TW202044950A - 連接構造體之製造方法、及連接構造體、以及膜構造體、及膜構造體之製造方法 - Google Patents

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田中雄介
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波木秀次
鈴木学
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Abstract

本發明之課題在於提供一種可使用既有之設備來安裝在安裝面具有複數個端子行之電子零件的連接構造體之製造方法、及連接構造體、以及膜構造體、及膜構造體之製造方法。 本發明之連接構造體之製造方法包含：貼附步驟，其係自具備帶狀之基材21及形成於基材21上之連接膜之膜構造體將連接膜22、23貼附於具有複數個端子行之第1電子零件或第2電子零件，該連接膜22、23具有於基材21之長度方向上為特定長度21L且於基材21之寬度方向上為特定寬度21W之單位區域；及連接步驟，其係經由連接膜22、23使第1電子零件之端子與第2電子零件之端子連接；且膜構造體於單位區域中複數個端子行之對應部位以外具有未貼附連接膜之非貼附部。

Description

連接構造體之製造方法、及連接構造體、以及膜構造體、及膜構造體之製造方法
本技術係關於一種使電子零件連接而成之連接構造體之製造方法、及連接構造體、以及膜構造體、及膜構造體之製造方法。
先前，作為用以將各種電子零件等連接之連接膜，已知有ACF(Anisotropic Conductive Film，各向異性導電膜)、NCF(Non Conductive Film，非導電膜)等，使用連接膜安裝相機模組等(例如參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2015-130426號公報
[發明所欲解決之問題]
近年來，已知有於安裝面之中心部具有凹部之電子零件。例如，相機模組中存在如下者，即，為了收容影像感測器，例如，使陶瓷基板之中央部為中空，於安裝面之中心部具有凹部，且於安裝面之周緣部形成有端子行。又，認為於安裝面具有複數個端子行之電子零件、安裝面包括複數個凸部且於凸部具有端子行之電子零件亦與具有凹部者類似。
此種於安裝面具有複數個端子行之電子零件係於使用連接膜安裝之情形時，必須將安裝設備大幅度改良。例如，將連接膜貼附於安裝面之複數個端子行之各者之情形時，必須複數次進行連接膜之貼附。又，將連接膜貼附於在安裝面之中心部具有凹部之電子零件安裝面整面而進行安裝之情形時，擔心氣體充滿凹部而連接之可靠性降低。
本技術係鑒於此種先前之實際情況而提出者，提供一種可使用既有之設備來安裝在安裝面具有複數個端子行之電子零件的連接構造體之製造方法、及連接構造體、以及膜構造體、及膜構造體之製造方法。 [解決問題之技術手段]
本技術之連接構造體之製造方法包含：貼附步驟，其係自具備帶狀之基材及形成於上述基材上之連接膜之膜構造體將連接膜貼附於具有複數個端子行之第1電子零件或第2電子零件，該連接膜具有於上述基材之長度方向上為特定長度且於上述基材之寬度方向上為特定寬度之單位區域；及連接步驟，其係經由上述連接膜使上述第1電子零件之端子與上述第2電子零件之端子連接；且上述膜構造體於上述單位區域中上述複數個端子行之對應部位以外具有未貼附上述連接膜之非貼附部。
本技術之連接構造體具備：第1電子零件，其具有複數個端子行；第2電子零件；及硬化膜，其於上述第1電子零件與上述第2電子零件之間，由在俯視下為特定長度及特定寬度之單位區域中上述複數個端子行之對應部位以外具有空隙部之連接膜硬化而成；且上述第1電子零件之端子與上述第2電子零件之端子連接。
本技術之膜構造體具備帶狀之基材及形成於上述基材上之連接膜，於俯視下具有於上述基材之長度方向上為特定長度且於上述基材之寬度方向上為特定寬度之單位區域，且自上述單位區域之周緣部朝上述單位區域之中心部之方向具有非貼附部。
本技術之膜構造體之製造方法包含對具備帶狀之基材及形成於上述基材上之連接膜之膜原片進行加工的加工步驟，於上述加工步驟中，形成如下膜構造體，其於俯視下具有於上述基材之長度方向上為特定長度且於上述基材之寬度方向上為特定寬度之單位區域，且自上述單位區域之周緣部朝上述單位區域之中心部之方向具有非貼附部。 [發明之效果]
根據本技術，連接膜於單位區域中複數個端子行之對應部位以外具有未貼附連接膜之非貼附部，藉此，可使用既有之安裝設備安裝於安裝面具有複數個端子行之電子零件。
以下，一面參照圖式，一面對本發明之實施形態按照下述順序詳細地進行說明。 1.連接構造體之製造方法 2.連接構造體 3.膜構造體 4.膜構造體之製造方法 5.變化例 6.實施例
＜1.連接構造體之製造方法＞ 本實施形態之連接構造體之製造方法包含：貼附步驟，其係自具備帶狀之基材及形成於基材上之連接膜之膜構造體將連接膜貼附於具有複數個端子行之第1電子零件或第2電子零件，該連接膜具有於基材之長度方向上為特定長度且於上述基材之寬度方向上為特定寬度之單位區域；及連接步驟，其係經由連接膜使第1電子零件之端子與第2電子零件之端子連接；且膜構造體於單位區域中上述複數個端子行之對應部位以外具有未貼附連接膜之非貼附部。藉此，可使用既有之安裝設備來安裝在安裝面具有複數個端子行之電子零件。又，於貼附步驟中，不用對應於複數個端子行將連接膜貼附複數次，而是可一次性將連接膜貼附。
此處，所謂「單位區域」係指於基材之長度方向上具有特定長度，例如表示矩形狀之區域。又，所謂「非貼附部」係表示於單位區域中連接膜未貼附於電子零件之區域，例如可列舉不存在連接膜之空隙、因切割加工而未貼附之連接膜等。
作為第1電子零件，可列舉安裝面包含複數個凸部且於凸部具有端子行者、於平坦之安裝面具有複數個端子行者、於安裝面之中心部具有凹部且於安裝面之周緣部形成有端子行者等。於安裝面之中心部具有凹部之第1電子零件例如存在如下者，其具有矩形狀之安裝面，且安裝面於凹部之周緣之對向之2邊、鄰接之2邊(L字型)、或凹部之周緣之3邊(コ字型、U字型、C字型)具有端子行。又，端子行亦可存在於周緣之全周。該等凹部之周緣及端子行亦可僅平行或垂直地構成，但並不限定於此，係根據對象物而適當調整。因此，連接膜之單位區域之形狀亦根據此而適當調整。
又，安裝面之外形例如亦可為具有曲線之形狀、圓形、多邊形等而並非僅為矩形狀。又，安裝面之外形可如上述般由邊構成，亦可為內部被去除(被取出)之形狀。又，具有安裝面之安裝零件之形狀亦可成為與安裝面相同之形狀，亦可並非如此。此可為第1電子零件及第2電子零件之任一者，亦可為兩者(未圖示)。
於第1電子零件於安裝面之中心部具有凹部之情形時，膜構造體較佳為自單位區域之周緣部朝單位區域之中心部之方向具有非貼附部。藉此，可防止氣體充滿凹部而連接之可靠性降低。
於膜構造體之單位區域呈矩形之情形時，較佳為自單位區域之至少1邊之中央部朝單位區域之中心部之方向形成非貼附部。藉此，可安裝具有於凹部之周緣之3邊(コ字型)形成有端子行之安裝面之第1電子零件。
又，於膜構造體之單位區域呈矩形之情形時，較佳為於單位區域中自基材之寬度方向之中央部朝基材之長度方向形成非貼附部。藉此，可安裝具有於凹部之周緣之對向之2邊形成有端子行之安裝面之第1電子零件。
又，於膜構造體之單位區域中，亦可對連接膜呈直線地進行加工而形成例如六邊形、八邊形、十二邊形等多邊形形狀、コ字型形狀、或包括曲線之U字型形狀、C字型、圓筒形之貼附部。又，連接膜之貼附部亦可為直線與曲線混合存在之形狀。多邊形形狀亦可為正多邊形。又，亦可對該等形狀之角部進行倒角。又，連接膜之貼附部亦可為使一部分缺損之形狀。例如亦可使矩形之角部缺損而將連接膜之貼附部設為十字型或與之類似之形狀。例如，於膜構造體之單位區域呈矩形之情形時，亦可對矩形狀之連接膜之角部直線地進行倒角加工而形成非貼附部，將貼附部設為八邊形。亦可藉由對正方形或長方形之連接膜之各角部直線地進行倒角加工而設為八邊形，亦可藉由使正方形或長方形之連接膜之角部缺損而設為十字型。藉此，可進行使連接膜之形狀為八邊形或十字型之安裝。再者，倒角加工或缺損加工並不限定於直線，亦可為曲線，還可為直線與曲線混合存在之形狀。八邊形或十字型之連接膜係一例，亦可為僅一部分進行倒角加工或缺損加工所得者。又，連接膜亦可為將面內之一部分去除(取出)之形狀。又，連接膜之形狀與上述同樣地，並不限定於直線，亦可為曲線，還可為直線與曲線混合存在之形狀。於該情形時，作為膜構造體，可僅將連接膜去除，亦可將連接膜與基材去除。藉此，可防止當使用連接膜連接時，於安裝面之尤其角部處樹脂之伸出達到大面積地佔據安裝零件之側面之程度。又，與其他零件一併組裝之情形時，容易避免不必要之樹脂與其他零件接觸，藉此，有助於防止污染。尤其是，越是精密且小型，越佳為進行倒角加工或缺損加工(取出加工)後之形狀。
膜構造體較佳為於單位區域中，貼附部之至少一部分為與第1電子零件或第2電子零件之安裝面之形狀相同之形狀。即，連接膜之貼附部配合安裝面之形狀，例如可為矩形狀、具有曲線之形狀、圓形、多邊形等，亦可為該等形狀之一部分欠缺之コ字型形狀、U字型形狀、C字型等。又，連接膜之貼附部亦可為將面內之一部分去除後之中空形狀。藉由使連接膜之貼附部之形狀與安裝面之外形一致，可防止連接膜之一部分自安裝面過度地伸出，因此，可使要安裝之電子零件之操作容易而提高作業性，防止對前後之步驟帶來障礙，進而，可使整體之製造成本降低。若列舉一例，則於連接中，將連接膜貼合於基板之步驟(臨時貼合)中，由於基板與連接膜之外形接近，故可期待作業性變高之效果。
又，膜構造體係於單位區域中，貼附部之外周緣之大小相對於第1電子零件或第2電子零件之安裝面之外周緣之大小而言，可較小，亦可相同，還可較大。若考慮抑制接著膜之過度之伸出，則貼附部之外周緣之大小相對於安裝面之外周緣之大小之下限較佳為50%以上，更佳為80%以上。又，相對於安裝面之外周緣之大小之上限若過小，則於連續地進行安裝之情形時，期望具有用以穩定地進行貼附之裕度，因此，較佳為110%以下，更佳為105%以下，更佳為100%以下。該等必須使連接膜以充分覆蓋位於安裝面之端子之方式存在，可根據安裝面之寬度或形狀而適當調整。又，貼附部之大小只要考慮有效連接面積與伸出之影響進行調整即可。再者，較佳為貼附部之外周緣與第1電子零件或第2電子零件之安裝面之形狀一致或相似，但即便存在局部不同之部位，亦不排除在本技術之範圍之外。
又，膜構造體較佳為於單位區域中，於中心部具有非貼附部。此相當於具有上述之コ字型形狀、U字型形狀、C字型等形狀之貼附部之連接膜。又，非貼附部亦可為將面內之一部分去除之中空形狀。即，膜構造體係於單位區域中，貼附部具有外周緣及內周緣。連接膜之貼附部被要求於外周緣與內周緣之間充分存在有效連接面積。藉此，當安裝在安裝面具有凹部之電子零件時，可防止連接膜之不必要且過度之伸出，並且可防止氣體充滿。再者，非貼附部亦可為狹縫或孔部。又，コ字型形狀、U字型形狀、C字型等形狀並非必須相連。亦可如此由邊構成，因此，亦可形成外形之邊全部相連而為中空形狀。亦可藉由相當於構成該等形狀之邊之部分相隔而於基材上設置貼附部來形成膜構造體。於將連接膜臨時貼合之步驟及連接之步驟中，若一次性進行則作業性變高，若對每一邊進行則裝置設備改良可較少，因此可抑制引進成本。再者，由於此種邊之連接膜(貼附部)配置於基材上，故拉出之膜捲裝體以一個之形式收納，預測自既有之製造設備之改良可相對較少。即便形成外形之邊全部相連而為中空形狀，亦可期待同樣之效果。根據用於連接膜之臨時貼合或壓接之設備改良之限制等條件而適當選擇即可。
第1電子零件及第2電子零件並無特別限制，可根據目的而適當選擇。作為第1電子零件，例如可列舉陶瓷基板、剛性基板、可撓性基板(FPC：Flexible Printed Circuits，可撓性印刷電路)、玻璃基板、塑膠基板、樹脂多層基板、IC(Integrated Circuit，積體電路)模組、IC晶片等。又，作為第2電子零件，例如可列舉陶瓷基板、剛性基板、可撓性基板(FPC：Flexible Printed Circuits)、玻璃基板、塑膠基板、樹脂多層基板等。
於相機模組等功能性模組中，就電氣絕緣性、熱絕緣性優異之觀點而言，有時使用陶瓷基板。陶瓷基板具有以小型化(例如，1 cm2 以下)之尺寸穩定性優異等優點。
作為連接膜，並無特別限制，可列舉膜狀之各向異性導電膜(ACF：Anisotropic Conductive Film)、膜狀之接著膜(NCF：Non Conductive Film)等。又，作為連接膜之硬化型，並無特別限制，可列舉熱硬化型、光硬化型、光熱併用硬化型等。又，連接膜亦可為使用熱塑性樹脂之熱熔型。本技術之連接膜成為設置於基材(基材膜)上且能夠與剝離膜分離。與對基材一體地使用黏著劑或硬化性樹脂(不分離地使用)者不同。因此，對連接膜之加工技術要求高度之技術。
再者，本技術例如可使用於半導體裝置(除了驅動器IC以外，光學元件或熱電轉換元件、光電轉換元件等利用半導體者全部包括在內)、顯示裝置(監視器、電視、頭戴式顯示器等)、行動裝置(平板終端、智慧型手機、可穿戴終端等)、遊戲機、影音設備、攝像裝置(相機模組等使用影像感測器者)、車輛(移動裝置)用電裝封裝、醫療器械、感測器器件(觸控感測器、指紋認證、虹膜認證等)、家電製品等使用電性連接之所有電子機器之製造方法。
以下，作為具體例，列舉安裝相機模組之連接構造體之製造方法進行說明。作為具體例表示之連接構造體之製造方法包含：貼附步驟，其係將連接膜貼附於相機模組；搭載步驟，其係將可撓性基板搭載於相機模組；及連接步驟，其係經由連接膜將相機模組之端子與可撓性基板之端子連接。
[相機模組] 圖1係表示相機模組之安裝面之俯視圖，圖2係圖1所示之切斷線II-II上之剖視圖。如圖1及圖2所示，相機模組10具備：陶瓷基板11，其於矩形之安裝面具有凹部(空腔)；第1端子行12與第2端子行13，其等分別形成於矩形之安裝面中凹部周緣之對向之2邊；及影像感測器14，其收容於凹部。又，相機模組10係於切斷線II-II上之剖面具有形成有第1端子行12之特定寬度12W之安裝面及形成有第2端子行13之特定寬度13W之安裝面。
[膜構造體] 圖3係表示膜構造體之單位區域之俯視圖，圖4係圖3所示之切斷線IV-IV上之剖視圖。如圖3及圖4所示，膜構造體20具備帶狀之基材21、及形成於基材21上之連接膜22、23，於俯視下具有於基材21之長度方向上為特定長度21L且於基材21之寬度方向上為特定寬度21W之矩形狀之單位區域。膜構造體20係於單位區域中，自基材21之寬度方向之中央部朝基材21之長度方向具有作為非貼附部之空隙24。空隙24例如可藉由自基材21之寬度方向之中央部朝基材21之長度方向將接著膜沖孔加工而形成。即，膜構造體20係於單位區域中自基材之寬度方向之中央部朝基材之長度方向形成非貼附部，且對應於陶瓷基板11之第1端子行12及第2端子行13沿基材21之長度方向相隔地形成有特定寬度22W之連接膜22及特定寬度23W之連接膜23。
連接膜22之寬度22W及連接膜23之寬度23W分別與第1端子行12之安裝面之寬度12W及第2端子行13之安裝面之寬度13W相比，可較窄，亦可相同，還可較寬。
於連接膜之寬度較端子行之安裝面之寬度窄之情形時，可抑制連接膜之樹脂自膜連接體過度伸出。因此，可避免過度伸出之樹脂與相機模組或其他搭載零件接觸，而可使組裝之作業性提高。又，於搭載零件為較佳為避免污染者之情形時較有效。於連接膜之寬度較端子行之安裝面之寬度寬之情形時，可對連接部確保充分之樹脂量，因此，可使連接對象物之剝離強度(連接強度)提高。於欲對連接構造體確保充分之連接強度之情形時較有效。於連接膜之寬度與端子行之安裝面之寬度相同之情形時，可同時具備上述兩個優點。連接膜之寬度及端子行之安裝面之寬度根據安裝部所要求之規格而適當調整即可。
就連接構造體之導通特性及接著特性之觀點而言，連接膜22之寬度22W及連接膜23之寬度23W之下限較佳為分別為第1端子行12之安裝面之寬度12W及第2端子行13之安裝面之寬度13W之80%以上，更佳為100%以上，進而較佳為120%以上。就形狀加工之觀點而言，若過窄則難度等級提高，因此，作為一例，寬度為0.3 mm以上，較佳為0.4 mm以上，進而較佳為0.5 mm以上。又，連接膜22之寬度22W及連接膜23之寬度23W之上限較佳為分別為第1端子行12之安裝面之寬度12W及第2端子行13之安裝面之寬度13W之280%以下，更佳為240%以下。
又，空隙24之寬度24W之下限相對於基材21之寬度21W為5%以上，較佳為10%以上，更佳為20%以上，空隙24之寬度24W之上限相對於基材21之寬度21W為80%以下，較佳為75%以下，更佳為60%以下。若空隙24之寬度24W過小，則擔心因樹脂流動而導致凹部密閉，若空隙24之寬度24W過大，則連接膜之寬度變窄，因此擔心連接膜自基材剝離或視情形無法滿足連接體之接著強度。作為具體例之空隙24之寬度24W較佳為1.0 mm以上，較佳為1.2 mm以上。藉此，可防止氣體充滿凹部而可靠性降低，並且可獲得較高之接著強度。又，由於連接膜之使用量減少，故就環境特性之方面而言亦較佳。若使用去除之空隙部，則除了環境特性以外，亦削減了材料成本，因此，經濟性亦提高。又，例如，亦有對去除之空隙部進行保管以用於驗證之利用方法。
[貼附步驟] 圖5係表示將連接膜貼附於相機模組之貼附步驟之剖視圖，圖6係表示於貼附步驟中自連接膜將基材剝離後之狀態之剖視圖。如圖5及圖6所示，於貼附步驟中，使膜構造體20之單位區域之連接膜22、23轉接至相機模組10。例如，使用貼附裝置，自膜構造體之基材側按壓，將單位區域之連接膜22、23一起貼附於台上之相機模組10之安裝面。連接膜22、23已被轉接之膜構造體僅成為基材並被捲取。
[搭載步驟] 圖7係表示將可撓性基板搭載於相機模組之搭載步驟之剖視圖。如圖7所示，可撓性基板30對應於相機模組10之第1端子行12及第2端子行13而於基材31上具有第1端子行32及第2端子行33。於搭載步驟中，使可撓性基板30之第1端子行32及第2端子行33與相機模組10之第1端子行12及第2端子行13對準而將可撓性基板30搭載於相機模組10。
[連接步驟] 圖8係表示經由連接膜將相機模組之端子與可撓性基板之端子連接之連接步驟之剖視圖。如圖8所示，於連接步驟中，例如介隔緩衝材41利用壓接工具42按壓相機模組10之第1端子行12及可撓性基板31之第1端子行32上，並且利用壓接工具43按壓相機模組10之第2端子行13及可撓性基板30之第2端子行33上。又，根據連接膜之硬化型，進行加熱、光照射等，使連接膜硬化。
圖9係表示安裝有相機模組之連接構造體之剖視圖。如圖9所示，安裝有相機模組10之連接構造體係相機模組10之第1端子行12及可撓性基板30之第1端子行32藉由連接膜22硬化而成之硬化膜22A連接。又，相機模組10之第2端子行13及可撓性基板30之第2端子行33藉由連接膜23硬化而成之硬化膜23A連接。再者，於熱熔型之連接膜之情形時，硬化膜23係藉由熱熔型之連接膜而連接之硬化膜。
根據此種連接構造體之製造方法，膜構造體在俯視下自單位區域之周緣部朝單位區域之中心部之方向具有非貼附部，藉此，可使用既有之設備來安裝在安裝面之中心部具有凹部之電子零件，可防止氣體充滿凹部而可靠性降低。
＜2.連接構造體＞ 本實施形態之連接構造體具備：第1電子零件，其於安裝面之中心部具有凹部；第2電子零件；及硬化膜，其於第1電子零件與第2電子零件之間，由在俯視下自特定長度及特定寬度之單位區域之周緣部朝單位區域之中心部之方向具有非貼附部的連接膜硬化而成；且第1電子零件之端子與第2電子零件之端子連接。藉此，可防止氣體充滿凹部而可靠性降低。
如上所述，第1電子零件及第2電子零件並無特別限制，可根據目的而適當選擇。又，連接膜及連接膜之硬化型亦無特別限制，可根據目的而適當選擇。
以下，作為具體例，列舉安裝有相機模組之連接構造體進行說明。圖10係表示安裝有相機模組之連接構造體之構成例之剖視圖。對與圖1～圖9所示之構成同樣之構成標註相同之符號，並省略說明。如圖10所示，連接構造體具備：相機模組10，其具有第1端子行12與第2端子行13；可撓性基板30，其具有第1端子行32與第2端子行33；硬化膜22A，其於第1端子行12與第1端子行32之間由連接膜22硬化而成；及硬化膜23A，其於第2端子行13與第2端子行33之間由連接膜23硬化而成。又，連接構造體具有：保護玻璃15，其固定於陶瓷基板11上；及透鏡16，其配置於影像感測器14上，且設置於殼體。又，於可撓性基板30，除了相機模組安裝部以外，亦可安裝相機模組驅動用IC17。
根據此種構成之連接構造體，影像感測器14與透鏡16之間之距離T2難以光學性地縮短，但可縮短透鏡16與可撓性基板30之間之距離T1，而可實現薄型化。又，連接構造體係於矩形之安裝面中，陶瓷基板11之凹部周緣之對向之2邊利用硬化膜22A及硬化膜23A而固著，另外2邊之一部分並未固著。因此，可防止將陶瓷基板11之凹部由可撓性基板30之基材31封閉而可撓性基板30受氣體之影響而鼓起。
＜3.膜構造體＞ 本實施形態之膜構造體具備帶狀之基材、及形成於基材上之連接膜，於俯視下沿基材之長度方向具有特定長度之單位區域，且自單位區域之周緣部朝單位區域之中心部之方向具有非貼附部。又，膜構造體可設為捲裝於卷芯之膜捲裝體之形態。
圖11係模式性地表示膜捲裝體之立體圖。如圖11所示，膜捲裝體係將具備帶狀之基材21及形成於基材21上之連接膜22、23之膜構造體捲裝於卷芯25而成。卷芯25具有供用以使捲軸旋轉之旋轉軸插入之軸孔，連接膜構造體之長度方向之一端部而捲繞膜構造體。捲裝成膜捲裝體之膜構造體之長度並無特別限定，可較佳地使用長度之下限為5 m以上、10 m以上、50 m以上且長度之上限為5000 m以下、3000 m以下、1000 m以下者。
基材21係成型為帶狀且支持連接膜22、24之支持膜。作為基材21，例如可列舉PET(Poly Ethylene Terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)、OPP(Oriented Polypropylene，定向聚丙烯)、PMP(Poly-4-methylpentene-1，聚4-甲基戊烯-1)、PTFE(Polytetrafluoroethylene，聚四氟乙烯)等。又，基材21可較佳地使用至少連接膜22、23側之面例如藉由聚矽氧樹脂實施剝離處理者。
基材之厚度並無特別限定。就進行分離而言，基材之厚度之下限較佳為10 μm以上，更佳為25 μm以上，進而更佳為38 μm以上。基材之厚度之上限若過厚，則擔心過度地對連接膜施加壓力，因此，較佳為200 μm以下，更佳為100 μm以下，進而更佳為75 μm以下。亦可設為50 μm以下。又，於本技術中，由於設想基材與連接膜能夠分離者，故單位區域極端地過小因產生不必要之分離而欠佳。又，即便空隙部過大，亦因同樣之理由而欠佳。
又，基材之寬度並無特別限定。就進行捲繞而言，基材之寬度之下限較佳為1 mm以上，更佳為2 mm以上，進而更佳為4 mm以上。基材之寬度之上限若過大，則擔心搬運或操作變得困難，因此，可為250 mm以下，較佳為120 mm以下，更佳為60 mm以下，進而更佳為10 mm以下。基材之寬度根據單位區域與空隙部之大小而適當調整即可。再者，由於生產性之關係，較佳為連接膜之一部分與基材膜之寬度之端部相接。
如上所述，連接膜及連接膜之硬化型並無特別限制，可根據目的而適當選擇。如上所述，亦可將硬化型置換為熱熔型。
以下，列舉絕緣性黏合劑中包含導電粒子之各向異性導電膜為例而進行說明。各向異性導電膜之厚度之下限例如可與導電粒子直徑相同，較佳為可設為導電粒子直徑之1.3倍以上或10 μm以上。又，各向異性導電膜之厚度之上限例如可設為40 μm以下或導電粒子直徑之2倍以下。又，各向異性導電膜亦可將不含導電粒子之接著劑層或黏著劑層積層，其層數或積層面可根據對象或目的而適當選擇。又，作為接著劑層或黏著劑層之絕緣性樹脂，可使用與各向異性導電膜同樣者。導電粒子可分散於樹脂中，亦可進行排列。又，於導電粒子分散於樹脂中之情形時，亦可各自非接觸地相隔。又，各向異性導電膜較佳為以導電粒子之每1個端子之捕捉數較佳為5個以上、更佳為10個以上之方式含有導電粒子。
作為導電粒子，可適當選擇並使用公知之各向異性導電膜中所使用者。例如可列舉將鎳、銅、銀、金、鈀等金屬粒子、聚醯胺、聚苯并胍胺等樹脂粒子之表面利用鎳等金屬被覆所得之金屬被覆樹脂粒子等。亦可對表面以不妨礙導通性能之程度進行絕緣處理。又，亦可於表面形狀具有突起。
導電粒子之粒徑並無特別限制，粒徑之下限較佳為2 μm以上，粒徑之上限例如就連接構造體中之導電粒子之捕捉效率之觀點而言，例如較佳為50 μm以下，進而較佳為20 μm以下。再者，導電粒子之粒徑可設為藉由圖像型粒度分佈計(作為一例，FPIA-3000：Malvern公司製造)測定所得之值。該個數為1000個以上，較佳為2000個以上。
絕緣性黏合劑(絕緣性樹脂)可使用公知之絕緣性黏合劑。作為硬化型，可列舉熱硬化型、光硬化型、光熱併用硬化型等。例如，可列舉包含(甲基)丙烯酸酯化合物與自由基光聚合起始劑之自由基光聚合型樹脂組合物、包含(甲基)丙烯酸酯化合物與自由基熱聚合起始劑之自由基熱聚合型樹脂組合物、包含環氧化合物與陽離子熱聚合起始劑之陽離子熱聚合型樹脂組合物、包含環氧化合物與陰離子熱聚合起始劑之陰離子熱聚合型樹脂組合物等。又，亦可使用公知之黏著劑組合物。再者，於熱熔型之情形時，可使用日本專利特開2014-060025號公報之組合物。
以下，作為具體例，列舉含有膜形成樹脂、彈性體、(甲基)丙烯酸系單體、聚合起始劑及矽烷偶合劑之自由基熱聚合型之絕緣性黏合劑進行說明。再者，所謂(甲基)丙烯酸系單體係丙烯酸系單體及甲基丙烯酸單體均包括在內之意思。
作為膜形成樹脂，並無特別限制，例如可列舉苯氧基樹脂、不飽和聚酯樹脂、飽和聚酯樹脂、聚胺酯樹脂、丁二烯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚烯烴樹脂等。膜形成樹脂可單獨使用1種，亦可併用2種以上。該等之中，就製膜性、加工性、連接可靠性之方面而言，特佳為使用苯氧基樹脂。苯氧基樹脂可使用由雙酚A與表氯醇合成之樹脂即適當合成者，亦可使用市售品。作為膜形成樹脂之含量，並無特別限制，例如較佳為10質量%～60質量%。
作為彈性體，並無特別限制，例如可列舉聚胺酯樹脂(聚胺酯系彈性體)、丙烯酸系橡膠、聚矽氧橡膠、丁二烯橡膠等。
作為(甲基)丙烯酸系單體，並無特別限制，例如，可為單官能(甲基)丙烯酸系單體，亦可為2官能以上之多官能(甲基)丙烯酸系單體。就聚合物之應力緩和之觀點而言，較佳為絕緣性黏合劑中之(甲基)丙烯酸系單體中80質量%以上為單官能(甲基)丙烯酸系單體。
又，就接著性之觀點而言，單官能(甲基)丙烯酸系單體較佳為具有羧酸。又，具有羧酸之單官能(甲基)丙烯酸系單體之分子量較佳為100～500，更佳為200～350。又，具有羧酸之單官能(甲基)丙烯酸系單體於絕緣性黏合劑中之含量較佳為3質量%～20質量%，更佳為5質量%～10質量%。
作為聚合起始劑，只要能夠以熱壓接時之特定溫度使(甲基)丙烯酸系單體硬化則並無特別限制，例如可列舉有機過氧化物等。作為有機過氧化物，例如可列舉過氧化月桂醯、過氧化丁基、過氧化苄基、過氧化二月桂醯、過氧化二丁基、過氧化二碳酸酯、過氧化苯甲醯等。該等可單獨使用1種，亦可併用2種以上。聚合起始劑於絕緣性黏合劑中之含量並無特別限制，例如較佳為0.5質量%～15質量%。
作為矽烷偶合劑，並無特別限制，例如可列舉環氧系矽烷偶合劑、丙烯酸系矽烷偶合劑、硫醇系矽烷偶合劑、胺系矽烷偶合劑等。矽烷偶合劑於絕緣性黏合劑中之含量並無特別限制，例如較佳為0.1質量%～5.0質量%。
＜4.膜構造體之製造方法＞ 膜構造體之製造方法包含對具備帶狀之基材及形成於基材上之連接膜之膜原片進行加工之加工步驟，於加工步驟中，形成如下膜構造體，其於俯視下具有於基材之長度方向上為特定長度且於基材之寬度方向上為特定寬度之單位區域，且自單位區域之周緣部朝單位區域之中心部之方向具有非貼附部。於加工步驟中，藉由對膜原片進行狹縫加工、半切沖孔加工、沖切加工、衝壓加工等而於單位區域形成所期望之形狀之連接膜。又，亦可僅對基材膜上之連接膜進行加工而將其去除。進而，亦可設置將覆蓋膜設置於連接膜面上之步驟。因此，亦可將覆蓋膜作為支持體(代替基材)而對基材與連接膜實施上述加工。如上所述，基材與連接膜係於使用時與基材剝離(分離)者，因此，加工技術之難度等級較高。覆蓋膜之材質亦可與上述之基材21相同。厚度較佳為較基材21薄。
例如，圖3及圖4所示之膜構造體可藉由在加工步驟中，以於俯視下具有特定寬度之單位區域之方式進行全切，並且以自單位區域之周緣部朝單位區域之中心部之方向具有非貼附部之方式進行半切而獲得。具體而言，可藉由對膜原片以單位區域之寬度21W進行全切並且以成為空隙24之寬度24W進行半切，並對寬度24W之連接膜進行沖孔加工而獲得。藉由對膜構造體之連接膜進行沖孔加工，而連接膜之樹脂亦可移動至作為非貼附部之空隙，因此，可抑制於形成為捲軸之情形時產生之伸出或黏連(blocking)，有作為連接膜之調配設計之自由度增加之優點。又，於加工之後形成為捲裝體之情形時，有因連接膜與加工部位接觸而於連接膜留下加工之痕跡，從而外觀上變得欠佳的情形。為了防止該情況，亦可設置覆蓋膜。
半切之深度較佳為基材之厚度之1%以上95%以下。於半切較深之情形時，當形成為捲軸時，伸出之連接膜之樹脂進入半切部，因此，可抑制伸出或黏連。又，於半切較淺之情形時，有時不貫通連接膜，因此，半切之深度較佳為設為基材之厚度之5%以上。此亦起因於基材之厚度，但為了進行穩定之半切，更佳為10%以上。於接著膜之黏性較高之情形時，為了獲得確切之裁斷物，有時較佳為大於50%，更佳為設為55%以上，進而較佳為設為60%以上。又，若半切之深度過深，則有當連續地進行半切時因輕微之振動等而貫通基材之虞，因此，半切之深度較佳為設為基材之厚度之90%以下，更佳為設為80%以下，進而較佳為設為50%以下，視情形較佳為設為25%以下。此根據基材之厚度或膜長而適當選擇即可。又，藉由此種半切，容易自基材將連接膜拆除，因此，亦可期待連接構造體之製造生產性之提高。
已加工之膜構造體可保持設置於一面之連接膜被半切之狀態，亦可藉由將連接膜之一部分去除而使連接膜分別存在於基材上。又，就製造上之觀點而言，較佳為於基材上支持有連接膜之狀態，但亦可藉由將覆蓋膜設為支持體而將基材去除。考慮自膜構造體之製造步驟至使用其之連接步驟為止之整體之作業性與經濟性進行選擇即可。藉由如此選擇之範圍較大，而方便性提高。
＜5.變化例＞ 圖12～圖15分別係表示變化例1～4之膜構造體之俯視圖。如圖12所示，變化例1之膜構造體係作為非貼附部之空隙241於單位區域中自基材之長度方向之2邊之中央部形成至基材之寬度方向之全部，可應對於矩形狀之安裝面之中心部具有凹部且於凹部之周緣之對向之2邊具有端子行的電子零件。
又，如圖13所示，變化例2之膜構造體係作為非貼附部之空隙242於單位區域中自基材之長度方向之1邊之中央部形成至基材之寬度方向之一部分，可應對於矩形狀之安裝面之中心部具有凹部且於凹部之周緣之3邊具有端子行的電子零件。
又，如圖14所示，變化例3之膜構造體係作為非貼附部之空隙243、244於單位區域中自基材之長度方向之2邊之中央部形成至基材之寬度方向之一部分，可應對於矩形狀之安裝面之中心部具有凹部且於凹部之周緣之對向之2邊具有端子行的電子零件。
此種變化例1～3之膜構造體例如可藉由沖切加工而形成。
又，如圖15所示，變化例4之膜構造體係作為非貼附部之空隙245於單位區域中自基材之長度方向之1邊之中央部形成至基材之寬度方向之一部分，可應對於矩形狀之安裝面之中心部具有凹部且於凹部之周緣之3邊具有端子行的電子零件。又，變化例4之膜構造體係例如藉由衝壓加工而於非貼附部既不存在基材亦不存在連接膜之簡單之膜構造體，可藉由既有之貼附裝置將連接膜半切成單位區域之長度21L。
圖16係表示相機模組之安裝面之俯視圖。如圖16所示，相機模組50具備：陶瓷基板51，其於矩形之安裝面具有凹部(空腔)；第1端子行52與第2端子行53，其等分別形成於矩形之安裝面中凹部周緣之對向之2邊；第3端子行54，其形成於與形成有第1端子行52及第2端子行53之2邊不相接之2邊中之一者；及影像感測器55，其收容於凹部。該相機模組50之安裝面係矩形，於中央部具有凹部，且於凹部之周緣之3邊(コ字型)具有端子行。
圖17係表示與圖16所示之安裝面對應之膜構造體之第1例之俯視圖。圖17所示之膜構造體係於單位區域21L、21W中將貼附部之周緣之形狀設為八邊形者。藉此，於具備矩形之安裝面之電子零件之安裝中，與貼附部之周緣之形狀呈矩形之情形相比，可抑制按壓後之樹脂之過度之伸出，而可防止電子零件之側面被污染。又，藉由對矩形之貼附部之角部直線地進行倒角加工而形成八邊形之貼附部，可削減使用之連接膜之使用量。又，亦可於八邊形之貼附部之中央部設置非貼附部。藉此，可防止將相機模組50之凹部密封。
圖18係表示與圖16所示之安裝面對應之膜構造體之第2例之俯視圖。圖18所示之膜構造體係於圖17所示之膜構造體之八邊形之貼附部，作為非貼附部之空隙246形成於自基材之長度方向之1邊之中央部至基材之寬度方向之一部分者。藉此，於具備圖16所示之安裝面之電子零件之安裝中，可防止將相機模組50之凹部密封，並且可削減使用之連接膜之使用量。又，藉由安裝面之外形與膜構造體之外形於必需之部分一致，而可抑制連接膜貼合後之不必要之樹脂過度伸出。
圖19係表示與圖16所示之安裝面對應之膜構造體之第3例之俯視圖。圖19所示之膜構造體係於單位區域21L、21W中貼附部之周緣之形狀設為與圖16所示之安裝面對應之U字狀形狀者。此係對矩形之貼附部之角部曲線地進行加工，作為非貼附部之空隙247形成於自基材之長度方向之1邊之中央部至基材之寬度方向之一部分者，且係對角部曲線地進行倒角加工而形成U字形狀之貼附部者。藉由如此於貼附部具有曲線形狀，而銳利之部分減少，因此，可防止因不必要之接觸所致之連接膜之翻捲等。
作為第1～第3例表示之膜構造體例如可藉由如下而獲得：製作具備將作為基材之基底膜(例如聚對苯二甲酸乙二酯)裁斷之刀、及將連接膜裁斷成各形狀並以基材之厚度之一半左右進入之半切刀的母盤，使用該母盤對膜原片進行沖切加工，並將非貼附部去除。又，亦可於母盤存在接合部分。於該情形時，亦有產生於膜構造體之長度方向上連接膜之貼附部之間隔局部不同之部位的情況，於個數計測等製造管理之方面有利地發揮作用。
其他實施形態之連接構造體之製造方法包含：貼附步驟，其係自具備帶狀之基材、形成於基材上之連接膜、及貼附於連接膜上之覆蓋膜的膜構造體將連接膜貼附於具備元件與形成於元件之周圍之複數個電極之基板零件或具備與基板零件之電極對應之電極之電子零件，該連接膜具有於基材之長度方向上為特定長度且於基材之寬度方向上為特定寬度之單位區域；及連接步驟，其係經由連接膜使基板零件之電極與電子零件之電極連接；膜構造體於單位區域中上述元件之對應部位具有包含覆蓋膜之非貼附部。藉由非貼附部包含覆蓋膜，於膜構造體為捲繞於卷芯而成之捲裝體之情形時，可防止如下情況，即，與加工成接著膜之樹脂之基材等接觸而導致其形狀映入從而使外觀變差。又，亦可抑制樹脂過度地伸出至空隙。
覆蓋膜係與基材同樣地，例如可使用PET、OPP、PMP、PTFE等。又，覆蓋膜之厚度較佳為較基材薄，較佳為8～38 μm，更佳為12～25 μm。
又，於貼附步驟中，較佳為將連接膜對準地貼附於基板零件或電子零件。藉此，可確實地防止接著膜附著於元件。
又，其他實施形態之連接構造體具備：基板零件，其具備元件、及形成於元件之周圍之複數個電極；電子零件，其具備與基板零件之電極對應之電極；及硬化膜，其於基板零件與電子零件之間，由在具有特定長度及特定寬度之單位區域中元件之部分為空隙之連接膜硬化而成；且基板零件之電極與電子零件之電極連接。藉由使用元件之部分為空隙之連接膜，可防止接著膜附著於元件而元件之功能降低。又，可避開元件而將連接膜臨時貼合於基板，因此，連接步驟時之作業效率提高。此種元件多數情況下價格相對較高，因此，就綜合性之觀點而言，認為預先對連接膜構造體進行加工經濟性較高。
基板零件及電子零件並無特別限制，可根據目的而適當選擇。作為基板零件，例如可列舉陶瓷基板、剛性基板、可撓性基板(FPC：Flexible Printed Circuits)、玻璃基板、塑膠基板、樹脂多層基板、IC(Integrated Circuit)模組、IC晶片等。又，作為電子零件，例如可列舉陶瓷基板、剛性基板、可撓性基板(FPC：Flexible Printed Circuits)、玻璃基板、塑膠基板、樹脂多層基板等。
又，作為基板零件，例如可應用於在安裝面之中心部具備半導體元件且在安裝面之周緣部形成有電極者等。例如於矩形狀之安裝面之中心部具有半導體元件之基板零件之情形時，有於安裝面之對向之2邊、鄰接之2邊(L字型)或安裝面之周緣之3邊(コ字型、U字型、C字型)、或4邊或所有邊(與五邊形以上之形狀對應之情形)具有電極者。亦可為連接膜及基材貫通而成為中空(面之中央部分被去除)之構成。又，安裝面之外形例如亦可為具有曲線之形狀、圓形、多邊形等，而並非僅為矩形狀。尤其是，作為基板零件，就電氣絕緣性、熱絕緣性優異之觀點而言，較佳為於陶瓷基板之中心部搭載有影像感測器之相機模組等。
圖20係表示其他實施形態之相機模組之安裝面之一例之俯視圖。如圖20所示，相機模組60具備：陶瓷基板61；第1電極62A、62B、62C與第2電極63A、63B、63C，其等分別形成於影像感測器65之周緣之對向之2邊；第3電極64，其形成於與形成有第1電極62A、62B、62C及第2電極63A、63B、63C之2邊不相接之2邊中之一者；及影像感測器65，其搭載於陶瓷基板61之中央部。即，該相機模組60係於矩形之影像感測器65之周緣之3邊(コ字型)具有第1～第3電極者。再者，並不限於圖20所示之安裝面，亦可為於影像感測器之周緣之4邊之全部具有電極者。
圖21係表示與圖20所示之相機模組之安裝面對應之連接膜之一例之俯視圖。連接膜70具有：貼附部71，其包含影像感測器65之周緣之4邊；及非貼附部72，其係使與影像感測器65對應之部分為中空之空隙部。由於影像感測器65部分為空隙部，故可防止連接膜40附著於影像感測器65。
圖22係表示將圖21所示之連接膜捲繞之帶狀之膜構造體之一例之立體圖，圖23係膜構造體之包含非貼附部之寬度方向之剖視圖。膜構造體80具備帶狀之基材81、形成於基材81上之連接膜82、及貼附於連接膜82上之覆蓋膜83，具有於基材81之長度方向上為特定長度L且於基材81之寬度方向上為特定寬度W之矩形之單位區域，且於單位區域之中央部具有包含覆蓋膜83之矩形之非貼附部84。藉由貼附覆蓋膜83，即便連接膜之樹脂進入非貼附部84，亦可容易自膜構造體捲裝而成之捲裝體拉出膜構造體。又，藉由貼附覆蓋膜83，亦可保持連接膜之外觀。
再者，圖22所示之膜構造體係於特定長度L及特定寬度W之矩形之每一個單位區域形成有將基材81及連接膜82沖切所得之中空部。圖22之覆蓋膜83未貫通，基材81及連接膜82藉由沖切而貫通。此時，連接膜82為了適應使用之部位，可以特定長度L為單位進行半切，亦可去除。若將覆蓋膜設為支持體，則基材81及連接膜82為了適應使用之部位，可以特定長度L為單位進行半切，亦可去除。又，亦可預先加工成圖21之形狀並將其貼附於覆蓋膜。
基材81及覆蓋膜83係成型為帶狀，支持連接膜82之支持膜。作為基材81及覆蓋膜83，與上述實施形態同樣地，例如可列舉PET(Poly Ethylene Terephthalate)、OPP(Oriented Polypropylene)、PMP(Poly-4-methylpentene-1)、PTFE(Polytetrafluoroethylene)等。又，基材81及覆蓋膜83可較佳地使用至少連接膜82側之面藉由例如聚矽氧樹脂實施剝離處理者。
作為連接膜81，與上述實施形態同樣地，並無特別限制，可列舉膜狀之各向異性導電膜(ACF：Anisotropic Conductive Film)、膜狀之接著膜(NCF：Non Conductive Film)等。又，連接膜81之硬化型亦無特別限制，可列舉熱硬化型、光硬化型、光熱併用硬化型等。又，連接膜81亦可為使用熱塑性樹脂之熱熔型。
捲裝體係以覆蓋膜83成為外側或內側之方式將膜構造體捲繞於卷芯。此種膜構造體包含：加工步驟，其係對具備帶狀之基材、及形成於基材上之連接膜之膜原片進行加工；及貼附步驟，其係將覆蓋膜貼附於經加工之膜原片；於加工步驟中，可藉由對在基材之長度方向上具有特定長度且在基材之寬度方向上具有特定寬度之單位區域之中央部之基材及連接膜進行沖切而製造。又，可視需要將膜原片全切為單位區域之特定寬度並將該等接合而捲取至卷芯。
作為一例，於加工步驟中，對單位區域之中央部之基材及連接膜進行沖切時之特定長度及特定寬度為0.3 mm以上，較佳為0.4 mm以上，進而較佳為0.5 mm以上。於將基材及連接膜沖切之尺寸較小之情形時，有時連接膜之樹脂伸出至已被沖切之部分而不形成非貼附部。
又，於本技術中，將接著膜貼附於端子行或電極之對應部位，但亦可僅於端子行或電極之對應部位設置導電粒子。作為僅於端子行或電極之對應部位設置導電粒子之技術，可列舉日本專利特開2016-119306號公報、日本專利特開2016-131152號公報等。
例如，形成於與端子行或電極對應之位置呈格子狀地排列有凹部之樹脂模具，將導電粒子填充於樹脂模具之凹部，自樹脂模具將導電粒子轉印至絕緣性樹脂膜，藉此，可獲得僅於端子行或電極之對應部位排列有導電粒子之連接膜。連接膜內之導電粒子例如較佳為以利用1個端子或電極捕捉之導電粒子之數量成為5個以上之方式排列，進而較佳為以利用1個端子或電極捕捉之導電粒子之數量成為10個以上之方式排列。又，可將導電粒子之排列用作連接膜之對準標記。 [實施例]
＜6.實施例＞ 以下，對本技術之實施例進行說明。於本實施例中，使用各向異性導電膜製作連接構造體，對導通特性進行評價。
[各向異性導電膜之製作] 將平均粒徑20 μm之樹脂芯導電粒子(Ni(底層)/Au(表面)鍍覆、樹脂芯)5質量份與包含以下之各成分之絕緣性黏合劑95質量份投入至行星式攪拌裝置(製品名：去泡攪拌太郎、THINKY公司製造)，攪拌1分鐘而製作各向異性導電接著組合物。繼而，將各向異性導電接著組合物塗佈於厚度50 μm之PET膜上，以80℃之烘箱使其乾燥5分鐘，於PET膜上形成包含各向異性導電接著組合物之黏著層，製作寬度6.0 mm、厚度25 μm之各向異性導電膜。再者，以連接後之捕捉成為5個以上之方式調整導電粒子與絕緣性黏合劑之比率。
絕緣性黏合劑為以固形物成分成為50質量%之方式含有苯氧基樹脂(商品名：YP-50、新日化環氧製造股份有限公司製造)47質量份、單官能單體(商品名：M-5300、東亞合成股份有限公司製造)3質量份、聚胺酯樹脂(商品名：UR-1400、東洋紡織股份有限公司製造)25質量份、橡膠成分(商品名：SG80H、長瀨化成股份有限公司製造)15質量份、矽烷偶合劑(商品名：A-187、邁圖高新材料日本有限公司製造)2質量份、及有機過氧化物(商品名：Nyper BW、日油股份有限公司製造)3質量份的乙酸乙酯與甲苯之混合溶液。
[連接構造體之製作] 介隔各向異性導電膜，對相機模組評價用基板(陶瓷基板、寬度6.0 mm、端子行之安裝面之寬度1.0 mm、200 μm間距、線:空間＝1：1、端子厚度10 μm、Ni(底層)/Au(表面)鍍覆、具有空腔構造、端子行位於對向之2邊)與FPC(聚醯亞胺膜、200 μm間距、線:空間＝1：1、端子厚度12 μm、Ni(底層)/Au(表面)鍍覆)進行熱壓接，製作連接構造體。熱壓接係自FPC側介隔厚度200 μm之矽橡膠將工具往下壓，以溫度：120℃、壓力：1 MPa、時間：6 sec之條件進行。實用上，理想的是利用各端子能夠獲得5個以上之捕捉數。再者，對此次製作之連接構造體自FPC側利用顯微鏡觀察壓痕，結果可確認到對於端子之導電粒子之補充數為5個以上。
[導通特性之評價] 使用數位萬用表(橫河電機公司製造)，利用四端子法測定流通電流1 mA時之連接構造體之初期之導通電阻值。又，測定溫度121℃、濕度100%、氣壓2 atm之條件之可靠性評價試驗後(12h、24h)之連接構造體之導通電阻值。導通特性係將可靠性評價試驗後之導通電阻值與初期之導通電阻值同等者(變動為5%以下)評價為「A」，將可靠性評價試驗後之導通電阻值自初期之導通電阻值上升者(變動超過5%)評價為「B」。測定連接構造體之20個樣品之導通電阻值(N＝20)，使用導通電阻值最高之樣品進行評價。
[接著特性之評價] 關於連接構造體，對FPC以剝離速度50 mm/分鐘進行90度剝離試驗，測定剝離所需之力。接著特性係將比較例1之剝離強度設為1而進行評價。測定連接構造體之20個樣品之剝離強度(N＝20)，使用剝離強度最低之樣品進行評價。
＜實驗例1＞ 將寬度6.0 mm之各向異性導電膜貼附於相機模組評價用基板而製作連接構造體。於表1中表示連接構造體之導通特性之評價及接著特性之評價。
＜實施例1＞ 於圖3及圖4所示之膜構造體中，以連接膜22之寬度22W成為0.8 mm、連接膜23之寬度23W成為0.8 mm且空隙24之寬度24W成為4.4 mm的方式，對厚度50 μm之PET膜進行20 μm之深度(基材之厚度之40%)之半切加工，製作各向異性導電膜。於表1中表示連接構造體之導通特性之評價及接著特性之評價。
＜實施例2＞ 於圖3及圖4所示之膜構造體中，連接膜22之寬度22W設為1.2 mm，連接膜23之寬度23W設為1.2 mm，空隙24之寬度24W設為3.6 mm，除此以外，與實施例1同樣地製作各向異性導電膜。於表1中表示連接構造體之導通特性之評價及接著特性之評價。
＜實施例3＞ 於圖3及圖4所示之膜構造體中，連接膜22之寬度22W設為2.4 mm，連接膜23之寬度23W設為2.4 mm，空隙24之寬度24W設為1.2 mm，除此以外，與實施例1同樣地製作各向異性導電膜。於表1中表示連接構造體之導通特性之評價及接著特性之評價。
＜實驗例2＞ 於圖3及圖4所示之膜構造體中，連接膜22之寬度22W設為2.88 mm，連接膜23之寬度23W設為2.6 mm，空隙24之寬度24W設為0.24 mm，除此以外，與實施例1同樣地製作各向異性導電膜。於表1中表示連接構造體之導通特性之評價及接著特性之評價。
[表1]
   比較例1 實施例1 實施例2 實施例3 比較例2
膜寬相對於端子行之安裝面之寬度(1.0 mm)之比率[%] - 80 (0.8 mm) 120 (1.2 mm) 240 (2.4 mm) 288 (2.88 mm)
空隙寬度相對於陶瓷基板之寬度(6.0 mm)之比率[%] 0 73.3 (4.4 mm) 60 (3.6 mm) 20 (1.2 mm) 4 (0.24 mm)
導通特性之評價 B A A A B
接著特性之評價 1 0.8 1 1 1
如表1所示，將各向異性導電膜貼附於相機模組評價用基板整體之實驗例1係於可靠性評價試驗後導通電阻值上升。又，將空隙之寬度設為相機模組評價用基板之寬度之4%(0.24 mm)之實驗例2亦於可靠性評價試驗後導通電阻值上升。認為實驗例2由於空隙寬度較窄，故因連接時之樹脂流動而導致空隙封閉，於可靠性評價試驗中，因氣體之膨脹而導致FPC鼓起，從而電阻值上升。再者，即便為實驗例1、實驗例2之性能，於實用上之使用方面，亦無特別問題。
另一方面，將空隙之寬度設為相機模組評價用基板之寬度之5%以上75%以下的實施例1～3係可靠性評價試驗後之導通電阻值與初期之導通電阻值同等。又，將各向異性導電膜之寬度設為端子行之安裝面之寬度之100%以上250%以下的實施例2、3係與實驗例1同樣地，剝離強度為1。
又，使用具有如圖18所示之形狀之貼附部之各向異性導電膜，對如圖16所示之呈コ字型地具有端子行之相機模組評價用基板(陶瓷基板、寬度6.0 mm、第1～第3端子行之安裝面之寬度1.0 mm、200 μm間距、線：空間＝1：1、端子厚度10 μm、Ni(底層)/Au(表面)鍍覆、具有空腔構造、於コ字之各邊具備端子行)與FPC(聚醯亞胺膜、200 μm間距、線：空間＝1：1、端子厚度12 μm、Ni(底層)/Au(表面)鍍覆)進行熱壓接，製作連接構造體。各向異性導電膜進行與上述同樣之調配，將最大之膜寬相對於第1～第3端子行之安裝面之端子行之寬度(1.0 mm)之比率設為100%(1.0 mm)。此處，膜寬係於圖18所示之形狀之貼附部中，自空隙側至外側之寬度。然後，與上述同樣地，對連接構造體之導通特性及接著特性進行評價，結果與實施例2同樣地，導通特性為A，接著特性成為1。
進而，使用具有如圖17所示之形狀之貼附部之各向異性導電膜，對如圖16所示之呈コ字型地具有端子行之相機模組評價用基板(陶瓷基板、寬度6.0 mm、第1～第3端子行之安裝面之寬度1.0 mm、200 μm間距、線：空間＝1：1、端子厚度10 μm、Ni(底層)/Au(表面)鍍覆、具有空腔構造、於コ字之各邊具備端子行)與FPC(聚醯亞胺膜、200 μm間距、線：空間＝1：1、端子厚度12 μm、Ni(底層)/Au(表面)鍍覆)進行熱壓接，製作連接構造體。
各向異性導電膜係於單位區域21L、21W，對角部進行倒角，將貼附部之周緣之形狀設為八邊形，貼附部之長度21L及寬度21W分別與相機模組評價用基板之長度及寬度相同。即，各向異性導電膜係對與評價用基板之角之部分對應之部分進行倒角。然後，與上述同樣地，對連接構造體之導通特性及接著特性進行評價，結果為，體現與實驗例1同樣之結果。性能於實用上不存在問題，連接後之樹脂之過度之伸出得以抑制，且操作性優異。
以與圖21同樣之正方形形狀(使連接膜與基材為中空)，以4邊均為1邊之寬度成為0.8 mm、1.2 mmmm、2.4 mm(與實施例1至3同樣)之方式，對基材及各向異性導電膜進行沖切加工。製成設置有厚度12 μm之PET膜作為覆蓋膜之寬度6.0 mm之膜構造體。使用該膜構造體，對相機模組評價用基板(陶瓷基板、寬度6.0 mm、第1～第3端子行之安裝面之寬度1.0 mm、200 μm間距、線：空間＝1：1、端子厚度10 μm、Ni(底層)/Au(表面)鍍覆、無空腔構造、於コ字之各邊具備端子行)與FPC(聚醯亞胺膜、200 μm間距、線：空間＝1：1、端子厚度12 μm、Ni(底層)/Au(表面)鍍覆)進行熱壓接，製作連接構造體。然後，與上述同樣地，對連接構造體之導通特性及接著特性進行評價，結果，即便使用4邊均為1邊之寬度為0.8 mm、1.2 mmmm、2.4 mm之任一者之各向異性導電膜，導通特性亦成為A，全部與實施例1至3同樣。又，關於接著特性，亦全部與實施例1至3同樣。與上述同樣，成為實用上不存在問題之評價結果。再者，由於基材及各向異性導電膜對照基板之外形進行中空加工，故貼合於陶瓷基板時，以手動作業進行對準之作業較容易。預測於機械式地進行之情形時更有效率。
又，針對上述3種樣品，於中空加工後之各向異性導電膜不設置覆蓋膜，以手動作業於ϕ150 mm之卷芯捲繞10層以上，並將其拉出，對任意之10處以上目視地進行確認。於上述3種樣品全部中，於連接膜表面留下沖切加工之痕跡。設置覆蓋膜並同樣地進行評價，結果於連接膜表面未留下沖切加工之痕跡。若有損外觀，則於連續地進行各向異性連接之情形時，不良之因素變得不明確，因此，可知於避免該情況之方面，較佳為設置覆蓋膜。
10:相機模組 11:陶瓷基板 12:第1端子行 12W:特定寬度 13:第2端子行 13W:特定寬度 14:影像感測器 15:保護玻璃 16:透鏡 17:相機模組驅動用IC 20:膜構造體 21:基材 21L:長度 21W:寬度 22:連接膜 22A:硬化膜 22W:特定寬度 23:連接膜 23A:硬化膜 23W:特定寬度 24:空隙 24W:寬度 25:卷芯 30:可撓性基板 31:基材 32:第1端子行 33:第2端子行 41:緩衝材 42:壓接工具 43:壓接工具 50:相機模組 51:陶瓷基板 52:第1端子行 53:第2端子行 54:第3端子行 55:影像感測器 60:相機模組 61:陶瓷基板 62A~62C:第1電極 63A~63C:第2電極 64:第3電極 65:影像感測器 70:連接膜 71:貼附部 72:非貼附部 80:膜構造體 81:基材 82:連接膜 83:覆蓋膜 84:非貼附部 241:空隙 242:空隙 243:空隙 244:空隙 245:空隙 246:空隙 247:空隙 L:特定長度 T1:距離 T2:距離 W:特定寬度
圖1係表示相機模組之安裝面之俯視圖。 圖2係圖1所示之切斷線II-II上之剖視圖。 圖3係表示膜構造體之單位區域之俯視圖。 圖4係圖3所示之切斷線IV-IV上之剖視圖。 圖5係表示將連接膜貼附於相機模組之貼附步驟之剖視圖。 圖6係表示於貼附步驟中自連接膜剝離基材後之狀態之剖視圖。 圖7係表示將可撓性基板搭載於相機模組之搭載步驟之剖視圖。 圖8係表示經由連接膜將相機模組之端子與可撓性基板之端子連接之連接步驟的剖視圖。 圖9係表示安裝有相機模組之連接構造體之剖視圖。 圖10係表示安裝有相機模組之連接構造體之構成例之剖視圖。 圖11係表示膜捲裝體之立體圖。 圖12係表示變化例1之膜構造體之俯視圖。 圖13係表示變化例2之膜構造體之俯視圖。 圖14係表示變化例3之膜構造體之俯視圖。 圖15係表示變化例4之膜構造體之俯視圖。 圖16係表示相機模組之其他例之安裝面之俯視圖。 圖17係表示與圖16所示之安裝面對應之膜構造體之第1例之俯視圖。 圖18係表示與圖16所示之安裝面對應之膜構造體之第2例之俯視圖。 圖19係表示與圖16所示之安裝面對應之膜構造體之第3例之俯視圖。 圖20係表示其他實施形態之相機模組之安裝面之一例之俯視圖。 圖21係表示與圖20所示之相機模組之安裝面對應之連接膜之一例之俯視圖。 圖22係表示將圖21所示之連接膜捲繞之帶狀之膜構造體之一例之立體圖。 圖23係膜構造體之包含非貼附部之寬度方向之剖視圖。
21:基材
21L:長度
21W:寬度
22:連接膜
22W:特定寬度
23:連接膜
23W:特定寬度
24W:寬度

Claims (27)

  1. 一種連接構造體之製造方法，其包含： 貼附步驟，其係自具備帶狀之基材及形成於上述基材上之連接膜之膜構造體將連接膜貼附於具有複數個端子行之第1電子零件或第2電子零件，該連接膜具有於上述基材之長度方向上為特定長度且於上述基材之寬度方向上為特定寬度之單位區域；及 連接步驟，其係經由上述連接膜使上述第1電子零件之端子與上述第2電子零件之端子連接；且 上述膜構造體於上述單位區域中上述複數個端子行之對應部位以外具有未貼附上述連接膜之非貼附部。
  2. 如請求項1之連接構造體之製造方法，其中上述第1電子零件於安裝面之中心部具有凹部，且 上述膜構造體自上述單位區域之周緣部朝上述單位區域之中心部之方向具有上述非貼附部。
  3. 如請求項2之連接構造體之製造方法，其中上述單位區域呈矩形，且 上述非貼附部自上述單位區域之至少1邊之中央部朝上述單位區域之中心部之方向形成。
  4. 如請求項2之連接構造體之製造方法，其中上述單位區域呈矩形，且 上述非貼附部於上述單位區域中自上述基材之寬度方向之中央部朝上述基材之長度方向形成。
  5. 如請求項1至4中任一項之連接構造體之製造方法，其中上述第1電子零件具有矩形狀之安裝面，且 上述安裝面於上述凹部之周緣之對向之2邊、鄰接之2邊或上述凹部之周緣之3邊具有端子行。
  6. 如請求項1至5中任一項之連接構造體之製造方法，其中上述非貼附部為空隙。
  7. 如請求項1至6中任一項之連接構造體之製造方法，其中上述基材被半切成上述非貼附部之形狀，且 上述半切之深度為上述基材之厚度之1%以上95%以下。
  8. 如請求項1至6中任一項之連接構造體之製造方法，其中上述非貼附部係將上述單位區域之中央部之上述基材及上述連接膜沖切而成。
  9. 如請求項1至8中任一項之連接構造體之製造方法，其中上述連接膜為各向異性導電膜。
  10. 如請求項1至9中任一項之連接構造體之製造方法，其中上述第1電子零件為相機模組。
  11. 一種連接構造體，其具備： 第1電子零件，其具有複數個端子行； 第2電子零件；及 硬化膜，其於上述第1電子零件與上述第2電子零件之間，由在俯視下為特定長度及特定寬度之單位區域中上述複數個端子行之對應部位以外具有空隙部的連接膜硬化而成；且 上述第1電子零件之端子與上述第2電子零件之端子連接。
  12. 一種膜構造體，其具備： 帶狀之基材；及 連接膜，其形成於上述基材上；且 在俯視下具有於上述基材之長度方向上為特定長度且於上述基材之寬度方向上為特定寬度之單位區域，自上述單位區域之周緣部朝上述單位區域之中心部之方向具有非貼附部。
  13. 如請求項12之膜構造體，其中上述基材被半切成上述非貼附部之形狀，且 上述半切之深度為上述基材之厚度之1%以上95%以下。
  14. 如請求項12之膜構造體，其中上述非貼附部係將上述單位區域之中央部之上述基材及上述連接膜沖切而成。
  15. 一種膜捲裝體，其係如上述請求項12至14中任一項之膜構造體捲裝於卷芯而成。
  16. 一種連接構造體，其具備： 第1電子零件，其於安裝面之中心部具有凹部； 第2電子零件；及 硬化膜，其於上述第1電子零件與上述第2電子零件之間，由如上述請求項12至14中任一項之膜構造體之上述單位區域之連接膜硬化而成；且 上述第1電子零件之端子與上述第2電子零件之端子連接。
  17. 一種膜構造體之製造方法，其包含對具備帶狀之基材及形成於上述基材上之連接膜之膜原片進行加工的加工步驟， 於上述加工步驟中，形成如下膜構造體，其在俯視下具有於上述基材之長度方向上為特定長度且於上述基材之寬度方向上為特定寬度之單位區域，且自上述單位區域之周緣部朝上述單位區域之中心部之方向具有非貼附部。
  18. 如請求項17之膜構造體之製造方法，其中於上述加工步驟中，以在俯視下具有特定寬度之單位區域之方式進行全切，並且以自上述單位區域之周緣部朝上述單位區域之中心部之方向具有非貼附部之方式進行半切。
  19. 如請求項18之膜構造體之製造方法，其中上述半切之深度為上述基材之厚度之1%以上95%以下。
  20. 如請求項17之膜構造體之製造方法，其中於上述加工步驟中，將上述單位區域之中央部之上述基材及上述連接膜沖切而形成上述非貼附部。
  21. 一種連接構造體之製造方法，其包含： 貼附步驟，其係自具備帶狀之基材、形成於上述基材上之連接膜及貼附於上述連接膜上之覆蓋膜的膜構造體將連接膜貼附於具備元件與形成於上述元件之周圍之複數個電極之基板零件或具備與上述基板零件之複數個電極對應之電極之電子零件，該連接膜具有於上述基材之長度方向上為特定長度且於上述基材之寬度方向上為特定寬度之單位區域；及 連接步驟，其係經由上述連接膜使上述基板零件之電極與上述電子零件之電極連接；且 上述膜構造體於上述單位區域中上述元件之對應部位具有包含覆蓋膜之非貼附部。
  22. 如請求項21之連接構造體之製造方法，其中於上述貼附步驟中，將上述連接膜對準地貼附於基板零件或電子零件。
  23. 一種連接構造體，其具備： 基板零件，其具備元件、及形成於上述元件之周圍之複數個電極； 電子零件，其具備與上述基板零件之電極對應之電極；及 硬化膜，其於上述基板零件與上述電子零件之間，由在具有特定長度及特定寬度之單位區域中上述元件之部分為空隙之連接膜硬化而成；且 上述基板零件之電極與上述電子零件之電極連接。
  24. 一種膜構造體，其具備： 帶狀之基材； 連接膜，其形成於上述基材上；及 覆蓋膜，其貼附於上述連接膜上；且 具有於上述基材之長度方向上為特定長度且於上述基材之寬度方向上為特定寬度之單位區域，於上述單位區域之中央部具有包含上述覆蓋膜之非貼附部。
  25. 如請求項24之膜構造體，其中上述單位區域呈矩形，且 上述非貼附部呈矩形。
  26. 一種捲裝體，其由如上述請求項24或25之膜構造體捲裝而成。
  27. 一種膜構造體之製造方法，其包含： 加工步驟，其係對具備帶狀之基材及形成於上述基材上之連接膜之膜原片進行加工；及 貼附步驟，其係將覆蓋膜貼附於上述加工後之膜原片；且 於上述加工步驟中，將在上述基材之長度方向上具有特定長度且在上述基材之寬度方向上具有特定寬度之單位區域之中央部之上述基材及上述連接膜沖切。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240049589A (ko) 2021-09-29 2024-04-16 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 접속 필름의 제조 방법
JP2023125888A (ja) * 2022-02-28 2023-09-07 デクセリアルズ株式会社 接続構造体の製造方法、フィルム構造体、及びフィルム構造体の製造方法
JP2023151680A (ja) * 2022-03-31 2023-10-16 デクセリアルズ株式会社 個片加工接着フィルム、接続構造体の製造方法、及び接続構造体
JP2023151679A (ja) 2022-03-31 2023-10-16 デクセリアルズ株式会社 長尺フィルム、及び接続構造体の製造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60127334U (ja) * 1984-01-30 1985-08-27 富士商興株式会社 感圧接着テ−プ
JP2549250Y2 (ja) * 1991-09-13 1997-09-30 日東電工株式会社 フレキシブル磁気ディスク用接合材
JP2006016572A (ja) * 2004-07-05 2006-01-19 Okamoto Lace Kk 収納シート用接着テープ
KR100653551B1 (ko) * 2004-08-23 2006-12-04 (주)아이셀론 초음파 접합을 이용한 이미지센서의 칩 스케일 패키지제조방법
KR101053767B1 (ko) * 2005-11-21 2011-08-02 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 이방 도전 접착제
KR101343659B1 (ko) * 2007-07-17 2013-12-20 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 화상 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2011180162A (ja) * 2010-02-26 2011-09-15 Hitachi High-Technologies Corp 異方性導電材塗布装置，異方性導電材塗布方法，表示パネルモジュール組立装置、及び表示パネルモジュール組立方法
JP2012182442A (ja) * 2011-02-07 2012-09-20 Hitachi High-Technologies Corp 表示パネルモジュール組立装置、及び異方性導電材搬送装置
TW201241978A (en) * 2011-04-07 2012-10-16 Raydium Semiconductor Corp Flip chip device
JP2013207686A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 水晶発振器
JP6183156B2 (ja) * 2013-10-30 2017-08-23 セイコーエプソン株式会社 パッケージ、振動デバイス、発振器、電子機器及び移動体
JP6425382B2 (ja) 2014-01-08 2018-11-21 デクセリアルズ株式会社 接続方法、及び接合体
JP2018125319A (ja) * 2015-06-18 2018-08-09 ソニー株式会社 モジュール、モジュールの製造方法、及び、電子機器
JP6661997B2 (ja) * 2015-11-26 2020-03-11 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム
KR102563860B1 (ko) * 2015-12-02 2023-08-03 마이크로 모듈 테크놀로지 가부시키가이샤 광학 장치 및 광학 장치의 제조 방법
CN109478554B (zh) * 2016-04-29 2023-09-12 Lg伊诺特有限公司 相机模块及包括该相机模块的便携装置
US10325952B2 (en) * 2017-07-07 2019-06-18 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package device and method of manufacturing the same

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