TW202116129A

TW202116129A - 軟性電路板及其微型通孔的加工方法

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Publication number: TW202116129A
Application number: TW108136821A
Authority: TW
Inventors: 梁隆禎; 賴鴻昇; 李偉杰
Original assignee: 嘉聯益科技股份有限公司
Priority date: 2019-10-14
Filing date: 2019-10-14
Publication date: 2021-04-16
Also published as: TWI705746B

Abstract

本發明公開一種軟性電路板及其微型通孔的加工方法。軟性電路板包含板材結構及導電金屬填充結構。板材結構包含絕緣基板、第一導電金屬層、及第二導電金屬層。第一導電金屬層及第二導電金屬層分別設置於絕緣基板的兩個相反的側表面上。板材結構具有微型通孔，微型通孔貫穿形成於第一導電金屬層、絕緣基板、及第二導電金屬層，並且微型通孔的孔徑尺寸是自第一導電金屬層朝著絕緣基板及第二導電金屬層的方向減少。導電金屬填充結構填充於微型通孔中，並且導電金屬填充結構在形狀上互補於微型通孔。

Description

軟性電路板及其微型通孔的加工方法

本發明涉及一種軟性電路板，特別是涉及一種軟性電路板及其微型通孔的加工方法。

電子產品的體積日趨輕薄短小，為了製造越來越多的細線路設計產品，盲孔孔徑與線寬線距逐漸地縮小，在BGA焊墊結構上也使得電子元件設計配置更為方便，因佔用空間縮小，產品設計空間效率增加，同時讓BGA元件應用性提升不少。

然而，採用盲孔設計使得薄板材的微盲孔於孔璧金屬化的過程中、面臨重要問題：如（1）盲孔底部的雷射碳渣於清除時、無法完全被清除，因此電鍍後盲孔的底部存在著ICD（Interconnection Defect）的風險、（2）雷射後經多道濕製程清潔，盲孔的底部容易有咬穿狀況。

另外，因雷射特性的關係，於薄板材微盲孔加工的過程中，其存在面銅開孔不全、能量控制不易、容易傷到底銅、或雷射容易直接燒穿盲孔底部等缺陷。

於是，本發明人認為上述缺陷可改善，乃特潛心研究並配合科學原理的運用，終於提出一種設計合理且有效改善上述缺陷的本發明。

本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種軟性電路板及其微型通孔的加工方法。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種軟性電路板的微型通孔加工方法，其包括：提供一板材結構；其中，所述板材結構包含有一絕緣基板、一第一導電金屬層及一第二導電金屬層；其中，所述第一導電金屬層及所述第二導電金屬層是分別設置於所述絕緣基板的位於相反側的兩個表面上；對所述板材結構實施一雷射鑽孔步驟，以在所述板材結構上形成有一微型通孔；其中，所述微型通孔是貫穿地形成於所述第一導電金屬層、所述絕緣基板、及所述第二導電金屬層，並且所述微型通孔的孔徑尺寸是自所述第一導電金屬層朝著所述絕緣基板及所述第二導電金屬層的方向減少；以及對所述微型通孔實施一填孔電鍍步驟，以在所述板材結構上形成有一導電金屬填充結構；其中，所述導電金屬填充結構是填充於所述微型通孔中，並且所述導電金屬填充結構在形狀上互補於所述微型通孔。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是，提供一種軟性電路板，其包括：一板材結構，其包含有一絕緣基板、一第一導電金屬層、及一第二導電金屬層；其中，所述第一導電金屬層及所述第二導電金屬層是分別設置於所述絕緣基板的位於相反側的兩個表面上；其中，所述板材結構進一步形成有一微型通孔，所述微型通孔是貫穿地形成於所述第一導電金屬層、所述絕緣基板、及所述第二導電金屬層，並且所述微型通孔的孔徑尺寸是自所述第一導電金屬層朝著所述絕緣基板及所述第二導電金屬層的方向減少；以及一導電金屬填充結構，其是填充於所述微型通孔中，並且所述導電金屬填充結構在形狀上互補於所述微型通孔。

本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的軟性電路板及其微型通孔的加工方法，其能通過“所述微型通孔是貫穿地形成於所述第一導電金屬層、所述絕緣基板、及所述第二導電金屬層，並且所述微型通孔的孔徑尺寸是自所述第一導電金屬層朝著所述絕緣基板及所述第二導電金屬層的方向減少”以及“所述導電金屬填充結構是填充於所述微型通孔中，並且所述導電金屬填充結構在形狀上互補於所述微型通孔”的技術方案，從而有效改善現有的軟性電路板盲孔加工不易的問題（如：孔穿燒），並且可以有效避免盲孔品質變異（ICD）的風險。

另外，值得一提的是，由於所述微型通孔在孔徑尺寸及孔洞形狀上皆具有特殊的設計規格，因此在製程上，軟性電路板的雷射鑽孔效率能被提升、製造的成本能被降低。再者，隨著孔徑的縮小，金屬墊（Pad）的設計尺寸也可以縮小，從而使得佈線設計的密集性也能被提升。進一步地說，由於所述導電金屬填充結構的兩端是分別與位於外層的金屬增厚層一體成型地連接，因此所述軟性電路板能具有良好的可靠性、且不容易出現鍍層與鍍層之間剝離或斷裂的情形發生。

為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。

以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。

應當可以理解的是，雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件或者信號，但這些元件或者信號不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件，或者一信號與另一信號。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。

[軟性電路板的微型通孔加工方法]

參閱圖1至圖6所示，本發明實施例提供一種軟性電路板的微型通孔加工方法。所述軟性電路板的微型通孔加工方法包含有步驟S110、步驟S120、及步驟S130。必須說明的是，本實施例所載之各步驟的順序與實際的操作方式可視需求而調整，並不限於本實施例所載。

如圖1所示，所述步驟S110包含：提供一板材結構1。其中，所述板材結構1包含有一絕緣基板11、一第一導電金屬層12、及一第二導電金屬層13。再者，所述第一導電金屬層12及第二導電金屬層13是分別設置於絕緣基板11的位於相反側的兩個表面上。換句話說，所述板材結構1包含有由上至下依序堆疊的第一導電金屬層12、絕緣基板11、及第二導電金屬層13。

進一步地說，所述板材結構1具有一頂面1a及一底面1b，所述第一導電金屬層12的相反於絕緣基板11的一側表面定義為所述頂面1a，並且所述第二導電金屬層13的相反於絕緣基板11的一側表面定義為所述底面1b。

其中，所述絕緣基板11的材質可以例如是聚醯亞胺（polyimide，PI）、聚碳酸酯（polycarbonate，PC）、聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate，PET）、或聚四氟乙烯（polytetrafluoroethylene，PTFE）。在本實施例中，所述絕緣基板11的材質優選為聚醯亞胺。再者，所述絕緣基板11的厚度優選是介於12微米至25微米之間，但本發明不受限於此。根據上述配置，所述絕緣基板11能具有良好的可彎曲性，從而使得所述絕緣基板11適用於做為軟性電路板的基板材質。

其中，所述第一導電金屬層12的材質可以例如是銅箔，並且所述第二導電金屬層13的材質也可以例如是銅箔。再者，所述第一導電金屬層12的厚度優選是介於9微米至12微米之間，並且所述第一導電金屬層12的厚度也優選是介於9微米至12微米之間。根據上述配置，所述板材結構1也可以稱為一銅箔基板，但本發明不受限於此。

如圖2A及2B所示，所述步驟S120包含：對所述板材結構1實施一雷射鑽孔步驟，以在所述板材結構1上形成有一微型通孔2。其中，所述微型通孔2是依序貫穿地形成於第一導電金屬層12、絕緣基板11、及第二導電金屬層13。再者，所述微型通孔2的孔徑尺寸是自第一導電金屬層12朝著絕緣基板11及第二導電金屬層13的方向逐漸地減少。

從另一個角度說，所述微型通孔2是貫穿於板材結構1的頂面1a及底面1b，並且所述微型通孔2的孔徑尺寸是自板材結構1的頂面1a朝著其底面1b的方向逐漸地減少。

值得一提的是，為了有利於所述板材結構1的微型通孔2在後續的填孔電鍍步驟中更容易地被填滿，所述板材結構1的微型通孔2具有一較佳的孔徑尺寸及孔洞形狀。

在孔徑尺寸方面，所述板材結構1的微型通孔2的孔徑尺寸通常是介於15微米至55微米之間、優選是介於20微米至50微米之間、且特優選是介於25微米至50微米之間。

更具體地說，所述微型通孔2的位於頂面1a的孔徑尺寸定義為一第一孔徑D1，所述微型通孔2的位於底面1b的孔徑尺寸定義為一第二孔徑D2，並且所述微型通孔2的第一孔徑D1大於其第二孔徑D2。

其中，所述微型通孔2的第一孔徑D1優選是介於30微米至55微米之間、更優選是介於30微米至50微米之間、且特優選是介於35微米至50微米之間。另，所述微型通孔2的第二孔徑D2優選是介於15微米至30微米之間、更優選是介於20微米至30微米之間、且特優選是介於25微米至30微米之間。

在本實施例中，所述微型通孔2的孔徑尺寸是自所述第一孔徑D1逐漸地減少為所述第二孔徑D2、且是自板材結構1的頂面1a朝著其底面1b的方向逐漸地減少。

另，在本實施例中，在所述微型通孔2沿著板材結構1的一法線方向正投影的一投影平面中，所述微型通孔2的位於頂面1a的孔徑輪廓、是落在所述微型通孔2的位於底面1b的徑輪廓的內側（圖未繪示），但本發明不受限於此。

請繼續參閱圖2A及圖2B所示，在孔洞形狀方面，所述微型通孔2的孔壁21包圍地形成有呈截錐狀的一填充空間22。在本實施例中，所述填充空間22優選是呈圓形截錐狀（如圖2B），但本發明不受限於此。舉例來說，所述填充空間也可以例如是呈橢圓形截錐狀、矩形截錐狀、或菱形截錐狀，本發明並不予以限制。

再者，所述微型通孔2的孔壁21是傾斜於板材結構1的頂面1a及底面1b、且與所述板材結構1的底面1b相夾有介於40度至60度之間的一夾角θ（如圖2A）。並且，在本發明的一優選實施例中，所述微型通孔2的孔壁21是與板材結構1的底面1b相夾有介於45度至60度之間的一夾角θ。

進一步地說，如圖2A所示，在所述板材結構1的一橫截面中，所述微型通孔2的孔壁21為一平直的表面，但本發明不受限於此。舉例來說，如圖2C所示，所述微型通孔2的孔壁21也可以例如是為一內凹的曲面，或者如圖2D所示，所述微型通孔2的孔壁21也可以例如是為一外凸的曲面，本發明並不予以限制。

請繼續參閱圖2A所示，在本發明的一優選實施例中，所述微型通孔2的鑽孔深度H（或稱板厚）與其第一孔徑D1的比值定義為一第一孔徑比，並且所述微型通孔2的鑽孔深度H（或稱板厚）與其第二孔徑D2的比值定義為一第二孔徑比。其中，所述第一孔徑比優選是介於1.0至1.4之間、且特優選是介於0.8至1.2之間。再者，所述第二孔徑比優選是介於1.1至1.5之間、且特優選是介於0.9至1.3之間，但本發明不受限於此。

根據上述微型通孔2的孔徑尺寸及孔洞形狀的設計，所述板材結構1的微型通孔2在後續的填孔電鍍步驟中將更容易地被電鍍金屬（如：電鍍銅）所填滿，從而使得最終形成的軟性電路板具有實心的導電金屬填充結構3（如圖6）、進而具有良好的信賴性品質。也就是說，在本實施例中，所述導電金屬填充結構3優選為一實心的鍍層結構、且其內部未產生有任何包孔的情形（或未包含有任何的中空孔隙）。以下將詳細說明所述板材結構1的微型通孔2在後續的填孔電鍍步驟中的作業情形。

如圖3至圖6所示，所述步驟S130包含：對所述微型通孔2實施一填孔電鍍步驟，以在所述板材結構1上形成有一導電金屬填充結構3。其中，在完成所述填孔電鍍步驟後，所述導電金屬填充結構3是填充於微型通孔2中，並且所述導電金屬填充結構3在形狀上互補於微型通孔2（如圖6）。也就是說，在本實施例中，填充於所述微型通孔2中的導電金屬填充結構3也是大致呈截錐狀。再者，所述導電金屬填充結構3的兩端是分別直接地連接於第一導電金屬層12及第二導電金屬層13，以使得所述第一導電金屬層12及第二導電金屬層13能通過導電金屬填充結構3、而彼此電性連接。

更具體地說，依據所述導電金屬填充結構3於微型通孔2中形成的過程大致可以區分為三個階段，其依序包含：初始階段（如圖3）、連接階段（如圖4）、及填孔階段（如圖5及圖6）。

如圖3所示，在初始階段中，所述板材結構1形成有一金屬增厚層31。所述金屬增厚層31是通過電鍍的方式形成於板材結構1的頂面1a及底面1b上、且也形成於所述微型通孔2的孔壁21上。所述金屬增厚層31是連續且完整地覆蓋於板材結構1的頂面1a及底面1b上、且也覆蓋於所述微型通孔2的孔壁21上。再者，形成於所述孔壁21上的金屬增厚層31、其兩端是分別延伸地連接於頂面1a上的金屬增厚層31及底面1b上的金屬增厚層31。

進一步地說，在此階段下，形成於所述孔壁21上的金屬增厚層31的厚度仍然不足，因此所述微型通孔2仍然呈現為貫穿的狀態。

如圖4所示，在連接階段中，所述金屬增厚層31的厚度將持續地增加。由於所述微型通孔2的孔型設計為上寬下窄的設計，因此當所述金屬增厚層31的厚度增加至一定程度的時候，所述金屬增厚層31將先由微型通孔2的中間、且鄰近於第二導電金屬層13的位置處先行連接，以形成一金屬連接部32。也就是說，在此階段下，所述金屬連接部32的位置大致是位於微型通孔2的中間、且鄰近於第二導電金屬層13的位置處，但本發明不受限於此。

其中，位於所述微型通孔2內側的金屬增厚層31及金屬連接部32可共同定義為一導電金屬填充結構3。

進一步地說，在此階段下，由於所述微型通孔2已被金屬連接部32填充，因此所述微型通孔2呈現為封閉的狀態（或非貫穿的狀態）。再者，所述金屬連接部32的兩端各自形成有一個微凹陷（micro dimple）33a、33b，並且所述金屬連接部32的鄰近於第一導電金屬層12的微凹陷33a（如圖4，位於上端的微凹陷33a）在尺寸上大於所述金屬連接部32的鄰近於第二導電金屬層13的微凹陷33b（如圖4，位於下端的微凹陷33b）。

如圖5及圖6所示，在填孔階段中，所述金屬增厚層31的厚度將持續地增加，並且所述導電金屬填充結構3的厚度是自金屬連接部32朝著第一導電金屬層12及第二導電金屬層13的方向逐漸地增加，以使得所述導電金屬填充結構3填滿於微型通孔2，並且所述第一導電金屬層12及第二導電金屬層13能通過導電金屬填充結構3而彼此電性連接。

進一步地說，在如圖5的階段下，所述金屬連接部32的鄰近於第二導電金屬層13的微凹陷33b將先被填平（因其尺寸較小）；接著，在如圖6的階段下，所述金屬連接部32的鄰近於第一導電金屬層12的微凹陷33a也接續被填平。

整體而言，在所述填孔電鍍步驟中，所述導電金屬填充結構3是由微型通孔2的中間且鄰近於第二導電金屬層13的位置處先行連接，以形成一金屬連接部32。接著，所述導電金屬填充結構3的厚度是自金屬連接部32朝著第一導電金屬層12及第二導電金屬層13的方向逐漸地增加，以使得所述導電金屬填充結構3填滿於微型通孔2，並且所述第一導電金屬層12及第二導電金屬層13能通過導電金屬填充結構3而彼此電性連接。

值得一提的是，為了讓所述微型通孔2的孔壁21鍍覆有金屬增厚層31，所述微型通孔2的孔壁21可以例如是在進行電鍍前，先以化學銅或濺鍍的方式形成有厚度較薄的一晶種層（圖未標號），以利於後續的電鍍作業，但本發明不受限於此。

另外，值得一提的是，為了提升所述微型通孔2的填孔效率，在本發明的一優選實施例中，所述填孔電鍍作業是通過上述微型通孔2的孔徑尺寸及孔洞形狀、且搭配於特殊的電鍍藥水特性（如：具有整平劑、載運劑、及光亮劑的電鍍藥水），以使得所述微型通孔2的孔壁21上金屬增厚層31的增厚速度、快於所述頂面1a及底面1b上金屬增厚層31的增厚速度（也即，孔銅的成長速率快於面銅的成長速率）。

[軟性電路板]

以上為本發明實施例的軟性電路板的加工方法的說明，而以下接著說明本實施例的軟性電路板的具體構造。必須說明的是，雖然本實施例的軟性電路板是通過上述加工方法所製成，但本發明不受限於此。也就是說，本發明的軟性電路板也可以是通過其它的電路板的加工方法所製成。

如圖6所示，本實施例另公開一種軟性電路板。所述軟性電路板包含有一板材結構1、及形成且貫穿於所述板材結構1內側的一導電金屬填充結構3。

其中，所述板材結構1包含有一絕緣基板11、一第一導電金屬層12、及一第二導電金屬層13。所述第一導電金屬層12及第二導電金屬層13是分別設置於絕緣基板11的位於相反側的兩個表面上。

再者，所述板材結構1進一步形成有一微型通孔2，所述微型通孔2是貫穿地形成於第一導電金屬層12、絕緣基板11、及第二導電金屬層13，並且所述微型通孔2的孔徑尺寸是自第一導電金屬層12朝著絕緣基板11及第二導電金屬層13的方向減少。

進一步地說，所述導電金屬填充結構3是填充於微型通孔2中，並且所述導電金屬填充結構3在形狀上互補於微型通孔2、也大致呈截錐狀。

值得一提的是，在本發明的一實施例中，上述軟性電路板的外層導電金屬層（如：第一導電金屬層12、第二導電金屬層13、金屬增厚層31）可以例如是進一步通過微影及蝕刻等製程步驟、而形成有外層線路圖案（圖未繪示）。

再者，如圖7所示，在本發明的另一實施例中，所述導電金屬填充結構3的鄰近於第一導電金屬層12的端部進一步設置有一球柵陣列封裝結構（ball grid array，BGA）4，並且所述球柵陣列封裝結構4與導電金屬填充結構3的端部是彼此緊密地相連、而未包含有任何的間隙，但本發明不受限於此。舉例來說，在本發明未繪示的實施例中，所述球柵陣列封裝結構4也可以例如是設置於所述導電金屬填充結構3的鄰近於第二導電金屬層13的端部處。

[實施例的有益效果]

以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。

1:板材結構 11:絕緣基板 12:第一導電金屬層 13:第二導電金屬層 1a:頂面 1b:底面 2:微型通孔 21:孔壁 22:填充空間 3:導電金屬填充結構 31:金屬增厚層 32:金屬連接部 33a、33b:微凹陷 4:球柵陣列封裝結構 D1:第一孔徑 D2:第二孔徑 H:鑽孔深度 θ:夾角

圖1為本發明實施例軟性電路板的加工方法的步驟S110示意圖。

圖2A為本發明實施例軟性電路板的加工方法步驟S120示意圖。

圖2B為本發明實施例具有微型通孔的板材結構的立體示意圖。

圖2C為本發明的一變化實施例中的微型通孔的孔壁呈現為內凹曲面的示意圖。

圖2D為本發明的一變化實施例中的微型通孔的孔壁呈現為外凸曲面的示意圖。

圖3為本發明實施例軟性電路板加工方法步驟S130示意圖（一）。

圖4為本發明實施例軟性電路板加工方法步驟S130示意圖（二）。

圖5為本發明實施例軟性電路板加工方法步驟S130示意圖（三）。

圖6為本發明實施例軟性電路板加工方法步驟S130示意圖（四）。

圖7為本發明實施例軟性電路板上設置有球柵陣列封裝結構的示意圖。

1:板材結構

11:絕緣基板

12:第一導電金屬層

13:第二導電金屬層

1a:頂面

1b:底面

2:微型通孔

3:導電金屬填充結構

31:金屬增厚層

32:金屬連接部

Claims

一種軟性電路板的微型通孔加工方法，其包括：提供一板材結構；其中，所述板材結構包含有一絕緣基板、一第一導電金屬層及一第二導電金屬層；其中，所述第一導電金屬層及所述第二導電金屬層是分別設置於所述絕緣基板的位於相反側的兩個表面上；對所述板材結構實施一雷射鑽孔步驟，以在所述板材結構上形成有一微型通孔；其中，所述微型通孔是貫穿地形成於所述第一導電金屬層、所述絕緣基板、及所述第二導電金屬層，並且所述微型通孔的孔徑尺寸是自所述第一導電金屬層朝著所述絕緣基板及所述第二導電金屬層的方向減少；以及對所述微型通孔實施一填孔電鍍步驟，以在所述板材結構上形成有一導電金屬填充結構；其中，所述導電金屬填充結構是填充於所述微型通孔中，並且所述導電金屬填充結構在形狀上互補於所述微型通孔。
如申請專利範圍第1項所述的軟性電路板的微型通孔加工方法，其中，在完成所述填孔電鍍步驟後，所述導電金屬填充結構的兩端是分別直接地連接於所述第一導電金屬層及所述第二導電金屬層，以使得所述第一導電金屬層及所述第二導電金屬層通過所述導電金屬填充結構而彼此電性連接。
如申請專利範圍第1項所述的軟性電路板的微型通孔加工方法，其中，在所述雷射鑽孔步驟中，所述微型通孔的所述孔徑尺寸是介於15微米至55微米之間。
如申請專利範圍第1項所述的軟性電路板的微型通孔加工方法，其中，所述板材結構具有一頂面及一底面，所述第一導電金屬層的相反於所述絕緣基板的表面定義為所述頂面，並且所述第二導電金屬層的相反於所述絕緣基板的表面定義為所述底面；其中，在所述雷射鑽孔步驟中，所述微型通孔的位於所述頂面的孔徑尺寸定義為一第一孔徑，所述微型通孔的位於所述底面的孔徑尺寸定義為一第二孔徑，並且所述第一孔徑大於所述第二孔徑；其中，所述第一孔徑是介於30微米至55微米之間，並且所述第二孔徑是介於15微米至30微米之間。
如申請專利範圍第4項所述的軟性電路板的微型通孔加工方法，其中，所述微型通孔的所述孔徑尺寸是自所述第一孔徑逐漸地減少為所述第二孔徑。
如申請專利範圍第1項所述的軟性電路板的微型通孔加工方法，其中，所述板材結構具有一頂面及一底面，所述第一導電金屬層的相反於所述絕緣基板的表面定義為所述頂面，並且所述第二導電金屬層的相反於所述絕緣基板的表面定義為所述底面；其中，在所述雷射鑽孔步驟中，所述微型通孔的孔壁包圍地形成有呈截錐狀的一填充空間，並且所述微型通孔的所述孔壁是傾斜於所述板材結構的所述頂面及所述底面、且與所述板材結構的所述底面相夾有介於40度至60度之間的一夾角。
如申請專利範圍第6項所述的軟性電路板的微型通孔加工方法，其中，在所述板材結構的一橫截面中，所述微型通孔的所述孔壁為一平直表面、一內凹曲面、或一外凸曲面。
如申請專利範圍第1項所述的軟性電路板的微型通孔加工方法，其中，在所述填孔電鍍步驟中，所述導電金屬填充結構是由所述微型通孔的中間且鄰近於所述第二導電金屬層的位置處先行連接，以形成一金屬連接部；接著，所述導電金屬填充結構的厚度是自所述金屬連接部朝著所述第一導電金屬層及所述第二導電金屬層的方向逐漸地增加，以使得所述導電金屬填充結構填滿於所述微型通孔，並且所述第一導電金屬層及所述第二導電金屬層能通過所述導電金屬填充結構而彼此電性連接。
一種軟性電路板，其包括：一板材結構，其包含有一絕緣基板、一第一導電金屬層、及一第二導電金屬層；其中，所述第一導電金屬層及所述第二導電金屬層是分別設置於所述絕緣基板的位於相反側的兩個表面上；其中，所述板材結構進一步形成有一微型通孔，所述微型通孔是貫穿地形成於所述第一導電金屬層、所述絕緣基板、及所述第二導電金屬層，並且所述微型通孔的孔徑尺寸是自所述第一導電金屬層朝著所述絕緣基板及所述第二導電金屬層的方向減少；以及一導電金屬填充結構，其是填充於所述微型通孔中，並且所述導電金屬填充結構在形狀上互補於所述微型通孔。
如申請專利範圍第9項所述的軟性電路板，其中，所述導電金屬填充結構的鄰近於所述第一導電金屬層的端部、或鄰近於所述第二導電金屬層的端部、設置有一球柵陣列封裝結構（ball grid array，BGA），並且所述球柵陣列封裝結構與所述導電金屬填充結構的所述端部是彼此緊密地相連、而未包含有任何的間隙。