CN113556882A - 透明电路板的制作方法以及透明电路板 - Google Patents

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Abstract

一种透明电路板的制作方法，包括以下步骤：提供一透明基板；在所述基板的一表面进行硬质化处理，形成硬化层；在所述硬化层远离所述基板的表面形成一氧化层，所述氧化层至少包括层叠设置的第一透明导电氧化物层、金属层以及第二透明导电氧化物层，所述金属层位于所述第一透明导电氧化物层以及所述第二透明导电氧化物层之间；蚀刻部分所述氧化层，以形成电极层；在所述电极层远离所述基板的表面形成第一导电膏以及第二导电膏；以及在所述第一导电膏以及所述第二导电膏远离所述基板的表面贴附一电子元件后光照、固化，得到所述透明电路板。本申请还提供一种所述制作方法制作的透明电路板。

Description

透明电路板的制作方法以及透明电路板
技术领域
本申请涉及电路板制作领域，尤其涉及一种透明电路板的制作方法以及透明电路板。
背景技术
现有的透明电极材料包括纳米碳材(例如碳纳米管、石墨烯)、透明导电氧化物(例如氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2))、导电聚合物、金属网格以及纳米金属等。上述材料用于制作透明电路板的制程中，通常会有一些缺点，例如，纳米碳材料在使用过程中难以分散，且目前量产难度大；透明导电氧化物不耐挠折、面电阻大；导电聚合物阻值较大；金属网格、纳米金属存在反光问题；同时，制作透明电路板时，在表面贴装回流焊过程中，通常需要较高温度(超过288℃)，一般透明材料在此温度下遭到破坏。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种避免在制作过程中破坏材料的透明电路板的制作方法，以解决上述问题。
另，还有必要提供一种透明电路板。
一种透明电路板的制作方法，包括以下步骤：
提供一透明基板；
在所述基板的一表面进行硬质化处理，形成硬化层；
在所述硬化层远离所述基板的表面形成一氧化层，所述氧化层至少包括层叠设置的第一透明导电氧化物层、金属层以及第二透明导电氧化物层，所述金属层位于所述第一透明导电氧化物层以及所述第二透明导电氧化物层之间；
蚀刻部分所述氧化层，以形成电极层；
在所述电极层远离所述基板的表面形成第一导电膏以及第二导电膏；以及
在所述第一导电膏以及所述第二导电膏远离所述基板的表面贴附一电子元件后光照、固化，得到所述透明电路板。
在本申请一实施方式中，在所述电极层远离所述基板的表面形成所述第一导电膏以及所述第二导电膏之前，还包括以下步骤：
在所述氧化层远离所述基板的表面形成第一连接垫以及第二连接垫；
其中，未被所述第一连接垫以及所述第二连接垫覆盖的部分所述氧化层被蚀刻。
在本申请一实施方式中，形成所述第一连接垫以及所述第二连接垫的步骤包括：
在所述氧化层的表面形成铜层，所述铜层可以通过溅镀或者电镀的方式形成；以及
蚀刻部分铜层，以形成所述第一连接垫以及所述第二连接垫。
在本申请一实施方式中，所述制作方法还包括以下步骤：
涂覆覆盖层于所述第一连接垫以及第二连接垫周围，其中，设置所述覆盖层的方式包括焊接掩模定义以及非焊接掩模定义。
在本申请一实施方式中，所述制作方法还包括以下步骤：
涂覆保护层于所述第二透明导电氧化物层远离所述基板的表面。
一种透明电路板，所述透明电路板包括：透明基板、硬化层、电极层、第一导电膏、第二导电膏以及电子元件。所述硬化层设置于所述基板的一个表面；所述电极层设置于所述硬化层远离所述基板的表面，所述电极层至少包括层叠设置的第一透明导电氧化物层、金属层以及第二透明导电氧化物层，所述金属层位于所述第一透明导电氧化物层以及所述第二透明导电氧化物层之间；所述第一导电膏设置于所述电极层远离所述基板的表面；所述第二导电膏设置于所述电极层远离所述基板的表面，所述第二导电膏与所述第一导电膏相距设置；所述电子元件通过所述第一导电膏以及所述第二导电膏与所述电极层电连接。
在本申请一实施方式中，所述透明电路板还包括第一连接垫以及第二连接垫，所述第一连接垫设置于所述电极层与所述第一导电膏之间，所述第二连接垫设置于所述电极层与所述第二导电膏之间。
在本申请一实施方式中，所述第一导电膏覆盖所述第一连接垫远离所述基板的表面以及所述第一连接垫的侧面；所述第二导电膏覆盖所述第二连接垫远离所述基板的表面以及所述第二连接垫的侧面。
在本申请一实施方式中，所述透明电路板还包括硬化层，所述硬化层设置于所述电极层与所述基板之间。
在本申请一实施方式中，所述透明电路板还包括覆盖层，所述覆盖层包覆部分所述第一连接垫以及部分所述第二连接垫，或者不包覆所述第一连接垫以及不包覆所述第二连接垫。
在本申请一实施方式中，所述透明电路板还包括保护层，所述保护层设置于所述电极层远离所述基板且未设置所述第一导电膏以及所述第二导电膏的表面。
本申请提供的透明电路板的制作方法，通过设置透明的基板以及透明的线路层，光线穿过所述基板以及所述线路层，从而通过光照熔化导电膏并固化，以连接电子元件，防止某些基板或者电子元件因温度到而遭到破坏；另外，所述制作方法制作的透明电路板面电阻小。
附图说明
图1为本申请实施例提供的基板的截面示意图。
图2为在图1所示的基板的一表面形成硬化层后的截面示意图。
图3为在图2所示的硬化层的表面形成氧化层后的截面示意图。
图4为在图3所示的氧化层的表面形成铜层后的截面示意图。
图5为图4所示铜层被蚀刻形成第一连接垫以及第二连接垫后的截面示意图。
图6为蚀刻氧化层形成线路层后的截面示意图。
图7为在第一连接垫以及第二连接垫形成第一导电膏以及第二导电膏后的截面示意图。
图8为连接一电子元件于第一连接垫以及第二连接垫的表面得到的透明电路板的截面示意图。
图9为在图8所示的透明电路板涂覆保护层后的截面示意图。
图10为本申请另一实施例提供的透明电路板的截面示意图。
图11为本申请又一实施例提供的透明电路板的截面示意图。
主要元件符号说明
透明电路板 100、200、300
基板 10
硬化层 20
氧化层 30
第一透明导电氧化物层 32、32a
金属层 34、34a
第二透明导电氧化物层 36、36a
铜层 40
第一连接垫 42
第二连接垫 44
第一导电膏 52
第二导电膏 54
电极层 60
电子元件 70
保护层 80
覆盖层 82
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本申请。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本申请的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本申请进行详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的所有的和任意的组合。
在本申请的各实施例中，为了便于描述而非限制本申请，本申请专利申请说明书以及权利要求书中使用的术语“连接”并非限定于物理的或者机械的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“上方”、“下方”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也相应地改变。
请参阅图1至图11，本申请实施例提供一种透明电路板100的制作方法，包括以下步骤：
步骤S1：请参阅图1，提供一透明基板10。
在本实施方式中，所述基板10的透光率为88％-95％。
所述基板10的材质包括但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺薄膜(PI)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、环烯烃聚合物(COP)以及环烯烃共聚物(COC)的至少一种。
在其它实施方式中，所述基板10的材质还可以为玻璃。
所述基板10的厚度可以根据需要进行选择，例如，在一具体实施方式中，所述基板10的厚度为12μm-200μm。
步骤S2：请参阅图2至图3，在所述基板10的一表面形成一氧化层30，所述氧化层30的透光率为82％-95％。
其中，所述氧化层30至少包括层叠设置的第一透明导电氧化物层32、金属层34以及第二透明导电氧化物层36，所述金属层34位于所述第一透明导电氧化物层32以及所述第二透明导电氧化物层36之间。
所述第一透明导电氧化物层32以及所述第二透明导电氧化物层36包括透明导电氧化物，所述透明导电氧化物的材质包括但不限于可选自氧化锌(ZnO)、氧化铟锡(ITO)以及氧化铟锌(IZO)等。在本实施例中，所述第一透明导电氧化物层32以及所述第二透明导电氧化物层36的材质均为氧化锌，氧化锌通常由原材料过氧化锌(ZnO2)所制得，过氧化锌材料丰富且易得，可降低所述透明电路板100的制作成本。
所述金属层34的材质包括但不限于钒(V)、钛(Ti)、镍(Ni)、钼(Mo)以及银(Ag)等。在本实施例中，所述金属层34的材质为钒。
其中，通过层叠设置的第一透明导电氧化物层32、金属层34以及第二透明导电氧化物层36，有利于减小所述氧化层30之间的面电阻。在本实施方式中，所述氧化层30的面电阻为10Ω/m2-200Ω/m2。
所述氧化层30的厚度为200nm-250nm。
透明导电氧化物层的层数并不限制为两层(即不限制为只包括第一透明导电氧化物层32以及第二透明导电氧化物层36)，所述金属层34的层数并不限制为一层。在其他实施例中，所述氧化层30还包括第三透明导电氧化物层(图未示)，所述第三透明导电氧化物层设置于所述第二透明导电氧化物层36远离所述第一透明导电氧化物层32的表面，所述第三透明导电氧化物层与所述第二透明导电氧化物层36之间设置另一所述金属层34。
进一步地，所述氧化层30与所述基板10之间还设置硬化层20，所述硬化层20用于调整所述基板10与所述氧化层30之间因热膨胀系数(CTE)不同而导致透明电路板100热应力的问题。所述硬化层20可以为二氧化硅(SiO2)涂层。
在一具体实施例中，在所述基板10上形成所述氧化层30包括以下步骤：
步骤S201：请参阅图2，在所述基板10的其中一表面进行硬质化处理，形成所述硬化层20。其中，硬质化处理的方式包括但不限于涂布底漆或者涂布涂层。
步骤S202：请参阅图3，在所述硬化层20远离所述基板10的表面溅镀氧化锌，以形成所述第一透明导电氧化物层32。
步骤S203：在所述第一透明导电氧化物层32远离所述基板10的表面溅镀钒，以形成所述金属层34。
步骤S204：在所述金属层34远离所述基板10的表面溅镀氧化锌，以形成所述第二透明导电氧化物层36。
步骤S3：请参阅图4以及图5，在所述氧化层30远离所述基板10的表面形成第一连接垫42以及第二连接垫44。
在一具体实施例中，请参阅图4，在所述氧化层30的表面形成铜层40，所述铜层40可以通过溅镀或者电镀的方式形成。
请参阅图5，蚀刻部分铜层40，以形成所述第一连接垫42以及所述第二连接垫44，所述第一连接垫42以及所述第二连接垫44相距设置。所述第一连接垫42以及所述第二连接垫44用于降低所述透明电路板100的电阻值。
所述第一连接垫42以及所述第二连接垫44的尺寸可以根据需要进行设置。在本实施例中，所述第一连接垫42以及所述第二连接垫44可以小于常规连接垫尺寸的60％-100％(请参阅图8)，其中常规连接垫的长度为200μm，宽度为180μm。
所述第一连接垫42以及所述第二连接垫44的厚度为4μm-35μm。
优选地，所述第一连接垫42以及所述第二连接垫44的厚度为9μm-18μm。
步骤S4：请参阅图6，蚀刻所述氧化层30以形成电极层60，其中，未被第一连接垫42以及第二连接垫44覆盖的部分氧化层30被蚀刻。
具体地，根据需要蚀刻部分所述氧化层30以形成电极层60，其中蚀刻的区域依次贯穿所述第二透明导电氧化物层36、所述金属层34以及所述第一透明导电氧化物层32。
可以理解的，所述氧化层30蚀刻后得到的电极层60的透光率为82％-95％，所述电极层60的面电阻为10Ω/m2-200Ω/m2。
步骤S5：请参阅图7，在所述第一连接垫42以及第二连接垫44远离所述基板10的表面分别形成第一导电膏52以及第二导电膏54。
在本实施例中，所述第一导电膏52以及所述第二导电膏54为锡膏。
如图7所示，在本实施例中，所述第一导电膏52和所述第一连接垫42的内侧大致齐平，所述第二导电膏54和所述第二连接垫44的内侧大致齐平。
进一步地，在形成所述第一导电膏52以及所述第二导电膏54之前，还包括棕化处理步骤，以去除所述第一连接垫42以及所述第二连接垫44表面的氧化层。
步骤S6：请参阅图8，在所述第一导电膏52以及所述第二导电膏54远离所述基板10的表面贴附一电子元件70后光照、固化，得到所述透明电路板100。
将所述电子元件70贴附于所述第一导电膏52以及所述第二导电膏54的表面，通过光照，以使所述第一导电膏52以及所述第二导电膏54熔化，然后通过固化过程，以使所述电子元件70与所述第一导电膏52以及所述第二导电膏54电连接。可以理解的，所述基板10为透明的，形成于所述基板10上的电极层60也为透明的，因此，在光照过程中，即可以从基板10未设置电极层60的表面照射，也可以从电极层60远离所述基板10的表面照射。进一步地，采用光照法贴附所述电子元件70，光线透过所述基板10以及所述电极层60，所述第一导电膏52以及所述第二导电膏54在光能的作用下熔化，即在较低的温度下，就可以实现电子元件70的连接，则可以防止破坏某些对温度敏感的基板10以及电子元件70(例如传感器)。
请参阅图9，进一步地，所述制作方法还包括以下步骤：涂覆保护层80于所述电极层60远离所述基板10的表面，且所述表面未设置第一连接垫42、第二连接垫44、第一导电膏52以及第二导电膏54。所述保护层80可以为一涂层或者保护膜，所述保护层80用于防止进入所述基板10以及电极层60光线反射，从而提高所述透明电路板100的透光率。
请参阅图10，本申请另一实施方式还提供一种透明电路板200的制作方法。与上述制作方法不同之处在于，所述第一连接垫42和所述第二连接垫44的尺寸较小，而所述第一导电膏52不仅覆盖所述第一连接垫42远离所述基板10的表面，而且还覆盖所述第一连接垫42的侧面。同理，所述第二导电膏54不仅覆盖所述第二连接垫44远离所述基板10的表面，而且还覆盖所述第二连接垫44的侧面。
通过减小所述第一连接垫42以及所述第二连接垫44的尺寸，在后续处理过程中形成的第一导电膏52以及第二导电膏54包覆所述第一连接垫42以及所述第二连接垫44，可以有利于在后续光照处理过程中，提高光照均匀性以及光照效率，另外增加第一连接垫42与第一导电膏52以及第二连接垫44与第二导电膏54之间的接触面积，有利于第一导电膏52以及第二导电膏54的附着。
请参阅图11，本申请又一实施方式还提供一种透明电路板300制作方法。与上述制作方法不同之处在于，可以不设置所述第一连接垫42以及所述第二连接垫44，即所述第一连接垫42以及所述第二连接垫44小于常规连接垫尺寸的100％。即，没有形成铜层40的步骤，从而省略形成第一连接垫42以及第二连接垫44的步骤，所述第一导电膏52以及第二导电膏54直接设置于所述第二透明导电氧化物层36远离所述第一透明导电氧化物层32的表面。
进一步地，在形成所述第一连接垫42以及第二连接垫44的步骤之后，所述制作方法还包括以下步骤：涂覆覆盖层82(请参阅图9以及图10)于所述第一连接垫42以及第二连接垫44周围，所述覆盖层82的设置包括焊接掩模定义(SMD)以及非焊接掩模定义(NSMD)，即所述覆盖层82可包覆部分所述第一连接垫42以及部分所述第二连接垫44，也可以不包覆所述第一连接垫42以及不包覆所述第二连接垫44。
请参阅图9，在本实施例中，设置所述覆盖层82的方式为SMD，即所述覆盖层82包覆部分所述第一连接垫42以及所述第二连接垫44，未被所述覆盖层82包覆的部分所述第一连接垫42与所述第一导电膏52连接，未被所述覆盖层82包覆的部分所述第二连接垫44与所述第二导电膏54连接。
请参阅图10，在本实施例中，设置所述覆盖层82的方式为NSMD，即所述覆盖层82分别围绕所述第一连接垫42以及所述第二连接垫44相距设置，所述覆盖层82与所述第一连接垫42之间通过所述第一导电膏52填充，所述覆盖层82与所述第二连接垫44之间通过所述第二导电膏54填充。
请再次参阅图8，本申请还提供一种透明电路板100，所述透明电路板100包括基板10、设置于所述基板10一表面的电极层60以及与所述电极层60电连接的电子元件70。
其中，所述基板10的透光率为88％-95％，即所述基板10为透明材质。所述基板10的材质包括但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺薄膜(PI)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、环烯烃聚合物(COP)以及环烯烃共聚物(COC)的至少一种，所述基板10的材质还可以为玻璃。
所述电极层60至少包括层叠设置的所述第一透明导电氧化物层32a、所述金属层34a以及所述第二透明导电氧化物层36a，所述金属层34a位于所述第一透明导电氧化物层32a以及所述第二透明导电氧化物层36a之间。
所述电极层60的透光率为82％-95％，所述氧化层30的面电阻为10Ω/m2-200Ω/m2。
所述透明导电金属氧化物层的层数并不限制为两层，所述金属层34的层数并不限制为一层。
所述透明电路板100还包括硬化层20，所述硬化层20设置于所述电极层60与所述基板10之间。
所述透明电路板100还包括第一连接垫42、第二连接垫44、第一导电膏52以及第二导电膏54。所述第一导电膏52设置于所述第一连接垫42远离所述基板10的表面，所述第二导电膏54设置于所述第二连接垫44远离所述基板10的表面。所述第一导电膏52和所述第一连接垫42的内侧大致齐平，所述第二导电膏54和所述第二连接垫44的内侧大致齐平。所述电子元件70通过所述第一连接垫42、第二连接垫44、第一导电膏52以及第二导电膏54与所述电极层60电连接。
请参阅图9，所述透明电路板100还包括覆盖层82，所述覆盖层82包覆部分所述第一连接垫42以及所述第二连接垫44，未被所述覆盖层82包覆的部分所述第一连接垫42与所述第一导电膏52连接，未被所述覆盖层82包覆的部分所述第二连接垫44与所述第二导电膏54连接。
进一步地，所述透明电路板100还包括保护层80，所述保护层80设置于所述电极层60远离所述基板10的表面，且所述表面未设置第一连接垫42、第二连接垫44、第一导电膏52以及第二导电膏54。所述保护层80可以为一涂层或者保护膜，所述保护层80用于防止进入所述基板10以及电极层60光线反射，从而提高所述透明电路板100的透光率。
请参阅图10，本申请另一实施方式还提供一种透明电路板200，与上述透明电路板100不同之处在于，所述第一连接垫42和所述第二连接垫44的尺寸较小，而所述第一导电膏52不仅覆盖所述第一连接垫42远离所述基板10的表面，而且还覆盖所述第一连接垫42的侧面。同理，所述第二导电膏54不仅覆盖所述第二连接垫44远离所述基板10的表面，而且还覆盖所述第二连接垫44的侧面。
进一步地，在本实施例中，所述覆盖层82分别围绕所述第一连接垫42以及所述第二连接垫44相距设置，所述覆盖层82与所述第一连接垫42之间通过所述第一导电膏52填充，所述覆盖层82与所述第二连接垫44之间通过所述第二导电膏54填充。
请参阅图11，本申请又一实施方式还提供一种透明电路板300，与上述透明电路板100不同之处在于，所述电子元件70可以通过第一导电膏52以及第二导电膏54与所述电极层60直接电连接，即未设置所述第一连接垫42以及所述第二连接垫44。具体地，所述第一导电膏52设置于所述电极层60远离所述基板10的表面，所述第二导电膏54设置于所述电极层60远离所述基板10的表面，所述第二导电膏54与所述第一导电膏52相距设置，所述电子元件70通过所述第一导电膏52以及所述第二导电膏54与所述电极层60电连接。
本申请提供的透明电路板100的制作方法，通过设置透明的基板10以及透明的电极层60，光线穿过所述基板10以及所述电极层60，从而通过光照熔化导电膏并固化，以连接电子元件70，防止某些基板10或者电子元件70因采用传统的表面贴装技术(SMT)温度过高而遭到破坏；另外，所述制作方法制作的透明电路板100面电阻小。
以上实施方式仅用以说明本申请的技术方案而非限制，尽管参照以上较佳实施方式对本申请进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本申请的技术方案进行修改或等同替换都不应脱离本申请技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种透明电路板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一透明基板；
在所述基板的一表面进行硬质化处理，形成硬化层；
在所述硬化层远离所述基板的表面形成一氧化层，所述氧化层至少包括层叠设置的第一透明导电氧化物层、金属层以及第二透明导电氧化物层，所述金属层位于所述第一透明导电氧化物层以及所述第二透明导电氧化物层之间；
蚀刻部分所述氧化层，以形成电极层；
在所述电极层远离所述基板的表面形成第一导电膏以及第二导电膏；以及
在所述第一导电膏以及所述第二导电膏远离所述基板的表面贴附一电子元件后光照、固化，得到所述透明电路板。
2.根据权利要求1所述的透明电路板的制作方法，其特征在于，在所述电极层远离所述基板的表面形成所述第一导电膏以及所述第二导电膏之前，还包括以下步骤：
在所述氧化层远离所述基板的表面形成第一连接垫以及第二连接垫；
其中，未被所述第一连接垫以及所述第二连接垫覆盖的部分所述氧化层被蚀刻。
3.根据权利要求2所述的透明电路板的制作方法，其特征在于，形成所述第一连接垫以及所述第二连接垫的步骤包括：
在所述氧化层的表面形成铜层，所述铜层可以通过溅镀或者电镀的方式形成；以及
蚀刻部分铜层，以形成所述第一连接垫以及所述第二连接垫。
4.根据权利要求3所述的透明电路板的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括以下步骤：
涂覆覆盖层于所述第一连接垫以及第二连接垫周围，其中，设置所述覆盖层的方式包括焊接掩模定义以及非焊接掩模定义。
5.根据权利要求1所述的透明电路板的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括以下步骤：
涂覆保护层于所述第二透明导电氧化物层远离所述基板的表面。
6.一种透明电路板，其特征在于，所述透明电路板包括：
透明基板；
硬化层，所述硬化层设置于所述基板的一个表面；
电极层，所述电极层设置于所述硬化层远离所述基板的表面，所述电极层至少包括层叠设置的第一透明导电氧化物层、金属层以及第二透明导电氧化物层，所述金属层位于所述第一透明导电氧化物层以及所述第二透明导电氧化物层之间；
第一导电膏，所述第一导电膏设置于所述电极层远离所述基板的表面；
第二导电膏，所述第二导电膏设置于所述电极层远离所述基板的表面，所述第二导电膏与所述第一导电膏相距设置；以及
电子元件，所述电子元件通过所述第一导电膏以及所述第二导电膏与所述电极层电连接。
7.根据权利要求6所述的透明电路板，其特征在于，所述透明电路板还包括第一连接垫以及第二连接垫，所述第一连接垫设置于所述电极层与所述第一导电膏之间，所述第二连接垫设置于所述电极层与所述第二导电膏之间。
8.根据权利要求7所述的透明电路板，其特征在于，所述第一导电膏覆盖所述第一连接垫远离所述基板的表面以及所述第一连接垫的侧面；所述第二导电膏覆盖所述第二连接垫远离所述基板的表面以及所述第二连接垫的侧面。
9.根据权利要求8所述的透明电路板，其特征在于，所述透明电路板还包括覆盖层，所述覆盖层包覆部分所述第一连接垫以及部分所述第二连接垫，或者不包覆所述第一连接垫以及不包覆所述第二连接垫。
10.根据权利要求6所述的透明电路板，其特征在于，所述透明电路板还包括保护层，所述保护层设置于所述电极层远离所述基板且未设置所述第一导电膏以及所述第二导电膏的表面。
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