TW202045761A - 真空處理裝置用之圓筒輥 - Google Patents

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齋藤修司
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日商愛發科股份有限公司
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Abstract

本發明係提供一種構成為能夠盡可能地對於薄片狀的基材產生其之長度方向和寬幅方向之溫度分布的情形作抑制之真空處理裝置用之圓筒輥。 於在真空腔(Vc)內一邊使薄片狀的基材(Sw)行走一邊對於其表面施行特定的真空處理之真空處理裝置(Dm)中，被設置成與施行真空處理的處理單元(Es)相對峙，並被捲掛有薄片狀的基材且可自由旋轉之本發明的真空處理裝置用之圓筒輥(CR)，係具備：軸體(1)、和內筒體(2)，係被外插至軸體、和外筒體(3)，係空出有間隙(Ds)地包圍內筒體之外筒面、以及覆蓋體(41 、42 )，係將內筒體與外筒體之軸方向的兩端分別作閉塞。各覆蓋體，係具有複數條流路(421 、422 )，沿著軸方向之各流路的剖面，係與覆蓋體的剖面相重疊，與各流路分別相連通之內筒體與外筒體之間的間隙之剖面積，係被設定成可得到特定之流速的大小。

Description

真空處理裝置用之圓筒輥
本發明，係有關於在真空腔內一邊使薄片狀的基材行走一邊對於其表面施行特定的真空處理之真空處理裝置中，被設置成與施行真空處理的處理單元相對峙，並被捲掛有薄片狀的基材且可自由旋轉之真空處理裝置用之圓筒輥，更詳細而言，係有關於當真空處理時在有可能受到輸入熱量的環境中被作使用者。
具備上述這種圓筒輥的真空蒸鍍裝置，例如係藉由專利文獻1而為周知。於此構成中，係構成為，在能夠形成真空氛圍的真空腔內，將薄片狀的基材從進給輥連續地進給，將此進給的基材捲掛在圓筒輥，對於被捲掛在圓筒輥的薄片狀之基材的部分，藉由被設置成與其相對峙的處理單元來施行特定的真空處理，而將處理完畢的薄片狀之基材以捲取輥作捲取。作為圓筒輥，係具備：軸體、和內筒體，係被外插至軸體、和外筒體，係空出有間隙地包圍內筒體之外筒面、以及覆蓋體，係將內筒體與外筒體之軸方向的兩端分別作閉塞，構成為使圓筒輥之軸體經由軸承而被軸支撐在被設置於真空腔的壁面或真空腔內的支撐體處。
在對於薄片狀之基材的部分施行特定的真空處理時，存在有因為來自處理單元之輻射熱等而使圓筒輥和被捲掛於其上之薄片狀的基材受到輸入熱量的情況。於上述之以往例的構成中，係構成為，在圓筒輥的內部設置冷卻水循環系等之冷卻機構來將圓筒輥作冷卻，藉由與被冷卻的圓筒輥之間的熱交換而使薄片狀之基材不會被加熱至特定溫度以上。在這種情況下，係可考慮有從軸方向的其中一方之覆蓋體來對內筒體與外筒體之間的間隙供給冷卻水，並從軸方向的另外一方之覆蓋體來將冷卻水排出，為了達成此，係會成為在覆蓋體設置有冷卻水之流路。在此，如上述般地，在構成有圓筒輥的情況，若是考慮到在將圓筒輥進行旋轉驅動時之不良影響，則在覆蓋體流通之冷卻水的總量(體積)係越少越理想。又，被設置在覆蓋體的流路，由於是對於與薄片狀的基材之間的熱交換無助益之部分，因此有必要以避免造成圓筒輥之大型化的方式來構成覆蓋體，此時，若流路的面積為大，則會起因於此些吸熱或者是起因於散熱面積變廣而導致與薄片狀的基材之間的熱交換率降低，因此亦有必要盡可能地抑制此情況。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2010-163693號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明，係有鑑於以上的問題，而以提供一種具有構成為能夠在軸方向上成為小型化且能夠盡可能地抑制熱交換率之降低的構造之圓筒輥作為其之課題。 [用以解決問題之手段]
為了解決上述課題，本發明之真空處理裝置用之圓筒輥，係於在真空腔內一邊使薄片狀的基材行走一邊對於其表面施行特定的真空處理之真空處理裝置中，被設置成與施行真空處理的處理單元相對峙，並被捲掛有薄片狀的基材且可自由旋轉，其特徵為，係具備：軸體、和內筒體，係被外插至軸體、和外筒體，係空出有間隙地包圍內筒體之外筒面、以及覆蓋體，係將內筒體與外筒體之軸方向的兩端分別作閉塞，各覆蓋體，係具有複數條流路，沿著軸方向之各流路的剖面，係與覆蓋體的剖面相重疊，與各流路分別連通的內筒體與外筒體之間隙的剖面積，係被設定成可得到特定之流速的大小。
於本發明中，亦可採用，前述各流路，係在周方向上以等間隔來被作配置並朝徑方向延伸的構成。又，亦可採用，於前述覆蓋體的外周側部處，以較前述間隙更大的深度來朝向徑方向內側凹陷的凹坑部，係涵蓋周方向全體而被作形成，經由此凹坑部而使前述各流路與前述間隙相互連通的構成。於此情況中，較理想為，於前述間隙處，位置於相互地鄰接的各流路之間，係被設置有朝軸方向延伸的分流體。
若依據本發明，則藉由使沿著軸方向之流路的剖面與覆蓋體的剖面相重疊，亦即是，在覆蓋體之剖面觀察時的內側處存在有流路之剖面，而可防止包含流路之覆蓋體在軸方向上變大而使圓筒輥本身大型化，又，藉由將流路分成複數條來構成而可使各個流路的比表面積縮小，因此，可減少在覆蓋體流通之冷卻水的總量，並且，使各流路中之吸熱或者是散熱面積變小，而能夠盡可能地抑制經由外筒體之與薄片狀的基材之間的熱交換率的降低。
另外，在圓筒輥或薄片狀之基材為被使用於在真空處理時有可能受到輸入熱量的環境中的情況，為了對在薄片狀之基材上產生其之長度方向和寬幅方向之溫度分布的情形作抑制，係在被外插至軸體的內筒體之外筒面處，以特定節距呈螺旋狀地突設有突條(可為1條或者是2條)，此乃一般所周知。依據此，只要是在以突條所區劃出的內筒體與外筒體之間的流體流路，從其之軸方向的其中一端朝向其之另外一端來使特定溫度的流體流通，則能夠將在此流體流路內之流體的溫度分布盡可能地抑制得較小，進而，能夠對在薄片狀之基材的長度方向及寬幅方向產生較大的溫度分布之情形作抑制。其原因，雖可推測為，起因於藉由使以突條所區劃出的流體流路之剖面積為小(被縮窄)，而使在此流通的流體可確保某種程度的流速而使熱傳遞率提昇，但是，於此構成中，會使內筒體的構造變得複雜，而造成高製造成本。
相對於此，於本發明中，例如，若在內筒體內沿著軸體來對從軸方向之其中一方朝向另外一方而作延伸的流入通路供給特定溫度的流體，則流體會被分別供給至與此流入通路相連通之位置在軸方向另外一側的覆蓋體(第1覆蓋體)之各流路(第1流路)。於此情況中，例如，只要朝徑方向延伸的各第1流路是在周方向上以等間隔被配置有複數條，則來自流入流路之流體會被分散並被供給至各第1流路，而能夠使來自各第1流路的流體略均等地流入至內筒體與外筒體之間的間隙處。接著，流體會通過此間隙，來流往另外一方之覆蓋體(第2覆蓋體)之流路(第2流路)，經由各第2流路所連通的流出通路，來被排出至外部。
在此，若依據本案發明者們之努力研究的結果所得到之見解，則可確認到，只要是使間隙之剖面積被縮窄成可得到與在以上述突條所區劃出的流體通路流通之流體相同程度的流速之大小，則從第1流路分別流入的流體，係沿著軸方向而均一地在上述間隙流通，此時，能夠將在此間隙流通之流體的(尤其是軸方向上)溫度分布盡可能地抑制得較小(也就是說，使流入至間隙的流體與從此間隙流出的流體之間的溫度差盡可能地縮小)。於此情況中，可不需要在內筒體之外筒面處將突條呈螺旋狀地設置，而可謀求製品之低成本化，而為有利。
又，若設置凹坑部，則凹坑部會發揮作為液體滯留部的功能，在第1覆蓋體中，從各第1流路流出的流體會一度碰撞到外筒體的內壁而朝周方向被分散(換言之，流體會繞入至位置於相互鄰接的第1流路之中間的部位為止)，藉由此，來對於內筒體與外筒體之間隙而從其之周方向略全體來使流體流入，另一方面，在第2覆蓋體中，於間隙中均一地流動的流體會一度被阻擋，其後流出至各第2流路，藉由此，而能夠將在此間隙中流動之流體的周方向之溫度分布盡可能地抑制得較小。於此情況中，若設置分流體，則從軸方向另外一方之各第1分歧流路流入至間隙的流體不會相混合，而可確保朝向軸方向之其中一方向均一地流通，而能夠將在間隙中流動之流體的軸方向及周方向之溫度分布抑制得更小。於此情況中，分流體，係不需要使間隙在周方向上完全地分離，例如能夠以可貼附於內筒體的外筒面處之具有特定的板厚或線徑之板材或線材來構成分流體。
以下，參照附圖，以將處理單元設為蒸鍍源，對於被捲掛在圓筒輥CR的薄片狀之基材Sw來蒸鍍(成膜)特定之薄膜的情況為例，來說明本發明之真空處理裝置用之圓筒輥CR的實施形態。於以下內容中，係以圓筒輥CR之軸線方向與水平方向一致的姿勢來將該圓筒輥CR收容於真空腔Vc內，將軸線方向設為X軸方向，將在同一水平面內與X軸正交的方向設為Y軸方向，並將與X軸及Y軸正交的垂直方向設為Z軸方向，又，稱作「上」、「下」之方向係以第1圖作為基準。
參照第1圖，具備本實施形態之圓筒輥CR的真空処理裝置Dm，係具備真空腔Vc。於真空腔Vc內，係經由排氣管Ep來連接有以渦輪分子泵、旋轉泵等所構成的真空泵單元Pu，而構成為能夠形成真空氛圍(例如，10-5 Pa )。又，真空腔Vc，係藉由隔板Sp被區劃成上下2室，於第1圖中，在位置於下側之其中一室(蒸鍍室Vs)，係被設置有作為處理單元之蒸鍍源Es。作為蒸鍍源Es，係可運用具備有收容蒸鍍材料Em的坩堝Ev和將收容於坩堝Ev內之蒸鍍材料Em進行加熱之護套式加熱器等的加熱手段Eh者，藉由加熱而使被收容於坩堝Ev內的蒸鍍材料Em昇華或者是氣化，使此昇華或者是氣化了的蒸鍍粒子附著、堆積於被捲掛在圓筒輥CR之薄片狀的基材Sw之部分處而被作蒸鍍(成膜)。另外，作為蒸鍍源Es，係並不被限定於此，可使用以濺鍍法或CVD法所進行者，由於其係可運用周知之物，因此省略進一步的詳細說明。
第1圖中，在位置於上側之另外一室(搬送室Ts)，係被設置有進給輥Rr，其係被捲掛有薄片狀的基材Sw，並藉由圖示省略的馬達來被旋轉驅動，而以一定的行走速度將薄片狀的基材Sw作進給、和捲繞輥Ru，係將成膜完畢之薄片狀的基材Sw作捲取。並且，在形成於隔板Sp的開口So之內側處，係與蒸鍍源Es相對峙地配置有被捲掛有薄片狀的基材Sw之本實施形態的圓筒輥CR。另外，第1圖中，Gr係為導引輥。
參照第2圖～第4圖，圓筒輥CR，係具備：軸體1、和內筒體2，係被外插至軸體1、和外筒體3，係空出有間隙Ds地包圍內筒體2之外筒面、以及第1及第2之各覆蓋體41 、42 ，係將內筒體2與外筒體3之X軸方向的兩端分別作閉塞。在從各覆蓋體41 、42 突出至其之外側的軸體1之部分處，係外插有其中一端被分別固定在各覆蓋體41 、42 之中空的軸體5，軸體5，係經由軸承51，而被軸支撐在圖示省略之被設置於真空腔Vc的壁面或真空腔Vc內之支撐體處。係構成為，若藉由圖外的馬達來使軸體1、5旋轉，則內筒體2、外筒體3及各覆蓋體41 、42 係會一體地以特定的速度於軸體1的軸線周圍而被作旋轉驅動。另外，軸體1、5之對於真空腔Vc之可自由旋轉的安裝方法，係由於可利用運用有旋轉接頭等之周知之物，因此省略進一步詳細的說明。
於軸體1內，係形成有作為朝Y軸方向延伸之流入通路的內部通路11，內部通路11的其中一端(第2圖中，為右側)，係被連接於與圖外的冷卻單元相通之吸水管(未圖示)，而構成為可供給因應於在真空腔Vc內被作實施之真空處理所適當選擇的冷卻水等之流體。又，從軸方向之其中一方(第2中，為右側)的第2覆蓋體42 而突出至其之外側之軸體1的外筒面與中空之軸體5的內筒面之間的空間，係如後述般地，成為構成流體之流出通路52，使在第2覆蓋體42 之各流路422 流通的流體流出至流出通路52，而返回圖外的冷卻單元。另外，由於冷卻單元本身係為周知之物，因此，在此係省略詳細的說明。
相互地呈同心狀被作配置的內筒體2與外筒體3，係為例如不鏽鋼等之金屬製，且以使內筒體2之母線(Y軸方向)長度較外筒體3更短的方式來制定尺寸。另一方面，第1及第2之各覆蓋體41 、42 ，係為例如不鏽鋼等之金屬製，且以具有相當於內筒體2與外筒體3之母線方向長度之差的一半之板厚的實心之圓盤狀構件所構成。係被形成為，各覆蓋體41 、42 之位置於Z軸方向內側的部分之外徑，係與內筒體2之內徑一致，且各覆蓋體41 、42 之位置於Z軸方向外側的部分之外徑，係與外筒體3之內徑一致，在將內筒體2與外筒體3呈同心狀地作了配置的狀態下，從X軸方向兩側分別嵌裝各覆蓋體41 、42 ，藉由此，而構成為使內筒體2與外筒體3之X軸方向的兩端分別被作閉塞。
又，於第1及第2之各覆蓋體41 、42 ，係設置有供軸體1插通的中央開口41、和與中央開口41相連通的複數條流路(以下，將第1之各覆蓋體41 的流路稱作「第1流路421 」，將第2之各覆蓋體42 的流路稱作「第2流路422 」)。如第2圖及第3圖所示般地，沿著軸方向之各流路421 、422 的剖面，係與覆蓋體41 、42 的剖面分別相重疊，亦即是，構成為在剖面觀察覆蓋體41 、42 時之內側處存在有流路421 、422 的剖面，又，各流路421 、422 ，係被形成為在周方向上以特定間隔(於本實施形態中，係為間隔45度)來涵蓋其之徑方向全長而分別延伸。於此情況中，各流路421 、422 的剖面形狀係為圓形，其之剖面積，係如後述般地，從各流路421 、422 流出的流體，會與位置在外筒體3之軸方向端部的內壁一度碰撞來朝周方向被分散，而對於間隙Ds來在能夠確保可從其之周方向略全體流入流體的流量之範圍內，盡可能地設定得較小。另外，由於各流路421 、422 之剖面形狀為圓形且為直管狀，因此，實現比表面積最小化並且得到管路阻抗之極小化的構成。
又，在圓筒輥CR之組裝狀態下，將內部通路11與第1流路421 分別連通的連通孔12，係被形成於軸體1，又，各流路421 、422 的相位，係在各覆蓋體41 、42 之間相互地成為一致。在覆蓋體41 、42 的外側面處，係藉由例如埋頭孔加工(spot facing)，涵蓋其之周方向全體地被形成有凹坑部43，該凹坑部43，係以較間隙Ds更大的深度Dp朝向徑方向內側凹陷。於此情況中，從內筒體2之外周面起的深度Dp，例如係因應於被形成在覆蓋體41 、42 的分歧流路421 、422 之數量來作適當設定，並相對於間隙Ds而為倍數以上，較理想係被設定為4倍。
於上述圓筒輥CR中，若藉由圖外的冷卻單元，通過吸水管來對內部通路11供給特定溫度的流體，則流體會分別被供給至第1覆蓋體41 的各第1流路421 。於此情況中，各第1流路421 ，係在周方向上以等間隔被配置有複數條，於第1覆蓋體41 之外側面處存在有凹坑部43，藉由此，而使來自各第1流路421 的流體分別略均等地流入內筒體2與外筒體3之間的間隙Ds。接著，流體係通過間隙Ds而流至第2覆蓋體42 的凹坑部43，並從各第2流路422 流出至流出通路52來返回冷卻單元。亦即是，凹坑部43會發揮作為液體滯留部的功能，在第1覆蓋體41 中，從各第1流路421 流出的流體會一度碰撞到外筒體3之位置於軸方向端部的內壁而朝周方向被分散(換言之，流體會繞入至位置於相互鄰接的第1流路421 之中間的部位為止)，藉由此，來對於間隙Ds而從其之周方向略全體使流體流入，另一方面，在第2覆蓋體42 中，於間隙Ds均一地流通的流體會一度被阻擋，其後流出至各第2流路422 。
另外，於在蒸鍍時圓筒輥CR或薄片狀之基材Sw受到輸入熱量的情況，係必須對在薄片狀之基材Sw產生其之長度方向和寬幅方向之溫度分布的情形作抑制。在此，於全長3300mm之內筒體的外筒面處以15mm節距形成螺旋狀的突條，以使內筒體與外筒體之間的間隙(相當於本發明中所謂的Ds)成為25mm的方式來外插外筒體，並嵌裝具有與以突條所區劃出之內筒體與外筒體之間的流體流路之流入口及流出口相通的分歧流路之覆蓋體，而製作出圓筒輥(比較品1)。接著，在圓筒輥之加熱下，從分歧流路沿著流體流路從其之軸方向的其中一端朝向另外一端讓288K的流體流通，測定出流體流路的流入口與流出口之間的溫度差，結果，其之溫度差係為約2K，又，此時之流速係為約0.8m/sec。接著，準備未設置螺旋狀之突條的內筒體，與比較品1同樣地製作出圓筒輥(比較品2)。接著，以與上述相同條件，沿著內筒體與外筒體之間的流體流路從其之軸方向的其中一端朝向另外一端讓288K的流體流通，測定出流體流路的流入口與流出口之間的溫度差，結果，其之溫度差係為約40K，而可確認到流體之溫度分布係變大。
因此，於本發明之實施形態中，係以使在間隙Ds流通的流體之速度成為與比較品1同等的方式，而製作出以使無突條的內筒體2與外筒體3之間的間隙Ds成為5mm的方式來外插外筒體3並且於覆蓋體41 、42 以30度間隔分別形成有第1流路421 及第2流路422 的圓筒輥CR(發明品)。接著，以與上述相同條件，沿著作為內筒體2與外筒體3之間的流體流路之間隙Ds，從其之軸方向的其中一端朝向另外一端讓288K的流體流通，測定出間隙Ds的流入口與流出口之間的溫度差，結果，間隙Ds的流入口與流出口之間的溫度差係為約1K，而可確認到成為與比較品1同等。於發明品中，由於在間隙Ds的流出口側，產生了於周方向上而溫度相對較高的部分與較低的部分交互地反覆之溫度分布，因此，針對發明品，係可確認到，若是於各覆蓋體41 、42 以與間隙Ds相比較而為4倍之深度來形成凹坑部43，則於周方向上溫度相對較高的部分與較低的部分交互地反覆之溫度分布的情形會解除。
若依據以上之實施形態，則藉由沿著軸方向之各流路421 、422 的剖面與覆蓋體41 、42 的剖面相重疊，亦即是，在剖面觀察覆蓋體41 、42 時的內側處存在有流路421 、422 的剖面，而可防止包含流路421 、422 之覆蓋體41 、42 在軸方向變大而使圓筒輥CR本身大型化的情形，又，藉由將流路421 、422 分成複數條來構成，係可使各個流路的比表面積縮小，因此，可減少在覆蓋體41 、42 流通之冷卻水的總量，並且，使各流路421 、422 中之吸熱或者是散熱面積變小，而能夠盡可能地抑制經由外筒體3之與薄片狀的基材Sw之間的熱交換率的降低。並且，無須於內筒體2的外筒面處將突條呈螺旋狀作設置，便能將在間隙Ds流通的流體之軸方向及徑方向的溫度分布控制得較小(也就是說，流入至間隙Ds的流體與從此間隙Ds流出的流體之間的溫度差會變小)，因此，能夠盡可能地抑制在薄片狀之基材Sw產生其之長度方向和寬幅方向之溫度分布的情形。
以上，雖針對本發明之實施形態作了說明，但本發明係並不被限定於上述實施形態，在不脫離本發明之趣旨的範圍內，可進行各種之變形。在上述實施形態中，雖是作為真空處理而以成膜處理為例來作了說明，但是，就算是對於熱處理、蝕刻處理等之其他的真空處理，亦能夠適用本發明。又，雖是作為冷媒而以冷卻水為例來作了說明，但是，並不被限定於此，就算是在使加熱至特定溫度的溫水流通並於實施特定的真空處理之期間將薄片狀的基材Sw調溫成特定溫度的情況中，亦能夠適用本發明。
又，在上述實施形態中，係以於內筒體2與外筒體3之間的間隙Ds處並不存在有任何構件、要素的情況為例來作了說明，但是，係並不被限定於此。例如，亦可如第5圖(a)及(b)所示般地，於間隙Ds處，設置位置於相互地鄰接之分歧流路421 、422 之間並朝軸方向延伸的分流體6。作為分流體6，係能夠以例如可貼附於內筒體2的外筒面之具有特定的板厚之板材或線材所構成。若依據此，則從軸方向另外一方之各第1分歧流路421 流入至間隙Ds的流體係不會相混合，而可確保朝向軸方向之其中一方來均一地流通，而能夠將在間隙Ds流通之流體的軸方向及周方向之溫度分布抑制得更小。
進而，於上述實施形態中，雖是以將各覆蓋體41 、42 以円盤狀構件來構成，於各覆蓋體41 、42 ，以使各流路421 、422 在周方向以特定間隔涵蓋其之徑方向全長而分別延伸的方式作形成者為例來作了說明，但是，只要是沿著軸方向之各流路421 、422 的剖面為與覆蓋體41 、42 的剖面分別相重疊者，則不被限定於此。雖無特別圖示來作說明，但是，亦可將2枚之板材以柱狀構造物(例如設為蜂巢構造，並將其中一部分作為流路來作開放)來作接合，而成為矩陣性的流路構造。
CR:圓筒輥 Dm:真空處理裝置 Es:蒸鍍源(處理單元) Sw:薄片狀的基材 Vc:真空腔 1,5:軸體 2:內筒體 3:外筒體 Ds:內筒體2與外筒體3之間隙 41,42:覆蓋體 421,422:分歧流路 43:凹坑部 6:分流體
[第1圖]係對具備本實施形態之圓筒輥的真空處理裝置作展示之示意剖面圖。 [第2圖]係對圓筒輥之構成作展示的剖面圖。 [第3圖]係將圓筒輥之構成局部分解來作展示的立體圖。 [第4圖]係將第2圖之一部分放大來作展示的剖面圖。 [第5圖](a)以及(b)，係為變形例之圓筒輥的部分放大剖面圖及部分放大立體圖。
1:軸體
2:內筒體
3:外筒體
41,42:覆蓋體
5:軸體
11:內部通路
12:連通孔
41:中央開口
43:凹坑部
51:軸承
52:流出通路
421:分歧流路
422:分歧流路
CR:圓筒輥
Ds:內筒體2與外筒體3之間隙

Claims (4)

  1. 一種真空處理裝置用之圓筒輥，其係於在真空腔內一邊使薄片狀的基材行走一邊對於其表面施行特定的真空處理之真空處理裝置中，被設置成與施行真空處理的處理單元相對峙，並被捲掛有薄片狀的基材且可自由旋轉，其特徵為， 係具備：軸體、和內筒體，係被外插至軸體、和外筒體，係空出有間隙地包圍內筒體之外筒面、以及覆蓋體，係將內筒體與外筒體之軸方向的兩端分別作閉塞， 各覆蓋體，係具有複數條流路，沿著軸方向之各流路的剖面，係與覆蓋體的剖面相重疊，與各流路分別相連通之內筒體與外筒體之間的間隙之剖面積，係被設定成可得到特定之流速的大小。
  2. 如請求項1所記載之真空處理裝置用之圓筒輥，其中，前述各流路，係在周方向上以等間隔來被作配置並朝徑方向延伸。
  3. 如請求項1或請求項2所記載之真空處理裝置用之圓筒輥，其中，於前述覆蓋體的外周側部處，以較前述間隙更大的深度來朝向徑方向內側凹陷的凹坑部，係涵蓋周方向全體而被作形成，經由此凹坑部而使前述各流路與前述間隙相互連通。
  4. 如請求項2或請求項3所記載之真空處理裝置用之圓筒輥，其中，於前述間隙處，位置於相互地鄰接的各流路之間，係被設置有朝軸方向延伸的分流體。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7025123B1 (en) * 1999-01-29 2006-04-11 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Fluid distribution system for thermal transfer rollers
JP2002339950A (ja) * 2001-05-18 2002-11-27 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 熱処理ロール
JP4516304B2 (ja) * 2003-11-20 2010-08-04 株式会社アルバック 巻取式真空蒸着方法及び巻取式真空蒸着装置
JP5895179B2 (ja) * 2011-06-15 2016-03-30 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 基板搬送ローラ、薄膜製造装置及び薄膜製造方法
CN102310083A (zh) * 2011-09-08 2012-01-11 江苏鑫皇铝业发展有限公司 铸轧机偏导辊冷却水循环装置
CN103726021B (zh) * 2014-01-22 2017-02-01 温岭市通茂电子装备有限公司 一种镀膜机的蒸镀鼓
CN207247951U (zh) * 2017-04-14 2018-04-17 美塞斯（珠海）工业自动化设备有限公司 一种单侧双流向传热辊
CN208101039U (zh) * 2018-03-12 2018-11-16 河北正洋新材料有限公司 Pvc装饰膜用压辊
CN208118252U (zh) * 2018-03-26 2018-11-20 厦门市省力机械有限公司 一种冷却滚筒
JP6642686B2 (ja) * 2018-11-26 2020-02-12 住友金属鉱山株式会社 長尺フィルムの真空成膜方法

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