TW202140148A - 增強噴射流之方法及裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種產生可經引導於一工件處之一增強噴射流之方法及裝置。該增強噴射流具有較高能量，從而容許該噴射流從基板上移除難以移除之塗層。一加熱流與一挾帶粒子流組合，且透過一噴嘴排出。該加熱流導致更多能量被賦予至該塗層。

Description

增強噴射流之方法及裝置
利用各種類型之噴射介質之粒子噴射系統係眾所周知。用於在一傳送流體中挾帶低溫粒子(諸如固體二氧化碳粒子)及用於將挾帶粒子引導朝向物件/目標之系統係眾所周知，與其等相關聯之各種組成部件(諸如噴嘴)亦係眾所周知，且在美國專利4,744,181、4,843,770、5,018,667、5,050,805、5,071,289、5,188,151、5,249,426、5,288,028、5,301,509、5,473,903、5,520,572、6,024,304、6,042,458、6,346,035、6,524,172、6,695,679、6,695,685、6,726,549、6,739,529、6,824,450、7,112,120、7,950,984、8,187,057、8,277,288、8,869,551、9,095,956、9,592,586、9,931,639及10,315,862中展示，所有其等之完整內容以引用之方式併入本文中。
此外，2007年9月11日申請之標題為Particle Blast System With Synchronized Feeder and Particle Generator之美國專利申請案第11/853194號，美國公開案第2009/0093196號；2012年1月23日申請之標題為Method And Apparatus For Sizing Carbon Dioxide Particles之美國臨時專利申請案第61/589,551號；2012年1月30日申請之標題為Method And Apparatus For Dispensing Carbon Dioxide Particles之美國臨時專利申請案第61/592,313號；2012年5月18日申請之標題為Method And Apparatus For Forming Carbon Dioxide Pellets之美國專利申請案第13/475,454號；2013年10月24日申請之標題為Apparatus Including At Least An Impeller Or Diverter And For Dispensing Carbon Dioxide Particles And Method Of Use之美國專利申請案第14/062,118號，美國公開案第2014/0110510號；2014年10月16日申請之標題為Method And Apparatus For Forming Solid Carbon Dioxide之美國專利申請案第14/516,125號，美國公開案第2015/0166350號；2016年10月19日申請之標題為Blast Media Comminutor之美國專利申請案第15/297,967號，美國公開案第2017/0106500號；2018年4月24日申請之標題為Particle Blast Apparatus之美國專利申請案第15/961,321號；及2019年8月21日申請之標題為Particle Blast Apparatus and Method之美國臨時專利申請案第62/890,044號之完整內容皆以引用之方式併入本文中。
此外，眾所周知挾帶非低溫噴射介質(例如但不限於磨料噴射介質)之粒子噴射裝置。磨料噴射介質之實例包含但不限於碳化矽、氧化鋁、玻璃珠、壓碎類及塑膠。磨料噴射介質可比乾冰介質更具侵蝕性，且其使用在一些情況下較佳。
混合介質噴射亦係眾所周知，其中超過一種類型之介質經挾帶在經引導朝向一目標之一流中。在一種形式之混合介質噴射中，乾冰粒子及磨料介質經挾帶在一單一流中，且經引導朝向一目標。
在以下描述中，貫穿若干視圖，相同元件符號指定相同或對應零件。此外，在以下描述中，應暸解，諸如前部、後部、內部、外部及類似者之術語係方便用詞，且不應被解釋為限制性術語。本專利中所使用之術語並不意指限制，本文中所描述之器件，或其等之部分可在其他定向上附接或利用。更詳細地參考圖式，描述根據本發明之教示建構之一或多個實施例。
應暸解，據稱以引用之方式併入本文中之任何專利、公開案或其他揭示材料全部或部分地僅在所併入材料不與本發明中所闡述之現有定義、陳述及其他揭示材料衝突之範圍內併入本文中。因此，且在必要的範圍內，如本文明確闡述之本發明取代以引用之方式併入本文中之任何衝突材料。
許多因素影響離開粒子噴射系統之噴射噴嘴且衝擊一目標之挾帶粒子流之最終效能。根據本發明之教示，粒子在衝擊目標時之動能及流之溫度可被視為影響最終效能。本發明提供一種用於達成工件處之粒子動能及/或工件處之流溫度之提供所要效能之裝置及方法。
本發明利用將能量添加至挾帶粒子流，此增加工件處之粒子動能及/或增加工件處之流溫度。在本文所揭示之實施例中，藉由提供一加熱流體流(諸如一氣體)，且將加熱流體流與挾帶粒子流組合而達成能量之添加。在一項實施例中，加熱流體與噴射噴嘴近端之挾帶粒子流組合。在其中噴射噴嘴係一超音速噴嘴之一實施例中，加熱流體可與會聚-發散流徑之最小喉部區域之近端的挾帶粒子流組合，且可緊接在組合流達到1馬赫之處的上游組合。
圖1圖解地繪示包含粒子噴射裝置4之粒子噴射系統2。粒子噴射裝置4可連接至壓縮流體源6，該壓縮流體源6透過軟管8遞送至安置在單元10內之粒子進給器(未展示)。如所眾所周知，粒子進給器挾帶噴射介質粒子(在所描繪之實施例中，其等係二氧化碳粒子)，其自一噴射介質源接收粒子進入傳送流體流，且挾帶粒子流流動通過由遞送軟管12所界定之一挾帶流通道至施用器14且流出噴射噴嘴18。
來自源6之壓縮流體可係在任何合適壓力下(諸如40 psig直至300 psig)之任何合適傳送流體(諸如空氣)。傳送流體至少在其離開源6之後係具有足夠動能來傳遞其中所挾帶之粒子之流動流體。
在所描繪之實施例中，噴射噴嘴18係一超音速噴嘴。儘管噴射噴嘴18被描繪為超音速噴嘴，但本發明可結合音速及亞音速噴嘴使用。
在所描繪之實施例中，噴射器16係夾置於施用器14與噴嘴18之間。噴射器16可經組態為一分開組件，或施用器14之一體部分。
系統2包含加熱器20，該加熱器20透過軟管22自源6接收壓縮流體流，向流添加能量，從而導致溫度升高，且透過藉由軟管24界定之一加熱流體通道將高能量流體(本文中亦被稱為加熱流)遞送至噴射器16。當加熱流到達噴射器16時，加熱流之溫度可係任何合適溫度，舉例而言，華氏750°。溫度可在高於環境溫度直至且包含華氏750°之溫度範圍內。取決於所要效能及目標，加熱流之溫度可高於華氏750°。
加熱器20可安置於任何合適位置中。在圖1中，加熱器20經圖解地繪示為靠近噴射器16安置以使來自加熱器20與噴射器16之間之加熱流之熱損失最小化。用以從壓縮流體移除濕氣之一乾燥器(未繪示)可被包含在內，安置於任何合適位置中。一乾燥器可係源6或加熱器20之一體部分。
參考圖2，圖解地繪示噴射器16之一實施例。如上文所提及，儘管噴射器16被繪示為為一分開組件，但噴射器16之特徵及功能可係施用器14之一體部分。噴射器16包括第一流徑26 (亦被稱為第一流通道)及第二流徑28(亦被稱為第二流通道)。第一流徑26包含入口30及出口32，其中第一流徑26內之流體流係從入口30至出口32。噴射噴嘴18 (圖2中未展示)經連接為與出口32流體連通。在所描繪之實施例中，噴射器16之第一流徑26包括與入口30流體連通之第一部分34，接著係與出口32流體連通之第二部分36。在所描繪之實施例中，第一部分34經組態為一會聚部分，其用作在下游產生超音速流所需之會聚部分。在一替代實施例中，被繪示為第一部分34之部分之會聚部分可安置於在入口30之上游，其中入口30與第二部分36直接流體連通。
第二部分36包括沿其長度至一會聚橫截面區域之一大體上恆定橫截面區域。第二部分36可具有通向會聚橫截面區域之一部分之大體上恆定橫截面區域之一部分。當係超音速會聚發散路徑之部分時，第二部分36經組態用於系統2之操作狀況，其中其最小橫截面區域定位於出口32附近，在第一流徑26及第二流徑28(下文描述)之接合部之下游，使得超音速流中之1馬赫之位置出現在接合部之下游。流在達到1馬赫後之超音速膨脹主要發生在噴射噴嘴18中。
第二流徑28包括入口38及出口40，其中通過第二流徑28之流體流係從入口38至出口40。在接合區域42處，出口40將第二流徑28放置為與第一流徑26流體連通。在所描繪之實施例中，第二流徑28包括與入口38流體連通之第一部分44，接著係在接合區域42處與出口40流體連通之第二部分46。在所描繪之實施例中，第一部分44經組態為一會聚部分，其用於加速第二流徑28內之流。在一替代實施例中，被繪示為第一部分44之部分之會聚部分可安置在入口38之上游，其中入口38與第二部分46直接流體連通。
第二部分46包括沿其長度至一會聚橫截面區域之一大體上恆定橫截面區域。第二部分46可具有通向會聚橫截面區域之一部分之大體上恆定橫截面區域之一部分。在超音速實施例中，在接合區域42之下游，第一流徑26與第二流徑28之組合流將達到1馬赫。因此，第二流徑經組態以不在穿過其中之流中產生1馬赫。
在所描繪之實施例中，軟管24連接至入口30，使得加熱流流動通過第一流徑26。具有挾帶粒子之傳送氣流透過入口38遞送至流徑28。此組態避免能量損失，該能量損失將導致轉動加熱流通過結合角(第一流徑26與第二流徑28之間之角)。結合角應儘可能小以最小化通過角度之損失。替代地，具有挾帶粒子之傳送氣流可透過入口30遞送至流徑26，且加熱流透過入口38遞送至流徑28，其中流徑分別經組態用於此流配置。
在操作中，根據一項實施例，加熱流經引導通過第一流徑26，從而在其速度由於藉由第一部分34或其上游會聚而增加之後到達第二部分36。挾帶粒子流經引導通過第二流徑28，從而在其速度由於藉由第一部分44或其上游會聚而增加之後到達第二部分46。加熱流及挾帶粒子流在接合區域42近端處組合，且由於噴射器16之流徑之組態(其為流之設計屬性(例如，壓力、溫度、密度)而如此組態)，組合流在接合區域42之下游達到1馬赫。
組合流(包括加熱流及挾帶粒子流)流動通過且流出噴射噴嘴18以被引導朝向一目標工件。在被描繪為與加熱流組合之結果之實施例中，添加至挾帶粒子流之能量以比在不添加能量的情況產生具有高得多之能量的超音速挾帶粒子流。此較高能量可顯現為氣流之一較高速度、流之一較高溫度及/或挾帶粒子之較高動能。在更高速度之氣流下，挾帶粒子具有更高速度。
來自根據本發明之一系統之所得流能夠自基板移除困難的塗層(諸如環氧樹脂及搪瓷)。
挾帶在較低傳送流體中流動之低溫粒子不曝露於加熱流之溫度，直到流被組合，從而使歸因於加熱流之熱能之低溫粒子的昇華最小化。在所描繪之超音速實施例中，此緊接在第一流徑26中之1馬赫音速平面之上游發生。一旦經組合，流便立即加速至1馬赫以上。
現在參考圖3，其係用於檢視流之流體動力學之會聚發散組態之一圖解繪示。如上文所指示，在所描繪之實施例中，藉由箭頭48所指示之加熱流藉由第一部分34之會聚而加速且進入第二部分36。第二部分36之橫截面區域係對於具有熱量之所要保持的加熱流之所要速度可能所需的。儘管第二部分36可在挾帶粒子流之結合之前繼續會聚，但應注意，藉由會聚增加加熱流之速度導致溫度之相應降低。1馬赫出現在接合區域42之下游之音速平面50處(圖解地繪示正常衝擊波)。音速平面50係可產生如指示之超音速出口流，或可產生音速流之各種設計特性之噴嘴之接合點。在一項實施例中，音速平面50係與出口32重合。
如箭頭52所指示，挾帶粒子流已藉由第二部分28上游之會聚而加速。第二部分46之橫截面區域可達成相對於所供應總壓力之靜態壁壓力及挾帶粒子流之相關聯質量流之所要減小。出口40/接合區域42處之靜態壁壓力低於進入第二部分36之挾帶粒子流之總壓力。
結合區域54係兩個流結合之區域，且若出口橫截面區域及對應內部/出口壓力能夠在出口32處提供阻塞音速流狀況，則結合區域54之長度可接近零。
取決於設計，可存在各種壓力及流。舉例而言，組合流在80 PSI下可為60至65 CFM。在另一實施例中，加熱流在150 PSI下可為170 CFM。流特性可能落於其間。
加熱流及挾帶粒子流之相對流量可適合系統之設計及操作參數。在一項實施例中，加熱流係總流量之約75%，且挾帶粒子流係總流量之約25%。
可監測流之溫度以最佳化噴射噴嘴出口處之溫度。舉例而言，可在噴嘴18之出口處在56處監測溫度，亦可在音速平面50之上游監測溫度，諸如在58處藉由處理系統60監測溫度。可係基於微處理器或係任何合適組態之處理系統60可經組態以控制加熱流之溫度及流速以及挾帶粒子流之質量流、粒徑及流速。(圖1中未繪示藉由處理系統60監測溫度。)
本發明之一態樣係將流保持高於其露點溫度之能力。
本發明及所描述之實施例在與加熱流的流量分開之一挾帶粒子流中傳送低溫粒子，從而維持挾帶粒子流不受加熱流之熱量影響，直到兩個流緊接在組合流流徑之喉部及從噴射噴嘴離開之前在噴射器中組合。
施用器14可包括控制元件，該等控制元件可向處理系統60提供輸入或信號，從而容許操作者控制加熱流中之熱量，諸如藉由非限制性實例，無論藉由在56、58處指定目標感測溫度，或藉由設定低溫粒子之比體積、粒子質量流或加熱流與挾帶粒子流之間之相對流量。
根據本發明之各種態樣，一元件或一元件之任何部分，或元件之任何組合可用一「處理系統」實施，該「處理系統」包含一或多個實體器件(包括處理器)。處理器之非限制性實例包含：微處理器、微控制器、數位信號處理器(DSP)、場可程式化閘陣列(FPGA)、可程式化邏輯器件(PLD)、可程式化邏輯控制器(PLC)、狀態機、閘控邏輯、離散硬體電路及經組態以執行貫穿本發明所描述之各種功能之其他合適硬體。處理系統中之一或多個處理器可執行處理器可執行指令。執行指令以實現一結果之一處理系統係經組態以執行導致結果之任務之一處理系統，諸如藉由向處理系統之一或多組件提供將導致該等組件執行動作之指令，該等動作單獨或與由處理系統之其他組件所執行之其他動作組合將導致該結果。軟體應被廣義地解釋以意指指令、指令集、程式碼(code)、程式碼段、程式碼(program code)、程式、子程式、軟體模組、應用程式、軟體應用程式、套裝軟體、常式、副常式、物件、可執行檔、執行緒、程序、功能等，無論是否被稱為軟體、韌體、中間軟體、微程式碼、硬體描述語言或其他。軟體可駐留在一電腦可讀媒體上。電腦可讀媒體可係一非暫時性電腦可讀媒體。電腦可讀媒體包含實例而言一磁性儲存器件(例如，硬碟、軟碟、磁帶)、一光碟(例如，光碟(CD)、數位多功能光碟(DVD))、一智慧卡、一快閃記憶體器件(例如，卡、棒、保密磁碟(key drive))、隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、可程式化ROM (PROM)、可擦除PROM (EPROM)、電可擦除PROM (EEPROM)、一暫存器、一可移式磁碟及用於儲存可藉由一電腦存取及讀取之軟體及/或指令之任何其他合適媒體。電腦可讀媒體可駐留在處理系統中，在處理系統外部，或分佈遍及包含處理系統之多個實體。電腦可讀媒體可體現在一電腦程式產品中。舉例而言，一電腦程式產品可包含封裝材料中之一電腦可讀媒體。熟習此項技術者將認知如何取決於特定應用及強加在整個系統上之總體設計約束最好地實施本發明通篇所呈現之所描述功能。
明確定義
「基於」意指某事物至少部分藉由其被指示為所「基於」之事物判定。當某事物完全藉由一事物判定時，其將被描述為「唯一地基於」該事物。
「處理器」意指可經組態以個別地或與其他器件組合地執行本發明中所闡述之各種功能之器件。「處理器」之實例包含微處理器、微控制器、數位信號處理器(DSP)、場可程式化閘陣列(FPGA)、可程式化邏輯器件(PLD)、可程式化邏輯控制器(PLC)、狀態機、閘控邏輯及離散硬體電路。片語「處理系統」用於指代一或多個處理器，該一或多個處理器可被包含於一單個器件中，或者分佈遍及多個實體器件。
一處理系統經「組態」以執行一或多個動作之一陳述意指處理系統包含可用於執行處理系統「經組態」以進行之特定動作之資料(其可包含指令)。舉例而言，在一電腦(一種類型之「處理系統」)之情況下，在一電腦上安裝Microsoft WORD將該電腦「組態」為一文字處理器，其將Microsoft WORD之指令與其他輸入(諸如一作業系統及各種周邊設備(例如，一鍵盤、一監視器等) )組合使用而這麼做。
為了繪示及描述之目的，已呈現對本發明之一或多個實施例之前述描述。其並非意欲為詳盡的或將本發明限制於所揭示之精確形式。鑑於以上教示，明顯修改或變化係可行的。選擇及描述實施例以便最好地繪示本發明之原理及其實際應用，以藉此使一般技術者能夠在各種實施例中，且結合適合經審慎考慮之特定用途的各種修改最好地利用本發明。儘管僅詳細解釋本發明之有限數目個實施例，但應暸解，本發明在其範疇上不限於在前文描述中所闡述或在圖式中所繪示的組件之構造及配置之細節。本發明能夠有其他實施例，且能夠以各種方式實踐或執行。此外，為清楚起見，使用特定術語。應暸解，各特定術語包含以一類似方式操作以實現一類似目的之所有技術等效物。本發明之範疇意欲由隨本發明提交之發明申請專利範圍界定。
2:粒子噴射系統 4:粒子噴射裝置 6:壓縮流體源 8:軟管 10:單元 12:軟管 14:施用器 16:噴射器 18:噴嘴 20:加熱器 22:軟管 24:軟管 26:第一流徑 28:第二流徑 30:入口 32:出口 34:第一部分 36:第二部分 38:入口 40:出口 42:接合區域 44:第一部分 46:第二部分 48:箭頭 50:音速平面 52:箭頭 54:結合區域 60:處理系統
隨附圖式繪示用於解釋本發明之原理之實施例。
圖1圖解地繪示根據本發明之一或多個教示組態之一粒子噴射系統。
圖2圖解地繪示用於向挾帶粒子流添加能量之一噴射器。
圖3圖解地繪示根據本發明之教示之態樣之用於檢視通過 一第一流徑及與該第一流徑連通之一第二流徑之流之流體動力學之一會聚發散組態。
2:粒子噴射系統
4:粒子噴射裝置
6:壓縮流體源
8:軟管
10:單元
12:遞送軟管
14:施用器
16:噴射器
18:噴射噴嘴
20:加熱器
22:軟管
24:軟管
60:處理系統

Claims (19)

  1. 一種粒子噴射系統，其經組態以從一噴射噴嘴排出一挾帶粒子流，該粒子噴射系統包括： a. 一加熱流體源； b. 一傳送流體源； c. 一粒子進給器，其可連接至該傳送流體源，該粒子進給器經組態以將粒子挾帶至一傳送流體流中，藉此產生一挾帶粒子流； d. 一噴射器，其包括： i. 一第一流通道，其包括一第一流通道入口及一第一流通道出口； ii.一第二流通道，其包括一第二流通道入口及一第二流通道出口；及 iii.一接合區域，在該接合區域處該第二流通道與該第一流通道流體連通； c. 一挾帶流通道，其經組態以將該挾帶粒子流從該粒子進給器遞送至該第二流通道；及 d. 一加熱流體通道，其將該加熱流體源與該第一流通道入口連接。
  2. 如請求項1之粒子噴射系統，其包括在該第一流通道與該第二流通道之間之一小結合角。
  3. 如請求項1之粒子噴射系統，其中該第一流通道包括與該第一流通道入口流體連通之一第一部分，該第一部分包括一會聚部分。
  4. 如請求項3之粒子噴射系統，其中該第一流通道包括一第二部分，該第二部分與該第一流通道出口流體連通，該第二部分包括該接合區域。
  5. 如請求項4之粒子噴射系統，其中該第一流通道經組態以在該粒子噴射系統之操作期間在該接合區域之下游產生音速流。
  6. 如請求項5之粒子噴射系統，其中該第二部分包括通向會聚橫截面區域之一部分之恆定橫截面區域之一部分。
  7. 如請求項5之粒子噴射系統，其中該噴射噴嘴與該第一流通道出口流體連通，該噴射噴嘴經組態以用於其中流之超音速膨脹。
  8. 如請求項1之粒子噴射系統，其中該第二流通道包括一第一部分，該第一部分包括會聚部分。
  9. 如請求項8之粒子噴射系統，其中該第二流通道包括該第一部分之下游之一第二部分，該第二部分包括通向會聚橫截面區域之一部分之恆定橫截面區域之一部分。
  10. 一種從一噴射噴嘴排出一挾帶粒子流之方法，其包括： a. 提供一加熱流體流； b. 提供一挾帶粒子流； c. 藉由在該噴射噴嘴近端之一第一位置處將該加熱流體流與該挾帶粒子流組合而產生一組合流。
  11. 如請求項10之方法，其包括加速該第一位置之上游之該加熱流體流之步驟。
  12. 如請求項11之方法，其包括加速該第一位置之下游之該組合流之步驟。
  13. 如請求項12之方法，其中加速該第一位置之下游之該組合流之該步驟包括將該組合流加速至1馬赫。
  14. 如請求項13之方法，其中加速該第一位置之下游之該組合流之該步驟包括將該組合流加速至1馬赫以上。
  15. 如請求項13之方法，其中將該組合流加速至1馬赫之該步驟包括使該組合流流動通過一會聚流徑。
  16. 如請求項15之方法，其包括將該組合流加速至1馬赫以上之該步驟。
  17. 如請求項16之方法，其中將該組合流加速至1馬赫以上之該步驟包括使該組合流流動通過一發散流徑。
  18. 如請求項10之方法，其中該加熱流體流包括該組合流之約75%。
  19. 如請求項10之方法，其中該挾帶粒子流具有在該第一位置之上游之一總壓力，且該第一位置處之靜態壁壓力低於該總壓力。
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