TW202210658A - 用於預清潔及處置晶圓表面之方法及裝置 - Google Patents

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Abstract

一種用於處理基板之方法及裝置包括清潔及自組裝單層（SAM）形成，用於後續反向選擇原子層沉積。裝置可包括處理腔室，具有處理空間，及包括基座的基板支撐件；遠端電漿源，流體耦合至處理腔室，且配置成產生自由基或具有自由基的離子化氣體混合物，而流至處理空間中以從基板的表面移除殘留物或氧化物；第一氣體傳輸系統，具有第一安瓿，配置成提供至少一個第一化學物至處理空間中，以在基板的表面上產生SAM；加熱系統，定位於基座中，且配置成藉由在基板的背側上的流動氣體加熱基板；及真空系統，流體耦合至處理腔室，且配置成控制基板的加熱。

Description

用於預清潔及處置晶圓表面之方法及裝置
本原理的實施例大致關於在半導體處理中使用的半導體腔室。
配置成實行預清潔處理的處理腔室配置成在基板上沉積一或更多屏蔽層之前移除在基板的金屬接觸墊上的天然氧化物且移除其他材料。預清潔腔室通常使用離子轟擊（藉由RF電漿引發）以藉由蝕刻天然氧化物來移除金屬接觸上的天然氧化物，或使用自由基（藉由遠端電漿生成）以從基板以化學反應減少金屬。預清潔處理降低在基板上金屬接觸的接觸電阻，以對在基板上的積體電路強化效能及功率消耗且提升黏著力。為了實行電漿清潔處理，包含積體電路的基板放置在遠端電漿腔室中，且從腔室抽吸移除大部分空氣。電磁能量（例如，射頻）在遠端電漿源施加至注入的氣體，例如氬或氫，以激發注入的氣體成電漿狀態。電漿釋放離子或自由基，而從基板表面移除污染物及/或材料。污染物及/或基板材料的原子或分子從基板蝕刻，且大部分抽吸離開腔室。然而，發明人已觀察到當基板待後續移動至原子層沉積（ALD）腔室用於屏蔽層沉積時，基板並未適當地準備用於選擇性類型的ALD沉積。
因此，發明人已提供強化的方法及裝置，以準備基板用於選擇性類型的ALD沉積。
此處提供用於選擇性類型的ALD沉積的晶圓預清潔及晶圓準備之方法及裝置。
在某些實施例中，一種用於處理基板之裝置，可包含處理腔室，具有處理空間，及包括基座以支撐基板的基板支撐件；遠端電漿源（RPS），流體耦合至處理腔室，且配置成產生自由基或具有自由基的離子化氣體混合物，而流至處理空間中以從基板的表面移除殘留物或氧化物；第一氣體傳輸系統，配置成提供至少一個第一化學物至處理空間中，以在基板的表面上產生自組裝單層（SAM）；加熱系統，定位於基座中，且配置成藉由在基板的背側上的流動氣體加熱基板；及真空系統，流體耦合至處理腔室，且配置成控制基板的加熱。
在某些實施例中，裝置可進一步包括其中第一氣體傳輸系統含有第一安瓿；其中第一氣體傳輸系統含有第二安瓿，配置成提供至少一個第二化學物至處理空間中，以幫助從基板的表面移除殘留物或氧化物；其中第二安瓿含有乙醇或甲醇；第二氣體傳輸系統，流體耦合至RPS，且配置成提供至少一個氣體以從藉由RPS生成的電漿形成離子或自由基；其中至少一個氣體為氫或氦；其中加熱系統配置成加熱基板從大約攝氏60度至大約攝氏450度；及/或其中至少一個第一化學物產生用於反向選擇原子層沉積（ALD）使用作為阻擋層的SAM。
在某些實施例中，一種用於修改基板的表面之裝置，可包含處理腔室，配置成以遠端電漿源（RPS）從基板的表面移除殘留物或氧化物，RPS流體耦合至處理腔室，且配置成產生具有自由基的離子化氣體混合物，而流至處理腔室的處理空間中；及第一氣體傳輸系統，具有第一安瓿，配置成提供至少一個第一化學物至處理腔室的處理空間中，以在基板的表面上產生自組裝單層（SAM）。
在某些實施例中，裝置可進一步包括其中第一安瓿含有未飽和基於碳的化合物；第二氣體傳輸系統，流體耦合至RPS，且配置成提供至少一個氣體以從藉由RPS生成的電漿產生離子或自由基；其中至少一個氣體為氫；第二安瓿，配置成提供至少一個第二化學物至處理腔室的處理空間中，以幫助從基板的表面移除殘留物或氧化物；其中第二安瓿含有一級醇；及/或其中至少一個第一化學物產生用於反向選擇原子層沉積（ALD）使用作為阻擋層的SAM。
在某些實施例中，一種用於處理一基板之方法，可包含以下步驟：在處理腔室中以從遠端電漿源（RPS）產生的自由基從基板的表面移除殘留物或氧化物；及不具空氣中斷且在處理腔室之中，從流體連接至處理腔室的第一安瓿以第一化學物在基板的表面的至少一部分上形成阻擋層，以在後續反向選擇原子層沉積（ALD）處理期間保護在基板上結構的至少一個底部部分。
在某些實施例中，方法可進一步包括其中第一化學物為未飽和的碳化合物；從流體連接至處理腔室的第二安瓿流動第二化學物，以與來自RPS的自由基連結幫助從基板的表面移除殘留物或氧化物；其中第二化學物為醇；及/或其中自由基為氫自由基。
以下揭露其他及進一步實施例。
方法及裝置提供整合的單一腔室方案而配置用於晶圓的預清潔（PC）且用於選擇性類型的ALD沉積的晶圓上自組裝單層（SAM）的沉積。PCSAM™ 腔室藉由在原子層沉積之前對金屬表面清潔及表面修改提供整合的方案而增加產量且減少成本。目前對銅或其他金屬在非常有限的空間下內部連接貫孔填充為具挑戰性的。屏蔽及線條變細對減少電阻-電容（RC）延遲為相關的。貫孔的底部厚度應為零或接近零。為了達成零或接近零的底部厚度，在貫孔的側面及底部之間ALD的反向選擇性沉積為所欲的（例如，沉積意圖在貫孔的側壁同時並無或受限的沉積發生在貫孔的底部）。PCSAM™ 藉由提供整合的預清潔及金屬頓化層形成系統能夠接續反向選擇ALD，以強化接觸的RC延遲，例如貫孔。
在某些實施例中，PCSAM™ 腔室可包括遠端電漿源（RPS）以提供活性還原劑，例如但非限於氫或氦，加熱器以在處理期間控制晶圓的溫度，真空系統以控制晶圓加熱及電漿控制，至少一個安瓿以提供至少一個化學物用於金屬還原及/或表面修改（例如，SAM及/或表面修復），氣體傳輸系統，及處理腔體以能夠控制處理。在某些實施例中，處理包括加熱進入的晶圓，移除殘留物及/或還原金屬氧化物，而具有最小或無基板損傷，及/或施加阻斷劑以能夠進行反向選擇ALD。
第1圖描繪預清潔腔室100的剖面視圖，具有整合的表面修改能力。預清潔腔室100為真空腔室，而適以在基板處理期間於內部空間102之中維持次大氣壓力。在某些實施例中，預清潔腔室100可維持大約1mTorr至100Torr的壓力。預清潔腔室100包括腔室主體104，而包覆定位於內部空間102的上半部中的處理空間108。腔室主體104可以金屬製成，例如鋁及類似者。腔室主體104可透過耦合至接地110而接地。
基板支撐件112佈置於內部空間102之中，以支撐且保持基板114，例如半導體晶圓，或舉例而言其他此基板。基板支撐件112可大致包含基座116及用於支撐基座116的中空支撐桿118。基座116可以基於鋁的材料或基於陶瓷的材料及類似者組成。以基於陶瓷的材料形成的基座可用於高溫處理。中空支撐桿118提供導管，以提供例如背側氣體、處理氣體、流體、冷卻劑、功率或類似者至基座116。在某些實施例中，基板支撐件112包括佈置於基座116四周的聚焦環120，以在基板114的邊緣處增強處理均勻性。在某些實施例中，聚焦環120以基於石英的材料製成。在某些實施例中，聚焦環120以基於陶瓷的材料製成。基於陶瓷的材料促進高壓處理能力。狹縫閥122可耦合至腔室主體104以促進傳送基板114進出內部空間102。
在某些實施例中，中空支撐桿118耦合至在上部處理位置及下部傳送位置之間提供基座116的垂直運動的舉升致動器124，例如馬達。基板舉升器126可包括固定在連接至桿132的平台130上的舉升銷128，桿132耦合至第二舉升致動器134，用於抬升及降低基板舉升器126，使得基板114可放置在基座116上或從基座116移除。基座116可包括通孔，以容納舉升銷128。中空支撐桿118提供氣體導管194的路徑，用於耦合背側氣體供應器136及/或RF電源供應器138至基座116。在某些實施例中，RF電源供應器138提供偏壓功率通過匹配網路140至功率導管142至基座116。在某些實施例中，藉由RF電源供應器138供應的RF能量可具有約2 MHz或更大的頻率。在某些實施例中，RF電源供應器138可具有約13.56 MHz的頻率。
在某些實施例中，背側氣體供應器136佈置於腔室主體104的外側，且供應氣體至基座116。在某些實施例中，基座116包括氣體通道144，允許氣體與基板114的背側作用，以維持給定溫度。氣體通道144配置成提供例如氮（N）、氬（Ar）或氦（He）的背側氣體至基座116的上部表面146，以作為加熱傳送媒介。氣體面板144透過氣體導管194與背側氣體供應器136流體連通，以在使用期間控制基板114的溫度及/或溫度輪廓。舉例而言，背側氣體供應器136可供應氣體以在使用期間冷卻及/或加熱基板1114。在某些實施例中，基板114可從大約攝氏60度加熱至大約攝氏450度。基板114的加熱增強清潔處理，特別對例如但非限於鎢及鈷的金屬。
預清潔腔室100包括圍繞各種腔室部件的處理套件，以避免在此等部件及蝕刻的材料及其他污染物之間非所欲的反應。處理套件包括上部護套148。在某些實施例中，上部護套148可以金屬製成，例如鋁。在某些實施例中，處理套件可以石英構成。在某些實施例中，預清潔腔室100亦耦合至可供應一或更多前驅物氣體至預清潔腔室100用於處理佈置於其中的基板的氣體傳輸系統150且與氣體傳輸系統150流體連通。在某些實施例中，氣體傳輸系統150可包括一或更多安瓿，例如第一安瓿152及可選第二安瓿154，以提供化學物用於金屬還原（例如，移除氧化物等等）及/或表面修改（阻擋層或SAM等等）。從第一安瓿152流動的化學物藉由第一流體閥188控制，且從可選第二安瓿154流動的化學物藉由第二流體閥190控制。在某些實施例中，第一安瓿152含有用以產生阻擋層用於反向選擇ALD處理的化學物。在某些實施例中，可加熱第一安瓿152且傳輸SAM前驅物直接至處理空間108中。在某些實施例中，第一安瓿152可在室溫（未加熱）下，且使用載氣傳輸SAM前驅物至處理空間108中。SAM為基於表面的化學，且在某些實施例中，經選擇以與在基板114上的金屬表面作用。在某些實施例中，第一安瓿152含有SAM化合物，例如但非限於炔烴或其他未飽和基於碳的化合物。在某些實施例中，可選第二安瓿154可含有化學物，例如但非限於醇，例如乙醇、甲醇，而用以促進從基板114移除殘留物及/或氧化物。在某些實施例中，可在殘留物及/或氧化物移除處理期間加熱基板114。
噴淋頭158定位於處理空間108上方及腔室主體104k的頂板162下方，而在噴淋頭158上方形成氣室156。噴淋頭158包括通孔160，以從氣室156流動氣體至處理空間108中。RPS 164流體連接至氣室156，以允許離子化氣體從RPS 164通過噴淋頭158流動至氣室156中，且至處理空間108中。電漿藉由通過匹配網路168提供RF能量至RPS 164的電漿RF功率源166在RPS中生成。用以形成電漿的處理氣體藉由處理氣源170供應且藉由第三流體閥186控制。藉由處理氣源170供應的電漿氣體可包括但非限於氫、氦及/或氬及類似者。RPS 164產生處理氣體的自由基，以促進從基板114清潔殘留物及/或氧化物，以從基板114的表面移除蝕刻殘留物及/或減少金屬氧化物。在某些實施例中，取代氣體傳輸系統150，處理氣源170亦可提供清潔化學物至處理空間108中，以促進基板114上的殘留物及/或氧化物的移除，且亦提供載氣用於SAM前驅物以在基板114上形成阻擋層。
幫浦通口172配置成促進從內部空間102移除粒子。預清潔腔室100耦合至且與真空系統174流體連通，真空系統174包括節流閥（未顯示）及用於排空預清潔腔室100的幫浦（未顯示）。在某些實施例中，真空系統174耦合至佈置於腔室主體104的底部表面176上的幫浦通口172。預清潔腔室100內側的壓力可藉由調整節流閥及/或真空幫浦來調節。在某些實施例中，幫浦具有每秒約1900公升至每秒約3000公升的流率。在某些實施例中，真空系統174可用以促進基板溫度的調節。
在某些實施例中，控制器178用於預清潔腔室100的操作。控制器178可使用預清潔腔室的直接控制，或者，藉由與預清潔腔室100相關聯的控制部件（或控制器）使用預清潔腔室的間接控制。在操作中，控制器178能夠從預清潔腔室100資料收集及回饋，以優化預清潔腔室100的效能。控制器178大致包括中央處理單元（CPU）180、記憶體182及支援電路184。CPU 180可為任何形式的通用電腦處理器，而可在工業設定中使用。支援電路184傳統耦合至CPU 180，且可包含快取、時鐘電路、輸入/輸出子系統、電源供應器及類似者。例如以下所述的方法的軟體常式可儲存於記憶體182中，且當藉由CPU 180執行時，將CPU 180轉變成專用電腦（控制器178）。軟體常式亦可藉由從預清潔腔室100遠端定位的第二控制器（未顯示）儲存及/或執行。
記憶體182在電腦可讀取儲存媒體的形式中，而含有指令，當藉由CPU 180執行時，促進半導體處理及裝備的操作。在記憶體182中的指令為程式產品的形式，例如實施本原理之方法的程式。程式碼可符合數種不同程式語言之任何一者。在一個範例中，本揭露案可實施作為與電腦系統一起使用儲存於電腦可讀取儲存媒體上的程式產品。程式產品的程式界定態樣的函數（包括此處所述之方法）。圖示電腦可讀取儲存媒體包括但非限於：不可寫入儲存媒體（例如，在電腦之中的唯讀記憶體設備，例如藉由CD-ROM驅動可讀取的CD-ROM碟、快閃記憶體、ROM晶片或任何類型的固態非揮發半導體記憶體），在其上永久儲存資訊；及可寫入儲存媒體（例如，在卡匣驅動或硬碟驅動之中的軟碟，或任何類型的固態隨機存取半導體記憶體），在其上儲存可變資訊。此等電腦可讀取儲存媒體，當承載引導此處所述之方法的功能的電腦可讀取指令時，為本原理之態樣。
第2圖根據某些實施例，為在預清潔腔室中處理基板之方法200。在方塊202中，以從遠端電漿源產生的自由基及/或以第一化學物在處理腔室中從基板的表面移除殘留物及/或氧化物。在某些實施例中，第一化學物藉由例如第1圖的可選第二安瓿154提供。在某些實施例中，第一化學物透過例如第1圖的RPS 164的遠端電漿系統的處理氣源170提供。第一化學物可包含一或更多額外清潔化學物，例如乙醇或甲醇，以促進清潔困難表面，例如鎢或鈷及類似者。舉例而言，具有銅接觸的基板將用以圖示方法200，但範例並非意味著以任何方式作為限制。第3圖為藉由預清潔腔室100待清潔的基板302的剖面的視圖300。基板302的第一低k介電層308具有藉由銅屏蔽層304環繞的嵌入式銅接觸306，以避免銅遷移至第一低k介電層308中。中間層310將第一低k介電層308與第二低k介電層312分開。第二低k介電層308具有氧化層314A形成於上部表面322上。基板302先前已蝕刻以在基板302中開啟貫孔318。嵌入式銅接觸306接續氧化，在貫孔318的底部處形成銅氧化層316A。
在第4圖的剖面視圖400中，基板302以在RPS 164中的電漿生成的離子化氣體的自由基402（例如但非限於氫自由基）處置。自由基引導向下至處理空間108中的基板302上。污染物或殘留物316B藉由自由基402的蝕刻效應降低。氧化層314B亦將藉由自由基402而減少。在某些實施例中，接觸將以金屬材料形成，而可能無法單純藉由自由基處置而完全清潔（例如，鎢、鈷等等）。額外的清潔化學物可注入處理空間108中，以促進清潔基板。額外的清潔化學物可為但非限於乙醇或甲醇及類似者。在某些實施例中，額外的清潔化學物可透過RPS 164藉由處理氣源170提供，或藉由可選第二安瓿154直接提供至處理空間108中。清潔處理將持續直到已從嵌入式銅接觸306移除殘留物或氧化物。在第5圖的剖面視圖500中，嵌入式銅接觸306的表面502已清潔掉任何殘留物或氧化物，且準備用於進一步處理。
在方塊204中，隨著藉由使用第二化學物移除殘留物及/或氧化物，在相同處理腔室中形成阻擋層。在相同預清潔腔室100中於預清潔處理及阻擋層的形成之間不具空氣中斷形成阻擋層。在某些實施例中，化學物為SAM前驅物，藉由例如第1圖的第一安瓿152直接提供至處理空間108中。在某些實施例中，於傳輸至處理空間108中之前加熱SAM前驅物。在某些實施例中，化學物為用於SAM前驅物的載氣，藉由第1圖的處理氣源170透過RPS 164提供。在某些實施例中，SAM前驅物並未加熱（室溫）。在第6圖的剖面視圖600中，基板302在處理空間108中暴露至SAM前驅物604。SAM前驅物604可藉由處理氣源170在室溫下（未加熱）提供，或藉由可包括預加熱SAM前驅物604的第一安瓿152提供。SAM前驅物604經選擇使得SAM前驅物在使用於接觸（例如，嵌入式銅接觸306）的給定金屬上對齊（建立單層），以在金屬表面上形成阻擋層602或氣相表面活性劑。阻擋層602在後續選擇性反向ALD處理中使用以在貫孔318的側壁及非接觸表面上形成屏蔽層（未顯示）。阻擋層602避免在貫孔的底部上形成屏蔽層，保持接觸遠離材料。
根據本原理的實施例可在硬體、韌體、軟體或其任意結合中實施。實施例亦可實施作為使用一或更多電腦可讀取媒體儲存的指令，而可藉由一或更多處理器讀取及執行。電腦可讀取媒體可包括任何機制用於以機器（例如，計算平台或在一或更多計算平台上運行的「虛擬機器」）可讀取的形式儲存或傳送資訊。舉例而言，電腦可讀取媒體可包括揮發或非揮發記憶體的任何適合形式。在某些實施例中，電腦可讀取媒體可包括非暫態電腦可讀取媒體。
儘管以上導向本原理的實施例，可衍生原理的其他及進一步實施例而不會背離其基本範疇。
100:預清潔腔室 102:內部空間 104:腔室主體 108:處理空間 110:接地 112:基板支撐件 114:基板 116:基座 118:中空支撐桿 120:聚焦環 122:狹縫閥 124:舉升致動器 126:基板舉升器 128:舉升銷 130:平台 132:桿 134:第二舉升致動器 136:背側氣體供應器 138:RF電源供應器 140:匹配網路 142:功率導管 144:氣體通道 146:上部表面 148:上部護套 150:氣體傳輸系統 152:第一安瓿 154:可選第二安瓿 156:氣室 158:噴淋頭 160:通孔 162:頂板 164:RPS 166:RF功率源 168:匹配網路 170:處理氣源 172:幫浦通口 174:真空系統 176:底部表面 178:控制器 180:CPU 182:記憶體 184:支援電路 186:第三流體閥 188:第一流體閥 190:第二流體閥 194:氣體導管 200:方法 202:方塊 204:方塊 300:視圖 302:基板 304:銅屏蔽層 306:嵌入式銅接觸 308:第一低k介電層 310:中間層 312:第二低k介電層 314A:氧化層 314B:氧化層 316A:銅氧化層 316B:污染物或殘留物 318:貫孔 322:上部表面 400:剖面視圖 402:自由基 500:剖面視圖 502:表面 600:剖面視圖 602:阻擋層 604:SAM前驅物
以上簡要概述且以下將詳細討論的本原理的實施例可藉由參考隨附圖式中描繪的本原理的圖示實施例而理解。然而，隨附圖式僅圖示本原理的通常實施例，且因此不應考量為範疇之限制，因為本原理可認可其他均等效果的實施例。
第1圖根據本原理的某些實施例，描繪預清潔腔室的剖面視圖。
第2圖根據本原理的某些實施例，為在預清潔腔室中處理基板之方法。
第3圖根據本原理的某些實施例，描繪在表面上具有氧化物之基板的剖面視圖。
第4圖根據本原理的某些實施例，描繪經清潔的基板的剖面視圖。
第5圖根據本原理的某些實施例，描繪在清潔之後基板的剖面視圖。
第6圖根據本原理的某些實施例，描繪在自組裝單層的形成期間基板的剖面視圖。
為了促進理解，已儘可能地使用相同的元件符號代表共通圖式中相同的元件。圖式並非按照比例繪製，且為了清楚可簡化。一個實施例的元件及特徵可有益地併入其他實施例中而無須進一步說明。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:預清潔腔室
102:內部空間
104:腔室主體
108:處理空間
110:接地
112:基板支撐件
114:基板
116:基座
118:中空支撐桿
120:聚焦環
122:狹縫閥
124:舉升致動器
126:基板舉升器
128:舉升銷
130:平台
132:桿
134:第二舉升致動器
136:背側氣體供應器
138:RF電源供應器
140:匹配網路
142:功率導管
144:氣體通道
146:上部表面
148:上部護套
150:氣體傳輸系統
152:第一安瓿
154:可選第二安瓿
156:氣室
158:噴淋頭
160:通孔
162:頂板
164:RPS
166:RF功率源
168:匹配網路
170:處理氣源
172:幫浦通口
174:真空系統
176:底部表面
178:控制器
180:CPU
182:記憶體
184:支援電路
186:第三流體閥
188:第一流體閥
190:第二流體閥
194:氣體導管

Claims (20)

  1. 一種用於處理一基板之裝置，包含： 一處理腔室，具有一處理空間，及包括一基座以支撐該基板的一基板支撐件； 一遠端電漿源（RPS），流體耦合至該處理腔室，且配置成產生自由基或具有自由基的離子化氣體混合物，而流至該處理空間中以從該基板的一表面移除殘留物或氧化物； 一第一氣體傳輸系統，配置成提供至少一個第一化學物至該處理空間中，以在該基板的該表面上產生一自組裝單層（SAM）； 一加熱系統，定位於該基座中，且配置成藉由在該基板的一背側上流動氣體而加熱一基板；及 一真空系統，流體耦合至該處理腔室，且配置成控制該基板的加熱。
  2. 如請求項1所述之裝置，其中該第一氣體傳輸系統含有一第一安瓿。
  3. 如請求項2所述之裝置，其中該第一氣體傳輸系統含有一第二安瓿，配置成提供至少一個第二化學物至該處理空間中，以幫助從該基板的該表面移除殘留物或氧化物。
  4. 如請求項3所述之裝置，其中該第二安瓿含有乙醇或甲醇。
  5. 如請求項1所述之裝置，進一步包含： 一第二氣體傳輸系統，流體耦合至該RPS，且配置成提供至少一個氣體以從藉由該RPS生成的一電漿形成離子或自由基。
  6. 如請求項5所述之裝置，其中該至少一個氣體為氫或氦。
  7. 如請求項1所述之裝置，其中該加熱系統配置成加熱該基板從大約攝氏60度至大約攝氏450度，以減少在該基板的該表面上的氧化物。
  8. 如請求項1所述之裝置，其中該至少一個第一化學物產生用於反向選擇原子層沉積（ALD）使用作為一阻擋層的該SAM。
  9. 一種用於修改一基板的一表面之裝置，包含： 一處理腔室，配置成以一遠端電漿源（RPS）從該基板的該表面移除殘留物或氧化物，該RPS流體耦合至該處理腔室，且配置成產生具有自由基的一離子化氣體混合物，而流至該處理腔室的一處理空間中；及 一第一氣體傳輸系統，具有一第一安瓿，配置成提供至少一個第一化學物至該處理腔室的該處理空間中，以在該基板的該表面上產生一自組裝單層（SAM）。
  10. 如請求項9所述之裝置，其中該第一安瓿含有未飽和基於碳的化合物。
  11. 如請求項9所述之裝置，進一步包含： 一第二氣體傳輸系統，流體耦合至該RPS，且配置成提供至少一個氣體以從藉由該RPS生成的一電漿產生離子或自由基。
  12. 如請求項11所述之裝置，其中該至少一個氣體為氫。
  13. 如請求項9所述之裝置，進一步包含： 一第二安瓿，配置成提供至少一個第二化學物至該處理腔室的該處理空間中，以幫助從該基板的該表面移除殘留物或氧化物。
  14. 如請求項13所述之裝置，其中該第二安瓿含有一級醇。
  15. 如請求項9所述之裝置，其中該至少一個第一化學物產生用於反向選擇原子層沉積（ALD）使用作為一阻擋層的該SAM。
  16. 一種用於處理一基板之方法，包含以下步驟： 在一處理腔室中以從一遠端電漿源（RPS）產生的自由基從該基板的一表面移除殘留物或氧化物；及 不具一空氣中斷且在該處理腔室之中，從流體連接至該處理腔室的一第一安瓿以一第一化學物在該基板的該表面的至少一部分上形成一阻擋層，以在一後續反向選擇原子層沉積（ALD）處理期間保護在該基板上結構的至少一個底部部分。
  17. 如請求項16所述之方法，其中該第一化學物為一未飽和碳化合物。
  18. 如請求項16所述之方法，進一步包含以下步驟： 從流體連接至該處理腔室的一第二安瓿流動一第二化學物，以與來自該RPS的該等自由基連結幫助從該基板的該表面移除殘留物或氧化物。
  19. 如請求項18所述之方法，其中該第二化學物為一醇。
  20. 如請求項16所述之方法，其中該等自由基為氫自由基。
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