TW202100605A - 延伸薄膜及其製造方法 - Google Patents

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摺出寺浩成
山中俊介
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日商日本瑞翁股份有限公司
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Abstract

一種延伸薄膜，其係由包含降𦯉烯系聚合物之熱塑性樹脂所形成的延伸薄膜，其中前述降𦯉烯系聚合物選自由降𦯉烯系單體組成物之聚合物及其氫化物而成之群組，前述降𦯉烯系單體組成物包含特定之單體，前述延伸薄膜的厚度為40 μm以下。

Description

延伸薄膜及其製造方法
本發明係關於延伸薄膜及其製造方法。
以往，由熱塑性樹脂所形成的薄膜已為人所知。舉例而言，於專利文獻1已記載藉由環烯烴樹脂來形成光學薄膜的技術。
『專利文獻』 《專利文獻1》：國際專利公開第2017/002508號
設置於液晶顯示裝置等影像顯示裝置的光學薄膜，有時候會要求具有指定的延遲。具有此種延遲的光學薄膜一般係藉由將由熱塑性樹脂所形成之樹脂薄膜延伸，製造成延伸薄膜。
對延伸薄膜有時候會要求細薄，舉例而言，有時候會要求厚度為40 μm以下。惟一般而言，延遲與厚度呈正比，故薄膜愈薄，延遲會有愈小的傾向。於是，就實現薄卻具有期望之延遲的延伸薄膜之觀點而言，本發明人研究將雙折射之顯現性優異的樹脂使用於延伸薄膜的材料。
不過，使用雙折射之顯現性優異的樹脂而形成之以往之薄的延伸薄膜，有機械性強度低的傾向，尤其有拉伸斷裂伸長率小的傾向。再者，在將雙折射之顯現性優異之樹脂的薄膜延伸來製造延伸薄膜的情況下，會有在其製造過程中之薄膜的處理性低劣的傾向。具體而言，有在製造過程中容易發生薄膜斷裂的傾向。
本發明係鑑於前述問題而首創者，其目的在於提供拉伸斷裂伸長率大且處理性優異的延伸薄膜及其製造方法。
本發明人為能解決前述問題潛心進行研究。其結果，本發明人發現，藉由使用包含選自由特定之降𦯉烯系單體組成物之聚合物及其氫化物而成之群組之降𦯉烯系聚合物的熱塑性樹脂，可製造拉伸斷裂伸長率大且處理性優異的延伸薄膜，進而完成本發明。
亦即，本發明包含下述內容。
［1］一種延伸薄膜，其係由包含降𦯉烯系聚合物之熱塑性樹脂所形成的延伸薄膜，其中 前述降𦯉烯系聚合物選自由降𦯉烯系單體組成物之聚合物及其氫化物而成之群組， 前述降𦯉烯系單體組成物包含選自由「由下述式（T）表示之單體」及「由下述式（D）表示之單體」而成之群組之1種以上的單體50重量%以上，與由下述式（N）表示之單體1重量%～15重量%， 前述延伸薄膜的厚度為40 μm以下。 『化1』
Figure 02_image001
（在式（T）中，nt1及nt2分別獨立表示1或2，在nt1為1的情況下，Rt1 表示2價之烴基，在nt1為2的情況下，Rt1 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基，在nt2為1的情況下，Rt2 表示2價之烴基，在nt2為2的情況下，Rt2 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基；在式（D）中，nd1、nd2及nd3分別獨立表示1或2，在nd1為1的情況下，Rd1 表示氫原子、烷基、烷氧羰基或2價之烴基，在nd1為2的情況下，Rd1 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基，在nd2為1的情況下，Rd2 表示氫原子、烷基、烷氧羰基或2價之烴基，在nd2為2的情況下，Rd2 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基，在nd3為1的情況下，Rd3 表示2價之烴基，在nd3為2的情況下，Rd3 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基；在式（N）中，nn1及nn2分別獨立表示1或2，在nn1為1的情況下，Rn1 表示2價之烴基，在nn1為2的情況下，Rn1 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基，在nn2為1的情況下，Rn2 表示2價之烴基，在nn2為2的情況下，Rn2 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基。）
［2］如［1］所記載之延伸薄膜，其中前述延伸薄膜係斜向延伸薄膜。
［3］如［1］所記載之延伸薄膜，其中前述延伸薄膜係雙軸延伸薄膜。
［4］如［1］～［3］之任一項所記載之延伸薄膜，其中前述延伸薄膜之厚度方向之延遲Rth相對於前述延伸薄膜之厚度d的比（Rth／d）為3×10−3 以上。
［5］如［1］～［4］之任一項所記載之延伸薄膜，其中前述延伸薄膜的面延伸倍率為1.4倍以上。
［6］如［1］～［5］之任一項所記載之延伸薄膜，其中前述熱塑性樹脂的應力雙折射CR大於1650×10−12 Pa−1 。
［7］如［1］～［6］之任一項所記載之延伸薄膜，其中前述延伸薄膜的拉伸斷裂伸長率為85%以上。
［8］如［1］～［7］之任一項所記載之延伸薄膜，其中前述熱塑性樹脂的玻璃轉移溫度Tg為105℃以上且未達170℃。
［9］一種延伸薄膜的製造方法，其係如［1］～［8］之任一項所記載之延伸薄膜的製造方法， 其包含準備由包含降𦯉烯系聚合物之熱塑性樹脂所形成之樹脂薄膜的工序，與將前述樹脂薄膜延伸的工序， 前述降𦯉烯系聚合物選自由降𦯉烯系單體組成物之聚合物及其氫化物而成之群組， 前述降𦯉烯系單體組成物包含選自由「由下述式（T）表示之單體」及「由下述式（D）表示之單體」而成之群組之1種以上的單體50重量%以上，與由下述式（N）表示之單體1重量%～15重量%。 『化2』
Figure 02_image004
（在式（T）中，nt1及nt2分別獨立表示1或2，在nt1為1的情況下，Rt1 表示2價之烴基，在nt1為2的情況下，Rt1 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基，在nt2為1的情況下，Rt2 表示2價之烴基，在nt2為2的情況下，Rt2 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基；在式（D）中，nd1、nd2及nd3分別獨立表示1或2，在nd1為1的情況下，Rd1 表示氫原子、烷基、烷氧羰基或2價之烴基，在nd1為2的情況下，Rd1 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基，在nd2為1的情況下，Rd2 表示氫原子、烷基、烷氧羰基或2價之烴基，在nd2為2的情況下，Rd2 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基，在nd3為1的情況下，Rd3 表示2價之烴基，在nd3為2的情況下，Rd3 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基；在式（N）中，nn1及nn2分別獨立表示1或2，在nn1為1的情況下，Rn1 表示2價之烴基，在nn1為2的情況下，Rn1 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基，在nn2為1的情況下，Rn2 表示2價之烴基，在nn2為2的情況下，Rn2 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基。）
［10］如［9］所記載之延伸薄膜的製造方法，其中前述延伸薄膜的面延伸倍率為1.4倍以上。
根據本發明，可提供拉伸斷裂伸長率大且處理性優異的延伸薄膜及其製造方法。
以下揭示實施型態及示例物以詳細說明本發明。惟本發明並非受限於以下所揭示之實施型態及示例物者，在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍的範圍中得任意變更而實施。
在以下說明中，薄膜的面內延遲Re除非另有註記，否則係由Re＝（nx－ny）×d表示之值。並且，薄膜之厚度方向的延遲Rth除非另有註記，否則係由Rth＝｛［（nx＋ny）／2］－nz｝×d表示之值。於此，nx表示係為與薄膜之厚度方向垂直之方向（面內方向）且賦予最大折射率之方向的折射率。ny表示係為前述面內方向且與nx之方向正交之方向的折射率。nz表示厚度方向的折射率。d表示薄膜的厚度。量測波長除非另有註記，否則為550 nm。
在以下說明中，所謂「長條狀」的薄膜，係謂相對於幅寬具有5倍以上之長度的薄膜，以具有10倍或其以上之長度為佳，具體上係謂具有可收捲成卷狀儲存或搬運之程度之長度的薄膜。薄膜之長度相對於幅寬的比例之上限雖不特別受限，但得定為例如100,000倍以下。
在以下說明所揭示之結構式中，由平行畫出的實線及虛線之組合所表示的下述線段，除非另有註記，否則表示單鍵及雙鍵之任一者。
『化3』
Figure 02_image006
［1.延伸薄膜的概要］
本發明之一實施型態相關之延伸薄膜係由熱塑性樹脂所形成的延伸薄膜，且具有特定值以下的厚度。並且，延伸薄膜所包含之前述熱塑性樹脂，包含選自由降𦯉烯系單體組成物之聚合物及其氫化物而成之群組之1種以上的降𦯉烯系聚合物。前述用語所謂「降𦯉烯系單體組成物」，表示作為降𦯉烯系聚合物之原料的單體之總稱。據此，降𦯉烯系聚合物通常得具有降𦯉烯系單體組成物聚合而形成的結構，或該結構之碳―碳不飽和鍵經氫化的結構。
前述降𦯉烯系單體組成物以特定之比例包含選自由「由式（T）表示之單體」及「由式（D）表示之單體」而成之群組之1種以上的單體，與由式（N）表示之單體。
『化4』
Figure 02_image008
（在式（T）中， nt1及nt2分別獨立表示1或2， 在nt1為1的情況下，Rt1 表示2價之烴基， 在nt1為2的情況下，Rt1 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基， 在nt2為1的情況下，Rt2 表示2價之烴基， 在nt2為2的情況下，Rt2 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基； 在式（D）中， nd1、nd2及nd3分別獨立表示1或2， 在nd1為1的情況下，Rd1 表示氫原子、烷基、烷氧羰基或2價之烴基， 在nd1為2的情況下，Rd1 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基， 在nd2為1的情況下，Rd2 表示氫原子、烷基、烷氧羰基或2價之烴基， 在nd2為2的情況下，Rd2 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基， 在nd3為1的情況下，Rd3 表示2價之烴基， 在nd3為2的情況下，Rd3 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基； 在式（N）中， nn1及nn2分別獨立表示1或2， 在nn1為1的情況下，Rn1 表示2價之烴基， 在nn1為2的情況下，Rn1 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基， 在nn2為1的情況下，Rn2 表示2價之烴基， 在nn2為2的情況下，Rn2 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基。）
前述延伸薄膜雖薄，拉伸斷裂伸長率卻大，且處理性優異。並且，通常形成前述延伸薄膜的熱塑性樹脂由於雙折射的顯現性優異，故延伸薄膜即使薄仍可具有大的延遲。
在以下說明中，有時會將由式（T）表示之單體稱作「TCD系單體」。並且，有時會將由式（D）表示之單體稱作「DCP系單體」。再者，有時會將由式（N）表示之單體稱作「NB系單體」。
［2.降𦯉烯系聚合物］
降𦯉烯系聚合物選自由降𦯉烯系單體組成物之聚合物及其氫化物而成之群組。降𦯉烯系單體組成物組合而包含「選自由TCD系單體及DCP系單體而成之群組之1種以上之單體」與「NB系單體」。作為降𦯉烯系單體組成物所包含之單體的良佳組合，可列舉：包含TCD系單體、DCP系單體及NB系單體的組合，以及包含TCD系單體及NB系單體且不含DCP系單體的組合。在使用組合而包含TCD系單體、DCP系單體及NB系單體之降𦯉烯系單體組成物的情況下，通常可獲得作為包含3種以上之重複單元之至少3元共聚物的降𦯉烯系聚合物。並且，在使用組合而包含TCD系單體及NB系單體且不含DCP系單體之降𦯉烯系單體組成物的情況下，通常可獲得作為包含2種以上之重複單元之至少2元共聚物的降𦯉烯系聚合物。並且，降𦯉烯系單體組成物除了TCD系單體、DCP系單體及NB系單體以外還可視需求包含任意單體。
TCD系單體係由式（T）表示。此TCD系單體可在適切的條件下發生開環聚合、加成聚合等聚合反應。並且，藉由前述聚合反應而獲得之聚合物，可利用氫化將碳―碳不飽和鍵轉換成碳―碳單鍵。舉例而言，在由於後所述之式（T-1）表示之TCD系單體發生開環聚合及氫化的情況下，得獲得包含由式（T-A）表示之重複單元的聚合物。
『化5』
Figure 02_image010
在式（T）中，nt1及nt2分別獨立表示1或2。在nt1為1的情況下，Rt1 的原子鍵得表示雙鍵。並且，在nt1為2的情況下，Rt1 的原子鍵得表示單鍵。再者，在nt2為1的情況下，Rt2 的原子鍵得表示雙鍵。並且，在nt2為2的情況下，Rt2 的原子鍵得表示單鍵。因此，式（T）包含由下述式（T-1）～式（T-4）表示之結構。詳細而言，nt1為1的結構得由式（T-2）及式（T-4）表示，nt1為2的結構得由式（T-1）及式（T-3）表示。並且，nt2為1的結構得由式（T-2）及式（T-3）表示，nt2為2的結構得由式（T-1）及式（T-4）表示。
『化6』
Figure 02_image012
在nt1為1的情況下，Rt1 表示2價之烴基。作為2價之烴基，就獲得拉伸斷裂伸長率及處理性尤為優異之延伸薄膜的觀點而言，以脂族烴基為佳，以飽和脂族烴基為較佳。此2價之烴基的碳原子數通常為1以上，且通常為6以下，以4以下為佳，以2以下為較佳。在碳原子數位於前述範圍的情況下，可獲得拉伸斷裂伸長率及處理性尤為優異的延伸薄膜，再者通常易於增大熱塑性樹脂之雙折射的顯現性。作為2價之烴基，可列舉例如亞甲基、亞乙基等。
在nt1為2的情況下，Rt1 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基。作為Rt1 之烷基的碳原子數通常為1以上，且通常為6以下，以4以下為佳，以2以下為較佳。並且，烷氧羰基所包含之烷基的碳原子數通常為1以上，且通常為6以下，以4以下為佳，以2以下為較佳。在碳原子數位於前述範圍的情況下，可獲得拉伸斷裂伸長率及處理性尤為優異的延伸薄膜，再者通常易於增大熱塑性樹脂之雙折射的顯現性。作為烷基，可列舉例如甲基、乙基等。其中，就有效改善拉伸斷裂伸長率的觀點而言，Rt1 以氫原子為佳。在nt1為2的情況下，TCD系單體得於分子中包含多個Rt1 ，而此等Rt1 可相同，亦可相異。
在nt2為1的情況下，Rt2 表示2價之烴基。作為Rt2 所表示之2價之烴基，可使用與Rt1 所表示之2價之烴基相同範圍者，可獲得與已針對Rt1 說明者相同的優點。
在nt2為2的情況下，Rt2 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基。作為Rt2 所表示之烷基及烷氧羰基，可使用與Rt1 所表示之烷基及烷氧羰基相同範圍者，可獲得與已針對Rt1 說明者相同的優點。其中，就有效改善拉伸斷裂伸長率的觀點而言，Rt2 以氫原子為佳。在nt2為2的情況下，TCD系單體得於分子中包含多個Rt2 ，而此等Rt2 可相同，亦可相異。
作為TCD系單體之例，可列舉下述單體。
『化7』
Figure 02_image014
TCD系單體可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。
TCD系單體的量，通常以選自由TCD系單體及DCP系單體而成之群組之1種以上之單體相對於降𦯉烯系單體組成物之總量100重量%的量落於特定範圍的方式來設定。具體而言，選自由TCD系單體及DCP系單體而成之群組之1種以上之單體的量，相對於降𦯉烯系單體組成物之總量100重量%，通常為50重量%以上，以60重量%以上為較佳，以70重量%以上為尤佳，且通常為99重量%以下，以98重量%以下為佳。在選自由TCD系單體及DCP系單體而成之群組之1種以上之單體的量位於前述範圍的情況下，可獲得拉伸斷裂伸長率及處理性優異的延伸薄膜，再者通常可獲得雙折射之顯現性優異的熱塑性樹脂。
在降𦯉烯系單體組成物組合而包含TCD系單體、DCP系單體及NB系單體的情況下，TCD系單體的量，相對於降𦯉烯系單體組成物之總量100重量%，以20重量%以上為佳，以22重量%以上為較佳，以25重量%以上為尤佳，且以35重量%以下為佳，以34重量%以下為較佳，以33重量%以下為尤佳。在TCD系單體的量位於前述範圍的情況下，易於在維持熱塑性樹脂之柔軟性之下就此增大雙折射的顯現性。
並且，在降𦯉烯系單體組成物組合而包含TCD系單體及NB系單體且不含DCP系單體的情況下，TCD系單體的量，相對於降𦯉烯系單體組成物之總量100重量%，以80重量%以上為佳，以93重量%以上為較佳，以94重量%以上為尤佳，且以99重量%以下為佳，以98重量%以下為較佳，以97重量%以下為尤佳。在TCD系單體的量位於前述範圍的情況下，易於增大熱塑性樹脂的耐熱性。
DCP系單體係由式（D）表示。此DCP系單體可在適切的條件下發生開環聚合、加成聚合等聚合反應。並且，藉由前述聚合反應而獲得之聚合物，可利用氫化將碳―碳不飽和鍵轉換成碳―碳單鍵。舉例而言，在由於後所述之式（D-1）表示之DCP系單體發生開環聚合及氫化的情況下，得獲得包含由式（D-A）表示之重複單元的聚合物。
『化8』
Figure 02_image016
在式（D）中，nd1、nd2及nd3分別獨立表示1或2。在nd1為1的情況下，Rd1 的原子鍵得表示單鍵或雙鍵。並且，在nd1為2的情況下，Rd1 的原子鍵得表示單鍵。再者，在nd2為1的情況下，Rd2 的原子鍵得表示單鍵或雙鍵。並且，在nd2為2的情況下，Rd2 的原子鍵得表示單鍵。在Rd1 所鍵結之碳原子與Rd2 所鍵結之碳原子之間的鍵結（亦即，5員環所包含之由實線及虛線之組合表示的鍵結）係雙鍵的情況下，nd1得表示1，Rd1 的原子鍵得表示單鍵，nd2得表示1，Rd2 的原子鍵得表示單鍵。另一方面，在Rd1 所鍵結之碳原子與Rd2 所鍵結之碳原子之間的鍵結為單鍵的情況下，nd1得表示1或2，Rd1 的原子鍵得表示單鍵或雙鍵，nd2得表示1或2，Rd2 的原子鍵得表示單鍵或雙鍵。再者，在nd3為1的情況下，Rd3 的原子鍵得表示雙鍵。並且，在nd3為2的情況下，Rd3 的原子鍵得表示單鍵。因此，式（D）包含由下述式（D-1）～式（D-10）表示之結構。詳細而言，nd1為1的結構得由式（D-1）、式（D-2）、式（D-4）、式（D-7）、式（D-8）及式（D-10）表示，nd1為2的結構得由式（D-3）、式（D-5）、式（D-6）及式（D-9）表示。並且，nd2為1的結構得由式（D-1）、式（D-2）、式（D-5）、式（D-7）、式（D-9）及式（D-10）表示，nd2為2的結構得由式（D-3）、式（D-4）、式（D-6）及式（D-8）表示。再者，nd3為1的結構得由式（D-2）、式（D-6）、式（D-8）、式（D-9）及式（D-10）表示，nd3為2的結構得由式（D-1）、式（D-3）、式（D-4）、式（D-5）及式（D-7）表示。
『化9』
Figure 02_image018
在nd1為1的情況下，Rd1 表示氫原子、烷基、烷氧羰基或2價之烴基。並且，在nd1為2的情況下，Rd1 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基。作為Rd1 之烷基的碳原子數通常為1以上，且通常為6以下，以4以下為佳，以2以下為較佳。並且，烷氧羰基所包含之烷基的碳原子數通常為1以上，且通常為6以下，以4以下為佳，以2以下為較佳。在碳原子數位於前述範圍的情況下，可獲得拉伸斷裂伸長率及處理性尤為優異的延伸薄膜，再者通常易於增大熱塑性樹脂之雙折射的顯現性。作為烷基，可列舉例如甲基、乙基等。並且，作為2價之烴基，就獲得拉伸斷裂伸長率及處理性尤為優異之延伸薄膜的觀點而言，以脂族烴基為佳，以飽和脂族烴基為較佳。此2價之烴基的碳原子數通常為1以上，且通常為6以下，以4以下為佳，以2以下為較佳。在碳原子數位於前述範圍的情況下，可獲得拉伸斷裂伸長率及處理性尤為優異的延伸薄膜，再者通常易於增大熱塑性樹脂之雙折射的顯現性。作為2價之烴基，可列舉例如亞甲基、亞乙基等。其中，就有效改善拉伸斷裂伸長率及處理性的觀點而言，Rd1 以氫原子為佳。在nd1為2的情況下，DCP系單體得於分子中包含多個Rd1 ，而此等Rd1 可相同，亦可相異。
在nd2為1的情況下，Rd2 表示氫原子、烷基、烷氧羰基或2價之烴基。並且，在nd2為2的情況下，Rd2 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基。作為Rd2 所表示之烷基、烷氧羰基及2價之烴基，可使用與Rd1 所表示之烷基、烷氧羰基及2價之烴基相同範圍者，可獲得與已針對Rd1 說明者相同的優點。其中，就有效改善拉伸斷裂伸長率及處理性的觀點而言，Rd2 以氫原子為佳。在nd2為2的情況下，DCP系單體得於分子中包含多個Rd2 ，而此等Rd2 可相同，亦可相異。
在nd3為1的情況下，Rd3 表示2價之烴基。作為Rd3 所表示之2價之烴基，可使用與Rd1 所表示之2價之烴基相同範圍者，可獲得與已針對Rd1 說明者相同的優點。
在nd3為2的情況下，Rd3 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基。作為Rd3 所表示之烷基及烷氧羰基，可使用與Rd1 所表示之烷基及烷氧羰基相同範圍者，可獲得與已針對Rd1 說明者相同的優點。其中，就有效改善拉伸斷裂伸長率及處理性的觀點而言，Rd3 以氫原子為佳。在nd3為2的情況下，DCP系單體得於分子中包含多個Rd3 ，而此等Rd3 可相同，亦可相異。
作為DCP系單體之例，可舉出下述單體。
『化10』
Figure 02_image020
DCP系單體可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。
在降𦯉烯系單體組成物組合而包含TCD系單體、DCP系單體及NB系單體的情況下，DCP系單體的量，相對於降𦯉烯系單體組成物之總量100重量%，以65重量%以上為佳，以66重量%以上為較佳，以67重量%以上為尤佳，且以80重量%以下為佳，以77重量%以下為較佳，以75重量%以下為尤佳。在DCP系單體的量位於前述範圍的情況下，易於增大熱塑性樹脂之雙折射的顯現性。
DCP系單體的量以TCD系單體的量以上為佳。更詳細而言，DCP系單體相對於TCD系單體100重量份的量，以100重量份以上為佳，以150重量份以上為較佳，以200重量份以上為尤佳，且以500重量份以下為佳，以450重量份以下為較佳，以400重量份以下為尤佳。在DCP系單體的量位於前述範圍的情況下，可有改善延伸薄膜的拉伸斷裂伸長率。
NB系單體係由（N）表示。此NB系單體可在適切的條件下發生開環聚合、加成聚合等聚合反應。並且，藉由前述聚合反應而獲得之聚合物，可利用氫化將碳―碳不飽和鍵轉換成碳―碳單鍵。舉例而言，在由於後所述之式（N-1）表示之NB系單體發生開環聚合及氫化的情況下，得獲得包含由式（N-A）表示之重複單元的聚合物。
『化11』
Figure 02_image022
在式（N）中，nn1及nn2分別獨立表示1或2。在nn1為1的情況下，Rn1 的原子鍵得表示雙鍵。並且，在nn1為2的情況下，Rn1 的原子鍵得表示單鍵。再者，在nn2為1的情況下，Rn2 的原子鍵得表示雙鍵。並且，在nn2為2的情況下，Rn2 的原子鍵得表示單鍵。因此，式（N）包含由下述式（N-1）～式（N-4）表示之結構。詳細而言，nn1為1的結構可由式（N-2）及式（N-4）表示，nn1為2的結構可由式（N-1）及式（N-3）表示。並且，nn2為1的結構得由式（N-2）及式（N-3）表示，nn2為2的結構得由式（N-1）及式（N-4）表示。
『化12』
Figure 02_image024
在nn1為1的情況下，Rn1 表示2價之烴基。作為2價之烴基，就獲得拉伸斷裂伸長率及處理性尤為優異之延伸薄膜的觀點而言，以脂族烴基為佳，以飽和脂族烴基為較佳。此2價之烴基的碳原子數通常為1以上，且通常為6以下，以4以下為佳，以2以下為較佳。在碳原子數位於前述範圍的情況下，可獲得拉伸斷裂伸長率及處理性尤為優異的延伸薄膜，再者通常易於增大熱塑性樹脂之雙折射的顯現性。作為2價之烴基，可列舉例如亞甲基、亞乙基等。
在nn1為2的情況下，Rn1 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基。作為Rn1 之烷基的碳原子數通常為1以上，且通常為6以下，以4以下為佳，以2以下為較佳。並且，烷氧羰基所包含之烷基的碳原子數通常為1以上，且通常為6以下，以4以下為佳，以2以下為較佳。在碳原子數位於前述範圍的情況下，可獲得拉伸斷裂伸長率及處理性尤為優異的延伸薄膜，再者通常易於增大熱塑性樹脂之雙折射的顯現性。作為烷基，可列舉例如甲基、乙基等。其中，就有效改善拉伸斷裂伸長率的觀點而言，Rn1 以氫原子為佳。在nn1為2的情況下，NB系單體得於分子中包含多個Rn1 ，而此等Rn1 可相同，亦可相異。
在nn2為1的情況下，Rn2 表示2價之烴基。作為Rn2 所表示之2價之烴基，可使用與Rn1 所表示之2價之烴基相同範圍者，可獲得與已針對Rn1 說明者相同的優點。
在nn2為2的情況下，Rn2 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基。作為Rn2 所表示之烷基及烷氧羰基，可使用與Rn1 所表示之烷基及烷氧羰基相同範圍者，可獲得與已針對Rn1 說明者相同的優點。其中，就有效改善拉伸斷裂伸長率的觀點而言，Rn2 以氫原子為佳。在nn2為2的情況下，NB系單體得於分子中包含多個Rn2 ，而此等Rn2 可相同，亦可相異。
作為NB系單體之例，可舉出下述單體。
『化13』
Figure 02_image026
NB系單體可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。
NB系單體的量，相對於降𦯉烯系單體組成物之總量100重量%，通常為1重量%以上，且通常為15重量%以下，以7重量%以下為佳，以4重量%以下為較佳。在NB系單體的量位於前述範圍的情況下，可獲得拉伸斷裂伸長率及處理性優異的延伸薄膜，再者通常可獲得雙折射之顯現性優異的熱塑性樹脂。
並且，NB系單體的量，相對於選自由TCD系單體及DCP系單體而成之群組之1種以上之單體的量100重量份，以0.5重量份以上為佳，以0.8重量份以上為較佳，以1.0重量份以上為尤佳，且以20重量份以下為佳，以15重量份以下為較佳，以10重量份以下為尤佳。在NB系單體的量位於前述範圍的情況下，可獲得拉伸斷裂伸長率及處理性尤為優異的延伸薄膜。
降𦯉烯系單體組成物在不會顯著損及本發明之效果的範圍內，除了TCD系單體、DCP系單體及NB系單體以外還可包含能夠與TCD系單體、DCP系單體或NB系單體聚合的任意單體。任意單體可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。任意單體的量，相對於降𦯉烯系單體組成物之總量100重量%，以0重量%～5.0重量%為佳，以0重量%～3.0重量%為較佳，以0重量%～1.0重量%為尤佳。其中，降𦯉烯系單體組成物以不含任意單體為佳。
降𦯉烯系聚合物選自由前述降𦯉烯系單體組成物之聚合物及其氫化物而成之群組。作為降𦯉烯系單體組成物之聚合物，可列舉例如降𦯉烯系單體組成物之開環聚合物、降𦯉烯系單體組成物之加成聚合物。並且，作為氫化物，可為聚合物中之非芳香性之碳―碳不飽和鍵經氫化者，亦可為聚合物中之芳香性之碳―碳不飽和鍵經氫化者，還可為聚合物中之非芳香性之碳―碳不飽和鍵及芳香性之碳―碳不飽和鍵兩者經氫化者。尤其，以降𦯉烯系單體組成物之開環聚合物的氫化物為佳，以降𦯉烯系單體組成物之開環聚合物之非芳香性之碳―碳不飽和鍵及芳香性之碳―碳不飽和鍵兩者經氫化的氫化物為更佳。藉由使用此種降𦯉烯系聚合物，可獲得拉伸斷裂伸長率及處理性尤為優異的延伸薄膜，再者通常易於增大熱塑性樹脂之雙折射的顯現性。並且，通常可改善延伸薄膜的機械性強度、耐濕性、耐熱性等特性。
前述氫化物的氫化率在不會顯著損及本發明之效果的範圍內係為任意。在提升延伸薄膜之透明性及耐熱性的觀點上，非芳香性之碳―碳不飽和鍵的氫化率以90%～100%為佳，以97%～100%為較佳，以99%～100%為尤佳。並且，在提升延伸薄膜之透明性及耐熱性的觀點上，芳香性之碳―碳不飽和鍵的氫化率以90%～100%為佳，以93%～100%為較佳，以95%～100%為尤佳。氫化率可藉由1 H-NMR來量測。
降𦯉烯系聚合物的重量平均分子量Mw以10000～100000為佳，以15000～80000為較佳，以20000～70000為尤佳。在重量平均分子量位於前述範圍的情況下，延伸薄膜的機械性強度及成形性可取得高度平衡。
並且，降𦯉烯系聚合物的分子量分布（重量平均分子量（Mw）／數量平均分子量（Mn））以3以下為佳，以2.8以下為較佳，且以1.0以上為佳，以1.2以上為較佳。藉由分子量分布Mw／Mn位於前述範圍，可提升延伸薄膜的耐熱性。
聚合物的重量平均分子量Mw及數量平均分子量Mn，可藉由使用環己烷作為溶析液的凝膠滲透層析法，以聚異戊二烯換算的形式來量測。在聚合物不溶於環己烷的情況下，凝膠滲透層析法得使用四氫呋喃（THF）作為溶析液來進行。在溶析液為THF時，聚合物的重量平均分子量Mw及數量平均分子量Mn可以聚苯乙烯換算的形式來量測。
降𦯉烯系聚合物，舉例而言，可藉由包含在適切之觸媒之存在下將降𦯉烯系單體組成物聚合一事的製造方法來製造。並且，在製造氫化物作為降𦯉烯系聚合物的情況下，降𦯉烯系聚合物的製造方法亦可包含下述事項：在前述聚合之後，對於所獲得之聚合物，在包含鎳、鈀、釕等過渡金屬之氫化觸媒的存在下使氫接觸之，以將碳―碳不飽和鍵氫化。
熱塑性樹脂所包含之降𦯉烯系聚合物的種類可為1種，亦可為2種以上。
熱塑性樹脂所包含之降𦯉烯系聚合物的量，在可獲得拉伸斷裂伸長率及處理性優異之延伸薄膜的範圍內係為任意。具體而言，熱塑性樹脂所包含之降𦯉烯系聚合物的量，相對於熱塑性樹脂100重量%，以80重量%～100重量%為佳，以90重量%～100重量%為較佳，以95重量%～100重量%為尤佳。
［3.熱塑性樹脂］
本實施型態相關之延伸薄膜所包含之熱塑性樹脂包含於上已述之降𦯉烯系聚合物。透過由包含於上已述之降𦯉烯系聚合物的熱塑性樹脂而成，本實施型態相關之延伸薄膜雖薄，拉伸斷裂伸長率卻大，且處理性優異。並且，通常此延伸薄膜即使薄仍可具有大的延遲。
熱塑性樹脂除了降𦯉烯系聚合物以外還可包含任意成分。作為任意成分，可列舉例如：紫外線吸收劑及紅外線吸收劑等光吸收劑；抗氧化劑；熱穩定劑；光穩定劑；抗靜電劑；分散劑；除氯劑；阻燃劑；結晶成核劑；強化劑；抗結塊劑；防霧劑；離型劑；顏料；有機或無機之填充劑；中和劑；滑劑；分解劑；金屬減活劑；防汙劑；抗菌劑；等。任意成分可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。
熱塑性樹脂的應力雙折射CR以大於1650×10−12 Pa−1 為佳，以大於1700×10−12 Pa−1 為較佳，並且，以未達2800×10−12 Pa−1 為佳，以未達2700×10−12 Pa−1 為較佳。在熱塑性樹脂之應力雙折射CR大於前述範圍之下限值的情況下，包含此熱塑性樹脂的薄膜會有由延伸所致之雙折射的顯現性大的傾向，是故，易於增大延伸薄膜的延遲。並且，在熱塑性樹脂之應力雙折射CR未達前述範圍之上限值的情況下，會變得易於控制延伸薄膜的延遲，可抑制延遲之面內之參差。
熱塑性樹脂的應力雙折射CR可利用下述方法量測。
將熱塑性樹脂成形為薄片狀，獲得薄片。將此薄片的兩端以夾具固定之後，於其中一側的夾具固定指定之重量（例如55 g）的砝碼。隨後，於設定成指定溫度（例如較熱塑性樹脂之玻璃轉移溫度Tg高15℃之溫度）的烘箱內，將未固定砝碼之側的夾具作為起點，將薄片吊掛指定時間（例如1小時）來進行延伸處理。將進行過延伸處理的薄片緩慢冷卻回復至室溫。針對此薄片，以量測波長650 nm量測薄片中心部的面內延遲Re（b），將此面內延遲Re（b）除以薄片中心部的厚度T（b），藉此算出δn值。然後，將此δn值除以施加於薄片的應力（在上述情況下，係在固定指定之砝碼時所施加的應力），可求得應力雙折射CR。
熱塑性樹脂的應力雙折射CR可依據作為降𦯉烯系聚合物之原料的降𦯉烯系單體組成物所包含的單體之種類及量比，以及在熱塑性樹脂中之降𦯉烯系聚合物的含率來調整。
熱塑性樹脂的玻璃轉移溫度Tg以105℃以上為佳，以108℃以上為較佳，以110℃以上為尤佳，且以未達170℃為佳，以未達160℃為較佳，以未達150℃為尤佳。在熱塑性樹脂的玻璃轉移溫度Tg為前述範圍之下限值以上的情況下，可抑制在高溫環境中之降𦯉烯系聚合物之定向的鬆弛。據此，可抑制在高溫環境中之延伸薄膜的延遲之變化。並且，由於通常可增大由延伸所致之雙折射的顯現性，故會易於增大延伸薄膜的延遲。另一方面，在熱塑性樹脂之玻璃轉移溫度Tg未達前述範圍之上限值的情況下，會易於延伸加工。
熱塑性樹脂的玻璃轉移溫度Tg，可使用微差掃描熱量分析計，依循JIS K 6911，在升溫速度10℃／分鐘的條件下量測。
熱塑性樹脂的玻璃轉移溫度Tg，舉例而言，可依作為降𦯉烯系聚合物之原料的降𦯉烯系單體組成物所包含的單體之種類及量比，以及在熱塑性樹脂中之降𦯉烯系聚合物的含率來調整。
［4.延伸薄膜的特性］
本實施型態相關之延伸薄膜係由包含於上已述之降𦯉烯系聚合物的熱塑性樹脂所形成，具有特定範圍的厚度。延伸薄膜具體的厚度通常為40 μm以下，以35 μm以下為佳，以30 μm以下為較佳。雖為如此之薄的薄膜，但本實施型態相關之延伸薄膜可具有大的拉伸斷裂伸長率及優異的處理性。並且，由於通常前述熱塑性樹脂之雙折射的顯現性優異，故即使延伸薄膜如前述般之薄，該延伸薄膜仍可具有大的延遲。延伸薄膜之厚度的下限並無特別之限制，但在有效增大拉伸斷裂伸長率的觀點上，得以10 μm以上為佳，以15 μm以上為較佳，以20 μm以上為尤佳。
延伸薄膜在經拉伸的情況下，不易發生斷裂。據此，延伸薄膜可具有大的拉伸斷裂伸長率E。延伸薄膜具體的拉伸斷裂伸長率E以85%以上為佳，以90%以上為較佳。延伸薄膜之拉伸斷裂伸長率E的上限並無特別限制，得為例如150%以下。
延伸薄膜的拉伸斷裂伸長率E可遵循JIS K 7127，藉由下述方法量測。
自量測對象的延伸薄膜衝壓出10個1B型之啞鈴狀的試片。在衝壓試片時，5個試片的長邊方向與另外5個試片的長邊方向設定成垂直。舉例而言，在長條狀之延伸薄膜中，5個試片的長邊方向得設定成與延伸薄膜的長邊方向平行，另外5個試片的長邊方向得設定成與延伸薄膜的幅寬方向平行。然後，針對此等試片量測拉伸斷裂伸長率。拉伸斷裂伸長率的量測，係使用附帶恆溫恆濕槽的拉伸試驗機（例如INSTRON公司製「5564型」），以拉伸速度20 mm／min，在常溫常壓之環境下進行。然後，得將所量測之試片的拉伸斷裂伸長率的量測值之平均值定為延伸薄膜的拉伸斷裂伸長率E。
延伸薄膜的處理性優異。具體而言，在製造該延伸薄膜時，即使接受延伸處理及修整處理亦不易發生斷裂。
由於延伸薄膜係藉由包含延伸的製造方法而製造的薄膜，故通常該延伸薄膜所包含之降𦯉烯系聚合物的分子已然定向。據此，延伸薄膜得為「具有因應前述分子之定向的雙折射」之光學各向異性的薄膜。因此，延伸薄膜可具有延遲。
延伸薄膜所包含之熱塑性樹脂得具有高的雙折射之顯現性。據此，活用此高顯現性，延伸薄膜以具有大的延遲為佳。具體而言，延伸薄膜之厚度方向之延遲Rth與厚度d的比Rth／d以位於特定範圍為佳。前述比Rth／d的特定範圍以3.0×10−3 以上為佳，以3.1×10−3 以上為較佳，以3.2×10−3 以上為尤佳。比Rth／d的上限並無特別之限制，但在有效增大延伸薄膜之拉伸斷裂伸長率的觀點上，以9.5×10−3 以下為佳，以9.0×10−3 以下為較佳，以8.5×10−3 以下為尤佳。通常面延伸倍率愈大的延伸薄膜，有具有愈大的比Rth／d的傾向。
延伸薄膜之厚度方向的延遲Rth，因應該延伸薄膜的用途而係為任意。若要揭示具體的範圍，延伸薄膜之厚度方向的延遲Rth以40 nm以上為佳，以50 nm以上為較佳，以60 nm以上為尤佳，且以450 nm以下為佳，以400 nm以下為較佳，以350 nm以下為尤佳。
延伸薄膜的面內延遲Re，因應該延伸薄膜的用途而係為任意。若要揭示具體的範圍，延伸薄膜的面內延遲Re以0 nm以上為佳，以10 nm以上為較佳，以20 nm以上為尤佳，且以300 nm以下為佳，以250 nm以下為較佳，以200 nm以下為尤佳。
延伸薄膜以具有高的全光線穿透率為佳。延伸薄膜具體的全光線穿透率以85%～100%為佳，以87%～100%為較佳，以90%～100%為尤佳。全光線穿透率得使用市售之分光光度計在波長400 nm以上且700 nm以下的範圍來量測。
延伸薄膜就提高適用該延伸薄膜的影像顯示裝置之影像清晰度的觀點而言，以霧度小為佳。延伸薄膜的霧度以1%以下為佳，以0.8%以下為較佳，以0.5%以下為尤佳。霧度得遵循JIS K 7361-1997使用濁度計來量測。
［5.延伸薄膜的製造方法］
於上已述之延伸薄膜，舉例而言，可藉由包含「準備由包含降𦯉烯系聚合物之熱塑性樹脂所形成之樹脂薄膜的工序」與「將前述樹脂薄膜延伸的工序」的製造方法來製造。為了與延伸後所獲得的延伸薄膜區別，以下適時將延伸之前的樹脂薄膜稱作「延伸前薄膜」。
在準備延伸前薄膜的工序中，通常會將熱塑性樹脂成形來獲得延伸前薄膜。成形方法並無限制。作為成形方法，可列舉例如：擠製成形法、溶液澆鑄法、吹脹成形法等。其中，以擠製成形法及溶液澆鑄法為佳，以擠製成形法為尤佳。
在準備延伸前薄膜之後，進行將此延伸前薄膜延伸的工序。藉由此延伸，可使薄膜中之降𦯉烯系聚合物的分子定向，故可獲得具有期望之光學特性的延伸薄膜。並且，由於係由包含於上已述之降𦯉烯系聚合物的熱塑性樹脂所形成，故可抑制由此延伸所致之薄膜斷裂。在將延伸前薄膜延伸之工序中的延伸條件，可在能夠獲得期望之延伸薄膜的範圍任意設定。
延伸前薄膜的延伸之態樣，舉例而言，可為沿1方向進行延伸的單軸延伸，亦可為沿非平行之2方向進行延伸的雙軸延伸。並且，雙軸延伸可為同時進行往2方向之延伸的同時雙軸延伸，亦可為在進行完往一方向之延伸後再進行往另一方向之延伸的逐次雙軸延伸。其中，以雙軸延伸為佳，以逐次雙軸延伸為較佳。有時會將藉由包含雙軸延伸的製造方法而製造的延伸薄膜稱為「雙軸延伸薄膜」。根據雙軸延伸，可輕易增大厚度方向的延遲Rth。
延伸前薄膜的延伸方向得任意設定。舉例而言，在延伸前薄膜係長條狀之薄膜的情況下，延伸方向可為縱向，亦可為橫向，還可為斜向。所謂縱向，表示長條狀之薄膜的長度方向；所謂橫向，表示長條狀之薄膜的幅寬方向；所謂斜向，表示既不平行亦不垂直於長條狀之薄膜之長度方向的方向。其中，以斜向為佳。有時會將藉由包含往斜向之延伸的製造方法而製造的延伸薄膜為「斜向延伸薄膜」。斜向延伸薄膜得在斜向具有慢軸。據此，斜向延伸薄膜可在與於縱向或幅寬方向具有吸收軸的一般偏光薄膜貼合時輕易進行軸線對準，以可使利用輥對輥的貼合成為可能為佳。
前述延伸的面延伸倍率以1.4以上為佳，以1.42以上為較佳，以1.45倍以上為尤佳，且以2.5以下為佳，以2.45以下為較佳，以2.4倍以下為尤佳。所謂面延伸倍率，表示往各延伸方向之延伸倍率的積。據此，在例如單軸延伸中，該單軸延伸的延伸倍率表示面延伸倍率。並且，在例如雙軸延伸中，2方向之延伸倍率的積表示面延伸倍率。在面延伸倍率為前述範圍之下限值以上的情況下，可獲得厚度方向之延遲Rth大的延伸薄膜。並且，以如此之大的面延伸倍率延伸之以往的薄膜，有拉伸斷裂伸長率及處理性低劣的傾向。相對於此，本實施型態相關之延伸薄膜可以如前所述之大的面延伸倍率延伸，同時拉伸斷裂伸長率及處理性優異。據此，就活用拉伸斷裂伸長率及處理性如此優異之這類優點的觀點而言，面延伸倍率以前述範圍的下限值以上為佳。另一方面，在面延伸倍率為前述範圍之上限值以下的情況下，可獲得拉伸斷裂伸長率及處理性尤為優異的延伸薄膜。
延伸溫度以Tg℃以上為佳，以Tg＋5℃以上為較佳，且以Tg＋40℃以下為佳，以Tg＋30℃以下為較佳。於此，Tg表示熱塑性樹脂的玻璃轉移溫度。在延伸溫度為前述範圍的情況下，易於使延伸薄膜的厚度均勻。
在前述製造方法中，如上所述，可藉由將延伸前薄膜延伸來獲得延伸薄膜，但前述製造方法亦可更包含任意工序。舉例而言，前述製造方法亦可包含將延伸薄膜修整的工序。在此工序中，通常會在適切之位置連續修整長條狀之延伸薄膜，藉此連續去除該延伸薄膜之幅寬方向的邊緣部。在處理性低劣之以往的薄膜中，延伸薄膜或自該延伸薄膜去除之邊緣部容易由於此修整而發生斷裂。相對於此，本實施型態相關之延伸薄膜由於處理性優異，故可抑制由前述修整所致之延伸薄膜及邊緣部的斷裂。
根據前述製造方法，可獲得長條狀之延伸薄膜。此種長條狀之延伸薄膜能夠連續製造，生產性優異。並且，由於可藉由輥對輥來進行與其他薄膜的貼合，故在此點上生產性亦優異。通常而言，長條狀之延伸薄膜可經收捲而在卷的狀態下進行儲存及搬運。
［6.延伸薄膜的用途］
於上已述之延伸薄膜，得作為光學薄膜設置於例如液晶顯示裝置等影像顯示裝置。此時，延伸薄膜可單獨設置於影像顯示裝置，亦可與任意薄膜貼合而做成多層薄膜，設置於影像顯示裝置。若要舉出具體例，可將延伸薄膜與偏光薄膜貼合而獲得多層薄膜，再將此多層薄膜設置於影像顯示裝置。
『實施例』
以下揭示實施例以具體說明本發明。惟本發明並非受限於以下實施例者，在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍的範圍中得任意變更而實施。
在以下說明中，表示量的「%」及「份」除非另有註記，否則係重量基準。以下操作除非另有註記，否則在常溫常壓大氣中進行。
［I.聚合物及樹脂之物性值的量測方法及計算方法］
（聚合物之重量平均分子量Mw的量測方法）
聚合物的重量平均分子量Mw係藉由以環己烷作為溶析液之凝膠滲透層析法（GPC）來量測，以標準聚異戊二烯換算值的形式求出。在聚合物不溶於環己烷時，使用THF作為溶析液。並且，在使用THF作為溶析液時，以聚苯乙烯換算值的形式量測重量平均分子量Mw。
作為標準聚異戊二烯，使用東曹公司製標準聚異戊二烯（Mw＝602、1390、3920、8050、13800、22700、58800、71300、109000、280000）。
量測係將3支東曹公司製管柱（TSKgelG5000HXL、TSKgelG4000HXL及TSKgelG2000HXL）串聯相接來使用，並在流速1.0 mL／分鐘、樣品注入量100 μL、管柱溫度40℃的條件下進行。
（玻璃轉移溫度Tg的量測方法）
玻璃轉移溫度Tg使用微差掃描熱量分析計（SII NanoTechnology公司製「DSC6220」），依循JIS K 6911，在升溫速度10℃／分鐘的條件下量測。
（應力雙折射CR的量測方法）
將樹脂成形為縱長35 mm×橫幅10 mm×厚度1 mm的薄片狀，獲得樣品薄片。將此樣品薄片的兩端以夾具固定之後，於其中一側的夾具固定55 g之砝碼。隨後，於將溫度設定成樹脂之玻璃轉移溫度Tg＋15℃的烘箱內，將未固定砝碼之側的夾具作為起點，將樣品薄片吊掛1小時來進行延伸處理延伸處理。之後，將樣品薄片緩慢冷卻回復至室溫，獲得量測試樣。
針對此量測試樣，使用雙折射計（Photonic Lattice公司製「WPA-100」），以量測波長650 nm量測量測試樣之中心部的面內延遲Re（b）［nm］。並且，量測量測試樣之前述中心部的厚度T（b）［mm］。使用此等量測值Re（b）及T（b），藉由下述式（X1）算出δn值。 δn＝Re（b）×（1／T（b））×10−6 （X1）
使用該δn值及施加於樣品的應力F，藉由下述式（X2）計算出應力雙折射CR。 CR＝δn／F　　　（X2）
［II.薄膜的評價方法］
（薄膜之厚度的量測方法）
薄膜的厚度藉由卡規（三豐公司製「ID-C112BS」）來量測。厚度的量測係在薄膜之幅寬方向的中心部進行。
（厚度方向之延遲Rth以及比Rth／d的量測方法）
延伸薄膜之厚度方向的延遲Rth［nm］，使用相位差計（AXOMETRICS社製「AXOSCAN」）以量測波長550 nm來量測。使用此量測值Rth［nm］及延伸薄膜的厚度d［mm］，藉由下述式（X3）計算比Rth／d。 Rth／d＝Rth×（1／d）×10−6 （X3）
（面延伸倍率S的計算方法）
表示總延伸倍率的面延伸倍率，係比照下述來計算。
在進行縱向延伸及橫向延伸的實施例及比較例中，將往縱向的延伸倍率與往橫向的延伸倍率相乘，計算出面延伸倍率。
在進行斜向延伸的實施例及比較例中，將其往斜向的延伸倍率本身採用作為面延伸倍率。
（拉伸斷裂伸長率E的量測方法）
遵循JIS K 7127，藉由下述方法量測量測對象之薄膜的拉伸斷裂伸長率。
自量測對象之薄膜衝壓出10個1B型之啞鈴形狀的試片。其中5個試片的衝壓係以薄膜之MD方向（流動方向。相當於長邊方向。）與試片之啞鈴形狀的長邊方向呈平行的方式進行。並且，其餘5個試片的衝壓係以薄膜之TD方向（與流動方向正交的方向。相當於幅寬方向。）與試片之啞鈴形狀的長邊方向呈平行的方式進行。使用附帶恆溫恆濕槽的拉伸試驗機（INSTRON公司製「5564型」）量測如此獲得之試片的拉伸斷裂伸長率。拉伸速度以20 mm／min實施。計算「具有與薄膜之MD方向平行之長邊方向的5個試片之量測值」及「具有與薄膜之TD方向平行之長邊方向的5個試片之量測值」的平均值，將此平均值作為薄膜的拉伸斷裂伸長率E。
（處理性的評價方法）
以下述評價基準評價在延伸薄膜之製造工序中之薄膜的處理性。 A：從延伸前薄膜供給至縱向延伸機或斜向延伸機，到延伸薄膜由收捲機收捲為止，延伸前薄膜、中間薄膜、延伸薄膜及自前述延伸薄膜切下之幅寬方向的邊緣部皆無斷裂。 B：在縱向延伸機、橫向延伸機或斜向延伸機的烘箱內，於延伸前薄膜、中間薄膜及延伸薄膜並無斷裂。然而，在自延伸薄膜切下其幅寬方向之邊緣部的修整處理時，於延伸薄膜或自該延伸薄膜切下的邊緣部卻發生斷裂。 C：在縱向延伸機、橫向延伸機或斜向延伸機之烘箱內，於延伸前薄膜、中間薄膜或延伸薄膜發生斷裂。再者，在自延伸薄膜切下其幅寬方向之邊緣部的修整處理時，於延伸薄膜或自該延伸薄膜裁切下的邊緣部發生斷裂。
［實施例1］
（1-1）降𦯉烯系開環聚合物的製造：
於內部經氮氣置換的玻璃製反應器，在室溫下加入相對於於後所述之單體之合計100重量份為200份之經脫水的環己烷、1-己烯0.73 mol%、二異丙醚0.15 mol%及三異丁鋁0.44 mol%，並予以混合。之後，保持在聚合溫度45℃，同時於反應器並行且費時2小時連續添加作為單體的雙環戊二烯（簡稱「DCPD」）70重量份、四環十二烯（簡稱「TCD」）29重量份及降𦯉烯（簡稱「NB」）1重量份，以及六氯化鎢（0.65重量%甲苯溶液）0.02 mol%，並予以聚合。隨後，於聚合溶液加入異丙醇0.2 mol%將聚合觸媒去活化，使聚合反應終止。在前述說明中，由單位「mol%」表示的量皆為將單體之合計量定為100 mol%的值。藉此，獲得包含降𦯉烯系開環聚合物作為前述單體之聚合物的反應溶液。單體轉成聚合物的轉化率為100%。
（1-2）利用氫化之降𦯉烯系氫化物的製造：
其次，對在前述工序（1-1）獲得之包含降𦯉烯系開環聚合物的反應溶液183重量份加入環己烷67重量份，並進一步加入矽藻土負載鎳觸媒（日揮化學公司製「T8400RL」，鎳負載率57%）0.8重量%作為氫化觸媒。氫化觸媒的量表示相對於反應溶液所包含之降𦯉烯系開環聚合物100重量%的值。之後，將反應溶液透過氫加壓至4.5 MPa，一邊攪拌一邊加溫至溫度190℃，進行氫化反應8小時。藉此，獲得包含「作為降𦯉烯系開環聚合物之氫化物的降𦯉烯系氫化物」的反應溶液。藉由1 H-NMR來量測此降𦯉烯系氫化物的氫化率，結果非芳香性之碳―碳不飽和鍵的氫化率為99.9%。
以Radiolite #500作為濾床，在壓力0.25 MPa下將所獲得之反應溶液加壓過濾（石川島播磨重工公司製「FUNDABAC濾器」），去除氫化觸媒，獲得無色透明的溶液。將所獲得之溶液注入大量的異丙醇中，使降𦯉烯系氫化物沉澱。將沉澱之降𦯉烯系氫化物過濾取出。之後，於此降𦯉烯系氫化物100份，添加已溶解抗氧化劑［肆{3-[3,5-二(三級丁基)-4-羥基苯基]丙酸}新戊四醇酯（Ciba Specialty Chemicals公司製「IRGANOX（註冊商標）1010」）］0.1份的二甲苯溶液2.0份。隨後，以真空乾燥機（200℃，1 Torr）使之乾燥6小時，獲得熱塑性降𦯉烯系樹脂。降𦯉烯系氫化物的重量平均分子量Mw為4.2×104 。
利用於上已述之方法量測熱塑性降𦯉烯系樹脂的玻璃轉移溫度Tg、應力雙折射CR。熱塑性降𦯉烯系樹脂的玻璃轉移溫度Tg為111℃，應力雙折射CR為2450×10−12 Pa−1 。
（1-3）延伸前薄膜的製造：
將在前述工序獲得之熱塑性降𦯉烯系樹脂置入雙軸擠製機，藉由熱熔融擠製成形而成形為股狀之成形體。將此成形體使用股線切割機細切，獲得熱塑性降𦯉烯系樹脂的顆粒。
在80℃下將此顆粒乾燥5小時。之後，藉由通常方法將該顆粒供給至擠製機，在250℃下使之熔融。然後，使已熔融之熱塑性降𦯉烯系樹脂自模具排出至冷卻滾筒上，做成厚度47 μm的長條狀之樹脂薄膜，連續製造延伸前薄膜。
（1-4）延伸薄膜的製造：
準備具備輥及烘箱且使用輥間之懸浮方式的縱向延伸機。使用此縱向延伸機，將前述延伸前薄膜沿縱向延伸成1.1倍，獲得中間薄膜。使用縱向延伸機之前述延伸的延伸溫度為116℃。
之後，將前述中間薄膜供給至具備烘箱且使用拉幅法的橫向延伸機。使用此橫向延伸機，一邊調整牽引張力與拉幅鏈張力一邊將中間薄膜沿橫向延伸成1.5倍，獲得作為雙軸延伸薄膜的長條狀之延伸薄膜。使用橫向延伸機之前述延伸的延伸溫度為116℃。
此等延伸的面延伸倍率為1.65倍。
一邊將所獲得之延伸薄膜沿長邊方向輸送，一邊使用具備切割機的修整裝置，進行在自該延伸薄膜之幅寬方向之邊緣起算距離350 mm的位置切斷的修整處理。藉此，自延伸薄膜去除其幅寬方向的邊緣部。之後，將已去除邊緣部的延伸薄膜使用收捲機收捲成卷狀。
利用於上已述之方法評價如此獲得的延伸薄膜。所獲得之延伸薄膜的厚度方向之延遲Rth為130 nm，厚度d為30 μm，Rth／d為4.33×10−3 ，拉伸斷裂伸長率E為105%。並且，在於上已述之評價基準下的處理性為A。
［實施例2］
在前述工序（1-3）中，藉由調整取決於冷卻滾筒之樹脂的牽引速度，將延伸前薄膜的厚度變更為43 μm。並且，在前述工序（1-4）中，將取決於縱向延伸機之延伸前薄膜的延伸倍率及延伸溫度變更為1.25倍及120℃。再者，在前述工序（1-4）中，將取決於橫向延伸機之中間薄膜的延伸倍率及延伸溫度變更為1.55倍及120℃。除了以上事項以外，藉由與實施例1相同的方法，進行延伸薄膜的製造及評價。
［實施例3］
在前述工序（1-3）中，藉由調整取決於冷卻滾筒之樹脂的牽引速度，將延伸前薄膜的厚度變更為72 μm。並且，在前述工序（1-4）中，將取決於縱向延伸機之延伸前薄膜的延伸倍率及延伸溫度變更為1.4倍及111℃。再者，在前述工序（1-4）中，將取決於橫向延伸機之中間薄膜的延伸倍率及延伸溫度變更為1.7倍及111℃。除了以上事項以外，藉由與實施例1相同的方法，進行延伸薄膜的製造及評價。
［實施例4］
（4-1）延伸前薄膜的製造：
除了藉由調整取決於冷卻滾筒之樹脂的牽引速度，將所製造之延伸前薄膜的厚度變更為32 μm以外，藉由與實施例1之工序（1-1）至工序（1-3）相同的方法，製造長條狀之延伸前薄膜。
（4-2）延伸薄膜的製造：
將前述延伸前薄膜供給至具備烘箱且使用拉幅法的斜向延伸機。使用此斜向延伸機，一邊調整牽引張力、拉幅鏈張力與拉幅鏈速度，一邊將延伸前薄膜沿斜向延伸成1.5倍，獲得作為斜向延伸薄膜的延伸薄膜。在本實施例中之作為延伸方向的前述斜向，係相對於延伸前薄膜之長邊方向夾45°之角度的方向。使用斜向延伸機之前述延伸的延伸溫度為119℃。
一邊將所獲得之延伸薄膜沿長邊方向輸送，一邊進行與實施例1相同的修整處理。之後，將已去除邊緣部的延伸薄膜使用收捲機收捲成卷狀。利用於上已述之方法評價如此獲得的延伸薄膜。
［實施例5］
（5-1）包含降𦯉烯系氫化物的熱塑性降𦯉烯系樹脂之製造：
將所使用之單體的組合變更為四環十二烯（TCD）28重量份、雙環戊二烯（DCPD）70重量份及降𦯉烯（NB）2重量份。並且，將1-己烯的量變更成0.78 mol%。除了以上事項以外，藉由與實施例1之工序（1-1）及工序（1-2）相同的方法，獲得包含降𦯉烯系氫化物及抗氧化劑的熱塑性降𦯉烯系樹脂。降𦯉烯系氫化物的重量平均分子量Mw為3.9×104 。並且，熱塑性降𦯉烯系樹脂的玻璃轉移溫度Tg為108℃，應力雙折射CR為2550×10−12 Pa−1 。
（5-2）延伸前薄膜的製造：
使用在前述工序（5-1）製造的熱塑性降𦯉烯系樹脂，來代替在實施例1製造的熱塑性降𦯉烯系樹脂。並且，藉由調整取決於冷卻滾筒之樹脂的牽引速度，將所製造之延伸前薄膜的厚度變更為33 μm。除了以上事項以外，藉由與實施例1之工序（1-3）相同的方法，製造長條狀之延伸前薄膜。
（5-3）延伸薄膜的製造：
將前述延伸前薄膜供給至具備烘箱且使用拉幅法的斜向延伸機。使用此斜向延伸機，一邊調整牽引張力、拉幅鏈張力與拉幅鏈速度，一邊將延伸前薄膜沿斜向延伸成1.45倍，獲得作為斜向延伸薄膜的延伸薄膜。在本實施例中之作為延伸方向的前述斜向，係相對於延伸前薄膜之長邊方向夾45°之角度的方向。使用斜向延伸機之前述延伸的延伸溫度為120℃。
一邊將所獲得之延伸薄膜沿長邊方向輸送，一邊進行與實施例1相同的修整處理。之後，將已去除邊緣部的延伸薄膜使用收捲機收捲成卷狀。依照於上已述之方法評價如此獲得的延伸薄膜。
［實施例6］
（6-1）8-甲基-8-甲氧羰基四環[4.4.0.12,5 .17,10 ]-3-十二烯（簡稱「DNM」）的製造：
將2-甲基雙環[2,2,1]-5-庚烯-2-羧酸甲酯（CAS. 7398-76-7；Angene International Limited製）與雙環戊二烯（DCPD）以莫耳比計呈88：12的方式裝入高壓容器中。之後，以氮氣置換高壓容器中的空氣，在攪拌速度600 rpm下升溫至165℃，保持1分鐘。之後，升溫至200℃，使之反應3小時，獲得8-甲基-8-甲氧羰基四環[4.4.0.12,5 .17,10 ]-3-十二烯（DNM）。
（6-2）降𦯉烯系開環聚合物的製造：
於內部經氮氣置換的玻璃製反應器，在室溫下加入相對於於後所述之單體之合計100重量份為200份之經脫水的甲苯及1-己烯7份，並予以混合。之後，保持在100℃，同時於反應器置入作為單體的8-甲基-8-甲氧羰基四環[4.4.0.12,5 .17,10 ]-3-十二烯（DNM）87份，之後添加三乙鋁0.005份及甲醇改質六氯化鎢0.005份，並進一步費時20分鐘添加作為單體的降𦯉烯（NB）13份。之後，進一步使之反應45分鐘。隨後，於聚合溶液加入異丙醇0.2 mol%將聚合觸媒去活化，使聚合反應終止。在前述說明中，由單位「mol%」表示的量，係將單體之合計量定為100 mol%的值。藉此，獲得包含降𦯉烯系開環聚合物作為前述單體之聚合物的反應溶液。單體轉成聚合物的轉化率為100%。
（6-3）利用氫化之降𦯉烯系氫化物的製造：
其次，對在前述工序（6-2）獲得之包含降𦯉烯系開環聚合物的反應溶液183重量份加入甲苯67份，並進一步添加氯氫化羰基參(三苯基膦)釕（以下適時簡寫為「釕觸媒」。）0.0043份作為氫化觸媒。之後，在氫壓4.5 MPa、160℃下進行氫化反應4小時。藉此，獲得包含「作為降𦯉烯系開環聚合物之氫化物的降𦯉烯系氫化物」的反應溶液。
將所獲得之溶液注入大量的異丙醇中，使降𦯉烯系氫化物沉澱。將沉澱之降𦯉烯系氫化物過濾取出。之後，於此降𦯉烯系氫化物100份，添加已溶解抗氧化劑［肆{3-[3,5-二(三級丁基)-4-羥基苯基]丙酸}新戊四醇酯（Ciba Specialty Chemicals公司製「IRGANOX（註冊商標）1010」）］0.1份的二甲苯溶液2.0份。隨後，以真空乾燥機（200℃，1 Torr）使之乾燥6小時，獲得熱塑性降𦯉烯系樹脂。降𦯉烯系氫化物的重量平均分子量Mw為9.5×104 。
利用於上已述之方法量測熱塑性降𦯉烯系樹脂的玻璃轉移溫度Tg、應力雙折射CR。熱塑性降𦯉烯系樹脂的玻璃轉移溫度Tg為123℃，應力雙折射CR為1900×10−12 Pa−1 。
（6-4）延伸前薄膜的製造：
使用在前述工序（6-3）製造的熱塑性降𦯉烯系樹脂，來代替在實施例1製造的熱塑性降𦯉烯系樹脂。並且，藉由調整取決於冷卻滾筒之樹脂的牽引速度，將所製造之延伸前薄膜的厚度變更為33 μm。除了以上事項以外，藉由與實施例1之工序（1-3）相同的方法，製造長條狀之延伸前薄膜。
（6-5）延伸薄膜的製造：
將前述延伸前薄膜供給至具備烘箱且使用拉幅法的斜向延伸機。使用此斜向延伸機，一邊調整牽引張力、拉幅鏈張力與拉幅鏈速度，一邊將延伸前薄膜沿斜向延伸成1.45倍，獲得作為斜向延伸薄膜的延伸薄膜。在本實施例中之作為延伸方向的前述斜向，係相對於延伸前薄膜之長邊方向夾45°之角度的方向。使用斜向延伸機之前述延伸的延伸溫度為130℃。
一邊將所獲得之延伸薄膜沿長邊方向輸送，一邊進行與實施例1相同的修整處理。之後，將已去除邊緣部的延伸薄膜使用收捲機收捲成卷狀。利用於上已述之方法評價如此獲得的延伸薄膜。
［實施例7］
（7-1）包含降𦯉烯系氫化物的熱塑性降𦯉烯系樹脂之製造：
將8-甲基-8-甲氧羰基四環[4.4.0.12,5 .17,10 ]-3-十二烯（DNM）的量變更為92重量份，將降𦯉烯（NB）的量變更為8重量份，將1-己烯的量變更為10重量份。除了以上事項以外，藉由與實施例6之工序（6-1）至工序（6-3）相同的方法，獲得包含降𦯉烯系氫化物及抗氧化劑的熱塑性降𦯉烯系樹脂。降𦯉烯系氫化物的重量平均分子量Mw為5.0×104 。並且，熱塑性降𦯉烯系樹脂的玻璃轉移溫度Tg為136℃，應力雙折射CR為1800×10−12 Pa−1 。
（7-2）延伸前薄膜的製造：
使用在前述工序（7-1）製造的熱塑性降𦯉烯系樹脂，來代替在實施例1製造的熱塑性降𦯉烯系樹脂。並且，藉由調整取決於冷卻滾筒之樹脂的牽引速度，將所製造之延伸前薄膜的厚度變更為39 μm。除了以上事項以外，藉由與實施例1之工序（1-3）相同的方法，製造延伸前薄膜。
（7-3）延伸薄膜的製造：
使用在前述工序（7-2）製造的延伸前薄膜，來代替在實施例1製造的延伸前薄膜。並且，將取決於縱向延伸機之延伸前薄膜的延伸溫度變更為141℃。再者，將取決於橫向延伸機之中間薄膜的延伸溫度變更為141℃。除了以上事項以外，藉由與實施例1之工序（1-4）相同的方法，進行延伸薄膜的製造及評價。
［實施例8］
（8-1）包含降𦯉烯系氫化物的熱塑性降𦯉烯系樹脂之製造：
將8-甲基-8-甲氧羰基四環[4.4.0.12,5 .17,10 ]-3-十二烯（DNM）的量變更為96重量份，將降𦯉烯（NB）的量變更為4重量份，將1-己烯的量變更為6重量份。除了以上事項以外，藉由與實施例6之工序（6-1）至工序（6-3）相同的方法，獲得包含降𦯉烯系氫化物及抗氧化劑的熱塑性降𦯉烯系樹脂。降𦯉烯系氫化物的重量平均分子量Mw為6.5×104 。並且，熱塑性降𦯉烯系樹脂的玻璃轉移溫度Tg為150℃，應力雙折射CR為1700×10−12 Pa−1 。
（8-2）延伸前薄膜的製造：
使用在前述工序（8-1）製造的熱塑性降𦯉烯系樹脂，來代替在實施例1製造的熱塑性降𦯉烯系樹脂。並且，藉由調整取決於冷卻滾筒之樹脂的牽引速度，將所製造之延伸前薄膜的厚度變更為39 μm。除了以上事項以外，藉由與實施例1之工序（1-3）相同的方法，製造延伸前薄膜。
（8-3）延伸薄膜的製造：
使用在前述工序（8-2）製造的延伸前薄膜，來代替在實施例1製造的延伸前薄膜。並且，將取決於縱向延伸機之延伸前薄膜的延伸溫度變更為155℃。再者，將取決於橫向延伸機之中間薄膜的延伸溫度變更為155℃。除了以上事項以外，藉由與實施例1之工序（1-4）相同的方法，進行延伸薄膜的製造及評價。
［比較例1］
（C1-1）包含降𦯉烯系氫化物的熱塑性降𦯉烯系樹脂之製造：
將所使用之單體的組合變更為甲橋四氫茀（MTF）60重量份及四環十二烯（TCD）40重量份。並且，將1-己烯的量變更為0.8 mol%。再者，將單體的聚合溫度變更成55℃。除了以上事項以外，藉由與實施例1之工序（1-1）及工序（1-2）相同的方法，獲得包含降𦯉烯系氫化物及抗氧化劑的熱塑性降𦯉烯系樹脂。降𦯉烯系氫化物的重量平均分子量Mw為3.1×104 。並且，熱塑性降𦯉烯系樹脂的玻璃轉移溫度Tg為161℃，應力雙折射CR為1600×10−12 Pa−1 。
（C1-2）延伸前薄膜的製造：
使用在前述工序（C1-1）製造的熱塑性降𦯉烯系樹脂，來代替在實施例1製造的熱塑性降𦯉烯系樹脂。並且，藉由取決於調整冷卻滾筒之樹脂的牽引速度，將所製造之延伸前薄膜的厚度變更為63 μm。除了以上事項以外，藉由與實施例1之工序（1-3）相同的方法，製造延伸前薄膜。
（C1-3）延伸薄膜的製造：
使用在前述工序（C1-2）製造的延伸前薄膜，來代替在實施例1製造的延伸前薄膜。並且，將取決於縱向延伸機之延伸前薄膜的延伸溫度變更為168℃。再者，將取決於橫向延伸機之中間薄膜的延伸溫度變更為168℃。除了以上事項以外，藉由與實施例1之工序（1-4）相同的方法，進行延伸薄膜的製造及評價。
［比較例2］
（C2-1）包含降𦯉烯系氫化物的熱塑性降𦯉烯系樹脂之製造：
將所使用之單體的組合變更為甲橋四氫茀（MTF）10重量份、四環十二烯（TCD）40重量份及雙環戊二烯（DCPD）50重量份。並且，將1-己烯的量變更為0.76 mol%。再者，將單體的聚合溫度變更成55℃。除了以上事項以外，藉由與實施例1之工序（1-1）及工序（1-2）相同的方法，獲得包含降𦯉烯系氫化物及抗氧化劑的熱塑性降𦯉烯系樹脂。降𦯉烯系氫化物的重量平均分子量Mw為3.6×104 。並且，熱塑性降𦯉烯系樹脂的玻璃轉移溫度Tg為128℃，應力雙折射CR為2020×10−12 Pa−1 。
（C2-2）延伸前薄膜的製造：
使用在前述工序（C2-1）製造的熱塑性降𦯉烯系樹脂，來代替在實施例1製造的熱塑性降𦯉烯系樹脂。並且，藉由調整取決於冷卻滾筒之樹脂的牽引速度，將所製造之延伸前薄膜的厚度變更為33 μm。除了以上事項以外，藉由與實施例1之工序（1-3）相同的方法，製造延伸前薄膜。
（C2-3）延伸薄膜的製造：
使用在前述工序（C2-2）製造的延伸前薄膜，來代替在實施例1製造的延伸前薄膜。並且，將取決於縱向延伸機之延伸前薄膜的延伸倍率及延伸溫度變更為1.2倍及130℃。再者，將取決於橫向延伸機之中間薄膜的延伸溫度變更為130℃。除了以上事項以外，藉由與實施例1之工序（1-4）相同的方法，進行延伸薄膜的製造及評價。
［比較例3］
（C3-1）包含降𦯉烯系氫化物的熱塑性降𦯉烯系樹脂之製造：
將8-甲基-8-甲氧羰基四環[4.4.0.12,5 .17,10 ]-3-十二烯（DNM）的量變更為100份。並且，將1-己烯的量變更為10份。再者，未使用降𦯉烯（NB）。除了以上事項以外，藉由與實施例6之工序（6-2）及工序（6-3）相同的方法，獲得包含降𦯉烯系氫化物及抗氧化劑的熱塑性降𦯉烯系樹脂。降𦯉烯系氫化物的重量平均分子量Mw為13.0×104 。並且，熱塑性降𦯉烯系樹脂的玻璃轉移溫度Tg為165℃，應力雙折射CR為2100×10−12 Pa−1 。
（C3-2）延伸前薄膜的製造：
使用在前述工序（C3-1）製造的熱塑性降𦯉烯系樹脂，來代替在實施例1製造的熱塑性降𦯉烯系樹脂。並且，藉由調整取決於冷卻滾筒之樹脂的牽引速度，將所製造之延伸前薄膜的厚度變更為63 μm。除了以上事項以外，藉由與實施例1之工序（1-3）相同的方法，製造延伸前薄膜。
（C3-3）延伸薄膜的製造：
使用在前述工序（C3-2）製造的延伸前薄膜，來代替在實施例1製造的延伸前薄膜。並且，將取決於縱向延伸機之延伸前薄膜的延伸溫度變更為177℃。再者，將取決於橫向延伸機之中間薄膜的延伸溫度變更為177℃。除了以上事項以外，藉由與實施例1之工序（1-4）相同的方法，進行延伸薄膜的製造及評價。
［結果］ 前述實施例及比較例的結果揭示於下表。在下表中，簡稱的意義如下。 TCD：四環十二烯。 DNM：8-甲基-8-甲氧羰基四環[4.4.0.12,5 .17,10 ]-3-十二烯。 DCPD：雙環戊二烯。 NB：降𦯉烯。 MTF：甲橋四氫茀。 Mw：降𦯉烯系氫化物的重量平均分子量。 Tg：熱塑性降𦯉烯系樹脂的玻璃轉移溫度。 CR值：熱塑性降𦯉烯系樹脂的應力雙折射。 Rth：延伸薄膜之厚度方向的延遲。 Rth／d：延伸薄膜之厚度方向的延遲Rth相對於厚度d的比。
『表1』 ［表1.實施例的結果］
實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5
單體的裝入量[份]
TCD 29 29 29 29 28
DNM - - - - -
DCPD 70 70 70 70 70
NB 1 1 1 1 2
MTF - - - - -
樹脂之物性
Tg[℃] 111 111 111 111 108
Mw 42000 42000 42000 42000 39000
CR值[×10-12 ／Pa] 2450 2450 2450 2450 2550
延伸條件
延伸法 雙軸 雙軸 雙軸 斜向 斜向
延伸前薄膜的厚度[μm] 47 43 72 32 33
縱向延伸溫度[℃] 116 120 111 - -
縱向延伸倍率 1.10 1.25 1.40 - -
縱向延伸後的厚度[μm] 45 39 61 - -
橫向延伸溫度[℃] 116 120 111 - -
橫向延伸倍率 1.50 1.55 1.70 - -
橫向延伸後的厚度[μm] 30 25 36 - -
斜向延伸溫度[℃] - - - 119 120
斜向延伸倍率 - - - 1.50 1.45
斜向延伸後的厚度[μm] - - - 21 23
面延伸倍率 1.65 1.94 2.38 1.50 1.45
延伸薄膜的評價
Rth[nm] 130 130 300 68 70
Rth／d 0.00433 0.00520 0.00833 0.00324 0.00304
拉伸斷裂伸長率E[%] 105 100 96 103 110
處理性 A A A A A
『表2』 ［表2.實施例的結果］
實施例6 實施例7 實施例8
單體的裝入量[份]  
TCD - - -
DNM 87 92 96
DCPD - - -
NB 13 8 4
MTF - - -
樹脂之物性  
Tg[℃] 123 136 150
Mw 95000 50000 65000
CR值[×10-12 ／Pa] 1900 1800 1700
延伸條件  
延伸法 斜向 雙軸 雙軸
延伸前薄膜的厚度[μm] 33 39 39
縱向延伸溫度[℃] - 141 155
縱向延伸倍率 - 1.10 1.10
縱向延伸後的厚度[μm] - 38 38
橫向延伸溫度[℃] - 141 155
橫向延伸倍率 - 1.50 1.50
橫向延伸後的厚度[μm] - 25 25
斜向延伸溫度[℃] 130 - -
斜向延伸倍率 1.45 - -
斜向延伸後的厚度[μm] 23 - -
面延伸倍率 1.45 1.65 1.65
延伸薄膜的評價  
Rth[nm] 70 130 130
Rth／d 0.00304 0.00520 0.00520
拉伸斷裂伸長率E[%] 95 90 86
處理性 A A A
『表3』 ［表3.比較例的結果］
比較例1 比較例2 比較例3
單體的裝入量[份]
TCD 40 40 -
DNM - - 100
DCPD - 50 -
NB - - -
MTF 60 10 -
樹脂之物性
Tg[℃] 161 128 165
Mw 31000 36000 130000
CR值[×10-12 ／Pa] 1600 2020 2100
延伸條件
延伸法 雙軸 雙軸 雙軸
延伸前薄膜的厚度[μm] 63 33 63
縱向延伸溫度[℃] 168 130 177
縱向延伸倍率 1.10 1.20 1.10
縱向延伸後的厚度[μm] 60 30 60
橫向延伸溫度[℃] 168 130 177
橫向延伸倍率 1.50 1.50 1.50
橫向延伸後的厚度[μm] 40 20 40
斜向延伸溫度[℃] - - -
斜向延伸倍率 - - -
斜向延伸後的厚度[μm] - - -
面延伸倍率 1.65 1.80 1.65
延伸薄膜的評價
Rth[nm] 130 130 130
Rth／d 0.00325 0.00650 0.00325
拉伸斷裂伸長率E[%] 20 67 34
處理性 C B C
無。
無。
Figure 109112952-A0101-11-0001-1
無。

Claims (10)

  1. 一種延伸薄膜，其係由包含降𦯉烯系聚合物之熱塑性樹脂所形成的延伸薄膜，其中前述降𦯉烯系聚合物選自由降𦯉烯系單體組成物之聚合物及其氫化物而成之群組，前述降𦯉烯系單體組成物包含選自由「由下述式（T）表示之單體」及「由下述式（D）表示之單體」而成之群組之1種以上的單體50重量%以上，與由下述式（N）表示之單體1重量%～15重量%，前述延伸薄膜的厚度為40 μm以下，『化1』
    Figure 03_image001
    （在式（T）中，nt1及nt2分別獨立表示1或2，在nt1為1的情況下，Rt1 表示2價之烴基，在nt1為2的情況下，Rt1 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基，在nt2為1的情況下，Rt2 表示2價之烴基，在nt2為2的情況下，Rt2 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基；在式（D）中，nd1、nd2及nd3分別獨立表示1或2，在nd1為1的情況下，Rd1 表示氫原子、烷基、烷氧羰基或2價之烴基，在nd1為2的情況下，Rd1 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基，在nd2為1的情況下，Rd2 表示氫原子、烷基、烷氧羰基或2價之烴基，在nd2為2的情況下，Rd2 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基，在nd3為1的情況下，Rd3 表示2價之烴基，在nd3為2的情況下，Rd3 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基；在式（N）中，nn1及nn2分別獨立表示1或2，在nn1為1的情況下，Rn1 表示2價之烴基，在nn1為2的情況下，Rn1 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基，在nn2為1的情況下，Rn2 表示2價之烴基，在nn2為2的情況下，Rn2 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基）。
  2. 如請求項1所述之延伸薄膜，其中前述延伸薄膜係斜向延伸薄膜。
  3. 如請求項1所述之延伸薄膜，其中前述延伸薄膜係雙軸延伸薄膜。
  4. 如請求項1所述之延伸薄膜，其中前述延伸薄膜之厚度方向之延遲Rth相對於前述延伸薄膜之厚度d的比（Rth／d）為3×10−3 以上。
  5. 如請求項1所述之延伸薄膜，其中前述延伸薄膜的面延伸倍率為1.4倍以上。
  6. 如請求項1所述之延伸薄膜，其中前述熱塑性樹脂的應力雙折射CR大於1650×10−12 Pa−1 。
  7. 如請求項1所述之延伸薄膜，其中前述延伸薄膜的拉伸斷裂伸長率為85%以上。
  8. 如請求項1所述之延伸薄膜，其中前述熱塑性樹脂的玻璃轉移溫度Tg為105℃以上且未達170℃。
  9. 一種延伸薄膜的製造方法，其係如請求項1至8之任一項所述之延伸薄膜的製造方法，其包含準備由包含降𦯉烯系聚合物之熱塑性樹脂所形成之樹脂薄膜的工序，與將前述樹脂薄膜延伸的工序，前述降𦯉烯系聚合物選自由降𦯉烯系單體組成物之聚合物及其氫化物而成之群組，前述降𦯉烯系單體組成物包含選自由「由下述式（T）表示之單體」及「由下述式（D）表示之單體」而成之群組之1種以上的單體50重量%以上，與由下述式（N）表示之單體1重量%～15重量%，『化2』
    Figure 03_image004
    （在式（T）中，nt1及nt2分別獨立表示1或2，在nt1為1的情況下，Rt1 表示2價之烴基，在nt1為2的情況下，Rt1 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基，在nt2為1的情況下，Rt2 表示2價之烴基，在nt2為2的情況下，Rt2 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基；在式（D）中，nd1、nd2及nd3分別獨立表示1或2，在nd1為1的情況下，Rd1 表示氫原子、烷基、烷氧羰基或2價之烴基，在nd1為2的情況下，Rd1 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基，在nd2為1的情況下，Rd2 表示氫原子、烷基、烷氧羰基或2價之烴基，在nd2為2的情況下，Rd2 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基，在nd3為1的情況下，Rd3 表示2價之烴基，在nd3為2的情況下，Rd3 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基；在式（N）中，nn1及nn2分別獨立表示1或2，在nn1為1的情況下，Rn1 表示2價之烴基，在nn1為2的情況下，Rn1 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基，在nn2為1的情況下，Rn2 表示2價之烴基，在nn2為2的情況下，Rn2 分別獨立表示氫原子、烷基或烷氧羰基）。
  10. 如請求項9所述之延伸薄膜的製造方法，其中前述延伸薄膜的面延伸倍率為1.4倍以上。
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Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1179554A1 (en) * 2000-08-08 2002-02-13 Industrial Technology Research Institute Catalyst composition for preparing olefin polymers
JP3899511B2 (ja) * 2001-04-27 2007-03-28 Ｊｓｒ株式会社 熱可塑性ノルボルネン系樹脂系光学用フィルム
JP4178810B2 (ja) * 2001-12-25 2008-11-12 Ｊｓｒ株式会社 熱可塑性ノルボルネン系樹脂系光学用フィルム
JP3912159B2 (ja) * 2002-03-29 2007-05-09 Ｊｓｒ株式会社 光学用フィルムおよびその製造方法並びに偏光板
JP2008069358A (ja) * 2002-11-14 2008-03-27 Jsr Corp 光学フィルム
EP1821122A4 (en) * 2004-11-25 2010-05-26 Sekisui Chemical Co Ltd RETARD FILM
JP2007038646A (ja) * 2005-06-28 2007-02-15 Jsr Corp 光学フィルムの製造方法、光学フィルムおよび偏光板
KR100938046B1 (ko) * 2005-07-22 2010-01-21 제이에스알 가부시끼가이샤 환상 올레핀계 개환 공중합체 및 그의 용도, 및 상기공중합체를 포함하는 위상차판의 제조 방법
TW200804479A (en) * 2006-05-23 2008-01-16 Zeon Corp Oriented film of addition polymer of norbornene compound alone, process for producing the same and use thereof
JP2008013709A (ja) * 2006-07-07 2008-01-24 Jsr Corp 環状オレフィン系付加共重合体およびその製造方法ならびに用途
JP4797865B2 (ja) * 2006-07-26 2011-10-19 Ｊｓｒ株式会社 光学フィルムの製造方法および光学フィルム
JP5028901B2 (ja) * 2006-08-02 2012-09-19 Ｊｓｒ株式会社 環状オレフィン系樹脂組成物、該組成物を用いた光学フィルムおよび位相差板ならびにそれらの製造方法
JP2008065061A (ja) * 2006-09-07 2008-03-21 Jsr Corp 光学フィルム、光学フィルムの製造方法、偏光板および液晶パネル
JP2008208357A (ja) * 2007-02-02 2008-09-11 Jsr Corp 光学フィルムの製造方法、光学フィルム、位相差フィルム、および偏光板
JP2008242095A (ja) * 2007-03-27 2008-10-09 Jsr Corp 偏光板
JP4885890B2 (ja) * 2008-01-31 2012-02-29 富士フイルム株式会社 位相差フィルムの製造方法
JP2009227868A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Fujifilm Corp 樹脂組成物およびフィルム
JP5644064B2 (ja) * 2009-06-09 2014-12-24 住友化学株式会社 液晶表示装置及びそれに用いる偏光板
JP5621351B2 (ja) * 2010-06-28 2014-11-12 日本ゼオン株式会社 延伸フィルムの製造方法
KR102001977B1 (ko) * 2012-03-15 2019-07-19 니폰 제온 가부시키가이샤 유기 el 표시 장치
WO2017002508A1 (ja) 2015-07-01 2017-01-05 コニカミノルタ株式会社 長尺状光学フィルム、その製造方法、偏光板及び表示装置
JP6710967B2 (ja) * 2015-12-25 2020-06-17 コニカミノルタ株式会社 光学フィルム、光学フィルムの製造方法及び偏光板
JP2018010176A (ja) * 2016-07-14 2018-01-18 三菱ケミカル株式会社 位相差フィルムおよび位相差フィルムの製造方法

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