TW202123359A - 晶圓製造系統 - Google Patents
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Abstract
本發明之目的係提供一種晶圓製造系統，其係可以較高的取樣周期收集在晶圓製造裝置所進行之晶圓的處理中測量物理量之各種感測器的類比輸出信號，並且將處理中之晶圓的追蹤資訊與各種感測器的輸出信號建立關聯並予以保存。晶圓製造系統1係具備：晶圓製造裝置10，係具有感測器11；主控PC，係通過資料通信線路12而連接於晶圓製造裝置10；邏輯控制器16，係將感測器11的類比輸出信號進行取樣且予以記憶；及中繼PC17，係抽出流動於資料通信線路12上之晶圓製造裝置10進行處理中的晶圓或單晶的追蹤資訊並傳送至邏輯控制器16；邏輯控制器16係將感測器11之類比輸出信號的數位值與從中繼PC17傳送而來的追蹤資訊建立關聯並予以記憶。
Description
本發明係關於一種晶圓製造系統，尤其關於一種收集晶圓製造裝置內之各種感測器（sensor）所測得之資料的晶圓製造系統。
矽晶圓（silicon wafer）已作為半導體元件（device）的基板材料被廣泛地使用。半導體用矽晶圓係經過各種步驟進行製造。首先，經過單晶製造步驟以製造矽單晶。之後，藉由將矽單晶錠（ingot）進行外周磨削、切片（slice）而作成晶圓狀之後，依序執行拋光（lapping）、蝕刻（etching）、雙面研磨、單片研磨、洗淨等步驟進行製造。再者，亦有要進行用以製造退火晶圓（annealed wafer）的退火處理、用以製造磊晶晶圓（epitaxial wafer）的磊晶成膜處理、或用以製造SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣層上覆矽）晶圓的加工處理之情形。以此方式製造的矽晶圓，係在經過檢查步驟之後，被作為晶圓製品進行出貨。檢查不僅有最終檢查，亦有步驟內檢查，而在從單晶製造步驟至最終製品為止的中間階段中亦適當地進行檢查。
伴隨著近年來之半導體元件的微細化及高積體化，半導體元件及其製造過程已產生各式各樣的問題。再者，當預設該種在客戶端製程所產生的問題為源自於矽晶圓者時，解析矽晶圓上的問題是源自於晶圓製造過程之何處的必要性日益提升。基於此緣由，乃進行將晶圓製造過程逐一地記錄且保存於資料庫（database）中，當問題產生時重新檢視資料庫的記錄以探究問題之原因乙事。
關於矽晶圓的步驟管理，在例如專利文獻1中係記載了一種半導體晶圓的製造方法，該製造方法係將從素材錠切出的順序作為晶圓的識別編號給予每片晶圓，且依各片晶圓逐片地追蹤晶圓在各個製造步驟中被如何地搬運之搬運路徑，且作為晶圓資訊予以記憶。
此外，在專利文獻2中係記載了一種單晶錠的管理方法及管理系統，其係在將無線IC（Integrated Circuit，積體電路）標籤（tag）安裝於單晶錠之後，進行將單晶錠的資料寫入至該無線IC標籤，及從該無線IC標籤讀取資料，藉此進行前述單晶錠的步驟管理。
此外，在專利文獻3中係記載了一種資料收集裝置，其係在不使屬於主控電腦（host computer）之原本之任務的生產管理產生障礙下收集半導體製造裝置所需的製程資料（process data）。在專利文獻3的技術中，由於從裝置傳送資料的時序，僅限定為在裝置上發生某種事態時進行傳送的事件訊息（event message）傳送時，因此難以依一秒周期或0.5秒周期等任意的頻率進行收集。
在專利文獻4中係記載了一種資料收集伺服器（server），其係在不使半導體製造裝置之運用的負荷實質地增加下，以實時（realtime）同步化之方式收集具可靠性的資料。在專利文獻4中，係將非定型資料收集開始與結束的時序設為從接收某訊息時至接收其他的某訊息為止，且取得該期間的非定型資料，計算最大、最小、平均值進行傳送。在此情形下，當未進行訊息的傳送接收時、或裝置未進行任何處理的閒置（idle）狀態時，無法收集感測器的輸出資料。此外，由於傳送一定區間的最大、最小、平均值，故無法以一秒以下的周期掌握感測器的資料輸出值，及掌握資料的演變作為波形。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開平5-121521號公報
專利文獻2：日本特開2005-197387號公報
專利文獻3：日本特開2009-064798號公報
專利文獻4：日本特開2006-093641號公報
[發明所欲解決之課題]
如上所述，為了要探究在客戶端製程所產生之源自於矽晶圓之問題的原因，必須預先逐一地記錄矽晶圓是經過何種製造步驟被製品化的歷程資訊。為此之故，較理想的是將在矽晶圓之製造步驟中所測量之溫度或壓力等各種物理量予以逐一地記錄而予以資料庫化。
然而，在以往的晶圓製造裝置之中，會有無法以較高的取樣（sampling）周期讀取晶圓製造裝置所具有之各種感測器的輸出信號，亦無法對應該種規格變更者。因此，會有無法逐一地記錄晶圓製造過程而保存於資料庫的問題。此外，由於以往之晶圓製造裝置，大多只具有相對較低速的SECS（SEMI Equipment Communication Standard，SEMI設備通信標準）通信端口（port）而不具有高速通信端口，因此即便是可改造成以較高的取樣周期讀取各種感測器的輸出信號，亦有無法將其高速轉送至外部的情形。
半導體製造技術日益進步，且最新技術陸續地被導入。然而，晶圓製造裝置的種類各有不同，一方面有被更換為最尖端的裝置者，另一方面亦有舊世代的裝置仍長期活躍之情形，而產生了舊裝置與最新裝置混在一起的狀況。由於晶圓製造裝置價格極高，故希望能加以改造以對應下一世代的製造生產線，同時盡可能地長期使用。
因此，本發明之目的係提供一種晶圓製造系統，其係可以較高的取樣周期收集在晶圓製造裝置所進行之晶圓的處理中測量物理量之各種感測器的類比（analogue）輸出信號，並且將處理中之晶圓的追蹤（tracking）資訊與各種感測器的輸出信號建立關聯並予以保存。
[用以解決問題的手段]
為了解決上述問題，本發明之晶圓製造系統係具備：晶圓製造裝置，係具有感測器；主控PC（Personal Computer，個人電腦），係通過資料通信線路而連接於前述晶圓製造裝置，且控制前述晶圓製造裝置；邏輯控制器（logic controller），係將前述感測器的類比輸出信號進行取樣且予以記憶；及中繼PC，係抽出流動於前述資料通信線路上之前述晶圓製造裝置進行處理中的晶圓或單晶的追蹤資訊並傳送至前述邏輯控制器；前述邏輯控制器係將前述感測器之類比輸出信號的數位值與從前述中繼PC傳送而來的前述追蹤資訊建立關聯並予以記憶。
依據本發明，即可以較高的取樣周期收集晶圓處理中所輸出之晶圓製造裝置內之感測器的測量值，並且將感測器的測量值與處理中之晶圓的追蹤資訊建立關聯並予以保存。因此，即使是無法從晶圓製造裝置之SECS（SEMI Equipment Communication Standard，SEMI設備通信標準）通信端口高速地取出感測器的測量值的情形，亦不會受到SECS通信速度的限制，而可將感測器輸出高速地進行取樣而與追蹤資訊一併進行管理。
在本發明中，所謂晶圓製造裝置係指在晶圓製造步驟中所使用的各種裝置，例如可列舉單晶提取裝置、外周磨削機、帶鋸（band saw）、線鋸（wire saw）、拋光裝置、蝕刻裝置、雙面研磨機、單面研磨機、洗淨裝置、磊晶成膜裝置、熱處理爐、離子（ion）注入裝置等。再者，在晶圓製造裝置中，亦包含有評估氧氣等輕元素或金屬雜質、晶圓平坦度、晶圓表面的粒子（particle）等晶圓之品質的檢查裝置等。
本發明之晶圓製造系統更具備資料收集裝置，該資料收集裝置係周期性地收集前述邏輯控制器所記憶之前述感測器之類比輸出信號的數位值；前述資料收集裝置較佳為將由前述邏輯控制器所記憶之前述感測器之類比輸出信號之數位值及前述追蹤資訊之組合所構成的資料記錄（data record）與資料取得日時建立關聯並予以記錄。藉此，即可使感測器的測量值與追蹤信號同步，且可逐一地記錄晶圓的製造過程而保存於資料庫中。
前述邏輯控制器較佳為以比前述資料收集裝置從前述邏輯控制器收集前述數位值之周期更短的取樣周期將前述感測器的類比輸出信號進行取樣並予以記憶。在此情形下，前述資料收集裝置從前述邏輯控制器收集前述感測器之類比輸出信號之數位值的周期，較佳為1秒以下。藉此，即可確實地收集感測器的測量值。
前述追蹤資訊較佳為選自錠ID、塊（block）ID、晶圓ID、批料（lot）ID及槽（slot）ID的至少一個識別碼（code）。藉由將此等追蹤資訊與感測器的輸出資料進行同步，即可作為用以解析晶圓的資料來使用。
在本發明中，前述邏輯控制器較佳為在前述晶圓製造裝置未處理前述晶圓或單晶的期間中亦總是更新記錄前述感測器之類比輸出信號的數位值。此外，前述邏輯控制器較佳為以不依存於前述晶圓製造裝置之動作狀態之任意的更新頻率，更新記錄前述追蹤資訊與前述感測器之類比輸出信號的數位值。藉此，即可不受晶圓製造裝置10的動作狀態影響而確實地記錄在矽晶圓之製造步驟中所測量的物理量。
[發明之功效]
依據本發明，可提供一種晶圓製造系統，該晶圓製造系統係可以較高的取樣周期收集在晶圓製造裝置所進行之晶圓的處理中測量物理量之各種感測器的類比輸出信號，並且將處理中之晶圓的追蹤資訊與各種感測器的輸出信號建立關聯並予以保存。
以下參照所附圖式詳細地說明本發明之較佳實施形態。
圖1係顯示本發明之實施形態之晶圓製造系統之構成的方塊圖。
如圖1所示，此晶圓製造系統1係具備收集在矽晶圓之製造步驟中所測量之各種物理量之測量資料並進行管理之功能的系統，該晶圓製造系統係具備有：晶圓製造裝置10，係具備感測器11；主控PC15，係通過屬於遵照SECS（SEMI Equipment Communication Standard，SEMI設備通信標準）之資料通信線路的SECS通信線路12而連接於晶圓製造裝置10，且控制晶圓製造裝置10；PLC（可編程邏輯控制器）16，係將感測器11的類比輸出信號進行取樣並予以記憶；中繼PC（中繼裝置）17，係設於SECS通信線路12上，且抽出流動於SECS通信線路12上之晶圓製造裝置10處理中之矽晶圓或單晶（矽塊（silicon block）或矽錠（silicon ingot））之追蹤資訊且傳送至PLC16；及資料收集裝置19，係隨同追蹤資訊一併周期性地收集PLC16所記憶之感測器11的類比輸出信號經過轉換為數位值後的值。
在本實施形態中，晶圓製造系統1雖從四台晶圓製造裝置10-1至10-4收集資料，但晶圓製造裝置10的台數並無特別限定，而且晶圓製造裝置10的種類亦無特別限定。主控PC15係總括地控制晶圓製造裝置10-1至10-4的上位裝置，此外資料收集裝置19係從此等四台晶圓製造裝置10-1至10-4收集各種資料的裝置。雖然主控PC15主控PC15及資料收集裝置19係針對此等四台晶圓製造裝置10-1至10-4共通地準備，但主控PC15及資料收集裝置19的台數並無特別限定。
晶圓製造裝置10係在矽晶圓之製造過程中所使用之各種裝置，尤其以和主控PC15之間進行SECS通信的裝置作為對象。具體而言，晶圓製造裝置10係單晶提取裝置、外周磨削機、帶鋸、線鋸、拋光裝置、蝕刻裝置、雙面研磨機、單面研磨機、洗淨裝置、磊晶成膜裝置、熱處理爐、離子注入裝置等。此外，晶圓製造裝置10亦包含評估氧氣等輕元素或金屬雜質、晶圓平坦度、晶圓表面的粒子等晶圓之品質的檢查裝置等。
設於晶圓製造裝置10之感測器11的種類並無特別限定。例如，當晶圓製造裝置10為洗淨裝置實，洗淨裝置所取得的資料，係純水或藥液等之流量或溫度、藥液溫度等。此外，在熱處理裝置所取得的資料，係氣體流量、處理室內溫度、處理室內壓力、加熱器（heater）溫度、加熱器電力、冷卻水流量、冷卻水溫度等。尤其，以無法將控制軟體改造成可將資料寫入於PLC16的晶圓製造裝置作為對象。
設於晶圓製造裝置10的感測器11，係可為晶圓製造裝置10為了該動作而從最初所準備者，或者亦可為不同於該感測器11之另行準備的感測器。以前者之情形而言，感測器11的輸出信號係分歧為二，一方之輸出信號係被用來控制晶圓製造裝置10的動作，另一方的輸出信號則供資料收集之用被送至PLC16。此外，以後者之情形而言，晶圓製造裝置10從最初所具備之主感測器（main sensor）的輸出信號係被用來控制晶圓製造裝置10的動作，而追加感測器的輸出信號則供資料收集之用被傳送至PLC16。
通常，晶圓製造裝置10-1至10-4係具有SECS通信端口12a，且透過SECS通信線路12而連接於主控PC15。SECS係為了半導體製造裝置間之資料通信所準備的通信規格，由於通信速度係9600bps，故為較低速的通信。實際上要使用此種通信介面以較高的取樣周期來轉送晶圓製造裝置10內之各種感測器的測量值並不容易。然而，藉由由屬於外部裝置的PLC16取進各種感測器的輸出信號，且從不同於SECS介面的其他系統取出，即可以較高的取樣周期轉送各種感測器的測量資料。
中繼PC17係包含用以中繼SECS通信之軟體（應用程式（application program））的電腦。中繼PC17係可接收由主控PC15傳送至晶圓製造裝置10的訊息，並且直接使之通過而送出至晶圓製造裝置10。此外，亦可替代主控PC15傳送訊息至晶圓製造裝置10。再者，可接收晶圓製造裝置10所輸出的訊息，並且使之直接通過，或是視需要改變而送出至主控PC15。再者，中繼PC17係可抽出在主控PC15與晶圓製造裝置10之間傳送接收之資料中所含之處理中之晶圓的追蹤資訊。以此方式抽出之處理中之晶圓的追蹤資訊係被送至邏輯控制器16。
所謂追蹤資訊係指用以特別指出處理中之晶圓所使用的識別碼。追蹤資訊的種類只要可特別指出處理中之矽晶圓則無特別限定，但可列舉被賦予至矽單晶錠的錠ID、被賦予至從矽單晶錠所切出之矽塊的塊ID、被賦予至從矽塊再切出之矽晶圓的晶圓ID、對於以相同加工條件或處理條件等被群組化之數十至數百片矽晶圓共同賦予的批料ID、及被賦予至收容於承載盒（carrier case）內之槽中之矽晶圓的槽ID等。
PLC16係包含MPU（Main Processing Unit，主處理單元）、記憶體（memory）、信號輸入部、信號輸出部及通信部，且以預定的取樣周期取進各晶圓製造裝置10內之感測器11的類比輸出信號並記憶於記憶體的裝置。PLC16係以較上位之資料收集裝置19所進行之資料的取樣周期更高的周期（例如100ms）將各種感測器的輸出信號進行取樣。當晶圓製造裝置10內的感測器11輸出數位輸出信號時，PLC16亦可取進來自感測器11的數位輸出信號。PLC16係以獨立於晶圓製造裝置10之方式設置，且以不依存於晶圓製造裝置10之動作狀態之任意的更新頻率來更新記錄感測器11之類比輸出信號的數位值。PLC16係可不受晶圓製造裝置10的動作狀態影響而將感測器11的類比輸出信號進行取樣並進行更新記錄。
PLC16的通信端口係連接於資料收集裝置19，而PLC16內的資料係被提供給資料收集裝置19。在本實施形態中，PLC16係將感測器11的類比輸出信號轉換為數位值，且與從中繼PC17傳送而來的追蹤資訊建立關聯並予以記憶。感測器11的測量資料係與晶圓製造裝置10的動作無關地被取出，故感測器11的測量資料與晶圓的關聯性不明確，無法作為用以解析晶圓的資料使用。然而，當將感測器11的測量資料與追蹤資訊建立關聯並予以保存時，可掌握感測器11的測量資料是在哪一個晶圓的處理中被測量者，易於進行晶圓之製造步驟中所測量之各種資料的資料庫化。
資料收集裝置19係周期性地讀取由PLC16所記憶之各種感測器11之類比輸出信號經轉換為數位值後之值及追蹤資訊之組合所構成的資料記錄，且與資料取得日時建立關聯並予以記錄。具體而言，在以例如一秒周期收集資料記錄之後，儲存於資料庫20中。PLC16較佳為以較資料收集裝置19收集數位值的周期更短的取樣周期將感測器11的類比輸出信號進行取樣並予以記憶。此時，資料收集裝置19從PLC16收集感測器11之數位輸出信號的周期較佳為1秒以下。
圖2係顯示晶圓製造系統1之動作的流程圖。
如圖2所示，晶圓製造裝置10係依據來自主控PC15的指示而開始晶圓的處理（步驟S1）。對於晶圓的處理，有研磨、洗淨、熱處理、成膜處理等各式各樣的處理，依步驟而有所不同。從晶圓的處理開始至結束為止的期間，在主控PC15與晶圓製造裝置10之間進行SECS通信。
於晶圓處理中，晶圓製造裝置10的感測器11係測量溫度、壓力等物理量。晶圓製造裝置10之感測器11的類比輸出信號，係被用來供晶圓製造裝置10之動作者，故基本上在晶圓製造裝置10內使用即足夠，不需輸出至外部。然而，如上所述，為了追溯晶圓之製造上的問題進行驗證，較理想為收集各種感測器之測量資料的日誌（log）。在本實施形態中，係可收集在晶圓處理中所測量之資料的日誌，且可特別指出從晶圓製造裝置10所進行之控制切離而取出之各種感測器之測量值是處理哪一個晶圓時的測量值。
中繼PC17係中繼晶圓製造裝置10與主控PC15之間之SECS通信，且抽出通信訊息中所含的追蹤資訊，寫入於PLC16的記憶體中（步驟S2A）。
另一方面，PLC16係將在晶圓製造裝置10所進行之晶圓處理中從感測器11所輸出之類比輸出信號進行取樣，且作為數位資料而寫入於PLC16內的記憶體中（步驟S2B）。此時追蹤資訊與感測器11之類比輸出信號的數位資料，係被寫入於PLC16上之相同的暫存器（register），而感測器11的測量資料係與追蹤資訊建立關聯。
PLC16較佳為於晶圓製造裝置10未處理晶圓或單晶的期間中亦總是更新記錄感測器11之類比輸出信號的數位值。藉此，即可不受晶圓製造裝置10的動作狀態影響而確實地記錄在矽晶圓的製造步驟中所測量的物理量。
資料收集裝置19係可參照PLC16內的記憶體，且可對於已與儲存於PLC16內之記憶體中之追蹤資訊建立關聯的各種感測器的測量資料進行存取。資料收集裝置19係例如以一秒周期對於PLC16進行存取，且將由感測器11之類比輸出信號之數位值及追蹤資訊之組合所構成的資料記錄與資料取得日時建立關聯進行收集（步驟S4）。如此一來，資料收集裝置19係可取得晶圓製造裝置10內之感測器11之類比輸出信號的數位值與追蹤資訊的同步資料（步驟S5）。
圖3係儲存於PLC16中之資料記錄的示意圖。
如圖3所示，在PLC16內的記憶體中，係隨同資料取得日時一併記憶有：從SECS通信訊息所抽出的處理中晶圓的追蹤資訊；及晶圓製造裝置10內之感測器11的輸出值。在此例中，晶圓製造裝置10內之溫度感測器及壓力感測器的測量值係依每100ms被記錄。此外，記錄有處理中晶圓的批料ID與槽ID作為追蹤資訊。當複數片矽晶圓被收容於承載盒內時，各晶圓的晶圓ID係與承載盒的批料ID建立關聯且在資料庫上被管理，因此通過參照主控PC15所管理的資料庫，從而可從槽ID特別指出晶圓ID。
圖4（a）至（c）係顯示晶圓製造裝置10之種類與各種感測器之具體例的方塊圖。
如圖4（a）所示，當晶圓製造裝置10為例如硬雷射標記（hard laser mark）打印裝置10A時，係以偵測雷射輸出單元之溫度之溫度感測器的輸出、雷射輸出值等作為資料收集對象。硬雷射標記打印裝置10A係對於製品晶圓以雷射打印ID的裝置，有時會發生打印不清晰而無法讀取文字等的不良。
此外，如圖4（b）所示，當晶圓製造裝置10為例如批次（batch）式晶圓洗淨裝置10B時，係以流量感測器的輸出、溫度感測器的輸出、濃度感測器的輸出等作為資料收集對象。
此外，如圖4（c）所示，當晶圓製造裝置10例如為葉片式熱處理裝置10C時，係以供給至處理室內的惰性氣體、摻雜氣體（dopant gas）等氣體流量、檢測處理室內之溫度的處理室內溫度感測器、處理室內壓力感測器、偵測將晶圓加熱之加熱器之溫度的溫度感測器、檢測加熱器之電功率的加熱器溫度檢測感測器（檢測電路）、檢測冷卻水之流量的冷卻水流量感測器、檢測冷卻水之溫度的冷卻水溫度感測器等作為資料收集對象。
如以上所說明，由於本實施形態之晶圓製造系統1係將設於晶圓製造裝置10之感測器11的類比輸出信號取進至PLC16並予以記錄，因此可取得感測器11的高周期取樣資料，尤其可達成以在SECS通信中無法對應之極高的周期進行資料取樣。此外，由於中繼晶圓製造裝置10與主控PC15之間之SECS通信（包含HSMS（High-Speed SECS Message Services，高速SECS訊息服務））的中繼PC17抽出通信資料中所含的追蹤資訊，因此可易於取得關於目前處理中之晶圓的追蹤資訊。再者，並且將感測器11的輸出資料與目前處理中之晶圓的追蹤資訊建立關聯並予以保存，因此可在彼此建立了關聯的狀態下取得SECS通信上之資料與類比輸出信號之取樣值之從彼此不同的二個介面所輸出的資料，而可利用來作為用以解析特定之晶圓的資料。本發明係對於無法改造既有之晶圓製造裝置10內之軟體成為可將感測器11的測量值取出且予以保存的情形具有功效。
以上雖已說明了本發明的較佳實施形態，但本發明不限定於上述實施形態，在不脫離本發明之主旨的範圍內可進行各種變更，該等當然亦包含於本發明的範圍內。
例如，在上述實施形態中，雖列舉了製造矽晶圓之情形為例，但本發明不限定於矽晶圓，亦可將晶圓處理中被要求收集感測器11所測量之資料的各種素材晶圓作為對象。然而，在半導體用矽晶圓的製造系統中，除裝置的種類及台數較多外，再加上裝置間的世代差異亦較大，故本發明的功效顯著。
1:晶圓製造系統
10,10-1至10-4:晶圓製造裝置
10A:硬雷射標記打印裝置
10B:晶圓洗淨裝置
10C:葉片式熱處理裝置
11:感測器
12:SECS通信線路
12a:SECS通信端口
15:主控PC
16:PLC
17:中繼PC
19:資料收集裝置
20:資料庫
圖1係顯示本發明之實施形態之晶圓製造系統之構成的方塊圖。
圖2係顯示晶圓製造系統之動作的流程圖。
圖3係儲存於PLC（Programmable Logic Control，可編程邏輯控制器）中之資料記錄的示意圖。
圖4（a）至（c）係顯示晶圓製造裝置之種類與各種感測器之具體例的方塊圖。
10,10-1至10-4:晶圓製造裝置
11:感測器
12:SECS通信線路
12a:SECS I/F
15:主控PC
16:PLC
17:中繼PC
19:資料收集裝置
20:資料庫
Claims (11)
- 一種晶圓製造系統，係具備： 晶圓製造裝置，係具有感測器； 主控PC，係通過資料通信線路而連接於前述晶圓製造裝置，且控制前述晶圓製造裝置； 邏輯控制器，係將前述感測器的類比輸出信號進行取樣且予以記憶；及 中繼PC，係抽出流動於前述資料通信線路上之前述晶圓製造裝置進行處理中的晶圓或單晶的追蹤資訊並傳送至前述邏輯控制器； 前述邏輯控制器係將前述感測器之類比輸出信號的數位值與從前述中繼PC傳送而來的前述追蹤資訊建立關聯並予以記憶。
- 如請求項1所述之晶圓製造系統，更具備資料收集裝置，該資料收集裝置係周期性地收集前述邏輯控制器所記憶之前述感測器之類比輸出信號的數位值； 前述資料收集裝置係將由前述邏輯控制器所記憶之前述感測器之類比輸出信號之數位值及前述追蹤資訊之組合所構成的資料記錄與資料取得日時建立關聯並予以記錄。
- 如請求項2所述之晶圓製造系統，其中，前述邏輯控制器係以比前述資料收集裝置從前述邏輯控制器收集前述數位值之周期更短的取樣周期將前述感測器的類比輸出信號進行取樣並予以記憶。
- 如請求項3所述之晶圓製造系統，其中，前述資料收集裝置從前述邏輯控制器收集前述感測器之類比輸出信號之數位值的周期係1秒以下。
- 如請求項1至請求項4中任一項所述之晶圓製造系統，其中，前述追蹤資訊係選自錠ID、塊ID、晶圓ID、批料ID及槽ID的至少一個識別碼。
- 如請求項1至請求項4中任一項所述之晶圓製造系統，其中，前述邏輯控制器係在前述晶圓製造裝置未處理前述晶圓或單晶的期間中亦總是更新記錄前述感測器之類比輸出信號的數位值。
- 如請求項5所述之晶圓製造系統，其中，前述邏輯控制器係在前述晶圓製造裝置未處理前述晶圓或單晶的期間中亦總是更新記錄前述感測器之類比輸出信號的數位值。
- 如請求項1至請求項4中任一項所述之晶圓製造系統，其中，前述邏輯控制器係以不依存於前述晶圓製造裝置之動作狀態之任意的更新頻率，更新記錄前述追蹤資訊與前述感測器之類比輸出信號的數位值。
- 如請求項5所述之晶圓製造系統，其中，前述邏輯控制器係以不依存於前述晶圓製造裝置之動作狀態之任意的更新頻率，更新記錄前述追蹤資訊與前述感測器之類比輸出信號的數位值。
- 如請求項6所述之晶圓製造系統，其中，前述邏輯控制器係以不依存於前述晶圓製造裝置之動作狀態之任意的更新頻率，更新記錄前述追蹤資訊與前述感測器之類比輸出信號的數位值。
- 如請求項7所述之晶圓製造系統，其中，前述邏輯控制器係以不依存於前述晶圓製造裝置之動作狀態之任意的更新頻率，更新記錄前述追蹤資訊與前述感測器之類比輸出信號的數位值。
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