒有特別限制。可以舉出二氧化矽粒子、氧化鋁粒子、氧化鋯粒子等，二氧化矽粒子為更佳。從透明性的觀點考慮，粒徑小之粒子為較佳，100nm以下的平均粒徑者為進一步較佳。例如，若是市售品，則可以適當使用NOWTEX（註冊商標）。
從中間層與負型感光性樹脂層的密接性的觀點考慮，上述中間層中的上述粒子的體積分率（粒子在中間層中所佔的體積比例）相對於中間層的總體積為5%～90%為較佳，10%～80%為更佳，20%～60%為進一步較佳。
〔pH調節劑〕 中間層中能夠包含pH調節劑。藉由包含pH調節，劑能夠進一步穩定地維持中間層中的色素的顯色狀態或脫色狀態，並且進一步提高負型感光性樹脂層與中間層的密接性。 本發明中的pH調節劑並沒有特別限制。例如，可以舉出氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋰、有機胺、有機銨鹽等。從水溶性的觀點考慮，氫氧化鈉為較佳。從負型感光性樹脂層與中間層的密接性的觀點考慮，有機銨鹽為較佳。
〔中間層的厚度〕 從負型感光性樹脂層與中間層的密接性及圖案形成性的觀點考慮，中間層的厚度為0.3μm～10μm為較佳，0.3μm～5μm為更佳，0.3μm～2μm為特佳。 又，中間層的厚度比負型感光性樹脂層的厚度薄為較佳。
中間層能夠具有2層以上的層。 中間層具有2層以上的層之情況下，各層的厚度只要在上述範圍內，則並沒有特別限制，從中間層與負型感光性樹脂層的密接性及圖案形成性的觀點考慮，中間層中的2層以上的層中，與負型感光性樹脂層最近之層的厚度為0.3μm～10μm為較佳，0.3μm～5μm為更佳，0.3μm～2μm為特佳。
〔中間層的形成方法〕 本發明中的中間層能夠藉由製備含有用於形成中間層之成分及水溶性溶劑之中間層形成用組成物，並且進行塗佈和乾燥來形成。還能夠將各成分分別預先溶解於溶劑作為溶液之後，將所獲得之溶液以預先設定的比例進行混合而製備組成物。如以上的方式製備之組成物可以使用孔徑為3.0μm的過濾器等進行過濾。 能夠藉由將中間層形成用組成物塗佈於偽支撐體並進行乾燥以在偽支撐體上形成中間層。塗佈方法並沒有特別限定，能夠藉由狹縫塗佈、旋轉塗佈、簾式塗佈、噴墨塗佈等公知的方法來塗佈。
中間層形成組成物包含用於形成中間層之成分及水溶性溶劑為較佳。藉由使各成分中含有水溶性溶劑以調節黏度並進行塗佈和乾燥，能夠適當地形成中間層。
作為水溶性溶劑，能夠使用公知的水溶性溶劑，例如，可以舉出水、碳數1～6的醇等，包含水為較佳。作為碳數1～6的醇，具體而言，可以舉出甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、正戊醇及正己醇。其中，使用選自包括甲醇、乙醇、正丙醇及異丙醇之群組中的至少一種為較佳。
-其他層- 本發明之轉印材料可以具有除了上述以外的層（以下，亦稱為“其他層”。）。作為其他層，能夠舉出熱塑性樹脂層等。 關於熱塑性樹脂層的較佳態樣，在日本特開2014-85643號公報的0189段～0193段及進而關於其他層的較佳態樣，在日本特開2014-85643號公報的0194段～0196段中分別有記載，該公報的內容被編入到本說明書中。
-轉印材料的製造方法- 本發明中所使用之轉印材料的製造方法並沒有特別限制，能夠使用公知的製造方法，例如公知的各層的形成方法等。 又，轉印材料的製造方法在偽支撐體上形成負型感光性樹脂層之後，進一步包括在上述負型感光性樹脂層上設置覆蓋膜之步驟為較佳。 又，在製造轉印材料之後，可以藉由捲取轉印材料來製作和保管輥形態的轉印材料。輥形態的轉印材料能夠以輥對輥方式與基材貼合的形態提供。
（蒸鍍用金屬遮罩的製造方法） 本發明之蒸鍍用金屬遮罩的製造方法係包括藉由本發明之金屬圖案的形成方法而形成金屬圖案之蒸鍍用金屬遮罩的製造方法。 又，本發明之蒸鍍用金屬遮罩的製造方法包括如下步驟為較佳：準備在基材上具有負型感光性樹脂層之積層體之步驟；從上述負型感光性樹脂層中的設置有上述基材之側的相反一側照射具有向曝光遮罩的厚度方向傾斜地入射之成分之光，隔著上述曝光遮罩將上述負型感光性樹脂層進行圖案曝光之步驟；向經上述圖案曝光之上述負型感光性樹脂層進行顯影而形成具有錐形形狀之樹脂圖案之步驟；以及形成與上述樹脂圖案的形狀對應之錐形形狀的金屬圖案之步驟。 又，本發明之蒸鍍用金屬遮罩的製造方法可以包括上述本發明之金屬圖案的形成方法中的各步驟，較佳態樣亦相同。 又，藉由本發明之蒸鍍用金屬遮罩的製造方法而製造之蒸鍍用金屬遮罩除了上述金屬圖案以外，可以具有其他構件。 作為其他構件，並沒有特別限制，能夠使用蒸鍍用金屬遮罩中所使用之公知的構件。
（有機發光二極體的製造方法及有機EL顯示裝置的製造方法） 本發明之有機發光二極體的製造方法或本發明之有機EL顯示裝置的製造方法使用藉由本發明之金屬圖案的形成方法而獲得之金屬圖案。 又，本發明之有機發光二極體的製造方法或本發明之有機EL顯示裝置的製造方法包括藉由將本發明之金屬圖案的形成方法而獲得之金屬圖案用作蒸鍍用金屬遮罩之步驟為較佳，將藉由本發明之金屬圖案的形成方法而獲得之金屬圖案用作有機發光材料蒸鍍用金屬遮罩，並且使有機發光材料蒸鍍到基板等之步驟為更佳。 作為上述有機發光材料，可以舉出紅色（R）、綠色（G）或藍色（B）的有機發光材料。 進而，本發明之有機發光二極體的製造方法或本發明之有機EL顯示裝置的製造方法可以包括上述本發明之金屬圖案的形成方法中的各步驟，較佳態樣亦相同。 又，本發明之有機發光二極體的製造方法或本發明之有機EL顯示裝置的製造方法可以包含除了上述以外的公知的步驟。 [實施例]
以下，舉出實施例對本發明的實施形態進行進一步詳細的說明。以下實施例所示之材料、使用量、比例、處理內容及處理順序等，只要不脫離本發明的實施形態的趣旨，則能夠適當變更。故，本發明的實施形態的範圍並不限定於以下所示之具體例。另外，只要沒有特別指定，“份”，“%”為質量基準。
＜散射層的散射角的測量＞ 使用MURAKAMI COLOR RESEARCH LABORATORY CO.,LTD.製造之Goniometer GP-200，對散射層垂直地入射光，並且在正90°至負90°為止的角度範圍內測量了透射光的強度。相對0°的強度，將強度成為二分之一之全角度寬度作為散射角。
＜負型感光性樹脂組成物1及2的製備＞ 在混合成下述表1的組成之後，藉由加入甲基乙基酮，分別製備了負型感光性樹脂組成物1及2（表1中，記載為組成物1及2。固體成分濃度：25質量%）。
【表1】
  成分(各成分的數值：質量份) 組成物1 組成物2
鹼溶性丙烯酸樹脂 苯乙烯/甲基丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯＝32/28/40(質量%)的共聚物、Mw=40,000 - 55.00
苯乙烯/甲基丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯＝52/29/19(質量%)的共聚物、Mw=60,000 50.00 -
甲基丙烯酸芐酯/甲基丙烯酸=81/19(質量%)的共聚物、Mw=40,000 - -
聚合性化合物 BPE-500(Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.製造) 36.20 20.20
BPE-200(Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.製造) - 9.80
在雙酚A的兩端分別加成了平均15莫耳的環氧乙烷及平均2莫耳的環氧丙烷而得之聚乙二醇的二甲基丙烯酸酯 - -
M-270(TOAGOSEI CO., LTD.製造) 5.00 -
A-TMPT(Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.製造) - 10.00
SR-454(Arkema S.A.製造) - -
SR-502(Arkema S.A.製造) - -
A-9300-CL1(Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.製造) - -
聚合起始劑 B-CIM(KUROGANE KASEI Co., Ltd.製造) 7.00 3.00
敏化劑 SB-PI 701(SANYO KASEI CO.,LTD.製造) 0.50 0.50
鏈轉移劑 無色水晶紫(Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.製造) 0.40 0.90
N-苯基甘胺酸(Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.製造) 0.20 -
著色劑 孔雀綠(Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.製造) - 0.05
防鏽劑 CBT-1(JOHOKU CHEMICAL CO., LTD.製造) 0.10 -
1-(2-二正丁基胺基甲基）-5-羧基苯並三唑和1-(2-二正丁基胺基甲基）-6-羧基苯並三唑的1:1(質量比)混合物 - 0.14
聚合抑制劑 TDP-G(Kawaguchi Chemical Industry Co.,Ltd.製造) 0.30 0.10
Irganox245(BASF公司製造) - -
N-亞硝基苯基羥基胺鋁鹽 (FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製造) - -
抗氧化劑 菲尼酮(Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.製造) 0.01 0.01
界面活性劑 F-552 (DIC Corporation製造) 0.29 0.30
又，以下，示出表1中記載之化合物的詳細內容。 BPE-500：2,2-雙（4-（甲基丙烯醯氧基五乙氧基）苯基）丙烷、Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.製造 BPE-200：2,2-雙（4-（甲基丙烯醯氧基二乙氧基）苯基）丙烷、Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.製造 M-270：聚丙二醇二丙烯酸酯、TOAGOSEI CO.,LTD.製造 A-TMPT：三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.製造 SR-454：乙氧基化（3）三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、SARTOMER公司製造 SR-502：乙氧基化（9）三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、SARTOMER公司製造 A-9300-CL1：ε-己內酯改質三-（2-丙烯醯氧乙基）異氰脲酸酯、Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.製造 B-CIM：光自由基產生劑（光聚合起始劑）、Hampford公司製造、2-（2-氯苯基）-4,5-二苯基咪唑二聚體 SB-PI 701：敏化劑、4,4’-雙（二乙基胺基）二苯甲酮、Sanyo Trading Co., Ltd.製造 CBT-1：防鏽劑、羧基苯并三唑、JOHOKU CHEMICAL CO., LTD.製造 TDP-G：聚合抑制劑、啡噻𠯤、Kawaguchi Chemical Industry Co.,Ltd.製造 Irganox245：受阻酚系聚合抑制劑、BASF公司製造 F-552：氟系界面活性劑、Megaface F552、DIC CORPORATION製造
＜轉印材料A的製作＞ 在厚度為16μm的聚對酞酸乙二酯薄膜（16KS40：產品名稱、TORAY INDUSTRIES, INC.）的偽支撐體上，使用刮棒塗佈機，以乾燥後的負型感光性樹脂層的厚度成為10μm之方式，調整負型感光性樹脂組成物1的塗佈量，並且塗佈負型感光性樹脂組成物1之後，在80℃的烘箱中進行乾燥，形成了負型感光性樹脂層。接著，將厚度為16μm的聚對酞酸乙二酯（16KS40：產品名稱、TORAY INDUSTRIES, INC.）壓接到負型感光性樹脂層的表面作為覆蓋膜，製作了轉印材料A。
＜轉印材料B的製作＞ 在厚度為16μm的聚對酞酸乙二酯薄膜（16KS40：產品名稱、TORAY INDUSTRIES, INC.）亦即偽支撐體上，使用刮棒塗佈機，以乾燥後的厚度成為1μm的方式塗佈下述水溶性樹脂組成物，在90℃的烘箱中進行乾燥，作為中間層而形成了水溶性樹脂層。然後，在水溶性樹脂層上，使用刮棒塗佈機，以乾燥後的負型感光性樹脂層的厚度成為10μm的方式調整負型感光性樹脂組成物2的塗佈量並塗佈負型感光性樹脂組成物2之後，在80℃的烘箱中進行乾燥，形成了負型感光性樹脂層。接著，在負型感光性樹脂層的表面壓接厚度為16μm的聚對酞酸乙二酯（16KS40：產品名稱、TORAY INDUSTRIES, INC.）作為覆蓋膜，製作了轉印材料B。
-水溶性樹脂組成物的組成- ·離子交換水：38.12份 ·甲醇（MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.製造）：57.17份 ·KURARAY POVALPVA-205（聚乙烯醇、Kuraray Co., Ltd.製作）：3.22份 ·聚乙烯吡咯烷酮K-30（NIPPON SHOKUBAI CO., LTD.製作）：1.49份 ·Megaface F-444（氟系非離子性界面活性劑、DIC CORPORATION製造）：0.0015份
＜轉印材料C的製作＞ 除了將乾燥後的負型感光性樹脂層的厚度設為8μm以外，以與轉印材料A的製作相同的方式製作了轉印材料C。
＜轉印材料D的製作＞ 除了將乾燥後的負型感光性樹脂層的厚度設為20μm以外，以與轉印材料A的製作相同的方式製作了轉印材料D。
（實施例1） ＜積層體的形成＞ 剝離在上述製作之轉印材料A的覆蓋膜，並且在玻璃上將所暴露之負型感光性樹脂層的表面實施了鍍Ni（厚度100nm）之導電性基材上，在以下條件下對負型感光性樹脂層及偽支撐體進行層壓，從而獲得了積層體（準備步驟）。 -層壓條件- 基材的溫度：80℃ 橡膠輥的溫度：110℃ 線壓：3N/cm 傳送速度：2m/分鐘
＜樹脂圖案的形成＞ 接著，使曝光遮罩（線/空間=20μm/20μm、線長度為100μm）與所獲得之積層體的偽支撐體的表面密接。 然後，在曝光遮罩上，作為散射層而配置了OPTICAL SOLUTIONS Corporation製造之透鏡擴散板（註冊商標）LSD60ACUVT30（散射角：60°、擴散透射率：95%、材質：紫外線透射丙烯酸樹脂）。曝光遮罩與散射層以不相互接觸的狀態配置。在表2中，將實施例1中使用之散射層記載為“具有凹凸之樹脂層”。 使用高壓水銀燈曝光機（Japan Science Engineering Co.,Ltd.製造MAP-1200L、主波長：365nm），使光透射偽支撐體來進行照射，並且在150mJ/cm 2下對負型感光性樹脂層進行了圖案曝光（圖案曝光步驟）。在剝離偽支撐體之後，使用液體溫度為25℃的碳酸鈉水溶液，進行50秒鐘的噴淋顯影，從而形成了具有錐形形狀之樹脂圖案（樹脂圖案形成步驟）。
＜樹脂圖案的剖面形狀的觀察（錐形形狀評價）＞ 在基板面內的任意10處，用電子顯微鏡（SEM）觀察所獲得之樹脂圖案的剖面形狀，如圖5所示那樣，測量圖案頂部的寬度（W1）、圖案的層厚的一半部分的寬度（W2）、圖案底部的寬度（W3）、層厚（W4），使用各自的平均值計算了tan（W4/（（W3-W1）/2））的值。以下，示出評價基準。 A：滿足W3＞W2＞W1，上述值小於5.67。 B：滿足W3＞W2＞W1，上述值為5.67以上。 C：不滿足W3＞W2＞W1。
＜金屬圖案的形成＞ 按以下方式進行以導電性基材作為電極之電解電鍍，在導電性基材上的未形成樹脂圖案之區域，使具有約7μm的厚度之電沉積物（金屬圖案）沈積。 在升溫至50℃之電鍍槽內，加入電鍍液，配置作為陰極而製作之導電性基材，作為陽極而分別配置鎳板並連接了電源。接著，操作電源，導電性基材與鎳板之間分別通過約60分鐘的電流。在導電性基材的表面的未形成樹脂圖案的區域，形成了鎳電鍍層（金屬圖案）（金屬圖案形成步驟）。
＜樹脂圖案的去除＞ 接著，藉由在調整為40℃的5質量%的三乙胺水溶液（沸點89℃）中浸漬60秒鐘，去除樹脂圖案，形成了在基材上具有錐形形狀之金屬圖案。
＜基材的剝離＞ 藉由以50mm/s且180度折返之狀態將在上述中形成了金屬圖案之導電性基材進行拉伸並剝離，獲得了具有金屬圖案之金屬遮罩。
＜剖面形狀的觀察（錐形形狀評價）＞ 關於所獲得之金屬圖案的剖面形狀，用電子顯微鏡（SEM）觀察基板面內的任意10處，如圖6所示那樣，測量圖案頂部的寬度（W5）、圖案的層厚的一半部分的寬度（W6）、圖案底部的寬度（W7）及層厚（W8），使用各自的平均值，計算了tan（W8/（（W5-W7）/2））的值。以下，示出評價基準。 A：滿足W5＞W6＞W7，上述值小於5.67。 B：滿足W5＞W6＞W7，上述值為5.67以上。 C：不滿足W5＞W6＞W7。
＜曝光量餘裕度＞ 除了將曝光量改變±5%並進行曝光以外，以與上述相同地方式觀察以與上述樹脂圖案的形成同樣的方式獲得之樹脂圖案的剖面形狀，如圖5所示那樣，測量使用圖案頂部的寬度（W1）、圖案的膜厚的一半部分的寬度（W2）、圖案底部的寬度（W3）及膜厚（W4），使用各自的平均值，計算了tan（W4/（（W3-W1）/2））的值。 在上述情況下，以與樹脂圖案的剖面形狀的觀察（錐形形狀評價）相同的方式進行了評價。 A：以改變±5%的曝光量進行曝光並製作之樹脂圖案滿足W3＞W2＞W1，上述值小於5.67。 B：以改變±5%的曝光量進行曝光並製作之樹脂圖案滿足W3＞W2＞W1，上述值為5.67以上。 C：以改變±5%的曝光量進行曝光並製作之樹脂圖案不滿足W3＞W2＞W1。
（實施例2～9以及比較例1及2） 如表2中記載那樣，除了改變曝光方法及轉印材料以外，以與實施例1相同的方式形成樹脂圖案及金屬圖案，並且以與實施例1相同的方式進行了評價。將評價結果示於表2中。 更詳細而言，為如下所述。
在實施例2中，除了將實施例1中使用之散射層變更為含有特定樹脂之層之其他散射層以外，以與實施例1相同的方式形成了樹脂圖案及金屬圖案。 實施例2中的含有特定樹脂之層係針對黑矩陣材料亦即聚甲基丙烯酸甲酯（折射率1.50），相對於含有特定樹脂之層的總量，以固體成分計，包含15質量%的特定樹脂亦即平均一次粒徑為1.5μm的二氧化矽粒子（NIPPON SHOKUBAI CO., LTD.製造之Seahoster KE-P150、折射率1.43）之厚度為30μm的層。在實施例2的散射層中，黑矩陣材料與特定粒子的折射率之差為0.07，折射率之差為0.05以上。又，實施例2的散射層的散射角為30°，擴散透射率為90%。 又，在實施例2中，藉由旋轉塗佈而將含有特定樹脂之層在曝光遮罩的形成有鉻圖案（遮光圖案）之面的相反一側的面形成膜，形成了散射層。
在實施例3中，除了剝離偽支撐體，並且使曝光遮罩與負型感光性樹脂層接觸並進行圖案曝光以外，以與實施例1相同的方式形成了樹脂圖案及金屬圖案。
在實施例4中，除了使用轉印材料B以外，以與實施例3相同的方式形成了樹脂圖案及金屬圖案。
在實施例5中，除了使用轉印材料C以外，以與實施例1相同的方式形成了樹脂圖案及金屬圖案。
在實施例6中，除了使用轉印材料D以外，以與實施例1相同的方式形成了樹脂圖案及金屬圖案。
在實施例7中，作為散射層，除了使用Light up LDS（KIMOTO CO.,LTD.製造、散射角：30°、光擴散聚合物薄膜、具有凹凸之樹脂層、厚度115μm）以外，以與實施例1相同的方式形成了樹脂圖案及金屬圖案。
在實施例8中，除了使用曝光遮罩（線/空間=5μm/20μm、線長度為100μm）以外，以與實施例1相同的方式形成了樹脂圖案及金屬圖案。
在實施例9中，作為曝光遮罩，除了使用將如圖7所示的3μm×3μm的正方形的空間部（開口部）SP沿上下左右隔開25μm的間隔且二維地排列（另外，在圖7中，僅示意性地示出了3×3的空間部。），並且除了上述空間部以外的部分為遮光部之遮罩以外，以與實施例1相同的方式形成了樹脂圖案及金屬圖案。
在比較例1中，除了未設置散射層以外，以與實施例1相同的方式形成了樹脂圖案及金屬圖案。
在比較例2中，使用轉印材料B，並且未設置散射層以外，以與實施例1相同的方式形成了樹脂圖案及金屬圖案。
【表2】
  曝光方法 散射層 轉印材料的種類 負型感光性樹脂層的厚度(μm) 樹脂圖案的錐形形狀評價 金屬圖案的錐形形狀評價 曝光量餘裕度
實施例 1 隔著偽支撐體之曝光 具有凹凸之樹脂層 A 10 A A A
實施例 2 隔著偽支撐體之曝光 含有特定粒子之層 A 10 B B A
實施例 3 剝離偽支撐體之後、曝光 具有凹凸之樹脂層 A 10 A A A
實施例 4 剝離偽支撐體之後、曝光 具有凹凸之樹脂層 B 10 A A A
實施例 5 剝離偽支撐體之後、曝光 具有凹凸之樹脂層 C 8 B B A
實施例 6 剝離偽支撐體之後、曝光 具有凹凸之樹脂層 D 20 A A A
實施例 7 剝離偽支撐體之後、曝光 具有凹凸之樹脂層*2 A 10 A A A
實施例 8 剝離偽支撐體之後、曝光 具有凹凸之樹脂層 A 10 A A A
實施例 9 剝離偽支撐體之後、曝光 具有凹凸之樹脂層 A 10 A A A
比較例 1 隔著偽支撐體之曝光 無 A 10 C C C
比較例 2 隔著偽支撐體之曝光 無 B 10 C C C
如上述表2所示那樣，實施例1～9的金屬圖案的形成方法與比較例1或2的金屬圖案的形成方法相比，所獲得之金屬圖案的錐形形狀優異。
關於在2020年7月31日申請之日本專利申請2020-130530號的揭示，藉由參閱而將其整體編入到本說明書中。關於本說明書中記載之所有文獻、專利申請及技術標準，藉由參閱而併入之各個文獻、專利申請及技術標準以與具體記載且在各個中記載之情況相同程度地藉由參閱而併入到本說明書中。
（符號說明） 12:基材 16:負型感光性樹脂層 16A:圖案狀的硬化層（樹脂圖案） 24:偽支撐體 26:曝光遮罩 26A:曝光遮罩的遮光區域 28:散射層 32:散射性曝光遮罩 32A:散射性曝光遮罩的遮光區域 100:積層體 102:基材 104:樹脂圖案 104a:負型感光性樹脂層 106:金屬圖案 θ1:樹脂圖案的錐角 θ2:金屬圖案的錐角 W1:樹脂圖案頂部的寬度 W2:樹脂圖案的層厚的一半部分的寬度 W3:樹脂圖案底部的寬度 W4:樹脂圖案的層厚 W5:金屬圖案頂部的寬度 W6:金屬圖案的層厚的一半部分的寬度 W7:金屬圖案底部的寬度 W8:金屬圖案的層厚 SP:空間部
圖1係表示本發明之金屬圖案的形成方法的較佳的一例之示意圖。 圖2係表示在圖案曝光步驟的光照射中，散射層的配置位置的第1態樣之概略剖面圖。 圖3係表示在圖案曝光步驟的光照射中，散射層的配置位置的第2態樣之概略剖面圖。 圖4係表示在圖案曝光步驟的光照射中，使用成為散射層的配置位置的第3態樣之光散射性曝光遮罩之一例之概略剖面圖。 圖5係表示1個樹脂圖案的一例中的各部分的長度的位置之示意剖面圖。 圖6係表示1個金屬圖案的一例中的各部分的長度的位置之示意剖面圖。 圖7係表示曝光遮罩的圖案形狀的一例之示意圖。
100:積層體
102:基材
104:樹脂圖案
104a:負型感光性樹脂層
106:金屬圖案
θ1:樹脂圖案的錐角
θ2:金屬圖案的錐角

Claims (21)

  1. 一種金屬圖案的形成方法，其包括： 準備在基材上具有負型感光性樹脂層之積層體之步驟； 從前述負型感光性樹脂層中的設置有前述基材之側的相反一側照射具有向曝光遮罩的厚度方向傾斜地入射之成分之光，隔著前述曝光遮罩將前述負型感光性樹脂層進行圖案曝光之步驟； 向經前述圖案曝光之前述負型感光性樹脂層進行顯影而形成具有錐形形狀之樹脂圖案之步驟；以及 形成與前述樹脂圖案的形狀對應之錐形形狀的金屬圖案之步驟。
  2. 如請求項1所述之金屬圖案的形成方法，其中 在進行前述圖案曝光之步驟中，在前述曝光遮罩的前述負型感光性樹脂層側的相反一側依次配置擴散透射率為5%以上的散射層及曝光光源，從前述曝光光源隔著前述散射層而照射散射光。
  3. 如請求項2所述之金屬圖案的形成方法，其中 前述散射層含有黑矩陣材料及存在於前述黑矩陣材料中之粒子，前述黑矩陣材料與前述粒子的折射率之差為0.05以上。
  4. 如請求項2或請求項3所述之金屬圖案的形成方法，其中 前述散射層含有黑矩陣材料及存在於前述黑矩陣材料中之粒子，前述粒子的平均一次粒徑為0.3μm以上。
  5. 如請求項2所述之金屬圖案的形成方法，其中 前述散射層在至少一個面上具有凹凸。
  6. 如請求項5所述之金屬圖案的形成方法，其中 前述凹凸具有複數個凸部，相鄰的凸部與凸部的頂部之間的距離為10μm～50μm。
  7. 如請求項2所述之金屬圖案的形成方法，其中 前述散射層與前述曝光遮罩在不相互接觸之位置配置。
  8. 如請求項2所述之金屬圖案的形成方法，其中 前述散射層與前述曝光遮罩接觸，並且在前述曝光遮罩中的前述負型感光性樹脂層側的相反一側配置。
  9. 如請求項2所述之金屬圖案的形成方法，其中 前述曝光遮罩係在形成有遮光圖案之面的相反一側的面上形成有前述散射層之散射性的曝光遮罩。
  10. 如請求項1或請求項2所述之金屬圖案的形成方法，其中 前述準備的步驟包括使用具有偽支撐體及在前述偽支撐體上配置之負型感光性樹脂層之轉印材料，將前述轉印材料所具有之前述負型感光性樹脂層轉印到前述基材上以形成前述積層體之步驟。
  11. 如請求項10所述之金屬圖案的形成方法，其中 在前述圖案曝光的步驟中的前述圖案曝光係藉由使前述偽支撐體與前述曝光遮罩接觸以進行曝光之接觸曝光。
  12. 如請求項10所述之金屬圖案的形成方法，其中 在前述圖案曝光的步驟中的前述圖案曝光係剝離了前述偽支撐體之後，使前述曝光遮罩與具有前述負型感光性樹脂層之前述積層體接觸以進行曝光之接觸曝光。
  13. 如請求項1或請求項2所述之金屬圖案的形成方法，其中 前述基材係導電性基材。
  14. 如請求項1或請求項2所述之金屬圖案的形成方法，其中 前述金屬圖案係利用電鍍法而形成之金屬圖案。
  15. 如請求項1或請求項2所述之金屬圖案的形成方法，其中 在形成前述金屬圖案之步驟之後，進一步包含去除前述樹脂圖案之步驟。
  16. 如請求項15所述之金屬圖案的形成方法，其中 藉由藥液來進行前述樹脂圖案的去除。
  17. 如請求項1或請求項2所述之金屬圖案的形成方法，其中 進一步包括從前述金屬圖案去除前述基材之步驟。
  18. 如請求項1或請求項2所述之金屬圖案的形成方法，其中 前述樹脂圖案包括角錐台狀或圓錐台狀的樹脂圖案。
  19. 如請求項1或請求項2所述之金屬圖案的形成方法，其中 前述負型感光性樹脂層的厚度為10μm以上。
  20. 如請求項1或請求項2所述之金屬圖案的形成方法，其中 所獲得之金屬圖案係蒸鍍用金屬遮罩用金屬圖案。
  21. 一種蒸鍍用金屬遮罩的製造方法，其包括利用請求項1至請求項20之任一項所述之金屬圖案的形成方法來形成金屬圖案之步驟。
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JP4153159B2 (ja) * 2000-12-18 2008-09-17 富士フイルム株式会社 ネガ型感光性熱硬化性樹脂組成物、ネガ型感光性熱硬化性樹脂層転写材料、及びネガ型耐性画像形成方法
JP2008046441A (ja) * 2006-08-18 2008-02-28 Toppan Printing Co Ltd 凸版製造方法
JP2019184742A (ja) * 2018-04-05 2019-10-24 株式会社ジェイテクト 半導体素子の製造方法、および半導体素子
JP2019173181A (ja) * 2019-07-09 2019-10-10 大日本印刷株式会社 基板付蒸着マスク

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