TW202010264A - 單邊帶混頻器及其方法 - Google Patents

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TW202010264A
TW202010264A TW108118503A TW108118503A TW202010264A TW 202010264 A TW202010264 A TW 202010264A TW 108118503 A TW108118503 A TW 108118503A TW 108118503 A TW108118503 A TW 108118503A TW 202010264 A TW202010264 A TW 202010264A
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嘉亮 林
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瑞昱半導體股份有限公司
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H03D7/14—Balanced arrangements
    • H03D7/1425—Balanced arrangements with transistors
    • H03D7/1441—Balanced arrangements with transistors using field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H03D7/14—Balanced arrangements
    • H03D7/1425—Balanced arrangements with transistors
    • H03D7/1458—Double balanced arrangements, i.e. where both input signals are differential
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H03D7/14—Balanced arrangements
    • H03D7/1425—Balanced arrangements with transistors
    • H03D7/1483—Balanced arrangements with transistors comprising components for selecting a particular frequency component of the output

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

一電路包含：一第一類型的一第一吉爾伯特單元混頻器，用來接收一第一訊號的一第一相和一第三相以及一第二訊號的一第一相和一第三相，並將一第一電流對輸出到一第一節點和一第二節點；一第二類型的一第一吉爾伯特單元混頻器，用來接收該第一訊號的該第一相和該第三相以及該第二訊號的該第一相和該第三相，並將一第二電流對輸出到該第一節點和該第二節點；該第一類型的一第二吉爾伯特單元混頻器，用來接收該第一訊號的一第二相和一第四相以及該第二訊號的一第二相和一第四相，並將一第三電流對輸出到該第一節點和該第二節點；該第二類型的一第二吉爾伯特單元混頻器，用來接收該第一訊號的該第二相和該第四相以及該第二訊號的該第二相和該第四相，並將一第四電流對輸出到該第一節點和該第二節點；一交叉耦合反相器對，用來交叉耦合第一節點和第二節點；以及一負載，跨在第一節點和第二節點上，用來以大約等於該第一訊號的頻率與該第二訊號的頻率之和的頻率，或以大約等於該第一訊號的頻率與該第二訊號的頻率之差的頻率諧振。

Description

單邊帶混頻器及其方法
本發明是關於單邊帶（single sideband）混頻器，尤其是關於可以使用直流耦合與後方電路連接的單邊帶混頻器。
單邊帶（single sideband，以下稱為SSB）混頻器接收第一頻率的第一訊號和第二頻率的第二訊號，並輸出第三頻率的第三訊號，該第三頻率是第一頻率和第二頻率的和。在差分訊號的實施例中，第一訊號和第二訊號都是四相訊號，而第三訊號是兩相訊號。圖1為習知SSB混頻器100的示意圖。SSB混頻器100接收第一訊號
Figure 02_image001
和第二訊號
Figure 02_image003
並輸出第三訊號
Figure 02_image005
，其中：第一訊號
Figure 02_image001
是包含第一相
Figure 02_image007
、第二相
Figure 02_image009
、第三相
Figure 02_image011
及第四相
Figure 02_image013
的四相訊號；第二訊號
Figure 02_image003
是包含第一相
Figure 02_image015
、第二相
Figure 02_image017
、第三相
Figure 02_image019
及第四相
Figure 02_image021
的四相訊號；以及第三訊號
Figure 02_image005
是包含第一相
Figure 02_image023
及第二相
Figure 02_image025
的兩相訊號。SSB 100包含第一吉爾伯特單元混頻器（Gilbert cell mixer）110、第二吉爾伯特單元混頻器120以及負載130，其中：第一吉爾伯特單元混頻器110包含6個n通道金屬氧化物半導體（n-channel metal oxide semiconductor, NMOS）電晶體111、112、113、114、115以及116，而且用來將
Figure 02_image007
和
Figure 02_image011
與
Figure 02_image015
和
Figure 02_image019
混合，以得到第一電流對
Figure 02_image027
和
Figure 02_image029
；第二吉爾伯特單元混頻器120包含6個NMOS電晶體121、122、123、124、125以及126，而且用來將
Figure 02_image009
和
Figure 02_image013
與
Figure 02_image017
和
Figure 02_image021
混合，以得到第二電流對
Figure 02_image031
和
Figure 02_image033
；負載130包含第一電感131、第二電感132及電容133。在本說明書中，「
Figure 02_image035
」表示電源節點而「
Figure 02_image037
」表示接地節點。第一訊號
Figure 02_image001
具有第一頻率
Figure 02_image039
，第二訊號
Figure 02_image003
具有第二頻率
Figure 02_image041
。
Figure 02_image027
和
Figure 02_image033
在第一節點101處相加，得到
Figure 02_image023
；
Figure 02_image029
和
Figure 02_image031
在第二節點102處相加，得到
Figure 02_image025
。負載130形成諧振頻率等於
Figure 02_image039
+
Figure 02_image041
的共振儲槽（resonant tank），使得第三訊號
Figure 02_image005
的主要成分具有頻率
Figure 02_image039
+
Figure 02_image041
。吉爾伯特單元混頻器及SSB混頻器100為習知技術中眾所周知的電路，所以此處不再贅述其細節。
位在SSB混頻器100前面的電路（通常是緩衝器）和後面的電路（通常也是緩衝器）最好也能工作在相同的電源域（power domain）下，換言之，從
Figure 02_image035
接收電力並透過
Figure 02_image037
返回，否則整個系統的複雜性將變得很高。SSB混頻器100的第一個問題是，第三訊號
Figure 02_image005
的共模電壓等於
Figure 02_image035
並且很可能對於後面的電路而言太高，因此需要交流（alternate current, AC）耦合來跟後面的電路接合。SSB混頻器100的第二個問題是，
Figure 02_image023
和
Figure 02_image025
可以擺動到足以損壞NMOS電晶體113~116和123~126的電位，因此需要一些保護電路，例如，插入於負載130和兩個吉爾伯特單元混頻器110和120之間的疊接（cascode）元件。
因此需要一種SSB混頻器，其可以使用直流（direct current, DC）耦合來與後面的電路接合，並且不需要保護電路。
在一實施例中，一電路包含：一第一類型的一第一吉爾伯特單元混頻器，用來接收一第一訊號的一第一相和一第三相以及一第二訊號的一第一相和一第三相，並將一第一電流對輸出到一第一節點和一第二節點；一第二類型的一第一吉爾伯特單元混頻器，用來接收該第一訊號的該第一相和該第三相以及該第二訊號的該第一相和該第三相，並將一第二電流對輸出到該第一節點和該第二節點；該第一類型的一第二吉爾伯特單元混頻器，用來接收該第一訊號的一第二相和一第四相以及該第二訊號的一第二相和一第四相，並將一第三電流對輸出到該第一節點和該第二節點；該第二類型的一第二吉爾伯特單元混頻器，用來接收該第一訊號的該第二相和該第四相以及該第二訊號的該第二相和該第四相，並將一第四電流對輸出到該第一節點和該第二節點；一交叉耦合（cross-coupling）反相器對，用來交叉耦合第一節點和第二節點；以及一負載，跨在第一節點和第二節點上，用來以大約等於該第一訊號的頻率與該第二訊號的頻率之和的頻率，或以大約等於該第一訊號的頻率與該第二訊號的頻率之差的頻率諧振。
在一實施例中，一種方法包含：接收包含四個相的一第一訊號和包含四個相的一第二訊號；使用一第一類型的一第一吉爾伯特單元混頻器，透過將該第一訊號的一第一相和一第三相與該第二訊號的一第一相和一第三相混合來產生一第一電流對；使用一第二類型的一第一吉爾伯特單元混頻器，透過將該第一訊號的該第一相和該第三相與該第二訊號的該第一相和該第三相混合來產生一第二電流對；使用該第一類型的一第二吉爾伯特單元混頻器，透過將該第一訊號的一第二相和一第四相與該第二訊號的一第二相和一第四相混合來產生一第三電流對；使用該第二類型的一第二吉爾伯特單元混頻器，透過將該第一訊號的該第二相和該第四相與該第二訊號的該第二相和該第四相混合來產生一第四電流對；將該第一電流對、該第二電流對、該第三電流對及該第四電流對相加，以在一第一節點和一第二節點處形成兩相的一第三訊號；使用一反相器對來交叉耦合該第三訊號的一第一相和一第二相；以及使用跨該第一節點和該第二節點的一諧振網路濾波該第三訊號。
有關本發明的特徵、實作與功效，茲配合圖式作實施例詳細說明如下。
本發明關於單邊帶混頻器。儘管本說明書描述了本發明的幾個示範性實施例，其被認為是實施本發明的較佳模式，但應該理解，本發明可以以多種方式實現，並且不限於下面描述的特定範例或者實現這些範例的任何特徵的特定方式。在其他情況下，未顯示或描述眾所周知的細節以避免模糊本發明的各方面。
本技術領域具有通常知識者理解與說明書中使用的微電子有關的術語和基本概念，例如「電路」、「負載」、「電壓」、「電流」、「電阻」、「電容」、「低通濾波器」、「電晶體」、「MOS（金屬氧化物半導體）」、「PMOS（p通道金屬氧化物半導體）」、「NMOS（n通道金屬氧化物半導體）」、「CMOS（互補金屬氧化物半導體）」、「節點」、「電源」、「源極」、「閘極」、「汲極」、「接地節點」、「電源節點」、「頻率」、「單邊帶」、「混頻器」、「開關」、「共振儲槽」和「疊接」。本技術領域具有通常知識者還可以容易地識別出MOS電晶體的符號及其相關的「源極」、「閘極」和「汲極」端子。這些術語和基本概念對於本技術領域具有通常知識者來說是顯而易見的，因此這裡不再詳細說明。
圖2A描繪了根據本發明一實施例的SSB混頻器200A的示意圖。SSB混頻器200A接收第一訊號
Figure 02_image043
和第二訊號
Figure 02_image045
並輸出第三訊號
Figure 02_image047
，其中：第一訊號
Figure 02_image043
是一個包含第一相
Figure 02_image049
、第二相
Figure 02_image051
、第三相
Figure 02_image053
以及第四相
Figure 02_image055
的四相訊號；第二訊號
Figure 02_image045
是一個包含第一相
Figure 02_image057
、第二相
Figure 02_image059
、第三相
Figure 02_image061
以及第四相
Figure 02_image063
的四相訊號；以及第三訊號
Figure 02_image047
是一個包含第一相
Figure 02_image065
和第二相
Figure 02_image067
的兩相訊號。SSB混頻器200A包含第一N型吉爾伯特單元混頻器210、第一P型吉爾伯特單元混頻器220、第二N型吉爾伯特單元混頻器230、第二P型吉爾伯特單元混頻器240、交叉耦合（cross-coupling）反相器對260，以及負載250，其中：第一N型吉爾伯特單元混頻器210包含6個NMOS電晶體211、212、213、214、215及216；第一P型吉爾伯特單元混頻器220包含6個PMOS電晶體221、222、223、224、225及226；第二N型吉爾伯特單元混頻器230包含6個NMOS電晶體231、232、233、234、235及236；第二P型吉爾伯特單元混頻器240包含6個PMOS電晶體241、242、243、244、245及246；負載250包含電感251和電容252；以及交叉耦合反相器對260包含由NMOS電晶體261及PMOS電晶體262所構成的第一反相器，以及由NMOS電晶體263及PMOS電晶體264構成的第二反相器。本技術領域具有通常知識者理解MOS電晶體的符號和電路圖，因此不再詳細描述其連接關係（例如，NMOS電晶體211的源極、閘極和汲極分別連接到
Figure 02_image037
、
Figure 02_image049
和節點217）。每個吉爾伯特單元混頻器（即210、220、230和240）包含由第一訊號
Figure 02_image043
的兩個相所控制的兩個增益裝置以及由第二訊號
Figure 02_image045
的兩個相所控制的四個開關。
例如，第一N型吉爾伯特單元210的兩個增益裝置由分別由
Figure 02_image049
和
Figure 02_image053
控制的NMOS電晶體211和212實現，以及四個開關213、214、215和216分別由
Figure 02_image057
、
Figure 02_image061
、
Figure 02_image061
和
Figure 02_image057
控制。第一N型（P型）吉爾伯特單元210（220）分別使用NMOS（PMOS）電晶體211（221）和212（222）接收
Figure 02_image049
和
Figure 02_image053
，並使用NMOS（PMOS）電晶體213（223）、214（224）、215（225）和216（226）將其與
Figure 02_image057
和
Figure 02_image061
混合，以產生第一（第二）電流對
Figure 02_image069
（
Figure 02_image071
）和
Figure 02_image073
（
Figure 02_image075
）。第二N型（P型）吉爾伯特單元230（240）分別使用NMOS（PMOS）電晶體231（241）和232（242）接收
Figure 02_image051
和
Figure 02_image055
，並使用NMOS（PMOS）電晶體233（243）、234（244）、235（245）和236（246）將其與
Figure 02_image059
和
Figure 02_image063
混合，以產生第三（第四）電流對
Figure 02_image077
（
Figure 02_image079
）和
Figure 02_image081
（
Figure 02_image083
）。
Figure 02_image069
、
Figure 02_image085
和
Figure 02_image083
在第一節點201處相加，得到
Figure 02_image065
，而
Figure 02_image073
，
Figure 02_image075
，
Figure 02_image077
和
Figure 02_image079
在第二節點202處相加，得到
Figure 02_image067
。交叉耦合反相器對260用來提供
Figure 02_image065
和
Figure 02_image067
之間的交叉耦合。
在一個實施例中，第一訊號
Figure 02_image043
和第二訊號
Figure 02_image045
可以透過以下兩個方程式建構數學上的模型：
Figure 02_image087
(1)
Figure 02_image089
(2)
此處t表示時間變量，
Figure 02_image091
是第一共模電壓，
Figure 02_image093
是第一振幅，
Figure 02_image039
是第一頻率，
Figure 02_image095
是第二共模電壓，
Figure 02_image097
是第二振幅，
Figure 02_image041
是第二頻率。方程式（1）和（2）以正弦波建構第一訊號
Figure 02_image043
和第二訊號
Figure 02_image045
的模型。
在另一個實施例中，第一訊號
Figure 02_image043
和第二訊號
Figure 02_image045
可以透過以下兩個方程式建構數學上的模型：
Figure 02_image099
(3)
Figure 02_image101
(4)
這裡，
Figure 02_image103
表示一個符號函數，當其引數為正時輸出1，當其參數為負時輸出-1。方程式（3）和（4）以方波建構第一訊號
Figure 02_image043
和第二訊號
Figure 02_image045
的模型。
Figure 02_image069
和
Figure 02_image071
大致與
Figure 02_image105
成比例，而
Figure 02_image077
和
Figure 02_image079
大致與
Figure 02_image107
成比例。
Figure 02_image065
大致與
Figure 02_image109
（即
Figure 02_image111
）成比例。
Figure 02_image067
是
Figure 02_image065
的反相。
SSB混頻器200A和圖1的習知SSB混頻器100之間的主要區別在於：增加兩個P型吉爾伯特單元220和240以分別與兩個N型吉爾伯特單元210和230互補。另一個不同之處在於，增加交叉耦合反相器對260以實現兩個目的：增強增益並為第三訊號
Figure 02_image047
（其為一個包含
Figure 02_image065
和
Figure 02_image067
的兩相訊號）建立共模電位。交叉耦合反相器對（例如交叉耦合反相器對260）可以提供正回授並因此增強增益。交叉耦合反相器對（例如交叉耦合反相器對260）的共模電位等於反相器對的跳脫點（trip point）。負載250用來形成在
Figure 02_image039
+
Figure 02_image041
處諧振的諧振網路（跨越第一節點201和第二節點202）。
以下為本案的實施方式之一（非用以限定本發明）：SSB混頻器200使用28nm的CMOS製程製造；
Figure 02_image035
為1V；
Figure 02_image037
為0V；
Figure 02_image039
為4GHz；
Figure 02_image041
為8GHz；
Figure 02_image091
為0.5V；
Figure 02_image095
為0.5V；
Figure 02_image093
為0.5V；
Figure 02_image097
為0.5V；對於NMOS電晶體211、212、213、214、215、216、231、232、233、234、235和236來說，寬度和長度分別為1.8μm和30nm；對於PMOS電晶體221、222、223、224、225、226、241、242、243、244、245和246來說，寬度和長度分別為2.34μm和30nm；NMOS電晶體261和263的寬度和長度分別為0.6μm和30nm；PMOS電晶體262和264的寬度和長度分別為0.78μm和30nm；電感251為1nH；以及電容252是164fF。第三訊號
Figure 02_image047
的共模電壓約為0.5V。由於使用互補拓撲，第三訊號
Figure 02_image047
的共模電壓大約在
Figure 02_image035
和
Figure 02_image037
之間的中間點。因此，SSB混頻器200A解決了圖1的SSB 100的可靠性問題和共模問題。
圖2B繪示另一SSB混頻器200B的示意圖。SSB混頻器200B與圖2A的SSB混頻器200A在電路拓撲上相同，除了
Figure 02_image077
和
Figure 02_image079
在第一節點201處與
Figure 02_image069
和
Figure 02_image071
（而不是
Figure 02_image073
和
Figure 02_image075
）相加，而
Figure 02_image081
和
Figure 02_image083
在第二節點202處與
Figure 02_image073
和
Figure 02_image075
（而不是
Figure 02_image069
和
Figure 02_image071
）相加。由於此差異，
Figure 02_image065
大致與
Figure 02_image113
（即
Figure 02_image115
）成比例。
Figure 02_image067
是
Figure 02_image065
的反相。在此實施例中，負載250用來形成在
Figure 02_image039
-
Figure 02_image041
（而不是在
Figure 02_image039
+
Figure 02_image041
）處諧振的諧振網路（跨越第一節點201和第二節點202）。
如圖3的流程圖300所示，根據本發明一實施例的方法包含:（步驟310）接收包含四個相的第一訊號和包含四個相的第二訊號；（步驟320）使用第一類型的第一吉爾伯特單元混頻器，透過將第一訊號的第一相和第三相與第二訊號的第一相和第三相混合來產生第一電流對；（步驟330），使用第二類型的第一吉爾伯特單元混頻器，透過將第一訊號的第一相和第三相與第二訊號的第一相和第三相混合來產生第二電流對；（步驟340）使用第一類型的第二吉爾伯特單元混頻器，透過將第一訊號的第二相和第四相與第二訊號的第二相和第四相混合來產生第三電流對；（步驟350）使用第二類型的第二吉爾伯特單元混頻器，透過將第一訊號的第二相和第四相與第二訊號的第二相和第四相混合來產生第四電流對；（步驟360）將第一電流對、第二電流對、第三電流對及第四電流對相加，以在第一節點和第二節點處形成兩相的第三訊號；（步驟370）使用反相器對來交叉耦合第三訊號的第一相和第二相；以及（步驟380）使用跨第一節點和第二節點的諧振網路對第三訊號進行濾波。
本技術領域具有通常知識者將容易地觀察到，可以對裝置和方法進行多種修改和變更而同時保有本發明的教導。因此，上述的公開內容應被解釋為僅受所附申請專利範圍的範圍和界限所限制。
100、200A、200B‧‧‧SSB混頻器 110、120、210、220、230、240‧‧‧吉爾伯特單元混頻器 130、250‧‧‧負載 111～116、121～126、211～216、231～236、261、263‧‧‧NMOS電晶體 221～226、241～246、262、264‧‧‧PMOS電晶體 131、132、251‧‧‧電感 133、252‧‧‧電容 260‧‧‧交叉耦合反相器對 S310～S380‧‧‧步驟
［圖1］為習知SSB混頻器的示意圖； ［圖2A］為根據本發明一實施例的SSB混頻器的示意圖； ［圖2B］為根據本發明另一實施例的SSB混頻器的示意圖；以及 ［圖3］為根據本發明一實施例的方法的流程圖。
200A‧‧‧SSB混頻器
210、220、230、240‧‧‧吉爾伯特單元混頻器
250‧‧‧負載
211~216、231~236、261、263‧‧‧NMOS電晶體
221~226、241~246、262、264‧‧‧PMOS電晶體
251‧‧‧電感
252‧‧‧電容
260‧‧‧交叉耦合反相器對

Claims (10)

  1. 一種電路，包含： 一第一類型的一第一吉爾伯特單元混頻器，用來接收一第一訊號的一第一相和一第三相以及一第二訊號的一第一相和一第三相，並將一第一電流對輸出到一第一節點和一第二節點； 一第二類型的一第一吉爾伯特單元混頻器，用來接收該第一訊號的該第一相和該第三相以及該第二訊號的該第一相和該第三相，並將一第二電流對輸出到該第一節點和該第二節點； 該第一類型的一第二吉爾伯特單元混頻器，用來接收該第一訊號的一第二相和一第四相以及該第二訊號的一第二相和一第四相，並將一第三電流對輸出到該第一節點和該第二節點； 該第二類型的一第二吉爾伯特單元混頻器，用來接收該第一訊號的該第二相和該第四相以及該第二訊號的該第二相和該第四相，並將一第四電流對輸出到該第一節點和該第二節點； 一交叉耦合反相器對，用來交叉耦合該第一節點和該第二節點；以及 一負載，跨在該第一節點和該第二節點上，用來以大約等於該第一訊號的頻率與該第二訊號的頻率之和的頻率，或以大約等於該第一訊號的頻率與該第二訊號的頻率之差的頻率諧振。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電路，其中該負載包含一電感和一電容的並聯連接。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之電路，其中該第一類型的該第一吉爾伯特單元包含： 一第一NMOS電晶體和一第二NMOS電晶體，用來分別接收該第一訊號的該第一相和該第三相； 一第三NMOS電晶體，用來根據該第二訊號的該第一相有條件地在該第一NMOS電晶體的輸出和該第一節點之間提供一電流傳導路徑； 一第四NMOS電晶體，用來根據該第二訊號的該第三相有條件地在該第一NMOS電晶體的輸出與該第二節點之間提供一電流傳導路徑； 一第五NMOS電晶體，用來根據該第二訊號的該第三相有條件地在該第二NMOS電晶體的輸出與該第一節點之間提供一電流傳導路徑；以及 一第六NMOS電晶體，用來根據該第二訊號的該第一相有條件地在該第二NMOS電晶體的輸出與該第二節點之間提供一電流傳導路徑。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之電路，其中該第二類型的該第一吉爾伯特單元包含： 一第一PMOS電晶體和一第二PMOS電晶體，用於分別接收該第一訊號的該第一相和該第三相； 一第三PMOS電晶體，用於根據該第二訊號的該第三相有條件地在該第一PMOS電晶體的輸出與該第一節點之間提供一電流傳導路徑； 一第四PMOS電晶體，用於根據該第二訊號的該第一相有條件地在該第一PMOS電晶體的輸出與該第二節點之間提供一電流傳導路徑； 一第五PMOS電晶體，用於根據該第二訊號的該第一相有條件地在該第二PMOS電晶體的輸出與該第一節點之間提供一電流傳導路徑；以及 一第六PMOS電晶體，用來根據該第二訊號的該第三相有條件地在該第二PMOS電晶體的輸出與該第二節點之間提供一電流傳導路徑。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之電路，其中該第一類型的該第二吉爾伯特單元包含： 一第一NMOS電晶體和一第二NMOS電晶體，用於分別接收該第一訊號的該第二相和該第四相； 一第三NMOS電晶體，用來根據該第二訊號的該第二相有條件地在該第一NMOS電晶體的輸出和該第二節點之間提供一電流傳導路徑； 一第四NMOS電晶體，用於根據該第二訊號的該第四相有條件地在該第一NMOS電晶體的輸出與該第一節點之間提供一電流傳導路徑； 一第五NMOS電晶體，用來根據該第二訊號的該第四相有條件地在該第二NMOS電晶體的輸出與該第二節點之間提供一電流傳導路徑；以及 一第六NMOS電晶體，用來根據該第二訊號的該第二相有條件地在該第二NMOS電晶體的輸出與該第一節點之間提供一電流傳導路徑。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之電路，其中該第二類型的該第二吉爾伯特單元包含： 一第一PMOS電晶體和一第二PMOS電晶體，用於分別接收該第一訊號的該第二相和該第四相； 一第三PMOS電晶體，用來根據該第二訊號的該第四相有條件地在該第一PMOS電晶體的輸出與該第二節點之間提供一電流傳導路徑； 一第四PMOS電晶體，用於根據該第二訊號的該第二相有條件地在該第一PMOS電晶體的輸出與該第一節點之間提供一電流傳導路徑； 一第五PMOS電晶體，用來根據該第二訊號的該第二相有條件地在該第二PMOS電晶體的輸出與該第二節點之間提供一電流傳導路徑；以及 一第六PMOS電晶體，用來根據該第二訊號的該第四相有條件地在該第二PMOS電晶體的輸出與該第一節點之間提供一電流傳導路徑。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之電路，其中該第一類型的該第二吉爾伯特單元包含： 一第一NMOS電晶體和一第二NMOS電晶體，用於分別接收該第一訊號的該第二相和該第四相； 一第三NMOS電晶體，用來根據該第二訊號的該第四相有條件地在該第一NMOS電晶體的輸出與該第二節點之間提供一電流傳導路徑； 一第四NMOS電晶體，用於根據該第二訊號的該第二相有條件地在該第一NMOS電晶體的輸出與該第一節點之間提供一電流傳導路徑； 一第五NMOS電晶體，用來根據該第二訊號的該第二相有條件地在該第二NMOS電晶體的輸出與該第二節點之間提供一電流傳導路徑；以及 一第六NMOS電晶體，用來根據該第二訊號的該第四相有條件地在該第二NMOS電晶體的輸出與該第一節點之間提供一電流傳導路徑。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之電路，其中該第二類型的該第二吉爾伯特單元包含： 一第一PMOS電晶體和一第二PMOS電晶體，用於分別接收該第一訊號的該第二相和該第四相； 一第三PMOS電晶體，用來根據該第二訊號的該第二相有條件地在該第一PMOS電晶體的輸出和該第二節點之間提供一電流傳導路徑； 一第四PMOS電晶體，用於根據該第二訊號的該第四相有條件地在該第一PMOS電晶體的輸出與該第一節點之間提供一電流傳導路徑； 一第五PMOS電晶體，用於根據該第二訊號的該第四相有條件地在該第二PMOS電晶體的輸出與該第二節點之間提供一電流傳導路徑；以及 一第六PMOS電晶體，用來根據該第二訊號的該第二相有條件地在該第二PMOS電晶體的輸出與該第一節點之間提供一電流傳導路徑。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之電路，其中該交叉耦合反相器對包含： 具有一第一NMOS電晶體和一第一PMOS電晶體的一第一反相器；以及 具有一第二NMOS電晶體和一第二PMOS電晶體的一第二反相器。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之電路，其中該第一訊號是一四相訊號，該第二訊號是一四相訊號，以及該第三訊號是一兩相訊號。
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