TW202022506A - 圖案描繪裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明之圖案描繪裝置及圖案描繪方法,穩定地維持描繪超詳細圖案所需之掃描線的配置精度或光學性能。圖案描繪裝置(EX),使基板(P)上所聚光之光點(SP)沿著描繪線(SL)進行主掃描,並且使基板(P)進行副掃描,藉此於基板(P)上描繪既定圖案;該圖案描繪裝置(EX)使由多面鏡(PM)反射之第1光束(LBa)聚光並作為光點(SPa)而投射至第1描繪線(SLa)上,並且使由多面鏡(PM)反射之第2光束(LBb)聚光並作為光點(SPb)而投射至第2描繪線(SLb)上。上述兩條描繪線(SLa、SLb)於基板(P)上位於副掃描方向上之相同位置,且於主掃描方向上錯開。
Description
本發明係關於一種掃描照射至被照射體上之光束的光點以描繪圖案之圖案描繪裝置及圖案描繪方法。
如日本特開2004-117865號公報所揭示,已知有如下技術:於藉由雷射光束之掃描而於感光體上描繪圖像之雷射掃描裝置(彩色雷射列印機)中,使用一個多面鏡掃描複數條雷射光束的各者,沿著複數條掃描線描繪圖像。
日本特開2004-117865號公報中,揭示有如下串接型雷射掃描裝置,該串接型雷射掃描裝置係於被照射體之移動方向即副掃描方向上隔開地平行配置掃描線,該掃描線由利用一個多面鏡的不同反射面的各者而偏向掃描之複數條雷射光束生成。對於日本特開2004-117865號公報所揭示之雷射掃描裝置而言,被照射體(感光鼓等)上所能描繪出之圖像的掃描線方向(主掃描方向)最大尺寸,係由一條掃描線的長度決定。因此,為了增大所能描繪出之圖像的主掃描方向尺寸,需要以使掃描線變更長之方式,增大多面鏡之後的掃描光學系統(透鏡或面鏡等)。另一方面,對於利用光點之掃描而描繪最小線寬為數μm~20 μm左右之電子電路用的高精細圖案且使其曝光之曝光裝置而言,需要使光點的尺寸(直徑)為最小線寬的數分之一(1/2~1/4)左右,並且需要與掃描線上的光點的投射位置同步且高精度及高速地控制與描繪圖案的資料相對應之光點的強度調變。然而,若使藉由透過多面鏡之光束偏向掃描而生成之一條掃描線變長,則隨著多面鏡之後的掃描光學系統等之大型化,難以穩定地維持描繪高精細圖案時所需之掃描線的配置精度或光學性能。
本發明之第1態樣係一種圖案描繪裝置,使來自光源裝置之光束呈點狀地聚光於被照射體上,使聚光後之光點沿著既定之掃描線進行主掃描,並且對上述被照射體進行副掃描,藉此在上述被照射體上描繪既定圖案,其具備:旋轉多面鏡,為了上述主掃描而繞旋轉軸旋轉;第1導光光學系統,從第1方向朝上述旋轉多面鏡投射來自上述光源裝置之第1光束;第2導光光學系統,從與上述第1方向不同之第2方向朝上述旋轉多面鏡投射來自上述光源裝置之第2光束;第1投射光學系統,使由上述旋轉多面鏡反射之上述第1光束聚光並作為第1光點而投射至第1掃描線上;以及第2投射光學系統,使由上述旋轉多面鏡反射之上述第2光束聚光並作為第2光點而投射至第2掃描線上;以使上述第1掃描線與上述第2掃描線於上述被照射體上位於上述副掃描方向上之相同位置且在上述主掃描方向上錯開之方式,配置上述第1投射光學系統與上述第2投射光學系統。
本發明之第2態樣係一種圖案描繪裝置,對可撓性之長條之片材基板即被照射體沿著長邊方向進行副掃描、且使基於描繪資料而強度調變之光點沿著於與上述被照射體之長邊方向正交之寬度方向延伸之掃描線進行主掃描,藉此在上述被照射體上描繪與上述描繪資料相對應之圖案,其具備:旋轉多面鏡,為了上述主掃描而繞旋轉軸旋轉;第1導光光學系統,從第1方向朝上述旋轉多面鏡投射第1光束;第2導光光學系統,從與上述第1方向不同之第2方向朝上述旋轉多面鏡投射第2光束;第1投射光學系統,使由上述旋轉多面鏡反射之上述第1光束聚光並作為第1光點而投射至第1掃描線上;以及第2投射光學系統,使由上述旋轉多面鏡反射之上述第2光束聚光並作為第2光點而投射至第2掃描線上;以將上述第1掃描線與上述第2掃描線的各掃描長度設為相同,並且於上述主掃描方向以上述掃描長度以下之間隔分離設定上述第1掃描線與上述第2掃描線之方式,配置上述第1投射光學系統與上述第2投射光學系統。
本發明之第3態樣係一種圖案描繪方法,使來自光源裝置之光束呈點狀地聚光於被照射體上,使聚光後之光點沿著既定之掃描線進行主掃描,並且對上述被照射體進行副掃描,藉此在上述被照射體上描繪既定圖案,其包含如下步驟:將來自上述光源裝置之第1光束從第1方向朝旋轉多面鏡投射;將來自上述光源裝置之第2光束從與上述第1方向不同之第2方向朝上述旋轉多面鏡投射;藉由上述旋轉多面鏡之旋轉,對射入至上述旋轉多面鏡之不同反射面而反射之上述第1光束及上述第2光束進行偏向掃描;使由上述旋轉多面鏡反射之上述第1光束聚光並作為第1光點而投射至第1掃描線上;以及使由上述旋轉多面鏡反射之上述第2光束聚光並作為第2光點而投射至第2掃描線上;上述第1掃描線與上述第2掃描線於上述被照射體上位於上述副掃描方向上之相同位置,且於上述主掃描方向上錯開。
本發明之第4態樣係一種圖案描繪方法,對可撓性之長條之片材基板即被照射體沿著長邊方向進行副掃描、且使基於描繪資料而強度調變之光點沿著於與上述被照射體之長邊方向正交之寬度方向延伸之掃描線進行主掃描,藉此在上述被照射體上描繪與上述描繪資料相對應之圖案,其包含如下步驟:將第1光束從第1方向朝旋轉多面鏡投射;將第2光束從與上述第1方向不同之第2方向朝上述旋轉多面鏡投射;藉由上述旋轉多面鏡之旋轉,對射入至上述旋轉多面鏡之不同反射面而反射之上述第1光束及上述第2光束進行偏向掃描;使由上述旋轉多面鏡反射之上述第1光束聚光並作為第1光點而投射至第1掃描線上;以及使由上述旋轉多面鏡反射之上述第2光束聚光並作為第2光點而投射至第2掃描線上;將上述第1掃描線與上述第2掃描線之各掃描長度設為相同,並且於上述主掃描方向以上述掃描長度以下之間隔分離設定上述第1掃描線與上述第2掃描線。
本發明之第5態樣係一種圖案描繪裝置,一邊沿著副掃描方向搬送被照射體、一邊使來自光源裝置之光束呈點狀地聚光於上述被照射體上,使聚光後之光點沿著與上述副掃描方向正交之掃描線進行主掃描,藉此在上述被照射體上描繪既定圖案,其具備:旋轉多面鏡,繞既定之旋轉軸旋轉;第1導光光學系統,從第1方向朝上述旋轉多面鏡投射來自上述光源裝置之第1光束;第2導光光學系統,從與上述第1方向不同之第2方向朝上述旋轉多面鏡投射來自上述光源裝置之第2光束;第1投射光學系統,使由上述旋轉多面鏡反射之上述第1光束聚光並作為第1光點而投射至第1掃描線上;以及第2投射光學系統,使由上述旋轉多面鏡反射之上述第2光束聚光並作為第2光點而投射至第2掃描線上;且具備描繪單元,該描繪單元係以於上述被照射體上沿著上述主掃描方向及上述副掃描方向中的至少一個方向平行地錯開配置上述第1掃描線與上述第2掃描線之方式,一體地保持上述旋轉多面鏡、上述第1導光光學系統、上述第2導光光學系統、上述第1投射光學系統及上述第2投射光學系統且可旋動;上述描繪單元之旋動中心軸,係設定成相對於上述被照射體垂直地通過上述第1掃描線之中點與上述第2掃描線之中點之間。
本發明之第6態樣係一種圖案描繪方法,一邊沿著副掃描方向搬送被照射體、一邊使來自光源裝置之光束呈點狀地聚光於上述被照射體上,使聚光後之光點沿著於與上述副掃描方向正交之方向延伸之掃描線進行主掃描,藉此在上述被照射體上描繪既定圖案,其包含如下步驟:將來自上述光源裝置之第1光束從第1方向朝旋轉多面鏡投射;將來自上述光源裝置之第2光束從與上述第1方向不同之第2方向朝上述旋轉多面鏡投射;藉由上述旋轉多面鏡之旋轉,對射入至上述旋轉多面鏡之不同反射面而反射之上述第1光束及上述第2光束進行偏向掃描;使由上述旋轉多面鏡反射之上述第1光束聚光並作為第1光點而投射至第1掃描線上;使由上述旋轉多面鏡反射之上述第2光束聚光並作為第2光點而投射至第2掃描線上;以及以旋動中心軸為中心,使上述第1掃描線與上述第2掃描線旋動,上述旋動中心軸係相對於上述被照射體垂直,且設定於上述第1掃描線之中點與上述第2掃描線之中點之間。
本發明之第7態樣係一種圖案描繪裝置,使來自光源裝置之光束於被照射體上進行主掃描,並且使上述被照射體與上述光束沿著與上述主掃描交叉之方向相對地進行副掃描,藉此在上述被照射體上描繪圖案,其具備:光偏向構件,為了上述主掃描而改變反射面的角度;第1投射光學系統,投射第1光束作為在上述被照射體上沿主掃描方向掃描之光束,上述第1光束為從第1方向投射至上述光偏向構件並由上述光偏向構件之反射面反射後之光束;以及第2投射光學系統,投射第2光束作為在上述被照射體上沿主掃描方向掃描之光束,上述第2光束為從與第1方向不同之第2方向投射至上述光偏向構件並由上述光偏向構件之反射面反射後之光束;以使藉由上述第1光束之主掃描而形成之第1掃描線、與藉由上述第2光束之主掃描而形成之第2掃描線在上述主掃描方向上錯開之方式,配置上述第1投射光學系統與上述第2投射光學系統。
以下,揭示較佳實施形態且參照隨附圖式,詳細地對本發明的態樣之圖案描繪裝置及圖案描繪方法進行說明。另外,本發明的態樣並不限定於該等實施形態,亦包含添加有多種變更或改良之形態。即,以下所記載之構成要素中包含業者能夠容易地設想之構成要素、實質上相同之構成要素,以下所記載之構成要素可適當地組合。又,能夠於不脫離本發明宗旨之範圍內,對構成要素進行各種省略、替換或變更。
[第1實施形態]
圖1係顯示第1實施形態之包含對基板(被照射體)P實施曝光處理之曝光裝置EX之元件製造系統10的概略構成之圖。另外,於以下說明中,設定以重力方向作為Z方向之XYZ正交座標系,只要無特別說明,則根據圖示之箭頭對X方向、Y方向及Z方向進行說明。
元件製造系統10為構建有製造線之製造系統,該製造線例如製造作為電子元件之可撓性顯示器(flexible display)、膜狀觸控面板、液晶顯示面板用之膜狀彩色濾光片、或焊接電子零件之可撓性配線片等。以下,以可撓性顯示器為前提而對電子元件進行說明。作為可撓性顯示器,例如存在有機EL(Electroluminescence,電致發光)顯示器、液晶顯示器等。元件製造系統10具有所謂的捲對捲(Roll To Roll)方式之構造,即,從將可撓性的片狀(膜狀)基板(片材基板)P捲繞為捲狀而成的未圖示之供給捲送出基板P,連續地對所送出之基板P實施各種處理之後,利用未圖示之回收捲捲取各種處理後之基板P。基板P具有基板P的移動方向成為長邊方向(長條),且寬度方向成為短邊方向(短條)之帶狀的形狀。從上述供給捲輸送來之基板P,依序由處理裝置PR1、曝光裝置(圖案描繪裝置、光束掃描裝置)EX及處理裝置PR2等實施各種處理,且由上述回收捲捲取。
另外,X方向係於水平面內從處理裝置PR1經由曝光裝置EX朝向處理裝置PR2之方向(搬送方向)。Y方向係於水平面內與X方向正交之方向,且係基板P的寬度方向。Z方向係與X方向及Y方向正交之方向(上方向),且與重力作用方向平行。
基板P例如可使用樹脂膜、或者由不銹鋼等金屬或合金構成之箔(foil)等。作為樹脂膜之材質,亦可使用例如包含有聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚酯樹脂、乙烯乙烯醇共聚物樹脂、聚氯乙烯樹脂、纖維素樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯乙烯樹脂及乙酸乙烯酯樹脂中的至少一種以上者。又,基板P的厚度或剛性(楊氏模量)只要處於如下範圍即可,該範圍係指於通過曝光裝置EX的搬送路徑時,不會使基板P產生由壓彎引起之折痕或不可逆之皺褶之範圍。作為基板P之母材,厚度為25 μm~200 μm左右之PET(Polyethylene terephthalate,聚對苯二甲酸乙二酯)或PEN(Polyethylene naphthalate,聚萘二甲酸乙二酯)等之膜為較佳之片材基板之典型。
基板P有時會有在由處理裝置PR1、曝光裝置EX及處理裝置PR2實施之各處理中受熱的情形,因此,較佳為選定熱膨脹係數明顯不大之材質之基板P。例如,能夠藉由將無機填料混合於樹脂膜而抑制熱膨脹係數。無機填料例如亦可為氧化鈦、氧化鋅、氧化鋁或氧化矽等。又,基板P可為利用浮式法等製造出之厚度為100 μm左右之極薄玻璃的單層體,亦可為將上述樹脂膜、箔等貼合於該極薄玻璃而成之積層體。
而且,基板P之可撓性(flexibility)係指即使對基板P施加自重(本身的重量)程度之力,亦不會使其折斷或斷裂而能彎曲該基板P的性質。又,因自重程度之力而彎曲之性質亦包含於可撓性。又,可撓性之程度會根據基板P的材質、大小、厚度、基板P上所形成之層構造、溫度、濕度等環境而改變。總之,只要在將基板P正確地捲繞於本第1實施形態之元件製造系統10內的搬送路徑中所設置之各種搬送用輥、旋轉筒等搬送方向轉換用之構件時,能夠順暢地搬送基板P而不會將其壓彎而產生折痕或導致破損(裂開或劃傷),則可謂處於可撓性之範圍。
處理裝置PR1對由曝光裝置EX進行曝光處理之基板P進行前步驟處理。處理裝置PR1往曝光裝置EX輸送已進行前步驟處理之基板P。藉由該前步驟處理,往曝光裝置EX輸送之基板P為表面形成有感光性功能層(光感應層、感光層)之基板(感光基板)P。
該感光性功能層,係作為溶液而塗布於基板P上,並藉由進行乾燥而成為層(膜)。典型之感光性功能層為光阻,但作為無需顯影處理之材料,存在有將受紫外線照射後之部分的親液疏液性改質之感光性矽烷耦合劑(SAM)、或使受到紫外線照射後之部分顯露出鍍敷還原基之感光性還原劑等。於使用感光性矽烷耦合劑作為感光性功能層之情形時,基板P上的由紫外線曝光後之圖案部分從疏液性改質為親液性。因此,選擇含有導電性墨水(含有銀或銅等導電性奈米粒子之墨水)或半導體材料之液體等並將其塗布於已成為親液性之部分上,藉此能夠形成成為構成薄膜電晶體(TFT)等之電極、半導體、絕緣或連接用之配線的圖案層。於使用感光性還原劑作為感光性功能層之情形時,於基板P上的以紫外線曝光後之圖案部分顯露出鍍敷還原基。因此,於曝光之後,立即將基板P於包含鈀離子等之鍍敷液中浸漬固定時間,藉此形成(析出)鈀之圖案層。此種鍍敷處理為附加(additive)製程,此外,於以作為消去(subtractive)製程之蝕刻處理為前提之情形時,往曝光裝置EX輸送之基板P亦可為如下基板,係將母材設為PET或PEN,於其表面完全或選擇性地蒸鍍鋁(A1)或銅(Cu)等的金屬性薄膜,進一步於該金屬性薄膜上積層(層疊)光阻層而成者。
於本第1實施形態中,曝光裝置EX為不使用光罩之直描方式的曝光裝置,即所謂之光柵掃描(raster scan)方式的曝光裝置。曝光裝置EX對從處理裝置PR1供給來之基板P的被照射面(感光面)照射與顯示器用的電路或配線等既定圖案相對應之光圖案。雖於以下將詳細地進行說明,但曝光裝置EX係一邊往+X方向(副掃描方向)搬送基板P、一邊於基板P上(基板P的被照射面上)沿著既定之掃描方向(Y方向)一維地掃描(主掃描)曝光用光束LB的光點SP,且根據圖案資料(描繪資料)而高速地對光點SP之強度進行調變(導通/斷開)。藉此,於基板P的被照射面曝光描繪與顯示器用的電路或配線等既定圖案相對應之光圖案。也就是,利用基板P之副掃描與光點SP之主掃描,於基板P的被照射面上相對地二維掃描光點SP,從而於基板P曝光描繪既定圖案。又,曝光裝置EX對基板P反復進行電子元件用的圖案曝光,且基板P沿著搬送方向(+X方向)被搬送,因此,沿著基板P的長條方向隔開既定間隔地設置複數個藉由曝光裝置EX曝光圖案之曝光區域W(參照圖2)。由於在該曝光區域W形成電子元件,因此曝光區域W亦為電子元件形成區域。另外,電子元件係由複數個圖案層(形成有圖案之層)重疊而構成,因此藉由曝光裝置EX曝光對應各層之圖案。
處理裝置PR2對已由曝光裝置EX進行曝光處理之基板P進行後步驟處理(例如鍍敷處理或顯影、蝕刻處理等)。藉由該後步驟處理,於基板P上形成元件之圖案層。
如上所述,電子元件係藉由重疊複數個圖案層而構成,因此經由元件製造系統10的至少各處理,生成一個圖案層。因此,為了生成電子元件,必須至少兩次經過如圖1所示之元件製造系統10的各處理。因此,藉由將捲取有基板P之回收捲作為供給捲而安裝於其他元件製造系統10,能夠積層圖案層。反復地進行如上所述之動作,以形成電子元件。因此,處理後之基板P處於複數個電子元件隔開既定間隔並沿著基板P的長條方向相連之狀態。也就是,基板P成為多倒角用之基板。
將在電子元件相連之狀態下形成之基板P回收而成之回收捲,亦可安裝於未圖示之切割裝置。安裝有回收捲之切割裝置,就每一電子元件對處理後之基板P進行分割(切割(singulation)),藉此形成複數個成為單片之電子元件。關於基板P的尺寸,例如寬度方向(短條方向)之尺寸為10 cm~2 m左右,長度方向(長條方向)之尺寸為10 m以上。另外,基板P的尺寸並不限定於上述尺寸。
其次,詳細地對曝光裝置EX進行說明。曝光裝置EX儲存於溫控室ECV內。該溫控室ECV藉由將內部保持於既定溫度、既定濕度,抑制在內部搬送之基板P因溫度所引起之形狀變化,並且設定為考慮了基板P的吸濕性或帶有伴隨搬送而產生之靜電等之濕度。溫控室ECV透過被動或主動之防振單元SU1、SU2而配置於製造工場之設置面E。防振單元SU1、SU2減少來自設置面E之振動。該設置面E可為專門鋪設於工場地面上之設置基座(台座)上的面,亦可為地面。曝光裝置EX至少具備基板搬送機構12、光源裝置14、曝光頭16、控制裝置18及對準顯微鏡AMa(AMa1~AMa4)、AMb(AMb1~AMb4)。
基板搬送機構12,以既定速度將從處理裝置PR1搬送來之基板P搬送至處理裝置PR2。藉由該基板搬送機構12規定於曝光裝置EX內搬送之基板P的搬送路徑。基板搬送機構12從基板P的搬送方向的上游側(-X方向側),依序具有邊緣位置控制器EPC、驅動輥R1、張力調整輥RT1、旋轉筒(圓筒滾筒台)DR1、張力調整輥RT2、旋轉筒(圓筒滾筒台)DR2、張力調整輥RT3及驅動輥R2。
邊緣位置控制器EPC調整從處理裝置PR1搬送來之基板P之寬度方向(Y方向即基板P的短條方向)位置。也就是,邊緣位置控制器EPC以使於施加有既定張力之狀態下搬送之基板P的寬度方向端部(邊緣)之位置相對於目標位置處於±十數μm~數十μm左右之範圍(允許範圍)之方式,使基板P於寬度方向移動,調整基板P之寬度方向位置。邊緣位置控制器EPC,具有以施加有既定張力之狀態掛設基板P之輥、以及對基板P的寬度方向端部(邊緣)之位置進行檢測的未圖示之邊緣感測器(端部檢測部)。邊緣位置控制器EPC,基於上述邊緣感測器所檢測出之檢測訊號,使邊緣位置控制器EPC的上述輥於Y方向移動,調整基板P之寬度方向位置。驅動輥(軋輥)R1,一邊保持從邊緣位置控制器EPC搬送來之基板P的表背兩面、一邊進行旋轉,將基板P朝向旋轉筒DR1搬送。邊緣位置控制器EPC,以使搬送往旋轉筒DR1之基板P的長條方向與旋轉筒DR1的中心軸AXo1正交之方式,對基板P之寬度方向位置進行調整。將從驅動輥R1搬送來之基板P掛設於張力調整輥RT1之後,導引至旋轉筒DR1。
旋轉筒(第1旋轉筒)DR1,具有沿Y方向延伸並且沿著與重力作用方向交叉之方向延伸之中心軸(第1中心軸)AXo1、以及與中心軸AXo1相距固定半徑之圓筒狀的外周面。旋轉筒DR1使基板P的一部分效仿(模仿)其外周面(圓周面)而沿著長條方向呈圓筒面狀地彎曲並支承,並且以中心軸AXo1為中心進行旋轉而將基板P往+X方向搬送。旋轉筒DR1於重力作用方向側的相反側(+Z方向側),從形成有感光面之面的相反側之面(背面)側支承基板P。旋轉筒DR1利用其圓周面,支承供來自後述之曝光頭16之描繪單元U1、U2、U5、U6的各者之光束的光點投射之基板P上的區域(部分)。於旋轉筒DR1的Y方向的兩側設有以旋轉筒DR1繞中心軸AXo1旋轉之方式由環狀之軸承支承之軸Sft1。該軸Sft1藉由施加來自受控制裝置18控制之未圖示之旋轉驅動源(例如馬達或減速機構等)之轉矩而繞中心軸AXo1旋轉。另外,為方便起見,將包含中心軸AXo1且與YZ平面平行之平面稱為中心面Poc1。
從旋轉筒DR1搬出之基板P,在掛設於張力調整輥RT2之後,被導引至設置在較旋轉筒DR1更下游側(+X方向側)之旋轉筒DR2。旋轉筒(第2旋轉筒)DR2具有與旋轉筒DR1相同之構成。也就是,旋轉筒DR2具有沿Y方向延伸並且沿著與重力作用方向交叉之方向延伸之中心軸(第2中心軸)AXo2、以及與中心軸AXo2相距固定半徑之圓筒狀的外周面。旋轉筒DR2,使基板P的一部分效仿其外周面(圓周面)而於長條方向呈圓筒面狀地彎曲並支承,並且以中心軸AXo2為中心而旋轉以將基板P往+X方向搬送。旋轉筒DR2於重力作用方向側的相反側(+Z方向側),從背面側支承基板P。旋轉筒DR2利用其圓周面,支承供來自後述之曝光頭16之描繪單元U3、U4的各者之描繪用之光束的光點投射之基板P上的區域(部分)。於旋轉筒DR2亦設置有軸Sft2。該軸Sft2藉由施加來自受控制裝置18控制之未圖示之旋轉驅動源(例如馬達或減速機構等)之轉矩而繞中心軸AXo2旋轉。旋轉筒DR1的中心軸AXo1與旋轉筒DR2的中心軸AXo2處於平行狀態。另外,為方便起見,將包含中心軸AXo2且與YZ平面平行之平面稱為中心面Poc2。
從旋轉筒DR2搬出之基板P,在掛設於張力調整輥RT2之後,被導引至驅動輥R2。驅動輥(軋輥)R2與驅動輥R1同樣地,一邊保持基板P之表背兩面、一邊進行旋轉,將基板P往處理裝置PR2搬送。張力調整輥RT1~張力調整輥RT3,往-Z方向彈壓,沿著長條方向對捲繞支承於旋轉筒DR1、DR2之基板P施加既定張力。藉此,使對掛設於旋轉筒DR1、DR2之基板P賦予之長條方向之張力穩定於既定範圍內。另外,控制裝置18藉由對未圖示之旋轉驅動源(例如馬達或減速機構等)進行控制,使驅動輥R1、R2旋轉。
光源裝置14具有光源(脈衝光源),且對描繪單元U1~描繪單元U6各者射出脈衝狀之光束(脈衝光、雷射)LB。該光束LB係於370 nm以下之波長帶中具有峰值波長之紫外光,將光束LB之發光頻率設為Fs。光源裝置14根據控制裝置18之控制,以發光頻率Fs發光射出光束LB。
曝光頭16具備來自光源裝置14之光束LB所分別射入之複數個描繪單元U(U1~U6)。曝光頭16藉由複數個描繪單元U(U1~U6),對由旋轉筒DR1、DR2的圓周面支承之基板P的一部分描繪圖案。曝光頭16藉由具有構成相同之複數個描繪單元U(U1~U6),而成為所謂之多光束型曝光頭。描繪單元U1、U5、U2、U6設置於旋轉筒DR1的上方,描繪單元U3、U4設置於旋轉筒DR2的上方。描繪單元U1、U5相對於中心面Poc1配置於基板P的搬送方向的上游側(-X方向側),且沿Y方向隔開既定間隔地配置。描繪單元U2、U6相對於中心面Poc1配置於基板P的搬送方向的下游側(+X方向側),且沿Y方向隔開既定間隔地配置。又,描繪單元U3相對於中心面Poc2配置於基板P的搬送方向的上游側(-X方向側)。描繪單元U4相對於中心面Poc2配置於基板P的搬送方向的下游側(+X方向側)。描繪單元U1、U5與描繪單元U2、U6相對於中心面Poc1對稱地設置,描繪單元U3與描繪單元U4相對於中心面Poc2對稱地設置。
各描繪單元U(U1~U6),使來自光源裝置14之兩條光束LB分別於基板P的被照射面上收斂並投射於基板P的被照射面(感光面),且沿著既定之兩條描繪線(掃描線)SLa、SLb一維地掃描已於基板P的被照射面上收斂之兩個光點SP。雖於以下將詳細地說明該描繪單元U的構成,但對於本第1實施形態而言,在一個描繪單元U中設置有一個旋轉多面鏡(光束偏向器、光偏向構件)與兩個fθ透鏡系統(掃描光學系統),一個描繪單元U(U1~U6)於基板P上的不同之兩處分別形成光點SP產生之掃描線。因此,兩條光束LB從光源裝置14被輸送至各描繪單元U之各者。另外,來自光源裝置14之光束LB,透過光束分配系統而分支成複數條光束LB,成為兩條光束LB而射入至各描繪單元U(U1~U6)之各者,上述光束分配系統係藉由未圖示之反射鏡及光束分光器等構成。
各描繪單元U(U1~U6),於XZ平面中,以使兩條光束LB朝向旋轉筒DR1的中心軸AXo1或旋轉筒DR2的中心軸AXo2前進之方式,朝向基板P照射兩條光束LB。藉此,從各描繪單元U(U1~U6)朝向基板P上的兩條描繪線SLa、SLb前進之兩條光束LB的光路(光束中心軸),於XZ平面中,與基板P的被照射面的法線平行。於本第1實施形態中,從描繪單元U1、U5朝向旋轉筒DR1前進之光束LB的光路(光束中心軸),係以使相對於中心面Poc1之角度成為-θ1之方式設定。從描繪單元U2、U6朝向旋轉筒DR2前進之光束LB的光路(光束中心軸),係以使相對於中心面Poc1之角度成為+θ1之方式設定。又,從描繪單元U3朝向旋轉筒DR2前進之光束LB的光路(光束中心軸),係以使相對於中心面Poc2之角度成為-θ1之方式設定。從描繪單元U4朝向旋轉筒DR2前進之光束LB的光路(光束中心軸),係以使相對於中心面Poc2之角度成為+θ1之方式設定。又,各描繪單元U(U1~U6),以使照射於兩條描繪線SLa、SLb之光束LB在與YZ平面平行之面內相對於基板P的被照射面垂直之方式,朝向基板P照射光束LB。亦即,於被照射面上之光點SP的主掃描方向上,投射於基板P的光束LB以遠心(telecentric)狀態掃描。
如圖2所示,複數個描繪單元U(U1~U6)係以既定之配置關係配置。各描繪單元U(U1~U6)的兩條描繪線SLa、SLb沿著主掃描方向即Y方向延伸,於基板P的被照射面上處於副掃描方向(X方向)上之相同位置,且於主掃描方向(Y方向)錯開地配置。也就是,各描繪單元U(U1~U6)的描繪線SLa、SLb,以平行狀態僅於主掃描方向(Y方向)上分隔地配置。又,描繪線SLa、SLb的掃描長度(長度)被設定為相同長度,並且描繪線SLa與描繪線SLb被設定為在主掃描方向上以掃描長度以下之間隔分隔。
複數個描繪單元U(U1~U6),配置成複數個描繪單元U(U1~U6)的描繪線SLa、SLb如圖2所示,在Y方向(基板P的寬度方向、主掃描方向)上相接而不彼此分離。各描繪單元U(U1~U6)可繞旋動中心軸AXr,例如於±1.5度之範圍內,以μrad之解析度而微小旋動,以對XY面內之描繪線(掃描線)SLa、SLb的斜度進行調整。該旋動中心軸AXr係相對於基板P垂直地通過連接描繪線(第1掃描線)SLa之中點與描繪線(第2掃描線)SLb之中點的線段之中心點(中點)之軸。該軸之延長線,與圖1中的旋轉筒DR1的中心軸AXo1或旋轉筒DR2的中心軸AXo2交叉。另外,於第1實施形態中,各描繪單元U(U1~U6)的描繪線SLa與描繪線SLb,於副掃描方向上為相同位置,且於主掃描方向上彼此分隔,因此,旋動中心軸AXr配置於通過描繪線SLa、SLb之直線上,且配置於描繪線SLa與描繪線SLb之間隙的中心點。
若描繪單元U(U1~U6)繞旋動中心軸AXr稍微旋動(旋轉),則掃描光束LB的光點SP之描繪線SLa、SLb亦會相應地以旋動中心軸AXr為中心而旋動(旋轉)。藉此,若描繪單元U(U1~U6)旋動固定角度,則描繪線SLa、SLb亦會相應地以旋動中心軸AXr為中心,相對於Y方向(Y軸)傾斜固定角度。上述各描繪單元U(U1~U6)在控制裝置18的控制下,藉由包含致動器之未圖示的響應性高之驅動機構而繞旋動中心軸AXr旋動。
另外,有時會以SL1a、SL1b表示描繪單元U1的兩條描繪線SLa、SLb,同樣地,以SL2a、SL2b~SL6a、SL6b表示描繪單元U2~U6的兩條描繪線SLa、SLb。又,有時會將描繪線SLa、SLb僅總稱為描繪線SL。
如圖2所示,以使複數個描繪單元U(U1~U6)完全覆蓋曝光區域W的整個寬度方向之方式,由各描繪單元U(U1~U6)分擔掃描區域。藉此,各描繪單元U(U1~U6)能夠按沿基板P之寬度方向分割而成之複數個區域描繪圖案。例如,若將描繪線SL的掃描長度(長度)設為20 mm~40 mm左右,則藉由沿Y方向配置共計6個描繪單元U,使所能描繪之Y方向寬度擴大至約240 mm~480 mm左右。各描繪線SL(SL1a、SL1b~SL6a、SL6b)的長度(掃描長度)原則上相同。也就是,沿著複數條描繪線SL(SL1a、SL1b~SL6a、SL6b)的各者掃描之光束LB的光點SP的掃描距離原則上相同。另外,於欲擴大曝光區域W的寬度之情形時,能夠藉由延長描繪線SL(SLa、SLb)自身的長度、或增加沿Y方向配置之描繪單元U的數量加以應對。
描繪線SL1a、SL1b、SL2a、SL2b、SL5a、SL5b、SL6a、SL6b,位於由旋轉筒DR1支承之基板P的被照射面上。描繪線SL1a、SL1b、SL2a、SL2b、SL5a、SL5b、SL6a、SL6b,夾著中心面Poc1而呈2行地沿旋轉筒DR1之圓周方向配置。描繪線SL1a、SL1b、SL5a、SL5b,相對於中心面Poc1位於基板P的搬送方向的上游側(-X方向側)之基板P的被照射面上。描繪線SL2a、SL2b、SL6a、SL6b,相對於中心面Poc1位於基板P的搬送方向的下游側(+X方向側)之基板P的被照射面上。
描繪線SL3a、SL3b、SL4a、SL4b,位於由旋轉筒DR2支承之基板P的被照射面上。描繪線SL3a、SL3b、SL4a、SL4b,夾著中心面Poc2而呈2行地沿旋轉筒DR2的圓周方向配置。描繪線SL3a、SL3b,相對於中心面Poc2位於基板P的搬送方向的上游側(-X方向側)之基板P的被照射面上。描繪線SL4a、SL4b,相對於中心面Poc2位於基板P的搬送方向的下游側(+X方向側)之基板P的被照射面上。描繪線SL1a、SL1b~SL6a、SL6b與基板P的寬度方向也就是旋轉筒DR1、DR2的中心軸AXo1、AXo2大致並行。
奇數號的描繪線SL1a、SL1b、SL3a、SL3b、SL5a、SL5b,在Y方向(基板P的寬度方向)上,沿著基板P的寬度方向(掃描方向)隔開既定間隔而配置於直線上。偶數號的描繪線SL2a、SL2b、SL4a、SL4b、SL6a、SL6b亦同樣地在Y方向上,沿著基板P的寬度方向隔開既定間隔而配置於直線上。此時,描繪線SL1b在Y方向上配置於描繪線SL2a與描繪線SL2b之間。描繪線SL3a在Y方向上配置於描繪線SL2b與描繪線SL4a之間。描繪線SL3b在Y方向上配置於描繪線SL4a與描繪線SL4b之間。描繪線SL5a在Y方向上配置於描繪線SL4b與描繪線SL6a之間。描繪線SL5b在Y方向上配置於描繪線SL6a與描繪線SL6b之間。也就是,描繪線SL係以如下方式配置:在Y方向上,從-Y方向側起依序按照SL1a、SL2a、SL1b、SL2b、SL3a、SL4a、SL3b、SL4b、SL5a、SL6a、SL5b、SL6b之順序所描繪之圖案,以Y方向的端部相接。
沿著奇數號的描繪線SL1a、SL1b、SL3a、SL3b、SL5a、SL5b的各者掃描之光束LB的光點SP的掃描方向為一維方向,且為相同方向(+Y方向)。沿著偶數號的描繪線SL2a、SL2b、SL4a、SL4b、SL6a、SL6b的各者掃描之光束LB的光點SP的掃描方向為一維方向,且為相同方向(-Y方向)。沿著上述奇數號的描繪線SL1a、SL1b、SL3a、SL3b、SL5a、SL5b掃描之光束LB的光點SP的掃描方向(+Y方向)、與沿著偶數號的描繪線SL2a、SL2b、SL4a、SL4b、SL6a、SL6b掃描之光束LB的光點SP的掃描方向(-Y方向)為彼此相反之方向。藉此,於描繪線SL1b、SL3a、SL3b、SL5a、SL5b的描繪開始位置(描繪開始點之位置)、與描繪線SL2a、SL2b、SL4a、SL4b、SL6a的描繪開始位置所描繪之圖案相接。又,於描繪線SL1a、SL1b、SL3a、SL3b、SL5a、SL5b的描繪結束位置(描繪結束點之位置)、與描繪線SL2a、SL2b、SL4a、SL4b、SL6a、SL6b的描繪結束位置所描繪之圖案相接。另外,於初始狀態下,位於直線上之奇數號的描繪線SL1a、SL1b、SL5a、SL5b、與位於直線上之偶數號的描繪線SL2a、SL2b、SL6a、SL6b沿著基板P的搬送方向(旋轉筒DR1的圓周方向)隔開固定長度(間隔長度)配置。同樣地,於初始狀態下,位於直線上之奇數號的描繪線SL3a、SL3b、與位於直線上之偶數號的描繪線SL4a、SL4b沿著基板P的搬送方向(旋轉筒DR2的圓周方向)隔開固定長度(間隔長度)配置。
另外,描繪線SL的寬度(X方向尺寸),為與光點SP的尺寸(直徑)φ相對應之粗細度。例如,於光點SP的有效尺寸φ為3 μm之情形時,描繪線SL的寬度亦為3 μm。光點SP亦可以按照既定長度(例如光點SP的有效尺寸φ的一半)重疊之方式,沿著描繪線SL投射。又,在掃描方向上彼此相鄰接之描繪線SL的端部(例如描繪線SL1a的描繪結束點與描繪線SL2a的描繪結束點),亦可按照既定長度(例如光點SP的尺寸φ的一半)在Y方向上重疊。
圖3係顯示使在主掃描方向上相鄰之描繪線SL的端部彼此一致(鄰接)時之各描繪單元U的描繪線SLa、SLb的配置關係之圖。如圖3所示,將描繪單元U的描繪線SLa、SLb的掃描長度、及描繪單元U的描繪線SLa與描繪線SLb之Y方向分隔距離(間隙)均設為Lo。因此,能夠以使在主掃描方向上相鄰之描繪線SL彼此的端部在主掃描方向上鄰接之方式,配置彼此相對向之描繪單元U1、U3、U5的描繪線SLa、SLb與描繪單元U2、U4、U6的描繪線SLa、SLb。另外,描繪單元U的旋動中心軸AXr,係設定成通過描繪線SLa、SLb之間的分隔距離Lo的中心點。
圖4係顯示使在掃描方向上相鄰之描繪線SL的端部彼此各重疊α/2(固定長度)時之各描繪單元U的描繪線SLa、SLb的配置關係之圖。如圖4所示,將描繪線SLa、SLb的掃描長度設為Lo,將描繪單元U的描繪線SLa與描繪線SLb之Y方向分隔距離(間隙)設為Lo-α。因此,能夠以使在主掃描方向上相鄰之描繪線SL彼此的端部在主掃描方向重疊α/2之方式,配置彼此相對向之描繪單元U1、U3、U5的描繪線SLa、SLb與描繪單元U2、U4、U6的描繪線SLa、SLb。另外,描繪單元U的旋動中心軸AXr,係設定成通過描繪線SLa、SLb之間的分隔距離Lo-α的中心點。
圖1所示之控制裝置18,對曝光裝置EX的各部分進行控制。該控制裝置18包含電腦與記錄有程式之記錄媒體等,該電腦藉由執行程式而作為本第1實施形態之控制裝置18發揮功能。又,圖1所示之對準顯微鏡AMa(AMa1~AMa4)、AMb(AMb1~AMb4),係用以檢測圖2所示之基板P上所形成之對準標記MK(MK1~MK4)。複數個對準顯微鏡AMa(AMa1~AMa4)沿著Y方向設置。同樣地,複數個對準顯微鏡AMb(AMb1~AMb4)亦沿著Y方向設置。對準標記MK(MK1~MK4),係用以使在基板P的被照射面上的曝光區域W描繪之圖案與基板P相對地對準(alignment)的基準標記。對準顯微鏡AMa(AMa1~AMa4),在由旋轉筒DR1的圓周面支承之基板P上,檢測對準標記MK(MK1~MK4)。對準顯微鏡AMa(AMa1~AMa4),設置在較從描繪單元U1、U5照射至基板P的被照射面上之光束LB的光點SP之位置(描繪線SL1a、SL1b、SL5a、SL5b)更靠基板P的搬送方向的上游側(-X方向側)。又,對準顯微鏡AMb(AMb1~AMb4),在由旋轉筒DR2的圓周面支承之基板P上,檢測對準標記MK(MK1~MK4)。對準顯微鏡AMb(AMb1~AMb4)設置在較從描繪單元U3照射至基板P的被照射面上之光束LB的光點SP之位置(描繪線SL3a、SL3b)更靠基板P的搬送方向的上游側(-X方向側)。
對準顯微鏡AMa(AMa1~AMa4)、AMb(AMb1~AMb4)具有未圖示的將對準用的照明光投射至基板P之光源、與拍攝其反射光之攝影元件(CCD(Charge Coupled Device,電荷耦合元件)、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互補金屬氧化物半導體)等)。對準顯微鏡AMa(AMa1~AMa4)、AMb(AMb1~AMb4)拍攝得之攝影訊號,被發送至控制裝置18。對準顯微鏡AMa(AMa1~AMa4)、AMb(AMb1~AMb4),拍攝存在於未圖示之觀察區域內之對準標記MK(MK1~MK4)。各對準顯微鏡AMa(AMa1~AMa4)、AMb(AMb1~AMb4)的觀察區域沿著Y方向設置,且根據對準標記MK(MK1~MK4)的Y方向位置而配置。因此,對準顯微鏡AMa1、AMb1能夠拍攝對準標記MK1,同樣地,對準顯微鏡AMa2~AMa4、AMb2~AMb4能夠拍攝對準標記MK2~MK4。基板P的被照射面上的該觀察區域之大小,係根據對準標記MK(MK1~MK4)的大小或對準精度(位置測定精度)而設定,其為100 μm~500 μm左右見方之大小。控制裝置18,基於來自對準顯微鏡AMa(AMa1~AMa4)、AMb(AMb1~AMb4)之攝影訊號,檢測對準標記MK的位置。另外,對準用的照明光係對基板P的感光性功能層而言幾乎不具有感度之波長帶之光,例如波長為500 nm~800 nm左右之光。又,對準顯微鏡AMa、AMb的攝影元件,由於需要於基板P移動期間拍攝對準標記MK,因此其快門時間設定為與基板P的搬送速度相對應之高速快門時間(電荷儲存時間等攝影時間)。
其次,對描繪單元U的構成進行說明。各描繪單元U具有相同構成,因此於本第1實施形態中,以描繪單元U2為例進行說明。以下,於描繪單元U的說明中,為了特定描繪單元U內的各構件或光束的配置而設定正交座標系XtYtZt。正交座標系XtYtZt的Yt軸設定成與正交座標系XYZ的Y軸平行,正交座標系XtYtZt設定成相對於正交座標系XYZ繞Y軸傾斜固定角度。
圖5係從-Yt(-Y)方向側觀察之描繪單元U2之構成圖,圖6係從+Zt方向側觀察之描繪單元U2之構成圖。射入至描繪單元U2之兩條光束LB中,以LBa表示一條光束LB,以LBb表示另一條光束LB。又,有時會以SPa表示光束(第1光束)LBa的光點SP,以SPb表示光束(第2光束)LBb的光點SP。光點(第1光點)SPa於描繪線SL2a(SLa)上掃描,光點(第2光點)SPb於描繪線SL2b(SLb)上掃描。
另外,於圖6中,為了容易理解,以較描繪線SL2a、SL2b更粗之點表示光點SPa、SPb。又,於圖5、圖6中,將與旋動中心軸AXr平行之方向設為Zt方向,將處於與Zt方向正交之平面上、基板P從處理裝置PR1經由曝光裝置EX朝向處理裝置PR2的方向設為Xt方向,將處於與Zt方向正交之平面上、與Xt方向正交之方向設為Yt方向。也就是,圖5、圖6的Xt、Yt、Zt的三維座標,係以Y軸為中心而Z軸方向與旋動中心軸AXr平行之方式使圖1的X、Y、Z的三維坐標旋轉而成之三維座標。
描繪單元U2具備反射鏡M1、聚光透鏡CD、三角反射鏡M2、反射鏡M3a、M3b、偏移光學構件(偏移光學板)SRa、SRb、光束成形光學系統BFa、BFb、反射鏡M4、柱面透鏡CY1、反射鏡M5、多面鏡PM、反射鏡M6a、M6b、fθ透鏡FTa、FTb、反射鏡M7a、M7b及柱面透鏡CY2a、CY2b的光學系統。該等光學系統(反射鏡M1、聚光透鏡CD等),作為一個描繪單元U2而一體地形成於高剛性之框體內。也就是,描繪單元U2一體地保持該等光學系統。對於兩條光束LBa、LBb均射入之光學系統,僅加註參照符號,對於兩條光束LBa、LBb各自分別地射入且兩條光束LBa、LBb成對地設置之光學系統,在參照符號之後加註a、b。簡單而言,對於僅光束LBa射入之光學系統,在參照符號之後加註a,對於僅光束LBb射入之光學系統,在參照符號之後加註b。
如圖5所示,來自光源裝置14之兩條光束LBa、LBb,在透過兩個光學元件AOMa、AOMb及兩個準直透鏡CLa、CLb之後,由反射鏡M8反射,以與Zt軸平行之狀態射入至描繪單元U2。射入至描繪單元U2之兩條光束LBa、LBb,於XtZt平面中,沿著描繪單元U2的旋動中心軸AXr射入至反射鏡M1。圖7係從+Zt方向側觀察透過光學元件AOMa、AOMb及準直透鏡CLa、CLb而射入至反射鏡M8之光束LBa、LBb的光路之圖,圖8係從+Xt方向側觀察從反射鏡M8射入至描繪單元U2的反射鏡M1之光束LBa、LBb的光路之圖。另外,於圖7、圖8中,亦以Xt、Yt、Zt的三維座標系表示。
光學元件AOMa、AOMb,係對光束LBa、LBb具有透射性者,係聲光調變元件(AOM:Acousto-Optic Modulator)。光學元件AOMa、AOMb藉由使用超音波(高頻訊號),使射入之光束LBa、LBb以與高頻波的頻率相對應之繞射角繞射,從而改變光束LBa、LBb的光路即前進方向。光學元件AOMa、AOMb,根據來自控制裝置18之驅動訊號(高頻訊號)的導通/斷開,導通/斷開產生使射入之光束LBa、LBb繞射而成之繞射光(一次繞射光束)。
光學元件AOMa於來自控制裝置18之驅動訊號(高頻訊號)為斷開之狀態時,不使射入之光束LBa繞射而使其透過。因此,於驅動訊號為斷開之狀態時,透過光學元件AOMa之光束Lba,射入至未圖示之吸收體而不射入至準直透鏡CLa及反射鏡M8。此意味著投射至基板P的被照射面上之光點SPa的強度被調變為低位準(零)。另一方面,於光學元件AOMa根據來自控制裝置18之驅動訊號(高頻訊號)而導通之狀態時,產生使射入之光束LBa繞射而成之一次繞射光束。因此,於驅動訊號為導通之狀態時,利用光學元件AOMa而偏向之一次繞射光束(為了便於說明而設為來自光學元件AOMa之光束LBa),在透過準直透鏡CLa之後,射入至反射鏡M8。此意味著投射至基板P的被照射面上之光點SPa的強度被調變為高位準。
同樣地,光學元件AOMb於來自控制裝置18之驅動訊號(高頻訊號)為斷開之狀態時,不使射入之光束LBb繞射而使其透過,因此,透過光學元件AOMb之光束LBb,射入至未圖示之吸收體而不射入至準直透鏡CLb及反射鏡M8。此意味著投射至基板P的被照射面上之光點SPb的強度被調變為低位準(零)。另一方面,於光學元件AOMb根據來自控制裝置18之驅動訊號(高頻訊號)而導通之狀態時,使射入之光束LBb繞射,因此,利用光學元件AOMb而偏向之光束LBb(一次繞射光束),在透過準直透鏡CLb之後,射入至反射鏡M8。此意味著投射至基板P的被照射面上之光點SPb的強度被調變為高位準。控制裝置18根據描繪線SL2a所描繪之圖案的圖案資料(位元映射),高速地使施加至光學元件AOMa之驅動訊號導通/斷開,並且基於以描繪線SL2b描繪之圖案的圖案資料,高速地使施加至光學元件AOMb之驅動訊號導通/斷開。也就是,光點SPa、SPb的強度,係根據圖案資料而被調變為高位準與低位準。另外,射入至光學元件AOMa、AOMb之光束LBa、LBb,以於光學元件AOMa、AOMb內達到光束腰寬(beam waist)之方式聚光,因此,利用光學元件AOMa、AOMb而偏向並輸出之光束LBa、LBb(一次繞射光束)成為發散光,準直透鏡CLa、CLb使該發散光成為既定光束直徑之平行光束。
反射鏡M8將射入之光束LBa、LBb往-Zt方向進行反射並導引至描繪單元U2的反射鏡(反射構件)M1。經反射鏡M8反射後之光束LBa、LBb,以相對於旋動中心軸AXr對稱之方式射入至描繪單元U2的反射鏡M1。此時,光束LBa、LBb可於反射鏡M1上交叉,亦可不交叉。圖6、圖8中顯示光束LBa、LBb於反射鏡M1上的旋動中心軸AXr之位置交叉之例子。也就是,光束LBa、LBb相對於旋動中心軸AXr以固定角度射入至反射鏡M1。於本第1實施形態中,光束LBa、LBb沿著Yt(Y)方向,以相對於旋動中心軸AXr對稱之方式射入至反射鏡M1。另外,亦可以如下方式進行設計,亦即,光束LBa、LBb以相對於旋動中心軸AXr對稱之方式平行地射入至反射鏡M1。
返回至圖5、圖6的說明,反射鏡M1將射入之光束LBa、LBb往+Xt方向進行反射。經反射鏡M1反射後之光束LBa、LBb(各自為平行光束),如圖6所示,於XtYt面內,彼此以固定之張開角逐漸分離。聚光透鏡CD為如下透鏡,係使來自反射鏡M1之光束LBa、LBb各自的中心軸於XtYt面內相互平行,並且使光束LBa、LBb各自聚光於既定之焦點位置。該聚光透鏡CD的功能將於以下說明,而聚光透鏡CD的前側焦點位置以處於反射鏡M1的反射面上或其附近之方式設定。三角反射鏡M2將透過聚光透鏡CD之光束LBa往-Yt(-Y)方向側進行90度之反射並導引至反射鏡M3a,並且將透過聚光透鏡CD之光束LBb往+Yt(+Y)方向側進行90度之反射並導引至反射鏡M3b。
反射鏡M3a將射入之光束LBa往+Xt方向側進行90度之反射。經反射鏡M3a反射之光束LBa,透過偏移光學構件(由平行平板形成之第1偏移光學構件)SRa及光束成形光學系統BFa而射入至反射鏡M4。反射鏡M3b將射入之光束LBb往+Xt方向側進行90度之反射。經反射鏡M3b反射之光束LBb,透過偏移光學構件(由平行平板形成之第2偏移光學構件)SRb及光束成形光學系統BFb而射入至反射鏡M4。藉由三角反射鏡M2與反射鏡M3a、M3b,使Yt方向上之透過聚光透鏡CD後的光束LBa、LBb的各中心軸之距離擴大。偏移光學構件SRa、SRb在與光束LBa、LBb的前進方向正交之平面(YtZt平面)內,調整光束LBa、LBb的中心位置。偏移光學構件SRa、SRb,具有與YtZt平面平行之兩塊石英平行板,一塊平行板可繞Yt軸傾斜,另一塊平行板可繞Zt軸傾斜。上述兩塊平行板分別繞Yt軸、Zt軸傾斜,藉此,在與光束LBa、LBb的前進方向正交之YtZt平面中,二維地對光束LBa、LBb的中心之位置進行微量偏移。上述兩塊平行板於控制裝置18的控制下,由未圖示之致動器(驅動部)驅動。光束成形光學系統BFa、BFb係成形光束LBa、LBb之光學系統,例如使藉由聚光透鏡CD聚光之光束LBa、LBb的直徑成形為預定大小之直徑。
如圖5所示,反射鏡M4使來自光束成形光學系統BFa、BFb之光束LBa、LBb往-Zt方向反射。經反射鏡M4反射之光束LBa、LBb,透過第1柱面透鏡CY1而射入至反射鏡M5。反射鏡M5將來自反射鏡M4之光束LBa、LBb往-Xt方向進行反射並使該光束LBa、LBb射入至多面鏡PM的各個反射面RP。光束LBa從第1方向射入至多面鏡PM的第1反射面RP,光束LBb從與第1方向不同之第2方向射入至多面鏡PM的其他的第2反射面RP。
多面鏡PM將射入之光束LBa、LBb往fθ透鏡FTa、FTb進行反射。為了使光束LBa、LBb的光點SPa、SPb於基板P的被照射面上進行掃描,多面鏡PM以使射入之光束LBa、LBb偏向之方式進行反射。藉此,因多面鏡PM旋轉,光束LBa、LBb在與XtYt平面平行之面內,一維地進行偏向掃描。具體而言,多面鏡PM係旋轉多面鏡,其具有沿著Zt軸方向延伸之旋轉軸AXp、與以圍繞旋轉軸AXp之方式繞旋轉軸AXp配置之複數個反射面RP。於第1實施形態中,多面鏡PM為具有8個與Zt軸平行之反射面RP且具有正八邊形之形狀的旋轉多面鏡。以旋轉軸AXp為中心而使該多面鏡PM往既定之旋轉方向旋轉,藉此,能夠使照射至反射面RP之脈衝狀的光束LBa、LBb的反射角連續地產生變化。藉此,能夠分別藉由第1反射面RP與第2反射面RP而將光束LBa、LBb的反射方向偏向,使照射至基板P的被照射面上之光束LBa、LBb的光點SPa、SPb沿著主掃描方向進行掃描。
多面鏡PM的一個反射面RP,由於使光束LBa、LBb均進行偏向掃描,因此能夠使光點SPa、SPb沿著描繪線SL2a、SL2b進行掃描。因此,多面鏡PM旋轉一周,則沿著基板P的被照射面上的描繪線SL2a、SL2b的光點SPa、SPb之掃描次數最大為與反射面RP的數量相同之8次。多面鏡PM藉由包含馬達等之多面鏡驅動部而以固定速度旋轉。藉由該多面鏡驅動部,多面鏡PM的旋轉受控制裝置18控制。
另外,當將描繪線SL2a、SL2b的長度例如設為30 mm,使3 μm之光點SPa、SPb以各重疊1.5 μm之方式而脈衝發光,並且將光點SPa、SPb沿著描繪線SL2a、SL2b照射至基板P的被照射面上時,以一次掃描照射之光點SP的數量(脈衝發光數)為20000(30 mm/1.5 μm)。又,若將沿著描繪線SL2a、SL2b之光點SPa、SPb之掃描時間設為200 μsec,則於此期間,必須進行20000次照射脈衝狀的光點SP,因此,光源裝置14之發光頻率Fs為Fs≧20000次/200 μsec=100 MHz。
第1柱面透鏡CY1,在與由多面鏡PM產生之掃描方向(旋轉方向)正交之非掃描方向(Zt方向)上,使射入之光束LBa、LBb收斂於多面鏡PM的反射面RP上。即使存在如下情形(反射面RP相對於XtYt平面的法線即Zt軸傾斜),亦能夠抑制其影響,該情形係指因該母線與Yt方向平行之第1柱面透鏡CY1、及後述之第2柱面透鏡CY2a、CY2b,而使反射面RP相對於Zt方向傾斜。例如,能夠抑制照射至基板P的被照射面上之光束LBa、LBb的光點SPa、SPb(描繪線SL2a、SL2b)之照射位置,因多面鏡PM的各反射面RP之極小之斜度誤差而於Xt方向上偏移。
詳細而言,多面鏡PM將射入之光束LBa往-Yt(-Y)方向側進行反射並導引至反射鏡M6a。又,多面鏡PM將射入之光束LBb往+Yt(+Y)方向側進行反射並導引至反射鏡M6b。反射鏡M6a將射入之光束LBa往-Xt方向側進行反射並導引至具有沿著Xt軸方向延伸之光軸AXfa的fθ透鏡FTa。反射鏡M6b將射入之光束LBb往-Xt方向側進行反射並導引至具有沿著Xt軸方向延伸之光軸AXfb(與光軸AXfa平行)的fθ透鏡FTb。
fθ(f-θ)透鏡FTa、FTb為遠心系統的掃描透鏡,其於XtYt平面中,將經反射鏡M6a、M6b反射之來自多面鏡PM之光束LBa、LBb,以與光軸AXfa、AXfb平行之方式投射至反射鏡M7a、M7b。反射鏡M7a將射入之光束LBa朝向基板P的被照射面並往-Zt方向進行反射,反射鏡M7b將射入之光束LBb朝向基板P的被照射面並往-Zt方向進行反射。經反射鏡M7a反射之光束Lba,透過第2柱面透鏡CY2a而投射至基板P的被照射面,經反射鏡M7b反射之光束LBb,透過第2柱面透鏡CY2b而投射至基板P的被照射面。藉由該fθ透鏡FTa及母線與Yt方向平行之第2柱面透鏡CY2a,投射至基板P之光束LBa於基板P的被照射面上,收斂為有效直徑為數μm左右(例如3 μm)之微小之光點SPa。同樣地,藉由fθ透鏡FTb及母線與Yt方向平行之第2柱面透鏡CY2b,投射至基板P之光束LBb於基板P的被照射面上,收斂為有效直徑為數μm左右(例如3 μm)之微小之光點SPb。投射至該基板P的被照射面上之光點SPa、SPb,藉由一個多面鏡PM旋轉而沿著於主掃描方向(Yt方向、Y方向)延伸之描繪線SL2a、SL2b同時一維地掃描。
往fθ透鏡FTa、FTb射入之光束的入射角θ(相對於光軸之角度),會根據多面鏡PM的旋轉角(θ/2)而改變。fθ透鏡FTa,將光束LBa的光點SPa投射至與光束LBa的入射角成比例之基板P的被照射面上之像高位置。同樣地,fθ透鏡FTb,將光束LBb的光點SPb投射至與光束LBb的入射角成比例之基板P的被照射面上之像高位置。若將焦點距離設為f,將像高位置設為y,則fθ透鏡FTa、FTb具有y=f×θ之關係(畸變像差(distortion))。因此,可藉由該fθ透鏡FTa、FTb,使光束LBa、LBb的光點SPa、SPb沿著Yt方向(Y方向)正確地進行等速掃描。當往fθ透鏡FTa、FTb射入之光束LBa、LBb的入射角θ為0度時,射入至fθ透鏡FTa、FTb之光束LBa、LBb沿著光軸AXfa、AXfb上前進。
以上之聚光透鏡CD、三角反射鏡M2、反射鏡M3a、偏移光學構件SRa、光束成形光學系統BFa、反射鏡M4、第1柱面透鏡CY1及反射鏡M5,係作為從第1方向朝多面鏡PM導引光束LBa之第1導光光學系統20而發揮功能。又,聚光透鏡CD、三角反射鏡M2、反射鏡M3b、偏移光學構件SRb、光束成形光學系統BFb、反射鏡M4、第1柱面透鏡CY1及反射鏡M5,係作為從與第1方向不同之第2方向朝多面鏡PM導引光束LBb之第2導光光學系統22而發揮功能。另外,雖將聚光透鏡CD、三角反射鏡M2、反射鏡M4、第1柱面透鏡CY1及反射鏡M5設為第1導光光學系統20與第2導光光學系統22共通之構件,但亦可按第1導光光學系統20與第2導光光學系統22而個別地設置該等構件中的至少一部分。又,反射鏡M6a、fθ透鏡FTa、反射鏡M7a及第2柱面透鏡CY2a,係作為第1投射光學系統24而發揮功能,該第1投射光學系統24係使由多面鏡PM反射之光束LBa聚光並作為光點SPa而投射至描繪線SL2a(SLa)上。同樣地,反射鏡M6b、fθ透鏡FTb、反射鏡M7b及第2柱面透鏡CY2b,係作為第2投射光學系統26而發揮功能,該第2投射光學系統26係使由多面鏡PM反射之光束LBb聚光並作為光點SPb而投射至描繪線SL2b(SLb)上。該第1投射光學系統24與第2投射光學系統26,係以如下方式配置,即,使描繪線SLa、SLb於副掃描方向上處於相同位置且於主掃描方向上分隔。又,以使描繪線SLa、SLb於主掃描方向上以掃描長度以下之間隔分隔之方式配置第1投射光學系統24與第2投射光學系統26。
於本第1實施形態之情形下,即使當使光束LBa、LBb射入至反射鏡M1上的旋動中心軸AXr通過之位置時,光束LBa、LBb亦不會與旋動中心軸AXr平行地射入至反射鏡M1,而是如圖8所示,以相對於旋動中心軸AXr以固定斜度於反射鏡M1上(或其附近)交叉之方式射入。因此,若描繪單元U2整體繞旋動中心軸AXr旋動,則光束LBa、LBb相對於反射鏡M1之入射角度相對地產生變化。藉此,描繪單元U2內之經反射鏡M1反射之光束LBa、LBb的反射方向,根據描繪單元U2繞旋動中心軸AXr之旋動而二維地產生變化。
圖9、圖10係誇張地顯示描繪單元U2未繞旋動中心軸AXr旋動之初始位置狀態、與描繪單元U2從初始位置旋動Δθz後之狀態下的描繪單元U2內之光束LBa的反射方向的變化(光束前進路徑的變化)之圖。圖9係於XtZt面內觀察反射鏡(反射構件)M1與聚光透鏡CD之配置關係之圖,圖10係於XtYt面內觀察反射鏡M1與聚光透鏡CD之配置關係之圖。另外,描繪單元U2內之光束LBb的反射方向於描繪單元U2繞旋動中心軸AXr旋動時產生變化之原理,與光束LBa之情形相同,因此僅針對光束LBa進行說明。此處,聚光透鏡CD的光軸AXc,係設定為於反射鏡M1的反射面(相對於XtYt面設定為45°)上與旋動中心軸AXr交叉,反射鏡M1的反射面設定於聚光透鏡CD的前側焦點距離fa的位置。進一步地,光束LBa、LBb,於聚光透鏡CD的後側焦點距離fb的位置之面Pcd(後側焦點面),以達到光束腰寬(最小直徑)之方式收斂之後發散。於圖9、圖10中,以實線所示之光束LBa-1,表示描繪單元U2整體未旋轉之初始位置狀態,也就是描繪線SL2a與Yt(Y)方向平行之狀態時之光束LBa。以兩點鏈線所示之光束LBa-2,表示描繪單元U2整體繞旋動中心軸AXr旋動Δθz後之狀態時之光束LBa。
當描繪單元U2繞旋動中心軸AXr旋動時,光束LBa(LBb)相對於反射鏡M1的反射面之相對性的入射角度產生變化。如圖10所示,若將投射至反射鏡M1之前的反射鏡M8的反射面上之光束LBa設為LBa(M8),則根據圖8之光束配向狀態可知:於初始位置狀態下,XtYt面內之投射至反射鏡M1上之光束LBa與光束LBa(M8)的各位置,在與Yt軸平行之方向上分隔。於描繪單元U2整體從初始位置狀態旋轉(傾斜)角度Δθz之情形時,若從反射鏡M1觀察,則反射鏡M8上的光束LBa(M8)之位置對應於角度Δθz而相對地於Xt方向上偏移(實際上繞旋動中心軸AXr旋轉)。
藉此,於初始位置狀態時經反射鏡M1反射之光束LBa-1的光路(中心線),在描繪單元U2整體旋轉角度Δθz之後,成為光束LBa-2並於XtYt面內傾斜。另外,於圖10中,XtYt面內的初始位置狀態時之光束LBa-1的中心線與聚光透鏡CD的光軸AXc之交叉角,與圖8所示之YtZt面內的光束LBa的中心線與旋動中心軸AXr之交叉角一致。因此,後側焦點面Pcd內的初始位置狀態下之光束LBa-1的收斂位置BW1,在描繪單元U2整體旋轉角度Δθz之後,作為後側焦點面Pcd內的光束LBa-2的收斂位置BW2,在Yt方向上位置錯開(平行偏移)ΔYh。根據與角度Δθz之間的ΔYh=fy(Δθz)之幾何學關係式,唯一地求出該位置偏移量ΔYh。另外,從聚光透鏡CD朝向後側焦點面Pcd之光束LBa-1與光束LBa-2的各中心線,均與光軸AXc平行。
另一方面,如圖9誇張所示,若於XtZt面內觀察使描繪單元U2整體從初始位置狀態旋轉角度Δθz之後的光束LBa-2之配向狀態,則射入至反射鏡M1之光束LBa的中心線相對於旋動中心軸AXr在Yt方向上傾斜,因此,光束LBa-2從旋轉角度Δθz之後的反射鏡M1,相對於初始位置狀態下之光束LBa-1(與光軸AXc平行)向Zt軸方向傾斜地前進並射入至聚光透鏡CD。因此,後側焦點面Pcd內的初始位置狀態下之光束LBa-1的收斂位置BW1,在描繪單元U2整體旋轉角度Δθz之後,作為後側焦點面Pcd內的光束LBa-2的收斂位置BW2,向Zt方向位置錯開(平行偏移)ΔZh。根據與角度Δθz之間的ΔZh=fz(Δθz)之幾何學關係式,唯一地求出該位置偏移量ΔZh。另外,於本第1實施形態之構成中,Zt軸方向之位置偏移量ΔZh大於Yt軸方向之位置偏移量ΔYh。以上的作用對於光束LBb而言亦相同,在使描繪單元U2整體旋轉角度Δθz之後,藉由聚光透鏡CD而收斂之後側焦點面Pcd內的光束LBb-2的位置,相對於後側焦點面Pcd內的初始位置狀態時之光束LBb-1的位置,在Yt方向與Zt方向上位置偏移。
如上所述,於本第1實施形態中,因具備如反射鏡M1的反射面處於前側焦點距離fa的位置之聚光透鏡CD,而能夠始終使從聚光透鏡CD射出之光束LBa-2(LBb-2)的中心線與光束LBa-1(LBb-1)的中心線平行。因此,藉由聚光透鏡CD之後配置之偏移光學構件SRa、SRb的斜度調整,以使描繪單元U2整體旋轉角度Δθz之後所產生的光束LBa、LBb的位置偏移量ΔYh、ΔZh為零之方式進行修正。藉此,能夠使兩條光束LBa、LBb沿著初始位置狀態時之光路而正確地通過之後的光學系統。藉由使用基於幾何學關係式即ΔYh=fy(Δθz)、ΔZh=fz(Δθz)而預先作成之角度Δθz與斜度調整量的關係表等,能夠高速地執行偏移光學構件SRa、SRb的斜度調整。藉此,即使是描繪單元U2整體旋動之情形,亦能夠使光束LBa、LBb射入至多面鏡PM的反射面RP的適當位置。
另外,只要能夠使來自反射鏡M8之光束LBa、LBb在與旋動中心軸AXr相同之軸上射入至反射鏡M1,則光束LBa、LBb相對於反射鏡M1之入射角度不會因描繪單元U繞旋動中心軸AXr旋動而產生變化。因此,於描繪單元U內,經反射鏡M1反射之光束LBa、LBb的反射方向不會因描繪單元U之旋動而產生變化。使射入至反射鏡M1之兩條光束LBa、LBb處於同一軸上,且於反射鏡M1以後的描繪單元U2內,在空間上使兩條光束LBa、LBb分離之一個方法在於組成如下系統,係將偏振光束分光器(polarizing beam-splitter)等配置於反射鏡M1之後,對偏振狀態彼此正交之光束LBa、LBb進行同軸合成,使其射入至反射鏡M1,且利用偏振光束分光器等進行偏振分離。
於圖9、圖10中以如下情形為例進行說明,該情形係使相對於旋動中心軸AXr以固定斜度且相對於旋動中心軸AXr對稱之光束LBa、LBb(平行光束)射入至反射鏡M1的相同位置,現針對使相對於旋動中心軸AXr在Yt方向上對稱且與旋動中心軸AXr彼此平行地配向之兩條光束LBa、LBb(平行光束)射入至反射鏡M1的情形進行說明。圖11A係從+Zt方向側誇張地顯示當使描繪單元U2整體繞旋動中心軸AXr旋動角度(既定角度)Δθz時,射入至反射鏡(反射構件)M1之光束LBa、LBb的反射方向產生變化的樣子之圖,圖11B係從光束LBa、LBb的前進方向側(+Xt方向側)觀察使描繪單元U2整體旋動角度Δθz時之反射鏡M1中的光束LBa、LBb的位置變化之圖。
另外,於圖11A中,正交座標系XtYtZt係針對描繪單元U2所設定之正交座標系,因此,描繪單元U2整體旋動角度Δθz之後的正交座標系XtYtZt如以虛線所示,成為繞Zt軸傾斜角度Δθz後之正交座標系。因此,於描繪單元U2未旋動之初始位置狀態時,沿著描繪線SL2之光點SP的主掃描方向(Yt方向)與Y方向平行,但於描繪單元U2整體旋動角度Δθz之情形時,沿著旋動後之描繪單元U2的描繪線SL2之光點SP的主掃描方向(Yt方向),相對於Y方向傾斜。又,如圖11A、圖11B所示,將以於兩條光束LBa、LBb的Yt方向的中間位置沿Xt方向延伸之方式設定、且與旋動中心軸AXr正交的線設為中心軸AXt。該中心軸AXt相當於前面的圖9、圖10中的聚光透鏡CD的光軸AXc。進一步地,如圖11A、圖11B所示,於經反射鏡M1反射之兩條光束LBa、LBb與中心軸AXt平行地前進之情形時,將前面的圖9、圖10中所說明之聚光透鏡CD改為較小直徑之聚光透鏡,且個別地設置於兩條光束LBa、LBb各自的光路中。
於圖11A中,以實線所示之反射鏡M1,係表示描繪單元U2未旋動之初始位置狀態、也就是描繪線SL2a、SL2b與Y方向平行之狀態時的反射鏡M1。又,以實線所示之光束LBa-1、LBb-1,係表示朝向初始位置狀態時的反射鏡M1之入射位置、及由該反射鏡M1往Xt軸方向反射之光束LBa、LBb。又,以兩點鏈線所示之反射鏡M1’,係誇張地表示描繪單元U2旋動角度Δθz之狀態時的反射鏡M1之配置。進一步地,以兩點鏈線所示之光束LBa-2、LBb-2,係表示描繪單元U2旋動角度Δθz之狀態時的由反射鏡M1’反射之光束LBa、LBb。
當描繪單元U2旋動時,於XtYt平面中,由反射鏡M1’反射之光束LBa-2、LBb-2的反射方向亦根據描繪單元U2的旋動而旋轉。進一步地,光束LBa、LBb射入至反射鏡M1之相對位置(尤其是Zt方向之位置)因描繪單元U2之旋動而產生變化,因此,在與中心軸AXt垂直之平面Pv(與YtZt面平行)中,由反射鏡M1’反射之光束LBa-2、LBb-2的各中心線,如圖11B所示,與中心軸AXt平行,但位置繞中心軸AXt產生變化。
如圖11B所示,於描繪單元U2為初始位置狀態時,由反射鏡M1反射之光束LBa-1、LBb-1,以往±Yt(Y)方向與中心軸AXt隔開固定距離之方式平行配置。然而,若描繪單元U2旋動角度Δθz,則與此對應地,以中心軸AXt為中心而描繪出圓弧之方式,由反射鏡M1反射之光束LBa-2往-Zt方向及+Yt方向移動,由反射鏡M1反射之光束LBb-2往+Zt方向及-Yt方向移動。因此,將導致通過反射鏡M1之後的各光學構件之兩條光束LBa、LBb的各光路與初始位置狀態時之光路不同,而無法使光束LBa、LBb射入至多面鏡PM的反射面RP的適當位置。
然而,於本第1實施形態中,於反射鏡M1之後設置有偏移光學構件SRa、SRb,因此,能夠於平面Pv內,在Yt方向與Zt方向上二維地對光束LBa、LBb各自的中心線進行調整。因此,即使是描繪單元U2整體旋動之情形,亦能夠於描繪單元U2內的偏移光學構件SRa、SRb以後,將光束LBa、LBb各自的光路修正(調整)為描繪單元U未旋動之初始位置狀態時的正確之光路。藉此,能夠使光束LBa、LBb射入至多面鏡PM的反射面RP的適當位置。
另外,藉由三角反射鏡M2與反射鏡M3a、M3b,使由反射鏡M1反射之光束LBa、LBb的中心線在XtYt面內的Yt方向上之間隔擴大,因此,能夠縮短射入至描繪單元U2的反射鏡M1之兩條光束LBa、LBb的各中心線的間隔,且能夠使射入至描繪單元U2(反射鏡M1)之光束LBa、LBb靠近旋動中心軸AXr。其結果,即使是描繪單元Ub旋動之情形,亦能夠將平面Pv內的伴隨該旋動之光束LBa、LBb的各中心線的位置變化量抑制為較小。
而且,控制裝置18能夠基於使用對準顯微鏡AMa(AMa1~AMa4)、AMb(AMb1~AMb4)而檢測出之對準標記MK(MK1~MK4)的位置,檢測曝光區域W的傾斜(斜度)或歪斜(變形)。關於該曝光區域W的傾斜(斜度)或歪斜,例如存在有因捲繞於旋轉筒DR1、DR2而被搬送之基板P的長條方向相對於中心軸AXo1、AXo2傾斜或歪斜,而使曝光區域W傾斜或歪斜的情形。又,即使是捲繞於旋轉筒DR1、DR2而被搬送之基板P未傾斜或未歪斜之情形,當形成下層的圖案層時,有時會因基板P傾斜(傾倒)或歪斜地被搬送而導致曝光區域W自身歪斜。此外,有時亦會有因在前步驟中對基板P施加之熱影響,而導致基板P自身呈線性或非線性地產生變形。
因此,控制裝置18,根據使用對準顯微鏡AMa(AMa1~AMb4)而檢測出之曝光區域W的整體或一部分的傾斜(斜度)或歪斜,使描繪單元U1、U2、U5、U6繞旋動中心軸AXr旋動。又,控制裝置18,根據使用對準顯微鏡AMb(AMb1~AMb4)而檢測出之曝光區域W的整體或一部分的傾斜(斜度)或歪斜,使描繪單元U3、U4繞旋動中心軸AXr旋動。此時,控制裝置18,亦根據描繪單元U(U1~U6)的旋動角,驅動偏移光學構件SRa、SRb。
具體而言,例如由於捲繞於旋轉筒DR1、DR2而被搬送之基板P傾斜(傾倒)或歪斜,因此需要對應於該傾斜(傾倒)、歪斜而使描繪之既定圖案亦傾斜或歪斜。又,作為其他例子,當重新將既定圖案重疊於下層圖案上而進行描繪時,需要對應於下層圖案的整體或一部分之傾斜或歪斜而使描繪之既定圖案亦傾斜或歪斜。因此,為了使描繪之既定圖案傾斜或歪斜,控制裝置18使描繪單元U(U1~U6)個別地旋動,從而使描繪線SLa、SLb相對於Y方向傾斜。
如此,於第1實施形態中,描繪單元U使用一個多面鏡PM而使光束LBa、LBb的光點SPa、SPb沿著描繪線SLa、SLb掃描,以使描繪線SLa、SLb在基板P上位於副掃描方向上之相同位置,且在主掃描方向上隔開之方式,配置第1投射光學系統24與第2投射光學系統26。進一步地,將描繪單元U的旋動中心軸設定於主掃描方向上之兩條描繪線SLa、SLb之間的位置,較佳為設定於將主掃描方向上之描繪線SLa、SLb各自的中點位置二等分之位置。
藉此,即使描繪單元U旋動,亦能夠抑制藉由描繪單元U掃描光束LBa、LBb的光點SPa、SPb之描繪線SLa、SLb在基板P上的位置偏移增大,且可簡單地對描繪線SLa、SLb的斜度進行調整。相反地,於以在主掃描方向上處於相同位置、且在副掃描方向上彼此隔開之方式設置有複數條掃描線之日本特開2004-117865號公報中,於使雷射掃描裝置旋動而對複數條掃描線之斜度進行調整之情形時,掃描線會以雷射掃描裝置的旋動中心位置為中心而描繪出圓弧之方式移動。因此,掃描線越遠離旋動中心位置,則由雷射掃描裝置旋動引起之被照射體上的掃描線的位置偏移越大。亦即,於本第1實施形態中,由於以在副掃描方向上處於相同位置、且在主掃描方向上隔開之方式設定描繪線SLa、SLb,因此能夠不使由描繪單元U之旋動引起之基板P上的描繪線SLa、SLb的位置偏移過分地增大。又,由於能夠縮短描繪線SL的掃描長度,因此能夠穩定地維持描繪超詳細圖案所需之掃描線的配置精度或光學性能。
以將描繪線SLa、SLb的各掃描長度設定為相同,並且在主掃描方向上以掃描長度以下之間隔分離設定描繪線SLa、SLb之方式,配置第1投射光學系統24與第2投射光學系統26。藉此,可藉由複數個描繪單元U,使各描繪單元U的描繪線SLa、SLb在主掃描方向上相接,並且能夠抑制基板P上之各描繪單元U的描繪線SLa、SLb的位置偏移增大,且可簡單地對描繪線SLa、SLb的斜度進行調整。
描繪單元U的旋動中心軸AXr,係相對於基板P垂直地通過連接描繪單元U的描繪線SLa、SLb各自的中點之線段的中心點。藉此,能夠使伴隨描繪單元U的旋動之描繪線SLa、SLb的位置偏移為最小限度,且能夠簡單地對描繪線SLa、SLb的斜度進行調整。
來自光源裝置14之光束LBa、LBb,以相對於旋動中心軸AXr對稱之方式而射入至描繪單元U,因此,即使是描繪單元U繞旋動中心軸AXr旋動之情形,亦能夠抑制通過描繪單元U內之光束LBa、LBb的各中心線之位置偏移變大。
描繪單元U於旋動中心軸AXr通過之位置具備反射鏡M1,該反射鏡M1係對射入之光束LBa、LBb進行反射並導引至第1導光光學系統20及第2導光光學系統22。藉此,即使是描繪單元U旋動之情形,由於來自光源裝置14之光束LBa、LBb於描繪單元U內首先射入至反射鏡M1,因此能夠將光束LBa、LBb的光點SPa、SPb投射至描繪線SLa、SLb上。
第1導光光學系統20具備偏移光學構件SRa,該偏移光學構件SRa係使由反射鏡M1反射之光束LBa的位置在與光束LBa的前進方向交叉之平面上偏移,第2導光光學系統22具備偏移光學構件SRb,該偏移光學構件SRb係使由反射鏡M1反射之光束LBb的位置在與光束LBb的前進方向交叉之平面上偏移。藉此,即使是描繪單元U旋動之情形,亦能夠使光束LBa、LBb通過描繪單元U內的適當光路而射入至多面鏡PM。因此,能夠抑制因描繪單元U之旋動而使光點SPa、SPb未照射至基板P的被照射面、或光點SPa、SPb投射至偏離斜度調整後之描繪線SLa、SLb之位置等問題產生。
複數個描繪單元U,係以使各條描繪線SLa、SLb沿著主掃描方向(基板P的寬度方向)相接(接合)之方式配置。藉此,能夠使基板P的寬度方向上之可描繪範圍擴大。
以使複數個描繪單元U中的既定數量之描繪單元U的描繪線SLa、SLb位於旋轉筒DR1的外周面所支承之基板P上,且使剩餘之描繪單元的描繪線SLa、SLb位於旋轉筒DR2的外周面所支承之基板P上的方式,配置複數個描繪單元U。藉此,無需將全部之描繪單元U配置於一個旋轉筒DR,使描繪單元U的配置自由度提高。另外,亦可設置3個以上之旋轉筒DR,對於3個以上之旋轉筒DR各自配置一個以上之描繪單元U。
使描繪線SLa、SLb(描繪單元)旋動(傾斜),以使應描繪於基板P的被照射面上之既定圖案傾斜。藉此,能夠使與基板P的搬送狀態或基板P的曝光區域W的形狀相對應之描繪之既定圖案的形狀產生變化。又,當重新將既定圖案重疊於基板P的被照射面上所預先形成之下層圖案上以進行描繪時,能夠基於下層圖案的整體或一部分的斜度、或非線性變形之測量結果,使描繪線SLa、SLb旋動(傾斜)。藉此,相對於形成於下層之圖案之重疊精度提高。
另外,將各描繪單元U(U1~U6)的描繪線SLa、SLb配置於副掃描方向上之相同位置,但亦可配置於副掃描方向上之不同位置。總之,描繪線SLa、SLb只要在主掃描方向上彼此隔開即可。即使是該情形,旋動中心軸AXr亦相對於基板P的被照射面垂直地通過設定於描繪線SLa的中點與描繪線SLb的中點之間的點、或連接描繪線SLa與描繪線SLb的各中點之線段上所設定之中心點,因此,能夠使伴隨描繪單元U的旋動之描繪線SLa、SLb的位置偏移減小。
進一步地,於本第1實施形態中,利用一個多面鏡PM進行分別沿著兩條描繪線SLa、SLb之光點SPa、SPb的主掃描,因此,如圖2所示,即使是與Y方向寬度大之基板P上的曝光區域W相對應地設定12條描繪線SL1a~SL6a、SL1b~SL6b之情形,多面鏡PM之數量亦只要一半即6個即可。因此,伴隨多面鏡PM的高速旋轉(例如兩萬rpm以上)而產生之振動或噪音(風噪音)亦受到抑制。
[第1實施形態的變形例]
上述第1實施形態,亦可有如下所述之變形例。
(變形例1)圖12係從+Zt方向側觀察上述第1實施形態的變形例1中的利用多面鏡PM之光束掃描系統時之圖,圖13係從+Xt方向側觀察圖12的光束掃描系統時之圖。另外,針對與上述第1實施形態相同之構成標記同一符號且省略其說明,僅對與上述第1實施形態不同之部分進行說明。本變形例1的多面鏡PM,亦如圖12所示為具有8個反射面RPa~反射面RPh之正八邊形,位於夾著旋轉軸AXp而對稱之位置之兩個反射面(例如反射面RPa與反射面RPe、反射面RPc與反射面RPg等)彼此平行。
如圖13所示,反射鏡M4a將透過光束成形光學系統BFa而往+Xt方向前進之光束LBa,往-Zt方向進行反射。藉由反射鏡M4a往-Zt方向反射之光束LBa,在通過母線被設定為與Xt軸平行之第1柱面透鏡CY1a之後,射入至反射鏡M5a。反射鏡M5a將射入之光束LBa往+Yt方向進行反射並導引至多面鏡PM的第1反射面RPc。如圖12所示,多面鏡PM將射入之光束LBa往反射鏡M5a側(-Yt方向側)進行反射並導引至反射鏡M6a。如上述第1實施形態中所述,反射鏡M6a將射入之光束Lba往-Xt方向進行反射並導引至fθ透鏡FTa。同樣地,反射鏡M4b將透過光束成形光學系統BFb而往+X方向前進之光束LBb,往-Zt方向進行反射。藉由反射鏡M4b而往-Zt方向反射之光束LBb,在通過母線被設定為與Xt軸平行的第1柱面透鏡CY1b之後,射入至反射鏡M5b。反射鏡M5b將射入之光束LBb往-Yt方向進行反射並導引至多面鏡PM的第2反射面RPg。多面鏡PM,將射入之光束LBb往反射鏡M5b側(+Yt方向側)進行反射並導引至反射鏡M6b。如上述第1實施形態中所述,反射鏡M6b將射入之光束LBb往-Xt方向進行反射並導引至fθ透鏡FTb。反射鏡M6a、M6b,配置於Zt方向上之相同位置。而且,反射鏡M5a配置在較反射鏡M6a更靠-Zt方向側,反射鏡M5b配置在較反射鏡M6b更靠+Zt方向側。又,反射鏡M5a、M5b與反射鏡M6a、M6b設置於Xt方向上之大致相同之位置。也就是,反射鏡M5a、M5b、反射鏡M6a、M6b沿著Yt方向設置。
取代上述第1實施形態的反射鏡M4而設置上述反射鏡M4a、M4b,該等反射鏡M4a、M4b具有與反射鏡M4同等之功能。又,取代上述第1實施形態的第1柱面透鏡CY1而設置第1柱面透鏡CY1a、CY1b,該等第1柱面透鏡CY1a、CY1b具有與第1柱面透鏡CY1同等之功能。也就是,柱面透鏡CY1a、CY1b,在與由多面鏡PM產生之掃描方向(旋轉方向)正交之非掃描方向(Zt方向)上,使射入之光束LBa、LBb收斂於多面鏡PM的反射面RP上。同樣地,取代上述第1實施形態的反射鏡M5而設置反射鏡M5a、M5b,該等反射鏡M5a、M5b具有與反射鏡M5同等之功能。如此,於第1導光光學系統20與第2導光光學系統22各個中個別地設置有上述第1實施形態的反射鏡M4、第1柱面透鏡CY1及反射鏡M5而成者,成為反射鏡M4a、M4b、第1柱面透鏡CY1a、CY1b及反射鏡M5a、M5b。
另外,XtYt面內的射入至反射鏡M4a、M4b之光束LBa、LBb的Yt方向距離,藉由圖6中所示之三角反射鏡M2與反射鏡M3a、M3b,而以大於多面鏡PM的Yt方向的尺寸(直徑)之方式擴大。
於本變形例1中,如圖13所示,以使多面鏡PM的旋轉軸AXp從與Zt軸平行之狀態在Yt方向上傾斜固定角度θy(不滿45°)之方式,傾斜配置多面鏡PM整體。因此,多面鏡PM的各反射面RP中,位於在旋轉過程中分別與反射鏡M6a、M6b相向之位置的反射面RPc、RPg,相對於Zt軸在Yt方向上傾斜固定角度θy。圖12、圖13顯示此種多面鏡PM的反射面RPc、與夾著旋轉軸AXp而與反射面RPc相對向之反射面RPg均與Xt軸平行之瞬間的狀態。此時,從與旋轉軸AXp正交之Xt方向觀察,射入至多面鏡PM的反射面RPc、RPg之光束LBa、LBb,係相對於各反射面RPc、RPg傾斜地以入射角θy射入,因此,能夠使藉由多面鏡PM產生之光束LBa、LBb的反射位置為Zt方向上之相同的高度位置。亦即,能夠使反射鏡M6a、M6b各自的Zt方向位置相同。進一步地,能夠將由多面鏡PM反射並朝向反射鏡M6a、M6b之光束LBa、LBb的各中心線(前進方向)設定為與XtYt面平行。藉此,能夠使第1投射光學系統24及第2投射光學系統26的Zt方向的位置為相同位置,容易將基板P的被照射面上的描繪線SLa、SLb配置於直線上。
另外,如圖13所示,當構成為使多面鏡PM傾斜角度θy,使光束LBa、LBb各自從Yt方向投射至多面鏡PM的彼此平行之兩個反射面RPc、RPg的各者,且使反射面RPc上的光束LBa的投射位置與反射面RPg上的光束LBb的投射位置之Zt方向高度對齊時,若增大傾斜角度θy,則亦必須增大旋轉軸AXp方向上之反射面RPa~反射面RPh的高度尺寸。於本變形例1之情形時,若增大多面鏡PM的傾斜角度θy,則雖容易配置反射鏡M5a、M5b、M6a、M6b等,但旋轉軸AXp方向上之多面鏡PM的反射面RPa~反射面RPh的尺寸變大,使多面鏡PM的質量增大。因此,於優先考慮減小多面鏡PM的質量以實現旋轉高速化之情形時,亦可在Zt方向上,使反射面RPc上的光束LBa的投射位置與反射面RPg上的光束LBb的投射位置不同。
又,如圖13所示,從與旋轉軸AXp正交之Xt方向觀察,使射入至多面鏡PM的有助於描繪之反射面RPc、RPg之光束LBa、LBb,在YtZt面內相對於反射面RPc、RPg傾斜地射入,藉此,能夠使光束LBa、LBb的入射方向與反射方向在旋轉軸AXp方向或Zt方向上不同。藉此,於從旋轉軸AXp方向或Zt方向觀察多面鏡PM之情形時(圖12之狀態),能夠使各光束LBa、LBb以大致正交之方式射入至有助於描繪之反射面RPc、RPg。亦即,於在XtYt面內進行觀察之情形時,能夠將由反射鏡M5a、M5b反射並朝向多面鏡PM的反射面RPc、RPg之光束LBa、LBb的各中心線AXs的延長線,設定為均通過多面鏡PM的旋轉軸AXp。
藉由如上所述之構成,當於XtYt面內進行觀察時,由多面鏡PM的有助於描繪之反射面RPc、RPg的各者反射之光束LBa、LBb,以中心線AXs為中心並在固定之角度範圍θs內偏向掃描之狀態下,被導引至第1投射光學系統24(具體而言為fθ透鏡FTa)及第2投射光學系統26(具體而言為fθ透鏡FTb)。因此,於從旋轉軸AXp方向或Zt方向觀察之情形時,能夠將連續射入至一個反射面RP(RPc、RPg)之脈衝狀的光束LBa、LBb的有效反射角範圍(θs)分為以中心線AXs為中心之均等之角度範圍(±θs/2),以一次掃描沿著描繪線SLa、SLb之光點SPa、SPb。藉此,以多面鏡PM掃描之光束LBa、LBb或光點SPa、SPb的光學性能(像差特性、聚焦特性、光點品質等)或等速性提高,使掃描精度提高。
(變形例2)圖14係從+Zt方向側觀察上述第1實施形態的變形例2中的利用多面鏡PMa之光束掃描系統時之圖,圖15係從+Xt方向側觀察圖14的光束掃描系統時之圖。另外,針對與上述第1實施形態的變形例1相同之構成標記相同符號,僅對不同部分進行說明。另外,反射鏡M5a、M5b處於Zt方向上之相同位置,且配置在較反射鏡M6a、M6b更靠+Zt方向側。又,反射鏡M5a、M5b與反射鏡M6a、M6b設置於Xt方向上大致相同之位置。
於本變形例2中,使具有8個反射面RPa~反射面RPh之多面鏡PMa的旋轉軸AXp與Zt軸平行,且以相對於旋轉軸AXp傾斜角度θy之方式形成多面鏡PMa的各反射面RPa~反射面RPh。圖14、圖15顯示此種多面鏡PMa的第1反射面RPc、與夾著旋轉軸AXp而與反射面RPc相對向之第2反射面RPg均與Xt軸平行之瞬間的狀態。而且,如圖15所示,從與旋轉軸AXp正交之Xt方向觀察,若相對於反射面RPc、RPg從斜上方(+Zt方向)投射朝向多面鏡PMa的反射面RPc之光束LBa、朝向反射面RPg之光束LBb的各者,則能夠將各反射面RPc、RPg上的光束LBa、LBb之反射位置設定為在與XtYt面平行之面內、即Zt方向上相同的高度位置。也就是,能夠使Zt方向上之多面鏡PMa所反射之光束LBa、LBb的中心線的位置相同。藉此,與上述第1實施形態的變形例1同樣地,能夠使第1投射光學系統24及第2投射光學系統26的Zt方向的位置為相同位置,而容易將基板P的被照射面上的描繪線SLa、SLb配置於直線上。
又,從Xt方向觀察,使射入至多面鏡PMa的反射面RPa~反射面RPh中的夾著旋轉軸AXp而相對向之兩個反射面RP(例如RPc與RPg)的各者之光束LBa、LBb,相對於反射面RP在Z方向上傾斜地射入,因此,若於YtZt面內進行觀察,則如圖15所示,能夠使光束LBa、LBb的入射角度方向與反射角度方向於旋轉軸AXp方向(Zt方向)隔開角度2θy。藉此,於從旋轉軸AXp方向(Zt方向)觀察多面鏡PMa之情形時,如圖14所示,能夠使光束LBa、LBb各自的入射方向與反射方向為相同方向。其結果,由多面鏡PMa反射之來自反射鏡M5a、M5b之光束LBa、LBb射入至反射鏡M6a、M6b而不會返回至反射鏡M5a、M5b。
本變形例2亦與前面的圖12之變形例1同樣地,由多面鏡PMa的有助於描繪之反射面RPc、RPg的各者反射之光束LBa、LBb,以中心線AXs為中心並在固定之角度範圍θs內偏向掃描之狀態下,導引至第1投射光學系統24(具體而言為fθ透鏡FTa)及第2投射光學系統26(具體而言為fθ透鏡FTb)。因此,能夠將連續射入至一個反射面RP(RPc、RPg)之脈衝狀的光束LBa、LBb的有效反射角範圍(θs)分為以中心線AXs為中心之均等之角度範圍(±θs/2),以一次掃描沿著描繪線SLa、SLb之光點。藉此,以多面鏡PMa掃描之光束LBa、LBb或光點SPa、SPb的光學性能(像差特性、聚焦特性、光點品質等)或等速性提高,使掃描精度提高。
(變形例3)於上述第1實施形態的變形例1中,使多面鏡PM的旋轉軸AXp相對於Zt軸在Yz方向上傾斜角度θy,於上述變形例2中,使多面鏡PMa的旋轉軸AXp與Zt軸平行,且以相對於Zt軸傾斜角度θy之方式形成多面鏡PMa的各反射面RPa~反射面RPh。但是,多面鏡PM之配置或各反射面RP(RPa~RPh)之構成並不限定於上述變形例1、變形例2。例如,亦可使用如上述第1實施形態般之構成之多面鏡PM,使光束LB相對於與各反射面RP(與Zt軸及旋轉軸AXp平行)垂直之面(與XtYt面平行)從斜上方(或下方)射入。藉此,於從多面鏡PM的旋轉軸AXp方向觀察多面鏡PM之情形時,在各反射面RP以光束LBa、LBb垂直射入之方式配置之狀態下,能夠使光束LBa、LBb之入射方向與反射方向相同,且能夠使光束LBa、LBb之入射方向與反射方向在旋轉軸AXp(Zt軸)方向錯開。因此,多面鏡PM能夠使由兩個反射面RP的各者反射之光束LBa、LBb,以中心線AXs為中心並在固定之角度範圍θs(以中心線AXs為中心之角度±θs/2之分配)內偏向,並將其導引至第1投射光學系統24(具體而言為fθ透鏡FTa)及第2投射光學系統26(具體而言為fθ透鏡FTb)。如此,即使是變形例3之情形,亦與上述第1實施形態的變形例1、變形例2同樣地,以多面鏡PM掃描之光束LBa、LBb或光點SPa、SPb的光學性能(像差特性、聚焦特性、光點品質等)或等速性提高,使掃描精度提高。
(變形例4)如圖16A、圖16B所示,亦可使用偏振光束分光器PBS(PBSa、PBSb)作為其他構成,該其他構成係使用正八邊形的多面鏡PM,且如前面的變形例1~變形例3的各者般,使射入至有助於描繪之多面鏡PM的反射面RP之光束LBa、LBb之入射方向與其反射方向,於在XtYt面內進行觀察時為相同方向,上述正八邊形的多面鏡PM係如上述變形例3般,旋轉軸AXp與Zt軸平行,且各反射面RPa~反射面RPh亦與旋轉軸AXp平行。圖16A係從+Zt方向側觀察上述第1實施形態的變形例4中的利用多面鏡PM之光束掃描系統時之圖,圖16B係從-Xt方向側觀察圖16A的光束掃描系統時之圖。另外,對與前面的第1實施形態、變形例1~變形例3的各者中所說明之構件相同之構件標記相同符號,僅對不同部分進行說明。
如圖16A、圖16B所示,於本變形例4中,在多面鏡PM與反射鏡M6a之間,配置光束之入射出射面與XtYt面、XtZt面的各者平行之長方體狀的偏振光束分光器PBSa,在多面鏡PM與反射鏡M6b之間,配置光束之入射出射面與XtYt面、XtZt面的各者平行之長方體狀的偏振光束分光器PBSb。偏振光束分光器PBSa、PBSb各自的偏振光分離面,係設定為相對於XtYt面與XtZt面均傾斜45°。進一步地,於偏振光束分光器PBSa與多面鏡PM之間設置1/4波長板QPa,於偏振光束分光器PBSb與多面鏡PM之間設置1/4波長板QPb。
於以上構成中,利用光學元件(聲光調變元件)AOMa(參照圖5、圖7)而受到調變後之光束LBa,如圖16B所示,在藉由母線與Xt軸平行之第1柱面透鏡CY1a而於Yt方向上收斂之狀態下,與Zt軸平行地從+Zt方向側射入至偏振光束分光器PBSa。使光束LBa成為直線S偏振光之後,光束LBa大部分由偏振光束分光器PBSa的偏振光分離面反射,透過1/4波長板QPa而成為圓偏振光,並朝向多面鏡PM。當多面鏡PM之旋轉角度位置,例如如圖16A所示,處於從有助於光束LBa之描繪之一個反射面PRc與XtZt面平行之狀態起的角度±θs/2之範圍內時,透過1/4波長板QPa之光束LBa由反射面PRc反射,再次通過1/4波長板QPa而成為直線P偏振光,且返回至偏振光束分光器PBSa。因此,由反射面PRc反射之光束LBa的大部分,透過偏振光束分光器PBSa的偏振光分離面而朝向反射鏡M6a。
同樣地,利用光學元件(聲光調變元件)AOMb(參照圖5、圖7)而受到調變後之光束LBb,如圖16B所示,在藉由母線與Xt軸平行之第1柱面透鏡CY1b而於Yt方向上收斂之狀態下,與Zt軸平行地從+Zt方向側射入至偏振光束分光器PBSb。使光束LBb成為直線S偏振光之後,光束LBb大部分由偏振光束分光器PBSb的偏振光分離面反射,透過1/4波長板QPb而成為圓偏振光,並朝向多面鏡PM。當多面鏡PM之旋轉角度位置如圖16A所示,處於從有助於光束LBb之描繪之一個反射面PRg與XtZt面平行之狀態起的角度±θs/2之範圍內時,透過1/4波長板QPb之光束LBb由反射面PRg反射,再次通過1/4波長板QPb而成為直線P偏振光,並返回至偏振光束分光器PBSb。因此,由反射面PRg反射之光束LBb的大部分,透過偏振光束分光器PBSb的偏振光分離面而朝向反射鏡M6b。
藉由如上所述之構成,由反射鏡M6a反射之光束LBa、由反射鏡M6b反射之光束LBb各自在與XtYt面平行之面內,於角度範圍θs內掃描。又,以如下方式配置:反射鏡M6a之後所配置之第1投射光學系統24(具體而言為fθ透鏡FTa)的光軸AXfa之延長線,藉由反射鏡M6a彎折90°而與多面鏡PM的旋轉軸AXp交叉,反射鏡M6b之後所配置之第2投射光學系統26(具體而言為fθ透鏡FTb)的光軸AXfb之延長線,藉由反射鏡M6b彎折90°而與多面鏡PM的旋轉軸AXp交叉。因此,於本變形例4中,多面鏡PM能夠使由兩個反射面(例如RPc與RPg)的各者反射之光束LBa、LBb,以光軸AXfa、AXfb為中心並在固定之角度範圍θs(以光軸AXfa、AXfb為中心之角度±θs/2之分配)內偏向,並將其導引至第1投射光學系統24(fθ透鏡FTa)及第2投射光學系統26(fθ透鏡FTb)。如此,即使是變形例4之情形,以多面鏡PM掃描之光束LBa、LBb或光點SPa、SPb的光學性能(像差特性、聚焦特性、光點品質等)或等速性提高,使掃描精度提高。又,與前面的第1實施形態及其變形例1~變形例3同樣地,於本變形例4中,藉由一個多面鏡PM之兩條光束LBa、LBb各自之偏向掃描所生成之描繪線SLa、SLb,亦能夠設定為如下長度例如30 mm~80 mm左右,該長度為能夠以與應描繪之圖案的微細度(最小線寬)或光點SPa、SPb的有效尺寸(直徑)相對應之精度而保持直線性之長度。
另外,於以上之變形例4中,以多面鏡PM偏向掃描之光束LBa、LBb,如圖16A所示,在與描繪線SLa、SLb的長度相對應之有效角度範圍θs內,射入至偏振光束分光器PBSa、PBSb。因此,偏振光束分光器PBSa、PBSb之P偏振光與S偏振光之分離程度即消光比,被設定為最大達到該角度範圍θs以上。作為如上所述之偏振光束分光器PBSa、PBSb之一例,於偏振光分離面反復積層有氧化鉿(HfO2
)膜與二氧化矽(SiO2
)膜而成之偏振光束分光器已揭示於國際公開第2014/073535號公報。
[第2實施形態]
圖17係顯示第2實施形態中的描繪單元Ua的一部分的構成之圖。各描繪單元Ua具有相同構成,因此,於本第2實施形態中,亦以沿著描繪線SL2a、SL2b上掃描光點SPa、SPb之描繪單元Ua2為例進行說明。另外,針對與上述第1實施形態相同之構成標記相同符號。又,僅對與上述第1實施形態不同之部分進行說明。
於第2實施形態中,多面鏡PM係以使旋轉軸AXp沿著Xt軸方向延伸之方式設置,fθ透鏡FTa、FTb係以使其光軸AXfa、AXfb沿著Zt軸方向延伸之方式設置。往-Zt軸方向前進之光束LBa、LBb射入至該多面鏡PM的8個反射面RP中的於YtZt面內彼此形成90°夾角之兩個反射面RP(圖17中為反射面RPb、RPh)。多面鏡PM的第1反射面RP(此處為RPh),將從第1方向射入之光束LBa往-Yt方向側進行反射並導引至反射鏡M6a。由反射鏡M6a反射之光束Lba往-Zt方向前進,在透過fθ透鏡FTa及柱面透鏡CY2a之後,射入至基板P。藉由該fθ透鏡FTa及柱面透鏡CY2a,射入至基板P之光束LBa於基板P的被照射面上成為光點SPa。又,多面鏡PM的第2反射面RP(此處為RPb),將從與第1方向不同之第2方向射入之光束LBb往+Yt方向側進行反射並導引至反射鏡M6b。由反射鏡M6b反射之光束LBb往-Zt方向前進,在透過fθ透鏡FTb及柱面透鏡CY2b之後,射入至基板P。藉由該fθ透鏡FTb及柱面透鏡CY2b,射入至基板P之光束LBb於基板P的被照射面上成為光點SPb。投射至基板P的被照射面上之光點SPa、SPb,藉由多面鏡PM之旋轉而於描繪線SL2a、SL2b上等速掃描。
如此,以旋轉軸AXp沿著Xt軸方向延伸之方式設置多面鏡PM,且以其光軸AXfa、AXfb沿著Zt軸方向延伸之方式設置fθ透鏡FTa、FTb,因此,無需如上述第1實施形態般設置反射鏡M7a、M7b,該反射鏡M7a、M7b係將透過fθ透鏡FTa、FTb之往-Xt方向前進之光束LBa、LBb往-Z方向進行反射。此種構成亦能夠獲得與上述第1實施形態相同之效果。
另外,於本第2實施形態中,反射鏡M6a、fθ透鏡FTa及柱面透鏡CY2a係作為第1投射光學系統24a而發揮功能,反射鏡M6b、fθ透鏡FTb及柱面透鏡CY2b係作為第2投射光學系統26a而發揮功能。本第2實施形態之描繪單元Ua亦可繞旋動中心軸AXr旋動,旋動中心軸AXr通過連接描繪線SL2a的中點與描繪線SL2b的中點之線段的中心點,且相對於基板P的被照射面垂直地通過。
又,於本第2實施形態中,雖無特別圖示,但取代上述第1實施形態的第1導光光學系統20及第2導光光學系統22,以使來自光源裝置14之光束LBa、LBb往-Z方向前進並射入至多面鏡PM之方式,配置將光束LBa、LBb導引至多面鏡PM之第1導光光學系統及第2導光光學系統。
如上述第1實施形態的變形例3中所述,使光束LB相對於與反射面RP的旋轉方向交叉之方向(多面鏡PM的旋轉軸AXp延伸之方向)傾斜地射入至反射面RP,藉此,亦能夠使光束LBa、LBb之入射方向與反射方向在旋轉軸AXp方向錯開。因此,能夠獲得與上述第1實施形態的變形例3相同之效果。
又,亦可如上述第1實施形態的變形例1中所述,在從與旋轉軸AXp正交之方向觀察多面鏡PM之情形時,使多面鏡PM的旋轉軸AXp相對於Xt方向傾斜。又,亦可使用上述第1實施形態的變形例2中所說明之多面鏡PMa。亦即,亦可使圖17中的多面鏡PM的旋轉軸AXp與Xt軸平行,且以從與旋轉軸AXp平行之狀態如圖15所示般傾斜角度θy之方式,形成多面鏡PM的各反射面RP(RPa~RPh)。藉此,從與旋轉軸AXp正交之方向觀察,藉由使射入至多面鏡PM的各反射面RP(RPa~RPh)之光束LBa、LBb相對於各反射面RP傾斜地射入,而能夠獲得與上述第1實施形態的變形例1、變形例2相同之效果。
[第3實施形態]
圖18係從-Yt(-Y)方向側觀察之第3實施形態的描繪單元Ub之構成圖,圖19係從+Xt方向側觀察自多面鏡PMb朝向+Zt側之描繪單元Ub的構成之圖,圖20係從+Zt方向側觀察自多面鏡PMb朝向-Zt方向側之描繪單元Ub的構成之圖。另外,針對與上述第1實施形態相同之構成標記相同符號。又,僅對與上述第1實施形態不同之部分進行說明。
如圖19所示,描繪單元Ub具備稜線與Xt軸平行之三角反射鏡(直角鏡)M10、反射鏡M11a、M11b、偏移光學構件SRa、SRb、母線與Xt軸平行之柱面透鏡CY1a、CY1b、8個反射面RP之多面鏡PMb、反射鏡M12a、M12b、反射鏡M13a、M13b、反射鏡M14a、M14b、fθ透鏡FTa、FTb、反射鏡M15a、M15b、及母線與Yt軸平行之柱面透鏡CY2a、CY2b之光學系統。對於關於兩條光束LBa、LBb成對地設置之光學系統,在參照符號之後加註a、b。
如圖19所示,來自光源裝置14之兩條光束LBa、LBb(均為平行光束),夾著旋動中心軸AXr而平行地排列並往-Zt方向前進,射入至夾著描繪單元Ub的三角反射鏡M10的稜線之不同的反射面M10a、M10b。該光束LBa、LBb以相對於與Zt軸平行之旋動中心軸AXr在Yt方向上對稱之方式,射入至描繪單元Ub的三角反射鏡M10的各反射面M10a、M10b。三角反射鏡M10的反射面M10a,將光束LBa往-Yt方向進行反射並導引至反射鏡M11a,三角反射鏡M10的反射面M10b,將光束LBb往+Yt方向進行反射並導引至反射鏡M11b。由反射鏡M11a反射之光束Lba往-Zt方向前進,在透過偏移光學構件SRa及柱面透鏡CY1a之後,射入至多面鏡PMb的反射面RP(例如反射面RPa)。由反射鏡M11b反射之光束LBb,往-Zt方向前進,在透過偏移光學構件SRb及柱面透鏡CY1b之後,射入至多面鏡PMb的反射面RP(例如反射面RPe)。多面鏡PMb的反射面RPa與反射面RPe,位於夾著多面鏡PMb的旋轉軸AXp而對稱之位置。
於本第3實施形態中,如圖20所示,多面鏡PMb的旋轉軸AXp係設定為與旋動中心軸AXr同軸。利用三角反射鏡M10及反射鏡M11a、M11b(參照圖19),使射入至多面鏡PMb之光束LBa、LBb的各中心線之間的Yt方向距離擴大。藉此,能夠縮短射入至描繪單元Ub之光束LBa、LBb的光軸間之距離,且能夠使射入至描繪單元Ub(三角反射鏡M10)之光束LBa、LBb靠近旋動中心軸AXr。其結果,即使是描繪單元Ub整體旋動之情形,亦能夠抑制伴隨該旋動之光束LBa、LBb的各中心線的位置於描繪單元Ub內大幅度地產生變化。伴隨描繪單元Ub的旋動之光束LBa、LBb的各中心線的位置變化,藉由與第1實施形態同樣地發揮功能之偏移光學構件SRa、SRb修正。
另外,三角反射鏡M10的反射面M10a、反射鏡M11a、偏移光學構件SRa及柱面透鏡CY1a係作為將光束LBa朝向多面鏡PMb的第1反射面RP(RPa)導引之第1導光光學系統20b而發揮功能。又,三角反射鏡M10的反射面M10b、反射鏡M11b、偏移光學構件SRb及柱面透鏡CY1b係作為將光束LBb朝向多面鏡PMb的與第1反射面不同之第2反射面RP(RPe)導引之第2導光光學系統22b而發揮功能。另外,三角反射鏡M10的各反射面M10a、M10b,亦可為個別地設置於第1導光光學系統20b與第2導光光學系統22b之平面鏡。另外,柱面透鏡CY1a(CY1b亦相同)具有僅在Yt方向上使作為平行光束射入之光束LBa(LBb)收斂之折射能力,因此,沿著Xt方向呈狹縫狀延伸之光點投射至多面鏡PMb的反射面RPa(反射面RPe)上。
若於XtYt面內進行觀察,本第3實施形態之多面鏡PMb如圖20所示,外形呈正八邊形,形成於其周圍之8個反射面RPa~反射面RPh(圖19圖示有RPa~RPe)各自係以相對於旋轉軸AXp(旋動中心軸AXr)傾斜45度之方式形成。亦即,多面鏡PMb成為如沿著中心線方向以適當厚度對正八角錐體進行切割而成之形狀,該正八角錐體的底面為正八邊形且8個側面各自相對於中心線傾斜45度。因此,多面鏡PMb的各反射面(RPa~RPh),將往-Zt方向前進之光束Lba往-Yt方向側呈直角地進行反射並導引至反射鏡M12a,且將往-Zt方向前進之光束LBb往+Yt方向側呈直角地進行反射並導引至反射鏡M12b。因此,如上述第1實施形態的變形例2般,多面鏡PMb能夠以各中心線AXs(與兩個fθ透鏡FTa、FTb的各光軸AXfa、AXfb同軸)為中心,在固定之角度範圍θs內,對由8個反射面RPa~反射面RPh中的例如反射面RPa、RPe反射之光束LBa、LBb進行反射。藉此,透過多面鏡PMb之光束LBa、LBb的光點SPa、SPb之光學性能、掃描直線性、等速性提高,使掃描精度(描繪精度)提高。
如圖18、圖20所示,藉由反射鏡M12a而往-Xt方向反射之來自多面鏡PMb(例如反射面RPa)之光束LBa,經由反射鏡M13a、M14a而被導引至fθ透鏡FTa。同樣地,藉由反射鏡M12b而往+Xt方向反射之來自多面鏡PMb(例如反射面RPe)之光束LBb,經由反射鏡M13b、M14b而被導引至fθ透鏡FTb。反射鏡M13a於彎折位置p13a將從反射鏡M12a往-Xt方向前進之光束LBa往-Zt方向反射,且反射鏡M14a於彎折位置p14a將來自反射鏡M13a之光束LBa往+Xt方向反射並導引至fθ透鏡FTa。反射鏡M13b於彎折位置p13b將從反射鏡M12b往+Xt方向前進之光束LBb往-Zt方向反射,且反射鏡M14b於彎折位置p14b將來自反射鏡M13a之光束LBb往-Xt方向反射並導引至fθ透鏡FTb。另外,雖於圖20中省略圖示,但透過反射鏡M12a、M13a、M14a射入至fθ透鏡FTa之光束Lba,藉由柱面透鏡CY1a的作用,若於XtYt面內觀察時,成為大致平行之光束,若於XtZt面內觀察時,則如圖18所示般成為發散光束。
透過fθ透鏡FTa(光軸AXfa與Xt軸平行)往+Xt方向前進之光束LBa,於遠心狀態下,藉由反射鏡M15a往-Zt方向反射,在透過柱面透鏡CY2a之後,成為圓形的光點SPa投射至基板P的被照射面上。同樣地,透過fθ透鏡FTb(光軸AXfb與Xt軸平行)往-Xt方向前進之光束LBb,於遠心狀態下,藉由反射鏡M15b往-Zt方向反射,在透過柱面透鏡CY2b之後,成為圓形的光點SPb投射至基板P的被照射面上。藉由fθ透鏡FTa及柱面透鏡CY2a,投射至基板P之光束LBa於基板P的被照射面上收斂成微小之光點SPa。同樣地,藉由fθ透鏡FTb及柱面透鏡CY2b,投射至基板P之光束LBb於基板P的被照射面上收斂成微小之光點SPb。投射至基板P的被照射面上之兩個光點SPa、SPb,因一個多面鏡PMb之旋轉而同時於描繪線SLa、SLb上進行一維掃描。於本第3實施形態之構成的情形中,兩個光點SPa、SPb沿著描繪線SLa、SLb彼此逆向地進行掃描移動。繼而,如圖20所示以如下方式進行設定,即,當使多面鏡PMb於XtYt面內順時針旋轉時,成為描繪圖案的Yt方向連接部之描繪線SLa的+Yt方向端部與描繪線SLb的-Yt方向端部分別成為光點SPa、SPb之掃描結束位置。相反地,當使多面鏡PMb於XtYt面內逆時針旋轉時,成為描繪圖案的Yt方向連接部之描繪線SLa的+Yt方向端部與描繪線SLb的-Yt方向端部分別成為光點SPa、SPb之掃描開始位置。
於以上構成中,反射鏡M12a、M13a、M14a、M15a、fθ透鏡FTa及柱面透鏡CY2a,係作為第1投射光學系統24b而發揮功能,該第1投射光學系統24b係使由多面鏡PMb反射並偏向掃描之光束LBa聚光以作為光點SPa而投射至描繪線SLa上。又,反射鏡M12b、M13b、M14b、M15b、fθ透鏡FTb及柱面透鏡CY2b,係作為第2投射光學系統26b而發揮功能,該第2投射光學系統26b係使由多面鏡PMb反射並偏向掃描之光束LBb聚光以作為光點SPb而投射至描繪線SLb上。
又,如圖18、圖20所示,於第3實施形態中,自多面鏡PMb的反射面RP至fθ透鏡FTa、FTb為止之光路長度,藉由其間之反射鏡M12a~M14a、M12b~M14b延長,因此,作為fθ透鏡FTa、FTb能夠使用光束入射側的焦點距離長者。一般而言,多面鏡PM(PMa、PMb亦相同)的反射面,配置於遠心之fθ透鏡FTa(FTb)的光束入射側之焦點距離fs的位置(光瞳位置)或其附近。因此,若將被照射面上之描繪線SLa(SLb)的長度設為Lss,將此時射入至fθ透鏡之光束的偏向角度範圍設為θs,則可近似地表示Lss≒fs·sin(θs)之關係。因此,於將描繪線SLa(SLb)的長度Lss設為固定值之情形時,只要使用焦點距離fs長之fθ透鏡,便能夠與此對應地減小偏向角度範圍θs。此意味著有助於沿著描繪線SLa(SLb)之光點SPa(SPb)的一次掃描之多面鏡PM(PMa、PMb)的旋轉角度範圍θs/2變小,具有有利於高速化之優點。
本第3實施形態之描繪單元Ub,如圖20所示,在Yt方向上錯開地設定描繪線SLa與描繪線SLb,以使掃描光點SPa、光點SPb的各者之描繪線SLa與描繪線SLb在副掃描方向上彼此分隔,且在主掃描方向上,端部鄰接或一部分重疊。也就是,描繪線SLa、SLb係以於平行狀態下在副掃描方向(基板P之搬送方向)上分隔,且在主掃描方向上無間隙地連續之方式配置。因此,於配置複數個此種描繪單元Ub之情形時,例如以圖21之方式進行配置。
圖21顯示如下情形的一例,係對應於前面的圖2,沿著Y(Yt)方向將基板P上所形成的作為電子元件形成區域之曝光區域W一分為六,藉由6條描繪線SL1a、SL1b、SL2a、SL2b、SL3a、SLb,於帶狀的複數個分割區域WS1~分割區域WS6的各者中描繪圖案。此處,與如前面的圖18~圖20般之描繪單元Ub為相同構成之第1描繪單元Ub1之兩條描繪線SL1a、SL1b,設定成分別於沿著Y方向相鄰接之分割區域WS1、WS2描繪圖案。同樣地,與描繪單元Ub為相同構成之第2描繪單元Ub2之兩條描繪線SL2a、SL2b,設定成分別於沿著Y方向相鄰接之分割區域WS3、WS4描繪圖案,與描繪單元Ub為相同構成之第3描繪單元Ub3之兩條描繪線SL3a、SL3b,設定成分別於沿著Y方向相鄰接之分割區域WS5、WS6描繪圖案。以在分割區域WS1與分割區域WS2之連接部STa、分割區域WS2與分割區域WS3之連接部STb、分割區域WS3與分割區域WS4之連接部STc、分割區域WS4與分割區域WS5之連接部STd及分割區域WS5與分割區域WS6之連接部STe,6條描繪線SL1a、…、SL3a、SL3b各自的端部在Y方向上精密地一致或稍微重疊之方式,精密地調整各描繪線的Y方向位置或各描繪線的描繪倍率。
如此,於本第3實施形態中,設定成利用描繪單元Ub(Ub1~Ub3)而掃描光點SPa、SPb之兩條描繪線SLa、SLb,在副掃描方向上彼此分隔,且在主掃描方向上,端部鄰接或一部分重疊。即使於該情形,使描繪單元Ub整體稍微旋轉時之旋動中心軸AXr,亦能夠設定成相對於基板P垂直地通過連接兩條描繪線SLa、SLb的中點之線段的中心點。因此,即使是為了獲得高重合精度而使描繪單元Ub整體繞旋動中心軸AXr旋動之情形,亦能夠抑制藉由描繪單元Ub而掃描光點SPa、SPb之兩條描繪線SLa、SLb在基板P上的位置偏移變大,因此,能夠一邊進行高精度的圖案描繪、一邊簡單地對描繪線SLa、SLb的斜度(被照射面內的相對於Y軸之斜度)進行調整。
另外,於上述各實施形態(亦包含變形例)中,複數個描繪單元U、Ua、Ub的描繪線SL均設為相同之掃描長度,但亦可使掃描長度不同。於該情形時,可於描繪單元U、Ua、Ub之間,使描繪線SL的掃描長度不同,亦可於同一描繪單元U、Ua、Ub中,使描繪線SLa、SLb的掃描長度不同。進一步地,雖使旋動中心軸AXr相對於基板P垂直地通過連接描繪單元U、Ua、Ub的描繪線SLa、SLb各自的中點之線段的中心點,但該旋動中心軸AXr亦可為相對於基板P垂直之方向,且設定於連接描繪線SLa、SLb各自的中點之線段上。
在以上的第3實施形態之情形中,為了如第1實施形態般,於沿著長條方向呈圓筒面狀地由旋轉筒DR1、DR2支承之基板P的被照射面進行圖案描繪,如圖22所示,只要以使藉由描繪單元Ub的fθ透鏡FTa(FTb)之後的反射鏡M15a(M15b)而彎折之光軸AXfa(AXfb)的延長線朝向旋轉筒DR1或DR2的中心軸(旋轉中心軸)AXo1或AXo2之方式,將XZ面內之反射鏡M15a(M15b)的斜度設定為45度以外之角度,且亦以於傾斜之光軸AXfa(AXfb)上聚焦之方式,相對於XY面傾斜配置柱面透鏡CY2a(CY2b)即可。另外,於與XY面平行地平坦支承基板P之情形時,例如能夠使用國際公開第2013/150677號公報所揭示之搬送裝置。又,亦可取代旋轉筒DR1、DR2而使用墊構件(基板支承保持具),該墊構件(基板支承保持具)係於呈圓筒面狀地彎曲之表面形成有多個微細之氣體噴出孔(及多個微細之抽吸孔),且利用氣體軸承以非接觸或低摩擦狀態支承基板P的背面側,以使基板P沿著長條方向呈圓筒狀地彎曲並支承該基板P。又,於上述第1實施形態~第2實施形態及其等的變形例中,可取代旋轉筒DR1、DR2,而使用國際公開第2013/150677號公報所揭示之與XY面平行地平坦支承基板P之搬送裝置,亦可使用利用氣體軸承以非接觸或低摩擦狀態支承基板P的背面側之上述墊構件(基板支承保持具)。
[第1實施形態~第3實施形態的變形例]
第1實施形態~第3實施形態亦可有如下所述之變形例。
(變形例1)圖23係顯示光束分配系統的一例的構成之圖,該光束分配系統係用於將從圖1中所示之光源裝置14提供之光束LB(兩條光束LBa、LBb)例如分配至圖2中的4個描繪單元U1、U2、U5、U6的各者。另外,該光束分配系統不僅可適用於第1實施形態之描繪裝置,亦可適用於第2實施形態、第3實施形態及其等的變形例之描繪裝置。
於光源裝置14中設置輸出紫外線區域的高輝度之雷射光束(連續光或脈衝光)之雷射光源LS、將來自雷射光源LS之光束轉換為既定直徑(例如數mm直徑)之平行光束之光束擴展器BX、將成為平行光束之光束一分為二之第1光束分光器(半反射鏡)BS1及面鏡MR1。由光束分離器BS1反射之光束作為光束LBa而射入至第2光束分離器BS2a,透過光束分光器BS1之光束由面鏡MR1反射以作為光束LBb而射入至第2光束分離器BS2b。光束分離器BS1之分割比為1:1,光束LBa、LBb之各光強度(照度)大致相等。射入至光束分離器BS2a之光束LBa、及射入至光束分離器BS2b之光束LBb進一步以相等之強度比而一分為二。
射入至光束分離器BS2a之光束LBa中,透過光束分離器BS2a之光束LBa射入至第3光束分光器BS3a(分割比為1:1)。射入至光束分光器BS2b之光束LBb中,透過光束分光器BS2b之光束LBb射入至第3光束分光器BS3b(分割比為1:1)。由光束分光器BS3a、BS3b的各者反射之兩條光束LBa、LBb,夾著描繪單元U1的旋動中心軸AXr相互平行,透過相對應之光學元件AOMa、AOMb(參照圖5等)而朝向描繪單元U1。繼而,透過光束分光器BS3a、BS3b的各者之兩條光束LBa、LBb分別由面鏡MR2a、MR2b反射之後,夾著描繪單元U2的旋動中心軸AXr相互平行,透過相對應之光學元件AOMa、AOMb而朝向描繪單元U2。
進一步地,前面的由光束分光器BS2a反射之光束LBa射入至第4光束分光器BS4a(分割比為1:1),前面的由光束分光器BS2b反射之光束LBb射入至第4光束分光器BS4b(分割比為1:1)。由光束分光器BS4a、BS4b的各者反射之兩條光束LBa、LBb,夾著描繪單元U5的旋動中心軸AXr相互平行,透過相對應之光學元件AOMa、AOMb而朝向描繪單元U5。繼而,透過光束分光器BS4a、BS4b的各者之兩條光束LBa、LBb分別由面鏡MR3a、MR3b反射之後,夾著描繪單元U6的旋動中心軸AXr相互平行,透過相對應之光學元件AOMa、AOMb而朝向描繪單元U6。藉由以上之構成,分配至4個描繪單元U1、U2、U5的各者之光束LBa、LBb均被設定為大致相等之光強度。
而且,光源裝置14內的雷射光源,只要是放射出紫外線區域波長之高輝度之光束,則亦可為固體雷射、氣體雷射中的任一種雷射。若使用光纖雷射光源作為固體雷射,則儘管是相對較精小的框體,仍能夠獲得高輸出之紫外光束,且容易裝入至曝光裝置(描繪裝置)EX的本體內,上述光纖雷射光源係利用光纖放大器將來自半導體雷射二極體之紅外線區域波長之光束(數百MHz之脈衝光)放大之後,藉由波長轉換元件而放射出紫外線區域波長之光束(脈衝光)。進一步地,於以上之第1實施形態~第3實施形態及各變形例中,雖為在曝光裝置EX本體內,可以旋動中心軸AXr為中心而旋轉之描繪單元U(Ua、Ub)內未設有描繪用之光源的構成,但於可利用來自半導體雷射二極體(LD)或發光二極體(LED)等之光束的強度而充分地描繪(曝光)圖案之情形時,亦可於各描繪單元U(Ua、Ub)內設置供給光束LBa、LBb之LD或LED。但是,由上述LD或LED形成之光源部於圖案描繪動作中,溫度會相當地上升,因此,需要設置對描繪單元U(Ua、Ub)內的光源部進行隔熱、冷卻等之溫度調整機構,以將描繪單元U(Ua、Ub)整體之溫度變化抑制得較小。於該情形時,亦將如圖5所示之光學元件AOMa、AOMb設置於各描繪單元U(Ua、Ub)內。
(變形例2)於以上之第1實施形態~第3實施形態及其等的各變形例中,多面鏡PM(PMa、PMb)係設為繞旋轉軸AXp以45度之間隔配置有8個反射面而成之8面體(或八角錐體狀),但反射面之數量亦可為任意數量,能夠同樣地使用3面~6面、9面、10面、12面、15面、16面、18面、20面等之多面鏡。一般而言,即使多面鏡之直徑相同,反射面數越多,則風損越小,因此可使其更高速地旋轉。又,於第1實施形態~第3實施形態及其等的各變形例中,雖省略了圖示及說明,但於多面鏡PM(PMa、PMb)周圍的兩處設置有原點感測器,該原點感測器係於多面鏡PM(PMa、PMb)的不同反射面的各者所反射之兩條光束LBa、LBb朝向與描繪線(掃描線)SLa、SLb上的光點SPa、SPb的掃描開始點分別對應之反射方向時,輸出原點訊號。沿著描繪線SLa、SLb之光點SPa、SPb的掃描位置之管理(偏移設定等)或基於圖案資料之光點SPa、SPb之強度調變(光學元件AOMa、AOMb之導通/斷開)的時序等,係基於該原點訊號與對應於光點SPa、SPb之掃描速度之時脈訊號而控制。
[第4實施形態]
於以上之第1實施形態~第3實施形態及其等的各變形例中,在自多面鏡PM(PMa、PMb)至fθ透鏡FTa、FTb為止之光路中,設置有反射鏡M6a、M6b或M12a、M12b,該反射鏡M6a、M6b或M12a、M12b係於使多面鏡PM(PMa、PMb)所反射之光束LBa、LBb偏向之面(於圖5、圖6之實施形態、圖12~圖16之各實施形態、圖18~圖20之實施形態中為與XtYt面平行之面,於圖17之實施形態中為與YtZt面平行之面)內,使光束LBa、LBb彎折。於來自光源裝置14之光束LB(LBa、LBb)處於較240 nm左右之波長更長之紫外線波長帶之情形時,多面鏡PM(PMa、PMb)或各反射鏡的反射面,係於玻璃或陶瓷母材的表面蒸鍍具有高反射率之鋁層,進一步於該鋁層上蒸鍍用於防止氧化等之介電體薄膜(單層或複數層)而製成。於多面鏡PM之情形時,利用鋁進行形成母材本體之加工,對成為反射面之部分進行光學研磨之後,於其表面蒸鍍介電體薄膜(單層或複數層)。對於具有此種反射面之構造之多面鏡PM(PMa、PMb)或反射鏡M6a、M6b、M12a、M12b,射入至反射面之光束LBa、LBb的入射角會根據用於主掃描之光束偏向角度而大幅度地改變,於光束LBa、LBb具有偏振特性之情形時,有時並無法忽視反射後之光束的強度根據入射角的變化而產生變化之傾向,即反射面之反射率之入射角依存性的影響。
圖24係於YtZt面內,對投射至前面的圖17所說明之多面鏡PM與反射鏡M6a的各者之光束LBa之入射角或反射角的狀況進行說明之圖。圖24所說明之狀況,亦可同樣地產生於其他實施形態(圖5、圖6、圖12~圖16、圖18~圖20)中。於圖24中,當YtZt面內之多面鏡PM的一個反射面RPh的角度θo為45°時,與Zt軸平行地射入之光束LBa以與Yt軸平行之方式由反射面RPh反射之後,利用反射鏡M6a而彎折90°,且與後續之fθ透鏡FTa的光軸AXfa同軸地前進。若多面鏡PM設為於圖24中順時針旋轉之多面鏡,則沿著描繪線SL2a(SLa)之光點SPa的有效掃描之開始點為反射面RPh在YtZt面內達到角度θo-Δθa之時點,光點SPa的有效掃描之結束點為反射面RPh在YtZt面內達到角度θo+Δθa之時點。因此,由多面鏡PM的反射面RPh反射並朝向反射鏡M6a之光束LBa相對於光軸AXfa之偏向角度範圍為±2Δθa。當光束LBa相對於光軸AXfa之偏向角為+2Δθa時,投射至反射鏡M6a的反射面之光束LBa之入射角θm1為θm1=45°-2Δθa,當光束LBa相對於光軸AXfa之偏向角為-2Δθa時,投射至反射鏡M6a的反射面之光束LBa之入射角θm2為θm2=45°+2Δθa。
此處,使用圖25說明由往反射鏡M6a射入之光束LBa之入射角的變化所產生之影響。圖25係說明使具有紫外線波長帶之偏振特性之光束射入至由鋁層與介電體薄膜構成之反射面時所觀察到的反射率之入射角依存性之特性CV1之曲線圖,縱軸表示反射面的反射率(%),橫軸表示往反射面射入之光束之入射角(度)。一般而言,當將光束以0°之入射角(即垂直入射)投射至反射面時,反射率最大。對於圖25之特性CV1而言,最大反射率為90%左右。當入射角為45°左右時,反射率約為87%,但隨著入射角進一步增大,反射率會大幅度地降低。於多面鏡PM的各反射面(RPh)之反射率與特性CV1相同之情形時,如圖24所示,射入至多面鏡PM的反射面RPh之光束LBa之入射角,以45°為中心而於±Δθa之範圍內產生變化。此處,若為了掃描描繪線SLa而射入至fθ透鏡系統FTa之光束LBa的最大偏向角度範圍±2Δθa為以光軸AXfa為中心之±15°,則由於Δθa為7.5°,因此往多面鏡PM的反射面RPh射入之光束LBa之入射角,以45°為中心而於37.5°~52.5°之範圍內產生變化。於特性CV1方面,入射角為37.5°時之反射率約為88%,入射角為52.5°時之反射率約為85.5%。
根據以上的內容,於使由多面鏡PM反射之光束LBa維持原狀態射入至fθ透鏡系統FTa之情形時,根據特性CV1,描繪線SLa上的掃描開始點處之光點SPa的強度、與掃描結束點處之光點SPa的強度產生了88%-85.5%=2.5%之差。此意味著若以描繪線SLa的中央附近之光點SPa的強度為基準,則於描繪線SLa的兩端部,強度誤差為±1.25%。於基板P上形成之感光性功能層為光阻或乾膜之情形時,主掃描過程中的光點SP的強度偏差之允許範圍可謂為±2%左右,若強度誤差(偏差)為±1.25%,則可被允許。
然而,如圖24所示,於多面鏡PM之後亦存在有入射角會因用於光束LBa之主掃描之偏向而大幅度地產生變化的反射鏡M6a,因此,投射至基板P上之光點SPa的強度會在主掃描方向上產生更大之強度誤差。如前面的說明所述,射入至反射鏡M6a之光束LBa之入射角,於θm1~θm2之間產生變化。於將Δθa設為7.5°之情形時,θm1=45°-15°=30°,θm2=45°+15°=60°。若反射鏡M6a之反射率之入射角依存性亦與圖25的特性CV1相同,則於描繪線SLa上的光點SPa之掃描開始點,往反射鏡M6a射入之光束LBa之入射角為θm1=30°,因此,該入射角下之反射鏡M6a之反射率約為88.5%。因此,根據與多面鏡PM的反射面RPh之反射率88%之積,於光點SPa之掃描開始點,反射率總計為77.9%(88%×88.5%)。又,於描繪線SLa上的光點SPa之掃描結束點,往反射鏡M6a射入之光束LBa之入射角為θm2=60°,因此,該入射角下之反射鏡M6a之反射率約為81%。因此,根據與多面鏡PM的反射面RPh之反射率85.5%之積,於光點SPa之掃描結束點,反射率總計為69.3%(85.5%×81%)。根據以上的內容,多面鏡PM的反射面與反射鏡M6a的反射面中的總計之反射率之入射角依存性變成圖25中的特性CV2般。另外,當光束LBa相對於多面鏡PM的反射面與反射鏡M6a的反射面該兩者之入射角為45°時,總計之反射率約為75.7%(87%×87%)。
如上所述,反射鏡M6a(M6b、M12a、M12b亦相同)具有與使由多面鏡PM反射之光束LBa(LBb)偏向之面(於圖17之實施形態中與YtZt面平行,於其他實施形態中與XtYt面平行)正交之反射面,因此,光束LBa(LBb)之入射角的變化大,對於圖25之特性CV2而言,於掃描開始點與掃描結束點,光點SPa(SPb)的強度會產生約8.6%之誤差。該值未必處於允許範圍,若有必要,較為理想的是設置某些修正(調整)機構。圖25所示之特性CV1為一例,於反射鏡的反射面由介電體的多層膜構成之情形時,相對於入射角之反射率之變化率(斜度)有時亦會進一步增大。因此,預先透過實驗或模擬等而求出實際所使用之多面鏡PM與反射鏡M6a(M6b)各自的反射率之特性CV1,且預先求出相對於描繪線SLa(SLb)上的光點SPa(SPb)的掃描位置之光束強度之變化傾向(強度偏差、斜度等)。
於上述光束強度之變化傾向為允許範圍以上之情形時,於反射鏡M6a、M6b、M12a、M12b之後的光束光路中,設置主掃描方向上之透射率連續或階段性地產生變化之中性密度濾光(ND濾光)板,能夠以光學方式抑制或修正相對於基板P上的光點SPa(SPb)的掃描位置之強度變化之傾向(強度偏差、斜度等)。中性密度濾光板能夠配置於反射鏡M6a、M6b(M12a、M12b)與fθ透鏡系統FTa、FTb之間的光路中、或fθ透鏡系統FTa、FTb與基板P之間的光路中。於fθ透鏡系統FTa、FTb之後的光路中,以覆蓋描繪線SLa、SLb之尺寸設置有平凸狀的第2柱面透鏡CY2a、CY2b,因此,亦可於該柱面透鏡CY2a、CY2b的附近設置中性密度濾光板。又,如圖5、圖18、圖22所示,於設置有以垂直射入至基板P之方式使從fθ透鏡系統FTa、FTb射出之掃描光束LBa、LBb彎折之反射鏡M7a、M7b、M15a、M15b之情形時,亦可於反射面蒸鍍使主掃描方向上之反射鏡M7a、M7b、M15a、M15b之反射率連續或階段性地產生變化之薄膜,或於反射面積層由厚度為0.1mm以下之薄玻璃所形成之中性密度濾光板,以光學方式調整(修正)相對於光點SPa(SPb)的主掃描位置之強度偏差。
亦可藉由電氣性的修正機構修正相對於光點SPa(SPb)的掃描位置之強度變化之傾向(強度偏差、斜度等)。圖26係顯示為了根據描繪資料使射入至描繪單元的多面鏡PM(PMa、PMb)之前的光束導通/斷開,而以前面的圖5、圖7所示之方式設置之光學元件(聲光調變元件、強度調變構件)AOMa、AOMb的控制系統的一例之方框圖。於圖26中,驅動電路100將導通/斷開用的高頻驅動訊號Sdv輸出至光學元件AOMa(AOMb)。此處,所謂的光學元件AOMa(AOMb)之斷開狀態,係指未對光學元件AOMa(AOMb)施加高頻驅動訊號Sdv,而將來自光源裝置14之光束LB在維持原狀態下作為0次光束LBu而使其透過之狀態;所謂的導通狀態,係指對光學元件AOMa(AOMb)施加高頻驅動訊號Sdv,將來自光源裝置14之光束LB之一次繞射光作為光束LBa(LBb),以既定繞射角使其偏向而加以輸出之狀態。該繞射角係由驅動訊號Sdv(高頻訊號)的頻率(例如80 MHz)決定。進一步地,若改變驅動訊號Sdv的振幅,則繞射效率會產生變化,而能夠對作為一次繞射光之光束LBa(LBb)的強度進行調整。
驅動電路100,將頻率固定且振幅穩定的來自高頻振盪器SF之高頻訊號、以像素單位按位元串列從記憶體讀出之描繪位元訊號CLT、及控制訊號DE予以輸入,該記憶體記憶有使一個像素與1位元相對應而成之位元映射形式的描繪資料(圖案資料)。驅動電路100於描繪位元訊號CLT為邏輯值「1」之期間,輸出來自高頻振盪器SF之高頻訊號作為驅動訊號Sdv,於描繪位元訊號CLT為邏輯值「0」之期間,禁止送出驅動訊號Sdv。進一步地,驅動電路100內設置有功率放大器,該功率放大器能夠根據控制訊號DE而改變來自高頻振盪器SF之高頻訊號的振幅。控制訊號DE為類比訊號或數位訊號,例如為指示功率放大器的放大率(增益)之值。此處,將控制訊號DE設為類比訊號。
此處,使用圖27之時序圖對如下情況進行說明,該情況係指於沿著描繪線SLa(SLb)掃描光點SPa(SPb)之圖案描繪動作中,對光束LBa(LBb)的強度進行調整。於圖27中,原點訊號在多面鏡PM的反射面旋轉至既定之角度位置並開始在基板P上掃描光點SPa(SPb)之前的時點,產生脈衝波形。因此,於多面鏡PM的反射面為8個面之情形時,原點訊號的脈衝波形在多面鏡PM旋轉一周的過程中產生8次。從產生原點訊號的脈衝波形起經過固定之延遲時間Tsq之後,產生描繪導通訊號(邏輯值「1」),描繪位元訊號CLT施加至驅動電路100,從而開始藉由光束LBa(LBb)描繪圖案。此時,控制訊號DE的值(類比電壓)以如下特性CCv而變遷,即,從描繪導通訊號變為邏輯值「1」時之值Ra起增大,且在描繪導通訊號從邏輯值「1」變為「0」時達到值Rb。於圖27中,於控制訊號DE的值為Ro之情形時,驅動電路100內的功率放大器的增益被設定為初始值(例如10倍)。於圖27之情形時,設定為Ra<Ro<Rb,因此,於描繪導通訊號上升至「1」之描繪線SLa上的掃描開始點附近,功率放大器的增益被設定為低於初始值,因此投射至基板P之光點SPa(SPb)的強度小於初始值。又,於描繪導通訊號下降至「0」之描繪線SLa上的掃描結束點附近,功率放大器的增益被設定為高於初始值,因此,投射至基板P之光點SPa(SPb)的強度大於初始值。藉此,能夠電氣性地調整(修正)根據光點SPa(SPb)的主掃描方向位置而產生之強度偏差。
如上所述之控制訊號DE的波形,能夠藉由將描繪導通訊號或原點訊號予以輸入之簡單之時間常數電路(積分電路等)而生成。又,控制訊號DE的特性CCv於圖27中呈線性地產生變化,但亦可藉由適當之濾波器電路而呈非線性地產生變化。於以數位資訊而非類比波形授予控制訊號DE之情形時,只要以能夠以控制訊號DE的數位值改變功率放大器的增益之方式進行變形即可。
如以上的圖26、圖27中所述,使授予光學元件AOMa(AOMb)之高頻驅動訊號Sdv的振幅產生變化而對投射至基板P之光束LBa(LBb)的強度進行調整之電氣調整機構,在對從複數個描繪單元的各者投射至基板P之光束間的相對強度差進行調整時亦有效果。另外,電氣性地對光束LBa(LBb)的強度進行調整之機構,亦可實現例如於光源裝置14為產生紫外線波長帶之雷射光束之半導體雷射光源或高輝度LED光源之情形時,對光源的發光輝度自身進行調整。
又,如以上的圖5、圖6、圖17所示,當於朝向反射面為8個面之多面鏡PM之兩條光束LBa、LBb相互平行之狀態下,利用多面鏡PM的反射面中的彼此成90°之關係之反射面的各者而使光束LBa與光束LBb反射時,光束LBa之光點SPa與光束LBb之光點SPb以相同時序於基板P上進行掃描。然而,如國際公開第2015/166910號公報所揭示,於分時(time-sharing)地將來自一個光源裝置14之光束LB分成光束LBa與光束LBb之情形時,需要進行設定,以使光點SPa之主掃描與光點SPb之主掃描不會以相同時序被執行。為此之簡單之實施形態,為於圖5、圖6、圖17所示之構成中,使用反射面為9個面之多面鏡作為多面鏡PM。於多面鏡為9個面之情形時,例如光束LBa射入至一個反射面的旋轉方向中央之時序,為其他光束LBb射入至9個面的多面鏡的反射面與反射面之間(稜線部)之時序。亦即,藉由改變反射面之數量,可使光點SPa之主掃描與光點SPb之主掃描的時序錯開。又,對於圖5、圖6、圖17所示之構成,於多面鏡PM為8個面,且使光點SPa之主掃描與光點SPb之主掃描的時序錯開之情形時,只要將朝向多面鏡PM之光束LBa與光束LBb從相互平行之狀態設為不平行之狀態即可。
10:元件製造系統
12:基板搬送機構
14:光源裝置
16:曝光頭
18:控制裝置
20、20b:第1導光光學系統
22、22b:第2導光光學系統
24、24a、24b:第1投射光學系統
26、26a、26b:第2投射光學系統
100:驅動電路
AMa(AMa1~AMa4)、AMb(AMb1~AMb4):對準顯微鏡
AOMa、AOMb:光學元件
AXc、AXfa、AXfb:光軸
AXo1:中心軸(第1中心軸)
AXo2:中心軸(第2中心軸)
AXp:旋轉軸
AXr:旋動中心軸
AXs:中心線
AXt:中心軸
BFa、BFb:光束成形光學系統
BS1:第1光束分光器(半反射鏡)
BS2a、BS3a、BS3b、BS4a、BS4b:光束分光器
BS2b:第2光束分光器
BW1、BW2:收斂位置
BX:光束擴展器
CCv、CV1、CV2:特性
CD:聚光透鏡
CLa、CLb:準直透鏡
CLT:描繪位元訊號
CY1、CY2a、CY2b:柱面透鏡
CY1a、CY1b:第1柱面透鏡
DE:控制訊號
DR1、DR2:旋轉筒
E:設置面
ECV:溫控室
EPC:邊緣位置控制器
EX:曝光裝置
fa:前側焦點距離
fb:後側焦點距離
FTa、FTb:fθ透鏡
LB、LBa、LBa-1、LBa-2、LBb、LBb-1、LBb-2:光束
LBu:0次光束
Lo、Lo-α:分隔距離
LS:雷射光源
M1、M1’、M3a、M3b、M4、M4a、M4b、M5、M5a、M5b、M6a、M6b、M7a、M7b、M8、M11a、M11b、M12a、M12b、M13a、M13b、M14a、M14b、M15a、M15b:反射鏡
M2:三角反射鏡
M10:三角反射鏡(直角鏡)
M10a、M10b、RP、RPa~RPh:反射面
MK1~MK4:對準標記
MR1、MR2a、MR2b、MR3a、MR3b:面鏡
P:基板(被照射體)
p13a、p13b、p14a、p14b:彎折位置
PBSa、PBSb:偏振光束分光器
Pcd:後側焦點面
PM、PMa、PMb:多面鏡
Poc1、Poc2:中心面
PR1、PR2:處理裝置
Pv:平面
QPa、QPb:1/4波長板
R1、R2:驅動輥
Ra、Rb、Ro:值
RT1、RT2、RT3:張力調整輥
Sdv:高頻驅動訊號
SF:高頻振盪器
Sft1、Sft2:軸
SLa、SLb:描繪線(掃描線)
SL1a~SL6a、SL1b~SL6b:描繪線
SP、SPa、SPb:光點
SRa、SRb:偏移光學構件(偏移光學板)
STa、STb、STc、STd、STe:連接部
SU1、SU2:防振單元
Tsq:延遲時間
Ua2、Ub:描繪單元
Ub1:第1描繪單元
Ub2:第2描繪單元
Ub3:第3描繪單元
U1、U2、U3、U4、U5、U6:描繪單元
W:曝光區域
WS1~WS6:分割區域
X、Xt、Y、Yt、Z、Z:方向
θm1、θm2:入射角
θo、θy、Δθz:角度
θs:角度範圍
ΔYh、ΔZh:位置偏移量
[圖1]係顯示第1實施形態之包含對基板實施曝光處理之曝光裝置之元件製造系統的概略構成之圖。
[圖2]係顯示圖1所示之複數個描繪單元之配置關係、及設置於基板之被照射面上的各描繪單元之描繪線的配置關係之圖。
[圖3]係顯示使在主掃描方向相鄰之描繪線的端部彼此一致時之各描繪單元之描繪線的配置關係之圖。
[圖4]係顯示使在掃描方向相鄰之描繪線的端部彼此各重疊固定長度時之各描繪單元之描繪線的配置關係之圖。
[圖5]係從-Yt(-Y)方向側觀察之圖1所示之描繪單元之構成圖。
[圖6]係從+Zt方向側觀察之圖5所示之描繪單元之構成圖。
[圖7]係從+Zt方向側觀察透過圖5所示之光學元件及準直透鏡射入至反射鏡之光束的光路之圖。
[圖8]係從+Xt方向側觀察從反射鏡射入至描繪單元之反射鏡之光束的光路之圖。
[圖9]係於XtZt面內觀察圖5所示之描繪單元內的作為反射構件之反射鏡與聚光透鏡之配置關係之圖。
[圖10]係於XtYt面內觀察圖9所示之作為反射構件之反射鏡與聚光透鏡之配置關係之圖。
[圖11]A係從+Zt方向側觀察當使圖5所示之描繪單元整體繞旋動中心軸旋動既定角度時,平行地射入至作為反射構件之反射鏡的光束之反射方向發生變化之樣子之圖,圖11B係從光束的前進方向側觀察使圖5所示之描繪單元整體旋動既定角度時之作為反射構件之反射鏡中的光束之位置變化之圖。
[圖12]係從+Zt方向側觀察第1實施形態的變形例1中的利用多面鏡之光束掃描系統時之圖。
[圖13]係從+Xt方向側觀察圖12的光束掃描系統時之圖。
[圖14]係從+Zt方向側觀察第1實施形態的變形例2中的射入至多面鏡並反射之光束的光路時之圖。
[圖15]係從+Xt方向側觀察圖14的光束掃描系統時之圖。
[圖16]A係從+Zt方向側觀察第1實施形態的變形例4中的利用多面鏡之光束掃描系統時之圖,圖16B係從-Xt方向側觀察圖16A的光束掃描系統時之圖。
[圖17]係顯示第2實施形態中的描繪單元之一部分的構成之圖。
[圖18]係從-Yt(-Y)方向側觀察之第3實施形態的描繪單元Ub之構成圖。
[圖19]係從+Xt方向側觀察圖18所示之描繪單元中的自多面鏡朝向+Zt側的構成之圖。
[圖20]係從+Zt方向側觀察圖18所示之描繪單元中的自多面鏡朝向-Zt方向側的構成之圖。
[圖21]係顯示沿著Y(Yt)方向將基板上所形成的作為電子元件形成區域之曝光區域一分為六,藉由6條描繪線對帶狀之複數個分割區域的各者描繪圖案的情形之一例。
[圖22]係顯示第3實施形態之設於fθ透鏡之後的反射鏡之配置角度的例子之圖。
[圖23]係顯示用以將圖1中所示之光源裝置14所提供之兩條光束分配至圖2中的4個描繪單元的各者的光束分配系統之一例的構成之圖。
[圖24]係對第4實施形態之描繪單元之多面鏡與後續之反射鏡之間的光束之偏向狀態進行說明之圖。
[圖25]係顯示基於圖24之多面鏡或反射鏡中的反射率之入射角依存性之一例之特性的曲線圖。
[圖26]係顯示用於對因反射鏡的反射率之入射角依存性而產生之光束強度變動進行調整之聲光調變元件(AOM)的控制系統的構成之圖。
[圖27]係顯示圖26的控制系統中的各部分之訊號的波形或時序之一例之時序圖。
AXr:旋動中心軸
MK1~MK4:對準標記
P:基板(被照射體)
PM:多面鏡
Poc1、Poc2:中心面
SLa、SLb:描繪線(掃描線)
SL1a~SL6a、SL1b~SL6b:描繪線
U1、U2、U3、U4、U5、U6:描繪單元
W:曝光區域
X、Y、Z:方向
Claims (7)
- 一種圖案描繪裝置,藉由將基於第1描繪資料而強度調變的第1光束、與基於第2描繪資料而強度調變的第2光束,以單一旋轉多面鏡同時一維地偏向,而將被投射在基板上之上述第1光束與上述第2光束之各自的點光,在上述基板上的不同位置進行一維掃描,將與上述描繪資料相應的圖案描繪於上述基板上,其具備: 光源裝置,包含輸出成為上述第1光束及上述第2光束之源頭的雷射光束的雷射光源,且將上述第1光束與上述第2光束設定為各自的中心線以既定的間隔相互平行而射出; 描繪單元,將第1反射鏡與掃描光學系一體地保持,該第1反射鏡用以將來自上述光源裝置的上述第1光束與上述第2光束以平行的狀態射入,而朝上述旋轉多面鏡反射,該掃描光學系用以將在上述旋轉多面鏡被反射之上述第1光束及上述第2光束各自射入,而在上述基板上將上述第1光束及上述第2光束各自聚光為點光;以及 驅動機構,為了調整上述第1光束與上述第2光束之各自的點光的一維掃描所造成的描繪線的傾斜,而繞與上述基板之表面的法線平行地設定的旋動中心軸,使上述描繪單元相對於上述光源裝置旋轉;且 在射入上述第1反射鏡之上述第1光束的中心線與上述第2光束的中心線之間,上述旋動中心軸的延長線以平行配置之方式設定。
- 如請求項1之圖案描繪裝置,其中, 上述光源裝置包含: 第1光學調變元件,將來自上述雷射光源之雷射光束基於上述第1描繪資料而進行強度調變以成為上述第1光束; 第2光學調變元件,將來自上述雷射光源之雷射光束基於上述第2描繪資料而進行強度調變以成為上述第2光束; 透鏡系統,使射入上述第1反射鏡之上述第1光束與上述第2光束各自為平行光束。
- 如請求項2之圖案描繪裝置,其中, 上述光源裝置, 更包含將來自上述雷射光源的雷射光束轉換為既定之直徑的平行光束之擴束器、與將來自該擴束器之上述雷射光束一分為二之分光器; 使被上述分光器分割之一方的雷射光束射入上述第1光學調變元件,且使被上述分光器分割之另一方的雷射光束射入上述第2光學調變元件。
- 如請求項1至3中任一項之圖案描繪裝置,其中, 上述光源裝置的上述雷射光源, 係將自雷射二極體以數百MHz輸出之紅外線波長的脈衝光以光纖放大器放大後,藉由波長轉換元件而作為紫外線波長的脈衝光束而放射的光纖雷射光源。
- 如請求項1至4之圖案描繪裝置,其進一步具備偏移光學構件, 該偏移光學構件修正被上述第1反射鏡反射而投射至上述旋轉多面鏡的上述第1光束與上述第2光束伴隨由上述驅動機構所進行之上述描繪單元的旋轉而自上述旋轉多面鏡的反射面上之適當的位置偏移的情況。
- 如請求項1至5之圖案描繪裝置,其中, 被投射至上述基板上之上述第1光束與上述第2光束各自的點光,在上述基板上於沿著上述描繪線之方向上以既定間隔分離配置。
- 如請求項1至5之圖案描繪裝置,其中, 被投射至上述基板上之上述第1光束與上述第2光束各自的點光,在上述基板上於與沿著上述描繪線之方向正交的方向上以既定間隔分離配置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS58105117A (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-22 | Fujitsu Ltd | 光走査装置 |
JPH1048558A (ja) * | 1996-07-29 | 1998-02-20 | Nec Niigata Ltd | レーザ走査光学ユニット |
US5969347A (en) * | 1996-12-26 | 1999-10-19 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Synchronizing apparatus of a cascade scanning optical system having tilting measurement of reflecting surfaces |
CN1189040A (zh) * | 1997-01-06 | 1998-07-29 | 旭光学工业株式会社 | 具有级光学扫描系统的扫描装置 |
US6288817B2 (en) * | 1998-01-21 | 2001-09-11 | Avanex Corporation | High duty cycle synchronized multi-line scanner |
JP4141056B2 (ja) * | 1999-06-25 | 2008-08-27 | 株式会社リコー | マルチビーム画像形成装置 |
FR2800968B1 (fr) * | 1999-11-05 | 2002-09-13 | Automa Tech Sa | Machine d'exposition d'un panneau a un rayonnement laser |
JP2001162863A (ja) * | 1999-12-13 | 2001-06-19 | Asahi Optical Co Ltd | 解像度可変の光走査装置 |
JP4315573B2 (ja) * | 2000-05-08 | 2009-08-19 | 富士フイルム株式会社 | 光記録方法及びそれを用いた光記録装置 |
JP2002023089A (ja) * | 2000-07-04 | 2002-01-23 | Asahi Optical Co Ltd | 走査式描画装置 |
JP4731761B2 (ja) * | 2001-08-24 | 2011-07-27 | 株式会社リコー | 光書込装置及び画像形成装置 |
JP2003140069A (ja) * | 2001-10-30 | 2003-05-14 | Panasonic Communications Co Ltd | 光走査装置及びその調整方法 |
JP2006058795A (ja) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Ricoh Co Ltd | 光ビーム走査装置及び画像形成装置 |
JP2006251688A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Ricoh Co Ltd | 光走査装置・画像形成装置 |
JP2007118329A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Noritsu Koki Co Ltd | 露光方法および装置ならびにそれを用いる写真処理装置 |
JP5223211B2 (ja) * | 2006-03-15 | 2013-06-26 | 株式会社リコー | 画像処理方法及び画像処理装置 |
JP5034632B2 (ja) * | 2007-04-12 | 2012-09-26 | 株式会社ニコン | パターンジェネレータ、パターン形成装置及びパターン生成方法 |
JP2011090188A (ja) * | 2009-10-23 | 2011-05-06 | Sharp Corp | 光走査装置及びこれを用いる画像形成装置 |
JP2012163868A (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-30 | Ricoh Co Ltd | 光走査装置及び画像形成装置 |
JP5772165B2 (ja) * | 2011-04-08 | 2015-09-02 | 株式会社リコー | 光走査装置及び画像形成装置 |
KR101896206B1 (ko) * | 2012-03-26 | 2018-09-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 처리 장치, 처리 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP5906115B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2016-04-20 | 川崎重工業株式会社 | 光走査装置及びレーザ加工装置 |
KR101973349B1 (ko) * | 2012-09-14 | 2019-04-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 처리 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP6349924B2 (ja) * | 2014-04-28 | 2018-07-04 | 株式会社ニコン | パターン描画装置 |
CN109061874B (zh) * | 2014-04-28 | 2021-05-18 | 株式会社尼康 | 图案描绘装置、图案描绘方法及器件制造方法 |
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