TW202142071A - 透明電路板的製作方法以及透明電路板 - Google Patents

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Abstract

一種透明電路板的製作方法，包括步驟：提供透明基板；在基板的一表面進行硬質化處理，形成硬化層；在硬化層的表面形成氧化層，氧化層至少包括層疊設置的第一透明導電氧化物層、金屬層以及第二透明導電氧化物層，金屬層位於第一透明導電氧化物層以及第二透明導電氧化物層之間；蝕刻部分氧化層，以形成電極層；在電極層遠離基板的表面形成第一導電膏以及第二導電膏；以及在第一導電膏以及第二導電膏遠離基板的表面貼附一電子元件後光照、固化，得到透明電路板。本申請還提供一種製作方法製作的透明電路板。

Description

透明電路板的製作方法以及透明電路板
本申請涉及電路板製作領域，尤其涉及一種透明電路板的製作方法以及透明電路板。
現有的透明電極材料包括奈米碳材（例如碳奈米管、石墨烯）、透明導電氧化物（例如氧化銦錫（ITO）、氧化鋅（ZnO）、氧化錫（SnO2 ））、導電聚合物、金屬網格以及奈米金屬等。上述材料用於製作透明電路板的製程中，通常會有一些缺點，例如，奈米碳材料在使用過程中難以分散，且目前量產難度大；透明導電氧化物不耐撓折、面電阻大；導電聚合物阻值較大；金屬網格、奈米金屬存在反光問題；同時，製作透明電路板時，在表面貼裝回流焊過程中，通常需要較高溫度（超過288℃），一般透明材料在此溫度下遭到破壞。
因此，有必要提供一種避免在製作過程中破壞材料的透明電路板的製作方法，以解決上述問題。
另，還有必要提供一種透明電路板。
一種透明電路板的製作方法，包括以下步驟：
提供一透明基板；
在所述基板的一表面進行硬質化處理，形成硬化層；
在所述硬化層遠離所述基板的表面形成一氧化層，所述氧化層至少包括層疊設置的第一透明導電氧化物層、金屬層以及第二透明導電氧化物層，所述金屬層位於所述第一透明導電氧化物層以及所述第二透明導電氧化物層之間；
蝕刻部分所述氧化層，以形成電極層；
在所述電極層遠離所述基板的表面形成第一導電膏以及第二導電膏；以及
在所述第一導電膏以及所述第二導電膏遠離所述基板的表面貼附一電子元件後光照、固化，得到所述透明電路板。
在本申請一實施方式中，在所述電極層遠離所述基板的表面形成所述第一導電膏以及所述第二導電膏之前，還包括以下步驟：
在所述氧化層遠離所述基板的表面形成第一連接墊以及第二連接墊；
其中，未被所述第一連接墊以及所述第二連接墊覆蓋的部分所述氧化層被蝕刻。
在本申請一實施方式中，形成所述第一連接墊以及所述第二連接墊的步驟包括：
在所述氧化層的表面形成銅層，所述銅層可以藉由濺鍍或者電鍍的方式形成；
以及蝕刻部分銅層，以形成所述第一連接墊以及所述第二連接墊。
在本申請一實施方式中，所述製作方法還包括以下步驟：
塗覆覆蓋層於所述第一連接墊以及第二連接墊周圍，其中，設置所述覆蓋層的方式包括焊接掩模定義以及非焊接掩模定義。
在本申請一實施方式中，所述製作方法還包括以下步驟：
塗覆保護層於所述第二透明導電氧化物層遠離所述基板的表面。
一種透明電路板，所述透明電路板包括：透明基板、硬化層、電極層、第一導電膏、第二導電膏以及電子元件。所述硬化層設置於所述基板的一個表面；所述電極層設置於所述硬化層遠離所述基板的表面，所述電極層至少包括層疊設置的第一透明導電氧化物層、金屬層以及第二透明導電氧化物層，所述金屬層位於所述第一透明導電氧化物層以及所述第二透明導電氧化物層之間；所述第一導電膏設置於所述電極層遠離所述基板的表面；所述第二導電膏設置於所述電極層遠離所述基板的表面，所述第二導電膏與所述第一導電膏相距設置；所述電子元件藉由所述第一導電膏以及所述第二導電膏與所述電極層電連接。
在本申請一實施方式中，所述透明電路板還包括第一連接墊以及第二連接墊，所述第一連接墊設置於所述電極層與所述第一導電膏之間，所述第二連接墊設置於所述電極層與所述第二導電膏之間。
在本申請一實施方式中，所述第一導電膏覆蓋所述第一連接墊遠離所述基板的表面以及所述第一連接墊的側面；所述第二導電膏覆蓋所述第二連接墊遠離所述基板的表面以及所述第二連接墊的側面。
在本申請一實施方式中，所述透明電路板還包括硬化層，所述硬化層設置於所述電極層與所述基板之間。
在本申請一實施方式中，所述透明電路板還包括覆蓋層，所述覆蓋層包覆部分所述第一連接墊以及部分所述第二連接墊，或者不包覆所述第一連接墊以及不包覆所述第二連接墊。
在本申請一實施方式中，所述透明電路板還包括保護層，所述保護層設置於所述電極層遠離所述基板且未設置所述第一導電膏以及所述第二導電膏的表面。
本申請提供的透明電路板的製作方法，藉由設置透明的基板以及透明的線路層，光線穿過所述基板以及所述線路層，從而藉由光照熔化導電膏並固化，以連接電子元件，防止某些基板或者電子元件因溫度到而遭到破壞；另外，所述製作方法製作的透明電路板面電阻小。
為了能夠更清楚地理解本申請的上述目的、特徵和優點，下面結合附圖和具體實施方式對本申請進行詳細描述。需要說明的是，在不衝突的情況下，本申請的實施方式及實施方式中的特徵可以相互組合。在下面的描述中闡述了很多具體細節以便於充分理解本申請，所描述的實施方式僅僅是本申請一部分實施方式，而不是全部的實施方式。基於本申請中的實施方式，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施方式，都屬於本申請保護的範圍。
除非另有定義，本文所使用的所有的技術和科學術語與屬於本申請的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在本申請的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施方式的目的，不是旨在於限制本申請。本文所使用的術語“和/或”包括一個或多個相關的所列項目的所有的和任意的組合。
在本申請的各實施例中，為了便於描述而非限制本申請，本申請專利申請說明書以及發明申請專利範圍中使用的術語“連接”並非限定於物理的或者機械的連接，不管是直接的還是間接的。“上”、“下”、“上方”、“下方”、“左”、“右”等僅用於表示相對位置關係，當被描述物件的絕對位置改變後，則該相對位置關係也相應地改變。
請參閱圖1至圖11，本申請實施例提供一種透明電路板100的製作方法，包括以下步驟：
步驟S1：請參閱圖1，提供一透明基板10。
在本實施方式中，所述基板10的透光率為88%-95%。
所述基板10的材質包括但不限於聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚醯亞胺薄膜（PI）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚苯乙烯（PS）、環烯烴聚合物（COP）以及環烯烴共聚物（COC）的至少一種。
在其它實施方式中，所述基板10的材質還可以為玻璃。
所述基板10的厚度可以根據需要進行選擇，例如，在一具體實施方式中，所述基板10的厚度為12μm-200μm。
步驟S2：請參閱圖2至圖3，在所述基板10的一表面形成一氧化層30，所述氧化層30的透光率為82%-95%。
其中，所述氧化層30至少包括層疊設置的第一透明導電氧化物層32、金屬層34以及第二透明導電氧化物層36，所述金屬層34位於所述第一透明導電氧化物層32以及所述第二透明導電氧化物層36之間。
所述第一透明導電氧化物層32以及所述第二透明導電氧化物層36包括透明導電氧化物，所述透明導電氧化物的材質包括但不限於可選自氧化鋅（ZnO）、氧化銦錫（ITO）以及氧化銦鋅（IZO）等。在本實施例中，所述第一透明導電氧化物層32以及所述第二透明導電氧化物層36的材質均為氧化鋅，氧化鋅通常由原材料過氧化鋅（ZnO2 ）所制得，過氧化鋅材料豐富且易得，可降低所述透明電路板100的製作成本。
所述金屬層34的材質包括但不限於釩（V）、鈦（Ti）、鎳（Ni）、鉬（Mo）以及銀（Ag）等。在本實施例中，所述金屬層34的材質為釩。
其中，藉由層疊設置的第一透明導電氧化物層32、金屬層34以及第二透明導電氧化物層36，有利於減小所述氧化層30之間的面電阻。在本實施方式中，所述氧化層30的面電阻為10Ω/m2 -200Ω/m2 。
所述氧化層30的厚度為200nm-250nm。
透明導電氧化物層的層數並不限制為兩層（即不限制為只包括第一透明導電氧化物層32以及第二透明導電氧化物層36），所述金屬層34的層數並不限制為一層。在其他實施例中，所述氧化層30還包括第三透明導電氧化物層（圖未示），所述第三透明導電氧化物層設置於所述第二透明導電氧化物層36遠離所述第一透明導電氧化物層32的表面，所述第三透明導電氧化物層與所述第二透明導電氧化物層36之間設置另一所述金屬層34。
進一步地，所述氧化層30與所述基板10之間還設置硬化層20，所述硬化層20用於調整所述基板10與所述氧化層30之間因熱膨脹係數（CTE）不同而導致透明電路板100熱應力的問題。所述硬化層20可以為二氧化矽（SiO2 ）塗層。
在一具體實施例中，在所述基板10上形成所述氧化層30包括以下步驟：
步驟S201：請參閱圖2，在所述基板10的其中一表面進行硬質化處理，形成所述硬化層20。其中，硬質化處理的方式包括但不限於塗布底漆或者塗布塗層。
步驟S202：請參閱圖3，在所述硬化層20遠離所述基板10的表面濺鍍氧化鋅，以形成所述第一透明導電氧化物層32。
步驟S203：在所述第一透明導電氧化物層32遠離所述基板10的表面濺鍍釩，以形成所述金屬層34。
步驟S204：在所述金屬層34遠離所述基板10的表面濺鍍氧化鋅，以形成所述第二透明導電氧化物層36。
步驟S3：請參閱圖4以及圖5，在所述氧化層30遠離所述基板10的表面形成第一連接墊42以及第二連接墊44。
在一具體實施例中，請參閱圖4，在所述氧化層30的表面形成銅層40，所述銅層40可以藉由濺鍍或者電鍍的方式形成。
請參閱圖5，蝕刻部分銅層40，以形成所述第一連接墊42以及所述第二連接墊44，所述第一連接墊42以及所述第二連接墊44相距設置。所述第一連接墊42以及所述第二連接墊44用於降低所述透明電路板100的電阻值。
所述第一連接墊42以及所述第二連接墊44的尺寸可以根據需要進行設置。在本實施例中，所述第一連接墊42以及所述第二連接墊44可以小於常規連接墊尺寸的60%-100%（請參閱圖8），其中常規連接墊的長度為200μm，寬度為180μm。
所述第一連接墊42以及所述第二連接墊44的厚度為4μm-35μm。
優選地，所述第一連接墊42以及所述第二連接墊44的厚度為9μm-18μm。
步驟S4：請參閱圖6，蝕刻所述氧化層30以形成電極層60，其中，未被第一連接墊42以及第二連接墊44覆蓋的部分氧化層30被蝕刻。
具體地，根據需要蝕刻部分所述氧化層30以形成電極層60，其中蝕刻的區域依次貫穿所述第二透明導電氧化物層36、所述金屬層34以及所述第一透明導電氧化物層32。
可以理解的，所述氧化層30蝕刻後得到的電極層60的透光率為82%-95%，所述電極層60的面電阻為10Ω/m2 -200Ω/m2 。
步驟S5：請參閱圖7，在所述第一連接墊42以及第二連接墊44遠離所述基板10的表面分別形成第一導電膏52以及第二導電膏54。
在本實施例中，所述第一導電膏52以及所述第二導電膏54為錫膏。
如圖7所示，在本實施例中，所述第一導電膏52和所述第一連接墊42的內側大致齊平，所述第二導電膏54和所述第二連接墊44的內側大致齊平。
進一步地，在形成所述第一導電膏52以及所述第二導電膏54之前，還包括棕化處理步驟，以去除所述第一連接墊42以及所述第二連接墊44表面的氧化層。
步驟S6：請參閱圖8，在所述第一導電膏52以及所述第二導電膏54遠離所述基板10的表面貼附一電子元件70後光照、固化，得到所述透明電路板100。
將所述電子元件70貼附於所述第一導電膏52以及所述第二導電膏54的表面，藉由光照，以使所述第一導電膏52以及所述第二導電膏54熔化，然後藉由固化過程，以使所述電子元件70與所述第一導電膏52以及所述第二導電膏54電連接。可以理解的，所述基板10為透明的，形成於所述基板10上的電極層60也為透明的，因此，在光照過程中，即可以從基板10未設置電極層60的表面照射，也可以從電極層60遠離所述基板10的表面照射。進一步地，採用光照法貼附所述電子元件70，光線透過所述基板10以及所述電極層60，所述第一導電膏52以及所述第二導電膏54在光能的作用下熔化，即在較低的溫度下，就可以實現電子元件70的連接，則可以防止破壞某些對溫度敏感的基板10以及電子元件70（例如感測器）。
請參閱圖9，進一步地，所述製作方法還包括以下步驟：塗覆保護層80於所述電極層60遠離所述基板10的表面，且所述表面未設置第一連接墊42、第二連接墊44、第一導電膏52以及第二導電膏54。所述保護層80可以為一塗層或者保護膜，所述保護層80用於防止進入所述基板10以及電極層60光線反射，從而提高所述透明電路板100的透光率。
請參閱圖10，本申請另一實施方式還提供一種透明電路板200的製作方法。與上述製作方法不同之處在於，所述第一連接墊42和所述第二連接墊44的尺寸較小，而所述第一導電膏52不僅覆蓋所述第一連接墊42遠離所述基板10的表面，而且還覆蓋所述第一連接墊42的側面。同理，所述第二導電膏54不僅覆蓋所述第二連接墊44遠離所述基板10的表面，而且還覆蓋所述第二連接墊44的側面。
藉由減小所述第一連接墊42以及所述第二連接墊44的尺寸，在後續處理過程中形成的第一導電膏52以及第二導電膏54包覆所述第一連接墊42以及所述第二連接墊44，可以有利於在後續光照處理過程中，提高光照均勻性以及光照效率，另外增加第一連接墊42與第一導電膏52以及第二連接墊44與第二導電膏54之間的接觸面積，有利於第一導電膏52以及第二導電膏54的附著。
請參閱圖11，本申請又一實施方式還提供一種透明電路板300製作方法。與上述製作方法不同之處在於，可以不設置所述第一連接墊42以及所述第二連接墊44，即所述第一連接墊42以及所述第二連接墊44小於常規連接墊尺寸的100%。即，沒有形成銅層40的步驟，從而省略形成第一連接墊42以及第二連接墊44的步驟，所述第一導電膏52以及第二導電膏54直接設置於所述第二透明導電氧化物層36遠離所述第一透明導電氧化物層32的表面。
進一步地，在形成所述第一連接墊42以及第二連接墊44的步驟之後，所述製作方法還包括以下步驟：塗覆覆蓋層82（請參閱圖9以及圖10）於所述第一連接墊42以及第二連接墊44周圍，所述覆蓋層82的設置包括焊接掩模定義（SMD）以及非焊接掩模定義（NSMD），即所述覆蓋層82可包覆部分所述第一連接墊42以及部分所述第二連接墊44，也可以不包覆所述第一連接墊42以及不包覆所述第二連接墊44。
請參閱圖9，在本實施例中，設置所述覆蓋層82的方式為SMD，即所述覆蓋層82包覆部分所述第一連接墊42以及所述第二連接墊44，未被所述覆蓋層82包覆的部分所述第一連接墊42與所述第一導電膏52連接，未被所述覆蓋層82包覆的部分所述第二連接墊44與所述第二導電膏54連接。
請參閱圖10，在本實施例中，設置所述覆蓋層82的方式為NSMD，即所述覆蓋層82分別圍繞所述第一連接墊42以及所述第二連接墊44相距設置，所述覆蓋層82與所述第一連接墊42之間藉由所述第一導電膏52 填充，所述覆蓋層82與所述第二連接墊44之間藉由所述第二導電膏54填充。
請再次參閱圖8，本申請還提供一種透明電路板100，所述透明電路板100包括基板10、設置於所述基板10一表面的電極層60以及與所述電極層60電連接的電子元件70。
其中，所述基板10的透光率為88%-95%，即所述基板10為透明材質。所述基板10的材質包括但不限於聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚醯亞胺薄膜（PI）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚苯乙烯（PS）、環烯烴聚合物（COP）以及環烯烴共聚物（COC）的至少一種，所述基板10的材質還可以為玻璃。
所述電極層60至少包括層疊設置的所述第一透明導電氧化物層32a、所述金屬層34a以及所述第二透明導電氧化物層36a，所述金屬層34a位於所述第一透明導電氧化物層32a以及所述第二透明導電氧化物層36a之間。
所述電極層60的透光率為82%-95%，所述氧化層30的面電阻為10Ω/m2 -200Ω/m2 。
所述透明導電金屬氧化物層的層數並不限制為兩層，所述金屬層34的層數並不限制為一層。
所述透明電路板100還包括硬化層20，所述硬化層20設置於所述電極層60與所述基板10之間。
所述透明電路板100還包括第一連接墊42、第二連接墊44、第一導電膏52以及第二導電膏54。所述第一導電膏52設置於所述第一連接墊42遠離所述基板10的表面，所述第二導電膏54設置於所述第二連接墊44遠離所述基板10的表面。所述第一導電膏52和所述第一連接墊42的內側大致齊平，所述第二導電膏54和所述第二連接墊44的內側大致齊平。所述電子元件70藉由所述第一連接墊42、第二連接墊44、第一導電膏52以及第二導電膏54與所述電極層60電連接。
請參閱圖9，所述透明電路板100還包括覆蓋層82，所述覆蓋層82包覆部分所述第一連接墊42以及所述第二連接墊44，未被所述覆蓋層82包覆的部分所述第一連接墊42與所述第一導電膏52連接，未被所述覆蓋層82包覆的部分所述第二連接墊44與所述第二導電膏54連接。
進一步地，所述透明電路板100還包括保護層80，所述保護層80設置於所述電極層60遠離所述基板10的表面，且所述表面未設置第一連接墊42、第二連接墊44、第一導電膏52以及第二導電膏54。所述保護層80可以為一塗層或者保護膜，所述保護層80用於防止進入所述基板10以及電極層60光線反射，從而提高所述透明電路板100的透光率。
請參閱圖10，本申請另一實施方式還提供一種透明電路板200，與上述透明電路板100不同之處在於，所述第一連接墊42和所述第二連接墊44的尺寸較小，而所述第一導電膏52不僅覆蓋所述第一連接墊42遠離所述基板10的表面，而且還覆蓋所述第一連接墊42的側面。同理，所述第二導電膏54不僅覆蓋所述第二連接墊44遠離所述基板10的表面，而且還覆蓋所述第二連接墊44的側面。
進一步地，在本實施例中，所述覆蓋層82分別圍繞所述第一連接墊42以及所述第二連接墊44相距設置，所述覆蓋層82 與所述第一連接墊42之間藉由所述第一導電膏52填充，所述覆蓋層82與所述第二連接墊44之間藉由所述第二導電膏54填充。
請參閱圖11，本申請又一實施方式還提供一種透明電路板300，與上述透明電路板100不同之處在於，所述電子元件70可以藉由第一導電膏52以及第二導電膏54與所述電極層60直接電連接，即未設置所述第一連接墊42以及所述第二連接墊44。具體地，所述第一導電膏52設置於所述電極層60遠離所述基板10的表面，所述第二導電膏54設置於所述電極層60遠離所述基板10的表面，所述第二導電膏54與所述第一導電膏52相距設置，所述電子元件70藉由所述第一導電膏52以及所述第二導電膏54與所述電極層60電連接。
本申請提供的透明電路板100的製作方法，藉由設置透明的基板10以及透明的電極層60，光線穿過所述基板10以及所述電極層60，從而藉由光照熔化導電膏並固化，以連接電子元件70，防止某些基板10或者電子元件70因採用傳統的表面貼裝技術（SMT）溫度過高而遭到破壞；另外，所述製作方法製作的透明電路板100面電阻小。
以上實施方式僅用以說明本申請的技術方案而非限制，儘管參照以上較佳實施方式對本申請進行了詳細說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本申請的技術方案進行修改或等同替換都不應脫離本申請技術方案的精神和範圍。
100、200、300:透明電路板 10:基板 20:硬化層 30:氧化層 32、32a:第一透明導電氧化物層 34、34a:金屬層 36、36a:第二透明導電氧化物層 40:銅層 42:第一連接墊 44:第二連接墊 52:第一導電膏 54:第二導電膏 60:電極層 70:電子元件 80:保護層 82:覆蓋層
圖1為本申請實施例提供的基板的截面示意圖。 圖2為在圖1所示的基板的一表面形成硬化層後的截面示意圖。 圖3為在圖2所示的硬化層的表面形成氧化層後的截面示意圖。 圖4為在圖3所示的氧化層的表面形成銅層後的截面示意圖。 圖5為圖4所示銅層被蝕刻形成第一連接墊以及第二連接墊後的截面示意圖。 圖6為蝕刻氧化層形成線路層後的截面示意圖。 圖7為在第一連接墊以及第二連接墊形成第一導電膏以及第二導電膏後的截面示意圖。 圖8為連接一電子元件於第一連接墊以及第二連接墊的表面得到的透明電路板的截面示意圖。 圖9為在圖8所示的透明電路板塗覆保護層後的截面示意圖。 圖10為本申請另一實施例提供的透明電路板的截面示意圖。 圖11為本申請又一實施例提供的透明電路板的截面示意圖。
無。
100:透明電路板
10:基板
20:硬化層
32a:第一透明導電氧化物層
34a:金屬層
36a:第二透明導電氧化物層
42:第一連接墊
44:第二連接墊
52:第一導電膏
54:第二導電膏
60:電極層
70:電子元件

Claims (10)

  1. 一種透明電路板的製作方法，其改良在於，包括以下步驟： 提供一透明基板； 在所述基板的一表面進行硬質化處理，形成硬化層； 在所述硬化層遠離所述基板的表面形成一氧化層，所述氧化層至少包括層疊設置的第一透明導電氧化物層、金屬層以及第二透明導電氧化物層，所述金屬層位於所述第一透明導電氧化物層以及所述第二透明導電氧化物層之間； 蝕刻部分所述氧化層，以形成電極層； 在所述電極層遠離所述基板的表面形成第一導電膏以及第二導電膏；以及 在所述第一導電膏以及所述第二導電膏遠離所述基板的表面貼附一電子元件後光照、固化，得到所述透明電路板。
  2. 如請求項1所述之透明電路板的製作方法，其中在所述電極層遠離所述基板的表面形成所述第一導電膏以及所述第二導電膏之前，還包括以下步驟： 在所述氧化層遠離所述基板的表面形成第一連接墊以及第二連接墊； 其中，未被所述第一連接墊以及所述第二連接墊覆蓋的部分所述氧化層被蝕刻。
  3. 如請求項2所述之透明電路板的製作方法，其中形成所述第一連接墊以及所述第二連接墊的步驟包括： 在所述氧化層的表面形成銅層，所述銅層可以藉由濺鍍或者電鍍的方式形成；以及 蝕刻部分銅層，以形成所述第一連接墊以及所述第二連接墊。
  4. 如請求項3所述之透明電路板的製作方法，其中所述製作方法還包括以下步驟： 塗覆覆蓋層於所述第一連接墊以及第二連接墊周圍，其中，設置所述覆蓋層的方式包括焊接掩模定義以及非焊接掩模定義。
  5. 如請求項1所述之透明電路板的製作方法，其中所述製作方法還包括以下步驟： 塗覆保護層於所述第二透明導電氧化物層遠離所述基板的表面。
  6. 一種透明電路板，其改良在於，所述透明電路板包括： 透明基板； 硬化層，所述硬化層設置於所述基板的一個表面； 電極層，所述電極層設置於所述硬化層遠離所述基板的表面，所述電極層至少包括層疊設置的第一透明導電氧化物層、金屬層以及第二透明導電氧化物層，所述金屬層位於所述第一透明導電氧化物層以及所述第二透明導電氧化物層之間； 第一導電膏，所述第一導電膏設置於所述電極層遠離所述基板的表面； 第二導電膏，所述第二導電膏設置於所述電極層遠離所述基板的表面，所述第二導電膏與所述第一導電膏相距設置；以及 電子元件，所述電子元件藉由所述第一導電膏以及所述第二導電膏與所述電極層電連接。
  7. 如請求項6所述之透明電路板，其中所述透明電路板還包括第一連接墊以及第二連接墊，所述第一連接墊設置於所述電極層與所述第一導電膏之間，所述第二連接墊設置於所述電極層與所述第二導電膏之間。
  8. 如請求項7所述之透明電路板，其中所述第一導電膏覆蓋所述第一連接墊遠離所述基板的表面以及所述第一連接墊的側面；所述第二導電膏覆蓋所述第二連接墊遠離所述基板的表面以及所述第二連接墊的側面。
  9. 如請求項8所述之透明電路板，其中所述透明電路板還包括覆蓋層，所述覆蓋層包覆部分所述第一連接墊以及部分所述第二連接墊，或者不包覆所述第一連接墊以及不包覆所述第二連接墊。
  10. 如請求項6所述之透明電路板，其中所述透明電路板還包括保護層，所述保護層設置於所述電極層遠離所述基板且未設置所述第一導電膏以及所述第二導電膏的表面。
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