TWI764583B - 雙面及多層fpc用基板及其加工方法 - Google Patents

Abstract

本發明關於基板加工技術領域，尤其關於一種雙面及多層FPC用基板及其加工方法，包括：基材，基材上開設有複數沿厚度方向貫穿的斜孔；濺射層，濺射層附著在基材和斜孔的表面；導電部，導電部設于斜孔內，並與濺射層相連；複數線路銅層，複數線路銅層位於基材的上下表面，並與濺射層相連，複數線路銅層之間通過導電部相連。本發明能夠降低生產成本，降低鑽孔難度、方便孔內表面濺射並使得濺射離子濺射在孔內表面，避免濺射到對向的滾輪上。

Description

雙面及多層FPC用基板及其加工方法

本發明關於基板加工技術領域，尤其關於一種雙面及多層FPC用基板及其加工方法。

FPC：柔性電路板是以聚醯亞胺或聚酯薄膜為基材製成的一種具有高度可靠性，絕佳的可撓性印刷電路板。簡稱軟板或FPC，具有配線密度高、重量輕、厚度薄的特點。

COF：(Chip On Flex, or, Chip On Film,常稱覆晶薄膜)，將驅動IC固定於柔性線路板上晶粒軟膜構裝技術，是運用軟質承載板作封裝晶片載體將晶片與軟性基板電路接合的技術，COF是FPC中精度要求較高的一種。

傳統方式製作雙面及多層FPC通過以下兩種方式： 1、半增層法，依次通過鑽導電用通孔、孔清潔、黑影、壓膜、曝光、投影、電鍍銅、剝膜、除底銅/除Tiecoat和線路檢測步驟。 2、蝕刻法，依次通過鑽導電用通孔、孔清潔、黑影、電鍍銅、壓膜前處理、壓膜、曝光、投影/蝕刻/剝膜和線路檢測步驟。

習知技術都是透過過購買FPC基材覆銅箔進行鑽垂直型導電用通孔，一方面，購買FPC基材覆銅箔相較於絕緣膜基材成本高，另一方面，由於FPC基材覆銅箔表面覆蓋有銅層的原因，鑽孔鐳射能量要求高很多，且鑽孔效率低，容易過熱產生FPC基材覆銅箔形變，造成誤差過大；

此外，若以絕緣膜基材鑽孔為垂直孔，當垂直孔進行濺射時，垂直孔內表面很難完全披覆濺射層，並且垂直孔在濺射時，濺射離子會通過垂直孔濺射到對向的滾輪上，造成滾輪黏連，而且，濺射離子不斷黏連堆積脫落後會形成粉塵污染。

本發明要解決的技術問題系為：解決現有技術中購買FPC基材覆銅箔進行鑽孔，成本高且鑽孔難度大以及現有技術中鑽垂直孔，孔內難以完全披覆濺射層的問題以及垂直孔濺射離子濺射到對向滾輪造成滾輪的黏連的技術問題。本發明提供一種雙面及多層FPC用基板的加工方法，能夠降低生產成本，降低鑽孔難度、方便孔內表面濺射並使得濺射離子濺射在孔內表面，避免濺射到對向的滾輪內。

本發明解決其技術問題所採用的技術方案是：一種雙面及多層FPC用基板，其中，包括： 基材，該基材上開設有複數沿厚度方向貫穿的斜孔； 濺射層，該濺射層附著在該基材和斜孔的表面； 導電部，該導電部設於該斜孔內，並與該濺射層相連； 複數線路銅層，複數線路銅層位於該基材的上下表面，並與該濺射層相連，複數線路銅層之間通過該導電部相連。

所述雙面及多層FPC用基板，其中，該斜孔為圓柱形斜孔。

所述雙面及多層FPC用基板，其中，該斜孔的上開口的正投影與該斜孔的下開口的正投影無交集，且該上開口的正投影與該下開口的正投影之間的直線距離不大於該上開口正投影的最長弦。

所述雙面及多層FPC用基板，其中，該斜孔的上開口的正投影與該斜孔的下開口的正投影無交集，當濺射離子垂直濺射時，濺射離子無法從上下開口直接穿出，進一步避免了濺射離子穿出孔內濺射到對向的滾輪上的技術問題，且該上開口的正投影與該下開口的正投影之間的直線距離不大於該上開口正投影的最長弦，當該上開口的正投影與該下開口的正投影之間的直線距離大於該上開口正投影的最長弦時，濺射離子濺射到斜孔內壁上的有效面積減少無法保證在後續的電鍍環節使得斜孔內導通。

所述雙面及多層FPC用基板，其中，該斜孔的上開口的正投影邊緣與所述斜孔的下開口的正投影邊緣相切。當斜孔的上開口的正投影邊緣與該斜孔的下開口的正投影邊緣相切時，濺射離子無法從斜孔內濺射到對向的滾輪上的同時，保證從上開口濺射的濺射離子正好能夠在完全濺射斜孔一側內表面，進一步提高孔內濺射分佈效果。

所述雙面及多層FPC用基板，其中，該基材為PI膜，PI膜具有優良的耐高低溫性、電氣絕緣性、黏結性、耐輻射性、耐介質性。

根據上述任意一種雙面及多層FPC用基板的加工方法，其中，包括以下步驟： S1、在基材表面成型出沿其厚度方向貫穿的斜孔； S2、對該斜孔進行清潔； S3、在該斜孔的內表面和該基材的雙面濺射出濺射層； S4、對該基材和斜孔進行電鍍增厚處理，使該斜孔內形成導電部，並使該基材表面覆蓋複數線路銅層，複數線路銅層之間通過導電部導通。

所述雙面及多層FPC用基板的加工方法，其中，本發明的雙面及多層FPC用基板的加工方法，通過在基材的沿其厚度方向開設斜孔，由於基材上並沒有銅箔銅層，購買成本低，方便進行鑽孔，避免帶有銅箔銅層的導致鐳射能量要求高，且鑽孔效率低，容易過熱產生基材形變，造成誤差過大的技術問題，在對斜孔清潔後對斜孔的內表面和基材進行雙面濺射，由於開設的為斜孔，在進行濺射時，斜孔內表面為傾斜狀態，在濺射時濺射離子更容易濺射到斜孔的內表面，濺射離子更容易附著在基材的表面，並且斜孔內表面為傾斜狀態時，濺射離子不容易直接穿過孔內濺射到對向的滾輪上。

所述雙面及多層FPC用基板的加工方法，其中，為了實現金屬濺射離子在定位孔內壁分佈的均勻一致，在步驟S3中，該斜孔的一部分內壁和該基材的一面同時濺射出一部分濺射層，該斜孔的另一部分內壁和該基材的另一面同時濺射出另一部分濺射層。

所述雙面及多層FPC用基板的加工方法，其中，為了實現電鍍層均勻一致，在步驟S4中，該斜孔內壁和該基材雙面同時進行電鍍處理。

所述雙面及多層FPC用基板的加工方法，其中，在步驟S2中，通過Plasma或Desmear對該斜孔進行清潔。

所述雙面及多層FPC用基板的加工方法，其中，在步驟S1中，該斜孔通過激光束成型。

本發明的雙面及多層FPC用基板及其加工方法，有益效果如下： 1. 基材沒金屬層，成本低廉且能夠使得鐳射鑽孔能量低，鑽孔速度效率高，熱量少基材變形量小，精度相對提高。 2. 採用斜孔進行濺射，孔內濺射分佈效果好並且能夠避免濺射離子穿出斜孔內濺射到對向的滾輪，造成滾輪黏連以及避免不斷黏連至脫落形成的粉塵污染。

現在結合圖式對本發明作進一步詳細的說明。這些圖式均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本發明的基本結構，因此其僅顯示與本發明有關的構成。

如圖1所示，是本發明的第一實施例，一種雙面及多層FPC用基板，包括： 基材10，基材10上開設有複數沿厚度方向貫穿的斜孔11；斜孔11為圓柱形斜孔，斜孔11的上開口12的正投影與斜孔11的下開口13的正投影無交集，且上開口12的正投影與下開口13的正投影之間的直線距離不大於上開口12正投影的最長弦，基材10為PI膜。 濺射層1，濺射層1附著在基材10和斜孔11的表面； 導電部，導電部設于斜孔11內，並與濺射層1相連； 複數線路銅層2，複數線路銅層2位於基材10的上下表面，並與濺射層1相連，複數線路銅層2之間通過導電部相連。

當斜孔11的上開口12的正投影與斜孔11的下開口13的正投影無交集且上開口12的正投影與下開口13的正投影之間的直線距離不大於上開口12正投影的最長弦時，如圖1和圖3所示，上開口12的正投影的最長弦的長度為L，同樣地，下開口13的最長弦的長度也為L，上開口12的正投影與下開口13的正投影之間的直線距離為d，即0＜d≤L，濺射時濺射離子不能完全濺射到斜孔11的內表面，但是在後續的電鍍處理環節，通過電鍍對斜孔11的內表面導電層的基礎上進行填充，能夠使得基材10雙面導電。

第一實施例的有益效果如下： 本申請的雙面及多層FPC用基板，通過在基材10的沿其厚度方向開設斜孔11，由於基材上並沒有銅箔銅層，購買成本低，方便進行鑽孔，避免帶有銅箔銅層的導致鐳射能量要求高，且鑽孔效率低，容易過熱產生基材形變，造成誤差過大的技術問題，在對斜孔清潔後對斜孔的內表面和基材進行雙面濺射，由於開設的為斜孔，在進行濺射時，斜孔內表面為傾斜狀態，在濺射時濺射離子更容易濺射到斜孔的內表面，濺射離子更容易附著在基材的表面，並且斜孔內表面為傾斜狀態時，濺射離子不容易直接穿過孔內濺射到對向的滾輪上。

如圖2所示，是本發明的第二實施例，一種雙面及多層FPC用基板，與第一實施例的區別在於：斜孔11的上開口12的正投影邊緣與斜孔11的下開口13的正投影邊緣相切。

第二實施例的有益效果如下： 當斜孔11的上開口12的正投影邊緣與斜孔11的下開口13的正投影邊緣相切時，濺射離子無法從斜孔內濺射到對向的滾輪上的同時，保證從上開口12濺射的濺射離子正好能夠完全濺射在斜孔一側內表面，進一步提高孔內濺射分佈效果。

根據上述兩個實施例中的雙面及多層FPC用基板的加工方法，包括以下步驟： S1、在基材10表面成型出沿其厚度方向貫穿的斜孔11；斜孔11通過雷射光束成型。 S2、對斜孔11進行清潔；在步驟S2中，通過Plasma或Desmear對斜孔11進行清潔。 S3、在斜孔11的內表面和基材10的雙面濺射出導電層；在步驟S3中，斜孔11的一部分內壁和基材10的一面同時濺射出導電層，斜孔11的另一部分內壁和基材10的另一面同時濺射出導電層。 S4、對基材10進行電鍍增厚處理，使得基材10表面覆蓋線路銅層並實現雙面導通。在步驟S4中，斜孔11內壁和基材10雙面同時進行電鍍處理。

總而言之，根據本發明的雙面及多層FPC用基板及其加工方法，由於基材10沒金屬層，成本低廉且能夠使得鐳射鑽孔能量低，鑽孔速度效率高，熱量少基材變形量小，精度相對提高，另外，採用斜孔11進行濺射，濺射效果好並且能夠避免濺射離子穿出斜孔內濺射到對向的滾輪，造成滾輪黏連，以及避免不斷黏連至脫落形成的粉塵污染。

以上述依據本發明的理想實施例為啟示，通過上述的說明內容，相關領域普通知識者完全可以在不偏離本項發明技術思想的範圍內，進行多樣的變更以及修改。本項發明的技術性範圍並不局限於說明書上的內容，必須要根據請求項來確定其技術性範圍。

1:濺射層

2:線路銅線

10:基材

11:斜孔

12:上開口

13:下開口

圖1系本發明之雙面及多層FPC用基板的第一實施例示意圖；

圖2系本發明之雙面及多層FPC用基板的第二實施例示意圖；

圖3系本發明之雙面及多層FPC用基板的加工方法的斜孔的上開口和下開口正投影示意圖；

圖4系本發明之雙面及多層FPC用基板的截面結構示意圖。

10:基材

11:斜孔

12:上開口

13:下開口

Claims (8)

1. 一種雙面及多層FPC用基板，其中，包括：一基材，該基材上開設有複數沿厚度方向貫穿之一斜孔；一濺射層，該濺射層附著在該基材和該斜孔之表面；一導電部，該導電部設於該斜孔內，並與該濺射層相連；複數線路銅層，該些線路銅層位於該基材的上下表面，並與該濺射層相連，該些線路銅層之間通過所述導電部相連，該斜孔為圓柱形斜孔，且該斜孔之一上開口的正投影與該斜孔之一下開口之正投影無交集，且該上開口的正投影與該下開口的正投影之間之直線距離不大於該上開口正投影的最長弦。
2. 如請求項1所述之雙面及多層FPC用基板，其中，該斜孔之該上開口之正投影邊緣與該斜孔之該下開口的正投影邊緣相切。
3. 如請求項1所述之雙面及多層FPC用基板，其中，該基材為PI膜。
4. 一種如請求項1~3中任一項之雙面及多層FPC用基板之加工方法，其中，包括以下步驟：S1、在一基材表面成型出沿其厚度方向貫穿之一斜孔；S2、對該斜孔進行清潔；S3、在該斜孔之內表面和該基材之雙面濺射出一濺射層；S4、對該基材和該斜孔進行電鍍增厚處理，使該斜孔內形成導電部，並使該基材表面覆蓋複數線路銅層，複數線路銅層之間透過導電部導通。
5. 如請求項4所述之雙面及多層FPC用基板之加工方法，其中，在步驟S3中，該斜孔的一部分內壁和該基材的一面同時濺射出一部分該濺射層，該斜孔的另一部分內壁和該基材的另一面同時濺射出另一部分該濺射層。
6. 如請求項4所述之雙面及多層FPC用基板之加工方法，其中，在步驟S4中，該斜孔內壁和該基材雙面同時進行電鍍處理。
7. 如請求項4所述之雙面及多層FPC用基板之加工方法，其中，在步驟S2中，透過Plasma或Desmear對該斜孔進行清潔。
8. 如請求項4所述之雙面及多層FPC用基板之加工方法，其中，在步驟S1中，該斜孔透過激光束成型。

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