TW202030883A - 顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

一種顯示裝置包括：第一電極、焊接電極、及修復線。第一電極包含：第(1-1)子像素的第一電極；第(1-2)子像素的第一電極；第(2-1)子像素的第一電極；及第(2-2)子像素的第一電極。焊接電極包含：第(1-1)焊接電極，連接到第(1-1)子像素的第一電極；第(1-2)焊接電極，連接到第(1-2)子像素的第一電極；第(2-1)焊接電極，連接到第(2-1)子像素的第一電極；第(2-2)焊接電極，連接到第(2-2)子像素的第一電極。修復線包含：第一修復線，與第(1-1)焊接電極和第(2-1)焊接電極重疊；及第二修復線，與第(1-2)焊接電極和第(2-2)焊接電極重疊。第一修復線和第二修復線設置在不相同的層中，其間插設有至少一層絕緣層。

Description

顯示裝置
本發明涉及一種能夠維修的顯示裝置。
目前已經開發出了各種能夠減輕重量和體積(亦即陰極射線管的缺點)的顯示裝置。這樣的顯示裝置可以透過液晶顯示器(LCD)、場發射顯示器(FED)、等離子顯示面板(PDP)、有機發光二極體(OLED)顯示器等實現。
在平板顯示裝置中，OLED顯示器是藉由激發有機化合物而發光的自發射型顯示裝置，並且具有以下優點：由於不需要在LCD中使用的背光板，因此顯示器重量可以更輕並且可以更薄，同時有效簡化製程。此外，OLED顯示器可以在低溫的環境下製造，並且由於其具有小於等於1ms的高響應速率，同時具有諸如低功耗、寬視角和高對比度等特性，因此被廣泛地使用。
OLED顯示器包含用於將電能轉換為光能的有機發光二極體(OLED)。OLED包含：陽極、陰極以及位於其之間的有機發光層。在OLED顯示器中，分別從陽極和陰極注入的電洞和電子，在有機發光層中相互結合以形成激子。所形成的激子從激發態下降至基態，從而發光並顯示影像。
近年來，關於透明顯示裝置的研究正積極地進行。透明顯示裝置是指透過該顯示裝置，使用者除了在顯示面板中實現的視覺資訊外，還可以辨識位於顯示面板的背面的物體等。為此，透明顯示裝置包含其中佈置有驅動元件並實現輸入影像的發射區域、和外部光透射所通過的透射區域。
在透明顯示裝置中，需要充份地確保透射區域所佔據的區域，以便使用者可以更清楚地觀看位於顯示面板背面的背景資訊。為了確保所需的開口率，需要充分地確保發光區域所佔據的面積。因此，需要在有限的空間內適當地分配發射區域和透射區域，使得透明顯示裝置可以順利地執行其功能。
顯示裝置包含用於修復有缺陷的子像素以提高良率的修復結構。在這種情況下，需要單獨分配用於形成修復結構的修復區域。然而，由於難以如上所述地在透明顯示裝置中，有效分配除發射區域和透射區域以外的單獨區域，因此難以將修復結構順利地引入至有限的空間中。
本發明提供了一種顯示裝置，包含用於修復有缺陷的子像素的修復結構，但是其具有最小化由該修復結構所佔據的面積。
在一個態樣中，一種顯示裝置包括：第一電極、焊接電極、以及修復線。該等第一電極包含：一第(1-1)子像素的第一電極、一第(1-2)子像素的第一電極、一第(2-1)子像素的第一電極、以及一第(2-2)子像素的第一電極。該等焊接電極包含：一第(1-1)焊接電極，連接到該第(1-1)子像素的該第一電極；一第(1-2)焊接電極，連接到該第(1-2)子像素的該第一電極；一第(2-1)焊接電極，連接到該第(2-1)子像素的該第一電極；一第(2-2)焊接電極，連接到該第(2-2)子像素的該第一電極。該等修復線包含：一第一修復線，與該第(1-1)焊接電極和該第(2-1)焊接電極相互重疊、以及一第二修復線，與該第(1-2)焊接電極和該第(2-2)焊接電極重疊。該第一修復線和該第二修復線設置在不相同的層中，其間插設有至少一層絕緣層。
110‧‧‧影像處理器
120‧‧‧時序控制器
130‧‧‧資料驅動器
140‧‧‧掃描驅動器
150‧‧‧顯示面板
A‧‧‧半導體層
AOH1-1、AOH1-2、AOH2-1、AOH2-2‧‧‧輔助開孔
AR‧‧‧區域
BN‧‧‧堤層
BUF‧‧‧緩衝層
CC‧‧‧補償電路
Cst‧‧‧電容器
D‧‧‧汲極電極
DATA‧‧‧資料信號
DDC‧‧‧資料時序控制信號
DE‧‧‧資料致能信號
DL1~DLn‧‧‧資料線
DR‧‧‧驅動電晶體
E1‧‧‧第一電極
E2‧‧‧第二電極
EA‧‧‧發射區域
EVDD‧‧‧電源線
EVSS‧‧‧陰極電源線
G‧‧‧閘極電極
GDC‧‧‧閘極時序控制信號
GI‧‧‧閘極絕緣膜
GL1~Glm‧‧‧閘極線
ILD‧‧‧層間介電層
LCst‧‧‧電容器下電極
LL‧‧‧連接線
LS‧‧‧遮光層
OC‧‧‧覆蓋層
OH1-1、OH1-2、OH2-1、OH2-2‧‧‧開孔
OL‧‧‧有機發光層
OLED‧‧‧有機發光二極體
OV‧‧‧重疊部分
PAS‧‧‧鈍化膜
PH‧‧‧像素接觸孔
PXL1-1~PXL1-4‧‧‧子像素
PXL2-1~PXL2-4‧‧‧子像素
RA‧‧‧修復區域
RL1~L4‧‧‧修復線
S‧‧‧源極電極
Scan‧‧‧掃描信號
Sense‧‧‧感測信號
SP‧‧‧子像素
ST‧‧‧感測電晶體
SUB‧‧‧基板
SW‧‧‧開關電晶體
TA‧‧‧透射區域
VREF‧‧‧感測線
WE1-1~WE1-4‧‧‧焊接電極
WE2-1~WE2-4‧‧‧焊接電極
附圖說明，附圖包含提供對本發明的進一步理解，並且併入構成本申請的一部分，附圖說明了本發明的實施例，並且與說明書一起用於解釋本發明的原理。在圖示中：
圖1為顯示OLED顯示器的示意性方塊圖。
圖2為顯示子像素的示意性電路配置圖。
圖3為說明子像素的詳細電路配置圖。
圖4係關於本發明的第一實施例，並是示意性地顯示圖1之AR區域的平面圖。
圖5為圖4沿I-I'線所截取的剖面圖。
圖6A和圖6B為圖4分別沿Ⅱ-Ⅱ'線和Ⅲ-Ⅲ'線所截取的剖視圖，並是顯示第一修復線與對應的焊接電極之間的連接關係的剖視圖。
圖7A和圖7B為圖4分別沿Ⅳ-Ⅳ'線和V-V'線所截取的剖視圖，並是顯示第二修復線與對應的焊接電極之間的連接關係的剖視圖。
圖8為顯示根據本發明第一實施例之用於說明修復過程和修復結構的子像素的示意性電路配置。
圖9係關於本發明的第二實施例，並是示意性地顯示圖1之AR區域的平面圖。
圖10為圖9沿Ⅵ-Ⅵ'線所截取的剖面圖，並是顯示第一修復線與對應的焊接電極之間的連接關係的剖面圖。
圖11為圖9沿ⅥI-ⅥI'線所截取的剖面圖，並是顯示第二修復線與對應的焊接電極之間的連接關係的剖面圖。
圖12係關於本發明的第三實施例，並是示意性地顯示圖1之AR區域的平面圖。
圖13為圖12沿ⅥII-ⅥII'線所截取的剖面圖，並是顯示第一修復線的一端與對應的焊接電極之間的連接關係的剖面圖。
圖14為圖12沿IX-IX'線所截取的剖面圖，並是顯示第二修復線與對應的焊接電極之間的連接關係的剖面圖。
圖15為顯示根據本發明第三實施例之用於說明修復過程和修復結構的子像素的示意性電路配置。
在下文中，將參考附圖詳細地描述本發明的實施例。整份說明書中，相同的附圖標記基本上表示相同的元件。在下文的描述中，當確定相關的習知技術或配置的詳細描述會使本發明的技術為不必要的混淆時，將省略其詳細描述。在描述幾個實施例時，本說明書中的介紹部分代表性地描述了相同的元件，並且在其他實施例中可以省略。
包含序數的術語，例如第一和第二，可以用於描述各種元件，但是該些元件不受術語的限制。這些術語僅用於區分一個元件和另一個元件。
根據本發明一實施例的顯示裝置是其中顯示元件已形成在基板上的顯示裝置。該顯示裝置可以由OLED顯示器、LCD或電泳顯示裝置實現，但是為了便於描述，在下文中以OLED顯示器來說明。
圖1為顯示OLED顯示器的示意性方塊圖。圖2為顯示子像素的示意性電路配置圖。圖3為說明子像素的詳細電路配置圖。
參考圖1，OLED顯示裝置包括：影像處理器110、時序控制器120、資料驅動器130、掃描驅動器140、以及顯示面板150。
影像處理器110輸出資料致能信號DE和從外部供應的資料信號DATA。影像處理器110除了輸出資料致能信號DE以外，還可以進一步輸出垂直同步信號、水平同步信號和時脈信號中的一個或多個，但是為了方便描述，本文中將省略其中的一個或多個信號。
時序控制器120從影像處理器110接收資料致能信號DE或資料信號DATA和驅動信號，包含垂直同步信號、水平同步信號或時脈信號。時序控制器120基於驅動訊號輸出用於控制掃描驅動器140的操作時序的閘極時序控制信號GDC和用於控制資料驅動器130的操作時序的資料時序控制信號DDC。
資料驅動器130對由時序控制器120所供應的資料信號DATA進行採樣和鎖存，以響應由時序控制器120供應的資料時序控制信號DDC、將信號轉換為伽瑪參考電壓、以及輸出該伽瑪參考電壓。資料驅動器130透過資料線DL1至DLn輸出資料信號DATA。資料驅動器130可以以積體電路(IC)的形式形成。
掃描驅動器140輸出掃描信號，以響應由時序控制器120供應的閘極時序控制信號GDC。掃描驅動器140透過閘極線GL1至GLm輸出掃描信號。掃描驅動器140可以以IC的形式形成，或者可以以板內閘極的方式形成在顯示面板150中。
顯示面板150分別根據由資料驅動器130供應的資料信號DATA和掃描驅動器140供應的掃描信號來顯示影像。顯示面板150包含操作以顯示影像的子像素SP。
如圖2所示，一個子像素包含：開關電晶體SW、驅動電晶體DR、電容器Cst、補償電路CC、以及OLED。
開關電晶體SW執行開關操作，以響應透過第一閘極線GL1供應的掃描信號，從而將透過資料線DL1供應的資料信號儲存在電容器Cst中作為資料電壓。驅動電晶體DR操作以響應儲存在電容器Cst中的資料電壓，使得驅動電流在電源線EVDD(高電位電壓)與陰極電源線EVSS(低電位電壓)之間流動。OLED操作以發光來響應由驅動電晶體DR形成的驅動電流。
補償電路CC是為了補償驅動電晶體DR的臨界電壓等而添加到子像素中的電路。補償電路CC配置有一個或多個電晶體。補償電路CC可以根據外部補償方法具有各種不同的配置，下文中將描述補償電路的示例性配置。
如圖3所示，補償電路CC包含感測電晶體ST和感測線VREF(或參考線)。感測電晶體ST在驅動電晶體DR的源極電極與OLED的陽極電極之間連接(下文中稱為「感測節點」)。感測電晶體ST操作以向驅動電晶體DR的感測節點供應透過感測線VREF傳送的初始化電壓(或感測電壓)，或者感測驅動電晶體DR或感測線VREF的感測節點的電壓或電流。
開關電晶體SW具有連接到第一資料線DL1的汲極電極、以及連接到驅動電晶體DR的閘極的源極電極。驅動電晶體DR具有連接到電源線EVDD的汲極電極、以及連接到OLED的陽極的源極電極。電容器Cst具有連接到驅動電晶體DR的閘極電極的第一電容器電極、以及連接到OLED的陽極的第二電容器電極。OLED具有連接到驅動電晶體DR的源極電極的陽極、以及連接到陰極電源線EVSS的陰極。感測電晶體ST具有連接到感測線VREF的汲極電極、以及連接到OLED的陽極(亦即驅動節點)和驅動電晶體DR的源極電極的源極電極。該電晶體已顯示為以n型實現，但是本發明不限於此。
根據外部補償算法(或補償電路的配置)，感測電晶體ST的操作時間可以與開關電晶體SW的操作時間相同或相似或不同。例如，開關電晶體SW可以具有連接到第一閘極線GL1的閘極。感測電晶體ST可以具有連接到第二閘極線GL2的閘極。在這種情況下，掃描信號Scan傳送到第一閘極線GL1，而感測信號Sense傳送到第二閘極線GL2。針對另一示例，連接到開關電晶體SW的閘極電極的第一閘極線GL1和連接到感測電晶體ST的閘極電極的第二閘極線GL2可以相互連接共享。
感測線VREF可以連接到資料驅動器。在這種情況下，資料驅動器可以在即時影像的非顯示週期或N訊框(N為大於等於1的整數)週期的期間感測子像素的感測節點，並且可以產生感測結果。開關電晶體SW和感測電晶體ST可以同時導通。在這種情況下，透過感測線VREF的感測操作和基於資料驅動器的分時方法的輸出資料信號的資料輸出操作兩者相互分離(或分割)。
另外，根據感測結果的補償目標可以為數位形式的資料信號、類比形式的資料信號、或伽瑪的資料信號。此外，基於感測結果產生補償信號(或 補償電壓)的補償電路可以在資料驅動器內、時序控制器內實現或實現為獨立電路。
在圖3中，已顯示了具有3電晶體(3T)1電容器(1C)結構的子像素，其包含：開關電晶體SW、驅動電晶體DR、電容器Cst、OLED和感測電晶體ST，但是，如果要加入補償電路CC，則子像素可以配置為3T2C、4T2C、5T1C、或6T2C等。在下文中，為了便於描述，僅描述其中子像素為具有3T 1C的結構的示例。
<第一實施例>
圖4係關於本發明的第一實施例，並是示意性地顯示圖1之AR區域的平面圖。圖5為圖4沿I-I'線所截取的剖面圖。圖6A和圖6B為圖4分別沿Ⅱ-Ⅱ'線和Ⅲ-Ⅲ'線所截取的剖視圖，並是顯示第一修復線與對應的焊接電極之間的連接關係的剖視圖。圖7A和圖7B為圖4分別沿Ⅳ-Ⅳ'線和V-V'線所截取的剖視圖，並是顯示第二修復線與對應的焊接電極之間的連接關係的剖視圖。
參照圖4，根據本發明第一實施例的顯示裝置包括多個像素。該等像素可以佈置為矩陣形式，但是不限於此。該等像素包含：發射區域EA、修復區域RA、以及透射區域TA。
發射區域EA可以定義為發射用於實現輸入影像的光的區域。發射區EA包含子像素PXL，每個子像素PXL具有電晶體和OLED(或發光裝置)。修復區域RA可以定義為當子像素PXL失效時，執行修復過程的區域。修復區域RA包含具有焊接電極WE和修復線RL的修復結構。透射區域TA可以定義為外部光透射所通過的區域，從而使用者可以識別位於顯示裝置背面的物體等。透射區域TA可以定義為其中未設置發射區域EA和焊接電極WE的元件、以及修復區域RA的修復線RL的所有區域。
發光區域EA包含子像素PXL。子像素PXL可以沿第一方向(例如，Y軸方向)和第二方向(例如，X軸方向)佈置，該第一方向和該第二方向彼此交叉。一像素可以包含紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)和白色(W)的子像素PXL，但不限於此。在下文中，為了方便描述，以像素包含R、G、B和W子像素PXL的配置為例進行描述。
更具體地說，發射區域EA包含在第一方向上相鄰的第一像素和第二像素。第一像素包含：第(1-1)子像素PXL1-1、第(1-2)子像素PXL1-2、 第(1-3)子像素PXL1-3、和第(1-4)子像素PXL1-4。第二像素包含：第(2-1)子像素PXL2-1、第(2-2)子像素PXL2-2、第(2-3)子像素PXL2-3、和第(2-4)子像素PXL2-4。第(1-1)子像素PXL1-1和第(2-1)子像素PXL2-1發出相同的第一顏色的光。第(1-2)子像素PXL1-2和第(2-2)子像素PXL2-2發出相同的第二顏色的光。第(1-3)子像素PXL1-3和第(2-3)子像素PXL2-3發出相同的第三顏色的光。第(1-4)子像素PXL1-4和第(2-4)子像素PXL2-4發出相同的第四顏色的光。紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)和白色(W)中的任何一個顏色皆可以分配為第一顏色、第二顏色、第三顏色，和第四顏色中的每一個。
如圖所示，佈置在單個像素中的子像素PXL可以佈置為四邊形。第(1-1)子像素PXL1-1和第(1-2)子像素PXL1-2及第(2-1)子像素PXL2-1和第(2-2)子像素PXL2-2可以佈置為沿第一方向彼此相鄰。第(1-3)子像素PXL1-3和第(1-4)子像素PXL1-4及第(2-3)子像素PXL2-3和第(2-4)子像素PXL2-4可以佈置為沿第一方向彼此相鄰。第(1-1)子像素PXL1-1和第(1-3)子像素PXL1-3可以佈置為沿第二方向彼此相鄰，而第(2-1)子像素PXL2-1和第(2-3)子像素PXL2-3可以佈置為沿第二方向彼此相鄰。第(1-2)子像素PXL1-2和第(1-4)子像素PXL1-4可以佈置為沿第二方向彼此相鄰，而第(2-2)子像素PXL2-2和第(2-4)子像素PXL2-4可以佈置為沿第二方向彼此相鄰。
發射相同顏色的光的子像素PXL沿第一方向佈置。亦即，第(1-1)子像素PXL1-1和第(2-1)子像素PXL2-1可以沿第一方向佈置。第(1-2)子像素PXL1-2和第(2-2)子像素PXL2-2可以沿第一方向佈置。第(1-3)子像素PXL1-3和第(2-3)子像素PXL2-3可以沿第一方向佈置。第(1-4)子像素PXL1-4和第(2-4)子像素PXL2-4可以沿第一方向佈置。
在這種情況下，發出不同顏色的光的兩個子像素PXL沿第一方向依序交替地設置。亦即，發出第一顏色的光的第(1-1)子像素PXL1-1、發出第二顏色的光的第(1-2)子像素PXL1-2、發出第一顏色的光的第(2-1)子像素PXL2-1以及發出第二顏色的光的第(2-2)子像素PXL2-2沿第一方向依序地佈置。此外，發出第三顏色的光的第(1-3)子像素PXL1-3、發出第四顏色的第(1-4)子像素PXL1-4、發出第三顏色的光的第(2-3)子像素PXL2-3以及發出第四顏色的光的第(2-4)子像素PXL2-4沿第一方向依序地佈置。
每個子像素PXL皆包含位於基板上的電晶體和電性連接至該電晶體的OLED。
例如，參考圖5，遮光層LS位於基板SUB上方。遮光層LS作為屏蔽外部光入射的作用，以防止在電晶體中產生光電流。緩衝層BUF位於遮光層LS上。緩衝層BUF作用為保護在之後的製程中所形成的TFT，免受雜質例如從遮光層LS排出的鹼離子的影響。緩衝層BUF可以是氧化矽(SiOx)層、氮化矽(SiNx)層或由其組成的多層。
驅動電晶體DR的半導體層A位於緩衝層BUF上方。與半導體層A間隔開的電容器下電極LCst位於緩衝層BUF上方。半導體層A和電容器下電極LCst可以由矽半導體或氧化物半導體製成。矽半導體可以包含非晶矽或結晶的多晶矽。半導體層A包含汲極區域和包含p型或n型雜質的源極區域，並且包含位於汲極區域與源極區域之間的通道。電容器下電極LCst可以摻雜雜質並且因此具有導電性。
閘極絕緣膜GI位於半導體層A上方。閘極絕緣膜GI可以是氧化矽(SiOx)層、氮化矽(SiNx)層或由其組成的多層。閘極電極G位於半導體層A的給定區域中，亦即，在與注入雜質時相對應的通道的位置處並在閘極絕緣膜GI上方。此外，閘極電極G可以由選自鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)或者其合金中的任何一種製成。此外，閘極電極G可以由選自鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)的任何一種製成或者可以是具有其合金的多層。例如，閘極電極G可以是具有鉬/鋁-釹或鉬/鋁的雙層。
使閘極電極G絕緣的層間介電層ILD位於閘極電極G和電容器下部電極LCst的上方。層間介電層ILD可以是氧化矽(SiOx)膜、氮化矽(SiNx)膜或其組成的多層。源極電極S和汲極電極D設置在層間介電層ILD上方。源極電極S和汲極電極D透過接觸孔連接到半導體層A，並透過接觸孔暴露半導體層A的源極區域和汲極區域。源極電極S和汲極電極D可以具有單層或多層。如果源極電極S和汲極電極D為單層，則它們可以由選自鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)或者其合金中的任何一種製成。此外，如果源極電極S和汲極電極D為多層，則它們可以是鉬/鋁釹的雙層，或者鈦/鋁/鈦、鉬/鋁/鉬或鉬/鋁-釹/鉬的三層。因此，構成包含半導體層A、 閘極電極G、源極電極S和汲極電極D的驅動電晶體DR。此外，在電容器下部電極LCst中，源極電極S作為電容器上電極以構成電容器Cst。
鈍化膜PAS位於基板SUB上方，基板SUB包含驅動電晶體DR和電容器Cst。鈍化膜PAS為保護下方元件的絕緣膜，並且可以為氧化矽(SiOx)膜或氮化矽(SiNx)膜或其組成的多層。覆蓋層OC位於鈍化膜PAS上方。覆蓋層OC可以為平坦化膜，用於減少下部結構的台階，並由有機物製成，例如聚醯亞胺、苯並環丁烯樹脂或丙烯酸酯。覆蓋層OC可以使用諸如旋塗式玻璃(SOG)之類的方法形成，該方法用於塗覆液化的有機物質並將其硬化。像素接觸孔PH位於覆蓋層OC的某些區域中，透過該像素接觸孔PH藉由暴露鈍化膜PAS而露出源極電極S。
OLED包含彼此相對的第一電極E1、有機發光層OL和第二電極E2。
第一電極E1可以是陽極。第一電極E1透過穿過覆蓋層OC和鈍化膜PAS的像素接觸孔PH連接到驅動電晶體DR的源極電極S。第一電極E1可以由諸如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或氧化鋅(ZnO)等透明導電材料製成，並因此可以作用為透射電極，或者可以根據採用的發光方法而包含反射層並作用為反射電極。該反射層可以由鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鎳(Ni)或其合金製成，並且可以由例如銀/鈀/銅(APC)等合金製成。
堤層BN位於已形成有第一電極E1的基板SUB上方。堤層BN可以由有機物製成，例如聚醯亞胺、苯並環丁烯樹脂或丙烯酸酯。堤層BN包含開口，大部分第一電極E1透過該開口而露出。堤層BN可以定位以暴露第一電極E1的中心部分，但是覆蓋第一電極E1的橫向端。
有機發光層OL位於已形成有堤層BN的基板SUB上方。有機發光層OL為電子和電洞在其中結合以發光的層。有機發光層OL包含發光層(EML)，並且可以進一步包含電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)或電子注入層(EIL)中的一種或多種。
第二電極E2位於有機發光層OL上方。第二電極E2可以廣泛形成在基板SUB的整個表面上。根據採用的發光方法，第二電極E2可以作用為透射電極或反射電極。如果第二電極E2為透射電極，則第二電極E2可以由諸如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)等透明導電材料製成，或者可以由鎂(Mg)、 鈣(Ca)、鋁(Al)、銀(Ag)或其合金製成，其具有足夠薄的厚度，使得光可以透射該第二電極。
修復區域RA包含焊接電極WE和修復線RL。
焊接電極WE連接到對應的子像素PXL的第一電極。焊接電極WE可以從子像素PXL的第一電極局部產生分支。焊接電極WE是在修復過程中與修復線RL一起進行焊接的部分，因此形成為具有該修復過程所需的預定面積。
至少一個焊接電極WE可以分配給每個子像素。第(1-1)焊接電極WE1-1連接到第(1-1)子像素PXL1-1的第一電極。第(1-2)焊接電極WE1-2連接到第(1-2)子像素PXL1-2的第一電極。第(1-3)焊接電極WE1-3連接到第(1-3)子像素PXL1-3的第一電極。第(1-4)焊接電極WE1-4連接到第(1-4)子像素PXL1-4的第一電極。第(2-1)焊接電極WE2-1連接到第(2-1)子像素PXL2-1的第一電極。第(2-2)焊接電極WE2-2連接到第(2-2)子像素PXL2-2的第一電極。第(2-3)焊接電極WE2-3連接到第(2-3)子像素PXL2-3的第一電極。第(2-4)焊接電極WE2-4連接到第(2-4)子像素PXL2-4的第一電極。
修復線RL沿第一方向延伸。修復線RL的兩端佈置為與子像素PXL的焊接電極WE重疊，該些子像素PXL發射相同顏色的光。第一修復線RL1的一端與第(1-1)焊接電極WE1-1重疊，而其另一端與第(2-1)焊接電極WE2-1重疊。第二修復線RL2的一端與第(1-2)焊接電極WE1-2重疊，而其另一端與第(2-2)焊接電極WE2-2重疊。第三修復線RL3的一端與第(1-3)焊接電極WE1-3重疊，而其另一端與第(2-3)焊接電極WE2-3重疊。第四修復線RL4的一端與第(1-4)焊接電極WE1-4重疊，而其另一端與第(2-4)焊接電極WE2-4重疊。
屬於修復線RL的兩端並與焊接電極WE重疊的部分可以稱為重疊部分OV。重疊部分OV與焊接電極WE重疊，並且在修復過程中焊接到焊接電極WE。因此，該重疊部分形成為具有製程所需的預定面積。焊接電極WE和重疊部分OV可以具有相同的面積，但是本發明不限於此。
在第一實施例中，修復線RL的兩端中的任一端連接到對應的焊接電極WE，並且其另一端不連接到對應的焊接電極WE。例如，如圖所示，第一修復線RL1的一端可以與第(1-1)焊接電極WE1-1分開，其間插設有絕緣層，而第一修復線RL1的另一端可以連接到第(2-1)焊接電極WE2-1。第二修復線RL2的一端可以與第(1-2)焊接電極WE1-2分開，其間插設有絕緣層，而第二 修復線RL2的另一端可以連接到第(2-2)焊接電極WE2-2。第三修復線RL3的一端可以與第(1-3)焊接電極WE1-3分開，其間插設有絕緣層，而第三修復線RL3的另一端可以連接到第(2-3)焊接電極WE2-3。第四修復線RL4的一端可以與第(1-4)焊接電極WE1-4分開，其間插設有絕緣層，而第四修復線RL4的另一端可以連接到第(2-4)焊接電極WE2-4。在下文中，為了方便描述，僅描述附圖中所示的配置作為示例。
之後，當在測試過程中檢測到有缺陷的子像素PXL時，透過焊接將分離的修復線RL和對應的焊接電極WE電性連接。例如，當在測試過程中確定第(1-1)子像素PXL1-1失效時，透過切割過程阻擋施加到第(1-1)子像素PXL1-1的信號。分離的第一修復線RL1的一端和第(1-1)焊接電極WE1-1透過焊接製程連接。
第一修復線RL1和第二修復線RL2設置在不同的層中並設置為重疊。此外，第三修復線RL3和第四修復線RL4設置在不同的層中並設置為重疊。本發明的一實施例可以使修復結構所佔據的修復區域RA的面積最小化，因為修復線RL佈置在不同的層中，但是佈置為相互重疊。因此，本發明一實施例的優點在於：藉由充分地確保透射面積TA及/或發光面積EA，可以提供具有高穿透率和高開口率的顯示裝置。
更具體地說，參考圖6A和圖6B，第一修復線RL1與電晶體的源極電極S/汲極電極D形成在相同的層中。亦即，第一修復線RL1位於層間介電層ILD上方。當源極電極S/汲極電極D形成時，可以使用與電晶體的源極電極S/汲極電極D相同的材料同時形成第一修復線RL1，但是本發明不限於此。
參照圖4和圖6A，與第一修復線RL1的一端重疊的第(1-1)焊接電極WE1-1形成在與第一電極相同的層中。亦即，第(1-1)焊接電極WE1-1位於覆蓋層OC上方。第(1-1)焊接電極WE1-1可以從第(1-1)子像素PXL1-1的第一電極局部產生分支。第一修復線RL1和第(1-1)焊接電極WE1-1用其間插設之一組絕緣層來電性隔開，該組絕緣層包含至少一層絕緣層，例如覆蓋層OC和鈍化膜PAS。
第(1-1)開孔OH1-1可以形成在覆蓋層OC中，鈍化膜PAS的一部分透過該第(1-1)開孔OH1-1露出。在這種情況下，第(1-1)焊接電極WE1-1的至少一部分位於貫穿覆蓋層OC的第(1-1)開孔OH1-1內的鈍化膜PAS上。形 成第(1-1)開孔OH1-1的區域與照射雷射的區域重疊。根據本發明的一實施例，藉由預先在執行焊接過程的區域中去除具有給定厚度的覆蓋層OC，可以使焊接過程順利執行而不會因為絕緣層的厚度導致執行焊接過程失敗。
參照圖4和圖6B，與第一修復線RL1的另一端重疊的第(2-1)焊接電極WE2-1形成在與第一電極相同的層中。亦即，第(2-1)焊接電極WE2-1位於覆蓋層OC上方。第(2-1)焊接電極WE2-1可以從第(2-1)子像素PXL2-1的第一電極局部產生分支。
第(2-1)開孔OH2-1可以在例如覆蓋層OC和鈍化膜PAS的一組絕緣層中形成，第一修復線RL1另一端的一部分透過該第(2-1)開孔OH2-1露出。第(2-1)開孔OH2-1貫穿覆蓋層OC和鈍化膜PAS。第(2-1)焊接電極WE2-1的至少一部分透過第(2-1)開孔OH2-1與第一修復線RL1直接接觸。
第二修復線RL2位於與第一修復線RL1不同的層中，其間插設有至少一層絕緣層。因此，第一修復線RL1和第二修復線RL2可以定位為重疊。
參照圖7A和圖7B，第二修復線RL2可以與遮光層LS形成在相同的層中。亦即，第二修復線RL2和第一修復線RL1設置在不同的層中，其間插設有絕緣層，例如：緩衝層BUF和層間介電層ILD。當形成遮光層LS時，第二修復線RL2可以使用與遮光層LS相同的材料同時形成，但是本發明不限於此。
參照圖4和圖7A，與第二修復線RL2的一端重疊的第(1-2)焊接電極WE1-2形成在與第一電極相同的層中。亦即，第(1-2)焊接電極WE1-2位於覆蓋層OC上方。第(1-2)焊接電極WE1-2可以從第(1-2)子像素PXL1-2的第一電極局部產生分支。第二修復線RL2和第(1-2)焊接電極WE1-2用其間插設之另一組絕緣層來電性隔開，該另一組絕緣層包含至少一層絕緣層，例如覆蓋層OC、鈍化膜PAS、層間介電層ILD和緩衝層BUF。
第(1-2)開孔OH1-2可以形成在覆蓋層OC中，鈍化膜PAS的一部分透過該第(1-2)開孔OH1-2露出。在這種情況下，第(1-2)焊接電極WE1-2的至少一部分位於貫穿覆蓋層OC的第(1-2)開孔OH1-2內的鈍化膜PAS上。已形成第(1-2)開孔OH1-2的區域與照射雷射的區域重疊。根據本發明的一實施例，藉由預先在執行焊接過程的區域中去除具有給定厚度的覆蓋層OC，可以使焊接過程順利執行而不會因為絕緣層的厚度導致執行焊接過程失敗。
為了防止第(1-2)焊接電極WE1-2和第一修復線RL1連接，在焊接過程期間中，第(1-2)焊接電極WE1-2可以不與第一修復線RL1重疊。在這種情況下，第(1-2)子像素的第一電極和第(1-2)焊接電極WE1-2可以透過連接線LL連接。為了確保滲透率，連接線LL的面積可以配置為比第(1-2)焊接電極WE1-2的面積更窄。
參照圖4和圖7B，與第二修復線RL2的另一端重疊的第(2-2)焊接電極WE2-2形成在與第一電極相同的層中。亦即，第(2-2)焊接電極WE2-2位於覆蓋層OC上方。第(2-2)焊接電極WE2-2可以從第(2-2)子像素PXL2-2的第一電極局部產生分支。
第(2-2)開孔OH2-2形成在另一組絕緣層(例如，覆蓋層OC、鈍化膜PAS、層間介電層ILD和緩衝層BUF)中，第二修復線RL2另一端的一部分透過該第(2-2)開孔OH2-2露出。第(2-2)開孔OH2-2貫穿覆蓋層OC、鈍化膜PAS、層間介電層ILD和緩衝層BUF。第(2-2)焊接電極WE2-2的至少一部分透過第(2-2)開孔OH2-2與第二修復線RL2直接接觸。如圖所示，第(2-2)開孔OH2-2可以透過兩個製程來形成以簡化製程。例如，第(2-2)開孔OH2-2可以配置具有穿透層間介電層ILD和緩衝層BUF的接觸孔和穿透覆蓋層OC和鈍化膜PAS的接觸孔。
儘管圖未顯示，但是第一維修線RL1的連接結構可以配置為與圖7A和圖7B相同，而第二維修線RL2的連接結構可以配置為與圖6A和圖6B相同。此外，儘管圖未顯示，但是第三修復線RL3的連接結構和第四修復線RL4的連接結構中的任一個可以具有與圖6A和圖6B相同的構造，而其中的另一個可以具有與圖7A和圖7B相同的構造。
圖8為顯示根據本發明第一實施例之用於說明修復過程和修復結構的子像素的示意性電路配置。
根據本發明第一實施例的顯示裝置包括用於執行修復過程的修復結構。該修復過程可以包含：用於檢測子像素PXL是否已發生故障的測試過程、用於阻擋施加至確定為已發生故障的子像素PXL的信號的切割過程，以及用於將相鄰子像素PXL和缺陷子像素PXL連接在一起的焊接過程，以將相鄰子像素PXL的信號施加到缺陷子像素PXL中。
參照圖8，第(1-1)子像素PXL1-1和第(2-1)子像素PXL2-1是發出相同顏色的光的子像素PXL。當在測試過程中確定第(1-1)子像素PXL1-1失效時，執行切割過程以阻擋施加到第(1-1)子像素PXL1-1的信號。例如，如圖所示，該切割過程可以包含切割驅動電晶體DR的源極電極與OLED的第一電極之間的線路的過程和切割感測電晶體ST的源極電極與OLED的第一電極之間的線路的過程。
此後，執行用於連接第(1-1)子像素PXL1-1的第一電極和第(2-1)子像素PXL2-1的第一電極的焊接過程。在第一實施例中，修復線RL電性連接到第(1-1)子像素PXL1-1的第一電極和第(2-1)子像素PXL2-1的第一電極中的任何一個。因此，在焊接過程中，僅執行將修復線RL電性連接到第(1-1)子像素PXL1-1的第一電極和第(2-1)子像素PXL2-1的第一電極中的另一個的過程。
<第二實施例>
圖9為說明本發明的第二實施例，並是示意性地顯示圖1之AR區域的平面圖。圖10為圖9沿Ⅵ-Ⅵ'線所截取的剖面圖，並是顯示第一修復線與對應的焊接電極之間的連接關係的剖面圖。圖11為圖9沿ⅥI-ⅥI'線所截取的剖面圖，並是顯示第二修復線與對應的焊接電極之間的連接關係的剖面圖。在描述第二實施例時，將省略描述與第一實施例基本上相同的元件。
參照圖9，第一修復線RL1和第二修復線RL2設置在不同的層中並設置為重疊。此外，第三修復線RL3和第四修復線RL4設置在不同的層中並設置為重疊。在本發明的一實施例中，可以藉由在不同的層中佈置修復線RL但同時重疊修該些復線，最小化修復結構所佔據的修復區域RA的面積。因此，本發明一實施方式的優點在於：藉由充分地確保透射面積TA及/或發光面積EA，可以提供具有高穿透率和高開口率的顯示裝置。
更具體地說，參考圖9和圖10，第一修復線RL1與電晶體的源極電極S/汲極電極D形成在相同的層中。亦即，第一修復線RL1位於層間介電層ILD上方。當源極電極S/汲極電極D形成時，可以使用與電晶體的源極電極S/汲極電極D相同的材料同時形成第一修復線RL1，但是本發明不限於此。
與第一修復線RL1的一端重疊的第(1-1)焊接電極WE1-1形成在與第一電極相同的層中。亦即，第(1-1)焊接電極WE1-1位於覆蓋層OC上方。第(1-1)焊接電極WE1-1可以從第(1-1)子像素PXL1-1的第一電極局部產生分 支。第一修復線RL1和第(1-1)焊接電極WE1-1用其間插設有一組絕緣層來電性隔離，該組絕緣層包含至少一層絕緣層，例如覆蓋層OC和鈍化膜PAS。
第(1-1)開孔OH1-1可以形成在覆蓋層OC中，鈍化膜PAS的一部分透過該第(1-1)開孔OH1-1露出。在這種情況下，第(1-1)焊接電極WE1-1的至少一些位於貫穿覆蓋層OC的第(1-1)開孔OH1-1內的鈍化膜PAS上。已形成第(1-1)開孔OH1-1的區域與照射雷射的區域重疊。根據本發明的一實施例，藉由預先在執行焊接過程的區域中去除具有給定厚度的覆蓋層OC，可以使焊接過程順利執行而不會因為絕緣層的厚度導致執行焊接過程失敗。
第(1-1)輔助開孔AOH1-1可以形成在第一修復線RL1下方的層間介電層ILD和緩衝層BUF中，基板SUB的一部分透過該第(1-1)輔助開孔AOH1-1露出。在這種情況下，第一修復線RL1的一端的至少一部分位於第(1-1)輔助開孔AOH1-1內的基板SUB上。已形成第(1-1)輔助開孔AOH1-1的區域與照射雷射的區域重疊。另外，已形成第(1-1)開孔OH1-1的區域與已形成第(1-1)輔助開孔AOH1-1的區域重疊。根據本發明的一實施例，藉由預先在執行焊接過程的區域中去除具有給定厚度的層間介電層ILD和緩衝層BUF，可以使焊接過程順利執行而不會因為絕緣層的厚度導致執行焊接過程失敗。儘管圖未顯示，但是第(1-1)輔助開口AOH1-1可以僅穿透層間介電層ILD。在這種情況下，第一修復線RL1的至少一部分可以位於第(1-1)輔助開孔AOH1-1內的緩衝層BUF上。
參照圖9和圖11，第二修復線RL2可以與遮光層LS形成在相同的層中。亦即，第二修復線RL2和第一修復線RL1設置在不同的層中，其間插設有絕緣層，例如：緩衝層BUF和層間介電層ILD。當形成遮光層時，第二修復線RL2可以使用與遮光層LS相同的材料同時形成，但是本發明不限於此。
與第二修復線RL2的一端重疊的第(1-2)焊接電極WE1-2形成在與第一電極相同的層中。亦即，第(1-2)焊接電極WE1-2位於覆蓋層OC上方。第(1-2)焊接電極WE1-2可以從第(1-2)子像素PXL1-2的第一電極局部產生分支。第二修復線RL2和第(1-2)焊接電極WE1-2用其間插設之另一組絕緣層來電性隔開，該另一組絕緣層包含至少一層絕緣層，例如覆蓋層OC、鈍化膜PAS、層間介電層ILD和緩衝層BUF。
第(1-2)開孔OH1-2可以形成在覆蓋層OC中，鈍化膜PAS的一部分透過該第(1-2)開孔OH1-2露出。在這種情況下，第(1-2)焊接電極WE1-2 的至少一部分位於貫穿覆蓋層OC的第(1-2)開孔OH1-2內的鈍化膜PAS上。形成第(1-2)開孔AOH1-2的區域與照射雷射的區域重疊。根據本發明的一實施例，透過預先在執行焊接過程的區域中去除具有給定厚度的覆蓋層OC，可以使焊接過程順利執行而不會因為絕緣層的厚度導致執行焊接過程失敗。
可以在層間介電層ILD和緩衝層BUF中形成第(1-2)輔助開孔AOH1-2，第二修復線RL2的一部分透過該第(1-2)輔助開孔AOH1-2露出。在這種情況下，第二修復線RL2和第(1-2)焊接電極WE1-2可以設置在不同的層中，其間僅插設有鈍化膜PAS。已形成第(1-2)輔助開孔AOH1-2的區域與照射雷射的區域重疊。根據本發明的一實施例，藉由預先在執行焊接過程的區域中去除具有給定厚度的層間介電層ILD和緩衝層BUF，可以使焊接過程順利執行而不會因為絕緣層的厚度導致執行焊接過程失敗。儘管圖未顯示，但是第(1-2)輔助開口AOH1-2可以僅穿透層間介電層ILD。
儘管圖未顯示，但是第一維修線RL1的連接結構可以配置為與圖11相同，而第二維修線RL2的連接結構可以配置為與圖10相同。此外，儘管圖未顯示，但是第三修復線RL3的連接結構和第四修復線RL4的連接結構中的任一個可以配置與圖10相同的構造，並且其中的另一個可以具有與圖11相同的構造。
<第三實施例>
圖12為關於本發明的第三實施例，並是示意性地顯示圖1之AR區域的平面圖。圖13為圖12沿ⅥII-ⅥII'線所截取的剖面圖，並是顯示第一修復線的一端與對應的焊接電極之間的連接關係的剖面圖。圖14為圖12沿IX-IX'線所截取的剖面圖，並是顯示第二修復線與對應的焊接電極之間的連接關係的剖面圖。在描述第二實施例時，將省略描述與第一實施例和第二實施例基本上相同的元件。
參照圖12，在第三實施例中，修復線RL的兩端皆未連接至焊接電極。例如，如圖所示，第一修復線RL1的一端與第(1-1)焊接電極WE1-1分開，其間插設有絕緣層，而第一修復線RL1的另一端與第(2-1)焊接電極WE2-1分開，其間插設有絕緣層。第二修復線RL2的一端與第(1-2)焊接電極WE1-2分開，其間插設有絕緣層，而第二修復線RL2的另一端與第(2-2)焊接電極WE2-2分開，其間插設有絕緣層。第三修復線RL3的一端與第(1-3)焊接電極WE1-3分開，其間插設有絕緣層，而第三修復線RL3的另一端與第(2-3)焊接電極WE2-3 分開，其間插設有絕緣層。第四修復線RL4的一端與第(1-4)焊接電極WE1-4分開，其間插設有絕緣層，而第四修復線RL4的另一端與第(2-4)焊接電極WE2-4分開，其間插設有絕緣層。
之後，當在測試過程中檢測到有缺陷的子像素PXL時，透過焊接將分離的修復線RL和對應的焊接電極WE電性連接。例如，當在測試過程中確定第(1-1)子像素PXL1-1失效時，透過切割過程阻止施加到第(1-1)子像素PXL1-1的信號，之後透過焊接過程，分離的第一修復線RL1的一端和第(1-1)焊接電極WE1-1相連接，而分離的第一修復線RL1的另一端和第(2-1)焊接電極WE2-1相連接。
第一修復線RL1和第二修復線RL2設置在不同的層中並設置為重疊。此外，第三修復線RL3和第四修復線RL4設置在不同的層中並設置為重疊。根據本發明的一實施例，可以藉由在不同的層中佈置修復線RL但同時重疊該些修復線，最小化修復結構所佔據的修復區域RA的面積。因此，本發明的一實施方式的優點在於：藉由充分地確保透射面積TA及/或發光面積EA，可以提供具有高穿透率和高開口率的顯示裝置。
更具體地說，參考圖12和圖13，第一修復線RL1與電晶體的源極電極S/汲極電極D形成在相同的層中。亦即，第一修復線RL1位於層間介電層ILD上方。當源極電極S/汲極電極D形成時，可以使用與電晶體的源極電極S/汲極電極D相同的材料同時形成第一修復線RL1，但是本發明不限於此。
儘管圖未顯示，但是第一修復線RL1和第(1-1)焊接電極WE1-1的一端的展開結構可以與第一實施例的圖6A或第二實施例的圖10所示的結構相同。
與第一修復線RL1的另一端重疊的第(2-1)焊接電極WE2-1形成在與第一電極相同的層中。亦即，第(2-1)焊接電極WE2-1位於覆蓋層OC上方。第(2-1)焊接電極WE2-1可以從第(2-1)子像素PXL2-1的第一電極局部產生分支。第一修復線RL1和第(2-1)焊接電極WE2-1用其間插設之一組絕緣層來電性隔開，該組絕緣層包含至少一層絕緣層，例如覆蓋層OC和鈍化膜PAS。
第(2-1)開孔OH2-1可以形成在覆蓋層OC中，鈍化膜PAS的一部分透過該第(2-1)開孔OH2-1露出。在這種情況下，第(2-1)焊接電極WE2-1的至少一部分位於貫穿覆蓋層OC的第(2-1)開孔OH2-1內的鈍化膜PAS上。已 形成第(2-1)開孔AOH2-1的區域與照射雷射的區域重疊。根據本發明的一實施例，藉由預先在執行焊接過程的區域中去除具有給定厚度的覆蓋層OC，可以使焊接過程順利執行而不會因為絕緣層的厚度導致執行焊接過程失敗。
第(2-1)輔助開孔AOH2-1可以形成在位於第一修復線RL1下方的層間介電層ILD中，緩衝層BUF的一部分透過該第(2-1)輔助開孔AOH2-1露出。在這種情況下，第一修復線RL1的另一端的至少一部分位於第(2-1)輔助開孔AOH1-1內的緩衝層BUF上。此外，已形成第(2-1)輔助開孔AOH2-1的區域與照射雷射的區域重疊。根據本發明的一實施例，藉由預先在執行焊接過程的區域中去除具有給定厚度的層間介電層ILD，可以使焊接過程順利執行而不會因為絕緣層的厚度導致執行焊接過程失敗。儘管圖未顯示，但是第(2-1)輔助開口AOH2-1可以形成為穿透層間介電層ILD和緩衝層BUF兩者。
參照圖12和圖14，第二修復線RL2可以與遮光層LS形成在相同的層中。當形成遮光層LS時，第二修復線RL2可以使用與遮光層LS相同的材料同時形成，但是本發明不限於此。
儘管圖未顯示，但是第二修復線RL2和第(1-2)焊接電極WE1-2的一端的展開結構可以與第一實施例的圖7A或第二實施例的圖11所示的結構相同。
與第二修復線RL2的另一端重疊的第(2-2)焊接電極WE2-2形成在與第一電極相同的層中。亦即，第(2-2)焊接電極WE2-2位於覆蓋層OC上方。第(2-2)焊接電極WE2-2可以從第(2-2)子像素PXL2-2的第一電極局部產生分支。第二修復線RL2和第(2-2)焊接電極WE2-2用其間插設之另一組絕緣層來電性隔開，該另一組絕緣層包含至少一層絕緣層，例如覆蓋層OC、鈍化膜PAS、層間介電層ILD和緩衝層BUF。
第(2-2)開孔OH2-2可以形成在覆蓋層OC中，鈍化膜PAS的一部分透過該第(2-2)開孔OH2-2露出。在這種情況下，第(2-2)焊接電極WE2-2的至少一部分位於貫穿覆蓋層OC的第(2-2)開孔OH2-2內的鈍化膜PAS上。已形成第(2-2)開孔OH2-2的區域與照射雷射的區域重疊。根據本發明的一實施例，藉由預先在執行焊接過程的區域中去除具有給定厚度的覆蓋層OC，可以使焊接過程順利執行而不會因為絕緣層的厚度導致執行焊接過程失敗。
第(2-2)輔助開孔AOH2-2可以形成在層間介電層ILD和緩衝層BUF中，第二修復線RL2的一部分透過該第(2-2)輔助開孔AOH2-2露出。在這種情況下，第二修復線RL2和第(2-2)焊接電極WE2-2可以設置在不同的層中，其間僅差設有鈍化膜PAS。已形成第(2-2)輔助開孔AOH2-2的區域與照射雷射的區域重疊。根據本發明的一實施例，藉由預先在執行焊接過程的區域中去除具有給定厚度的層間介電層ILD和緩衝層BUF，可以使焊接過程順利執行而不會因為絕緣層的厚度導致執行焊接過程失敗。儘管圖未顯示，但是第(2-2)輔助開口AOH2-2可以僅穿透層間介電層ILD。
圖15為顯示根據本發明第三實施例之用於說明修復過程和修復結構的子像素的示意性電路配置。
根據本發明第三實施例的顯示裝置包括用於執行修復過程的修復結構。該修復過程可以包含：用於檢測子像素PXL是否已發生故障的測試過程、用於阻擋施加至確定為已發生故障的子像素PXL的信號的切割過程、以及用於將相鄰子像素PXL和缺陷子像素PXL連接在一起的焊接過程，以將相鄰子像素PXL的信號施加到缺陷子像素PXL中。
參照圖15，第(1-1)子像素PXL1-1和第(2-1)子像素PXL2-1是發出相同顏色的光的子像素PXL。當在測試過程中確定第(1-1)子像素PXL1-1失效時，執行切割過程以阻擋施加到第(1-1)子像素PXL1-1的信號。例如，如圖所示，切割過程可以包含切割驅動電晶體DR的源極電極與OLED的第一電極之間的線路的過程和切割感測電晶體ST的源極電極與OLED的第一電極之間的線路的過程。
此後，執行用於連接第(1-1)子像素PXL1-1的第一電極和第(2-1)子像素PXL2-1的第一電極的焊接過程。在第三實施例中，修復線RL與第(1-1)子像素PXL1-1的第一電極和第(2-1)子像素PXL2-1的第一電極兩者電性隔開。因此，在焊接過程中，執行將第(1-1)子像素PXL1-1的第一電極和第(2-1)子像素PXL2-1的第一電極兩者電性連接到修復線RL的過程。
儘管上文中已描述了透明顯示裝置，但是應當理解，本發明的修復結構也可以應用於不包含透射區域的普通顯示裝置。此外，儘管已經透過示例的方式描述了OLED顯示裝置，但是應當理解，本發明也可以應用於諸如LCD顯示裝置的其他顯示裝置。
所屬技術領域中具有通常知識者將理解，可以透過各種方式對本發明進行改變和修改，而不脫離透過上述內容中本發明的發明精神。因此，本發明的技術範圍不限於說明書中所詳細描述的內容，而應由申請專利範圍所界定。
本申請案主張於2018年9月10日在韓國提交的韓國專利申請第10-2018-0107800號的優先權，該案透過引用結合於此，如同在本文中完全闡述一樣。
AR‧‧‧區域
EA‧‧‧發射區域
LL‧‧‧連接線
OV‧‧‧重疊部分
PXL1-1~PXL1-4‧‧‧子像素
PXL2-1~PXL2-4‧‧‧子像素
RA‧‧‧修復區域
RL1~RL4‧‧‧修復線
TA‧‧‧透射區域
WE1-1~WE1-4‧‧‧焊接電極
WE2-1~WE2-4‧‧‧焊接電極

Claims (24)

  1. 一種顯示裝置，包括：
    一第(1-1)子像素的一第一電極、一第(1-2)子像素的一第一電極、一第(2-1)子像素的一第一電極、以及一第(2-2)子像素的一第一電極；
    一第(1-1)焊接電極，連接到該第(1-1)子像素的該第一電極、一第(1-2)焊接電極，連接到該第(1-2)子像素的該第一電極、一第(2-1)焊接電極，連接到該第(2-1)子像素的該第一電極、以及一第(2-2)焊接電極，連接到該第(2-2)子像素的該第一電極；以及
    一第一修復線，與該第(1-1)焊接電極和該第(2-1)焊接電極重疊、以及一第二修復線，與該第(1-2)焊接電極和該第(2-2)焊接電極重疊，
    其中，該第一修復線和該第二修復線設置在不相同的層上，其間插設有至少一層絕緣層。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中，該第一修復線與該第二修復線彼此重疊。
  3. 根據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中：
    該第(1-1)子像素、該第(1-2)子像素、該第(2-1)子像素和該第(2-2)子像素沿一第一方向依序地佈置，以及
    該第一修復線和該第二修復線沿該第一方向延伸。
  4. 根據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中：
    該第(1-1)子像素和該第(2-1)子像素發出一第一顏色的光，以及
    該第(1-2)子像素和該第(2-2)子像素發出不同於該第一顏色的一第二顏色的光。
  5. 根據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中，該第一修復線位於與該第(1-1)焊接電極和該第(2-1)焊接電極不相同的層上，其間插設有至少一層絕緣層，以及
    其中，該第一修復線透過一開孔連接到該第(1-1)焊接電極和該第(2-1)焊接電極的其中之一，該開孔穿透至少一層該絕緣層。
  6. 根據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中，該第一修復線與該第(1-1)焊接電極和該第(2-1)焊接電極電性隔開，其間插設有至少一層絕緣層。
  7. 根據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中，該第二修復線位於與該第(1-2)焊接電極和該第(2-2)焊接電極不相同的層上，其間插設有至少一層絕緣層，以及
    其中，該第二修復線透過一開孔連接到該第(1-2)焊接電極和該第(2-2)焊接電極其中之一，該開孔穿透至少一層該絕緣層。
  8. 根據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中，該第二修復線與該第(1-2)焊接電極和該第(2-2)焊接電極電性隔開，其間插設有至少一層絕緣層。
  9. 根據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，進一步包括：
    一基板；
    一遮光層，位於該基板上方；
    一緩衝層，位於該遮光層上方；
    一半導體層，位於該緩衝層上方；
    一層間介電層，位於該半導體層上方；
    一源極電極和一汲極電極，位於該層間介電層上方；
    一鈍化膜，位於該源極電極和該汲極電極上方；以及
    一覆蓋層，位於該鈍化膜上方，
    其中，該第(1-1)子像素的該第一電極、該第(1-2)子像素的該第一電極、該第(2-1)子像素的該第一電極、該第(2-2)子像素的該第一電極、該第(1-1)焊接電極、該第(1-2)焊接電極、該第(2-1)焊接電極和該第(2-2)焊接電極皆設置在該覆蓋層上方，
    該第一修復線位於與該層間介電層上方的該源極電極和該汲極電極相同的層中，以及
    該第二修復線位於與該基板上方的該遮光層相同的層中。
  10. 根據申請專利範圍第9項所述的顯示裝置，進一步包括：一第(1-1)開孔，其穿透該覆蓋層，並在與該第一修復線的一端重疊的區域中暴露該鈍化膜的一部分，
    其中，該第(1-1)焊接電極的一部分位於該第(1-1)開孔內。
  11. 根據申請專利範圍第10項所述的顯示裝置，進一步包括：一第(1-1)輔助開孔，其在與該第(1-1)開孔重疊的區域中，穿透該層間介電層和該緩衝層或者僅穿透該層間介電層，
    其中，該第一修復線的該一端的一部分位於該第(1-1)輔助開孔內。
  12. 根據申請專利範圍第10項所述的顯示裝置，進一步包括：一第(2-1)開孔，其穿透該覆蓋層和該鈍化膜，並在與該第一修復線的另一端重疊的區域中暴露該第一修復線的該另一端的一部分，
    其中，該第(2-1)焊接電極的一部分透過該第(2-1)開孔與該第一修復線的該另一端接觸。
  13. 根據申請專利範圍第10項所述的顯示裝置，進一步包括：一第(2-1)開孔，其穿透該覆蓋層，並在與該第一修復線的另一端重疊的區域中暴露該鈍化膜的一部分，
    其中，該第(2-1)焊接電極的一部分位於該第(2-1)開孔內，以及
    該第(2-1)焊接電極和該第一修復線的另一端用其間插設之該鈍化膜來電性隔開。
  14. 根據申請專利範圍第9項所述的顯示裝置，進一步包括：一第(1-2)開孔，其穿透該覆蓋層，並在與該第二修復線的一端重疊的區域中暴露該鈍化膜的一部分，
    其中，該第(1-2)焊接電極的一部分位於該第(1-2)開孔內。
  15. 根據申請專利範圍第14項所述的顯示裝置，進一步包括：一第(1-2)輔助開孔，其在與該第(1-2)開孔重疊的區域中，穿透該層間介電層和該緩衝層或者僅穿透該層間介電層，
    其中，該第(1-2)焊接電極和該第二修復線的該一端用其間插設之該鈍化膜或該鈍化膜和該緩衝層來電性隔開。
  16. 根據申請專利範圍第14項所述的顯示裝置，進一步包括：一第(2-2)開孔，其穿透該覆蓋層、該鈍化膜、該層間介電層和該緩衝層，並在與該第二修復線的另一端重疊的區域中暴露該第二修復線的該另一端的一部分，
    其中，該第(2-2)焊接電極的一部分透過該第(2-2)開孔與該第二修復線的該另一端接觸。
  17. 根據申請專利範圍第14項所述的顯示裝置，進一步包括：一第(2-2)開孔，其穿透該覆蓋層，並在與該第二修復線的另一端重疊的區域中暴露該鈍化膜的一部分，
    其中，該第(2-2)焊接電極的一部分位於該第(2-2)開孔內。
  18. 根據申請專利範圍第17項所述的顯示裝置，進一步包括：一第(2-2)輔助開孔，其在與該第(2-2)開孔重疊的區域中，穿透該層間介電層和該緩衝層或者僅穿透該層間介電層，
    其中，該第(2-2)焊接電極和該第二修復線的該另一端用其間插設之該鈍化膜或該鈍化膜和該緩衝層來電性隔開。
  19. 一種顯示裝置，包括一發射區和一修復區，其中：
    該發射區域包含：沿一第一方向佈置的一第(1-1)子像素和一第(2-1)子像素，
    該修復區域包含：一第(1-1)焊接電極，連接到該第(1-1)子像素的第一電極、一第(2-1)焊接電極、連接到該第(2-1)子像素的第一電極、以及一第一修復線，沿該第一方向延伸，
    該第一修復線位於與該第(1-1)焊接電極和該第(2-1)焊接電極不相同的層上，其間插設有至少一組絕緣層，
    該第一修復線的一端與該第(1-1)焊接電極重疊，其另一端與該第(2-1)焊接電極重疊，以及
    該組絕緣層中的至少一層絕緣層包含：一第(1-1)開孔，該第(1-1)焊接電極的一部分位於該第(1-1)開孔內，並且該第(1-1)焊接電極與該第一修復線的該一端電性隔開。
  20. 根據申請專利範圍第19項所述的顯示裝置，其中，位於該第一修復線下方的一絕緣層包含：與該(1-1)開孔相對應的一第(1-1)輔助開孔，並且該第一修復線的該一端的一部分位於該第(1-1)輔助開孔內。
  21. 根據申請專利範圍第19項所述的顯示裝置，其中，該第(2-1)焊接電極的一部分透過貫穿該組絕緣層的一第(2-1)開孔，與該第一修復線的該另一端接觸。
  22. 根據申請專利範圍第19項所述的顯示裝置，其中，該組絕緣層中的該至少一層絕緣層進一步包含：一第(2-1)開孔，該第(2-1)焊接電極的一部分位於該第(2-1)開孔內，並且該第(2-1)焊接電極與該第一修復線的該另一端電性隔開。
  23. 根據申請專利範圍第22項所述的顯示裝置，其中，位於該第一修復線下方的一絕緣層包含：與該(2-1)開孔相對應的一第(2-1)輔助開孔，並且該第一修復線的該另一端的一部分位於該第(2-1)輔助開孔內。
  24. 根據申請專利範圍第19項所述的顯示裝置，其中：
    該發射區域進一步包含沿該第一方向佈置的一第(1-2)子像素和一第(2-2)子像素，
    該修復區域進一步包含：一第(1-2)焊接電極，連接到該第(1-2)子像素的第一電極、一第(2-2)焊接電極，連接到該第(2-2)子像素的第一電極、以及一第二修復線，沿該第一方向延伸，
    該第一修復線和該第二修復線設置在不同的層上。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102701040B1 (ko) * 2018-09-10 2024-08-29 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR20200115750A (ko) * 2019-03-25 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 검사 방법
KR20210039160A (ko) 2019-10-01 2021-04-09 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시장치
KR102675457B1 (ko) 2020-10-21 2024-06-13 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
TWI746264B (zh) * 2020-11-13 2021-11-11 友達光電股份有限公司 觸控裝置
KR20220085419A (ko) * 2020-12-15 2022-06-22 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시 장치
KR20220096188A (ko) * 2020-12-30 2022-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20230083149A (ko) * 2021-12-02 2023-06-09 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20230096533A (ko) * 2021-12-23 2023-06-30 엘지디스플레이 주식회사 리페어 구조를 갖는 전계 발광 표시장치
CN114613816A (zh) * 2022-03-02 2022-06-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其修复方法、显示装置
WO2023245601A1 (zh) * 2022-06-24 2023-12-28 京东方科技集团股份有限公司 驱动背板及显示面板
KR20240087169A (ko) * 2022-12-12 2024-06-19 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI282457B (en) * 2000-04-06 2007-06-11 Chi Mei Optoelectronics Corp Liquid crystal display component with defect restore ability and restoring method of defect
KR101013647B1 (ko) * 2003-12-29 2011-02-10 엘지디스플레이 주식회사 채널부 리페어방법 및 이를 적용한 액정표시소자
KR101209809B1 (ko) 2006-03-08 2012-12-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20080044645A (ko) * 2006-11-17 2008-05-21 삼성전자주식회사 액정표시패널 및 이의 제조방법
KR101278913B1 (ko) * 2006-12-28 2013-06-26 엘지디스플레이 주식회사 컬러필터 배치 구조.
US10185171B2 (en) * 2014-06-04 2019-01-22 Sharp Kabushiki Kaisha Light control member, method of manufacturing light control member, apparatus for manufacturing light control member, and display device
KR20150142821A (ko) * 2014-06-11 2015-12-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 리페어 방법
KR102311454B1 (ko) * 2014-11-10 2021-10-12 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR102421913B1 (ko) * 2014-12-29 2022-07-19 삼성디스플레이 주식회사 노광 방법, 이를 수행하기 위한 노광 장치 및 이를 이용한 표시 기판의 제조방법
KR102387784B1 (ko) * 2014-12-29 2022-04-15 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 이의 리페어 방법
KR102285390B1 (ko) * 2015-01-28 2021-08-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102401983B1 (ko) 2015-09-30 2022-05-25 엘지디스플레이 주식회사 투명표시장치 및 투명표시패널
KR20170049283A (ko) * 2015-10-28 2017-05-10 엘지디스플레이 주식회사 화소 리페어 구조를 갖는 유기발광표시장치 및 이의 화소 리페어 방법
CN105487301B (zh) * 2016-02-15 2018-11-23 深圳市华星光电技术有限公司 垂直光配向方法及液晶显示面板的制作方法
KR102526611B1 (ko) * 2016-05-31 2023-04-28 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102668224B1 (ko) * 2016-11-30 2024-05-24 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN108258007B (zh) * 2016-12-28 2019-12-03 京东方科技集团股份有限公司 Oled阵列基板、显示装置及其暗点修复方法
KR102338943B1 (ko) * 2017-07-17 2021-12-13 엘지디스플레이 주식회사 전계발광표시장치
KR102701040B1 (ko) * 2018-09-10 2024-08-29 엘지디스플레이 주식회사 표시장치

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