CN110890401B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示装置，包括第一电极、焊接电极和修复线。第一电极包括第(1‑1)子像素的第一电极、第(1‑2)子像素的第一电极、第(2‑1)子像素的第一电极和第(2‑2)子像素的第一电极。焊接电极包括连接至第(1‑1)子像素的第一电极的第(1‑1)焊接电极、连接至第(1‑2)子像素的第一电极的第(1‑2)焊接电极、连接至第(2‑1)子像素的第一电极的第(2‑1)焊接电极、以及连接至第(2‑2)子像素的第一电极的第(2‑2)焊接电极。修复线包括与第(1‑1)焊接电极和第(2‑1)焊接电极重叠的第一修复线、以及与第(1‑2)焊接电极和第(2‑2)焊接电极重叠的第二修复线。第一修复线和第二修复线设置在不同的层中，其间夹有至少一个绝缘层。

Description

显示装置
本申请要求享有于2018年9月10日提交的韩国专利申请第10-2018-0107800号的优先权，为了所有目的通过引用将该申请并入本申请，如同在此被完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种能够被修复的显示装置。
背景技术
开发了能够减小重量和体积(即，阴极射线管的缺点)的各种显示装置。这些显示装置可实现为液晶显示器(LCD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示面板(PDP)、有机发光二极管(OLED)显示器等。
在这些平板显示装置之中，OLED显示器是通过激发有机化合物而发光的自发光显示装置，并且优点在于：显示器因不需要LCD中使用的背光而可具有轻重量并且可被制得较薄，并且可简化工艺。此外，OLED显示器可在低温下制造，并且因具有1ms或更低的高响应速度以及具有诸如低功耗、宽视角和高对比度之类的特性而被广泛使用。
OLED显示器包括用于将电能转化为光能的有机发光二极管(OLED)。OLED包括阳极、阴极和位于阳极与阴极之间的有机发光层。在OLED显示器中，分别从阳极和阴极注入的空穴和电子在发光层中结合以形成激子。形成的激子从激发态降到基态，因而发光并显示图像。
近来，积极地进行了透明显示装置的研究。透明显示装置是指用户在显示面板前方除了能识别显示面板中实现的视觉信息以外还能识别到位于显示面板后方的事物等的显示装置。为此，透明显示装置包括其中设置驱动元件并实现输入图像的发光区域、以及透射外部光的透射区域。
在透明显示装置中，需要充分地确保由透射区域占据的面积，使得用户能够更清楚地观看位于显示面板后方的背景信息。为了确保所需的开口率，需要充分地确保由发光区域占据的面积。因此，需要在有限空间内适当地分配发光区域和透射区域，使得透明显示装置能顺利地执行其功能。
为了提高产率，显示装置包括用于修复缺陷子像素的修复结构。在此情况中，需要单独分配用于形成修复结构的修复区域。然而，在有限的空间中简单地引入修复结构存在困难，因为在透明显示装置中除上述发光区域和透射区域以外难以分配单独区域。
发明内容
本发明提供了一种显示装置，所述显示装置包括用于修复缺陷子像素的修复结构，但具有由所述修复结构占据的最小面积。
在一个方面中，一种显示装置，包括：第一电极、焊接电极和修复线。所述第一电极包括第(1-1)子像素的第一电极、第(1-2)子像素的第一电极、第(2-1)子像素的第一电极和第(2-2)子像素的第一电极。所述焊接电极包括连接至所述第(1-1)子像素的第一电极的第(1-1)焊接电极、连接至所述第(1-2)子像素的第一电极的第(1-2)焊接电极、连接至所述第(2-1)子像素的第一电极的第(2-1)焊接电极、以及连接至所述第(2-2)子像素的第一电极的第(2-2)焊接电极。所述修复线包括与所述第(1-1)焊接电极和所述第(2-1)焊接电极重叠的第一修复线、以及与所述第(1-2)焊接电极和所述第(2-2)焊接电极重叠的第二修复线。所述第一修复线和所述第二修复线设置在不同的层中，所述第一修复线与所述第二修复线之间夹有至少一个绝缘层。
在另一个方面中，一种显示装置，包括发光区域和修复区域。所述发光区域包括布置在第一方向上的第(1-1)子像素和第(2-1)子像素，所述修复区域包括连接至所述第(1-1)子像素的第一电极的第(1-1)焊盘电极、连接至所述第(2-1)子像素的第一电极的第(2-1)焊盘电极、以及在所述第一方向上延伸的第一修复线，所述第一修复线位于与所述第(1-1)焊接电极和所述第(2-1)焊接电极不同的层中，所述第一修复线与所述第(1-1)焊接电极和所述第(2-1)焊接电极之间夹有一组绝缘层，所述第一修复线的一端与所述第(1-1)焊盘电极重叠，并且所述第一修复线的另一端与所述第(2-1)焊盘电极重叠，所述一组绝缘层中的至少一个绝缘层包括第(1-1)开孔，所述第(1-1)焊盘电极的一部分位于所述第(1-1)开孔内，并且所述第(1-1)焊盘电极与所述第一修复线的所述一端电性分隔开。
附图说明
被包括用来给本发明提供进一步理解且并入本申请并构成本申请一部分的附图图解了本发明的各实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的各种原理。在附图中：
图1示出了OLED显示器的示意性框图。
图2示出了子像素的示意性电路构造。
图3图解了子像素的详细电路构造。
图4涉及本发明的第一实施方式，是示意性地示出图1的AR区域的平面图。
图5是沿线I-I’截取的图4的截面图。
图6A和图6B分别是沿线II-II’和III-III’截取的图4的截面图，是示出第一修复线与相应焊接电极之间的连接关系的截面图。
图7A和图7B分别是沿线IV-IV’和V-V’截取的图4的截面图，是示出第二修复线与相应焊接电极之间的连接关系的截面图。
图8示出了子像素的示意性电路构造，用来图解根据本发明第一实施方式的修复工艺和修复结构。
图9涉及本发明的第二实施方式，是示意性地示出图1的AR区域的平面图。
图10是沿线VI-VI’截取的图9的截面图，是示出第一修复线与相应焊接电极之间的连接关系的截面图。
图11是沿线VII-VII’截取的图9的截面图，是示出第二修复线与相应焊接电极之间的连接关系的截面图。
图12涉及本发明的第三实施方式，是示意性地示出图1的AR区域的平面图。
图13是沿线VIII-VIII’截取的图12的截面图，是示出第一修复线的一端与相应焊接电极之间的连接关系的截面图。
图14是沿线IX-IX’截取的图12的截面图，是示出第二修复线与相应焊接电极之间的连接关系的截面图。
图15示出了子像素的示意性电路构造，用来图解根据本发明第三实施方式的修复工艺和修复结构。
具体实施方式
在下文中，将参照附图描述本发明的实施方式。在整个申请中，相同的参考标记基本表示相同的部件。在下面的描述中，若认为与本发明相关的已知技术或元件的详细描述会使本发明的主题不必要地模糊不清，则将省去该详细描述。在描述几个实施方式时，在本说明书的开头部分代表性地描述了相同元件，并且可在其他实施方式中省略。
包括诸如第一和第二之类的序数的用语可用于描述各种元件，但这些元件不受这些用语的限制。这些用语仅用于将一个元件与其他元件区分开。
根据本发明实施方式的显示装置是其中显示元件已形成于基板上的显示装置。该显示装置可实现为OLED显示器、LCD或电泳显示装置，但为了便于描述，以下被举例说明为OLED显示器。
图1示出了OLED显示器的示意性框图。图2示出了子像素的示意性电路构造。图3图解了子像素的详细电路构造。
如图1中所示，OLED显示器包括图像处理器110、时序控制器120、数据驱动器130、扫描驱动器140和显示面板150。
图像处理器110输出数据使能信号DE以及从外部提供的数据信号DATA。除了数据使能信号DE以外，图像处理器110还可输出垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号中的一个或多个信号，但为了便于描述，省去了该一个或多个信号。
时序控制器120从图像处理器110接收数据使能信号DE或数据信号DATA以及包括垂直同步信号、水平同步信号或时钟信号的驱动信号。时序控制器120基于驱动信号输出用于控制扫描驱动器140的操作时序的栅极时序控制信号GDC以及用于控制数据驱动器130的操作时序的数据时序控制信号DDC。
数据驱动器130响应于由时序控制器120提供的数据时序控制信号DDC采样并锁存由时序控制器120提供的数据信号DATA，将信号转换成伽马基准电压并且输出伽马基准电压。数据驱动器130通过数据线DL1～DLn输出数据信号DATA。数据驱动器130可以以集成电路(IC)形式形成。
扫描驱动器140响应于由时序控制器120提供的栅极时序控制信号GDC输出扫描信号。扫描驱动器140通过栅极线GL1～GLm输出扫描信号。扫描驱动器140可以以IC形式形成或者可以以面板内栅极(gate in panel)方式形成在显示面板150中。
显示面板150根据由数据驱动器130和扫描驱动器140提供的数据信号DATA和扫描信号显示图像。显示面板150包括进行操作以显示图像的子像素SP。
如图2中所示，一个子像素包括开关晶体管SW、驱动晶体管DR、电容器Cst、补偿电路CC和OLED。
开关晶体管SW响应于通过第一栅极线GL1提供的扫描信号执行开关操作，使得通过数据线DL1提供的数据信号作为数据电压被存储在电容器Cst中。驱动晶体管DR响应于电容器Cst中存储的数据电压而操作，使得在电源线EVDD(高电位电压)与阴极电源线EVSS(低电位电压)之间流动驱动电流。OLED响应于由驱动晶体管DR形成的驱动电流而操作以发光。
补偿电路CC是为了补偿驱动晶体管DR的阈值电压等而加入到子像素的电路。补偿电路CC配置有一个或多个晶体管。补偿电路CC可根据外部补偿方法而具有多种构造，以下描述补偿电路的示例性构造。
如图3中所示，补偿电路CC包括感测晶体管ST和感测线VREF(或基准线)。感测晶体管ST连接在驱动晶体管DR的源极电极与OLED的阳极(以下称作“感测节点”)之间。感测晶体管ST进行操作，以给驱动晶体管DR的感测节点提供通过感测线VREF输送的初始化电压(或感测电压)或者感测驱动晶体管DR的感测节点或感测线VREF的电压或电流。
开关晶体管SW具有连接至第一数据线DL1的漏极电极并且具有连接至驱动晶体管DR的栅极电极的源极电极。驱动晶体管DR具有连接至电源线EVDD的漏极电极并且具有连接至OLED的阳极的源极电极。电容器Cst具有连接至驱动晶体管DR的栅极电极的第一电容器电极和连接至OLED的阳极的第二电容器电极。OLED具有连接至驱动晶体管DR的源极电极的阳极和连接至第二电源线EVSS的阴极。感测晶体管ST具有连接至感测线VREF的漏极电极以及连接至OLED的阳极，即感测节点，和驱动晶体管DR的源极电极的源极电极。晶体管被图示为实现为n型，但本发明不限于此。
根据外部补偿算法(或补偿电路的构造)，感测晶体管ST的操作时间可与开关晶体管SW的操作时间相同或相似或者不同。例如，开关晶体管SW可具有连接至第一栅极线GL1的栅极电极。感测晶体管ST可具有连接至第二栅极线GL2的栅极电极。在此情形中，扫描信号Scan被输送到第一栅极线GL1，并且感测信号Sense被输送到第二栅极线GL2。作为另一示例，连接至开关晶体管SW的栅极电极的第一栅极线GL1和连接至感测晶体管ST的栅极电极的第二栅极线GL2可连接以被共用。
感测线VREF可连接至数据驱动器。在此情形中，数据驱动器可在实时图像的非显示时段期间或在N帧(N是1或更大的整数)时段期间感测子像素的感测节点，并且可产生感测的结果。开关晶体管SW和感测晶体管ST可同时导通。在此情形中，基于数据驱动器的时分方法，通过感测线VREF进行的感测操作和输出数据信号的数据输出操作被分开(或被分离)。
此外，基于感测结果的补偿对象可以是数字形式的数据信号、模拟形式的数据信号或伽马。另外，基于感测结果而产生补偿信号(或补偿电压)的补偿电路可实现在数据驱动器内、时序控制器内或者实现为单独的电路。
在图3中，示出了具有3晶体管(3T)1电容器(1C)结构的子像素，3T1C结构包括开关晶体管SW、驱动晶体管DR、电容器Cst、OLED和感测晶体管ST，但在加入补偿电路CC时，子像素可配置为3T2C、4T2C、5T1C、6T2C等。下文中，为便于描述，描述其中子像素具有3T1C结构的示例。
<第一实施方式>
图4涉及本发明的第一实施方式，是示意性地示出图1的AR区域的平面图。图5是沿线I-I’截取的图4的截面图。图6A和图6B是沿线II-II’和III-III’截取的图4的截面图，是示出第一修复线与相应焊接电极之间的连接关系的截面图。图7A和图7B是沿线IV-IV’和V-V’截取的图4的截面图，是示出第二修复线与相应焊接电极之间的连接关系的截面图。
参照图4，根据本发明第一实施方式的显示装置包括像素。像素可以以矩阵形式布置，但不限于此。像素包括发光区域EA、修复区域RA和透射区域TA。
发光区域EA可定义为发射用于实现输入图像的光的区域。发光区域EA包括子像素PXL，每个子像素PXL具有晶体管和OLED(或发光器件)。修复区域RA可定义为当子像素PXL出故障时执行修复工艺的区域。修复区域RA包括具有焊接电极WE和修复线RL的修复结构。透射区域TA可定义为使外部光透射以使得用户能识别到位于显示装置后方的事物等的区域。透射区域TA可定义为其中未设置发光区域EA的元件以及修复区域RA的焊接电极WE和修复线RL的整个区域。
发光区域EA包括子像素PXL。子像素PXL可布置在彼此交叉的第一方向(例如，Y轴方向)和第二方向(例如，X轴方向)上。像素可包括红色(R)子像素PXL、绿色(G)子像素PXL、蓝色(B)子像素PXL和白色(W)子像素PXL，但不限于此。下文中，为便于描述，作为示例描述其中像素包括R、G、B和W子像素PXL的构造。
更具体地说，发光区域EA包括在第一方向上相邻的第一像素和第二像素。第一像素包括第(1-1)子像素PXL1-1、第(1-2)子像素PXL1-2、第(1-3)子像素PXL1-3和第(1-4)子像素PXL1-4。第二像素包括第(2-1)子像素PXL2-1、第(2-2)子像素PXL2-2、第(2-3)子像素PXL2-3和第(2-4)子像素PXL2-4。第(1-1)子像素PXL1-1和第(2-1)子像素PXL2-1发射相同的第一颜色的光。第(1-2)子像素PXL1-2和第(2-2)子像素PXL2-2发射相同的第二颜色的光。第(1-3)子像素PXL1-3和第(2-3)子像素PXL2-3发射相同的第三颜色的光。第(1-4)子像素PXL1-4和第(2-4)子像素PXL2-4发射相同的第四颜色的光。红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)和白色(W)中的任一个可分配给第一颜色、第二颜色、第三颜色和第四颜色中的每一个。
如图所示，布置在单个像素中的子像素PXL可布置为四方型。第(1-1)子像素PXL1-1和第(1-2)子像素PXL1-2、以及第(2-1)子像素PXL2-1和第(2-2)子像素PXL2-2可布置成在第一方向上彼此相邻。第(1-3)子像素PXL1-3和第(1-4)子像素PXL1-4、以及第(2-3)子像素PXL2-3和第(2-4)子像素PXL2-4可布置成在第一方向上彼此相邻。第(1-1)子像素PXL1-1和第(1-3)子像素PXL1-3可布置成在第二方向上彼此相邻，并且第(2-1)子像素PXL2-1和第(2-3)子像素PXL2-3可布置成在第二方向上彼此相邻。第(1-2)子像素PXL1-2和第(1-4)子像素PXL1-4可布置成在第二方向上彼此相邻，并且第(2-2)子像素PXL2-2和第(2-4)子像素PXL2-4可布置成在第二方向上彼此相邻。
发射相同颜色的光的子像素PXL布置在第一方向上。就是说，第(1-1)子像素PXL1-1和第(2-1)子像素PXL2-1可布置在第一方向上。第(1-2)子像素PXL1-2和第(2-2)子像素PXL2-2可布置在第一方向上。第(1-3)子像素PXL1-3和第(2-3)子像素PXL2-3可布置在第一方向上。第(1-4)子像素PXL1-4和第(2-4)子像素PXL2-4可布置在第一方向上。
在此情形中，发射不同颜色的光的两个子像素PXL顺序地交替设置在第一方向上。就是说，发射第一颜色的光的第(1-1)子像素PXL1-1、发射第二颜色的光的第(1-2)子像素PXL1-2、发射第一颜色的光的第(2-1)子像素PXL2-1以及发射第二颜色的光的第(2-2)子像素PXL2-2顺序地布置在第一方向上。此外，发射第三颜色的光的第(1-3)子像素PXL1-3、发射第四颜色的光的第(1-4)子像素PXL1-4、发射第三颜色的光的第(2-3)子像素PXL2-3以及发射第四颜色的光的第(2-4)子像素PXL2-4顺序地布置在第一方向上。
每个子像素PXL包括位于基板上的晶体管和电连接至晶体管的OLED。
例如，参照图5，遮光层LS位于基板SUB上。遮光层LS用于遮蔽外部光的入射，以避免在晶体管中产生光电流。缓冲层BUF位于遮光层LS上。缓冲层BUF用于保护在后续工艺中形成的TFT免受诸如从遮光层LS排出的碱离子之类的杂质的影响。缓冲层BUF可以是氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层或它们的多层。
驱动晶体管DR的半导体层A位于缓冲层BUF上。与半导体层A间隔开的电容器下电极LCst位于缓冲层BUF上。半导体层A和电容器下电极LCst可由硅半导体或氧化物半导体制成。硅半导体可包括非晶硅或结晶多晶硅。半导体层A包括包含p型或n型杂质的漏极区域和源极区域，并且包括漏极区域与源极区域之间的沟道。电容器下电极LCst可被掺杂杂质而因此成为导电的。
栅极绝缘膜GI位于半导体层A上。栅极绝缘层GI可以是氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层或它们的多层。栅极电极G在栅极绝缘膜GI上位于半导体层A的特定区域中，即，位于在注入杂质时与沟道对应的位置处。栅极电极G由选自由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)构成的群组中的任意一种或它们的合金制成。此外，栅极电极G可由选自由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)构成的群组中的任意一种制成或者可以是具有它们的合金的多层。例如，栅极电极G可以是钼/铝-钕或钼/铝的双层。
将栅极电极G绝缘的层间介电层ILD位于栅极电极G和电容器下电极LCst上。层间介电层ILD可以是氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜或它们的多层。源极电极S和漏极电极D设置在层间介电层ILD上。源极电极S和漏极电极D通过暴露半导体层A的源极区域和漏极区域的接触孔连接至半导体层A。源极电极S和漏极电极D可具有单层或多层。当源极电极S和漏极电极D具有单层时，源极电极S和漏极电极D可由选自由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)构成的群组中的任意一种或它们的合金制成。此外，当源极电极S和漏极电极D具有多层时，源极电极S和漏极电极D可以是钼/铝-钕的双层，或者可以是钛/铝/钛、钼/铝/钼或钼/铝-钕/钼的三层。因此，构成了包括半导体层A、栅极电极G、源极电极S和漏极电极D的驱动晶体管DR。此外，在电容器下电极LCst中，源极电极S用作为电容器上电极，以构成电容器Cst。
钝化膜PAS位于包括驱动晶体管DR和电容器Cst的基板SUB上。钝化膜PAS是保护下方元件的绝缘膜，钝化膜PAS可以是氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜或它们的多层。覆盖层(overcoat)OC位于钝化膜PAS上。覆盖层OC可以是用于减小下基板的台阶的平坦化膜，覆盖层OC由诸如聚酰亚胺、苯环丁烯系列树脂或丙烯酸酯之类的有机物质制成。可使用诸如旋涂玻璃(spin on glass，SOG)之类的用于涂布液态形式的有机物质并将其硬化的方法来形成覆盖层OC。通过暴露钝化膜PAS来暴露源极电极S的像素接触孔PH位于覆盖层OC的部分区域中。
OLED包括彼此面对的第一电极E1、有机发光层OL和第二电极E2。
第一电极E1可以是阳极。第一电极E1通过穿透覆盖层OC和钝化膜PAS的像素接触孔PH连接至驱动晶体管DR的源极电极S。根据所采用的发光方法，第一电极E1可由诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化锌(ZnO)之类的透明导电材料制成，因此用作透射电极，或者第一电极E1可包括反射层而用作反射电极。反射层可由铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)或它们的合金制成，例如，反射层可由银/钯/铜(APC)合金制成。
堤层BN位于已形成第一电极E1的基板SUB上方。堤层BN可由诸如聚酰亚胺、苯环丁烯系列树脂或丙烯酸酯之类的有机物质制成。堤层BN包括暴露大部分第一电极E1的开口。堤层BN可定位成暴露第一电极E1的中央部分，但覆盖第一电极E1的横向端部。
有机发光层OL位于已形成堤层BN的基板SUB上方。有机发光层OL是其中电子和空穴结合以发光的层。有机发光层OL包括发光层EML，并且可进一步包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)或电子注入层(EIL)中的一个或多个。
第二电极E2位于有机发光层OL上。第二电极E2可广泛形成在基板SUB的整个表面上。根据所采用的发光方法，第二电极E2可用作透射电极或反射电极。当第二电极E2是透射电极时，第二电极E2可由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的透明导电材料制成，或者可由具有足够薄的厚度以使光能透过第二电极的镁(Mg)、钙(Ca)、铝(Al)、银(Ag)或它们的合金制成。
修复区域RA包括焊接电极WE和修复线RL。
焊接电极WE连接至相应子像素PXL的第一电极。焊接电极WE可以是从子像素PXL的第一电极分支的部分。焊接电极WE是在修复工艺中与修复线RL一起执行焊接的部分，因此焊接电极WE形成为具有该工艺所需的预定面积。
可给每个子像素分配至少一个焊接电极WE。第(1-1)焊接电极WE1-1连接至第(1-1)子像素PXL1-1的第一电极。第(1-2)焊接电极WE1-2连接至第(1-2)子像素PXL1-2的第一电极。第(1-3)焊接电极WE1-3连接至第(1-3)子像素PXL1-3的第一电极。第(1-4)焊接电极WE1-4连接至第(1-4)子像素PXL1-4的第一电极。第(2-1)焊接电极WE2-1连接至第(2-1)子像素PXL2-1的第一电极。第(2-2)焊接电极WE2-2连接至第(2-2)子像素PXL2-2的第一电极。第(2-3)焊接电极WE2-3连接至第(2-3)子像素PXL2-3的第一电极。第(2-4)焊接电极WE2-4连接至第(2-4)子像素PXL2-4的第一电极。
修复线RL在第一方向上延伸。修复线RL的一端和另一端设置成与发射相同颜色的光的子像素PXL的焊接电极WE重叠。第一修复线RL1的一端与第(1-1)焊接电极WE1-1重叠，其另一端与第(2-1)焊接电极WE2-1重叠。第二修复线RL2的一端与第(1-2)焊接电极WE1-2重叠，其另一端与第(2-2)焊接电极WE2-2重叠。第三修复线RL3的一端与第(1-3)焊接电极WE1-3重叠，其另一端与第(2-3)焊接电极WE2-3重叠。第四修复线RL4的一端与第(1-4)焊接电极WE1-4重叠，其另一端与第(2-4)焊接电极WE2-4重叠。
属于修复线RL的一端和另一端并且与焊接电极WE重叠的部分可被称作重叠部分OV。重叠部分OV与焊接电极WE重叠并且在修复工艺中被焊接到焊接电极WE。因此，重叠部分形成为具有该工艺所需的预定面积。焊接电极WE和重叠部分OV可具有相同面积，但本发明不限于此。
在第一实施方式中，修复线RL的一端和另一端中的任意一个连接至相应的焊接电极WE，修复线RL的一端和另一端中的另一个未连接至相应的焊接电极WE。例如，如图所示，第一修复线RL1的一端可与第(1-1)焊接电极WE1-1在之间夹绝缘层的情况下分隔开，而第一修复线RL1的另一端可连接至第(2-1)焊接电极WE2-1。第二修复线RL2的一端可与第(1-2)焊接电极WE1-2在之间夹有绝缘层的情况下分隔开，而第二修复线RL2的另一端可连接至第(2-2)焊接电极WE2-2。第三修复线RL3的一端可与第(1-3)焊接电极WE1-3在之间夹有绝缘层的情况下分隔开，而第三修复线RL3的另一端可连接至第(2-3)焊接电极WE2-3。第四修复线RL4的一端可与第(1-4)焊接电极WE1-4在之间夹有绝缘层的情况下分隔开，而第四修复线RL4的另一端可连接至第(2-4)焊接电极WE2-4。下文中，为了便于描述，作为示例仅描述图中示出的构造。
之后，当在测试工艺中检测到缺陷子像素PXL时，通过焊接将分隔开的修复线RL和相应焊接电极WE电连接。例如，当在测试工艺中确定第(1-1)子像素PXL1-1出现故障时，通过切断工艺阻断施加到第(1-1)子像素PXL1-1的信号。通过焊接工艺将分隔开的第一修复线RL1的一端和第(1-1)焊接电极WE1-1连接。
第一修复线RL1和第二修复线RL2设置在不同的层中并且设置为重叠。此外，第三修复线RL3和第四修复线RL4设置在不同的层中并且设置为重叠。因为修复线RL设置在不同的层中但设置为重叠，所以本发明的实施方式能将由修复结构占据的修复区域RA的面积最小化。因此，本发明实施方式的优点在于通过充分地确保透射区域TA和/或发光区域EA而能提供具有提高的穿透率和开口率的显示装置。
更具体地说，参照图6A和图6B，第一修复线RL1形成在与晶体管的源极电极S和漏极电极D相同的层中。就是说，第一修复线RL1位于层间介电层ILD上。在形成晶体管的源极电极S/漏极电极D时可使用与源极电极S/漏极电极D相同的材料同时形成第一修复线RL1，但本发明不限于此。
参照图4和图6A，与第一修复线RL1的一端重叠的第(1-1)焊接电极WE1-1形成在与第一电极相同的层中。就是说，第(1-1)焊接电极WE1-1位于覆盖层OC上。第(1-1)焊接电极WE1-1可以是从第(1-1)子像素PXL1-1的第一电极分支的部分。第一修复线RL1和第(1-1)焊接电极WE1-1在之间夹有一组绝缘层的情况下电性分隔开，所述一组绝缘层包括至少一个绝缘层，例如，覆盖层OC和钝化膜PAS。
可在覆盖层OC中形成暴露钝化膜PAS的一部分的第(1-1)开孔OH1-1。在此情形中，第(1-1)焊接电极WE1-1的至少一部分位于穿透覆盖层OC的第(1-1)开孔OH1-1内的钝化膜PAS上。形成第(1-1)开孔OH1-1的区域与照射激光的区域重叠。根据本发明的实施方式，通过预先去除位于执行焊接工艺的区域中的具有特定厚度的覆盖层OC，可容易地执行焊接工艺而不会由于绝缘层厚度而引起工艺失败。
参照图4和图6B，与第一修复线RL1的另一端重叠的第(2-1)焊接电极WE2-1形成在与第一电极相同的层中。就是说，第(2-1)焊接电极WE2-1位于覆盖层OC上。第(2-1)焊接电极WE2-1可以是从第(2-1)子像素PXL2-1的第一电极分支的部分。
可在所述一组绝缘层，例如，覆盖层OC和钝化膜PAS中形成暴露第一修复线RL1的另一端的一部分的第(2-1)开孔OH2-1。第(2-1)开孔OH2-1穿透覆盖层OC和钝化膜PAS。第(2-1)焊接电极WE2-1的至少一部分通过第(2-1)开孔OH2-1与第一修复线RL1直接接触。
第二修复线RL2位于与第一修复线RL1不同的层中，第二修复线RL2与第一修复线RL1之间夹有至少一个绝缘层。因此，第一修复线RL1和第二修复线RL2可定位成重叠。
参照图7A和图7B，第二修复线RL2可形成在与遮光层LS相同的层中。就是说，第二修复线RL2和第一修复线RL1设置在不同的层中，第二修复线RL2与第一修复线RL1之间夹有绝缘层，例如缓冲层BUF和层间介电层ILD。可在形成遮光层时使用与遮光层LS相同的材料同时形成第二修复线RL2，但本发明不限于此。
参照图4和7A，与第二修复线RL2的一端重叠的第(1-2)焊接电极WE1-2形成在与第一电极相同的层中。就是说，第(1-2)焊接电极WE1-2位于覆盖层OC上。第(1-2)焊接电极WE1-2可以是从第(1-2)子像素PXL1-2的第一电极分支的部分。第二修复线RL2和第(1-2)焊接电极WE1-2在之间夹有另一组绝缘层的情况下电性分隔开，所述另一组绝缘层包括至少一个绝缘层，例如，覆盖层OC、钝化膜PAS、层间介电层ILD和缓冲层BUF。
可在覆盖层OC中形成暴露钝化膜PAS的一部分的第(1-2)开孔OH1-2。在此情形中，第(1-2)焊接电极WE1-2的至少一部分位于穿透覆盖层OC的第(1-2)开孔OH1-2内的钝化膜PAS上。形成第(1-2)开孔OH1-2的区域与照射激光的区域重叠。根据本发明的实施方式，通过预先去除位于执行焊接工艺的区域中的具有特定厚度的覆盖层OC，可容易地执行焊接工艺而不会由于绝缘层厚度而引起工艺失败。
第(1-2)焊接电极WE1-2可定位成不与第一修复线RL1重叠，以防止第(1-2)焊接电极WE1-2和第一修复线RL1在焊接工艺期间连接。在此情形中，第(1-2)子像素的第一电极和第(1-2)焊接电极WE1-2可通过联接线LL连接。为了确保穿透率，联接线LL的区域可配置成比第(1-2)焊接电极WE1-2的区域窄。
参照图4和图7B，与第二修复线RL2的另一端重叠的第(2-2)焊接电极WE2-2形成在与第一电极相同的层中。就是说，第(2-2)焊接电极WE2-2位于覆盖层OC上。第(2-2)焊接电极WE2-2可以是从第(2-2)子像素PXL2-2的第一电极分支的部分。
在所述另一组绝缘层，例如，覆盖层OC、钝化膜PAS、层间介电层ILD和缓冲层BUF中形成暴露第二修复线RL2的另一端的第(2-2)开孔OH2-2。第(2-2)开孔OH2-2穿透覆盖层OC、钝化膜PAS、层间介电层ILD和缓冲层BUF。第(2-2)焊接电极WE2-2的至少一部分通过第(2-2)开孔OH2-2与第二修复线RL2直接接触。如图所示，为了有助于工艺，可通过两个工艺形成第(2-2)开孔OH2-2。例如，第(2-2)开孔OH2-2可由穿透层间介电层ILD和缓冲层BUF的接触孔和穿透覆盖层OC和钝化膜PAS的接触孔构成。
虽然未示出，但可如图7A和图7B那样配置第一修复线RL1的连接结构，并且可如图6A和图6B那样配置第二修复线RL2的连接结构。此外，虽然未示出，但可如图6A和图6B那样配置第三修复线RL3的连接结构和第四修复线RL4的连接结构中的任意一个，并且可如图7A和图7B那样配置第三修复线RL3的连接结构和第四修复线RL4的连接结构中的另一个。
图8示出了子像素的示意性电路构造，用来图解根据本发明第一实施方式的修复工艺和修复结构。
根据本发明第一实施方式的显示装置包括用于执行修复工艺的修复结构。修复工艺可包括用于检测子像素PXL是否出现故障的测试工艺、用于阻断施加到被确定为已出现故障的子像素PXL的信号的切断工艺、以及用于将相邻子像素PXL和缺陷子像素PXL连接，以便将相邻子像素PXL的信号施加到缺陷子像素PXL的焊接工艺。
参照图8，第一子像素PXL1-1和第二子像素PXL2-1是发射相同颜色的光的子像素PXL。当在测试工艺中确定第一子像素PXL1-1出现故障时，执行用于阻断施加到第一子像素PXL1-1的信号的切断工艺。例如，如图所示，切断工艺可包括切断驱动晶体管DR的源极电极与OLED的第一电极之间的线的工艺以及切断感测晶体管ST的源极电极与OLED的第一电极之间的线的工艺。
之后，执行用于将第一子像素PXL1-1的第一电极和第二子像素PXL2-1的第一电极连接的焊接工艺。在第一实施方式中，修复线RL电连接至第一子像素PXL1-1的第一电极和第二子像素PXL2-1的第一电极中的任意一个。因此，在焊接工艺中，仅执行将修复线RL电连接至第一子像素PXL1-1的第一电极和第二子像素PXL2-1的第一电极中的另一个第一电极的工艺。
<第二实施方式>
图9涉及本发明的第二实施方式，是示意性地示出图1的AR区域的平面图。图10是沿线VI-VI’截取的图9的截面图，是示出第一修复线与相应焊接电极之间的连接关系的截面图。图11是沿线VII-VII’截取的图9的截面图，是示出第二修复线与相应焊接电极之间的连接关系的截面图。在描述第二实施方式时，省略与第一实施方式的元件实质相同的元件的描述。
参照图9，第一修复线RL1和第二修复线RL2设置在不同的层中并且设置为重叠。此外，第三修复线RL3和第四修复线RL4设置在不同的层中并且设置为重叠。在本发明的实施方式中，通过将修复线RL设置在不同的层中但使它们重叠，能将由修复结构占据的修复区域RA的面积最小化。因此，本发明实施方式的优点在于通过充分地确保透射区域TA和/或发光区域EA而能提供具有提高的穿透率和开口率的显示装置。
更具体地说，参照图9和图10，第一修复线RL1形成在与晶体管的源极电极S/漏极电极D相同的层中。就是说，第一修复线RL1位于层间介电层ILD上。可在形成晶体管的源极电极S/漏极电极S时使用与源极电极S/漏极电极D相同的材料同时形成第一修复线RL1，但本发明不限于此。
与第一修复线RL1的一端重叠的第(1-1)焊接电极WE1-1形成在与第一电极相同的层中。就是说，第(1-1)焊接电极WE1-1位于覆盖层OC上。第(1-1)焊接电极WE1-1可以是从第(1-1)子像素PXL1-1的第一电极分支的部分。第一修复线RL1和第(1-1)焊接电极WE1-1在之间夹有一组绝缘层的情况下电性分隔开，所述一组绝缘层包括至少一个绝缘层，例如，覆盖层OC和钝化膜PAS。
可在覆盖层OC中形成暴露钝化膜PAS的一部分的第(1-1)开孔OH1-1。在此情形中，第(1-1)焊接电极WE1-1的至少一部分位于穿透覆盖层OC的第(1-1)开孔OH1-1内的钝化膜PAS上。形成第(1-1)开孔OH1-1的区域与照射激光的区域重叠。根据本发明的实施方式，通过预先去除位于执行焊接工艺的区域中的具有特定厚度的覆盖层OC，可容易地执行焊接工艺而不会由于绝缘层厚度而引起工艺失败。
可在设置在第一修复线RL1下方的层间介电层ILD和缓冲层BUF中形成暴露基板SUB的一部分的第(1-1)辅助开孔AOH1-1。在此情形中，第一修复线RL1的一端的至少一部分位于在第(1-1)辅助开孔AOH1-1内的基板SUB上。形成第(1-1)辅助开孔AOH1-1的区域与照射激光的区域重叠。此外，形成第(1-1)开孔OH1-1的区域与形成第(1-1)辅助开孔AOH1-1的区域重叠。根据本发明的实施方式，通过预先去除位于执行焊接工艺的区域中的具有特定厚度的层间介电层ILD和缓冲层BUF，可容易地执行焊接工艺而不会由于绝缘层厚度而引起工艺失败。虽然未示出，但第(1-1)辅助开孔AOH1-1可仅穿透层间介电层ILD。在此情形中，第一修复线RL1的至少一部分可位于在第(1-1)辅助开孔AOH1-1内的缓冲层BUF上。
参照图9和图11，第二修复线RL2可形成在与遮光层LS相同的层中。就是说，第二修复线RL2和第一修复线RL1设置在不同的层中，第二修复线RL2与第一修复线RL1之间夹有绝缘层，例如缓冲层BUF和层间介电层ILD。可在形成遮光层时使用与遮光层LS相同的材料同时形成第二修复线RL2，但本发明不限于此。
与第二修复线RL2的一端重叠的第(1-2)焊接电极WE1-2形成在与第一电极相同的层中。就是说，第(1-2)焊接电极WE1-2位于覆盖层OC上。第(1-2)焊接电极WE1-2可以是从第(1-2)子像素PXL1-2的第一电极分支的部分。第二修复线RL2和第(1-2)焊接电极WE1-2在之间夹有另一组绝缘层的情况下电性分隔开，所述另一组绝缘层包括至少一个绝缘层，例如，覆盖层OC、钝化膜PAS、层间介电层ILD和缓冲层BUF。
可在覆盖层OC中形成暴露钝化膜PAS的一部分的第(1-2)开孔OH1-2，。在此情形中，第(1-2)焊接电极WE1-2的至少一部分位于穿透覆盖层OC的第(1-2)开孔OH1-2内的钝化膜PAS上。形成第(1-2)开孔OH1-2的区域与照射激光的区域重叠。根据本发明的实施方式，通过预先去除位于执行焊接工艺的区域中的具有特定厚度的覆盖层OC，可容易地执行焊接工艺而不会由于绝缘层厚度而引起工艺失败。
可在层间介电层ILD和缓冲层BUF中形成暴露第二修复线RL2的一部分的第(1-2)辅助开孔AOH1-2。在此情形中，第二修复线RL2和第(1-2)焊接电极WE1-2可设置在不同的层中，第二修复线RL2与第(1-2)焊接电极WE1-2之间仅夹有钝化膜PAS。形成第(1-2)辅助开孔AOH1-2的区域与照射激光的区域重叠。根据本发明的实施方式，通过预先去除位于执行焊接工艺的区域中的具有特定厚度的层间介电层ILD和缓冲层BUF，可容易地执行焊接工艺而不会由于绝缘层厚度而引起工艺失败。虽然未示出，但第(1-2)辅助开孔AOH1-2可仅穿透层间介电层ILD。
虽然未示出，但可如图11那样配置第一修复线RL1的连接结构，并且可如图10那样配置第二修复线RL2的连接结构。此外，虽然未示出，但可如图10那样配置第三修复线RL3的连接结构和第四修复线RL4的连接结构中的任意一个，并且可如图11那样配置第三修复线RL3的连接结构和第四修复线RL4的连接结构中的另一个。
<第三实施方式>
图12涉及本发明的第三实施方式，是示意性地示出图1的AR区域的平面图。图13是沿线VIII-VIII’截取的图12的截面图，是示出第一修复线的一端与相应焊接电极之间的连接关系的截面图。图14是沿线IX-IX’截取的图12的截面图，是示出第二修复线与相应焊接电极之间的连接关系的截面图。在描述第三实施方式时，省略与第一和第二实施方式的元件实质相同的元件的描述。
参照图12，在第三实施方式中，修复线RL的一端和另一端都不连接至焊接电极。例如，如图所示，第一修复线RL1的一端与第(1-1)焊接电极WE1-1在之间夹有绝缘层的情况下分隔开，并且第一修复线RL1的另一端与第(2-1)焊接电极WE2-1在之间夹有绝缘层的情况下分隔开。第二修复线RL2的一端与第(1-2)焊接电极WE1-2在之间夹有绝缘层的情况下分隔开，并且第二修复线RL2的另一端与第(2-2)焊接电极WE2-2在之间夹有绝缘层的情况下分隔开。第三修复线RL3的一端与第(1-3)焊接电极WE1-3在之间夹有绝缘层的情况下分隔开，并且第三修复线RL3的另一端与第(2-3)焊接电极WE2-3在之间夹有绝缘层的情况下分隔开。第四修复线RL4的一端与第(1-4)焊接电极WE1-4在之间夹有绝缘层的情况下分隔开，并且第四修复线RL4的另一端与第(2-4)焊接电极WE2-4在之间夹有绝缘层的情况下分隔开。
之后，当在测试工艺中检测到缺陷子像素PXL时，通过焊接将分隔开的修复线RL和相应焊接电极WE电连接。例如，当在测试工艺中确定第(1-1)子像素PXL1-1已出现故障时，通过切断工艺阻断施加到第(1-1)子像素PXL1-1的信号，通过焊接工艺将分隔开的第一修复线RL1的一端和第(1-1)焊接电极WE1-1连接，并且将分隔开的第一修复线RL1的另一端和第(2-1)焊接电极WE2-1连接。
第一修复线RL1和第二修复线RL2设置在不同的层中并且设置为重叠。此外，第三修复线RL3和第四修复线RL4设置在不同的层中并且设置为重叠。根据本发明的实施方式，通过将修复线RL设置在不同的层中但使这些修复线重叠，能将由修复结构占据的修复区域RA的面积最小化。因此，本发明实施方式的优点在于通过充分地确保透射区域TA和/或发光区域EA而能提供具有提高的穿透率和开口率的显示装置。
更具体地说，参照图12和图13，第一修复线RL1形成在与晶体管的源极电极S/漏极电极D相同的层中。就是说，第一修复线RL1位于层间介电层ILD上。可在形成晶体管的源极电极S/漏极电极D时使用与源极电极S/漏极电极D相同的材料同时形成第一修复线RL1，但本发明不限于此。
虽然未示出，但第一修复线RL1的一端和第(1-1)焊接电极WE1-1的布局结构可与第一实施方式的图6A所示的结构或第二实施方式的图10所示的结构相同。
与第一修复线RL1的另一端重叠的第(2-1)焊接电极WE2-1形成在与第一电极相同的层中。就是说，第(2-1)焊接电极WE2-1位于覆盖层OC上。第(2-1)焊接电极WE2-1可以是从第(2-1)子像素PXL2-1的第一电极分支的部分。第一修复线RL1和第(2-1)焊接电极WE2-1在之间夹有一组绝缘层的情况下电性分隔开，所述一组绝缘层包括至少一个绝缘层，例如，覆盖层OC和钝化膜PAS。
可在覆盖层OC中形成暴露钝化膜PAS的一部分的第(2-1)开孔OH2-1。在此情形中，第(2-1)焊接电极WE2-1的至少一部分位于穿透覆盖层OC的第(2-1)开孔OH2-1内的钝化膜PAS上。形成第(2-1)开孔OH2-1的区域与照射激光的区域重叠。根据本发明的实施方式，通过预先去除位于执行焊接工艺的区域中的具有特定厚度的覆盖层OC，可容易地执行焊接工艺而不会由于绝缘层厚度而引起工艺失败。
可在位于第一修复线RL1下方的层间介电层ILD中形成暴露缓冲层BUF的一部分的第(2-1)辅助开孔AOH2-1。在此情形中，第一修复线RL1的另一端的至少一部分位于在第(2-1)辅助开孔AOH2-1内的缓冲层BUF上。此外，形成第(2-1)辅助开孔AOH2-1的区域与照射激光的区域重叠。根据本发明的实施方式，通过预先去除位于执行焊接工艺的区域中的具有特定厚度的层间介电层ILD，可容易地执行焊接工艺而不会由于绝缘层厚度而引起工艺失败。虽然未示出，但第(2-1)辅助开孔AOH2-1可形成为穿透层间介电层ILD和缓冲层BUF二者。
参照图12和图14，第二修复线RL2可形成在与遮光层LS相同的层中。可在形成遮光层LS时使用与遮光层LS相同的材料同时形成第二修复线RL2，但本发明不限于此。
虽然未示出，但第二修复线RL2的一端和第(1-2)焊接电极WE1-2的布局结构可与第一实施方式的图7A所示的结构或第二实施方式的图11所示的结构相同。
与第二修复线RL2的另一端重叠的第(2-2)焊接电极WE2-2形成在与第一电极相同的层中。就是说，第(2-2)焊接电极WE2-2位于覆盖层OC上。第(2-2)焊接电极WE2-2可以是从第(2-2)子像素PXL2-2的第一电极分支的部分。第二修复线RL2和第(2-2)焊接电极WE2-2在之间夹有另一组绝缘层的情况下电性分隔开，所述另一组绝缘层包括至少一个绝缘层，例如，覆盖层OC、钝化膜PAS、层间介电层ILD和缓冲层BUF。
可在覆盖层OC中形成暴露钝化膜PAS的一部分的第(2-2)开孔OH2-2。在此情形中，第(2-2)焊接电极WE2-2的至少一部分位于在穿透覆盖层OC的第(2-2)开孔OH2-2内的钝化膜PAS上。形成第(2-2)开孔OH2-2的区域与照射激光的区域重叠。根据本发明的实施方式，通过预先去除位于执行焊接工艺的区域中的具有特定厚度的覆盖层OC，可容易地执行焊接工艺而不会由于绝缘层厚度而引起工艺失败。
可在层间介电层ILD和缓冲层BUF中形成暴露第二修复线RL2的一部分的第(2-2)辅助开孔AOH2-2。在此情形中，第二修复线RL2和第(2-2)焊接电极WE2-2可设置在不同的层中，第二修复线RL2与第(2-2)焊接电极WE2-2之间仅夹有钝化膜PAS。形成第(2-2)辅助开孔AOH2-2的区域与照射激光的区域重叠。根据本发明的实施方式，通过预先去除位于执行焊接工艺的区域中的具有特定厚度的层间介电层ILD和缓冲层BUF，可容易地执行焊接工艺而不会由于绝缘层厚度而引起工艺失败。虽然未示出，但第(2-2)辅助开孔AOH2-2可仅穿透层间介电层ILD。
图15示出了子像素的示意性电路构造，用来图解根据本发明第三实施方式的修复工艺和结构。
根据本发明第三实施方式的显示装置包括用于执行修复工艺的修复结构。修复工艺可包括用于检测子像素PXL是否出现故障的测试工艺、用于阻断施加到被确定为已出现故障的子像素PXL的信号的切断工艺、以及用于将相邻子像素PXL和缺陷子像素PXL连接，以便将相邻子像素PXL的信号施加到缺陷子像素PXL的焊接工艺。
参照图15，第一子像素PXL1-1和第二子像素PXL2-1是发射相同颜色的光的子像素PXL。当在测试工艺中确定第一子像素PXL1-1出现故障时，执行用于阻断施加到第一子像素PXL1-1的信号的切断工艺。例如，如图所示，切断工艺可包括切断驱动晶体管DR的源极电极与OLED的第一电极之间的线的工艺以及切断感测晶体管ST的源极电极与OLED的第一电极之间的线的工艺。
之后，执行用于将第一子像素PXL1-1的第一电极和第二子像素PXL2-1的第一电极连接的焊接工艺。在第三实施方式中，修复线RL与第一子像素PXL1-1的第一电极和第二子像素PXL2-1的第一电极二者电性分隔开。因此，在焊接工艺中，执行将第一子像素PXL1-1的第一电极和第二子像素PXL2-1的第一电极二者电连接至修复线RL的工艺。
尽管上面描述了透明显示装置，但应当理解，本发明的修复结构还可应用于不包括透射区域的普通显示装置。此外，尽管通过示例的方式描述了OLED显示装置，但本发明还可应用于诸如LCD显示装置之类的其他显示装置。
通过上述内容，本领域技术人员将理解，在不背离本发明的技术精神的情况下可以以各种方式改变和修改本发明。因此，本发明的技术范围不限于说明书的详细描述中描述的内容，而是应当由权利要求确定。

Claims (24)

1.一种显示装置，包括：
第(1-1)子像素的第一电极、第(1-2)子像素的第一电极、第(2-1)子像素的第一电极和第(2-2)子像素的第一电极；
形成在与所述第(1-1)子像素的第一电极相同的层中并且从所述第(1-1)子像素的第一电极分支的第(1-1)焊接电极、形成在与所述第(1-2)子像素的第一电极相同的层中并且从所述第(1-2)子像素的第一电极分支的第(1-2)焊接电极、形成在与所述第(2-1)子像素的第一电极相同的层中并且从所述第(2-1)子像素的第一电极分支的第(2-1)焊接电极、以及形成在与所述第(2-2)子像素的第一电极相同的层中并且从所述第(2-2)子像素的第一电极分支的第(2-2)焊接电极；以及
与所述第(1-1)焊接电极和所述第(2-1)焊接电极重叠的第一修复线、以及与所述第(1-2)焊接电极和所述第(2-2)焊接电极重叠的第二修复线，
其中所述第一修复线和所述第二修复线设置在不同的层中，所述第一修复线与所述第二修复线之间夹有至少一个绝缘层。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中所述第一修复线和所述第二修复线彼此重叠。
3.如权利要求1所述的显示装置，其中：
所述第(1-1)子像素、所述第(1-2)子像素、所述第(2-1)子像素和所述第(2-2)子像素顺序地布置在第一方向上，并且
所述第一修复线和所述第二修复线在所述第一方向上延伸。
4.如权利要求1所述的显示装置，其中：
所述第(1-1)子像素和所述第(2-1)子像素发射第一颜色的光，并且
所述第(1-2)子像素和所述第(2-2)子像素发射与所述第一颜色不同的第二颜色的光。
5.如权利要求1所述的显示装置，其中所述第一修复线位于与所述第(1-1)焊接电极和所述第(2-1)焊接电极不同的层中，所述第一修复线与所述第(1-1)焊接电极和所述第(2-1)焊接电极之间夹有至少一个绝缘层，并且
其中所述第一修复线通过穿透所述至少一个绝缘层的开孔连接至所述第(1-1)焊接电极和所述第(2-1)焊接电极中的一个。
6.如权利要求1所述的显示装置，其中所述第一修复线与所述第(1-1)焊接电极和所述第(2-1)焊接电极在之间夹有至少一个绝缘层的情况下电性分隔开。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中所述第二修复线位于与所述第(1-2)焊接电极和所述第(2-2)焊接电极不同的层中，所述第二修复线与所述第(1-2)焊接电极和所述第(2-2)焊接电极之间夹有至少一个绝缘层，并且
其中所述第二修复线通过穿透所述至少一个绝缘层的开孔连接至所述第(1-2)焊接电极和所述第(2-2)焊接电极中的一个。
8.如权利要求1所述的显示装置，其中所述第二修复线与所述第(1-2)焊接电极和所述第(2-2)焊接电极在之间夹有至少一个绝缘层的情况下电性分隔开。
9.如权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
基板；
位于所述基板上方的遮光层；
位于所述遮光层上方的缓冲层；
位于所述缓冲层上方的半导体层；
位于所述半导体层上方的层间介电层；
在所述层间介电层上方的源极电极和漏极电极；
位于所述源极电极和所述漏极电极上方的钝化膜；以及
位于所述钝化膜上方的覆盖层，
其中所述第(1-1)子像素的第一电极、所述第(1-2)子像素的第一电极、所述第(2-1)子像素的第一电极、所述第(2-2)子像素的第一电极、所述第(1-1)焊接电极、所述第(1-2)焊接电极、所述第(2-1)焊接电极和所述第(2-2)焊接电极设置在所述覆盖层上方，
所述第一修复线位于与所述层间介电层上方的所述源极电极和所述漏极电极的层相同的层中，并且
所述第二修复线位于与所述基板上方的所述遮光层的层相同的层中。
10.如权利要求9所述的显示装置，进一步包括第(1-1)开孔，所述第(1-1)开孔在与所述第一修复线的一端重叠的区域中穿透所述覆盖层并且暴露所述钝化膜的一部分，
其中所述第(1-1)焊接电极的一部分位于所述第(1-1)开孔内。
11.如权利要求10所述的显示装置，进一步包括第(1-1)辅助开孔，所述第(1-1)辅助开孔在与所述第(1-1)开孔重叠的区域中穿透所述层间介电层和所述缓冲层或者穿透所述层间介电层，
其中所述第一修复线的所述一端的一部分位于所述第(1-1)辅助开孔内。
12.如权利要求10所述的显示装置，进一步包括第(2-1)开孔，所述第(2-1)开孔在与所述第一修复线的另一端重叠的区域中穿透所述覆盖层和所述钝化膜并且暴露所述第一修复线的所述另一端的一部分，
其中所述第(2-1)焊接电极的一部分通过所述第(2-1)开孔与所述第一修复线的所述另一端接触。
13.如权利要求10所述的显示装置，进一步包括第(2-1)开孔，所述第(2-1)开孔在与所述第一修复线的另一端重叠的区域中穿透所述覆盖层并且暴露所述钝化膜的一部分，
其中所述第(2-1)焊接电极的一部分位于所述第(2-1)开孔内，并且
所述第(2-1)焊接电极与所述第一修复线的所述另一端在之间夹有所述钝化膜的情况下电性分隔开。
14.如权利要求9所述的显示装置，进一步包括第(1-2)开孔，所述第(1-2)开孔在与所述第二修复线的一端重叠的区域中穿透所述覆盖层并且暴露所述钝化膜的一部分，
其中所述第(1-2)焊接电极的一部分位于所述第(1-2)开孔内。
15.如权利要求14所述的显示装置，进一步包括第(1-2)辅助开孔，所述第(1-2)辅助开孔在与所述第(1-2)开孔重叠的区域中穿透所述层间介电层和所述缓冲层或穿透所述层间介电层，
所述第(1-2)焊接电极和所述第二修复线的所述一端在之间夹有所述钝化膜或夹有所述钝化膜和所述缓冲层的情况下电性分隔开。
16.如权利要求14所述的显示装置，进一步包括第(2-2)开孔，所述第(2-2)开孔在与所述第二修复线的另一端重叠的区域中穿透所述覆盖层、所述钝化膜、所述层间介电层和所述缓冲层并且暴露所述第二修复线的所述另一端的一部分，
其中所述第(2-2)焊接电极的一部分通过所述第(2-2)开孔与所述第二修复线的所述另一端接触。
17.如权利要求14所述的显示装置，进一步包括第(2-2)开孔，所述第(2-2)开孔在与所述第二修复线的另一端重叠的区域中穿透所述覆盖层并且暴露所述钝化膜的一部分，
其中所述第(2-2)焊接电极的一部分位于所述第(2-2)开孔内。
18.如权利要求17所述的显示装置，进一步包括第(2-2)辅助开孔，所述第(2-2)辅助开孔在与所述第(2-2)开孔重叠的区域中穿透所述层间介电层和所述缓冲层或穿透所述层间介电层，
其中所述第(2-2)焊接电极和所述第二修复线的所述另一端在之间夹有所述钝化膜或夹有所述钝化膜和所述缓冲层的情况下电性分隔开。
19.一种显示装置，包括发光区域和修复区域，其中：
所述发光区域包括布置在第一方向上的第(1-1)子像素和第(2-1)子像素，
所述修复区域包括形成在与所述第(1-1)子像素的第一电极相同的层中并且从所述第(1-1)子像素的第一电极分支的第(1-1)焊接电极、形成在与所述第(2-1)子像素的第一电极相同的层中并且从所述第(2-1)子像素的第一电极分支的第(2-1)焊接电极、以及在所述第一方向上延伸的第一修复线，
所述第一修复线位于与所述第(1-1)焊接电极和所述第(2-1)焊接电极不同的层中，所述第一修复线与所述第(1-1)焊接电极和所述第(2-1)焊接电极之间夹有一组绝缘层，
所述第一修复线的一端与所述第(1-1)焊接电极重叠，并且所述第一修复线的另一端与所述第(2-1)焊接电极重叠，
所述一组绝缘层中的至少一个绝缘层包括第(1-1)开孔，所述第(1-1)焊接电极的一部分位于所述第(1-1)开孔内，并且所述第(1-1)焊接电极与所述第一修复线的所述一端电性分隔开。
20.如权利要求19所述的显示装置，其中位于所述第一修复线下方的绝缘层包括与所述第(1-1)开孔对应的第(1-1)辅助开孔，所述第一修复线的所述一端的一部分位于所述第(1-1)辅助开孔内。
21.如权利要求19所述的显示装置，其中所述第(2-1)焊接电极的一部分通过穿透所述一组绝缘层的第(2-1)开孔与所述第一修复线的所述另一端接触。
22.如权利要求19所述的显示装置，其中所述一组绝缘层中的所述至少一个绝缘层进一步包括第(2-1)开孔，所述第(2-1)焊接电极的一部分位于所述第(2-1)开孔内，并且所述第(2-1)焊接电极与所述第一修复线的所述另一端电性分隔开。
23.如权利要求22所述的显示装置，其中位于所述第一修复线下方的绝缘层包括与所述第(2-1)开孔对应的第(2-1)辅助开孔，所述第一修复线的所述另一端的一部分位于所述第(2-1)辅助开孔内。
24.如权利要求19所述的显示装置，其中：
所述发光区域进一步包括布置在所述第一方向上的第(1-2)子像素和第(2-2)子像素，
所述修复区域进一步包括连接至所述第(1-2)子像素的第一电极的第(1-2)焊接电极、连接至所述第(2-2)子像素的第一电极的第(2-2)焊接电极、以及在所述第一方向上延伸的第二修复线，
所述第一修复线和所述第二修复线设置在不同的层中。
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