TW202102460A - 尖晶石粉末 - Google Patents

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Abstract

本發明之尖晶石粉末之純度為99.95質量%以上。該尖晶石粉末以氧化物換算所表示之Mg及Al之含量以MgO計為9質量%以上78質量%以下，以Al2 O3 計為22質量%以上91質量%以下。該尖晶石粉末之製造方法包含：混合步驟，其將純度為99.95質量%以上之鎂源與純度為99.95質量%以上之鋁源混合而獲得混合粉末；粉碎步驟，其粉碎該混合粉末而獲得前驅物；及燒成步驟，其於溫度1500℃以下對該前驅物進行燒成。

Description

尖晶石粉末
本發明係關於一種尖晶石粉末。詳細而言，本發明係關於一種鋁酸鎂尖晶石粉末。
化學組成由MgAl2 O4 表示之鋁酸鎂尖晶石（MgO-Al2 O3 系尖晶石，以下稱為「尖晶石」）被製成熱穩定性及化學穩定性優異之陶瓷燒結體而於各種領域中使用。作為使用該尖晶石而成之陶瓷燒結體之用途，可例示光學材料、耐熱容器、絕緣材料、觸媒載體、吸附劑、支持體、塗佈材料等。
通常，使用尖晶石而成之陶瓷燒結體係藉由對尖晶石粉末進行燒結而獲得。已知尖晶石粉末中含有之微量元素會影響作為用於各種用途之陶瓷燒結體之特性。
於日本特表2018-501178號公報（專利文獻1）中，揭示有含有MgO、至少0.1質量%之摻雜劑、及Al2 O3 ，且總雜質含有率未達0.7質量%之燒結陶瓷構成要素。於WO2015/140459號（專利文獻2）中，提出了由尖晶石結構之鎂鋁氧化物MgAl2 O4 及/或MgO-MgAl2 O4 共晶混合物之基質所構成之融合粒子。該融合粒子之超過95.0%之重量顯示Al2 O3 及MgO之化學組成，CaO及ZrO2 之累積含量未達4000質量ppm。
於WO2014/119177號（專利文獻3）中，揭示有具備由尖晶石燒結體所構成之本體之氣體噴嘴。該尖晶石燒結體含有90質量%以上99.9質量%以下之鋁酸鎂作為主成分，含有0.1質量%以上10質量%以下之Ca、Mg或Zr作為燒結助劑。於WO2013/038916號（專利文獻4）中，揭示有Zn及K之含量分別換算為ZnO及K2 O時合計為30 ppm以上500 ppm以下之鋁酸鎂質燒結體。於專利文獻4中，記載有控制Si、Ca及P之含量使其分別換算為SiO2 、CaO及P2 O5 時合計為500 ppm以上2500 ppm以下。
如專利文獻1-4所揭示，於藉由微量元素賦予或強化所需之特性之情形時，重要的是不含有作為雜質之不需要之其他元素。又，雜質會影響陶瓷燒結體之熱膨脹率。於雜質含量多、純度低之情形時，陶瓷燒結體之熱膨脹率會產生偏差。進而，於光學材料用途中，存在由雜質引起光之吸收或分散、透明性受損之問題。如此，於各種用途中，需要純度高之尖晶石。
於日本特開昭62-72556號公報（專利文獻5）中，揭示有對藉由烷氧化物共沈澱法而獲得之共沈澱物進行煅燒而獲得純度99.9%以上之高純度MgAl2 O4 原料之技術。於日本特表2018-507156號公報（專利文獻6）中，揭示有將經調整pH之氧化鋁分散液添加至鎂化合物之水性分散液中，對由此獲得之漿料進行乾燥後進行煅燒，而製造鋁酸鎂尖晶石之技術。於日本特開2018-52747號公報（專利文獻7）中，揭示有一種含氧化鎂之尖晶石粉末之製造方法，其具有如下步驟：將具有特定粒徑之鎂源粒子與鋁源粒子混合後，於900〜1400℃進行煅燒。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特表2018-501178號公報 [專利文獻2]WO2015/140459號 [專利文獻3]WO2014/119177號 [專利文獻4]WO2013/038916號 [專利文獻5]日本特開昭62-72556號公報 [專利文獻6]日本特表2018-507156號公報 [專利文獻7]日本特開2018-52747號公報
[發明所欲解決之課題]
專利文獻5及6所揭示之方法有操作複雜、粒徑之控制困難之問題。又，於專利文獻5之方法中，因使用高價之烷氧化物，故於成本方面亦存在問題。
於如專利文獻7之固相法之情形時，認為藉由以高純度之鎂源粒子及鋁源粒子為原料，所獲得之尖晶石實現高純度化。但是，已知於固相法中，作為雜質之微量元素促進利用燒成之MgAl2 O4 之生成。例如，於使用純度為99.95質量%以上之原料之情形時，無法獲得該促進效果，因此，於900〜1400℃左右之燒成溫度條件下，難以實現充分之尖晶石化。雖尖晶石化有可能藉由在1600℃以上之高溫下進行長時間燒成而進行，但不僅會導致燒成中之雜質混入之可能性增加，而且由高溫燒成引起之燒結性等活性降低亦成問題。又，於高溫下燒成後之尖晶石被堅固燒結，因此，需要將其強力壓碎及粉碎以使其為特定粒度，雜質混入之可能性進一步增加。進而，於生產性、設備、能源成本等工業方面非常不利，實用化存在問題。
根據本發明人等之見解，工業上使用之尖晶石粉末大部分為純度99.9%左右。於各種用途中，為了令使用尖晶石而成之陶瓷燒結體更高功能化、高附加價值化，需要使作為其原料之尖晶石粉末進一步高純度化。
本發明之目的在於提供一種高純度且不會因高溫燒成而引起活性劣化之尖晶石粉末及其製造方法。 [解決課題之技術手段]
本發明人等進行了努力研究，結果發現，藉由在鎂源與鋁源之固相反應中控制其粒徑，即便為高純度，亦可於相對低溫下進行燒成，藉此完成了本發明。
即，本發明之尖晶石粉末之純度為99.95質量%以上。該尖晶石粉末以氧化物換算所表示之Mg及Al之含量以MgO計為9質量%以上78質量%以下，以Al2 O3 計為22質量%以上91質量%以下。
較佳為，該尖晶石粉末之純度為99.99質量%以上。
較佳為，該尖晶石粉末之Ca之含量未達30 ppm，且Si之含量未達30 ppm。較佳為，該尖晶石粉末之除Mg、Al及O以外之元素之總含量未達500 ppm。
較佳為，該尖晶石粉末係使純度為99.95質量%以上之鎂源與純度為99.95質量%以上之鋁源於反應溫度1500℃以下發生固相反應而成之粉末。
進而，本發明係關於一種該尖晶石粉末之製造方法。該製造方法包含： （1）混合步驟，其將純度為99.95質量%以上之鎂源與純度為99.95質量%以上之鋁源混合而獲得混合粉末； （2）粉碎步驟，其粉碎該混合粉末而獲得前驅物；及 （3）燒成步驟，其於溫度1500℃以下對該前驅物進行燒成。
較佳為，該鎂源及鋁源分別為由多個粒子所構成之粉末。該鎂源之體積基準之累積50%粒徑D50（1）與該鋁源之體積基準之累積50%粒徑D50（2）之比D50（1）/D50（2）為0.2以上5.0以下。
較佳為，該粉碎步驟係藉由濕式粉碎進行。 [發明之效果]
本發明之尖晶石粉末之純度為99.95質量%以上。該尖晶石粉末係藉由將鎂源與鋁源混合後於溫度1500℃以下進行燒成之方法獲得。該尖晶石粉末不會因高溫燒成而引起活性降低，雜質元素之含量足夠少，故而較佳地用於需要高純度之各種用途中。
再者，於上文先前技術中所述，先前使用99.9質量%左右之尖晶石粉末。但是，於本發明所屬之技術領域中，純度99.9質量%（3N）與純度99.95質量%（3N5）之技術水準之差異相比於單純之數值差異更大。本發明係超越其技術困難性而達成者。
以下，基於較佳之實施形態對本發明進行詳細說明，但本發明並不受以下之實施形態限定，可於請求項所示之範圍內進行各種變更。再者，於本說明書中，表示範圍之「X〜Y」意指「X以上Y以下」。只要無特別註釋，則「%」為「質量%」，「ppm」為「質量ppm」。
又，於本說明書中，「尖晶石」係具有MgAl2 O4 之化學組成之鋁酸鎂尖晶石，且係MgO-Al2 O3 之二成分系化合物。本發明之尖晶石粉末並非似氧化鎂與氧化鋁之單純之混合物般氧化鎂之基質與氧化鋁之基質分離者，而是形成鎂與鋁整體地或部分地經複合化之氧化物，具有均勻性更高之組成。
本發明之尖晶石粉末之純度為99.95質量%以上，較佳為99.99質量%以上。此處，純度係指自100%減去尖晶石粉末所含有之雜質之含量而得之數值。
純度99.95質量%以上之尖晶石粉末之除Mg、Al及O以外之元素、即雜質之含量較習知之尖晶石粉末足夠少。根據該尖晶石粉末，所獲得之陶瓷燒結體之熱膨脹率之偏差減少。又，藉由使用該尖晶石粉末，可獲得透明性高之陶瓷燒結體。該尖晶石粉末較佳地用於要求99.95質量%以上之高純度之各種用途中。
本發明之尖晶石粉末以氧化物換算所表示之Mg及Al之含量以MgO計為9質量%以上78質量%以下，以Al2 O3 計為22質量%以上91質量%以下。可對使用該範圍內之尖晶石粉末而獲得之陶瓷燒結體賦予多種用途中要求之各種特性。就此觀點而言，Mg及Al之含量較佳為以MgO計為12質量%以上70質量%以下，以Al2 O3 計為30質量%以上88質量%以下，更佳為以MgO計為14質量%以上61質量%以下，以Al2 O3 計為39質量%以上86質量%以下。較佳為，該尖晶石粉末之Mg與Al之化學計量比處於9：1〜2：8之範圍內。例如，於將該尖晶石粉末用作陶瓷材料之情形時，若Mg之比率增多，則有熱膨脹率增大、耐剝落性降低之傾向。若Mg之比率減少，則有耐蝕性降低之可能性。又，若Al之比率提高，則尖晶石粉末之硬度提高，故而粉碎時混入雜質之可能性增加。再者，Mg及Al之含量之測定方法於下文實施例中進行敍述。
該尖晶石粉末可於不妨礙本發明之效果之範圍內含有除Mg、Al及O以外之元素。作為尖晶石粉末所含有之除Mg、Al及O以外之元素，可例示Ca、Si、Fe、Mn、Ni、Cu、Zn、Na等。存在含有P、S、B、Ti、Zr、Ba等之情形。
較佳為，該尖晶石粉末之Ca之含量未達30 ppm，且Si之含量未達30 ppm。藉由將Si及Ca減少至極微量，由雜質引起之特性變化變得極小，故而可更精密地控制尖晶石粉末之特性。藉此，達成高功能化及高附加價值化。就此觀點而言，Ca之含量更佳為25 ppm以下，進而較佳為20 ppm以下。就同樣之觀點而言，Si之含量更佳為25 ppm以下，進而較佳為20 ppm以下。
較佳為，該尖晶石粉末之除Mg、Al及O以外之元素之總含量未達500 ppm。藉由使除Mg、Al及O以外之元素之總含量處於該範圍內，而達成99.95質量%以上之高純度。就此觀點而言，除Mg、Al及O以外之元素之總含量更佳為100 ppm以下，進而較佳為70 ppm以下。再者，該總含量係作為除Mg、Al及O以外之其他元素之合計含量而求出。該「其他元素」之種類未特別限定，藉由下文實施例中所述之測定方法檢測出之除Mg、Al及O以外之元素係作為「其他元素」而用於算出總含量。作為「其他元素」之具體例，可列舉Ca、Si、Fe、Mn、Ni、Cu、Zn、Na、P、S、B、Ti、Zr、Ba等。
較佳為，該尖晶石粉末係將作為原料之純度99.95質量%以上之鎂源與純度99.95質量%以上之鋁源混合後使其於1500℃以下之溫度下發生固相反應而成之產物。於1500℃以下之固相反應中，抑制所獲得之尖晶石粉末之堅固燒結。該尖晶石粉末可避免由燒成後之強力壓碎及粉碎導致之雜質混入。進而，該尖晶石粉末因未經過度之高溫處理，故可維持燒結性等活性。
以下，對本發明之尖晶石粉末之製造方法進行詳細説明。
該製造方法包含混合步驟、粉碎步驟、及燒成步驟。混合步驟係將純度為99.95質量%以上之鎂源與純度為99.95質量%以上之鋁源混合而獲得混合粉末之步驟。粉碎步驟係粉碎該混合粉末而獲得前驅物之步驟。燒成步驟係於溫度1500℃以下對該前驅物進行燒成之步驟。該製造方法亦可於燒成步驟後包含粒度調整步驟。只要達成本發明之目的，該製造方法便可進而包含其他步驟。
該製造方法中，用作原料之鎂源之純度為99.95質量%以上。藉由使用該純度之鎂源，而達成所獲得之尖晶石粉末之高純度化。就此觀點而言，較佳之鎂源之純度為99.99質量%以上。
只要不妨礙本發明之效果，便不特別限定鎂源之種類。作為鎂源之具體例，可列舉氫氧化鎂、氧化鎂、碳酸鎂、鹼性碳酸鎂、硝酸鎂、乙酸鎂、硫酸鎂等。較佳為氫氧化鎂及氧化鎂，更佳為氫氧化鎂。氫氧化鎂於燒成中變為高比表面積之氧化鎂。該高比表面積之氧化鎂存在於鋁源之周圍，藉此，促進MgAl2 O4 之生成反應，於相對較低之燒成溫度範圍內達成充分之尖晶石化。
純度為99.95質量%以上之鎂源之製造方法亦未特別限定。例如，作為純度99.95質量%以上之氫氧化鎂之製造方法之一例，可舉出如下方法：向含氯化鎂水溶液添加氨、氫氧化鈣、氫氧化鈉等鹼性水溶液使其發生反應後，進行乾燥而獲得氫氧化鎂粉末。進而，對以此方式獲得之氫氧化鎂粉末進行燒成後粉碎至所需粒度而成的氧化鎂粉末亦可用作鎂源。又，舉出藉由使金屬鎂燃燒氧化之氣相法而獲得氧化鎂粉末之方法。
鎂源較佳為由多個微細粒子所構成之粉末。作為鎂源之粒度，體積基準之累積50%粒徑D50（1）較佳為0.1 μm以上1.0 μm以下。藉由使鎂源之粒度處於該範圍內，所獲得之尖晶石粉末中不會殘留氧化鎂之基質，充分地形成氧化鎂與氧化鋁經複合化之尖晶石相。就此觀點而言，鎂源之體積基準之累積50%粒徑D50（1）更佳為0.2 μm以上0.9 μm以下，進而較佳為0.2 μm以上0.8 μm以下。再者，鎂源之體積基準之累積50%粒徑D50（1）之測定方法於下文實施例中進行敍述。
該製造方法中，用作原料之鋁源之純度為99.95質量%以上。藉由使用該純度之鋁源，而達成所獲得之尖晶石粉末之高純度化。就此觀點而言，較佳之鋁源之純度為99.99質量%以上。
只要不妨礙本發明之效果，便不特別限定鋁源之種類。作為鋁源之具體例，可列舉氫氧化鋁、氧化鋁、碳酸鋁、硝酸鋁、乙酸鋁、硫酸鋁等。較佳之鋁源為氧化鋁。
純度為99.95質量%以上之鋁源之製造方法亦未特別限定。例如，作為純度99.95質量%以上之氫氧化鋁之製造方法之一例，例如可舉出如下方法：使鋁礬土於加壓及加熱下與氫氧化鈉水溶液發生反應後，過濾所獲得之溶液，萃取鋁酸鈉溶液，進行冷卻，藉此獲得氫氧化鋁。又，對以此方式獲得之氫氧化鋁進行燒成後粉碎至所需粒度而成的氧化鋁亦可用作鋁源。
鋁源較佳為由多個微細粒子所構成之粉末。作為鋁源之粒度，體積基準之累積50%粒徑D50（2）較佳為0.1 μm以上1.0 μm以下。藉由使鋁源之粒度處於該範圍內，所獲得之尖晶石粉末中不會殘留氧化鋁之基質，充分地形成氧化鎂與氧化鋁經複合化之尖晶石相。就此觀點而言，鋁源之體積基準之累積50%粒徑D50（2）更佳為0.2 μm以上0.9 μm以下，進而較佳為0.2 μm以上0.8 μm以下。再者，鋁源之體積基準之累積50%粒徑D50（2）之測定方法於下文實施例中進行敍述。
較佳為，鎂源之粒徑D50（1）與鋁源之粒徑D50（2）之比D50（1）/D50（2）為0.2以上5.0以下。於混合步驟中，藉由將比D50（1）/D50（2）處於該範圍內之鎂源與鋁源混合，而獲得具有相對均勻之粒度分佈之混合粉末。粉碎該混合粉末而獲得之前驅物（燒成前混合物）之粒度分佈亦均勻。關於粒度分佈均勻之前驅物，鎂源與鋁源之反應於相對較低之燒成溫度下進行，促進尖晶石相之形成。就此觀點而言，比D50（1）/D50（2）更佳為0.4以上4.0以下，尤佳為0.3以上3.0以下。
混合步驟中混合之鎂源與鋁源之摻合比係以所獲得之尖晶石粉末之Mg及Al之含量（亦稱為組成比）處於上述範圍內之方式調整。該製造方法中，鎂源與鋁源之混合方法未特別限定，適當選擇已知之混合裝置而使用。作為其具體例，可列舉V型混合機等容器旋轉型混合機、帶式混合機、亨舍爾混合機（Henschel mixer）、犁刀混合機（ploughshare mixer）、高速混合機（super mixer）、乾式球磨機等。較佳為儘可能均勻地混合。
混合步驟中獲得之混合粉末係於燒成前在粉碎步驟中被粉碎為特定粒度。藉由該粉碎步驟，進而促進相對較低之燒成溫度範圍內之尖晶石相之形成。
該製造方法中，混合粉末之粉碎方法未特別限定，可為濕式粉碎，亦可為乾式粉碎。就容易獲得更均勻之粒度分佈之觀點而言，較佳為濕式粉碎。於濕式粉碎之情形時，混合粉末係於分散於溶劑中之狀態下被粉碎。作為所使用之溶劑，可例示水及醇。亦可混合水及醇而使用。
作為粉碎步驟中使用之粉碎裝置之例，可列舉顎式軋碎機、錐形軋碎機、衝擊軋碎機、輥軋碎機、切碎機（cutter mill）、搗碎機、環磨機（ring mill）、噴射磨機、錘磨機、針磨機（pin mill）、球磨機、振磨機（vibrating mill）、珠磨機（bead mill）、旋風研磨機（cyclone mill）等。粉碎條件未特別限定。可藉由根據混合粉末之粒度、所使用之粉碎裝置之種類等適當調整粉碎時間、轉速等，而達成所需之粒度分佈。
該製造方法中，將粉碎後之混合粉末作為前驅物（燒成前混合物）供至燒成步驟。只要達成本發明之目的，便不特別限定供至燒成步驟之前驅物之粒度。就於相對較低之燒成溫度下促進氧化鎂與氧化鋁之複合化之觀點而言，作為前驅物之粒度，體積基準之累積50%粒徑（D50）較佳為0.1 μm以上1.0 μm以下，更佳為0.2 μm以上0.9 μm以下，進而較佳為0.2 μm以上0.8 μm以下。再者，前驅物之粒度係藉由與鎂源及鋁源同樣之方法測定。
於粉碎步驟中之粉碎為濕式粉碎之情形時，獲得含有粉碎後之混合粉末與溶劑之粉碎物漿料。使該粉碎物漿料乾燥且去除溶劑而成之乾燥粉末係作為前驅物供至燒成步驟。粉碎漿料之乾燥方法未特別限定，適當選擇真空乾燥機、噴霧乾燥機、冷凍乾燥機等已知之乾燥機來使用。關於乾燥方法，亦未特別限制，與所使用之乾燥裝置及粉碎物漿料之性狀等相應地調整。
該製造方法中，燒成步驟中燒成前驅物之溫度為1500℃以下。藉由在溫度1500℃以下燒成前驅物，可獲得氧化鎂與氧化鋁經複合化之尖晶石原料。又，於燒成溫度為1500℃以下之情形時，因燒成後不會發生堅固燒結，故伴隨粉碎操作之異物混入之可能性降低。就達成所需之高純度，且不會由高溫燒成引起活性劣化之觀點而言，燒成溫度較佳為1500℃以下，更佳為1470℃以下，進而較佳為1450℃以下。就尖晶石相形成之反應效率之觀點而言，較佳之燒成溫度為1400℃以上。
燒成時間根據燒成溫度適當調整。例如，於溫度為1450℃以上1500℃以下之情形時，較佳之燒成時間為1小時以上12小時以下，於溫度為1400℃以上1450℃以下之情形時，較佳之燒成時間為3小時以上18小時以下。藉由使燒成時間處於該範圍內，可充分地形成尖晶石相，且避免堅固燒結。
前驅物之燒成通常使用燒成容器。燒成容器之種類未特別限定，使用一般之氧化鋁匣缽、氧化鎂匣缽等構件。較佳為，於燒成步驟中，以蓋覆蓋投入有前驅物之燒成容器之頂面。藉此，可避免於燒成中雜質自外部混入。該燒成容器及蓋之材質較佳為純度99.99質量%以上之高純度氧化鎂。藉由將燒成容器及蓋之材質設為高純度氧化鎂，而避免雜質自燒成容器及蓋移動及混入其中，達成所獲得之尖晶石粉末之更高純度化。
燒成中使用之裝置只要為可於1500℃以下進行燒成者即可，不特別限定。可使用箱型爐、坩堝爐、管狀爐、隧道爐、真空爐、爐底升降爐、電阻加熱爐、感應加熱爐、直接通電型電爐等已知之燒成爐。
亦可藉由將燒成步驟中獲得之尖晶石原料壓碎或粉碎，調整粒徑及粒度分佈，而獲得尖晶石粉末。壓碎或粉碎例如可使用顎式軋碎機、迴轉軋碎機、錐形軋碎機、衝擊軋碎機、輥軋碎機、切碎機、搗碎機、環磨機、滾子輾磨機、噴射磨機、錘磨機、滾磨機、振磨機、行星研磨機（planet mill）、球磨機、旋風研磨機等粉碎機。
壓碎或粉碎條件未特別限定，根據所使用之裝置之種類、前驅物之組成及粒度、燒成條件等進行適當調整。例如，藉由調整壓碎及粉碎時之轉速、處理時間等，而避免雜質之混入，維持尖晶石粉末之純度。藉此，獲得具有所需粒徑及粒度分佈之高純度尖晶石粉末。例如，於使用乾式球磨機進行粉碎之情形時，較佳之粉碎時間為24小時，較佳之轉速為80 rpm。
以下，藉由實施例明瞭本發明之效果，但不應基於該實施例之記載限定地解釋本發明。再者，下述實施例及比較例中，各種物性係根據以下方法測定。
[粒徑] 使用雷射繞射散射式粒度分佈測定裝置（日機裝股份有限公司製造之商品名「MT3300」），測定尖晶石粉末之體積基準之累積10%粒徑（D10）、體積基準之累積50%粒徑（D50）及體積基準之累積90%粒徑（D90）。測定試樣係藉由以下方式準備：將各尖晶石粉末投入甲醇中後，藉由超音波均質機（日本精機製作所股份有限公司製造之商品名「US-300T」）以120 W進行3分鐘分散處理。
[尖晶石粉末之組成比] 使用多元素同時螢光X射線分析裝置（Rigaku股份有限公司製造之商品名「Simultix12」），藉由玻璃珠法進行尖晶石粉末之組成分析。以氧化物換算算出Al及Mg之含量，求出MgO與Al2 O3 之組成比。
[尖晶石粉末之純度及各種元素含量] 準備使尖晶石粉末完全溶解後以超純水稀釋而得者作為測定試樣。使用ICP發射光譜分析裝置（Hitachi High-Tech Science股份有限公司製造之商品名「PS3520 VDD」）測定該測定試樣中之各種元素含量。檢測出之除Mg及Al以外之元素為Ca、Si、Fe、Mn、Ni、Cu、Zn、Na、P、S、B、Ti、Zr及Ba。求出該等元素之合計含量作為總含量（ppm）。再者，於含量未達1 ppm（＜1）之情形時，由於為檢測極限以下，故而未算入總含量。將該總含量換算為%，並自100%減去該值，藉此算出尖晶石粉末之純度（質量%）。
[氧化鎂及氧化鋁之純度] 使用多元素同時螢光X射線分析裝置（Rigaku股份有限公司製造之商品名「Simultix12」），測定氧化鎂及氧化鋁。將檢測出之除Mg、Al及O以外之元素之總含量（ppm）換算為%，並自100%減去該值，藉此求出氧化鎂及氧化鋁之純度。再者，檢測出之除Mg及Al以外之主要元素為Ca、Si、Fe、Mn、Ni、Cu、Zn。
[實施例1] 利用定量泵將Mg離子濃度調整為2.0 mol/L之氯化鎂水溶液及濃度調整為2.7 mol/L之氫氧化鈉水溶液分別送至反應槽，實施連續化合反應。控制氫氧化鈉對氯化鎂之反應率為90 mol%。使所獲得之反應漿料自反應槽中以滯留時間30分鐘溢流出來而將其回收。對該反應漿料（氫氧化鎂漿料）進行過濾、水洗、乾燥，藉此獲得氫氧化鎂乾燥粉末。所獲得之氫氧化鎂乾燥粉末之純度為99.99%以上，體積基準之累積50%粒徑（D50）為0.58 μm。
將純度為99.99%以上、體積基準之累積50%粒徑（D50）為0.20 μm之氫氧化鋁粉末以Mg與Al之組成比以氧化物換算計時MgO：Al2 O3 為1：1之方式摻合於藉由上述方法獲得之氫氧化鎂乾燥粉末中，其後，充分地進行乾式混合使其變得均勻，藉此，獲得氫氧化鎂與氫氧化鋁之混合粉末。
將所獲得之混合粉末與溶劑（工業用醇）以質量比成為1：1之方式填充於球形磨（pot mill）中（填充率35%），進行球磨機濕式粉碎（轉速80 rpm/24小時）。其後，回收內容物之漿料，藉由防爆式乾燥機充分地乾燥，藉此獲得燒成前混合物（前驅物）。
將該燒成前混合物填充於方型氧化鋁匣缽中，於1400℃加熱燒成3小時後，進行冷卻，藉此獲得尖晶石原料。將該尖晶石原料與溶劑（工業用醇）以質量比成為1：1之方式填充於球形磨中（填充率35%），進行球磨機濕式粉碎（轉速80 rpm/24小時）。其後，回收內容物之漿料，使其通過500目篩後，藉由防爆式乾燥機進行乾燥，藉此獲得實施例1之尖晶石粉末。實施例1之尖晶石粉末之組成比、粒徑及純度示於下表1中。該尖晶石粉末中之各種元素之含量及總含量示於下表2中。
[比較例1] 除使用純度為99.99%以上、體積基準之累積50%粒徑（D50）為8.3 μm之氫氧化鋁粉末以外，與實施例1同樣地獲得比較例1之尖晶石粉末。比較例1之尖晶石粉末之組成比、粒徑及純度示於下表1中。該尖晶石粉末中之各種元素之含量及總含量示於下表2中。
[ 表1]
（表1）
   組成比 （MgO：Al2 O3 ） D10 D50 D90 純度
μm μm μm %
實施例1 50：50 0.5 2.2 8.4 99.995
比較例1 50：50 1.9 5.1 8.8 99.944
[表2]
（表2）
   元素含量（單位：ppm） 總含量
   Ca Si P S B Fe Ti Mn Ni Cu Zn Zr Ba Na （ppm）
實施例1 10 10 ＜1 ＜1 ＜1 4 ＜1 1 3 9 1 ＜1 ＜1 8 46
比較例1 284 195 ＜1 ＜1 ＜1 30 ＜1 ＜1 2 10 ＜1 ＜1 ＜1 45 566
如表1及2所示，實施例1中，可獲得純度99.95質量%以上、雜質含量極少之尖晶石粉末。該尖晶石粉末中之Ca及Si之含量均未達30 ppm。與此相對，比較例1中，純度未達99.95質量%，且Ca及Si之含量均為30 ppm以上。自該評價結果可明確知曉本發明之優勢。 [產業上之可利用性]
以上說明之尖晶石粉末較佳地用於需求高純度陶瓷燒結體之各種領域中。
無
無

Claims (8)

  1. 一種尖晶石粉末，其純度為99.95質量%以上，以氧化物換算所表示之Mg及Al之含量以MgO計為9質量%以上78質量%以下，以Al2 O3 計為22質量%以上91質量%以下。
  2. 如請求項1之尖晶石粉末，其純度為99.99質量%以上。
  3. 如請求項1之尖晶石粉末，其中，Ca之含量未達30 ppm，且Si之含量未達30 ppm。
  4. 如請求項1之尖晶石粉末，其中，除Mg、Al及O以外之元素之總含量未達500 ppm。
  5. 如請求項1之尖晶石粉末，其係使純度為99.95質量%以上之鎂源與純度為99.95質量%以上之鋁源於反應溫度1500℃以下發生固相反應而成。
  6. 一種尖晶石粉末之製造方法，其包含：混合步驟，其將純度為99.95質量%以上之鎂源與純度為99.95質量%以上之鋁源混合而獲得混合粉末； 粉碎步驟，其粉碎上述混合粉末而獲得前驅物；及 燒成步驟，其於溫度1500℃以下對上述前驅物進行燒成。
  7. 如請求項6之製造方法，其中，上述鎂源及鋁源係由多個粒子所構成之粉末，該鎂源之體積基準之累積50%粒徑D50（1）與該鋁源之體積基準之累積50%粒徑D50（2）之比D50（1）/D50（2）為0.2以上5.0以下。
  8. 如請求項6之製造方法，其中，上述粉碎步驟係藉由濕式粉碎進行。
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