TW202113444A - 電致變色裝置及其製備方法 - Google Patents

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Abstract

一種電致變色裝置之製備方法，包括以下步驟：沉積第一透明導電膜於第一基材上；沉積第一網狀導電結構於第一透明導電膜上；沉積第二透明導電膜於第一網狀導電結構上；以電弧電漿沉積電致變色層於第二透明導電膜上，電致變色層之材料係選自三氧化鎢或氧化鉬；沉積第三透明導電膜於第二基材上；沉積第二網狀導電結構於第三透明導電膜上；沉積第四透明導電膜於第二網狀導電結構上；形成離子儲存層於第四透明導電膜上，離子儲存層之材料為普魯士藍；形成電解質層於電致變色層與離子儲存層之間。此外，一種電致變色裝置亦被提出。

Description

電致變色裝置及其製備方法
本發明是有關於一種電致變色裝置及其製備方法。
電致變色(Electrochromic)係指當物質經由電子轉移或氧化還原反應，可於可見光範圍產生新的吸收峰，進而顯現出不同色澤或顏色深淺變化的現象，這種顏色變化必須具備可逆性，亦即當顏色在某電位下改變後，再施以另一電位可回復到原來的顏色。藉由此種電致變色裝置，因耗電少，可用於如可吸收部分太陽光之節能智慧窗、抗強光之汽車後視鏡、汽車天窗、電子紙等之應用，由此可知，電致變色裝置能應用於商業建築、住辦大樓與智能家居等場景中。
現有電致變色裝置之製備方式，多為造價昂貴之磁控式電漿濺鍍設備，製程所需工時過長，大幅提高生產成本，以致於元件售價高，導致無法普遍應用於商業建築、住辦大樓與智能家居等場景中，進而造成市場普及率偏低。
因此，如何改良並能提供一種『電致變色裝置及其製備方法』來避免上述所遭遇到的問題，係業界所待解決之課題。
本發明提供一種電致變色裝置及其製備方法，可降低製程所需時間與節省製造成本，並可提升整體電致變色裝置之特性。
本發明之一實施例提出一種電致變色裝置製備方法，包括以下步驟：沉積第一透明導電膜於第一基材上；沉積第一網狀導電結構於第一透明導電膜上；沉積第二透明導電膜於第一網狀導電結構上；以電弧電漿沉積電致變色層於第二透明導電膜上，以構成第一電極結構，其中電致變色層之材料係選自三氧化鎢或氧化鉬；沉積第三透明導電膜於第二基材上；沉積第二網狀導電結構於第三透明導電膜上；沉積第四透明導電膜於第二網狀導電結構上；形成離子儲存層於第四透明導電膜上，以構成第二電極結構，其中離子儲存層之材料為普魯士藍；結合第一電極結構與第二電極結構，使第一電極結構中的電致變色層對應於第二電極結構中的離子儲存層；形成電解質層於電致變色層與離子儲存層之間，以構成電致變色裝置。
在本發明之一實施例中，上述沉積第一網狀導電結構於第一透明導電膜上的步驟中，包括以下步驟：提供一金屬遮罩體於第一透明導電膜上，金屬遮罩體具有複數個孔洞結構；以及濺鍍金屬材料於金屬遮罩體與第一透明導電膜上，使金屬材料沉積於孔洞結構之內，以形成第一網狀導電結構。
在本發明之一實施例中，上述沉積第二網狀導電結構於第三透明導電膜上的步驟中，包括以下步驟：提供一金屬遮罩體於第三透明導電膜上，金屬遮罩體具有複數個孔洞結構；以及濺鍍金屬材料於金屬遮罩體與第三透明導電膜上，使金屬材料沉積於孔洞結構之內，以形成第二網狀導電結構。
在本發明之一實施例中，上述形成離子儲存層於第四透明導電膜上的步驟中，包括以下步驟：藉由旋轉塗佈法將離子儲存層之材料塗佈於第四透明導電膜上。
在本發明之一實施例中，上述結合第一電極結構與第二電極結構的步驟中，包括以下步驟：反轉第一電極結構，使第一電極結構中的電致變色層朝向第二電極結構中的離子儲存層。
在本發明之一實施例中，上述形成電解質層於電致變色層與離子儲存層之間的步驟中，包括以下步驟：於第一電極結構中的電致變色層與第二電極結構中的離子儲存層之間進行黏貼，使電致變色層與離子儲存層之間具有一填補空間；以及對填補空間注入一電解質，以形成電解質層。
本發明之一實施例另提出一種電致變色裝置，包括第一電極結構、第二電極結構以及電解質層。第一透明導電膜設置於第一基材與第一網狀導電結構之間，第一網狀導電結構設置於第一透明導電膜與第二透明導電膜之間，第二透明導電膜設置於第一網狀導電結構與電致變色層之間，且第一網狀導電結構內包括複數個第一導線，第一導線排列設置於第一透明導電膜與第二透明導電膜之間，電致變色層設置於第二透明導電膜上，且電致變色層之材料係選自三氧化鎢或氧化鉬。第二電極結構包括第二基材、第三透明導電膜、第二網狀導電結構、第四透明導電膜以及離子儲存層。第三透明導電膜設置於第二基材與第二網狀導電結構之間，第二網狀導電結構設置於第三透明導電膜與第四透明導電膜之間，第四透明導電膜設置於第二網狀導電結構與離子儲存層之間，且離子儲存層之材料為普魯士藍。電解質層設置於第一電極結構中的電致變色層與第二電極結構中的離子儲存層之間。
在本發明之一實施例中，上述第一導線之材料為銀。
在本發明之一實施例中，上述第一網狀導電結構包括一網狀結構，網狀結構係由第一導線排列。
在本發明之一實施例中，上述第二導線之材料為銀。
在本發明之一實施例中，上述第二網狀導電結構包括一網狀結構，網狀結構係由第二導線排列。
基於上述，在本發明之電致變色裝置及其製備方法中，藉由電弧電漿技術沉積電致變色層之主要電極，除了可降低製程所需時間與節省製造成本以外，還能有效強化其耐電壓特性、具有較佳的變色效率特性以及可延長使用壽命。
再者，本發明採用普魯士藍(Prussian blue，PB)為陽極變色材料，普魯士藍(Prussian blue，PB)與電致變色層之陰極變色材料中的三氧化鎢(WO3 )或氧化鉬(MoO3 )匹配性佳，可具有更佳的光學性質、著色效率與更快的響應時間。
此外，本發明之透明導電層可設計成三層疊構結構，可形成上、下透明導電膜之間具有一網狀導電結構，網狀導電結構是由多條銀製導線所排列形成，可透過導線作為電極傳輸。由於這些導線並非全部佈滿於上、下透明導電膜之間，換言之，導線並非以整層面積作為傳輸，而是透過每條導線排列形成的結構，構成多個小單元的傳輸面積，可藉此解決電子傳輸層(透明導電電極層)之橫向阻抗過大的問題以外，更可改善以整層透明導電層面積之傳輸過程中會遇到變色不均及反應時間過長等問題。
為讓本發明能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
以下結合附圖和實施例，對本發明的具體實施方式作進一步描述。以下實施例僅用於更加清楚地說明本發明的技術方案，而不能以此限制本發明的保護範圍。
需說明的是，在各個實施例的說明中，當一元件被描述是在另一元件之「上方/上」或「下方/下」，係指直接地或間接地在該另一元件之上或之下的情況，其可能包含設置於其間的其他元件；所謂的「直接地」係指其間並未設置其他中介元件。「上方/上」或「下方/下」等的描述係以圖式為基準進行說明，但亦包含其他可能的方向轉變。所謂的「第一」、「第二」、「第三」、及「第四」係用以描述不同的元件，這些元件並不因為此類謂辭而受到限制。為了說明上的便利和明確，圖式中各元件的厚度或尺寸，係以誇張或省略或概略的方式表示，且各元件的尺寸並未完全為其實際的尺寸。
第1圖為本發明之電致變色裝置一實施例的示意圖。請參閱第1圖。本實施例之電致變色裝置200為一互補式電變色元件，電致變色裝置200包括一第一電極結構A2、一第二電極結構B2以及一電解質層170，其中第一電極結構A2作為陰極電極，第二電極結構B2作為陽極電極，電解質層170位於第一電極結構A2與第二電極結構B2之間。
在本實施例中，第一電極結構A2包括第一基材110、第一透明導電膜222、第一網狀導電結構224、第二透明導電膜226以及電致變色層130。第一基材110之材料可為玻璃，第一透明導電膜222設置於第一基材110與第一網狀導電結構224之間，第一網狀導電結構224設置於第一透明導電膜222與第二透明導電膜226之間，第二透明導電膜226設置於第一網狀導電結構224與電致變色層130之間。
在本實施例中，藉由第一透明導電膜222、第一網狀導電結構224與第二透明導電膜226構成一個透明導電電極層220，其中第一透明導電膜222與第二透明導電膜226之材料可為氧化銦錫(ITO)，第一網狀導電結構224內包括複數個第一導線F1，第一導線排列F1設置於第一透明導電膜222與第二透明導電膜226之間。此外，電致變色層130內之陰極變色材料係選自三氧化鎢(WO3 )或氧化鉬(MoO3 )。
在此配置之下，本實施例之第一導線F1之材料為銀，故可透過第一導線F1作為電極傳輸，第一導線F1並非全部佈滿於第一透明導電膜222與第二透明導電膜226之間，換言之，第一導線F1並非以整層面積作為傳輸，而是透過每條第一導線F1排列形成的結構，構成多個小單元的傳輸面積，如第5圖所示，由第一導線F1排列形成一網狀結構，而具有多個小單元的傳輸面積，可藉此解決電子傳輸層(如透明導電電極層220中的第一透明導電膜222、第一網狀導電結構224與第二透明導電膜226)之橫向阻抗過大的問題以外，更可改善以整層透明導電電極層220面積之傳輸過程中會遇到變色不均及反應時間過長等問題。
在本實施例中，第二電極結構B2包括第二基材140、第三透明導電膜252、第二網狀導電結構254、第四透明導電膜256以及離子儲存層160。第二基材140之材料可為玻璃，第三透明導電膜252設置於第二基材140與第二網狀導電結構254之間，第二網狀導電結構254設置於第三透明導電膜252與第四透明導電膜256之間，第四透明導電膜256設置於第二網狀導電結構254與離子儲存層160之間。
在本實施例中，藉由第三透明導電膜252、第二網狀導電結構254、第四透明導電膜256構成一個透明導電電極層250，其中第三透明導電膜252與第四透明導電膜256之材料可為氧化銦錫(ITO)，第二網狀導電結構254內包括複數個第二導線F2，第二導線F2排列設置於第三透明導電膜252與第四透明導電膜256之間，本實施例之第二導線F2之材料為銀，故可透過第二導線F2作為電極傳輸，第二導線F2並非全部佈滿於第三透明導電膜252與第四透明導電膜256之間，換言之，第二導線F2並非以整層面積作為傳輸，而是透過每條第二導線F2排列形成的結構，構成多個小單元的傳輸面積。舉例而言，可如第5圖所示，將第一導線F1替換成第二導線F2並排列形成一網狀結構，而具有多個小單元的傳輸面積，可藉此解決電子傳輸層(如透明導電電極層250)之橫向阻抗過大的問題以外，更可改善以整層透明導電電極層250面積之傳輸過程中會遇到變色不均及反應時間過長等問題。
另外，離子儲存層160具有儲存離子的功用，離子儲存層160在變色過程中供應所需的離子，離子儲存層160之陽極變色材料為普魯士藍。在本實施例中，除了電致變色層130以外，離子儲存層160也可作為另一個變色膜層，故可利用兩種不同變色特性的材料，讓電致變色層130與離子儲存層160分別是陰極變色材料與陽極變色材料，讓電致變色層130為透明端，離子儲存層160為著色端，藉由施加正、負電壓後，該透明端會變成著色狀態，而該著色端則被去色狀態而變成透明狀態，而稱為互補式電變色元件。
在本實施例中，電解質層170設置於第一電極結構A2中的電致變色層130與第二電極結構B2中的離子儲存層160之間，其中電解質層170之材料可包括LiClO4 -PC。
在此配置之下，本實施例之電致變色裝置200除了藉由電弧電漿技術沉積電致變色層130，可有效強化其耐電壓特性、具有較佳的變色效率特性以及可延長使用壽命以外，本實施例陽極變色材料為普魯士藍(Prussian blue，PB)，其與電致變色層130之陰極變色材料中的三氧化鎢(WO3 )或氧化鉬(MoO3 )匹配性佳，可具有更佳的光學性質、著色效率與更快的響應時間。
此外，本發明之透明導電層可設計成一三層疊構結構，可形成上、下透明導電膜之間具有一網狀導電結構，網狀導電結構是由多條銀製導線所排列形成，可透過導線作為電極傳輸。由於這些導線並非全部佈滿於上、下透明導電膜之間，換言之，導線並非以整層面積作為傳輸，而是透過每條導線排列形成的結構，構成多個小單元的傳輸面積，可藉此解決電子傳輸層(透明導電層)之橫向阻抗過大的問題以外，更可改善以整層透明導電層面積之傳輸過程中會遇到變色不均及反應時間過長等問題。
第2圖為本發明之電致變色裝置製備方法一實施例的流程圖。第3A圖至第3I圖為本發明依據第1圖之電致變色裝置製備方法的示意圖。請先參閱第2圖。本實施例之電致變色裝置製備方法S100包括以下步驟S101至步驟S110。
首先，進行步驟S101，沉積第一透明導電膜222於第一基材110上。如第3A圖所示，第一基材110之材料可為玻璃，第一透明導電膜222之材料為氧化銦錫(ITO)。詳細步驟如下：首先，置放第一基材110於濺鍍腔體內。接著對濺鍍腔體內抽真空，使濺鍍腔體內的真空度達8x10-6 torr 壓力以下。通入氬氣於真空狀態下的濺鍍腔體之內，而後藉由濺鍍(sputtering)方法沉積第一透明導電膜222於第一基材110上，第一透明導電膜222的厚度H1約為300 nm。
在本實施例中，第一透明導電膜222形成於第一基材110上之後，進行步驟S102，沉積第一網狀導電結構224於第一透明導電膜222上(如第3B圖所示)。詳細步驟如下：首先，如第4圖所示，提供金屬遮罩體M於第一透明導電膜222上，即沿著厚度方向L1，金屬遮罩體M設置在第一透明導電膜222的上方。金屬遮罩體M為由金屬製成，且並未限制金屬遮罩體M的形狀與尺寸，並可依據實際第一透明導電膜222的形狀與尺寸，調整金屬遮罩體M的形狀與尺寸。
在本實施例中，金屬遮罩體M具有複數個孔洞結構P，孔洞結構P為一長方形孔洞，長方形孔洞為係沿著第一方向L2排列，孔洞結構P的形狀可依據實際導線排列而可調整每個孔洞結構P之間的間距。接著，濺鍍金屬材料於金屬遮罩體M與第一透明導電膜222上，使金屬材料沉積於孔洞結構P之內，以形成第一網狀導電結構224中的第一導線F1，如第3B圖所示，第一網狀導電結構224的厚度H2約為20 nm至50 nm。
舉例而言，使用金屬遮罩體M鍍製第一層的導線F11(如第5圖所示)，其中導線F11沿著第一方向L2排列，接著，將金屬遮罩體M旋轉90度，使得孔洞結構P沿著第二方向L3排列，而後鍍製第二層的導線F12，可使導線F12沿著第二方向L3排列，導線F11、導線F12構成第一導線F1，使得第一導線F1排列成網狀結構。當然，本發明不對此加以限制，在一未繪示實施例中，亦可直接將金屬遮罩體設計成孔洞結構P排列成網狀結構，亦可直接鍍製第一導線F1為網狀結構。
在本實施例中，第一網狀導電結構224形成於第一透明導電膜222上之後，即沿著厚度方向L1，第一網狀導電結構224設置在第一透明導電膜222的上方之後，接著，進行步驟S103，沉積第二透明導電膜226於第一網狀導電結構224上(如第3C圖所示)。詳細步驟如下：首先，置放第一基材110、第一透明導電膜222與第一網狀導電結構224形成之結構體於濺鍍腔體內。接著對濺鍍腔體內抽真空，使濺鍍腔體內的真空度達8x10-6 torr 壓力以下。通入氬氣於真空狀態下的濺鍍腔體之內，而後藉由濺鍍(sputtering)方法沉積第二透明導電膜226於第一網狀導電結構224上，第二透明導電膜226的厚度H3約為300 nm。
在本實施例中，第二透明導電膜226形成於第一網狀導電結構224上，即沿著厚度方向L1，第二透明導電膜226設置在第一網狀導電結構224的上方之後，接著，進行步驟S104，於氧氣及氬氣之一混合氣體下，以電弧電漿沉積電致變色層130於第二透明導電膜226上(如第3D圖)，以構成如第1圖所示之第一電極結構A2，其中電致變色層130之陰極變色材料係選自三氧化鎢(WO3 )或氧化鉬(MoO3 )等金屬氧化物，電致變色層130的厚度約為175 nm至200 nm。
在形成如第4圖所示的第一電極結構A2之後，接著，進行步驟S105，沉積第三透明導電膜252於第二基材140上(如第3E圖)，其中第二基材140之材料可為玻璃，第三透明導電膜252之材料為氧化銦錫(ITO)。詳細步驟如下：首先，置放第二基材140於濺鍍腔體內。接著對濺鍍腔體內抽真空，使濺鍍腔體內的真空度達8x10-6 torr 壓力以下。通入氬氣於真空狀態下的濺鍍腔體之內，而後藉由濺鍍(sputtering)方法沉積第三透明導電膜252於第二基材140上，第三透明導電膜252的厚度H4約為300 nm。
在本實施例中，第三透明導電膜252形成於第二基材140上之後，接著，進行步驟S106，沉積第二網狀導電結構254於第三透明導電膜252上，其中濺鍍第二網狀導電結構254的步驟與前述濺鍍第一網狀導電結構224的步驟類似，提供金屬遮罩體M於第三透明導電膜254上，金屬遮罩體M具有複數個孔洞結構P。接著，濺鍍金屬材料於金屬遮罩體M與第三透明導電膜254上，使金屬材料沉積於孔洞結構P之內，以形成第二網狀導電結構254，即透過金屬遮罩體與其孔洞結構，形成第二網狀導電結構254中的第二導線F2，如第3F圖所示，第二網狀導電結構254的厚度H5約為20 nm至50 nm，而第二導線F2可形成如第5圖所示之網狀結構。
在本實施例中，第二網狀導電結構254形成於第三透明導電膜252上之後，接著，進行步驟S107，沉積第四透明導電膜256於第二網狀導電結構254上(如第3G圖所示)，其中第四透明導電膜256之材料為氧化銦錫(ITO)。詳細步驟如下：首先，置放第二基材140、第三透明導電膜252與第二網狀導電結構254形成之結構體於濺鍍腔體內。接著對濺鍍腔體內抽真空，使濺鍍腔體內的真空度達8x10-6 torr 壓力以下。通入氬氣於真空狀態下的濺鍍腔體之內，而後藉由濺鍍(sputtering)方法沉積第四透明導電膜256於第二網狀導電結構254上，第四透明導電膜256的厚度H6約為300 nm。
在本實施例中，第四透明導電膜256形成於第二網狀導電結構254上之後，接著，進行步驟S108，形成離子儲存層160於第四透明導電膜256上(如第3G圖所示)，以構成如第1圖所示之第二電極結構B2，離子儲存層160的厚度約為130 nm，其中離子儲存層160之陽極變色材料為普魯士藍，普魯士藍可與電致變色層130之三氧化鎢(WO3 )或氧化鉬(MoO3 )等陰極變色材料之匹配性佳，匹配性佳係指包含高光學穿透率變化量、元件長時間可靠度佳、變色速率快與著色對比高。在一實施例中，可透過旋轉塗佈法，藉由Fe(NO3 )3 9H2 O+Na4[Fe(CN)6 ] 10H2 O)混合經由震盪與離心後，合成Fe-HCF core，再加入表面處理劑經攪拌與乾燥最後形成可分散於水相的普魯士藍之奈米粒子，將普魯士藍之奈米粒子的塗佈於第四透明導電膜256上。
在上述形成第一電極結構A2與第二電極結構B2之後，接著，進行步驟S109，結合第一電極結構A2與第二電極結構B2，使第一電極結構A2中的電致變色層130對應於第二電極結構B2中的離子儲存層160(如第3I圖)。詳細步驟如下：反轉第一電極結構A2，使第一電極結構A2中的電致變色層130的位置朝向並可對應至第二電極結構B2中的離子儲存層160的位置。接著，於第一電極結構A2中的電致變色層130與第二電極結構B2中的離子儲存層160之間進行黏貼，藉由黏著劑、膠帶等黏貼元件180，黏貼元件180本身具有一長度，黏貼於電致變色層130與離子儲存層160之間會有一厚度距離D2，使電致變色層130與離子儲存層160之間具有一填補空間G2。最後對填補空間G2注入一電解質，形成如第1圖所示之電解質層170，以構成一電致變色裝置200，其中電解質層170的厚度為2 um
在此配置之下，由於電致變色層130主要關鍵材料多為高熔點靶材，相較於使用磁控式電漿濺鍍設備來製作電致變色層130，本實施例之電致變色裝置製備方法S100藉由電弧電漿技術沉積電致變色層130，相較於濺鍍之鍍料的離化率5%來說，採用電弧電漿技術之鍍料的離化率可高達65%至90%之比例範圍，藉此可大幅提升鍍料的離化率，除可降低製程所需時間與節省製造成本以外，更可改善電致變色層130的性能，有效強化電致變色層130耐電壓特性、具有較佳的變色效率特性以及可延長使用壽命。
除此之外，本實施例陽極變色材料為普魯士藍(Prussian blue，PB)，其與電致變色層130之陰極變色材料匹配性佳，可具有更佳的光學性質、著色效率與更快的響應時間。
綜上所述，在本發明之電致變色裝置及其製備方法中，藉由電弧電漿技術沉積電致變色層之主要電極，除了可降低製程所需時間與節省製造成本以外，還能有效強化其耐電壓特性、具有較佳的變色效率特性以及可延長使用壽命。
再者，本發明採用普魯士藍(Prussian blue，PB)為陽極變色材料，普魯士藍(Prussian blue，PB)與電致變色層之陰極變色材料中的三氧化鎢(WO3 )或氧化鉬(MoO3 )匹配性佳，可具有更佳的光學性質、著色效率與更快的響應時間。
此外，本發明之透明導電層可設計成三層疊構結構，可形成上、下透明導電膜之間具有一網狀導電結構，網狀導電結構是由多個銀材料製作的導線排列而成，可透過導線作為電極傳輸，由於這些導線並非全部佈滿於上、下透明導電膜之間，換言之，導線並非以整層面積作為傳輸，而是透過每條導線排列形成的結構，構成多個小單元的傳輸面積，可藉此解決電子傳輸層(透明導電電極層)之橫向阻抗過大的問題以外，更可改善以整層透明導電層面積之傳輸過程中會遇到變色不均及反應時間過長等問題。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
200:電致變色裝置 110:第一基材 130:電致變色層 140:第二基材 160:離子儲存層 170:電解質層 180:黏貼元件 220:透明導電電極層 222:第一透明導電膜 224:第一網狀導電結構 226:第二透明導電膜 250:透明導電電極層 252:第三透明導電膜 254:第二網狀導電結構 256:第四透明導電膜 A2:第一電極結構 B2:第二電極結構 D2:厚度距離 H1:厚度 H2:厚度 H3:厚度 H4:厚度 H5:厚度 H6:厚度 F1:第一導線 F11:導線 F12:導線 F2:第二導線 G2:填補空間 L1:厚度方向 L2:第一方向 L3:第二方向 M:金屬遮罩體 P:孔洞結構 S100:電致變色裝置製備方法 S101~S110:步驟
第1圖為本發明之電致變色裝置一實施例的示意圖。 第2圖為本發明之電致變色裝置製備方法一實施例的流程圖。 第3A圖至第3I圖為本發明依據第1圖之電致變色裝置製備方法的示意圖。 第4圖為本發明之金屬遮罩體設置在第一透明導電膜上的示意圖。 第5圖為本發明之第一導線排列之網狀結構的示意圖。
S100:電致變色裝置製備方法
S101~S110:步驟

Claims (11)

  1. 一種電致變色裝置之製備方法，包括以下步驟： 沉積一第一透明導電膜於一第一基材上； 沉積一第一網狀導電結構於該第一透明導電膜上； 沉積一第二透明導電膜於該第一網狀導電結構上； 以電弧電漿沉積一電致變色層於該第二透明導電膜上，以構成一第一電極結構，其中該電致變色層之材料係選自三氧化鎢或氧化鉬； 沉積一第三透明導電膜於一第二基材上； 沉積一第二網狀導電結構於該第三透明導電膜上； 沉積一第四透明導電膜於該第二網狀導電結構上； 形成一離子儲存層於該第四透明導電膜上，以構成一第二電極結構，其中該離子儲存層之材料為普魯士藍； 結合該第一電極結構與該第二電極結構，使該第一電極結構中的該電致變色層對應於該第二電極結構中的該離子儲存層；以及 形成一電解質層於該電致變色層與該離子儲存層之間，以構成一電致變色裝置。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的電致變色裝置之製備方法，其中所述沉積該第一網狀導電結構於該第一透明導電膜上的步驟中，包括以下步驟： 提供一金屬遮罩體於該第一透明導電膜上，該金屬遮罩體具有複數個孔洞結構；以及 濺鍍該金屬材料於該金屬遮罩體與該第一透明導電膜上，使該金屬材料沉積於該孔洞結構之內，以形成該第一網狀導電結構。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的電致變色裝置之製備方法，其中所述沉積該第二網狀導電結構於該第三透明導電膜上的步驟中，包括以下步驟： 提供一金屬遮罩體於該第三透明導電膜上，該金屬遮罩體具有複數個孔洞結構；以及 濺鍍該金屬材料於該金屬遮罩體與該第三透明導電膜上，使該金屬材料沉積於該孔洞結構之內，以形成該第二網狀導電結構。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的電致變色裝置之製備方法，其中所述形成該離子儲存層於該第四透明導電膜上的步驟中，包括以下步驟： 藉由旋轉塗佈法將該離子儲存層之該材料塗佈於該第四透明導電膜上。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的電致變色裝置之製備方法，其中所述結合該第一電極結構與該第二電極結構的步驟中，包括以下步驟： 反轉該第一電極結構，使該第一電極結構中的該電致變色層朝向該第二電極結構中的該離子儲存層。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的電致變色裝置之製備方法，其中所述形成該電解質層於該電致變色層與該離子儲存層之間的步驟中，包括以下步驟： 於該第一電極結構中的該電致變色層與該第二電極結構中的該離子儲存層之間進行黏貼，使該電致變色層與該離子儲存層之間具有一填補空間；以及 對該填補空間注入一電解質，以形成該電解質層。
  7. 一種電致變色裝置，包括： 一第一電極結構，包括一第一基材、一第一透明導電膜、一第一網狀導電結構、一第二透明導電膜以及一電致變色層，其中該第一透明導電膜設置於該第一基材與該第一網狀導電結構之間，該第一網狀導電結構設置於該第一透明導電膜與該第二透明導電膜之間，該第二透明導電膜設置於該第一網狀導電結構與該電致變色層之間，且該第一網狀導電結構內包括複數個第一導線，該複數個第一導線排列設置於該第一透明導電膜與該第二透明導電膜之間，該電致變色層設置於該第二透明導電膜上，且該電致變色層之材料係選自三氧化鎢或氧化鉬； 一第二電極結構，包括一第二基材、一第三透明導電膜、一第二網狀導電結構、一第四透明導電膜以及一離子儲存層，其中該第三透明導電膜設置於該第二基材與該第二網狀導電結構之間，該第二網狀導電結構設置於該第三透明導電膜與該第四透明導電膜之間，該第四透明導電膜設置於該第二網狀導電結構與該離子儲存層之間，且該離子儲存層之材料為普魯士藍；以及 一電解質層，設置於該第一電極結構中的該電致變色層與該第二電極結構中的該離子儲存層之間。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的電致變色裝置，其中各該第一導線之材料為銀。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的電致變色裝置，其中該第一網狀導電結構包括一網狀結構，該網狀結構係由該複數個第一導線排列。
  10. 如申請專利範圍第7項所述的電致變色裝置，其中各該第二導線之材料為銀。
  11. 如申請專利範圍第7項所述的電致變色裝置，其中該第二網狀導電結構包括一網狀結構，該網狀結構係由該複數個第二導線排列。
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