KR20200115750A - 표시 장치 및 표시 장치의 검사 방법 - Google Patents

표시 장치 및 표시 장치의 검사 방법 Download PDF

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신관엽
배준호
윤재형
이다영
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

표시장치가 제공된다. 표시 장치는 표시 영역, 및 상기 표시 영역의 열 방향 일측에 위치한 주변 영역을 포함하는 표시 기판; 상기 표시 기판의 표시 영역 상에 위치하는 복수의 게이트선; 상기 게이트선과 절연되어 교차하고 상기 표시 영역, 및 상기 주변 영역 상에 위치하며 상기 열 방향에 교차하는 행 방향을 따라 배열된 복수의 데이터선; 및 상기 주변 영역은 상기 데이터선과 전기적으로 연결되고 상기 행 방향을 따라 배열된 복수의 검사선을 포함하고, 상기 주변 영역은 제1 주변 영역, 및 상기 표시 영역과 상기 제1 주변 영역 사이에 위치한 제2 주변 영역을 포함하고, 상기 복수의 검사선은 상기 제1 주변 영역 상에 배치된 제1-1 검사부, 및 상기 제2 주변 영역 상에 배치된 제1-2 검사부를 포함하는 제1 검사선, 및 상기 제2 주변 영역 상에 배치된 제2-1 검사부를 포함하는 제2 검사선을 포함하되, 상기 제1 검사선의 상기 제1-1 검사부의 상기 행 방향 폭은 상기 제1 검사선의 상기 제1-2 검사부의 상기 행 방향 폭보다 크다.

Description

표시 장치 및 표시 장치의 검사 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD OF TESTING FOR THE DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치 및 표시 장치의 검사 방법에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치는 복수의 게이트선, 복수의 데이터선 및 복수의 화소들이 형성된 어레이 기판과 상기 게이트선에 게이트 신호를 출력하는 게이트 구동회로 및 상기 데이터선에 데이터 신호를 출력하는 데이터 구동회로를 포함할 수 있다.
각 화소는 화소 전극 및 박막 트랜지스터를 포함하고, 상기 박막 트랜지스터는 상기 데이터선, 상기 게이트선 및 상기 화소 전극과 연결되어, 상기 화소를 구동한다.
상술한 액정 표시 장치는 제조과정에서 다양한 검사가 수행될 수 있다. 예시적으로 액정 표시 장치는 제조과정에서 접촉식 방식 또는 비접촉식 방식에 의해 상기 데이터선의 단선(open)여부, 단락(short)여부에 대한 검사가 수행될 수 있다.
상술한 검사과정에서 상기 데이터선의 검사 신뢰도가 높은 표시 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역, 및 상기 표시 영역의 열 방향 일측에 위치한 주변 영역을 포함하는 표시 기판; 상기 표시 기판의 표시 영역 상에 위치하는 복수의 게이트선; 상기 게이트선과 절연되어 교차하고 상기 표시 영역, 및 상기 주변 영역 상에 위치하며 상기 열 방향에 교차하는 행 방향을 따라 배열된 복수의 데이터선; 및 상기 주변 영역은 상기 데이터선과 전기적으로 연결되고 상기 행 방향을 따라 배열된 복수의 검사선을 포함하고, 상기 주변 영역은 제1 주변 영역, 및 상기 표시 영역과 상기 제1 주변 영역 사이에 위치한 제2 주변 영역을 포함하고, 상기 복수의 검사선은 상기 제1 주변 영역 상에 배치된 제1-1 검사부, 및 상기 제2 주변 영역 상에 배치된 제1-2 검사부를 포함하는 제1 검사선, 및 상기 제2 주변 영역 상에 배치된 제2-1 검사부를 포함하는 제2 검사선을 포함하되, 상기 제1 검사선의 상기 제1-1 검사부의 상기 행 방향 폭은 상기 제1 검사선의 상기 제1-2 검사부의 상기 행 방향 폭보다 크다.
상기 제2 검사선의 상기 행 방향 폭은 상기 제1 검사선의 상기 제1-2 검사부의 상기 행 방향 폭보다 클 수 있다.
상기 복수의 검사선은 상기 제2 검사선을 사이에 두고 상기 제1 검사선과 이격되어 배치된 제3 검사선을 더 포함하고, 상기 제3 검사선은 상기 제1 주변 영역 상에 배치된 제3-1 검사부, 및 상기 제2 주변 영역 상에 배치된 제3-2 검사부를 포함할 수 있다.
상기 제3 검사선의 상기 제3-1 검사부의 상기 행 방향 폭은 상기 제3 검사선의 상기 제3-2 검사부의 상기 행 방향 폭보다 크고, 상기 제2 검사선의 상기 행 방향 폭은 상기 제3 검사선의 상기 제3-2 검사부의 상기 행 방향 폭보다 클 수 있다.
상기 복수의 검사선은 상기 제3 검사선을 사이에 두고 상기 제2 검사선과 이격되어 배치된 제4 검사선을 더 포함하고, 상기 제4 검사선은 상기 제2 주변 영역 상에 배치된 제4-1 검사부를 포함할 수 있다.
상기 제4 검사선의 상기 행 방향 폭은 상기 제3 검사선의 상기 제3-2 검사부의 상기 행 방향 폭보다 클 수 있다.
상기 제1 검사선과 상기 제3 검사선은 상기 제2 검사선, 및 상기 제4 검사선보다 상기 열 방향으로 더 확장될 수 있다.
상기 제2 검사선의 상기 제2-1 검사부는 상기 제1 검사선의 상기 제1-2 검사부, 및 상기 제3 검사선의 상기 제3-2 검사부 사이에 위치하고, 상기 제1 검사선의 상기 제1-1 검사부, 및 상기 제3 검사선의 상기 제3-1 검사부와 상기 행 방향으로 비중첩할 수 있다.
상기 제2 검사선은 상기 제1 주변 영역 상에 배치된 제2-2 검사부를 더 포함하고, 상기 제2 검사선의 상기 제2-1 검사부의 상기 행 방향 폭은 상기 제2 검사선의 상기 제2-2 검사부의 상기 행 방향 폭보다 더 클 수 있다.
상기 제2 검사선의 상기 제2-2 검사부는 상기 제1 검사선의 상기 제1-1 검사부, 및 상기 제3 검사선의 상기 제3-1 검사부 사이에 위치할 수 있다.
상기 복수의 검사선은 상기 데이터선과 동일층에 배치되고, 동일 공정을 통해 형성되도록 구성될 수 있다.
인쇄 회로 기판이 부착된 패드 영역을 더 포함하고, 상기 패드 영역은 상기 표시 영역을 사이에 두고 상기 주변 영역의 반대에 위치할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 표시 영역, 및 상기 표시 영역의 행 방향 일측에 위치한 주변 영역을 포함하는 표시 기판; 상기 표시 기판의 표시 영역 상에 위치하는 복수의 데이터선; 상기 데이터선과 절연되어 교차하고 상기 표시 영역, 및 상기 주변 영역 상에 위치하며 상기 행 방향에 교차하는 열 방향을 따라 배열된 복수의 게이트선; 및 상기 주변 영역은 상기 게이트선과 전기적으로 연결되고 상기 열 방향을 따라 배열된 복수의 게이트 검사선을 포함하고, 상기 주변 영역은 제1 주변 영역, 및 상기 표시 영역과 상기 제1 주변 영역 사이에 위치한 제2 주변 영역을 포함하고, 상기 복수의 게이트 검사선은 상기 제1 주변 영역 상에 배치된 제1-1 검사부, 및 상기 제2 주변 영역 상에 배치된 제1-2 검사부를 포함하는 제1 게이트 검사선, 및 상기 제2 주변 영역 상에 배치된 제2-1 검사부를 포함하는 제2 게이트 검사선을 포함하되, 상기 제1 게이트 검사선의 상기 제1-1 검사부의 상기 열 방향 폭은 상기 제1 게이트 검사선의 상기 제1-2 검사부의 상기 열 방향 폭보다 크다.
상기 제2 게이트 검사선의 상기 열 방향 폭은 상기 제1 게이트 검사선의 상기 제1-2 검사부의 상기 열 방향 폭보다 크고, 상기 제2 게이트 검사선들은 각각 인접한 상기 제1 게이트 검사선 사이에 배치될 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 검사 방법은, 신호 인가 장치를 일 방향을 따라 이동시키며 데이터선들에 제1 전기 신호를 인가함과 동시에, 신호 센싱 장치를 상기 일 방향을 따라 이동시키며 제1 주변 영역의 제1 검사선들로부터 제1 검사 신호를 센싱하는 단계; 상기 신호 인가 장치를 상기 일 방향을 따라 이동시키며 상기 데이터선들에 제2 전기 신호를 인가함과 동시에, 상기 신호 센싱 장치를 상기 일 방향을 따라 이동시키며 제2 주변 영역의 제2 검사선들로부터 제2 검사 신호를 센싱하는 단계; 상기 신호 센싱 장치로부터의 상기 제2 검사 신호를 필터링하는 단계; 및 상기 필터링된 제2 검사 신호와 상기 제1 검사 신호를 이용하여 상기 데이터 라인들의 단락 또는 단선을 판단하는 단계를 포함한다.
상기 복수의 검사선들은 표시 영역에 배치된 상기 데이터선과 전기적으로 연결되고, 상기 제2 주변 영역은 상기 표시 영역과 상기 제1 주변 영역 사이에 위치할 수 있다.
상기 복수의 검사선은 상기 제1 주변 영역 상에 배치된 제1-1 검사부, 및 상기 제2 주변 영역 상에 배치된 제1-2 검사부를 포함하는 제1 검사선, 및 상기 제2 주변 영역 상에 배치된 제2-1 검사부를 포함하는 제2 검사선을 포함하되, 상기 제1 검사선의 상기 제1-1 검사부의 상기 일 방향 폭은 상기 제1 검사선의 상기 제1-2 검사부의 상기 일 방향 폭보다 클 수 있다.
상기 제2 검사선들은 각각 인접한 상기 제1 검사선 사이에 배치될 수 있다.
상기 제1 검사선의 상기 제1-2 검사부를 통해 상기 센싱된 제2 검사 신호의 펄스의 평균 폭은 상기 제1 검사선의 상기 제1-1 검사부를 통해 상기 센싱된 제1 검사 신호의 펄스의 평균 폭보다 작을 수 있다.
상기 제2 검사선의 상기 제2-1 검사부를 통해 상기 센싱된 제2 검사 신호의 펄스의 평균 폭은 상기 제1 검사선의 상기 제1-2 검사부를 통해 상기 센싱된 제2 검사 신호의 펄스의 평균 폭보다 작을 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 데이터 라인들의 검사 신뢰도가 높은 표시 장치를 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면 배치도이다.
도 2는 도 1의 A부분을 확대 도시한 평면도이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ' 및 Ⅳ-Ⅳ 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 제1 및 제2 검사 영역들을 확대한 평면도이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 표시 장치의 검사 방법의 순서도이다.
도 6 내지 도 9는 표시 장치의 제조 과정의 공정의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 10은 제1 검사 신호를 센싱하는 것을 나타낸 사시도이다.
도 11은 제2 검사 신호를 센싱하는 것을 나타낸 사시도이다.
도 12(a) 내지 도 12(c)는 각각 제1 검사 신호, 제2 검사 신호, 및 제3 검사 신호를 나타낸 도면이다.
도 13은 다른 실시예에 따른 제1 및 제2 검사 영역들을 확대한 평면도이다.
도 14(a) 내지 도 14(c)는 각각 다른 실시예에 따른 제1 검사 신호, 제2 검사 신호, 및 제3 검사 신호를 나타낸 도면이다.
도 15는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 것이다.
도 16은 또 다른 실시예에 따른 제3 및 제4 검사 영역들을 확대한 평면도이다.
도 17은 또 다른 실시예에 따른 제1 및 제2 검사 영역들을 확대한 평면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below 또는 beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있으며, 이 경우 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면 배치도이다. 도 2는 도 1의 A부분을 확대 도시한 평면도이고, 도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ' 및 Ⅳ-Ⅳ 선을 따라 절단한 단면도이고, 도 4는 도 1에 도시된 제1 및 제2 검사 영역들을 확대한 평면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1)는, 어레이 기판 및 어레이 기판과 대향하는 대향 기판(도면 미도시)을 포함할 수 있으며, 상기 어레이 기판은 제1 기판(100), 복수의 게이트선(G1, G2, …, Gn) (n은 자연수), 복수의 게이트선(G1, G2, …, Gn)과 절연되어 교차하는 복수의 데이터선(D1, D2, D3, D4, …,Dm)(m은 0<m 관계에 있는 자연수), 게이트 구동부(700), 인쇄 회로 기판(500), 및 인쇄 회로 기판(500) 상에 배치된 데이터 구동부(590)를 포함할 수 있다.
제1 기판(100)은 박막 트랜지스터와 화소 전극을 포함하는 화소 영역(PX)들이 정의된 표시 영역(DA)과 표시 영역(DA)을 제외한 비표시 영역(NA)을 포함할 수 있다. 비표시 영역(NA)은 제1 주변 영역(PA1)과 제2 주변 영역(PA2)을 포함할 수 있다. 제1 주변 영역(PA1)은 표시 영역(DA)의 도면상 상기 열 방향 상측에 위치하고, 제2 주변 영역(PA2)은 표시 영역(DA)의 도면상 상기 열 방향 하측에 위치하고 제1 주변 영역(PA1)과 표시 영역(DA)을 사이에 두고 반대에 위치할 수 있다. 화소 영역(PX)은 도 2에 도시된 바와 같이 제1 서브 화소(PX11), 및 제2 서브 화소(PX12)를 포함할 수 있다. 제1 서브 화소(PX11), 및 제2 서브 화소(PX12)는 서로 동일한 색의 광을 출사하는 영역일 수 있다.
제1 주변 영역(PA1)은 후술할 데이터 구동부(590)와 데이터선(D1, D2, D3, D4, …,Dm)을 전기적으로 연결하기 위한 복수의 패드가 배치된 패드 영역일 수 있고, 제2 주변 영역(PA2)은 후술할 복수의 검사선들이 배치된 검사 영역일 수 있다. 즉, 제2 주변 영역(PA2)은 데이터선(D1-Dm)의 단선(open) 또는 단락(short)여부를 검사하는 검사 영역일 수 있다.
제1 기판(100)의 표시 영역(DA) 상에는 복수의 게이트선(G1, G2, …, Gn) 및 복수의 게이트선(G1, G2, …, Gn)과 절연되어 교차하는 복수의 데이터선(D1, D2, D3, D4, …,Dm)이 위치할 수 있다.
이하에서는 설명의 편의를 위해 복수의 게이트선(G1, G2, …, Gn)이 연장된 방향을 행 방향으로 지칭하고, 복수의 데이터선(D1, D2, D3, D4, …,Dm)이 연장된 방향을 열 방향으로 지칭하기로 한다.
복수의 게이트선(G1, G2, …, Gn)은 상기 행 방향과 교차하는 열 방향을 따라 이격되어 배열될 수 있다. 각 데이터선(D1, D2, D3, D4, …,Dm)은 상기 열 방향을 따라 연장되고, 상기 행 방향을 따라 이격되어 배열될 수 있다. 각 데이터선(D1, D2, D3, D4, …,Dm)은 표시 영역(DA)뿐만 아니라, 제1 주변 영역(PA1), 및 제2 주변 영역(PA2)까지 연장될 수 있다.
복수의 게이트선(G1, G2, …, Gn)과 복수의 데이터선(D1, D2, D3, D4, …,Dm) 각각이 교차하는 부분에는 화소 영역(PX)이 위치할 수 있다. 각 화소 영역(PX)은 도 1에 도시된 바와 같이 게이트선(G1, G2, …, Gn) 중 하나와 인접한 데이터선(D1, D2, D3, D4, …,Dm)이 교차하는 부분에 배치될 수 있다.
비표시 영역(NA) 중 제1 및 제2 주변 영역(PA1, PA2)을 제외한 영역에는 복수의 게이트선(G1, G2, …, Gn)의 스캔 신호를 제어하는 스캔 제어 신호를 인가하는 게이트 구동부(700)가 배치될 수 있다.
또한, 제1 주변 영역(PA1)에는 복수의 데이터선(D1, D2, D3, D4, …,Dm)에 데이터 신호, 및 상기 데이터 신호를 제어하는 데이터 제어 신호를 인가하는 데이터 구동부(590)가 배치된 인쇄 회로 기판(500)이 부착될 수 있다. 이 경우, 제1 기판(100)의 제1 주변 영역(PA1) 상에는 데이터 구동부(590)와 데이터선(D1, D2, D3, D4, …,Dm)을 전기적으로 연결하기 위한 복수의 패드가 구비될 수도 있다. 상기 복수의 패드들은 데이터선(D1, D2, D3, D4, …,Dm)이 제1 주변 영역(PA1)에서 이뤄 형성될 수 있다. 상기 복수의 패드들의 상기 행 방향 폭은 표시 영역(DA)의 데이터선(D1, D2, D3, D4, …,Dm)의 상기 행 방향 폭보다 크게 형성되어 인쇄 회로 기판(500)과의 부착을 더욱 용이하게 할 수 있다.
몇몇 실시예에서 데이터 구동부(590)는 인쇄 회로 기판(500)없이 제1 기판(100) 상에 직접 실장될 수 있다. 이 경우, 상술한 데이터선(D1, D2, D3, D4, …,Dm)의 상기 복수의 패드들은 데이터 구동부(590)와 결합될 수 있다.
표시 장치(1)는 도 1의 설명에서 상술한 바와 같이 어레이 기판(10) 및 어레이 기판(10)과 대향하는 대향 기판(20), 어레이 기판(10)과 대향 기판(20) 사이에 위치하는 액정층(300)을 포함할 수 있다.
어레이 기판(10)은 제1 기판(100), 게이트 절연층(110), 제1 게이트선(Gn), 데이터선(Da,Db), 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(Ta, Ta), 패시베이션층(130), 절연 패턴(150), 화소 전극(Pea, PEb), 셀갭 스페이서(CS) 및 제1 배향막(190) 등을 포함할 수 있다.
제1 기판(100)은 투명 절연 기판일 수 있다. 예를 들면, 제1 기판(100)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등으로 이루어질 수 있다. 또한, 기판(10)은 고내열성을 갖는 고분자를 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 기판(100)은, 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(cellulose triacetate), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP), 폴리아릴렌에테르 술폰(poly(aryleneether sulfone)) 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 기판(100)은 가요성을 가질 수도 있다. 즉, 제1 기판(100)은 롤링(rolling), 폴딩(folding), 벤딩(bending) 등으로 형태 변형이 가능한 기판일 수 있다.
제1 기판(100)은 상술한 바와 같이 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NA)을 포함할 수 있다.
제1 게이트선(Gn)은 제1 기판(100) 상에 일 방향(예시적으로 도면 기준 가로 방향)을 따라 연장될 수 있다. 제1 게이트선(Gn)은 제1 기판(100)의 표시 영역(DA) 상에 위치할 수 있으며, 적어도 일부가 제1 기판(100)의 비표시 영역(NA)까지 연장될 수 있다. 제1 게이트선(Gn)은 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 동(Cu), 크롬(Cr), 네오듐(Nd)으로부터 선택된 원소, 또는 상기 원소를 주성분으로 하는 합금재료 또는 화합물 재료로 이루어질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
게이트 절연층(110)은 제1 게이트선(Gn)을 덮도록 제1 기판(100) 상에 형성될 수 있다. 게이트 절연층(110)은 제1 기판(100)의 표시 영역(DA) 상부뿐만 아니라 제1 기판(100)의 제2 주변 영역(PA2) 상부에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 게이트 절연층(110)은 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어질 수 있다.
데이터선(D1, D2)은 게이트 절연층(110) 상에 위치할 수 있다. 즉, 데이터선(D1, D2)은 제1 게이트선(Gn)과 절연되어 교차할 수 있다. 데이터선(D1, D2)은 제1 기판(100)의 표시 영역(DA) 상에 위치할 수 있으며, 적어도 일부가 제1 기판(100)의 제1 및 제2 주변 영역(PA1, PA2)까지 연장될 수 있다.
데이터선(D1, D2)은 Ag, Au, Cu, Ni, Pt, Pd, Ir, Rh, W, Al, Ta, Mo, Cd, Zn, Fe, Ti, Si, Ge, Zr, Ba 등의 금속 또는 그 합금, 또는 그 금속 질화물을 포함하여 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 4를 참조하면 데이터선(D1, D2)은 표시 영역(DA)에 위치하는 제1-1 및 제2-1 데이터선부(D11, D21), 제2 주변 영역(PA2)에 위치하는 제1-2 및 제2-2 데이터선부(D12, D22)를 포함한다.
제2 주변 영역(PA2)은 제2-1 주변 영역(PA21), 및 표시 영역(DA)과 제2-1 주변 영역(PA21) 사이에 위치하는 제2-2 주변 영역(PA22)을 포함할 수 있다.
제1 데이터선(D1)의 제1-2 데이터선부(D12)는 제2-1 주변 영역(PA21)에 위치한 제1-2-2 데이터선부(D12b), 및 제2-2 주변 영역(PA22)에 위치하고 제1-1 데이터선부(D11)와 제1-2-2 데이터선부(D12b)를 전기적으로 연결하는 제1-2-1 데이터선부(D12a)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1-2-1 데이터선부(D12a)는 제1-1 데이터선부(D11)와 제1-2-2 데이터선부(D12b)를 물리적으로 직접 연결할 수 있다.
또한, 제2 데이터선(D2)의 제2-2 데이터선부(D22)는 제2-2 주변 영역(PA22)에 위치하고, 제2-1 데이터선부(D21)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제2-2 데이터선부(D22)는 제2-1 데이터선부(D21)와 물리적으로 직접 연결될 수 있다.
즉, 제1 데이터선(D1)의 제1-2 데이터선부(D12)는 제1-1 데이터선부(D11)와 동일 물질을 포함하고, 동일 증착 공정을 통해 형성될 수 있고, 제2 데이터선(D2)의 제2-2 데이터선부(D22)는 제2-1 데이터선부(D21)와 동일 물질을 포함하고, 동일 증착 공정을 통해 형성될 수 있다.
제1-2 데이터선부(D12), 및 제2-2 데이터선부(D22)는 각각 제1-1 데이터선부(D11), 및 제1-2 데이터선부(D12)의 단락/단선 여부를 검사하는 검사부일 수 있다.
제1 박막 트랜지스터(Ta)는 제1 기판(100)의 표시 영역(DA) 상에 위치할 수 있다. 제1 박막 트랜지스터(Ta)는 제1 게이트선(Gn)과 연결된 제1 게이트 전극(GEa), 제1 게이트 전극(GEa)과 중첩하고 게이트 절연층(110) 상에 위치하는 제1 액티브 패턴(APa), 제1 데이터선(D1)과 연결되고 제1 액티브 패턴(APa) 상에 위치하며 제1 액티브 패턴(APa)과 중첩하는 제1 소스 전극(SEa), 제1 소스 전극(SEa)과 이격되고, 제1 액티브 패턴(APa) 상에 제1 액티브 패턴(APa)과 중첩하도록 배치된 제1 드레인 전극(DEa)을 포함할 수 있다.
제2 박막 트랜지스터(Tb)는 제1 기판(100)의 표시 영역(DA) 상에 위치할 수 있다. 제2 박막 트랜지스터(Tb)는 제1 게이트선(Gn)과 연결된 제2 게이트 전극(GEb), 제2 게이트 전극(GEb)과 중첩하고 게이트 절연층(110) 상에 위치하는 제2 액티브 패턴(APb), 제2 데이터선(D2)과 연결되고 제2 액티브 패턴(APb) 상에 위치하며 제2 액티브 패턴(APb)과 중첩하는 제2 소스 전극(SEb), 제2 소스 전극(SEb)과 이격되고, 제2 액티브 패턴(APb) 상에 제2 액티브 패턴(APb)과 중첩하도록 배치된 제2 드레인 전극(DEb)을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 게이트 전극(GEa, GEb)은 제1 게이트선(Gn)과 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 소스 전극(SEa, SEb) 및 드레인 전극(DEa, DEb)은 데이터선(D1, D2)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 또한 액티브 패턴(APa, APb)은 비정질 반도체, 미세결정 반도체, 다결정 반도체, 산화물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
패시베이션층(130)은 데이터선(D1, D2), 소스 전극(SEa, SEb), 드레인 전극(DEa, DEb)을 커버하도록 게이트 절연층(110) 상에 위치할 수 있다. 패시베이션층(130)은 제1 기판(100)의 표시 영역(DA) 상부에 위치하는 데이터선(D1, D2)의 데이터선부(D11, D12)뿐만 아니라 제2 주변 영역(PA2) 상부에 위치하는 데이터선부(D21, D22)도 커버할 수 있다. 몇몇 실시예에서 패시베이션층(130)은 무기 절연 물질 예를 들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어질 수 있다. 다른 실시예에서 패시베이션층(130)은 생략될 수도 있다.
절연 패턴(150)은 제1 기판(100)의 표시 영역(DA) 상부에 위치할 수 있으며, 박막 트랜지스터(Ta, Tb)를 커버할 수 있다. 절연 패턴(150)은 어레이 기판(10)을 평탄화시킬 수 있다. 절연 패턴(150)은 패시베이션층(130) 상에 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 절연 패턴(150)은 유기 절연물질로 이루어질 수 있으며, 상기 유기 절연물질은 감광성 유기 조성물로 이루어질 수 있다. 또한 절연 패턴(150)은 색필터일 수 있다. 상기 색필터는 감광성 유기 조성물에 색을 구현하기 위한 안료가 포함된 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 색필터는 감광성 유기 조성물에 적색, 녹색 또는 청색의 안료 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 즉, 상기 색필터는 적색, 녹색 및 청색 컬러 필터 중 어느 하나일 수 있다.
화소 전극(PEa, PEb)은 절연 패턴(150) 상에 위치할 수 있으며, 투명하고 도전성이 있는 물질로 형성될 수 있다. 화소 전극(PEa, PEb)은 절연 패턴(150) 및 패시베이션층(130)을 관통하는 컨택홀(CH1, CH2)을 통해서 각각 드레인 전극(DEa, DEb)과 컨택할 수 있다. 이에 따라, 화소 전극(PEa, PEb)은 박막 트랜지스터(Ta, Tb)와 전기적으로 연결될 수 있다.
절연 패턴(150) 상에는 셀갭 스페이서(CS)가 위치할 수 있다. 셀갭 스페이서(CS)는 어레이 기판(10)과 대향 기판(20) 사이의 간격을 유지해주는 역할을 할 수 있다. 몇몇 실시예에서 셀갭 스페이서(CS)는 제1박막 트랜지스터(Ta)와 적어도 일부가 중첩하도록 배치될 수 있다.
절연 패턴(150), 셀갭 스페이서(CS), 및 화소 전극(PEa, PEb) 상에는 제1 배향막(190)이 위치할 수 있다. 즉, 제1 배향막(190)은 어레이 기판(10)의 전체면에 형성될 수 있다. 제1 배향막(190)에는 일축 배향처리(예컨대, 러빙처리, 광배향처리 등)가 될 수 있다. 제1 배향막(190) 중 셀갭 스페이서(CS) 상부에 위치하는 부분은 적어도 일부가 대향 기판(20)과 접촉할 수 있다.
대향 기판(20)은 어레이 기판(10)과 대향하는 제2 기판(200), 차광 부재(210), 오버 코트층(230), 공통 전극(250) 및 제2 배향막(270)을 포함할 수 있다.
제2 기판(200)은 제1 기판(100)과 마찬가지로 투명 절연 기판일 수 있다. 예를 들면, 제1 기판(100)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등으로 이루어질 수 있다. 또한, 제2 기판(200)은 고내열성을 갖는 고분자를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 기판(200)은 제1 기판(100)과 마찬가지로 가요성을 가질 수도 있다. 즉, 제2 기판(200)은 롤링(rolling), 폴딩(folding), 벤딩(bending) 등으로 형태 변형이 가능한 기판일 수 있다.
차광 부재(210)는 어레이 기판(10)과 마주보는 제2 기판(200)의 일면에 위치할 수 있으며, 제1 게이트선(Gn), 데이터선(D1, D2), 박막 트랜지스터(Ta, Tb) 및 제2 주변 영역(PA2)과 중첩하도록 배치될 수 있다.
오버 코트층(230)은 차광 부재(210) 및 제2 기판(200) 상에 형성되어 대향 기판(20)을 평탄화시킬 수 있다. 몇몇 실시예에서 오버 코트층(230)은 생략될 수도 있다.
공통 전극(250)은 오버 코트층(230) 상에 형성될 수 있다. 공통 전극(250)은 투명하고 도전성이 있는 물질로 형성될 수 있다.
제2 배향막(270)은 공통 전극(250)이 형성된 제2 기판(200) 상부에 형성될 수 있다. 제2 배향막(270)은 어레이 기판(10)을 향하는 대향 기판(20)의 전체면에 형성될 수 있다. 제2 배향막(270)에는 일축 배향처리(예컨대, 러빙처리, 광배향처리 등)가 될 수 있다.
액정층(300)은 어레이 기판(10)과 대향 기판(20) 사이에 개재될 수 있으며, 액정분자들을 포함하는 액정 조성물로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 상기 액정 조성물은 상기 액정분자들 뿐만 아니라 반응성 메조겐(Reactive Mesogen) 폴리머를 더 포함할 수도 있다.
도 4를 참조하면, 제2 데이터선(D2)을 사이에 두고 제3 데이터선(D3)은 제1 데이터선(D1)의 상기 행 방향에 위치하고, 제3 데이터선(D3)을 사이에 두고 제4 데이터선(D4)은 제2 데이터선(D2)의 상기 행 방향에 위치할 수 있다.
제3 데이터선(D3)은 표시 영역(DA)에 위치한 제3-1 데이터선부(D31)와 제2 주변 영역(PA2)에 위치한 제3-2 데이터선부(D32)를 포함하고, 제4 데이터선(D4)은 표시 영역(DA)에 위치한 제4-1 데이터선부(D41)와 제2 주변 영역(PA2)에 위치한 제4-2 데이터선부(D42)를 포함할 수 있다. 제3-2 데이터선부(D32)와 제4-2 데이터선부(D42)는 각각 제3 데이터선(D3), 및 제4 데이터선(D3, D4)의 단락/단선 여부를 검사하는 검사선일 수 있다.
제3-2 데이터선부(D32)는 제2-1 주변 영역(PA21)에 위치한 제3-2-2 데이터선부(D32b), 및 제2-2 주변 영역(PA22)에 위치하고 제3-1 데이터선부(D31)와 제3-2-2 데이터선부(D32b)를 전기적으로 연결하는 제3-2-1 데이터선부(D32a)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제3-2-1 데이터선부(D32a)는 제3-1 데이터선부(D31)와 제3-2-2 데이터선부(D32b)를 물리적으로 직접 연결할 수 있다. 제3-2-1 데이터선부(D32a)는 인접한 제2 데이터선(D2)의 제2-2 데이터선부(D22)와 제4 데이터선(D4)의 제4-2 데이터선부(D24) 사이에 배치될 수 있다.
또한, 제4 데이터선(D4)의 제4-2 데이터선부(D42)는 제2-2 주변 영역(PA22)에 위치하고, 제4-1 데이터선부(D41)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제4-2 데이터선부(D42)는 제4-1 데이터선부(D41)와 물리적으로 직접 연결될 수 있다.
상술한 제3 데이터선(D3)의 형상은 제1 데이터선(D1)의 형상과 실질적으로 동일하고, 제4 데이터선(D4)의 형상은 제2 데이터선(D2)의 형상과 실질적으로 동일한 바 이하 제1 데이터선(D1) 및 제2 데이터선(D2)을 중심으로 설명한다.
제2 데이터선(D2)의 제2-2 데이터선부(D22)는 도 4에 도시된 바와 같이 제2-1 주변 영역(PA21)에 비배치될 수 있다. 즉, 제2 데이터선(D2)의 제2-2 데이터선부(D22)는 인접하고 제2-1 주변 영역(PA21)까지 연장되어 배치된 제1 데이터선(D1) 및 제3 데이터선(D3)의 데이터선부(D12, D32)보다 상기 열 방향의 길이가 짧을 수 있다. 더욱 구체적으로, 제2 데이터선(D2)은 제1 데이터선(D1)의 제1-2-2 데이터선부(D12b), 및 제3 데이터선(D3)의 제3-2-2 데이터선부(D32b) 사이에 비배치되고 상기 행 방향을 따라 비중첩할 수 있다.
이로 인해 후술하는 바와 같이 제2-1 주변 영역(PA21)에 배치된 데이터선들의 이격 거리를 증가시킴으로써 단락/단선 검사시에 센싱 장치의 프로브가 인접한 검사선에 동시에 닿아 인접 검사선의 단락이 발생하는 것을 미연에 방지할 수 있다.
제1 데이터선(D1)의 제1-1 데이터선부(D11) 및 제2 데이터선(D2)의 제2-1 데이터선부(D21)는 상기 행 방향 제1 폭(W1)을 갖고, 제1 데이터선(D1)의 제1-2 데이터선부(D12)는 상기 행 방향을 따라 서로 다른 폭(W2, W3)을 갖는 부분을 포함할 수 있다. 제2 데이터선(D2)의 제2-2 데이터선부(D22)는 상기 행 방향을 따라 제4 폭(W4)을 갖는데, 제4 폭(W4)은 제1 폭(W1)과 동일할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고 제4 폭(W4)은 제1 폭(W1) 대비 작을 수도 있고, 클 수도 있다.
제2-1 주변 영역(PA21)에 위치한 제1-2-2 데이터선부(D12b)는 상기 행 방향을 따라 제3 폭(W3)을 갖고, 제2-2 주변 영역(PA22)에 위치하고 제1-1 데이터선부(D11)와 제1-2-2 데이터선부(D12b)를 전기적으로 연결하는 제1-2-1 데이터선부(D12a)는 상기 행 방향을 따라 제2 폭(W2)을 가질 수 있다. 제1-2-2 데이터선부(D12b)의 상기 행 방향을 따른 제3 폭(W3)은 제1 데이터선부(D11)의 제1-1 데이터선부(D11)의 제1 폭(W1)과 동일할 수 있으나, 이에 제한되지 않고 더 크거나 작을 수도 있다.
도 4에 도시된 바와 같이 제1-2-1 데이터선부(D12a)의 상기 행 방향을 따른 제2 폭(W2)은 제1-2-2 데이터선부(D12b)의 상기 행 방향을 따른 제3 폭(W3)보다 작을 수 있다. 이로 인해 제1-2-1 데이터선부(D12a)의 상기 행 방향을 따른 제2 폭(W2)은 제2 데이터선(D2)의 제2-2 데이터선부(D22)의 상기 행 방향을 따른 제4 폭(W4)보다 작을 수 있다.
이로 인해, 후술하는 바와 같이 제2-2 주변 영역(PA22)에 배치된 데이터선들의 이격 거리를 증가시킴으로써 단락/단선 검사시에 센싱 장치의 프로브가 인접한 검사선에 동시에 닿아 인접 검사선의 단락이 발생하는 것을 미연에 방지할 수 있다.
이하, 상술한 표시 장치의 검사부를 이용하여 표시 장치의 데이터선들의 단락/단선 여부를 검사하는 표시 장치의 검사 방법에 대해 설명한다. 이하의 실시예에서 이미 설명한 실시예와 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조 부호로서 지칭하고, 그 설명을 생략하거나 간략화한다.
도 5는 다른 실시예에 따른 표시 장치의 검사 방법의 순서도이고, 도 6 내지 도 9는 표시 장치의 제조 과정의 공정의 일부를 나타낸 단면도이고, 도 10은 제1 검사 신호를 센싱하는 것을 나타낸 사시도이고, 도 11은 제2 검사 신호를 센싱하는 것을 나타낸 사시도이고, 도 12(a) 내지 도 12(c)는 각각 제1 검사 신호, 제2 검사 신호, 및 제3 검사 신호를 나타낸 도면이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 제1 기판(100) 상에 제1 금속층(도면 미도시)를 형성하고 상기 제1 금속층을 패터닝하여 제1 게이트선(Gn) 및 제1 게이트 전극(GEa)를 형성한다. 제1 게이트 전극(GEa)는 제1 기판(100)의 표시 영역(DA) 상에 형성될 수 있음은 도 3의 설명에서 상술한 바와 같다.
이어서, 도 3, 도 5 및 도 7을 참조하면 제1 게이트선(Gn), 제1 게이트 전극(GEa) 및 제1 기판(100) 상에 게이트 절연층(110)을 형성한다. 몇몇 실시예에서 게이트 절연층(110)은 화학기상증착법 등에 의해 형성될 수 있으며, 게이트 절연층(110)은 제1 기판(100)의 표시 영역(DA) 상부뿐만 아니라 제2 주변 영역(PA2)을 포함한 비표시 영역의 상부에도 형성될 수 있다.
이어서, 도 3, 도 5 및 도 8을 참조하면, 게이트 절연층(110) 상에 액티브층(도면 미도시)을 증착하고 이를 패터닝하여 제1 게이트 전극(GEa)과 중첩하는 제1 액티브 패턴(APa)을 형성한다.
이어서, 도 3, 도 5, 및 도 9를 참조하면, 제1 액티브 패턴(APa)이 형성된 제1 기판(100) 상부에 제2 금속층(도면 미도시)을 형성하고, 상기 제2 금속층을 패터닝하여 제1 데이터선(D1), 제1 소스 전극(SEa), 제1 드레인 전극(DEa)을 형성한다. 이에 따라 제1 기판(100)의 표시 영역(DA) 상에는 제1 게이트 전극(GEa), 제1 액티브 패턴(APa), 제1 소스 전극(SEa) 및 제1 드레인 전극(DEa)을 포함하는 제1 박막 트랜지스터(TA)가 형성된다.
제1 데이터선(D1)은 제1 기판(100)의 표시 영역(DA) 상부에 위치하는 제1-1 데이터선부(D11) 및 제1 기판(100)의 제2 주변 영역(PA2)에 위치하는 제1-2 데이터선부(D12)를 포함할 수 있음은 도 3 및 도 4의 설명에서 상술한 바와 같다.
도 5, 도 10, 및 도 12(a)를 참조하면, 이어서 데이터선(D1, D2)의 단선 또는 단락 여부를 검사하는 검사 과정이 수행될 수 있다. 상기 검사 과정은 도 4에서 설명한 데이터선(D1, D2), 신호 인가 장치(810), 및 신호 센싱 장치(830)를 이용하여 수행될 수 있다.
우선, 신호 인가 장치(810)를 상기 행 방향 따라 이동시키며 데이터 선(D1~D4)들에 제1 전기 신호(IS1)를 인가함과 동시에, 신호 센싱 장치(830)를 상기 행 방향을 따라 이동시키며 제2-1 주변 영역(PA21)의 데이터선(D1, D3)의 제1-2-2 데이터선부(D12b), 및 제3-2-2 데이터선부(D32b)들로부터 제1 검사 신호(OS1)를 센싱한다(S10).
신호 인가 장치(810)는 프로브 핀을 데이터 선(D1~D4)들의 상기 열 방향 상측에 위치한 단부를 접촉시켜 제1 전기 신호(IS1)를 인가할 수 있다. 제1 전기 신호(IS1)는 전압 신호일 수 있다.
신호 인가 장치(810)는 상기 프로브 핀을 도면상 상기 행 방향 좌측의 제1 데이터선(D1)에서부터 제4 데이터선(D4)까지 차례로 긁으며 이동할 수 있다. 신호 인가 장치(810)의 상기 프로브 핀은 상기 행 방향 좌측의 제1 데이터선(D1)에서부터 제4 데이터선(D4)에까지 연속적으로 이동할 수 있다. 신호 인가 장치(810)의 상기 프로브 핀은 각 데이터선(D1~D4)의 단부뿐만 아니라 각 데이터선(D1~D4)의 이격된 공간과도 접촉하며 이동할 수 있다.
이와 동시에 신호 센싱 장치(830)는 프로브 핀을 데이터 선(D1, D3)들의 제2-1 주변 영역(PA21)의 데이터선(D1, D3)의 제1-2-2 데이터선부(D12b), 및 제3-2-2 데이터선부(D32b)와 직접 접촉시켜 제1 검사 신호(OS1)를 센싱할 수 있다. 제1 검사 신호(OS1)는 전류 신호일 수 있다.
신호 인가 장치(810)의 상기 프로브 핀이 도전체인 각 데이터선(D1~D4)의 단부에 접촉할 때는 전류가 흐르고, 신호 인가 장치(810)의 상기 프로브 핀이 실질적으로 비도체인 각 데이터선(D1~D4)의 이격된 공간에 접촉할 때는 전류가 흐르지 않을 수 있다.
즉, 도 12(a)에 도시된 바와 같이 신호 센싱 장치(830)는 신호 인가 장치(810)의 상기 프로브 핀이 도전체인 각 데이터선(D1~D4)의 단부에 접촉할 때는 소정의 크기를 갖는 제1 검사 신호(OS1)를 생성하고, 신호 인가 장치(810)의 상기 프로브 핀이 실질적으로 비도체인 각 데이터선(D1~D4)의 이격된 공간에 접촉할 때는 실질적으로 0의 크기를 갖는 제1 검사 신호(OS1)를 생성할 수 있다.
이어서, 신호 인가 장치(810)를 상기 행 방향 따라 이동시키며 데이터 선(D1~D4)들에 제2 전기 신호(IS2)를 인가함과 동시에, 신호 센싱 장치(830)를 상기 행 방향을 따라 이동시키며 제2-2 주변 영역(PA22)의 데이터선(D1~D4)의 제1-2-1 데이터선부(D12a), 제2-2 데이터선부(D22), 제3-2-1 데이터선부(D32a), 및 제4-2 데이터선부(D42)들로부터 제2 검사 신호(OS2)를 센싱한다(S20). 제2 전기 신호(IS2)는 제1 전기 신호(IS1)와 동일한 크기의 전압 신호일 수 있다.
신호 인가 장치(810)는 상기 프로브 핀을 도면상 상기 행 방향 좌측의 제1 데이터선(D1)에서부터 제4 데이터선(D4)까지 차례로 긁으며 이동할 수 있다. 신호 인가 장치(810)의 상기 프로브 핀은 상기 행 방향 좌측의 제1 데이터선(D1)에서부터 제4 데이터선(D4)에까지 연속적으로 이동할 수 있다. 신호 인가 장치(810)의 상기 프로브 핀은 각 데이터선(D1~D4)의 단부뿐만 아니라 각 데이터선(D1~D4)의 이격된 공간과도 접촉하며 이동할 수 있다.
이와 동시에 신호 센싱 장치(830)는 프로브 핀을 데이터선(D1~D4)의 제1-2-1 데이터선부(D12a), 제2-2 데이터선부(D22), 제3-2-1 데이터선부(D32a), 및 제4-2 데이터선부(D42)와 직접 접촉시켜 제2 검사 신호(OS2)를 센싱할 수 있다. 제2 검사 신호(OS2)는 전류 신호일 수 있다.
신호 인가 장치(810)의 상기 프로브 핀이 도전체인 각 데이터선(D1~D4)의 단부에 접촉할 때는 전류가 흐르고, 신호 인가 장치(810)의 상기 프로브 핀이 실질적으로 비도체인 각 데이터선(D1~D4)의 이격된 공간에 접촉할 때는 전류가 흐르지 않을 수 있다.
즉, 도 12(b)에 도시된 바와 같이 신호 센싱 장치(830)는 신호 인가 장치(810)의 상기 프로브 핀이 도전체인 각 데이터선(D1~D4)의 단부에 접촉할 때는 소정의 크기를 갖는 제2 검사 신호(OS2)를 생성하고, 신호 인가 장치(810)의 상기 프로브 핀이 실질적으로 비도체인 각 데이터선(D1~D4)의 이격된 공간에 접촉할 때는 실질적으로 0의 크기를 갖는 제2 검사 신호(OS2)를 생성할 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이 제1 데이터선(D1)의 제1-2-1 데이터선부(D12a), 및 제3 데이터선(D3)의 제3-2-1 데이터선부(D32a)의 상기 행 방향 폭은 제2 데이터선(D2)의 제2-2 데이터선부(D22), 및 제4 데이터선(D4)의 제4-2 데이터선부(D42)의 상기 행 방향 폭보다 작을 수 있다.
이로 인해, 도 12(b)에 도시된 바와 같이 신호 센싱 장치(830)의 상기 프로브 핀이 제1 데이터선(D1)의 제1-2-1 데이터선부(D12a), 및 제3 데이터선(D3)의 제3-2-1 데이터선부(D32a)에서 센싱한 제2-1 검사 신호(OS21)의 펄스들의 형상은 신호 센싱 장치(830)의 상기 프로브 핀이 제2 데이터선(D2)의 제2-2 데이터선부(D22), 및 제4 데이터선(D4)의 제4-2 데이터선부(D42)에서 센싱한 제2-2 검사 신호(OS22)의 펄스들의 형상과 상이할 수 있다.
제2-1 검사 신호(OS21)의 펄스 형상 및 제2-2 검사 신호(OS22)의 펄스 형상은 펄스 진폭이 서로 동일할 수 있다.
제1 데이터선(D1)의 제1-2-1 데이터선부(D12a), 및 제3 데이터선(D3)의 제3-2-1 데이터선부(D32a)의 상기 행 방향 폭이 제2 데이터선(D2)의 제2-2 데이터선부(D22), 및 제4 데이터선(D4)의 제4-2 데이터선부(D42)의 상기 행 방향 폭보다 작기 때문에 제2-1 검사 신호(OS21)의 펄스 형상은 세로축으로 갈수록 폭이 작아지는 경향을 보이는 반면, 제2-1 검사 신호(OS21)의 펄스 형상은 세로축으로 가더라도 거의 일정한 폭을 갖는 것을 알 수 있다.
또한, 도 12(a), 및 도 12(b)에 도시된 바와 같이, 제2 검사 신호(OS2)의 펄스들의 개수는 제1 검사 신호(OS1)의 펄스들의 개수보다 많다.
제2-1 검사 신호(OS21)의 펄스 형상은 노이즈(noise)로 인식될 수 있다.
이어서, 도 5 및 도 12(b)를 참조하면 신호 센싱 장치(830)로부터의 제2 검사 신호(OS2)의 제2-2 검사 신호(OS21)를 필터링한다(S30).
이어서, 도 5 및 도 12(c)를 참조하면 필터링된 제2 검사 신호(OS2)와 제1 검사 신호(OS1)를 이용하여 데이터선들의 단락 또는 단선을 판단한다(S40). 즉, 제1 검사 신호(OS1)와 필터링된 제2 검사 신호(OS2)를 합하여 제3 검사 신호(OS3)를 생성하여 데이터선들의 단락 또는 단선을 판단할 수 있다.
본 실시예의 경우에 도 4를 참조하면 상술한 바와 같이 제2 데이터선(D2)의 제2-2 데이터선부(D22)가 제2-1 주변 영역(PA21)에 비배치된 데이터선 즉, 제2-1 주변 영역(PA21)에 배치된 데이터선들의 이격 거리를 증가된 표시 장치를 이용하여 제1 데이터선(D1)의 제1-2-1 데이터선부(D12a), 및 제3 데이터선(D3)의 제3-2-1 데이터선부(D32a)에서 제1 검사 신호(OS1)를 센싱함으로써 신호 센싱 장치(830)의 프로브 핀이 인접한 검사선에 동시에 닿아 인접 검사선의 단락으로 인해 제1 검사 신호(OS1)의 노이징을 방지할 수 있다.
나아가, 상술한 바와 같이 제1 데이터선(D1)의 제1-2-1 데이터선부(D12a)의 상기 행 방향을 따른 폭이 제2 데이터선(D2)의 제2-2 데이터선부(D22)의 상기 행 방향을 따른 폭보다 작음으로써 제2-2 주변 영역(PA22)에 배치된 데이터선들의 이격 거리가 증가된 표시 장치를 이용하여 데이터선(D1~D4)의 제1-2-1 데이터선부(D12a), 제2-2 데이터선부(D22), 제3-2-1 데이터선부(D32a), 및 제4-2 데이터선부(D42)에서 제2 검사 신호(OS2)를 센싱함으로써 신호 센싱 장치(830)의 프로브 핀이 인접한 검사선에 동시에 닿아 인접 검사선의 단락으로 인해 제2 검사 신호(OS2)의 노이징을 방지할 수 있다.
즉, 일 실시예에 따른 표시 장치를 이용함으로써 제1 및 제2 검사 신호(OS1, OS2)의 노이징을 각각 방지하거나 적어도 줄여 데이터선들의 단락 또는 단선 검사의 신뢰도를 높일 수 있다.
이하, 상술한 표시 장치의 다른 실시예들에 대해 설명한다. 이하의 실시예에서 이미 설명한 실시예와 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조 부호로서 지칭하고, 그 설명을 생략하거나 간략화한다.
도 13은 다른 실시예에 따른 제1 및 제2 검사 영역들을 확대한 평면도이고, 도 14(a) 내지 도 14(c)는 각각 다른 실시예에 따른 제1 검사 신호, 제2 검사 신호, 및 제3 검사 신호를 나타낸 도면이다.
도 13 및 도 14(a) 내지 도 14(c)를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2)는 제2 데이터선(D2_1) 및 제4 데이터선(D4_1)이 제2-1 주변 영역(PA21)에까지 연장되어 있다는 점에서 일 실시예에 따른 표시 장치(1)와 상이하다.
더욱 구체적으로 설명하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2)의 제2 데이터선(D2_1) 및 제4 데이터선(D4_1)은 제2-1 주변 영역(PA21)에까지 연장될 수 있다. 즉, 제2 데이터선(D2_1)은 제2-1 주변 영역(PA21)에 배치된 제2-3 데이터선부(D23)를 더 포함하고, 제4 데이터선(D4_1)은 제2-1 주변 영역(PA21)에 배치된 제4-3 데이터선부(D43)를 더 포함할 수 있다.
제2 데이터선(D2_1)의 제2-3 데이터선부(D23)는 인접한 제1 데이터선(D1)의 제1-2-2 데이터선부(D12b), 및 제3 데이터선(D3)의 제3-2-2 데이터선부(D32b) 사이에 배치되고, 제3 데이터선(D3)의 제3-2-2 데이터선부(D32b)는 제2-3 데이터선부(D23), 및 제4-3 데이터선부(D43) 사이에 배치될 수 있다.
제2 데이터선(D2_1)의 제2-3 데이터선부(D23), 및 제4 데이터선(D4_1)의 제4-3 데이터선부(D43)는 실질적으로 동일한 형상인 바, 제2 데이터선(D2_1)의 제2-3 데이터선부(D43)를 중심으로 설명한다.
제2-3 데이터선부(D23)는 상기 행 방향을 따라 제6 폭(W6)을 가질 수 있다. 제2-3 데이터선부(D23)의 제6 폭(W6)은 제2 데이터선(D2_1)의 제2-2 데이터선부(D22)의 상기 행 방향을 따른 제4 폭(W4)보다 작을 수 있고, 제1 데이터선(D1)의 제1-2-2 데이터선부(D12b)의 상기 행 방향을 따른 제3 폭(W3)보다 작을 수 있다.
본 실시예의 경우 제2 데이터선(D2_1)의 제2-3 데이터선부(D23)의 상기 행 방향을 따른 폭이 인접한 제1 데이터선(D1)의 제1-2-2 데이터선부(D12b) 및 제3 데이터선(D3)의 제3-2-2 데이터선부(D32b)의 상기 행 방향을 따른 폭보다 작음으로써 제2-2 주변 영역(PA22)에 배치된 데이터선들의 이격 거리가 증가될 수 있다. 즉 이를 통해 후술하는 제1 검사 신호(OS1_1) 센싱시에 신호 센싱 장치(830)의 프로브 핀이 인접한 검사선에 동시에 닿아 인접 검사선의 단락으로 인해 제1 검사 신호(OS1)의 노이징을 방지할 수 있다.
표시 장치(2)의 제2-1 주변 영역(PA1)에서 제2 데이터선(D2_1), 및 제4 데이터선(D4_1)이 연장되어 배치됨으로써 제1 검사 신호(OS1_1)의 펄스들의 형상이 상이할 수 있다.
제2-3 데이터선부(D23), 및 제4-3 데이터선부(D43)의 상기 행 방향을 따른 폭이 제1 데이터선(D1)의 제1-2-2 데이터선부(D12b), 및 제3 데이터선(D3)의 제3-2-2 데이터선부(D32b)의 상기 행 방향을 따른 폭보다 작음으로써 제1 검사 신호(OS1_1)는 제2-3 데이터선부(D23), 및 제4-3 데이터선부(D43)에서와 제1-2-2 데이터선부(D12b), 및 제3 데이터선(D3)의 제3-2-2 데이터선부(D32b)에서가 서로 다를 수 있다.
즉, 도 14(a)를 참조하면, 제1 검사 신호(OS1_1)는 제2-3 데이터선부(D23), 및 제4-3 데이터선부(D43)에 대응하는 제1-1 검사 신호(OS11)와 제1-2-2 데이터선부(D12b), 및 제3 제3-2-2 데이터선부(D32b)에 대응하는 제1-2 검사 신호(OS12)를 포함할 수 있다. 제1-1 검사 신호(OS11)와 제1-2 검사 신호(OS12)의 펄스 형상은 서로 상이할 수 있다.
제1-1 검사 신호(OS11)의 펄스 형상 및 제1-2 검사 신호(OS12)의 펄스 형상은 펄스 진폭이 서로 동일할 수 있다.
즉, 제1 데이터선(D1)의 제1-2-2 데이터선부(D12b), 및 제3 데이터선(D3)의 제3-2-2 데이터선부(D32b)의 상기 행 방향 폭이 제2 데이터선(D2_1)의 제2-3 데이터선부(D23), 및 제4 데이터선(D4_1)의 제4-3 데이터선부(D42)의 상기 행 방향 폭보다 크기 때문에 제1-2 검사 신호(OS12)의 펄스 형상은 세로축으로 갈수록 폭이 작아지는 경향을 보이는 반면, 제1-1 검사 신호(OS11)의 펄스 형상은 세로축으로 가더라도 거의 일정한 폭을 갖는 것을 알 수 있다.
또한, 도 14(a), 및 도 14(b)에 도시된 바와 같이, 제1 검사 신호(OS1_1)의 펄스들의 개수는 제2 검사 신호(OS2)의 펄스들의 개수와 동일할 수 있다.
제1-2 검사 신호(OS12)의 펄스 형상은 제2-1 검사 신호(OS21)와 마찬가지로 노이즈(noise)로 인식될 수 있다. 따라서, 신호 센싱 장치(830)로부터의 제1 검사 신호(OS1_1)의 제1-2 검사 신호(OS12)를 필터링할 수 있다.
도 14(c)를 참조하면, 필터링된 제1 검사 신호(OS1_1)와 필터링된 제2 검사 신호(OS2)를 이용하여 데이터선들의 단락 또는 단선을 판단한다. 즉, 필터링된 제1 검사 신호(OS1_1)와 필터링된 제2 검사 신호(OS2)를 합하여 제3 검사 신호(OS3)를 생성하여 데이터선들의 단락 또는 단선을 판단할 수 있다.
도 15는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면 배치도이고, 도 16은 또 다른 실시예에 따른 제3 및 제4 검사 영역들을 확대한 평면도이다.
도 15 및 도 16을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(3)는 게이트선(G1~Gn)이 검사선들을 포함한다는 점에서 일 실시예에 따른 표시 장치(1)와 상이하다.
더욱 구체적으로 설명하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(3)의 게이트선(G1~Gn)들은 검사선들을 포함할 수 있다.
도 15를 참조하면, 비표시 영역(NA)은 표시 영역(DA)의 상기 행 방향 우측에 위치한 제3 주변 영역(PA3)을 더 포함할 수 있다. 제3 주변 영역(PA3)은 게이트 구동부(700)와 표시 영역(DA)을 사이에 두고 반대에 위치할 수 있다. 게이트선(G1~Gn)들은 제3 주변 영역(PA3)으로 연장되고, 제3 주변 영역(PA3)에 위치하는 게이트선(G1~Gn)들은 게이트 검사선들을 포함할 수 있다. 상기 게이트 검사선들은 각각 전기적으로 연결된 게이트선(G1~Gn)의 단락/단선 여부를 판단하는 검사선일 수 있다.
게이트선(G1, G2)은 표시 영역(DA)에 위치하는 제1-1 및 제2-1 게이트선 부(G11, G21), 제3 주변 영역(PA3)에 위치하는 제1-2 및 제2-2 게이트선부(G12, G22)를 포함한다.
제3 주변 영역(PA3)은 제3-1 주변 영역(PA31), 및 표시 영역(DA)과 제3-1 주변 영역(PA31) 사이에 위치하는 제3-2 주변 영역(PA32)을 포함할 수 있다.
제1 게이트선(G1)의 제1-2 게이트선부(G12)는 제3-1 주변 영역(PA31)에 위치한 제1-2-2 게이트선부(G12b), 및 제3-2 주변 영역(PA32)에 위치하고 제1-1 게이트선부(G11)와 제1-2-2 게이트선부(G12b)를 전기적으로 연결하는 제1-2-1 게이트선부(G12a)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1-2-1 게이트선부(G12a)는 제1-1 게이트선부(G11)와 제1-2-2 게이트선부(G12b)를 물리적으로 직접 연결할 수 있다.
또한, 제2 게이트선(G2)의 제2-2 게이트선부(G22)는 제3-2 주변 영역(PA32)에 위치하고, 제2-1 게이트선부(G21)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제2-2 게이트선부(G22)는 제2-1 게이트선부(G21)와 물리적으로 직접 연결될 수 있다.
즉, 제1 게이트선(G1)의 제1-2 게이트선부(G12)는 제1-1 게이트선부(G11)와 동일 물질을 포함하고, 동일 증착 공정을 통해 형성될 수 있고, 제2 게이트선(G2)의 제2-2 게이트선부(G22)는 제2-1 게이트선부(G21)와 동일 물질을 포함하고, 동일 증착 공정을 통해 형성될 수 있다.
제1-2 게이트선부(G12), 및 제2-2 게이트선부(G22)는 각각 제1-1 게이트선부(G11), 및 제1-2 게이트선부(G12)의 단락/단선 여부를 검사하는 검사부일 수 있다.
제2 게이트선(G2)을 사이에 두고 제3 게이트선(G3)은 제1 게이트선(G1)의 상기 열 방향에 위치하고, 제3 게이트선(G3)을 사이에 두고 제4 게이트선(G4)은 제2 게이트선(G2)의 상기 열 방향에 위치할 수 있다.
제3 게이트선(G3)은 표시 영역(DA)에 위치한 제3-1 게이트선부(G31)와 제3 주변 영역(PA3)에 위치한 제3-2 게이트선부(G32)를 포함하고, 제4 게이트선(G4)은 표시 영역(DA)에 위치한 제4-1 게이트선부(G41)와 제3 주변 영역(PA3)에 위치한 제4-2 게이트선부(G42)를 포함할 수 있다. 제3-2 게이트선부(G32)와 제4-2 게이트선부(G42)는 각각 제3 게이트선(G3), 및 제4 게이트선(G3, G4)의 단락/단선 여부를 검사하는 검사선일 수 있다.
제3-2 게이트선부(G32)는 제3-1 주변 영역(PA31)에 위치한 제3-2-2 게이트선부(G32b), 및 제3-2 주변 영역(PA32)에 위치하고 제3-1 게이트선부(G31)와 제3-2-2 게이트선부(G32b)를 전기적으로 연결하는 제3-2-1 게이트선부(G32a)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제3-2-1 게이트선부(G32a)는 제3-1 게이트선부(G31)와 제3-2-2 게이트선부(G32b)를 물리적으로 직접 연결할 수 있다. 제3-2-1 게이트선부(G32a)는 인접한 제2 게이트선(G2)의 제2-2 게이트선부(G22)와 제4 게이트선(G4)의 제4-2 게이트선부(G24) 사이에 배치될 수 있다.
또한, 제4 게이트선(G4)의 제4-2 게이트선부(G42)는 제3-2 주변 영역(PA22)에 위치하고, 제4-1 게이트선부(G41)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제4-2 게이트선부(G42)는 제4-1 게이트선부(G41)와 물리적으로 직접 연결될 수 있다.
상술한 제3 게이트선(G3)의 형상은 제1 게이트선(G1)의 형상과 실질적으로 동일하고, 제4 게이트선(G4)의 형상은 제2 게이트선(G2)의 형상과 실질적으로 동일한 바 이하 제1 게이트선(G1) 및 제2 게이트선(G2)을 중심으로 설명한다.
제2 게이트선(G2)의 제2-2 게이트선부(G22)는 도 16에 도시된 바와 같이 제3-1 주변 영역(PA31)에 비배치될 수 있다. 즉, 제2 게이트선(G2)의 제2-2 게이트선부(G22)는 인접하고 제3-1 주변 영역(PA31)까지 연장되어 배치된 제1 게이트선(G1) 및 제3 게이트선(G3)의 게이트선부(G12, G32)보다 상기 행 방향의 길이가 짧을 수 있다. 더욱 구체적으로, 제2 게이트선(G2)은 제1 게이트선(G1)의 제1-2-2 게이트선부(G12b), 및 제3 게이트선(G3)의 제3-2-2 게이트선부(G32b) 사이에 비배치되고 상기 열 방향을 따라 비중첩할 수 있다.
이로 인해 후술하는 바와 같이 제3-1 주변 영역(PA31)에 배치된 게이트선들의 이격 거리를 증가시킴으로써 단락/단선 검사시에 센싱 장치의 프로브가 인접한 검사선에 동시에 닿아 인접 검사선의 단락이 발생하는 것을 미연에 방지할 수 있다.
제1 게이트선(G1)의 제1-2 게이트선부(G12)는 상기 열 방향을 따라 서로 다른 폭(W7, W8)을 갖는 부분을 포함할 수 있다. 제2 게이트선(G2)의 제2-2 게이트선부(G22)는 상기 열 방향을 따라 제9 폭(W9)을 가질 수 있다. 제3-1 주변 영역(PA31)에 위치한 제1-2-2 게이트선부(G12b)는 상기 열 방향을 따라 제8 폭(W8)을 갖고, 제3-2 주변 영역(PA32)에 위치하고 제1-1 게이트선부(G11)와 제1-2-2 게이트선부(G12b)를 전기적으로 연결하는 제1-2-1 게이트선부(G12a)는 상기 열 방향을 따라 제7 폭(W7)을 가질 수 있다.
도 16에 도시된 바와 같이 제1-2-1 게이트선부(G12a)의 상기 열 방향을 따른 제7 폭(W7)은 제1-2-2 게이트선부(G12b)의 상기 열 방향을 따른 제8 폭(W8)보다 작을 수 있다. 이로 인해 제1-2-1 게이트선부(G12a)의 상기 열 방향을 따른 제7 폭(W7)은 제2 게이트선(G2)의 제2-2 게이트선부(G22)의 상기 열 방향을 따른 제9 폭(W9)보다 작을 수 있다.
이로 인해, 제3-2 주변 영역(PA32)에 배치된 게이트선들의 이격 거리를 증가시킴으로써 단락/단선 검사시에 센싱 장치의 프로브가 인접한 검사선에 동시에 닿아 인접 검사선의 단락이 발생하는 것을 미연에 방지할 수 있다.
도 17은 또 다른 실시예에 따른 제1 및 제2 검사 영역들을 확대한 평면도이다.
도 17을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(4)는 데이터선(D1_1~D4_1)들이 위치 검사선부(D13, D23, D33, D43)를 더 포함한다는 점에서 일 실시예에 따른 표시 장치(1)와 상이하다.
더욱 구체적으로 설명하면, 본 실시예에 따른 데이터선(D1_1~D4_1)들은 데이터선부(D11~D41)와 데이터선부(D12~D42) 사이에 위치하는 위치 검사선부(D13~D43)를 더 포함할 수 있다. 위치 검사선부(D13~D43)는 도 5에서 상술한 단선이 확인된 데이터선에서 단선 위치를 판단하는 패드부일 수 있다.
즉, 도시되지 않았지만, 단선이 확인된 데이터선의 위치 검사선부(D13~D43)에 위치 검사 장치의 프로브 핀을 접촉시키고, 상기 단선이 확인된 데이터선의 위치 검사선부(D13~D43)의 상기 열 방향 상측에 신호 인가 장치(예컨대, 도 10의 신호 인가 장치(810))의 프로브 핀을 접촉시킬 수 있다.
상기 신호 인가 장치의 상기 프로브 핀은 위치 검사선부(D13~D43)의 상기 열 방향 상측 방향으로 이동하면서 상기 단선이 확인된 데이터선의 단부에 전기 신호를 인가할 수 있다. 상기 위치 검사 장치는 위치 검사선부(D13~D43)와 단선 위치보다 상기 열 방향 하측에 위치한 영역에서는 상기 신호 인가 장치의 상기 전기 신호를 인가받을 수 있지만, 상기 단선 위치보다 상기 열 방향 상측에 위치한 영역에서는 상기 신호 인가 장치의 상기 전기 신호를 인가받을 수 없어, 단선 위치를 검사할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (20)

  1. 표시 영역, 및 상기 표시 영역의 열 방향 일측에 위치한 주변 영역을 포함하는 표시 기판;
    상기 표시 기판의 표시 영역 상에 위치하는 복수의 게이트선;
    상기 게이트선과 절연되어 교차하고 상기 표시 영역, 및 상기 주변 영역 상에 위치하며 상기 열 방향에 교차하는 행 방향을 따라 이격되어 배열된 복수의 데이터선; 및
    상기 주변 영역은 상기 데이터선과 전기적으로 연결되고 상기 행 방향을 따라 이격되어 배열된 복수의 검사선을 포함하고,
    상기 주변 영역은 제1 주변 영역, 및 상기 표시 영역과 상기 제1 주변 영역 사이에 위치한 제2 주변 영역을 포함하고,
    상기 복수의 검사선은 상기 제1 주변 영역 상에 배치된 제1-1 검사부, 및 상기 제2 주변 영역 상에 배치된 제1-2 검사부를 포함하는 제1 검사선, 및 상기 제2 주변 영역 상에 배치된 제2-1 검사부를 포함하는 제2 검사선을 포함하되,
    상기 제1 검사선의 상기 제1-1 검사부의 상기 행 방향 폭은 상기 제1 검사선의 상기 제1-2 검사부의 상기 행 방향 폭보다 큰 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 검사선의 상기 행 방향 폭은 상기 제1 검사선의 상기 제1-2 검사부의 상기 행 방향 폭보다 큰 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 복수의 검사선은 상기 제2 검사선을 사이에 두고 상기 제1 검사선과 이격되어 배치된 제3 검사선을 더 포함하고, 상기 제3 검사선은 상기 제1 주변 영역 상에 배치된 제3-1 검사부, 및 상기 제2 주변 영역 상에 배치된 제3-2 검사부를 포함하는 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제3 검사선의 상기 제3-1 검사부의 상기 행 방향 폭은 상기 제3 검사선의 상기 제3-2 검사부의 상기 행 방향 폭보다 크고, 상기 제2 검사선의 상기 행 방향 폭은 상기 제3 검사선의 상기 제3-2 검사부의 상기 행 방향 폭보다 큰 표시 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 복수의 검사선은 상기 제3 검사선을 사이에 두고 상기 제2 검사선과 이격되어 배치된 제4 검사선을 더 포함하고, 상기 제4 검사선은 상기 제2 주변 영역 상에 배치된 제4-1 검사부를 포함하는 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제4 검사선의 상기 행 방향 폭은 상기 제3 검사선의 상기 제3-2 검사부의 상기 행 방향 폭보다 큰 표시 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1 검사선과 상기 제3 검사선은 상기 제2 검사선, 및 상기 제4 검사선보다 상기 열 방향으로 더 확장된 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제2 검사선의 상기 제2-1 검사부는 상기 제1 검사선의 상기 제1-2 검사부, 및 상기 제3 검사선의 상기 제3-2 검사부 사이에 위치하고, 상기 제1 검사선의 상기 제1-1 검사부, 및 상기 제3 검사선의 상기 제3-1 검사부와 상기 행 방향으로 비중첩하는 표시 장치.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 제2 검사선은 상기 제1 주변 영역 상에 배치된 제2-2 검사부를 더 포함하고, 상기 제2 검사선의 상기 제2-1 검사부의 상기 행 방향 폭은 상기 제2 검사선의 상기 제2-2 검사부의 상기 행 방향 폭보다 더 큰 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제2 검사선의 상기 제2-2 검사부는 상기 제1 검사선의 상기 제1-1 검사부, 및 상기 제3 검사선의 상기 제3-1 검사부 사이에 위치하는 표시 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 검사선은 상기 데이터선과 동일층에 배치되고, 동일 공정을 통해 형성되도록 구성된 표시 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    인쇄 회로 기판이 부착된 패드 영역을 더 포함하고, 상기 패드 영역은 상기 표시 영역을 사이에 두고 상기 주변 영역의 반대에 위치하는 표시 장치.
  13. 표시 영역, 및 상기 표시 영역의 행 방향 일측에 위치한 주변 영역을 포함하는 표시 기판;
    상기 표시 기판의 표시 영역 상에 위치하는 복수의 데이터선;
    상기 데이터선과 절연되어 교차하고 상기 표시 영역, 및 상기 주변 영역 상에 위치하며 상기 행 방향에 교차하는 열 방향을 따라 이격되어 배열된 복수의 게이트선; 및
    상기 주변 영역은 상기 게이트선과 전기적으로 연결되고 상기 열 방향을 따라 이격되어 배열된 복수의 게이트 검사선을 포함하고,
    상기 주변 영역은 제1 주변 영역, 및 상기 표시 영역과 상기 제1 주변 영역 사이에 위치한 제2 주변 영역을 포함하고,
    상기 복수의 게이트 검사선은 상기 제1 주변 영역 상에 배치된 제1-1 검사부, 및 상기 제2 주변 영역 상에 배치된 제1-2 검사부를 포함하는 제1 게이트 검사선, 및 상기 제2 주변 영역 상에 배치된 제2-1 검사부를 포함하는 제2 게이트 검사선을 포함하되,
    상기 제1 게이트 검사선의 상기 제1-1 검사부의 상기 열 방향 폭은 상기 제1 게이트 검사선의 상기 제1-2 검사부의 상기 열 방향 폭보다 큰 표시 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제2 게이트 검사선의 상기 열 방향 폭은 상기 제1 게이트 검사선의 상기 제1-2 검사부의 상기 열 방향 폭보다 크고, 상기 제2 게이트 검사선들은 각각 인접한 상기 제1 게이트 검사선 사이에 배치되는 표시 장치.
  15. 신호 인가 장치를 일 방향을 따라 이동시키며 데이터선들에 제1 전기 신호를 인가함과 동시에, 신호 센싱 장치를 상기 일 방향을 따라 이동시키며 제1 주변 영역의 제1 검사선들로부터 제1 검사 신호를 센싱하는 단계;
    상기 신호 인가 장치를 상기 일 방향을 따라 이동시키며 상기 데이터선들에 제2 전기 신호를 인가함과 동시에, 상기 신호 센싱 장치를 상기 일 방향을 따라 이동시키며 제2 주변 영역의 제2 검사선들로부터 제2 검사 신호를 센싱하는 단계;
    상기 신호 센싱 장치로부터의 상기 제2 검사 신호를 필터링하는 단계; 및
    상기 필터링된 제2 검사 신호와 상기 제1 검사 신호를 이용하여 상기 데이터 라인들의 단락 또는 단선을 판단하는 단계를 포함하는 표시 장치의 검사 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 복수의 검사선들은 표시 영역에 배치된 상기 데이터선과 전기적으로 연결되고, 상기 제2 주변 영역은 상기 표시 영역과 상기 제1 주변 영역 사이에 위치하는 표시 장치의 검사 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 복수의 검사선은 상기 제1 주변 영역 상에 배치된 제1-1 검사부, 및 상기 제2 주변 영역 상에 배치된 제1-2 검사부를 포함하는 제1 검사선, 및 상기 제2 주변 영역 상에 배치된 제2-1 검사부를 포함하는 제2 검사선을 포함하되, 상기 제1 검사선의 상기 제1-1 검사부의 상기 일 방향 폭은 상기 제1 검사선의 상기 제1-2 검사부의 상기 일 방향 폭보다 큰 표시 장치의 검사 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제2 검사선들은 각각 인접한 상기 제1 검사선 사이에 배치되는 표시 장치의 검사 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제1 검사선의 상기 제1-2 검사부를 통해 상기 센싱된 제2 검사 신호의 펄스의 평균 폭은 상기 제1 검사선의 상기 제1-1 검사부를 통해 상기 센싱된 제1 검사 신호의 펄스의 평균 폭보다 작은 표시 장치의 검사 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제2 검사선의 상기 제2-1 검사부를 통해 상기 센싱된 제2 검사 신호의 펄스의 평균 폭은 상기 제1 검사선의 상기 제1-2 검사부를 통해 상기 센싱된 제2 검사 신호의 펄스의 평균 폭보다 작은 표시 장치의 검사 방법.
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