TW202111065A - 填充有暫時接著劑組成物的放入暫時接著劑組成物的容器、暫時接著劑組成物的保存方法、及放入暫時接著劑組成物的容器的製造方法 - Google Patents

Abstract

一種放入暫時接著劑組成物的容器、暫時接著劑組成物的保存方法、及放入暫時接著劑組成物的容器的製造方法，所述放入暫時接著劑組成物的容器具有暫時接著劑組成物與容器，暫時接著劑組成物包含含有聚苯乙烯系彈性體的固體成分及有機溶劑，且以滿足式（1）的狀態填充暫時接著劑組成物； X+|85-Y|≦100···（1） X是指表示Xa相對於Xb的比例的分率，Xa表示暫時接著劑組成物中的固體成分的調配濃度，Xb表示暫時接著劑組成物中的固體成分於保存溫度下的飽和溶解濃度，Y是表示保存溫度下的暫時接著劑組成物的體積相對於容器容積的比例的填充率，X與Y的單位為%。

Description

填充有暫時接著劑組成物的放入暫時接著劑組成物的容器、暫時接著劑組成物的保存方法、及放入暫時接著劑組成物的容器的製造方法

本發明是有關於一種填充有暫時接著劑組成物的放入暫時接著劑組成物的容器、暫時接著劑組成物的保存方法、及放入暫時接著劑組成物的容器的製造方法。

半導體元件的製造步驟（半導體製程）例如包括使矽晶圓等基板成為晶片或元件狀為止的處理過程，亦被稱作晶圓製程（wafer process或wafer processing）。於晶圓製程中，對矽晶圓等基板實施各種加工。具體而言，微影、雜質原子的注入或擴散、氧化膜去除-形成、乾式蝕刻、濕式蝕刻、深蝕刻（etch back）、焊料、鍍敷、濺鍍、化學蒸鍍法（化學氣相沈積（Chemical Vapor Deposition，CVD））、物理蒸鍍法（物理氣相沈積（Physical Vapor Deposition，PVD））、化學機械研磨（Chemical Mechanical Polishing，CMP）、清洗、切割、晶粒結合（die bonding）、安裝、退火、封裝等。有時於此種各種加工之間將矽晶圓等基板暫時接著於加工裝置或支撐體上。即，有時進行如下操作：暫時接著矽晶圓或晶片等被加工構件，實施所需的加工後取下，並暫時接著於另一加工裝置的支撐體上。

作為此種暫時接著劑組成物，例如於專利文獻1中揭示一種單液型貼合劑，該單液型貼合劑包含調配有規定量的乙烯基系聚合體與黏著賦予樹脂及硬化觸媒的硬化性組成物，且硬化性組成物被填充至密閉容器中。且記載有如下內容：根據該技術，藉由在建築等施工現場直接形成不需要溶劑的乾燥步驟的黏著劑，簡化黏著劑的操作，並且可容易地於使用後的整建等中剝離被黏附體。

另外，專利文獻2揭示一種接著劑，其含有特定的濕氣硬化型樹脂組成物，且能夠於不引起凝聚破壞的情況下進行界面剝離。且記載有如下內容：藉此可於確保相對於基體的所需的接著性的同時，達成可容易地自基體剝離的易剝離性。

進而，專利文獻3揭示一種黏接著組成物，其包含規定量的特定的氫化嵌段共聚物、與選自聚異丁烯、丁基橡膠及聚丁烯中的聚合體。且記載有如下內容：藉此於製造時可製成具有高的耐熱老化性，於室溫與低溫下具有高的接著力、高的保持力，接著經時後具有高的剝離性、低的接著惡化、少的膠殘留、高的耐變色性者。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]國際公開第2006/134997號 [專利文獻2]日本專利特開2012-241080號公報 [專利文獻3]日本專利特開2016-035039號公報

[發明所欲解決之課題] 且說，本發明者等人進行了研究，結果可知，於使用暫時接著劑組成物（以下，有時稱為「暫時接著劑」）暫時接著或暫時固定載體基板等（以下，有時稱為「被加工構件」）時，有時於暫時接著劑組成物中產生顆粒（固體成分的凝聚物）。而且，若產生顆粒，則接著狀態會變得不均勻，有可能給加工品質帶來影響。另外，於過濾暫時接著劑組成物時，若頻繁地產生過濾器的堵塞，則有可能降低製造效率而給成本帶來影響。

本發明是實現解決所述課題而成者，其目的在於提供一種可抑制將暫時接著劑組成物應用於被加工構件等而製成暫時接著膜時產生的顆粒的放入暫時接著劑組成物的容器、暫時接著劑組成物的保存方法、及放入暫時接著劑組成物的容器的製造方法。 [解決課題之手段]

於認識到所述課題的基礎上，進行了努力研究，結果發現，為了抑制保存時的顆粒產生，於將暫時接著劑組成物填充至容器中時，依照規定的條件即可解決所述課題。具體而言，藉由下述手段＜1＞，較佳為藉由＜2＞～＜17＞，解決了所述課題。

＜1＞ 一種放入暫時接著劑組成物的容器，具有暫時接著劑組成物與容器， 暫時接著劑組成物包含含有聚苯乙烯系彈性體的固體成分及有機溶劑，且 以滿足下述式（1）的狀態填充暫時接著劑組成物； [數式1] X+|85-Y|≦100···（1） X是指表示Xa相對於Xb的比例的分率，Xa表示暫時接著劑組成物中的固體成分的調配濃度，Xb表示暫時接著劑組成物中的固體成分於保存溫度下的飽和溶解濃度，Y是表示保存溫度下的暫時接著劑組成物的體積相對於容器容積的比例的填充率，X與Y的單位為%。 ＜2＞ 如＜1＞所述的放入暫時接著劑組成物的容器，其中聚苯乙烯系彈性體包含氫化聚苯乙烯系彈性體。 ＜3＞ 如＜1＞或＜2＞所述的放入暫時接著劑組成物的容器，其中有機溶劑包含選自由脂肪族烴化合物、芳香族烴化合物、酮化合物、及酯化合物所組成的群組中的至少一種化合物。 ＜4＞ 如＜1＞至＜3＞中任一項所述的放入暫時接著劑組成物的容器，其中暫時接著劑組成物進而包含抗氧化劑。 ＜5＞ 如＜1＞至＜4＞中任一項所述的放入暫時接著劑組成物的容器，其中暫時接著劑組成物進而包含界面活性劑。 ＜6＞ 如＜1＞至＜5＞中任一項所述的放入暫時接著劑組成物的容器，其中有機溶劑包含芳香族烴化合物或酯化合物。 ＜7＞ 如＜1＞至＜6＞中任一項所述的放入暫時接著劑組成物的容器，其中式（1）的分率X為20%以上且90%以下。 ＜8＞ 如＜1＞至＜7＞中任一項所述的放入暫時接著劑組成物的容器，其中式（1）的填充率Y為60%以上且99.9%以下。 ＜9＞ 如＜1＞至＜8＞中任一項所述的放入暫時接著劑組成物的容器，其中暫時接著劑組成物用於在由暫時接著劑組成物所形成的暫時接著膜的表面形成包含氟碳化合物（fluorocarbon）的層的用途。 ＜10＞ 如＜1＞至＜9＞中任一項所述的放入暫時接著劑組成物的容器，其中容器為於容器的內表面包括包含含有氟碳化合物的層的接液面及實施了脫鹼處理的接液面中至少一種接液面的玻璃容器。 ＜11＞ 如＜1＞至＜10＞中任一項所述的放入暫時接著劑組成物的容器，其中容器具有：容器本體，收納暫時接著劑組成物；以及蓋，用於關閉容器本體， 蓋具有包含含有氟碳化合物的層的接液面。 ＜12＞ 一種暫時接著劑組成物的保存方法，其是將暫時接著劑組成物填充至容器中並保存的方法，所述暫時接著劑組成物的保存方法中， 暫時接著劑組成物包含含有聚苯乙烯系彈性體的固體成分及有機溶劑，且 以滿足下述式（1）的方式將暫時接著劑組成物填充至容器中； [數式2] X+|85-Y|≦100···（1） X是指表示Xa相對於Xb的比例的分率，Xa表示暫時接著劑組成物中的固體成分的調配濃度，Xb表示暫時接著劑組成物中的固體成分於保存溫度下的飽和溶解濃度，Y是表示保存溫度下的暫時接著劑組成物的體積相對於容器容積的比例的填充率，X與Y的單位為%。 ＜13＞ 如＜12＞所述的暫時接著劑組成物的保存方法，其中式（1）的分率X為20%以上且90%以下。 ＜14＞ 如＜12＞或＜13＞所述的暫時接著劑組成物的保存方法，其中式（1）的填充率Y為60%以上且99.9%以下。 ＜15＞ 一種放入暫時接著劑組成物的容器的製造方法，其是將暫時接著劑組成物填充至容器中來製造放入暫時接著劑組成物的容器的方法，所述放入暫時接著劑組成物的容器的製造方法中， 暫時接著劑組成物包含含有聚苯乙烯系彈性體的固體成分及有機溶劑，且 以滿足下述式（1）的方式將暫時接著劑組成物填充至容器中； [數式3] X+|85-Y|≦100···（1） X是指表示Xa相對於Xb的比例的分率，Xa表示暫時接著劑組成物中的固體成分的調配濃度，Xb表示暫時接著劑組成物中的固體成分於保存溫度下的飽和溶解濃度，Y是保存溫度下的暫時接著劑組成物的體積相對於容器容積的比例，X與Y的單位為%。 ＜16＞ 如＜15＞所述的放入暫時接著劑組成物的容器的製造方法，其中式（1）的分率X為20%以上且90%以下。 ＜17＞ 如＜15＞或＜16＞所述的放入暫時接著劑組成物的容器的製造方法，其中式（1）的填充率Y為60%以上且99.9%以下。 [發明的效果]

根據本發明的放入暫時接著劑組成物的容器，可抑制將暫時接著劑組成物應用於被加工構件等時產生的顆粒。另外，根據本發明的所述保存方法及所述製造方法，可提供發揮此種效果的放入暫時接著劑組成物的容器。

以下，對本發明的內容進行詳細說明。 再者，於本說明書中使用「～」所表示的數值範圍是指包含「～」的前後所記載的數值作為下限值及上限值的範圍。 於本說明書中的基（原子團）的表述中，未記載經取代及未經取代的表述包含不具有取代基的基，並且亦包含具有取代基的基。例如，所謂「烷基」，不僅包含不具有取代基的烷基（未經取代的烷基），亦包含具有取代基的烷基（經取代的烷基）。 於本說明書中，只要無特別敘述，則重量平均分子量（Mw）及數量平均分子量（Mn）是依照凝膠滲透層析法（gel permeation chromatography，GPC）測定，定義為聚苯乙烯換算值。於本說明書中，重量平均分子量（Mw）及數量平均分子量（Mn）例如可藉由使用HLC-8220GPC（東曹（股）製造），作為管柱使用保護管柱HZ-L、TSKgel Super HZM-M、TSKgel Super HZ4000、TSKgel Super HZ3000及TSKgel Super HZ2000（東曹（股）製造）的任一個以上來求出。只要無特別敘述，則溶離液設為使用四氫呋喃（tetrahydrofuran，THF）進行測定而得者。另外，只要無特別敘述，則檢測設為使用紫外線（UV線）的波長254 nm檢測器。 於本發明中，只要無特別說明，則溫度是23℃。 於本發明中，只要無特別說明，則壓力設為氣壓1013.25 hPa的值。 再者，於以下說明的實施形態中，對於已經於參照的圖式中說明的構件等，藉由於圖中標註相同的符號或與其相當的符號而簡化或省略說明。

本發明的放入暫時接著劑組成物的容器的特徵在於：具有暫時接著劑組成物與容器，暫時接著劑組成物包含含有聚苯乙烯系彈性體的固體成分及有機溶劑，且以滿足下述式（1）的狀態保存於所述容器中。 [數式4] X+|85-Y|≦100···（1）

於式（1）中，X是指表示Xa相對於Xb的比例的分率，Xa表示暫時接著劑組成物中的固體成分的調配濃度，Xb表示暫時接著劑組成物中的固體成分於保存溫度(較佳為23℃)下的飽和溶解濃度，Y是表示保存溫度(較佳為23℃)下的暫時接著劑組成物的體積相對於容器容積的比例的填充率，X與Y的單位為%。本發明中，「保存溫度」是指預先保存容器的保存環境的溫度。另外，暫時接著劑組成物中的「固體成分」是指除溶劑以外的其他成分。

具體而言，分率X是於保存溫度下以試驗方式求出暫時接著劑組成物的構成中固體成分整體相對於有機溶劑的飽和溶解濃度Xb，並算出暫時接著劑組成物中實際上調配的固體成分的合計質量的濃度Xa（調配濃度），以百分率（單位：%）表示由Xa/Xb所算出的值而得的值。另外，如圖1所示，填充率Y是於放入暫時接著劑組成物的容器中，將容器的內部空間中填充至暫時接著劑組成物中的部分設為V¹ 並將空著的部分設為V² 時，以百分率（單位：%）表示由V¹ /（V¹ +V² ）所算出的值而得的值。

藉由製成此種構成，可有效地抑制顆粒的產生。若可抑制顆粒的產生，則於過濾暫時接著劑組成物時可有效地抑制過濾器的堵塞。另外，可使由暫時接著劑組成物所形成的暫時接著膜的膜面均勻。

於將暫時接著劑組成物放入容器中保存時，於容器內的填充率低的情況下，於容器內的未填充區域的壁面容易產生顆粒（固體成分的凝聚物）（圖3，顆粒9）。認為其原因在於：暫時附著於壁面上的暫時接著劑組成物的微小部分容易殘留於壁面上且容易乾燥的環境形成在所述未填充區域。進而，由於未填充區域大，故容易捲入將暫時接著劑組成物填充至容器中時的環境中的灰塵等，認為此亦為其因素之一。另一方面，於容器內的填充率高的情況下，於蓋及容器本體的間隙（特別是形成有螺紋部的區域）或蓋的內側面等容易產生顆粒。認為其原因在於：由於放入暫時接著劑組成物的容器的輸送或搬運時的搖晃等，暫時接著劑組成物容易殘留於蓋及容器本體的間隙中或附著於蓋的內側面。即，可知僅藉由調節基於暫時接著劑組成物的容器內的填充率，難以有效地抑制顆粒的產生。

於本發明的放入暫時接著劑組成物的容器中，不僅考慮基於暫時接著劑組成物的容器內的所述填充率Y，亦考慮與暫時接著劑組成物中的固體成分濃度相關的所述分率X，以所述填充率Y及所述分率X滿足所述式（1）的方式，將暫時接著劑組成物填充至容器中，藉此可抑制顆粒的產生。所述式（1）是根據所述填充率Y及所述分率X與顆粒的產生頻率的關係而發現。根據所述式（1），可掌握：無論所述填充率Y高還是低均有可能產生顆粒，但藉由將所述分率X設定為規定的範圍內，可容易抑制顆粒的產生。

＜關於式（1）＞ 與暫時接著劑組成物中的固體成分濃度相關的分率X超過0%且為100%以下，較佳為10%以上，更佳為20%以上，進而佳為30%以上，進一步佳為50%以上，進一步更佳為70%以上，亦可為75%以上。作為上限，較佳為99%以下，更佳為96%以下，進而佳為90%以下，進一步佳為89%以下，進一步更佳為87%以下。

填充率Y是保存溫度（較佳為23℃）下的暫時接著劑組成物的體積相對於容器容積的比例。Y超過0%且為100%以下，較佳為60%以上，更佳為61%以上，進而佳為65%以上，進一步佳為70%以上，進一步更佳為80%以上。作為上限，較佳為99.9%以下，更佳為98%以下，進而佳為95%以下，進一步佳為90%以下。

例如，圖1所示的放入暫時接著劑組成物的容器是填充率Y為90%左右的例子。即，是容器的內部空間中相對於填充至暫時接著劑組成物中的部分（V¹ ）而言空著的部分（V² ）更小的例子。於該狀態下，例如與固體成分濃度相關的所述分率X為80%時，若將其代入至式（1）的左邊，則低於100。因而，該例子可以說是能夠進行不易產生顆粒的良好的保存的狀態。

另一方面，作為用於比較的態樣的圖3是填充率Y為50%左右的例子。即，是相對於所述V¹ 的部分而言所述V² 的部分更大的例子。例如於所述分率X為80%時，式（1）的左邊超過100。因而，該例子可以說是產生顆粒的可能性高的狀態。

於本發明中，就抑制顆粒產生的觀點而言，所述式（1）的右邊為100，但較佳為98，更佳為95，進而佳為92。

＜暫時接著劑組成物的保存＞ 於本發明中，暫時接著劑組成物被填充至容器中進行保存。所謂向容器的保存是指以將暫時接著劑組成物封入容器內的方式進行保存，例如可例示於玻璃瓶中注入暫時接著劑組成物並蓋上蓋的態樣等。即，於保存中容器的內部與外部被作為空間隔開。

填充暫時接著劑組成物後的放入暫時接著劑組成物的容器較佳為於規定的溫度範圍的環境下保存。此時的保存溫度較佳為5℃以上且38℃以下，更佳為15℃以上且28℃以下。另外，此時的保存期間較佳為0.5小時以上且180天以下，更佳為1小時以上且90天以下。就成本的觀點而言，放入暫時接著劑組成物的容器較佳為於大氣中保存。容器外的保存環境的壓力較佳為0.9 atm以上且1.1 atm以下，更佳為0.95 atm以上且1.05 atm以下。蓋上蓋後的容器內的壓力較佳為0.9 atm以上且1.1 atm以下，更佳為0.95 atm以上且1.05 atm以下。1 atm為1013.25 hPa。

＜容器＞ 圖1是示意性地表示本發明的一實施形態的放入暫時接著劑組成物的容器的剖面圖。本實施形態的容器10包括容器本體2與蓋。容器本體2於其頭部具有注入口7，並於此處設置有螺紋部8。藉由螺紋部而蓋嵌合，藉此容器被密封或密閉，從而填充保存暫時接著劑組成物。蓋包括外蓋4與內蓋3。於容器10中填充有暫時接著劑組成物1。

容器並無特別限定，亦可較佳地使用玻璃容器（所謂的玻璃瓶）、各種塑膠容器、鋁等金屬容器、陶瓷容器等。於本發明中，為了更高地發揮獲取的容易性或操作性、以及本發明的效果，較佳為使用玻璃容器。容器本體及蓋各自的材質相互可相同亦可不同。因而，例如所謂玻璃容器可設想所謂的玻璃瓶等，但是指亦包含容器的一部分由玻璃以外的材料所形成的容器。

容器的大小（容量）並無特別限定，若考慮發揮本發明的效果且通常應用於此種化學品者，則較佳為0.2 L（升）以上，更佳為0.95 L以上，進而佳為3.0 L以上。作為上限值，較佳為18 L以下，更佳為10 L以下，進而佳為4 L以下。

容器的形狀並無特別限定。例如可如圖1所示，採用如下形狀，即軀幹部以圓柱為基本，藉由緩慢地縮徑而形成肩部，於經由該肩部的頭部具有注入口7。容器的軀幹部的剖面(與圓筒軸垂直的剖面)的直徑(內徑)為最大的剖面，例如較佳為4 cm以上，更佳為6.5 cm以上，進而佳為9.5 cm以上。上限並無特別，但實際上為17.0 cm以下。注入口7的剖面的直徑(內徑)例如較佳為1.0 cm以上，更佳為2.0 cm以上，進而佳為2.5 cm以上。上限並無特別，但實際上為10 cm以下。軀幹部的高度(自內部的底部至注入口下部的長度)例如較佳為11 cm以上，更佳為13 cm以上，進而佳為20 cm以上。上限並無特別，但實際上為33 cm以下。注入口7的長度例如較佳為0.2 cm以上，更佳為1.0 cm以上，進而佳為2.0 cm以上。上限並無特別，但實際上為5.0 cm以下。對於容量大的加侖瓶等，亦可於注入口附近的軀幹部設置把手。

另外，容器較佳為具有遮光功能，以更有效地抑制由光引起的暫時接著劑組成物的變質。特別是容器較佳為可阻擋紫外線、可見光線及紅外線（例如，波長為290 nm～1100 nm的光）。進而，容器較佳為不透明、無色半透明或有色透明，更佳為有色透明，特佳為茶色且透明。

容器的頭部通常有注入口7並有螺紋部8。形成有螺紋部8的區域的圓筒軸方向的長度相當於蓋部的高度，通常於內側部為0.9 mm以上且1.5 mm以下。根據本發明，可有效地抑制或防止液體附著於此種螺紋部8以及乾燥引起的顆粒的產生。

＜＜容器內表面的表面處理＞＞ 本發明中所使用的容器10的內表面2a較佳為進行表面處理。例如，容器10較佳為其內表面中包括包含含有氟碳化合物的層的接液面及實施了脫鹼處理的接液面中的至少一種接液面的玻璃容器。如此，藉由對容器內表面2a實施規定的表面處理，可更有效地抑制顆粒的產生。

氟碳化合物較佳為例如聚四氟乙烯（polytetrafluoroethylene，PTFE）及四氟乙烯與全氟烷基乙烯醚的共聚物（polyfluoroalkoxy，PFA）等氟樹脂。

包含含有氟碳化合物的層的接液面例如可藉由利用耐化學品性的片或塗層材料包覆玻璃容器的內側壁面，來形成所需的接液面。耐化學品性的片或塗層材料除氟碳化合物以外，亦可包含聚醯胺樹脂及矽酮樹脂的至少一種。藉由容器的內側壁面利用耐化學品性的片或塗層材料包覆，可確保良好的保存穩定性。另外，作為具有包含含有氟碳化合物的層的接液面的容器，除經包覆的玻璃容器以外，亦可使用包含氟樹脂的容器、或內表面進行氟樹脂塗佈而成的塑膠容器等。

實施了脫鹼處理的接液面較佳為於填充前使用電阻為15 MΩ·cm以上的超純水清洗內部，並去除表面的金屬離子成分後，使其乾燥。

圖2表示對容器20的內表面2a實施了表面處理的實施形態，於容器本體2的基部21的內側設置氟塗層的包覆層22。於圖2的形態中，蓋進一步包括內蓋3與外蓋4，於內蓋3的基部31的內表面上設置氟塗層的包覆層32。氟塗層的包覆層22及包覆層32的厚度例如較佳為分別獨立地為5 μm～1000 μm，更佳為10 μm～500 μm。

＜＜蓋＞＞ 蓋的大小或形狀、材質只要是一般者即可。蓋的直徑通常例如為15 mm以上且45 mm以下。蓋的材質可列舉聚烯烴（高密度聚乙烯（high density polyethylene，HDPE）等聚乙烯或聚丙烯（polypropylene，PP））等。 蓋不一定要有內蓋，但蓋較佳為具有內蓋。作為內蓋的材質，例如可列舉聚乙烯、聚丙烯。較佳為對外蓋或內蓋的內表面實施提高耐化學品性的表面處理。作為該處理，例如可列舉與所述容器內表面的表面處理的內容相同的處理。

＜暫時接著劑組成物＞ 暫時接著劑組成物可為了將被加工構件等臨時保持在支撐體等上，而用於將該些暫時接著。本發明中的暫時接著劑組成物包含含有聚苯乙烯系彈性體的固體成分及有機溶劑。作為固體成分，可列舉聚苯乙烯系彈性體等樹脂、抗氧化劑、界面活性劑、脫模劑及其他添加劑。以下，對各成分進行詳細說明。 ＜＜聚苯乙烯系彈性體＞＞ 聚苯乙烯系彈性體較佳為苯乙烯與其他單體的嵌段共聚物，特佳為單末端或兩末端是苯乙烯嵌段的苯乙烯嵌段共聚物。另外，聚苯乙烯系彈性體較佳為氫化聚苯乙烯系彈性體，更佳為聚苯乙烯的嵌段共聚物的氫化物。若樹脂為氫化物，則熱穩定性或保存穩定性提高。進而，剝離性及剝離後的暫時接著膜的清洗去除性提高。再者，所謂氫化物是指經氫化的結構的聚合體。另外，藉由於暫時接著劑組成物中使用聚苯乙烯系彈性體，亦可追隨載體基材或元件晶圓（被加工構件）的微細凹凸，並利用適度的錨定（anchor）效果而形成接著性優異的暫時接著膜。另外，就藉由導入苯乙烯嵌段共聚物單元來提高成膜後的層的剛性率與提高成膜膜加工性、及提高成膜後的層對抗蝕劑、感光性聚醯亞胺溶劑、清潔劑溶劑等的耐溶劑性的觀點而言，藉由於含有聚苯乙烯系彈性體的暫時接著劑組成物中特別採用本發明的構成來發揮其高的效果。

再者，於本說明書中，所謂彈性體是表示顯示出彈性變形的聚合物。即，定義為具有如下性質的聚合物：當施加外力時，對應於該外力而瞬間發生變形，且去除外力時於短時間內恢復至原來的形狀。 另外，於本說明書中，所謂「接著性」定義為：不僅包含「若僅於高壓下進行接著則賦予高的接著力」性能，而且亦包含「相對於低壓下的接著（例如，0.4 MPa下的低壓接著）亦賦予充分高的接著力」性能。

聚苯乙烯系彈性體的重量平均分子量較佳為2,000～200,000，更佳為10,000～200,000，進而佳為50,000～100,000。重量平均分子量處於該範圍的彈性體於溶劑中的溶解性優異，因此於將載體基材自元件晶圓剝離後，使用溶劑來去除源自殘存於元件晶圓或載體基材的彈性體的殘渣時，殘渣容易溶解於溶劑中而被去除。因此具有殘渣並不會殘留於元件晶圓或載體基材等中等優點。另一方面，就接著性的觀點而言，雖然期望分子量相當高者，但若成為高分子量，則彈性體容易自溶劑中游離。因而，藉由採用本發明的構成，即便為高分子量的彈性體亦可維持品質來使用，容易兼顧高接著性與高品質而較佳。

於本發明中，彈性體自23℃以20℃/min的升溫速度升溫時的5%熱質量減少溫度較佳為250℃以上，更佳為300℃以上，進而佳為350℃以上，進一步佳為400℃以上。另外，上限值並無特別限定，例如較佳為1000℃以下，更佳為800℃以下。根據該態樣，容易形成耐熱性優異的暫時接著膜。

作為聚苯乙烯系彈性體，較佳為包含選自由聚苯乙烯-聚(乙烯/丙烯)嵌段共聚物、聚苯乙烯-聚(異戊二烯-苯乙烯)嵌段共聚物、聚苯乙烯-聚丁二烯-聚苯乙烯嵌段共聚物、聚苯乙烯-聚(丁二烯-丁烯)-聚苯乙烯嵌段共聚物、聚苯乙烯-聚(乙烯-丙烯)嵌段共聚物、聚苯乙烯-聚(乙烯-丁烯)-聚苯乙烯嵌段共聚物、聚苯乙烯-聚(乙烯-丙烯)-聚苯乙烯嵌段共聚物、聚苯乙烯-聚異戊二烯-聚苯乙烯嵌段共聚物、聚苯乙烯-聚(乙烯-乙烯-丙烯)-聚苯乙烯嵌段共聚物、聚苯乙烯-聚(乙烯-乙烯/丙烯)-聚苯乙烯嵌段共聚物所組成的群組中的至少一種。

聚苯乙烯系彈性體中的源自苯乙烯的構成單元的比例較佳為90質量%以下，更佳為55質量%以下，進而佳為48質量%以下，進一步佳為35質量%以下，進一步更佳為33質量%以下。所述源自苯乙烯的構成單元的比例的下限只要為超過0質量%的值即可，例如亦可設為10質量%以上。藉由設為此種範圍，可更有效地抑制積層體、例如具有被加工構件等、暫時接著膜及支撐體的積層體的翹曲。 源自苯乙烯的構成單元的比例的計算方法是依照國際公開第2017/150320號的段落0121中記載的方法。

作為本發明中的聚苯乙烯系彈性體的一實施形態，可列舉將彈性體A與彈性體B組合使用，所述彈性體A於所有構成單元中以10質量%以上且55質量%以下的比例含有源自苯乙烯的構成單元，所述彈性體B於所有構成單元中以超過55質量%且95質量%以下的比例含有源自苯乙烯的構成單元。藉由併用彈性體A與彈性體B，可有效地抑制翹曲的產生。所述彈性體B為比較堅硬的材料，因此藉由包含彈性體B，可製造剝離性優異的暫時接著膜。調配彈性體A與彈性體B時的質量比較佳為彈性體A：彈性體B=1：99～99：1，更佳為3：97～97：3，進而佳為5：95～95：5，進一步佳為10：90～90：10。若為所述範圍，則可更有效地獲得所述效果。

作為聚苯乙烯系彈性體的不飽和雙鍵量，就剝離性的觀點而言，較佳為相對於1 g聚苯乙烯系彈性體而未滿15 mmol，更佳為未滿5 mmol，最佳為未滿0.5 mmol。再者，此處所述的不飽和雙鍵量並不包含源自苯乙烯的苯環內的不飽和雙鍵量。不飽和雙鍵量可藉由核磁共振（nuclear magnetic resonance，NMR）測定而算出。再者，於本說明書中，所謂「源自苯乙烯的構成單元」是源自苯乙烯或使苯乙烯衍生物聚合時聚合體中所含的苯乙烯的構成單元，可具有取代基。作為苯乙烯衍生物，例如可列舉：α-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、4-丙基苯乙烯、4-環己基苯乙烯等。作為取代基，例如可列舉：碳數1～5的烷基、碳數1～5的烷氧基、碳數2～5的烷氧基烷基、乙醯氧基、羧基等。

作為聚苯乙烯系彈性體的市售品，例如可列舉：塔夫普倫（Tufprene）A、塔夫普倫（Tufprene）125、塔夫普倫（Tufprene）126S、阿薩普倫（Asaprene）T、阿薩普倫（Asaprene）T-411、阿薩普倫（Asaprene）T-432、阿薩普倫（Asaprene）T-437、阿薩普倫（Asaprene）T-438、阿薩普倫（Asaprene）T-439、塔夫泰科（Tuftec）H1272、塔夫泰科（Tuftec）P1500、塔夫泰科（Tuftec）H1052、塔夫泰科（Tuftec）H1062、塔夫泰科（Tuftec）M1943、塔夫泰科（Tuftec）M1911、塔夫泰科（Tuftec）H1041、塔夫泰科（Tuftec）MP10、塔夫泰科（Tuftec）M1913、塔夫泰科（Tuftec）H1051、塔夫泰科（Tuftec）H1053、塔夫泰科（Tuftec）P2000、塔夫泰科（Tuftec）H1043（以上為旭化成（股）製造）；彈性體（Elastomer）AR-850C、彈性體（Elastomer）AR-815C、彈性體（Elastomer）AR-840C、彈性體（Elastomer）AR-830C、彈性體（Elastomer）AR-860C、彈性體（Elastomer）AR-875C、彈性體（Elastomer）AR-885C、彈性體（Elastomer）AR-SC-15、彈性體（Elastomer）ARSC-0、彈性體（Elastomer）AR-SC-5、彈性體（Elastomer）AR-710、彈性體（Elastomer）AR-SC-65、彈性體（Elastomer）AR-SC-30、彈性體（Elastomer）AR-SC-75、彈性體（Elastomer）AR-SC-45、彈性體（Elastomer）AR-720、彈性體（Elastomer）AR-741、彈性體（Elastomer）AR-731、彈性體（Elastomer）AR-750、彈性體（Elastomer）AR-760、彈性體（Elastomer）AR-770、彈性體（Elastomer）AR-781、彈性體（Elastomer）AR-791、彈性體（Elastomer）AR-FL-75N、彈性體（Elastomer）AR-FL-85N、彈性體（Elastomer）AR-FL-60N、彈性體（Elastomer）AR-1050、彈性體（Elastomer）AR-1060、彈性體（Elastomer）AR-1040（以上為亞隆化成（Aronkasei）（股）製造）；科騰（Kraton）D1111、科騰（Kraton）D1113、科騰（Kraton）D1114、科騰（Kraton）D1117、科騰（Kraton）D1119、科騰（Kraton）D1124、科騰（Kraton）D1126、科騰（Kraton）D1161、科騰（Kraton）D1162、科騰（Kraton）D1163、科騰（Kraton）D1164、科騰（Kraton）D1165、科騰（Kraton）D1183、科騰（Kraton）D1193、科騰（Kraton）DX406、科騰（Kraton）D4141、科騰（Kraton）D4150、科騰（Kraton）D4153、科騰（Kraton）D4158、科騰（Kraton）D4270、科騰（Kraton）D4271、科騰（Kraton）D4433、科騰（Kraton）D1170、科騰（Kraton）D1171、科騰（Kraton）D1173、卡利庫斯（Cariflex）IR0307、卡利庫斯（Cariflex）IR0310、卡利庫斯（Cariflex）IR0401、科騰（Kraton）D0242、科騰（Kraton）D1101、科騰（Kraton）D1102、科騰（Kraton）D1116、科騰（Kraton）D1118、科騰（Kraton）D1133、科騰（Kraton）D1152、科騰（Kraton）D1153、科騰（Kraton）D1155、科騰（Kraton）D1184、科騰（Kraton）D1186、科騰（Kraton）D1189、科騰（Kraton）D1191、科騰（Kraton）D1192、科騰（Kraton）DX405、科騰（Kraton）DX408、科騰（Kraton）DX410、科騰（Kraton）DX414、科騰（Kraton）DX415、科騰（Kraton）A1535、科騰（Kraton）A1536、科騰（Kraton）FG1901、科騰（Kraton）FG1924、科騰（Kraton）G1640、科騰（Kraton）G1641、科騰（Kraton）G1642、科騰（Kraton）G1643、科騰（Kraton）G1645、科騰（Kraton）G1633、科騰（Kraton）G1650、科騰（Kraton）G1651、科騰（Kraton）G1652（G1652MU-1000）、科騰（Kraton）G1654、科騰（Kraton）G1657、科騰（Kraton）G1660、科騰（Kraton）G1726、科騰（Kraton）G1701、科騰（Kraton）G1702、科騰（Kraton）G1730、科騰（Kraton）G1750、科騰（Kraton）G1765、科騰（Kraton）G4609、科騰（Kraton）G4610（以上為日本科騰聚合物（Kraton polymer Japan）（股）製造）；TR2000、TR2001、TR2003、TR2250、TR2500、TR2601、TR2630、TR2787、TR2827、TR1086、TR1600、SIS5002、SIS5200、SIS5250、SIS5405、SIS5505、戴納隆（Dynaron）6100P、戴納隆（Dynaron）4600P、戴納隆（Dynaron）6200P、戴納隆（Dynaron）4630P、戴納隆（Dynaron）8601P、戴納隆（Dynaron）8630P、戴納隆（Dynaron）8600P、戴納隆（Dynaron）8903P、戴納隆（Dynaron）6201B、戴納隆（Dynaron）1321P、戴納隆（Dynaron）1320P、戴納隆（Dynaron）2324P、戴納隆（Dynaron）9901P（以上為JSR（股）製造）；登卡（Denka）STR系列（電氣化學（DENKA）（股）製造）；昆塔克（Quintac）3520、昆塔克（Quintac）3433N、昆塔克（Quintac）3421、昆塔克（Quintac）3620、昆塔克（Quintac）3450、昆塔克（Quintac）3460（以上為日本瑞翁（ZEON）製造）；TPE-SB系列（住友化學（股）製造）；拉巴隆（Rabalon）系列（三菱化學（股）製造）；賽普頓（Septon）1001、賽普頓（Septon）1020、賽普頓（Septon）2002、賽普頓（Septon）2004、賽普頓（Septon）2005、賽普頓（Septon）2006、賽普頓（Septon）2007、賽普頓（Septon）2063、賽普頓（Septon）2104、賽普頓（Septon）4033、賽普頓（Septon）4044、賽普頓（Septon）4055、賽普頓（Septon）4077、賽普頓（Septon）4099、賽普頓（Septon）HG252、賽普頓（Septon）8004、賽普頓（Septon）8006、賽普頓（Septon）8007、賽普頓（Septon）8076、賽普頓（Septon）8104、賽普頓（Septon）V9461、賽普頓（Septon）V9475、賽普頓（Septon）V9827、海布拉（Hybrar）7311、海布拉（Hybrar）7125、海布拉（Hybrar）5127、海布拉（Hybrar）5125（以上為可樂麗（Kuraray）（股）製造）；蘇米庫斯（Sumiflex）（住友貝克萊特（Sumitomo Bakelite）（股）製造）；萊奧斯托瑪（Leostomer）、艾庫塔馬（Actymer）（以上為理研科技（Riken technos）（股）製造）等。

＜＜組合的彈性體＞＞ 本發明中使用的暫時接著劑組成物亦可與聚苯乙烯系彈性體組合而使用其他彈性體或樹脂。 作為聚酯系彈性體，可參考國際公開第2017/150320號的段落0027～段落0030的記載，將該些內容併入本說明書中。 作為聚烯烴系彈性體，可參考國際公開第2017/150320號的段落0031的記載，將該些內容併入本說明書中。 作為聚胺基甲酸酯系彈性體，可參考國際公開第2017/150320號的段落0032的記載，將該些內容併入本說明書中。 作為聚醯胺系彈性體，可參考國際公開第2017/150320號的段落0033的記載，將該些內容併入本說明書中。 作為聚丙烯酸系彈性體，可參考國際公開第2017/150320號的段落0034的記載，將該些內容併入本說明書中。 作為矽酮系彈性體，可參考國際公開第2017/150320號的段落0035的記載，將該些內容併入本說明書中。 作為其他彈性體，可參考國際公開第2017/150320號的段落0037的記載，將該些內容併入本說明書中。

再者，於本發明中，暫時接著劑組成物中所含的樹脂（分子量為2000以上的化合物）的主成分（50質量%以上）較佳為聚苯乙烯系彈性體，樹脂中的聚苯乙烯系彈性體的量更佳為75質量%以上，進而佳為90質量%以上，進一步佳為95質量%以上，進一步更佳為100質量%。

暫時接著劑組成物較佳為於暫時接著劑組成物的總固體成分中以50.00質量%～99.99質量%的比例包含彈性體，更佳為70.00質量%～99.99質量%，特佳為88.00質量%～99.99質量%。若彈性體的含量為所述範圍，則接著性及剝離性優異。彈性體可使用一種，亦可使用多種。於使用多種彈性體的情況下，該些的合計量成為所述範圍。

＜＜有機溶劑＞＞ 作為有機溶劑，可較佳地列舉：乙酸乙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丁酯、甲酸戊酯、乙酸異戊酯、丙酸丁酯、丁酸異丙酯、丁酸乙酯、丁酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、烷氧基乙酸烷基酯（例如，烷氧基乙酸甲酯、烷氧基乙酸乙酯、烷氧基乙酸丁酯（例如，甲氧基乙酸甲酯、甲氧基乙酸乙酯、甲氧基乙酸丁酯、乙氧基乙酸甲酯、乙氧基乙酸乙酯等））、3-烷氧基丙酸烷基酯類（例如，3-烷氧基丙酸甲酯、3-烷氧基丙酸乙酯等（例如，3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯等））、2-烷氧基丙酸烷基酯類（例如，2-烷氧基丙酸甲酯、2-烷氧基丙酸乙酯、2-烷氧基丙酸丙酯等（例如，2-甲氧基丙酸甲酯、2-甲氧基丙酸乙酯、2-甲氧基丙酸丙酯、2-乙氧基丙酸甲酯、2-乙氧基丙酸乙酯））、2-烷氧基-2-甲基丙酸甲酯及2-烷氧基-2-甲基丙酸乙酯（例如，2-甲氧基-2-甲基丙酸甲酯、2-乙氧基-2-甲基丙酸乙酯等）、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸丙酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、2-氧代丁酸甲酯、2-氧代丁酸乙酯、1-甲氧基-2-丙基乙酸酯、乙基卡必醇乙酸酯、丁基卡必醇乙酸酯等酯化合物；二乙二醇二甲醚、四氫呋喃、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、甲基溶纖劑乙酸酯、乙基溶纖劑乙酸酯、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丙醚乙酸酯、丙二醇甲醚、丙二醇甲醚乙酸酯等醚化合物；甲基乙基酮、環己酮、環戊酮、2-庚酮、3-庚酮、N-甲基-2-吡咯啶酮、γ-丁內酯等酮化合物；N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮等吡咯啶酮化合物；甲苯、二甲苯、苯甲醚、均三甲苯、假枯烯（pseudocumene）、乙基苯、丙基苯、枯烯、正丁基苯、第二丁基苯、異丁基苯、第三丁基苯、戊基苯、異戊基苯、(2,2-二甲基丙基)苯、1-苯基己烷、1-苯基庚烷、1-苯基辛烷、1-苯基壬烷、1-苯基癸烷、環丙基苯、環己基苯、2-乙基甲苯、1,2-二乙基苯、鄰-異丙基甲苯、茚滿、1,2,3,4-四氫萘、3-乙基甲苯、間-異丙基甲苯、1,3-二異丙基苯、4-乙基甲苯、1,4-二乙基苯、對-異丙基甲苯、1,4-二異丙基苯、4-第三丁基甲苯、1,4-二-第三丁基苯、1,3-二乙基苯、1,2,3-三甲基苯、1,2,4-三甲基苯、4-第三丁基-鄰二甲苯、1,2,4-三乙基苯、1,3,5-三乙基苯、1,3,5-三異丙基苯、5-第三丁基-間二甲苯、3,5-二-第三丁基甲苯、1,2,3,5-四甲基苯、1,2,4,5-四甲基苯、五甲基苯、十氫萘（decahydronaphthalene）等芳香族烴化合物；乙基環己烷、檸檬烯、對薄荷烷、壬烷、癸烷、十二烷、十氫萘（decalin）等脂肪族烴化合物等。

其中，較佳為包含選自由脂肪族烴化合物、芳香族烴化合物、酮化合物、及酯化合物所組成的群組中的至少一種化合物，更佳為選自芳香族烴化合物及酯化合物中。

具體而言，作為有機溶劑，較佳為使用包含環己烷、十氫萘、四氫萘、均三甲苯、第三丁基苯、假枯烯、對薄荷烷、γ-丁內酯、2-庚酮、環己酮、環戊酮、N-乙基-2-吡咯啶酮、苯甲醚、3-乙氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙基溶纖劑乙酸酯、乳酸乙酯、二乙二醇二甲醚、乙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、乙基卡必醇乙酸酯、丁基卡必醇乙酸酯、丙二醇甲醚及丙二醇甲醚乙酸酯的群組中的至少一種。

於本發明中，作為有機溶劑，可例示使用芳香族烴溶劑及酯溶劑的混合溶劑。該些的混合比（芳香族烴溶劑：酯溶劑）以質量比計，較佳為100：1～100：70，更佳為100：5～100：50，進而佳為100：10～100：25。

＜＜抗氧化劑＞＞ 暫時接著劑組成物可含有抗氧化劑。作為抗氧化劑，可使用酚系抗氧化劑、硫系抗氧化劑、磷系抗氧化劑、醌系抗氧化劑、胺系抗氧化劑等。

作為酚系抗氧化劑，例如可列舉：對甲氧基苯酚、2,6-二-第三丁基-4-甲基苯酚、易璐諾斯（Irganox）1010、易璐諾斯（Irganox）1330、易璐諾斯（Irganox）3114、易璐諾斯（Irganox）1035（以上為日本巴斯夫（BASF Japan）（股）製造）；蘇米萊澤（Sumilizer）MDP-S、蘇米萊澤（Sumilizer）GA-80（以上為住友化學（股）製造）等。

作為硫系抗氧化劑，例如可列舉：3,3'-硫代二丙酸二硬脂基酯、蘇米萊澤（Sumilizer）TPM、蘇米萊澤（Sumilizer）TPS、蘇米萊澤（Sumilizer）TP-D（以上為住友化學（股）製造）等。

作為磷系抗氧化劑，例如可列舉：三(2,4-二-第三丁基苯基)亞磷酸鹽、雙(2,4-二-第三丁基苯基)季戊四醇二亞磷酸鹽、聚(二丙二醇)苯基亞磷酸鹽、二苯基異癸基亞磷酸鹽、2-乙基己基二苯基亞磷酸鹽、三苯基亞磷酸鹽、易璐佛斯(Irgafos)168、易璐佛斯(Irgafos)38(以上為日本巴斯夫(BASF Japan)(股)製造)等。作為醌系抗氧化劑，例如可列舉對苯醌、2-第三丁基-1,4-苯醌等。

作為胺系抗氧化劑，例如可列舉二甲基苯胺或啡噻嗪等。

抗氧化劑較佳為易璐諾斯（Irganox）1010、易璐諾斯（Irganox）1330、3,3'-硫代二丙酸二硬脂基酯、蘇米萊澤（Sumilizer）TP-D，更佳為易璐諾斯（Irganox）1010、易璐諾斯（Irganox）1330，特佳為易璐諾斯（Irganox）1010。

另外，所述抗氧化劑中，較佳為併用酚系抗氧化劑與硫系抗氧化劑或磷系抗氧化劑，最佳為併用酚系抗氧化劑與硫系抗氧化劑。特別是於使用聚苯乙烯系彈性體作為樹脂的情況下，較佳為併用酚系抗氧化劑與硫系抗氧化劑。藉由設為此種組合，而可期待可效率良好地抑制因氧化反應引起的樹脂的劣化的效果。於併用酚系抗氧化劑與硫系抗氧化劑的情況下，酚系抗氧化劑與硫系抗氧化劑的質量比較佳為酚系抗氧化劑：硫系抗氧化劑=95：5～5：95，更佳為25：75～75：25。

作為抗氧化劑的組合，較佳為易璐諾斯（Irganox）1010與蘇米萊澤（Sumilizer）TP-D、易璐諾斯（Irganox）1330與蘇米萊澤（Sumilizer）TP-D及蘇米萊澤（Sumilizer）GA-80與蘇米萊澤（Sumilizer）TP-D，更佳為易璐諾斯（Irganox）1010與蘇米萊澤（Sumilizer）TP-D、易璐諾斯（Irganox）1330與蘇米萊澤（Sumilizer）TP-D，特佳為易璐諾斯（Irganox）1010與蘇米萊澤（Sumilizer）TP-D。

就防止加熱中的昇華的觀點而言，抗氧化劑的分子量較佳為400以上，更佳為600以上，進而佳為750以上。

於暫時接著劑組成物包含抗氧化劑的情況下，相對於暫時接著劑組成物的總固體成分，抗氧化劑的含量較佳為0.001質量%～20.0質量%，更佳為0.005質量%～10.0質量%。抗氧化劑可僅為一種，亦可為兩種以上。於抗氧化劑為兩種以上的情況下，較佳為該些的合計量為所述範圍內。

＜＜界面活性劑＞＞ 暫時接著劑組成物較佳為含有界面活性劑。作為界面活性劑，亦可使用陰離子系、陽離子系、非離子系或兩性的任一種，較佳的界面活性劑為非離子系界面活性劑。作為非離子系界面活性劑的較佳例，可列舉：聚氧乙烯高級烷基醚類、聚氧乙烯高級烷基苯基醚類、聚氧乙烯二醇的高級脂肪酸二酯類。

於暫時接著劑組成物包含界面活性劑的情況下，就塗佈性的觀點而言，相對於暫時接著劑組成物的總固體成分，暫時接著劑組成物的界面活性劑的含量較佳為0.001質量%～5質量%，更佳為0.005質量%～1質量%，進而佳為0.01質量%～0.5質量%。界面活性劑可僅為一種，亦可為兩種以上。於界面活性劑為兩種以上的情況下，較佳為該些的合計量為所述範圍內。

＜＜脫模劑＞＞ 暫時接著劑組成物亦可包含國際公開第2017/150320號的段落0058～段落0070中記載的聚醚改質矽酮等脫模劑。作為其他脫模劑，可例示氟系液體狀化合物或所述以外的矽酮化合物。於含有脫模劑的情況下，其含量較佳為暫時接著劑組成物的固體成分的0.001質量%～0.005質量%的範圍。脫模劑可僅包含一種，亦可包含兩種以上。於包含兩種以上的情況下，較佳為該些的合計量成為所述範圍內。

＜＜其他添加劑＞＞ 於不損及本發明的效果的範圍內，暫時接著劑組成物視需要可調配各種添加物，例如塑化劑、硬化劑、硬化觸媒、填充劑、密接促進劑、紫外線吸收劑、防凝聚劑等。於調配該些添加劑的情況下，較佳為其合計調配量為暫時接著劑組成物的總固體成分的3質量%以下。

暫時接著劑組成物較佳為不含金屬等雜質。相對於暫時接著劑組成物的總質量，雜質的含量較佳為1質量ppm（百萬分之一（parts per million））以下，更佳為100質量ppt（兆分之一（parts per trillion））以下，進而佳為10質量ppt以下，特佳為實質上不含（測定裝置的檢測界限以下）。

作為將金屬等雜質自暫時接著劑組成物去除的方法，例如可列舉使用過濾器的過濾。作為過濾器孔徑，較佳為10 nm以下，更佳為5 nm以下，進而佳為3 nm以下。作為過濾器的材質，較佳為聚四氟乙烯、聚乙烯、尼龍。過濾器可使用利用有機溶劑預先清洗者。過濾器過濾步驟中，可將多種過濾器串聯或並聯連接而使用。於使用多種過濾器的情況下，可組合使用孔徑或材質不同的過濾器。另外，亦可將各種材料多次過濾，多次過濾的步驟亦可為循環過濾步驟。另外，作為減少暫時接著劑組成物中所含的金屬等雜質的方法，可列舉如下等方法：選擇金屬含量少的原料作為構成暫時接著劑組成物的原料；對構成暫時接著劑組成物的原料進行過濾器過濾；於藉由利用鐵氟龍（Teflon）（註冊商標）於裝置內形成內襯等而盡可能地抑制污染（contamination）的條件下進行蒸餾。對構成暫時接著劑組成物的原料進行的過濾器過濾中的較佳條件與所述條件相同。

除了過濾器過濾以外，可利用吸附材料進行雜質的去除，亦可將過濾器過濾與利用吸附材料的雜質的去除組合來實施。作為吸附材料，可使用公知的吸附材料，例如可使用矽膠、沸石等無機系吸附材料、活性碳等有機系吸附材料。

＜暫時接著膜的形成＞ 暫時接著膜可於基板或被加工構件的表面上使用暫時接著劑組成物來形成。可僅於被加工構件等的其中一者上形成暫時接著膜而與另一被加工構件等貼合，亦可於兩個被加工構件等上設置暫時接著膜而將兩者貼合。於暫時接著膜的形成時，為了應用暫時接著劑組成物，可使用先前公知的旋轉塗佈法、噴霧法、狹縫塗佈法、輥塗法、流塗法、刮刀塗佈法、浸漬法等。繼而，通常暫時接著劑組成物包含溶劑，因此進行加熱而使溶劑揮發。作為該加熱溫度，較佳為高於溶劑沸點的溫度，更佳為110℃以上，進而佳為130℃～200℃，特佳為160℃～190℃。

若考慮半導體元件的製造中的要求，則暫時接著膜的厚度實際上為10 μm以上且1000 μm以下。根據本發明，顆粒的產生被抑制至極低的頻率，因此以所述方式製成薄膜時可發揮特別高的效果而較佳。就所述觀點而言，於暫時接著膜中，顆粒較佳為被抑制為未滿0.015個/cm² 。

於本發明中，較佳為於由暫時接著劑組成物所形成的暫時接著膜上形成氟碳化合物層作為剝離層。藉此，氟碳化合物層因吸收光而變質，其結果，失去接受光照射之前的強度或接著性。因此，藉由施加微小的外力（例如，抬起支撐體等），剝離層被破壞，可容易地將支撐體與晶圓分離。另外，例如氟碳化合物層可利用電漿CVD法來較佳地成膜。再者，氟碳化合物層包含C_x F_y （全氟化碳）及C_x H_y F_z （x、y及z為整數）所表示的氟碳化合物。氟碳化合物並不限定於該些，但例如為CHF₃ 、CH₂ F₂ 、C₂ H₂ F₂ 、C₄ F₈ 、C₂ F₆ 、C₅ F₈ 等。另外，相對於氟碳化合物層，視需要亦可添加氮、氦、氬等惰性氣體、烷烴、烯烴等烴、及氧、二氧化碳、氫。另外，亦可將該些氣體混合多種而使用（氟碳化合物、氫、氮的混合氣體等）。另外，氟碳化合物的層可包括單一種類的氟碳化合物，亦可包括兩種以上的氟碳化合物。氟碳化合物根據其種類而吸收具有固有範圍的波長的光。藉由向該層照射氟碳化合物所吸收的範圍的波長的光，可使氟碳化合物較佳地變質。再者，剝離層中的光的吸收率較佳為80%以上。作為照射至氟碳化合物的層上的光，根據氟碳化合物可吸收的波長，適宜使用例如YAG雷射、紅寶石雷射、玻璃雷射、YVO₄ 雷射、LD雷射、光纖雷射等固體雷射、色素雷射等液體雷射、CO₂ 雷射、準分子雷射、Ar雷射、He-Ne雷射等氣體雷射、半導體雷射、自由電子雷射等雷射光、或者非雷射光即可。作為可使氟碳化合物變質的波長，並不限定於此，例如可使用600 nm以下的範圍的波長。

＜暫時接著劑組成物的製備＞ 暫時接著劑組成物可將所述各成分加以混合而製備。各成分的混合通常於0℃～100℃的範圍內進行。另外，於將各成分加以混合後，例如較佳為利用過濾器進行過濾。過濾可採用所述金屬雜質的去除中記載的方法。

＜暫時接著劑組成物的剝離力＞ 關於由暫時接著劑組成物所形成的暫時接著膜，其剝離力的下限較佳為1.0 N/m以上，更佳為3.0 N/m以上。所述剝離力的上限更佳為25 N/m以下，進而佳為20 N/m以下，進一步佳為10 N/m以下，進一步更佳為9 N/m以下。藉由設為此種範圍，可更有效地發揮能夠不對加工後的基材造成損傷地進行剝離的效果。

此處，所謂剝離力是指：使用暫時接著劑組成物而於矽晶圓的表面形成厚度15 μm的暫時接著膜，於23℃下以速度300 mm/min的速度將暫時接著膜的端部向相對於矽晶圓的形成有暫時接著膜的面為垂直的方向拉起，藉此可剝離，且使用測力計對拉起時所施加的力進行測定時的力。具體而言，依照國際公開第2017/150320號的段落0136中記載的方法。

＜暫時接著劑組成物的保存方法及放入暫時接著劑組成物的容器的製造方法＞ 本發明的暫時接著劑組成物的保存方法的特徵在於：以滿足所述式（1）的方式，將暫時接著劑組成物填充至容器中並保存。另外，本發明的放入暫時接著劑組成物的容器的製造方法的特徵在於：以滿足所述式（1）的方式，將暫時接著劑組成物填充至容器中來製造放入暫時接著劑組成物的容器。暫時接著劑組成物的成分組成等、保存條件的詳情、容器的材質或形態等詳情與所述說明中敘述的情況相同。

＜半導體元件的製造方法＞ ＜＜第一實施形態＞＞ 以下，關於使用由本發明的容器中所填充保存的暫時接著劑組成物所形成的暫時接著膜來製造積層體，並利用所述積層體製造半導體元件的方法的一實施形態，一面參照圖式一面進行說明。圖4、圖5的步驟（A）～步驟（E）分別為對載體基材與元件晶圓（被加工構件）的暫時接著進行說明的概略剖面圖（A、B），表示暫時接著於載體基材的元件晶圓經薄型化的狀態（C）、剝離了載體基材與元件晶圓的狀態（D）、將暫時接著膜自元件晶圓去除後的狀態（E）的概略剖面圖。該實施形態中，如步驟（A）所示，首先準備於載體基材12上設置暫時接著膜11而成的接著性載體基材（積層體）100。元件晶圓60是於矽基板61的表面61a上設置多個元件晶片62而成。矽基板61的厚度例如較佳為200 μm～1200 μm。元件晶片62例如較佳為金屬結構體，高度較佳為10 μm～100 μm。

繼而，如步驟（B）所示，使接著性載體基材與元件晶圓60壓接，從而使載體基材12與元件晶圓60暫時接著。暫時接著膜11較佳為完全覆蓋元件晶片62。暫時接著膜11完全包覆元件晶片62的情況於欲進一步降低薄型化元件晶圓的TTV時（即於欲進一步提高薄型化元件晶圓的平坦性時）有效。 繼而，如步驟（C）所示，對矽基板61的背面61b實施機械性或化學性處理（並無特別限定，例如滑磨或化學機械研磨（CMP）等薄膜化處理、化學氣相成長（CVD）或物理氣相成長（PVD）等的於高溫及真空下的處理、使用有機溶劑、酸性處理液或鹼性處理液等化學品的處理、鍍敷處理、光化射線的照射、加熱處理以及冷卻處理等）。於圖5的（C）～圖5的（E）中，實施處理之後的基板背面表示為61b1（圖7的（C1）～圖7的（E）亦相同）。

於步驟（C）中，使矽基板61的厚度變薄來獲得薄型化元件晶圓60a。將元件晶圓薄型化後，於進行高溫及真空下的處理前的階段中，可設置利用溶劑對較元件晶圓的基材面的面積更超出至外側的暫時接著膜進行清洗的步驟。

繼而，如步驟（D）所示，使載體基材12自薄型化元件晶圓60a剝離。剝離時的溫度較佳為40℃以下，亦可設為30℃以下。作為剝離時的溫度的下限值，例如為0℃以上，較佳為10℃以上。剝離的方法並無特別限定，較佳為將薄型化元件晶圓60a固定並自載體基材的端部向相對於薄型化元件晶圓60a為垂直的方向拉起而進行剝離。此時，剝離界面較佳為於載體基材12與暫時接著膜11的界面進行剝離。 而且，如步驟（E）所示，藉由將暫時接著膜11自薄型化元件晶圓60a去除，而可獲得薄型化元件晶圓。

暫時接著膜11的去除方法例如可列舉：以保持暫時接著膜的狀態將其剝離去除的方法；使用剝離液將暫時接著膜去除的方法（於利用剝離液使暫時接著膜膨潤後，進行剝離去除的方法；對暫時接著膜噴射剝離液而進行破壞去除的方法；使暫時接著膜溶解於剝離液而溶解去除的方法等）；藉由光化射線、放射線或熱的照射來使暫時接著膜分解、氣化而去除的方法等。

藉由使用本發明的容器中所填充保存的暫時接著劑組成物，即便於相應的保存期間後應用於暫時接著膜的用途，例如亦可經由所述步驟（A）～步驟（D），來製造於矽基板61或元件晶片62的表面上無缺陷或顆粒的附著的高品質的半導體元件或其構件。另外，根據本發明，由於可不過度管理暫時接著劑組成物的保存期間而保存，故容易製定生產計劃，於所述方面而言亦有助於提高生產效率。

＜＜第二實施形態＞＞ 對經過製造積層體的步驟的半導體製造方法的第二實施形態進行說明。對與所述第一實施形態相同的部位標註相同的符號並省略其說明。圖6、圖7的（A1）～（E）分別為對載體基材與元件晶圓的暫時接著進行說明的概略剖面圖（A1、B1），表示暫時接著於載體基材的元件晶圓經薄型化的狀態（C1）、剝離了載體基材與元件晶圓的狀態（D1）、將暫時接著膜自元件晶圓去除後的狀態（E）的概略剖面圖。該實施形態中，如步驟（A1）所示，將暫時接著膜形成於元件晶圓的表面61a上的方面與所述第一實施形態不同。於將暫時接著膜11a設置於元件晶圓60的表面61a上的情況下，可藉由將暫時接著劑組成物適用（較佳為塗佈）於元件晶圓60的表面61a的表面，繼而加以乾燥（烘烤）而形成。乾燥例如可以60℃～150℃進行10秒～2分鐘。

繼而，如步驟（B1）所示，使載體基材12與元件晶圓60壓接，從而使載體基材12與元件晶圓60暫時接著。繼而，如步驟（C1）所示，對矽基板61的背面61b實施機械性或化學性處理，從而使矽基板61的厚度變薄，而獲得薄型化元件晶圓60a。繼而，如步驟（D1）所示，使載體基材12自薄型化元件晶圓60a剝離。而且，如步驟（E）所示，將暫時接著膜11a自薄型化元件晶圓60a去除。

根據本發明，於第二實施形態亦可製造於矽基板61或元件晶片62的表面上無缺陷或顆粒的附著的高品質的半導體元件。另外，與所述同樣地提高生產計劃的自由度，有助於提高生產效率。

再者，關於使用了暫時接著膜的半導體元件或其構件的製造方法，可參考國際公開第2017/150320號的段落0090～段落0111的記載，將該些內容併入本說明書中。

本發明並不限定於所述實施形態，可進行適宜的變形、改良等。另外，於所述實施形態中，作為元件晶圓，列舉了矽基板，但並不限定於此，於半導體元件的製造方法中，亦可為可供於機械性或化學性處理的任一被處理構件。另外，於所述實施形態中，作為針對元件晶圓（矽基板）的機械性或化學性處理，列舉了元件晶圓的薄膜化處理，但並不限定於該些，於半導體元件的製造方法中，亦可列舉所需的任一處理。除此以外，於所述實施形態中所例示的元件晶圓中的元件晶片的形狀、尺寸、數量、配置部位等為任意，並無限定。另外，作為其他實施形態，亦可設為以下的構成。將暫時接著劑組成物應用於玻璃製、矽製或金屬製的載體上而形成暫時接著膜，於其上接著切割完畢的晶片。此時的接著溫度較佳為10℃～250℃的範圍。進而，藉由成型樹脂來密封經接著的晶片，與所述順序同樣地，自接著性載體基材剝離埋入有晶片的成型樹脂，從而去除暫時接著膜。 [實施例]

以下，藉由實施例對本發明進一步進行具體說明，只要不超出本發明的主旨，則本發明並不限定於以下的實施例。再者，只要無特別說明，則「份」、「%」為質量基準。

＜暫時接著劑組成物的製備＞ 如下述表1所示，將暫時接著劑組成物的各成分加以混合而製成均勻的溶液後，使用具有5 μm的孔徑的聚四氟乙烯製過濾器進行過濾，從而製備暫時接著劑組成物。於比較例3中，彈性體不溶解於溶劑中。於表1中，各固體成分的組成比是以將彈性體的含量設為100質量份時的相對質量份單位來表示。另外，暫時接著劑組成物中的各溶劑的含量於各實施例及比較例中，適宜調整為滿足表中的X的值。

＜容器的準備＞ 於各實施例及比較例中，準備如表所示般具有下述特徵1~特徵4的任一種以上的容器。各特徵的內容分別如下述般，對於各容器所具有的特徵，於相應的特徵欄中記載為「採用」。容器的形狀大致如圖1所示般，容器包括容器本體與蓋（包含外蓋及內蓋）。軀幹部的直徑（內徑）為16.8 cm，軀幹部的高度（自內部的底部至注入口下部的長度）為31.2 cm。注入口的直徑（內徑）為2.5 cm，注入口的長度為4.9 cm。形成有螺紋部的區域的長度為0.94 cm。 ·特徵1：容器的材質為玻璃。 ·特徵2：容器的材質為納氟龍（Naflon）（R）（註冊商標）PFA（霓佳斯（Nichias）公司製造）。 ·特徵3：對於容器的內壁進行了脫鹼處理及超純水清洗。 ·特徵4：內蓋的內壁面進行了鐵氟龍（Teflon）加工。

＜飽和溶解濃度的測定＞ 於算出分率X時，暫時接著劑組成物的飽和溶解濃度預先如下述般進行測定。 於23℃下將過剩量的固體成分投入溶劑中並進行攪拌，藉此使固體成分飽和溶解後，使用10微米過濾器，藉由過濾來去除溶解殘留的固體成分。之後，利用烘箱使規定量的濾液乾燥，測量固體成分的乾燥重量，根據[乾燥重量]/[乾燥前的濾液的量]的式子來算出飽和溶解濃度。

＜放入暫時接著劑組成物的容器的製作＞ 自各容器的注入口填充暫時接著劑組成物，來製作放入暫時接著劑組成物的容器。各容器的填充率Y如下述表般。向容器的填充是於氣溫23℃的大氣下（外部氣壓1 atm）進行。另外，於填充暫時接著劑組成物後，將容器於溫度23℃的環境下分別保存90天。

＜顆粒抑制的評價＞ 於所述保存後，使用旋塗機，於12吋（1吋為2.54 cm）的矽晶圓上塗佈暫時接著劑組成物。繼而，對塗佈後的晶圓分別進行3分鐘100℃、160℃及200℃的加熱處理，來形成暫時接著膜。暫時接著膜的厚度為20 μm。利用缺陷檢查裝置SP-1（KLA製造）來確認暫時接著膜表面的顆粒的個數。此處，將具有1000 nm以上尺寸的異物判斷為顆粒。結果如下述般進行區分並加以評價。 ·A：未滿0.015個/cm² ·B：0.015個/cm² 以上且未滿0.15個/cm² ·C：0.15個/cm² 以上

[表1]

	實施例1	實施例2	實施例3	實施例4	實施例5	實施例6	實施例7	實施例8	實施例9	實施例10	比較例1	比較例2	比較例3	比較例4
配方	彈性體	種類	賽普頓4033	賽普頓4033	賽普頓4033	賽普頓4033	賽普頓4033	賽普頓2002	科騰G1652	賽普頓V9827	賽普頓4033	賽普頓4033	賽普頓4033	賽普頓4033	賽普頓4033	賽普頓4033
重量份	100	100	100	100	100	100	100	100	100	100	100	100	100	100
抗氧化劑	種類	易璐諾斯1010	-	易璐諾斯1010	易璐諾斯1010	易璐諾斯1010	易璐諾斯1010	易璐諾斯1010	易璐諾斯1010	易璐諾斯1010	易璐諾斯1010	易璐諾斯1010	易璐諾斯1010	易璐諾斯1010	易璐諾斯1010
重量份	1	-	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
界面活性劑	種類	KF-6003	KF-6003	-	KF-6003	KF-6003	KF-6003	KF-6003	KF-6003	KF-6003	KF-6003	KF-6003	KF-6003	KF-6003	KF-6003
重量份	1	1	-	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
溶劑	種類	S-1	S-1	S-1	S-1	S-1	S-1	S-1	S-1	S-2	S-3	S-1	S-1	S-4	S-1
X	80	85	85	90	90	85	85	85	90	90	85	100	-	97
Y	85	85	85	85	85	85	85	85	85	85	60	80	-	63
X+|85-Y|	80	85	85	90	90	85	85	85	90	90	110	105	-	119
容器的特徵	特徵1	-	採用	採用	採用	-	採用	採用	採用	採用	採用	採用	採用	-	採用
特徵2	採用	-	-	-	採用	-	-	-	-	-	-	-	-	-
特徵3	採用	採用	採用	採用	-	採用	採用	採用	採用	採用	採用	採用	-	採用
特徵4	採用	採用	採用	採用	採用	採用	採用	採用	採用	採用	採用	採用	-	採用
評價結果	顆粒抑制	A	A	A	A	B	A	A	A	A	A	C	C	非溶解	C
分離性	無殘渣	無殘渣	無殘渣	無殘渣	無殘渣	無殘渣	無殘渣	無殘渣	無殘渣	無殘渣	有殘渣	有殘渣	-	有殘渣

＜原料的規格＞ ＜＜彈性體＞＞ ·賽普頓（Septon）4033：可樂麗（Kuraray）（股）製造（商品名）、氫化聚苯乙烯系彈性體 ·賽普頓（Septon）2002：可樂麗（Kuraray）（股）製造（商品名）、氫化聚苯乙烯系彈性體 ·科騰（Kraton）G1652：可樂麗（Kuraray）（股）製造（商品名）、氫化聚苯乙烯系彈性體 ·賽普頓（Septon）V9827：可樂麗（Kuraray）（股）製造（商品名）、氫化聚苯乙烯系彈性體 ＜＜抗氧化劑＞＞ ·易璐諾斯（Irganox）1010：日本巴斯夫（BASF Japan）（股）製造（商品名） ＜＜界面活性劑＞＞ ·KF-6003：信越化學工業（股）製造（商品名） ＜＜溶劑＞＞ ·S-1：十氫萘（85 wt%）及乙酸丁酯（15 wt%） ·S-2：甲苯（85 wt%）及乙酸丁酯（15 wt%） ·S-3：均三甲苯（85 wt%）及乙酸丁酯（15 wt%） ·S-4：異丙醇

根據表中所示的結果可知，可知於以本發明的較佳實施形態填充保存暫時接著劑組成物的情況下，於作為暫時接著膜而應用於被加工構件等時，可抑制顆粒產生。

相對於此，於式（1）的左邊為100以上的比較例1、比較例2及比較例4中，於用作暫時接著膜時產生了大量的顆粒。

＜實施例100＞ ＜＜積層體的製作＞＞ 使用實施例1～實施例10以及比較例1、比較例2及比較例4的保存後的各暫時接著劑組成物，如以下般製作積層體。

藉由使用C₄ F₈ 氣體的電漿CVD法，於厚度0.7 mm的板狀支撐體上形成氟碳化合物的膜（FC處理1）。藉此，獲得形成有厚度1 μm的剝離層的支撐體。繼而，於厚度725 μm的半導體晶圓基板（直徑150 mm的未研磨矽晶圓）上塗佈各暫時接著劑組成物。繼而，分別於90℃、160℃及220℃下階段性地烘烤各10分鐘～20分鐘，從而於半導體晶圓基板上形成包含暫時接著膜的暫時接著層。烘烤後的暫時接著層的厚度為50 μm。最後，使所述剝離層及所述暫時接著層相互相向地進行貼合，藉此製作積層體。

＜＜分離性的評價＞＞ 對於實施例100中所獲得的各積層體，於對積層體分別實施如以下的處理的基礎上，評價支撐體是否自半導體晶圓基板上分離。 藉由研磨處理而使積層體中的半導體晶圓基板變薄。之後，自積層體的支撐體側向剝離層照射具有532 nm波長的綠色雷射。具體而言，以30 kHz及50 kHz的脈衝頻率對積層體上的兩個部位照射光束形狀為60 μm、照射間距為120 μm、平均輸出為0.6 W、進給速度為3000 mm/sec的532 nm的雷射。雷射的掃描次數為一次。

其結果，於使用實施例1～實施例10的保存後的各暫時接著劑組成物的情況下，積層體中的剝離層遭受雷射照射而變質，僅將支撐體抬起，支撐體容易自半導體晶圓基板分離。另外，於分離支撐體後，藉由目視觀察支撐體及半導體晶圓基板的各貼合面，結果除於半導體晶圓基板上確認到氟碳化合物變質後的微量的黑色粉體以外，無殘渣。

另一方面，於使用比較例1、比較例2及比較例4的保存後的各暫時接著劑組成物的情況下，顯著地觀察到白色或不透明的顆粒，明顯確認到殘渣。

如以上般可知，藉由應用本發明的保存方法，能夠製造品質高的基板，可實現於品質保證上極其有意義的改善。

1:暫時接著劑組成物（暫時接著劑） 2:容器本體 2a:容器的內表面 3:內蓋 4:外蓋 7:注入口 8:螺紋部 9:顆粒 10、20:容器 11、11a:暫時接著膜 12:載體基材（基板） 21:容器本體的基部 22:容器內表面側的包覆層 31:內蓋的基部 32:內蓋內表面側的包覆層 60:元件晶圓（被加工構件） 60a:薄型化元件晶圓（經加工的被加工構件） 61:矽基板 61a:基板表面 61b:基板背面 61b1:薄型化元件晶圓的背面 62:元件晶片 100:接著性載體基材（積層體） V¹ :容器的內部空間中填充至暫時接著劑組成物中的部分 V² :空著的部分

圖1是示意性地表示本發明的一實施形態的放入暫時接著劑組成物的容器的剖面圖。 圖2是示意性地表示本發明的另一實施形態的放入暫時接著劑組成物的容器的剖面圖。 圖3是示意性地表示於容器的內表面產生顆粒的狀態的剖面圖。 圖4的（A）、圖4的（B）是表示半導體裝置的製造方法的第一實施形態（1）的概略圖。 圖5的（C）～圖5的（E）是表示半導體裝置的製造方法的第一實施形態（2）的概略圖。 圖6的（A1）、圖6的（B1）是表示半導體裝置的製造方法的第二實施形態（1）的概略圖。 圖7的（C1）～圖7的（E）是表示半導體裝置的製造方法的第二實施形態（2）的概略圖。

1:暫時接著劑組成物

2:容器本體

2a:容器的內表面

3:內蓋

4:外蓋

7:注入口

8:螺紋部

10:容器

V¹:容器的內部空間中填充至暫時接著劑組成物中的部分

V²:空著的部分

Claims (17)

1. 一種放入暫時接著劑組成物的容器，具有暫時接著劑組成物與容器， 所述暫時接著劑組成物包含含有聚苯乙烯系彈性體的固體成分及有機溶劑，且 以滿足下述式（1）的狀態填充所述暫時接著劑組成物； X+|85-Y|≦100···（1） X是指表示Xa相對於Xb的比例的分率，Xa表示暫時接著劑組成物中的固體成分的調配濃度，Xb表示暫時接著劑組成物中的固體成分於保存溫度下的飽和溶解濃度，Y是表示保存溫度下的暫時接著劑組成物的體積相對於容器容積的比例的填充率，X與Y的單位為%。
2. 如請求項1所述的放入暫時接著劑組成物的容器，其中所述聚苯乙烯系彈性體包含氫化聚苯乙烯系彈性體。
3. 如請求項1或2所述的放入暫時接著劑組成物的容器，其中所述有機溶劑包含選自由脂肪族烴化合物、芳香族烴化合物、酮化合物、及酯化合物所組成的群組中的至少一種化合物。
4. 如請求項1或2所述的放入暫時接著劑組成物的容器，其中所述暫時接著劑組成物進而包含抗氧化劑。
5. 如請求項1或2所述的放入暫時接著劑組成物的容器，其中所述暫時接著劑組成物進而包含界面活性劑。
6. 如請求項1或2所述的放入暫時接著劑組成物的容器，其中所述有機溶劑包含芳香族烴化合物或酯化合物。
7. 如請求項1或2所述的放入暫時接著劑組成物的容器，其中所述式（1）的分率X為20%以上且90%以下。
8. 如請求項1或2所述的放入暫時接著劑組成物的容器，其中所述式（1）的填充率Y為60%以上且99.9%以下。
9. 如請求項1或2所述的放入暫時接著劑組成物的容器，其中所述暫時接著劑組成物用於在由所述暫時接著劑組成物所形成的暫時接著膜的表面形成包含氟碳化合物的層的用途。
10. 如請求項1或2所述的放入暫時接著劑組成物的容器，其中所述容器為於所述容器的內表面包括包含含有氟碳化合物的層的接液面及實施了脫鹼處理的接液面中至少一種接液面的玻璃容器。
11. 如請求項1或2所述的放入暫時接著劑組成物的容器，其中所述容器具有：容器本體，收納所述暫時接著劑組成物；以及蓋，用於關閉所述容器本體， 所述蓋具有包含含有氟碳化合物的層的接液面。
12. 一種暫時接著劑組成物的保存方法，其是將暫時接著劑組成物填充至容器中並保存的方法，所述暫時接著劑組成物的保存方法中， 所述暫時接著劑組成物包含含有聚苯乙烯系彈性體的固體成分及有機溶劑，且 以滿足下述式（1）的方式將所述暫時接著劑組成物填充至所述容器中； X+|85-Y|≦100···（1） X是指表示Xa相對於Xb的比例的分率，Xa表示暫時接著劑組成物中的固體成分的調配濃度，Xb表示暫時接著劑組成物中的固體成分於保存溫度下的飽和溶解濃度，Y是表示保存溫度下的暫時接著劑組成物的體積相對於容器容積的比例的填充率，X與Y的單位為%。
13. 如請求項12所述的暫時接著劑組成物的保存方法，其中所述式（1）的分率X為20%以上且90%以下。
14. 如請求項12或13所述的暫時接著劑組成物的保存方法，其中所述式（1）的填充率Y為60%以上且99.9%以下。
15. 一種放入暫時接著劑組成物的容器的製造方法，其是將暫時接著劑組成物填充至容器中來製造放入暫時接著劑組成物的容器的方法，所述放入暫時接著劑組成物的容器的製造方法中， 所述暫時接著劑組成物包含含有聚苯乙烯系彈性體的固體成分及有機溶劑，且 以滿足下述式（1）的方式將所述暫時接著劑組成物填充至所述容器中； X+|85-Y|≦100···（1） X是指表示Xa相對於Xb的比例的分率，Xa表示暫時接著劑組成物中的固體成分的調配濃度，Xb表示暫時接著劑組成物中的固體成分於保存溫度下的飽和溶解濃度，Y是保存溫度下的暫時接著劑組成物的體積相對於容器容積的比例，X與Y的單位為%。
16. 如請求項15所述的放入暫時接著劑組成物的容器的製造方法，其中所述式（1）的分率X為20%以上且90%以下。
17. 如請求項15或16所述的放入暫時接著劑組成物的容器的製造方法，其中所述式（1）的填充率Y為60%以上且99.9%以下。

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