TW202115975A - 加工裝置 - Google Patents

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Abstract

加工裝置是藉由將來自加工光源的加工光照射至物體來加工物體的加工裝置，包括：合成光學系統，將來自加工光源的加工光的光路與包含脈波光的測量光的光路合成；照射光學系統，將經由合成光學系統的加工光及測量光照射至物體；以及照射位置變更光學系統，配置在合成光學系統與照射光學系統之間，變更加工光在物體上的照射位置及測量光在物體上的照射位置。

Description

加工裝置
本發明是有關於一種能利用加工光來加工物體的加工裝置的技術領域。
作為能加工物體的加工裝置，專利文獻1中記載了一種對物體的表面照射加工光以形成結構的加工裝置。此種加工裝置中，要求對物體適當地進行加工。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]美國專利第4,994,639號
根據第一方案，提供一種加工裝置，其是藉由將來自加工光源的加工光照射至物體來加工所述物體的加工裝置，包括：合成光學系統，將來自所述加工光源的所述加工光的光路與包含脈波光的測量光的光路合成；照射光學系統，將經由所述合成光學系統的所述加工光及所述測量光照射至所述物體；以及照射位置變更光學系統，配置在所述合成光學系統與所述照射光學系統之間，變更所述加工光在所述物體上的照射位置及所述測量光在所述物體上的照射位置。
根據第二方案，提供一種加工裝置，其是藉由將來自加工光源的加工光照射至物體來加工所述物體的加工裝置，包括：合成光學系統，將來自所述加工光源的所述加工光的光路與來自測量光源的第一測量光的光路合成；照射光學系統，將經由所述合成光學系統的所述加工光及所述第一測量光照射至所述物體；位置變更裝置，變更所述照射光學系統相對於所述物體的位置；拍攝裝置，其位置與所述照射光學系統一起變更，拍攝所述物體；以及檢測裝置，經由所述照射光學系統及所述合成光學系統，來檢測藉由經由所述照射光學系統照射至所述物體的所述第一測量光而自所述物體產生的第二測量光。
根據第三方案，提供一種加工裝置，其是藉由將來自加工光源的加工光照射至物體來加工所述物體的加工裝置，包括：照射光學系統，將所述加工光照射至所述物體；位置變更裝置，變更包含所述照射光學系統的至少一部分的加工頭與所述物體之間的相對位置；以及位置測量裝置，將包含脈波光的第一測量光照射至所述加工頭，接收藉由所述第一測量光而自所述加工頭產生的第二測量光，並基於所述第二測量光的光接收結果來測量所述加工頭的位置，並且將包含脈波光的第三測量光照射至所述物體，接收藉由所述第三測量光而自所述物體產生的第四測量光，並基於所述第四測量光的光接收結果來測量所述物體的位置。
根據第四方案，提供一種加工裝置，其是藉由將來自加工光源的加工光照射至物體來加工所述物體的加工裝置，包括：合成光學系統，將來自所述加工光源的所述加工光的光路與來自測量光源的測量光的光路合成；照射光學系統，將經由所述合成光學系統的所述加工光及所述測量光照射至所述物體；以及照射位置變更光學系統，配置在所述照射光學系統的入射側，變更所述加工光在所述物體上的照射位置及所述測量光在所述物體上的照射位置，且所述照射位置變更光學系統變更所述加工光的所述照射位置與所述測量光的所述照射位置之間的位置關係。
根據第五方案，提供一種加工裝置，其是藉由將來自加工光源的加工光照射至物體來加工所述物體的加工裝置，包括：合成光學系統，將來自所述加工光源的所述加工光的光路與來自測量光源的測量光的光路合成；照射光學系統，將經由所述合成光學系統的所述加工光及所述測量光照射至所述物體；照射位置變更光學系統，入射所述加工光及所述測量光，變更所述加工光在所述物體上的照射位置及所述測量光在所述物體上的照射位置；以及控制裝置，控制所述照射位置變更光學系統，以變更所述加工光的所述照射位置與所述測量光的所述照射位置之間的位置關係，或者，控制所述照射位置變更光學系統，以變更所述加工光的所述照射位置及所述測量光的所述照射位置，而不變更所述加工光的所述照射位置與所述測量光的所述照射位置之間的位置關係。
根據第六方案，提供一種系統，其是利用測量光來測量物體的系統，包括：測量裝置，朝向所述物體照射第一測量光，接收藉由所述第一測量光而自所述物體產生的第二測量光，並基於所述第二測量光的光接收結果來測量所述物體的位置；位置變更裝置，與所述測量裝置連接，變更所述測量裝置相對於所述物體的位置；以及末端執行器（end effector），設置於所述測量裝置。
根據第七方案，提供一種加工裝置，其是藉由將來自加工光源的加工光照射至物體來加工所述物體的加工裝置，包括：合成光學系統，將來自所述加工光源的所述加工光的光路與包含脈波光的測量光的光路合成；照射光學系統，將經由所述合成光學系統的所述加工光及所述測量光照射至所述物體；第一照射位置變更光學系統，變更所述加工光在所述物體上的照射位置；第二照射位置變更光學系統，變更所述測量光在所述物體上的照射位置，且經由所述第一照射位置變更光學系統的所述加工光及經由所述第二照射位置變更光學系統的所述測量光入射至所述照射光學系統。
根據第八方案，提供一種加工裝置，其是藉由將來自加工光源的加工光照射至物體來加工所述物體的加工裝置，包括：合成光學系統，將來自所述加工光源的所述加工光的光路與來自測量光源的第一測量光的光路合成；照射光學系統，將經由所述合成光學系統的所述加工光及所述第一測量光照射至所述物體；以及檢測裝置，經由所述照射光學系統及所述合成光學系統，來檢測藉由經由所述照射光學系統照射至所述物體的所述第一測量光而自所述物體產生的第二測量光，且所述第一測量光照射至經所述加工光加工的所述物體。
根據第九方案，提供一種加工裝置，其是藉由將來自加工光源的加工光照射至物體來加工所述物體的加工裝置，包括：合成光學系統，將來自所述加工光源的所述加工光的光路與來自測量光源的第一測量光的光路合成；照射光學系統，將經由所述合成光學系統的所述加工光及所述第一測量光照射至所述物體；以及檢測裝置，經由所述照射光學系統及所述合成光學系統，來檢測藉由經由所述照射光學系統照射至所述物體的所述第一測量光而自所述物體產生的第二測量光，且所述加工光照射至被照射所述第一測量光之後的所述物體。
根據第十方案，提供一種系統，其是利用測量光來測量物體的系統，包括：可動構件，與所述物體的一部分之間的相對位置關係能變更；測量裝置，朝向所述物體照射第一測量光，接收藉由所述第一測量光而自所述物體產生的第二測量光，並基於所述第二測量光的光接收結果來測量所述物體的位置；以及連接裝置，以所述可動構件與所述測量裝置之間的相對位置關係能變更的方式，連接所述可動構件與所述測量裝置，且所述連接裝置包括：驅動構件，使所述可動構件及所述測量裝置中的至少一者移動；以及緩衝構件，將所述可動構件與所述測量裝置予以結合。
根據第十一方案，提供一種加工裝置，其是藉由將來自加工光源的加工光照射至物體來加工所述物體的加工裝置，包括：合成光學系統，將來自所述加工光源的所述加工光的光路與來自測量光源的第一測量光的光路合成；照射光學系統，將經由所述合成光學系統的所述加工光及所述第一測量光照射至所述物體；位置變更裝置，變更所述照射光學系統與所述物體之間的相對位置；以及檢測裝置，經由所述照射光學系統及所述合成光學系統，來檢測藉由經由所述照射光學系統照射至所述物體的所述第一測量光而自所述物體產生的散射光。
以下，一邊參照圖式，一邊對加工裝置、加工構件、機器人系統及測定裝置的實施形態進行說明。以下，使用利用加工光EL來加工工件W的加工系統SYS，對加工裝置、加工構件、機器人系統及測定裝置的實施形態進行說明。但是，本發明並不限定於以下說明的實施形態。
而且，以下的說明中，是使用由彼此正交的X軸、Y軸及Z軸所定義的XYZ正交座標系，來對構成加工系統SYS的各種構成要素的位置關係進行說明。再者，以下的說明中，為了便於說明，設X軸方向及Y軸方向分別為水平方向（即，水平面內的規定方向），Z軸方向為鉛垂方向（即，與水平面正交的方向，實質上為上下方向）。而且，將繞X軸、Y軸及Z軸的旋轉方向（換言之，傾斜方向）分別稱作θX方向、θY方向及θZ方向。此處，亦可將Z軸方向設為重力方向。而且，亦可將XY平面設為水平方向。
（ 1 ）第一實施形態的加工系統 SYSa
首先，對第一實施形態的加工系統SYS（以下，將第一實施形態的加工系統SYS稱作「加工系統SYSa」）進行說明。
（ 1-1 ）加工系統 SYSa 的結構
首先，一邊參照圖1及圖2，一邊對第一實施形態的加工系統SYSa的結構進行說明。圖1是示意性地表示第一實施形態的加工系統SYSa的結構的剖面圖。圖2是表示第一實施形態的加工系統SYSa的系統結構的系統結構圖。
如圖1及圖2所示，加工系統SYSa包括加工裝置1、載台裝置3及控制裝置5。加工裝置1及載台裝置3收容於框體4。但是，加工裝置1及載台裝置3亦可不收容於框體4。即，加工系統SYSa亦可不具備收容加工裝置1及載台裝置3的框體4。
加工裝置1能在控制裝置5的控制下加工工件W。工件W例如既可為金屬，亦可為合金（例如杜拉鋁（duralumin）等），亦可為半導體（例如矽），亦可為樹脂（例如碳纖維增強塑膠（Carbon Fiber Reinforced Plastic，CFRP）或塗料（作為一例為塗佈於基材的塗料層）等），亦可為玻璃，還可為包含除此以外的任意材料的物體。
為了加工工件W，加工裝置1對工件W照射加工光EL。加工光EL只要能藉由照射至工件W來加工工件W，則可為任意種類的光。第一實施形態中，使用加工光EL為雷射光的示例進行說明，但加工光EL亦可為與雷射光種類不同的光。進而，加工光EL的波長只要能藉由照射至工件W來加工工件W，則可為任意波長。例如，加工光EL可為可見光，亦可為不可見光（例如，紅外光及紫外光中的至少一者等）。加工光EL包含脈波光，但亦可不含脈波光。換言之，加工光EL可為連續光。
加工裝置1亦可進行對工件W照射加工光EL而去除工件W的一部分的去除加工（典型的是切削加工或磨削加工）。於進行去除加工的情況下，加工裝置1亦可在工件W上形成溝槽結構。溝槽結構是能減小工件W的表面對於流體的阻力（尤其是摩擦阻力、紊流摩擦阻力）的結構。溝槽結構例如亦可包含沿著工件W的表面且沿與第一方向交叉的第二方向（例如X軸方向）排列多個槽的結構，所述槽沿沿著工件W的表面的第一方向（例如Y軸方向）延伸。
除了去除加工以外，或者取而代之，加工裝置1亦可進行對工件W照射加工光EL而對工件W附加新的結構物的附加加工。該情況下，加工裝置1亦可藉由進行附加加工，於工件W的表面形成所述溝槽結構。除了去除加工及附加加工的至少一者以之外，或者取而代之，加工裝置1亦可進行對工件W照射加工光EL而於工件W的表面形成所期望的標記的標記加工。
加工裝置1進而能在控制裝置5的控制下測量工件W。為了測量工件W，加工裝置1對工件W照射測量光ML。測量光ML只要能藉由照射至工件W來測量工件W，則可為任意種類的光。第一實施形態中，使用測量光ML為雷射光的示例進行說明，但測量光ML亦可為與雷射光種類不同的光。進而，測量光ML的波長只要能藉由照射至工件W來測量工件W，則可為任意波長。例如，測量光ML可為可見光，亦可為不可見光（例如，紅外光及紫外光中的至少一者等）。測量光ML包含脈波光。
測量光ML的波長亦可與加工光EL的波長不同。例如，測量光ML的波長亦可較加工光EL的波長更短。作為一例，作為測量光ML，可使用266 nm或355 nm的波段的光，作為加工光EL，可使用532 nm、1 μm或10 μm的波段的光。該情況下，工件W上的測量光ML的點徑較工件W上的加工光EL的點徑更小。其結果，相較於由加工光EL所得的加工解析能力，由測量光ML所得的測量解析能力更高。但是，測量光ML的波長亦可較加工光EL的波長更短。測量光ML的波長亦可與加工光EL的波長相同。
加工裝置1亦可為能對工件W的狀態進行測量。工件W的狀態可包含工件W的位置。工件W的位置可包含工件W的表面的位置。工件W的表面的位置可包含將工件W的表面細分化的各面部分在X軸方向、Y軸方向及Z軸方向中的至少一個方向的位置。工件W的狀態可包含工件W的形狀（例如三維形狀）。工件W的形狀亦可包含工件W的表面的形狀。除了所述的工件W的表面的位置以外，或者取而代之，工件W的表面的形狀亦可包含將工件W的表面細分化的各面部分的朝向（例如，各面部分的法線的朝向，與各面部分相對於X軸、Y軸及Z軸中的至少一個的傾斜量實質上等價）。工件W的狀態亦可包含工件W的尺寸（例如，X軸方向、Y軸方向及Z軸方向中的至少一個方向的尺寸）。
為了加工及測量工件W，加工裝置1包括：對工件W分別射出加工光EL及測量光ML的加工頭11、以及使加工頭11移動的頭驅動系統12。加工頭11是指能對工件W分別射出加工光EL及測量光ML的任意的構件。因此，加工頭11雖然包含頭這一語句，但不一定是指安裝在某個構件的前端的構件。因此，加工頭11亦可被稱作加工構件。進而，加工頭11包括：加工光源111、加工光學系統112、測量光源113、測量光學系統114、合成光學系統115及共用光學系統116。再者，關於加工頭11及頭驅動系統12的結構，將在下文詳細敘述。
頭驅動系統12使加工頭11沿著X軸方向、Y軸方向、Z軸方向、θX方向、θY方向及θZ方向中的至少一個方向移動。當加工頭11移動時，載台32（進而，載置於載台32的工件W）與加工頭11之間的位置關係改變。即，當載台32移動時，載台32及工件W與加工頭11之間的相對位置改變。因而，使載台32移動等效於變更載台32及工件W與加工頭11之間的位置關係。進而，若載台32及工件W與加工頭11之間的位置關係改變，則載台32及工件W與加工頭11所具備的各光學系統（即，加工光學系統112、測量光學系統114、合成光學系統115及共用光學系統116中的至少一個）之間的位置關係改變。因而，使加工頭11移動等效於變更載台32及工件W與加工頭11所具備的各光學系統之間的位置關係。進而，若載台32及工件W與加工頭11之間的位置關係改變，則載台32及工件W與加工頭11的框體117之間的位置關係改變。因而，使加工頭11移動等效於變更載台32及工件W與加工頭11的框體117之間的位置關係。進而，若載台32及工件W與加工頭11之間的位置關係改變，則工件W上的加工光EL及測量光ML各自的照射位置改變。因而，使加工頭11移動等效於變更工件W上的加工光EL及測量光ML各自的照射位置。
載台裝置3包括壓盤31及載台32。壓盤31配置於框體4的底面上（或者，供載置框體4的地面等支持面上）。在壓盤31上配置載台32。亦可在框體4的底面或供載置框體4的地面等支持面與壓盤31之間，設置用於減少壓盤31的振動向載台32的傳遞的未圖示的防振裝置。進而，亦可在壓盤31上配置支持加工裝置1的未圖示的支持框架。
在載台32上載置工件W。載台32亦可保持所載置的工件W。例如，載台32亦可藉由對工件W進行真空吸附及/或靜電吸附來保持工件W。或者，載台32亦可不保持所載置的工件W。
載台32能在控制裝置5的控制下在載置有工件W的狀態下在壓盤31上移動。載台32能相對於壓盤31及加工裝置1的至少一者移動。載台32能沿著X軸方向及Y軸方向分別移動。該情況下，載台32能沿著平行於XY平面的載台移行面（移動面）移動。進而，載台32亦能沿著Z軸方向、θX方向、θY方向及θZ方向中的至少一個方向移動。為了使載台32移動，載台裝置3包括載台驅動系統33。載台驅動系統33例如使用任意的馬達（例如線性馬達等）來使載台32移動。進而，載台裝置3亦可包括用於測量載台32的位置的載台位置測量器。載台位置測量器例如可包含編碼器及雷射干涉儀中的至少一者。
當載台32移動時，載台32（進而，載置於載台32的工件W）與加工頭11之間的位置關係改變。即，當載台32移動時，加工頭11與載台32及工件W之間的相對位置改變。因而，使載台32移動等效於變更載台32及工件W與加工頭11之間的位置關係。進而，若載台32及工件W與加工頭11之間的位置關係改變，則載台32及工件W與加工頭11的框體117之間的位置關係改變。因而，使載台32移動等效於變更載台32及工件W與加工頭11的框體117之間的位置關係。進而，若載台32及工件W與加工頭11之間的位置關係改變，則載台32及工件W與加工頭11所具備的各光學系統之間的位置關係改變。因而，使載台32移動等效於變更載台32及工件W與加工頭11所具備的各光學系統之間的位置關係。進而，若載台32及工件W與加工頭11之間的位置關係改變，則工件W上的加工光EL及測量光ML各自的照射位置改變。因而，使載台32移動等效於變更工件W上的加工光EL及測量光ML各自的照射位置。
控制裝置5控制加工系統SYSa的動作。例如，控制裝置5設定工件W的加工條件，並且以工件W按照所設定的加工條件得到加工的方式控制加工裝置1及載台裝置3。例如，控制裝置5設定工件W的測量條件，並且以工件W按照所設定的測量條件得到測量的方式控制加工裝置1及載台裝置3。
控制裝置5例如亦可包含中央處理單元（Central Processing Unit，CPU）（或者除了CPU還包含圖形處理單元（Graphics Processing Unit，GPU）、或者取代CPU而包含GPU）、及記憶體。控制裝置5藉由CPU執行電腦程式，從而作為對加工系統SYSa的動作進行控制的裝置發揮功能。所述電腦程式是用於使控制裝置5（例如CPU）進行（即執行）控制裝置5應進行的後述動作的電腦程式。即，所述電腦程式是用於使控制裝置5發揮功能以使加工系統SYSa進行後述動作的電腦程式。CPU所執行的電腦程式既可被記錄在控制裝置5所具備的記憶體（即，記錄媒體）中，亦可被記錄在可內藏於控制裝置5或者可外置於控制裝置5的任意記憶媒體（例如硬碟或半導體記憶體）中。或者，CPU亦可經由網路介面（network interface）而自控制裝置5的外部裝置下載（download）應執行的電腦程式。
控制裝置5亦可不設於加工系統SYSa的內部，例如亦可作為伺服器（server）等而設於加工系統SYSa外。該情況下，控制裝置5與加工系統SYSa亦可利用有線及/或無線的網路（或者，資料匯流排及/或通訊線路）而連接。作為有線網路，例如亦可使用以美國電機電子工程師學會（Institute of Electrical and Electronic Engineers，IEEE）1394、RS-232x、RS-422、RS-423、RS-485及通用串列匯流排（Universal Serial Bus，USB）中的至少一者為代表的、採用串列匯流排（serial bus）方式的介面的網路。作為有線網路，亦可使用採用並列匯流排（parallel bus）方式的介面的網路。作為有線網路，亦可使用以10BASE-T、100BASE-TX及1000BASE-T中的至少一者為代表的、採用遵循乙太網路（Ethernet）（註冊商標）的介面的網路。作為無線網路，亦可使用利用電波的網路。作為利用電波的網路的一例，可列舉遵循IEEE802.1x的網路（例如無線區域網路（Local Area Network，LAN）及藍牙（Bluetooth）（註冊商標）的至少一者）。作為無線網路，亦可使用利用紅外線的網路。作為無線網路，亦可使用利用光通訊的網路。該情況下，亦可構成為，控制裝置5與加工系統SYSa可經由網路來進行各種資訊的收發。而且，控制裝置5亦可經由網路來向加工系統SYSa發送指令或控制參數等資訊。加工系統SYSa亦可包括接收裝置，所述接收裝置經由所述網路來接收來自控制裝置5的指令或控制參數等資訊。或者，亦可將進行控制裝置5要進行的處理中的一部分的第一控制裝置設在加工系統SYSa的內部，另一方面，將進行控制裝置5要進行的處理中的另一部分的第二控制裝置設在加工系統SYSa的外部。
再者，作為記錄CPU所執行的電腦程式的記錄媒體，亦可使用唯讀光碟（Compact Disc Read-Only Memory，CD-ROM）、可錄式光碟（Compact Disc-Recordable，CD-R）、可覆寫光碟（Compact Disc-Rewriteable，CD-RW）或軟碟（flexible disk）、磁光碟（Magnetic Optical，MO）、唯讀數位多功能光碟（Digital Versatile Disc Read-Only Memory，DVD-ROM）、隨機存取數位多功能光碟（Digital Versatile Disc Random Access Memory，DVD-RAM）、可錄式多功能數位光碟（Digital Versatile Disc-Recordable，DVD-R）、DVD+R、可覆寫多功能數位光碟（Digital Versatile Disc-Rewriteable，DVD-RW）、DVD+RW及藍光（Blu-ray）（註冊商標）等光碟、磁帶等磁性媒體、光磁碟、USB記憶體等半導體記憶體、及其他可保存程式的任意媒體中的至少一種。記錄媒體中，亦可包含能記錄電腦程式的機器（例如，以能以軟體（software）及韌體（firmware）等的至少一種形態來執行的狀態而安裝有電腦程式的通用機器或專用機器）。進而，電腦程式中所含的各處理或功能既可利用藉由控制裝置5（即，電腦）執行電腦程式而在控制裝置5內實現的邏輯處理塊來實現，亦可藉由控制裝置5所具備的規定的閘陣列（gate array）（現場可程式閘陣列（Field-Programmable Gate Array，FPGA）、應用專用積體電路（Application Specific Integrated Circuit，ASIC））等硬體（hardware）來實現，還可以邏輯處理塊與實現硬體的一部分組件的局部硬體模組混合存在的形式而實現。
（ 1-2 ）加工頭 11 的結構
繼而，一邊參照圖3，一邊對加工頭11的結構的一例進行說明。圖3是表示加工頭11的結構的一例的剖面圖。
如圖3所示，加工頭11包括：加工光源111、加工光學系統112、測量光源113、測量光學系統114、合成光學系統115及共用光學系統116。加工光源111、加工光學系統112、測量光源113、測量光學系統114、合成光學系統115及共用光學系統116收容於框體117內。但是，加工光源111、加工光學系統112、測量光源113、測量光學系統114、合成光學系統115及共用光學系統116的至少一個亦可不收容於框體117內。
加工光源111能生成加工光EL。在加工光EL為雷射光的情況下，加工光源111例如可包含雷射二極體。進而，加工光源111可為能進行脈波振盪的光源。該情況下，加工光源111能生成脈波光（例如發光時間為微微秒以下的脈波光）作為加工光EL。加工光源111將生成的加工光EL朝向加工光學系統112射出。
加工光學系統112是自加工光源111射出的加工光EL入射的光學系統。加工光學系統112是將入射至加工光學系統112的加工光EL朝向合成光學系統115射出的光學系統。即，加工光學系統112是將自加工光源111射出的加工光EL導至合成光學系統115的光學系統。加工光學系統112射出的加工光EL經由合成光學系統115及共用光學系統116照射至工件W。因此，加工光學系統112亦可稱之為經由合成光學系統115及共用光學系統116朝向工件W射出加工光EL的光學系統。
加工光學系統112包括位置調整光學系統1121及角度調整光學系統1122。位置調整光學系統1121能調整來自加工光學系統112的加工光EL的射出位置。位置調整光學系統1121例如包括相對於加工光EL的行進方向能傾斜的平行平面板，且藉由改變平行平面板的傾斜角來變更加工光的位置。在圖3的示例中，藉由傾斜方向互不相同的多個平行平面板，能夠將加工光EL的射出位置設為YZ平面內的任意位置。當來自加工光學系統112的加工光EL的射出位置改變時，加工光EL的入射角度（例如，相對於工件W的入射角度）改變。角度調整光學系統1122能調整來自加工光學系統112的加工光EL的射出角度。角度調整光學系統1122例如包括相對於加工光EL的行進方向能傾斜的鏡，且藉由改變該鏡的傾斜角來變更加工光的射出角度。在圖3的示例中，藉由傾斜方向互不相同的多個鏡，能夠將加工光EL的射出角度設為繞θX軸及繞θY軸的任意方向。當來自加工光學系統112的加工光EL的射出角度改變時，加工光EL的照射位置（例如，工件W上的照射位置）改變。但是，加工光學系統112亦可不包含位置調整光學系統1121及角度調整光學系統1122中的至少一者。除了位置調整光學系統1121及角度調整光學系統1122中的至少一者以外，或者取而代之，加工光學系統112亦可包含其他光學元件或光學構件（亦可將該些稱作光學系統，以下相同）。
自加工光學系統112射出的加工光EL入射至合成光學系統115。合成光學系統115包含分束器（例如偏光分束器）1151。分束器1151將入射至分束器1151的加工光EL朝向共用光學系統116射出。在圖3所示的示例中，入射至分束器1151的加工光EL，藉由透過偏光分離面而朝向共用光學系統116射出。因此，在圖3所示的示例中，加工光EL在具有能透過偏光分離面的偏光方向（相對於偏光分離面成為p偏光的偏光方向）的狀態下入射至偏光分束器1151的偏光分離面。
自合成光學系統115射出的加工光EL入射至共用光學系統116。共用光學系統116將入射至共用光學系統116的加工光EL朝向工件W射出。共用光學系統116包括檢流計鏡1161及fθ透鏡1162。
在檢流計鏡1161入射自合成光學系統115射出的加工光EL。檢流計鏡1161藉由將加工光EL偏轉（即，變更加工光EL的射出角度），來變更加工光EL在工件W上的照射位置。即，檢流計鏡1161藉由將加工光EL偏轉，從而變更作為被照射加工光EL的區域而設定在工件W上或加工光EL的光路上的被照射區域EA的位置。再者，檢流計鏡1161配置在fθ透鏡1162的入射光瞳位置或其附近，因此由檢流計鏡1161引起的加工光EL的射出角度的變化藉由fθ透鏡1162而轉換為加工光EL的照射位置（即，被照射區域EA的位置）的變化。例如，檢流計鏡1161包含X掃描鏡1161X及Y掃描鏡1162Y。X掃描鏡1161X及Y掃描鏡1162Y分別是相對於入射至檢流計鏡1161的加工光EL的光路的角度受到變更的傾斜角可變鏡。X掃描鏡1161X以變更加工光EL在工件W上的沿著X軸方向的照射位置的方式擺動或旋轉（即，變更X掃描鏡1161X相對於加工光EL的光路的角度），藉此將加工光EL偏轉。Y掃描鏡1161Y以變更加工光EL在工件W上的沿著Y軸方向的照射位置的方式擺動或旋轉（即，變更Y掃描鏡1161Y對於加工光EL的光路的角度），藉此將加工光EL偏轉。
在fθ透鏡1162入射來自檢流計鏡1161的加工光EL。因此，檢流計鏡1161配置在合成光學系統115與fθ透鏡1162之間的加工光EL的光路上。fθ透鏡1162配置在檢流計鏡1161與工件W之間的加工光EL的光路上。fθ透鏡1162配置在檢流計鏡1161與被照射區域EA之間的加工光EL的光路上。fθ透鏡1162是用於將來自檢流計鏡1161的加工光EL照射至工件W的光學系統。fθ透鏡1162是用於將來自檢流計鏡1161的加工光EL照射至被照射區域EA的光學系統。尤其，fθ透鏡1162是用於將來自檢流計鏡1161的加工光EL聚光在工件W上的光學系統。因此，fθ透鏡1162將收斂狀態的加工光EL照射至工件W。其結果，藉由加工光EL而工件W得到加工。再者，fθ透鏡1162將加工光EL照射至工件W，故亦可稱作照射光學系統。再者，亦可將藉由檢流計鏡1161而在工件W上移動的被照射區域EA的移動範圍稱作被加工區域。換言之，亦可設為被照射區域EA在被加工區域內移動。
此處，亦可將檢流計鏡1161稱作第一照射位置變更光學系統。亦可將角度調整光學系統1122稱作配置在合成光學系統115的與照射光學系統（fθ透鏡1162）相反一側（合成光學系統115與加工光源111之間）的第二照射位置變更光學系統。
繼而，測量光源113能生成測量光ML。在測量光ML為雷射光的情況下，測量光源113例如可包含雷射二極體。尤其，如上所述，測量光ML包含脈波光，因此測量光源113是能進行脈波振盪的光源。該情況下，測量光源113能生成脈波光（例如發光時間為微微秒以下的脈波光）作為測量光ML。測量光源113將生成的測量光ML朝向測量光學系統114射出。
第一實施形態中，測量光源113包含光梳光源。光梳光源是能生成包含在頻率軸上等間隔地排列的頻率成分的光（以下稱作「光頻率梳」）作為脈波光的光源。該情況下，測量光源113射出包含在頻率軸上等間隔地排列的頻率成分的脈波光作為測量光ML。
圖1所示的示例中，加工頭11包括多個測量光源113。例如，加工頭11包括測量光源113#1及測量光源113#2。多個測量光源113分別射出彼此相位同步且具有干涉性的多個測量光ML。例如，多個測量光源113的振盪頻率可不同。因此，多個測量光源113分別射出的多個測量光ML成為脈波頻率（例如為每單位時間的脈波光的數量，脈波光的發光週期的倒數）不同的多個測量光ML。作為一例，測量光源113#1可射出脈波頻率為25 GHz的測量光ML#1，測量光源113#2可射出脈波頻率為25 GHz+α（例如+100 kHz）的測量光ML#2。
測量光學系統114是自測量光源113射出的測量光ML入射的光學系統。測量光學系統114是將入射至測量光學系統114的測量光ML朝向合成光學系統115射出的光學系統。即，測量光學系統114是將自測量光源113射出的測量光ML導至合成光學系統115的光學系統。測量光學系統114射出的測量光EL經由合成光學系統115及共用光學系統116照射至工件W。因此，測量光學系統114亦可稱之為經由合成光學系統115及共用光學系統116朝向工件W射出測量光ML的光學系統。
測量光學系統114與加工光學系統112在光學上分離。因此，在加工光源111與合成光學系統115之間的加工光EL的光路、和在測量光源113與合成光學系統115之間的測量光ML的光路在光學上分離。再者，某一光學系統與另一光學系統在光學上分離亦可是指某一光學系統的光路與另一光學系統的光路相互不重疊。
測量光學系統114例如包括：分束器1141、分束器1142、檢測器1143、分束器1144、鏡1145、檢測器1146及鏡1147。
自測量光源113射出的測量光ML入射至分束器1141。具體而言，自測量光源113#1射出的測量光ML（以下稱作「測量光ML#1」）及自測量光源113#2射出的測量光ML（以下稱作「測量光ML#2」）入射至分束器1141。分束器1141將入射至分束器1141的測量光ML#1及測量光ML#2朝向分束器1142射出。
分束器1142將作為入射至分束器1142的測量光ML#1的一部分的測量光ML#1-1朝向檢測器1143反射。分束器1142將作為入射至分束器1142的測量光ML#1的另一部分的測量光ML#1-2朝向分束器1144射出。分束器1142將作為入射至分束器1142的測量光ML#2的一部分的測量光ML#2-1朝向檢測器1143反射。分束器1142將作為入射至分束器1142的測量光ML#2的另一部分的測量光ML#2-2朝向分束器1144射出。
自分束器1142射出的測量光ML#1-1及測量光ML#2-1入射至檢測器1143。檢測器1143檢測藉由測量光ML#1-1與測量光ML#2-1發生干涉而生成的干涉光。具體而言，檢測器1143藉由接收干涉光來檢測干涉光。因此，檢測器1143可包括能接收光的光接收元件（即為光接收部，典型的是光電轉換元件）。檢測器1143的檢測結果輸出至控制裝置5。
自分束器1142射出的測量光ML#1-2及測量光ML#2-2入射至分束器1144。分束器1144將入射至分束器1144的測量光ML#1-2的至少一部分朝向鏡1145射出。分束器1144將入射至分束器1144的測量光ML#2-2的至少一部分朝向鏡1147射出。再者，分束器1144亦可稱作分支構件。
自分束器1144射出的測量光ML#1-2入射至鏡1145。入射至鏡1145的測量光ML#1-2由鏡1145的反射面（反射面亦可稱作參照面）反射。具體而言，鏡1145將入射至鏡1145的測量光ML#1-2朝向分束器1144反射。即，鏡1145將入射至鏡1145的測量光ML#1-2作為其反射光即測量光ML#1-3朝向分束器1144射出。再者，鏡1145亦可稱作參照反射構件。自鏡1145射出的測量光ML#1-3入射至分束器1144。分束器1144將入射至分束器1144的測量光ML#1-3朝向分束器1142射出。自分束器1144射出的測量光ML#1-3入射至分束器1142。分束器1142將入射至分束器1142的測量光ML#1-3朝向檢測器1146射出。
另一方面，自分束器1144射出的測量光ML#2-2入射至鏡1147。鏡1147將入射至鏡1147的測量光ML#2-2朝向合成光學系統115反射。即，鏡1147將入射至鏡1147的測量光ML#2-2朝向合成光學系統115射出。
自鏡1147射出的測量光ML#2-2入射至合成光學系統115。合成光學系統115的分束器1151將入射至分束器1151的測量光ML#2-2朝向共用光學系統116射出。在圖3所示的示例中，入射至分束器1151的測量光ML#2-2藉由在偏光分離面被反射而朝向共用光學系統116射出。因此，在圖3所示的示例中，測量光ML#2-2在具有能在偏光分離面反射的偏光方向（相對於偏光分離面成為s偏光的偏光方向）的狀態下入射至偏光分束器1151的偏光分離面。
此處，如上所述，在分束器1151，除了入射測量光ML#2-2以外，亦入射加工光EL。即，測量光ML#2-2及加工光EL的雙方通過分束器1151。分束器1151將自不同的方向分別入射至分束器1151的加工光EL及測量光ML#2-2朝向相同的方向（即，朝向相同的共用光學系統116）射出。因而，分束器1151實質上作為將加工光EL及測量光ML#2-2合成的光學系統發揮功能。再者，關於所述相同的方向，可設為如加工光EL及測量光ML#2-2入射至位於合成光學系統115的射出側的光學系統即共用光學系統116般的加工光EL及測量光ML#2-2的朝向，只要加工光EL及測量光ML#2-2入射至共用光學系統116，則加工光EL及測量光ML#2-2的朝向可有若干不同。
再者，合成光學系統115只要可合成加工光EL及測量光ML#2-2，則可具有任意的結構。例如，除了使用分束器1151以外，或者取而代之，合成光學系統115亦可使用反射某一波長範圍的光並且透過另一波長範圍的光的二向色鏡（dichroic mirror）來合成加工光EL及測量光ML#2-2。
自合成光學系統115射出的測量光ML#2-2入射至共用光學系統116。共用光學系統116將入射至共用光學系統116的測量光ML#2-2朝向工件W射出。
具體而言，在檢流計鏡1161入射自合成光學系統115射出的測量光ML#2-2。檢流計鏡1161藉由將測量光ML#2-2偏轉，來變更測量光ML#2-2在工件W上的照射位置。即，檢流計鏡1161藉由將測量光ML#2-2偏轉，從而變更作為被照射測量光ML#2-2的區域而設定在工件W上或測量光ML#2-2的光路上的被照射區域MA的位置。再者，檢流計鏡1161配置在fθ透鏡1162的入射光瞳位置或其附近，因此由檢流計鏡1161引起的測量光ML#2-2的射出角度的變化藉由fθ透鏡1162而轉換為測量光ML#2-2的照射位置（即，被照射區域MA的位置）的變化。例如，X掃描鏡1161X以變更測量光ML#2-2在工件W上的沿著X軸方向的照射位置的方式擺動或旋轉（即，變更X掃描鏡1161X相對於測量光ML#2-2的光路的角度），藉此將測量光ML#2-2偏轉。Y掃描鏡1161Y以變更測量光ML#2-2在工件W上的沿著Y軸方向的照射位置的方式擺動或旋轉（即，變更Y掃描鏡1161Y相對於測量光ML#2-2的光路的角度），藉此將測量光ML#2-2偏轉。再者，檢流計鏡1161亦可稱作照射位置變更光學系統。
在fθ透鏡1162入射來自檢流計鏡1161的測量光ML#2-2。fθ透鏡1162是用於將來自檢流計鏡1161的測量光ML#2-2聚光在工件W上的光學系統。fθ透鏡1162是用於將來自檢流計鏡1161的測量光ML#2-2照射至工件W的光學系統。fθ透鏡1162是用於將來自檢流計鏡1161的測量光ML#2-2照射至被照射區域MA的光學系統。因此，fθ透鏡1162配置在檢流計鏡1161與被照射區域MA之間的測量光ML#2-2的光路上。尤其，fθ透鏡1162將收斂狀態的測量光ML#2-2照射至工件W。其結果，藉由測量光ML（具體而言，測量光ML#2-2）而工件W得到加工。再者，fθ透鏡1162將測量光ML#2-2照射至工件W，故亦可稱作照射光學系統。
再者，亦可將藉由檢流計鏡1161而在工件W上移動的被照射區域MA的移動範圍稱作被測量區域。換言之，亦可設為被照射區域MA在被測量區域內移動。
此處，如上所述，在共用光學系統116，除了入射測量光ML#2-2以外，亦入射加工光EL。即，在共用光學系統116入射合成光學系統115所合成的加工光EL及測量光ML#2-2。因而，測量光ML#2-2及加工光EL的雙方通過相同的共用光學系統116（具體而言，相同的檢流計鏡1161及相同的fθ透鏡1162）。因此，檢流計鏡1161能同步地變更加工光EL在工件W上的照射位置及測量光ML#2-2在工件W上的照射位置。檢流計鏡1161能聯動地變更加工光EL在工件W上的照射位置及測量光ML#2-2在工件W上的照射位置。即，檢流計鏡1161能同步及/或聯動地變更被照射區域EA相對於工件W的相對位置及被照射區域MA相對於工件W的相對位置。此處，入射至工件W上的第一位置的加工光EL的行進方向、與入射至所述第一位置的測量光ML#2-2的行進方向可相同或平行。入射至工件W上的與第一位置不同的第二位置的加工光EL的行進方向、與入射至所述第二位置的測量光ML#2-2的行進方向可相同或平行。
自共用光學系統116朝向工件W的測量光ML#2-2的孔徑角亦可較自共用光學系統116朝向工件W的加工光EL的孔徑角更大。該情況下，工件W上的測量光ML的點徑較工件W上的加工光EL的點徑更小。其結果，相較於由加工光EL所得的加工解析能力，由測量光ML所得的測量解析能力更高。
自共用光學系統116朝向工件W的測量光ML#2-2的孔徑角依存於入射至共用光學系統116的測量光ML#2-2的光束的尺寸。具體而言，入射至共用光學系統116的測量光ML#2-2的光束的尺寸越大，自共用光學系統116朝向工件W的測量光ML#2-2的孔徑角越大。同樣，自共用光學系統116朝向工件W的加工光EL的孔徑角依存於入射至共用光學系統116的加工光E的光束的尺寸。具體而言，入射至共用光學系統116的加工光EL的光束的尺寸越大，自共用光學系統116朝向工件W的加工光EL的孔徑角越大。因此，入射至共用光學系統116的測量光ML#2-2的光束的尺寸亦可較入射至共用光學系統116的加工光EL的光束的尺寸更大。該情況下，工件W上的測量光ML的點徑較工件W上的加工光EL的點徑更小。其結果，相較於由加工光EL所得的加工解析能力，由測量光ML所得的測量解析能力更高。再者，此處所謂的「光束的尺寸」亦可是指與光的行進方向交叉的光束的剖面的尺寸。在與光的行進方向交叉的光束的剖面並非圓形的情況下，「光束的尺寸」亦可是指與光的行進方向交叉的光束的剖面的最大尺寸。例如，在與光的行進方向交叉的光束的剖面為橢圓的情況下，亦可將橢圓的長徑設為最大尺寸。
自共用光學系統116朝向工件W的測量光ML#2-2的孔徑角依存於fθ透鏡1162的光瞳位置（典型的是入射光瞳位置，考慮以自工件W朝向fθ透鏡1161的光為基準時是射出光瞳位置）處的測量光ML#2-2的光束的尺寸。具體而言，fθ透鏡1162的光瞳位置處的測量光ML#2-2的光束的尺寸越大，自共用光學系統116朝向工件W的測量光ML#2-2的孔徑角越大。同樣，自共用光學系統116朝向工件W的加工光EL的孔徑角依存於fθ透鏡1162的光瞳位置處的加工光EL的光束的尺寸。具體而言，fθ透鏡1162的光瞳位置處的加工光EL的光束的尺寸越大，自共用光學系統116朝向工件W的加工光EL的孔徑角越大。因此，fθ透鏡1162的光瞳位置處的測量光ML#2-2的光束的尺寸可較fθ透鏡1162的光瞳位置處的加工光EL的光束的尺寸更大。該情況下，工件W上的測量光ML的點徑較工件W上的加工光EL的點徑更小。其結果，相較於由加工光EL所得的加工解析能力，由測量光ML所得的測量解析能力更高。
合成光學系統115亦可以在合成光學系統115與工件W之間加工光EL的光路與測量光ML#2-2的光路至少部分地重覆（換言之，重疊）的方式，來合成加工光EL及測量光ML#2-2。即，合成光學系統115亦可以自合成光學系統115至工件W的加工光EL的光路與自合成光學系統115至工件W的測量光ML#2-2的光路至少部分地重覆的方式，來合成加工光EL及測量光ML#2-2。再者，考慮到光路的重覆時的「光的光路」亦可是指光傳播的路徑（或者光線的路徑）的集合體。例如，合成光學系統115與工件W之間的加工光EL的光路可包含：將自合成光學系統115到達工件W的第一位置的加工光EL所佔有的空間區域即第一路徑、自合成光學系統115到達工件W的第二位置的加工光EL所佔有的空間區域即第二路徑、……自合成光學系統115到達工件W的第N位置的加工光EL所佔有的空間區域即第N路徑合計的空間區域。例如，合成光學系統115與工件W之間的加工光EL的光路可包含藉由檢流計鏡1161，加工光EL可通過的空間區域（參照後述的圖4及圖7）。例如，合成光學系統115與工件W之間的測量光ML的光路可包含藉由檢流計鏡1161，測量光ML可通過的空間區域（參照後述的圖4及圖7）。
由於在合成光學系統115與工件W之間存在共用光學系統116，因此合成光學系統115亦可以在共用光學系統116內加工光EL的光路與測量光ML#2-2的光路至少部分地重覆的方式，來合成加工光EL及測量光ML#2-2。合成光學系統115亦可以共用光學系統116內的加工光EL的光路與共用光學系統116內的測量光ML#2-2的光路至少部分地重覆的方式，來合成加工光EL及測量光ML#2-2。合成光學系統115亦可以在共用光學系統116與工件W之間加工光EL的光路與測量光ML#2-2的光路至少部分地重覆的方式，來合成加工光EL及測量光ML#2-2。合成光學系統115亦可以自共用光學系統116至工件W的加工光EL的光路與自共用光學系統116至工件W的測量光ML#2-2的光路至少部分地重覆的方式，來合成加工光EL及測量光ML#2-2。
作為一例，如部分地表示合成光學系統115與工件W之間的加工光EL的光路及測量光ML#2-2的光路的剖面圖即圖4所示，合成光學系統115亦可以自合成光學系統115至工件W的加工光EL的光路與自合成光學系統115至工件W的測量光ML#2-2的光路同軸的方式，來合成加工光EL及測量光ML#2-2。該情況下，如表示被照射加工光EL的被照射區域EA及被照射測量光ML的被照射區域MA的平面圖即圖5所示，合成光學系統115亦可以被照射區域EA與被照射區域MA至少部分地重覆的方式，來合成加工光EL及測量光ML#2-2。合成光學系統115亦可以加工光EL在工件W上的照射位置與測量光ML#2-2在工件W上的照射位置至少部分地一致的方式，來合成加工光EL及測量光ML#2-2。在被照射區域EA與被照射區域MA至少部分地重覆的情況下，對被照射加工光EL的被照射區域EA的至少一部分照射測量光ML#2-2，且對被照射測量光ML#2-2的被照射區域MA的至少一部分照射加工光EL。即，加工光EL及測量光ML#2-2照射至相同的區域。再者，所謂自合成光學系統115至工件W的加工光EL的光路與自合成光學系統115至工件W的測量光ML#2-2的光路同軸，亦可包含自合成光學系統115至工件W的加工光EL的主光線與自合成光學系統115至工件W的測量光ML#2-2的主光線一致。此處，加工光EL及測量光ML#2-2的主光線可設為通過加工光EL及測量光ML#2-2的光束剖面（與加工光EL及測量光ML#2-2的行進方向交叉的剖面）中的光量重心的位置的光線。
在被照射區域EA與被照射區域MA至少部分地重覆的情況下，加工裝置1亦可同時進行加工光EL向被照射區域EA的照射及測量光ML#2-2向被照射區域MA的照射。具體而言，如表示加工光EL的照射時序與測量光ML#2-2的照射時序的時序圖即圖6的（a）所示，在如上所述加工光EL及測量光ML#2-2分別包含脈波光的情況下，加工裝置1亦可以構成加工光EL的多個脈波光中的至少一個照射至被照射區域EA的時序（換言之，時期、期間）與構成測量光ML#2-2的多個脈波光中的至少一個照射至被照射區域MA的時序（即，時期、期間）一致的方式，照射加工光EL及測量光ML#2-2。
或者，在被照射區域EA與被照射區域MA至少部分地重覆的情況下，加工裝置1亦可在分別不同的時序進行加工光EL向被照射區域EA的照射及測量光ML#2-2向被照射區域MA的照射。具體而言，如表示加工光EL的照射時序與測量光ML#2-2的照射時序的時序圖即圖6的（a）及圖6的（c）所示，加工裝置1亦可以構成加工光EL的多個脈波光中的至少一個照射至被照射區域EA的時序（即，時期、期間）與構成測量光ML#2-2的多個脈波光中的至少一個照射至被照射區域MA的時序（即，時期、期間）不同的方式，照射加工光EL及測量光ML#2-2。加工裝置1亦可以構成加工光EL的多個脈波光中的至少一個照射至被照射區域EA的時序（即，時期、期間）與構成測量光ML#2-2的多個脈波光中的至少一個照射至被照射區域MA的時序（即，時期、期間）不重疊的方式，照射加工光EL及測量光ML#2-2。典型而言，加工裝置1亦可以構成加工光EL的一脈波光PL#13照射至被照射區域EA的時序設定在構成測量光ML#2-2的一脈波光PL#12照射至被照射區域MA的時序與構成測量光ML#2-2的另一脈波光PL#14照射至被照射區域MA的時序之間的方式，照射加工光EL及測量光ML#2-2。加工裝置1亦可以構成測量光ML#2-2的一脈波光PL#12照射至被照射區域MA的時序設定在構成加工光EL的一脈波光PL#11照射至被照射區域EA的時序與構成加工光EL的另一脈波光PL#13照射至被照射區域EA的時序之間的方式，照射加工光EL及測量光ML#2-2。該情況下，測量光ML#2-2對工件W的照射被因加工光EL對工件W的照射而產生的物質（例如煙霧等）妨礙的可能性變低。其結果，能夠進行使用測量光ML#2-2的更適當的測量。
或者，合成光學系統115亦可以在合成光學系統115與工件W之間加工光EL的光路與測量光ML#2-2的光路至少部分地分開的方式，來合成加工光EL及測量光ML#2-2。即，合成光學系統115亦可以自合成光學系統115至工件W的加工光EL的光路與自合成光學系統115至工件W的測量光ML#2-2的光路至少部分地分開的方式，來合成加工光EL及測量光ML#2-2。由於在合成光學系統115與工件W之間存在共用光學系統116，因此合成光學系統115亦可以在共用光學系統116內加工光EL的光路與測量光ML#2-2的光路至少部分地分開的方式，來合成加工光EL及測量光ML#2-2。合成光學系統115亦可以共用光學系統116內的加工光EL的光路與共用光學系統116內的測量光ML#2-2的光路至少部分地分開的方式，來合成加工光EL及測量光ML#2-2。合成光學系統115亦可以在共用光學系統116與工件W之間加工光EL的光路與測量光ML#2-2的光路至少部分地分開的方式，來合成加工光EL及測量光ML#2-2。合成光學系統115亦可以自共用光學系統116至工件W的加工光EL的光路與自共用光學系統116至工件W的測量光ML#2-2的光路至少部分地分開的方式，來合成加工光EL及測量光ML#2-2。
作為一例，如部分地表示合成光學系統115與工件W之間的加工光EL的光路及測量光ML#2-2的光路的剖面圖即圖7所示，合成光學系統115亦可以自合成光學系統115至工件W的加工光EL的光路與自合成光學系統115至工件W的測量光ML#2-2的光路，沿與合成光學系統115及/或共用光學系統116的光軸AX交叉的方向至少部分地分開的方式，來合成加工光EL及測量光ML#2-2。即，合成光學系統115亦可以自合成光學系統115至工件W的加工光EL的光路與自合成光學系統115至工件W的測量光ML#2-2的光路成為離軸（off-axis）的關係的方式，來合成加工光EL及測量光ML#2-2。該情況下，如表示被照射加工光EL的被照射區域EA及被照射測量光ML的被照射區域MA的平面圖即圖8所示，合成光學系統115亦可以被照射區域EA與被照射區域MA至少部分的地分開的方式，來合成加工光EL及測量光ML#2-2。合成光學系統115亦可以加工光EL在工件W上的照射位置與測量光ML#2-2在工件W上的照射位置至少部分地不同的方式，來合成加工光EL及測量光ML#2-2。
圖7表示了自fθ透鏡1162至工件W的加工光EL與自fθ透鏡1162至工件W的測量光ML#2-2平行的示例。即，圖7表示了自fθ透鏡1162至工件W的加工光EL的主光線與自fθ透鏡1162至工件W的測量光ML#2-2的主光線平行的示例。然而，自fθ透鏡1162至工件W的加工光EL與自fθ透鏡1162至工件W的測量光ML#2-2亦可不平行。即，自fθ透鏡1162至工件W的加工光EL的主光線與自fθ透鏡1162至工件W的測量光ML#2-2的主光線亦可不平行。換言之，關於加工光EL，fθ透鏡1162的工件側的遠心性（telecentric）可為非遠心，關於測量光ML，fθ透鏡1162的工件側的遠心性可為非遠心。
為了將被照射區域EA與被照射區域MA至少部分地分開，典型而言，合成光學系統115亦可以在fθ透鏡1162的光瞳面，加工光EL與測量光ML#2-2具有角度差的方式，來合成加工光EL及測量光ML#2-2。即，合成光學系統115亦可以加工光EL相對於fθ透鏡1162的光瞳面的入射角度與測量光ML#2-2相對於fθ透鏡1162的光瞳面的入射角度不同的方式，來合成加工光EL及測量光ML#2-2。其結果，藉由fθ透鏡1162，將光瞳面上的加工光EL與測量光ML#2-2的角度差轉換為像面（典型的是工件W的表面）上的加工光EL與測量光ML#2-2的照射位置的差。即，藉由fθ透鏡1162，將光瞳面上的加工光EL與測量光ML#2-2的角度差轉換為工件W上的被照射區域EA與被照射區域MA之間的位置的差。
為了在工件W上將被照射區域EA與被照射區域MA至少部分地分開，如圖9所示，共用光學系統116亦可在檢流計鏡1161與fθ透鏡1162之間具備中繼透鏡1163。中繼透鏡1163是用於在與工件W的表面光學共軛的面，將加工光EL的光路與測量光ML#2-2的光路至少部分地分開的光學構件（光學系統）。
在被照射區域EA與被照射區域MA至少部分地分開的情況下，加工裝置1亦可在分別相同的時序進行加工光EL向被照射區域EA的照射及測量光ML#2-2向被照射區域MA的照射（參照圖6的（a））。或者，在被照射區域EA與被照射區域MA至少部分地分開的情況下，加工裝置1亦可在分別不同的時序進行加工光EL向被照射區域EA的照射及測量光ML#2-2向被照射區域MA的照射（參照圖6的（b）及圖的6（c））。
再者，合成光學系統115亦可以在合成光學系統115與工件W之間加工光EL的光路與測量光ML#2-2的光路分開的方式（亦無部分地重覆的方式），來合成加工光EL及測量光ML#2-2。
或者，在被照射區域EA與被照射區域MA至少部分地重覆的情況、被照射區域EA與被照射區域MA至少部分地分開的情況及被照射區域EA與被照射區域MA完全分開的情況的各情況下，加工裝置1亦可在加工裝置1開始工件W的加工之前（例如，在工件W載置於載台32的時序或測量光ML能照射至工件W的時序）對工件W照射測量光ML。即，加工裝置1亦可在加工裝置1開始工件W的加工之前（例如，在工件W載置於載台32的時序或測量光ML能照射至工件W的時序），進行測量光ML#2-2向被照射區域MA的照射。加工裝置1亦可在加工裝置1完成工件W的加工之後，對工件W照射測量光ML。加工裝置1亦可在加工裝置1完成工件W的加工之後，進行測量光ML#2-2向被照射區域MA的照射。
再次回到圖3中，當對工件W照射測量光ML#2-2時，自工件W產生起因於測量光ML#2-2的照射的光。即，當對工件W照射測量光ML#2-2時，自工件W射出起因於測量光ML#2-2的照射的光。例如，當對工件W照射測量光ML#2-2時，自工件W射出測量光ML#2-2的反射光。例如，當對工件W照射測量光ML#2-2時，自工件W射出測量光ML#2-2的散射光。此處，起因於測量光ML#2-2的照射的光、換言之起因於測量光ML#2-2的照射而自工件W射出的光可包含：在工件W反射的測量光ML#2-2（即，反射光）、藉由測量光ML#2-2向工件W的照射而產生的散射光、在工件W繞射的測量光ML#2-2（即，繞射光）、以及透過工件W的測量光ML#2-2（即，透過光）中的至少一個。
起因於測量光ML#2-2的照射而自工件W射出的光的至少一部分（以下，將該光稱作「測量光ML#2-3」）入射至共用光學系統116。入射至共用光學系統116的測量光ML#2-3經由fθ透鏡1162及檢流計鏡1161入射至合成光學系統115。合成光學系統115的分束器1151將入射至分束器1151的測量光ML#2-3朝向測量光學系統114射出。在圖3所示的示例中，入射至分束器1151的測量光ML#2-3藉由在偏光分離面被反射而朝向測量光學系統114射出。因此，在圖3所示的示例中，測量光ML#2-3在具有能在偏光分離面反射的偏光方向的狀態下入射至偏光分束器1151的偏光分離面。
自合成光學系統115射出的測量光ML#2-3入射至測量光學系統114的鏡1147。鏡1147將入射至鏡1147的測量光ML#2-3朝向分束器1144反射。分束器1144將入射至分束器1144的測量光ML#2-3的至少一部分朝向分束器1142射出。分束器1142將入射至分束器1142的測量光ML#2-3的至少一部分朝向檢測器1146射出。
此處，如上所述，在檢測器1146，除了入射測量光ML#2-3以外，亦入射測量光ML#1-3。即，在檢測器1146，入射經由工件W而朝向檢測器1146的測量光ML#2-3及不經由工件W而朝向檢測器1146的測量光ML#1-3。再者，測量光ML#1-3亦可稱作參照光。檢測器1146檢測藉由測量光ML#1-3與測量光ML#2-3發生干涉而生成的干涉光。具體而言，檢測器1146藉由接收干涉光來檢測干涉光。因此，檢測器1146可包括能接收光的光接收元件（光接收部）。再者，檢測器1146亦可稱作光接收構件。檢測器1146的檢測結果輸出至控制裝置5。
控制裝置5基於檢測器1143的檢測結果及檢測器1146的檢測結果來計算工件W的狀態。此處，一邊參照圖10，一邊對基於檢測器1143的檢測結果及檢測器1146的檢測結果來計算工件W的狀態的原理進行說明。
圖10是表示入射至檢測器1143的測量光ML#1-1、入射至檢測器1143的測量光ML#2-1、檢測器1143檢測出的干涉光、入射至檢測器1146的測量光ML#1-3、入射至檢測器1146的測量光ML#2-3及檢測器1146檢測出的干涉光的時序圖。由於測量光ML#1的脈波頻率與測量光ML#2的脈波頻率不同，因此測量光ML#1-1的脈波頻率與測量光ML#2-1的脈波頻率不同。因而，測量光ML#1-1與測量光ML#2-1的干涉光是與構成測量光ML#1-1的脈波光及構成測量光ML#2-1的脈波光同時入射至檢測器1143的時序同步地出現脈波光的干涉光。同樣，測量光ML#1-3的脈波頻率與測量光ML#2-3的脈波頻率不同。因而，測量光ML#1-3與測量光ML#2-3的干涉光是與構成測量光ML#1-3的脈波光及構成測量光ML#2-3的脈波光同時入射至檢測器1146的時序同步地出現脈波光的干涉光。
此處，形成檢測器1146所檢測的干涉光的脈波光的位置（時間軸上的位置）根據加工頭11與工件W之間的位置關係而變動。原因在於，檢測器1146所檢測的干涉光是經由工件W而朝向檢測器1146的測量光ML#2-3、與不經由工件W而朝向檢測器1146的測量光ML#1-3的干涉光。另一方面，形成檢測器1143所檢測的干涉光的脈波光的位置（時間軸上的位置）不會根據加工頭11與工件W之間的位置關係而變動。因此，形成檢測器1146所檢測的干涉光的脈波光、與形成檢測器1143所檢測的干涉光的脈波光的時間差，可以說間接地表示加工頭11與工件W之間的位置關係（典型的是加工頭11與工件W之間的距離）。因此，控制裝置5能夠基於形成檢測器1146所檢測的干涉光的脈波光、與形成檢測器1143所檢測的干涉光的脈波光的時間差來計算工件W的狀態。具體而言，控制裝置5能夠基於形成檢測器1146所檢測的干涉光的脈波光、與形成檢測器1143所檢測的干涉光的脈波光的時間差，來計算工件W中照射到測量光ML#2-2的部分的位置。即，控制裝置5能夠求出與工件W中照射到測量光ML#2-2的部分的位置相關的資訊。進而，若對工件W的多個部位照射測量光ML#2-2及/或若以掃描工件W的表面的方式照射測量光ML#2-2，則控制裝置5亦能夠計算工件W的形狀。
計算出的工件W的狀態亦可用於控制加工系統SYSa。具體而言，計算出的工件W的狀態亦可用於控制加工裝置1。計算出的工件W的狀態亦可用於控制加工頭11。計算出的工件W的狀態亦可用於控制頭驅動系統12。計算出的工件W的狀態亦可用於控制載台裝置3。計算出的工件W的狀態亦可用於控制載台驅動系統33。
例如，控制裝置5亦可基於計算出的工件W的狀態，變更工件W與加工頭11之間的相對位置關係，以使工件W與加工頭11之間的相對位置關係成為所期望的位置關係。即，控制裝置5亦可基於計算出的工件W的狀態，控制能變更工件W與加工頭11之間的相對位置關係的裝置，以使工件W與加工頭11之間的相對位置關係成為所期望的位置關係。作為能變更工件W與加工頭11之間的相對位置關係的裝置的一例，可列舉頭驅動系統12及載台驅動系統33的至少一者。再者，作為「所期望的位置關係」的一例，可列舉加工光EL及/或測量光ML照射至工件W上的期望位置的位置關係。
例如，控制裝置5亦可基於計算出的工件W的狀態，變更工件W與加工頭11所具備的各光學系統之間的相對位置關係，以使工件W與加工頭11所具備的各光學系統（例如，加工光學系統112、測量光學系統114、合成光學系統115及共用光學系統116中的至少一個）之間的相對位置關係成為所期望的關係。即，控制裝置5亦可基於計算出的工件W的狀態，控制能變更工件W與加工頭11所具備的各光學系統之間的相對位置關係的裝置，以使工件W與加工頭11所具備的各光學系統之間的相對位置關係成為所期望的關係。作為能變更工件W與加工頭11所具備的各光學系統之間的相對位置關係的裝置的一例，可列舉頭驅動系統12及載台驅動系統33的至少一者。
例如，控制裝置5亦可基於計算出的工件W的狀態，變更被照射區域EA相對於工件W的相對位置，以在工件W上的期望位置設定被照射區域EA（即，被照射加工光EL）。即，控制裝置5亦可基於計算出的工件W的狀態，控制能變更被照射區域EA相對於工件W的相對位置的裝置，以在工件W上的期望位置設定被照射區域EA。作為能變更被照射區域EA相對於工件W的相對位置的裝置的一例，可列舉加工光學系統112的角度調整光學元件1122、共用光學系統116的檢流計鏡1161、頭驅動系統12及載台驅動系統33。
例如，控制裝置5亦可基於計算出的工件W的狀態，變更被照射區域MA相對於工件W的相對位置，以在工件W上的期望位置設定被照射區域MA（即，被照射測量光ML#2-2）。即，控制裝置5亦可基於計算出的工件W的狀態，控制能變更被照射區域MA相對於工件W的相對位置的裝置，以在工件W上的期望位置設定被照射區域MA。作為能變更被照射區域MA相對於工件W的相對位置的裝置的一例，可列舉加工光學系統112的角度調整光學元件1122、共用光學系統116的檢流計鏡1161、頭驅動系統12及載台驅動系統33。
但是，如上所述，第一實施形態中，檢流計鏡1161能聯動地變更被照射區域MA相對於工件W的相對位置及測量光ML#2-2在工件W上的照射位置。因此，若使用檢流計鏡1161，被照射區域MA相對於工件W的相對位置受到變更，則被照射區域EA相對於工件W的相對位置亦同時受到變更。即，若使用檢流計鏡1161，被照射區域EA相對於工件W的相對位置受到變更，則被照射區域MA相對於工件W的相對位置亦同時受到變更。
頭驅動系統12亦使加工頭11移動，故能聯動地變更被照射區域MA相對於工件W的相對位置及測量光ML#2-2在工件W上的照射位置。因此，若使用頭驅動系統12，被照射區域MA相對於工件W的相對位置受到變更，則被照射區域EA相對於工件W的相對位置亦同時受到變更。即，若使用頭驅動系統12，被照射區域EA相對於工件W的相對位置受到變更，則被照射區域MA相對於工件W的相對位置亦同時受到變更。
載台驅動系統33亦使載台32移動（即，使載置於載台32的工件W移動），故能聯動地變更被照射區域MA相對於工件W的相對位置及測量光ML#2-2在工件W上的照射位置。若使用載台驅動系統33，被照射區域MA相對於工件W的相對位置受到變更，則被照射區域EA相對於工件W的相對位置亦同時受到變更。即，若使用載台驅動系統33，被照射區域EA相對於工件W的相對位置受到變更，則被照射區域MA相對於工件W的相對位置亦同時受到變更。
例如，控制裝置5亦可基於計算出的工件W的狀態，來判定是否藉由加工光EL而適當地對工件W進行了加工。即，控制裝置5亦可基於計算出的工件W的狀態，來進行藉由加工光EL而對工件W進行了加工後的工件W的事後檢查。具體而言，控制裝置5亦可藉由對計算出的工件W的狀態與加工後的工件W的理想狀態加以比較，來判定是否藉由加工光EL而適當地對工件W進行了加工。在判定為未藉由加工光EL而適當地對工件W進行了加工的情況下，控制裝置5亦可控制加工裝置1，以藉由加工光EL來適當地對工件W進行加工。
再者，在進行工件W的事後檢查的情況下，在工件W上，被照射測量光ML#2-2的被照射區域MA亦可設定在被照射加工光EL的被照射區域EA的後方。此處所謂「後方」是指沿著加工光EL在工件W上的移動方向（即，被照射區域EA的移動方向）的後方。該情況下，在加工光EL照射至工件W上的某個區域後，對該區域照射測量光ML#2-2。因而，加工光EL及測量光ML#2-2的照射順序成為適於工件W的事後檢查的順序。
例如，控制裝置5亦可基於計算出的工件W的狀態，進行藉由加工光EL來對工件W進行加工前的工件W的事前檢查。例如，控制裝置5亦可進行事前檢查，判定在工件W中是否產生了有可能妨礙利用加工光EL進行的適當加工的缺陷。例如，為了決定加工光EL所進行的加工內容，控制裝置5亦可進行事前檢查，確定工件W的狀態。
再者，在進行工件W的事前檢查的情況下，在工件W上，被照射測量光ML#2-2的被照射區域MA亦可設定在被照射加工光EL的被照射區域EA的前方。此處所謂「前方」是指沿著加工光EL在工件W上的移動方向的前方。該情況下，在測量光ML#2-2照射至工件W上的某個區域後，對該區域照射加工光EL。因而，加工光EL及測量光ML#2-2的照射順序成為適於工件W的事前檢查的順序。
（ 1-3 ）頭驅動系統 12 的結構
（ 1-3-1 ）頭驅動系統 12 的整體結構
繼而，一邊參照圖11，一邊對頭驅動系統12的結構的一例進行說明。圖11是表示頭驅動系統12的結構的一例的剖面圖。
如圖11所示，頭驅動系統12包括第一驅動系統121及第二驅動系統122。在第一驅動系統121，安裝有第二驅動系統121。第一驅動系統121支持第二驅動系統122。在第二驅動系統122，安裝有加工頭11。第二驅動系統122支持加工頭11。因此，第二驅動系統122實質上亦可作為連接第一驅動系統121與加工頭11的連接裝置發揮功能。
第一驅動系統121在控制裝置5的控制下，使第二驅動系統122相對於工件W而移動。即，第一驅動系統121作為使第二驅動系統122相對於工件W而移動的移動裝置發揮功能。由於在第二驅動系統122安裝有加工頭11，因此可以說，第一驅動系統121藉由使第二驅動系統122移動來使加工頭11相對於工件W而移動。即，第一驅動系統121使加工頭11與第二驅動系統122一同移動。第一驅動系統121經由第二驅動系統122使加工頭11移動。第一驅動系統121作為經由第二驅動系統122使加工頭11所具備的各光學系統移動（換言之，驅動）的驅動部發揮功能。
第二驅動系統122在控制裝置5的控制下，使加工頭11相對於工件W而移動。即，第二驅動系統122作為使加工頭11相對於工件W而移動的移動裝置發揮功能。第二驅動系統122作為使加工頭11相對於工件W而移動的移動裝置發揮功能。由於如上所述第二驅動系統122支持加工頭11，因此可以說，第二驅動系統122在加工頭11能相對於工件W位移的狀態下支持加工頭11。該情況下，第二驅動系統122作為在加工頭11所具備的各光學系統能相對於工件W位移的狀態下支持加工頭11所具備的各光學系統的支持部發揮功能。
以下，依序對此種第一驅動系統121及第二驅動系統122進行說明。再者，第一驅動系統121亦可被稱作第一位置變更裝置。第二驅動系統122亦可被稱作第二位置變更裝置。
（ 1-3-1-1 ）第一驅動系統 121 的結構
如圖11所示，第一驅動系統121包括基台1211與臂驅動系統1212。
基台1211安裝於框體4（例如框體4的頂壁構件）或者未圖示的支持框架（支持結構體）。在基台1211安裝有臂驅動系統1212。基台1211支持臂驅動系統1211。基台1211被用作用於支持臂驅動系統1211的底座構件。
臂驅動系統1212包括多個臂構件12121。多個臂構件12121經由至少一個接頭構件12122而擺動自如地連結。因而，臂驅動系統1212是具有所謂的垂直多關節結構的機器人。再者，臂驅動系統1212並不限定於具有垂直多關節結構的機器人，例如亦可為具有水平多關節結構的機器人極座標型機器人、圓筒座標型機器人、直角座標型機器人或者並行鏈節（parallel link）型機器人。臂驅動系統1212亦可包括單個關節（即，由接頭構件12122所規定的驅動軸）。或者，臂驅動系統1212亦可包括多個關節。圖11表示了臂驅動系統1212包括三個關節的示例。經由各關節而連結的兩個臂構件12121藉由與各關節對應的致動器12123而擺動。圖11表示了臂驅動系統1212對應於三個關節而包括三個致動器12123的示例。其結果，至少一個臂構件12121移動。因此，至少一個臂構件12121能相對於工件W而移動。即，至少一個臂構件12121能以至少一個臂構件12121與工件W之間的相對位置關係受到變更的方式移動。
在臂驅動系統1212安裝有第二驅動系統122。具體而言，在多個臂構件12121中的位於距基台1211最遠的位置的一臂構件12121，安裝有第二驅動系統122。以下，為了便於說明，將供安裝第二驅動系統122的一臂構件12121稱作前端臂構件12124。第二驅動系統122可直接安裝於前端臂構件12124，亦可經由其他構件而間接地安裝於前端臂構件12124。
當前端臂構件12124藉由所述致動器12123而移動時，被安裝於前端臂構件12124的第二驅動系統122亦會移動。因此，臂驅動系統1212（即，第一驅動系統121）能夠使第二驅動系統122移動。具體而言，臂驅動系統1212能夠使第二驅動系統122相對於工件W而移動。臂驅動系統1212能夠以第二驅動系統122與工件W之間的相對位置關係受到變更的方式使第二驅動系統122移動。而且，當第二驅動系統122移動時，被安裝於第二驅動系統122的加工頭11亦會移動。因此，臂驅動系統1212（即，第一驅動系統121）能夠使加工頭11移動。
再者，第一驅動系統121並不限定於多關節機器人，只要能使第二驅動系統122相對於工件W而移動，則亦可具有任何結構。
（ 1-3-1-2 ）第二驅動系統 122 的結構
繼而，一邊參照圖12，一邊對第二驅動系統122的結構進行說明。圖12是表示第二驅動系統122的結構的剖面圖。
如圖12所示，第二驅動系統122包括支持構件1221、支持構件1222、空氣彈簧（air spring）1223、阻尼器（damper）構件1224及驅動構件1225。
支持構件1221被安裝於第一驅動系統121。具體而言，支持構件1221被安裝於第一驅動系統121的前端臂構件12124。支持構件1222被安裝於加工頭11。
支持構件1221與支持構件1222經由空氣彈簧1223、阻尼器構件1224及驅動構件1225而結合（換言之，連結或者連接）。即，空氣彈簧1223、阻尼器構件1224及驅動構件1225分別以將支持構件1221與支持構件1222予以結合的方式被安裝於支持構件1221及支持構件1222。由於在支持構件1221安裝有第一驅動系統121且在支持構件1222安裝有加工頭11，因此亦可以說，空氣彈簧1223、阻尼器構件1224及驅動構件1225分別實質上以將第一驅動系統121與加工頭11予以結合的方式被安裝於支持構件1221及支持構件1222。
空氣彈簧1223在控制裝置5的控制下，將起因於氣體（作為一例，為空氣）壓力的彈性力賦予至支持構件1221及支持構件1222的至少一者。空氣彈簧1223在控制裝置5的控制下，將起因於氣體壓力的彈性力經由支持構件1221及支持構件1222的至少一者而賦予至第一驅動系統121及加工頭11的至少一者。尤其，空氣彈簧1223亦可沿著支持構件1221與支持構件1222的排列方向（圖12所示的示例中，為Z軸方向、重力方向），將起因於氣體壓力的彈性力賦予至支持構件1221及支持構件1222的至少一者。即，空氣彈簧1223亦可沿著第一驅動系統121（尤其是前端臂構件12124）與加工頭11的排列方向（圖12所示的示例中，為Z軸方向、重力方向），將起因於氣體壓力的彈性力經由支持構件1221及支持構件1222的至少一者而賦予至第一驅動系統121及加工頭11的至少一者。再者，空氣彈簧1223亦可被稱作彈性構件或緩衝構件。
為了賦予起因於氣體壓力的彈性力，對於空氣彈簧1223，自氣體供給裝置12261經由配管12262及閥12263來供給氣體。控制裝置5基於對空氣彈簧1223內的機體的壓力進行測量的壓力計1226的測量結果，來控制氣體供給裝置12261及閥12263的至少一者。再者，亦可無氣體供給裝置12261、配管12262及閥12263。該情況下，空氣彈簧1223亦可與控制裝置5的控制無關地，將起因於內部氣體壓力的彈性力賦予至支持構件1221及支持構件1222的至少一者。
空氣彈簧1223亦可在控制裝置5的控制下，利用彈性力來對支持構件1222的重量進行支持。具體而言，空氣彈簧1223亦可利用彈性力，沿著支持構件1221與支持構件1222的排列方向來對支持構件1222的重量進行支持。由於在支持構件1222安裝有加工頭11，因此空氣彈簧1223亦可利用彈性力來對被安裝於支持構件1222的加工頭11的重量進行支持。具體而言，空氣彈簧1223亦可利用彈性力，沿著第一驅動系統121（尤其是前端臂構件12124）與加工頭11的排列方向來對加工頭11的重量進行支持。該情況下，空氣彈簧1223亦可作為消除加工頭11的自重的自重消除器（canceler）發揮功能。再者，空氣彈簧1223亦可與控制裝置5的控制無關地，利用彈性力來對支持構件1222的重量進行支持。
空氣彈簧1223亦可在控制裝置5的控制下，利用彈性力來降低在第一驅動系統121與加工頭11之間經由第二驅動系統122而傳遞的振動。即，空氣彈簧1223亦可利用彈性力，對在第一驅動系統121與加工頭11之間經由第二驅動系統122而傳遞的振動進行衰減。具體而言，空氣彈簧1223亦可利用彈性力來降低（衰減）自第一驅動系統121經由第二驅動系統122而朝向（即，傳遞至）加工頭11的振動。即，空氣彈簧1223亦可利用彈性力，來降低（衰減）自第一驅動系統121中的安裝有第二驅動系統122的部分（即，前端臂部分12124）朝向加工頭11中的安裝有第二驅動系統122的部分的振動。該情況下，控制裝置5亦可基於壓力計1226的測量結果來控制氣體供給裝置12261及閥12263的至少一者，以降低（即衰減）在第一驅動系統121與加工頭11之間經由第二驅動系統122而傳遞的振動。再者，空氣彈簧1223（或者，包含空氣彈簧1223的第二驅動系統122）亦可被稱作振動降低裝置或振動衰減裝置。再者，空氣彈簧1223亦可與控制裝置5的控制無關地，利用彈性力來降低在第一驅動系統121與加工頭11之間經由第二驅動系統122而傳遞的振動。
阻尼器構件1224將起因於與空氣壓力不同的因素的彈性力，賦予至支持構件1221及支持構件1222的至少一者。阻尼器構件1224將起因於與空氣壓力不同的因素的彈性力，經由支持構件1221及支持構件1222的至少一者而賦予至第一驅動系統121及加工頭11的至少一者。尤其，阻尼器構件1224亦可沿著支持構件1221與支持構件1222的排列方向（圖12所示的示例中為Z軸方向、重力方向），將彈性力賦予至支持構件1221及支持構件1222的至少一者。即，阻尼器構件1224亦可沿著第一驅動系統121（尤其是前端臂構件12124）與加工頭11的排列方向（圖12所示的示例中為Z軸方向、重力方向），將彈性力經由支持構件1221及支持構件1222的至少一者而賦予至第一驅動系統121及加工頭11的至少一者。再者，阻尼器構件1224亦可被稱作彈性構件或緩衝構件。
阻尼器構件1224只要能賦予彈性力，則亦可為任何構件。例如，阻尼器構件1224亦可包含壓縮彈簧線圈。例如，阻尼器構件1224亦可包含板簧。
阻尼器構件1224亦可利用彈性力來對支持構件1222的重量進行支持。具體而言，阻尼器構件1224亦可利用彈性力，沿著支持構件1221與支持構件1222的排列方向來對支持構件1222的重量進行支持。由於在支持構件1222安裝有加工頭11，因此阻尼器構件1224亦可利用彈性力來對被安裝於支持構件1222的加工頭11的重量進行支持。具體而言，阻尼器構件1224亦可利用彈性力，沿著第一驅動系統121（尤其是前端臂構件12124）與加工頭11的排列方向來對加工頭11的重量進行支持。該情況下，阻尼器構件1224亦可作為消除加工頭11的自重的自重消除器發揮功能。
阻尼器構件1224亦可利用彈性力，來降低在第一驅動系統121與加工頭11之間經由第二驅動系統122而傳遞的振動。即，阻尼器構件1224亦可利用彈性力，對在第一驅動系統121與加工頭11之間經由第二驅動系統122而傳遞的振動進行衰減。具體而言，阻尼器構件1224亦可利用彈性力來降低（衰減）自第一驅動系統121經由第二驅動系統122而朝向（即傳遞至）加工頭11的振動。因此，阻尼器構件1224（或者，包含阻尼器構件1224的第二驅動系統122）亦可被稱作振動降低裝置或振動衰減裝置。
阻尼器構件1224亦可利用彈性力來將空氣彈簧1223的振動轉換為衰減振動。即，阻尼器構件1224亦可利用彈性力，將在第一驅動系統121與加工頭11之間經由第二驅動系統122而傳遞的振動轉換為衰減振動。
驅動構件1225能在控制裝置5的控制下產生驅動力。驅動構件1225能將所產生的驅動力賦予至支持構件1221及支持構件1222的至少一者。驅動構件1225能將所產生的驅動力經由支持構件1221及支持構件1222的至少一者，而賦予至第一驅動系統121及加工頭11的至少一者。驅動構件1225只要能產生驅動力，則亦可具有任何結構。例如，驅動構件1225亦可具有能電性產生驅動力的結構。例如，驅動構件1225亦可具有能磁性產生驅動力的結構。作為一例，圖12表示了驅動構件1225為能電性產生驅動力的音圈馬達（Voice Coil Motor，VCM）的示例。再者，音圈馬達為線性馬達的一種，但驅動構件1225亦可為與音圈馬達不同的線性馬達。驅動構件1225亦可為產生沿著直線狀軸的驅動力者。
再者，驅動構件1225亦可具有下述結構，即，驅動構件1225中的被安裝於支持構件1221的構件、與驅動構件1225中的被安裝於支持構件1222的構件不物理接觸。例如，在驅動構件1225為音圈馬達的情況下，驅動構件1225中的被安裝於支持構件1221的構件（例如，包含線圈及磁極的其中任一者的構件）、與驅動構件1225中的被安裝於支持構件1222的構件（例如，包含線圈及磁極的任意另一者的構件）不物理接觸。
驅動構件1225亦可在控制裝置5的控制下，利用驅動力來使支持構件1221及支持構件1222的至少一者移動。驅動構件1225亦可在控制裝置5的控制下，利用驅動力來使支持構件1221及支持構件1222的至少一者移動，藉此來使第一驅動系統121及加工頭11的至少一者移動。該情況下，驅動構件1225亦可利用驅動力來使第一驅動系統121及加工頭11的至少一者移動，藉此來變更第一驅動系統121與加工頭11之間的相對位置。該情況下，可以說，包含驅動構件1225的第二驅動系統122以第一驅動系統121與加工頭11之間的相對位置能變更的方式，將第一驅動系統121與加工頭11予以結合。即，可以說，所述空氣彈簧1223及阻尼器構件1224（進而，驅動構件1225）以第一驅動系統121與加工頭11之間的相對位置能藉由驅動構件1225而變更的方式，將第一驅動系統121與加工頭11予以結合。再者，驅動構件1225亦可被稱作位置變更裝置或第二位置變更裝置。
驅動構件1225亦可在控制裝置5的控制下，基於第二驅動系統122所具備的位置測量裝置1227的測量結果，來變更第一驅動系統121與加工頭11之間的相對位置。位置測量裝置1226測量第一驅動系統121與加工頭11之間的相對位置。例如，位置測量裝置1226亦可為編碼器，所述編碼器包含被安裝於支持構件1221的檢測部12261、及被安裝於支持構件1222的刻度部12262。位置測量裝置1226的測量結果包含和支持構件1221與支持構件1222之間的相對位置相關的資訊。由於在支持構件1221安裝有第一驅動系統121且在支持構件1222安裝有加工頭11，因此和支持構件1221與支持構件1222之間的相對位置相關的資訊包含和第一驅動系統121與加工頭11之間的相對位置相關的資訊。因而，控制裝置5能夠適當地確定第一驅動系統121與加工頭11之間的相對位置。其結果，控制裝置5能夠基於位置測量裝置1227的測量結果，來適當地變更第一驅動系統121與加工頭11之間的相對位置。
驅動構件1225亦可在控制裝置5的控制下，變更第一驅動系統121與加工頭11之間的相對位置（典型的是，使加工頭11相對於第一驅動系統121而移動），藉此來使加工頭11相對於工件W而移動。驅動構件1225亦可以加工頭11與工件W之間的相對位置關係受到變更的方式使加工頭11移動。
驅動構件1225亦可在控制裝置5的控制下，利用驅動力來變更第一驅動系統121與加工頭11之間的相對位置，藉此來降低在第一驅動系統121與加工頭11之間經由第二驅動系統122而傳遞的振動。即，驅動構件1225亦可利用驅動力，對在第一驅動系統121與加工頭11之間經由第二驅動系統122而傳遞的振動進行衰減。具體而言，驅動構件1225亦可利用驅動力，來降低（衰減）自第一驅動系統121經由第二驅動系統122而朝向（即傳遞至）加工頭11的振動。因此，驅動構件1225（或者包含驅動構件構件1225的第二驅動系統122）亦可被稱作振動降低裝置或振動衰減裝置。
驅動構件1225亦可利用驅動力來變更第一驅動系統121與加工頭11之間的相對位置，藉此，將空氣彈簧1223的振動轉換為衰減振動。即，驅動構件1225亦可利用驅動力，將在第一驅動系統121與加工頭11之間經由第二驅動系統122而傳遞的振動轉換為衰減振動。該情況下，可以說，驅動構件1225利用驅動力來降低因自第一驅動系統121朝向加工頭11的振動引起的、第一驅動系統121與加工頭11的相對位移量。具體而言，可以說，驅動構件1225利用驅動力來降低因自第一驅動系統121朝向加工頭11的振動引起的、第一驅動系統121中的連接有第二驅動系統122的部分（即，前端臂部分12124）與加工頭11中的連接有第二驅動系統122的部分的相對位移量。再者，在驅動構件1225能將空氣彈簧1223的振動轉換為衰減振動的情況下，第二驅動系統122亦可不包括阻尼器構件1224。但是，即便在驅動構件1225不能將空氣彈簧1223的振動轉換為衰減振動的情況下，第二驅動系統122亦可不包括阻尼器構件1224。而且，空氣彈簧1223的數量、阻尼器構件1224的數量與驅動構件1225的數量亦可不彼此相等。
驅動構件1225亦可賦予沿著包含空氣彈簧1223及/或阻尼器構件1224賦予彈性力的方向成分的方向而起作用的驅動力。若以圖12所示的示例來說，由於空氣彈簧1223及/或阻尼器構件1224賦予沿著Z軸方向的彈性力，因此驅動構件1225亦可賦予沿著包含Z軸方向成分的方向而起作用的驅動力。在驅動構件1225產生沿著包含空氣彈簧1223及/或阻尼器構件1224賦予彈性力的方向成分的方向而起作用的驅動力的情況下，驅動構件1225可利用此驅動力來將空氣彈簧1223的振動轉換為衰減振動。將空氣彈簧1223的振動設為衰減振動時，驅動構件1225亦可利用驅動力來變更空氣彈簧1223的共振頻率。典型的是，驅動構件1225亦可利用驅動力來提高空氣彈簧1223的共振頻率。
使用空氣彈簧1223等彈性構件與驅動構件1225來主動地降低振動的裝置亦可被稱作主動型防振裝置。因此，第二驅動系統122亦可被稱作主動型防振裝置。主動型防振裝置亦可被稱作主動型振動分離系統（Active Vibration Isolation System，AVIS）。
（ 1-4 ）加工系統 SYSa 的技術效果
以上說明的加工系統SYSa能夠使用加工光EL適當地加工工件W。進而，加工系統SYSa能夠使用測量光ML適當地測量工件W。尤其，第一實施形態中，使用光梳作為測量光ML，故工件W的測量精度提高。
進而，加工系統SYSa能夠經由相同的光學系統（具體而言為共用光學系統116）將加工光EL及測量光ML照射至工件W。尤其，加工系統SYSa能夠經由相同的檢流計鏡1161將加工光EL及測量光ML照射至工件W。因此，加工系統SYSa能夠同步及/或聯動地變更加工光EL在工件W上的照射位置及測量光ML#2-2在工件W上的照射位置。即，加工系統SYSa能夠在加工光EL在工件W上的照射位置與測量光ML#2-2在工件W上的照射位置之間的相對位置關係固定的狀態下，變更加工光EL在工件W上的照射位置與測量光ML#2-2在工件W上的照射位置。因此，利用加工系統SYSa的加工光EL及測量光ML的對位精度提高。例如，加工光EL在工件W上的照射位置與測量光ML#2-2在工件W上的照射位置大幅偏移的可能性變小。
（ 2 ）第二實施形態的加工系統 SYSb
繼而，對第二實施形態的加工系統SYS（以下，將第二實施形態的加工系統SYS稱作「加工系統SYSb」）進行說明。與所述第一實施形態的加工系統SYSa相比，第二實施形態的加工系統SYSb的不同之處在於，取代加工裝置1而包括加工裝置1b。加工系統SYSb的其他特徵亦可與加工系統SYSa的其他特徵相同。與加工裝置1相比，加工裝置1b的不同之處在於，取代加工頭11而包括加工頭11b。加工裝置1b的其他特徵亦可與加工裝置1的其他特徵相同。因而，以下，一邊參照圖13，一邊對第二實施形態的加工頭11b進行說明。圖13是表示第二實施形態的加工頭11b的結構的一例的剖面圖。再者，對於與已經說明的構成要素相同的構成要素，附加同一參照符號並省略其詳細說明。
如圖13所示，加工頭11b的加工光源111及測量光源113的至少一者配置在框體117的外部，該點與加工光源111及測量光源113的兩者配置在框體117的內部的所述加工頭11不同。圖13表示了加工光源111及測量光源113的兩者配置在框體117的外部的示例。加工頭11b的其他特徵亦可與加工頭11的其他特徵相同。
該情況下，加工頭11b對工件W射出自配置在加工頭11b的外部的加工光源111射出的加工光EL及/或自配置在加工頭11b的外部的測量光源113射出的測量光ML。具體而言，自加工光源111射出的加工光EL經由光纖等光傳送構件1111b而自框體117的外部入射至框體117內部的加工光學系統112。同樣，自測量光源113射出的測量光ML經由光纖等光傳送構件1131b而自框體117的外部入射至框體117內部的測量光學系統114。圖13所示的示例中，自測量光源113#1射出的測量光ML#1經由光傳送構件1131b#1而自框體117的外部入射至框體117內部的測量光學系統114，自測量光源113#2射出的測量光ML#2經由光傳送構件1131b#2而自框體117的外部入射至框體117內部的測量光學系統114。
再者，亦可將加工光源111及測量光源113中的一者配置在框體117的內部，將另一者配置在框體117的外部。而且，亦可將測量光源113#1、測量光源113#2中配置在框體117的內部，將另一者配置在框體117的外部。
此種第二實施形態的加工系統SYSb能夠享有與所述第一實施形態的加工系統SYSa可享有的效果同樣的效果。進而，第二實施形態中，亦可不在加工頭11b的框體117的內部配置加工光源111及測量光源113中的至少一者。即，加工頭11b亦可不包括加工光源111及測量光源113中的至少一者。因此，能實現加工頭11b的小型化及/或輕量化。
（ 3 ）第三實施形態的加工系統 SYSc
繼而，對第三實施形態的加工系統SYS（以下，將第三實施形態的加工系統SYS稱作「加工系統SYSc」）進行說明。與所述第二實施形態的加工系統SYSb相比，第三實施形態的加工系統SYSc的不同之處在於，取代加工裝置1b而包括加工裝置1c。加工系統SYSc的其他特徵亦可與加工系統SYSb的其他特徵相同。與加工裝置1b相比，加工裝置1c的不同之處在於，取代加工頭11b而包括加工頭11c。加工裝置1c的其他特徵亦可與加工裝置1b的其他特徵相同。因而，以下，一邊參照圖14，一邊對第三實施形態的加工頭11c進行說明。圖14是表示第三實施形態的加工頭11c的結構的一例的剖面圖。
如圖14所示，加工頭11c的加工光學系統112及/或測量光學系統114的至少一部分配置在框體117的外部，該點與加工光學系統112及測量光學系統114的兩者配置在框體117的內部的所述加工頭11b不同。圖14表示了加工光學系統112及測量光學系統114的兩者配置在框體117的外部的示例。進而，與加工頭11b相比，加工頭11c的不同之處在於，取代合成光學系統115而包括合成光學系統115c。加工頭11c的其他特徵亦可與加工頭11b的其他特徵相同。
該情況下，加工頭11c對工件W射出自配置在加工頭11c的外部的加工光學系統112射出的加工光EL及/或自配置在加工頭11c的外部的測量光學系統114射出的測量光ML。具體而言，自加工光學系統112射出的加工光EL經由光纖等光傳送構件1111c而自框體117的外部入射至框體117內部的合成光學系統115c。同樣，自測量光學系統114射出的測量光ML（具體而言為測量光ML#2-2）經由光纖等光傳送構件1131c而自框體117的外部入射至框體117內部的合成光學系統115c。
與合成光學系統115相比，合成光學系統115c的不同之處在於，包括聚光透鏡1152c及聚光透鏡1153c。合成光學系統115c的其他特徵亦可與合成光學系統115的其他特徵相同。經由光傳送構件1111c入射至合成光學系統115c的加工光EL，經由聚光透鏡1152c入射至分束器1151。聚光透鏡1152c配置成，聚光透鏡1152c的前側焦點位於光傳送構件1111c的端面（具體而言為合成光學系統115側的端面）。其結果，聚光透鏡1152c將作為發散光的加工光EL轉換為平行光。因此，在分束器1151入射轉換成平行光的加工光EL。經由光傳送構件1131c入射至合成光學系統115c的測量光ML#2-2，經由聚光透鏡1153c入射至分束器1151。聚光透鏡1153c配置成，聚光透鏡1153c的前側焦點位於光傳送構件1131c的端面（具體而言為合成光學系統115側的端面）。其結果，聚光透鏡1153c將作為發散光的測量光ML#2-2轉換為平行光。因此，在分束器1151入射轉換成平行光的測量光ML#2-2。
再者，可將加工光學系統112的至少一部分配置在框體117的外部，將測量光學系統114配置在框體117的內部，亦可將加工光學系統112配置在框體117的內部，將測量光學系統114的至少一部分配置在框體117的外部。而且，亦可將加工光學系統112的至少一部分配置在框體117的外部，將測量光學系統114的至少一部分配置在框體117的外部。
此種第三實施形態的加工系統SYSc能夠享有與所述第二實施形態的加工系統SYSb可享有的效果同樣的效果。進而，第三實施形態中，亦可不在加工頭11c的框體117的內部配置加工光學系統112及/或測量光學系統114的至少一部分。即，加工頭11c亦可不包括加工光學系統112及/或測量光學系統114的至少一部分。因此，能實現加工頭11c的進一步的小型化及/或輕量化。
再者，如表示第三實施形態的加工頭11c的結構的另一例的剖面圖即圖15所示，加工頭11c亦可包括空間濾波器1181c。空間濾波器1181c例如可為形成有開口1182c的遮光板。空間濾波器1181c配置成：來自光傳送構件1131c的測量光ML#2-2經由開口1182c入射至聚光透鏡1153c，且來自聚光透鏡1153c的測量光ML#2-3經由開口1182c入射至光傳送構件1131c。空間濾波器1181c的開口1182c的尺寸（例如直徑）可較構成光傳送構件1131c的光纖的芯的尺寸（例如直徑）更小。空間濾波器1181c中，合成光學系統115側的面可具有刃狀的形狀，亦可具有任意的形狀。再者，空間濾波器1181c中，光傳送構件1131c側的面亦可具有刃狀的形狀。空間濾波器1181c亦可配置在光傳送構件1131c的端面（具體而言為合成光學系統115側的端面）。該情況下，由於聚光透鏡1153c的前側焦點位於光傳送構件1131c的端面，故空間濾波器1181c亦可配置在聚光透鏡1153c的前側焦點位置。該情況下，聚光透鏡1153c的後側焦點位置可與fθ透鏡1162的前側焦點位置一致。空間濾波器1181c可配置在與工件W的表面光學共軛的位置。當以該方式配置空間濾波器1181c時，能減少在fθ透鏡1162、分束器1151及聚光透鏡1153c中至少一個的光學面產生之後朝向測量光學系統114的雜散光（雜訊光）。再者，於在光傳送構件1131c的端面與工件W之間存在與工件W的表面光學共軛的位置（即中間成像點）的情況下，空間濾波器1181c亦可配置在光傳送構件1131c的端面與工件W之間的與工件W的表面光學共軛的位置。空間濾波器1181c亦可配置在對工件W進行光學傅立葉轉換的位置（典型的是fθ透鏡1162的入射光瞳位置及/或射出光瞳位置）。但是，空間濾波器1181c亦可配置在不同於與工件W的表面光學共軛的位置及光瞳位置的位置。或者，亦可將構成光傳送構件1131c的光纖的芯本身用作空間濾波器1181c。即，構成光傳送構件1131c的光纖的芯本身亦可作為空間濾波器1181c來發揮功能。
如表示第三實施形態的加工頭11c的結構的又一例的剖面圖即圖16所示，在加工光EL的波長與測量光ML的波長不同的情況下，加工頭11c亦可包括二向色濾波器1183c。二向色濾波器1183c是反射加工光EL的波長的光，且透過測量光ML的波長的光的濾波器。二向色濾波器1183c可為透過型濾波器，亦可為反射型濾波器。二向色濾波器1183c亦可配置在光傳送構件1131c的端面（具體而言為合成光學系統115側的端面）與分束器1151之間的測量光ML#2-2的光路上。二向色濾波器1183c亦可配置於在光傳送構件1131c的端面與分束器1151之間測量光ML#2-2成為平行光束的位置（具體而言為聚光透鏡1153c與分束器1151的偏光分離面之間的測量光ML#2-2的光路上）。該情況下，亦能減少在fθ透鏡1162及分束器1151的至少一者的光學面產生之後朝向測量光學系統114的雜散光（雜訊光）。
或者，如上所述，合成光學系統115亦可包括二向色鏡來替代分束器1151。於在合成光學系統115包括二向色鏡的狀況下加工光EL的偏光方向相對於二向色鏡的二向色性面成為p偏光且測量光ML#2-2的偏光方向相對於二向色鏡的二向色性面成為s偏光的情況下，加工頭11c亦可取代二向色濾波器1183c而包括偏光濾波器。偏光濾波器是遮蔽或反射加工光EL的偏光方向的光，且透過測量光ML#2-2的偏光方向的光的濾波器。偏光濾波器可為透過型濾波器，亦可為反射型濾波器。偏光濾波器可被配置在與配置二向色濾波器1183c的位置相同的位置。該情況下，亦能減少在fθ透鏡1162及分束器1151的至少一者的光學面產生之後朝向測量光學系統114的雜散光（雜訊光）。
或者，加工頭11c亦可取代二向色濾波器1183c及偏光濾波器而包括光隔離器（optical isolator）。光隔離器可為偏光相關型光隔離器，亦可為偏光無關型光隔離器。光隔離器可被配置在與配置二向色濾波器1183c的位置相同的位置或其附近的位置。該情況下，亦能減少在fθ透鏡1162及分束器1151的至少一者的光學面產生之後朝向測量光學系統114的雜散光（雜訊光）。
如表示第三實施形態的加工頭11c的結構的又一例的剖面圖即圖17所示，加工頭11c亦可包括波長板1184c。波長板1184c能繞其光軸或者繞與其光軸平行的軸旋轉。波長板1184c亦可配置在聚光透鏡1153c與分束器1151的偏光分離面之間的測量光ML#2-2的光路上。加工頭11c可包括單個波長板1184c，亦可包括多個波長板1184c。在加工頭11c包括多個波長板1184c的情況下，多個波長板1184c可包括至少一個1/2波長板1184c及至少一個1/4波長板1184c。該情況下，可藉由1/4波長板1184c的繞軸旋轉來調整作為測量光ML#2-2的偏光狀態之一的橢圓度。亦可藉由1/2波長板1184c的繞軸旋轉來調整作為測量光ML#2-2的偏光狀態之一的偏光方向。
如表示第三實施形態的加工頭11c的結構的又一例的剖面圖即圖18所示，光傳送構件1131c亦可包括分別能傳播測量光ML#2-2及/或測量光ML#2-3的至少一部分的多個芯。多個芯排列於橫切測量光ML#2-2及/或測量光ML#2-3的行進方向的面。為了包括多個芯，光傳送構件1131c可包含多個使光纖成束的光纖束。此處，多個使光纖成束的光纖束亦可為將多根光纖以在其兩端保持相同的位置關係的方式成束的束光纖（bundle fiber）（所謂的影像光纖）。為了包括多個芯，光傳送構件1131c可包括多個芯與包層一體化而得的影像光纖（即，具有多個芯及該多個芯之間的包層的影像光纖）。影像光纖亦可為入射端的芯的排列與射出端的芯的排列相同（入射端的芯與射出端的芯之間的位置關係相同），且能將入射端的光量分佈傳送至射出端的光傳送構件。在光傳送構件1131c包括多個芯的情況下，檢測器1146可為多個光電轉換元件11461沿著至少一個方向排列的檢測器。例如，如圖18所示，檢測器1146可為在一個方向排列多個光電轉換元件11461（即，多個光電轉換元件11461一維地排列）的檢測器。檢測器1146亦可為在兩個方向排列多個光電轉換元件11461（即，多個光電轉換元件11461二維地排列）的檢測器。進而，加工頭11c可包括光學系統1184c，該光學系統1184c用於將光傳送構件1131c的端面（具體而言為檢測器1146側的端面）與檢測器1146的檢測面（即，多個光電轉換元件11461排列的面）設為光學共軛的面。圖18所示的示例中，光學系統1184c配置在光傳送構件1131c與分束器1144之間，但光學系統1184c的配置位置並不限定於該示例。在加工頭11c具有此種圖18所示的結構的情況下，能進行工件W的表面的面測量，其結果，與工件W的測量相關的生產率提高。
再者，包括圖18所示的加工頭11c的加工系統SYSc亦可稱之為包括使用測量光ML來測量工件W的測量裝置（換言之，測定裝置）。具體而言，加工頭11c亦可稱之為包括如下測量裝置（換言之，測定裝置），其包括：測量光源112、測量光學系統114（尤其是鏡1145及檢測器1146）、光傳送構件1131c、共用光學系統116（尤其是fθ透鏡1162）以及控制裝置5。
在圖14至圖18所示的加工頭11c中，位於測量光ML#2-2及/或測量光ML#2-3的光路上的光學構件的折射面亦可配置成相對於與光軸正交的面傾斜。例如，在測量光ML#2-2及/或測量光ML#2-3的光路中，偏光分束器1151的折射面可配置成，相對於與包含偏光分束器1151的光學系統（該情況下為合成光學系統115c）的光軸正交的面傾斜。偏光分束器1151的折射面例如可包含偏光分束器1151的光學面中測量光ML#2-2入射且測量光ML#2-3射出的光學面（圖14中的+X側的光學面）、及偏光分束器1151的光學面中測量光ML#2-2射出且測量光ML#2-3入射的光學面（圖14中的-Z側的光學面）中的至少一個。而且，在圖16所示的加工頭11c中，在測量光ML#2-2及/或測量光ML#2-3的光路中，二向色鏡1183c（或者，偏光濾波器或光隔離器，以下在該段落中相同）的折射面可配置成，相對於與包含二向色鏡1183c的光學系統（例如合成光學系統115c）的光軸正交的面傾斜。二向色鏡1183c的折射面例如包含二向色鏡1183c的光學面中測量光ML#2-2入射且測量光ML#2-3射出的光學面（圖16中的+X側的光學面）、及二向色鏡1183c的光學面中測量光ML#2-2射出且測量光ML#2-3入射的光學面（圖16中的-X側的光學面）中的至少一個。該情況下，亦能減少在fθ透鏡1162及分束器1151的至少一者的光學面產生之後朝向測量光學系統114的雜散光（雜訊光）。再者，雖然為了避免說明的重覆而未圖示，但在圖14至圖18所示的加工頭11c中，位於加工光EL的光路上的光學構件的折射面亦可配置成相對於與光軸正交的面傾斜。
在圖14至圖18所示的加工頭11c中，構成fθ透鏡1162的多個透鏡中的至少一個可配置成，該至少一個透鏡的光軸相對於fθ透鏡1162的光軸傾斜。構成fθ透鏡1162的多個透鏡中的至少一個可配置成，該至少一個透鏡的光軸偏離fθ透鏡1162的光軸（即，偏心）。該情況下，亦能減少在fθ透鏡1162的光學面產生之後朝向測量光學系統114的雜散光（雜訊光）。
在圖14至圖18所示的加工頭11c中，共用光學系統116可包含關於測量光ML的波長及加工光EL的波長而進行了色像差修正的消色差透鏡作為fθ透鏡1162。在圖14至圖18所示的加工頭11c中，聚光透鏡1152c的焦點距離與聚光透鏡1153c的焦點距離可不同。作為一例，在測量光ML的波長較加工光EL的波長更短的情況下，聚光透鏡1153c的焦點距離可較聚光透鏡1152c的焦點距離更長。但是，聚光透鏡1152c的焦點距離與聚光透鏡1153c的焦點距離亦可相同。在圖14至圖18所示的加工頭11c中，關於測量光ML的波長，可構成為，藉由包含fθ透鏡1162及聚光透鏡1153c的光學系統，工件W的表面與光傳送構件1131c的端面（具體而言為合成光學系統115側的端面）成為光學共軛的位置關係。在圖14至圖18所示的加工頭11c中，關於加工光EL的波長，可構成為，藉由包含fθ透鏡1162及聚光透鏡1152c的光學系統，工件W的表面與光傳送構件1111c的端面（具體而言為合成光學系統115側的端面）成為光學共軛的位置關係。在圖14至圖18所示的加工頭11c中，聚光透鏡1152c及聚光透鏡1153c中的至少一者可為變焦光學系統。在聚光透鏡1152c為變焦光學系統的情況下，藉由聚光透鏡1152c，能與測量光ML的聚焦位置獨立地調整加工光EL的聚焦位置。在聚光透鏡1153c為變焦光學系統的情況下，藉由聚光透鏡1153c，能與加工光EL的聚焦位置獨立地調整測量光ML的聚焦位置。
（ 4 ）第四實施形態的加工系統 SYSd
繼而，對第四實施形態的加工系統SYS（以下，將第四實施形態的加工系統SYS稱作「加工系統SYSd」）進行說明。與所述第一實施形態的加工系統SYSa相比，第四實施形態的加工系統SYSd的不同之處在於，取代加工裝置1而包括加工裝置1d。加工系統SYSd的其他特徵亦可與加工系統SYSa的其他特徵相同。與加工裝置1相比，加工裝置1d的不同之處在於，取代加工頭11而包括加工頭11d。加工裝置1d的其他特徵亦可與加工裝置1的其他特徵相同。因而，以下，一邊參照圖19，一邊對第四實施形態的加工頭11d進行說明。圖19是表示第四實施形態的加工頭11d的結構的一例的剖面圖。
如圖19所示，與加工頭11相比，加工頭11d的不同之處在於，取代測量光學系統114而包括測量光學系統114d。加工頭11d的其他特徵亦可與加工頭11的其他特徵相同。
與測量光學系統114相比，測量光學系統114d的不同之處在於射出多個測量光ML。為了射出多個測量光ML，與測量光學系統114相比，測量光學系統114d的不同之處在於，取代鏡1147而包括分束器1147d及X掃描鏡1148dX。測量光學系統114d的其他特徵亦可與測量光學系統114的其他特徵相同。
第四實施形態中，自分束器1144射出的測量光ML#2-2入射至分束器1147d。分束器1147d將作為入射至分束器1147d的測量光ML#2-2中的一部分的測量光ML#2-21朝向合成光學系統115射出。測量光ML#2-21經由合成光學系統115及共用光學系統116照射至工件W。因此，第四實施形態的測量光ML#2-21經由與第一實施形態的測量光#2-2同樣的光路照射至工件W。
起因於測量光ML#2-21的照射而自工件W射出的光的至少一部分（例如，所述反射光、散射光、繞射光及/或透過光的至少一部分，以下，將該光稱作「測量光ML#2-31」）入射至共用光學系統116。入射至共用光學系統116的測量光ML#2-31經由fθ透鏡1162及檢流計鏡1161入射至合成光學系統115。合成光學系統115的分束器1151將入射至分束器1151的測量光ML#2-31朝向測量光學系統114射出。自合成光學系統115入射至測量光學系統114的測量光ML#2-31，經由分束器1147d、分束器1144及分束器1142入射至檢測器1146。因此，第四實施形態的測量光ML#2-31經由與第一實施形態的測量光#2-3同樣的光路入射至檢測器1146。因此，檢測器1146檢測測量光ML#1-3與測量光ML#2-31的干涉光。
另一方面，分束器1147d將作為入射至分束器1147d的測量光ML#2-2中的另一部分的測量光ML#2-22朝向X掃描鏡1148dX射出。X掃描鏡1148dX藉由將測量光ML#2-22偏轉，來變更測量光ML#2-22在工件W上的照射位置。具體而言，X掃描鏡1148dX以變更測量光ML#2-22在工件W上的沿著X軸方向的照射位置的方式擺動或旋轉（即，變更X掃描鏡1148dX相對於測量光ML#2-22的光路的角度），藉此將測量光ML#2-22偏轉。
自X掃描鏡1148dX射出的測量光ML#2-22入射至共用光學系統116的Y掃描鏡1161Y。Y掃描鏡1161Y以變更測量光ML#2-22在工件W上的沿著Y軸方向的照射位置的方式擺動或旋轉（即，變更Y掃描鏡1161Y相對於測量光ML#2-22的光路的角度），藉此將測量光ML#2-22偏轉。自Y掃描鏡1161Y射出的測量光ML#2-22經由fθ透鏡1162照射至工件W。其結果，共用光學系統116朝向工件W射出多個測量光ML（圖19所示的示例中為兩束測量光ML#2-21及測量光ML#2-2）。此處，亦可將Y掃描鏡1161Y稱作第一照射位置變更光學系統，將X掃描鏡1148dX稱作配置在合成光學系統115與測量光源113之間的第二照射位置變更光學系統。
共用光學系統116亦可朝向工件W上的不同位置分別射出多個測量光ML。即，共用光學系統116可以測量光ML#2-21在工件W上的照射位置與測量光ML#2-22在工件W上的照射位置不同的方式，來射出多個測量光ML。共用光學系統116亦可以被照射測量光ML#2-21的被照射區域MA#1的位置與被照射測量光ML#2-22的被照射區域MA#2的位置不同的方式，來射出多個測量光ML。典型而言，能與測量光ML#2-22的照射位置獨立地變更測量光ML#2-21的照射位置的X掃描鏡1161X、及能與測量光ML#2-21的照射位置獨立地變更測量光ML#2-22的照射位置的X掃描鏡1148dX，亦可以共用光學系統116朝向工件W上的不同位置分別射出測量光ML#2-21及測量光ML#2-22的方式，將測量光ML#2-21及測量光ML#2-22分別偏轉。
起因於測量光ML#2-22的照射而自工件W射出的光的至少一部分（例如，所述反射光、散射光、繞射光及/或透過光的至少一部分，以下，將該光稱作「測量光ML#2-32」）入射至共用光學系統116。入射至共用光學系統116的測量光ML#2-32經由fθ透鏡1162及Y掃描鏡1161Y入射至X掃描鏡1148dX。入射至X掃描鏡1148dX的測量光ML#2-32，經由X掃描鏡1148dX、分束器1147d、分束器1144及分束器1142入射至檢測器1146。因此，檢測器1146檢測測量光ML#1-3與測量光ML#2-32的干涉光。
再者，測量光ML#2-22亦可不入射至共用光學系統116的Y掃描鏡1161Y。該情況下，亦可包括配置在Y掃描鏡1161Y附近的測量光ML#2-22的光路、且以變更測量光ML#2-22在工件W上的沿著Y軸方向的照射位置的方式擺動或旋轉的另一Y掃描鏡（未圖示）。該另一Y掃描鏡亦可變更另一Y掃描鏡相對於測量光ML#2-22的光路的角度。此時，測量光ML#2-21亦可不存在。即，第四實施形態中，共用光學系統116並非必需。
控制裝置5基於檢測器1143的檢測結果及檢測器1146的檢測結果來計算工件W的狀態。此處，如上所述，第四實施形態中，檢測器1146檢測多個干涉光。控制裝置5可將多個干涉光的檢測結果分別用於不同的用途。例如，控制裝置5可將第一干涉光（例如，測量光ML#1-3與測量光ML#2-31的干涉光）的檢測結果用於第一用途。即，控制裝置5可基於第一干涉光的檢測結果，來計算在第一用途中使用的工件W的狀態。該情況下，測量光ML#2-21相當於在第一用途中使用的測量光ML。進而，例如，控制裝置5亦可將第二干涉光（例如，測量光ML#1-3與測量光ML#2-32的干涉光）的檢測結果的檢測結果用於第二用途。即，控制裝置5可基於第二干涉光的檢測結果，來計算在與第一用途不同的第二用途中使用的工件W的狀態。
作為第一用途的一例，可列舉確定工件W的形狀的用途。作為第二用途的一例，可列舉確定工件W的位置（尤其是工件W相對於加工頭11的相對位置）的用途。與工件W的位置相關的資訊主要用於控制加工頭11相對於工件W的位置、加工光EL在工件W上的照射位置及/或測量光ML在工件W上的照射位置。因此，作為第二用途的一例，可列舉基於工件W的位置（尤其是工件W相對於加工頭11的相對位置），來控制加工頭11相對於工件W的位置、加工光EL在工件W上的照射位置及/或測量光ML在工件W上的照射位置的用途。該情況下，控制裝置5可基於第一干涉光（例如，測量光ML#1-3與測量光ML#2-31的干涉光）的檢測結果，來確定工件W的形狀。進而，控制裝置5亦可基於第二干涉光（例如，測量光ML#1-3與測量光ML#2-32的干涉光）的檢測結果，以加工光EL及/或測量光ML照射至確定了形狀的工件W的期望位置的方式，來控制加工頭11相對於工件W的位置、加工光EL在工件W上的照射位置及/或測量光ML在工件W上的照射位置。
此種第四實施形態的加工系統SYSd能夠享有與所述第一實施形態的加工系統SYSa可享有的效果同樣的效果。進而，第四實施形態的加工系統SYSd能夠將用途不同的多個測量光ML照射至工件W。因此，加工系統SYSd能夠基於多個測量光ML的檢測結果（即，多個干涉光的檢測結果），來適當地加工工件W。
再者，測量光學系統114d亦可取代分束器1147d而包括能在測量光ML#2-2的光路上插拔的鏡。該鏡可在插入至（即，配置於）測量光ML#2-2的光路的狀態下，將測量光ML#2-2朝向合成光學系統115反射。另一方面，該鏡在脫離測量光ML#2-2的光路的狀態下，不影響測量光ML#2-2的光路。該情況下，可以來自分束器1144的測量光ML#2-2入射至X掃描鏡1148dX的方式配置X掃描鏡1148dX。
而且，以上所述的說明中，測量光學系統114d包括X掃描鏡1148dX。其原因在於，在檢流計鏡1161中Y掃描鏡1161Y被配置在較X掃描鏡1161X更靠近工件W的一側，且自X掃描鏡1148dX射出的測量光ML#2-22入射至檢流計鏡1161的Y掃描鏡1161Y。然而，於在檢流計鏡1161中X掃描鏡1161X被配置在較Y掃描鏡1161Y更靠近工件W的一側的情況下，除了X掃描鏡1148dX以外，或者取而代之，測量光學系統114d亦可包括Y掃描鏡。測量光學系統114d的Y掃描鏡以變更測量光ML#2-22在工件W上的沿著Y軸方向的照射位置的方式擺動或旋轉（即，變更Y掃描鏡相對於測量光ML#2-22的光路的角度），藉此將測量光ML#2-22偏轉。進而，自測量光學系統114d的Y掃描鏡射出的測量光ML#2-22亦可入射至檢流計鏡1161的X掃描鏡1161X。
此處，測量光ML#2-22通過X掃描鏡1148dX，且加工光EL不通過X掃描鏡1148dX。因此，亦可藉由使X掃描鏡1148dX擺動或旋轉，來使加工光EL的照射位置與測量光ML#2-22的照射位置之間的位置關係變更。亦可藉由使X掃描鏡1148dX擺動或旋轉，來使加工光EL的照射位置及測量光ML#2-22的照射位置變更，而不變更加工光EL的照射位置與測量光ML#2-22的照射位置之間的位置關係。而且，亦可將Y掃描鏡1161Y稱作變更加工光EL在工件W上的照射位置的第一照射位置變更光學系統，將X掃描鏡1148dX稱作變更測量光ML#2-22在工件W上的照射位置的第二照射位置變更光學系統。
而且，在第四實施形態中，亦可採用在所述第二實施形態至第三實施形態的至少一個中所說明的構成要件。第二實施形態中所說明的構成要件包含與加工光源111及測量光源113的至少一者在框體117外部的配置相關的構成要件。第三實施形態中所說明的構成要件包含與加工光學系統112及測量光學系統114的至少一者在框體117外部的配置相關的構成要件。
（ 5 ）第五實施形態的加工系統 SYSe
繼而，對第五實施形態的加工系統SYS（以下，將第五實施形態的加工系統SYS稱作「加工系統SYSe」）進行說明。與所述第一實施形態的加工系統SYSa相比，第五實施形態的加工系統SYSe的不同之處在於，取代加工裝置1而包括加工裝置1e。加工系統SYSe的其他特徵亦可與加工系統SYSa的其他特徵相同。與加工裝置1相比，加工裝置1e的不同之處在於，取代加工頭11而包括加工頭11e。加工裝置1e的其他特徵亦可與加工裝置1的其他特徵相同。因而，以下，一邊參照圖20，一邊對第五實施形態的加工頭11e進行說明。圖20是表示第五實施形態的加工頭11e的結構的一例的剖面圖。
如圖20所示，與加工頭11相比，加工頭11e的不同之處在於，取代測量光學系統114而包括測量光學系統114e。加工頭11e的其他特徵亦可與加工頭11的其他特徵相同。
與測量光學系統114相比，測量光學系統114e的不同之處在於包括檢流計鏡1148e。測量光學系統114e的其他特徵亦可與測量光學系統114的其他特徵相同。
第四實施形態中，自分束器1144射出的測量光ML#2-2（即，經由鏡1147射出的測量光ML#2-2）入射至檢流計鏡1148e。檢流計鏡1148e藉由將測量光ML#2-2偏轉（即，變更射出角度），來變更測量光ML#2-2在工件W上的照射位置。例如，檢流計鏡1148e包含X掃描鏡1148eX及Y掃描鏡1148eY。X掃描鏡1148eX及Y掃描鏡1148eY分別是相對於入射至檢流計鏡1148e的測量光ML#2-2的光路的角度受到變更的傾斜角可變鏡。X掃描鏡1148eX以變更測量光ML#2-2在工件W上的沿著X軸方向的照射位置的方式擺動或旋轉（即，變更X掃描鏡1148eX相對於測量光ML#2-2的光路的角度），藉此將測量光ML#2-2偏轉。Y掃描鏡1148eY以變更測量光ML#2-2在工件W上的沿著Y軸方向的照射位置的方式擺動或旋轉（即，變更Y掃描鏡1148eY相對於測量光ML#2-2的光路的角度），藉此將測量光ML#2-2偏轉。
檢流計鏡1148e將偏轉的測量光ML#2-2朝向合成光學系統115射出。測量光ML#2-2經由合成光學系統115及共用光學系統116照射至工件W。進而，作為起因於測量光ML#2-2的照射而自工件W射出的光的至少一部分的測量光ML#2-3，經由共用光學系統116及合成光學系統115入射至測量光學系統114e的檢流計鏡1148e。入射至檢流計鏡1148e的測量光ML#2-3，經由檢流計鏡1148e、鏡1147、分束器1144及分束器1142入射至檢測器1146。
再者，測量光學系統114e亦可取代檢流計鏡1148e/除此以外，包括位置調整光學系統（未圖示）。該位置調整光學系統亦可具有能相對於測量光ML2-2的行進方向傾斜的平行平面板，以將來自測量光學系統114e的測量光ML2-2在與測量光ML2-2的光路正交的面上的位置設為任意位置。
此種第五實施形態的加工系統SYSe能夠享有與所述第一實施形態的加工系統SYSa可享有的效果同樣的效果。進而，第五實施形態的加工系統SYSe包括不偏轉加工光EL而能偏轉測量光ML#2-2的檢流計鏡1148e。因此，加工系統SYSe能夠使測量光ML#2-2在工件W上的照射位置相對於加工光EL在工件W上的照射位置移動。加工系統SYSe能夠使被照射測量光ML#2-2的被照射區域MA相對於被照射加工光EL的被照射區域EA移動。如此，加工系統SYSe能夠獨立地變更加工光EL在工件W上的照射位置及測量光ML#2-2在工件W上的照射位置。加工系統SYSe能夠獨立地變更被照射區域EA的位置及被照射區域MA的位置。
再者，在第五實施形態中，亦可採用在所述第二實施形態至第四實施形態的至少一個中所說明的構成要件。第四實施形態中所說明的構成要件包含與多個測量光ML的射出相關的構成要件。
（ 6 ）第六實施形態的加工系統 SYSf
繼而，對第六實施形態的加工系統SYS（以下，將第六實施形態的加工系統SYS稱作「加工系統SYSf」）進行說明。與所述第一實施形態的加工系統SYSa相比，第六實施形態的加工系統SYSf的不同之處在於，取代加工裝置1而包括加工裝置1f。加工系統SYSf的其他特徵亦可與加工系統SYSa的其他特徵相同。與加工裝置1相比，加工裝置1f的不同之處在於，取代加工頭11而包括加工頭11f。加工裝置1f的其他特徵亦可與加工裝置1的其他特徵相同。與加工頭11相比，加工頭11f的不同之處在於，共用光學系統116相對於加工頭11f能拆裝。與加工頭11相比，加工頭11f的不同之處在於共用光學系統116能更換。加工頭11f的其他特徵亦可與加工頭11的其他特徵相同。
亦可在加工頭11f安裝有一光學系統候補118f，其選自分別能作為共用光學系統116利用的多個不同的光學系統候補118f中。例如，可在加工頭11f安裝有自多個不同的光學系統候補118f中，根據加工系統SYSf的加工內容而選擇的一光學系統118f。
例如，多個光學系統候補118f可包含加工光EL及/或測量光ML相對於光學系統候補118f的光軸（尤其是加工光EL及/或測量光ML的入射側的光軸）的射出方向不同的至少兩個光學系統候補118f。該情況下，可在加工頭11f安裝有多個光學系統候補118f中的一光學系統118f，其能朝向與加工系統SYSf的加工內容相適合的射出方向射出加工光EL及/或測量光ML。
例如，多個光學系統候補118f可包含自合成光學系統115射出加工光EL及/或測量光ML的位置至光學系統候補118射出加工光EL及/或測量光ML的位置為止的距離不同的至少兩個光學系統候補118f。該情況下，可在加工頭11f安裝有多個光學系統候補118f中的一光學系統118f，其中，自合成光學系統115射出加工光EL及/或測量光ML的位置至光學系統候補118射出加工光EL及/或測量光ML的位置為止的距離成為適合於加工系統SYSf的加工內容的距離。
例如，多個光學系統候補118f可包含自加工光學系統112射出加工光EL的位置至光學系統候補118射出加工光EL的位置為止的距離（即，自加工光學系統112至光學系統候補118射出加工光EL的位置為止的距離）不同的至少兩個光學系統候補118f。該情況下，可在加工頭11f安裝有多個光學系統候補118f中的一光學系統118f，其中，自加工光學系統112射出加工光EL的位置至光學系統候補118射出加工光EL的位置為止的距離成為適合於加工系統SYSf的加工內容的距離。
例如，多個光學系統候補118f可包含自測量光學系統114射出測量光ML的位置至光學系統候補118射出測量光ML的位置為止的距離（即，自測量光學系統114至光學系統候補118射出加工光EL的位置為止的距離）不同的至少兩個光學系統候補118f。該情況下，可在加工頭11f安裝有多個光學系統候補118f中的一光學系統118f，其中，自測量光學系統114射出測量光ML的位置至光學系統候補118射出測量光ML的位置為止的距離成為適合於加工系統SYSf的加工內容的距離。
例如，多個光學系統候補118f可包含自加工光EL及/或測量光ML入射至光學系統候補118f的位置至加工光EL及/或測量光ML自光學系統候補118f射出的位置為止的距離（即，自光學系統候補118f的入射面至光學系統候補118f的射出面為止的距離）不同的至少兩個光學系統候補118f。該情況下，可在加工頭11f安裝有自加工光EL及/或測量光ML入射至光學系統候補118f的位置至加工光EL及/或測量光ML自光學系統候補118f射出的位置為止的距離成為適合於加工系統SYSf的加工內容的距離的一光學系統118f。
以下，一邊參照圖21至圖23，一邊對光學系統候補118f的一例進行說明。
圖21是表示安裝有第一光學系統候補118f#1作為共用光學系統116的加工頭11f的剖面圖。如圖21所示，第一光學系統候補118f#1是包括檢流計鏡1161及fθ透鏡1162的光學系統。即，第一光學系統候補118f#1與參照圖3等進行說明的第一實施形態的共用光學系統116相同。第一光學系統候補118f#1可作為能沿著第一光學系統候補118f#1的入射側的光軸射出加工光EL及/或測量光ML的共用光學系統116發揮功能。由於第一光學系統候補118f#1的入射側的光軸與Z軸平行，故第一光學系統候補118f#1可作為能沿著Z軸方向射出加工光EL及/或測量光ML的共用光學系統116發揮功能。此種第一光學系統候補118f#1亦可被選擇為例如在加工系統SYSf對工件W的表面中與Z軸交叉的表面進行加工的情況下應安裝至加工頭11f的共用光學系統116。
圖22是表示安裝有第二光學系統候補118f#2作為共用光學系統116的加工頭11f的剖面圖。如圖22所示，第二光學系統候補118f#2包括：框體1161f#2、致動器1162f#2、聚光透鏡1163f#2及掃描鏡（scanning mirror）1164f#2。框體1161f#2是圓筒狀的框體，在其內部形成有沿著Z軸方向延伸的空間1165f#2。致動器1162f#2以使框體1161f#2繞Z軸旋轉的方式進行動作。在框體1161f#2的空間1165f#2配置有聚光透鏡1163f#2及掃描鏡1164f#2。自合成光學系統115射出的加工光EL及/或測量光ML自形成於框體1161f#2的上部的開口1166f#2入射至空間1165f#2。入射至空間1165f#2的加工光EL及/或測量光ML經由聚光透鏡1163f#2入射至掃描鏡1164f#2。掃描鏡1164f#2將沿著Z軸方向傳播的加工光EL及/或測量光ML朝向與Z軸交叉的方向反射。由於第二光學系統候補118f#2的入射側的光軸與Z軸平行，故第二光學系統候補118f#2可作為能沿著與第二光學系統候補118f#2的入射側的光軸交叉的方向射出加工光EL及/或測量光ML的共用光學系統116發揮功能。此時，掃描鏡1164f#2以使來自第二光學系統候補118f#2的加工光EL及/或測量光ML的射出方向沿著繞X軸或繞Y軸的方向變更的方式擺動或旋轉。自掃描鏡1164f#2射出的加工光EL及/或測量光ML經由形成於框體1161f#2的側面的開口1167f#2射出至第二光學系統候補118f#2的外部。此處，藉由致動器1162f#2引起的框體1161f#2繞Z軸的旋轉，來自第二光學系統候補118f#2的加工光EL及/或測量光ML的射出方向繞Z軸變更。此種第二光學系統候補118f#2可被選擇為例如在加工系統SYSf對工件W的表面中沿著Z軸的表面進行加工的情況下應安裝至加工頭11f的共用光學系統116。第二光學系統候補118f#2亦可被選擇為例如在加工系統SYSf以在工件W形成圓筒形的凹陷的方式對工件W進行加工的情況下應安裝至加工頭11f的共用光學系統116。第二光學系統候補118f#2亦可被選擇為例如在以形成包圍共用光學系統116的結構的方式對工件W進行加工的情況下應安裝至加工頭11f的共用光學系統116。
圖23是表示安裝有第三光學系統候補118f#3作為共用光學系統116的加工頭11f的剖面圖。如圖23所示，第三光學系統候補118f#3包括：框體1161f#3、聚光透鏡1162f#3及檢流計鏡1163f#3。框體1161f#3是圓筒狀的框體，在其內部形成有沿著Z軸方向延伸的空間1164f#3。在框體1161f#3的空間1164f#3配置有聚光透鏡1162f#3及檢流計鏡1163f#3。自合成光學系統115射出的加工光EL及/或測量光ML自形成於框體1161f#3的上部的開口1165f#3入射至空間1164f#3。入射至空間1164f#3的加工光EL及/或測量光ML經由聚光透鏡1162f#3入射至檢流計鏡1163f#3。檢流計鏡1163f#3將沿著Z軸方向傳播的加工光EL及/或測量光ML朝向與Z軸交叉的方向反射。由於第三光學系統候補118f#3的入射側的光軸與Z軸平行，故第三光學系統候補118f#3可作為能沿著與第三光學系統候補118f#3的入射側的光軸交叉的方向射出加工光EL及/或測量光ML的共用光學系統116發揮功能。此時，檢流計鏡1163f#3以使來自第二光學系統候補118f#2的加工光EL及/或測量光ML的射出方向沿著繞X軸及繞Y軸的方向分別變更的方式擺動或旋轉。具體而言，檢流計鏡1163f#3包含X掃描鏡1163fX#3及Y掃描鏡1163fY#3，所述X掃描鏡1163fX#3以使來自第二光學系統候補118f#2的加工光EL及/或測量光ML的射出方向沿著繞X軸的方向變更的方式擺動或旋轉；所述Y掃描鏡1163fY#3以使來自第二光學系統候補118f#2的加工光EL及/或測量光ML的射出方向沿著繞Y軸的方向變更的方式擺動或旋轉。自檢流計鏡1163f#3射出的加工光EL及/或測量光ML經由形成於框體1161f#3的側面的開口1166f#3射出至第三光學系統候補118f#3的外部。此種第三光學系統候補118f#3可被選擇為例如在加工系統SYSf對工件W的表面中沿著Z軸的表面進行加工的情況下應安裝至加工頭11f的共用光學系統116。第三光學系統候補118f#2亦可被選擇為例如在加工系統SYSf以在工件W形成沿著X軸方向或Y軸方向延伸的狹縫（即，狹縫狀的凹陷或槽）的方式對工件W進行加工的情況下應安裝至加工頭11f的共用光學系統116。
再者，第六實施形態中，設為共用光學系統116能更換，但亦可設為僅fθ透鏡1162能更換。例如，可在分束器1151與聚光透鏡1163f#2之間配置共用光學系統116的至少一部分，亦可在分束器1151與聚光透鏡1162f#3之間配置共用光學系統116的至少一部分。此時，共用光學系統116可包括掃描鏡，該掃描鏡在與由檢流計鏡1164f#2及檢流計鏡1163f#3形成的掃描方向不同的方向上具有掃描方向。此處，掃描方向亦可設為加工光及/或測量光在工件W上移動的方向。
此種第六實施形態的加工系統SYSf能夠享有與所述第一實施形態的加工系統SYSa可享有的效果同樣的效果。進而，第六實施形態的加工系統SYSf能夠使用適於加工系統SYSf的加工內容的共用光學系統116來加工工件W。因此，能夠以更多樣的加工內容加工工件W。
再者，以上所述的說明中，共用光學系統116的整體能更換。然而，亦可取代共用光學系統116的整體能更換，而為共用光學系統116的一部分能更換。即，可為構成共用光學系統116的多個光學構件中的一部分能更換。
而且，在第六實施形態中，亦可採用在所述第二實施形態至第五實施形態的至少一個中所說明的構成要件。第五實施形態中所說明的構成要件包含與測量光ML在工件W上的照射位置的獨立控制相關的構成要件。
（ 7 ）第七實施形態的加工系統 SYSg
繼而，一邊參照圖24，一邊對第七實施形態的加工系統SYS（以下，將第七實施形態的加工系統SYS稱作「加工系統SYSg」）進行說明。圖24是示意性地表示第七實施形態的加工系統SYSg的整體結構的剖面圖。
如圖24所示，與所述第一實施形態的加工系統SYSa相比，第七實施形態的加工系統SYSg的不同之處在於，更包括位置測量裝置6g。加工系統SYSg的其他特徵亦可與加工系統SYSa的其他特徵相同。
位置測量裝置6g對工件W與加工頭11之間的相對位置關係進行測量。第七實施形態中，位置測量裝置6g對工件W相對於加工頭11的位置進行測量。為了對工件W相對於加工頭11的位置進行測量，位置測量裝置6g亦可對工件W進行測量。再者，由於加工頭11具備各光學系統，因此對工件W與加工頭11之間的相對位置關係進行測量的動作實質上等效於對工件W與加工頭11所具備的各光學系統之間的相對位置關係進行測量的動作。即，對工件W相對於加工頭11的位置進行測量的動作實質上是對工件W相對於加工頭11所具備的各光學系統的位置進行測量。
位置測量裝置6g亦可被配置在相對於加工頭11（尤其是加工頭11所具備的各光學系統）而固定的位置。位置測量裝置6g亦可被配置在相對於加工頭11的相對位置被固定的位置。位置測量裝置6g亦可被配置在即便頭驅動系統12使加工頭11移動，加工頭11與位置測量裝置6g之間的相對位置亦不變的位置。例如，圖24表示了位置測量裝置6g被安裝於加工頭11的外表面（例如框體117的外表面）的示例。
於在相對於加工頭11而固定的位置配置位置測量裝置6g的情況下，來自位置測量裝置6g的輸出（即，位置測量裝置6g的測量結果）將會包含與工件W相對於加工頭11的位置相關的資訊。具體而言，位置測量裝置6g的測量結果包含與工件W相對於位置測量裝置6g的位置相關的資訊。即，位置測量裝置6g的測量結果包含與工件W在位置測量裝置6g的測量座標系上的位置相關的資訊。此處，於在相對於加工頭11而固定的位置配置有位置測量裝置6g的情況下，與工件W相對於位置測量裝置6g的位置相關的資訊實質上將會包含與工件W相對於被配置在相對於位置測量裝置6g而固定的位置的加工頭11的位置相關的資訊。因而，控制裝置5能夠適當地確定工件W相對於加工頭11的位置。
位置測量裝置6g只要能測量工件W，則亦可為任何種類的測量裝置。例如，位置測量裝置6g亦可包含能拍攝工件W等物體的表面的拍攝裝置（即，攝影機）。位置測量裝置6g亦可包含：照射裝置，將在工件W上描繪規定圖案的測量光照射至工件W；以及拍攝裝置，對由測量光描繪於工件W的圖案進行拍攝。如此，位置測量裝置6g亦可為以非接觸方式（作為一例，為光檢測方式、音波檢測方式及電波檢測方式等中的至少一種）來測量工件W的測量裝置。
位置測量裝置6g的測量結果（即，與工件W相對於加工頭11的位置相關的資訊）可用於控制加工系統SYSa。具體而言，位置測量裝置6g的測量結果可用於控制加工裝置1。位置測量裝置6g的測量結果亦可用於控制加工頭11。位置測量裝置6g的測量結果亦可用於控制頭驅動系統112。位置測量裝置6g的測量結果亦可用於控制載台裝置3。位置測量裝置6g的測量結果亦可用於控制載台驅動系統33。
例如，控制裝置5亦可基於位置測量裝置6g的測量結果，來變更工件W與加工頭11之間的相對位置關係，以使工件W與加工頭11之間的相對位置關係成為所期望的位置關係。即，控制裝置5亦可基於位置測量裝置6g的測量結果，來控制能變更工件W與加工頭11之間的相對位置關係的裝置，以使工件W與加工頭11之間的相對位置關係成為所期望的位置關係。作為能變更工件W與加工頭11之間的相對位置關係的裝置的一例，如以上所述。而且，關於「所期望的位置關係」，亦如以上所述。
例如，控制裝置5亦可基於位置測量裝置6g的測量結果，來變更工件W與加工頭11所具備的各光學系統之間的相對位置關係，以使工件W與加工頭11所具備的各光學系統（例如，加工光學系統112、測量光學系統114、合成光學系統115及共用光學系統116中的至少一個）之間的相對位置關係成為所期望的關係。即，控制裝置5亦可基於位置測量裝置6g的測量結果，來控制能變更工件W與加工頭11所具備的各光學系統之間的相對位置關係的裝置，以使工件W與加工頭11所具備的各光學系統之間的相對位置關係成為所期望的關係。作為能變更工件W與加工頭11所具備的各光學系統之間的相對位置關係的裝置的一例，如以上所述。
例如，控制裝置5亦可基於位置測量裝置6g的測量結果，來變更被照射區域EA相對於工件W的相對位置，以在工件W上的期望位置設定被照射區域EA（即，被照射加工光EL）。即，控制裝置5亦可基於位置測量裝置6g的測量結果，來控制能變更被照射區域EA相對於工件W的相對位置的裝置，以在工件W上的期望位置設定被照射區域EA。作為能變更被照射區域EA相對於工件W的相對位置的裝置的一例，如以上所述。
例如，控制裝置5亦可基於位置測量裝置6g的測量結果，來變更被照射區域MA相對於工件W的相對位置，以在工件W上的期望位置設定被照射區域MA（即，被照射測量光ML#2-2）。即，控制裝置5亦可基於位置測量裝置6g的測量結果，來控制能變更被照射區域MA相對於工件W的相對位置的裝置，以在工件W上的期望位置設定被照射區域MA。作為能變更被照射區域MA相對於工件W的相對位置的裝置的一例，如以上所述。
例如，控制裝置5亦可基於根據檢測器1143及檢測器1146的檢測結果計算出的工件W的狀態來進行第一動作，並基於位置測量裝置6g的測量結果來進行第二動作。例如，控制裝置5亦可基於根據檢測器1143及檢測器1146的檢測結果計算出的工件W的狀態，來控制頭驅動系統12的第一驅動系統121，並基於位置測量裝置6g的測量結果來控制頭驅動系統12的第二驅動系統122。更具體而言，控制裝置5亦可藉由基於根據檢測器1143及檢測器1146的檢測結果計算出的工件W的狀態來控制第一驅動系統121，從而使被照射區域EA及/或被照射區域MA相對於工件W而相對粗略地對位。然後，控制裝置5亦可藉由基於位置測量裝置6g的測量結果來控制第二驅動系統122，從而使被照射區域EA及/或被照射區域MA相對於工件W更高精度地對位。控制裝置5亦可藉由基於位置測量裝置6g的測量結果來控制第二驅動系統122，從而抵消第一驅動系統121的振動，以防止第一驅動系統121的振動經由第二驅動系統122傳遞至加工頭11。
再者，在第七實施形態中，位置測量裝置6g安裝在加工頭11的外表面，但亦可將位置測量裝置6g的一部分安裝在加工頭11的內部（框體117的內部），亦可將位置測量裝置6g整體安裝在加工頭11的內部（框體117的內部）。
此種第七實施形態的加工系統SYSg能夠享有與所述第一實施形態的加工系統SYSa可享有的效果同樣的效果。進而，除了使用檢測器1143及檢測器1146的檢測結果以外，第七實施形態的加工系統SYSg還能夠使用位置測量裝置6g的檢測結果來加工工件W。因此，加工系統SYSg能夠更適當地加工工件W。例如，加工系統SYSg能夠更高精度地加工工件W。
再者，在第七實施形態中，亦可採用在所述第二實施形態至第六實施形態的至少一個中所說明的構成要件。第六實施形態中所說明的構成要件包含與共用光學系統116的更換相關的構成要件。
（ 8 ）第八實施形態的加工系統 SYSh
繼而，對第八實施形態的加工系統SYS（以下，將第八實施形態的加工系統SYS稱作「加工系統SYSh」）進行說明。與所述第一實施形態的加工系統SYSa相比，第八實施形態的加工系統SYSh的不同之處在於，取代加工裝置1而包括加工裝置1h。加工系統SYSh的其他特徵亦可與加工系統SYSa的其他特徵相同。與加工裝置1相比，加工裝置1h的不同之處在於，取代加工頭11而包括加工頭11h。加工裝置1h的其他特徵亦可與加工裝置1的其他特徵相同。因而，以下，一邊參照圖25，一邊對第八實施形態的加工頭11h進行說明。圖25是表示第八實施形態的加工頭11h的結構的一例的剖面圖。
如圖25所示，與加工頭11相比，加工頭11h的不同之處在於，亦可不包括合成光學系統115。進而，與加工頭11相比，加工頭11h的不同之處在於，取代共用光學系統116而包括加工照射光學系統118h及測量照射光學系統119h。加工頭11h的其他特徵亦可與加工頭11的其他特徵相同。
在加工照射光學系統118h入射自加工光學系統112射出的加工光EL。加工照射光學系統118h將入射至加工照射光學系統118h的加工光EL照射至工件W。另一方面，在加工照射光學系統118h，不會入射自測量光學系統114射出的測量光ML#2-2。加工照射光學系統118h不會將自測量光學系統114射出的測量光ML#2-2照射至工件W。
為了將加工光EL照射至工件W，加工照射光學系統118h包括檢流計鏡1181h及fθ透鏡1182h。
在檢流計鏡1181h入射自加工光學系統112射出的加工光EL。檢流計鏡1181h藉由將加工光EL偏轉，來變更加工光EL在工件W上的照射位置。例如，檢流計鏡1181h包含X掃描鏡1181hX及Y掃描鏡1181hY。X掃描鏡1181hX及Y掃描鏡1181hY分別是相對於入射至檢流計鏡1181h的加工光EL的光路的角度受到變更的傾斜角可變鏡。X掃描鏡1181hX以變更加工光EL在工件W上的沿著X軸方向的照射位置的方式擺動或旋轉（即，變更X掃描鏡1181hX相對於加工光EL的光路的角度），藉此將加工光EL偏轉。Y掃描鏡1181hY以變更加工光EL在工件W上的沿著Y軸方向的照射位置的方式擺動或旋轉（即，變更Y掃描鏡1181hY相對於加工光EL的光路的角度），藉此將加工光EL偏轉。若考慮此種檢流計鏡1181h的特性，則與共用光學系統116的檢流計鏡1161相比，檢流計鏡1181h的不同之處在於，變更加工光EL在工件W上的照射位置，另一方面不變更測量光ML在工件W上的照射位置。與檢流計鏡1161相比，檢流計鏡1181h的不同之處在於，加工光EL通過，另一方面測量光ML不通過。檢流計鏡1181h的其他特徵亦可與檢流計鏡1161的其他特徵相同。
在fθ透鏡1182h入射來自檢流計鏡1181h的加工光EL。fθ透鏡1182h是用於將來自檢流計鏡1181h的加工光EL照射至工件W的光學系統。尤其，fθ透鏡1182h是用於將來自檢流計鏡1181h的加工光EL聚光在工件W上的光學系統。若考慮此種fθ透鏡1182h的特性，則與共用光學系統116的fθ透鏡1162相比，fθ透鏡1182h的不同之處在於，對工件W照射加工光EL，另一方面工件W上不變更測量光ML的照射位置。與fθ透鏡1162相比，fθ透鏡1182h的不同之處在於，加工光EL通過，另一方面測量光ML不通過。fθ透鏡1182h的其他特徵亦可與fθ透鏡1162的其他特徵相同。
在測量照射光學系統119h入射自測量光學系統114射出的測量光ML#2-2。測量照射光學系統119h將入射至測量照射光學系統119h的測量光ML#2-2照射至工件W。另一方面，在測量照射光學系統119h，不會入射自加工光學系統112射出的加工光EL。測量照射光學系統119h不會將自加工光學系統112射出的加工光EL照射至工件W。
為了將測量光ML#2-2照射至工件W，測量照射光學系統119h包括檢流計鏡1191h及fθ透鏡1192h。
在檢流計鏡1191h入射自測量光學系統114射出的測量光ML#2-2。檢流計鏡1191h藉由將測量光ML#2-2偏轉，來變更測量光ML#2-2在工件W上的照射位置。例如，檢流計鏡1191h包含X掃描鏡1191hX及Y掃描鏡1191hY。X掃描鏡1191hX及Y掃描鏡1191hY分別是相對於入射至檢流計鏡1191h的測量光ML#2-2的光路的角度受到變更的傾斜角可變鏡。X掃描鏡1191hX以變更測量光ML#2-2在工件W上的沿著X軸方向的照射位置的方式擺動或旋轉（即，變更X掃描鏡1191hX相對於測量光ML#2-2的光路的角度），藉此將測量光ML#2-2偏轉。Y掃描鏡1191hY以變更測量光ML#2-2在工件W上的沿著Y軸方向的照射位置的方式擺動或旋轉（即，變更Y掃描鏡1191hY相對於測量光ML#2-2的光路的角度），藉此將測量光ML#2-2偏轉。若考慮此種檢流計鏡1191h的特性，則與共用光學系統116的檢流計鏡1161相比，檢流計鏡1191h的不同之處在於，變更測量光ML#2-2在工件W上的照射位置，另一方面不變更加工光EL在工件W上的照射位置。與檢流計鏡1161相比，檢流計鏡1191h的不同之處在於，測量光ML通過，另一方面加工光EL不通過。檢流計鏡1191h的其他特徵亦可與檢流計鏡1161的其他特徵相同。
在fθ透鏡1192h入射來自檢流計鏡1191h的測量光ML#2-2。fθ透鏡1192h是用於將來自檢流計鏡1191h的測量光ML#2-2照射至工件W的光學系統。尤其，fθ透鏡1192h是用於將來自檢流計鏡1191h的測量光ML#2-2聚光在工件W上的光學系統。若考慮此種fθ透鏡1192h的特性，則與共用光學系統116的fθ透鏡1162相比，fθ透鏡1192h的不同之處在於，對工件W照射測量光ML#2-2，另一方面工件W上不變更測量光ML的照射位置。與fθ透鏡1162相比，fθ透鏡1192h的不同之處在於，測量光ML通過，另一方面加工光EL不通過。fθ透鏡1192h的其他特徵亦可與fθ透鏡1162的其他特徵相同。
第八實施形態中，將加工光EL照射至工件W的fθ透鏡1182h的光軸與將測量光ML照射至工件W的fθ透鏡1192h的光軸彼此大致平行。然而，fθ透鏡1182h的光軸與fθ透鏡1192h的光軸亦可不相互平行。例如，亦可使fθ透鏡1182h的光軸與fθ透鏡1192h的光軸在工件W的表面所處的面或其附近相互交叉，亦可以fθ透鏡1182的視野與fθ透鏡1192h的視野的至少一部分彼此重覆的方式設定fθ透鏡1182的光軸與fθ透鏡1192h的光軸。該些情況下，亦可說fθ透鏡1182h的光軸傾向fθ透鏡1192h側，亦可說fθ透鏡1192h的光軸傾向fθ透鏡1182h側。而且，fθ透鏡1182h的光軸與fθ透鏡1192h的光軸亦可設定為，當自與fθ透鏡1182h、fθ透鏡1192h排列的面交叉的方向觀察兩光軸時，兩光軸形成銳角。
如此，第八實施形態中，在加工頭11內，與加工光EL相關的光學系統（具體而言為加工光學系統112及加工照射光學系統118h）和與測量光ML相關的光學系統（具體而言為測量光學系統114及測量照射光學系統119h）在光學上分離。即，加工頭11h亦可不包括加工光EL及測量光ML的兩者通過的光學元件或光學構件。此種第八實施形態的加工系統SYSh亦與第一實施形態的加工系統SYSa同樣地，能夠使用加工光EL適當地加工工件W，且使用測量光ML適當地測量工件W。
再者，在第八實施形態中，亦可為以下結構，即，使來自檢流計鏡1181h的加工光EL與來自檢流計鏡1191h的測量光ML入射至一個fθ透鏡。
再者，在第八實施形態中，亦可採用在所述第二實施形態至第七實施形態的至少一個中所說明的構成要件。第七實施形態中所說明的構成要件包含與位置測量裝置6g相關的構成要件。而且，第八實施形態中，由於加工頭11h取代共用光學系統116而包括加工照射光學系統118h及測量光學系統119h，因此可在加工照射光學系統118h及測量光學系統119h的至少一者中採用共用光學系統116中能採用的構成要件。例如，加工照射光學系統118h及測量光學系統119h的至少一者亦可與第六實施形態的共用光學系統116同樣地能進行更換。
（ 9 ）第九實施形態的加工系統 SYSi
繼而，一邊參照圖26至圖27，一邊對第九實施形態的加工系統SYS（以下，將第九實施形態的加工系統SYS稱作「加工系統SYSi」）進行說明。圖26是示意性地表示第九實施形態的加工系統SYSi的整體結構的剖面圖。圖27是表示第九實施形態的加工系統SYSi的系統結構的系統結構圖。
如圖26及圖27所示，與所述第一實施形態的加工系統SYSa相比，第九實施形態的加工系統SYSi的不同之處在於，取代加工裝置1而包括加工裝置1i。進而，與所述第一實施形態的加工系統SYSa相比，第九實施形態的加工系統SYSi的不同之處在於，更包括測量裝置2i。加工系統SYSi的其他特徵亦可與加工系統SYSa的其他特徵相同。
與加工裝置1相比，加工裝置1i的不同之處在於，取代加工頭11而包括加工頭11i。加工裝置1i的其他特徵亦可與加工裝置1的其他特徵相同。加工頭11i對工件W射出加工光EL，另一方面不射出測量光ML，該點與對工件W分別射出加工光EL及測量光ML的所述加工頭11不同。此種加工頭11i的結構的一例示於圖28中。如圖27及圖28所示，加工頭11i包括：加工光源111、加工光學系統112、及加工照射光學系統118h。加工光源111、加工光學系統112及加工照射光學系統118h可收容於加工頭11i的框體117內。加工頭11i可稱之為選擇性地包括圖25所示的第八實施形態的加工頭11h所具備的多個光學構件中有助於加工光EL的射出的光學構件的光學構件。因此，省略加工頭11i的詳細說明。
測量裝置2i包括：對工件W射出測量光ML的測量頭21i、以及使測量頭21i移動的頭驅動系統22i。測量頭21i是指能對工件W射出測量光ML的任意的構件。因此，測量頭21i雖然包含頭這一語句，但不一定是指安裝在某個構件的前端的構件。因此，測量頭21i亦可被稱作測量構件。
測量頭21i對工件W射出測量光ML，另一方面不射出加工光EL，該點與對工件W分別射出加工光EL及測量光ML的所述加工頭11不同。此種測量頭21i的結構的一例示於圖29中。如圖27及圖29所示，測量頭21i包括：測量光源113、測量光學系統114、及測量照射光學系統119h。測量光源113、測量光學系統114及測量照射光學系統119h可收容於測量頭21i的框體217i內。測量頭21i可稱之為選擇性地包括圖25所示的第八實施形態的加工頭11h所具備的多個光學構件中有助於測量光ML的射出的光學構件的光學構件。因此，省略測量頭21i的詳細說明。
頭驅動系統22i可具有與所述頭驅動系統12相同的結構。即，頭驅動系統22i可包括第一驅動系統121及第二驅動系統122。頭驅動系統22i與測量頭21i可以和頭驅動系統12與加工頭11連接的連接態樣相同的連接態樣連接。因此，省略頭驅動系統22i的詳細說明。
第九實施形態中，當加工頭11i移動時，加工光EL在工件W上的照射位置改變，另一方面，測量光ML在工件W上的照射位置不變。因而，在第九實施形態中使加工頭11i移動等效於變更加工光EL在工件W上的照射位置（或者，被照射區域EA的位置）。另一方面，當測量頭21i移動時，測量光ML在工件W上的照射位置改變，另一方面，加工光EL在工件W上的照射位置不變。因而，在第九實施形態中使測量頭21i移動等效於變更測量光ML在工件W上的照射位置（或者，被照射區域MA的位置）。如此，第九實施形態中，加工系統SYSi能夠獨立地變更加工光EL在工件W上的照射位置及測量光ML#2-2在工件W上的照射位置。
第九實施形態中，載台32可以在加工裝置1i應當對工件W射出加工光EL的加工期間的至少一部分中，被照射加工光EL的被照射區域EA設定在工件W上的方式移動。載台32亦可以在加工期間的至少一部分中，工件W位於加工裝置1i能照射加工光EL的位置的方式移動。另一方面，載台32亦可以在測量裝置2i應當對工件W射出測量光ML的測量期間的至少一部分中，被照射測量光ML的被照射區域MA設定在工件W上的方式移動。載台32亦可以在測量期間的至少一部分中，工件W位於測量裝置2i能照射測量光ML的位置的方式移動。即，載台32可在加工裝置1i能照射加工光EL的位置與測量裝置2i能照射測量光ML的位置之間移動。
如此，第九實施形態中，與第八實施形態同樣地，與加工光EL相關的光學系統（具體而言為加工光學系統112及加工照射光學系統118h）和與測量光ML相關的光學系統（具體而言為測量光學系統114及測量照射光學系統119h）在光學上分離。進而，第九實施形態中，對工件W射出加工光EL的裝置（即，加工裝置1i）與對工件W射出測量光ML的裝置（即，測量裝置2i）為不同的裝置。此種第九實施形態的加工系統SYSi亦與第一實施形態的加工系統SYSa同樣地，能夠使用加工光EL適當地加工工件W，且使用測量光ML適當地測量工件W。
再者，在第九實施形態中，亦可採用在所述第二實施形態至第八實施形態的至少一個中所說明的構成要件。第八實施形態中所說明的構成要件包含與有關於加工光EL的光學系統和有關於測量光ML的光學系統的光學分離相關的構成要件。而且，第九實施形態中，由於加工系統SYSi取代共用光學系統116而包括加工照射光學系統118h及測量光學系統119h，因此可在加工照射光學系統118h及測量光學系統119h的至少一者中採用共用光學系統116中能採用的構成要件。例如，加工照射光學系統118h及測量光學系統119h的至少一者亦可與第六實施形態的共用光學系統116同樣地能更換。
（ 10 ）第十實施形態的加工系統 SYSj
繼而，一邊參照圖30，一邊對第十實施形態的加工系統SYS（以下，將第十實施形態的加工系統SYS稱作「加工系統SYSj」）進行說明。圖30是示意性地表示第十實施形態的加工系統SYSj的整體結構的剖面圖。
如圖30所示，與所述第九實施形態的加工系統SYSi相比，第十實施形態的加工系統SYSj的不同之處在於，測量裝置2i以測量光ML相對於工件W傾斜入射的方式對工件W射出測量光ML。加工系統SYSj的其他特徵亦可與加工系統SYSi的其他特徵相同。此種第十實施形態的加工系統SYSj亦能夠享有與第九實施形態的加工系統SYSi可享有的效果同樣的效果。進而，第十實施形態的加工系統SYSj能夠朝向工件W上的相同位置射出加工光EL及測量光ML。即，即便在加工裝置1i與測量裝置2i為不同的裝置的情況下，加工系統SYSj亦能夠以加工光EL的光路與測量光ML的光路至少部分地重覆的方式射出加工光EL及測量光ML。其結果，載台32可不必在加工裝置1i能照射加工光EL的位置與測量裝置2i能照射測量光ML的位置之間移動。
再者，在第十實施形態中，亦可採用在所述第二實施形態至第九實施形態的至少一個中所說明的構成要件。第九實施形態中所說明的構成要件包含對工件W射出加工光EL的裝置與對工件W射出測量光ML的裝置為不同的裝置的構成要件。
（ 11 ）第十一實施形態的加工系統 SYSk
繼而，一邊參照圖31，一邊對第十一實施形態的加工系統SYS（以下，將第十一實施形態的加工系統SYS稱作「加工系統SYSk」）進行說明。圖31是示意性地表示第十一實施形態的加工系統SYSk的整體結構的剖面圖。
如圖31所示，與所述第十實施形態的加工系統SYSj相比，第十一實施形態的加工系統SYSk的不同之處在於，取代測量裝置2i而包括多個測量裝置2。圖31所示的示例中，加工系統SYSk包括兩個測量y裝置2k（具體而言，測量裝置2k#1及測量裝置2k#2）。加工系統SYSk的其他特徵亦可與加工系統SYSj的其他特徵相同。
測量裝置2k#1是至少包括測量裝置2i所具備的光學構件中的一部分的裝置。測量裝置2k#2是至少包括測量裝置2i所具備的光學構件中的其餘的一部分（即，測量裝置2k#1所不具備的光學構件）的裝置。即，可以說第十一實施形態的加工系統SYSk與所述第十實施形態的加工系統SYSj的不同之處在於，測量裝置2i進一步分割為多個測量裝置2k。再者，測量裝置2k#1及測量裝置2k#2可包括相同的光學構件。即，測量裝置2k#1及測量裝置2k#2可包括具有相同功能或起相同作用的光學構件。
圖31所示的示例中，測量裝置2k#1至少包括測量光源113、與測量光學系統114中的一部分相當的測量光學系統114#1、以及測量照射光學系統119h。另一方面，測量裝置2k#2至少包括與測量光學系統114中的其餘的一部分相當（即，至少包含測量光學系統114所具備的多個光學構件中測量光學系統114#1所不具備的光學構件）的測量光學系統114#2。尤其，測量光學系統114#2至少包括檢測器1146。因此，圖31所示的示例中，自測量光學系統114#1對工件W射出測量光ML（具體而言為測量光ML#2-2），來自工件W的測量光ML（具體而言為測量光#2-3）入射至測量光學系統114#2。
此種第十一實施形態的加工系統SYSk能夠享有與第十實施形態的加工系統SYSj可享有的效果同樣的效果。
再者，在第十一實施形態中，亦可採用在所述第二實施形態至第十實施形態的至少一個中所說明的構成要件。第十實施形態中所說明的構成要件包含測量光ML相對於工件W傾斜入射的構成要件。
（ 12 ）第十二實施形態的加工系統 SYSl
繼而，一邊參照圖32，一邊對第十二實施形態的加工系統SYS（以下，將第十二實施形態的加工系統SYS稱作「加工系統SYSl」）進行說明。圖32是示意性地表示第十二實施形態的加工系統SYSl的整體結構的剖面圖。
如圖32所示，與所述第十實施形態的加工系統SYSj相比，第十二實施形態的加工系統SYSl的不同之處在於，在加工裝置1i安裝有測量裝置2i能測量的指標13l。例如，指標13l亦可安裝於加工裝置1i的框體117（例如框體117的外表面）。加工系統SYSl的其他特徵亦可與加工系統SYSj的其他特徵相同。
測量裝置2i除了對工件W射出測量光ML以外，亦對指標13l射出測量光ML（具體而言為測量光ML#2-2）。例如，測量裝置2i亦可藉由利用檢流計鏡1191h將測量光ML偏轉，而對指標13l射出測量光ML。例如，測量裝置2i亦可藉由利用頭驅動系統22i來使測量裝置2i在X軸方向、Y軸方向、Z軸方向、θX方向、θY方向及θZ方向中的至少一個方向上的位置變更，而對指標13l射出測量光ML。
測量裝置2i亦可在加工裝置1i開始工件W的加工之前（例如，在工件W載置於載台32的時序），對指標13l射出測量光ML。測量裝置2i亦可在加工裝置1i將加工光EL照射至工件W之前，對指標13l射出測量光ML。測量裝置2i亦可在加工裝置1i將加工光EL照射至工件W的期間的至少一部分，對指標13l射出測量光ML。測量裝置2i亦可在加工裝置1i將加工光EL照射至工件W之後，對指標13l射出測量光ML。測量裝置2i亦可在加工裝置1i完成工件W的加工之後，對指標13l射出測量光ML。
當測量光ML（具體而言為測量光ML#2-2）照射至指標13l時，自指標13l產生起因於測量光ML#2-2的照射的光（例如，所述反射光、散射光、繞射光及透過光中的至少一個）。因此，第十二實施形態中，在檢測器1146，入射包含起因於測量光ML#2-2的照射而自指標13l射出的光的至少一部分的測量光ML#2-3。因此，控制裝置5能夠基於檢測器1143及檢測器1146的檢測結果來計算指標13l的狀態（具體而言為指標13l相對於測量頭21i的位置）。進而，由於指標13l安裝於加工頭11i，故控制裝置5能夠基於計算出的指標13l的位置，來計算加工頭11i相對於測量頭21i的位置。即，控制裝置5能夠計算測量頭21i的基準點與加工頭11i的基準點之間的相對位置關係（典型的是測量頭21i的基準點與加工頭11i的基準點之間的距離）。再者，被照射測量光ML（ML#2-2）的指標13l可為標記，亦可為工具球（tooling ball）般的基準球。而且，測量光ML（ML#2-2）亦可不照射至指標13l。例如，測量光ML（ML#2-2）可照射至加工裝置1i、典型的是加工裝置1i的框體117的外表面的一部分。
控制裝置5亦可基於和計算出的測量頭21i的基準點與加工頭11i的基準點之間的相對位置關係相關的資訊（以下稱作「基線量」），來控制加工頭11i及/或測量頭21i的位置。控制裝置5亦可基於基線量來控制載台32的位置。控制裝置5亦可基於基線量來控制加工光EL的照射位置及/或測量光ML的照射位置。例如，控制裝置5可基於基線量，以加工光EL照射至工件W的期望位置的方式，來控制加工頭11i的位置、測量頭21i的位置、載台32的位置、加工光EL的照射位置及/或測量光ML的照射位置。例如，控制裝置5可基於基線量，以測量光ML照射至工件W的期望位置的方式，來控制加工頭11i的位置、測量頭21i的位置、載台32的位置、加工光EL的照射位置及/或測量光ML的照射位置。
此種第十二實施形態的加工系統SYSl能夠享有與第十實施形態的加工系統SYSj可享有的效果同樣的效果。進而，加工系統SYSl能夠基於基線量來加工工件W。因此，即便在加工裝置1i與測量裝置2i之間的位置關係偏離理想的位置關係（典型的是設計上的言位置關係）的情況下，加工系統SYSl亦能夠基於反映該位置關係的偏離的基線量來加工工件W。因此，加工系統SYSl能夠更適當地加工工件W。
再者，在第十二實施形態中，亦可採用在所述第二實施形態至第十一實施形態的至少一個中所說明的構成要件。第十一實施形態中所說明的構成要件包含與測量頭21i的分割相關的構成要件。
（ 13 ）其他變形例
以上所述的說明中，加工系統SYS在工件W的表面形成有溝槽結構。然而，加工系統SYS亦可在工件W的表面上，形成具有任意形狀的任意結構。該情況下，亦只要控制裝置5控制加工頭11等，以使加工光EL沿著與應形成的結構相應的掃描軌跡來掃描工件W的表面，則可形成具有任意形狀的任意結構。作為任意結構的一例，可列舉有規則或不規則地形成的微米/奈米級的微細紋理結構（典型的是凹凸結構）。此種微細紋理結構亦可包含具有降低流體（氣體及/或液體）所造成的阻力的功能的鯊魚皮結構及微坑（dimple）結構中的至少一者。微細的紋理結構亦可包含具有斥液功能及自清潔（self cleaning）功能的至少一者（例如具有蓮花效應（lotus effect））的蓮葉表面結構。微細的紋理結構亦可包含具有液體輸送功能的微細突起結構（參照美國專利公開第2017/0044002號公報）、具有親液性功能的凹凸結構、具有防污功能的凹凸結構、具有反射率降低功能及斥液功能的至少一者的蛾眼（moth-eye）結構、利用干涉來僅加強特定波長的光而呈現結構色的凹凸結構、具有利用凡得瓦力（Van der Waals' forces）的黏著功能的柱陣列（pillar array）結構、具有空氣動力噪音降低功能的凹凸結構、及具有液滴捕集功能的蜂窩（honeycomb）結構等中的至少一個。
以上所述的說明中，加工系統SYS在工件W形成用於降低工件W的表面對於流體的阻力的溝槽結構。然而，加工系統SYS亦可在工件W形成與用於降低表面對於流體的阻力的溝槽結構不同的其他結構。例如，加工系統SYS亦可在工件W形成用於降低流體與工件W的表面相對移動時所產生的噪音的溝槽結構。例如，加工系統SYS亦可在工件W形成相對於工件W表面上的流體的流動而產生渦流的結構。例如，加工系統SYS亦可在工件W形成用於對工件W的表面賦予疏水性的結構。
以上所述的說明中，對利用加工光EL來加工物體的加工系統SYS進行了說明。即，以上所述的說明中，對第二驅動系統122連接加工頭11與第一驅動系統121的示例進行了說明。然而，除了加工系統SYS中的加工頭11以外，或者取而代之，亦可使用對物體起作用的末端執行器。例如，如示出包括末端執行器的加工裝置1m的結構的一例的圖33所示，第二驅動系統122亦可連接末端執行器13m與第一驅動系統121。圖33所示的示例中，末端執行器13m被安裝於加工頭11，第二驅動系統122經由加工頭11來連接末端執行器13m與第一驅動系統121。但是，末端執行器13m亦可不經由加工頭11而安裝於第二驅動系統122。包括此種末端執行器的加工系統SYS亦可稱作機器人系統。再者，圖33表示了第一實施形態的加工裝置1包括末端執行器13m的示例，但亦可為第二實施形態的加工裝置1至第十二實施形態的加工裝置1i的至少一個包括末端執行器13m。
再者，末端執行器亦可為具備對作業對象（例如物體）直接起作用的功能的部分。而且，末端執行器亦可為可獲得作業對象（例如物體）的屬性（property）的部分。此處，物體（例如作業對象）的屬性亦可包含物體的形狀、物體的位置、物體的特徵點的位置、物體的姿勢、物體的表面性狀（例如反射率、分光反射率、表面粗糙度及顏色等中的至少一個）、及物體的硬度等中的至少一個。再者，以上所述的說明中的加工頭11、測量頭21i及位置測量裝置6g可視為末端執行器的一種。
以上所述的說明中，將加工光源與測量光源設為不同的光源，但亦可將該些設為一個光源。
以上所述的說明中，作為照射位置變更光學系統而使用檢流計鏡，但亦可使用多面鏡（polygonal mirror）或微機電系統（micro electro mechanical system，MEMS）鏡。
以上所述的說明中，作為將加工光EL及/或測量光ML照射至工件W的照射光學系統，使用了投影特性為fθ的fθ透鏡，但亦可使用具有其他投影特性的光學系統。而且，如以上所述的說明般，照射光學系統不限定於全折射型光學系統（折光（dioptric）光學系統），既可為反射折射型光學系統（折反射（catadioptric）光學系統），亦可為全反射型光學系統（反射（catoptric）光學系統）。
以上所述的說明中，設為能利用頭驅動系統12來移動加工頭11。此處，頭驅動系統12不限定於機器人，例如亦可為能在離開工件W的位置飛行的飛行體。作為飛行體的一例，可列舉飛機、無人機（drone）、直升機（helicopter）、氣球及飛船中的至少一者。
（ 9 ）附記
關於以上所說明的實施形態，進而揭示以下的附記。
[附記1] 一種加工構件，其是藉由將來自加工光源的加工光照射至物體來加工所述物體的加工構件，包括： 測量光學系統，射出包含脈波光的測量光；以及 照射光學系統，將來自所述測量光學系統的所述測量光照射至所述物體，且 所述加工光的光路與所述測量光的光路有至少一部分重疊。
[附記2] 如附記1所述的加工構件，其中 所述加工光的所述光路重疊於所述照射光學系統與所述物體之間的所述測量光的光路的至少一部分。
[附記3] 如附記1或附記2所述的加工構件，包括： 照射位置變更光學系統，變更所述測量光在所述物體上的照射位置。
[附記4] 如附記3所述的加工構件，其中 所述測量光的光路是藉由所述照射位置變更光學系統而所述測量光能通過的區域。
[附記5] 如附記3或附記4所述的加工構件，其中 所述照射光學系統將來自照射位置變更光學系統的所述測量光聚光。
[附記6] 如附記3至附記5中任一項所述的加工構件，其中 所述照射位置變更光學系統變更所述測量光的射出角度。
[附記7] 如附記6所述的加工構件，其中 當藉由所述照射位置變更光學系統而變更了所述測量光的射出角度時，所述物體上的所述照射位置受到變更。
[附記8] 如附記1至附記7中任一項所述的加工構件，其中 所述照射光學系統將所述測量光及所述加工光分別朝向所述物體射出。
[附記9] 如附記8所述的加工構件，包括： 照射位置變更光學系統，變更所述加工光在所述物體上的照射位置及所述測量光在所述物體上的照射位置。
[附記10] 如附記9所述的加工構件，其中 所述加工光的光路是藉由所述照射位置變更光學系統而所述加工光能通過的區域，且 所述測量光的光路是藉由所述照射位置變更光學系統而所述測量光能通過的區域。
[附記11] 如附記9或附記10所述的加工構件，其中 所述照射位置變更光學系統聯動地變更所述加工光在所述物體上的所述照射位置及所述測量光在所述物體上的所述照射位置。
[附記12] 如附記8至附記11中任一項所述的加工構件，其中 所述照射光學系統將來自照射位置變更光學系統的所述加工光及所述測量光聚光。
[附記13] 如附記8至附記12中任一項所述的加工構件，其中 所述照射位置變更光學系統變更所述加工光的射出角度及所述測量光的射出角度。
[附記14] 如附記8至附記13中任一項所述的加工構件，其中 所述照射位置變更光學系統包括相對於入射的所述加工光的光路及入射的所述測量光的光路的角度受到變更的傾斜角可變鏡。
[附記15] 如附記1至附記14中任一項所述的加工構件，其中 在所述照射光學系統內，所述加工光的路徑與所述測量光的路徑至少部分地重覆。
[附記16] 如附記1至附記15中任一項所述的加工構件，其中 在所述照射光學系統內，所述加工光的路徑與所述測量光的路徑沿著與所述照射光學系統的光軸交叉的方向至少部分地分開。
[附記17] 如附記1至附記16中任一項所述的加工構件，更包括： 加工光學系統，將自所述加工光源入射的所述加工光射出至所述照射光學系統。
[附記18] 如附記17所述的加工構件，包括： 合成光學系統，將來自所述加工光學系統的所述加工光與來自所述測量光學系統的所述測量光合成並射出至所述照射光學系統。
[附記19] 如附記18所述的加工構件，其中 所述合成光學系統將相對於所述合成光學系統自不同的方向分別入射的所述測量光及所述加工光，向相同的方向射出。
[附記20] 如附記17至附記19中任一項所述的加工構件，其中 所述加工光學系統與所述測量光學系統在光學上分離。
[附記21] 如附記1至附記20中任一項所述的加工構件， 包括供給所述測量光的測量光源，且 所述測量光學系統將來自所述測量光源的所述測量光朝向所述照射光學系統射出。
[附記22] 如附記21所述的加工構件，其中 所述測量光源設置於收容有所述測量光學系統的框體內。
[附記23] 如附記1至附記22中任一項所述的加工構件，其中 所述測量光學系統包括檢測器，所述檢測器檢測藉由照射至所述物體的所述測量光而產生的光。
[附記24] 如附記23所述的加工構件，其中 所述檢測器檢測藉由照射至所述物體的所述測量光而產生的所述光與自所述測量光的一部分所生成的參照光發生干涉的干涉光。
[附記25] 如附記24所述的加工構件，其中 所述參照光不經由所述物體。
[附記26] 如附記23至附記25中任一項所述的加工構件，其中 所述檢測器經由所述照射光學系統來檢測藉由照射至所述物體的所述測量光而產生的所述光。
[附記27] 如附記23至附記26中任一項所述的加工構件，其中 對於所述加工構件，基於所述檢測器的檢測結果來進行控制。
[附記28] 如附記23至附記27中任一項所述的加工構件，其中 基於所述檢測器的檢測結果來控制所述加工光在所述物體上的照射位置與所述物體之間的相對位置。
[附記29] 如附記23至附記28中任一項所述的加工構件，其中 基於所述檢測器的檢測結果來控制所述照射光學系統與所述物體之間的相對位置。
[附記30] 如附記23至附記29中任一項所述的加工構件， 更包括照射位置變更光學系統，變更所述加工光在所述物體的表面上的照射位置，且 對於所述照射位置變更光學系統，基於所述檢測器的檢測結果來進行控制。
[附記31] 如附記1至附記30中任一項所述的加工構件， 更包括所述加工光源。
[附記32] 如附記1至附記31中任一項所述的加工構件，更包括： 加工光照射光學系統，將來自所述加工光源的所述加工光朝向所述物體射出。
[附記33] 如附記32所述的加工構件，其中 來自所述加工光源的所述加工光不經由所述照射光學系統。
[附記34] 如附記1至附記33中任一項所述的加工構件，其中 所述加工光的波長與所述測量光的波長不同。
[附記35] 如附記1至附記34中任一項所述的加工構件，其中 所述加工光包含脈波光。
[附記36] 如附記1至附記35中任一項所述的加工構件，其中 所述測量光包含來自光梳光源的光作為所述脈波光。
[附記37] 如附記1至附記36中任一項所述的加工構件，其中 所述測量光包括在頻率軸上等間隔地排列的包含頻率成分的光作為所述脈波光。
[附記38] 如附記1至附記37中任一項所述的加工構件，其中 構成所述照射光學系統的光學構件中至少一部分的光學構件能更換。
[附記39] 如附記38所述的加工構件，其中 能更換的所述一部分的光學構件是所述測量光對所述加工構件的射出方向不同的多個測量候補光學系統中的一個測量候補光學系統。
[附記40] 如附記38或附記39所述的加工構件，其中 能更換的所述一部分的光學構件是所述測量光向所述照射光學系統的入射位置與來自所述照射光學系統的所述測量光的射出位置的、沿著所述測量光的光路的距離不同的多個測量候補光學系統中的一個測量候補光學系統。
[附記41] 如附記1至附記40中任一項所述的加工構件， 包括將自所述加工光源入射的所述加工光朝向所述物體射出的加工光照射光學系統，且 構成所述加工光照射光學系統的光學構件中至少一部分的光學構件能更換。
[附記42] 如附記41所述的加工構件，其中 能更換的所述一部分的光學構件是所述加工光對所述加工構件的射出方向不同的多個加工候補光學系統中的一個加工候補光學系統。
[附記43] 如附記41或附記42所述的加工構件，其中 能更換的所述一部分的光學構件是所述加工光向所述加工光照射光學系統的入射位置與來自所述加工光照射光學系統的所述加工光的射出位置的、沿著所述加工光的光路的距離不同的多個加工候補光學系統中的一個加工候補光學系統。
[附記44] 如附記1至附記43中任一項所述的加工構件，其中 所述照射光學系統將多個所述測量光朝向所述物體射出。
[附記45] 如附記44所述的加工構件，其中 所述照射光學系統將所述多個測量光分別朝向所述物體的不同位置射出。
[附記46] 如附記44或附記45所述的加工構件，其中 所述多個測量光中的第一測量光在第一用途中使用， 所述多個測量光中的與所述第一測量光不同的第二測量光在與所述第一用途不同的第二用途中使用。
[附記47] 如附記46所述的加工構件，其中 所述第一用途包括用於確定所述物體的形狀的用途， 所述第二用途包括用於確定所述物體與所述測量光學系統及朝向所述物體射出所述加工光的加工光學系統的至少一者之間的相對位置的用途。
[附記48] 如附記1至附記47中任一項所述的加工構件，更包括： 位置變更裝置，變更所述物體與收容有所述加工構件的框體之間的相對位置。
[附記49] 如附記48所述的加工構件，其中 所述位置變更裝置包括： 可動構件，與所述物體的一部分之間的相對位置關係能變更；以及 連接裝置，以所述可動構件與所述框體之間的相對位置關係能變更的方式，連接所述可動構件與所述框體，且 所述連接裝置包括：驅動構件，使所述可動構件與所述框體中的至少一者移動；以及彈性構件，將所述可動構件與所述框體予以結合。
[附記50] 如附記49所述的加工構件，其中 所述位置變更裝置基於由照射至所述物體的所述測量光產生的光的檢測結果，來變更所述框體與所述物體之間的相對位置。
[附記51] 如附記1至附記50中任一項所述的加工構件，包括： 位置測量裝置，測量所述照射光學系統及朝向所述物體射出所述加工光的加工光照射光學系統的至少一者與所述物體之間的相對位置。
[附記52] 如附記51所述的加工構件，其中 所述位置測量裝置包括拍攝裝置，拍攝所述物體的表面。
[附記53] 一種機器人系統，包括： 第一光學系統，朝向物體射出包含脈波光的測量光； 第二光學系統，藉由將加工光照射至所述物體來加工所述物體； 支持部，以所述第一光學系統的至少一部分能相對於所述物體移位的狀態來支持所述第一光學系統的至少一部分，且以所述第二光學系統的至少一部分能相對於所述物體移位的狀態來支持所述第二光學系統的至少一部分；以及 驅動部，經由所述支持部來驅動所述第一光學系統的至少一部分及所述第二光學系統的至少一部分。
[附記54] 一種測定裝置，包括： 光源，射出作為彼此相位同步且具有干涉性的參照光的光頻率梳、及作為測定光的光頻率梳； 照射光學系統，將自所述光源射出的測定光照射至物體； 參照面，入射自所述光源射出的參照光； 檢測部，檢測基於干涉光的干涉信號，所述干涉光是藉由照射至所述物體的所述測定光而自所述物體產生的光與自所述參照面返回的參照光的干涉光； 光纖，傳遞自所述光源朝向所述照射光學系統的所述測定光、及藉由照射至所述物體的所述測定光而自所述物體產生的所述光中至少一者的光；以及 訊號處理部，使用由所述檢測部檢測出的干涉訊號來求出與所述物體的位置相關的資訊，且 所述光纖包含影像光纖，所述影像光纖具有多個芯，所述多個芯排列於橫切所述至少一者的光的行進方向的面。
[附記55] 如附記54所述的測定裝置，其中 所述檢測部具有沿著至少一個方向排列的多個光電轉換元件。
[附記56] 如附記55所述的測定裝置，更包括： 使所述光纖的所述檢測器側的端面與所述多個光電轉換元件排列的面共軛的光學系統。
[附記57] 如附記54至附記56中任一項所述的測定裝置，其中 所述影像光纖具有排列於所述橫切面的多個纖維的束。
[附記58] 如附記54至附記57中任一項所述的測定裝置，其中 所述影像光纖具有多芯光纖，所述多芯光纖具有排列於所述橫切面的多個芯及所述多個芯之間的包層。
[附記59] 一種加工裝置，其是藉由將來自加工光源的加工光照射至物體來加工所述物體的加工裝置，包括： 合成光學系統，將來自所述加工光源的所述加工光的光路與包含脈波光的測量光的光路合成； 照射光學系統，將經由所述合成光學系統的所述加工光及所述測量光照射至所述物體；以及 照射位置變更光學系統，配置在所述合成光學系統與所述照射光學系統之間，變更所述加工光在所述物體上的照射位置及所述測量光在所述物體上的照射位置。
[附記60] 如附記59所述的加工裝置，其中 所述照射位置變更光學系統聯動地變更所述加工光在所述物體上的所述照射位置及所述測量光在所述物體上的所述照射位置。
[附記61] 如附記59或附記60所述的加工裝置，其中 所述照射位置變更光學系統配置在所述合成光學系統與所述照射光學系統之間。
[附記62] 如附記59至附記61中任一項所述的加工裝置，其中 所述照射位置變更光學系統變更所述加工光的射出角度及所述測量光的射出角度。
[附記63] 如附記62所述的加工裝置，其中 在所述照射光學系統入射所述加工光及所述測量光，且 藉由所述照射位置變更光學系統所引起的所述加工光的射出角度及所述測量光的射出角度的變更，所述加工光在所述物體上的所述照射位置及所述測量光在所述物體上的所述照射位置變更。
[附記64] 如附記59至附記63中任一項所述的加工裝置， 包括供給所述測量光的測量光源，且 在所述合成光學系統入射來自所述測量光源的所述測量光。
[附記65] 如附記59至附記64中任一項所述的加工裝置，其中 當將所述測量光設為第一測量光時，在所述照射光學系統入射藉由所述第一測量光向所述物體的照射而自所述物體產生的第二測量光的至少一部分。
[附記66] 如附記65所述的加工裝置，其中 入射至所述照射光學系統的所述第二測量光經由所述合成光學系統射出。
[附記67] 如附記65或附記66所述的加工裝置，其中 自所述合成光學系統射出的所述第二測量光，朝向檢測所述第二測量光的檢測器。
[附記68] 如附記67所述的加工裝置，其中 所述檢測器對自所述第一測量光的一部分所生成的參照光與所述第二測量光的至少一部分之間的干涉光進行檢測。
[附記69] 如附記59至附記68中任一項所述的加工裝置，其中 所述測量光包含來自光梳光源的光作為所述脈波光。
[附記70] 如附記59至附記69中任一項所述的加工裝置，其中 所述測量光包括在頻率軸上等間隔地排列的包含頻率成分的光作為所述脈波光。
[附記71] 如附記59至附記70中任一項所述的加工裝置，其中 所述加工光包含脈波光。
[附記72] 如附記71所述的加工裝置，其中 所述測量光的所述脈波光向所述物體的照射時期與所述加工光的所述脈波光向所述物體的照射時期不同。
[附記73] 如附記71或附記72所述的加工裝置，其中 所述測量光的所述脈波光向所述物體的照射時期與所述加工光的所述脈波光向所述物體的照射時期不重疊。
[附記74] 如附記71至附記73中任一項所述的加工裝置，其中 所述測量光包含多個脈波光， 所述加工光包含多個脈波光， 所述加工光的所述多個脈波光中至少一個脈波光向所述物體的照射時期，是所述測量光的所述多個脈波光中第一測量脈波光向所述物體的照射時期、和所述測量光的所述多個脈波光中在與所述第一測量脈波光不同的時期向所述物體照射的第二測量脈波光向所述物體的照射時期之間。
[附記75] 如附記59至附記74中任一項所述的加工裝置，其中 當將所述測量光設為第一測量光時，在所述照射光學系統入射藉由所述第一測量光而產生的第二測量光的至少一部分。
[附記76] 如附記75所述的加工裝置，其中 入射至所述照射光學系統的所述第二測量光經由所述合成光學系統射出。
[附記77] 如附記75或附記76所述的加工裝置，其中 自所述合成光學系統射出的所述第二測量光，朝向檢測所述第二測量光的檢測器。
[附記78] 如附記59至附記77中任一項所述的加工裝置，其中 當將所述測量光設為第一測量光時，藉由所述第一測量光向所述物體的照射而自所述物體產生的第二測量光的至少一部分經由所述照射光學系統入射至檢測器， 所述檢測器的檢測結果輸出至控制所述加工裝置的控制裝置。
[附記79] 如附記78所述的加工裝置，更包括： 加工光學系統，朝向所述物體射出所述加工光；以及位置變更裝置，變更所述加工光學系統與所述物體之間的相對位置，且 所述控制裝置基於所述檢測器的檢測結果，來控制所述位置變更裝置。
[附記80] 如附記78或附記79所述的加工裝置，其中 所述照射光學系統將所述測量光及所述加工光分別朝向所述物體射出， 所述加工裝置更包括變更所述照射光學系統與所述物體之間的相對位置的位置變更裝置，且 所述控制裝置基於所述檢測器的檢測結果，來控制所述位置變更裝置。
[附記81] 如附記78至附記80中任一項所述的加工裝置，其中 所述控制裝置基於所述檢測器的檢測結果，來控制所述照射位置變更光學系統。
[附記82] 如附記59至附記81中任一項所述的加工裝置，其中 所述加工光的波長與所述測量光的波長不同。
[附記83] 如附記82所述的加工裝置，其中 所述測量光的波長較所述加工光的波長更短。
[附記84] 如附記59至附記83所述的加工裝置，其中 自所述照射光學系統射出收斂狀態的所述加工光及所述測量光。
[附記85] 如附記84所述的加工裝置，其中 自所述照射光學系統朝向所述物體的所述測量光的孔徑角較自所述照射光學系統朝向所述物體的所述加工光的孔徑角更大。
[附記86] 如附記84或附記85所述的加工裝置，其中 入射至所述照射光學系統的所述測量光的光束的尺寸較入射至所述照射光學系統的所述加工光的光束的尺寸更大。
[附記87] 如附記59至附記86中任一項所述的加工裝置，其中 自所述合成光學系統至所述物體的所述加工光的光路與自所述合成光學系統至所述物體的所述測量光的光路至少部分地重覆。
[附記88] 如附記59至附記87中任一項所述的加工裝置，其中 自所述合成光學系統至所述物體的所述加工光的光路與自所述合成光學系統至所述物體的所述測量光的光路至少部分地分開。
[附記89] 如附記59至附記88中任一項所述的加工裝置，其中 所述合成光學系統將相對於所述合成光學系統自不同的方向分別入射的所述測量光及所述加工光，朝向相同的方向射出。
[附記90] 如附記59至附記89中任一項所述的加工裝置，其中 所述照射光學系統能更換。
[附記91] 如附記90所述的加工裝置，其中 能更換的所述照射光學系統是相對於所述照射光學系統的入射側的光軸而言所述測量光的射出方向不同的多個照射光學系統候補中的一個照射光學系統候補。
[附記92] 如附記90或附記91所述的加工裝置，其中 能更換的所述照射光學系統是自來自所述合成光學系統的所述測量光的射出位置至來自所述照射光學系統的所述測量光的射出位置的距離不同的多個照射光學系統候補中的一個照射光學系統候補。
[附記93] 如附記59至附記92中任一項所述的加工裝置，其中 所述照射光學系統將多個所述測量光朝向所述物體射出。
[附記94] 如附記93所述的加工裝置，其中 所述照射光學系統將所述多個測量光分別朝向所述物體的不同位置射出。
[附記95] 如附記93或附記94所述的加工裝置，其中 所述多個測量光中的第一測量光在第一用途中使用， 所述多個測量光中的與所述第一測量光不同的第二測量光在與所述第一用途不同的第二用途中使用。
[附記96] 如附記95所述的加工裝置，其中 所述第一用途包括用於確定所述物體的形狀的用途， 所述第二用途包括用於確定所述物體與所述照射光學系統之間的相對位置的用途。
[附記97] 如附記93至附記96中任一項所述的加工裝置，更包括： 控制裝置，基於所述多個測量光中的第一測量光的檢測結果，來確定所述物體的形狀，且基於所述多個測量光中的第二測量光的檢測結果，以所述加工光照射至確定了所述形狀的所述物體的期望位置的方式，來對變更所述物體與所述照射光學系統之間的相對位置的位置變更裝置進行控制。
[附記98] 如附記59至附記97中任一項所述的加工裝置，更包括： 位置變更裝置，變更所述物體與所述照射光學系統之間的相對位置。
[附記99] 如附記98所述的加工裝置，其中 所述位置變更裝置包括： 可動構件，與所述物體的一部分之間的相對位置關係能變更；以及 連接裝置，以所述可動構件與所述照射光學系統之間的相對位置關係能變更的方式，連接所述可動構件與所述照射光學系統，且 所述連接裝置包括：驅動構件，使所述可動構件與所述照射光學系統中的至少一者移動；以及彈性構件，將所述可動構件與所述照射光學系統予以結合。
[附記100] 如附記99所述的加工裝置，其中 所述位置變更裝置基於經由所述物體的所述測量光的檢測結果，來變更所述照射光學系統與所述物體之間的相對位置。
[附記101] 如附記99或附記100所述的加工裝置，包括： 位置測量裝置，測量所述照射光學系統與所述物體之間的相對位置，且 所述位置變更裝置基於所述位置測量裝置的測量結果，來變更所述照射光學系統與所述物體之間的相對位置。
[附記102] 如附記59至附記101中任一項所述的加工裝置，包括： 位置測量裝置，測量所述照射光學系統與所述物體之間的相對位置。
[附記103] 如附記101或附記102所述的加工裝置，其中 所述位置測量裝置包括拍攝裝置，拍攝所述物體的表面。
[附記104] 如附記59至附記103中任一項所述的加工裝置，包括： 分支構件，將來自測量光源的所述測量光分支而生成參照光；參照反射構件，將來自所述分支構件的所述參照光反射至所述分支構件；以及光接收構件，接收藉由來自所述照射光學系統的所述測量光而產生且通過所述照射光學系統及所述合成光學系統的光與所述參照光的干涉光。
[附記105] 如附記104所述的加工裝置，其中 藉由所述測量光向所述物體的照射而自所述物體產生的光是散射光，且 在所述光接收構件入射所述散射光與所述參照光的干涉光。
[附記106] 如附記59至附記105中任一項所述的加工裝置，其中 來自所述照射光學系統的所述測量光相對於所述物體的表面傾斜入射。
[附記107] 如附記59至附記106中任一項所述的加工裝置，其中 入射至所述物體上的第一位置的所述加工光的行進方向和入射至所述第一位置的所述測量光的行進方向相同或平行， 入射至所述物體上的與所述第一位置不同的第二位置的所述加工光的行進方向和入射至所述第二位置的所述測量光的行進方向相同或平行。
[附記108] 一種加工裝置，其是藉由將來自加工光源的加工光照射至物體來加工所述物體的加工裝置，包括： 合成光學系統，將來自所述加工光源的所述加工光的光路與來自測量光源的第一測量光的光路合成； 照射光學系統，將經由所述合成光學系統的所述加工光及所述第一測量光照射至所述物體； 位置變更裝置，變更所述照射光學系統相對於所述物體的位置； 拍攝裝置，其位置與所述照射光學系統一起變更，並對所述物體進行拍攝；以及 檢測裝置，經由所述照射光學系統及所述合成光學系統，來檢測藉由經由所述照射光學系統照射至所述物體的所述第一測量光而自所述物體產生的第二測量光。
[附記109] 如附記108所述的加工裝置，更包括： 控制裝置，基於所述拍攝裝置所得的拍攝結果，來控制所述位置變更裝置，變更所述照射光學系統的位置。
[附記110] 如附記109所述的加工裝置，其中 所述位置變更裝置包括：第一位置變更裝置，與所述物體的一部分之間的相對位置關係能變更；以及第二位置變更裝置，變更所述第一位置變更裝置與所述照射光學系統之間的相對位置關係。
[附記111] 如附記110所述的加工裝置，其中 所述第二位置變更裝置連接所述第一位置變更裝置與所述照射光學系統。
[附記112] 如附記111所述的加工裝置，其中 所述第二位置變更裝置包括：驅動構件，使所述第一位置變更裝置及所述照射照射光學系統中的至少一者移動；以及緩衝構件，將所述第一位置變更裝置與所述照射光學系統予以結合。
[附記113] 如附記110至附記112中任一項所述的加工裝置，其中 所述控制裝置控制所述第二位置變更裝置，變更所述照射光學系統的位置。
[附記114] 如附記110至附記113中任一項所述的加工裝置，其中 所述控制裝置控制所述第一位置變更裝置，變更所述照射光學系統的位置。
[附記115] 如附記114所述的加工裝置，其中所述控制裝置 基於所述拍攝裝置所得的拍攝結果，來控制所述第二位置變更裝置，且 基於所述檢測裝置所得的檢測結果，來控制所述第一位置變更裝置。
[附記116] 如附記108至附記115中任一項所述的加工裝置，更包括： 照射位置變更光學系統，入射經由所述合成光學系統的所述加工光及所述測量光，變更所述加工光在所述物體上的照射位置及所述測量光在所述物體上的照射位置。
[附記117] 如附記116所述的加工裝置，更包括： 控制裝置，基於所述拍攝裝置所得的拍攝結果，來控制所述照射位置變更光學系統，變更所述加工光在所述物體上的照射位置及所述測量光在所述物體上的照射位置。
[附記118] 一種加工裝置，其是藉由將來自加工光源的加工光照射至物體來加工所述物體的加工裝置，包括： 照射光學系統，將所述加工光照射至所述物體； 位置變更裝置，變更包含所述照射光學系統的至少一部分的加工頭與所述物體之間的相對位置；以及 位置測量裝置，將包含脈波光的第一測量光照射至所述加工頭，接收藉由所述第一測量光而自所述加工頭產生的第二測量光，並基於所述第二測量光的光接收結果來測量所述加工頭的位置。
[附記119] 如附記118所述的加工裝置，其中 所述位置測量裝置將包含脈波光的第三測量光照射至所述物體，接收藉由所述第三測量光而自所述物體產生的第四測量光，並基於所述第四測量光的光接收結果來測量所述物體的位置。
[附記120] 如附記119所述的加工裝置，其中 所述位置測量裝置包括：分束器，將來自測量光源的所述第一測量光及所述第三測量光分支；參照鏡，將經所述分束器分支的所述第一測量光及所述第三測量光作為第一參照光及第二參照光返回至所述分束器；以及檢測裝置，檢測經由所述分束器的所述第一參照光及所述第二參照光、與經由所述分束器的第二參照光及第四參照光的干涉光。
[附記121] 如附記118至附記120中任一項所述的加工裝置，其中 所述位置測量裝置將所述第一測量光照射至所述加工頭上的指標。
[附記122] 如附記118至附記121中任一項所述的加工裝置，其中 所述位置測量裝置在所述加工光照射至所述物體的期間的至少一部分中，將所述第一測量光照射至所述加工頭。
[附記123] 如附記118至附記122中任一項所述的加工裝置，其中 所述位置測量裝置在與所述加工光照射至所述物體的期間不同的期間，將所述第一測量光照射至所述加工頭。
[附記124] 一種加工裝置，其是藉由將來自加工光源的加工光照射至物體來加工所述物體的加工裝置，包括： 合成光學系統，將來自所述加工光源的所述加工光的光路與來自測量光源的測量光的光路合成； 照射光學系統，將經由所述合成光學系統的所述加工光及所述測量光照射至所述物體；以及 照射位置變更光學系統，配置在所述照射光學系統的入射側，變更所述加工光在所述物體上的照射位置及所述測量光在所述物體上的照射位置，且 所述照射位置變更光學系統變更所述加工光的所述照射位置與所述測量光的所述照射位置之間的位置關係。
[附記125] 如附記124所述的加工裝置，包括： 分支構件，將來自所述測量光源的所述測量光分支而生成參照光；參照反射構件，將來自所述分支構件的所述參照光反射至所述分支構件；以及光接收構件，接收藉由來自所述照射光學系統的所述測量光而產生且通過所述照射光學系統及所述合成光學系統的光與所述參照光的干涉光。
[附記126] 如附記124或附記125所述的加工裝置，其中 所述照射位置變更光學系統配置在所述合成光學系統與所述照射光學系統之間。
[附記127] 如附記124至附記126中任一項所述的加工裝置，其中 在所述照射光學系統入射藉由所述測量光向所述物體的照射而自所述物體產生的散射光的至少一部分。
[附記128] 如附記124至附記127中任一項所述的加工裝置，其中 來自所述照射光學系統的所述測量光傾斜入射至所述物體的表面。
[附記129] 如附記124至附記128中任一項所述的加工裝置，其中 所述照射位置變更光學系統包括：第一照射位置變更光學系統，配置在所述合成光學系統與所述照射光學系統之間；以及第二照射位置變更光學系統，配置在所述合成光學系統的與所述照射光學系統相反一側的光路。
[附記130] 如附記129所述的加工裝置，其中 所述第二照射位置變更光學系統配置在所述合成光學系統與所述加工光源之間。
[附記131] 如附記129所述的加工裝置，其中 所述第二照射位置變更光學系統配置在所述合成光學系統與所述測量光源之間。
[附記132] 一種加工裝置，其是藉由將來自加工光源的加工光照射至物體來加工所述物體的加工裝置，包括： 合成光學系統，將來自所述加工光源的所述加工光的光路與來自測量光源的測量光的光路合成； 照射光學系統，將經由所述合成光學系統的所述加工光及所述測量光照射至所述物體； 照射位置變更光學系統，入射所述加工光及所述測量光，變更所述加工光在所述物體上的照射位置及所述測量光在所述物體上的照射位置；以及 控制裝置，控制所述照射位置變更光學系統，以變更所述加工光的所述照射位置與所述測量光的所述照射位置之間的位置關係，或者，控制所述照射位置變更光學系統，以變更所述加工光的所述照射位置及所述測量光的所述照射位置，而不變更所述加工光的所述照射位置與所述測量光的所述照射位置之間的位置關係。
[附記133] 一種系統，其是利用測量光來測量物體的系統，包括： 測量裝置，朝向所述物體照射第一測量光，接收藉由所述第一測量光而自所述物體產生的第二測量光，並基於所述第二測量光的光接收結果來測量所述物體的位置； 位置變更裝置，與所述測量裝置連接，變更所述測量裝置相對於所述物體的位置；以及 末端執行器，設置於所述測量裝置。
[附記134] 如附記133所述的系統，其中 所述位置變更裝置包括：可動構件，與所述物體的一部分之間的相對位置關係能變更；以及連接裝置，以所述可動構件與所述測量裝置之間的相對位置關係能變更的方式，連接所述可動構件與所述測量裝置。
[附記135] 如附記134所述的系統，其中 所述連接裝置包括：驅動構件，使所述可動構件及所述測量裝置中的至少一者移動；以及緩衝構件，將所述可動構件與所述測量裝置予以結合。
[附記136] 一種加工裝置，其是藉由將來自加工光源的加工光照射至物體來加工所述物體的加工裝置，包括： 合成光學系統，將來自所述加工光源的所述加工光的光路與包含脈波光的測量光的光路合成； 照射光學系統，將經由所述合成光學系統的所述加工光及所述測量光照射至所述物體； 第一照射位置變更光學系統，變更所述加工光在所述物體上的照射位置；以及 第二照射位置變更光學系統，變更所述測量光在所述物體上的照射位置，且 經由所述第一照射位置變更光學系統的所述加工光與經由所述第二照射位置變更光學系統的所述測量光入射至所述照射光學系統。
[附記137] 如附記136所述的加工裝置，其中 所述第一照射位置變更光學系統與所述測量光在所述物體上的照射位置獨立地變更所述加工光在所述物體上的照射位置。
[附記138] 如附記136或附記137所述的加工裝置，其中 所述第二照射位置變更光學系統與所述加工光在所述物體上的照射位置獨立地變更所述測量光在所述物體上的照射位置。
[附記139] 一種加工裝置，其是藉由將來自加工光源的加工光照射至物體來加工所述物體的加工裝置，包括： 合成光學系統，將來自所述加工光源的所述加工光的光路與來自測量光源的第一測量光的光路合成； 照射光學系統，將經由所述合成光學系統的所述加工光及所述第一測量光照射至所述物體；以及 檢測裝置，經由所述照射光學系統及所述合成光學系統，來檢測藉由經由所述照射光學系統照射至所述物體的所述第一測量光而自所述物體產生的第二測量光，且 所述第一測量光照射至藉由所述加工光進行了加工的所述物體。
[附記140] 如附記139所述的加工裝置，包括： 判定裝置，基於來自所述檢測裝置的輸出，來進行已加工後的所述物體的判定。
[附記141] 如附記139或附記140所述的加工裝置， 包括照射位置變更光學系統，入射所述加工光及所述第一測量光，變更所述加工光在所述物體上的照射位置及所述第一測量光在所述物體上的照射位置，且 所述照射位置以在所述物體上的非檢查部位已被所述加工光照射之後，所述非檢查部位被所述測量光照射的方式變更。
[附記142] 一種加工裝置，其是藉由將來自加工光源的加工光照射至物體來加工所述物體的加工裝置，包括： 合成光學系統，將來自所述加工光源的所述加工光的光路與來自測量光源的第一測量光的光路合成； 照射光學系統，將經由所述合成光學系統的所述加工光及所述第一測量光照射至所述物體；以及 檢測裝置，經由所述照射光學系統及所述合成光學系統，來檢測藉由經由所述照射光學系統照射至所述物體的所述第一測量光而自所述物體產生的第二測量光，且 所述加工光照射至已被照射所述第一測量光之後的所述物體。
[附記143] 如附記142所述的加工裝置，包括： 判定裝置，基於來自所述檢測裝置的輸出，來進行要加工前的所述物體的判定。
[附記144] 如附記142或附記143所述的加工裝置， 包括照射位置變更光學系統，入射所述加工光及所述第一測量光，變更所述加工光在所述物體上的照射位置及所述第一測量光在所述物體上的照射位置，且 所述照射位置以在所述物體上的非檢查部位已被所述第一測量光照射之後，所述非檢查部位被所述加工光照射的方式變更。
[附記145] 一種系統，其是利用測量光來測量物體的系統，包括： 可動構件，與所述物體的一部分之間的相對位置關係能變更； 測量裝置，朝向所述物體照射第一測量光，接收藉由所述第一測量光而自所述物體產生的第二測量光，並基於所述第二測量光的光接收結果來測量所述物體的位置；以及 連接裝置，以所述可動構件與所述測量裝置之間的相對位置關係能變更的方式，連接所述可動構件與所述測量裝置，且 所述連接裝置包括：驅動構件，使所述可動構件及所述測量裝置中的至少一者移動；以及緩衝構件，將所述可動構件與所述測量裝置予以結合。
[附記146] 如附記145所述的系統，更包括： 加工裝置，經由所述連接裝置與所述可動構件連接，將來自加工光源的加工光照射至所述物體來加工所述物體。
[附記147] 一種加工裝置，其是藉由將來自加工光源的加工光照射至物體來加工所述物體的加工裝置，包括： 合成光學系統，將來自所述加工光源的所述加工光的光路與來自測量光源的第一測量光的光路合成； 照射光學系統，將經由所述合成光學系統的所述加工光及所述第一測量光照射至所述物體； 位置變更裝置，變更所述照射光學系統與所述物體之間的相對位置；以及 檢測裝置，經由所述照射光學系統及所述合成光學系統，來檢測藉由經由所述照射光學系統照射至所述物體的所述第一測量光而自所述物體產生的散射光。
所述各實施形態的要件可適當組合。亦可不使用所述各實施形態的要件中的一部分。所述各實施形態的要件可適當地與其他實施形態的要件置換。而且，在法律所容許的範圍內，援用在所述各實施形態中引用的與裝置等相關的所有公開公報及美國專利的揭示來作為本文所述的一部分。
而且，本發明可在不違反能夠自申請專利範圍及整個說明書中讀取的發明主旨或思想的範圍內進行適當變更，伴隨此種變更的加工裝置、加工構件、系統、機器人系統及測定裝置亦包含在本發明的技術思想中。
1、1b、1c、1d、1e、1f、1h、1i、1m:加工裝置 2、2i、2k、2k#1、2k#2:測量裝置 3:載台裝置 4、1161f#2、1161f#3、117、217i:框體 5:控制裝置 6g、1227:位置測量裝置 11、11b、11c、11d、11e、11f、11h、11i:加工頭 12、22i:頭驅動系統 13m:末端執行器 21i:測量頭 31:壓盤 32:載台 33:載台驅動系統 111:加工光源 112:加工光學系統 113、113#1、113#2:測量光源 114、114d、114e、114#1、114#2:測量光學系統 115、115c:合成光學系統 116:共用光學系統 118f:光學系統候補 118f#1:第一光學系統候補 118f#2:第二光學系統候補 118f#3:第三光學系統候補 118h:加工照射光學系統 119h:測量照射光學系統 121:第一驅動系統 122:第二驅動系統 13l:指標 1111b、1111c、1131b、1131b#1、1131b#2、1131c:光傳送構件 1121:調整光學系統 1122:角度調整光學系統 1141、1142、1144、1147d:分束器 1151:分束器（偏光分束器） 1143、1146:檢測器 1145、1147:鏡 1148e、1161、1163f#3、1181h、1191h:檢流計鏡 1148dX、1148eX、1161X、1163fX#3、1181hX、1191hX:X掃描鏡 1148eY、1161Y、1163fY#3、1181hY、1191hY:Y掃描鏡 1152c、1153c、1162f#3、1163f#2:聚光透鏡 1162、1182h、1192h:fθ透鏡 1162f#2、12123:致動器 1163:中繼透鏡 1164f#2:掃描鏡 1164f#3、1165f#2:空間 1165f#3、1166f#2、1166f#3、1167f#2、1182c:開口 1181c:空間濾波器 1183c:二向色濾波器（二向色鏡） 1184c:波長板、1/2波長板、1/4波長板（光學系統） 1211:基台 1212:臂驅動系統 1221、1222:支持構件 1223:空氣彈簧 1224:阻尼器構件 1225:驅動構件 1226:壓力計 11461:光電轉換元件 12121:臂構件 12122:接頭構件 12124:前端臂構件 12261:氣體供給裝置 12262:配管 12263:閥 12271:檢測部 12272:刻度部 EA、MA、MA#1、MA#2:被照射區域 EL:加工光 ML、ML#1、ML#1-1、ML#1-2、ML#1-3、ML#2、ML#2-1、ML#2-2、ML#2-3、ML#2-21、ML#2-22、ML#2-31、ML#2-32:測量光 PL#11、PL#12、PL#13、PL#14:脈波光 SYS、SYSa、SYSb、SYSc、SYSd、SYSe、SYSf、SYSg、SYSh、SYSi、SYSj、SYSk、SYSl:加工系統 W:工件 X、Y、Z:座標軸
圖1是示意性地表示第一實施形態的加工系統的整體結構的剖面圖。 圖2是表示第一實施形態的加工系統的系統結構的系統結構圖。 圖3是表示第一實施形態的加工頭的結構的剖面圖。 圖4是部分地表示合成光學系統與工件之間的加工光的光路及測量光的光路的剖面圖。 圖5是表示被照射加工光的被照射區域及被照射測量光的被照射區域的平面圖。 圖6的（a）至圖6的（c）分別是表示加工光的照射時序及測量光的照射時序的時序圖。 圖7是部分地表示合成光學系統與工件之間的加工光的光路及測量光的光路的剖面圖。 圖8是表示被照射加工光的被照射區域及被照射測量光的被照射區域的平面圖。 圖9是部分地表示合成光學系統與工件之間的加工光的光路及測量光的光路的剖面圖。 圖10是表示入射至檢測器的測量光及檢測器檢測出的干涉光的時序圖。 圖11是表示頭驅動系統的結構的剖面圖。 圖12是表示頭驅動系統所具備的第二驅動系統的結構的剖面圖。 圖13是表示第二實施形態的加工頭的結構的剖面圖。 圖14是表示第三實施形態的加工頭的結構的剖面圖。 圖15是表示第三實施形態的加工頭的結構的另一例的剖面圖。 圖16是表示第三實施形態的加工頭的結構的又一例的剖面圖。 圖17是表示第三實施形態的加工頭的結構的又一例的剖面圖。 圖18是表示第三實施形態的加工頭的結構的又一例的剖面圖。 圖19是表示第四實施形態的加工頭的結構的剖面圖。 圖20是表示第五實施形態的加工頭的結構的剖面圖。 圖21是表示安裝有第一光學系統候補作為共用光學系統的加工頭的剖面圖。 圖22是表示安裝有第二光學系統候補作為共用光學系統的加工頭的剖面圖。 圖23是表示安裝有第三光學系統候補作為共用光學系統的加工頭的剖面圖。 圖24是示意性地表示第七實施形態的加工系統的整體結構的剖面圖。 圖25是表示第八實施形態的加工頭的結構的剖面圖。 圖26是示意性地表示第九實施形態的加工系統的整體結構的剖面圖。 圖27是表示第九實施形態的加工系統的系統結構的系統結構圖。 圖28是表示第九實施形態的加工頭的結構的剖面圖。 圖29是表示第九實施形態的測量頭的結構的剖面圖。 圖30是示意性地表示第十實施形態的加工系統的整體結構的剖面圖。 圖31是示意性地表示第十一實施形態的加工系統的整體結構的剖面圖。 圖32是示意性地表示第十二實施形態的加工系統的整體結構的剖面圖。 圖33是表示包括末端執行器的加工裝置的結構的一例的剖面圖。
1:加工裝置
3:載台裝置
4:框體
31:壓盤
32:載台
EL:加工光
ML:測量光
SYSa:加工系統
W:工件
X、Y、Z:座標軸

Claims (49)

  1. 一種加工裝置，其是藉由將來自加工光源的加工光照射至物體來加工所述物體的加工裝置，包括： 合成光學系統，將來自所述加工光源的所述加工光的光路與包含脈波光的測量光的光路合成； 照射光學系統，將經由所述合成光學系統的所述加工光及所述測量光照射至所述物體；以及 照射位置變更光學系統，配置在所述合成光學系統與所述照射光學系統之間，變更所述加工光在所述物體上的照射位置及所述測量光在所述物體上的照射位置。
  2. 如請求項1所述的加工裝置，其中 所述照射位置變更光學系統聯動地變更所述加工光在所述物體上的所述照射位置及所述測量光在所述物體上的所述照射位置。
  3. 如請求項1或請求項2所述的加工裝置，其中 所述照射位置變更光學系統配置在所述合成光學系統與所述照射光學系統之間。
  4. 如請求項1至請求項3中任一項所述的加工裝置，其中 所述照射位置變更光學系統變更所述加工光的射出角度及所述測量光的射出角度。
  5. 如請求項4所述的加工裝置，其中 在所述照射光學系統入射所述加工光及所述測量光，且 藉由所述照射位置變更光學系統對所述加工光的射出角度及所述測量光的射出角度的變更，所述加工光在所述物體上的所述照射位置及所述測量光在所述物體上的所述照射位置變更。
  6. 如請求項1至請求項5中任一項所述的加工裝置， 包括測量光源，所述測量光源供給所述測量光，且 在所述合成光學系統入射來自所述測量光源的所述測量光。
  7. 如請求項1至請求項6中任一項所述的加工裝置，其中 當將所述測量光設為第一測量光時，在所述照射光學系統入射藉由所述第一測量光向所述物體的照射而自所述物體產生的第二測量光的至少一部分。
  8. 如請求項7所述的加工裝置，其中 入射至所述照射光學系統的所述第二測量光經由所述合成光學系統射出。
  9. 如請求項7或請求項8所述的加工裝置，其中 自所述合成光學系統射出的所述第二測量光，朝向檢測所述第二測量光的檢測器。
  10. 如請求項9所述的加工裝置，其中 所述檢測器對自所述第一測量光的一部分所生成的參照光、與所述第二測量光的至少一部分之間的干涉光進行檢測。
  11. 如請求項1至請求項10中任一項所述的加工裝置，其中 所述測量光包含來自光梳光源的光作為所述脈波光。
  12. 如請求項1至請求項11中任一項所述的加工裝置，其中 所述測量光包括在頻率軸上等間隔地排列的包含頻率成分的光作為所述脈波光。
  13. 如請求項1至請求項12中任一項所述的加工裝置，其中 所述加工光包含脈波光。
  14. 如請求項13所述的加工裝置，其中 所述測量光的所述脈波光向所述物體的照射時期與所述加工光的所述脈波光向所述物體的照射時期不同。
  15. 如請求項13或請求項14所述的加工裝置，其中 所述測量光的所述脈波光向所述物體的照射時期與所述加工光的所述脈波光向所述物體的照射時期不重疊。
  16. 如請求項13至請求項15中任一項所述的加工裝置，其中 所述測量光包含多個脈波光， 所述加工光包含多個脈波光，且 所述加工光的所述多個脈波光中至少一個脈波光向所述物體的照射時期，是所述測量光的所述多個脈波光中第一測量脈波光向所述物體的照射時期、和所述測量光的所述多個脈波光中在與所述第一測量脈波光不同的時期向所述物體照射的第二測量脈波光向所述物體的照射時期之間。
  17. 如請求項1至請求項16中任一項所述的加工裝置，其中 當將所述測量光設為第一測量光時，在所述照射光學系統入射藉由所述第一測量光而產生的第二測量光的至少一部分。
  18. 如請求項17所述的加工裝置，其中 入射至所述照射光學系統的所述第二測量光經由所述合成光學系統射出。
  19. 如請求項17或請求項18所述的加工裝置，其中 自所述合成光學系統射出的所述第二測量光，朝向檢測所述第二測量光的檢測器。
  20. 如請求項1至請求項19中任一項所述的加工裝置，其中 當將所述測量光設為第一測量光時，藉由所述第一測量光向所述物體的照射而自所述物體產生的第二測量光的至少一部分經由所述照射光學系統入射至檢測器，且 所述檢測器的檢測結果輸出至控制所述加工裝置的控制裝置。
  21. 如請求項20所述的加工裝置，更包括： 加工光學系統，朝向所述物體射出所述加工光；以及位置變更裝置，變更所述加工光學系統與所述物體之間的相對位置，且 所述控制裝置基於所述檢測器的檢測結果來控制所述位置變更裝置。
  22. 如請求項20或請求項21所述的加工裝置，其中 所述照射光學系統將所述測量光及所述加工光分別朝向所述物體射出， 所述加工裝置更包括變更所述照射光學系統與所述物體之間的相對位置的位置變更裝置，且 所述控制裝置基於所述檢測器的檢測結果來控制所述位置變更裝置。
  23. 如請求項20至請求項22中任一項所述的加工裝置，其中 所述控制裝置基於所述檢測器的檢測結果來控制所述照射位置變更光學系統。
  24. 如請求項1至請求項23中任一項所述的加工裝置，其中 所述加工光的波長與所述測量光的波長不同。
  25. 如請求項24所述的加工裝置，其中 所述測量光的波長較所述加工光的波長更短。
  26. 如請求項1至請求項25所述的加工裝置，其中 自所述照射光學系統射出收斂狀態的所述加工光及所述測量光。
  27. 如請求項26所述的加工裝置，其中 自所述照射光學系統朝向所述物體的所述測量光的孔徑角較自所述照射光學系統朝向所述物體的所述加工光的孔徑角更大。
  28. 如請求項26或請求項27所述的加工裝置，其中 入射至所述照射光學系統的所述測量光的光束的尺寸較入射至所述照射光學系統的所述加工光的光束的尺寸更大。
  29. 如請求項1至請求項28中任一項所述的加工裝置，其中 自所述合成光學系統至所述物體的所述加工光的光路與自所述合成光學系統至所述物體的所述測量光的光路至少部分地重覆。
  30. 如請求項1至請求項29中任一項所述的加工裝置，其中 自所述合成光學系統至所述物體的所述加工光的光路與自所述合成光學系統至所述物體的所述測量光的光路至少部分地分開。
  31. 如請求項1至請求項30中任一項所述的加工裝置，其中 所述合成光學系統將相對於所述合成光學系統自不同的方向分別入射的所述測量光及所述加工光，朝向相同的方向射出。
  32. 如請求項1至請求項31中任一項所述的加工裝置，其中 所述照射光學系統能更換。
  33. 如請求項32所述的加工裝置，其中 能更換的所述照射光學系統是相對於所述照射光學系統的入射側的光軸而言所述測量光的射出方向不同的多個照射光學系統候補中的一個照射光學系統候補。
  34. 如請求項32或請求項33所述的加工裝置，其中 能更換的所述照射光學系統是自來自所述合成光學系統的所述測量光的射出位置至來自所述照射光學系統的所述測量光的射出位置的距離不同的多個照射光學系統候補中的一個照射光學系統候補。
  35. 如請求項1至請求項34中任一項所述的加工裝置，其中 所述照射光學系統將多個所述測量光朝向所述物體射出。
  36. 如請求項35所述的加工裝置，其中 所述照射光學系統將所述多個測量光分別朝向所述物體的不同位置射出。
  37. 如請求項35或請求項36所述的加工裝置，其中 所述多個測量光中的第一測量光在第一用途中使用， 所述多個測量光中的與所述第一測量光不同的第二測量光在與所述第一用途不同的第二用途中使用。
  38. 如請求項37所述的加工裝置，其中 所述第一用途包括用於確定所述物體的形狀的用途， 所述第二用途包括用於確定所述物體與所述照射光學系統之間的相對位置的用途。
  39. 如請求項35至請求項38中任一項所述的加工裝置，更包括： 控制裝置，基於所述多個測量光中的第一測量光的檢測結果，來確定所述物體的形狀，且基於所述多個測量光中的第二測量光的檢測結果，以所述加工光照射至確定了所述形狀的所述物體的期望位置的方式，來對變更所述物體與所述照射光學系統之間的相對位置的位置變更裝置進行控制。
  40. 如請求項1至請求項39中任一項所述的加工裝置，更包括： 位置變更裝置，變更所述物體與所述照射光學系統之間的相對位置。
  41. 如請求項40所述的加工裝置，其中 所述位置變更裝置包括： 可動構件，與所述物體的一部分之間的相對位置關係能變更；以及 連接裝置，以所述可動構件與所述照射光學系統之間的相對位置關係能變更的方式，連接所述可動構件與所述照射光學系統，且 所述連接裝置包括：驅動構件，使所述可動構件與所述照射光學系統中的至少一者移動；以及彈性構件，將所述可動構件與所述照射光學系統予以結合。
  42. 如請求項41所述的加工裝置，其中 所述位置變更裝置基於經由所述物體的所述測量光的檢測結果，來變更所述照射光學系統與所述物體之間的相對位置。
  43. 如請求項41或請求項42所述的加工裝置，包括： 位置測量裝置，測量所述照射光學系統與所述物體之間的相對位置，且 所述位置變更裝置基於所述位置測量裝置的測量結果，來變更所述照射光學系統與所述物體之間的相對位置。
  44. 如請求項1至請求項43中任一項所述的加工裝置，包括： 位置測量裝置，測量所述照射光學系統與所述物體之間的相對位置。
  45. 如請求項43或請求項44所述的加工裝置，其中 所述位置測量裝置包括拍攝裝置，拍攝所述物體的表面。
  46. 如請求項1至請求項45中任一項所述的加工裝置，包括： 分支構件，將來自測量光源的所述測量光分支而生成參照光；參照反射構件，將來自所述分支構件的所述參照光反射至所述分支構件；以及光接收構件，接收藉由來自所述照射光學系統的所述測量光而產生且通過所述照射光學系統及所述合成光學系統的光與所述參照光的干涉光。
  47. 如請求項46所述的加工裝置，其中 藉由所述測量光向所述物體的照射而自所述物體產生的光是散射光，且 在所述光接收構件入射所述散射光與所述參照光的干涉光。
  48. 如請求項1至請求項47中任一項所述的加工裝置，其中 來自所述照射光學系統的所述測量光相對於所述物體的表面傾斜入射。
  49. 如請求項1至請求項48中任一項所述的加工裝置，其中 入射至所述物體上的第一位置的所述加工光的行進方向和入射至所述第一位置的所述測量光的行進方向相同或平行， 入射至所述物體上的與所述第一位置不同的第二位置的所述加工光的行進方向和入射至所述第二位置的所述測量光的行進方向相同或平行。
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