TW202113947A - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供一種「可在不將抑制劑或促進劑添加至鍍敷液的情況下，良好地進行對凹部埋入鍍敷膜」的技術。 [解決手段]本揭示之基板處理方法，係包含有：準備工程；抑制膜形成工程；及鍍敷工程。準備工程，係準備基板，該基板，係在表面形成有凹部且在表面及凹部之內面形成有晶種層。抑制膜形成工程，係在凹部之上部形成鍍敷抑制膜。鍍敷工程，係在抑制膜形成工程後，使鍍敷液接觸於基板，藉此，在凹部形成鍍敷膜且由鍍敷膜填埋凹部。

Description

基板處理方法及基板處理裝置
本揭示，係關於基板處理方法及基板處理裝置。
以往，在半導體之製造工程中，使用鍍敷處理來作為將銅等之金屬埋入溝槽或通孔這樣的凹部之手法。
在鍍敷處理中，係在凹部的內部由鍍敷膜填埋之前，凹部之開口部被鍍敷膜堵塞，因而有在凹部內產生孔洞或接縫等的缺陷之虞。為了抑制像這樣的缺陷，提出如下述般的技術：將抑制凹部上部之金屬的析出速度之抑制劑或促進凹部底部之金屬的析出速度之促進劑添加至鍍敷液中。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2003-328180號公報
[本發明所欲解決之課題]
本揭示，係提供一種「可在不將抑制劑或促進劑添加至鍍敷液的情況下，良好地進行對凹部埋入鍍敷膜」的技術。 [用以解決課題之手段]
本揭示之一態樣的基板處理方法，係包含有：準備工程；抑制膜形成工程；及鍍敷工程。準備工程，係準備基板，該基板，係在表面形成有凹部且在表面及凹部之內面形成有晶種層。抑制膜形成工程，係在凹部之上部形成鍍敷抑制膜。鍍敷工程，係在抑制膜形成工程後，使鍍敷液接觸於基板，藉此，在凹部形成鍍敷膜且由鍍敷膜填埋凹部。 [發明之效果]
根據本揭示，可在不將抑制劑或促進劑添加至鍍敷液的情況下，良好地進行對凹部埋入鍍敷膜。
在以下中，參閱圖面，詳細地說明關於用以實施本揭示之基板處理方法及基板處理裝置的形態(以下，記載為「實施形態」)。另外，並非藉由該實施形態來限定本揭示之基板處理方法及基板處理裝置。又，各實施形態，係可在處理內容不相矛盾的範圍下，適當地進行組合。又，在以下之各實施形態中，相同部位，係賦予相同符號，並省略重複的說明。
＜1.基板處理之概要＞ 首先，參閱圖1~圖4，說明關於實施形態之基板處理的概要。圖1~圖4，係實施形態之基板處理的說明圖。
實施形態之基板處理，係對矽晶圓或化合物半導體晶圓等的半導體基板(以下，記載為基板W)，以電解鍍敷形成鍍敷膜。
具體而言，係如圖1所示般，在基板W之表面(上面)，係形成有複數個凹部101(在此，係僅圖示有1個凹部101)。凹部101，係例如溝槽或通孔等。又，在基板W之表面或凹部101之內面(側面及底面)，係形成有晶種層102。晶種層102，係例如藉由銅(Cu)或鈷(Co)等的金屬所構成，且藉由濺鍍等被層積於基板W上。
在實施形態之基板處理中，係對凹部101以電解鍍敷進行鍍敷膜的埋入。
近年來，伴隨著溝槽或通孔等的凹部之微細化及高縱橫比，對凹部埋入鍍敷膜變得困難化。具體而言，係在凹部的內部由鍍敷膜填埋之前，凹部之開口部被鍍敷膜堵塞，因而有在凹部內產生孔洞或接縫等的缺陷之虞。因此，提出如下述般的技術：將抑制凹部上部之金屬的析出速度之抑制劑或促進凹部底部之金屬的析出速度之促進劑添加至鍍敷液中，藉此，上述缺陷不容易產生。
然而，將抑制劑或促進劑等的添加劑加入鍍敷液之手法，係被引入至鍍敷膜中之添加劑會使鍍敷膜的電阻增大，因而有使作為鍍敷膜之配線的功能下降之虞。
因此，在實施形態之基板處理中，係設成為在不將抑制劑或促進劑添加至鍍敷液的情況下，進行對凹部埋入鍍敷膜。
在實施形態之基板處理中，係首先，如圖1所示般，對基板W之表面傾斜地照射具有直進性的光。藉由傾斜地照射具有直進性的光之方式，可使光不到達凹部101的深部(下部或底部)。亦即，可將光僅照射於凹部101之上部(淺部)。在此，「凹部101之上部」，係指凹部101之上面，亦即基板W之表面及接近上述上面之凹部101的側面部分。又，亦有僅將凹部101之上面亦即基板W的表面稱為「凹部101之上部」的情形。
上述光，係例如具有220nm以下之波長的紫外光。在實施形態之基板處理中，係於大氣中，對基板W之表面傾斜地照射該紫外光。藉此，存在於凹部101之上部周邊的氧藉由紫外光而變化成臭氧。該臭氧，係使被形成於凹部101之上部的晶種層102氧化。該結果，如圖2所示般，作為鍍敷抑制膜之氧化膜103被形成於凹部101的上部。
如此一來，在實施形態之基板處理中，係首先，在凹部101之上部形成作為鍍敷抑制膜的氧化膜103 (抑制膜形成處理)。
另外，在實施形態中，係氧化膜103雖設成為氧化銅，但氧化膜103，係不限定於氧化銅。作為氧化膜103，係亦可使用氧化銅以外之具有絕緣性的金屬氧化物。又，具有直進性的光，係亦可為雷射光。
接著，如圖3及圖4所示般，在實施形態之基板處理中，係藉由使鍍敷液接觸於基板W的方式，在凹部101形成鍍敷膜104，且由鍍敷膜104填埋凹部101(鍍敷處理)。
鍍敷液，係可溶解作為鍍敷抑制膜之氧化膜103的液體。例如，鍍敷液，係含有硫酸銅及硫酸的液體，溶解氧化膜103即氧化銅。
在鍍敷處理之初期，由於形成於凹部101上部之晶種層102，係被氧化膜103覆蓋，因此，不會與鍍敷液接觸。因此，在鍍敷處理之初期，在凹部101之上部，係未形成鍍敷膜104。另一方面，形成於凹部101之上部以外的部分(中央部、下部、底部等)之晶種層102，係未被氧化膜103覆蓋。因此，從鍍敷處理之初期，開始在凹部101之上部以外的部分形成鍍敷膜104(參閱圖3)。
其後，形成於凹部101之上部的氧化膜103，係被鍍敷液溶解。藉此，凹部101上部之晶種層102露出而開始與鍍敷液接觸。亦即，在凹部101之下部或底部之後，開始在凹部101的上部形成鍍敷膜104(參閱圖4)。
如此一來，在實施形態之基板處理中，鍍敷處理，係一面使用鍍敷液來使被形成於凹部101之上部的氧化膜103溶解，一面在凹部101形成鍍敷膜且由鍍敷膜104填埋凹部101。
在被形成於凹部101之上部的氧化膜103藉由鍍敷液而溶解的時間點，開始凹部101上部之鍍敷膜104的形成。因此，凹部101上部之鍍敷膜104的成長，係比凹部101之上部以外的部分之鍍敷膜104的成長慢。藉此，可抑制在凹部101之內部由鍍敷膜104填埋之前，凹部101之開口部被鍍敷膜104堵塞的情形。
如此一來，根據實施形態之基板處理，可在不加入抑制劑或促進劑等之添加劑的情況下，抑制凹部101內產生孔洞或接縫等的缺陷。亦即，可良好地進行對凹部101埋入型鍍敷膜104。
＜2.基板處理裝置之構成＞ 其次，參閱圖5，說明關於執行上述基板處理之基板處理裝置的構成。圖5，係表示實施形態之基板處理裝置之構成的圖。
基板處理裝置1，係具備有：基板保持部10；電解處理部20；電壓施加部30；處理液供給機構40；UV照射部50；及控制裝置60。
基板保持部10，係保持基板W。基板保持部10，係具有：晶圓夾頭11；及驅動機構13。
晶圓夾頭11，係例如保持基板W且使其旋轉的旋轉夾盤。晶圓夾頭11，係大致圓板狀，具有於俯視下比基板W之直徑大的直徑且沿水平方向延伸之上面11a。在該上面11a，係例如設置有吸引基板W的吸引口(未圖示)，藉由來自該吸引口之吸引，可將基板W保持於晶圓夾頭11的上面11a。
在基板保持部10，係又設置有具備了馬達等的驅動機構13，可使晶圓夾頭11以預定速度旋轉。又，在驅動機構13，係設置有汽缸等的升降驅動部(未圖示)，可使晶圓夾頭11沿垂直方向移動。
在基板保持部10之上方，係與晶圓夾頭11的上面11a對向地配置有電解處理部20。電解處理部20，係具有：基體21；直接電極22；複數個接觸端子23；及移動機構24。
基體21，係由絕緣性材料所構成。基體21，係大致圓板狀，具有於俯視下比基板W之直徑大的直徑之下面21a與被設置於該下面21a之相反側的上面21b。
直接電極22，係由導電性材料所構成，被設置於基體21的下面21a。直接電極22，係被配置為與基板保持部10所保持之基板W大致平行相對向。在進行電解鍍敷處理之際，直接電極22，係與被盛裝於基板W上的鍍敷液直接接觸。
接觸端子23，係在基體21之緣部，從下面21a突出而設置。接觸端子23，係由具有彈性之導電體所構成，朝向下面21a的中心部彎曲。
接觸端子23，係在基體21設置有2根以上，例如在基體21設置有32根，於俯視下，均等間隔地被配置於基體21的同心圓上。而且，所有接觸端子23之前端部，係被配置為使由該前端部所構成的虛擬面成為與基板保持部10所保持之基板W的表面大致平行。
該接觸端子23，係在進行電解鍍敷處理之際，與基板W之外周部接觸，並對該基板W施加電壓。另外，接觸端子23之數量或形狀，係不限定於上述的例子。
直接電極22與接觸端子23，係被連接於電壓施加部30，可分別對接觸之鍍敷液與基板W施加預定電壓。
在基體21之上面21b側，係設置有移動機構24。移動機構24，係例如具有汽缸的升降驅動部(未圖示)。移動機構24，係可使用該升降驅動部，使電解處理部20沿垂直方向移動。
電壓施加部30，係具有直流電源31、開關32、33及負載電阻34，被連接於電解處理部20的直接電極22與接觸端子23。具體而言，係直流電源31之正極側經由開關32被連接於直接電極22，並且直接電源31之負極側經由開關33與負載電阻34被連接於複數個接觸端子23。直流電源31之負極側被接地。
電壓施加部30，係可藉由將開關32、33同時切換成ON狀態或OFF狀態的方式，對直接電極22與接觸端子23施加脈衝狀的電壓。
處理液供給機構40，係被配置於比基板保持部10上方且比電解處理部20下方的高度位置。處理液供給機構40，係具有：噴嘴41；及移動機構42。噴嘴41，係將鍍敷液供給至基板W上。噴嘴41，係與儲存鍍敷液之未圖示的鍍敷液供給源連通，鍍敷液從該鍍敷液供給源被供給至噴嘴41。
移動機構42，係使噴嘴41沿水平方向及垂直方向移動。亦即，噴嘴41，係被構成為對基板保持部10進退自如。
UV照射部50，係對晶圓夾頭11所保持之基板W的上面亦即凹部101的形成面，傾斜地照射具有220nm以下之波長的紫外光。
UV照射部50，係被連接於調整機構51。調整機構51，係例如藉由使UV照射部50繞水平軸旋轉的方式，調整UV照射部50之紫外光的照射角度。
如此一來，藉由使用調整機構51來變更紫外光之照射角度的方式，可對凹部101之內部調整氧化膜103形成多深的深度。
又，調整機構51，係例如藉由使UV照射部50繞垂直軸移動的方式，調整UV照射部50的高度位置。例如，調整機構51，係將UV照射部50之高度位置調整至基板W之上面的高度位置，且將紫外光之照射角度調整至0°亦即與基板W的上面成為水平。藉此，UV照射部50，係可僅對基板W之上面照射紫外光。在該情況下，基板處理裝置1，係可僅在基板W之上面形成氧化膜103。
控制裝置60，係例如電腦，具備有控制部61與記憶部62。記憶部62，係例如藉由RAM、快閃記憶體(Flash Memory)等的半導體記憶元件或硬碟、光碟等的記憶裝置來實現，記憶有控制基板處理裝置1中所執行之各種處理的程式。控制部61，係包含具有CPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM (Random Access Memory)、輸出入埠等的微電腦或各種電路，藉由讀出並執行被記憶於記憶部62之程式的方式，控制基板處理裝置1的動作。
另外，該程式，係亦可為被記錄於電腦可讀取之記憶媒體者，且亦可為從該記憶媒體被安裝於控制裝置60的記憶部62者。作為電腦可讀取之記憶媒體，係例如有硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
在記憶部62，係亦可記憶有角度資訊，該角度資訊，係將UV照射部50之紫外光的照射角度與凹部101內形成有氧化膜103的深度建立對應。在該情況下，例如基板處理裝置1之使用者，係使用控制裝置60所具備之未圖示的操作部，輸入凹部101內之氧化膜103的形成深度。而且，控制裝置60，係可藉由角度資訊，特定與所輸入之形成深度對應之紫外光的照射角度，並以成為經特定之照射角度的方式，控制調整機構51而調整UV照射部50的角度。
＜3.基板處理裝置的具體動作＞ 其次，參閱圖6，說明關於實施形態之基板處理裝置1的具體動作。圖6，係表示實施形態之基板處理裝置1所執行的處理之程序的流程圖。另外，圖6所示之一連串的處理，係依照控制部61之控制來執行。
如圖6所示般，在基板處理裝置1中，係首先進行基板保持處理(步驟S101)。
在基板保持處理中，基板處理裝置1，係使用未圖示之搬送機構，將基板W載置於晶圓夾頭11的上面11a。而且，基板處理裝置1，係例如藉由從被形成於上面11a之吸引口進行吸引的方式，將基板W吸附保持於基板保持部10。
另外，在該基板保持處理之前，在基板W之上面，係形成有凹部101(參閱圖1)及晶種層102。另外，在基板W之上面，係除了晶種層102以外，亦可形成SiO2 等的絕緣層、Ta或Ti等的障壁層等。
接著，在基板處理裝置1中，係進行抑制膜形成處理(步驟S102)。在抑制膜形成處理中，基板處理裝置1，係使用基板保持部10，使基板W旋轉。又，基板處理裝置1，係從UV照射部50傾斜地照射紫外光。藉此，在凹部101之上部形成作為鍍敷抑制膜的氧化膜103。
在抑制膜形成處理中，可藉由使基板W旋轉的方式，將從UV照射部50所傾斜地照射之紫外光全面地照射於欲形成氧化膜103之凹部101之側面的全周。亦即，可使臭氧全面地產生於欲形成氧化膜103之凹部101之側面的周邊。因此，可對凹部101之深度方向，均勻地形成作為鍍敷抑制膜的氧化膜103。
另外，在實施形態中，雖係表示了UV照射部50被內建於基板處理裝置1之情形的例子，但UV照射部50，係亦可被設置在不同於基板處理裝置1之抑制膜形成裝置。在該情況下，抑制膜形成裝置，係例如可構成為除了UV照射部50以外，另具備有與基板處理裝置1所具備之基板保持部10相同的基板保持部。
接著，在基板處理裝置1中，係進行鍍敷處理(步驟S103)。在鍍敷處理中，基板處理裝置1，係藉由將鍍敷液從噴嘴41供給至基板W上的方式，將鍍敷液盛裝於基板W上。接著，基板處理裝置1，係藉由使電解處理部20下降的方式，使接觸端子23之前端部接觸於基板W的外周部，並且使直接電極22直接接觸於鍍敷液。而且，基板處理裝置1，係以將直接電極22設成為陽極並將基板W設成為陰極的方式，對基板W與鍍敷液施加電壓，使電流流動於直接電極22與基板W之間。
在該鍍敷處理之初期，由於形成於凹部101上部之晶種層102，係被氧化膜103覆蓋，因此，不會與鍍敷液接觸。因此，在鍍敷處理之初期，在凹部101之上部，係未形成鍍敷膜104。另一方面，形成於凹部101之上部以外的部分(中央部、下部、底部等)之晶種層102，係未被氧化膜103覆蓋。因此，從鍍敷處理之初期，亦即從對基板W與鍍敷液施加電壓後，立即開始在凹部101之上部以外的部分形成鍍敷膜104。
其後，形成於凹部101之上部的氧化膜103，係被鍍敷液溶解。藉此，凹部101上部之晶種層102露出而開始與鍍敷液接觸。該結果，開始在凹部101之上部形成鍍敷膜104，最後，成為鍍敷膜104被埋入凹部101之內部整體的狀態。當結束鍍敷處理時，則針對1片基板W之基板處理便結束。
＜4.第1變形例＞ 圖7，係表示第1變形例之基板處理裝置之構成的圖。如圖7所示般，第1變形例之基板處理裝置1A，係具備有：熱處理裝置1A1；及鍍敷裝置1A2。鍍敷裝置1A2，係例如具有與上述基板處理裝置1相同的構成。
熱處理裝置1A1，係例如藉由在氫或氨等之還原性氛圍中，對基板W進行熱處理的方式，去除被形成於基板W之表面的自然氧化膜。
第1變形例之基板處理裝置1A，係在使用熱處理裝置1A1去除被形成於基板W之表面的自然氧化膜後，使用鍍敷裝置1A2，進行圖6所示之步驟S101~S103的處理。如此一來，可藉由在抑制膜形成處理(步驟S102)之前，預先去除被形成於基板W之自然氧化膜的方式，在抑制膜形成處理中，形成所期望之膜厚的氧化膜103。具體而言，係可抑制「抑制膜形成處理後之氧化膜103的膜厚比所期望之膜厚還厚」的情形。
另外，在此，雖係說明了關於在不同於鍍敷裝置1A2之熱處理裝置1A1中進行自然氧化膜去除處理之情形的例子，但自然氧化膜去除處理，係亦可在鍍敷裝置1A2進行。在該情況下，鍍敷裝置1A2，係例如只要更具備有下述者即可：腔室，可密閉氛圍；氣體供給部，將氫或氨等的還原性氣體供給至腔室內；及加熱部，例如被內建於晶圓夾頭11，對基板W進行加熱。
又，自然氧化膜去除處理，係例如亦可藉由使用了Ar氣體等的惰性氣體之濺鍍來實現。亦即，亦可藉由使經離子化之惰性氣體高速碰撞基板W的表面之方式，從基板W的表面去除自然氧化膜。
＜5.第2變形例＞ 其次，參閱圖8，說明關於第2變形例之基板處理裝置的構成。圖8，係第2變形例之基板處理的說明圖。
如圖8所示般，第2變形例之基板處理裝置1B，係具備有：熱處理裝置1B1；蒸鍍裝置1B2；及鍍敷裝置1B3。
熱處理裝置1B1，係與第1變形例之1A1相同地，藉由對基板W進行氛圍熱處理的方式，去除基板W的自然氧化膜。又，鍍敷裝置1B3，係例如具有從上述基板處理裝置1省略了UV照射部50及調整機構51的構成。
蒸鍍裝置1B2，係例如使用濺鍍法來使氧化膜103蒸鍍於基板W的濺鍍裝置。蒸鍍裝置1B2，係藉由在減壓氛圍下，使經離子化之惰性氣體與成膜材料即靶材碰撞的方式，使成膜材料之原子從靶材釋出且附著、沈積於基板W的表面。該蒸鍍裝置1B2，係使成膜材料之原子對基板W的表面傾斜地釋放。藉此，可抑制氧化膜103附著、沈積於凹部101之下部或底部的情形。亦即，可僅在凹部101之上部形成氧化膜103。
又，蒸鍍裝置1B2，係亦可為使用CVD (Chemical Vapor Deposition)法來使氧化膜103蒸鍍於基板W之CVD裝置。在該情況下，蒸鍍裝置1B2，係在大氣中或減壓氛圍下，一面供給包含有成膜材料之原料氣體，一面對基板W之表面傾斜地照射具有直進性的光或電漿。由於光或電漿流不會到達凹部101之下部或底部，因此，可抑制氧化膜103附著、沈積於凹部101之上部以外的部分之情形。亦即，可僅在凹部101之上部形成氧化膜103。
第2變形例之基板處理裝置1B，係首先，在使用熱處理裝置1B1進行了自然氧化膜去除處理後，使用蒸鍍裝置1B2進行抑制膜形成處理。其後，基板處理裝置1B，係使用鍍敷裝置1A2進行鍍敷處理。
如此一來，抑制膜形成處理，係亦可使用蒸鍍法來進行。藉由利用使氧化膜103沈積於晶種層102之蒸鍍法的方式，可在不使晶種層102之厚度變薄的情況下，在晶種層102上形成氧化膜103。
＜6.第3變形例＞ 其次，參閱圖9~圖11，說明關於第3變形例之基板處理的內容。圖9~圖11，係第3變形例之基板處理的說明圖。
圖9所示之鍍敷抑制膜103C，係與上述之氧化膜103不同，且不溶解於鍍敷膜。作為像這樣的鍍敷抑制膜103C，係例如使用PTFE(聚四氟乙烯)、PFA(四氟乙烯･全氟烷基乙烯基醚共聚合體)等的樹脂膜。又，作為鍍敷抑制膜103C，係亦可使用矽氧化膜或矽氮化膜等的矽系膜。
在第3變形例之基板處理中，係在藉由鍍敷處理進行對凹部101埋入鍍敷膜104後，進行將殘存於基板W之抑制膜103C去除的處理。
例如，如圖10所示般，在第3變形例之基板處理中，係由CMP(Chemical Mechanical Polishing)進行基板W表面的研磨處理。在研磨處理中，基板W，係被研磨至抑制膜103C從基板W去除為止(參閱圖11)。
如此一來，抑制膜103C，係亦可藉由鍍敷處理後之機械研磨，從基板W去除。
如上述般，實施形態之基板處理方法，係包含有：準備工程；抑制膜形成工程(作為一例，抑制膜形成處理)；及鍍敷工程(作為一例，鍍敷處理)。準備工程，係準備基板(作為一例，基板W)，該基板，係在表面形成有凹部(作為一例，凹部101)且在表面及凹部之內面形成有晶種層(作為一例，晶種層102)。抑制膜形成工程，係在凹部之上部形成鍍敷抑制膜(作為一例，氧化膜103、鍍敷抑制膜103C)。鍍敷工程，係在抑制膜形成工程後，使鍍敷液接觸於基板，藉此，在凹部形成鍍敷膜且由鍍敷膜(作為一例，鍍敷膜104)填埋凹部。
由於鍍敷工程在鍍敷抑制膜被形成於凹部之上部的狀態下進行，因此，可抑制「在凹部的內部由鍍敷膜填埋之前，凹部之開口部被鍍敷膜堵塞」的情形。因此，可在不加入抑制劑或促進劑等之添加劑的情況下，良好地進行對凹部埋入鍍敷膜。
抑制膜形成工程，係亦可藉由對基板之表面傾斜地照射具有直進性的光之方式，在凹部之上部形成鍍敷抑制膜。
具體而言，抑制膜形成工程，係藉由對基板之表面傾斜地照射紫外光的方式，使臭氧產生於凹部之上部周邊，且使被形成於凹部之上部的晶種層氧化，藉此，在凹部之上部形成氧化膜。
藉由傾斜地照射具有直進性的光之方式，可使光不到達凹部的深部。亦即，可將光僅照射於凹部101之上部，且僅在凹部101的上部形成氧化膜。
抑制膜形成工程，係亦可藉由「使用濺鍍法來使離子粒子碰撞成膜材料，從而使成膜材料之原子對基板的表面傾斜地釋放」之方式，使氧化膜沈積於被形成在凹部之上部的晶種層。
又，抑制膜形成工程，係亦可藉由「使用CVD (Chemical Vapor Deposition)法，在供給了包含有成膜材料之原料氣體的氛圍中，對基板之表面傾斜地照射具有直進性的光或電漿」之方式，使氧化膜沈積於被形成在凹部之上部的晶種層。
藉由利用如CVD或濺鍍般地使氧化膜沈積於晶種層之蒸鍍法的方式，可在不使晶種層之厚度變薄的情況下，在晶種層上形成氧化膜。
鍍敷工程，係亦可一面使用鍍敷液來使氧化膜溶解，一面在凹部形成鍍敷膜且由鍍敷膜填埋凹部。在鍍敷工程中，由於在凹部之深部之後，開始在凹部的上部形成鍍敷膜，因此，可抑制「在凹部的內部由鍍敷膜填埋之前，凹部之開口部被鍍敷膜堵塞」的情形。又，由於可並行地進行在凹部埋入鍍敷膜之處理與去除氧化膜之處理，因此，可實現基板處理的效率化。
實施形態之基板處理方法，係亦可更包含有：研磨工程(作為一例，研磨處理)。研磨工程，係在鍍敷工程後，藉由機械研磨，將凹部之上部與鍍敷抑制膜一起去除。藉此，可從基板去除不要的鍍敷抑制膜。
實施形態之基板處理方法，係亦可更包含有：自然氧化膜去除工程(作為一例，自然氧化膜去除處理)。自然氧化膜去除工程，係在準備工程後、抑制膜形成工程之前，去除被形成於基板的自然氧化膜。藉此，可在抑制膜形成工程中，形成所期望之膜厚的鍍敷抑制膜。
又，實施形態之基板處理裝置(作為一例，基板處理裝置1、基板處理裝置1A、基板處理裝置1B)，係具備有：抑制膜形成部(作為一例，基板保持部10、UV照射部50、調整機構51)；及鍍敷液供給部(作為一例，處理液供給機構40)。抑制膜形成部，係在基板(作為一例，基板W)中之凹部的上部，形成鍍敷抑制膜(作為一例，氧化膜103及鍍敷抑制膜103C)，該基板，係在表面形成有凹部(作為一例，凹部101)且在表面及凹部之內面形成有晶種層(作為一例，晶種層102)。鍍敷液供給部，係將鍍敷液供給至基板，該基板，係在凹部之上部形成有鍍敷抑制膜。藉此，可在不加入抑制劑或促進劑等之添加劑的情況下，良好地進行對凹部埋入鍍敷膜。
吾人應理解本次所揭示之實施形態，係在所有方面皆為例示而非限制性者。實際上，上述實施形態，係可藉由多種形態來實現。又，上述的實施形態，係亦可不脫離添附之申請專利範圍及其意旨，以各種形態進行省略、置換、變更。
W:基板 1:基板處理裝置 10:基板保持部 11:晶圓夾頭 20:電解處理部 22:直接電極 23:接觸端子 30:電壓施加部 40:處理液供給機構 50:UV照射部 51:調整機構
[圖1]圖1，係實施形態之基板處理的說明圖。 [圖2]圖2，係實施形態之基板處理的說明圖。 [圖3]圖3，係實施形態之基板處理的說明圖。 [圖4]圖4，係實施形態之基板處理的說明圖。 [圖5]圖5，係表示實施形態之基板處理裝置之構成的圖。 [圖6]圖6，係表示實施形態之基板處理裝置所執行的處理之程序的流程圖。 [圖7]圖7，係表示第1變形例之基板處理裝置之構成的圖。 [圖8]圖8，係表示第2變形例之基板處理裝置之構成的圖。 [圖9]圖9，係第3變形例之基板處理的說明圖。 [圖10]圖10，係第3變形例之基板處理的說明圖。 [圖11]圖11，係第3變形例之基板處理的說明圖。

Claims (9)

  1. 一種基板處理方法，其特徵係，包含有： 準備工程，準備基板，該基板，係在表面形成有凹部且在前述表面及前述凹部之內面形成有晶種層； 抑制膜形成工程，在前述凹部之上部形成鍍敷抑制膜；及 鍍敷工程，在前述抑制膜形成工程後，使鍍敷液接觸於前述基板，藉此，在前述凹部形成鍍敷膜且由前述鍍敷膜填埋前述凹部。
  2. 如請求項1之基板處理方法，其中， 前述抑制膜形成工程，係對前述基板之表面傾斜地照射具有直進性的光，藉此，在前述凹部之上部形成前述鍍敷抑制膜。
  3. 如請求項2之基板處理方法，其中， 前述抑制膜形成工程，係藉由對前述基板之表面傾斜地照射紫外光的方式，使臭氧產生於前述凹部之上部周邊，且使被形成於前述凹部之上部的前述晶種層氧化，藉此，在前述凹部之上部形成作為前述鍍敷抑制膜的氧化膜。
  4. 如請求項1之基板處理方法，其中， 前述抑制膜形成工程，係藉由使用濺鍍法來使離子粒子碰撞成膜材料的方式，使前述成膜材料之原子對前述基板的表面傾斜地釋放，藉此，使作為前述鍍敷抑制膜的氧化膜沈積於被形成在前述凹部之上部的前述晶種層。
  5. 如請求項1之基板處理方法，其中， 前述抑制膜形成工程，係使用CVD(Chemical Vapor Deposition)法，在供給了包含有成膜材料之原料氣體的氛圍中，對前述基板之表面傾斜地照射具有直進性的光或電漿，藉此，使作為前述鍍敷抑制膜的氧化膜沈積於被形成在前述凹部之上部的前述晶種層。
  6. 如請求項2~5中任一項之基板處理方法，其中， 前述鍍敷工程，係一面使用前述鍍敷液來使氧化膜溶解，一面在前述凹部形成鍍敷膜且由前述鍍敷膜填埋前述凹部。
  7. 如請求項1~5中任一項之基板處理方法，其中，更包含有： 研磨工程，在前述鍍敷工程後，藉由機械研磨，將前述凹部之上部與前述鍍敷抑制膜一起去除。
  8. 如請求項1~7中任一項之基板處理方法，其中，更包含有： 自然氧化膜去除工程，在前述準備工程後、前述抑制膜形成工程之前，去除被形成於前述基板的自然氧化膜。
  9. 一種基板處理裝置，其特徵係，具備有： 抑制膜形成部，在基板之前述凹部的上部形成鍍敷抑制膜，該基板，係在表面形成有凹部且在前述表面及前述凹部之內面形成有晶種層；及 鍍敷液供給部，將鍍敷液供給至前述基板，該基板，係在前述凹部之上部形成有前述鍍敷抑制膜。
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